KR20200029070A - Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof - Google Patents

Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20200029070A
KR20200029070A KR1020180106829A KR20180106829A KR20200029070A KR 20200029070 A KR20200029070 A KR 20200029070A KR 1020180106829 A KR1020180106829 A KR 1020180106829A KR 20180106829 A KR20180106829 A KR 20180106829A KR 20200029070 A KR20200029070 A KR 20200029070A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
passage
chuck pin
water
flow path
Prior art date
Application number
KR1020180106829A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102201878B1 (en
Inventor
전명아
이복규
이재명
이지영
이성수
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180106829A priority Critical patent/KR102201878B1/en
Publication of KR20200029070A publication Critical patent/KR20200029070A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102201878B1 publication Critical patent/KR102201878B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

The present invention provides a chuck pin, which is provided in a substrate processing apparatus. According to one embodiment, the chuck pin includes a body supporting an edge of a substrate and having a flow path penetrated from one side to the other side. In the flow path, a surface adjacent to an inlet and a surface of the body are provided to have different contact angles with respect to water. According to another aspect of the present invention, the chuck pin includes a body supporting an edge of a substrate and having a flow path penetrated from one side to the other side, wherein the flow path includes a plurality of inflow paths. The plurality of inflow paths are joined at an outflow path of the flow path.

Description

척핀 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{CHUCK PIN AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE COMPRISING THEREOF}Chuck pin and substrate processing apparatus including the same {CHUCK PIN AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE COMPRISING THEREOF}

본 발명은 척핀과 척핀을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chuck pin and a substrate processing apparatus including the chuck pin.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.In general, in the process of processing a glass substrate or wafer in a flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing process, a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, etc. Various processes are performed.

특히, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.Particularly, as semiconductor devices become highly dense, highly integrated, and high-performance, miniaturization of circuit patterns rapidly progresses, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface greatly affect device characteristics and production yield. Is going crazy. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at a stage before and after each unit process for manufacturing the semiconductor is being performed.

기판의 세정은 기판이 회전할 수 있도록 일정한 위치에 배치한 상태에서 상기 기판의 일면에 순수 등의 세정 유체를 분사하여 이루어진다. 이때 상기 기판이 회전하는 상태를 유지할 수 있는 수단이 필요하다. 척핀은 기판의 가장자리에서 기판을 고정한다.The cleaning of the substrate is made by spraying a cleaning fluid such as pure water on one surface of the substrate in a state where the substrate is rotated to be rotated. At this time, a means capable of maintaining the state in which the substrate rotates is required. The chuck pin secures the substrate at the edge of the substrate.

도 1은 종래의 척핀에 의해 지지된 기판에 세정 유체를 회전 도포할 때 약액의 흐름을 나타낸 도면이다. 종래의 척핀의 아랫부분에 접촉된 세정 유체는 척핀의 표면을 타고 상부로 올라오다가 척핀에서 떨어져 나가 기판을 오염시키는 문제가 있다.1 is a view showing the flow of the chemical liquid when the cleaning fluid is rotationally applied to a substrate supported by a conventional chuck pin. The cleaning fluid in contact with the lower portion of the conventional chuck pin has a problem of contaminating the substrate by climbing up the upper surface of the chuck pin and then falling off the chuck pin.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.

본 발명은 기판의 오염을 방지할 수 있는 척핀과 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a chuck pin and a substrate processing apparatus capable of preventing contamination of the substrate.

본 발명은 기판 처리 장치에 제공되는 척핀을 제공한다. 일 실시 예에 의하면 척핀은, 기판의 에지를 지지하되, 일측에서 타측을 향해 관통된 유로가 형성된 바디를 포함하고, 상기 유로에서 유입구와 인접한 표면과 상기 바디의 표면은 물에 대한 접촉각이 상이하게 제공된다.The present invention provides a chuck pin provided in the substrate processing apparatus. According to one embodiment, the chuck pin supports the edge of the substrate, and includes a body formed with a flow passage penetrating from one side to the other side. Is provided.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 바디 표면에 대한 물의 접촉각보다 작게 제공될 수 있다.According to an embodiment, a contact angle of water with respect to a surface adjacent to the inlet of the flow path may be provided smaller than the contact angle of water with respect to the body surface.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로에서 유출구와 인접한 표면과 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각은 상이하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, a contact angle of water with respect to a surface adjacent to an outlet in the flow passage and a surface adjacent to an inlet of the flow passage may be provided differently.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로에서 유출구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각보다 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, a contact angle of water with respect to a surface adjacent to the outlet in the flow path may be provided larger than a contact angle of water with respect to a surface adjacent to the inlet port of the flow path.

일 실시 예에 의하면, 상기 바디의 표면은 소수성으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the surface of the body may be provided with hydrophobicity.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로의 유출구와 인접한 표면은 상기 유로의 유입구와 인접한 표면보다 더 소수성으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, a surface adjacent to the outlet of the flow passage may be provided with a hydrophobicity more than a surface adjacent to the inlet of the flow passage.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로는 상기 기판 지지측에서 타측을 향해 하향 경사진 부분을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the flow path may include a portion inclined downward from the substrate support side to the other side.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로의 유입구와 인접한 영역에 대하여 상기 유입구의 단면적이 큰 나팔 형상으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, a cross-sectional area of the inlet port may be provided in a trumpet shape with respect to an area adjacent to the inlet port of the flow path.

본 발명의 다른 관점에 따른 척핀은, 기판의 에지를 지지하되, 일측에서 타측을 향해 관통된 유로가 형성된 바디를 포함하되, 상기 유로는 다수개의 유입로를 포함하고, 상기 다수개의 유입로는 상기 유로의 유출로에서 합류된다.The chuck pin according to another aspect of the present invention supports the edge of the substrate, and includes a body having a passage formed from one side to the other, wherein the passage includes a plurality of inlets and the plurality of inlets Confluence at the flow path of the flow path.

일 실시 예에 의하면, 상기 유입로의 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 바디의 표면에 대한 물에 대한 접촉각 보다 작게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the contact angle of water with respect to the surface of the inflow passage may be provided smaller than the contact angle with water of the surface of the body.

일 실시 예에 의하면, 상기 유출로의 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 유출로의 표면에 대한 물의 접촉각보다 크게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the contact angle of the water with respect to the surface of the outlet may be greater than the contact angle of the water with respect to the surface of the outlet.

일 실시 예에 의하면, 상기 유출로는 상기 유입로에서 멀어지는 방향으로 하향 경사진 부분을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the outlet may include a portion inclined downward in a direction away from the inlet.

일 실시 예에 의하면, 상기 유출로는 상기 유출구로 갈수록 단면 면적이 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a cross-sectional area may be provided to the outlet as it goes toward the outlet.

일 실시 예에 의하면, 상기 유입로는 상기 바디의 길이 방향에 수직한 방향으로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the inflow path may be formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the body.

일 실시 예에 의하면, 상기 바디는, 머리부와; 상기 머리부의 아래에 제공되며 아래 방향으로 갈수록 횡단면이 넓어지게 제공되는 상체부와; 상기 상체부의 아래에 제공되어 길이 방향에 대한 횡단면이 동일하게 제공되는 하체부를 포함하고, 상기 머리부와 상기 상체부 사이는 기판의 가장자리를 지지하도록 홈이 형성되고, 상기 유로는 상기 상체부 또는 상기 하체부에 제공될 수 있다.According to one embodiment, the body, the head portion; An upper body provided below the head portion and provided with a wider cross-section toward a downward direction; It is provided below the upper body portion and includes a lower body portion having the same cross-section in the longitudinal direction, a groove is formed between the head portion and the upper body portion to support the edge of the substrate, and the flow path is the upper body portion or the It can be provided in the lower body.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 용기와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공정 유체를 공급하는 공정 유체 공급 유닛을 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은, 기판이 놓이는 스핀 헤드와; 상기 스핀 헤드에 이격 배치되어, 기판의 에지를 지지하는 척핀을 포함하되, 상기 척핀은, 기판 지지측에서 타측을 향해 관통된 유로가 형성되고, 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 척핀 표면에 대한 물의 접촉각보다 작게 제공될 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a container having a processing space therein; A substrate support unit supporting a substrate in the processing space; It includes a process fluid supply unit for supplying a process fluid to the substrate supported on the support unit, the substrate support unit, a spin head on which the substrate is placed; The spin head is spaced apart, including a chuck pin supporting the edge of the substrate, wherein the chuck pin is formed with a flow path penetrated from the substrate support side toward the other side, and the contact angle of water with respect to a surface adjacent to the inlet of the flow path is the chuck pin It may be provided smaller than the contact angle of water to the surface.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로에서 유출구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각보다 크게 제공 제공될 수 있다.According to an embodiment, a contact angle of water with respect to a surface adjacent to the outlet in the flow path may be provided greater than a contact angle of water with respect to a surface adjacent to the inlet port of the flow path.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로는 상기 기판 지지측에서 타측을 향해 하향 경사지는 부분을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the flow path may include a portion inclined downward from the substrate support side toward the other side.

일 실시 예에 의하면, 상기 유로는 다수개의 유입로를 포함하고, 상기 다수개의 유입로는 상기 유로의 유출로에서 합류될 수 있다.According to an embodiment, the flow path includes a plurality of inflow paths, and the plurality of flow paths can be joined in the outflow path of the flow path.

일 실시 예에 의하면, 상기 유입로는 상기 바디의 길이 방향에 수직한 방향으로 형성되고, 상기 유출로는 상기 유입로에서 멀어지는 방향으로 하향 경사진 부분을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the inflow passage may be formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the body, and the outflow passage may include a portion inclined downward in a direction away from the inflow passage.

본 발명의 실시 예에 따르면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the substrate can be efficiently processed.

본 발명의 실시 예에 따르면, 기판의 오염을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, contamination of the substrate can be prevented.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 종래의 척핀에 의해 지지된 기판에 세정 유체를 회전 도포할 때 약액의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 척핀을 보여주는 정면도이다.
도 5는 도 4의 척핀을 A방향에서 바라본 측면도이다.
도 6은 도 5의 I-I'단면도이다.
도 7은 도 6의 C부분의 확대도이다.
도 8, 9, 10은 도 3의 척핀에 대한 각각 다른 실시 예에 따른 측면도이다.
도 11은 도 3의 척핀의 다른 실시 예에 따른 단면도이다.1 is a view showing the flow of the chemical liquid when the cleaning fluid is rotationally applied to a substrate supported by a conventional chuck pin.
2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 2.
4 is a front view showing the chuck pin of FIG. 3.
5 is a side view of the chuck pin of FIG. 4 when viewed from the direction A.
6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'in FIG. 5.
7 is an enlarged view of part C of FIG. 6.
8, 9, and 10 are side views according to different embodiments of the chuck pin of FIG. 3.
11 is a cross-sectional view according to another embodiment of the chuck pin of FIG. 3.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer explanation.

도 2는 기판 처리 설비의 일 실시 예에 관한 평면도이다.2 is a plan view of an embodiment of a substrate processing facility.

도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing facility 1 of the present invention has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. . The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are sequentially arranged in series. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, perpendicular to the first direction 12 The direction is called the second direction 14 and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(140)에는 기판이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 18 in which the substrate is accommodated is mounted on the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency of the process processing module 20 and footprint conditions. The carrier 18 is formed with a plurality of slots for receiving the substrates in a horizontal arrangement with respect to the ground. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 이송 챔버(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 20 has a transfer chamber 240, a buffer unit 220, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is arranged in the longitudinal direction parallel to the first direction (12). Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. The process chambers 260 on one side and the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked with each other. That is, the process chambers 260 may be disposed on one side of the transfer chamber 240 in an A X B arrangement. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the second direction 14. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 챔버(260)와 캐리어(18) 간에 기판이 반송되기 전에 기판이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판이 놓이는 슬롯이 제공되며, 슬롯들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space where the substrate stays before the substrate is transferred between the process chamber 260 and the carrier 18. The buffer unit 220 is provided with a slot on which a substrate is placed, and a plurality of slots are spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다.The transfer frame 140 transports the substrate between the carrier 18 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142, and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242)상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, which is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242.

공정 챔버(260) 내에는 기판에 대해 케미컬, 유기 용제, 순수 등의 공정 유체를 이용해 기판을 처리하는 액 처리 장치(300)가 제공된다. 액 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 액 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 액 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 액 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.In the process chamber 260, a liquid processing apparatus 300 is provided for processing a substrate using a process fluid such as chemical, organic solvent, or pure water. The liquid processing apparatus 300 may have a different structure according to the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the liquid processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the liquid processing devices 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are the same as each other, and the liquid processing devices in the process chambers 260 belonging to different groups. The structures of 300 may be provided differently from each other. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, a first group of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of processes on the other side of the transfer chamber 240. Chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on both sides of the transfer chamber 240, and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper layer. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method. Alternatively, the first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be provided to sequentially perform a process on one substrate W.

도 3은 챔버에 제공되는 기판 처리 장치(액 처리 장치)를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 용기(320), 기판 지지 유닛(330), 승강 유닛(340), 액 공급 유닛(350)을 포함한다.3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus (liquid processing apparatus) provided in the chamber. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 310, a container 320, a substrate support unit 330, a lifting unit 340, and a liquid supply unit 350.

하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 하우징(310)의 내부에는 용기(320)가 위치된다.The housing 310 provides a space therein. The container 320 is located inside the housing 310.

용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 용기(320)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 공정 유체 중 서로 상이한 공정 유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(330)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 공정 유체가 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 공정 유체를 배출한다. 배출된 공정 유체는 외부의 공정 유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 공정 유체는 세정 유체일 수 있다.The container 320 provides a processing space in which the substrate processing process is performed. The container 320 is provided with an open top. The container 320 includes an inner recovery container 322, an intermediate recovery container 324, and an outer recovery container 326. Each of the recovery containers 322, 324, and 326 recovers different process fluids among the process fluids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 330. The intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 322. The external recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery container 324. The inner space 322a of the inner recovery vessel 322, the space 324a between the inner recovery vessel 322 and the intermediate recovery vessel 324, and the space between the intermediate recovery vessel 324 and the outer recovery vessel 326 ( 326a) functions as an inlet through which the process fluid flows into the internal recovery vessel 322, the intermediate recovery vessel 324, and the external recovery vessel 326, respectively. The collection lines 322b, 324b, and 326b vertically extending in the downward direction of the bottom surface are connected to the respective collection cylinders 322, 324, 326. Each recovery line (322b, 324b, 326b) discharges the process fluid introduced through each of the recovery vessel (322,324,326). The discharged process fluid can be reused through an external process fluid regeneration system (not shown). The process fluid can be a cleaning fluid.

지지 유닛(330)은 용기(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(330)은 기판 처리 공정 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 지지판(332), 지지핀(334), 척핀(400), 그리고 지지축(338)을 포함한다. 지지판(332)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(332)의 저면에는 모터(339)에 의해 회전 가능한 지지축(338)이 고정 결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 지지판(332)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(332)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 지판(332)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.The support unit 330 is disposed within the container 320. The support unit 330 supports the substrate W during the substrate processing process and rotates the substrate W. The support unit 330 includes a support plate 332, a support pin 334, a chuck pin 400, and a support shaft 338. The support plate 332 has an upper surface provided in a substantially circular shape when viewed from the top. A support shaft 338 rotatable by a motor 339 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 332. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are arranged to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the support plate 332 and protrude upward from the support plate 332. The support pins 334 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 334 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the finger plate 332.

척핀(400)은 기판(W)의 가장 자리에 복수 개 제공된다. 척핀(400)은 지지판(332)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(400)은 지지판(332)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(400)은 지지 유닛(330)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(400)은 지지판(332)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(332)의 중심으로부터 더 외측 방향에 제공되는 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 로딩 또는 언로딩시에는 척핀(400)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행 시에는 척핀(400)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(400)은 기판의 측부와 접촉된다. 척핀(400)에 대하여 도 4 이하에서 상세하게 후술한다.A plurality of chuck pins 400 are provided on the edge of the substrate W. The chuck pin 400 is disposed farther than the support pin 334 from the center of the support plate 332. The chuck pin 400 is provided to protrude upward from the support plate 332. The chuck pin 400 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate in the lateral direction from the normal position when the support unit 330 is rotated. The chuck pin 400 is provided to be able to move linearly between the standby position and the support position along the radial direction of the support plate 332. The standby position is a position that is provided in the direction outward from the center of the support plate 332 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded to the support unit 330, the chuck pin 400 is positioned in the standby position, and when the process is performed on the substrate, the chuck pin 400 is positioned in the support position. In the support position, the chuck pin 400 contacts the side of the substrate. The chuck pin 400 will be described in detail below with reference to FIG. 4.

승강 유닛(340)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(330)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(340)은 브라켓(342), 이동축(344), 그리고 구동기(346)를 포함한다.The lifting unit 340 linearly moves the container 320 in the vertical direction. As the container 320 is moved up and down, the relative height of the container 320 relative to the support unit 330 is changed. The lifting unit 340 includes a bracket 342, a moving shaft 344, and a driver 346.

브라켓(342)은 용기(320)의 외벽에 고정 설치된다. 브라켓(342)에는 구동기(346)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(344)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 놓이거나, 지지 유닛(330)로부터 들어올려 질 때, 지지 유닛(330)이 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 공정 유체의 종류에 따라 공정 유체가 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다.The bracket 342 is fixedly installed on the outer wall of the container 320. The moving shaft 344 moved in the vertical direction by the driver 346 is fixedly coupled to the bracket 342. When the substrate W is placed on the support unit 330 or is lifted from the support unit 330, the container 320 is lowered so that the support unit 330 protrudes to the top of the container 320. In addition, when the process is in progress, the height of the container 320 is adjusted so that the process fluid can be introduced into a predetermined collection container 322,324,326 according to the type of process fluid supplied to the substrate W.

일 예로, 제1공정 유체로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2공정 유체, 그리고 제3공정 유체로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(340)은 용기(320) 대신 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.For example, while processing the substrate W with the first process fluid, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery container 322. In addition, while processing the substrate W with the second process fluid and the third process fluid, each substrate W has a space 324a between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the intermediate recovery. It may be located at a height corresponding to the space (326a) between the tube 324 and the external recovery tube (326). Unlike the above, the lifting unit 340 may move the support unit 330 in the vertical direction instead of the container 320.

액 공급 유닛(360)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 공정 유체를 공급한다. 액 공급 유닛(360)은 노즐 지지대(362), 노즐(364), 지지축(366), 그리고 구동기(368)를 포함한다. 지지축(366)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(366)의 하단에는 구동기(368)가 결합된다. 구동기(368)는 지지축(366)을 회전 및 승강 운동한다. The liquid supply unit 360 supplies the process fluid to the substrate W during the substrate W processing process. The liquid supply unit 360 includes a nozzle support 362, a nozzle 364, a support shaft 366, and a driver 368. The support shaft 366 is provided in a longitudinal direction along the third direction 16, and a driver 368 is coupled to the lower end of the support shaft 366. The driver 368 rotates and elevates the support shaft 366.

노즐 지지대(362)는 구동기(368)와 결합된 지지축(366)의 단부 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(364)은 노즐 지지대(362)의 단부 저면에 설치된다. 노즐(364)은 구동기(368)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(364)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(364)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(364)은 외부로부터 액을 공급받아 기판(W)상으로 액을 공급한다.The nozzle support 362 is vertically coupled to the opposite end of the support shaft 366 coupled with the driver 368. The nozzle 364 is installed on the bottom end surface of the nozzle support 362. The nozzle 364 is moved to the process position and the standby position by the driver 368. The process position is the position where the nozzle 364 is placed at the vertical top of the container 320, and the standby position is the position where the nozzle 364 is off the vertical top of the container 320. The nozzle 364 receives the liquid from the outside and supplies the liquid onto the substrate W.

액 공급 유닛(360)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(360)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 액 공급 유닛(360)을 통해 제공될 수 있다. 액이 케미칼 액으로 제공되는 경우, 케미칼은 불산, 황산, 인산 또는 이들의 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.One or more liquid supply units 360 may be provided. When a plurality of liquid supply units 360 are provided, chemical, rinse liquid, or organic solvents may be provided through different liquid supply units 360. When the liquid is provided as a chemical liquid, the chemical may be hydrofluoric acid, sulfuric acid, phosphoric acid or a mixture thereof. The rinse liquid may be pure, and the organic solvent may be a mixture of isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

도 4는 도 3의 척핀을 보여주는 정면도이다. 도 4를 참조하여 척핀(400)을 상세히 설명한다. 척핀(400)의 바디는 머리부(401), 상체부(402), 하체부(403)로 이루어진다. 머리부(401)와 상체부(402)의 사이에는 기판이 지지될 수 있는 홈부가 형성된다. 홈부는 기판의 에지 단면의 곡선에 대응하여 만곡지게 형성된다. 4 is a front view showing the chuck pin of FIG. 3. The chuck pin 400 will be described in detail with reference to FIG. 4. The body of the chuck pin 400 is composed of a head portion 401, an upper body portion 402, and a lower body portion 403. Between the head portion 401 and the upper body portion 402, a groove portion in which a substrate can be supported is formed. The groove portion is formed to be curved corresponding to the curve of the edge cross-section of the substrate.

상체부(402)는 머리부(401)의 아래에 제공되며 아래 방향으로 갈수록 횡단면이 넓어지게 제공된다. 하체부(403)는 머리부(401)의 아래에 제공되고, 길이 방향에 대한 횡단면이 동일하게 제공된다.The upper body portion 402 is provided below the head portion 401 and is provided with a wider cross-section as it goes downward. The lower body portion 403 is provided below the head portion 401, and the cross section in the longitudinal direction is provided equally.

도 5는 도 4의 척핀을 A방향에서 바라본 측면도이다. 도 5를 참조하면, 척핀(400)의 A방향에는 다수개의 유입로(410)가 제공된다. 일 실시 예에 따르면 유입로(410)는 5개가 제공된다. 도시된 유입로(410)의 개수와 크기는 설명을 위해 과장된 것이다. 유입로(410)는 상체부(402)와 하체부(403)에 걸쳐 제공된다. 유입로(410)는 기판 지지측에서 타측을 향해 관통하여 제공된다. 유입로(410)는 척핀(400)의 길이 방향에 대해 수직한 방향에 대하여 장방형인 타원형으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면 제1 유입로(411), 제2 유입로(412) 및 제3 유입로(413)은 상체부(402)에 제공되고, 제4 유입로(414)와 제5 유입로(415)는 하체부(403)에 제공된다.5 is a side view of the chuck pin of FIG. 4 when viewed from the direction A. Referring to FIG. 5, a plurality of inlets 410 are provided in the A direction of the chuck pin 400. According to an embodiment, five inflow paths 410 are provided. The number and size of the illustrated inlets 410 are exaggerated for explanation. The inflow passage 410 is provided over the upper body portion 402 and the lower body portion 403. The inflow passage 410 is provided by penetrating from the substrate support side toward the other side. The inflow passage 410 may be provided in a rectangular oval shape with respect to a direction perpendicular to the longitudinal direction of the chuck pin 400. According to one embodiment, the first inlet 411, the second inlet 412, and the third inlet 413 are provided in the upper body 402, the fourth inlet 414 and the fifth inlet 415 is provided on the lower body portion 403.

도 6은 도 5의 I-I'단면도이다. 도 6을 참조하여 유입로(410)와 유출로(420)에 대하여 설명한다. 6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'in FIG. 5. The inflow path 410 and the outflow path 420 will be described with reference to FIG. 6.

유입로(410)와 유출로(420)는 척핀(400)의 내부를 관통하는 유로를 형성한다. 유입로(410)는 유입구와 인접한 영역에 대하여 유입구의 단면적이 큰 나팔 형상으로 제공된다. 일 실시 예에 따르면 다수개의 유입로(410)는 유출로(420)에서 합류된다. 유출로(420)는 하나의 라인으로 제공된다. 유입로(410)는 척핀(400)의 길이 방향에 대하여 수직한 방향으로 형성된다. 유출로(420)는 유출구에 가까워질수록 단면 면적이 크게 제공된다. 따라서 유입로(410)가 합류되어 배수량이 증가함에 따른 관로 저항의 상승을 방지할 수 있다. 유출로(420)는 유입로(410)에서 멀어지는 방향으로 하향 경사진 부분을 포함한다.The inflow path 410 and the outflow path 420 form a flow path penetrating the inside of the chuck pin 400. The inflow passage 410 is provided in a trumpet shape having a large cross-sectional area of the inlet with respect to an area adjacent to the inlet. According to an embodiment, a plurality of inflow paths 410 are joined at the outflow path 420. The outlet 420 is provided in one line. The inflow path 410 is formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the chuck pin 400. The outlet passage 420 is provided with a larger cross-sectional area as it approaches the outlet. Therefore, it is possible to prevent an increase in the resistance of the pipeline due to the inflow passage 410 being joined and the amount of drainage increased. The outflow path 420 includes a portion inclined downward in a direction away from the inflow path 410.

일 실시 예로서 유출로(420)를 하나를 도시하였지만 유출로(420)는 다수개의 라인으로 제공될 수 있다. As an embodiment, one outlet path 420 is illustrated, but the outlet path 420 may be provided in a plurality of lines.

도 7은 도 6의 C부분의 확대도이다. 도 7을 참조하면, 유입로(410)의 표면은 제1 재질(430)로 제공되고, 유출로(420)의 표면은 제2 재질(440)로 제공되고, 바디의 표면은 제3 재질(450)로 제공된다.7 is an enlarged view of part C of FIG. 6. Referring to FIG. 7, the surface of the inflow passage 410 is provided as the first material 430, the surface of the outflow passage 420 is provided as the second material 440, and the surface of the body is the third material ( 450).

제1 재질(430)에 대한 물의 접촉각은 제3 재질(450)에 대한 물의 접촉각보다 작다. 제1 재질(430)는 공정 유체가 유입로(410)로 유입되도록 유도한다. 제2 재질(440)에 대한 물의 접촉각은 제1 재질(430)에 대한 물의 접촉각보다 크다. 제2 재질(440)는 원심력에 의해 유출구 방향으로 이동된 공정 유체가 척핀(400)의 외부로 유출되는 것을 유도한다.The contact angle of water with respect to the first material 430 is smaller than that of water with respect to the third material 450. The first material 430 induces the process fluid to flow into the inflow passage 410. The contact angle of water to the second material 440 is greater than the contact angle of water to the first material 430. The second material 440 induces that the process fluid moved in the direction of the outlet by centrifugal force flows out of the chuck pin 400.

제1 재질(430)과 제2 재질(440)과 제3 재질(450)은 척핀(400)의 바디에 코팅되어 제공될 수 있다. 제1 재질(430)과 제2 재질(440)과 제3 재질(450)은 소수성으로 제공될 수 있다. 또는 제1 재질(430)은 친수성으로 제공될 수 있다.The first material 430, the second material 440, and the third material 450 may be provided by being coated on the body of the chuck pin 400. The first material 430, the second material 440, and the third material 450 may be provided with hydrophobicity. Alternatively, the first material 430 may be provided with hydrophilicity.

유입로(410)가 유입구와 인접한 영역에 대하여 단면적이 큰 나팔 형상으로 제공됨에 따라, 유입로(410)의 유입구와 인접한 영역의 표면이 외부로 노출되는 면적이 증가되어 공정 유체가 유입로(410)로 유도되는 효과를 높일 수 있다.As the inflow path 410 is provided in a trumpet shape having a large cross-sectional area with respect to the region adjacent to the inlet, the area of the surface of the region adjacent to the inlet of the inflow path 410 is increased to increase the area where the process fluid is introduced. ) Can increase the effect induced.

도 8, 9, 10은 척핀에 대한 각각 다른 실시 예에 따른 측면도이다. 유입로는 도 8에서 도시되는 유입로(1410)와 같이 사각형의 단면을 갖도록 제공될 수 있다. 또는 유입로는 도 9에서 도시되는 유입로(2410)와 같이 원형의 단면을 갖도록 제공될 수 있다. 또는 유입로는 도 10에서 도시되는 유입로(3410)와 같이 다수개의 유입로가 군집하도록 제공될 수 있다. 유입로의 단면과 개수는 제시된 실시 예에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 유입로가 다수개 제공됨에 따라 유입로의 표면적이 증가하고 비산되는 공정 유체를 유입로로 유입하는 것이 용이해진다.8, 9, and 10 are side views according to different embodiments of the chuck pin. The inflow path may be provided to have a rectangular cross section, such as the inflow path 1410 shown in FIG. 8. Alternatively, the inflow path may be provided to have a circular cross section as the inflow path 2410 illustrated in FIG. 9. Alternatively, the inflow path may be provided to cluster a plurality of inflow paths, such as the inflow path 3410 illustrated in FIG. 10. The cross section and the number of inflow paths are not limited to the presented embodiments and can be variously modified. As a plurality of inlets are provided, the surface area of the inlets increases and it becomes easy to introduce the scattered process fluid into the inlets.

도 11은 척핀의 다른 실시 예에 따른 단면도이다. 유입로는 도 11에서 도시되는 유입로(4410)와 같이 유입구에서부터 유출로로 합류되는 방향에 대하여 일정한 면적을 갖도록 제공될 수 있다. 유입로의 형상은 제시된 실시 예에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.11 is a cross-sectional view according to another embodiment of a chuck pin. The inflow path may be provided to have a constant area with respect to the direction from the inflow port to the outflow path, such as the inflow path 4410 illustrated in FIG. 11. The shape of the inlet passage is not limited to the presented embodiment and can be variously modified.

한편, 유입구(410)가 분기된 실시 예만 도시하였지만, 하나의 유입구에 하나의 유출구가 대응될 수 있다. 이 경우 다수개의 유입구와 다수개의 유출구가 제공될 수 있다. 이 경우 유로의 유입구와 인접한 표면은 제1 재질(430)로 제공되고, 유출구와 인접한 표면은 제2 재질(440)로 제공된다. 또한, 다수개의 유로가 제공되는 사항을 도시하였지만, 유로는 하나로 제공될 수 있다. On the other hand, although only the embodiment in which the inlet 410 is branched is illustrated, one outlet may correspond to one inlet. In this case, multiple inlets and multiple outlets may be provided. In this case, the surface adjacent to the inlet of the flow path is provided as the first material 430, and the surface adjacent to the outlet is provided as the second material 440. In addition, although a plurality of flow paths is illustrated, flow paths may be provided as one.

10: 인덱스 모듈, 20: 공정 처리 모듈,
120: 로드 포트, 140: 이송 프레임,
220: 버퍼 유닛, 240: 이송 챔버,
260: 공정 챔버, 300: 액 처리 장치,
400: 척핀.10: index module, 20: process processing module,
120: load port, 140: transfer frame,
220: buffer unit, 240: transfer chamber,
260: process chamber, 300: liquid processing device,
400: chuck pin.

Claims (20)

기판의 에지를 지지하되, 일측에서 타측을 향해 관통된 유로가 형성된 바디를 포함하고,
상기 유로에서 유입구와 인접한 표면과 상기 바디의 표면은 물에 대한 접촉각이 상이하게 제공되는 척핀.Supporting the edge of the substrate, including a body having a passage formed from one side to the other,
The surface adjacent to the inlet in the flow path and the surface of the body are provided with different contact angles for water. 제1 항에 있어서,
상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 바디 표면에 대한 물의 접촉각보다 작게 제공되는 척핀.According to claim 1,
A chuck pin provided with a contact angle of water with respect to a surface adjacent to the inlet of the flow path less than a contact angle of water with respect to the body surface. 제1 항에 있어서,
상기 유로에서 유출구와 인접한 표면과 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각은 상이하게 제공되는 척핀.According to claim 1,
The contact angle of water between the surface adjacent to the outlet in the flow path and the surface adjacent to the inlet of the flow path is a chuck pin provided differently. 제3 항에 있어서,
상기 유로에서 유출구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각보다 크게 제공되는 척핀.According to claim 3,
A chuck pin in which the contact angle of water to the surface adjacent to the outlet in the flow passage is greater than the contact angle of water to the surface adjacent to the inlet of the flow passage. 제1 항에 있어서,
상기 바디의 표면은 소수성으로 제공되는 척핀.According to claim 1,
The surface of the body is a chuck pin provided as a hydrophobic. 제1 항에 있어서,
상기 유로의 유출구와 인접한 표면은 상기 유로의 유입구와 인접한 표면보다 더 소수성으로 제공되는 척핀.According to claim 1,
The surface adjacent to the outlet of the flow passage is more hydrophobic than the surface adjacent to the inlet of the passage. 제1 항에 있어서.
상기 유로는 상기 기판 지지측에서 타측을 향해 하향 경사진 부분을 포함하는 척핀.The method of claim 1.
The passage is a chuck pin including a portion inclined downward from the substrate support side toward the other side. 제1 항에 있어서,
상기 유로의 유입구와 인접한 영역에 대하여 상기 유입구의 단면적이 큰 나팔 형상으로 제공되는 척핀. According to claim 1,
A chuck pin provided in a trumpet shape having a large cross-sectional area of the inlet with respect to an area adjacent to the inlet of the flow path. 기판의 에지를 지지하되, 일측에서 타측을 향해 관통된 유로가 형성된 바디를 포함하되,
상기 유로는 다수개의 유입로를 포함하고,
상기 다수개의 유입로는 상기 유로의 유출로에서 합류되는 척핀.Supporting the edge of the substrate, including a body formed with a passage through from one side to the other side,
The flow path includes a plurality of inlets,
The plurality of inflow passages are chuck pins joined at the outflow passages of the flow path. 제9 항에 있어서,
상기 유입로의 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 바디의 표면에 대한 물에 대한 접촉각 보다 작게 제공되는 척핀.The method of claim 9,
The chuck pin is provided so that the contact angle of the water with respect to the surface of the inflow passage is smaller than the contact angle with the water of the surface of the body. 제9 항에 있어서,
상기 유출로의 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 유출로의 표면에 대한 물의 접촉각보다 크게 제공되는 척핀.The method of claim 9,
A chuck pin provided with a contact angle of water with respect to the surface of the outlet passage greater than a contact angle of water with respect to the surface of the outlet passage. 제9 항에 있어서,
상기 유출로는 상기 유입로에서 멀어지는 방향으로 하향 경사진 부분을 포함하는 척핀.The method of claim 9,
The outlet passage is a chuck pin including a portion inclined downward in a direction away from the inflow passage. 제9 항에 있어서,
상기 유출로는 상기 유출구로 갈수록 단면 면적이 크게 제공되는 척핀.The method of claim 9,
The outlet passage is a chuck pin having a larger cross-sectional area toward the outlet. 제9 항에 있어서,
상기 유입로는 상기 바디의 길이 방향에 수직한 방향으로 형성되는 척핀.The method of claim 9,
The inlet passage is a chuck pin formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the body. 제1 항 또는 제9 항에 있어서,
상기 바디는,
머리부와;
상기 머리부의 아래에 제공되며 아래 방향으로 갈수록 횡단면이 넓어지게 제공되는 상체부와;
상기 상체부의 아래에 제공되어 길이 방향에 대한 횡단면이 동일하게 제공되는 하체부를 포함하고,
상기 머리부와 상기 상체부 사이는 기판의 가장자리를 지지하도록 홈이 형성되고,
상기 유로는 상기 상체부 또는 상기 하체부에 제공되는 척핀.The method according to claim 1 or 9,
The body,
With head;
An upper body provided below the head portion and provided with a wider cross-section toward a downward direction;
It is provided below the upper body portion and includes a lower body portion having the same cross-section in the longitudinal direction,
A groove is formed between the head and the upper body to support the edge of the substrate,
The passage is a chuck pin provided on the upper body portion or the lower body portion. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공정 유체를 공급하는 공정 유체 공급 유닛을 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
기판이 놓이는 스핀 헤드와;
상기 스핀 헤드에 이격 배치되어, 기판의 에지를 지지하는 척핀을 포함하되,
상기 척핀은,
기판 지지측에서 타측을 향해 관통된 유로가 형성되고,
상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 척핀 표면에 대한 물의 접촉각보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A container having a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
It includes a process fluid supply unit for supplying a process fluid to the substrate supported on the support unit,
The substrate support unit,
A spin head on which the substrate is placed;
The spin head is spaced apart, including a chuck pin to support the edge of the substrate,
The chuck pin,
The flow path penetrated from the substrate support side toward the other side is formed,
A substrate processing apparatus in which the contact angle of water with respect to a surface adjacent to the inlet of the flow path is smaller than the contact angle of water with respect to the surface of the chuck pin. 제16 항에 있어서,
상기 유로에서 유출구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각이 상기 유로의 유입구와 인접한 표면에 대한 물의 접촉각보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 16,
A substrate processing apparatus in which the contact angle of water with respect to a surface adjacent to the outlet in the flow passage is greater than that of water with respect to a surface adjacent to the inlet of the passage. 제16 항에 있어서.
상기 유로는 상기 기판 지지측에서 타측을 향해 하향 경사지는 부분을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 16.
The passage is a substrate processing apparatus including a portion inclined downward from the substrate support side toward the other side. 제16 항에 있어서,
상기 유로는 다수개의 유입로를 포함하고,
상기 다수개의 유입로는 상기 유로의 유출로에서 합류되는 기판 처리 장치.The method of claim 16,
The flow path includes a plurality of inlets,
The plurality of inflow passages are substrate processing apparatuses joined in the outflow passages of the flow passages. 제19 항에 있어서,
상기 유입로는 상기 바디의 길이 방향에 수직한 방향으로 형성되고,
상기 유출로는 상기 유입로에서 멀어지는 방향으로 하향 경사진 부분을 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 19,
The inflow passage is formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the body,
The outflow passage includes a substrate processing apparatus including a portion inclined downward in a direction away from the inflow passage.
KR1020180106829A 2018-09-07 2018-09-07 Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof KR102201878B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180106829A KR102201878B1 (en) 2018-09-07 2018-09-07 Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180106829A KR102201878B1 (en) 2018-09-07 2018-09-07 Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200029070A true KR20200029070A (en) 2020-03-18
KR102201878B1 KR102201878B1 (en) 2021-01-13

Family

ID=69999449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180106829A KR102201878B1 (en) 2018-09-07 2018-09-07 Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102201878B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112820689A (en) * 2021-01-06 2021-05-18 长鑫存储技术有限公司 Floating pin, wafer bearing device and deposition equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990000274A (en) * 1997-06-04 1999-01-15 윤종용 Semiconductor cleaning device
KR100457053B1 (en) * 2002-07-30 2004-11-10 삼성전자주식회사 Apparatus for cleaning a wafer
JP2007059664A (en) * 2005-08-25 2007-03-08 Pre-Tech Co Ltd Cleaning apparatus of substrate
KR100889633B1 (en) * 2007-10-11 2009-03-20 세메스 주식회사 Chuck pin for fixing substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990000274A (en) * 1997-06-04 1999-01-15 윤종용 Semiconductor cleaning device
KR100457053B1 (en) * 2002-07-30 2004-11-10 삼성전자주식회사 Apparatus for cleaning a wafer
JP2007059664A (en) * 2005-08-25 2007-03-08 Pre-Tech Co Ltd Cleaning apparatus of substrate
KR100889633B1 (en) * 2007-10-11 2009-03-20 세메스 주식회사 Chuck pin for fixing substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112820689A (en) * 2021-01-06 2021-05-18 长鑫存储技术有限公司 Floating pin, wafer bearing device and deposition equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR102201878B1 (en) 2021-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20190134372A (en) Apparatus and method for treating substrate
US11684956B2 (en) Apparatus for treating substrate
US20130255724A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20200083790A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102201878B1 (en) Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof
KR20180080074A (en) Unit for supplying chemical, Apparatus for treating substrate, and Method for removal bubble
KR102096945B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN106310723B (en) Defoaming unit and substrate processing apparatus including the same
KR20160005461A (en) Apparatus and method for treating a subtrate
KR101591960B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101909471B1 (en) Liquid mixing unit and Apparatus for treating a substrate with the unit
KR102450031B1 (en) Standby port and Apparatus for treating substrate with the port
KR102096944B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102030038B1 (en) Apparatus for Processing Substrate
KR101817217B1 (en) Chuck pin, Method for manufacturing a chuck pin, Apparatus for treating a substrate
KR20230143771A (en) Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof
US20220297167A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20120015660A (en) Nozzle unit
KR102620707B1 (en) Liquid membrane forming apparatus, and liquid processing apparatus and substrate processing equipment including the same
KR20160005462A (en) Apparatus and method for treating a subtrate
KR102239518B1 (en) home port and substrate processing apparatus having the same
KR101940744B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102175119B1 (en) Processing fluid supply nozzle and substrate processing apparatus including the same
KR20150043893A (en) Chemical liquid supply method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant