KR20200022875A - Led package, floodlight plate body and led package manufacturing method - Google Patents
Led package, floodlight plate body and led package manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200022875A KR20200022875A KR1020180099039A KR20180099039A KR20200022875A KR 20200022875 A KR20200022875 A KR 20200022875A KR 1020180099039 A KR1020180099039 A KR 1020180099039A KR 20180099039 A KR20180099039 A KR 20180099039A KR 20200022875 A KR20200022875 A KR 20200022875A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- plate
- light
- floodlight
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 79
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 79
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 It may be Hg12 Chemical compound 0.000 description 1
- 229920012310 Polyamide 9T (PA9T) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000087 laser glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 발광소자 패키지, 투광 플레이트 바디 및 발광소자 패키지 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 QD(Quantum Dot) 형광체가 수용되기 위한 발광소자 패키지, 투광 플레이트 바디 및 발광소자 패키지 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package, a light transmitting plate body and a method of manufacturing a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device package, a light transmitting plate body and a light emitting device package manufacturing method for receiving a QD (Quantum Dot) phosphor. .
발광소자(LIGHT EMITTING DEVICE, LED)는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.LIGHT EMITTING DEVICE (LED) is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light energy. The light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps.
이에 기존의 광원을 발광소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내/외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가하고 있다.Accordingly, many researches are being conducted to replace existing light sources with light emitting devices, and the use of light emitting devices as light sources for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic signs, and street lamps, which are used indoors and outdoors, is increasing. .
한편, LED 분야에서는 백색 LED에 대한 수요가 높다. 이러한 백색 LED를 구현하는 방식에는 여러 색상의 LED 칩들을 조합하는 방식과, 특정 색의 광을 방사하는 LED 칩과 해당 칩에서 방사되는 광의 파장을 변환하는 형광체를 조합하는 방식이 있다. 현재 백색 LED를 구현하기 위해서는 후자의 방식이 주로 사용되고 있으며, 가장 대표적으로는 청색 LED 칩 위에 YAG: Ce 벌크 형광체를 도포하여 백색 LED를 구현하고 있다.Meanwhile, in the LED field, the demand for white LEDs is high. The white LED may be implemented by combining LED chips of various colors, and combining LED chips emitting light of a specific color with phosphors that convert wavelengths of light emitted from the chips. Currently, the latter method is mainly used to realize a white LED, and most typically, a white LED is implemented by coating YAG: Ce bulk phosphor on a blue LED chip.
그런데, 이러한 벌크 형광체를 적용한 발광소자 패키지는 디스플레이 제작 시, 고색재현성을 구현하기 어려운 문제가 있다. 이를 해결하기 위해, 최근에는 QD(Quantum Dot) 형광체를 이용하여 발광소자 패키지를 구현하기 위한 다양한 시도들이 진행되고 있다.However, the light emitting device package to which the bulk phosphor is applied has a problem that it is difficult to realize high color reproducibility when manufacturing a display. In order to solve this problem, various attempts have recently been made to implement a light emitting device package using a QD (Quantum Dot) phosphor.
QD는 반도체 특성을 갖는 수십 나노미터(nm) 이하 크기의 나노 입자를 말하며, 양자 제한 효과(quantum confinement effect)에 의해 벌크 크기의 입자들과는 상이한 특성을 나타내기 때문에 크게 주목 받고 있는 핵심 소재이다. QD refers to nanoparticles of a few tens of nanometers (nm) in size with semiconductor characteristics, and is a key material that is attracting much attention because they exhibit different characteristics from bulk-sized particles due to quantum confinement effects.
이러한 QD 형광체는 외부의 환경 조건(수분, 산소, 열 등)에 매우 취약하여 성능 저하가 쉽게 발생하는 문제가 있다. 특히, 레일 타입의 QD 형광체는 레일 형태에 따른 가공의 어려움이 있고 열에 취약한 문제가 있다. 또한, 필름 타입의 QD 형광체는 대면적 사용에 따른 고 비용 문제가 있다.Such QD phosphors are very vulnerable to external environmental conditions (moisture, oxygen, heat, etc.), and thus have a problem in that performance degradation occurs easily. In particular, the rail-type QD phosphor has a difficulty in processing according to the rail shape and has a problem of being vulnerable to heat. In addition, the QD phosphor of the film type has a high cost problem due to the large area used.
그에 따라, QD 형광체를 글래스 사이의 빈 공간에 주입하여 QD 형광체층을 형성하고, 글래스를 서로 용접하여 QD 형광체층을 실링(sealing)함으로써 외부의 환경 조건에 취약한 QD 형광체를 보호하는 구조가 제안되었다. Accordingly, a structure has been proposed to protect the QD phosphor, which is vulnerable to external environmental conditions, by injecting the QD phosphor into the empty space between the glasses to form the QD phosphor layer, and welding the glass to each other to seal the QD phosphor layer. .
하지만, 상기한 구조로 제작되는 발광소자 패키지는 발광소자가 평면 형태의 글래스 하부에 접착된다. 그로 인하여, 발광소자의 상부로부터 발광되는 광 위주로 QD 형광체층을 통과하게 되고, 상대적으로 발광소자의 측부로부터 출력되는 광은 반사체 내면에서 반사된다. 하지만, 발광소자의 측부로부터 출력되는 광이 반사체에 입사될 때 입사각의 크기가 작으므로, 반사되는 광이 QD 형광체층을 통하여 충분히 발광소자 패키지의 상부로 반사되지 못하여 결과적으로 전체적인 광량이 저하되는 문제점이 있다. However, in the light emitting device package manufactured with the above structure, the light emitting device is adhered to the lower portion of the flat glass. Therefore, the light is emitted from the top of the light emitting element, and mainly passes through the QD phosphor layer, and the light output from the side of the light emitting element is relatively reflected on the inner surface of the reflector. However, since the incident angle is small when the light output from the side of the light emitting device is incident on the reflector, the reflected light is not sufficiently reflected through the QD phosphor layer to the top of the light emitting device package, resulting in a decrease in the overall amount of light. There is this.
또한, LED 발광소자가 평면 형태의 글래스 하부에 접착되는 경우, 표면이 미끄러운 글래스의 특성상 발광소자가 글래스 하부 표면에서 유동하는 틸트 현상이 발생하게되어 발광소자 패키지의 성능이 저하되는 문제점이 있다.In addition, when the LED light emitting device is adhered to the lower portion of the glass of the flat form, due to the nature of the glass slippery surface there is a problem that the tilting phenomenon occurs in the light emitting device flows on the lower surface of the glass, there is a problem that the performance of the light emitting device package.
본 발명은 상기한 것과 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 발광소자를 안정적으로 수용하고 고정하기 위한 공간이 제공되는 발광소자 패키지, 투광 플레이트 바디 및 발광소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것에 목적이 있다. The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device package, a light transmitting plate body, and a light emitting device package manufacturing method in which a space for stably accommodating and fixing the light emitting device is provided.
또한, 본 발명은 발광소자로부터 발광되는 빛을 충분히 발광소자 패키지의 상부로 반사시켜 증대된 광량을 출력할 수 있는 발광소자 패키지, 투광 플레이트 바디 및 발광소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것에 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device package, a transparent plate body, and a light emitting device package manufacturing method capable of sufficiently reflecting light emitted from the light emitting device to an upper portion of the light emitting device package to output an increased amount of light. .
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자; 상기 발광소자의 일부분이 삽입되는 삽입홈이 하면의 중앙영역에 형성되는 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디; 상기 중공영역에 형성되고 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 QD 형광체층; 및 상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디의 하면 및 측면을 둘러싸는 반사체;를 포함하며, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성된 QD 형광체층의 면적이 상기 삽입홈의 면적보다 클 수 있다.Light emitting device package according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is a light emitting device; A lower transmissive plate formed in a central region of a lower surface of the insertion groove into which a portion of the light emitting element is inserted, a plurality of side transmissive plates formed on an upper surface of the lower transmissive plate, and corresponding to an upper surface of the lower transmissive plate; An upper transmissive plate formed on an upper surface of the translucent plate and a transmissive plate body having an hollow port formed therein; A QD phosphor layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower floodlight plate; And a reflector surrounding lower surfaces and side surfaces of the light emitting device and the light transmitting plate body, wherein an area of the QD phosphor layer formed on an upper surface of the lower light transmitting plate may be larger than an area of the insertion groove.
상기 반사체는 상기 삽입홈에 돌출되어 형성된 상기 발광소자의 측면을 둘러쌀 수 있다.The reflector may surround a side surface of the light emitting device formed by protruding from the insertion groove.
상기 상부 투광 플레이트는 레이저 조사에 의해 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상부에 접합될 수 있다.The upper floodlight plate may be bonded to an upper portion of the plurality of side floodlight plates by laser irradiation.
상기 중공영역은 진공(vacuum)상태 일 수 있다.The hollow region may be in a vacuum state.
상기 발광소자의 저면에는 적어도 하나 이상의 전극을 포함하며, 상기 전극은 상기 반사체의 저면보다 하부로 더 돌출될 수 있다.The bottom of the light emitting device includes at least one electrode, and the electrode may protrude further downward than the bottom of the reflector.
상기 삽입홈과 상기 발광소자 사이에 접착층이 형성될 수 있다.An adhesive layer may be formed between the insertion groove and the light emitting device.
또한, 상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자패키지는 발광소자; 상기 발광소자의 일부분이 삽입되는 삽입홈이 하면의 중앙영역에 형성되는 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디; 상기 중공영역에 형성되고 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 QD 형광체층; 및 상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디의 하면 및 측면을 둘러싸는 반사체;를 포함하며, 상기 하부 투광 플레이트의 하면의 가장자리는 곡률을 가지는 곡률부가 형성될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to another embodiment of the present invention for solving the above problems; A lower transmissive plate formed in a central region of a lower surface of the insertion groove into which a portion of the light emitting element is inserted, a plurality of side transmissive plates formed on an upper surface of the lower transmissive plate, and corresponding to an upper surface of the lower transmissive plate; An upper transmissive plate formed on an upper surface of the translucent plate and a transmissive plate body having an hollow port formed therein; A QD phosphor layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower floodlight plate; And a reflector surrounding the lower surface and the side surfaces of the light emitting element and the light transmitting plate body, wherein a curvature having a curvature may be formed at an edge of the lower surface of the lower light transmitting plate.
상기 곡률부는 상기 중공영역을 향해 돌출되어 형성될 수 있다.The curvature may be formed to protrude toward the hollow region.
상기 반사체는 상기 삽입홈에 돌출되어 형성된 상기 발광소자의 측면을 둘러쌀 수 있다.The reflector may surround a side surface of the light emitting device formed by protruding from the insertion groove.
상기 상부 투광 플레이트는 레이저 조사에 의해 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상부에 접합될 수 있다.The upper floodlight plate may be bonded to an upper portion of the plurality of side floodlight plates by laser irradiation.
상기 중공영역은 진공(vacuum)상태 일 수 있다.The hollow region may be in a vacuum state.
상기 발광소자의 저면에는 적어도 하나 이상의 전극을 포함하며, 상기 전극은 상기 반사체의 저면보다 하부로 더 돌출될 수 있다.The bottom of the light emitting device includes at least one electrode, and the electrode may protrude further downward than the bottom of the reflector.
상기 삽입홈과 상기 발광소자 사이에 접착층이 형성될 수 있다.An adhesive layer may be formed between the insertion groove and the light emitting device.
또한, 상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디는 발광소자의 일부분이 삽입되는 삽입홈이 하면의 중앙영역에 형성되는 하부 투광 플레이트; 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트; 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트; 및 상기 하부 투광 플레이트 상면에 중공영역(Empty Portion);을 포함하며, 상기 중공영역의 면적이 상기 삽입홈의 면적보다 클 수 있다.In addition, a light transmitting plate body according to another embodiment of the present invention for solving the above problems is a lower light transmitting plate formed in the center area of the lower surface of the insertion groove is inserted into the light emitting element; A plurality of side floodlight plates formed on an upper surface of the lower floodlight plate; An upper floodlight plate corresponding to an upper surface of the lower floodlight plate and formed on upper surfaces of the plurality of side floodlight plates; And a hollow region on an upper surface of the lower light-transmitting plate, wherein an area of the hollow region may be larger than that of the insertion groove.
상기 하부 투광 플레이트의 하면의 가장자리는 곡률을 가지는 곡률부가 형성될 수 있다.A curvature having a curvature may be formed at an edge of a lower surface of the lower floodlight plate.
상기 곡률부는 상기 중공영역을 향해 돌출되어 형성될 수 있다.The curvature may be formed to protrude toward the hollow region.
상기 상부 투광 플레이트는 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상부에 용접될 수 있다.The upper floodlight plate may be welded to an upper portion of the plurality of side floodlight plates.
또한, 상기한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은 복수개의 중공영역(Empty Portion)과 상기 복수개의 중공영역의 하부에 복수개의 삽입홈이 형성된 복수개의 투광 플레이트 바디를 에칭하는 단계; 상기 복수개의 중공영역 각각에 QD 형광체를 주입하는 단계; 상기 복수개의 중공영역의 상부에 하나의 상부 투광 플레이트를 형성하는 투광 플레이트 용접 단계; 상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 개별로 분리하는 단계; 상기 개별로 분리된 복수개의 투광 플레이트 바디의 삽입홈 각각에 발광소자를 수용하는 단계; 및 상기 발광소자가 수용된 투광 플레이트 바디의 외곽에 반사체를 형성하여 발광소자 패지지를 형성하는 단계:를 포함하며, 상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 에칭하는 단계는 하부 투광 플레이트의 상부를 에칭하여 복수개의 측면 투광 플레이트를 형성하고 복수개의 상기 중공영역을 에칭하는 단계와 상기 하부 투광 플레이트의 하부를 에칭하여 상기 발광소자를 수용하는 복수개의 삽입홈을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 에칭하는 단계에서 상기 중공영역의 면적이 상기 삽입홈의 면적보다 클 수 있다.In addition, the light emitting device package manufacturing method according to another embodiment of the present invention for solving the above problems is a plurality of light-transmitting a plurality of hollow region (Empty Portion) and a plurality of insertion grooves formed in the lower portion of the plurality of hollow region Etching the plate body; Injecting a QD phosphor into each of the plurality of hollow regions; A translucent plate welding step of forming one upper translucent plate on the plurality of hollow regions; Separating the plurality of floodlight plate bodies separately; Accommodating a light emitting element in each of the insertion grooves of the plurality of light transmitting plate bodies separately separated; And forming a reflector on a periphery of the light transmitting plate body in which the light emitting element is accommodated to form a light emitting device package, wherein the etching of the plurality of light transmitting plate bodies comprises etching a plurality of upper parts of the lower light transmitting plate. Forming a side transmissive plate and etching the plurality of hollow regions; and etching a lower portion of the lower transmissive plate to form a plurality of insertion grooves for accommodating the light emitting elements. In the etching step, an area of the hollow region may be larger than that of the insertion groove.
상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 에칭하는 단계는 상기 하부 투광 플레이트의 하면의 가장자리를 에칭하여 곡률을 가지며, 상기 중공영역을 향하도록 돌출되는 곡률부를 형성하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.Etching the plurality of translucent plate bodies may include forming a curvature having a curvature by protruding an edge of a lower surface of the lower translucent plate and having a curvature and protruding toward the hollow region; It may further include.
상기 삽입홈을 형성하는 단계는 상기 삽입홈이 상기 발광소자의 일부는 수용하고, 일부는 돌출되도록 상기 발광소자의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있다.In the forming of the insertion groove, the insertion groove may be formed to have a thickness thinner than the thickness of the light emitting device such that the insertion groove accommodates a part of the light emitting device and a part thereof protrudes.
본 발명은 투광 플레이트 바디에 대한 발광소자의 접착 및 고정 상태를 보다 강화하여 발광소자의 유동성을 감소시킴으로써 발광소자 패키지의 발광 성능을 향상시키는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the light emitting performance of the light emitting device package by reducing the fluidity of the light emitting device by further strengthening the adhesion and fixing state of the light emitting device to the transparent plate body.
또한, 본 발명은 발광소자의 측부로부터 출력되는 광이 QD 형광체층을 통과하도록 효과적으로 반사시킴으로써 발광소자 패키지의 발광량을 증대시킬 수 있다. In addition, the present invention can increase the amount of light emitted by the light emitting device package by effectively reflecting the light output from the side of the light emitting device to pass through the QD phosphor layer.
다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, effects according to an embodiment of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned are clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.
본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는 첨부도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투광 플레이트 바디를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2의 실시예에 따른 투광 플레이트 바디가 포함된 발광소자 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디를 에칭하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디를 에칭하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings included as part of the detailed description to provide a better understanding of the present invention provide embodiments of the present invention, and together with the detailed description, describe the technical idea of the present invention.
1 is a view for explaining a light transmitting plate body according to an embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining a light transmitting plate body according to another embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a light emitting device package including a light transmitting plate body according to the embodiment of FIG. 2.
4 is a view for explaining a method of etching a transparent plate body according to another embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a method of etching a transparent plate body according to another embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 이하에서는 특정 실시예들을 첨부된 도면을 기초로 상세히 설명하고자 한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
이하의 실시예는 본 명세서에서 기술된 방법, 장치 및/또는 시스템에 대한 포괄적인 이해를 돕기 위해 제공된다. 그러나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.The following examples are provided to assist in a comprehensive understanding of the methods, devices, and / or systems described herein. However, this is only an example and the present invention is not limited thereto.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 상세한 설명에서 사용되는 용어는 단지 본 발명의 실시 예들을 기술하기 위한 것이며, 결코 제한적이어서는 안 된다. 명확하게 달리 사용되지 않는 한, 단수 형태의 표현은 복수 형태의 의미를 포함한다. 본 설명에서, "포함" 또는 "구비"와 같은 표현은 어떤 특성들, 숫자들, 단계들, 동작들, 요소들, 이들의 일부 또는 조합을 가리키기 위한 것이며, 기술된 것 이외에 하나 또는 그 이상의 다른 특성, 숫자, 단계, 동작, 요소, 이들의 일부 또는 조합의 존재 또는 가능성을 배제하도록 해석되어서는 안 된다.In describing the embodiments of the present invention, when it is determined that the detailed description of the known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, and may be changed according to intention or custom of a user or an operator. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout the specification. The terminology used in the description is for the purpose of describing particular embodiments only and should not be limiting. Unless expressly used otherwise, the singular forms “a,” “an,” and “the” include plural forms of meaning. In this description, expressions such as "comprises" or "equipment" are intended to indicate certain features, numbers, steps, actions, elements, portions or combinations thereof, and one or more than those described. It should not be construed to exclude the presence or possibility of other features, numbers, steps, actions, elements, portions or combinations thereof.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In addition, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms, and the terms are used to distinguish one component from another component. Only used as
이하에서는, 본 발명을 예시한 실시 형태들이 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투광 플레이트 바디를 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a light transmitting plate body according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 투광 플레이트 바디(10)는 측면 투광 플레이트(11), 하부 투광 플레이트(12) 및 상부 투광 플레이트(13)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, a light transmitting
본 발명의 실시예에 따른 투광 플레이트 바디(10)는 발광소자의 일부분이 삽입되는 삽입홈이 하면의 중앙영역에 형성되는 하부 투광 플레이트(12), 상기 하부 투광 플레이트(12)의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트(11), 상기 하부 투광 플레이트(12) 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트(11)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(13) 및 내측에 중공영역(Empty Portion, 14)이 형성될 수 있다.The light
투광 플레이트 바디(10)는 내부에 형성되는 중공영역(14)을 통해 발광소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변환하기 위한 QD 형광체층이 수용될 수 있다. QD 형광체층이 수용된 중공영역(14)의 상부에는 상부 투광 플레이트(13)가 측면 투광 플레이트(11)의 상면에 대면하도록 용접됨으로써 QD 형광체층를 외부와 차단되도록 실링할 수 있다.The
다른 실시예에서, 중공영역(14)은 진공(vacuum) 상태를 유지할 수 도 있다.In another embodiment, the
여기서 QD 형광체층은 양자점(또는 퀀텀 닷, Quantum Dot)을 포함하는 색광 변환 물질로서, 아크릴레이트(acrylate) 또는 에폭시 폴리머(epoxy polymer) 또는 이들의 조합과 같은 매트릭스 물질에 양자점을 혼합 또는 분산하여 형성될 수 있다. The QD phosphor layer is a color light conversion material including quantum dots (or quantum dots), and is formed by mixing or dispersing quantum dots in a matrix material such as an acrylate or an epoxy polymer or a combination thereof. Can be.
QD 형광체는 지름이 수 나노미터(nm)인 반도체 나노 입자로 양자구속 혹은 양자가둠 효과(Quantum Confinement Effect)와 같은 양자 역학(Quantum Mechanics)적 특성을 지니고 있다. 여기서, 양자구속 효과란 반도체 나노 입자의 크기가 작아짐에 따라 띠 간격 에너지(band gap energy)가 커지는(역으로 파장은 작아지는) 현상을 의미한다. 화학 합성 공정으로 만들어지는 QD 형광체는 재료를 바꾸지 않고 입자 크기를 조절하는 것만으로도 원하는 색상을 구현할 수 있다. 가령, 양자구속 효과에 따라 나노 입자 크기가 작을수록 짧은 파장을 갖는 청색 빛을 발광할 수 있고, 나노 입자의 크기가 클수록 긴 파장을 갖는 적색 빛을 발광할 수 있다. 본 실시 예에서, 나노 입자는 약 100nm 이하, 약 50nm 이하, 약 20nm 이하, 약 15nm 이하의 크기를 가질 수 있고, 또는 약 2 내지 10nm 크기 범위에 있을 수 있다.QD phosphors are semiconductor nanoparticles with a diameter of several nanometers (nm) and have quantum mechanics characteristics such as quantum confinement effect or quantum confinement effect. Here, the quantum confinement effect refers to a phenomenon in which the band gap energy increases (conversely, the wavelength decreases) as the size of the semiconductor nanoparticles decreases. QD phosphors made by chemical synthesis processes can achieve the desired color simply by changing the particle size without changing the material. For example, according to the quantum confinement effect, the smaller the nanoparticle size may emit blue light having a shorter wavelength, and the larger the nanoparticle size may emit red light having a longer wavelength. In this embodiment, the nanoparticles may have a size of about 100 nm or less, about 50 nm or less, about 20 nm or less, about 15 nm or less, or may range in size from about 2 to 10 nm.
QD 형광체는 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅳ족 물질일 수 있으며, 구체적으로 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP2, PbS, ZnO, TiO2, AgI, AgBr, Hg12, PbSe, In2S3, In2Se3, Cd3P2, Cd3As2 또는 GaAs일 수 있다. 또한, 퀀텀닷은 코어-쉘 구조(core-shell)를 가질 수 있다. 여기서, 코어(core)는 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 쉘(shell)은 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The QD phosphor may be a group II-VI, III-V or IV material, specifically, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP2, PbS, ZnO, TiO2, AgI, AgBr, It may be Hg12, PbSe, In2S3, In2Se3, Cd3P2, Cd3As2 or GaAs. In addition, the quantum dot may have a core-shell structure. Here, the core includes any one material selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe and HgS, and the shell includes CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, It may include any one material selected from the group consisting of ZnS, HgTe and HgS.
상기한 QD 형광체층을 수용하기 위한 투광 플레이트 바디(10)는 투광성이 좋은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 또한, 투광 플레이트 바디(10) 는 용접성 또는 접합성이 좋은 재질로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 투광 플레이트 바디(10)의 각 투광 플레이트들(11, 12, 13)은 유리 재질로 형성될 수 있다. The
투광 플레이트 바디(10)는 QD 형광체층을 수용하기 위한 중공영역(14)과 발광소자를 수용하기 위한 삽입홈(15) 포함할 수 있다. 여기서 중공영역(14)은 상기한 QD 형광체층을 수용하기 위하여 하부 투광 플레이트(12)의 상면 중 적어도 일부와 상기 하부 투광 플레이트(12)의 일부 상면을 둘러싸도록 형성되는 측면 투광 플레이트(11)에 의하여 형성될 수 있다. The
즉, 중공영역(14) 및 측면 투광 플레이트(12)는 하부 투광 플레이트(12)의 상면(또는 상부)에 형성될 수 있다. 이를 위해, 하부 투광 플레이트(12)의 중공영역(14)과 측면 투광 플레이트(11) 간에 소정의 단차를 갖도록 형성될 수 있다. That is, the
하부 투광 플레이트(12)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상기 하부 투광 플레이트(12)의 상면과 하면은 서로 동일한 모양 및/또는 크기를 갖도록 형성되거나 혹은 서로 다른 모양 및/또는 크기를 갖도록 형성될 수도 있다. The top and bottom surfaces of the
중공영역(14)의 전체적인 형상은 하부 투광 플레이트(12)의 외부 형상과 동일 또는 유사한 모양으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 중공영역(14)은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. The overall shape of the
측면 투광 플레이트(11)는 하부 투광 플레이트(12)의 상부에서 투광 플레이트 바디(10)의 맨 가장자리 영역을 따라 중공영역(14)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 일 예로, 측면 투광 플레이트(11)는 직사각형의 고리 모양으로 형성될 수 있다. The
투광 플레이트 바디(10)의 하면(또는 하부 투광 플레이트(12)의 하면)은 삽입홈(15)이 형성될 수 있다. 삽입홈(15)은 중공영역(14)의 하부에 발광소자를 수용하기 위한 영역으로서, 삽입홈(15)에 인접하여 격벽(16)이 구비될 수 있다. 하부 투광 플레이트(12) 하면은 삽입홈(15)과 격벽(16) 간에 소정의 단차를 갖도록 형성될 수 있다. An
삽입홈(15)의 전체적인 형상은 투광 플레이트 바디(10)의 외부 형상과 동일 또는 유사한 모양으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 삽입홈(15)은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. The overall shape of the
격벽(16)은 하부 투광 플레이트(12)의 맨 가장자리 영역을 따라 삽입홈(15)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 일 예로, 격벽(16)은 직사각형의 고리 모양으로 형성될 수 있다. The
격벽(16)은 삽입홈(15)이 중공영역(14)보다 적은 면적을 가지도록 측면 투광 플레이트(11) 보다 하부 투광 플레이트(12)의 중심에 가깝게 삽입홈(15)에 인접하여 구비될 수 있다.The
삽입홈(15)은 하부로 개방되어 발광소자를 수용할 수 있다. 이를 통해 발광소자는 적어도 발광소자 높이의 50%에 해당하는 영역이 삽입홈(15)에 수용될 수 있다. 발광소자의 상면으로부터 발광소자 높이의 50%에 해당하는 만큼의 발광소자 영역이 삽입홈(15)에 수용되고, 수용된 상태에서 나머지 발광소자의 영역은 삽입홈(15)의 하부로 돌출된 상태일 수 있다. 이 때, 삽입홈(15)의 하부로 돌출되는 발광소자의 나머지 영역에는 발광소자의 전극이 포함될 수 있다. The
삽입홈(15)은 수용되는 발광소자를 격벽(16)을 통해 고정시킴으로써 완성된 발광소자 패키지에서 발광소자의 유동을 방지할 수 있다. 이를 위하여, 격벽(16)은 이후에 수용되는 발광소자의 크기에 대응하여 삽입홈(15)에 인접하도록 형성될 수 있다. The
여기서 중공영역(14)은 측면 투광 플레이트(11)에 둘러싸인 상태에서 투광 플레이트 바디(10)의 상부를 향해 개방되고, 삽입홈(15)은 격벽(16)에 둘러싸인 상태에서 투광 플레이트 바디(10)의 하부를 향해 개방될 수 있다. 즉, 중공영역(14)과 삽입홈(15)은 서로 대향하는 방향으로 개방된 것으로 이해될 수 있다.Here, the
상부 투광 플레이트(13)는 투광 플레이트 바디(10)와 동일한 재질 즉, 투광성 및 용접성이 좋은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상부 투광 플레이트(13)는 유리 재질로 형성될 수 있다. The upper
상부 투광 플레이트(13)는 투광 플레이트 바디(10)의 상부에 배치되어, 상기 투광 플레이트 바디(10)의 중공영역(14)에 수용되는 QD 형광체층을 커버할 수 있다. 측면 투광 플레이트(11)와 상부 투광 플레이트(13)가 서로 만나는 영역은 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)되어 측면 투광 플레이트(11)와 상부 투광 플레이트(13)가 연결된 투광 플레이트 바디(10)를 형성할 수 있다. 이러한 레이저 글래스 용접(laser glass welding)을 통해, 하부 투광 플레이트(12)와 측면 투광 플레이트(11)와 상부 투광 플레이트(13) 사이의 빈 공간인 중공영역(14)에 QD 형광체층을 밀봉할 수 있게 된다.The upper
상부 투광 플레이트(13)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상부 투광 플레이트(13)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상부 투광 플레이트(13)의 상면과 하면은 서로 동일한 모양 및/또는 크기를 갖도록 형성되거나 혹은 서로 다른 모양 및/또는 크기를 갖도록 형성될 수 있다. The overall shape of the
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디(10)를 설명하기 위한 도면이다. 도 2를 참조하면, 도 1과 달리 하부 투광 플레이트(12)의 외면에 곡률을 가지는 곡률부(17)가 형성된 것을 알 수 있다. 도 2를 설명함에 있어서, 도 1과 중복되는 구성 또는 효과에 대한 기재는 생략하기로 한다.2 is a view for explaining a light transmitting
발광소자 패키지를 제조하는 과정에서 투광 플레이트 바디(10)의 외부를 둘러싸도록 반사체가 구비될 수 있다. 반사체는 발광소자에서 출력되는 광을 반사시키기 위한 구성요소이다. 반사체는 발광소자로부터 출력되고, 투광 플레이트 바디(10)를 통해 조사되는 광을 QD 형광체층으로 반사시키는 기능을 한다. 이러한 반사체가 발광소자의 측면으로부터 조사되는 광을 보다 효율적으로 반사시킬 수 있도록 하부 투광 플레이트(12)의 가장자리에 곡률부(17)가 형성될 수 있다.In manufacturing the light emitting device package, a reflector may be provided to surround the outside of the light transmitting
곡률부(17)는 격벽(16)의 하단부 외면을 따라 형성될 수 있다. 그리고 곡률부(17)는 중공영역(14)을 향해 돌출된 형상을 가질 수 있다. 곡률부(17)는 는 하부 투광 플레이트(12) 또는 격벽(16)의 크기나 길이에 따라 돌출되는 정도가 달라질 수 있다. 또한, 곡률부(17)는 도 2의 a 지점을 중심으로 일정한 반경 길이를 갖도록 형성되거나 서로 다른 반경 길이를 가지는 타원호의 형상으로 형성될 수 있다.The
곡률부(17)가 형성된 투광 플레이트 바디(10)를 포함하는 발광소자 패키지의 동작 방법을 수행하기 위하여 도 3을 참조하여 설명하기로 한다. A method of operating the light emitting device package including the light transmitting
도 3은 도 2의 실시예에 따른 투광 플레이트 바디가 포함된 발광소자 패키지를 설명하기 위한 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지는 투광 플레이트 바디(10), QD 형광체층(20), 발광소자(30) 및 반사체(40)를 포함할 수 있다. 3 is a view illustrating a light emitting device package including a light transmitting plate body according to the embodiment of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention may include a light transmitting
투광 플레이트 바디(10)는 도 1 또는 도 2에서 설명한 투광 플레이트 바디(10)에 대응되는 구성일 수 있다. The
투광 플레이트 바디(10)와 QD 형광체층(20)은 발광소자(30) 상에 배치되어, 상기 발광소자(30)에서 방사되는 빛의 파장을 효과적으로 변환할 수 있다. 또한, 투광 플레이트 바디(10)의 중공영역(14)에 QD 형광체층(20)을 실링함으로써 외부의 환경 조건에 취약한 QD 형광체를 안전하게 보호할 수 있다.The
발광소자(30)는 미리 결정된 광을 방사하기 위한 구성으로서, 플립칩 타입의 LED 발광 소자가 대표적으로 예시될 수 있다. 발광소자(30)는 상부 및 측부를 통해 광을 출력할 수 있다. 그리고 발광소자(30)는 기판, 도전형 반도체층, 활성층, 도전형 메탈층 등을 포함하여 제작될 수 있다. The
발광소자(43)는 화합물 반도체의 조성비에 따라 서로 다른 파장의 광을 방사할 수 있다. 즉, 발광소자(30)는 적색, 녹색, 청색 등의 빛을 방출하는 유색 LED 칩, 백색 빛을 방출하는 백색 LED 칩 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device 43 may emit light having different wavelengths according to the composition ratio of the compound semiconductor. That is, the
발광소자(30)는 삽입홈(15)에 수용된 상태에서 접착층(31)을 통해 삽입홈(15)에 접착될 수 있다. 접착층(또는 접착 시트, 31)은 발광소자(30)와 투광 플레이트 바디(10)의 삽입홈(15) 사이에 배치되어, 발광소자(30)와 투광 플레이트 바디(10)를 접착시킬 수 있다. 상기 접착층(31)은 발광소자(30)의 상면에 전체적으로 도포될 수 있다. 또한, 접착층(31)은 발광소자(30)에서 방사한 빛이 쉽게 투과할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다.The
발광소자(30)에는 발광소자 패키지의 외부 구성과 전기적으로 연결되기 위한 전극이 상기 발광소자(30)의 저면에 위치하도록 포함될 수 있다. The
반사체(40)는 투광 플레이트 바디(10) 및 발광소자(30)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 반사체(40)는 외부 환경 및/또는 외부 충격 등으로부터 발광소자(30) 및 투광 플레이트 바디(10)를 보호할 수 있다. 또한, 반사체(40)는 발광소자(30) 에서 방사되는 빛을 특정 방향(가령, 상부 방향)으로 반사시킬 수 있다.The
반사체(40)는 투광 플레이트 바디(10)의 하부에서 삽입홈(15)에 모두 삽입되지 않고 일부 돌출된 발광소자(30)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 보다 상세하게, 도 3과 같이 반사체(40)는 발광소자(30)의 저면이 반사체의 저면과 일치하도록 투광 플레이트 바디(10)의 하부로 돌출된 발광소자(30)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이를 통해 반사체(40)의 저면은 발광소자(30)의 저면과 같은 평면상에 형성될 수 있다.The
또한, 상기한 예시와 달리 발광소자(30)의 저면에 형성된 적어도 하나 이상의 전극을 통해 발광소자(30)의 저면은 반사체(40)의 저면보다 돌출되는 형상을 가질 수도 있다. 즉, 발광소자(30)의 저면에는 적어도 하나 이상의 전극을 포함할 수 있고, 상기 전극은 반사체(40)의 저면보다 하부로 더 돌출될 수 있다.In addition, unlike the above example, the bottom of the
반사체(40)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드 9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 반사체(40)는 실리콘(Silicon) 재질로 형성될 수 있다.The
도 3을 참조하여 발광소자(30)에서 출력되는 광이 반사되는 과정을 설명하면 다음과 같다. 발광소자(30)에서 출력되는 광은 투광 플레이트 바디(10)를 통해 QD 형광체층(20)으로 전달될 수 있다. 이 때, 발광소자(30)의 상부로부터 출력되는 광은 투광 플레이트 바디(10)를 통해 바로 QD 형광체층(20)에 도달하게 된다. 그리고, 발광소자(30)의 측부로부터 출력되는 광은 투광 플레이트 바디(10)를 통해 반사체(40)에 도달하게 된다. Referring to FIG. 3, a process of reflecting light output from the
반사체(40)는 곡률부(17)의 형상에 대응하여 중공영역(14)을 향해 일부 돌출된 형상을 가질 수 있다. 따라서, 발광소자(30)의 측부로부터 출력되는 광은 반사체(40)의 돌출된 부분에 도달하게 되고, 돌출된 반사체(40)에 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 반사된다. 결과적으로, 발광소자(30)의 측부로부터 출력되는 광은 돌출된 반사체(40)에 의하여 광의 진행 방향이 QD 형광체층(20)으로 전달될 수 있다. The
따라서, 발광소자(30)의 측부로부터 출력되는 광이 상대적으로 더 많이 QD 형광체층(20)으로 반사되므로, 발광소자 패키지의 전체적인 광량이 늘어나게 되는 효과가 있다. Therefore, since the light output from the side of the
또한, 앞서 설명한 바와 같이, 발광소자(30)는 삽입홈(15)에 수용되고, 발광소자(30)가 접착층(31)을 통해 삽입홈(15)에 접착된 상태를 격벽(16)이 지지하게 되므로, 발광소자(30)의 좌우 유동을 방지할 수 있게 된다.In addition, as described above, the
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디를 에칭하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투광 플레이트 바디 에칭 방법은 중공영역(14)을 형성하는 단계(S110)와 삽입홈(15)을 형성하는 단계(S120)를 포함할 수 있다. 4 is a view for explaining a method of etching a transparent plate body according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the method of etching a transparent plate body according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a hollow region 14 (S110) and forming an insertion groove 15 (S120).
도 4를 참조하면, 일정한 크기 및 두께를 갖는 하부 투광 플레이트 (100)를 마련할 수 있다. 여기서 하부 투광 플레이트(100)는 아직 에칭 과정이 수행되지 않은 상태이며, 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a
중공영역(14)을 형성하는 단계(S110)는 상기 하부 투광 플레이트 (100)의 상면에 복수의 중공영역(14)을 형성하는 과정일 수 있다. 보다 상세하게, 글래스 플레이트(100)의 상면을 그라인더로 깎아서 복수의 중공영역(14)을 형성할 수 있다. 이를 통하여, 중공영역(14) 및 중공영역(14)과 단차를 갖는 측면 투광 플레이트(11)가 형성될 수 있다. 그리고 중공영역(14)과 측면 투광 플레이트(11)의 하부에 하부 투광 플레이트가 형성될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 플레이트의 상면을 에칭 용액 및 마스크(mask)로 식각하여 복수의 중공영역(14)을 형성할 수 있다.The forming of the hollow region 14 (S110) may be a process of forming a plurality of
복수의 중공영역(14)은 하부 투광 플레이트(100)의 상면에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수의 중공영역(14)들은 일정한 간격으로 배치되도록 형성될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 복수의 중공영역(14)들을 하부 투광 플레이트(100)의 상면에 일렬로 배열되도록 형성될 수도 있다. The plurality of
각각의 중공영역(14)은 서로 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로, 각각의 중공영역(14)은 얇은 직육면체 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 중공영역(14)은 측면 투광 플레이트의 상면으로부터 균일한 깊이를 갖도록 형성될 수 있다.Each
삽입홈(15)을 형성하는 단계(S120)는 상기 하부 투광 플레이트(100)의 하면에 복수의 삽입홈(15)을 형성하는 과정일 수 있다. 보다 상세하게, 플레이트의 하면을 그라인더로 깎아서 복수의 삽입홈(15)을 형성할 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 플레이트의 하면을 에칭 용액 및 마스크(mask)로 식각하여 복수의 삽입홈(15)을 형성할 수 있다.Forming the insertion groove 15 (S120) may be a process of forming a plurality of
복수의 삽입홈(15)은 하부 투광 플레이트(100)의 하면에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 이 때, 삽입홈(15)들은 각각 앞서 형성된 중공영역(14)의 위치와 크기에 대응하여 형성될 수 있다. The plurality of
각각의 삽입홈(15)은 서로 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로, 각각의 삽입홈(15)은 얇은 직육면체 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 삽입홈(15)은 균일한 깊이를 갖도록 형성될 수 있다.Each
그리고, 삽입홈을 형성하는 단계(S120)에서, 삽입홈은 이후 수용될 발광소자의 일부는 수용하고, 일부는 돌출되도록 상기 발광소자의 두께보다 얇은 두께의 깊이로 형성될 수 있다. Then, in the step of forming the insertion groove (S120), the insertion groove may be formed to a depth of a thickness thinner than the thickness of the light emitting device so as to accommodate a portion of the light emitting device to be accommodated later, a portion.
도 4에서 중공영역을 형성하는 단계(S110)는 삽입홈을 형성하는 단계(S120) 이 전에 수행되는 것으로 예시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 중공영역을 형성하는 단계(S110)가 삽입홈을 형성하는 단계(S120)의 이후에 수행될 수 도 있다.Although the step S110 of forming the hollow area in FIG. 4 is illustrated as being performed before the step S120 of forming the insertion groove, the present invention is not limited thereto, and the step S110 of forming the hollow area is an insertion groove. It may be performed after the step (S120) to form a.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투광 플레이트 바디 에칭 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 실시예에 따른 투광 플레이트 바디 에칭 방법은 도 4의 실시예와 달리 곡률부(17)를 형성하는 단계(S130)를 더 포함할 수 있다. 도 5에서 도 4와 중복되는 단계 및 효과에 대한 설명은 생략하기로 한다.5 is a view for explaining a method of etching a transparent plate body according to another embodiment of the present invention. Unlike the embodiment of FIG. 4, the transparent plate body etching method according to the embodiment of FIG. 5 may further include forming a curvature 17 (S130). In FIG. 5, a description of the steps and effects overlapping with those of FIG. 4 will be omitted.
곡률부(17)를 형성하는 단계(S130)는 복수의 측면 투광 플레이트가 위치하는 영역의 하부를 에칭하여 소정의 곡률을 가지고 인접한 중공영역(14)을 향하도록 돌출되는 곡률부(17)를 형성하는 단계일 수 있다.Forming the curvature 17 (S130) is to form a
보다 상세하게, 곡률부(17)를 형성하는 단계(S130)는 하부 투광 플레이트(100)의 하면에 복수의 곡률부(17)를 형성하는 과정일 수 있다. 보다 상세하게, 플레이트의 하면을 그라인더로 깎아서 복수의 곡률부(17)를 형성할 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 플레이트의 하면을 에칭 용액 및 마스크(mask)로 식각하여 곡률부(17)를 형성할 수 있다.In more detail, the step S130 of forming the
복수의 곡률부(17)는 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수의 중공영역(14)들 사이 영역 또는 하부 투광 플레이트의 하면에 형성되는 삽입홈(15)들의 사이 영역에 해당하는 위치에 형성될 수 있다.The plurality of
도 5에서 곡률부(17)를 형성하는 단계(S130)는 삽입홈(15)을 형성하는 단계(S120) 이 후에 수행되는 것으로 예시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 곡률부(17)를 형성하는 단계(S130)가 삽입홈을 형성하는 단계(S120)에 앞서 수행될 수 도 있다.In FIG. 5, the step S130 of forming the
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 제작하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 6을 설명함에 있어서, 앞선 도 4 또는 도 5와 중복되는 구성 또는 효과에 대한 설명은 생략하기로 한다.6 is a view for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. In the description of FIG. 6, a description of a configuration or an effect overlapping with that of FIG. 4 or 5 will be omitted.
도 6을 참조하면, 발광소자 패키지를 제작하는 방법은 투광 플레이트 바디 에칭 단계(S100), QD 형광체를 주입하는 단계(S200), 상부 투광 플레이트를 접촉시켜 용접하는 단계(S300), 투광 플레이트 바디를 개별로 분리하는 단계(S400), 분리된 투광 플레이트 바디에 발광소자를 수용하는 단계(S500), 발광소자가 수용된 투광 플레이트 바디에 반사체를 형성하여 발광소자 패키지를 형성하는 단계(S600)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6, a method of manufacturing a light emitting device package includes a step of etching a transparent plate body (S100), a step of injecting a QD phosphor (S200), a step of contacting and welding an upper light transmitting plate (S300), and a light transmitting plate body. Separating step (S400) separately, receiving the light emitting device in the separated transparent plate body (S500), forming a reflector on the transparent plate body accommodated light emitting device to form a light emitting device package (S600) Can be.
투광 플레이트 바디 에칭 단계(S100)는 앞서 도 4 또는 도 5를 통해 설명된 중공영역을 형성하는 단계(S110), 삽입홈을 형성하는 단계(S120) 또는 곡률부를 형성하는 단계(S130)를 포함할 수 있다. The transparent plate body etching step S100 may include forming a hollow region described above with reference to FIGS. 4 or 5 (S110), forming an insertion groove (S120), or forming a curvature (S130). Can be.
상기 중공영역을 형성하는 단계(S110), 삽입홈을 형성하는 단계(S120) 또는 곡률부를 형성하는 단계(S130)를 통해 생성된 투광 플레이트 바디(10)는 이하에 설명되는 일련의 단계들을 통하여 개별 발광소자 패키지로 생성될 수 있다.The
QD 형광체를 주입하는 단계(S200)는 중공영역이 형성된 투광 플레이트 바디를 지그(jig) 내부로 이동시킨 후, 지그 내부를 진공 상태로 만든 후 형광체를 투광 플레이트 바디의 형광체 수용 영역에 주입하는 단계를 의미할 수 있다. QD 형광체는 졸(sol) 상태이므로, 중공영역의 하부에서부터 상부 방향으로 채워지게 된다. QD 형광체가 채워져 QD 형광체층을 형성하면 지그 내부의 온도를 미리 결정된 온도까지 상승시켜 QD 형광체층을 단단하게 경화시킬 수 있다.Injecting the QD phosphor (S200) is to move the light transmitting plate body formed with a hollow region into the jig, and then to make the jig in a vacuum state and inject the phosphor into the phosphor receiving region of the light transmitting plate body. Can mean. Since the QD phosphor is in a sol state, the QD phosphor is filled from the bottom to the top of the hollow region. When the QD phosphor is filled to form the QD phosphor layer, the temperature inside the jig may be raised to a predetermined temperature to harden the QD phosphor layer.
용접하는 단계(S300)는 QD 형광체가 채워진 투광 플레이트 바디의 상부에 상부 투광 플레이트가 접촉되도록 위치시킴으로써 QD 형광체층이 실링되도록 하는 단계일 수 있다. 이후, 레이저 장치를 이용하여 투광 플레이트 바디(10)의 측면 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트가 접촉되는 영역에 레이저 빔을 조사함으로써 하부 투광 플레이트 및 측면 투광 플레이트를 상부 투광 플레이트와 접합시킬 수 있다. The welding step (S300) may be a step of allowing the QD phosphor layer to be sealed by placing the upper floodlight plate in contact with the top of the floodlight plate body filled with the QD phosphor. Thereafter, the lower light transmitting plate and the side light transmitting plate may be bonded to the upper light transmitting plate by irradiating a laser beam to a region where the side light transmitting plate and the upper light transmitting plate of the light transmitting
투광 플레이트 바디를 분리하는 단계(S400)는 내부에 QD 형광체층을 수용한 상태에서 복수의 투광 플레이트 바디를 개별로 분리(singulation)하는 단계일 수 있다. 이러한 분리 과정은 블레이드를 이용한 물리적 힘을 통해 수행되는 브레이킹 공정, 레이저를 조사하여 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Separating the light transmitting plate body (S400) may be a step (singulation) of the plurality of light transmitting plate body separately in a state in which the QD phosphor layer is accommodated therein. The separation process may include a braking process performed by physical force using a blade, a laser scribing process of irradiating and separating a laser, and an etching process of separating using wet or dry etching, but is not limited thereto. It doesn't.
발광소자를 수용하는 단계(S500)는 개별 단위로 분리된 투광 플레이트 바디에 일정한 간격으로 행렬 배열되는 발광소자를 투광 플레이트 바디의 삽입홈에 수용시키는 단계를 의미할 수 있다. 개별 단위로 분리된 투광 플레이트 바디 또는 발광소자의 상면에는 접착층이 도포될 수 있고, 삽입홈에 수용된 상태에서 접착층을 경화시켜 발광소자와 이에 대응하는 개별 투광 플레이트 바디를 접착시킬 수 있다.The accommodating the light emitting device (S500) may refer to a step of accommodating the light emitting devices arranged in a predetermined interval on the light transmitting plate body separated into individual units in the insertion groove of the light transmitting plate body. An adhesive layer may be applied to an upper surface of the light transmitting plate body or the light emitting device separated into individual units, and the light emitting device and the corresponding light transmitting plate body may be adhered by curing the adhesive layer in a state accommodated in the insertion groove.
반사체를 형성하여 발광 소자 패키지를 형성하는 단계(S600)는 실리콘 주입 장치를 이용하여 발광소자가 수용된 투광 플레이트 바디에 반사체를 둘러싸도록 반사체를 충진하는 단계일 수 있다. 반사체는 발광소자의 저면에 형성된 적어도 하나 이상의 전극이 외부로 노출될 수 있도록 충진될 수 있다. 투광 플레이트 바디에 반사체가 형성됨으로써 개별 발광소자 패키지가 완성될 수 있다.The forming of the reflector to form the light emitting device package (S600) may be a step of filling the reflector to surround the reflector on the light transmitting plate body in which the light emitting device is accommodated using the silicon injection device. The reflector may be filled so that at least one or more electrodes formed on the bottom surface of the light emitting device may be exposed to the outside. By forming a reflector on the light transmitting plate body, an individual light emitting device package may be completed.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and are not limited to these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas falling within the scope of the present invention should be construed as being included in the scope of the present invention.
10: 투광 플레이트 바디
11: 측면 투광 플레이트
12: 하부 투광 플레이트
13: 상부 투광 플레이트
14: 중공영역
15: 삽입홈
16: 격벽
17: 곡률부
20: QD 형광체층
30: 발광소자
40: 반사체10: floodlight plate body 11: side floodlight plate
12: lower floodlight plate 13: upper floodlight plate
14: hollow area 15: insertion groove
16: bulkhead 17: curvature
20: QD phosphor layer 30: light emitting element
40: reflector
Claims (20)
상기 발광소자의 일부분이 삽입되는 삽입홈이 하면의 중앙영역에 형성되는 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디;
상기 중공영역에 형성되고 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 QD 형광체층; 및
상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디의 하면 및 측면을 둘러싸는 반사체;를 포함하며,
상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성된 QD 형광체층의 면적이 상기 삽입홈의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.Light emitting element;
A lower transmissive plate formed in a central region of a lower surface of the insertion groove into which a portion of the light emitting element is inserted; a plurality of side transmissive plates formed on an upper surface of the lower transmissive plate; An upper transmissive plate formed on an upper surface of the translucent plate and a transmissive plate body having an hollow port formed therein;
A QD phosphor layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower floodlight plate; And
And a reflector surrounding lower and side surfaces of the light emitting device and the light transmitting plate body.
The light emitting device package, characterized in that the area of the QD phosphor layer formed on the upper surface of the lower transparent plate is larger than the area of the insertion groove.
상기 삽입홈에 돌출되어 형성된 상기 발광소자의 측면을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the reflector
The light emitting device package, characterized in that surrounding the side surface of the light emitting device formed protruding from the insertion groove.
레이저 조사에 의해 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상부에 접합되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the upper floodlight plate is
The light emitting device package, characterized in that bonded to the upper portion of the plurality of side light-transmitting plate by laser irradiation.
진공(vacuum)상태 인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the hollow region is
Light emitting device package, characterized in that the vacuum (vacuum) state.
상기 발광소자의 저면에는 적어도 하나 이상의 전극을 포함하며,
상기 전극은 상기 반사체의 저면보다 하부로 더 돌출되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
At least one electrode on the bottom surface of the light emitting device,
The electrode is a light emitting device package, characterized in that more protruding downward than the bottom of the reflector.
상기 삽입홈과 상기 발광소자 사이에 접착층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
Light emitting device package, characterized in that the adhesive layer is formed between the insertion groove and the light emitting device.
상기 발광소자의 일부분이 삽입되는 삽입홈이 하면의 중앙영역에 형성되는 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디;
상기 중공영역에 형성되고 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 QD 형광체층; 및
상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디의 하면 및 측면을 둘러싸는 반사체;를 포함하며,
상기 하부 투광 플레이트의 하면의 가장자리는 곡률을 가지는 곡률부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.Light emitting element;
A lower transmissive plate formed in a central region of a lower surface of the insertion groove into which a portion of the light emitting element is inserted; a plurality of side transmissive plates formed on an upper surface of the lower transmissive plate; An upper transmissive plate formed on an upper surface of the translucent plate and a transmissive plate body having an hollow port formed therein;
A QD phosphor layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower floodlight plate; And
And a reflector surrounding lower and side surfaces of the light emitting device and the light transmitting plate body.
The edge of the lower surface of the lower light-transmitting plate is a light emitting device package, characterized in that the curvature having a curvature is formed.
상기 중공영역을 향해 돌출되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein the curvature is
The light emitting device package, characterized in that protruding toward the hollow area.
상기 삽입홈에 돌출되어 형성된 상기 발광소자의 측면을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein the reflector
The light emitting device package, characterized in that surrounding the side surface of the light emitting device formed protruding from the insertion groove.
레이저 조사에 의해 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상부에 접합되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein the upper floodlight plate is
The light emitting device package, characterized in that bonded to the upper portion of the plurality of side light-transmitting plate by laser irradiation.
상기 중공영역은 진공(vacuum)상태 인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
The hollow region is a light emitting device package, characterized in that the vacuum (vacuum) state.
상기 발광소자의 저면에는 적어도 하나 이상의 전극을 포함하며,
상기 전극은 상기 반사체의 저면보다 하부로 더 돌출되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
At least one electrode on the bottom surface of the light emitting device,
The electrode is a light emitting device package, characterized in that more protruding downward than the bottom of the reflector.
상기 삽입홈과 상기 발광소자 사이에 접착층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
Light emitting device package, characterized in that the adhesive layer is formed between the insertion groove and the light emitting device.
상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트;
상기 하부 투광 플레이트의 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트; 및
상기 하부 투광 플레이트의 상면에 중공영역(Empty Portion);을 포함하며,
상기 중공영역의 면적이 상기 삽입홈의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 투광 플레이트 바디.A lower floodlight plate formed at a central area of a lower surface of an insertion groove into which a portion of the light emitting device is inserted;
A plurality of side floodlight plates formed on an upper surface of the lower floodlight plate;
An upper floodlight plate corresponding to an upper surface of the lower floodlight plate and formed on upper surfaces of the plurality of side floodlight plates; And
It includes a hollow region (Empty Portion) on the upper surface of the lower floodlight plate,
The area of the hollow area is larger than the area of the insertion groove of the transparent plate body.
곡률을 가지는 곡률부가 형성된 것을 특징으로 하는 투광 플레이트 바디.15. The method of claim 14, wherein the edge of the lower surface of the lower floodlight plate is
Light transmitting plate body, characterized in that the curvature having a curvature is formed.
상기 중공영역을 향해 돌출되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.The method of claim 15, wherein the curvature is
The light emitting device package, characterized in that protruding toward the hollow area.
상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상부에 용접되는 것을 특징으로 하는 투광 플레이트 바디.The method of claim 14, wherein the upper floodlight plate is
A transparent plate body, characterized in that welded on top of the plurality of side light-transmitting plate.
상기 복수개의 중공영역 각각에 QD 형광체를 주입하는 단계;
상기 복수개의 중공영역의 상부에 하나의 상부 투광 플레이트를 형성하는 투광 플레이트 용접 단계;
상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 개별로 분리하는 단계;
상기 개별로 분리된 복수개의 투광 플레이트 바디의 삽입홈 각각에 발광소자를 수용하는 단계; 및
상기 발광소자가 수용된 투광 플레이트 바디의 외곽에 반사체를 형성하여 발광소자 패지지를 형성하는 단계:를 포함하며,
상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 에칭하는 단계는
하부 투광 플레이트의 상부를 에칭하여 복수개의 측면 투광 플레이트를 형성하고 복수개의 상기 중공영역을 에칭하는 단계와
상기 하부 투광 플레이트의 하부를 에칭하여 상기 발광소자를 수용하는 복수개의 삽입홈을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 복수개의 투광 플레이트 바디를 에칭하는 단계에서 상기 중공영역의 면적이 상기 삽입홈의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조 방법.Etching a plurality of transparent plate bodies having a plurality of hollow regions and a plurality of insertion grooves formed under the plurality of hollow regions;
Injecting a QD phosphor into each of the plurality of hollow regions;
A translucent plate welding step of forming one upper translucent plate on the plurality of hollow regions;
Separating the plurality of floodlight plate bodies separately;
Accommodating a light emitting element in each of the insertion grooves of the plurality of light transmitting plate bodies separately separated; And
And forming a light emitting device package by forming a reflector on an outer surface of the light transmitting plate body in which the light emitting device is accommodated.
Etching the plurality of flood plate body is
Etching a top of the lower floodlight plate to form a plurality of side floodlight plates and etching the plurality of hollow regions;
Etching a lower portion of the lower floodlight plate to form a plurality of insertion grooves for receiving the light emitting device;
And etching the plurality of translucent plate bodies, wherein the area of the hollow area is larger than the area of the insertion groove.
상기 하부 투광 플레이트의 하면의 가장자리를 에칭하여 곡률을 가지며, 상기 중공영역을 향하도록 돌출되는 곡률부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조 방법.19. The method of claim 18, wherein etching the plurality of translucent plate bodies is
Etching the edge of the lower surface of the lower light-transmitting plate has a curvature, and forming a curvature protruding toward the hollow region; The light emitting device package manufacturing method further comprising.
상기 삽입홈이 상기 발광소자의 일부는 수용하고, 일부는 돌출되도록 상기 발광소자의 두께보다 얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조 방법.
19. The method of claim 18, wherein forming the insertion groove
The insertion groove is a light emitting device package manufacturing method, characterized in that formed in a thickness thinner than the thickness of the light emitting device so as to accommodate a portion of the light emitting device, a portion protrudes.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180099039A KR102561725B1 (en) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Led package, floodlight plate body and led package manufacturing method |
PCT/KR2018/016210 WO2019190026A1 (en) | 2018-03-26 | 2018-12-19 | Quantum dot plate assembly, light-emitting device package comprising same, and led module |
US16/272,210 US10879432B2 (en) | 2018-03-26 | 2019-02-11 | Quantum dot plate assembly and LED package and module comprising the same |
US16/950,360 US20210091273A1 (en) | 2018-03-26 | 2020-11-17 | Quantum dot plate assembly and led package and module comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180099039A KR102561725B1 (en) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Led package, floodlight plate body and led package manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200022875A true KR20200022875A (en) | 2020-03-04 |
KR102561725B1 KR102561725B1 (en) | 2023-08-02 |
Family
ID=69783326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180099039A KR102561725B1 (en) | 2018-03-26 | 2018-08-24 | Led package, floodlight plate body and led package manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102561725B1 (en) |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003110146A (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
US20100090235A1 (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-15 | Wei-Ko Wang | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
US20120127693A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Light-permeating cover board, method of fabricating the same, and package having the same |
JP2014096419A (en) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Stanley Electric Co Ltd | Optoelectronic device |
JP2014514773A (en) * | 2011-05-06 | 2014-06-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Phosphor-enhanced lighting device with reduced color appearance, retrofit bulb and tube bulb |
JP2014112724A (en) * | 2014-03-03 | 2014-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2014519708A (en) * | 2011-05-31 | 2014-08-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | Semiconductor nanoparticle-containing material and light-emitting device incorporating the same |
JP2015015485A (en) * | 2008-11-28 | 2015-01-22 | 株式会社小糸製作所 | Light emitting module, and lighting fixture unit |
JP2015019025A (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | スタンレー電気株式会社 | Photoelectric device |
KR101567900B1 (en) * | 2014-12-24 | 2015-11-10 | 주식회사 루멘스 | Light-converting chip, method for manufacturing of the light-converting chip, light emitting device package, light emitting device package strip and method for manufacturing light emitting device package |
JP2016500471A (en) * | 2012-11-30 | 2016-01-12 | コーニング インコーポレイテッド | LED lighting device with quantum dot glass storage plate |
JP2016225515A (en) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
JP2017069536A (en) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device |
KR101762223B1 (en) * | 2016-03-23 | 2017-07-27 | 주식회사 베이스 | Manufacturing method for led chip encapsulation member comprising phosphor |
KR20170124281A (en) * | 2016-05-02 | 2017-11-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
US20170345977A1 (en) * | 2014-11-17 | 2017-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Conversion element and production method thereof |
KR20170133702A (en) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
-
2018
- 2018-08-24 KR KR1020180099039A patent/KR102561725B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003110146A (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
US20100090235A1 (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-15 | Wei-Ko Wang | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
JP2015015485A (en) * | 2008-11-28 | 2015-01-22 | 株式会社小糸製作所 | Light emitting module, and lighting fixture unit |
US20120127693A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Light-permeating cover board, method of fabricating the same, and package having the same |
JP2014514773A (en) * | 2011-05-06 | 2014-06-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Phosphor-enhanced lighting device with reduced color appearance, retrofit bulb and tube bulb |
JP2014519708A (en) * | 2011-05-31 | 2014-08-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | Semiconductor nanoparticle-containing material and light-emitting device incorporating the same |
JP2014096419A (en) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Stanley Electric Co Ltd | Optoelectronic device |
JP2016500471A (en) * | 2012-11-30 | 2016-01-12 | コーニング インコーポレイテッド | LED lighting device with quantum dot glass storage plate |
JP2015019025A (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | スタンレー電気株式会社 | Photoelectric device |
JP2014112724A (en) * | 2014-03-03 | 2014-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US20170345977A1 (en) * | 2014-11-17 | 2017-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Conversion element and production method thereof |
KR101567900B1 (en) * | 2014-12-24 | 2015-11-10 | 주식회사 루멘스 | Light-converting chip, method for manufacturing of the light-converting chip, light emitting device package, light emitting device package strip and method for manufacturing light emitting device package |
JP2016225515A (en) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
JP2017069536A (en) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device |
KR101762223B1 (en) * | 2016-03-23 | 2017-07-27 | 주식회사 베이스 | Manufacturing method for led chip encapsulation member comprising phosphor |
KR20170124281A (en) * | 2016-05-02 | 2017-11-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
KR20170133702A (en) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102561725B1 (en) | 2023-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3007240B1 (en) | Display apparatus | |
KR102422380B1 (en) | A light emitting device | |
US10211186B2 (en) | Light emitting device package assembly and method of fabricating the same | |
US9447932B2 (en) | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same | |
CN107887490B (en) | Light emitting device | |
US10056529B2 (en) | Photo-conversion complex, and photo-conversion member, display device, and light-emitting device package including the same, and method of fabricating the same | |
US20170069802A1 (en) | Light emitting device including quantum dots | |
US20210091273A1 (en) | Quantum dot plate assembly and led package and module comprising the same | |
TWI829671B (en) | Light-emitting device | |
JP2006054313A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
KR101641266B1 (en) | Display apparatus having light emitting device package | |
KR20160049082A (en) | Liquid crystal display device | |
US20120126144A1 (en) | Light emitting device package and method of fabricating the same | |
KR102561725B1 (en) | Led package, floodlight plate body and led package manufacturing method | |
KR102561705B1 (en) | Light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
KR20200023827A (en) | Quantum dot plate manufacturing method, led package | |
KR20190112623A (en) | Quantum dot plate assembly and led package and module comprising the same | |
KR102451866B1 (en) | Optical plate, lighting device, and lighting module | |
JP2019135767A (en) | Light-emitting device | |
KR20200020099A (en) | Method for manufacturing quantum dot plate assembly | |
KR102592483B1 (en) | Method for manufacturing quantum dot plate assembly | |
KR102160774B1 (en) | Light emitting device package and method for mafacturing the same | |
KR101707972B1 (en) | Display apparatus having light emitting device package | |
KR20170052207A (en) | Optical plate, lighting device, and lighting module | |
KR101675907B1 (en) | Light converting panel, light emitting device package module and backlight unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |