KR20200030269A - Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment - Google Patents

Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment Download PDF

Info

Publication number
KR20200030269A
KR20200030269A KR1020180108922A KR20180108922A KR20200030269A KR 20200030269 A KR20200030269 A KR 20200030269A KR 1020180108922 A KR1020180108922 A KR 1020180108922A KR 20180108922 A KR20180108922 A KR 20180108922A KR 20200030269 A KR20200030269 A KR 20200030269A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
semiconductor equipment
main body
wafer
size
Prior art date
Application number
KR1020180108922A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김은숙
Original Assignee
김은숙
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김은숙 filed Critical 김은숙
Priority to KR1020180108922A priority Critical patent/KR20200030269A/en
Publication of KR20200030269A publication Critical patent/KR20200030269A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N15/1429Signal processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N2015/1493Particle size

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

The present invention relates to a particle measuring device for semiconductor equipment, which measures a size and the number of particles which are introduced into a sealed working space inside semiconductor equipment for processing a wafer and float in the working space, can measure the particles in real time in a process of driving the semiconductor equipment by allowing the measured particles to be filtered by a filter, and can obtain more accurate measurement data as a result thereof. To this end, the particle measuring device for semiconductor equipment of the present invention comprises: a main body moved into semiconductor equipment, and having a shape and a size corresponding to a wafer introduced into the semiconductor equipment to measure particles; a sensor module installed on the main body to detect and measure the particles floating in a working space after being introduced into the semiconductor equipment together with the main body; and a control unit installed on the main body to receive data of the particles sensed by the sensor module, and converting the received data into information on the size and number of the particles to output the same.

Description

반도체 장비용 파티클 측정장치{Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment}Particle measurement apparatus for semiconductor equipment

웨이퍼(wafer)는 반도체 칩을 제작하기 위한 재료로 실리콘 반도체의 소재 종류 결정을 원주상에 성장시킨 주괴A wafer is a material for manufacturing a semiconductor chip, and an ingot in which a silicon semiconductor material type crystal is grown on a column

를 얇게 깍아낸 원판 형태로 제작된다. 이와 같은 웨이퍼는 제작 후공정에서 표면처리 또는 칩 형태로 절단되는It is produced in the form of a disc with thinly cut. Such a wafer is cut into surface treatment or chip form in the post-production process.

공정을 거치게 되는데, 이는 전용의 반도체 장비에 의해 수행된다.It goes through a process, which is performed by dedicated semiconductor equipment.

[0005] 이때, 상기 웨이퍼를 가공하기 위한 반도체 장비는 내부의 작업공간을 밀폐된 공간으로 형성하고, 대단히 정밀At this time, the semiconductor equipment for processing the wafer forms an inner working space as a closed space, and is very precise.

한 작업이 수행되기 위해 상기 작업공간을 청정공간으로 유지시키게 된다. 참고적으로 반도체 제조 공정 진행In order to perform one work, the work space is kept clean. For reference, semiconductor manufacturing process

중 가장 큰 제품 불량은 미세입자, 미세분진(Particle, 이하 파티클)이 가장 큰 원인이라 할 수 있으며, 회로의Among the biggest defects of the product, microparticles and fine particles can be said to be the biggest cause.

선폭(Pattern)이 50nm미만의 제품 생산이 더욱 많아지면서 특히 반도체 장비 내부에 존재하는 미세입자는 제품As the production of products with a pattern width of less than 50 nm increases more, especially the fine particles existing inside semiconductor equipment are products.

에 치명적인 불량을 유발시킨다. 따라서, 상기와 같은 반도체 장비는 밀폐된 작업공간 내공기 혹은 기체에 포함Causes fatal defects. Therefore, the semiconductor equipment as described above is included in the air or the gas in the closed working space.

된 미세입자 혹은 미세분진의 크기 및 수량을 필수적으로 측정하게 된다.It is essential to measure the size and quantity of fine particles or fine dust.

[0006] 상기와 같이 반도체 장비 내부에 존재하는 파티클을 측정하기 위한 장비로 "파티클 카운터"라 지칭되는 측정장[0006] As described above, as a device for measuring particles existing inside a semiconductor device, a measurement field referred to as a "particle counter"

비가 출시되어 사용되어지고 있다. 이와 같은 파티클 카운터는 상부에 공기흡입구가 형성되고, 이 공기흡입구에Rain has been released and used. In such a particle counter, an air intake is formed at the top, and this air intake is

반도체 장비 내부의 챔버와 연통되도록 튜브가 결합되어 파티클을 측정할 수 있도록 구성된다.The tube is configured to communicate with the chamber inside the semiconductor equipment so that particles can be measured.

[0007] 이와 같은 종래의 파티클 카운터는 파티클을 측정하려면 반도체 장비의 구동을 정지시킨 후 작업을 수행해야 하In the conventional particle counter, in order to measure particles, it is necessary to perform operation after stopping the driving of semiconductor equipment.

며, 반도체 장비 내부에서 파티클을 흡입한 후 측정을 수행하기 때문에 작업의 번거로움 및 측정결과가 부정확In addition, since the measurement is performed after the particles are sucked inside the semiconductor equipment, the work hassle and the measurement results are inaccurate.

한 문제점이 노출된다.A problem is exposed.

[0008] 대한민국 공개특허공보 공개번호 제10-2006-2177호(명칭: 반도체 제조 설비의 파티클 측정장비 및 그 측정방법,Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-2177 No. (name: particle measuring equipment of semiconductor manufacturing equipment and its measuring method,

이하, 선출원발명)에 의하면, 상기 선출원발명은 웨이퍼를 가공하기 위한 반도체 장비의 챔버 내부에 설치되어Hereinafter, according to the invention), the invention is installed inside the chamber of the semiconductor equipment for processing the wafer.

챔버 내부의 파티클을 측정하기 위한 장치와 방법을 제시하고 있다.An apparatus and method for measuring particles inside a chamber are presented.

[0009] 이와 같은 선출원발명은 반도체 장비가 구동되는 상태에서 챔버 내부의 파티클을 실시간으로 측정하여 파티클을[0009] Such a prior application invention measures particles inside a chamber in a state in which semiconductor equipment is driven to measure particles in real time.

측정하기 위해 반도체 장비를 구동정지시키는 작업의 번거로움과 챔버 내부의 파티클 부유정도를 보다 정확하게The difficulty of driving the semiconductor equipment to measure and the degree of particle floating inside the chamber is more accurately measured.

측정하게 된다.To measure.

상기와 같은 선출원발명은 파티클을 측정하기 위한 측정센서가 주로 챔버의 [0010] 일측에 설치되기 때문에 자동화된[0010] The above-described prior invention is automated because a measurement sensor for measuring particles is mainly installed on one side of the chamber.

웨이퍼의 가공공정에서 웨이퍼가 이송되는 상당히 작은(상, 하 높이가 협소한) 지점의 챔버에서는 설치되기 어In the process of wafer processing, it is not installed in the chamber where the wafer is transferred at a very small (narrow height).

려운 단점이 노출된다.Difficult disadvantages are exposed.

[0011] 특히, 상기 선출원 발명은 챔버의 일측에 측정센서가 설치됨으로 인해 파티클이 챔버 내부의 어느 일측에 편중Particularly, the invention of the prior application is due to the fact that the measurement sensor is installed on one side of the chamber so that the particles are biased on either side of the chamber.

되어 부유된 경우 웨이퍼가 가공되기 위해 이송하는 전체 경로 상에 부유하는 파티클을 정밀하게 측정하기 불가When suspended, it is impossible to accurately measure particles floating on the entire path that the wafer transports to be processed.

능한 문제점이 노출된다.Possible problems are exposed.

[0012] 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 발명한 것이다.The present invention was invented to solve the above problems.

[0013] 이에 본 발명은, 반도체 장비 내부로 가공을 수행하기 위한 웨이퍼의 이송경로를 이동하며 작업공간에 전체적으Accordingly, the present invention, the transfer path of the wafer for performing the processing inside the semiconductor equipment and the overall work space

로 부유하는 파티클의 크기와 개수를 반도체 장비의 구동정지 없이 실시간으로 측정할 수 있도록 하여 보다 정The particle size and number of floating particles can be measured in real time without stopping the operation of semiconductor equipment.

확한 파티클의 측정데이터를 얻을 수 있도록 한 파티클 측정장비를 제공함에 그 목적이 있다.The object is to provide a particle measurement device that can obtain accurate measurement data of particles.

[0014] 본 발명의 다른 목적은, 반도체 장비의 작업공간 내에서 보다 미세한 파티클을 측정하기 위해 레이저 다이오드,Another object of the present invention, a laser diode for measuring finer particles in the workspace of semiconductor equipment,

포토 다이오드 등의 광학부품을 이용한 센서를 구현하고, 파티클의 측정정보를 무선통신에 의해 얻을 수 있도록Implement sensors using optical components such as photodiodes, and obtain measurement information of particles by wireless communication.

한 파티클 측정장비를 제공함에 있다.One particle measuring equipment is provided.

이상에서와 같이 본 발명은, 가공될 웨이퍼의 이송경로를 따라 이동되며 [0022] 작업공간에 부유하는 파티클의 크기와As described above, the present invention is moved along the transport path of the wafer to be processed and the size of the particles floating in the working space and

개수를 측정하므로써 반도체 장비의 구동을 정지시키지 않고도 실시간으로 정확한 파티클 데이터를 얻을 수 있By measuring the number, accurate particle data can be obtained in real time without stopping the operation of semiconductor equipment.

는 효과가 있다.Has an effect.

[0023] 또한, 본 발명은 광학부품에 의해 센서가 제작되어 보다 미세한 파티클까지 측정할 수 있게 되며, 파티클의 측In addition, the present invention is a sensor is manufactured by an optical component to be able to measure even finer particles, the side of the particle

정정보가 무선통신에 의해 얻어질 수 있게 되어 파티클의 측정을 보다 효율적으로 관리하며 작업수행할 수 있는Since the static information can be obtained by wireless communication, the particle measurement can be managed more efficiently and work can be performed.

효과가 있다.It works.

도 1은 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 사시도, 도 2는 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 센서모듈 발췌 사1 is a perspective view of a particle measuring device according to the present invention, Figure 2 is a sensor module excerpt of the particle measuring device according to the present invention

시도이다.It is an attempt.

[0026] 도면을 참조하면, 본 발명에 의한 파티클 측정장치는 본체(10), 센서모듈(20), 컨트롤부(30)로 이루어진 기본Referring to the drawings, the particle measuring apparatus according to the present invention is composed of a main body 10, a sensor module 20, the control unit 30

구성을 갖는다. 도면 중 부호 11은 본체(10) 상에 센서모듈(20)과 컨트롤부(30)가 실장되기 위한 PCB를 나타낸It has a configuration. Reference numeral 11 in the drawing represents a PCB for mounting the sensor module 20 and the control unit 30 on the main body 10

다.All.

[0027] 상기 본체(10)는 반도체 장비 내부로 투입되기 위해 웨이퍼와 같은 원판형태로 형성된다. 이와 같은 본체(10)는The main body 10 is formed in the form of a disk such as a wafer to be introduced into the semiconductor equipment. The main body 10 as such

반도체 장비 내부로 투입되어 웨이퍼가 가공되기 위해 이송되는 경로로 이송되며, 본체(10) 상에 설치된 센서모The sensor module installed on the main body 10 is transferred to the path that is transferred into the semiconductor equipment for the wafer to be processed.

듈(20) 등의 구성에 의해 파티클을 측정할 수 있도록 하는 구성이다.It is a configuration that allows particles to be measured by a configuration such as a module 20.

[0028] 또한, 상기 본체(10)의 상면에는 센서모듈(20)과 컨트롤부(30)가 전기적으로 연결되어 연동되도록 하기 위해 전In addition, the upper surface of the main body 10 is connected to the sensor module 20 and the control unit 30 is electrically connected to interlock.

기, 전자 패턴이 형성된 PCB(11)가 결합됨은 전술한 것과 같다.Group, the PCB 11 on which the electronic pattern is formed is the same as described above.

[0029] 참고적으로, 상기 평판의 크기는 직경이 반도체 웨이퍼와 동일한 300㎜, 200㎜, 150㎜, 450㎜ 내외이며, 두께는For reference, the size of the flat plate is about 300 mm, 200 mm, 150 mm, 450 mm in diameter and the same as the semiconductor wafer, and the thickness is

반도체 장비 내부의 각 공간을 통과할 수 있도록 하기 위해 8㎜ ~ 15㎜ 정도로 제작된다. 또한, 상기 평판은 반It is manufactured around 8mm to 15mm in order to pass through each space inside the semiconductor equipment. In addition, the reputation is half

도체 장비 내부에서 웨이퍼와 동일하게 감지될 수 있도록 하기 위해 'SEMI-STD Wafer 표준기술'을 근거로 하여Based on the 'SEMI-STD Wafer Standard Technology' to enable the detection of the wafer inside the conductor equipment.

Notch 또는 Flatzone를 갖는다.It has Notch or Flatzone.

[0030] 상기 센서모듈(20)은 본체(10)의 PCB(11) 상에 설치된다. 이와 같은 센서모듈(20)은 본체(10)와 함께 반도체 장The sensor module 20 is installed on the PCB 11 of the body 10. The sensor module 20 is a semiconductor device with the main body 10

비 내부로 투입된 후 작업공간 내부에 부유하는 파티클을 감지하여 측정하기 위한 구성이다. 이를 위해 상기 센This is a configuration to detect and measure particles floating inside the working space after being injected into the rain. For this, the sen

서모듈(20)은 모듈하우징(21), 흡입팬(22), 센싱유닛(23), 필터(24)로 이루어진다.The standing module 20 is composed of a module housing 21, a suction fan 22, a sensing unit 23, and a filter 24.

[0031] 상기 모듈하우징(21)은 본체(10)의 PCB(11) 상에 결합되며 반도체 장비에 투입된 후 작업공간 내에 부유된 파티The module housing 21 is coupled on the PCB 11 of the main body 10 and is poured into the semiconductor equipment and then floats in the working space.

클이 어느 일측을 통과하여 타측으로 진행되기 위한 내부공간이 형성된다. 즉, 이와 같은 모듈하우징(21)은 작An inner space is formed for the claw to pass through one side and proceed to the other side. That is, such a module housing 21 is small

업공간 내부에 부유하는 파티클이 통과되는 통로를 형성하기 위한 구성이다.This is a configuration for forming a passage through which particles floating in the up space pass.

[0032] 상기 흡입팬(22)은 모듈하우징(21)의 파티클이 통과되기 위한 통로의 일측(입구)에 설치된다. 이와 같은 흡입팬(22)은 초소형 모터 및 임펠러, 프로펠러 등으로 구성되어 파티클을 흡입하여 진행시키게 된다. 이때, 상기 흡The suction fan 22 is installed on one side (entrance) of the passage for the particles of the module housing 21 to pass. The suction fan 22 is composed of an ultra-small motor, an impeller, a propeller, and the like to suck particles to advance. At this time, the suction

입팬(22)은 동일한 기능을 수행하기 위한 진공이젝터 또는 소형의 진공펌프 등으로 대체되어 적용될 수 있다.Ippan 22 may be applied by being replaced with a vacuum ejector or a small vacuum pump to perform the same function.

상기 센싱유닛(23)은 모듈하우징(21) 내부의 파티클이 통과되는 통로에 설치된다. [0033] 이와 같은 센싱유닛(23)은 파The sensing unit 23 is installed in a passage through which particles inside the module housing 21 pass. Sensing unit 23 such as the wave

티클을 내부로 통과시키며 파티클의 크기와 수량을 감지하기 위한 구성이다. 이를 위한 센싱유닛(23)의 구체적This is a configuration to detect the size and quantity of particles by passing the particles inside. Specific of the sensing unit 23 for this

인 구성은 도 3내지 도 5에서와 같으며 후술하기로 한다.The phosphorus configuration is the same as in FIGS. 3 to 5 and will be described later.

[0034] 상기 필터(24)는 센싱유닛(23)을 통과한 파티클이 외부로 배출되기 위한 모듈하우징(21)의 내부공간(통로의 출The filter 24 is the interior space of the module housing 21 for discharging the particles that have passed through the sensing unit 23 to the outside (exit of the passage

구)에 설치된다. 이와 같은 필터(24)는 작업공간으로 배출되는 파티클을 포집하여 여과기능을 수행하기 위한 구Old). Such a filter 24 is a device for collecting particles discharged into the working space and performing a filtering function.

성이다. 이에따라 본 발명에 의한 파티클 측정장치는 파티클 여과의 기능을 동시에 수행할 수 있도록 구성된 것Castle. Accordingly, the particle measuring apparatus according to the present invention is configured to simultaneously perform the function of particle filtration.

이다.to be.

[0035] 도 3은 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 센싱유닛 사시도, 도 4는 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 센싱유3 is a perspective view of the sensing unit of the particle measuring device according to the present invention, Figure 4 is the sensing oil of the particle measuring device according to the present invention

닛 파티클 측정 예시도, 도 5는 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 센싱유닛의 주요부 확대도이다.Fig. 5 shows an example of measuring the particle of the particle, and Fig. 5 is an enlarged view of a main part of the sensing unit of the particle measuring apparatus according to the present invention.

[0036] 도면을 참조하면, 상기 센싱유닛(23)은 센서하우징(25), 레이저 다이오드(26), 포토 다이오드(27)로Referring to the drawings, the sensing unit 23 is a sensor housing 25, a laser diode 26, a photo diode 27

이루어진다.Is done.

[0037] 상기 센서하우징(25)은 각 구성이 내부에 설치되고, 파티클이 일측으로 진입하여 타측으로 통과되기 위한 튜브The sensor housing 25 is a tube for each component is installed inside, the particles enter one side to pass to the other side

(28)가 장착되며, 센서하우징(25)의 내부에는 튜브(28)를 중심으로 양측에 상기 레이저 다이오드(26)와 포토 다28 is mounted, the inside of the sensor housing 25, the center of the tube 28, the laser diode 26 and the photo side on both sides

이오드(27)가 배치되어 구성된다.The iodine 27 is arranged and configured.

[0038] 상기 레이저 다이오드(26)는 센서하우징(25)의 튜브(28) 일측에 장착된다. 이와 같은 레이저 다이오드(26)는 파The laser diode 26 is mounted on one side of the tube 28 of the sensor housing 25. Such a laser diode 26 is a wave

티클이 통과되는 튜브(28)를 관통하도록 레이저를 조사하기 위한 구성이다. 여기서, 상기 레이저가 출사되는 레This is a configuration for irradiating the laser so as to penetrate the tube 28 through which the tickle passes. Here, the laser is emitted

이저 다이오드(26)의 전방에는 레이저의 직경을 조절할 수 있도록 하기 위한 포커스렌즈(29)가 배치되어 구성된The focus lens 29 for arranging the diameter of the laser is disposed in front of the diode 26 to be configured.

다.All.

[0039] 상기 포토 다이오드(27)는 센서하우징(25)에서 튜브(28)를 중심으로 레이저 다이오드(26)와 대향되도록 장착된The photodiode 27 is mounted to face the laser diode 26 around the tube 28 in the sensor housing 25

다. 이와 같은 포토 다이오드(27)는 레이저 다이오드(26)에서 조사되어 튜브(28)를 통과한 레이저를 감지하여All. The photodiode 27 detects the laser beam irradiated from the laser diode 26 and passes through the tube 28.

튜브(28)를 통해 진행되는 파티클의 크기 및 수량을 측정하기 위한 구성이다.It is a configuration for measuring the size and quantity of particles traveling through the tube 28.

[0040] 이와 같은 센싱유닛(23)의 구성에서 튜브(28)의 외면에는 미러(28a)가 결합되는데, 이 미러(28a)는 튜브(28)를In the configuration of the sensing unit 23, a mirror 28a is coupled to the outer surface of the tube 28, and the mirror 28a is a tube 28.

통과하는 레이저가 파티클에 충돌하여 난반사될 때 이를 포토 다이오드(27)로 진행시키기 위한 구성이다.This is a configuration for advancing the laser passing through the photodiode 27 when the particles collide with the particles.

[0041] 도 6은 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 컨트롤부 블록도이다.6 is a block diagram of a control unit of the particle measuring apparatus according to the present invention.

[0042] 도면을 참조하면, 상기 컨트롤부(30)는 본체(10)의 PCB(11) 상에 실장된 칩 또는 소자형태의 구성이다. 이와 같Referring to the drawings, the control unit 30 is a configuration of a chip or device type mounted on the PCB 11 of the main body 10. Like this

은 컨트롤부(30)는 센서모듈(20)에 의해 감지된 파티클의 데이터를 수신하고, 수신된 데이터를 파티클의 크기Silver control unit 30 receives the data of the particles detected by the sensor module 20, the size of the received data particles

및 개수 정보로 변환하여 출력하기 위한 구성이다.And a configuration for converting and outputting the number information.

[0043] 이를 위해 상기 컨트롤부(30)는 전류감지부(31), 컨트롤 프로세서(32)를 기본 구성으로 하여 무선통신부(33)와,To this end, the control unit 30, the current sensing unit 31, the wireless communication unit 33 and the control processor 32 as a basic configuration,

유저디스플레이부(34)를 포함하여 구성된다.It comprises a user display unit 34.

[0044] 상기 전류감지부(31)는 PCB(11)에 실장된 칩 형태의 구성으로, 상기 센서모듈(20)의 센싱유닛(23)에 의해 감지The current sensing unit 31 is configured in the form of a chip mounted on the PCB 11, detected by the sensing unit 23 of the sensor module 20

된 파티클의 크기와 수량의 정보가 전류값으로 감지되도록 하기 위한 구성이다.This is to configure the information of the size and quantity of the particles to be detected as current values.

[0045] 상기 컨트롤 프로세서(32)도 PCB(11)에 실장된 칩 형태의 구성으로, 상기 전류감지부(31)에 의해 감지된 파티클The control processor 32 is also configured in the form of a chip mounted on the PCB 11, the particles sensed by the current sensing unit 31

의 크기와 수량의 정보를 데이터로 변환하여 출력하는 신호처리장치이다.It is a signal processing device that converts and outputs the information of size and quantity of data into data.

[0046] 상기 무선통신부(33)는 컨트롤 프로세서(32)에서 출력된 파티클의 크기와 수량의 데이터를 무선 송수신하기 위The wireless communication unit 33 is for wirelessly transmitting and receiving data of the size and quantity of particles output from the control processor 32

해 본체(10)의 PCB(11)와 유저디스플레이부(34)와 연동되는 PC 또는 노트북 등의 단말기에 나누어져 설치된 송Song installed in a terminal such as a PC or laptop interlocked with the PCB 11 of the main body 10 and the user display unit 34

수신 모듈로 구성된다.It consists of a receiving module.

[0047] 상기 유저디스플레이부(34)는 별도의 LCD 등의 모니터로 적용될 수 있으며, 관리자가 보유한 PC 또는 노트북 등[0047] The user display unit 34 may be applied as a monitor such as a separate LCD, a PC or a laptop, etc. owned by an administrator.

의 디스플레이 모니터가 적용된다. 이와 같은 유저디스플레이부(34)는 상기 무선통신부(33)에 의해 송신된 파티The display monitor is applied. The user display unit 34 is a party transmitted by the wireless communication unit 33

클의 크기와 수량의 데이터를 육안으로 확인할 수 있도록 하기 위한 구성이다.도면 중 부호 35는 컨트롤부(30)의 회로구성에 전원을 공급하기 위한 배터리이며, [0048] 36는 파티클이 측정되는 지점It is a configuration for visually checking data of the size and quantity of the claw. In the drawing, reference numeral 35 is a battery for supplying power to the circuit configuration of the control unit 30, and 36 is a point at which particles are measured.

의 온도조건을 확인하기 위한 온도센서이다.It is a temperature sensor to check the temperature condition of.

[0049] 도 7은 본 발명에 의한 파티클 측정장치의 사용상태 예시도이다.7 is an exemplary state of use of the particle measuring apparatus according to the present invention.

[0050] 도면을 참조하면, 상기 파티클 측정장치는 웨이퍼의 규격과 대응하는 형태와 규격으로 제작되어 반도체 장비의Referring to the drawings, the particle measuring device is manufactured in a form and a specification corresponding to the specifications of the wafer semiconductor equipment

공간으로 투입되어 작업공간 내부의 파티클을 실시간으로 측정할 수 있게 된다. 도면에서는 반도체 장비 내부의It is put into the space so that particles inside the workspace can be measured in real time. In the drawing, inside the semiconductor equipment

가장 좁은 공간인 슬릿밸브(Slit Valve)를 통과하는 장면이 예시된 것이다.The scene passing through the slit valve, which is the narrowest space, is illustrated.

Claims (1)

반도체 장비 내부에서 이동되며 파티클을 측정하기 위해 반도체 장비 내부로 투입되는 웨이퍼와 대응하는 형태
및 크기로 형성된 본체(10)와;
상기 본체(10) 상에 설치되어 본체(10)와 함께 반도체 장비 내부로 투입된 후 작업공간 내부에 부유하는 파티클
을 감지하여 측정하기 위한 센서모듈(20)과;
상기 본체(10) 상에 설치되어 센서모듈(20)에 의해 감지된 파티클의 데이터를 수신하고, 수신된 데이터를 파티
클의 크기 및 개수 정보로 변환하여 출력하는 컨트롤부(30);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비용 파
티클 측정장치.
A type that moves inside the semiconductor equipment and corresponds to the wafer that is introduced into the semiconductor equipment to measure particles.
And a body 10 formed in size;
Particles that are installed on the main body 10 and are suspended inside the working space after being injected into the semiconductor equipment together with the main body 10.
A sensor module 20 for sensing and measuring;
It is installed on the main body 10 to receive the data of the particles detected by the sensor module 20, the received data to the party
And a control unit 30 for converting and outputting the size and number information of the claw.
Tickle measuring device.
KR1020180108922A 2018-09-12 2018-09-12 Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment KR20200030269A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180108922A KR20200030269A (en) 2018-09-12 2018-09-12 Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180108922A KR20200030269A (en) 2018-09-12 2018-09-12 Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200030269A true KR20200030269A (en) 2020-03-20

Family

ID=69958268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180108922A KR20200030269A (en) 2018-09-12 2018-09-12 Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200030269A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220114162A (en) * 2021-02-08 2022-08-17 주식회사 씽크소프트 Particle Sensing Device
KR20220155005A (en) 2021-05-14 2022-11-22 최승원 Particle Counter Module and System
KR20230143615A (en) 2021-02-17 2023-10-12 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 feed for livestock

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220114162A (en) * 2021-02-08 2022-08-17 주식회사 씽크소프트 Particle Sensing Device
KR20230143615A (en) 2021-02-17 2023-10-12 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 feed for livestock
KR20220155005A (en) 2021-05-14 2022-11-22 최승원 Particle Counter Module and System

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200030269A (en) Particle measurement apparatus for Semiconductor equipment
CN109459438B (en) Defect detection equipment and method
KR100807433B1 (en) Particle counter
JP5236652B2 (en) Particle sensor integrated with substrate
CN104204777A (en) Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers
US9297751B2 (en) Chemical characterization of surface features
JP3720799B2 (en) Pollen sensor
JP2012189483A (en) Particle measuring apparatus
WO2007029480A1 (en) Particle detector
KR20130029882A (en) Particle measurement apparatus for semiconductor equipment
EP3225977A1 (en) Method and sensor system for detecting particles
CN103913836A (en) Wavelength tunable interference filter, method for manufacturing wavelength tunable interference filter, optical module, and electronic apparatus
JP2017015587A (en) Particle measuring device
JP5703987B2 (en) Particle measuring device
CN105300550B (en) A kind of measuring method and system of the distribution of device micro-meter scale two-dimension temperature
CN107907527A (en) Raman spectrum detection device and method based on reflected optical power and image recognition
CN107314958A (en) A kind of band makes the laser dust apparatus for measuring concentration and method of device for mark by oneself
KR101499691B1 (en) Apparatus for analyzing contaminants in air
KR101733542B1 (en) System and method for detecting radioactive material in vehicles
HU214530B (en) Device for detecting dimensions of an object, in given case of a moving object, primarily of a trunk
JP2009060025A (en) Method for evaluating cleanliness in wafer-transfer system
JP2011149706A (en) Powder detector
JPH08201263A (en) Smoke detector
KR20140125167A (en) monitoring device for clean room
KR100674990B1 (en) Apparatus for measuring the warpage of wafer