KR20200028143A - 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 - Google Patents
패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200028143A KR20200028143A KR1020180106444A KR20180106444A KR20200028143A KR 20200028143 A KR20200028143 A KR 20200028143A KR 1020180106444 A KR1020180106444 A KR 1020180106444A KR 20180106444 A KR20180106444 A KR 20180106444A KR 20200028143 A KR20200028143 A KR 20200028143A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- package
- temperature
- temperature monitoring
- chip including
- die attach
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
본 발명의 특징은, 패키지 방열판 위에 다이 어태치 필름이 실장되어 있고, 상기 다이 어태치 필름 위에 알에프 소자를 포함하는 칩이 실장되어 있는 알에프 소자 패키지에 있어서, 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 온도 모니터링부 하나가 상기 패키지 방열판 위에 상기 다이 어태치 필름과 이격되어 배치되는 것이다.
Description
본 발명은 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 패키지 레벨에서 패키지의 온도를 정밀하게 모니터링함으로써, 알에프 소자 패키지에서 발생되는 열에 의해서 외부로 인가되는 데미지를 실시간으로 억제할 수 있는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 알에프 소자를 포함하는 칩은 허용되는 온도 이상으로 올라가게 되면, 셀프 히팅이나, 뮤추얼 히팅 등에 의해서 급격하게 온도가 상승하게 된다. 특히 고출력을 위한 알에프 파워 소자를 포함하는 칩의 경우 높은 출력 전류로 인해 온도 특성을 패키지 레벨에서 정확히 측정하기 어렵다. 높은 출력 전류와 상승하는 온도 등으로 인해 패키지 레벨에서 양품 여부가 제대로 판명되지 않지 않은 상태에서 알에프 소자 패키지가 시스템에 채용될 수 있다.
결과적으로, 알에프 소자 패키지뿐만 아니라 알에프 소자 패키지가 채용되는 시스템은 회복될 수 없는 데미지가 가해질 수 있다.
종래에는 알에프 소자 패키지의 온도를 모니터링하기 위해서 패키지 외부에 별도로 센서를 부착하여 IR(Infra Red) 이미지를 이용하였으나, 알에프 파워 앰프 소자가 패키지로 집적되는 경우에는 IR 이미지를 이용하는 것이 어려웠다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 특허청 공개 특허 제10-2010-0114302호에 2010.10.25.자로 게시되어 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 과제는, 패키지 레벨에서 패키지의 온도를 정밀하게 모니터링함으로써, 알에프 소자 패키지에서 발생되는 열에 의해서 외부로 인가되는 데미지를 실시간으로 억제할 수 있는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 패키지 방열판 위에 다이 어태치 필름이 실장되어 있고, 상기 다이 어태치 필름 위에 알에프 소자를 포함하는 칩이 실장되어 있는 알에프 소자 패키지에 있어서, 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 온도 모니터링부 하나가 상기 패키지 방열판 위에 상기 다이 어태치 필름과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 온도 모니터링부가 메사 저항(Mesa Resistor)으로 구성되며, 상기 메사 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 온도 모니터링부가 박막 저항(Thin Film Resistor; TFR)으로 구성되며, 상기 박막 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 박막 저항이 NiCr 또는 TaN이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 상기 알에프 소자가 GaAs, 또는 GaN로 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 패키지 방열판 위에 다이 어태치 필름이 실장되어 있고, 상기 다이 어태치 필름 위에 알에프 소자를 포함하는 칩이 실장되어 있는 알에프 소자 패키지에 있어서, 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 온도 모니터링부가 다수로 상기 패키지 방열판 위에 상기 다이 어태치 필름과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 다수의 온도 모니터링부 각각이 메사 저항(Mesa Resistor)으로 구성되며, 상기 각각의 메사 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 다수의 온도 모니터링부 각각이 박막 저항(Thin Film Resistor; TFR)으로 구성되며, 상기 각각의 박막 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 각각의 박막 저항이 NiCr 또는 TaN이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 다수의 온도 모니터링부 각각이 상기 다이 어태치 필름과 동일한 거리로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는, 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 상기 알에프 소자가 GaAs, 또는 GaN로 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예들에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 패키지 레벨에서 패키지의 온도를 정밀하게 모니터링함으로써, 알에프 소자 패키지에서 발생되는 열에 의해서 외부로 인가되는 데미지를 실시간으로 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지의 단면도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다.
예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 패키지 방열판(100) 위에 다이 어태치 필름(300)이 실장되어 있고, 상기 다이 어태치 필름(300) 위에 알에프 소자를 포함하는 칩(400)이 실장되어 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 상기 알에프 소자를 포함하는 칩(400)에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 온도 모니터링부(210, 220)가 다수로 상기 패키지 방열판(100) 위에 상기 다이 어태치 필름(300)과 이격되어 배치된다.
여기에서, 상기 다수의 온도 모니터링부(210, 220) 각각은 상기 다이 어태치 필름(300)과 동일한 거리로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 다수의 온도 모니터링부(210, 220) 각각은 메사 저항(Mesa Resistor)으로 구성되며, 상기 각각의 메사 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩(400)에서 발생되는 열의 온도를 모니터링할 수 있다.
또한, 상기 다수의 온도 모니터링부(210, 220) 각각은 박막 저항(Thin Film Resistor; TFR)으로 구성되며, 상기 각각의 박막 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩(400)에서 발생되는 열의 온도를 모니터링할 수 있다. 여기에서, 상기 각각의 박막 저항은 NiCr 또는 TaN이 증착되어 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 상기 알에프 소자를 포함하는 칩(400)에서 상기 알에프 소자가 GaAs, 또는 GaN로 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지는 온도 모니터링부(210, 220)가 반드시 다수로 배치될 필요는 없으며, 채용되는 형태에 따라서, 하나의 온도 모니터링부(210, 220)가 배치될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 패키지 방열판
210, 220 : 온도 모니터링부
300 : 다이 어태치 필름
400 : 칩
210, 220 : 온도 모니터링부
300 : 다이 어태치 필름
400 : 칩
Claims (11)
- 패키지 방열판 위에 다이 어태치 필름이 실장되어 있고, 상기 다이 어태치 필름 위에 알에프 소자를 포함하는 칩이 실장되어 있는 알에프 소자 패키지에 있어서,
상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 온도 모니터링부 하나가 상기 패키지 방열판 위에 상기 다이 어태치 필름과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 온도 모니터링부는 메사 저항(Mesa Resistor)으로 구성되며, 상기 메사 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 온도 모니터링부는 박막 저항(Thin Film Resistor; TFR)으로 구성되며, 상기 박막 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 3에 있어서,
상기 박막 저항은 NiCr 또는 TaN이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 상기 알에프 소자는 GaAs, 또는 GaN로 제조되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 패키지 방열판 위에 다이 어태치 필름이 실장되어 있고, 상기 다이 어태치 필름 위에 알에프 소자를 포함하는 칩이 실장되어 있는 알에프 소자 패키지에 있어서,
상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 온도 모니터링부가 다수로 상기 패키지 방열판 위에 상기 다이 어태치 필름과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 6에 있어서,
상기 다수의 온도 모니터링부 각각은 메사 저항(Mesa Resistor)으로 구성되며, 상기 각각의 메사 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 6에 있어서,
상기 다수의 온도 모니터링부 각각은 박막 저항(Thin Film Resistor; TFR)으로 구성되며, 상기 각각의 박막 저항의 저항값 변화를 측정하여 상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 발생되는 열의 온도를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 8에 있어서,
상기 각각의 박막 저항은 NiCr 또는 TaN이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 6에 있어서,
상기 다수의 온도 모니터링부 각각은 상기 다이 어태치 필름과 동일한 거리로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
- 청구항 6에 있어서,
상기 알에프 소자를 포함하는 칩에서 상기 알에프 소자는 GaAs, 또는 GaN로 제조되는 것을 특징으로 하는 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180106444A KR20200028143A (ko) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
| PCT/KR2018/010806 WO2020050445A1 (ko) | 2018-09-06 | 2018-09-14 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180106444A KR20200028143A (ko) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200028143A true KR20200028143A (ko) | 2020-03-16 |
Family
ID=69721687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180106444A KR20200028143A (ko) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20200028143A (ko) |
| WO (1) | WO2020050445A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113140527A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-20 | 哈尔滨工业大学 | 可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05159902A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗素子 |
| WO2002054489A2 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature measurement system and method |
| KR101505551B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2015-03-25 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 온도 감지소자가 장착된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그제조방법 |
| KR101752829B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2017-06-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
| KR20130038654A (ko) * | 2011-10-10 | 2013-04-18 | 삼성전자주식회사 | 다이 패키지, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 장치들 |
| JP2013140831A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Panasonic Corp | 高周波電力増幅素子、高周波電力増幅器及び高周波電力増幅器の検査方法 |
| KR102063817B1 (ko) * | 2013-03-04 | 2020-01-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치의 표면 온도 제어 방법 |
| KR101874449B1 (ko) * | 2018-01-10 | 2018-07-04 | (주)동천기공 | 태양광 발전 접속반내 다이오드 모듈 방열판 온도 및 순방향 전압 검출을 통한 다이오드 모듈 상태 검출시스템 |
-
2018
- 2018-09-06 KR KR1020180106444A patent/KR20200028143A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-09-14 WO PCT/KR2018/010806 patent/WO2020050445A1/ko active Application Filing
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113140527A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-20 | 哈尔滨工业大学 | 可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020050445A1 (ko) | 2020-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2015142552A1 (en) | Thermistor based measurement system | |
| US11137471B2 (en) | Current measurement device, current measurement method and calibration method | |
| JPS63243856A (ja) | 半導体パッケージの熱特性測定方法 | |
| US10362637B2 (en) | Integrated heater and sensor system | |
| US20160216144A1 (en) | Flow sensor arrangement | |
| US20150301103A1 (en) | Precision Measurement of Voltage Drop Across a Semiconductor Switching Element | |
| US11293948B2 (en) | System and method for correcting current value of shunt resistor | |
| TW201314438A (zh) | 風扇測試系統及方法 | |
| US20160049341A1 (en) | Integrated circuit chip with corrected temperature drift | |
| KR20200028143A (ko) | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 | |
| CN105157866B (zh) | 测量电路 | |
| CN115669217A (zh) | 用于电阻加热器的被动和主动校准方法 | |
| WO2018105753A3 (ja) | センサ基板、風速測定装置および風量測定装置 | |
| CN104076265A (zh) | 一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置 | |
| EP3657186B1 (en) | Rf power device capable of monitoring temperature and rf characteristics at wafer level | |
| JP6824271B2 (ja) | 第１温度測定素子を備える半導体デバイスおよび半導体デバイスを流れる電流を決定する方法 | |
| TWI796572B (zh) | 用以校準操作電熱器的控制系統之系統及方法 | |
| CN110945330B (zh) | 温度传感器电路 | |
| KR101785417B1 (ko) | 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자 | |
| US8814425B1 (en) | Power measurement transducer | |
| CN113140527A (zh) | 可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法 | |
| US8814424B1 (en) | Power measurement transducer | |
| Ellis et al. | A method of characterising the thermal resistance of high power LEDs | |
| US11650088B2 (en) | Thermal flow sensor for determining the temperature and the flow velocity of a flowing measuring medium | |
| Wagner et al. | Thermal and Mechanical Sensors for Advancement of GaN RF MMIC Technologies |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X601 | Decision of rejection after re-examination |