KR101785417B1 - 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자 - Google Patents

웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명의 특징은, 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드 및 상기 패드와 접지 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며, 상기 접지는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터에 연결되고, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조되는 것이다.

Description

웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자{RF Power Device capable of monitoring Temperature and RF Characteristics at Wafer Level}
본 발명은 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 레벨에서 알에프 파워 소자의 온도 및 알에프 특성을 정밀하게 모니터링함으로써, 알에프 파워 소자나 알에프 파워 소자가 채용되는 시스템에 데미지가 인가되는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자에 관한 것이다.
일반적으로 알에프 파워 소자가 허용되는 온도 이상으로 올라가게 되면, 셀프 히팅이나, 뮤추얼 히팅 등에 의해서 급격하게 온도가 상승하게 된다. 또한 고출력을 위한 알에프 파워 소자의 경우 높은 출력 전류로 인해 알에프 특성을 웨이퍼 레벨에서 정확히 측정하기 어렵다. 높은 출력 전류와 상승하는 온도, 그리고 제대로 측정되지 않은 알에프 특성으로 인해 웨이퍼 레벨에서 양품 여부가 제대로 판명되지 않지 않은 상태에서 알에프 파워 소자가 사용되게 된다. 결과적으로, 알에프 파워 소자뿐만 아니라 알에프 파워 소자가 채용되는 파워 앰프 모듈은 회복될 수 없는 데미지가 가해질 수 있다.
종래에는 파워 앰프 소자의 온도 및 알에프 특성을 모니터링하기 위해서 IR(Infra Red) 이미지를 이용하였으나, 파워 앰프 소자가 패키지로 집적되는 경우에는 IR 이미지를 이용하는 것이 어려웠다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 특허청 공개 특허 제10-2008-0063974호에 2008.07.08.자로 게시되어 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 과제는, 웨이퍼 레벨에서 알에프 파워 소자의 온도 및 알에프 특성을 정밀하게 모니터링함으로써, 알에프 파워 소자나 알에프 파워 소자가 채용되는 시스템에 데미지가 인가되는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드 및 상기 패드와 접지 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며, 상기 접지는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터에 연결되고, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터가 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)일 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부가 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)일 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리가 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치일 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드 및 상기 패드와 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 소스 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터가 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)일 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부가 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)일 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치일 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는 다수의 알에프 파워 트랜지스터가 서로 병렬로 연결되어 있는 트랜지스터 그룹, 상기 트랜지스터 그룹과 이격되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드 및 상기 패드와 접지 사이에 연결되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며, 상기 접지는 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각에 연결되고, 상기 트랜지스터 그룹, 상기 패드 및 상기 온도 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각이 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)일 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부가 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)일 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 트랜지스터 그룹과 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리가 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치일 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는 다수의 알에프 파워 트랜지스터가 서로 병렬로 연결되어 있는 트랜지스터 그룹, 상기 트랜지스터 그룹과 이격되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드 및 상기 패드와, 상기 트랜지스터 그룹 중 상기 패드에 가장 인접한 알에프 파워 트랜지스터의 소스 사이에 연결되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며, 상기 트랜지스터 그룹, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각이 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)일 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부가 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)일 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 상기 트랜지스터 그룹과 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리는 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 회로도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 회로도.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 회로도.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 회로도.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 도 1에 도시된 것처럼, 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100), 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드(1200) 및 상기 패드(1200)와 접지 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부(1300)를 포함한다.
이러한 접지는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)에 연결되고, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100), 상기 패드(1200) 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부(1300)는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
여기에서, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)는 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)일 수 있으며, 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부(1300)는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)를 이용하여 구성될 수 있다.
한편, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)와 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부(1300)의 이격 거리가 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치로 구성되면, 온도 및 알에프 특성 탐지부(1300)가 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)의 온도 및 알에프 특성을 보다 더 정밀하게 탐지할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는, 도 2에 도시된 것처럼, 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100), 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100)와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100)의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드(2200) 및 상기 패드(2200)와 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100)의 소스 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100)의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부(2300)를 포함하며, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100), 상기 패드(2200) 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부(2300)는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 온도 및 알에프 특성 탐지부(2300)는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터(2100)의 소스에 연결된다는 점에서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 온도 및 알에프 특성 탐지부(1300)와 차이가 있으며, 나머지는 동일하다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는 도 3에 도시된 것처럼, 다수의 알에프 파워 트랜지스터(3101, 3102, 3103)가 서로 병렬로 연결되어 있는 트랜지스터 그룹(3100), 상기 트랜지스터 그룹(3100)과 이격되어 상기 트랜지스터 그룹(3100)의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드(3200) 및 상기 패드(3200)와 접지 사이에 연결되어 상기 트랜지스터 그룹(3100)의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부(3300)를 포함하며, 상기 접지는 상기 트랜지스터 그룹(3100)의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각(3101, 3102, 3103)에 연결되고, 상기 트랜지스터 그룹(3100), 상기 패드(3200) 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부(3300)는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 트랜지스터 그룹(3100)은 다수의 알에프 파워 트랜지스터(3101, 3102, 3103)가 서로 병렬로 연결되어 있다는 점에서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 하나의 알에프 파워 트랜지스터(1100)와 차이가 있으며, 나머지는 동일하다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자는 도 4에 도시된 것처럼, 다수의 알에프 파워 트랜지스터(4101, 4102, 4103)가 서로 병렬로 연결되어 있는 트랜지스터 그룹(4100), 상기 트랜지스터 그룹(4100)과 이격되어 상기 트랜지스터 그룹(4100)의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드(4200) 및 상기 패드(4200)와, 상기 트랜지스터 그룹(4100) 중 상기 패드(4200)에 가장 인접한 알에프 파워 트랜지스터(4101)의 소스 사이에 연결되어 상기 트랜지스터 그룹(4100)의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부(4300)를 포함하며, 상기 트랜지스터 그룹(4100), 상기 패드(4200) 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부(4300)는 동일한 웨이퍼 상에서 제조된다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 온도 및 알에프 특성 탐지부(4300)는 트랜지스터 그룹(4100) 중 상기 패드(4200)에 가장 인접한 알에프 파워 트랜지스터(4101)의 소스에 연결된다는 점에서 본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자의 온도 및 알에프 특성 탐지부(3300)와 차이가 있으며, 나머지는 동일하다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (16)

  1. 하나의 알에프 파워 트랜지스터;
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드; 및
    상기 패드와 접지 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며,
    상기 접지는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터에 연결되고, 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조되는 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터는 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  5. 하나의 알에프 파워 트랜지스터;
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 이격되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드; 및
    상기 패드와 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 소스 사이에 연결되어 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며,
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조되는 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터는 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터와 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리는 상기 하나의 알에프 파워 트랜지스터의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  9. 다수의 알에프 파워 트랜지스터가 서로 병렬로 연결되어 있는 트랜지스터 그룹;
    상기 트랜지스터 그룹과 이격되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드; 및
    상기 패드와 접지 사이에 연결되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며,
    상기 접지는 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각에 연결되고, 상기 트랜지스터 그룹, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조되는 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각은 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 트랜지스터 그룹과 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리는 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  13. 다수의 알에프 파워 트랜지스터가 서로 병렬로 연결되어 있는 트랜지스터 그룹;
    상기 트랜지스터 그룹과 이격되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성 정보를 외부로 전달하기 위한 패드; 및
    상기 패드와, 상기 트랜지스터 그룹 중 상기 패드에 가장 인접한 알에프 파워 트랜지스터의 소스 사이에 연결되어 상기 트랜지스터 그룹의 온도 및 알에프 특성을 탐지하는 온도 및 알에프 특성 탐지부를 포함하며,
    상기 트랜지스터 그룹, 상기 패드 및 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 동일한 웨이퍼 상에서 제조되는 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각은 GaAs, InP, GaN 중 어느 하나로 제조되거나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 온도 및 알에프 특성 탐지부는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터, PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터, 저항(Resistor), 커패시터(Capacitor) 또는 인덕터(Inductor)인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.

  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 트랜지스터 그룹과 상기 온도 및 알에프 특성 탐지부의 이격 거리는 상기 트랜지스터 그룹의 다수의 알에프 파워 트랜지스터 각각의 레이아웃 디자인 룰의 쇼트 방지 범위의 최소치인 웨이퍼 레벨에서 온도 및 알에프 특성 모니터링이 가능한 알에프 파워 소자.













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