KR20230143771A - Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof - Google Patents

Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20230143771A
KR20230143771A KR1020220042806A KR20220042806A KR20230143771A KR 20230143771 A KR20230143771 A KR 20230143771A KR 1020220042806 A KR1020220042806 A KR 1020220042806A KR 20220042806 A KR20220042806 A KR 20220042806A KR 20230143771 A KR20230143771 A KR 20230143771A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chuck
spin chuck
pin
insertion groove
Prior art date
Application number
KR1020220042806A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최준영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220042806A priority Critical patent/KR20230143771A/en
Publication of KR20230143771A publication Critical patent/KR20230143771A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

본 발명은, 기판을 지지하는 바디와 상기 바디를 회전시키는 회전 구동기와 상기 기판의 측면을 지지하도록 상기 바디에 설치되며, 서로 이격되게 배치되는 복수의 척 핀과 상기 척 핀을 상기 기판의 측면과 접촉되는 공정 위치와 상기 기판의 측면으로부터 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 핀 구동기를 포함하고, 상기 척 핀은, 상기 기판의 측면을 지지하는 상체를 구비하고, 상기 상체는 상기 기판의 측면을 지지하는 접촉부가 형성된 상측 부분 및 상기 상측 부분으로부터 아래로 연장되는 하측 부분을 포함하고, 상기 하측 부분은, 상기 공정 위치에서 원심력에 의해 상기 기판으로부터 상기 척 핀을 향하는 방향으로 비산하는 처리액을 아래 방향으로 안내하는 가이드부를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 처리액의 비산 방향을 제어하여, 공정 효율이 향상되는 효과가 있다.The present invention includes a body supporting a substrate, a rotation driver rotating the body, a plurality of chuck pins installed on the body to support the side of the substrate, and the chuck pins being spaced apart from each other, and the chuck pin being connected to the side of the substrate. and a pin driver that moves between a contact process position and a standby position spaced apart from a side of the substrate, wherein the chuck pin has an upper body supporting a side of the substrate, and the upper body supports a side of the substrate. It includes an upper part on which a contact part is formed and a lower part extending downward from the upper part, wherein the lower part directs the processing liquid flying from the substrate in a direction toward the chuck pin by centrifugal force at the process position in a downward direction. The purpose is to provide a guide to guide you.
According to the present invention as described above, there is an effect of improving process efficiency by controlling the scattering direction of the treatment liquid.

Description

스핀 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof}Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising the same}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 회전하는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 스핀 척에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that processes a substrate by supplying a processing liquid to a rotating substrate, and a spin chuck used therein.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 때, 각각의 공정에 따라 기판 상에 서로 상이한 처리액들을 공급하여 공정을 처리한다.To manufacture a semiconductor device or liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. At this time, different processing solutions are supplied to the substrate according to each process to process the process.

특히, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.In particular, as semiconductor devices become more dense, integrated, and high-performance, the miniaturization of circuit patterns is rapidly progressing, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a significant impact on the characteristics of the device and production yield. It goes crazy. For this reason, a cleaning process that removes various contaminants attached to the surface of a substrate has become very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate is carried out before and after each unit process for manufacturing a semiconductor.

기판의 세정은 기판이 회전할 수 있도록 일정한 위치에 배치한 상태에서 상기 기판의 일면에 순수 등의 세정 유체를 분사하여 이루어진다. 이때 상기 기판이 회전하는 상태를 유지할 수 있는 수단이 필요하다. 척 핀은 기판의 가장자리에서 기판을 고정한다. 기판은 스핀 헤드에 지지되어 회전되며 공정이 진행되고, 스핀 헤드를 감싸는 회수통들로 처리액에 의한 외부 오염을 방지한다.Cleaning of the substrate is performed by spraying a cleaning fluid, such as pure water, on one surface of the substrate while the substrate is placed in a certain position so that it can rotate. At this time, a means to maintain the rotating state of the substrate is required. Chuck pins secure the board at the edges of the board. The substrate is supported and rotated by the spin head to proceed with the process, and external contamination by the processing liquid is prevented by the recovery containers surrounding the spin head.

도 1은 종래의 척 핀에 의해 지지된 기판에 세정액을 회전 도포할 때 약액의 흐름을 나타낸 도면이다. 종래의 척 핀(1000)은 기판(W)의 측면을 지지하는 상체(1100)와 상체(1100)의 아래로 연결된 하체(1200)로 구성된다. 상체(1100)는 기판(W)의 측면을 지지하는 오목부(1110)가 형성되고, 하체(1200)는 기둥형상으로, 오목부(1110)로부터 이어져 아래로 갈수록 둘레가 넓어지는 경사면(1210)이 형성된다. 이러한 구조로 인해 경사면(1210)이 상부 방향을 향하고 있어 세정액이 경사면 부딪혀 재 비산되어 기판(W)의 엣지(Edge)에 재부착된다. 기판(W)의 엣지(Edge)에 잔류하게 된 세정액은 파티클로 남게 된다. 이에 따라, 후속 공정에 사용되는 주변 회수통들을 오염시킬 수 있고, 공정 효율이 낮아지게 된다.Figure 1 is a diagram showing the flow of a chemical solution when the cleaning solution is rotatably applied to a substrate supported by a conventional chuck pin. The conventional chuck pin 1000 consists of an upper body 1100 supporting the side of the substrate W and a lower body 1200 connected below the upper body 1100. The upper body 1100 is formed with a concave portion 1110 that supports the side of the substrate W, and the lower body 1200 is column-shaped and has an inclined surface 1210 that extends from the concave portion 1110 and expands in circumference downward. This is formed. Due to this structure, the inclined surface 1210 is directed upward, so the cleaning liquid hits the inclined surface, scatters again, and reattaches to the edge of the substrate W. The cleaning solution remaining on the edge of the substrate (W) remains as particles. Accordingly, surrounding recovery containers used in subsequent processes may be contaminated, and process efficiency is lowered.

본 발명은 척 핀으로 기판의 측부를 지지한 상태에서, 회전하는 기판으로 공급되는 처리액의 비산 방향을 제어하여 기판이 비산되는 처리액에 의해 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 스핀 척을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention provides a substrate processing device that prevents the substrate from being contaminated by the scattering processing liquid by controlling the scattering direction of the processing liquid supplied to the rotating substrate while supporting the side of the substrate with a chuck pin, and the spin used therein. The purpose is to provide pretend service.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 컵과 상기 처리 공간 내에서 기판이 회전 가능하도록 지지하는 스핀 척 그리고 상기 스핀 척에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 스핀 척은, 기판을 지지하는 바디와 상기 바디를 회전시키는 회전 구동기와 상기 기판의 측면을 지지하도록 상기 바디에 설치되며, 서로 이격되게 배치되는 복수의 척 핀과 상기 척 핀을 상기 기판의 측면과 접촉되는 공정 위치와 상기 기판의 측면으로부터 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 핀 구동기를 포함하고, 상기 척 핀은, 상기 기판의 측면을 지지하는 상체를 구비하고, 상기 상체는 상기 기판의 측면을 지지하는 접촉부가 형성된 상측 부분; 및 상기 상측 부분으로부터 아래로 연장되는 하측 부분을 포함하고, 상기 하측 부분은, 상기 공정 위치에서 원심력에 의해 상기 기판으로부터 상기 척 핀을 향하는 방향으로 비산하는 처리액을 아래 방향으로 안내하는 가이드부를 가질 수 있다.A substrate processing device according to an embodiment of the present invention includes a cup having a processing space therein, a spin chuck that supports the substrate so that it can rotate within the processing space, and a liquid supply that supplies processing liquid to the substrate supported on the spin chuck. It includes a unit, wherein the spin chuck includes a body for supporting a substrate, a rotation driver for rotating the body, a plurality of chuck pins installed on the body to support a side of the substrate, and the chuck pins being spaced apart from each other. and a pin driver that moves the pin between a process position in contact with the side of the substrate and a standby position spaced apart from the side of the substrate, wherein the chuck pin has an upper body supporting the side of the substrate, and the upper body includes the an upper portion formed with a contact portion supporting the side surface of the substrate; and a lower part extending downward from the upper part, wherein the lower part has a guide part that guides the processing liquid flying from the substrate in the direction toward the chuck pin by centrifugal force at the process position in a downward direction. You can.

일 실시 예에 의하면, 상기 바디에 설치되어 기판의 저면에 처리액을 분사하는 백 노즐을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, a back nozzle installed on the body may further include a back nozzle that sprays a processing liquid on the bottom of the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드부는, 상기 하측 부분의 외벽에 형성된 오목부로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the guide portion may be provided as a concave portion formed in the outer wall of the lower portion.

일 실시 예에 의하면, 상기 오목부는, 라운드진 형상으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the concave portion may be provided in a rounded shape.

일 실시 예에 의하면, 상기 접촉부는, 상기 상측 부분의 외벽에 형성된 삽입홈으로 제공되고, 상기 상체는 상기 삽입홈과 상기 오목부 사이에 제공된 외벽에 상기 기판이 제공된 방향을 향하는 볼록한 정점이 1개만 제공될 수 있다.According to one embodiment, the contact portion is provided as an insertion groove formed on the outer wall of the upper portion, and the upper body has only one convex vertex facing the direction in which the substrate is provided on the outer wall provided between the insertion groove and the concave portion. can be provided.

일 실시 예에 의하면, 상기 삽입홈의 하단과 상기 오목부의 상단은 연속적으로 이어질 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the insertion groove and the upper end of the concave portion may be continuously connected.

일 실시 예에 의하면, 상기 삽입홈과 상기 오목부는, 각각 라운드진 형상으로 제공되고, 상기 오목부의 곡률반경은, 상기 삽입홈의 곡률반경보다 크게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the insertion groove and the concave portion may each be provided in a rounded shape, and the radius of curvature of the concave portion may be greater than the radius of curvature of the insertion groove.

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드부는, 상기 하측 부분의 외벽에 하부로 갈수록 상기 기판으로부터 멀어지는 경사면으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the guide part may be provided on the outer wall of the lower portion as an inclined surface that moves away from the substrate as it goes downward.

일 실시 예에 의하면, 상기 척 핀은, 상기 상체의 아래에 배치되고 상기 바디에 결합되는 하체; 및 상기 상체 및 하체 사이에 배치되며, 상기 상체 및 하체로부터 외측으로 돌출되는 링 형상의 중간체를 더 포함하고, 상기 가이드부는, 하단이 상기 중간체의 상부까지 연장될 수 있다.According to one embodiment, the chuck pin includes a lower body disposed below the upper body and coupled to the body; and a ring-shaped intermediate body disposed between the upper body and the lower body and protruding outward from the upper body and the lower body, wherein the lower end of the guide portion may extend to the upper part of the intermediate body.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리액의 비산 방향을 제어하여, 공정 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus with improved process efficiency can be provided by controlling the scattering direction of the processing liquid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 종래의 척 핀에 의해 지지된 기판에 세정액을 회전 도포할 때 세정액의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 공정 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 척 핀의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 척 핀을 보여주는 정면도이다.
도 6은 도 3의 척 핀의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 정면도이다.
도 7은 도 3의 척 핀의 또 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 8은 도5의 척 핀에 의해 지지된 기판에 세정액을 회전 도포할 때 세정액의 흐름을 나타낸 도면이다.Figure 1 is a diagram showing the flow of the cleaning solution when the cleaning solution is rotationally applied to a substrate supported by a conventional chuck pin.
Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the process chamber of FIG. 2.
Figure 4 is a perspective view schematically showing an embodiment of the chuck pin of Figure 3.
Figure 5 is a front view showing the chuck pin of Figure 4.
Figure 6 is a front view schematically showing another embodiment of the chuck pin of Figure 3.
Figure 7 is a perspective view schematically showing another embodiment of the chuck pin of Figure 3.
FIG. 8 is a diagram showing the flow of the cleaning solution when the cleaning solution is rotationally applied to the substrate supported by the chuck pin of FIG. 5.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component does not mean excluding other components, but rather including other components, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to include one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Additionally, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is said to be “connected” or “connected” to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to that other component, but that other components may also exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "immediately between" or "neighboring" and "directly adjacent to" should be interpreted similarly.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in the present application, should not be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. .

이하, 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 8.

도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing equipment 1 of the present invention has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. . The load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from the top, it is perpendicular to the first direction 12. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 18 containing a substrate is seated in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a row along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20. A plurality of slots are formed in the carrier 18 to accommodate the substrates arranged horizontally with respect to the ground. A Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used as the carrier 18.

공정 처리 모듈(20)은 이송 챔버(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The processing module 20 has a transfer chamber 240, a buffer unit 220, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. The process chambers 260 on one side and the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240 . A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. Additionally, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on top of each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an A x B arrangement on one side of the transfer chamber 240. Here, A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the second direction 14. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in a 2×2 or 3×2 arrangement. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike what was described above, the process chamber 260 may be provided on only one side of the transfer chamber 240. Additionally, unlike what was described above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 챔버(260)와 캐리어(18) 간에 기판이 반송되기 전에 기판이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판이 놓이는 슬롯이 제공되며, 슬롯들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate to remain before it is transferred between the process chamber 260 and the carrier 18. The buffer unit 220 is provided with slots for placing a substrate therein, and a plurality of slots are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has an open side facing the transfer frame 140 and a side facing the transfer chamber 240.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다.The transfer frame 140 transfers the substrate between the carrier 18 mounted on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves straight along the index rail 142 in the second direction 14.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242)상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다.The transfer chamber 240 transfers the substrate between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260 . The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, and it moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242.

공정 챔버(260) 내에는 기판에 대해 케미컬, 유기 용제, 순수 등의 공정 유체를 이용해 기판을 처리하는 액 처리 장치(300)가 제공된다. 액 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 액 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 액 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 액 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A liquid processing device 300 is provided within the process chamber 260 to process the substrate using a process fluid such as chemicals, organic solvents, or pure water. The liquid processing device 300 may have different structures depending on the type of cleaning process being performed. In contrast, the liquid processing device 300 within each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the liquid processing devices 300 within the process chambers 260 belonging to the same group are the same as each other, and the liquid processing devices 300 within the process chambers 260 belonging to different groups. The structures of (300) may be provided differently. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240, and a second group of process chambers is provided on the other side of the transfer chamber 240. Chambers 260 may be provided. Optionally, on both sides of the transfer chamber 240, a first group of process chambers 260 may be provided in the lower layer, and a second group of process chambers 260 may be provided in the upper layer. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively. Alternatively, the first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be provided to sequentially perform processes on one substrate (W).

도 3은 챔버에 제공되는 기판 처리 장치(액 처리 장치)를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 용기(320), 기판 지지 유닛(330), 승강 유닛(340), 액 공급 유닛(350)을 포함한다.Figure 3 is a cross-sectional view showing a substrate processing device (liquid processing device) provided in the chamber. Referring to FIG. 3 , the substrate processing apparatus 300 includes a housing 310, a container 320, a substrate support unit 330, a lifting unit 340, and a liquid supply unit 350.

하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 하우징(310)의 내부에는 용기(320)가 위치된다.The housing 310 provides space inside. A container 320 is located inside the housing 310.

용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 용기(320)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 공정 유체 중 서로 상이한 공정 유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 공정 유체가 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 공정 유체를 배출한다. 배출된 공정 유체는 외부의 공정 유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 공정 유체는 세정 유체일 수 있다.The vessel 320 provides a processing space where a substrate processing process is performed. The container 320 is provided in a shape with an open top. The container 320 includes an internal recovery container 322, an intermediate recovery container 324, and an external recovery container 326. Each of the recovery containers 322, 324, and 326 recovers different process fluids among the process fluids used in the process. The internal recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 330. The intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 322. The external recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the middle recovery container 324. The inner space 322a of the internal recovery container 322, the space 324a between the internal recovery container 322 and the middle recovery container 324, and the space between the middle recovery container 324 and the external recovery container 326 ( 326a) functions as an inlet through which process fluid flows into the internal recovery container 322, the intermediate recovery container 324, and the external recovery container 326, respectively. Each of the recovery bins (322, 324, and 326) is connected to a recovery line (322b, 324b, and 326b) extending vertically downward from the bottom thereof. Each recovery line (322b, 324b, and 326b) discharges the process fluid introduced through each recovery tank (322, 324, and 326). The discharged process fluid can be reused through an external process fluid regeneration system (not shown). The process fluid may be a cleaning fluid.

지지 유닛(330)은 용기(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(330)은 기판 처리 공정 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 바디(332), 지지핀(334), 백 노즐(336), 척 핀(400), 핀 구동기(미도시), 그리고 지지축(338)을 포함한다. 바디(332)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 바디(332)의 저면에는 모터(339)에 의해 회전 가능한 지지축(338)이 고정 결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 바디(332)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 바디(332)에서 상부로 돌출된다. 지지핀(334)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 바디(332)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 백 노즐(336)은 기판의 저면에 처리액을 분사한다. 백 노즐(336)은 바디에 설치된다. 백 노즐(336)은 바디의 상부에 설치될 수 있다. 백 노즐(336)은 기판(W)을 세정할 때 순수(예를 들어, DI(De-Ionized) Water), 약액(예를 들어, 고온의 케미칼(Chemical)) 등을 기판(W)의 저면에 분사할 수 있다.Support unit 330 is disposed within container 320 . The support unit 330 supports and rotates the substrate W during the substrate processing process. The support unit 330 includes a body 332, a support pin 334, a back nozzle 336, a chuck pin 400, a pin driver (not shown), and a support shaft 338. Body 332 has an upper surface that is generally circular when viewed from above. A support shaft 338 rotatable by a motor 339 is fixedly coupled to the bottom of the body 332. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are disposed at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the body 332 and protrude upward from the body 332. The support pins 334 are arranged to have an overall annular ring shape by combining them with each other. The support pin 334 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a certain distance from the upper surface of the body 332. The back nozzle 336 sprays the processing liquid on the bottom of the substrate. The back nozzle 336 is installed on the body. The back nozzle 336 may be installed on the top of the body. When cleaning the substrate W, the back nozzle 336 sprays pure water (e.g., DI (De-Ionized) Water), chemical liquid (e.g., high-temperature chemical), etc. on the bottom of the substrate W. Can be sprayed on.

척 핀(400)은 기판(W)의 가장 자리에 복수 개 제공된다. 척 핀(400)은 바디(332)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(400)은 바디(332)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(400)은 지지 유닛(330)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(400)은 바디(332)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 바디(332)의 중심으로부터 더 외측 방향에 제공되는 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 로딩 또는 언로딩시에는 척 핀(400)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행 시에는 척 핀(400)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(400)은 기판의 측부와 접촉된다. 척 핀(400)에 대하여 이하에서 상세하게 후술한다.A plurality of chuck pins 400 are provided at the edges of the substrate W. The chuck pin 400 is disposed farther away from the center of the body 332 than the support pin 334. The chuck pin 400 is provided to protrude upward from the body 332. The chuck pin 400 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from its original position when the support unit 330 is rotated. The chuck pin 400 is provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 332. The standby position is a position provided further outward from the center of the body 332 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded into the support unit 330, the chuck pin 400 is positioned in the standby position, and when a process is performed on the substrate, the chuck pin 400 is positioned in the support position. In the support position, the chuck pin 400 is in contact with the side of the substrate. The chuck pin 400 will be described in detail below.

핀 구동기는 척 핀(400)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 핀 구동기는 바디(332)의 내부에 설치된다. 핀 구동기는 척 핀(400)을 바디에 고정한다. 공정 위치는 기판(W)이 지지 유닛(330)에 지지된 상태에서 바디(332)에 배치된 척 핀(400)이 기판(W)의 측면에 가까워지는 방향으로 정의한다. 대기 위치는 기판(W)이 지지 유닛(330)에 지지된 상태에서 바디(332)에 배치된 척 핀(400)이 기판(W)의 측면으로부터 멀어지는 방향으로 정의한다.The pin driver moves the chuck pin 400 to the process position and the standby position. The pin driver is installed inside the body 332. The pin driver secures the chuck pin 400 to the body. The process position is defined as the direction in which the chuck pin 400 disposed on the body 332 approaches the side of the substrate W while the substrate W is supported on the support unit 330. The standby position is defined as a direction in which the chuck pin 400 disposed on the body 332 moves away from the side of the substrate W while the substrate W is supported on the support unit 330.

승강 유닛(340)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(330)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(340)은 브라켓(342), 이동축(344), 그리고 구동기(346)를 포함한다.The lifting unit 340 moves the container 320 straight up and down. As the container 320 moves up and down, the relative height of the container 320 with respect to the support unit 330 changes. The lifting unit 340 includes a bracket 342, a moving shaft 344, and an actuator 346.

브라켓(342)은 용기(320)의 외벽에 고정 설치된다. 브라켓(342)에는 구동기(346)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(344)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 놓이거나, 지지 유닛(330)로부터 들어올려 질 때, 지지 유닛(330)이 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 공정 유체의 종류에 따라 공정 유체가 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다.The bracket 342 is fixedly installed on the outer wall of the container 320. A moving shaft 344 that moves in the vertical direction by the driver 346 is fixedly coupled to the bracket 342. When the substrate W is placed on the support unit 330 or lifted from the support unit 330, the container 320 is lowered so that the support unit 330 protrudes to the top of the container 320. Additionally, as the process progresses, the height of the container 320 is adjusted so that the process fluid can flow into the preset recovery containers 322, 324, and 326 according to the type of process fluid supplied to the substrate W.

일 예로, 제1공정 유체로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2공정 유체, 그리고 제3공정 유체로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(340)은 용기(320) 대신 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.For example, while the substrate W is being treated with the first process fluid, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the internal recovery container 322. In addition, while processing the substrate W with the second process fluid and the third process fluid, the substrate W is formed in the space 324a between the internal recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the intermediate recovery container, respectively. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the bin 324 and the external recovery bin 326. Unlike what was described above, the lifting unit 340 can move the support unit 330 in the vertical direction instead of the container 320.

액 공급 유닛(360)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 공정 유체를 공급한다. 액 공급 유닛(360)은 노즐 지지대(362), 노즐(364), 지지축(366), 그리고 구동기(368)를 포함한다. 지지축(366)은 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(366)의 하단에는 구동기(368)가 결합된다. 구동기(368)는 지지축(366)을 회전 및 승강 운동한다.The liquid supply unit 360 supplies process fluid to the substrate W during the substrate W processing process. The liquid supply unit 360 includes a nozzle support 362, a nozzle 364, a support shaft 366, and an actuator 368. The support shaft 366 is provided along the third direction 16 in its longitudinal direction, and a driver 368 is coupled to the lower end of the support shaft 366. The driver 368 rotates and moves the support shaft 366 up and down.

노즐 지지대(362)는 구동기(368)와 결합된 지지축(366)의 단부 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(364)은 노즐 지지대(362)의 단부 저면에 설치된다. 노즐(364)은 구동기(368)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(364)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(364)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(364)은 외부로부터 액을 공급받아 기판(W)상으로 액을 공급한다.The nozzle support 362 is vertically coupled to the opposite end of the support shaft 366 coupled to the driver 368. The nozzle 364 is installed on the bottom surface of the end of the nozzle support 362. The nozzle 364 is moved to the process position and the standby position by the driver 368. The process position is a position where the nozzle 364 is disposed at the vertical top of the container 320, and the standby position is a position where the nozzle 364 is deviated from the vertical top of the container 320. The nozzle 364 receives liquid from the outside and supplies the liquid onto the substrate (W).

액 공급 유닛(360)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(360)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 액 공급 유닛(360)을 통해 제공될 수 있다. 액이 케미칼 액으로 제공되는 경우, 케미칼은 불산, 황산, 인산 또는 이들의 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.One or more liquid supply units 360 may be provided. When a plurality of liquid supply units 360 are provided, chemicals, rinse liquid, or organic solvents may be provided through different liquid supply units 360. When the liquid is provided as a chemical liquid, the chemical may be hydrofluoric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture thereof. The rinse liquid may be pure water, and the organic solvent may be a mixture of isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

도 4는 도 3의 척 핀의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 4를 참조하면, 척 핀(400)은 상체(410), 중간체(420), 하체(430)로 이루어진다. 상체(410)는 기판(W)의 측면을 지지한다. 상체(410)는 상측 부분(412)과 하측 부분(414)을 포함한다. 상측 부분(412)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 상측 부분(412)에는 기판(W)의 측면을 지지하는 접촉부(413)가 형성된다. 하측 부분(414)은 상측 부분(412)으로부터 아래로 연장된다. 하측 부분(414)에는 비산하는 처리액을 기판(W)이 지지된 위치보다 낮은 방향으로 안내하는 가이드부(415)가 형성된다. 가이드부(415)는 척 핀(400)이 공정 위치에 배치된 상태에서 회전되는 기판(W)에 처리액을 공급할 때 원심력에 의해 척 핀(400)을 향하는 방향으로 비산되는 처리액을 기판(W)보다 아래 방향으로 안내한다.Figure 4 is a perspective view schematically showing an embodiment of the chuck pin of Figure 3. Referring to FIG. 4, the chuck pin 400 consists of an upper body 410, an intermediate body 420, and a lower body 430. The upper body 410 supports the side of the substrate (W). Upper body 410 includes an upper portion 412 and a lower portion 414 . The upper portion 412 supports the side surface of the substrate W. A contact portion 413 supporting the side surface of the substrate W is formed in the upper portion 412. Lower portion 414 extends downward from upper portion 412. A guide portion 415 is formed in the lower portion 414 to guide the flying processing liquid in a direction lower than the position where the substrate W is supported. When supplying the processing liquid to the rotating substrate (W) with the chuck pin 400 disposed at the process position, the guide unit 415 directs the processing liquid that is scattered in the direction toward the chuck pin 400 by centrifugal force to the substrate ( Guides downward from W).

중간체(420)는 상체(410)와 하체(430)사이에 배치된다. 중간체(420)는 상체(410) 및 하체(430)로부터 외측으로 돌출되는 링 형상으로 제공될 수 있다.The intermediate body 420 is disposed between the upper body 410 and the lower body 430. The intermediate body 420 may be provided in a ring shape that protrudes outward from the upper body 410 and the lower body 430.

하체(430)는 중간체(420)의 아래에 배치된다. 하체(430)는 바디(332)내부에 설치된 핀 구동기에 결합된다. 하체(430)는 핀 구동기에 결합이 가능하도록 결합홈(432)이 형성될 수 있다.The lower body 430 is disposed below the intermediate body 420. The lower body 430 is coupled to a pin driver installed inside the body 332. The lower body 430 may be formed with a coupling groove 432 to enable coupling to the pin driver.

도 5는 도3의 척 핀을 보여주는 정면도이다. 도 5를 참조하면, 접촉부(413)는 상측 부분(412)의 외벽에 형성된 삽입홈(413a)으로 제공될 수 있다. 삽입홈(413a)은 척 핀(400)이 공정 위치에 위치될 때 기판(W)의 측면이 지지되도록 제공된다. 삽입홈(413a)은 라운드진 형상으로 제공될 수 있다.Figure 5 is a front view showing the chuck pin of Figure 3. Referring to FIG. 5, the contact portion 413 may be provided as an insertion groove 413a formed on the outer wall of the upper portion 412. The insertion groove 413a is provided to support the side of the substrate W when the chuck pin 400 is positioned at the process position. The insertion groove 413a may be provided in a round shape.

가이드부(415)는 하측 부분(414)의 외벽에 형성된 오목부(415a)로 제공될 수 있다. 오목부(415a)는 척 핀(400)이 공정 위치에 배치될 때, 하측 부분(414)의 외벽 중 기판(W)과 마주보는 영역에 형성된다. 오목부(415a)는 라운드진 형상으로 제공될 수 있다.The guide portion 415 may be provided as a concave portion 415a formed on the outer wall of the lower portion 414. The concave portion 415a is formed in an area of the outer wall of the lower portion 414 facing the substrate W when the chuck pin 400 is disposed at the process position. The concave portion 415a may be provided in a rounded shape.

이때, 삽입홈(413a)과 오목부(415a)의 사이에는 기판(W)을 향하는 방향으로 볼록한 정점이 형성될 수 있다. 삽입홈(413a)과 오목부(415a)의 사이에는 정점이 한 개만 제공된다. 오목부(415a)의 곡률반경은 삽입홈(413a)의 곡률반경보다 크게 제공될 수 있다.At this time, a convex peak in the direction toward the substrate W may be formed between the insertion groove 413a and the concave portion 415a. Only one vertex is provided between the insertion groove 413a and the concave portion 415a. The radius of curvature of the concave portion 415a may be provided larger than the radius of curvature of the insertion groove 413a.

상술한 예에서는 가이드부(415)가 오목부(415a)로 제공되는 것으로 기재하였으나 도 6에 도시된 바와 같이, 가이드부(415)는 하측 부분(414)의 외벽에 하부로 갈수록 기판(W)으로부터 멀어지는 경사면(415b)으로 제공될 수 있다.In the above-described example, the guide portion 415 is described as being provided as a concave portion 415a, but as shown in FIG. 6, the guide portion 415 is positioned on the outer wall of the lower portion 414 toward the bottom of the substrate W. It may be provided as an inclined surface 415b moving away from.

상술한 예에서는 접촉부(413)와 가이드부(415)가 기판(W)에 대향되는 면에만 제공되는 것으로 기재하였으나 도 7에 도시된 바와 같이, 상측 부분(412) 및 하측 부분(414)의 둘레 전체에 제공될 수 있다.In the above example, the contact portion 413 and the guide portion 415 are described as being provided only on the surface opposite to the substrate W, but as shown in FIG. 7, the circumferences of the upper portion 412 and the lower portion 414 Can be provided in full.

이상에서 설명한 바에 따르면 도 8에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 아래에서 처리액이 공급되어 회전 세정에 의해 비산하는 처리액이 척 핀(400)의 하측 부분(414)에 형성된 오목부(415a)에 의해 기판(W)의 아래 방향으로 가이드 되어 기판(W)에 잔류하는 처리액을 줄일 수 있어 공정 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.According to the above description, as shown in FIG. 8, the processing liquid is supplied from below the substrate W, and the processing liquid scattered by rotation cleaning is formed in the concave portion (414) formed in the lower part 414 of the chuck pin 400. By guiding the substrate W in the downward direction by 415a), the processing liquid remaining on the substrate W can be reduced, which has the effect of increasing process efficiency.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above-described content shows and explains preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, changes, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

400 : 척 핀
410 : 상체
412 : 상측 부분
413 : 접촉부
413a : 삽입홈
414 : 하측 부분
415 : 가이드부
415a : 오목부
415b : 경사면
420 : 중간체
430 : 하체
432 : 결합홈400: Chuck pin
410: upper body
412: upper part
413: contact part
413a: Insertion groove
414: lower part
415: Guide part
415a: recess
415b: slope
420: intermediate
430: lower body
432: Combination groove

Claims (12)

기판이 회전 가능하도록 지지하는 스핀 척에 있어서,
기판을 지지하는 바디와;
상기 바디를 회전시키는 회전 구동기와;
상기 기판의 측면을 지지하도록 상기 바디에 설치되며, 서로 이격되게 배치되는 복수의 척 핀과;
상기 척 핀을 상기 기판의 측면과 접촉되는 공정 위치와 상기 기판의 측면으로부터 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 핀 구동기를 포함하고,
상기 척 핀은,
상기 기판의 측면을 지지하는 상체를 구비하고,
상기 상체는
상기 기판의 측면을 지지하는 접촉부가 형성된 상측 부분; 및
상기 상측 부분으로부터 아래로 연장되는 하측 부분을 포함하고,
상기 하측 부분은,
상기 공정 위치에서 원심력에 의해 상기 기판으로부터 상기 척 핀을 향하는 방향으로 비산하는 처리액을 아래 방향으로 안내하는 가이드부를 가지는 스핀 척.In the spin chuck that supports the substrate so that it can rotate,
a body supporting the substrate;
a rotation driver that rotates the body;
a plurality of chuck pins installed on the body to support a side of the substrate and spaced apart from each other;
A pin driver that moves the chuck pin between a process position in contact with the side of the substrate and a standby position spaced from the side of the substrate,
The chuck pin is,
Provided with an upper body supporting the side of the substrate,
The upper body
an upper portion formed with a contact portion supporting a side surface of the substrate; and
comprising a lower portion extending downward from the upper portion,
The lower part is,
A spin chuck having a guide portion that guides the processing liquid flying downward from the substrate toward the chuck pin by centrifugal force at the process position. 제 1항에 있어서,
상기 바디에 설치되어 기판의 저면에 처리액을 분사하는 백 노즐을 더 포함하는 스핀 척.According to clause 1,
A spin chuck further comprising a back nozzle installed on the body to spray a processing liquid on the bottom of the substrate. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 하측 부분의 외벽에 형성된 오목부로 제공되는 스핀 척.According to claim 1 or 2,
The guide part,
A spin chuck provided with a concave portion formed in the outer wall of the lower portion. 제 3항에 있어서,
상기 오목부는,
라운드진 형상으로 제공되는 스핀 척.According to clause 3,
The concave part is,
Spin chuck available in round shape. 제 3항에 있어서,
상기 접촉부는,
상기 상측 부분의 외벽에 형성된 삽입홈으로 제공되고,
상기 상체는 상기 삽입홈과 상기 오목부 사이에 제공된 외벽에 상기 기판이 제공된 방향을 향하는 볼록한 정점이 1개만 제공되는 스핀 척.According to clause 3,
The contact part is,
It is provided with an insertion groove formed on the outer wall of the upper portion,
The upper body is a spin chuck in which only one convex vertex facing the direction in which the substrate is provided is provided on an outer wall provided between the insertion groove and the concave portion. 제 5항에 있어서,
상기 삽입홈의 하단과 상기 오목부의 상단은 연속적으로 이어지는 스핀 척.According to clause 5,
A spin chuck where the lower end of the insertion groove and the upper end of the concave portion are continuously connected. 제 5항에 있어서,
상기 삽입홈과 상기 오목부는,
각각 라운드진 형상으로 제공되고,
상기 오목부의 곡률반경은,
상기 삽입홈의 곡률반경보다 크게 제공되는 스핀 척.According to clause 5,
The insertion groove and the concave portion,
Each is provided in a round shape,
The radius of curvature of the concave portion is,
A spin chuck provided with a radius of curvature larger than the radius of curvature of the insertion groove. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 하측 부분의 외벽에 하부로 갈수록 상기 기판으로부터 멀어지는 경사면으로 제공되는 스핀 척.According to claim 1 or 2,
The guide part,
A spin chuck provided on the outer wall of the lower portion with an inclined surface that moves away from the substrate as it goes downward. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 척 핀은,
상기 상체의 아래에 배치되고 상기 바디에 결합되는 하체; 및
상기 상체 및 상기 하체 사이에 배치되며, 상기 상체 및 상기 하체로부터 외측으로 돌출되는 링 형상의 중간체를 더 포함하고,
상기 가이드부는,
하단이 상기 중간체의 상부까지 연장되는 스핀 척.According to claim 1 or 2,
The chuck pin is,
a lower body disposed below the upper body and coupled to the body; and
It is disposed between the upper body and the lower body and further includes a ring-shaped intermediate body that protrudes outward from the upper body and the lower body,
The guide part,
A spin chuck whose lower end extends to the top of the intermediate body. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 컵;과
상기 처리 공간 내에서 기판이 회전 가능하도록 지지하는 스핀 척; 그리고
상기 스핀 척에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 스핀 척은,
기판을 지지하는 바디;와
상기 바디를 회전시키는 회전 구동기;와
상기 기판의 측면을 지지하도록 상기 바디에 설치되며, 서로 이격되게 배치되는 복수의 척 핀;과
상기 척 핀을 상기 기판의 측면과 접촉되는 공정 위치와 상기 기판의 측면으로부터 이격되는 대기 위치 간에 이동시키는 핀 구동기를 포함하고,
상기 척 핀은,
상기 기판의 측면을 지지하는 상체를 구비하고,
상기 상체는
상기 기판의 측면을 지지하는 접촉부가 형성된 상측 부분; 및
상기 상측 부분으로부터 아래로 연장되는 하측 부분을 포함하고,
상기 하측 부분은,
상기 공정 위치에서 원심력에 의해 상기 기판으로부터 상기 척 핀을 향하는 방향으로 비산하는 처리액을 아래 방향으로 안내하는 가이드부를 가지는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
A cup having a processing space inside; and
a spin chuck that supports the substrate so that it can rotate within the processing space; and
A liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate supported on the spin chuck,
The spin chuck is,
A body that supports the substrate; and
a rotation actuator that rotates the body; and
A plurality of chuck pins installed on the body to support the side of the substrate and spaced apart from each other; and
A pin driver that moves the chuck pin between a process position in contact with the side of the substrate and a standby position spaced from the side of the substrate,
The chuck pin is,
Provided with an upper body supporting the side of the substrate,
The upper body
an upper portion formed with a contact portion supporting a side surface of the substrate; and
comprising a lower portion extending downward from the upper portion,
The lower part is,
A substrate processing device having a guide portion that guides the processing liquid flying from the substrate toward the chuck pin by centrifugal force at the process position in a downward direction. 제 10항에 있어서,
상기 바디에 설치되어 기판의 저면에 처리액을 분사하는 백 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 10,
A substrate processing device further comprising a back nozzle installed on the body to spray a processing liquid on the bottom of the substrate. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
상기 접촉부는,
상기 상측 부분의 외벽에 형성된 삽입홈으로 제공되고,
상기 가이드부는,
외벽이 오목하게 형성된 오목부로 제공되며,
상기 오목부의 곡률반경은,
상기 삽입홈의 곡률반경보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 10 or 11,
The contact part is,
It is provided with an insertion groove formed on the outer wall of the upper portion,
The guide part,
The outer wall is provided with a concave portion,
The radius of curvature of the concave portion is,
A substrate processing device provided with a radius of curvature greater than the radius of curvature of the insertion groove.
KR1020220042806A 2022-04-06 2022-04-06 Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof KR20230143771A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220042806A KR20230143771A (en) 2022-04-06 2022-04-06 Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220042806A KR20230143771A (en) 2022-04-06 2022-04-06 Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230143771A true KR20230143771A (en) 2023-10-13

Family

ID=88289897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220042806A KR20230143771A (en) 2022-04-06 2022-04-06 Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230143771A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106409657B (en) Nozzle and substrate processing apparatus including the same
US11456191B2 (en) Substrate treating apparatus and rotating assembly
KR20120015662A (en) Apparatus for processing substrate
JP2021034731A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101329319B1 (en) Nozzle and apparatus for treating a substrate with the nozzle
KR20200083790A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20140112299A (en) Apparatus for treating substrate
KR102096945B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101870666B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20230143771A (en) Spin chuck and apparatus for treating substrate comprising thereof
KR102201878B1 (en) Chuck pin and apparatus for treating substrate comprising thereof
KR101591960B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102096944B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN114695171A (en) Rear nozzle unit and substrate processing apparatus including the same
CN112439737A (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20200078791A (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
KR102620707B1 (en) Liquid membrane forming apparatus, and liquid processing apparatus and substrate processing equipment including the same
KR102648888B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102284471B1 (en) Chemical nozzle and apparatus for treating substrate
KR102331356B1 (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
KR102180009B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20140085726A (en) Apparatus for Processing Substrate
KR101909480B1 (en) Substrate treating apparatus
JP5824225B2 (en) Substrate processing equipment
KR20120015660A (en) Nozzle unit