KR20200023078A - A vertical-cavity surface-emitting laser package - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 표면발광레이저 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to surface emitting laser packages.
GaAs, AlGaAs 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 이용하여 다양한 파장대역의 광을 방출할 수 있어, 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaAs or AlGaAs may emit light of various wavelength bands by using a wide and easy-to-adjust band gap energy, and thus may be variously used as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
특히, 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 재질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 재질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선의 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials have been developed using thin film growth technology and device materials. Various colors such as ultraviolet rays can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or combining colors.Low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, It has the advantages of safety and environmental friendliness.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자는 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 재질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장대역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장대역에 이르는 다양한 파장대역의 빛을 수광할 수 있다. 또한 반도체 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 채택될 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured by using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material, the development of device materials absorbs light in various wavelength bands, thereby generating a photocurrent. It can receive light in various wavelength bands, ranging from radio wavelength bands. In addition, semiconductor devices have the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy control of device materials, so that they can be easily adopted in power control or microwave circuits or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 시스템의 송수신 모듈, 액정표시장치LCD(Liquid Crystal Display)의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 유닛, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드와 같은 조명 장치, 자동차의 헤드 라이트, 신호등 또는 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, the semiconductor device may replace a transmission / reception module of an optical communication system, a light emitting unit that replaces a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of a liquid crystal display (LCD), a fluorescent lamp, or an incandescent bulb. Applications are expanding to lighting devices such as white light emitting diodes, automotive headlights, traffic lights or sensors to detect gas or fire.
또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자로서 표면발광 레이저(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: VCSEL) 소자가 있다. 표면발광레이저 소자는 광 통신, 광병렬 처리, 광연결 등에 사용되고 있다. 한편, 이러한 통신용 모듈에서 사용되는 레이저 다이오드의 경우, 저전류에서 작동하기 용이하도록 설계되어 있다. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules. For example, there is a surface-emitting laser (VCSEL) device as a semiconductor device. Surface emitting laser devices are used in optical communication, optical parallel processing, optical connection, and the like. On the other hand, the laser diode used in such a communication module is designed to be easy to operate at a low current.
표면발광레이저 소자는 통신용과 센서용으로 개발되고 있다. 통신용 표면발광레이저 소자는 광통신 시스템에 적용된다. Surface-emitting laser devices are being developed for communication and sensors. The surface emitting laser device for communication is applied to an optical communication system.
센서용 표면발광레이저 소자는 사함의 얼굴을 인지하는 3D 센싱 카메라에 적용된다. 예를 들어, 3D 센싱 카메라는 객체의 심도 정보(Depth Information)를 포착할 수 있는 카메라로서, 최근 증강현실과 맞물려 각광을 받고 있다. The surface emitting laser element for the sensor is applied to a 3D sensing camera that detects a person's face. For example, a 3D sensing camera is a camera capable of capturing depth information of an object, and has recently been in the spotlight in conjunction with augmented reality.
표면발광레이저 소자가 포함된 표면발광레이저 패키지로 제품화될 수 있다.It can be commercialized into a surface emitting laser package containing a surface emitting laser element.
종래의 표면발광레이저 패키지에서, 표면발광레이저 소자의 레이저빔을 확산시키기 위해 표면발광레이저 소자 위에 확산부가 배치되고, 확산부는 접착 부재에 의해 고정된다. In a conventional surface emitting laser package, a diffusion portion is disposed on the surface emitting laser element to diffuse the laser beam of the surface emitting laser element, and the diffusion portion is fixed by the adhesive member.
하지만, 확산부가 접착 부재에 의해 고정되더라도, 충격에 의해 확산부가 탈착되는 문제가 발생된다. 이와 같이 확산부가 탈착되는 경우, 확산부 아래에 배치된 표면발광레이저 소자에서 방출된 레이저빔이 그대로 노출되게 된다. 표면발광레이저 패키지가 안면 인식 분야에 적용되는 경우, 확산부의 탈착에 의해 노출된 레이저빔이 사용자의 눈에 전달되어 실명될 위험이 있다.However, even if the diffusion part is fixed by the adhesive member, a problem arises in which the diffusion part is detached by an impact. When the diffusion is detached as described above, the laser beam emitted from the surface emitting laser device disposed below the diffusion is exposed as it is. When the surface emitting laser package is applied to the face recognition field, there is a risk that the laser beam exposed by the detachment of the diffuser is transmitted to the eyes of the user and blinded.
실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiment aims to solve the above and other problems.
실시예의 다른 목적은 새로운 구조를 갖는 표면발광레이저 패키지를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface emitting laser package having a new structure.
실시예의 또 다른 목적은 확산부의 고정성을 강화한 표면발광레이저 패키지를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface emitting laser package with enhanced fixing of the diffusion portion.
실시예의 또 다른 목적은 고출력의 빛을 제공하고 내부로 습기가 침투되는 것을 방지할 수 있는 표면발광레이저 패키지를 제공한다.Yet another object of the embodiment is to provide a surface emitting laser package that can provide high power light and prevent moisture from penetrating therein.
실시예의 또 다른 목적은 방열 성능을 향상시킬 수 있는 표면발광레이저 패키지를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface emitting laser package that can improve the heat dissipation performance.
실시예의 또 다른 목적은 표면발광레이저 소자의 고정성을 강화한 표면발광레이저 패키지를 제공한다.It is still another object of the embodiment to provide a surface emitting laser package having enhanced fixability of the surface emitting laser device.
실시예의 또 다른 목적은 전기적인 연결에 대한 신뢰성을 확보할 수 있는 표면발광레이저 패키지를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface emitting laser package that can ensure the reliability of the electrical connection.
실시예의 또 다른 목적은 확산부의 표면 손상을 방지할 수 있는 표면발광레이저 패키지를 제공한다.Yet another object of the embodiment is to provide a surface emitting laser package capable of preventing surface damage of the diffuser.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 일 측면에 따르면, 표면발광레이저 패키지는, 제1 패턴을 갖는 안착부를 포함하는 하우징; 상기 하우징에 배치되는 표면발광레이저 소자; 및 상기 하우징의 상기 안착부에 배치되며, 상기 제1 패턴의 형상에 대응되는 형상인 제2 패턴을 갖는 확산부;를 포함한다.According to an aspect of an embodiment to achieve the above or another object, the surface emitting laser package, the housing comprising a seating portion having a first pattern; A surface emitting laser device disposed in the housing; And a diffusion part disposed on the seating part of the housing and having a second pattern having a shape corresponding to the shape of the first pattern.
실시예에 따른 표면발광레이저 패키지의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the surface-emitting laser package according to the embodiment as follows.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 표면발광레이저 소자가 접착부에 매립되어 접착부에 의해 표면발광레이저 소자가 단단하게 고정되어 표면발광레이저 소자의 탈착을 방지할 수 있다 는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the surface emitting laser device is embedded in the adhesive portion, and the surface emitting laser device is firmly fixed by the adhesive portion to prevent detachment of the surface emitting laser device.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 와이어가 접착부에 매립되어 접착부에 의해 와이어가 단단하게 고정되어 충격으로 인한 와이어의 단선을 방지할 수 있다 는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the wire is embedded in the adhesive portion has the advantage that the wire is firmly fixed by the adhesive portion can prevent the disconnection of the wire due to the impact.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 산소나 수분이 외부로부터 하우징을 통해 하우징 내로 투습되더라도, 접착부에 의해 차단되어 표면발광레이저 소자이 산소나 수분에 노출되지 않도록 할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, even if oxygen or moisture is permeated into the housing through the housing from the outside, there is an advantage that it is blocked by the adhesive portion to prevent the surface emitting laser device from being exposed to oxygen or moisture.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 접착부의 제1 패턴 위에 확산부를 형성하기 위한 재질만 형성하여 주면, 자연적으로 확산부의 하면에 제2 패턴 형성되므로, 확산부의 제2 패턴을 별도로 형성할 필요 없어 공정이 단순하고 공정 시간을 줄 일 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, if only the material for forming the diffusion portion is formed on the first pattern of the adhesive portion, since the second pattern is naturally formed on the lower surface of the diffusion portion, the second pattern of the diffusion portion need not be formed separately. This has the advantage of being simple and reducing process time.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 종래와 같이 확산부를 부착하기 위한 별도의 접착 공정이 필요 없으며, 또한 미리 별도로 확산부를 만들어 놓을 필요가 없고, 하우징 내에 직접 제2 패턴을 포함하는 확산부가 형성되므로, 확산부를 부착하기 위한 별도의 접착 공정을 수행할 때 발생될 수 있는 확산부의 스크래치가 발생되지 않아 목표 발산각 설계가 용이하다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, there is no need for a separate bonding process for attaching the diffusion as in the prior art, and there is no need to make the diffusion in advance separately, so that the diffusion including the second pattern directly in the housing is formed. There is an advantage in that the design of the target divergence angle is not easy because the scratch of the diffuser is not generated when a separate bonding process for attaching the diffuser is performed.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 표면발광레이저 소자의 상면과 확산부의 하면 사이의 거리는 표면발광레이저 소자의 상면과 하우징의 바닥면 사이의 거리보다 작도록 하여, 표면발광레이저 소자로부터 방출된 레이저빔이 최단 거리로 확산부로 진입되도록 하여 발산각을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the distance between the upper surface of the surface emitting laser element and the lower surface of the diffuser is smaller than the distance between the upper surface of the surface emitting laser element and the bottom surface of the housing, so that the laser beam emitted from the surface emitting laser element The shortest distance to enter the diffusion portion has the advantage that the divergence angle can be minimized.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 하우징의 안착부와 확산부가 나사산을 이용하여 끼움 체결되어, 확산부가 안착부에 단단하게 고정되므로, 확산부의 이탈이 방지되어 제품에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the mounting portion and the diffusion portion of the housing is fastened using a screw thread, so that the diffusion portion is securely fixed to the mounting portion, the separation of the diffusion portion can be prevented to improve the reliability of the product There is this.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 안착부에 확산부에 체결될 때 회전된 방향에 반대 방향으로 회전되어 확산부가 안착부)로부터 용이하게 분리될 수 있어, 확산부의 불량 등이 발생되는 경우 확산부의 교체가 용이하다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, when the fastening portion is fastened to the mounting portion, it is rotated in a direction opposite to the rotational direction so that the diffusion portion can be easily separated from the mounting portion, so that if the diffusion portion defects, etc. occurs It is easy to replace.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 하우징의 안착부의 제1 패턴과 확산부의 제2 패턴 사이에 배치된 접착부재에 의해 하우징의 안착부의 제1 패턴과 확산부의 제2 패턴이 더욱 더 단단하게 체결되어, 확산부의 탈착이 원천적으로 차단될 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the first pattern of the seating portion of the housing and the second pattern of the diffusion portion are fastened more tightly by an adhesive member disposed between the first pattern of the seating portion of the housing and the second pattern of the diffusion portion. Therefore, there is an advantage that the desorption of the diffusion part can be blocked at the source.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 확산부의 직경을 하우징의 안착부의 직경보다 작게 하여, 확산부의 외측면과 하우징의 안착부의 내측면 사이에 일정 갭이 형성되도록 하고 이러한 갭에 접착부재가 배치될 수 있다. 이에 따라, 확산부가 하우징의 안착부에 보다 용이하게 끼움 체결될 뿐만 아니라 하우징의 안착부의 제1 패턴과 확산부의 제2 패턴 사이의 끼움 체결뿐만 아니라 접착부재에 의한 확산부와 하우징의 안착부의 접착에 의해 확산부의 탈착이 원천적으로 차단되어 제품에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the diameter of the diffuser is made smaller than the diameter of the seating portion of the housing, such that a gap is formed between the outer face of the diffuser and the inner face of the seating portion of the housing and an adhesive member can be arranged in this gap. have. Accordingly, not only the diffusion part is more easily fitted into the seating part of the housing but also the fitting fastening between the first pattern of the seating part of the housing and the second pattern of the diffusion part, as well as the adhesion of the diffusion part to the seating part of the housing by the adhesive member. There is an advantage that the desorption of the diffusion portion is blocked by the source can be improved reliability of the product.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 확산부의 측면과 하우징의 안착부의 측면이 나사산으로 끼움 체결되는 한편, 확산부의 하면과 하우징의 안착부의 바닥면 사이에 접착부재가 배치됨으로써, 확산부의 탈착이 원천적으로 차단되어 제품에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the side of the diffusion portion and the side of the seating portion of the housing are screwed together, while an adhesive member is disposed between the bottom surface of the diffusion portion and the bottom surface of the seating portion of the housing, whereby the detachment of the diffusion portion is essentially There is an advantage that can be blocked to improve the reliability of the product.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 확산부의 상면은 하우징의 상면보다 낮게 위치되므로, 하우징의 상면에 의해 확산부의 상면이 보호되어 하우징의 상면에 생길 수 있는 스크래치와 같은 불량이 차단될 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, since the upper surface of the diffusion portion is located lower than the upper surface of the housing, the upper surface of the diffusion is protected by the upper surface of the housing has the advantage that the defects such as scratches that may occur on the upper surface of the housing can be blocked. have.
실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. Further scope of the applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description below. However, various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments can be clearly understood by those skilled in the art, and therefore, specific embodiments, such as the detailed description and the preferred embodiments, are to be understood as given by way of example only.
도 1은 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 평면도이다.
도 3는 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 일 영역(C1)의 확대도이다.
도 4a는 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 A1-A2 선을 따른 제1 단면도이다.
도 4b는 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 A3-A4 선을 따른 제2 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지의 제조 공정을 설명하는 도면이다.
도 8은 제2 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.
도 9은 제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 평면도이다.
도 10는 도 1의 표면발광레이저 패키지에서 K-K'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 제3 실시예에 따른 하우징을 도시한 단면도이다.
도 12는 제3 실시예에 따른 확산부를 도시한 사시도이다.
도 13는 제3 실시예에 따른 확산부를 도시한 단면도이다.
도 14은 제4 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.
도 15은 제5 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.
도 16은 제6 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.
도 17은 실시예에 따른 표면발광 레이저소자의 다른 단면도이다.
도 18는 실시예에 따른 표면발광레이저 소자가 적용된 이동 단말기의 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a surface light emitting laser package according to a first embodiment.
2 is a plan view of the surface-emitting laser device according to the first embodiment.
3 is an enlarged view of one region C1 of the surface emitting laser device according to the first embodiment shown in FIG. 2.
4A is a first cross-sectional view taken along line A1-A2 of the surface emitting laser device according to the first embodiment shown in FIG. 3.
4B is a second cross-sectional view taken along line A3-A4 of the surface emitting laser device according to the first embodiment shown in FIG. 3.
5 to 7 are views illustrating a manufacturing process of the surface emitting laser package according to the first embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a surface emitting laser package according to a second embodiment.
9 is a plan view illustrating a surface emitting laser package according to a third embodiment.
10 is a cross-sectional view taken along the line K-K 'of the surface emitting laser package of FIG.
11 is a sectional view showing a housing according to the third embodiment.
12 is a perspective view illustrating a diffusion unit according to a third embodiment.
13 is a sectional view showing a diffusion unit according to a third embodiment.
14 is a cross-sectional view showing a surface emitting laser package according to the fourth embodiment.
15 is a cross-sectional view of a surface emitting laser package according to a fifth embodiment.
16 is a cross-sectional view illustrating a surface emitting laser package according to a sixth embodiment.
17 is another cross-sectional view of the surface emitting laser device according to the embodiment.
18 is a perspective view of a mobile terminal to which a surface emitting laser device is applied according to an embodiment.
이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when described as being formed on the "on or under" of each element, the on or under is It includes both the two elements are in direct contact with each other (directly) or one or more other elements are formed indirectly between the two (element). In addition, when expressed as "on" or "under", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
(제1 실시예)(First embodiment)
도 1은 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a surface light emitting
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 하우징(110)을 제공할 수 있다. Referring to FIG. 1, the surface emitting
하우징(110)은 그 하우징(110) 상에 배치되는 모든 구성 요소를 지지할 수 있다. 예컨대, 하우징(110)은 그 위에 배치되는 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)를 지지할 수 있다. 하우징(110), 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)은 패키징 공정에 의해 모듈화된 모듈일 수 있다. 이와 같은 모듈이 하나 또는 복수로 회로기판(미도시) 상에 실장될 수 있다.The
실시예의 하우징(110)은 지지 강도, 방열성, 절연성 등이 우수한 재질을 포함할 수 있다. The
하우징(110)은 열 전도율이 높은 재질을 포함할 수 있다. 하우징(110)은 표면발광레이저 소자(201)에서 발생된 열을 외부로 효율적으로 방출할 수 있도록 방열 특성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 절연 재질을 포함할 수 있다. The
예컨대, 하우징(110)은 세라믹 소재를 포함할 수 있다. 하우징(110)은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함할 수 있다. For example, the
또한, 하우징(110)은 금속 화합물을 포함할 수 있다. 하우징(110)은 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 하우징(110)은 질화 알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.In addition, the
하우징(110)은 다른 예로서, 수지 계열의 절연 재질을 포함할 수 있다. 하우징(110)은, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성 재질로 제공될 수 있다. As another example, the
하우징(110)은 도전성 재질을 포함할 수도 있다. 하우징(110)이 도전성 재질, 예컨대 금속으로 제공되는 경우, 하우징(110)과 표면발광레이저 소자(201) 사이 또는 하우징(110)과 전극(181 내지 186) 사이에 전기적인 절연을 위한 절연 부재가 제공될 수 있다.The
제1 실시예의 하우징(110)은 제1 바디(110a)와 제2 바디(110b)를 포함할 수 있다. 제2 바디(110b)는 제1 바디(110a) 상에 배치될 수 있다. The
제1 및 제2 바디(110a, 110b)는 동일 재질로 이루어지고 일체로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 바디(110a, 110b)는 성형 가공에 의한 일괄 공정에 의해 형성될 수 있다. The first and
제1 및 제2 바디(110a, 110b)는 서로 상이한 재질로 형성되고 별개의 공정에 의해 형성될 수 있다. 제2 바디(110b)는 제1 바디(110a)와 상이한 재질로 이루어지며 별개의 공정에 의해 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제2 바디(110b)의 하면과 제1 바디(110a)의 상면이 접착 부재(미도시)에 의해 서로 접착될 수 있다. 예로서, 접착 부재는 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 접착 부재는 에폭시 계열의 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 접착 부재는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.The first and
제1 바디(110a)의 상면은 제1 영역과 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함할 수 있다. An upper surface of the
제2 바디(110b)는 내부에 개구를 갖고 제1 바디(110a)의 가장자리로부터 수직으로 돌출 형성될 수 있다. 즉, 제2 바디(110b)는 제1 바디(110a)의 상면의 제1 영역에 대응되는 개구를 가질 수 있다. 이러한 경우, 제2 바디(110b)는 제1 바디(110a)의 상면의 제2 영역 상에 배치될 수 있다. 제1 바디(110a)의 상면의 제1 영역과 제2 바디(110b)의 개구에 의해 캐비티(111)가 정의될 수 있다. 캐비티(111)는 하우징(110)에 구비될 수 있다. 캐비티(111)에 의해 노출되는 제1 바디(110a)의 상면의 제1 영역은 바닥면(113)일 수 있다. The
제2 바디(110b)는 개구 또는 캐비티(111)와 접하는 측면(115)을 가질 수 있다. 캐비티(111)는 바닥면(113)과 측면(115)에 의해 형성될 수 있다. 측면(115)은 제1 바디(110a)의 바닥면(113)에 대해 수직인 면을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
제1 실시예의 하우징(110)은 서로 이격된 제1 및 제2 비아홀(미도시)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 하우징(110)의 제1 바디(110a)는 수직으로 관통되는 제1 및 제2 비아홀을 포함할 수 있다. 나중에 설명하겠지만, 제1 및 제2 비아홀에 제1 및 제2 연결배선(185, 186)이 배치될 수 있다. The
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)를 포함할 수 있다. The surface emitting
제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 하우징(110)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 제1 바디(110a)의 바닥면(113) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 전기적인 절연을 위해 서로 이격될 수 있다. The
제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 제1 바디(110a)의 바닥면(113)의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다. The
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 표면발광레이저 소자(201)를 제공할 수 있다. The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극부(181) 상에 배치될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)의 하측은 제1 전극부(181)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 전극부(181)는 표면발광레이저 소자(201)의 제1 전극(도 4a의 215)과 전기적으로 연결될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극부(181)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(181)의 사이즈는 표면발광레이저 소자(201)의 사이즈보다 클 수 있다. 예컨대, 표면발광레이저 소자(201)는 위에서 보았을 때 정사각형을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 표면발광레이저 소자(201)의 가로폭과 세로폭은 서로 동일할 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)의 사이즈를 고려하여, 제1 전극부(181)의 사이즈는 제2 전극부(182)의 사이즈보다 클 수 있다.The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 각각 레이저빔을 방출하는 복수의 에미터(도 3의 E1, E2, E3)를 포함하는 발광부(E)와 제2 전극부(182)에 전기적으로 연결되기 위한 패드전극(280)이 배치되는 패드부(P)를 포함할 수 있다. The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 제2 전극부(182)와 인접하여 배치될 수 있다. 구체적으로, 표면발광레이저 소자(201)의 패드부(P)는 제2 전극부(182)와 인접하여 배치될 수 있다. The surface emitting
도 2 내지 도 4b를 참조하여, 표면발광레이저 소자(201)를 상세히 설명한다. 2 to 4B, the surface emitting
도 2는 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 평면도이고, 도 3는 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 일 영역(C1)의 확대도이다. 도 4a는 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 A1-A2 선을 따른 제1 단면도이고, 도 4b는 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 A3-A4 선을 따른 제2 단면도이다.FIG. 2 is a plan view of the surface light emitting laser device according to the first embodiment, and FIG. 3 is an enlarged view of one region C1 of the surface light emitting laser device according to the first embodiment shown in FIG. 4A is a first cross-sectional view taken along line A1-A2 of the surface emitting laser device according to the first embodiment shown in FIG. 3, and FIG. 4B is A3 of the surface emitting laser device according to the first embodiment shown in FIG. Second section along the line A4.
도 2 내지 도 4b를 참조하면, 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 발광부(E)와 패드부(P)를 포함할 수 있다. 발광부(E)는 도 3와 같이 복수의 발광 에미터(E1, E2, E3)를 포함하는 영역으로서 레이저빔이 방출되는 영역일 수 있다. 예컨대, 발광부(E)는 수십에서 수백개의 발광 에미터를 포함할 수 있다. 패드부(P)는 발광 에미터(E1, E2, E3)에 배치되지 않는 영역일 수 있다. 2 to 4B, the surface emitting
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 제2 전극(282)을 포함할 수 있다. 즉, 각 발광 에미터(E1, E2, E3)에서 제2 전극(282)은 개구부(aperture, 241)에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 전극(282)은 제2 반사층(250)의 제2 영역에 배치될 수 있다. 제2 반사층(250)의 제1 영역은 제2 영역에 의해 둘러싸이고, 개구부(241)의 사이즈와 동일하거나 이보다 클 수 있다. 따라서, 발광층(230)에서 생성된 빔이 개구부(241)을 통과하여 제2 전극(282)에 의해 정의된 개구부를 통해 외부로 방출될 수 있다. The surface emitting
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극(215), 기판(210), 제1 반사층(220), 발광층(230), 산화층(240), 제2 반사층(250), 패시베이션층(270), 제2 전극(282) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The surface emitting
산화층(240)은 개구부(241) 및 절연영역(242)을 포함할 수 있다. 개구부(241)은 전류가 흐르는 통로영역일 수 있다. 절연영역(242)은 전류의 흐름을 차단하는 차단영역일 수 있다. 절연영역(242)는 옥사이드층(oxide layer) 또는 산화층으로 지칭될 수 있다. The
산화층(240)은 전류의 흐름이나 밀도를 제한하여 보다 응집된 레이저빔이 방출되도록 하므로, 전류제한층(current confinement layer)으로 지칭될 수 있다. The
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 패드전극(280)을 더 포함할 수 있다. 패드전극(280)은 패드부(P), 즉 발광부(E)를 제외한 영역에 배치될 수 있다. 패드전극(280)은 제2 전극(282)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(282)과 패드전극(280)은 일체로 형성되거나 별개도 형성될 수 있다. The surface emitting
이하 도 2 내지 도 4b를 참조하여 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)의 기술적 특징을 설명하기로 한다. 제1 실시예의 도면에서 x축의 방향은 기판(210)의 길이방향에 평행한 방향일 수 있으며, y축은 x축에 수직한 방향일 수 있다.Hereinafter, technical features of the surface emitting
<기판, 제1 전극><Substrate, first electrode>
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 기판(210)을 제공한다. 기판(210)은 전도성 기판 또는 비전도성 기판일 수 있다. 전도성 기판으로는 전기 전도도가 우수한 금속이 사용될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)의 동작시 발생되는 열이 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로, 전도성 기판으로는 열전도도가 높은 GaAs 기판 또는 금속기판을 사용하거나 실리콘(Si) 기판 등이 사용될 수 있다. 비전도성 기판으로는 AlN 기판이나 사파이어(Al2O3) 기판 또는 세라믹 계열의 기판 등이 사용될 수 있다.The surface emitting
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극(215)을 제공한다. 제1 전극(215)은 기판(210)의 하부에 배치될 수 있다. 제1 전극(215)은 도전성 재료로 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(215)은 금속일 수 있고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성되어, 전기적 특성을 향상시켜 광출력을 높일 수 있다.The surface emitting
<제1 반사층><1st reflective layer>
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 제1 반사층(220)를 제공한다. 제1 반사층(220)는 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 두께를 줄이기 위해 기판(210)이 생략되는 경우, 제1 반사층(220)의 하면은 제1 전극(215)의 상면과 접촉될 수 있다. The surface emitting
제1 반사층(220)는 제1 도전형 도펀트로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다.The first
제1 반사층(220)는 갈륨계 화합물, 예를 들면 AlGaAs를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 반사층(220)는 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 예를 들어, 제1 반사층(220)는 서로 다른 굴절률을 가지는 재질을 포함하는 제1 층 및 제2 층이 교대로 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.The first
예를 들어, 제1 반사층(220)는 기판(210) 상에 배치된 복수의 층을 포함할 수 있다. 각 층은 AlxGa(1-x)As(0<x<1)의 조성식을 갖는 반도체 재질을 포함할 수 있으며, 각 층 내의 Al이 증가하면 각 층의 굴절률은 감소하고, Ga가 증가하면 각 층의 굴절률은 증가할 수 있다. 각각의 층의 두께는 λ/4n일 수 있고, λ는 발광층(230)에서 발생하는 광의 파장일 수 있고, n은 상술한 파장의 광에 대한 각 층의 굴절률일 수 있다. 여기서, λ는 650 내지 980나노미터(nm)일 수 있고, n은 각층의 굴절률일 수 있다. 이러한 구조의 제1 반사층(220)는 약 940 나노미터의 파장의 광에 대하여 99.999%의 반사율을 가질 수 있다.For example, the first
각 제1 반사층(220)에서의 층의 두께는 각각의 굴절률과 발광층(230)에서 방출되는 광의 파장 λ에 따라 결정될 수 있다.The thickness of the layer in each first
<활성층><Active layer>
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 발광층(230)를 포함할 수 있다. 발광층(230)는 제1 반사층(220) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 발광층(230)는 제1 반사층(220) 상에 배치될 수 있다. 발광층(230)는 제1 반사층(220)과 제2 반사층(250) 사이에 배치될 수 있다.The surface emitting
발광층(230)는 활성층과 적어도 하나 이상의 캐비티를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(230)는 활성층, 활성층의 하측에 배치되는 제1 캐비티 및 활성층의 상측에 배치되는 제2 캐비티를 포함할 수 있다. 제1 실시예의 발광층(230)는 제1 캐비티와 제2 캐비티를 모두 포함하거나, 둘 중의 하나만 포함할 수도 있다.The
활성층은 단일 우물구조, 다중 우물구조, 단일 양자우물 구조, 다중 양자우물(MQW: Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer may include any one of a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, and a quantum line structure.
활성층은 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 재질을 이용하여 양자우물층과 양자벽층을 포함할 수 있다. 양자우물층은 양자벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 활성층은 InGaAs/AlxGaAs, AlGaInP/GaInP, AlGaAs/AlGaAs, AlGaAs/GaAs, GaAs/InGaAs 등의 1 내지 3 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 활성층에는 도펀트가 도핑되지 않을 수 있다.The active layer may include a quantum well layer and a quantum wall layer using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material. The quantum well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the quantum wall layer. The active layer may be formed of one to three pair structures such as InGaAs / AlxGaAs, AlGaInP / GaInP, AlGaAs / AlGaAs, AlGaAs / GaAs, GaAs / InGaAs, but is not limited thereto. The dopant may not be doped in the active layer.
제1 캐비티와 제2 캐비티는 AlyGa(1-y)As(0<y<1) 재질로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 캐비티와 제2 캐비티는 각각 AlyGa(1-y)As로된 복수의 층을 포함할 수 있다. The first cavity and the second cavity may be formed of Al y Ga (1-y) As (0 <y <1), but are not limited thereto. For example, the first cavity and the second cavity may each include a plurality of layers of Al y Ga (1-y) As.
<산화층><Oxide layer>
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 산화층(240)을 제공할 수 있다. 산화층(240)은 절연영역(242)과 개구부(241)를 포함할 수 있다. 절연영역(242)는 개구부(241)을 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 개구부(241)은 발광층(230)의 제1 영역(중심영역) 상에 배치되고, 절연영역(242)는 발광층(230)의 제2 영역(가장자리영역) 상에 배치될 수 있다. 제2 영역은 제1 영역을 둘러쌀 수 있다. The surface emitting
개구부(241)은 전류가 흐르는 통로영역일 수 있다. 절연영역(242)은 전류의 흐름을 차단하는 차단영역일 수 있다. 절연영역(242)는 옥사이드층(oxide layer) 또는 산화층으로 지칭될 수 있다. The
개구부(241)의 사이즈에 의해 제2 전극(282)에서 발광층(230)으로 공급되는 전류의 양, 즉 전류밀도가 결정될 수 있다. 개구부(241)의 사이즈는 절연영역(242)에 의해 결정될 수 있다. 절연영역(242)의 사이즈가 커질수록 개구부(241)의 사이즈는 작아지고, 이에 따라 발광층(230)으로 공급되는 전류밀도는 증가될 수 있다. 아울러, 개구부(241)은 발광층(230)에서 생성된 빔이 상측 방향, 즉 제2 반사층(250)의 방향으로 진행되는 통로일 수 있다. 즉, 개구부(241)의 사이즈에 따라, 발광층(230)의 빔의 발산각이 달라질 수 있다.The amount of current supplied from the
절연영역(242)은 절연층, 예를 들어 알루미늄산화물(Al2O3)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 산화층(240)이 AlGaAs(aluminum gallium arsenide)를 포함하는 경우, 산화층(240)의 AlGaAs가 H2O와 반응하여 가장자리가 알루미늄산화물(Al2O3)로 변해져 절연영역(242)으로 형성되고, H2O와 반응하지 않은 중심영역은 AlGaAs를 포함하는 개구부(241)가 될 수 있다.The
제1 실시예에 의하면, 개구부(241)을 통해 발광층(230)에서 발광된 광을 상부 영역으로 발산할 수 있으며, 절연영역(242)과 비교하여 개구부(241)의 광 투과율이 우수할 수 있다.According to the first embodiment, the light emitted from the
절연영역(242)은 복수의 층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 절연영역(242)은 제1 절연영역, 제1 절연영역 상에 배치된 제2 절연영역 및 제2 절연영역 사에 배치된 제3 절연영역을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 절연영역 중 하나의 절연영역은 다른 절연영역과 동일한 두께를 갖거나 상이한 두께를 가질 수 있다. 제1 내지 제3 절연영역은 적어도 산화(oxidation) 재질을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 절연영역은 적어도 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 재질을 포함할 수 있다.The
<제2 반사층><Second reflective layer>
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 제2 반사층(250)를 포함할 수 있다. 제2 반사층(250)는 산화층(240) 상에 배치될 수 있다. The surface emitting
제2 반사층(250)는 갈륨계 화합물 예를 들면 AlGaAs를 포함할 수 있으며, 제2 반사층(250)는 제2 도전형 도펀트로 도핑될 수 있다. 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 한편, 제1 반사층(220)이 p형 도펀트로 도핑될 수도 있고, 제2 반사층(250)이 n형 도펀트로 도핑될 수도 있다.The second
제2 반사층(250)도 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 예를 들어, 제2 반사층(250)는 서로 다른 굴절률을 가지는 재질을 포함하는 복수의 층이 교대로 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.The second reflecting
제2 반사층(250)의 각 층은 AlGaAs를 포함할 수 있고, 상세하게는 AlxGa(1-x)As(0<x<1)의 조성식을 갖는 반도체 재질로 이루어질 수 있다. 여기서, Al이 증가하면 각 층의 굴절률은 감소하고, Ga가 증가하면 각 층의 굴절률은 증가할 수 있다. 제2 반사층(250)의 각 층의 두께는 λ/4n이고, λ는 활성층에서 방출되는 광의 파장일 수 있고, n은 상술한 파장의 광에 대한 각 층의 굴절률일 수 있다.Each layer of the second
이러한 구조의 제2 반사층(250)는 약 940 나노미터의 파장의 광에 대하여 99.9%의 반사율을 가질 수 있다.The second
제2 반사층(250)는 층들이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 제1 반사층(220) 내에서 층들의 페어(pair) 수는 제2 반사층(250) 내에서 층들의 페어 수보다 더 많을 수 있다. 상술한 바와 같이 제1 반사층(220)의 반사율은 99.999%로서 제2 반사층(250)의 반사율인 99.9%보다 클 수 있다. The second
제1 실시예에서 제2 반사층(250)는 발광층(230) 상에 배치되는 복수의 층을 포함할 수 있다. 각각의 층은 단일 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.In the first embodiment, the second
<패시베이션층, 제2 전극>Passivation layer, second electrode
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 패시베이션층(270)을 제공할 수 있다. 패시베이션층(270)은 발광구조물의 일부 영역의 둘레를 둘러쌀 수 있다. 발광구조물의 일부 영역은 예컨대, 발광층(230), 산화층(240) 및 제2 반사층(250)를 포함할 수 있다. 패시베이션층(270)은 제1 반사층(220)의 상면 상에 배치될 수 있다. 패시베이션층(270)은 제2 반사층(250)의 에지 영역 상에 배치될 수 있다. 발광구조물이 부분적으로 메사 식각되는 경우, 제1 반사층(220)의 상면의 일부는 노출되고, 발광구조물의 일부 영역이 형성될 수 있다. 패시베이션층(270)이 발광구조물의 일부 영역의 둘레와 노출된 제1 반사층(220)의 상면 상에 배치될 수 있다. The surface emitting
패시베이션층(270)은 외부로부터 발광구조물을 보호하고, 제1 반사층(220)와 제2 반사층(250)의 전기적인 쇼트를 차단할 수 있다. 패시베이션층(270)은 SiO2와 같은 무기 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 소자(201)는 제2 전극(282)을 제공할 수 있다. 제2 전극(282)은 패드전극(280)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(282)는 제2 반사층(250)의 상면의 일부분에 접촉될 수 있다. The surface emitting
제2 전극(282)과 패드전극(280)은 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(282)과 패드전극(280)은 백금(Pt), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 복수의 와이어(191)을 제공할 수 있다. 와이어(191)은 표면발광레이저 소자(201)를 제2 전극부(182)에 전기적으로 연결시켜 주기 위한 연결 부재일 수 있다. 3 and 4, the surface emitting
복수의 와이어(191)은 서로 간에 이격될 수 있다. 각 와이어(191)의 일측은 표면발광레이저 소자(201)의 패드부(P)의 패드전극(280)에 전기적으로 연결되고, 각 와이어(191)의 타측은 제2 전극부(182)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 패드전극(280)은 표면발광레이저 소자(201)의 제2 전극(282)과 전기적으로 연결될 수 있다. 패드전극(280)은 표면발광레이저 소자(201)의 제2 전극(282)과 일체로 형성될 수 있다.The plurality of
본딩 공정을 이용하여 와이어(191)는 표면발광레이저 소자(201)의 패드부(P)와 제2 전극부(182)와 전기적으로 연결될 수 있다. The
와이어(191)의 최고점은 표면발광레이저 소자(201)의 상면, 구체적으로 표면발광레이저 소자(201)의 패드부(P)의 상면보다 높게 위치될 수 있다. The highest point of the
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)를 제공할 수 있다. The surface emitting
제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 하우징(110) 아래에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면 상에 배치될 수 있다. The
도면에서는 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)가 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면으로부터 하부 방향으로 돌출되도록 배치될 수 있다.In the drawing, the
다른 예로서, 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면에 서로 이격된 제1 및 제2 리세스가 형성되고, 제1 리세스에 제1 본딩부(183)이 배치되고, 제2 리세스에 제2 본딩부(184)가 배치될 수 있다 이러한 경우, 제1 리세스에 배치된 제1 본딩부(183)의 하면 및 제2 리세스에 배치된 제2 본딩부(184)의 하면은 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면과 수평으로 일치할 수 있다.As another example, first and second recesses spaced apart from each other are formed on the bottom surface of the
예로서, 제1 본딩부(183)의 하면과 제2 본딩부(184)의 하면 각각은 회로기판(미도시)의 신호라인(미도시)에 면 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 경우, 하우징(110)은 제1 기판으로 지칭되고, 회로기판(160)은 제2 기판으로 지칭될 수 있다. For example, each of the lower surface of the
제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 하우징(110) 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 아래에서 보았을 때 원 형상의 패드를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
제1 본딩부(183)는 제1 전극부(181)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 본딩부(183)는 제1 연결배선(185)을 통하여 제1 전극부(181)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결배선(185)은 예로서, 하우징(110)에 제공된 제1 비아홀에 배치될 수 있다. 제1 본딩부(183)와 제1 연결배선(185)은 동일 금속 물질을 이용하여 일체로 형성될 수 있다. The
제2 본딩부(184)는 제2 전극부(182)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 본딩부(184)는 제2 연결배선(186)을 통하여 제2 전극부(182)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결배선(186)은 예로서, 하우징(110)에 제공된 제2 비아홀에 배치될 수 있다. 제2 본딩부(184)와 제2 연결배선(186)은 동일 금속 물질을 이용하여 일체로 형성될 수 있다. The
예컨대, 제1 연결배선(185)과 제2 연결배선(186)은 텅스텐(W)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 텅스텐(W)이 1000℃ 이상의 고온에서 녹여진 후 제1 및 제2 비아홀에 주입된 후 경화되어, 제1 연결배선(185)와 제2 연결배선(186)이 형성될 수 있다. 텅스텐(W)의 일부가 하우징(110) 하부에서 경화되어 제1 및 제2 본딩부(183, 184)로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the
실시예에 의하면, 회로기판(미도시)을 통하여 표면발광레이저 소자(201)에 구동 전원이 제공될 수 있게 된다. According to the embodiment, the driving power can be provided to the surface emitting
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 접착부(130)을 제공할 수 있다. The surface emitting
접착부(130)는 하우징(110)의 캐비티(111)에 배치될 수 있다. The
접착부(130)는 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)를 둘러쌀 수 있다. 접착부(130)는 표면발광레이저 소자(201)를 둘러쌀 수 있다. 접착부(130)는 와이어(191)를 둘러쌀 수 있다. 접착부(130)의 상면은 적어도 와이어(191)의 최고점보다 높게 위치될 수 있다. The
접착부(130)의 상면은 복수의 제1 패턴(132)을 포함할 수 있다. 제1 패턴(132)은 접착부(130)의 내부로 움푹 들어간 음각패턴을 포함할 수 있다. 제1 패턴(132)은 그루브(groove), 리세스(recess), 홈으로 지칭될 수 있다. An upper surface of the
제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 접착부(130)에 매립될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)는 접착부(130)에 매립될 수 있다. 와이어(191)는 접착부(130)에 매립될 수 있다. The
접착부(130)는 지지 강도, 내열성, 방열성, 접착성, 절연성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 접착부(130)는 유기·무기하이브리드 수지, 지방족 플루오렌 변성 아크릴레이트 계열 수지 또는 아크릴아크릴레이트 계열 수지로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 유기·무기하이브리드 수지의 굴절률은 대략 1.3이고, 지방족 플루오렌 변성 아크릴레이트 계열 수지의 굴절률은 대략 1.43이며, 아크릴아크릴레이트 계열 수지의 굴절률은 대략 1.46일 수 있다. The
접착부(130)의 접착성이 우수하므로, 접착부(130)가 하우징(110)의 측면(115)과 바닥면(113), 제1 및 제2 전극부(181, 182), 표면발광레이저 소자(201) 및 와이어(191)에 용이하게 접착될 수 있다. Since the adhesiveness of the
접착부(130)가 우수한 방열 특성을 가지므로, 표면발광레이저 소자(201)에서 발생된 열이 신속하게 외부로 방출될 수 있다. Since the
접착부(130)가 우수한 절연 특성을 가지므로, 표면발광레이저 소자(201)와 다른 구성 요소와의 전기적이 절연이 확보될 수 있다. Since the
접착부(130)가 우수한 내열성을 가지므로, 접착부(130)의 경화시에도 변형이 발생되지 않고 접착부(130)의 광학적 특성을 유지할 수 있다. Since the
제1 실시예에 따르면, 표면발광레이저 소자(201)가 접착부(130)에 매립되어 접착부(130)에 의해 표면발광레이저 소자(201)가 단단하게 고정되어 표면발광레이저 소자(201)의 탈착을 방지할 수 있다. According to the first embodiment, the surface emitting
제1 실시예에 따르면, 와이어(191)가 접착부(130)에 매립되어 접착부(130)에 의해 와이어(191)가 단단하게 고정되어 충격으로 인한 와이어(191)의 단선을 방지할 수 있다. According to the first embodiment, the
제1 실시예에 따르면, 산소나 수분이 외부로부터 하우징(110)을 통해 하우징(110) 내로 투습되더라도, 접착부(130)에 의해 차단되어 표면발광레이저 소자(201)이 산소나 수분에 노출되지 않도록 할 수 있다. According to the first embodiment, even if oxygen or moisture is permeated into the
제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100)는 확산부(140)를 제공할 수 있다. The surface emitting
확산부(140)는 하우징(110)의 캐티비에 배치될 수 있다. 확산부(140)는 접착부(130) 상에 배치될 수 있다. 확산부(140)의 하면은 접착부(130)의 상면과 접촉되고, 확산부(140)의 측면(115)은 하우징(110)의 측면(115)과 접촉될 수 있다. The
확산부(140)의 상면은 하우징(110)의 제2 바디(110b)의 상면과 수평으로 일치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. An upper surface of the
확산부(140)의 하면은 복수의 제2 패턴(142)을 포함할 수 있다. 제2 패턴(142)은 확산부(140)로부터 외부로, 즉 표면발광레이저 소자(201)를 향해 돌출된 양각패턴을 포함할 수 있다. 제2 패턴(142)은 돌기(protrusion), 돌출영역, 연장부로 지칭될 수 있다. The lower surface of the
제2 패턴(142)은 확산부(140)의 하면의 전 영역 상에 배치될 수 있다. The
확산부(140)의 제2 패턴(142)은 접착부(130)의 제1 패턴(132)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 나중에 설명하겠지만, 접착부(130)의 제1 패턴(132)이 형성된 후, 제1 패턴(132)에 확산부(140)를 형성하기 위한 재질이 형성되므로, 확산부(140)의 하면에 접착부(130)의 제1 패턴(132)에 대응되는 제2 패턴(142)이 형성될 수 있다. The
접착부(130)의 제1 패턴(132)과 확산부(140)의 제2 패턴(142)에 의해 표면발광레이저 소자(201)에서 방출되어 접착부(130)를 경유하여 입사된 레이저빔이 확산되도록 할 수 있다.The laser beam incident through the
접착부(130)의 제1 패턴(132)와 확산부(140)의 제2 패턴(142)에 의해 패턴부가 구성될 수 있다. 즉, 패턴부는 제1 패턴(132)와 제2 패턴(142)를 포함할 수 있다. 패턴부는 접착부(130)와 확산부(140)의 경계면에 배치될 수 있다. 접착부(130)와 확산부(140)의 경계면에서 접착부(130)의 상면에 형성되는 제1 패턴(132)과 제1 패턴에 대응되도록 형성된 제2 패턴(142)에 의해 패턴부가 구성될 수 있다. The pattern part may be formed by the
상술한 바와 같이, 접착부(130)의 제1 패턴(132) 위에 확산부(140)를 형성하기 위한 재질만 형성하여 주면, 자연적으로 확산부(140)의 하면에 제2 패턴(142)이 형성되므로, 확산부의 제2 패턴을 별도로 형성할 필요 없어 공정이 단순하고 공정 시간을 줄 일 수 있다. As described above, when only the material for forming the
또한, 종래에는 패턴이 형성된 확산부(140)를 별도의 접착 공정을 이용하여 하우징에 부착하는 공정이 필요하였다. 이와 같은 부착 공정을 위해서 확산부가 하우징에 가압되어야 하는데, 이러한 경우 자칫 확산부의 표면에 스크래치와 같은 불량이 발생되어 확산부의 표면에서 출사되는 레이저빔의 발산각이 목표 발산각보다 커지는 발산각 불량이 발생될 수 있다.In addition, in the related art, a process of attaching the
하지만, 제1 실시예에 따르면, 종래와 같이 확산부를 부착하기 위한 별도의 접착 공정이 필요 없으며, 또한 미리 별도로 확산부를 만들어 놓을 필요가 없고, 하우징(110) 내에 직접 제2 패턴(142)을 포함하는 확산부(140)가 형성될 수 있다. 이에 따라, 확산부를 부착하기 위한 별도의 접착 공정을 수행할 때 발생되는 확산부의 스크래치가 발생되지 않아 목표 발산각 설계가 용이하다. However, according to the first embodiment, there is no need for a separate bonding process for attaching the diffusion portion as in the prior art, and there is no need to separately make the diffusion portion in advance, and include the
확산부(140)는 지지 강도, 내열성, 방열성, 접착성, 절연성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 확산부(140)는 우레탄 아크릴(Urethane acrylate)계열 수지, 폴리아미드이미드(Polyamide-imide) 계열 수지 또는 폴리에테르아미드(Polyether-imide) 계열 수지로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 확산부(140)의 굴절률은 접착부(130)의 굴절률보다 크도록 하여, 표면발광레이저 소자(201)에서 방출되어 접착부(130)를 경유하여 입사된 레이저빔이 확산되도록 할 수 있다. 예컨대, 우레탄 아크릴 계열 수지의 굴절률은 대략 1.6이고, 폴리 아미드이미드 계열 수지의 굴절률은 대략 1.65이며, 폴리에테르아미드 계열 수지의 굴절률은 대략 1.63일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
확산부(140)의 접착성이 우수하므로, 확산부(140)가 하우징(110)의 측면(115)과 접착부(130)에 용이하게 접착될 수 있다. Since the adhesion of the
확산부(140)가 우수한 방열 특성을 가지므로, 표면발광레이저 소자(201)에서 발생된 열이 신속하게 외부로 방출될 수 있다. Since the
확산부(140)가 우수한 내열성을 가지므로, 확산부(140)의 경화시에도 변형이 발생되지 않고 확산부(140)의 광학적 특성을 유지할 수 있다. Since the
예컨대, 접착부(130)는 제1 층으로, 확산부(140)는 제2 층으로 지칭될 수 있다. 예컨대, 접착부(130)는 제1 수지층으로, 확산부(140)는 제2 수지층으로 지칭될 수 있다. For example, the
접착부(130)의 두께를 T1이라 하고, 확산부(140)의 두께를 T2라 하면, 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 두께를 T3라 할 수 있다. 이러한 경우, 접착부(130)의 두께(T1)는 확산부(140)의 두께(T2)와 동일할 수 있다. 접착부(130)의 두께(T1)는 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 두께(T2)와 동일할 수 있다. When the thickness of the
접착부(130)의 두께(T1)는 확산부(140)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 예컨대, 확산부(140)의 두께(T2)와 접착부(130)의 두께(T1)의 비는 대략 1:1 내지 대략 1:1.5일 수 있다. The thickness T1 of the
표면발광레이저 소자(201)의 상면과 확산부(140)의 하면 사이의 거리(L1)은 표면발광레이저 소자(201)의 상면과 하우징(110)의 바닥면(113) 사이의 거리(L2)보다 작도록 하여, 표면발광레이저 소자(201)로부터 방출된 레이저빔이 최단 거리로 확산부(140)로 진입되도록 하여 발산각을 최소화할 수 있다. The distance L1 between the top surface of the surface emitting
도 5 내지 도 7은 제1 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지의 제조 공정을 설명하는 도면이다.5 to 7 are views illustrating a manufacturing process of the surface emitting laser package according to the first embodiment.
도 5에 도시한 바와 같이, 표면발광레이저 소자(201)가 실장된 하우징(110)이 마련될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182) 중 하나의 전극부 상에 배치될 수 있다. As shown in FIG. 5, a
하우징(110)에 제1 및 제2 전극부(181, 182), 제1 및 제2 본딩부(183, 184) 및 제1 및 제2 연결배선(185, 186)이 배치될 수 있다.First and
다른 예로서, 제1 및 제2 본딩부(183, 184) 및 제1 및 제2 연결배선(185, 186)은 확산부(도 7의 140 참고)가 형성된 후에 하우징(110)에 형성될 수도 있다. As another example, the first and
이어서, 하우징(110)의 캐비티(111)에 제1 수지재(130a)가 채워질 수 있다. 제1 수지재(130a)는 지지 강도, 내열성, 방열성, 접착성, 절연성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 수지재(130a)는 유기·무기하이브리드 수지, 지방족 플루오렌 변성 아크릴레이트 계열 수지 또는 아크릴아크릴레이트 계열 수지로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 유기·무기하이브리드 수지의 굴절률은 대략 1.3이고, 지방족 플루오렌 변성 아크릴레이트 계열 수지의 굴절률은 대략 1.43이며, 아크릴아크릴레이트 계열 수지의 굴절률은 대략 1.46일 수 있다. Subsequently, the
이어서, 하부에 양각패턴(352)을 갖는 스탬프(stamp, 350)가 제1 수지재(130a) 위에 놓여진 후, 스탬프(350)가 가압될 수 있다. Subsequently, after the
도 6에 도시한 바와 같이, 스탬프(350)가 가압되어 양각패턴(352)에 대응하는 복수의 제1 패턴(132)이 제1 수지재(130a)의 상면에 형성될 수 있다. 제1 패턴(132)은 스탬프(350)의 양각패턴(352)에 대응되는 음각패턴을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 6, the
이어서, 경화 공정을 이용하여 제1 수지재(130a)가 경화되어 접착부(130)로 변경될 수 있다. Subsequently, the
도 7에 도시한 바와 같이, 제2 수지재가 하우징(110)의 캐비티(111)에 채워질 수 있다. 제2 수지재가 하우징(110)의 캐비티(111) 내의 접착부(130) 상에 형성될 수 있다. 제2 수지재는 지지 강도, 내열성, 방열성, 접착성, 절연성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2 수지재는 우레탄 아크릴(Urethane acrylate)계열 수지, 폴리아미드이미드(Polyamide-imide) 계열 수지 또는 폴리에테르아미드(Polyether-imide) 계열 수지로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 확산부(140)의 굴절률은 접착부(130)의 굴절률보다 크도록 하여, 표면발광레이저 소자(201)에서 방출되어 접착부(130)를 경유하여 입사된 레이저빔이 확산되도록 할 수 있다. 예컨대, 우레탄 아크릴 계열 수지의 굴절률은 대략 1.6이고, 폴리 아미드이미드 계열 수지의 굴절률은 대략 1.65이며, 폴리에테르아미드 계열 수지의 굴절률은 대략 1.63일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다이어서, 경화 공정을 이용하여 제2 수지재가 경화되어 확산부(140)로 변경될 수 있다. As shown in FIG. 7, the second resin material may be filled in the
이미 접착부(130)의 상면에 복수의 제1 패턴(132)이 형성되어 있으므로, 접착부(130) 상에 제2 수지재가 경화되는 경우, 제2 수지재의 하면에는 접착부(130)의 제1 패턴(132)에 대응되는 제2 패턴(142)이 형성될 수 있다. Since the plurality of
스탬프(350)에 양각패턴(352)이 형성되므로, 접착부(130)의 제1 패턴(132)은 스탬프(350)의 양각패턴(352)에 대응되는 음각패턴을 포함할 수 있다. 아울러, 확산부(140)가 접착부(130) 상에 형성되므로, 확산부(140)의 하면에는 접착부(130)의 제1 패턴(132), 즉 음각패턴에 대응되는 제2 패턴(142), 즉 양각패턴이 형성될 수 있다. 확산부(140)의 제2 패턴(142)은 스탬프(350)의 양각패턴(352)와 동일한 형상을 갖는 양각패턴을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Since the
(제2 실시예)(2nd Example)
도 8은 제2 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a surface emitting laser package according to a second embodiment.
제2 실시예는 확산부(140)의 제2 패턴(142)을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하고, 상세한 설명을 생략하며, 생략된 기술적 사상은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The second embodiment is the same as the first embodiment except for the
도 8을 참조하면, 제2 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100A)는 하우징(110), 표면발광레이저 소자(201), 접착부(130) 및 확산부(140)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, the surface emitting
제2 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100A)는 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)를 더 포함할 수 있다. 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 하우징(110)의 캐비티(111)에 구비된 바닥면(113) 상에 배치될 수 있다. The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 예컨대, 제1 전극부(181) 상에 배치되지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 표면발광레이저 소자(201)의 제1 전극은 제1 전극부(181)와 전기적으로 연결될 수 있다.The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 와이어(191)를 이용하여 제2 전극부(182)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 와이의 일측은 표면발광레이저 소자(201)의 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. The surface emitting
예컨대, 표면발광레이저 소자(201)는 레이저빔이 방출되는 활성층을 포함할 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극(215)은 활성층 아래에 배치되고, 제2 전극(280)은 예컨대 활성층 위에 배치될 수 있는 수직형 표면발광레이저 소자(201)일 수 있지만, 플립칩형 표면발광레이저 소자(도 9 참조)일 수도 있다. For example, the surface emitting
접착부(130)의 상면은 복수의 제1 패턴(132)을 포함할 수 있다. 확산부(140)의 하면은 제1 패턴(132)에 대응되는 복수의 제2 패턴(142)을 포함할 수 있다.An upper surface of the
복수의 제1 패턴(132)은 접착부(130)의 상면의 일부 영역(이하, 제1 패턴영역이라 함)에 형성될 수 있다. 복수의 제2 패턴(142)은 확산부(140)의 하면의 일부 영역(이하, 제2 패턴영역이라 함)에 형성될 수 있다. The plurality of
제2 패턴(142)이 제1 패턴(132)에 대응되어 형성되므로, 제2 패턴영역과 제1 패턴영역은 서로 동일한 폭(W2)을 가질 수 있다. Since the
제2 실시예에 따르면, 제1 패턴영역과 제2 패턴영역 각각의 폭(W2)은 표면발광레이저 소자(201)의 폭(W1)와 같거나 크고, 확산부(140)와 접착부(130) 각각의 폭(W3)보다 작을 수 있다. 구체적으로, 제1 패턴영역과 제2 패턴영역 각각의 폭(W2)은 표면발광레이저 소자(201)의 발광부(E)의 폭과 같거나 클 수 있다. According to the second embodiment, the width W2 of each of the first pattern region and the second pattern region is equal to or larger than the width W1 of the surface light emitting
표면발광레이저 소자(201)는 제1 패턴영역 또는 제2 패턴영역 각각과 수직으로 중첩될 수 있다. The surface emitting
제1 패턴영역 또는 제2 패턴영역의 일부 영역(이하, 제1 영역이라 함)은 표면발광레이저 소자(201)와 수직으로 중첩되고, 제1 패턴영역 또는 제2 패턴영역의 다른 영역(이하, 제2 영역이라 함)은 표면발광레이저 소자(201)와 수직으로 중첩되지 않을 수 있다. 제2 영역은 제1 영역을 둘러쌀 수 있다. A portion of the first pattern region or the second pattern region (hereinafter referred to as a first region) is vertically overlapped with the surface light emitting
제2 실시예에 따르면, 표면발광레이저 소자(201)로부터 레이저빔이 방출되므로, 레이저빔의 발산각은 크지 않으므로, 제1 패턴(132)(또는 제2 패턴(142))을 포함하는 패턴영역의 폭(W2)을 접착부(130)(또는 확산부(140))의 전 영역에 형성할 필요가 없고, 표면발광레이저 소자(201)의 폭(W1), 구체적으로 표면발광레이저 소자(201)의 발광부(E)의 폭과 같거나 크고 접착부(130)(또는 확산부(140))의 폭(W3)보다 작게 형성할 수 있다. According to the second embodiment, since the laser beam is emitted from the surface emitting
(제3 실시예)(Third Embodiment)
도 9은 제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 평면도이며, 도 10는 도 9의 표면발광레이저 패키지에서 K-K'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 11은 제3 실시예에 따른 하우징을 도시한 단면도이다. 도 12는 제3 실시예에 따른 확산부를 도시한 사시도이며, 도 13는 제3 실시예에 따른 확산부를 도시한 단면도이다.9 is a plan view illustrating a surface emitting laser package according to a third embodiment, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line K-K 'of the surface emitting laser package of FIG. 11 is a sectional view showing a housing according to the third embodiment. 12 is a perspective view illustrating a diffusion unit according to a third embodiment, and FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a diffusion unit according to a third embodiment.
도 9 내지 도 13를 참조하면, 제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100B)는 하우징(110)을 제공할 수 있다. 9 to 13, the surface emitting
하우징(110)은 그 하우징(110) 상에 배치되는 모든 구성 요소를 지지할 수 있다. 예컨대, 하우징(110)은 그 위에 배치되는 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)를 지지할 수 있다. 하우징(110), 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)은 패키징 공정에 의해 모듈화된 모듈일 수 있다. 이와 같은 모듈이 하나 또는 복수로 회로기판(미도시) 상에 실장될 수 있다.The
실시예의 하우징(110)은 지지 강도, 방열성, 절연성 등이 우수한 재질을 포함할 수 있다. The
하우징(110)은 열 전도율이 높은 재질을 포함할 수 있다. 하우징(110)은 표면발광레이저 소자(201)에서 발생된 열을 외부로 효율적으로 방출할 수 있도록 방열 특성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 절연 재질을 포함할 수 있다. The
예컨대, 하우징(110)은 세라믹 소재를 포함할 수 있다. 하우징(110)은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함할 수 있다. For example, the
또한, 하우징(110)은 금속 화합물을 포함할 수 있다. 하우징(110)은 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 하우징(110)은 질화 알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.In addition, the
하우징(110)은 다른 예로서, 수지 계열의 절연 재질을 포함할 수 있다. 하우징(110)은, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성 재질로 제공될 수 있다. As another example, the
하우징(110)은 도전성 재질을 포함할 수도 있다. 하우징(110)이 도전성 재질, 예컨대 금속으로 제공되는 경우, 하우징(110)과 표면발광레이저 소자(201) 사이 또는 하우징(110)과 전극(181 내지 186) 사이에 전기적인 절연을 위한 절연 부재가 제공될 수 있다.The
하우징(110)의 외곽 테두리는 위에서 보았을 때 정사각 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 하우징(110)은 X1의 가로폭과 X2의 세로폭을 가질 수 있다.The outer edge of the
하우징(110)의 내부는 제1 캐비티(111)와 제1 캐비티(111)의 사이즈보다 큰 제2 캐비티(112)를 가질 수 있다. 제1 캐비티(111)와 제2 캐비티(112)는 내부로 움푹 들어간 형상을 의미할 수 있다.The interior of the
실시예의 하우징(110)은 제1 바디(110a), 제2 바디(110b) 및 제3 바디(110c)를 포함할 수 있다. The
제1 내지 제3 바디(110a 내지 110c)는 동일 재질로 이루어지고 일체로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 바디(110a 내지 110c)는 성형 가공에 의한 일괄 공정에 의해 형성될 수 있다. The first to
제1 내지 제3 바디(110a 내지 110c)는 서로 상이한 재질로 형성되고 별개의 공정에 의해 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 바디(110a 내지 110c)는 동일 재질로 이루어지고 일체로 형성되고, 제1 바디(110a)는 제2 및 제3 바디(110b, 110c)와 상이한 재질로 이루어지며 별개의 공정에 의해 형성될 수 있다. 이러한 경우, 일체로 형성된 제2 및 제3 바디(110b, 110c)의 하면과 제1 바디(110a)의 상면이 접착 부재(미도시)에 의해 서로 접착될 수 있다. 예로서, 접착 부재는 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 접착 부재는 에폭시 계열의 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 접착 부재는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.The first to
제2 바디(110b)는 제1 바디(110a) 상에 배치되고, 제3 바디(110c)는 제2 바디(110b) 상에 배치될 수 있다. The
제1 바디(110a)의 상면은 제1 영역과 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함할 수 있다. 제2 바디(110b)는 제1 바디(110a)의 제1 영역에 대응되는 제1 개구를 가질 수 있다. 이러한 경우, 제2 바디(110b)는 제1 바디(110a)의 제2 영역 상에 배치될 수 있다. 제1 바디(110a)의 제1 영역과 제2 바디(110b)의 제1 개구에 의해 제1 캐비티(111)가 정의될 수 있다. 제1 캐비티(111)에 의해 노출되는 제1 바디(110a)의 제1 영역은 제1 바닥면(121)일 수 있다. An upper surface of the
제2 바디(110b)는 제1 개구 또는 제1 캐비티(111)와 접하는 제1 측면(122)을 가질 수 있다. 제2 바디(110b)와 제1 바디(110a) 사이에는 제2 바디(110b)의 두께(T22)만큼의 단차(이하, 제1 단차라 함)가 형성될 수 있다. 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)과 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123) 사이에 위치되는 제1 측면(122)에 의해 제1 단차가 형성될 수 있다. 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)은 제2 바디(110b)의 상면일 수 있다. The
제2 바디(110b)의 상면은 제1 개구에 접하는 제1 영역과 제1 개구와 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함할 수 있다. The upper surface of the
제3 바디(110c)는 제2 바디(110b)의 제1 개구의 직경보다 큰 직경을 갖는 제2 개구를 가질 수 있다. 제3 바디(110c)는 제2 바디(110b)의 제2 영역 상에 배치될 수 있다. The
제2 바디(110b)의 제1 영역과 제3 바디(110c)의 제2 개구에 의해 제2 캐비티(112)이 정의될 수 있다. 제2 캐비티(112)에 의해 노출되는 제2 바디(110b)의 제1 영역은 제2 바닥면(123)일 수 있다. The
제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)은 제1 캐비티(111)에 접하고 제2 캐비티(112)에 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)은 제1 캐비티(111)에 인접하여 제1 캐비티(111)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. The second
제3 바디(110c)는 제2 캐비티(112)와 접하는 제2 측면(124)을 가질 수 있다. 제3 바디(110c)와 제2 바디(110b) 사이에는 제3 바디(110c)의 두께(T33)만큼의 단차(이하, 제2 단차라 함)가 형성될 수 있다. 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 제3 바디(110c)의 상면 사이에 위치되는 제2 측면(124)에 의해 제2 단차가 형성될 수 있다.The
제2 캐비티(112)는 제1 캐비티(111)와 연통될 수 있다. 제2 캐비티(112)의 사이즈는 제1 캐비티(111)의 사이즈보다 클 수 있다. The
위에서 보았을 때, 제1 캐비티(111)는 사각 형상을 가지고, 제2 캐비티(112)은 원 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 위에서 보았을 때, 제2 바디(110b)의 제1 개구는 사각 형상을 가지며, 제3 바디(110c)의 제2 개구는 원 형상을 가질 수 있다. 위에서 보았을 때, 제1 바디(110a)이 제1 바닥면(121)은 사각 형상을 가지고, 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)은 원 형상을 가질 수 있다. When viewed from above, the
정리하면, 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121), 제2 바디(110b)의 제1 개구 및 제1 캐비티(111)은 서로 동일한 사각 형상을 가질 수 있다. 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123), 제3 바디(110c)의 제2 개구 및 제2 캐비티(112)은 서로 동일한 원 형상을 가질 수 있다. In summary, the first
예컨대, 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)의 중심축은 하우징(110)의 중심축과 일치할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the central axis of the first
제1 바디(110a)의 두께를 T11이라고 하고, 제2 바디(110b)의 두께를 T22라고 하며, 제3 바디(110c)의 두께를 T33라고 할 수 있다. 이러한 경우, 제1 내지 제3 두께(T11 내지 T33) 사이는 수학식 1로 나타내어질 수 있다. The thickness of the
[수학식 1][Equation 1]
T11≥T22≥T33T11≥T22≥T33
예컨대, 제3 바디(110c)의 두께(T33)는 대략 0.3mm 내지 대략 0.6mm일 수 있다. 예컨대, 제3 바디(110c)의 두께(T33)는 0.5mm일 수 있다. For example, the thickness T33 of the
제3 바디(110c)의 두께(T33)는 확산부(140)의 두께와 동일할 수 있다. 예컨대, 확산부(140)의 상면은 하우징(110)의 상면, 즉 제3 바디(110c)의 상면(125)과 수평으로 일치될 수 있다. The thickness T33 of the
상술한 바와 같이, 제1 단차는 제2 바디(110b)의 두께(T22)에 의해 결정되고, 제2 단차는 제3 바디(110c)의 두께(T33)에 의해 결정될 수 있다. 따라서, 제2 단차의 높이는 제1 단차의 높이와 같거나 작을 수 있다. As described above, the first step may be determined by the thickness T22 of the
한편, 제2 바디(110b)의 바닥면(123)와 제3 바디(110c)의 제2 측면(124)에 의해 안착부(117)가 정의될 수 있다. 안착부(117)는 나중에 설명될 확산부(140)가 고정되는 영역일 수 있다. 확산부(140)가 안착부(117)에 안착되도록 확산부(140)는 안착부(117)의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 위에서 보았을 때, 확산부(140)의 외곽 테두리는 원 형상을 가질 수 있다. 확산부(140)와 하우징(110)의 고정에 대해서는 나중에 상세히 설명한다.Meanwhile, the mounting
실시예의 하우징(110)은 서로 이격된 제1 및 제2 비아홀(미도시)을 제공할 수 있다. 구체적으로, 하우징(110)의 제1 바디(110a)는 수직으로 관통되는 제1 및 제2 비아홀을 포함할 수 있다. 나중에 설명하겠지만, 제1 및 제2 비아홀에 제1 및 제2 연결배선(185, 186)이 배치될 수 있다. The
제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100B)는 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)를 포함할 수 있다. The surface emitting
제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 하우징(110)에 배치될 수 있다. 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(181)와 제2 전극부(182)는 이격될 수 있다. The
제1 전극부(181)는 표면발광레이저 소자(201)이 배치되어야 하므로, 제1 전극부(181)의 사이즈는 제2 전극부(182)의 사이즈보다 클 수 있다. Since the surface emitting
예컨대, 제1 전극부(181)는 표면발광레이저 소자(201)의 제1 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 전극부(182)는 와이어(191)를 통해 표면발광레이저 소자(201)의 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the
와이어(191)가 표면발광레이저 소자(201)과 제2 전극부(182) 사엥 연결될 때, 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)으로부터 와이어(191)의 제일 높은 지점은 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)보다 낮게 위치될 수 있다. 와이어(191)가 이와 같이 위치될 때, 확산부(140)가 안착부(117)에 안착되더라도 와이어(191)가 확산부(140)의 하면과 접촉되지 않아, 확산부(140)와 와이어(191)의 접촉으로 인한 불량이 방지될 수 있다. 이러한 불량으로 예컨대 와이어(191)의 단선이나 와이어(191)의 발열이 확산부(140)으로 전달되어 확산부(140)를 변형시키는 것 등이 있을 수 있다.When the
제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100B)는 표면발광레이저 소자(201)를 제공할 수 있다. The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극부(181)과 제2 전극부(182) 중 하나의 전극부 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극부(181) 상에 배치될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)는 제1 전극부(181)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(181)의 사이즈는 표면발광레이저 소자(201)의 사이즈보다 클 수 있다. 예컨대, 표면발광레이저 소자(201)는 위에서 보았을 때 사각형을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 표면발광레이저 소자(201)의 세로폭과 가로폭은 서로 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The surface emitting
표면발광레이저 소자(201)는 각각 레이저빔을 방출하는 복수의 에미터(도 3의 E1, E2, E3)를 포함하는 발광부(도 9의 E)와 와이어(191)를 이용하여 제2 전극부(182)에 전기적으로 연결되기 위한 패드전극(280)이 배치되는 패드부(도 9의 P)를 포함할 수 있다. The surface emitting
제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100B)는 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)를 제공할 수 있다. The surface emitting
제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 하우징(110) 아래에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 본딩부와 제2 본딩부는 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면 상에 배치될 수 있다. The
도면에서는 제1 본딩부와 제2 본딩부가 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면으로부터 하부 방향으로 돌출되도록 배치될 수 있다.In the drawing, the first bonding portion and the second bonding portion may be disposed to protrude downward from the lower surface of the
다른 예로서, 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면에 서로 이격된 제1 및 제2 리세스가 형성되고, 제1 리세스에 제1 본딩부(183)이 배치되고, 제2 리세스에 제2 본딩부(185)가 배치될 수 있다 이러한 경우, 제1 리세스에 배치된 제1 본딩부의 하면 및 제2 리세스에 배치된 제2 본딩부의 하면은 하우징(110)의 제1 바디(110a)의 하면과 수평으로 일치할 수 있다.As another example, first and second recesses spaced apart from each other are formed on the bottom surface of the
예로서, 제1 본딩부(183)의 하면과 제2 본딩부(184)의 하면 각각은 회로기판(미도시)의 신호라인(미도시)에 면 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 경우, 하우징(110)은 제1 기판으로 지칭되고, 회로기판은 제2 기판으로 지칭될 수 있다. For example, each of the lower surface of the
제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 하우징(110) 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 아래에서 보았을 때 원 형상의 패드를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
제1 본딩부(183)는 제1 전극(181)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 본딩부(183)는 제1 연결배선(185)을 통하여 제1 전극(181)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결배선(185)은 예로서, 하우징(110)에 제공된 제1 비아홀에 배치될 수 있다. 제1 본딩부(183)와 제1 연결배선(185)은 동일 금속 물질을 이용하여 일체로 형성될 수 있다. The
제2 본딩부(184)는 제2 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 본딩부(184)는 제2 연결배선(186)을 통하여 제2 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결배선(186)은 예로서, 하우징(110)에 제공된 제2 비아홀에 배치될 수 있다. 제2 본딩부(184)와 제2 연결배선(186)은 동일 금속 물질을 이용하여 일체로 형성될 수 있다. The
예컨대, 제1 연결배선(185)과 제2 연결배선(186)은 텅스텐(W)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 텅스텐(W)이 1000℃ 이상의 고온에서 녹여진 후 제1 및 제2 비아홀에 주입된 후 경화되어, 제1 연결배선(185)와 제2 연결배선(186)이 형성될 수 있다. 텅스텐(W)의 일부가 하우징(110)하부에서 경화되어 제1 및 제2 본딩부(183, 184)로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the
실시예에 의하면, 회로기판(미도시)을 통하여 표면발광레이저 소자(201)에 구동 전원이 제공될 수 있게 된다. According to the embodiment, the driving power can be provided to the surface emitting
제3 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100B)는 확산부(140)를 제공할 수 있다. The surface emitting
확산부(140)는 표면발광레이저 소자(201) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 확산부(140)는 하우징(110)의 안착부(117) 상에 배치될 수 있다. The
확산부(140)는 하우징(110)의 안착부(117)에 단단하게 체결되어 이탈되지 않을 수 있다. The
확산부(140)를 하우징(110)의 안착부(117)에 단단하게 체결하기 위해 다양한 특징이 제시될 수 있다. Various features can be presented to securely fasten the
제3 실시예에 따르면, 안착부(117)에 제1 패턴(107)이 형성되고, 확산부(140)에 안착부(117)의 제1 패턴(107)의 형상에 대응되는 제2 패턴(143)이 형성될 수 있다. 제1 패턴(107)은 안착부(117)의 내측면, 즉 하우징(110)의 제3 바디(110c)의 제2 측면(124)을 따라 형성될 수 있다. 제2 패턴(143)은 확산부(140)의 외측면을 따라 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 패턴(107)과 제2 패턴(143) 각각은 일 방향을 따라 형성되는 복수의 나사산일 수 있다. 예컨대, 제1 패턴(107)의 나사산은 제3 바디(110c)의 제2 측면(124)의 상측에서 하측으로 시계 방향을 따라 형성될 수 있다. 예컨대, 제2 패턴(143)의 나사산은 확산부(140)의 외측면의 상측에서 하측으로 시계 방향을 따라 형성될 수 있다. 나사산은 골(trough)과 골 사이의 영역을 의미할 수 있다. 따라서, 제1 패턴(107)과 제2 패턴(143)은 골과 산이 교대로 배치된 형상을 가질 수 있다. According to the third embodiment, the
제1 패턴(107)은 안착부(117), 하우징(110)의 제3 바디(110c)와 일체로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 제2 패턴(143)은 확산부(140)와 일체로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
제1 패턴(107)의 나사산은 수직 방향을 따라 음각영역과 양각영역이 교대로 배치될 수 있다. 제2 패턴(143)의 나사산은 수직 방향을 따라 음각영역과 양각영역이 교대로 배치될 수 있다. 제2 패턴(143)의 나사산의 음각영역은 제1 패턴(107)의 나사산의 양각영역에 대응될 수 있다. 제2 패턴(143)의 나사산의 양각영역은 제1 패턴(107)의 나사산의 음각영역에 대응될 수 있다. In the thread of the
따라서, 확산부(140)의 하측의 나사산이 안착부(117)의 상측의 나사산에 끼워진 후, 확산부(140)가 시계 방향으로 회전되거나 안착부(117)가 반시계 방향으로 회전됨에 따라 확산부(140)의 하측의 나사산이 안착부(117)의 상측의 나사산과 맞물리어 회전되고 확산부(140)가 점진적으로 하부 방향을 이동되어, 확산부(140)가 안착부(117)에 단단하게 체결될 수 있다. 확산부(140)의 나사산과 안착부(117)의 나사산이 서로 맞물리도록 체결됨으로써, 확산부(140)이 탈착되지 않게 되어, 확산부(140)의 탈착으로 인해 노출되는 표면발광레이저 소자(201)의 레이저빔에 의한 사용자의 눈 손상이 방지될 수 있다. Accordingly, after the lower thread of the
확산부(140)의 회전은 확산부(140)의 하측이 안착부(117)의 바닥면, 즉 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)에 접할 때 멈춰질 수 있다. 따라서, 확산부(140)가 안착부(117)에 완전하게 체결되는 경우, 확산부(140)의 하면이 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 접촉될 수 있다. Rotation of the
안착부(117)의 측면, 즉 제3 바디(110c)의 제2 측면(124)은 경사면을 가질 수 있다. 예컨대, 안착부(117)의 경사면은 하우징(110)의 바닥면, 즉 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)에 대해 대략 100° 내지 120°의 각도로 경사질 수 있다. 안착부(117)의 경사면은 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)에 20°일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 안착부(117)의 상측에서의 직경(D1)은 안착부(117)의 하측에서의 직경(D2)보다 클 수 있다. The side surface of the
안착부(117)가 경사짐에 따라 확산부(140)의 외측면 또한 안착부(117)의 경사면에 대응되어 경사질 수 있다. 확산부(140)의 경사면은 확산부(140)의 상면에 대해 대략 10° 내지 30°의 각도로 경사질 수 있다. 확산부(140)의 경사면은 확산부(140)의 상면에 대해 20°일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 확산부(140)의 상측에서의 직경(D1)은 확산부(140)의 하측에서의 직경(D2)보다 클 수 있다. 안착부(117)의 상측의 직경은 확산부(140)의 상측의 직경(D1)과 동일할 수 있다. 안착부(117)의 하측의 직경은 확산부(140)의 하측의 직경(D2)과 동일할 수 있다. As the
다른 예로서, 안착부(117)의 측면(124)과 확산부(140)의 측면 각각은 하우징(110)의 바닥면에 수직인 수직면을 가질 수도 있다. As another example, each of the
확산부(140)가 안착부(117)에 체결되기 위해 확산부(140)가 하우징(110)의 제2 캐비티(112) 내로 이동될 수 있다. 확산부(140)의 하측의 직경(D2)은 안착부(117)의 상측의 직경보다 작으므로, 확산부(140)의 하측의 외측면이 안착부(117)의 내측면(124)과 접촉되지 않는다. 확산부(140)의 하측이 안착부(117)의 중간 영역으로 이동되는 경우, 확산부(140)의 하측의 측면에 형성된 나사산이 안착부(117)의 내측면(124)에 형성된 나사산에 접촉될 수 있다. 이때부터 확산부(140)가 시계 방향을 따라 회전되거나 안착부(117)가 반시계 방향으로 회전됨으로써, 확산부(140)의 하측이 안착부(117)의 나사산을 타고 하부 방향으로 이동될 수 있다. 확산부(140)의 하측이 예컨대, 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 접촉됨으로써, 확산부(140)가 안착부(117)에 끼움 체결될 수 있다. The
제3 실시예에 따르면, 확산부(140)와 안착부(117)가 나사산을 이용하여 끼움 체결되어, 확산부(140)가 안착부(117)에 단단하게 고정되므로, 확산부(140)의 이탈이 방지되어 제품에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다. According to the third embodiment, since the
제3 실시예에 따르면, 안착부(117)에 확산부(140)에 체결될 때 회전된 방향에 반대 방향으로 회전되어 확산부(140)가 안착부(117)로부터 용이하게 분리될 수 있어, 확산부(140)의 불량 등이 발생되는 경우 확산부(140)의 교체가 용이하다.According to the third embodiment, when the
한편, 확산부(140)는 표면발광레이저 소자(201)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 확산부(140)는 하우징(110)의 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)에 의해 지지될 수 있다.Meanwhile, the
확산부(140)는 표면발광레이저 소자(201)로부터 발광된 레이저빔의 발산각(divergence angle)을 확장시킬 수 있다. The
확산부(140)는 무반사(anti-reflective)층을 포함할 수 있다. 예로서, 확산부(140)는 확산부(140)의 상면에 배치된 무반사층을 포함할 수 있다. 무반사층은 확산부(140)와 별개로 형성될 수 있다. The
무반사층은 예로서 무반사 코팅 필름을 포함할 수 있다. 이러한 무반사 코팅 필름이 확산부(140)의 상면에 부착될 수 있다. 무반사층은 확산부(140)의 표면에 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등을 통하여 형성될 수도 있다. 예로서, 무반사층은 TiO2, SiO2, Al2O3, Ta2O3, ZrO2, MgF2를 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The antireflective layer may, for example, comprise an antireflective coating film. The antireflective coating film may be attached to the upper surface of the
확산부(140)는 바디(141)와 바디(141)의 하부에 배치된 복수의 제3 패턴(145)을 포함할 수 있다. The
일 예로, 제3 패턴(145)은 바디(141)와 상이한 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 바디(141)는 수지 재질을 포함하고, 제3 패턴(145)는 유리 재질을 포함할 수 있다. For example, the
다른 예로, 제3 패턴(145)는 바디(141)와 일체로 형성될 수 있다. As another example, the
제3 패턴(145)은 하부 방향, 즉 표면발광레이저 소자(201)의 방향을 향해 돌출된 돌기(protrusions)를 포함할 수 있다. 인접하는 제3 패턴(145)은 서로 접촉되거나 이격될 수 있다. 제3 패턴(145) 각각은 랜덤한 형상을 가질 수 있다. The
(제4 실시예)(Example 4)
도 14은 제4 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.14 is a cross-sectional view showing a surface emitting laser package according to the fourth embodiment.
제4 실시예는 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143) 사이에 배치되는 접착부재(150)를 제외하고 제3 실시예와 동일하다. 제4 실시예에서 제3 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조를 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 생략된 개시 내용은 제3 실시예(도 1 내지 도 13)로부터 용이하게 이해될 수 있다. 도면에 미처 도시되지 않은 구성 요소는 도 1 내지 도 13에 도시된 도면에 도시된 도면 부호와 동일하다. The fourth embodiment is the third embodiment except for the
도 14을 참조하면, 제4 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100C)는 하우징(110), 제1 및 제2 전극부(181, 182), 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14, the surface emitting
하우징(110)의 상측, 즉 제3 바디(110c)에는 확산부(140)가 안착될 수 있는 안착부(117)가 형성될 수 있다. A mounting
제1 및 제2 전극부(181, 182)는 하우징(110)의 바닥면, 즉 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121) 상에 배치될 수 있다. 표면발광레이저 소자(201)는 제1 및 제2 전극부(181, 182) 중 하나의 전극부 상에 배치될 수 있다. The first and
하우징(110)의 안착부(117)는 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)으로부터 제1 단자를 갖는 위치에 형성될 수 있다. 하우징(110)의 안착부(117)는 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)으로로부터 일정 높이의 단차를 가질 수 있다. 하우징(110)의 안착부(117)는 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)으로부터 일정 높이에 위치되는 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 제3 바디(110c)의 제2 측면(124)을 포함할 수 있다. 제2 바디(110b)는 제1 개구를 가지고 제1 바디(110a) 상에 배치되고, 제3 바디(110c)는 제1 개구의 직경보다 큰 직경의 제2 개구를 가지고 제2 바디(110b) 상에 배치될 수 있다. The mounting
따라서, 제1 캐비티(111)가 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)과 제2 바디(110b)의 제1 개구에 의해 형성되고, 제2 캐비티(112)가 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 제3 바디(110c)의 제2 개구에 의해 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1 전극부(181) 및 제2 전극부(182) 그리고 표면발광레이저 소자(201)는 하우징(110)의 제1 캐비티(111)에 배치될 수 있다. Accordingly, the
제4 실시예에 따르면, 확산부(140)의 직경은 하우징(110)의 안착부(117)의 직경보다 작을 수 있다. 예컨대, 하우징(110)의 안착부(117)의 직경과 확산부(140)의 직경 사이의 차이는 대략 50nm 내지 대략 300nm일 수 있다. 이러한 경우, 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143) 사이에 하우징(110)의 안착부(117)의 직경과 확산부(140)의 직경 사이의 차이만큼의 갭이 존재할 수 있다. According to the fourth embodiment, the diameter of the
이러한 갭이 존재하더라도, 확산부(140)가 하우징(110)의 안착부(117)에 위치될 때, 확산부(140)의 제1 패턴(107)과 하우징(110)의 안착부(117)의 제2 패턴(143)은 서로 끼움 체결될 수 있다. Even if such a gap exists, when the
제4 실시예에 따르면, 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143) 사이에 접착부재(150)가 배치될 수 있다. 접착부재(150)로는 접착력, 내습성, 절연성, 지지 강도가 우수한 재질이 사용될 수 있다. 예로서, 접착부재(150)는 유기물을 포함할 수 있다. 접착부재(150)는 에폭시 계열의 레진을 포함할 수 있다. 또한, 접착부재(150)는 실리콘계 레진을 포함할 수 있다.According to the fourth embodiment, the
예컨대, 먼저 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)에 접착페이스트가 코팅될 수 있다. 이어서, 확산부(140) 및/또는 하우징(110)이 회전되어, 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)에 맞물리게 된다. 확산부(140)의 하측이 하우징(110)의 안착부(117)의 바닥면, 즉 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)에 접촉될 때까지 확산부(140) 및/또는 하우징(110)이 회전될 수 있다. 이어서, 접착페이스트가 경화되어 접착부재(150)가 되고, 이러한 접착부재(150)가 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143) 사이에 배치될 수 있다. For example, first, an adhesive paste may be coated on the
제4 실시예에 따르면, 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143) 사이에 배치된 접착부재(150)에 의해 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 더욱 더 단단하게 체결되어, 확산부(140)의 탈착이 원천적으로 차단될 수 있다. According to the fourth embodiment, the first of the
한편, 확산부(140)의 직경이 하우징(110)의 안착부(117)의 직경과 동일한 경우, 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)에 너무 강하게 접촉되게 되어, 확산부(140)나 하우징(110)의 안착부(117)의 회전이 어려워 끼움 체결되지 않을 수 있다. On the other hand, when the diameter of the
제4 실시예에 따르면, 확산부(140)의 직경을 하우징(110)의 안착부(117)의 직경보다 작게 하여, 확산부(140)의 외측면과 하우징(110)의 안착부(117)의 내측면(124) 사이에 일정 갭이 형성되도록 하고 이러한 갭에 접착부재(150)가 배치됨으로써, 확산부(140)가 하우징(110)의 안착부(117)에 보다 용이하게 끼움 체결될 뿐만 아니라 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143) 사이의 끼움 체결뿐만 아니라 접착부재(150)에 의한 확산부(140)와 하우징(110)의 안착부(117)의 접착에 의해 확산부(140)의 탈착이 원천적으로 차단되어 제품에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the fourth embodiment, the diameter of the
한편, 다른 실시예로서, 제4 실시예와 제5 실시예가 결합될 수도 있다. 즉, 하우징(110)의 안착부(117)의 제2 측면(124)과 확산부(140)의 측면 사이에 제1 접착부재(150)가 배치되고, 하우징(110)의 안착부(117)의 바닥면과 확산부(140)의 하면 사이에 제2 접착부재(155)가 배치될 수도 있다. 이와 같이, 제1 및 제2 접착부재(155)에 의해 확산부(140)의 하면뿐만 아니라 확산부(140)의 측면이 안착부(117)에 접착되므로, 확산부(140)의 탈착이 불가능해질 수 있다. Meanwhile, as another embodiment, the fourth embodiment and the fifth embodiment may be combined. That is, the first
또 다른 실시예로서, 제4 실시예와 제5 실시예가 결합되되, 제4 실시예에서 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 생략될 수 있다. 이와 같이, 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 없더라도, 제1 접착부재(150)와 제2 접착부재(155)에 의해 확산부(140)의 하면뿐만 아니라 확산부(140)의 측면이 안착부(117)에 접착되므로, 확산부(140)의 탈착이 방지될 수 있다. As another embodiment, the fourth embodiment and the fifth embodiment are combined, but in the fourth embodiment, the
(제5 실시예)(Example 5)
도 15은 제5 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.15 is a cross-sectional view of a surface emitting laser package according to a fifth embodiment.
제5 실시예는 하우징(110)의 안착부(117)의 바닥면과 확산부(140)의 하면 사이에 배치되는 접착부재(155)를 제외하고 제1 및 제4 실시예와 동일하다. 제5 실시예에서 제1 및 제4 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조를 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 생략된 개시 내용은 제1 및 제4 실시예(도 1 내지 도 14)로부터 용이하게 이해될 수 있다. 도면에 미처 도시되지 않은 구성 요소는 도 1 내지 도 14에 도시된 도면에 도시된 도면 부호와 동일하다. The fifth embodiment is the same as the first and fourth embodiments except for the
도 15을 참조하면, 제5 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100D)는 하우징(110), 제1 및 제2 전극부(181, 182), 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, the surface emitting
하우징(110)의 상측, 즉 제3 바디(110c)에는 확산부(140)가 안착될 수 있는 안착부(117)가 형성될 수 있다. A mounting
예컨대, 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 서로 맞물리어 끼움 체결될 수 있다. For example, the
제5 실시예에 따르면, 확산부(140)의 하면과 하우징(110)의 안착부(117)의 바닥면, 즉 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123) 사이에 접착부재(155)가 배치될 수 있다. 접착부재(155)로는 접착력, 내습성, 절연성, 지지 강도가 우수한 재질이 사용될 수 있다. 예로서, 접착부재(155)는 유기물을 포함할 수 있다. 접착부재(155)는 에폭시 계열의 레진을 포함할 수 있다. 또한, 접착부재(155)는 실리콘계 레진을 포함할 수 있다. According to the fifth embodiment, the
접착부재(155)는 제4 실시예의 접착부재(150)의 재질과 동일하거나 동일하지 않을 수 있다. The
접착부재(155)는 확산부(140)의 하측에 구비된 제3 패턴(145)과 접촉될 수 있다. 확산부(140)의 제3 패턴(145)의 볼록한 형상으로 인해, 확산부(140)의 보다 넓은 면적에 접착부재(155)가 접촉되므로, 접착부재(155)에 의해 확산부(140)가 보다 단단하게 하우징(110)의 안착부(117)에 고정될 수 있다. The
다른 실시예로서, 확산부(140)의 하측의 가장자리에 제3 패턴(145)이 구비되지 않는 경우, 접착부재(155)는 하우징(110)의 바디(141)의 하면과 접촉될 수 있다. In another embodiment, when the
다른 실시예로서, 도시되지 않았지만 접착부재(155)는 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)의 폭 보다 좁게 배치되어 제2 바디(110b)의 제1 측면(122)에 접촉되지 않을 수 있으며, 표면발광레이저 소자(201)로부터 발광된 레이저빔의 발산각(divergence angle)에 영향을 주지 않을 수 있다.In another embodiment, although not shown, the
(제6 실시예)(Example 6)
도 16은 제6 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지를 도시한 단면도이다.16 is a cross-sectional view illustrating a surface emitting laser package according to a sixth embodiment.
제6 실시예는 확산부(140)의 상면이 하우징(110)의 상면(125)보다 낮게 위치되는 것을 제외하고 제1 내지 제5 실시예와 동일하다. 제6 실시예에서 제1 내지 제5 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조를 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 생략된 개시 내용은 제1 내지 제5 실시예(도 1 내지 도 15)로부터 용이하게 이해될 수 있다. 도면에 미처 도시되지 않은 구성 요소는 도 1 내지 도 15에 도시된 도면에 도시된 도면 부호와 동일하다. The sixth embodiment is the same as the first to fifth embodiments except that the upper surface of the
도 16을 참조하면, 제6 실시예에 따른 표면발광레이저 패키지(100E)는 하우징(110), 제1 및 제2 전극부(181, 182), 표면발광레이저 소자(201) 및 확산부(140)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 16, the surface emitting
하우징(110)은 제1 바디(110a), 제2 바디(110b) 및 제3 바디(110c)를 포함할 수 있다. 제1 바디(110a)의 제1 바닥면(121)과 제2 바디(110b)의 제1 개구에 의해 제1 캐비티(111)가 형성될 수 있다. 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 제3 바디(110c)의 제2 개구에 의해 제2 캐비티(112)가 형성될 수 있다. 제2 개구의 직경은 제1 개구의 직경보다 클 수 있다. 제2 개구의 직경과 제1 개구의 직경 차이에 따라 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)의 면적이 달라질 수 있다. The
하우징(110)의 상측, 즉 제3 바디(110c)에는 확산부(140)가 안착될 수 있는 안착부(117)가 형성될 수 있다. A mounting
하우징(110)의 안착부(117)는 하우징(110)의 상측에 위치될 수 있다. 하우징(110)의 안착부(117)는 제2 캐비티(112)를 둘러쌀 수 있다. 하우징(110)의 안착부(117)는 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 제3 바디(110c)의 제2 측면(124)을 가질 수 있다. 안착부(117)의 내측면(124)에 제1 패턴(107)이 형성될 수 있다. 예컨대, 하우징(110)의 안착부(117)의 제1 패턴(107)과 확산부(140)의 제2 패턴(143)이 서로 맞물리어 끼움 체결될 수 있다. The
안착부(117)의 두께는 제3 바디(110c)의 두께(T33)와 동일할 수 있다. 이러한 경우, 확산부(140)의 두께(Td)는 안착부(117)의 두께(T33)보다 작을 수 있다. 따라서, 확산부(140)의 하면이 안착부(117)의 바닥면, 즉 제2 바디(110b)의 제2 바닥면(123)과 접촉되도록 위치될 때, 확산부(140)의 상면은 하우징(110)의 상면, 즉 제3 바디(110c)의 상면(125)보다 낮게 위치될 수 있다. The thickness of the
예컨대, 확산부(140)의 상면이 하우징(110)의 상면(125)보다 낮게 위치되는 깊이(d)는 확산부(140)의 두께(Td)의 3% 내지 10%일 수 있다. 예컨대, 확산부(140)의 상면이 하우징(110)의 상면(125)보다 낮게 위치되는 깊이(d)는 하우징(110)의 제3 바디(110c)의 두께(T33)의 대략 3% 내지 대략 10%일 수 있다. 예컨대, 확산부(140)의 두께(Td)가 500㎛인 경우, 깊이(d)는 15㎛ 내지 50㎛일 수 있다. For example, the depth d at which the upper surface of the
제6 실시예에 따르면, 확산부(140)의 상면은 하우징(110)의 상면(125)보다 낮게 위치되므로, 하우징(110)의 상면(125)에 의해 확산부(140)의 상면이 보호되어 하우징(110)의 상면(125)에 생길 수 있는 스크래치와 같은 불량이 차단될 수 있다. According to the sixth embodiment, since the upper surface of the
또한, 도시되지 않았지만 확산부(140)의 상면의 외측부와 깊이(d)에 의해 노출된 안착부(115) 사이에는 접착부재가 배치될 수 있으며, 접착부재에 의해 확산부(140)의 탈착이 불가능해질 수 있다.In addition, although not shown, an adhesive member may be disposed between the outer portion of the upper surface of the
(플립칩형 표면발광레이저소자)(Flip Chip Type Surface Emitting Laser Device)
도 17은 실시예에 따른 표면발광 레이저소자의 다른 단면도이다. 17 is another cross-sectional view of the surface emitting laser device according to the embodiment.
제1 내지 제6 실시예에 따른 표면발광레이저 소자가 도 17에 도시된 플립칩형 표면발광레이저소자에 적용될 수 있다.The surface emitting laser device according to the first to sixth embodiments may be applied to the flip chip type surface emitting laser device shown in FIG. 17.
제1 내지 제6 실시예에 따른 표면발광 레이저소자는 수직형 외에 도 17와 같이 제1 전극(215)과 제2 전극(282)이 동일 방향을 향하는 플립칩형일 수 있다.In addition to the vertical type, the surface emitting laser device according to the first to sixth embodiments may be a flip chip type in which the
예를 들어, 도 17에 도시된 플립칩형 표면발광레이저소자는 제1 전극부(215, 217), 기판(210), 제1 반사층(220), 활성영역(230), 애퍼처 영역(240), 제2 반사층(250), 제2 전극부(280, 282), 제1 패시베이션층(271), 제2 패시베이션층(272), 비반사층(290) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이때 제2 반사층(250)의 반사율이 제1 반사층(220)의 반사율 보다 높게 설계될 수 있다.For example, the flip chip type surface emitting laser device illustrated in FIG. 17 may include a
이때 제1 전극부(215, 217)는 제1 전극(215)과 제1 패드전극(217)을 포함할 수 있으며, 소정의 메사 공정을 통해 노출된 제1 반사층(220) 상에 제1 전극(215)이 전기적으로 연결되며, 제1 전극(215)에 제1 패드전극(217)이 전기적으로 연결될 수 있다.In this case, the
제1 전극부(215, 217)은 도전성 재료로 이루어질 수 있고, 예를 들면 금속일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(215)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 제1 전극(215)와 제1 패드전극(217)은 서로 동일한 금속 또는 상이한 금속을 포함할 수 있다. The
제1 반사층(220)이 n형 반사층인 경우, 제1 전극(215)은 n형 반사층에 대한 전극일 수 있다.When the first
제2 전극부(280, 282)는 제2 전극(282)과 제2 패드전극(280)을 포함할 수 있으며, 제2 반사층(250) 상에 제2 전극(282)이 전기적으로 연결되며, 제2 전극(282)에 제2 패드전극(280)이 전기적으로 연결될 수 있다.The
제2 반사층(250)이 p형 반사층인 경우, 제2 전극(282)은 p형 전극일 수 있다.When the second
상술한 실시예에 따른 제2 전극(도 12 참조)은 플립칩형 표면발광레이저 소자의 제2 전극(282)에 동일하게 적용될 수 있다.The second electrode (see FIG. 12) according to the above-described embodiment may be equally applied to the
제1 절연층(271)과 제2 절연층(272)은 절연성 재질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 질화물 또는 산화물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드(Polymide), 실리카(SiO2), 또는 질화 실리콘(Si3N4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first insulating
실시예는 신뢰성이 높은 전극구조를 구비한 표면발광 레이저소자를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.The embodiment has a technical effect of providing a surface emitting laser device having a highly reliable electrode structure.
또한 실시예는 출사 빔의 빔 패턴(beam pattern)이 분열 또는 출사 빔의 발산각(divergence angle of beams)이 증가되는 광학적 문제를 해결할 수 있는 표면발광 레이저소자를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, the embodiment has a technical effect that can provide a surface emitting laser device that can solve the optical problem that the beam pattern of the exit beam is split or the divergence angle of the beam is increased.
또한 실시예는 오믹특성을 개선할 수 있는 표면발광 레이저소자를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, the embodiment has a technical effect that can provide a surface emitting laser device that can improve the ohmic characteristics.
(이동 단말기)(Mobile terminal)
도 18는 실시예에 따른 표면발광레이저 소자가 적용된 이동 단말기의 사시도이다.18 is a perspective view of a mobile terminal to which a surface emitting laser device is applied according to an embodiment.
제1 내지 제6 실시예에 따른 수직형 표면발광레이저 소자와 도 17에 도시된 플립형 표면발광레이저 소자는 도 18에 도시된 이동 단말기에 적용될 수 있다. The vertical surface emitting laser device and the flip surface emitting laser device shown in FIG. 17 according to the first to sixth embodiments may be applied to the mobile terminal shown in FIG.
도 18에 도시된 바와 같이, 실시예의 이동 단말기(1500)는 후면에 제공된 카메라 모듈(1520), 플래쉬 모듈(1530), 자동 초점 장치(1510)를 포함할 수 있다. 여기서, 자동 초점 장치(1510)는 발광층으로서 앞서 설명된 제1 내지 제6 실시예에 따른 표면발광레이저 소자의 패키지 중의 하나를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 18, the
플래쉬 모듈(1530)은 그 내부에 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 플래쉬 모듈(1530)은 이동 단말기의 카메라 작동 또는 사용자의 제어에 의해 작동될 수 있다. The
카메라 모듈(1520)은 이미지 촬영 기능 및 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 카메라 모듈(1520)은 이미지를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다.The
자동 초점 장치(1510)는 레이저를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 자동 초점 장치(1510)는 카메라 모듈(1520)의 이미지를 이용한 자동 초점 기능이 저하되는 조건, 예컨대 10m 이하의 근접 또는 어두운 환경에서 주로 사용될 수 있다. 자동 초점 장치(1510)는 앞서 기술된 실시예의 표면발광레이저 소자를 포함하는 발광층과, 포토 다이오드와 같은 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 수광부를 포함할 수 있다.The
상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The foregoing detailed description should not be construed as limiting in all respects, but should be considered as illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.
상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The foregoing detailed description should not be construed as limiting in all respects, but should be considered as illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.
100: 표면발광레이저 패키지
107, 143, 145: 패턴
110: 하우징
110a, 110b, 110c, 141: 바디
111, 112: 캐비티
113, 121, 123: 바닥면
115, 122, 124: 측면
117: 안착부
125: 상면
130: 접착부
132, 142: 패턴
140: 확산부
141: 바디
145: 패턴
150, 155: 접착부재
181, 182: 전극부
183, 184: 본딩부
185, 186: 연결배선
191: 와이어
201: 표면발광레이저 소자
210: 기판
215: 제1 전극
217, 280: 패드전극
220: 제1 반사층
230: 발광층
240: 산화층
241: 개구부
242: 절연영역
250: 제2 반사층
270: 패시베이션층
282: 제2 전극
350: 스탬프
352: 양각패턴
E: 발광부
E1, E2, E3: 에미터
M: 메사영역
P: 패드부100: surface emitting laser package
107, 143, 145: pattern
110: housing
110a, 110b, 110c, 141: body
111, 112: cavity
113, 121, 123: Bottom
115, 122, 124: side
117: seating area
125: top
130: adhesive
132, 142: pattern
140: diffusion part
141: body
145: pattern
150, 155: adhesive member
181, 182: electrode portion
183, 184: bonding part
185, 186: connection wiring
191: wire
201: surface emitting laser device
210: substrate
215: first electrode
217 and 280: pad electrode
220: first reflective layer
230: light emitting layer
240: oxide layer
241: opening
242: insulation area
250: second reflective layer
270: passivation layer
282: second electrode
350: stamp
352: embossed pattern
E: light emitting part
E1, E2, E3: Emitter
M: mesa area
P: Pad part
Claims (10)
상기 하우징에 배치되는 표면발광레이저 소자; 및
상기 하우징의 상기 안착부에 배치되며, 상기 제1 패턴의 형상에 대응되는 형상인 제2 패턴을 갖는 확산부;
를 포함하는 표면발광레이저 패키지.A housing including a seating portion having a first pattern;
A surface emitting laser device disposed in the housing; And
A diffusion part disposed on the seating part of the housing and having a second pattern having a shape corresponding to the shape of the first pattern;
Surface emitting laser package comprising a.
상기 하우징은,
제1 바닥면을 가지며,
상기 표면발광레이저 소자는 상기 제1 바닥면 상에 배치되며,
상기 안착부는,
상기 제1 바닥면으로부터 단차를 갖는 제2 바닥면과 측면을 갖는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 1,
The housing is
Has a first bottom surface,
The surface emitting laser device is disposed on the first bottom surface,
The seating portion,
And a second bottom surface and a side surface having a step from the first bottom surface.
상기 제1 패턴은 상기 상기 안착부의 상기 측면을 따라 배치되고,
상기 제2 패턴은 상기 확산부의 측면을 따라 배치되는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 2,
The first pattern is disposed along the side surface of the seating portion,
The second pattern is a surface light emitting laser package disposed along the side of the diffusion.
상기 안착부의 상기 측면은 제1 경사면을 가지며,
상기 확산부의 측면은 상기 안착부의 상기 제1 경사면에 대응되는 제2 경사면을 가지며,
상기 경사면은 상기 제2 바닥면에 대해 100° 내지 120°의 각도를 갖는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 2,
The side surface of the seating portion has a first inclined surface,
The side of the diffusion portion has a second inclined surface corresponding to the first inclined surface of the seating portion,
And the inclined surface has an angle of 100 ° to 120 ° with respect to the second bottom surface.
상기 확산부의 상면의 직경은 상기 확산부의 하면의 직경보다 큰 표면발광레이저 패키지.The method of claim 4, wherein
A surface light emitting laser package having a diameter of an upper surface of the diffusion portion larger than a diameter of a lower surface of the diffusion portion.
상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴은 나사산을 포함하는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 2,
And the first pattern and the second pattern comprise threads.
상기 제1 바닥면은 사각 형상을 가지며,
상기 제2 바닥면은 원 형상을 갖는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 2,
The first bottom surface has a square shape,
And the second bottom surface has a circular shape.
상기 안착부의 상기 제1 패턴과 상기 확산부의 상기 제2 패턴 사이에 배치된 제1 접착부재;
를 더 포함하는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 2,
A first adhesive member disposed between the first pattern of the seating portion and the second pattern of the diffusion portion;
Surface light emitting laser package further comprising.
상기 안착부의 상기 제2 바닥면과 상기 확산부의 하면 사이에 배치되는 제2 접착부재;
를 더 포함하는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 8,
A second adhesive member disposed between the second bottom surface of the seating portion and a bottom surface of the diffusion portion;
Surface light emitting laser package further comprising.
상기 확산부의 상면은 상기 하우징의 상면보다 낮게 위치되는 표면발광레이저 패키지.The method of claim 1,
The upper surface of the diffusion portion is lower surface than the upper surface of the housing laser package.
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JP2010129655A (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led light emitting device |
US20110291135A1 (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-01 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Light emitting diode package |
KR20120127184A (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and ultraviolet lamp having the same |
US20170350581A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-07 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Eye-safe optoelectronic module |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748815B1 (en) * | 2000-02-09 | 2007-08-13 | 니폰 라이츠 가부시키가이샤 | Light source |
JP2010129655A (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led light emitting device |
US20110291135A1 (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-01 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Light emitting diode package |
KR20120127184A (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and ultraviolet lamp having the same |
US20170350581A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-07 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Eye-safe optoelectronic module |
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