CN113140527A - 可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法，本发明要解决现有集成高功率功率器件难以监测温度和射频特性的问题。本发明可实时监测温度和射频特性的功率器件包括至少一个功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部，由单个功率晶体管或多个功率晶体管并联连接形成功率部件，PAD与功率部件间隔设置，温度/射频特性检测部的一端与PAD相连，温度/射频特性检测部的另一端接地或者与功率晶体管的源极相连。本发明从晶圆级分析：用引线将功率三极管的结温传输到芯片外部，即可检测芯片的结温；从封装级分析：在封装散热板上贴装芯片粘接薄膜以及完成薄膜电阻的对外连接，可精准监控封装后功率晶体管的发热情况。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆级和封装级可实时监测温度的功率器件及其封装方法。
背景技术
功率器件应用日益广泛，功率等级不断提高，对系统可靠性的要求也越来越高。结温实时监测系统特别是功率器件的运行状态，准确提取结温参数，实施故障诊断和故障预测是提升功率器件应用效率和可靠性的重要手段；同时主动热管理、温度智能控制等也是提高功率器件应用可靠性、降低成本的重要途径。通常，当功率器件的温度上升到高于允许的程度时，温度会通过自行加热(Self-heating)或相互加热(Mutual-heating)而突然升高。在以往功率器件的热仿真过程中，设计人员大多依靠红外热成像系统测试器件结温或依靠器件数据手册，凭经验进行系统设计时留有较大温度余量。但无论是红外热成像结温测试系统还是查询器件数据手册均属于间接方法，其结温预估值与实际结温之间存有较大的数据偏差。为解决该问题，实际工程应用中的冷却系统通常设计得偏大，这增加了系统体积、重量与成本；并且数据偏差造成的冷却系统性能过剩会进一步折损系统的性价比。因此，准确的结温提取无疑将有助于提高系统总体单位功率密度的性价比。然而，如果将功率器件集成到封装中，则通过类似的常规手段难以使用红外图像。特别是，对于集成高功率功率器件的芯片，由于输出电流大而难以在封装级别上精确地测量温度特性。由于高输出电流和温度上升等的原因，在封装级别上难以准确确定其品质是否良好，而在未经验证的情况下，功率器件封装已经被应用于系统中了。结果，不可逆的损坏不仅会施加到功率放大器模块中，而且还会施加到采用该模块的系统中。
此外，在高功率功率器件工作的情况下，由于输出电流大且伴有变化因而难以在晶圆级精确地测量射频特性。由于高输出电流、温度升高以及射频特性测量不准确，在晶圆级以及封装后难以实时准确确定功率器件的品质是否良好，而在未经验证的情况下应用功率器件。因此，不可逆的损坏不仅会施加到功率器件，而且还会施加到采用功率器件的功率放大器模块乃至系统中。
发明内容
本发明是要解决现有集成高功率功率器件难以监测温度和射频特性的问题，而提供一种实时精准可监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法。
本发明可实时监测温度和射频特性的功率器件包括至少一个功率晶体管、PAD(对外连接用的管脚)和温度/射频特性检测部，由单个功率晶体管或多个功率晶体管并联连接形成功率部件，PAD与功率部件间隔设置，温度/射频特性检测部的一端与PAD相连，温度/射频特性检测部的另一端接地或者与(邻近的)功率晶体管的源极相连。
本发明功率晶体管和温度/射频特性检测部之间的间隔距离可是用于防止所述单个功率晶体管的布局设计规则短路的范围的最小值。
本发明可实时监测温度的功率器件的封装方法按照以下步骤实现：
在封装散热板上贴有芯片粘接薄膜，集成功率器件的芯片贴装在芯片粘接薄膜上，在封装散热板上还设置有至少一个温度监测模块，温度监测模块与芯片粘接薄膜间隔设置。
本发明基于Pt薄膜电阻采用通态电阻/通态压降法精准检测功率器件的结温。目前，国内大多数公司采用国外厂商生产的贴片式温度传感器间接地进行结温测试。为了保证设备稳定运行，一般会留足散热富余量，然而这种方法应用到系统的各个模组会导致富余量越来越大，最终本可以正常工作的功率器件会因结温估算不准导致被迫放弃使用。基于此，本发明采用铂金材料通过制备薄膜电阻的方法实现温度检测功能，同时集成铂金温度传感器和功率晶体管于封装设计中，通过Pt薄膜电阻阻值来表征功率晶体管的结温；从封装级实现功率器件温度的进一步检测，具体地，在裸芯片工艺过程中同时集成铂金温度传感器和功率晶体管，通过Pt薄膜电阻阻值来表征功率晶体管的结温；并分别从晶圆级和封装级实现功率三极管芯片温度的进一步检测，从晶圆级分析：用引线将功率三极管的结温(Pt薄膜电阻)传输到芯片外部，即可检测芯片的结温；从封装级分析：在封装散热板上贴装芯片粘接薄膜以及完成薄膜电阻的对外连接，芯片粘接薄膜和薄膜电阻的对外连接PAD相互间隔，然后在芯片粘接薄膜上集成功率晶体管，该薄膜电阻就可精准监控封装后功率晶体管的发热情况。
本发明采用基于通态电阻/通态压降的功率晶体管结温提取方法：温度升高，载流子在迁移过程中发生散射的概率升高，载流子迁移率下降。器件通态电阻与载流子迁移率成反比，因此，通态电阻随结温升高而增大。通态电阻法以集成到功率晶体管中的Pt薄膜电阻通态电阻为温敏参数，根据器件的通态压降及流过器件的电流计算通态电阻，利用离线数据库查表提取结温。器件通态压降及电流通过基于Pt薄膜电阻的正温度系数温度传感器测量。基于Pt的正温度系数热敏电阻器，从晶圆级和封装级集成到功率晶体管芯片内部，通过外接PAD直接将芯片内部结温信号实时传输，并做到精准监控的效果。应用基于通态电阻法的温度测量，响应速度快，成本低，集成度高，器件尺寸低，可实现结温在线提取；通过内部集成铂金热敏电阻，可以直接读取功率晶体管芯片内部精准的温度信息，并且没有高余量温度误差。
附图说明
图1是实施例一可实时监测温度和射频特性的功率器件的电路图；
图2是实施例二可实时监测温度和射频特性的功率器件的电路图；
图3是实施例三可实时监测温度和射频特性的功率器件的电路图；
图4是实施例四可实时监测温度和射频特性的功率器件的电路图；
图5是本发明可实时监测温度和射频特性的三极管芯片的剖视结构图；
图6是实施例五可实时监测温度的功率器件的封装方法的封装剖视图；
图7是在不同的射频功率输入的情况下实施例二和实施例五功率器件的最高结温和封装温度测试图，其中1代表实施例二功率器件的最高结温，2代表实施例五功率器件的封装温度。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式可实时监测温度和射频特性的功率器件包括至少一个功率晶体管、PAD(对外连接用的管脚)和温度/射频特性检测部，由单个功率晶体管或多个功率晶体管并联连接形成功率部件，PAD与功率部件间隔设置，温度/射频特性检测部的一端与PAD相连，温度/射频特性检测部的另一端接地或者与(邻近的)功率晶体管的源极相连。
本实施方式利用薄膜电阻和射频微带传输线将功率晶体管的结温和射频特性导出到封装后的模块中。即从封装级分析：在封装散热板上贴装芯片粘接薄膜以及热敏电阻，功率晶体管芯片粘接薄膜和热敏电阻相互间隔，然后在芯片粘接薄膜上集成功率晶体管芯片，该热敏电阻就可以精准监控封装后功率芯片的发热情况。射频特性则依靠射频微带传输线传递到封装后的器件上。可实时监测温度和射频特性的三极管芯片的剖视结构图如图5所示，在功率晶体管基底上设置有温度/射频特性检测部。
本实施方式所述晶圆级上可监测温度和射频特性的功率器件，该射频功功率器件可通过在晶圆级上精确地监测温度和射频特性而有效地防止对功率器件或者应用该器件的系统的损坏。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是功率晶体管为GaAs晶体管、InP晶体管、GaN晶体管、SiC晶体管或者CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是所述的温度/射频特性检测部为负温度系数热敏电阻(Negative Temperature Coefficient：NTC)、正温度系数热敏电阻(Positive Temperature Coefficient：PTC)、电阻(Resistor)、电容(Capacitor)或电感(Inductor)。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是功率晶体管和温度/射频特性检测部之间的间隔距离是用于防止功率晶体管的布局设计规则短路的范围的最小值。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是所述功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部在同一晶片上制造。
具体实施方式六：本实施方式可实时监测温度的功率器件的封装方法按照以下步骤实现：
在封装散热板上贴有芯片粘接薄膜，集成功率器件的芯片贴装在芯片粘接薄膜上，在封装散热板上还设置有至少一个温度监测模块，温度监测模块与芯片粘接薄膜间隔设置。
本实施方式是在封装级别上对可监测温度的功率器件封装，该封装中，通过在封装级别上精确地监测封装的温度，可以实时防止功率器件封装产生的热量对外部造成的损坏。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式六不同的是所述温度监测模块由台面热敏电阻(Mesa Thermal Resistor)组成。
本实施方式通过测量所述台面电阻值的变化来监测包括所述集成功率器件的芯片产生的热量温度。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式六不同的是所述温度监测模块由薄膜电阻组成。
本实施方式通过测量所述薄膜电阻值的变化来监测包括所述集成功率器件的芯片产生的热量温度。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式八不同的是所述薄膜电阻是通过沉积NiCr或TaN形成的。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式六至九之一不同的是集成功率器件的芯片中的功率器件由GaAs、InP、GaN、SiC或CMOS晶体管制成。
具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式六至九之一不同的是在封装散热板上设置有多个温度监测模块，多个温度监测模块均匀设置在芯片粘接薄膜的四周。
具体实施方式十二：本实施方式与具体实施方式十一不同的是多个所述温度监测模块分别以与所述芯片粘接薄膜相同的距离隔间开。
实施例一：本实施例晶圆级上可监测温度和射频特性的功率器件包括单个功率晶体管1100、PAD1200和温度/射频特性检测部1300，PAD1200与单个功率晶体管1100间隔设置，PAD1200用于将所述单个功率晶体管1100的温度和射频特性信息传输到外部，射频特性检测部1300的一端与PAD1200相连，射频特性检测部1300的另一端接地，温度/射频特性检测部1300用于检测所述单个功率晶体管1100的温度和射频特性，所述的温度/射频特性检测部1300为Pt薄膜电阻。
本实施例单个功率晶体管1100接地连接，而在同一晶片上制造所述单个功率晶体管1100、所述PAD1200和所述温度/射频特性检测部1300。
此外，当所述单个功率晶体管1100和所述温度/射频特性检测部1300之间的间隔距离设置为用于防止所述单个功率晶体管1100的布局设计规则短路的范围的最小值时，温度/射频特性检测部1300可以更精确地检测单个功率晶体管1100的温度和射频特性。
实施例二：本实施例晶圆级上可监测温度和射频特性的功率器件包括单个功率晶体管1100、PAD1200和温度/射频特性检测部1300，PAD1200与单个功率晶体管1100间隔设置，射频特性检测部1300的一端与PAD1200相连，射频特性检测部1300的另一端与功率晶体管2100的源极相连。
本实施例在同一晶片上制造所述单个功率晶体管1100、所述PAD1200和所述温度/射频特性检测部1300。
实施例三：本实施例晶圆级上可监测温度和射频特性的功率器件包括多个功率晶体管1100、PAD1200和温度/射频特性检测部1300，由多个功率晶体管1100并联连接形成功率部件1400，PAD1200与功率部件间隔设置，PAD1200用于将功率部件的温度和射频特性信息传输到外部，射频特性检测部1300的一端与PAD1200相连，射频特性检测部1300的另一端接地，射频特性检测部1300用于检测功率部件1400的温度和射频特性。
本实施例在同一晶片上制造功率部件(晶体管组)、所述PAD和所述温度/射频特性检测部。
实施例四：本实施例晶圆级上可监测温度和射频特性的功率器件包括多个功率晶体管1100、PAD1200和温度/射频特性检测部1300，由多个功率晶体管1100并联连接形成功率部件1400，PAD1200与功率部件间隔设置，PAD1200用于将功率部件的温度和射频特性信息传输到外部，射频特性检测部1300的一端与PAD1200相连，射频特性检测部1300的另一端和功率部件1400中邻近的功率晶体管1100的源极相连，射频特性检测部1300用于检测功率部件1400的温度和射频特性。
实施例五：本实施例封装级别可监测温度的功率器件的封装方法按照以下步骤实现：
在封装散热板1上贴有芯片粘接薄膜3，集成功率器件的芯片4贴装在芯片粘接薄膜3上，在封装散热板1上还设置有至少一个温度监测模块2，温度监测模块2与芯片粘接薄膜3间隔设置。
本实施例温度监测模块由台面热敏电阻(Mesa Thermal Resistor)组成，可通过分别测量每个所述台面电阻值的变化来监测包括所述集成射频器件的芯片产生的热量温度。
在不同的射频功率输入的情况下基于实施例二和实施例五的功率器件最高结温和封装温度测试图如图7所示。
本发明提供了一种晶圆级以及封装级可监测温度和射频特性的功率器件，该功率器件可在不依靠红外热成像系统测试器件结温或依靠器件数据手册实时精准地在晶圆级以及封装级精确地监测功率器件的温度和射频特性从而有效地防止对功率器件或者应用该器件的系统的损坏。
Claims (10)
1.可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于该可实时监测温度和射频特性的功率器件包括至少一个功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部，由单个功率晶体管或多个功率晶体管并联连接形成功率部件，PAD与功率部件间隔设置，温度/射频特性检测部的一端与PAD相连，温度/射频特性检测部的另一端接地或者与功率晶体管的源极相连。
2.根据权利要求1所述的可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于所述的功率晶体管为GaAs晶体管、InP晶体管、GaN晶体管、SiC晶体管或者CMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于所述的温度/射频特性检测部为负温度系数热敏电阻、正温度系数热敏电阻、电阻、电容或电感。
4.根据权利要求1所述的可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于所述功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部在同一晶片上制造。
5.可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于该封装方法按照以下步骤实现：
在封装散热板上贴有芯片粘接薄膜，集成功率器件的芯片贴装在芯片粘接薄膜上，在封装散热板上还设置有至少一个温度监测模块，温度监测模块与芯片粘接薄膜间隔设置。
6.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于所述温度监测模块由台面热敏电阻组成。
7.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于所述温度监测模块由薄膜电阻组成。
8.根据权利要求7所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于所述薄膜电阻是通过沉积NiCr或TaN形成的。
9.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于集成功率器件的芯片中的功率器件由GaAs、InP、GaN、SiC或CMOS晶体管制成。
10.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于在封装散热板上设置有多个温度监测模块，多个温度监测模块均匀设置在芯片粘接薄膜的四周。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671152B1 (en) * | 1998-05-15 | 2003-12-30 | Gkr Gesellschaft Fur Fahrzeugklimaregelung Mbh | Power MOS transistor with overtemperature protection circuit |
| US20090216388A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Hiroo Ito | Wafer and temperature testing method of the same |
| CN102593024A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法 |
| CN104409420A (zh) * | 2014-10-11 | 2015-03-11 | 北京工业大学 | 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺 |
| CN104808715A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-07-29 | 北京工业大学 | 一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法 |
| US20190096873A1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-03-28 | Sang-hun Lee | Rf power device capable of monitoring temperature and rf characteristics at wafer level |
| CN109764972A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 温度检测模块、温度监控电路以及功率芯片 |
| KR20200028143A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-16 | 주식회사 웨이브피아 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
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- 2021-04-15 CN CN202110405372.2A patent/CN113140527A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671152B1 (en) * | 1998-05-15 | 2003-12-30 | Gkr Gesellschaft Fur Fahrzeugklimaregelung Mbh | Power MOS transistor with overtemperature protection circuit |
| US20090216388A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Hiroo Ito | Wafer and temperature testing method of the same |
| CN102593024A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法 |
| CN104409420A (zh) * | 2014-10-11 | 2015-03-11 | 北京工业大学 | 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺 |
| CN104808715A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-07-29 | 北京工业大学 | 一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法 |
| US20190096873A1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-03-28 | Sang-hun Lee | Rf power device capable of monitoring temperature and rf characteristics at wafer level |
| KR20200028143A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-16 | 주식회사 웨이브피아 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
| CN109764972A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 温度检测模块、温度监控电路以及功率芯片 |
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