KR20190112623A - Quantum dot plate assembly and led package and module comprising the same - Google Patents

Quantum dot plate assembly and led package and module comprising the same Download PDF

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KR20190112623A
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오승현
박정현
김병건
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Abstract

The present invention relates to a quantum dot plate assembly comprising: a quantum dot (QD) material converting a wavelength of light; and a light-transmitting plate body sealing the QD material. The light-transmitting plate body includes: a lower light-transmitting plate; a hollow region formed on an upper surface of the lower light-transmitting plate; a plurality of side surface light-transmitting plates surrounding the hollow region; and an upper light-transmitting plate formed on the upper surface of the plurality of side surface light-transmitting plates. The upper light-transmitting plate has a contact unit which is in contact with an upper part of the plurality of side surface light-transmitting plates and a flat unit which corresponds to the hollow region.

Description

퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 LED 패키지 및 LED 모듈{QUANTUM DOT PLATE ASSEMBLY AND LED PACKAGE AND MODULE COMPRISING THE SAME}QUANTUM DOT PLATE ASSEMBLY AND LED PACKAGE AND MODULE COMPRISING THE SAME

본 발명은 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 LED 패키지 및 LED 모듈에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 QD 형광체가 실링된 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 LED 패키지 및 LED 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a quantum dot plate assembly, an LED package and an LED module including the same, and more particularly, a quantum dot plate assembly in which a QD phosphor is sealed in a hollow region of a light transmitting plate body, and an LED package and an LED module including the same. It is about.

발광 소자(LIGHT EMITTING DEVICE, LED)는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.LIGHT EMITTING DEVICE (LED) is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light energy. The light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps.

이에 기존의 광원을 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내/외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가하고 있다.Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light sources with light emitting devices, and the use of light emitting devices as light sources for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic signs, and street lamps, which are used indoors and outdoors, is increasing. .

한편, LED 분야에서는 백색 LED에 대한 수요가 높다. 이러한 백색 LED를 구현하는 방식에는 여러 색상의 LED 칩들을 조합하는 방식과, 특정 색의 광을 방사하는 LED 칩과 해당 칩에서 방사되는 광의 파장을 변환하는 형광체를 조합하는 방식이 있다. 현재 백색 LED를 구현하기 위해서는 후자의 방식이 주로 사용되고 있으며, 가장 대표적으로는 청색 LED 칩 위에 YAG: Ce 벌크 형광체를 도포하여 백색 LED를 구현하고 있다.Meanwhile, the demand for white LEDs is high in the LED field. The white LED may be implemented by combining LED chips of various colors and combining LED chips emitting light of a specific color with phosphors that convert wavelengths of light emitted from the chips. Currently, the latter method is mainly used to realize a white LED, and most typically, a white LED is implemented by coating YAG: Ce bulk phosphor on a blue LED chip.

그런데, 이러한 벌크 형광체를 적용한 LED 패키지는 디스플레이 제작 시, 고색재현성을 구현하기 어려운 문제가 있다. 이를 해결하기 위해, 최근에는 양자점(quantum dot, QD) 형광체를 이용하여 LED 패키지를 구현하기 위한 다양한 시도들이 진행되고 있다.However, the LED package using the bulk phosphor has a problem that it is difficult to implement high color reproducibility when manufacturing a display. In order to solve this problem, various attempts have recently been made to implement LED packages using quantum dot (QD) phosphors.

양자점은 반도체 특성을 갖는 수십 나노미터(nm) 이하 크기의 나노 입자를 말하며, 양자 제한 효과(quantum confinement effect)에 의해 벌크 크기의 입자들과는 상이한 특성을 나타내기 때문에 크게 주목 받고 있는 핵심 소재이다.Quantum dots refer to nanoparticles of a few tens of nanometers (nm) in size with semiconductor characteristics, and are a key material of great interest because they exhibit different characteristics from bulk-sized particles due to quantum confinement effects.

그런데, 이러한 양자점은 외부의 환경 조건(수분, 산소, 열 등)에 매우 취약하여 성능 저하가 쉽게 발생하는 문제가 있다. 특히, 레일 타입의 양자점은 레일 형태에 따른 가공의 어려움이 있고 열에 취약한 문제가 있다. 또한, 필름 타입의 양자점은 대면적 사용에 따른 고 비용 문제가 있다.However, such a quantum dot is very vulnerable to external environmental conditions (moisture, oxygen, heat, etc.), there is a problem that performance degradation easily occurs. In particular, the quantum dot of the rail type is difficult to process according to the rail shape and has a problem that is vulnerable to heat. In addition, quantum dots of the film type has a high cost problem due to the large area used.

그리고, 종래에는 수지(polymer)에 양자점(QD)을 혼합하여 이를 시트(sheet) 상태로 만들고, 이 시트 표면을 외부의 수분 등으로부터 보호하고 제품 수명(life cycle)을 유지하기 위해, 다수의 베리어층(barrier layer)을 시트 표면에 코팅하는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 종래의 방법은 베리어층을 여러 번 코팅해야 함에 따라, 제조 비용이 많이 들고, 무엇보다도 양자점(QD)을 완벽하게 외부로부터 보호하는데 한계가 있었다.In the related art, a plurality of barriers are used to mix a quantum dot (QD) with a resin to make a sheet, to protect the surface of the sheet from external moisture, and to maintain a product life cycle. A method of coating a barrier layer on the sheet surface was used. However, this conventional method is expensive to manufacture the barrier layer many times, and above all, there was a limit to completely protect the quantum dots (QD) from the outside.

본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 투광 플레이트 바디의 중공 영역(Empty Portion)에 QD 형광체가 실링된 퀀텀닷 플레이트 조립체 및 그 제조방법을 제공함에 있다.It is an object of the present invention to solve the above and other problems. Still another object is to provide a quantum dot plate assembly in which a QD phosphor is sealed in an empty region of a light transmitting plate body and a method of manufacturing the same.

또 다른 목적은 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 실링된 QD 형광체에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 퀀텀닷 플레이트 조립체 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Still another object is to provide a quantum dot plate assembly and a method for manufacturing the same, which can effectively emit heat generated in a QD phosphor sealed in a hollow region of a light transmitting plate body.

또 다른 목적은 LED 칩, 상기 LED 칩 상의 퀀텀닷 플레이트 조립체, 상기 LED 칩 및 퀀텀닷 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Still another object is to provide an LED package including a LED chip, a quantum dot plate assembly on the LED chip, a reflective member surrounding the LED chip and the quantum dot plate assembly, and a method of manufacturing the same.

또 다른 목적은 회로기판, 상기 회로기판에 실장되는 하나 이상의 LED 칩, 각각의 LED 칩 상에 배치되는 퀀텀닷 플레이트 조립체, 상기 LED 칩 및 퀀텀닷 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하는 LED 모듈 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Still another object is an LED module including a circuit board, one or more LED chips mounted on the circuit board, a quantum dot plate assembly disposed on each LED chip, and a reflective member surrounding the LED chip and the quantum dot plate assembly; It is to provide a method of manufacturing the same.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 빛의 파장을 변환하는 퀀텀닷(QD) 물질; 및 상기 QD 물질을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함하되, 상기 투광 플레이트 바디는, 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 중공 영역, 상기 중공 영역을 둘러싸는 복수의 측면 투광 플레이트 및 상기 복수의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트를 포함하며, 상기 상부 투광 플레이트는 상기 복수의 측면 투광 플레이트의 상부와 만나는 접촉부와 상기 중공 영역에 대응되는 평탄부를 구비하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체를 제공한다.According to an aspect of the present invention to achieve the above or another object, a quantum dot (QD) material for converting the wavelength of light; And a light transmitting plate body for sealing the QD material, wherein the light transmitting plate body includes a lower light transmitting plate, a hollow area formed on an upper surface of the lower light transmitting plate, a plurality of side light transmitting plates surrounding the hollow area, and the plurality of light transmitting plate bodies. And an upper floodlight plate formed on an upper surface of the side floodlight plate of the quantum dot plate, wherein the upper floodlight plate includes a contact portion that meets an upper portion of the side floodlight plate and a flat portion corresponding to the hollow area. Provide an assembly.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 미리 결정된 파장의 광을 방사하는 LED 칩; 상기 LED 칩에서 방사되는 광의 파장을 변환하는 퀀텀닷(QD) 플레이트 조립체; 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체 사이에 배치되어, 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 접착시키는 접착층; 및 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하되, 상기 QD 플레이트 조립체는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질과 상기 QD 물질을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지를 제공한다.According to another aspect of the invention, the LED chip for emitting light of a predetermined wavelength; A quantum dot (QD) plate assembly for converting wavelengths of light emitted from the LED chip; An adhesive layer disposed between the LED chip and the QD plate assembly to bond the LED chip to the QD plate assembly; And a reflective member surrounding the LED chip and the QD plate assembly, wherein the QD plate assembly includes a QD material for converting wavelengths of light and a transparent plate body for sealing the QD material. To provide.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 표면 실장되는 하나 이상의 LED 칩; 각각의 LED 칩 상에 배치되는 하나 이상의 퀀텀닷(QD) 플레이트 조립체; 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체 사이에 배치되어, 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 접착시키는 접착층; 및 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하되, 상기 QD 플레이트 조립체는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질과 상기 QD 물질을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈을 제공한다.According to another aspect of the invention, the circuit board; One or more LED chips surface-mounted on the circuit board; One or more quantum dot (QD) plate assemblies disposed on each LED chip; An adhesive layer disposed between the LED chip and the QD plate assembly to bond the LED chip to the QD plate assembly; And a reflecting member surrounding the LED chip and the QD plate assembly, wherein the QD plate assembly includes a QD material for converting wavelengths of light and a transparent plate body for sealing the QD material. To provide.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1 글래스 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들을 형성하는 단계; 상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷(QD) 형광체를 주입한 후 상기 QD 형광체를 경화시키는 단계; 상기 제1 글래스 플레이트의 상부에 제2 글래스 플레이트를 배치하는 단계; 상기 제1 글래스 플레이트와 상기 제2 글래스 플레이트가 서로 만나는 영역을 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 제1 및 제2 글래스 플레이트를 용접하는 단계; 및 각 중공 영역 사이의 경계 부분을 상기 제2 글래스 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 컷팅하는 단계를 포함하는 컨텀닷 플레이트 조립체 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the invention, forming a plurality of hollow areas on the upper surface of the first glass plate; Injecting a quantum dot (QD) phosphor into the plurality of hollow regions and then curing the QD phosphor; Disposing a second glass plate on top of the first glass plate; Welding the first and second glass plates by irradiating a laser beam along a region where the first glass plate and the second glass plate meet each other; And cutting a boundary portion between each hollow region in a direction perpendicular to the upper surface of the second glass plate.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 미리 결정된 형태로 배열하는 단계; 상기 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체 상에 복수의 접착층을 도포하는 단계; 상기 복수의 접착층 상에 복수의 LED 칩을 배치한 후 상기 복수의 접착층을 경화시키는 단계; 상기 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체와 상기 복수의 LED 칩을 둘러싸도록 반사 부재를 충진하는 단계; 및 패키지 분리 공정을 통해 발광 구조물을 단위 패키지 영역으로 분리하는 단계를 포함하는 LED 칩의 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the invention, the method comprising the steps of: arranging a plurality of quantum dot plate assembly in a predetermined form; Applying a plurality of adhesive layers on the plurality of quantum dot plate assemblies; Placing a plurality of LED chips on the plurality of adhesive layers and then curing the plurality of adhesive layers; Filling a reflective member to surround the plurality of quantum dot plate assemblies and the plurality of LED chips; And separating the light emitting structure into unit package regions through a package separation process.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 회로 기판 상에 제1 및 제2 패드들을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 패드들 상에 복수의 범프를 배치하는 단계; 상기 복수의 범프 상에 복수의 LED 칩들을 배치하여 표면 실장하는 단계; 상기 복수의 LED 칩들 상에 복수의 접착층을 도포하는 단계; 상기 복수의 접착층 상에 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 배치한 후 상기 복수의 접착층을 경화시키는 단계; 및 상기 복수의 LED 칩들 및 상기 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 둘러싸도록 반사 부재를 충진하는 단계를 포함하는 LED 모듈의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the invention, forming the first and second pads on the circuit board; Disposing a plurality of bumps on the first and second pads; Placing and surface mounting a plurality of LED chips on the plurality of bumps; Applying a plurality of adhesive layers on the plurality of LED chips; Placing a plurality of quantum dot plate assemblies on the plurality of adhesive layers and then curing the plurality of adhesive layers; And filling a reflective member to surround the plurality of LED chips and the plurality of quantum dot plate assemblies.

본 발명의 실시 예들에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 LED 패키지 및 LED 모듈의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effects of the quantum dot plate assembly, the LED package and the LED module including the same according to the embodiments of the present invention are as follows.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 상부 투광 플레이트와 하부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 QD 형광체를 주입한 후 레이저 빔으로 상부 및 하부 투광 플레이트를 용접하여 QD 플레이트 조립체를 구현함으로써, 외부의 환경 조건에 취약한 QD 형광체를 안전하게 보호할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, by injecting the QD phosphor in the empty space between the upper and lower projection plate and weld the upper and lower projection plate with a laser beam to implement the QD plate assembly, the external environment The advantage is that the QD phosphor, which is vulnerable to conditions, can be safely protected.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 미리 결정된 반복 패턴을 갖는 방열 패턴층과 상기 방열 패턴층 하부에 형성된 복수의 캐비티 영역들을 포함하는 방열 부재를 상부 투광 플레이트의 상면에 배치함으로써, QD 플레이트 조립체에서 발생되는 열의 방출을 개선하여 해당 QD 플레이트 조립체의 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by placing a heat dissipation member having a heat dissipation pattern layer having a predetermined repeating pattern and a plurality of cavity regions formed under the heat dissipation pattern layer on the upper surface of the upper floodlight plate, There is an advantage that the reliability of the corresponding QD plate assembly can be improved by improving the release of heat generated in the plate assembly.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, LED 칩 상에 QD 플레이트 조립체를 배치하여 LED 패키지를 구현함으로써, 디스플레이 제작 시 고색재현성을 구현할 수 있고, 칩 사이즈 패키지 타입으로 제작함에 따라 패키지 공정을 단순화시킬 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by placing the QD plate assembly on the LED chip to implement the LED package, it is possible to implement a high color reproducibility when manufacturing the display, and to produce a package process as a chip size package type The advantage is that it can be simplified.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 회로기판 상에 복수의 LED 칩을 표면 실장한 다음, 각각의 LED 칩 위에 QD 플레이트 조립체를 접착하여 LED 모듈을 구현함으로써, 상기 QD 플레이트 조립체에 포함된 QD 형광체가 상기 표면 실장 시 발생되는 고온에 노출되지 않도록 하는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by mounting a plurality of LED chips on the circuit board, and then bonded to the QD plate assembly on each LED chip to implement the LED module, included in the QD plate assembly The QD phosphor has an advantage of not being exposed to the high temperature generated when the surface is mounted.

다만, 본 발명의 실시 예들에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 LED 패키지 및 LED 모듈이 달성할 수 있는 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the effects that can be achieved by the quantum dot plate assembly, the LED package and the LED module including the same according to the embodiments of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects that are not mentioned from the following description It will be clearly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains.

도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 사시도;
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도;
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도;
도 2는 퀀텀닷의 크기와 발광 색상 간의 관계를 설명하기 위해 참조되는 도면;
도 3은 하부 투광 플레이트의 트렌치를 형성하는 방법들을 예시하기 위해 참조되는 도면;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 칩의 단면도;
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 칩의 제조방법을 설명하는 도면;
도 7a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지의 사시도;
도 7b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도;
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 설명하는 도면;
도 9a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈의 사시도;
도 9b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈의 단면도;
도 10a 내지 도 10e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 설명하는 도면;
도 11a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 사시도;
도 11b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도;
도 11c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도;
도 12a 내지 도 12h는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면.1A is a perspective view of a QD plate assembly according to one embodiment of the present invention;
1B is a cross-sectional view of a QD plate assembly according to one embodiment of the present invention;
1C is an exploded perspective view of a QD plate assembly according to one embodiment of the present invention;
2 is a diagram referred to for explaining the relationship between the size of the quantum dot and the emission color;
3 is a reference to illustrate methods of forming a trench in a lower floodlight plate;
4A to 4E illustrate a method of manufacturing a QD plate assembly according to one embodiment of the present invention;
5 is a cross-sectional view of an LED chip according to an embodiment of the present invention;
6 is a view for explaining a method of manufacturing an LED chip according to an embodiment of the present invention;
7A is a perspective view of an LED package according to an embodiment of the present invention;
7B is a cross-sectional view of an LED package according to an embodiment of the present invention;
8A to 8D illustrate a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention;
9A is a perspective view of an LED module according to an embodiment of the present invention;
9B is a sectional view of an LED module according to an embodiment of the present invention;
10A to 10E illustrate a method of manufacturing an LED module according to an embodiment of the present disclosure;
11A is a perspective view of a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention;
11B is a cross-sectional view of a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention;
11C is an exploded perspective view of a QD plate assembly according to one embodiment of the present invention;
12A to 12H illustrate a method of manufacturing a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. Hereinafter, in the description of the embodiment according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structures may be “top” or “bottom” of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case described as being formed under / under, "on" and "under" are "directly" or "indirectly through another layer." "Includes all that are formed. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed herein, but are not limited to the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings, all changes included in the spirit and scope of the present invention. It should be understood to include equivalents and substitutes.

본 발명은, 투광 플레이트 바디의 중공 영역(Empty Portion)에 QD 형광체가 실링된 퀀텀닷 플레이트 조립체 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 LED 칩, 상기 LED 칩 상의 퀀텀닷 플레이트 조립체, 상기 LED 칩 및 퀀텀닷 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 회로기판, 상기 회로기판에 실장되는 하나 이상의 LED 칩, 각각의 LED 칩 상에 배치되는 퀀텀닷 플레이트 조립체, 상기 LED 칩 및 퀀텀닷 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하는 LED 모듈 및 그 제조방법을 제안한다.The present invention proposes a quantum dot plate assembly in which a QD phosphor is sealed in an empty portion of a light transmitting plate body and a method of manufacturing the same. The present invention also proposes an LED package including a LED chip, a quantum dot plate assembly on the LED chip, a reflective member surrounding the LED chip and the quantum dot plate assembly, and a method of manufacturing the same. The present invention also provides an LED module including a circuit board, at least one LED chip mounted on the circuit board, a quantum dot plate assembly disposed on each LED chip, and a reflective member surrounding the LED chip and the quantum dot plate assembly. And a method for producing the same.

이하에서는, 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도이며, 도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도이다.1A is a perspective view of a QD plate assembly according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view of a QD plate assembly according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1C is a QD plate assembly according to an embodiment of the present invention. Is an exploded perspective view of the.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체(또는 QD 플레이트 조립체, 100)는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질(110), 상기 QD 물질(110)을 수용하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다.1A to 1C, the quantum dot plate assembly (or QD plate assembly 100) according to an embodiment of the present invention accommodates the QD material 110 and the QD material 110 to convert the wavelength of light. It may include a light transmitting plate body.

QD 물질(110)은 퀀텀 닷(또는 양자점, Quantum Dot)을 포함하는 색광 변환 물질로서, 아크릴레이트(acrylate) 또는 에폭시 폴리머(epoxy polymer) 또는 이들의 조합과 같은 매트릭스 물질에 퀀텀 닷을 혼합 또는 분산하여 형성될 수 있다. 이하 본 명세서에서, 상기 QD 물질(110)은 QD 형광체로 지칭될 수 있다.The QD material 110 is a color conversion material including quantum dots (or quantum dots), and mixes or disperses the quantum dots in a matrix material such as an acrylate or an epoxy polymer or a combination thereof. Can be formed. Hereinafter, in the present specification, the QD material 110 may be referred to as a QD phosphor.

퀀텀닷은 지름이 수 나노미터(nm)인 반도체 나노 입자로 양자구속 혹은 양자가둠 효과(Quantum Confinement Effect)와 같은 양자 역학(Quantum Mechanics)적 특성을 지니고 있다. 여기서, 양자구속 효과란 반도체 나노 입자의 크기가 작아짐에 따라 띠 간격 에너지(band gap energy)가 커지는(역으로 파장은 작아지는) 현상을 의미한다. 화학 합성 공정으로 만들어지는 퀀텀닷은 재료를 바꾸지 않고 입자 크기를 조절하는 것만으로도 원하는 색상을 구현할 수 있다. 가령, 도 2에 도시된 바와 같이, 양자구속 효과에 따라 나노 입자 크기가 작을수록 짧은 파장을 갖는 청색 빛을 발광할 수 있고, 나노 입자의 크기가 클수록 긴 파장을 갖는 적색 빛을 발광할 수 있다. 본 실시 예에서, 나노 입자는 약 100nm 이하, 약 50nm 이하, 약 20nm 이하, 약 15nm 이하의 크기를 가질 수 있고, 또는 약 2 내지 10nm 크기 범위에 있을 수 있다.Quantum dots are semiconductor nanoparticles with a diameter of several nanometers (nm) and have quantum mechanics such as quantum confinement effect or quantum confinement effect. Here, the quantum confinement effect refers to a phenomenon in which the band gap energy increases (conversely, the wavelength decreases) as the size of the semiconductor nanoparticles decreases. Quantum dots made by chemical synthesis can achieve the desired color simply by changing the particle size without changing the material. For example, as shown in FIG. 2, according to the quantum confinement effect, the smaller the nanoparticle size may emit blue light having a shorter wavelength, and the larger the nanoparticle size may emit red light having a longer wavelength. . In this embodiment, the nanoparticles may have a size of about 100 nm or less, about 50 nm or less, about 20 nm or less, about 15 nm or less, or may be in a size range of about 2 to 10 nm.

퀀텀닷은 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅳ족 물질일 수 있으며, 구체적으로 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP2, PbS, ZnO, TiO2, AgI, AgBr, Hg12, PbSe, In2S3, In2Se3, Cd3P2, Cd3As2 또는 GaAs일 수 있다. 또한, 퀀텀닷은 코어-쉘 구조(core-shell)를 가질 수 있다. 여기서, 코어(core)는 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 쉘(shell)은 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The quantum dot may be a II-VI, III-V or IV material, and specifically, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP 2 , PbS, ZnO, TiO 2 , AgI, AgBr, Hg 12 , PbSe, In 2 S 3 , In 2 Se 3 , Cd 3 P 2 , Cd 3 As 2 or GaAs. In addition, the quantum dot may have a core-shell structure. Here, the core includes any one material selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe and HgS, and the shell is CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, It may include any one material selected from the group consisting of ZnS, HgTe and HgS.

투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(120), 상기 하부 투광 플레이트(120)의 상면에 형성되는 복수의 측면 투광 플레이트(140), 상기 하부 투광 플레이트(120) 상면에 대응하며 상기 복수의 측면 투광 플레이트(140)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(130)를 포함할 수 있다.The light transmitting plate body corresponds to a lower light transmitting plate 120, a plurality of side light transmitting plates 140 formed on an upper surface of the lower light transmitting plate 120, and an upper surface of the lower light transmitting plate 120 and the plurality of side light transmitting plates ( It may include an upper floodlight plate 130 formed on the upper surface of the 140.

투광 플레이트 바디의 내측에는 QD 물질(110)을 실장하기 위한 중공 영역(또는 트렌치 영역, 150)이 형성될 수 있다.A hollow region (or a trench region 150) for mounting the QD material 110 may be formed inside the light transmitting plate body.

하부 투광 플레이트(120)는 투광성이 좋은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 또한, 하부 투광 플레이트(120)는 용접성 또는 접합성이 좋은 재질로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 하부 투광 플레이트(120)는 유리(glass) 재질로 형성될 수 있다. The lower light transmitting plate 120 may be formed of a transparent material having good light transmittance. In addition, the lower floodlight plate 120 may be formed of a material having good weldability or adhesion. In a preferred embodiment, the lower floodlight plate 120 may be formed of a glass material.

하부 투광 플레이트(120)의 상면(또는 상부)에는 중공 영역(150) 및 복수의 측면 투광 플레이트(140)가 형성될 수 있다. 하부 투광 플레이트(120)의 상면에 중공 영역(150) 및 복수의 측면 투광 플레이트들(140)을 형성하는 방법으로는, 크게 세 가지 공정 즉, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 등이 있다.A hollow area 150 and a plurality of side light emitting plates 140 may be formed on an upper surface (or top) of the lower light transmitting plate 120. As a method of forming the hollow region 150 and the plurality of side light-transmitting plates 140 on the upper surface of the lower light-transmitting plate 120, there are three main processes, that is, a mechanical machining process, a chemical machining process, and an assembly process. .

가령, 도 3에 도시된 바와 같이, 기계적 가공 공정은 그라인더(grinder)로 하부 투광 플레이트(120)의 상면을 깎아서 트렌치(trench)를 형성하는 공정이다. 화학적 가공 공정은 에칭 용액과 마스크(mask)로 하부 투광 플레이트(120)의 상면을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정이다. 조립 공정은 복수 개의 글래스 부재들을 레이저로 용접하여 트렌치를 형성하는 공정이다.For example, as shown in FIG. 3, the mechanical machining process is a process of forming a trench by cutting an upper surface of the lower floodlight plate 120 with a grinder. The chemical processing process is a process of forming a trench by etching the upper surface of the lower transparent plate 120 with an etching solution and a mask. The assembling process is a process of forming a trench by welding a plurality of glass members with a laser.

하부 투광 플레이트(120)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 하부 투광 플레이트(120)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 또한, 하부 투광 플레이트(120)는 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The overall shape of the lower floodlight plate 120 may be formed in a thin plate shape, but is not necessarily limited thereto. The top and bottom surfaces of the lower floodlight plate 120 may be formed in a predetermined shape (eg, rectangular, square, circular, elliptical, etc.). In addition, the lower floodlight plate 120 may be formed to have a uniform thickness.

중공 영역(150)의 전체적인 형상은 하부 투광 플레이트(120)의 외부 형상과 동일 또는 유사한 모양으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 중공 영역(150)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 중공 영역(150)의 상면의 면적은 하면의 면적과 동일하게 형성되거나, 상면의 면적이 하면의 면적보다 더 넓게 형성될 수 있다.The overall shape of the hollow region 150 may be formed in the same or similar shape as the outer shape of the lower floodlight plate 120, but is not necessarily limited thereto. The top and bottom surfaces of the hollow region 150 may be formed in a predetermined shape (eg, rectangular, square, circular, elliptical, etc.). In addition, the area of the upper surface of the hollow region 150 may be formed to be equal to the area of the lower surface, or the area of the upper surface may be wider than the area of the lower surface.

중공 영역(150)은 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 중공 영역(150)은 하부 투광 플레이트(120)의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The hollow region 150 may be formed to have a uniform thickness. In addition, the hollow region 150 may be formed to have a thickness smaller than the thickness of the lower floodlight plate 120.

복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 하부 투광 플레이트(120)의 상면의 맨 가장자리 영역을 따라 중공 영역(150)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 직사각형의 고리 모양으로 형성될 수 있다.The plurality of side floodlight plates 140 may be formed to surround the hollow region 150 along the top edge of the upper surface of the lower floodlight plate 120. For example, the plurality of side floodlight plates 140 may be formed in a rectangular annular shape.

상부 투광 플레이트(130)는 하부 투광 플레이트(120)와 동일한 재질 즉, 투광성 및 용접성이 좋은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 상부 투광 플레이트(130)는 유리(glass) 재질로 형성될 수 있다. The upper floodlight plate 130 may be formed of the same material as the lower floodlight plate 120, that is, a transparent material having good light transmittance and weldability. According to a preferred embodiment, the upper floodlight plate 130 may be formed of a glass material.

상부 투광 플레이트(130)는 측면 투광 플레이트들(140)의 상부에 배치되어, 상기 중공 영역(150)에 존재하는 QD 물질(110)을 커버할 수 있다. 하부 투광 플레이트(120)와 복수의 측면 투광 플레이트들(140)이 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)하여 QD 플레이트 조립체(100)를 형성할 수 있다. 이러한 레이저 글래스 용접(laser glass welding)을 통해, 하부 투광 플레이트(120)와 상부 투광 플레이트(130)와 측면 투광 플레이트들(140) 사이의 빈 공간(즉, 중공 영역, 150)에 QD 물질(110)을 밀봉할 수 있다.The upper floodlight plate 130 may be disposed on the side floodlight plates 140 to cover the QD material 110 existing in the hollow region 150. The QD plate assembly 100 may be formed by welding a region where the lower floodlight plate 120 and the plurality of side floodlight plates 140 meet each other with a femto laser beam. Through such laser glass welding, the QD material 110 may be formed in the empty space (ie, the hollow area 150) between the lower light transmitting plate 120, the upper light transmitting plate 130, and the side light transmitting plates 140. ) Can be sealed.

상부 투광 플레이트(130)는 복수의 측면 투광 플레이트들(140)의 상부와 만나는 접촉부와 상기 중공 영역(150)에 대응되는 평탄(Flat)부를 구비할 수 있다. The upper floodlight plate 130 may include a contact portion that meets an upper portion of the plurality of side floodlight plates 140 and a flat portion corresponding to the hollow region 150.

상부 투광 플레이트(130)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상부 투광 플레이트(130)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상부 투광 플레이트(130)는 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The overall shape of the upper floodlight plate 130 may be formed in a thin plate shape, but is not necessarily limited thereto. The top and bottom surfaces of the top floodlight plate 130 may be formed in a predetermined shape (eg, rectangular, square, circular, oval, etc.). The upper floodlight plate 130 may be formed to have a uniform thickness.

상부 투광 플레이트(130)는 하부 투광 플레이트(120)의 상면에 대응하도록 형성될 수 있다. 가령, 상부 투광 플레이트(130)는 하부 투광 플레이트(120)와 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. The upper floodlight plate 130 may be formed to correspond to the top surface of the lower floodlight plate 120. For example, the upper floodlight plate 130 may be formed to have the same shape and size as the lower floodlight plate 120.

상부 투광 플레이트(130)와 복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 높은 평탄도를 갖도록 형성되어, 레이저 용접으로 인한 접합율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 상부 투광 플레이트(130)의 접촉부와 복수의 측면 투광 플레이트들(140)의 상부는 1 마이크로미터(㎛) 이하의 평탄도를 가질 수 있다.The upper light transmitting plate 130 and the plurality of side light transmitting plates 140 may be formed to have high flatness, thereby improving the bonding rate due to laser welding. For example, the contact portion of the upper floodlight plate 130 and the top of the plurality of side floodlight plates 140 may have a flatness of 1 μm or less.

투광 플레이트 바디의 중공 영역(150)에 배치된 QD 물질(110)과 상부 투광 플레이트(130) 사이의 빈 공간은 진공 상태로 유지되거나 혹은 질소 가스(N2)로 채워질 수 있다.An empty space between the QD material 110 disposed in the hollow region 150 of the light transmitting plate body and the upper light transmitting plate 130 may be maintained in a vacuum state or filled with nitrogen gas (N 2 ).

이러한 QD 물질(110), 하부 투광 플레이트(120), 상부 투광 플레이트(130) 및 복수의 측면 투광 플레이트들(140)을 포함하는 QD 플레이트 조립체(100)는 LED 칩(미도시) 상에 배치되어, 상기 LED 칩에서 방사되는 빛의 파장을 효과적으로 변환할 수 있다. 또한, 상기 QD 플레이트 조립체(100)는 레이저 빔을 이용하여 투광 플레이트 바디의 중공 영역(150)에 QD 물질(110)을 실링함으로써, 외부의 환경 조건에 취약한 QD 물질을 안전하게 보호할 수 있다.A QD plate assembly 100 comprising such a QD material 110, a lower floodlight plate 120, an upper floodlight plate 130, and a plurality of side floodlight plates 140 is disposed on an LED chip (not shown). In addition, the wavelength of the light emitted from the LED chip can be effectively converted. In addition, the QD plate assembly 100 may seal the QD material 110 in the hollow region 150 of the light transmitting plate body by using a laser beam, thereby protecting the QD material vulnerable to external environmental conditions.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면이다.4A to 4E are views illustrating a method of manufacturing a QD plate assembly according to an embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일정한 크기 및 두께를 갖는 하부 투광 플레이트(또는 제1 글래스 플레이트, 410)를 생성하거나 마련할 수 있다. 상기 하부 투광 플레이트(410)는 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.4A and 4B, a lower floodlight plate (or first glass plate 410) having a predetermined size and thickness may be generated or provided. The lower floodlight plate 410 may be configured in a plate shape having a predetermined shape (eg, rectangular or square).

하부 투광 플레이트(410)의 상면에 복수의 중공 영역들(420)과 상기 복수의 중공 영역들(420)의 외곽에 위치하는(또는 상기 복수의 중공 영역들을 둘러싸는) 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 형성할 수 있다. 일 실시 예로, 하부 투광 플레이트(410)의 상면을 그라인더(grinder)로 깎아서 복수의 중공 영역들(420)과 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 형성할 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 하부 투광 플레이트(410)의 상면을 에칭 용액 및 마스크(mask)로 식각하여 복수의 중공 영역들(420)과 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 형성할 수 있다.A plurality of side light-transmitting plates (or surrounding the plurality of hollow areas) located on the upper surface of the lower light-transmitting plate 410 and outside the plurality of hollow areas 420 and the plurality of hollow areas 420 ( 413 may be formed. In an embodiment, the upper surface of the lower floodlight plate 410 may be shaved with a grinder to form a plurality of hollow regions 420 and a plurality of side floodlight plates 413. In another embodiment, the upper surface of the lower light transmitting plate 410 may be etched with an etching solution and a mask to form the plurality of hollow regions 420 and the plurality of side light transmitting plates 413.

트렌치 공정이 완료된 하부 투광 플레이트(410)는 복수의 중공 영역들(420)에 대응하는 평탄부(411)와 상기 평탄부(411)로부터 수직 방향으로 연장되는 복수의 측면 투광 플레이트들(413)로 구성될 수 있다.The lower transparent plate 410 having completed the trench process includes a flat portion 411 corresponding to the plurality of hollow regions 420 and a plurality of side transparent plates 413 extending in a vertical direction from the flat portion 411. Can be configured.

복수의 중공 영역들(420)은 하부 투광 플레이트(410)의 상면에 매트릭스 형태로 배열되도록 형성될 수 있다. 상기 복수의 중공 영역들(420)은 일정한 간격으로 배치되도록 형성될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 복수의 중공 영역들(420)은 하부 투광 플레이트(410)의 상면에 일렬로 배열되도록 형성될 수도 있다. The plurality of hollow regions 420 may be formed to be arranged in a matrix form on an upper surface of the lower floodlight plate 410. The plurality of hollow regions 420 may be formed to be disposed at regular intervals. Meanwhile, in another embodiment, the plurality of hollow regions 420 may be formed to be arranged in a line on the upper surface of the lower light transmitting plate 410.

각각의 중공 영역(420)은 서로 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로, 각각의 중공 영역(420)은 얇은 직육면체 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 중공 영역(420)은 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.Each hollow region 420 may be formed to have the same shape and size with each other. For example, each hollow region 420 may be formed in a thin rectangular parallelepiped shape. In addition, each hollow region 420 may be formed to have a uniform thickness.

도 4c를 참조하면, 트렌치 공정이 완료된 하부 투광 플레이트(410)를 챔버(chamber) 내부로 이동시킨 후, 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하여 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만들 수 있다.Referring to FIG. 4C, after moving the lower floodlight plate 410 having completed the trench process into the chamber, the inside of the chamber may be evacuated by discharging air inside the chamber to the outside.

이러한 진공 조건에서, 형광체 주입 장치(미도시)를 이용하여 QD 형광체(430)를 하부 투광 플레이트(410)의 상면에 형성된 복수의 중공 영역들(420)에 주입할 수 있다.Under such vacuum conditions, the QD phosphor 430 may be injected into the plurality of hollow regions 420 formed on the upper surface of the lower light transmitting plate 410 by using a phosphor injection device (not shown).

통상 QD 형광체(430)는 졸(sol) 상태이므로, 각 중공 영역(420)의 하부에서부터 상부 방향으로 채워지게 된다. 상기 QD 형광체(430)는 형광체 주입 장치를 통해 복수의 측면 투광 플레이트들(413)의 상면과 동일한 높이 혹은 그 보다 약간 낮은 높이까지 주입될 수 있다.In general, since the QD phosphor 430 is in a sol state, the QD phosphor 430 is filled from the bottom to the top of each hollow region 420. The QD phosphor 430 may be injected up to a height equal to or slightly lower than a top surface of the plurality of side floodlight plates 413 through a phosphor injection device.

QD 형광체(430)의 주입이 모두 완료되면, 챔버 내부의 온도를 미리 결정된 온도까지 상승시켜 복수의 중공 영역들(420)에 주입된 QD 형광체(430)를 단단하게 경화시킬 수 있다. 이에 따라, QD 형광체(430)는 중공 영역(420)의 형상에 대응한다.When the injection of the QD phosphor 430 is all completed, the temperature inside the chamber may be raised to a predetermined temperature to harden the QD phosphor 430 injected into the plurality of hollow regions 420. Accordingly, the QD phosphor 430 corresponds to the shape of the hollow region 420.

이후, 레이저 글래스 용접을 수행하기 위해, 세척 장치를 이용하여 QD 형광체(430)와 인접한 측면 투광 플레이트들(413)의 상면을 세척할 수 있다. 또한, 세척 장치를 이용하여 측면 투광 플레이트들(413)과 용접할 상부 투광 플레이트(또는 제2 글래스 플레이트, 440)를 세척할 수도 있다. Thereafter, in order to perform laser glass welding, the top surface of the side floodlight plates 413 adjacent to the QD phosphor 430 may be cleaned using a cleaning device. In addition, a cleaning device may be used to clean the upper floodlight plate (or the second glass plate 440) to be welded to the side floodlight plates 413.

도 4d를 참조하면, 일정한 모양 및 크기를 갖는 상부 투광 플레이트(440)를 생성하거나 마련할 수 있다. 마찬가지로, 상기 상부 투광 플레이트(440)는 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4D, an upper floodlight plate 440 having a predetermined shape and size may be generated or provided. Similarly, the upper floodlight plate 440 may be configured in a plate shape having a predetermined shape (eg, rectangular or square).

상부 투광 플레이트(440)는 복수의 측면 투광 플레이트들(413)의 상부에 배치되어, 복수의 중공 영역들(420)에 존재하는 QD 형광체(430)를 커버할 수 있다. 이와 같이 적층된 하부 및 상부 투광 플레이트들(410, 440)을 투광 플레이트 조립체라 지칭하도록 한다.The upper floodlight plate 440 may be disposed on the plurality of side floodlight plates 413 to cover the QD phosphor 430 existing in the plurality of hollow regions 420. The lower and upper floodlight plates 410 and 440 thus stacked will be referred to as a floodlight plate assembly.

상부 투광 플레이트(440)와 복수의 측면 투광 플레이트들(413)은 높은 평탄도를 갖도록 형성되어, 레이저 용접으로 인한 접합율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 복수의 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440)의 평탄도는 1 마이크로미터(㎛) 이하를 가질 수 있다.The upper light transmitting plate 440 and the plurality of side light transmitting plates 413 may be formed to have high flatness, thereby improving the bonding rate due to laser welding. For example, the flatness of the plurality of side floodlight plates 413 and the top floodlight plate 440 may have a thickness of 1 micrometer (μm) or less.

하부 및 상부 투광 플레이트들(410, 440)이 적층된 상태에서, 레이저 장치(450)를 이용하여 미리 결정된 파장을 갖는 펨토 레이저 빔(femto laser beam)을 상부 투광 플레이트(440)의 상면에 수직한 방향으로 조사할 수 있다. 이때, 상기 미리 결정된 파장은 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 포함할 수 있으며, 좀 더 바람직하게는 1030㎚ 내지 1060㎚의 파장을 포함할 수 있다.With the lower and upper floodlight plates 410 and 440 stacked, a femto laser beam having a predetermined wavelength is perpendicular to the upper surface of the upper floodlight plate 440 using the laser device 450. Can be irradiated in a direction. At this time, the predetermined wavelength may include a wavelength of 1000nm to 1100nm, more preferably may include a wavelength of 1030nm to 1060nm.

레이저 장치(450)는 복수의 측면 투광 플레이트들(413)의 상면과 상부 투광 플레이트(440)의 하면이 서로 만나는 영역(즉, 도면에 도시된 점선 영역, 460)을 따라 펨토 레이저 빔을 조사할 수 있다. 상기 펨토 레이저 빔이 조사된 글래스 영역은 고온(가령, 2000℃ 내지 3000℃)으로 용융되어, 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440)를 접합시킨다. 본 발명에 따른 레이저 글래스 용접은 10-3g/㎡/day 미만의 투습도(즉, 단위면적당 습기가 침투할 수 있는 정도, Water Vapor Transmission Rate)를 유지함으로써, 상기 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440) 사이로 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. The laser device 450 irradiates the femto laser beam along an area where the upper surface of the plurality of side light emitting plates 413 and the lower surface of the upper light transmitting plate 440 meet each other (ie, a dotted line area 460 shown in the drawing). Can be. The glass region irradiated with the femto laser beam is melted at a high temperature (eg, 2000 ° C. to 3000 ° C.) to bond the side floodlight plates 413 and the upper floodlight plate 440. The laser glass welding according to the present invention maintains a water vapor transmission rate of less than 10 −3 g / m 2 / day (ie, moisture permeation rate per unit area, water vapor transmission rate), and thus, Moisture may be prevented from penetrating between the upper floodlight plates 440.

이러한 레이저 글래스 용접을 통해, 하부 투광 플레이트(410)와 상부 투광 플레이트(440) 사이에 존재하는 복수의 중공 영역들(420) 속에 QD 형광체(430)를 완벽하게 밀봉(sealing)할 수 있게 된다.Through the laser glass welding, the QD phosphor 430 may be completely sealed in the plurality of hollow regions 420 existing between the lower light transmitting plate 410 and the upper light transmitting plate 440.

도 4e를 참조하면, 레이저 글래스 용접 완료 시, 컷팅 장치(미도시)를 이용하여 각 중공 영역들(420) 사이의 중간 지점(즉, 도면에 도시된 점선 영역, 470)을 따라 상부 투광 플레이트(440)의 상면에 수직한 방향으로 자를 수 있다. 즉, 컷팅 장치를 이용하여 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 수직 방향으로 자를 수 있다. 이러한 단위 플레이트 영역에 따른 컷팅 공정을 통해 복수의 QD 플레이트 조립체(100)를 제작할 수 있다. 상기 컷팅 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 분리시키는 브레이킹 공정, 각 중공 영역들 사이에 레이저를 조사하여 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으며 반드시 이에 한정되지는 않는다.Referring to FIG. 4E, upon completion of laser glass welding, the upper floodlight plate 470 is formed along an intermediate point (ie, a dotted line area 470 shown in the drawing) between the hollow areas 420 using a cutting device (not shown). It may be cut in a direction perpendicular to the upper surface of the 440. That is, the plurality of side floodlight plates 413 may be cut in the vertical direction by using the cutting device. Through the cutting process according to the unit plate area, a plurality of QD plate assemblies 100 may be manufactured. The cutting process may include, for example, a braking process of separating physical force by using a blade, a laser scribing process of irradiating and separating a laser between each hollow region, and using wet etching or dry etching. It may include an etching process to separate, but is not necessarily limited thereto.

이상, 상술한 과정들을 통해 생성된 QD 플레이트 조립체(100)는, 일체로 형성된 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 QD 형광체를 실링함으로써, 외부의 환경 조건에 취약한 QD 형광체를 안전하게 보호할 수 있다. 또한, 종래의 경우에는 QD 시트(sheet) 형식으로 대면적을 사용하였지만, 본 발명에 따른 QD 플레이트 조립체는 패키지화를 적용하여 국소 영역에 적용 가능하다. 이에 따라, 고 비용의 QD 시트 대신, 패키지 형태의 저 비용 QD 플레이트 조립체를 구현할 수 있다.As described above, the QD plate assembly 100 generated through the above-described processes may safely protect the QD phosphor vulnerable to external environmental conditions by sealing the QD phosphor in the hollow region of the transparent plate body integrally formed. In addition, in the conventional case, a large area was used in the form of a QD sheet, but the QD plate assembly according to the present invention is applicable to a local area by applying a packaging. Thus, a low cost QD plate assembly in the form of a package can be implemented instead of a high cost QD sheet.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 칩의 단면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 칩의 제조방법을 설명하는 도면이다.5 is a cross-sectional view of the LED chip according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a view for explaining a manufacturing method of the LED chip according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 칩(500)은 기판(510), 상기 기판(510) 상에 발광 구조물(550), 상기 발광 구조물(550) 상에 제1 전극(560) 및 제2 전극(570)을 포함할 수 있다.5 and 6, an LED chip 500 according to an embodiment of the present invention may include a substrate 510, a light emitting structure 550 on the substrate 510, and a light emitting structure 550 on the light emitting structure 550. The first electrode 560 and the second electrode 570 may be included.

기판(또는 성장 기판, 510)은 투광성을 갖는 재질, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), 단 결정 기판, SiC, GaAs, GaN, ZnO, AlN, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate (or growth substrate) 510 may be formed of at least one of a light transmitting material, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), a single crystal substrate, SiC, GaAs, GaN, ZnO, AlN, Si, GaP, InP, and Ge. It may be formed, but not limited thereto.

기판(510) 상에 제1 도전형 반도체층(520), 활성층(530) 및 제2 도전형 반도체층(540)을 순차적으로 성장하여 발광 구조물(550)을 형성할 수 있다.The light emitting structure 550 may be formed by sequentially growing the first conductive semiconductor layer 520, the active layer 530, and the second conductive semiconductor layer 540 on the substrate 510.

발광 구조물(550)은 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체, 예를 들어, AlInGaN, GaAs, GaAsP, GaP 계열의 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있으며, 제1, 2 도전형 반도체층(520, 540)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 활성층(530)에서 재결합(Recombination) 됨으로써 빛을 생성할 수 있다. 이러한 발광 구조물(550)은 화합물 반도체의 조성비에 따라 서로 다른 파장의 광을 방사할 수 있다.The light emitting structure 550 may be formed of a group III-V compound semiconductor, for example, AlInGaN, GaAs, GaAsP, or GaP-based compound semiconductor material, and may be formed from the first and second conductivity type semiconductor layers 520 and 540. The provided electrons and holes may be recombined in the active layer 530 to generate light. The light emitting structure 550 may emit light having different wavelengths according to the composition ratio of the compound semiconductor.

제1 도전형 반도체층(520)은 n형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(520)은 InxAlyGa1-x-yN (0=x≤1, 0=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 이러한 제1 도전형 반도체층(520)은 트리메틸 갈륨(TMGa) 가스, 암모니아(NH3) 가스, 사일렌(SiH4) 가스를 수소 가스와 함께 챔버(chamber)에 주입하여 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 520 may include a compound semiconductor of a group III-V element doped with an n-type dopant. The first conductive semiconductor layer 520 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 = x ≦ 1, 0 = y ≦ = 1, 0 ≦ = x + y ≦ = 1). For example, it may be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN, and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, or the like may be doped. The first conductivity type semiconductor layer 520 may be formed by injecting trimethyl gallium (TMGa) gas, ammonia (NH 3 ) gas, and xylene (SiH 4 ) gas together with hydrogen gas into a chamber.

활성층(530)은 제1 도전형 반도체층(520)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(540)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층(530)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층(530)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 활성층(530)이 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(530)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 교대로 적층되어 형성될 수 있다.In the active layer 530, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 520 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 540 meet each other, and thus, the active layer 530 is formed. The layer emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material forming a. The active layer 530 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure, but is not limited thereto. When the active layer 530 has a multi-quantum well structure, the active layer 530 may be formed by alternately stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers.

활성층(530)은 InxAlyGa1-x-yN (0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 이러한 활성층(530)은 트리메틸 갈륨(TMGa) 가스, 트리메틸 인듐(TMIn) 가스, 암모니아(NH3) 가스를 수소 가스와 함께 챔버에 주입하여 형성될 수 있다.The active layer 530 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 = x ≦ = 1, 0 ≦ = y ≦ = 1, 0 ≦ = x + y ≦ = 1). have. The active layer 530 may be formed by injecting trimethyl gallium (TMGa) gas, trimethyl indium (TMIn) gas, and ammonia (NH 3 ) gas together with hydrogen gas into the chamber.

제2 도전형 반도체층(540)은 p형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(540)은 InxAlyGa1-x-yN (0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 이러한 제2 도전형 반도체층(540)은 트리메틸 갈륨(TMGa) 가스, 암모니아(NH3) 가스, 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2} 가스를 수소 가스와 함께 챔버에 주입하여 형성될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 540 may include a compound semiconductor of a group III-V element doped with a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 540 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 = x ≦ = 1, 0 ≦ = y ≦ = 1, 0 ≦ x + y = 1). For example, it may be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN, and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped. The second conductive semiconductor layer 540 includes trimethyl gallium (TMGa) gas, ammonia (NH 3 ) gas, bicetyl cyclopentadienyl magnesium (EtCp 2 Mg) {Mg (C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 } Can be formed by injecting the gas with the hydrogen gas into the chamber.

발광 구조물(550)을 단위 칩 영역에 따라 아이솔레이션 에칭(isolation etching)을 수행하여 복수 개의 발광 소자들(즉, LED 칩)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션 에칭은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각 방법에 의해 실시될 수 있다. 이러한 아이솔레이션 에칭을 통해 제1 도전형 반도체층(520)의 일 상면이 노출된다.A plurality of light emitting devices (ie, LED chips) may be formed by performing isolation etching on the light emitting structure 550 according to the unit chip area. For example, the isolation etching may be performed by a dry etching method such as inductively coupled plasma (ICP). One top surface of the first conductivity-type semiconductor layer 520 is exposed through the isolation etching.

제2 도전형 반도체층(530)의 일 상면에 제2 도전형 메탈층(즉, p 전극, 570)을 형성할 수 있고, 메사 식각된 제1 도전형 반도체층(520)의 일 상면에 제1 도전형 메탈층(즉, n 전극, 560)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 도전형 메탈층(560, 570)은 증착 공정 또는 도금 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 메탈층(560, 570)은 LED 칩(500)으로 전원을 제공한다.A second conductive metal layer (ie, a p electrode, 570) may be formed on one top surface of the second conductive semiconductor layer 530, and may be formed on one top surface of the mesa-etched first conductive semiconductor layer 520. A single conductive metal layer (ie, an n electrode 560) may be formed. In this case, the first and second conductive metal layers 560 and 570 may be formed by a deposition process or a plating process. The first and second conductive metal layers 560 and 570 provide power to the LED chip 500.

한편, 도면에 도시되고 있지 않지만, 발광 구조물(550), 제1 도전형 메탈층(560) 및 제2 도전형 메탈층(570) 상에 패시베이션층을 형성하고, 상기 제1 및 제2 도전형 메탈층(560, 570)의 일 상면이 외부로 노출되도록 상기 패시베이션층을 선택적으로 제거할 수 있다. 이러한 패시베이션층은 발광 구조물(550)을 전기적으로 보호하기 위하여 배치될 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등과 같은 물질로 형성될 수 있다. Although not shown in the drawings, a passivation layer is formed on the light emitting structure 550, the first conductivity type metal layer 560, and the second conductivity type metal layer 570, and the first and second conductivity types are formed. The passivation layer may be selectively removed to expose one upper surface of the metal layers 560 and 570 to the outside. The passivation layer may be disposed to electrically protect the light emitting structure 550, and may be formed of, for example, a material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3, or the like. Can be.

또한, 도면에 도시되고 있지 않지만, 실시 형태에 따라, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 방법 또는 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off) 방법을 이용하여 기판(또는 성장 기판, 510)을 제거할 수도 있다.In addition, although not shown in the drawings, the substrate (or the growth substrate 510) may be removed using a laser lift off method or a chemical lift off method, depending on the embodiment.

이와 같이 형성된 발광 구조물(550)을 칩 분리 공정을 통해 단위 칩 영역으로 분리하면 복수 개의 LED 칩을 제작할 수 있다. 상기 칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 칩을 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the light emitting structure 550 formed as described above is separated into a unit chip region through a chip separation process, a plurality of LED chips may be manufactured. The chip separation process may include, for example, a breaking process of separating a chip by applying a physical force using a blade, a laser scribing process of separating a chip by irradiating a laser to a chip boundary, a wet etching or a dry etching. It may include an etching process for separating the chip using, but is not limited thereto.

도 7a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지의 사시도이고, 도 7b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도이다.7A is a perspective view of an LED package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the LED package according to an embodiment of the present invention.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지(700)는 LED 칩(710), QD 플레이트 조립체(720), 상기 LED 칩(710)과 QD 플레이트 조립체(720) 사이의 접착층(730), 상기 LED 칩(710) 및 QD 플레이트 조립체(720)를 둘러싸는 반사 부재(740)를 포함할 수 있다. 7A and 7B, an LED package 700 according to an embodiment of the present invention may include an LED chip 710, a QD plate assembly 720, and the LED chip 710 and the QD plate assembly 720. The adhesive layer 730, the LED chip 710, and the reflective member 740 surrounding the QD plate assembly 720 may be included.

LED 칩(710)은 기판, 상기 기판 아래의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래의 제2 도전형 메탈층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 제1 도전형 메탈층을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩(710)은 도 5의 LED 칩(500)을 상/하 반전한 플립칩 타입의 발광 소자이다.The LED chip 710 may include a substrate, a first conductive semiconductor layer under the substrate, an active layer under the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer under the active layer, and a second conductive semiconductor layer under the substrate. The second conductive metal layer may include a first conductive metal layer under the first conductive semiconductor layer. The LED chip 710 is a flip chip type light emitting device inverting up and down the LED chip 500 of FIG. 5.

LED 칩(710)은 화합물 반도체의 조성비에 따라 서로 다른 파장의 광을 방사할 수 있다. 즉, LED 칩(710)은 적색, 녹색, 청색 등의 빛을 방출하는 유색 LED 칩, 백색 빛을 방출하는 백색 LED 칩 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하, 본 실시 예에서, 상기 LED 칩(710)은 청색 파장의 광을 방사하는 발광 소자임을 예시하여 설명하도록 한다.The LED chip 710 may emit light having different wavelengths according to the composition ratio of the compound semiconductor. That is, the LED chip 710 may include at least one of colored LED chips emitting red, green, and blue light, white LED chips emitting white light, or UV (Ultra Violet) LED chips emitting ultraviolet light. have. Hereinafter, in the present embodiment, the LED chip 710 will be described by illustrating that it is a light emitting device that emits light having a blue wavelength.

QD 플레이트 조립체(720)는 LED 칩(710) 상에 배치되어, 상기 LED 칩(710)에서 방사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다. 일 예로, 상기 QD 플레이트 조립체(720)는 LED 칩(710)에서 방사되는 청색 파장의 광을 백색 파장의 광으로 변환할 수 있다.The QD plate assembly 720 may be disposed on the LED chip 710 to convert wavelengths of light emitted from the LED chip 710. For example, the QD plate assembly 720 may convert the light of the blue wavelength emitted from the LED chip 710 into the light of the white wavelength.

QD 플레이트 조립체(720)는 QD 형광체, 상기 QD 형광체를 수용하는 하부 투광 플레이트, 상기 QD 형광체 및 하부 투광 플레이트를 커버하는 상부 투광 플레이트를 포함할 수 있다. 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트가 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)하여, 상기 상부 투광 플레이트 및 하부 투광 플레이트 속에 QD 형광체를 실링할 수 있다.The QD plate assembly 720 may include a QD phosphor, a bottom floodlight plate containing the QD phosphor, and a top floodlight plate covering the QD phosphor and the bottom floodlight plate. The area where the lower light transmitting plate and the upper light transmitting plate meet each other may be welded with a femto laser beam to seal the QD phosphor in the upper light transmitting plate and the lower light transmitting plate.

접착층(또는 접착 시트, 730)은 LED 칩(710)과 QD 플레이트 조립체(720) 사이에 배치되어, 상기 LED 칩(710)과 QD 플레이트 조립체(720)를 접착시킬 수 있다. 상기 접착층(730)은 LED 칩(710)의 상면에 전체적으로 도포될 수 있다. 또한, 상기 접착층(730)은 LED 칩(710)에서 방사한 빛이 쉽게 투과할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다.An adhesive layer (or adhesive sheet 730) may be disposed between the LED chip 710 and the QD plate assembly 720 to bond the LED chip 710 to the QD plate assembly 720. The adhesive layer 730 may be coated on the entire surface of the LED chip 710. In addition, the adhesive layer 730 may be formed of a transparent material so that the light emitted from the LED chip 710 can be easily transmitted.

접착층(730)은 배리어(barrier) 금속 또는 본딩(bonding) 금속을 포함한다. 예를 들어, 상기 접착층(730)은 Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si, Al-Si, Ag-Cd, Au-Sb, Al-Zn, Al-Mg, Al-Ge, Pd-Pb, Ag-Sb, Au-In, Al-Cu- Si, Ag-Cd-Cu, Cu-Sb, Cd-Cu, Al-Si-Cu, Ag-Cu, Ag-Zn, Ag-Cu-Zn, Ag-Cd-Cu-Zn, Au-Si, Au-Ge, Au-Ni, Au-Cu, Au-Ag-Cu, Cu-Cu2O, Cu-Zn, Cu-P, Ni-P, Ni-Mn-Pd, Ni-P, Pd-Ni 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 층으로 형성될 수도 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 접착층(730)은 실리콘 재질로 형성될 수 있다. The adhesive layer 730 includes a barrier metal or a bonding metal. For example, the adhesive layer 730 may be Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si, Al-Si, Ag-Cd, Au- Sb, Al-Zn, Al-Mg, Al-Ge, Pd-Pb, Ag-Sb, Au-In, Al-Cu- Si, Ag-Cd-Cu, Cu-Sb, Cd-Cu, Al-Si- Cu, Ag-Cu, Ag-Zn, Ag-Cu-Zn, Ag-Cd-Cu-Zn, Au-Si, Au-Ge, Au-Ni, Au-Cu, Au-Ag-Cu, Cu-Cu2O, Cu-Zn, Cu-P, Ni-P, Ni-Mn-Pd, Ni-P, Pd-Ni may be formed of a layer containing any one or two or more. In a preferred embodiment, the adhesive layer 730 may be formed of a silicon material.

반사 부재(740)는 LED 칩(710) 및 QD 플레이트 조립체(720)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 반사 부재(740)는 외부 환경 및/또는 외부 충격 등으로부터 LED 칩(710) 및 QD 플레이트 조립체(720)를 보호할 수 있다. 또한, 반사 부재(740)는 LED 칩(710)에서 방사되는 빛을 특정 방향(가령, 상부 방향)으로 반사시킬 수 있다.The reflective member 740 may be formed to surround the LED chip 710 and the QD plate assembly 720. The reflective member 740 may protect the LED chip 710 and the QD plate assembly 720 from an external environment and / or an external shock or the like. In addition, the reflective member 740 may reflect light emitted from the LED chip 710 in a specific direction (eg, an upper direction).

반사 부재(740)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드 9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 반사 부재(740)는 실리콘(Silicon) 재질로 형성될 수 있다.The reflective member 740 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , photosensitive glass (PSG), poly It may be formed of at least one of amide 9T (PA9T), syndiotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO). In a preferred embodiment, the reflective member 740 may be formed of silicon material.

이러한 LED 패키지(700)는 LED 칩(710) 상에 QD 플레이트 조립체(720)를 배치하여 고색재현성을 구현할 수 있다. 또한, 상기 LED 패키지(700)는 칩 사이즈 패키지 타입(chip size package type)으로 제작함에 따라 패키지 공정을 단순화시킬 수 있다. The LED package 700 may implement a high color reproducibility by placing the QD plate assembly 720 on the LED chip 710. In addition, the LED package 700 may be manufactured in a chip size package type to simplify the packaging process.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 설명하는 도면이다.8A to 8D are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8d를 참조하면, 지그(jig) 내부에 복수 개의 QD 플레이트 조립체(810)를 일렬 또는 매트릭스 형태로 배열할 수 있다. 각각의 QD 플레이트 조립체(810)는 서로 일정 거리만큼 이격되도록 배치될 수 있다.8A to 8D, a plurality of QD plate assemblies 810 may be arranged in a line or matrix form in a jig. Each QD plate assembly 810 may be arranged to be spaced apart from each other by a distance.

각 QD 플레이트 조립체(810)의 상면에는 접착층(또는 접착 시트, 820)을 도포할 수 있다. 상기 접착층(820)이 도포된 QD 플레이트 조립체(810) 상에는 LED 칩(830)을 배치할 수 있다. 일정한 온도 조건 하에서 접착층(820)을 경화시켜, 각각의 LED 칩(830)과 이에 대응하는 각각의 QD 플레이트 조립체(810)를 접착시킬 수 있다.An adhesive layer (or adhesive sheet) 820 may be applied to the top surface of each QD plate assembly 810. The LED chip 830 may be disposed on the QD plate assembly 810 to which the adhesive layer 820 is applied. The adhesive layer 820 may be cured under constant temperature conditions to bond each LED chip 830 and a corresponding QD plate assembly 810 corresponding thereto.

상기 접착층(820)으로 실리콘(Si) 재질이 사용되는 경우, 저온의 실리콘을 각각의 QD 플레이트 조립체(810) 상에 도포하고, 그 위에 각각의 LED 칩(830)을 배치하며, 해당 실리콘을 일정 온도 조건(가령, 150도 이하의 온도 조건) 하에서 경화시켜 각 QD 플레이트 조립체(810)와 각 LED 칩(830)을 접착시킬 수 있다.When a silicon (Si) material is used as the adhesive layer 820, low temperature silicon is applied onto each QD plate assembly 810, and each LED chip 830 is disposed thereon, and the silicon is fixed. Each QD plate assembly 810 and each LED chip 830 may be adhered by curing under temperature conditions (eg, 150 ° C. or less).

이후, 실리콘 주입 장치를 이용하여 복수의 QD 플레이트 조립체(810)와 복수의 LED 칩(830)을 둘러싸도록 반사 부재(840)를 충진할 수 있다. 상기 반사 부재(840)는, 각 LED 칩(830)의 제1 및 제2 도전형 메탈층만이 외부로 노출되도록, 각 LED 칩(830)의 최 상단까지 채워질 수 있다. 일정한 온도 조건(가령, 100도 이하의 조건) 하에서 일정 시간이 경과하면, 상기 반사 부재(840)는 단단하게 경화된다.Thereafter, the reflective member 840 may be filled to surround the plurality of QD plate assemblies 810 and the plurality of LED chips 830 by using a silicon implantation device. The reflective member 840 may be filled up to the top of each LED chip 830 such that only the first and second conductivity-type metal layers of each LED chip 830 are exposed to the outside. When a certain time elapses under a constant temperature condition (for example, a condition of 100 degrees or less), the reflective member 840 is hardened.

이와 같이 형성된 발광 구조물을 패키지 분리 공정을 통해 단위 패키지 영역으로 분리하면, 복수 개의 LED 패키지(800)를 제작할 수 있다. 상기 패키지 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 칩을 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the light emitting structure formed as described above is separated into a unit package region through a package separation process, a plurality of LED packages 800 may be manufactured. The package separation process may include, for example, a breaking process of separating a chip by applying a physical force using a blade, a laser scribing process of separating a chip by irradiating a laser to a chip boundary, a wet etching or a dry etching process. It may include an etching process for separating the chip using, but is not limited thereto.

패키지 분리 공정을 통해 분리된 복수의 LED 패키지들(800)은, LED 칩(830)이 하부 방향에 위치하고 QD 플레이트 조립체(810)가 상부 방향에 위치하도록, 상/하 반전하여 사용할 수 있다.The plurality of LED packages 800 separated through the package separation process may be inverted up and down so that the LED chip 830 is positioned downward and the QD plate assembly 810 is positioned upward.

도 9a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈의 사시도이고, 도 9b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈의 단면도이다.9A is a perspective view of an LED module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a cross-sectional view of the LED module according to an embodiment of the present invention.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈(900)은 회로기판(910), 상기 회로기판(910)에 표면 실장되는 하나 이상의 LED 칩(920), 각각의 LED 칩(920) 상의 QD 플레이트 조립체(930), 상기 LED 칩(920) 및 QD 플레이트 조립체(930)를 둘러싸는 반사 부재(940)를 포함할 수 있다.9A and 9B, an LED module 900 according to an embodiment of the present invention may include a circuit board 910, one or more LED chips 920 surface-mounted on the circuit board 910, and respective LEDs. It may include a QD plate assembly 930 on the chip 920, a reflective member 940 surrounding the LED chip 920 and the QD plate assembly 930.

회로기판(910)은 각각의 LED 칩(920)으로 전원을 공급하기 위한 회로 패턴을 포함할 수 있다. 일 예로, 회로기판(910)은 각 LED 칩(920)의 제1 도전형 메탈층과 접촉하기 위한 제1 패드들(미도시)과 각 LED 칩(920)의 제2 도전형 메탈층과 접촉하기 위한 제2 패드들(미도시)을 포함할 수 있다. The circuit board 910 may include a circuit pattern for supplying power to each LED chip 920. For example, the circuit board 910 is in contact with first pads (not shown) for contacting the first conductive metal layer of each LED chip 920 and with the second conductive metal layer of each LED chip 920. It may include second pads (not shown) for.

회로기판(910)은 LED 모듈(900)의 기능 및 용도 등에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 회로기판(910)으로는 PCB(Printed Circuit Board) 기판, FPCB(Flexible Printed Circuit Board) 기판 등이 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The circuit board 910 may be formed in various shapes according to the function and use of the LED module 900. As the circuit board 910, a printed circuit board (PCB) substrate, a flexible printed circuit board (FPCB) substrate, or the like may be used, but is not necessarily limited thereto.

LED 칩(920)은 기판(또는 성장 기판), 상기 기판 아래의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래의 제2 도전형 메탈층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 제1 도전형 메탈층을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩(920)은 도 5의 LED 칩(500)을 상/하 반전한 플립칩 타입의 발광 소자이다.The LED chip 920 may include a substrate (or a growth substrate), a first conductive semiconductor layer under the substrate, an active layer under the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer under the active layer, and the second conductive layer. The second conductive metal layer under the semiconductor layer and the first conductive metal layer under the first conductive semiconductor layer may be included. The LED chip 920 is a flip chip type light emitting device in which the LED chip 500 of FIG. 5 is inverted up and down.

회로기판(910)의 제1 및 제2 패드들과 각 LED 칩(920)의 제1 및 제2 도전형 메탈층 사이에 범프들(915, bumps)을 배치한 후 플립 칩 본딩(flip chip bonding)함으로써, 회로기판(910) 상에 복수의 LED 칩들(920)을 표면 실장할 수 있다.After the bumps 915 are disposed between the first and second pads of the circuit board 910 and the first and second conductive metal layers of the LED chip 920, flip chip bonding is performed. ), The plurality of LED chips 920 may be surface mounted on the circuit board 910.

QD 플레이트 조립체(930)는 각 LED 칩(920) 상에 배치되어, 상기 LED 칩(920)에서 방사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다. 상기 QD 플레이트 조립체(930)는 QD 형광체, 상기 QD 형광체를 수용하는 하부 투광 플레이트, 상기 QD 형광체 및 하부 투광 플레이트를 커버하는 상부 투광 플레이트로 구성될 수 있다. The QD plate assembly 930 may be disposed on each LED chip 920 to convert wavelengths of light emitted from the LED chip 920. The QD plate assembly 930 may be composed of a QD phosphor, a lower floodlight plate containing the QD phosphor, and an upper floodlight plate covering the QD phosphor and the lower floodlight plate.

접착층(또는 접착 시트, 925)은 각각의 LED 칩(920)과 각각의 QD 플레이트 조립체(930) 사이에 배치되어, 상기 LED 칩(920)과 QD 플레이트 조립체(930)를 접착시킬 수 있다. 상기 접착층(925)은 각 LED 칩(920)의 상면에 전체적으로 도포될 수 있다.An adhesive layer (or adhesive sheet 925) may be disposed between each LED chip 920 and each QD plate assembly 930 to bond the LED chip 920 to the QD plate assembly 930. The adhesive layer 925 may be applied to the entire upper surface of each LED chip 920.

반사 부재(940)는 복수의 LED 칩(920) 및 QD 플레이트 조립체(930)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(940)는 외부 환경 및/또는 외부 충격 등으로부터 복수의 LED 칩(920) 및 QD 플레이트 조립체(930)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 반사 부재(940)는 복수의 LED 칩(920)에서 방사되는 빛을 특정 방향(가령, 상부 방향)으로 반사시킬 수 있다.The reflective member 940 may be formed to surround the plurality of LED chips 920 and the QD plate assembly 930. The reflective member 940 may protect the plurality of LED chips 920 and the QD plate assembly 930 from an external environment and / or an external impact. In addition, the reflective member 940 may reflect light emitted from the plurality of LED chips 920 in a specific direction (eg, an upper direction).

반사 부재(940)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드 9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 반사 부재(940)는 실리콘(Silicon) 재질로 형성될 수 있다.The reflective member 940 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , photosensitive glass (PSG), poly It may be formed of at least one of amide 9T (PA9T), syndiotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO). In a preferred embodiment, the reflective member 940 may be formed of silicon material.

이러한 LED 모듈(900)은 회로기판 상에 복수의 LED 패키지를 배치하여 고색재현성을 구현할 수 있다. 또한, 상기 LED 모듈(900)은 회로기판 상에 복수의 LED 칩을 표면 실장한 다음, 각각의 LED 칩 위에 QD 플레이트 조립체를 접착시킴으로써, 상기 QD 플레이트 조립체에 포함된 QD 형광체가 상기 표면 실장 시 발생되는 고온에 노출되지 않도록 한다.The LED module 900 may implement a high color reproducibility by arranging a plurality of LED packages on a circuit board. In addition, the LED module 900 surface mounts a plurality of LED chips on a circuit board, and then adheres the QD plate assembly to each LED chip, whereby QD phosphors included in the QD plate assembly are generated when the surface is mounted. Avoid exposure to high temperatures.

도 10a 내지 도 10e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 설명하는 도면이다.10A to 10E illustrate a method of manufacturing an LED module according to an exemplary embodiment.

도 10a 및 도 10b를 참조하면, 복수의 LED 칩들을 표면 실장(Surface Mounting)하기 위한 제1 및 제2 패드들(1011, 1013)을 구비하는 회로기판(1010)을 생성하거나 마련할 수 있다. 여기서, 제1 패드들(1011)은 각 LED 칩의 제1 도전형 메탈층과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 패드들(1013)은 각 LED 칩의 제2 도전형 메탈층과 전기적으로 연결될 수 있다.10A and 10B, a circuit board 1010 including first and second pads 1011 and 1013 for surface mounting a plurality of LED chips may be generated or provided. Here, the first pads 1011 may be electrically connected to the first conductive metal layer of each LED chip, and the second pads 1013 may be electrically connected to the second conductive metal layer of each LED chip. have.

회로기판(1010)에 형성된 제1 및 제2 패드들(1011, 1013) 상에 복수의 범프(bump, 1020)를 배치한다. 그리고, 복수의 범프(1020)가 배치된 상태의 회로기판(1010)과 복수의 LED 칩들(1030)을 서로 마주보게 하여 상기 제1 및 제2 패드들(1011, 1013)과 상기 LED 칩들(1030)의 제1 및 제2 도전형 메탈층(1031, 1033)을 일대일 대응시켜 밀착시킨 후 가열한다. 그러면, 상기 복수의 범프들(1020)이 녹게 되고, 그에 따라 제1 및 제2 패드들(1011, 1013)과 그에 대응하는 제1 및 제2 도전형 메탈층(1031, 1033)이 전기적으로 연결되는 상태가 된다.A plurality of bumps 1020 are disposed on the first and second pads 1011 and 1013 formed on the circuit board 1010. The first and second pads 1011 and 1013 and the LED chips 1030 are disposed to face the circuit board 1010 and the plurality of LED chips 1030 in a state where a plurality of bumps 1020 are disposed. 1) and 2nd conductivity type metal layers 1031 and 1033 are contacted in one-to-one correspondence, and are heated. Then, the plurality of bumps 1020 are melted, so that the first and second pads 1011 and 1013 and the corresponding first and second conductive metal layers 1031 and 1033 are electrically connected to each other. It becomes the state to become.

도 10c 및 도 10d를 참조하면, SMT 공정 완료 시, 각각의 LED 칩(1030) 위에 접착층(1040)을 도포할 수 있다. 이때, 상기 접착층(1040)은 LED 칩(1030)의 기판에 전체적으로 도포될 수 있다.10C and 10D, when the SMT process is completed, an adhesive layer 1040 may be coated on each LED chip 1030. In this case, the adhesive layer 1040 may be entirely applied to the substrate of the LED chip 1030.

접착층(1040)이 도포된 복수의 LED 칩(1030) 상에 복수의 QD 플레이트 조립체(1050)를 배치할 수 있다. 일정한 온도 조건 하에서 접착층(1040)을 경화시켜, 각각의 LED 칩(1030)과 이에 대응하는 각각의 QD 플레이트 조립체(1050)를 접착시킬 수 있다.A plurality of QD plate assemblies 1050 may be disposed on the plurality of LED chips 1030 to which the adhesive layer 1040 is applied. The adhesive layer 1040 can be cured under constant temperature conditions to bond each LED chip 1030 and the corresponding QD plate assembly 1050 corresponding thereto.

상기 접착층(1040)으로 실리콘(Si) 재질이 사용되는 경우, 저온의 실리콘을 각각의 LED 칩(1030) 상에 도포하고, 그 위에 각각의 QD 플레이트 조립체(1050)를 배치하며, 해당 실리콘을 일정 온도 조건(가령, 150도 이하의 온도 조건) 하에서 경화시켜 각 LED 칩(1030)과 각 QD 플레이트 조립체(1050)를 접착시킬 수 있다.When a silicon (Si) material is used as the adhesive layer 1040, low temperature silicon is applied on each LED chip 1030, and each QD plate assembly 1050 is disposed thereon, and the silicon is fixed. Each LED chip 1030 and each QD plate assembly 1050 may be bonded by curing under temperature conditions (eg, a temperature condition of 150 degrees or less).

도 10e를 참조하면, 실리콘 주입 장치를 이용하여 복수의 QD 플레이트 조립체(1050)와 복수의 LED 칩(1030)을 둘러싸도록 반사 부재(1060)를 충진할 수 있다. 상기 반사 부재(1060)는 복수의 QD 플레이트 조립체(1050)의 상면까지 채워질 수 있다. 일정한 온도 조건(가령, 100도 이하의 조건) 하에서 일정 시간이 경과하면, 상기 반사 부재(1060)는 단단하게 경화된다.Referring to FIG. 10E, the reflective member 1060 may be filled to surround the plurality of QD plate assemblies 1050 and the plurality of LED chips 1030 using a silicon implantation device. The reflective member 1060 may be filled up to an upper surface of the plurality of QD plate assemblies 1050. When a certain time elapses under a constant temperature condition (for example, a condition of 100 degrees or less), the reflective member 1060 is hardened.

상술한 과정들을 통해 COB(Chip On Board) 타입의 LED 모듈(1000)을 구현할 수 있다. 상기 LED 모듈(1000)은 디스플레이용 백라이트 유닛 혹은 조명 유닛 등으로 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 LED 모듈(1000)은 복수의 LED 칩을 회로기판 상에 표면 실장한 다음, 각각의 LED 칩 위에 QD 플레이트 조립체를 접착시킴으로써, 상기 QD 플레이트 조립체에 포함된 QD 형광체가 상기 표면 실장 시 발생되는 고온에 노출되지 않도록 한다.Through the above-described processes, the LED module 1000 of the chip on board (COB) type may be implemented. The LED module 1000 may be used as a backlight unit or a lighting unit for a display. The LED module 1000 according to the present invention mounts a plurality of LED chips on a circuit board, and then attaches a QD plate assembly to each LED chip, so that the QD phosphor included in the QD plate assembly is mounted on the surface. Avoid exposure to elevated temperatures.

도 11a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 사시도이고, 도 11b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도이며, 도 11c는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도이다.11A is a perspective view of a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention, FIG. 11B is a cross-sectional view of a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11C is a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention. Is an exploded perspective view of the.

도 11a 내지 도 11c를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체(또는 QD 플레이트 조립체, 1100)는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질(1110), 상기 QD 물질(1110)을 수용하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다.11A to 11C, the quantum dot plate assembly (or QD plate assembly 1100) according to another embodiment of the present invention accommodates the QD material 1110 and the QD material 1110 for converting light wavelengths. It may include a light transmitting plate body.

투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(1120), 상기 하부 투광 플레이트(1120)의 상부에 형성되는 중공 영역(1150) 및 복수의 측면 투광 플레이트(1140), 상기 하부 투광 플레이트(1120) 상면에 대응하며 상기 복수의 측면 투광 플레이트(1140)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(1130), 상기 상부 투광 플레이트(1130)의 상면에 형성되는 방열 부재(1160)를 포함할 수 있다.The light transmitting plate body corresponds to a lower light transmitting plate 1120, a hollow region 1150 formed on the lower light transmitting plate 1120, a plurality of side light transmitting plates 1140, and an upper surface of the lower light transmitting plate 1120. It may include an upper light transmitting plate 1130 formed on the upper surface of the plurality of side light transmitting plate 1140, the heat radiation member 1160 formed on the upper surface of the upper light transmitting plate 1130.

본 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체(1100)의 QD 물질(1110), 하부 투광 플레이트(1120), 상부 투광 플레이트(1130), 복수의 측면 투광 플레이트(1140) 및 중공 영역(1150)은 상술한 도 1a 내지 도 1c에 도시된 QD 플레이트 조립체(100)의 QD 물질(110), 하부 투광 플레이트(120), 상부 투광 플레이트(130), 복수의 측면 투광 플레이트(140) 및 중공 영역(150)과 동일 또는 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다. 따라서, 이하에서는 상부 투광 플레이트(1130)의 상면에 형성되는 방열 부재(1160)에 대해 상세히 설명하도록 한다.The QD material 1110, the lower floodlight plate 1120, the upper floodlight plate 1130, the plurality of side floodlight plates 1140, and the hollow area 1150 of the QD plate assembly 1100 according to the present embodiment are described with reference to FIGS. Identical to the QD material 110, lower floodlight plate 120, upper floodlight plate 130, a plurality of side floodlight plates 140, and hollow regions 150 of the QD plate assembly 100 shown in FIGS. 1A-1C. Or similar, so detailed description thereof will be omitted. Therefore, hereinafter, the heat dissipation member 1160 formed on the upper surface of the upper light transmitting plate 1130 will be described in detail.

방열 부재(1160)는 상부 투광 플레이트(1130)의 상면에 배치되어, QD 플레이트 조립체(1100)에서 발생되는 열의 방출을 개선하여 해당 QD 플레이트 조립체(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The heat dissipation member 1160 may be disposed on an upper surface of the upper floodlight plate 1130 to improve the emission of heat generated from the QD plate assembly 1100, thereby improving reliability of the QD plate assembly 1100.

방열 부재(1160)는, 미리 결정된 반복 패턴 구조를 갖는 방열 패턴층(1161)과, 상기 방열 패턴층(1161)의 하면과 상부 투광 플레이트(1130)의 상면 사이의 빈 공간들에 해당하는 복수의 캐비티 영역(cavity area, 1163)들을 포함할 수 있다.The heat dissipation member 1160 may include a plurality of heat dissipation pattern layers 1161 having a predetermined repeating pattern structure, and a plurality of empty spaces between the bottom surface of the heat dissipation pattern layer 1161 and the top surface of the upper floodlight plate 1130. Cavity areas 1163 may be included.

방열 패턴층(또는 박막층, 1161)은 광 투과성 및 열 전도성이 우수한 금속 산화물로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 방열 패턴층(1161)은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The heat dissipation pattern layer (or the thin film layer 1161) may be formed of a metal oxide having excellent light transmittance and thermal conductivity. For example, the heat dissipation pattern layer 1161 may be formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), but is not necessarily limited thereto.

방열 패턴층(1161)은 미리 결정된 형상을 갖는 패턴이 주기적으로 반복되는 구조로 형성됨에 따라, QD 플레이트 조립체(1100)의 내부에서 발생되는 열의 방출 면적을 최대한 증가시킬 수 있다. 본 실시 예에서, 상기 미리 결정된 패턴의 형상은 육면체 형상일 수 있다. 한편, 도면에 도시되고 있지 않지만, 다른 실시 예로, 상기 미리 결정된 패턴의 형상은 피라미드 형상, 원뿔 형상, 반구 형상 및 다면체 형상 등과 같은 다양한 형상일 수 있다.Since the heat dissipation pattern layer 1161 is formed in a structure in which a pattern having a predetermined shape is periodically repeated, the heat dissipation pattern layer 1161 may increase the discharge area of heat generated inside the QD plate assembly 1100 to the maximum. In the present embodiment, the shape of the predetermined pattern may be a hexahedron shape. On the other hand, although not shown in the drawings, in another embodiment, the shape of the predetermined pattern may be a variety of shapes such as pyramid shape, cone shape, hemispherical shape and polyhedron shape.

방열 패턴층(1161)은 상부 투광 플레이트(1130)의 상면에 일정한 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 방열 패턴층(1161)은 하면과 상면 사이의 높이가 일정하도록(즉, 동일한 높이를 갖도록) 형성될 수 있다.The heat dissipation pattern layer 1161 may be formed to have a predetermined thickness on an upper surface of the upper floodlight plate 1130. In addition, the heat dissipation pattern layer 1161 may be formed such that the height between the lower surface and the upper surface is constant (that is, has the same height).

각각의 캐비티 영역(1163)은 서로 대칭되는 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 각각의 캐패비 영역(1163)은 서로 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 각각의 캐비티 영역(1163)에는 공기(air)가 존재하거나 혹은 진공 상태로 존재할 수 있다. Each cavity region 1163 may be formed to have a shape symmetrical with each other. That is, each cape region 1163 may be formed to have the same shape and size with each other. Each cavity region 1163 may also have air or a vacuum.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 QD 플레이트 조립체(1100)는 상부 투광 플레이트(1130)의 상면에 미리 결정된 반복 패턴을 갖는 금속 산화물 층과 상기 금속 산화물 층 하부에 형성된 복수의 캐비티 영역들을 포함하는 방열 부재(1160)를 배치함으로써, 상기 QD 플레이트 조립체(1100)에서 발생되는 열의 방출을 개선하여 해당 QD 플레이트 조립체(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, the QD plate assembly 1100 according to the present invention includes a metal oxide layer having a predetermined repeating pattern on an upper surface of the upper floodlight plate 1130 and a plurality of cavity regions formed under the metal oxide layer. By disposing the heat dissipation member 1160, it is possible to improve the release of heat generated in the QD plate assembly 1100, thereby improving the reliability of the QD plate assembly 1100.

도 12a 내지 도 12h는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면이다.12A to 12H are views illustrating a method of manufacturing a QD plate assembly according to another embodiment of the present invention.

도 12a를 참조하면, 일정한 크기 및 두께를 갖는 하부 투광 플레이트(또는 제1 글래스 플레이트, 1210)를 생성하거나 마련할 수 있다. 하부 투광 플레이트(1210)의 상부에 미리 결정된 트렌치 공정을 적용하여 복수의 중공 영역들(1220)과 상기 복수의 중공 영역들(1220)을 둘러싸는 복수의 측면 투광 플레이트들(1213)을 형성할 수 있다. 즉, 트렌치 공정이 완료된 하부 투광 플레이트(1210)는 복수의 중공 영역들(1220)에 대응하는 평탄부(1211)와 상기 평탄부(1211)로부터 수직 방향으로 연장되는 복수의 측면 투광 플레이트들(1213)로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 12A, a lower floodlight plate (or first glass plate) 1210 having a predetermined size and thickness may be generated or provided. A predetermined trench process may be applied to an upper portion of the lower floodlight plate 1210 to form a plurality of hollow regions 1220 and a plurality of side floodlight plates 1213 surrounding the plurality of hollow regions 1220. have. That is, the lower transparent plate 1210 having completed the trench process includes a flat portion 1211 corresponding to the plurality of hollow regions 1220 and a plurality of side transparent plates 1213 extending in a vertical direction from the flat portion 1211. It can be composed of).

이후, 하부 투광 플레이트(1210)를 챔버(chamber) 내부로 이동시킨 다음, 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하여 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만들 수 있다. 이러한 진공 조건에서, 형광체 주입 장치(미도시)를 이용하여 QD 형광체(1230)를 하부 투광 플레이트(1210)의 상면에 형성된 복수의 중공 영역들(1220)에 주입할 수 있다.Thereafter, the lower floodlight plate 1210 may be moved into the chamber, and then the air inside the chamber may be discharged to the outside to make the inside of the chamber into a vacuum state. In such a vacuum condition, the QD phosphor 1230 may be injected into the plurality of hollow regions 1220 formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate 1210 using a phosphor injection device (not shown).

도 12b 및 도 12c를 참조하면, 일정한 모양 및 크기를 갖는 상부 투광 플레이트(1240)를 생성하거나 마련할 수 있다. 이때, 상기 상부 투광 플레이트(1240)는 하부 투광 플레이트(1210)의 형상에 대응하는 판 형상으로 구성될 수 있다.12B and 12C, an upper floodlight plate 1240 having a predetermined shape and size may be generated or provided. In this case, the upper floodlight plate 1240 may have a plate shape corresponding to the shape of the lower floodlight plate 1210.

이후, 스핀 코팅(spin coating) 방식, 바 코팅(bar coating) 방식 또는 딥 코팅(deep coating) 방식 등을 이용하여 감광제(Photo Resistor, 1250)를 상부 투광 플레이트(1240)의 상면에 코팅할 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 코팅 공정 전에, 상부 투광 플레이트(1240)의 표면을 화학 처리(가령, HMDS (HexaMethylDiSilazane) 처리)하여 상부 투광 플레이트(1240)와 감광제(1250) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 코팅 공정 전에, 상부 투광 플레이트(1240)를 보호하기 위한 보호층(미도시)을 상부 투광 플레이트(1240)과 감광제(PR, 1250) 사이에 형성할 수 있다.Thereafter, the photoresist 1250 may be coated on the upper surface of the upper light transmitting plate 1240 by using a spin coating method, a bar coating method, or a deep coating method. . Meanwhile, in another embodiment, before the coating process, the surface of the upper floodlight plate 1240 may be chemically treated (eg, HMDS (HexaMethylDiSilazane)) to improve adhesion between the upper floodlight plate 1240 and the photosensitive agent 1250. . In addition, before the coating process, a protective layer (not shown) for protecting the upper light transmitting plate 1240 may be formed between the upper light transmitting plate 1240 and the photosensitive agent PR 1250.

상부 투광 플레이트(1240)의 상면에 형성된 감광제(1250) 위에 미리 결정된 패턴을 갖는 마스크(1260)을 정밀하게 정렬한 후 자외선 등을 조사하는 노광 공정을 수행할 수 있다.After exposing the mask 1260 having a predetermined pattern on the photoresist 1250 formed on the upper surface of the upper light transmitting plate 1240, the exposure process may be performed.

도 12d 및 도 12e를 참조하면, 노광 공정을 거친 감광제(1250)에 대해 현상 공정을 수행하여 상부 투광 플레이트(1240) 상에 복수의 구조물(1255)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 복수의 구조물들(1255)은 감광제(1250)로 형성될 수 있다. 12D and 12E, a plurality of structures 1255 may be formed on the upper light transmitting plate 1240 by performing a developing process on the photosensitive agent 1250 which has undergone the exposure process. In this case, the plurality of structures 1255 may be formed of the photosensitive agent 1250.

복수의 구조물들(1250)은 상부 투광 플레이트 상에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 또한, 상기 복수의 구조물들(1250)은 정육면체 또는 직육면체 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. The plurality of structures 1250 may be arranged in a matrix form on the upper floodlight plate. In addition, the plurality of structures 1250 may be formed in a cube or a cuboid shape, but is not necessarily limited thereto.

이후, 상부 투광 플레이트(1240) 및 복수의 구조물(1255) 상에 금속 물질, 좀 더 바람직하게는 알루미늄(Al) 물질을 증착할 수 있다. 이때, ALD(Atomic Layer Deposition) 장비를 이용한 원자층 증착 방법 또는 CVD(chemical vapor deposition) 장비를 이용한 화학기상증착 방법 등을 이용하여 알루미늄 물질을 상부 투광 플레이트(1240) 및 복수의 구조물(1255) 상에 증착할 수 있다. 이에 따라, 상부 투광 플레이트(1240) 및 복수의 구조물(1255)을 둘러싸는 알루미늄 층(1271)이 형성된다. Thereafter, a metal material, more preferably, an aluminum (Al) material may be deposited on the upper floodlight plate 1240 and the plurality of structures 1255. At this time, the aluminum material is deposited on the upper transparent plate 1240 and the plurality of structures 1255 by using an atomic layer deposition method using ALD (Atomic Layer Deposition) equipment or a chemical vapor deposition method using CVD (chemical vapor deposition) equipment. Can be deposited on. Accordingly, the aluminum layer 1271 surrounding the upper floodlight plate 1240 and the plurality of structures 1255 is formed.

도 12f 및 도 12g를 참조하면, 상부 투광 플레이트(1240) 및 복수의 구조물(1255) 상에 형성된 알루미늄 층(1271)에 대해 고온 산화 공정을 수행할 수 있다. 이에 따라, 알루미늄 층(1271) 내부에 존재하는 복수의 감광제들(1255)은 화학 반응을 통해 점점 사라지게 되고, 상기 알루미늄 층(1271)은 산소(O2)와 반응하여 산화 알루미늄(Al2O3) 층으로 변환된다.12F and 12G, a high temperature oxidation process may be performed on the upper floodlight plate 1240 and the aluminum layer 1271 formed on the plurality of structures 1255. Accordingly, the plurality of photoresists 1255 existing in the aluminum layer 1271 may gradually disappear through a chemical reaction, and the aluminum layer 1271 may react with oxygen (O 2 ) to produce aluminum oxide (Al 2 O 3). Converted into layers.

이러한 고온 산화 공정을 통해, 미리 결정된 패턴을 갖는 산화 알루미늄 층(1271)과 상기 산화 알루미늄 층(1271)의 하부에 형성된 복수의 캐비티 영역들(1273)을 포함하는 방열 부재(1270)를 상부 투광 플레이트(1240) 상에 형성할 수 있다.Through the high temperature oxidation process, the heat transmitting member 1270 including the aluminum oxide layer 1271 having a predetermined pattern and the plurality of cavity regions 1273 formed under the aluminum oxide layer 1271 is formed on the upper floodlight plate. 1240 may be formed.

도 12h를 참조하면, 방열 부재(1270)가 형성된 상부 투광 플레이트(1240)는 측면 투광 플레이트들(1213)의 상부에 배치되어, 복수의 중공 영역들(1220)에 존재하는 QD 형광체(430)를 커버할 수 있다. 이와 같이 적층된 하부 및 상부 투광 플레이트들(1210, 1240)을 투광 플레이트 조립체라 지칭하도록 한다.Referring to FIG. 12H, the upper floodlight plate 1240 having the heat dissipation member 1270 is disposed on the side floodlight plates 1213 to cover the QD phosphor 430 existing in the plurality of hollow regions 1220. You can cover it. The lower and upper floodlight plates 1210 and 1240 thus stacked are referred to as a floodlight plate assembly.

하부 및 상부 투광 플레이트들(1210, 1240)이 적층된 상태에서, 레이저 장치(1280)를 이용하여 미리 결정된 파장을 갖는 펨토 레이저 빔(femto laser beam)을 상부 투광 플레이트(1240)의 상면에 수직한 방향으로 조사할 수 있다. 이러한 레이저 글래스 용접을 통해, 하부 투광 플레이트(1210)와 상부 투광 플레이트(1240) 사이에 존재하는 복수의 중공 영역들(1220) 속에 QD 형광체(1230)를 완벽하게 밀봉(sealing)할 수 있게 된다.With the lower and upper floodlight plates 1210 and 1240 stacked, a femto laser beam having a predetermined wavelength is perpendicular to the upper surface of the upper floodlight plate 1240 using the laser device 1280. Can be irradiated in a direction. This laser glass welding allows the QD phosphor 1230 to be completely sealed in the plurality of hollow regions 1220 existing between the lower light transmitting plate 1210 and the upper light transmitting plate 1240.

레이저 글래스 용접 완료 시, 컷팅 장치(미도시)를 이용하여 각 중공 영역들(1220) 사이의 중간 지점을 따라 상부 투광 플레이트(1240)의 상면에 수직한 방향으로 자를 수 있다. 즉, 컷팅 장치를 이용하여 복수의 측면 투광 플레이트들(1213)을 수직 방향으로 자를 수 있다. 이러한 단위 플레이트 영역에 따른 컷팅 공정을 통해 복수의 QD 플레이트 조립체(1100)를 제작할 수 있다.Upon completion of the laser glass welding, a cutting device (not shown) may be used to cut along the intermediate point between the hollow regions 1220 in a direction perpendicular to the upper surface of the upper floodlight plate 1240. That is, the plurality of side floodlight plates 1213 may be cut in the vertical direction by using the cutting device. Through the cutting process according to the unit plate area, a plurality of QD plate assemblies 1100 may be manufactured.

이상, 상술한 과정들을 통해 생성된 QD 플레이트 조립체(1100)는, 상부 투광 플레이트의 상면에 방열 부재를 배치함으로써, 상기 QD 플레이트 조립체(1100)의 방열을 개선할 수 있다. As described above, the QD plate assembly 1100 generated through the above-described processes may improve heat dissipation of the QD plate assembly 1100 by disposing a heat dissipation member on an upper surface of the upper floodlight plate.

한편 이상에서는 본 발명의 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.On the other hand, while the specific embodiments of the present invention have been described, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by those equivalent to the claims.

100: QD 플레이트 조립체 110: QD 형광체
120: 하부 투광 플레이트 130: 상부 투광 플레이트
500: LED 칩 700: LED 패키지
900: LED 모듈100: QD plate assembly 110: QD phosphor
120: lower floodlight plate 130: upper floodlight plate
500: LED chip 700: LED package
900: LED module

Claims (25)

빛의 파장을 변환하는 퀀텀닷(Quantum Dot, QD) 물질; 및
상기 QD 물질을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함하되,
상기 투광 플레이트 바디는, 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 중공 영역, 상기 중공 영역을 둘러싸는 복수의 측면 투광 플레이트 및 상기 복수의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트를 포함하며,
상기 상부 투광 플레이트는 상기 복수의 측면 투광 플레이트의 상부와 만나는 접촉부와 상기 중공 영역에 대응되는 평탄부를 구비하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.Quantum dot (QD) materials that convert wavelengths of light; And
A light transmitting plate body for sealing the QD material,
The light transmitting plate body includes a lower light transmitting plate, a hollow area formed on an upper surface of the lower light transmitting plate, a plurality of side light transmitting plates surrounding the hollow area, and an upper light transmitting plate formed on an upper surface of the plurality of side light transmitting plates. ,
The upper floodlight plate has a contact portion that meets the upper portion of the plurality of side projection plate and a quantum dot plate assembly, characterized in that the flat portion corresponding to the hollow area. 제1항에 있어서,
상기 복수의 측면 투광 플레이트의 상부와 상기 상부 투광 플레이트의 접촉부는 레이저 빔에 의해 조사되어 글래스 용접(glass welding)되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 1,
The upper portion of the side light transmitting plate and the contact portion of the upper light transmitting plate is quantum dot plate assembly, characterized in that the glass beam is irradiated by a laser beam (glass welding). 제2항에 있어서,
상기 레이저 빔은, 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 갖는 펨토 레이저 빔임을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 2,
The laser beam is a quantum dot plate assembly, characterized in that the femto laser beam having a wavelength of 1000nm to 1100nm. 제2항에 있어서,
상기 레이저 빔은 상기 상부 투광 플레이트의 접촉부의 상면에 수직한 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 2,
And the laser beam is irradiated in a direction perpendicular to the upper surface of the contact portion of the upper floodlight plate. 제1항에 있어서,
상기 복수의 측면 투광 플레이트의 상부와 상기 상부 투광 플레이트의 접촉부의 평탄도는 1 마이크로미터(㎛) 이하인 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 1,
The flatness of the upper portion of the plurality of side light-transmitting plate and the contact portion of the upper light-transmitting plate is less than 1 micrometer (μm) quantum dot plate assembly. 제1항에 있어서,
상기 중공 영역은, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 1,
The hollow region is a quantum dot plate assembly, characterized in that formed by any one of a mechanical machining process, chemical machining process and assembly process. 제1항에 있어서,
상기 중공 영역은, 균일한 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 1,
The hollow region is quantum dot plate assembly, characterized in that formed to have a uniform thickness. 제1항에 있어서,
상기 상부 투광 플레이트의 하면은, 상기 하부 투광 플레이트의 상면과 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 1,
The bottom surface of the upper floodlight plate, the quantum dot plate assembly, characterized in that it is formed to have the same shape and size as the upper surface of the lower floodlight plate. 제1항에 있어서,
상기 투광 플레이트 바디는, 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 배치되어 상기 QD 물질에서 발생되는 열을 외부로 방출하는 방열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 1,
The translucent plate body further includes a heat dissipation member disposed on an upper surface of the upper translucent plate to radiate heat generated from the QD material to the outside. 제9항에 있어서,
상기 방열 부재는, 미리 결정된 반복 패턴 구조를 갖는 방열 패턴층과, 상기 방열 패턴층의 하면과 상기 상부 투광 플레이트의 상면 사이에 형성된 복수의 캐비티 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 9,
The heat dissipation member may include a heat dissipation pattern layer having a predetermined repeating pattern structure, and a plurality of cavity regions formed between a bottom surface of the heat dissipation pattern layer and an upper surface of the upper floodlight plate. 제10항에 있어서,
상기 방열 패턴층은 광 투과성 및 열 전도성이 우수한 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 10,
The heat dissipation pattern layer is a quantum dot plate assembly, characterized in that formed of a metal oxide excellent in light transmittance and thermal conductivity. 제10항에 있어서,
상기 미리 결정된 반복 패턴 구조의 형상은, 육면체 형상, 피라미드 형상, 원뿔 형상, 반구 형상 중 어느 하나임을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체.The method of claim 10,
The shape of the predetermined repeating pattern structure, the quantum dot plate assembly, characterized in that any one of a cube shape, pyramid shape, cone shape, hemispherical shape. 미리 결정된 파장의 광을 방사하는 LED 칩;
상기 LED 칩에서 방사되는 광의 파장을 변환하는 퀀텀닷(Quantum Dot, QD) 플레이트 조립체;
상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체 사이에 배치되어, 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 접착시키는 접착층; 및
상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하되,
상기 QD 플레이트 조립체는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질과 상기 QD 물질을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.An LED chip emitting light of a predetermined wavelength;
A quantum dot (QD) plate assembly for converting wavelengths of light emitted from the LED chip;
An adhesive layer disposed between the LED chip and the QD plate assembly to bond the LED chip to the QD plate assembly; And
A reflective member surrounding the LED chip and the QD plate assembly,
The QD plate assembly includes a QD material for converting the wavelength of light and a transparent plate body for sealing the QD material. 제13항에 있어서,
상기 투광 플레이트 바디는, 상기 QD 물질을 실장하기 위한 중공 영역과 상기 중공 영역을 둘러싸는 복수의 측면 투광 플레이트를 구비하는 하부 투광 플레이트와, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.The method of claim 13,
The light transmitting plate body includes a lower light transmitting plate having a hollow area for mounting the QD material and a plurality of side light transmitting plates surrounding the hollow area, and an upper light transmitting plate formed on an upper surface of the lower light transmitting plate. LED package, characterized in that. 제13항에 있어서,
상기 상부 투광 플레이트와 상기 하부 투광 플레이트가 서로 만나는 영역은 레이저 빔에 의해 조사되어 글래스 용접(glass welding)되며,
상기 레이저 빔은, 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 갖는 펨토 레이저 빔임을 특징으로 하는 LED 패키지.The method of claim 13,
The area where the upper floodlight plate and the lower floodlight plate meet each other is irradiated with a laser beam to perform glass welding.
The laser beam is an LED package, characterized in that the femto laser beam having a wavelength of 1000nm to 1100nm. 제15항에 있어서,
상기 레이저 빔은 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.The method of claim 15,
And the laser beam is irradiated in a direction perpendicular to the upper surface of the upper floodlight plate. 제14항에 있어서,
상기 중공 영역은, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.The method of claim 14,
The hollow region is an LED package, characterized in that formed by any one of a mechanical machining process, chemical machining process and assembly process. 회로 기판;
상기 회로 기판 상에 표면 실장되는 하나 이상의 LED 칩;
각각의 LED 칩 상에 배치되는 하나 이상의 퀀텀닷(Quantum Dot, QD) 플레이트 조립체;
상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체 사이에 배치되어, 상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 접착시키는 접착층; 및
상기 LED 칩과 상기 QD 플레이트 조립체를 둘러싸는 반사 부재를 포함하되,
상기 QD 플레이트 조립체는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질과 상기 QD 물질을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈.A circuit board;
One or more LED chips surface-mounted on the circuit board;
One or more quantum dot (QD) plate assemblies disposed on each LED chip;
An adhesive layer disposed between the LED chip and the QD plate assembly to bond the LED chip to the QD plate assembly; And
A reflective member surrounding the LED chip and the QD plate assembly,
The QD plate assembly includes a QD material for converting the wavelength of light and a light transmitting plate body for sealing the QD material. 제18항에 있어서,
상기 투광 플레이트 바디는, 상기 QD 물질을 실장하기 위한 중공 영역과 상기 중공 영역을 둘러싸는 복수의 측면 투광 플레이트를 구비하는 하부 투광 플레이트와, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈.The method of claim 18,
The light transmitting plate body includes a lower light transmitting plate having a hollow area for mounting the QD material and a plurality of side light transmitting plates surrounding the hollow area, and an upper light transmitting plate formed on an upper surface of the lower light transmitting plate. LED module, characterized in that. 제18항에 있어서,
상기 상부 투광 플레이트와 상기 하부 투광 플레이트가 서로 만나는 영역은 레이저 빔에 의해 조사되어 글래스 용접(glass welding)되며,
상기 레이저 빔은, 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 갖는 펨토 레이저 빔임을 특징으로 하는 LED 모듈.The method of claim 18,
The area where the upper floodlight plate and the lower floodlight plate meet each other is irradiated with a laser beam to perform glass welding.
The laser beam is an LED module, characterized in that the femto laser beam having a wavelength of 1000nm to 1100nm. 제20항에 있어서,
상기 레이저 빔은 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 LED 모듈.The method of claim 20,
And the laser beam is irradiated in a direction perpendicular to the upper surface of the upper floodlight plate. 제1 글래스 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들을 형성하는 단계;
상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷(Quantum Dot, QD) 형광체를 주입한 후 상기 QD 형광체를 경화시키는 단계;
상기 제1 글래스 플레이트의 상부에 제2 글래스 플레이트를 배치하는 단계;
상기 제1 글래스 플레이트와 상기 제2 글래스 플레이트가 서로 만나는 영역을 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 제1 및 제2 글래스 플레이트를 용접하는 단계; 및
각 중공 영역 사이의 경계 부분을 상기 제2 글래스 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 컷팅하는 단계를 포함하는 컨텀닷 플레이트 조립체 제조방법.Forming a plurality of hollow regions on an upper surface of the first glass plate;
Injecting a quantum dot (QD) phosphor into the plurality of hollow regions and then curing the QD phosphor;
Disposing a second glass plate on top of the first glass plate;
Welding the first and second glass plates by irradiating a laser beam along a region where the first glass plate and the second glass plate meet each other; And
Cutting the boundary portion between each hollow region in a direction perpendicular to the upper surface of the second glass plate. 제22항에 있어서,
상기 레이저 빔은, 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 갖는 펨토 레이저 빔임을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체 제조방법.The method of claim 22,
The laser beam is a quantum dot plate assembly method characterized in that the femto laser beam having a wavelength of 1000nm to 1100nm. 제22항에 있어서,
상기 제1 글래스 플레이트와 상기 제2 글래스 플레이트의 평탄도는 1 마이크로미터(㎛) 이하인 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체 제조방법.The method of claim 22,
The flatness of the first glass plate and the second glass plate is 1 micrometer (μm) or less, characterized in that the manufacturing method of the quantum dot plate assembly. 제22항에 있어서,
상기 제2 글래스 플레이트의 상부에 방열 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 퀀텀닷 플레이트 조립체 제조방법.The method of claim 22,
And forming a heat dissipation member on an upper portion of the second glass plate.
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