KR102561705B1 - Light emitting diode package and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 발광소자; 상기 발광소자의 상부에 형성되며 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디; 상기 중공영역에 형성되며 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 제1 파장변환층과 상기 제1 파장변환층의 상부에 형성되는 제2 파장변환층을 포함하는 파장변환부; 및 상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디 사이에 형성되는 접착층을 포함하며, 상기 파장변환부의 두께는 상기 발광소자의 두께와 같거나 큰 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a light emitting device package, comprising: a light emitting device; A lower light-transmitting plate formed above the light emitting element, a plurality of side light-transmitting plates formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate, an upper light-transmitting plate corresponding to the upper surface of the lower light-transmitting plate and formed on the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates, and a transparent plate body having an empty portion formed therein; a wavelength conversion unit including a first wavelength conversion layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower light-transmitting plate, and a second wavelength conversion layer formed on the first wavelength conversion layer; and an adhesive layer formed between the light emitting element and the light transmitting plate body, wherein the wavelength conversion part has a thickness equal to or greater than that of the light emitting element.

Figure R1020180094219
Figure R1020180094219

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Light emitting device package and its manufacturing method {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 발광소자에서 방사되는 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting device package capable of minimizing damage to quantum dots due to light emitted from a light emitting device and a manufacturing method thereof.

발광 소자(LIGHT EMITTING DEVICE, LED)는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.A light emitting device (LED) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light energy. The light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to existing light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

이에 기존의 광원을 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내/외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가하고 있다.Therefore, many studies are being conducted to replace existing light sources with light emitting elements, and the use of light emitting elements as a light source for lighting devices such as various lamps used indoors/outdoors, liquid crystal displays, electronic signboards, and street lights is increasing. .

한편, LED 분야에서는 백색 LED에 대한 수요가 높다. 이러한 백색 LED를 구현하는 방식에는 여러 색상의 발광소자들을 조합하는 방식과, 특정 색의 광을 방사하는 발광소자와 해당 칩에서 방사되는 광의 파장을 변환하는 형광체를 조합하는 방식이 있다. 현재 백색 LED를 구현하기 위해서는 후자의 방식이 주로 사용되고 있으며, 가장 대표적으로는 청색 발광소자 위에 YAG: Ce 벌크 형광체를 도포하여 백색 LED를 구현하고 있다.On the other hand, in the LED field, demand for white LEDs is high. A method of implementing such a white LED includes a method of combining light emitting devices of various colors and a method of combining a light emitting device that emits light of a specific color and a phosphor that converts a wavelength of light emitted from a corresponding chip. Currently, the latter method is mainly used to implement a white LED, and most representatively, a white LED is implemented by applying a YAG:Ce bulk phosphor on a blue light emitting device.

그런데, 이러한 벌크 형광체를 적용한 발광소자 패키지는 디스플레이 제작 시, 고색재현성을 구현하기 어려운 문제가 있다. 이를 해결하기 위해, 최근에는 양자점(quantum dot, QD) 형광체를 이용하여 발광소자 패키지를 구현하기 위한 다양한 시도들이 진행되고 있다.However, a light emitting device package using such a bulk phosphor has a problem in that it is difficult to implement high color reproducibility when manufacturing a display. In order to solve this problem, various attempts have recently been made to implement a light emitting device package using a quantum dot (QD) phosphor.

양자점(QD)은 반도체 특성을 갖는 수십 나노미터(nm) 이하 크기의 나노 입자를 말하며, 양자 제한 효과(quantum confinement effect)에 의해 벌크 크기의 입자들과는 상이한 특성을 나타내기 때문에 크게 주목 받고 있는 핵심 소재이다.Quantum dot (QD) refers to nanoparticles with a size of several tens of nanometers (nm) or less with semiconductor properties, and is a key material that is attracting great attention because it exhibits properties different from those of bulk-sized particles due to the quantum confinement effect. am.

그런데, 이러한 양자점(QD)을 이용한 형광체는 외부의 환경 조건(수분, 산소, 열, 파장 등)에 매우 취약하여 성능 저하가 쉽게 발생하는 문제가 있다. 특히, 발광소자에서 방사되는 청색 광의 지향 패턴에 따라 해당 광이 양자점 형광체의 중심으로 몰리는 형태를 띄게 되고, 이에 따라 여기(Excitation)에 의한 열적 분포가 양자점 형광체의 일정 부분에 집중되는 현상이 발생한다. 이러한 현상은 양자점 형광체 중심으로의 열적 스트레스를 점점 심화시켜 변색 및 탄화 등의 신뢰성 불량을 야기하는 문제가 있다.However, phosphors using such quantum dots (QDs) are very vulnerable to external environmental conditions (moisture, oxygen, heat, wavelength, etc.), so there is a problem in that performance degradation easily occurs. In particular, according to the direction pattern of the blue light emitted from the light emitting device, the corresponding light is concentrated in the center of the quantum dot phosphor, and accordingly, the thermal distribution by excitation is concentrated on a certain part of the quantum dot phosphor. . This phenomenon gradually intensifies thermal stress to the center of the quantum dot phosphor, causing problems in reliability such as discoloration and carbonization.

본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 발광소자와 제2 파장변환층 사이에 배치되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛의 파장을 변경하는 제1 파장변환층을 포함하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention aims to solve the foregoing and other problems. Another object is to provide a light emitting device package including a first wavelength conversion layer disposed between the light emitting device and the second wavelength conversion layer to change the wavelength of light emitted from the light emitting device, and a manufacturing method thereof.

또 다른 목적은 발광소자와 퀀텀닷 플레이트 조립체 사이에 배치되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛을 산란시키는 접착층을 포함하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object is to provide a light emitting device package including an adhesive layer disposed between a light emitting device and a quantum dot plate assembly to scatter light emitted from the light emitting device, and a manufacturing method thereof.

또 다른 목적은 발광소자에 대향하는 면에 미리 결정된 패턴이 형성되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛을 산란시키는 투광 플레이트 바디를 포함하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object is to provide a light emitting device package including a light transmitting plate body having a predetermined pattern formed on a surface facing the light emitting device to scatter light emitted from the light emitting device, and a manufacturing method thereof.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 발광소자; 상기 발광소자의 상부에 형성되며 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디; 상기 중공영역에 형성되며 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 제1 파장변환층과 상기 제1 파장변환층의 상부에 형성되는 제2 파장변환층을 포함하는 파장변환부; 및 상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디 사이에 형성되는 접착층;을 포함하며, 상기 파장변환부의 두께는 상기 발광소자의 두께와 같거나 큰 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지를 제공한다.According to one aspect of the present invention to achieve the above or other object, a light emitting device; A lower light-transmitting plate formed above the light emitting element, a plurality of side light-transmitting plates formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate, an upper light-transmitting plate corresponding to the upper surface of the lower light-transmitting plate and formed on the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates, and a transparent plate body having an empty portion formed therein; a wavelength conversion unit including a first wavelength conversion layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower light-transmitting plate, and a second wavelength conversion layer formed on the first wavelength conversion layer; and an adhesive layer formed between the light emitting device and the light transmitting plate body, wherein the wavelength conversion part has a thickness equal to or greater than that of the light emitting device.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 발광소자; 상기 발광소자의 상부에 형성되며 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디; 상기 하부 투광 플레이트의 하면에 형성되는 제1 파장변환층과 상기 중공영역에 형성되며 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 제2 파장변환층을 포함하는 파장변환부; 및 상기 제1 파장변환층과 상기 발광소자 사이에 형성되는 접착층;을 포함하며, 상기 접착층은 상기 발광소자의 측면과 상면 및 상기 제1 파장변환층의 하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지를 제공한다. According to another aspect of the present invention, a light emitting device; A lower light-transmitting plate formed above the light emitting element, a plurality of side light-transmitting plates formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate, an upper light-transmitting plate corresponding to the upper surface of the lower light-transmitting plate and formed on the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates, and a transparent plate body having an empty portion formed therein; a wavelength conversion unit including a first wavelength conversion layer formed on a lower surface of the lower light transmission plate and a second wavelength conversion layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower light transmission plate; and an adhesive layer formed between the first wavelength conversion layer and the light emitting element, wherein the adhesive layer is formed on side surfaces and upper surfaces of the light emitting element and a lower surface of the first wavelength conversion layer. provides

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 발광소자; 상기 발광소자의 상부에 형성되며 하부 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트, 상기 하부 투광 플레이트 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트 및 내측에 중공영역(Empty Portion)이 형성된 투광 플레이트 바디; 상기 발광소자와 상기 투광 플레이트 바디 사이에 형성되는 접착층; 및 상기 접착층과 일체로 형성된 제1 파장변환층과 상기 중공영역에 형성되며 상기 하부 투광 플레이트의 상면을 덮는 제2 파장변환층을 포함하는 파장변환부; 및 상기 제2 파장변환층은 상기 제1 파장변환층의 입자의 크기보다 작은 입자를 가지는 QD 형광체인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지를 제공한다.According to another aspect of the present invention, a light emitting device; A lower light-transmitting plate formed above the light emitting element, a plurality of side light-transmitting plates formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate, an upper light-transmitting plate corresponding to the upper surface of the lower light-transmitting plate and formed on the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates, and a transparent plate body having an empty portion formed therein; an adhesive layer formed between the light emitting element and the light transmitting plate body; and a wavelength conversion unit including a first wavelength conversion layer integrally formed with the adhesive layer and a second wavelength conversion layer formed in the hollow region and covering an upper surface of the lower light transmission plate; And the second wavelength conversion layer provides a light emitting device package, characterized in that the QD phosphor having particles smaller than the size of the particles of the first wavelength conversion layer.

본 발명의 실시 예들에 따른 발광소자 패키지의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Effects of the light emitting device package according to embodiments of the present invention will be described.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 발광소자와 제2 파장변환층(퀀텀 닷 형광체층) 사이에 제1 파장변환층을 배치함으로써, 상기 발광소자에서 방사되는 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, by disposing the first wavelength conversion layer between the light emitting element and the second wavelength conversion layer (quantum dot phosphor layer), the quantum dot due to the light of the blue wavelength emitted from the light emitting element It has the advantage of minimizing damage.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 발광소자와 퀀텀닷 플레이트 조립체 사이에 광 산란제를 포함하는 접착층을 배치함으로써, 상기 발광소자에서 방사되는 청색 파장의 광을 여러 방향으로 산란시켜 해당 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by disposing an adhesive layer including a light scattering agent between the light emitting device and the quantum dot plate assembly, the light of the blue wavelength emitted from the light emitting device is scattered in various directions to It has the advantage of minimizing damage to quantum dots caused by light.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 투광 플레이트 바디의 하면에 미리 결정된 패턴을 형성함으로써, 발광소자에서 방사되는 청색 파장의 광을 여러 방향으로 산란시켜 해당 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by forming a predetermined pattern on the lower surface of the light-transmissive plate body, blue wavelength light emitted from the light emitting device is scattered in various directions to prevent damage to quantum dots due to the light. It has the advantage of being minimal.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 투광 플레이트 바디에 벌크 형광체를 추가하거나 접착층에 광 산란제를 추가하여 상기 투광 플레이트 바디 속에 존재하는 퀀텀 닷 형광체층에 직접적인 단파장이 흡수되지 않도록 함으로써 퀀텀닷 플레이트 조립체의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, a bulk phosphor is added to the light-transmitting plate body or a light scattering agent is added to the adhesive layer so that short wavelengths are not directly absorbed by the quantum dot phosphor layer present in the light-transmitting plate body. Reliability of the dot plate assembly may be improved.

다만, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광소자 패키지가 달성할 수 있는 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the effects that can be achieved by the light emitting device package according to the embodiments of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned are common knowledge in the art to which the present invention belongs from the description below. will be clearly understandable to those who have

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도;
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하는 도면;
도 3은 도 1의 발광소자 패키지에 포함된 퀀텀닷 플레이트 조립체의 구성을 나타내는 도면;
도 4는 투광 플레이트 바디의 하면에 형성된 패턴들의 형상을 예시하는 도면;
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면;
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도;
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention;
2A to 2E are views explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention;
3 is a view showing the configuration of a quantum dot plate assembly included in the light emitting device package of FIG. 1;
4 is a diagram illustrating shapes of patterns formed on a lower surface of a light transmission plate body;
5A to 5F are diagrams for explaining a method of manufacturing a quantum dot plate assembly according to an embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.Hereinafter, the embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar elements are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. Hereinafter, in the description of the embodiment according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structure is "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on /under, "up/on" and "under/under" refer to "directly" or "indirectly through another layer." "Including everything that is formed. In addition, the criterion for the upper/upper or lower/lower of each layer will be described based on the drawings. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.

또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the embodiment disclosed in this specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, the technical idea disclosed in this specification is not limited by the accompanying drawings, and all changes included in the spirit and technical scope of the present invention , it should be understood to include equivalents or substitutes.

본 발명은 발광소자와 제2 파장변환층 사이에 배치되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛의 파장을 변경하는 제1 파장변환층을 포함하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 발광소자와 퀀텀닷 플레이트 조립체 사이에 배치되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛을 산란시키는 접착층을 포함하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 발광소자에 대향하는 면에 미리 결정된 패턴이 형성되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛을 산란시키는 투광 플레이트 바디를 포함하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제안한다.The present invention proposes a light emitting device package including a first wavelength conversion layer disposed between a light emitting device and a second wavelength conversion layer to change a wavelength of light emitted from the light emitting device and a manufacturing method thereof. In addition, the present invention proposes a light emitting device package including an adhesive layer disposed between a light emitting device and a quantum dot plate assembly to scatter light emitted from the light emitting device, and a manufacturing method thereof. In addition, the present invention proposes a light emitting device package including a light transmissive plate body having a predetermined pattern formed on a surface facing the light emitting device to scatter light emitted from the light emitting device, and a manufacturing method thereof.

이하에서는, 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 발광소자(110), 상기 발광소자(110) 상의 퀀텀닷 플레이트 조립체(120), 상기 발광소자(110)와 퀀텀닷 플레이트 조립체(120) 사이의 접착층(130), 상기 발광소자(110) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)를 둘러싸는 몰딩 부재(140), 상기 몰딩 부재(140)의 측면에 배치되는 반사 부재(150)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a light emitting device package 100 according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device 110, a quantum dot plate assembly 120 on the light emitting device 110, and a light emitting device 110 and a quantum An adhesive layer 130 between dot plate assemblies 120, a molding member 140 surrounding the light emitting device 110 and the quantum dot plate assembly 120, and a reflective member disposed on a side surface of the molding member 140 ( 150) may be included.

발광소자(110)는 기판, 상기 기판 아래의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래의 제2 도전형 메탈층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 제1 도전형 메탈층을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(110)는 플립칩 타입의 발광 소자일 수 있다.발광소자(110)는 화합물 반도체의 조성비에 따라 서로 다른 파장의 광을 방사할 수 있다. 즉, 발광소자(110)는 적색, 녹색, 청색 등의 빛을 방출하는 유색 발광소자, 백색 빛을 방출하는 백색 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하, 본 실시 예에서, 상기 발광소자(110)는 청색 파장의 광을 방사하는 발광 소자임을 예시하여 설명하도록 한다.The light emitting device 110 includes a substrate, a first conductivity type semiconductor layer under the substrate, an active layer under the first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer under the active layer, and a layer under the second conductivity type semiconductor layer. A second conductivity type metal layer and a first conductivity type metal layer under the first conductivity type semiconductor layer may be included. The light emitting device 110 may be a flip chip type light emitting device. The light emitting device 110 may emit light of different wavelengths according to the composition ratio of compound semiconductors. That is, the light emitting device 110 may include at least one of a color light emitting device emitting red, green, and blue light, a white light emitting device emitting white light, and a UV (Ultra Violet) light emitting device emitting ultraviolet light. there is. Hereinafter, in this embodiment, the light emitting device 110 will be described by way of example as a light emitting device that emits light of a blue wavelength.

퀀텀닷 플레이트 조립체(120)는 파장변환부(160)와 상기 파장변환부(160)를 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다.The quantum dot plate assembly 120 may include a wavelength conversion unit 160 and a light transmission plate body sealing the wavelength conversion unit 160 .

투광 플레이트 바디는 내부에 형성된 중공영역(empty portion)을 구비하며, 상기 중공영역에 배치된 파장변환부(160)가 외부 환경에 노출되지 않도록 실링할 수 있다.The light transmission plate body may have an empty portion formed therein, and may seal the wavelength conversion unit 160 disposed in the hollow portion so that it is not exposed to the external environment.

투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(125), 상기 하부 투광 플레이트(125)의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트(126), 상기 하부 투광 플레이트(125) 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트(126)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(127)를 포함할 수 있다.The light-transmitting plate body corresponds to the lower light-transmitting plate 125, the plurality of side light-transmitting plates 126 formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate 125, and the upper surface of the lower light-transmitting plate 125, and the plurality of side light-transmitting plates ( 126) may include an upper light transmission plate 127 formed on the upper surface.

투광 플레이트 바디의 내측에는 파장변환부(160)를 실장하기 위한 중공영역(또는 트렌치 영역)이 형성될 수 있다. 상기 중공영역은 진공(vacuum) 상태일 수 있다. A hollow region (or trench region) for mounting the wavelength conversion unit 160 may be formed inside the light transmission plate body. The hollow region may be in a vacuum state.

복수의 측면 투광 플레이트(126)의 상면과 상부 투광 플레이트(127)의 하면이 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)함으로써, 투광 플레이트 바디의 중공영역에 제1 파장변환층(121)과 제2 파장변환층(123)을 실링할 수 있다.The first wavelength conversion layer 121 and the first wavelength conversion layer 121 are formed in the hollow region of the light-transmitting plate body by welding the area where the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates 126 and the lower surface of the upper light-transmitting plate 127 meet each other with a femto laser beam. The second wavelength conversion layer 123 may be sealed.

파장변환부(160)는 발광소자(110)에서 방사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다. 일 예로, 상기 파장변환부(160)는 발광소자(110)에서 방사되는 청색 파장의 광을 백색 파장의 광으로 변환할 수 있다.The wavelength conversion unit 160 may convert a wavelength of light emitted from the light emitting element 110 . For example, the wavelength conversion unit 160 may convert light of a blue wavelength emitted from the light emitting device 110 into light of a white wavelength.

파장변환부(160)는 제1 파장변환층(121)과 상기 제1 파장변환층(121) 상의 제2 파장변환층(123)을 포함할 수 있다.The wavelength conversion unit 160 may include a first wavelength conversion layer 121 and a second wavelength conversion layer 123 on the first wavelength conversion layer 121 .

제1 파장변환층(121)은 하나 이상의 벌크 형광체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(121)은 발광소자(110)에서 방사되는 청색 파장의 광을 미리 결정된 파장의 광으로 변환할 수 있다.The first wavelength conversion layer 121 may include one or more bulk phosphor materials. The first wavelength conversion layer 121 may convert light of a blue wavelength emitted from the light emitting device 110 into light of a predetermined wavelength.

제1 파장변환층(121)은 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(123)에 바로 입사되는 것을 막아주는 버퍼(buffer) 역할을 수행할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(110)에서 방사되는 청색 파장의 광으로 인해 제2 파장변환층(123)의 퀀텀 닷이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.The first wavelength conversion layer 121 may serve as a buffer that prevents light of a blue wavelength from being directly incident on the second wavelength conversion layer 123 . Accordingly, damage to the quantum dots of the second wavelength conversion layer 123 due to blue wavelength light emitted from the light emitting element 110 can be minimized.

제2 파장변환층(123)은 하나 이상의 퀀텀 닷 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(123)은 제1 파장변환층(121)에서 방사되는 미리 결정된 파장의 광을 백색 파장의 광으로 변환할 수 있다. 상기 제2 파장변환층은 80~120㎛의 두께로 형성될 수 있다.The second wavelength conversion layer 123 may include one or more quantum dot materials. The second wavelength conversion layer 123 may convert light of a predetermined wavelength emitted from the first wavelength conversion layer 121 into light of a white wavelength. The second wavelength conversion layer may be formed to a thickness of 80 to 120 μm.

투광 플레이트 바디는 발광소자(110)에 대향하는 면에 미리 결정된 패턴이 형성되어, 상기 발광소자(110)에서 방사되는 광을 산란시킬 수 있다. 이러한 광 산란을 통해, 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(123)의 퀀텀 닷에 바로 입사되는 것을 방지함으로써 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.The light transmission plate body may have a predetermined pattern formed on a surface facing the light emitting device 110 to scatter light emitted from the light emitting device 110 . Through such light scattering, damage to the quantum dot may be minimized by preventing light having a blue wavelength from being directly incident on the quantum dot of the second wavelength conversion layer 123 .

투광 플레이트 바디의 하면에 형성된 패턴들은, 프리즘 타입 패턴(prism type pattern)이거나 혹은 엠보싱 타입 패턴(embossing type pattern)일 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상기 패턴들은 레이저 에칭(laser etching), 습식 에칭(wet etching) 또는 건식 에칭(dry etching) 등을 통해 형성될 수 있다.Patterns formed on the lower surface of the light transmission plate body may be prism type patterns or embossing type patterns, but are not necessarily limited thereto. The patterns may be formed through laser etching, wet etching, or dry etching.

접착층(130)은 발광소자(110)과 퀀텀닷 플레이트 조립체(120) 사이에 배치되어, 상기 발광소자(110)과 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)를 접착시킬 수 있다. 접착층(130)은 발광소자(110)의 상면에 전체적으로 도포될 수 있다. 또한, 상기 접착층(130)은 발광소자(110)에서 방사한 빛이 쉽게 투과할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다.The adhesive layer 130 may be disposed between the light emitting device 110 and the quantum dot plate assembly 120 to adhere the light emitting device 110 to the quantum dot plate assembly 120 . The adhesive layer 130 may be entirely coated on the upper surface of the light emitting device 110 . In addition, the adhesive layer 130 may be formed of a transparent material so that light emitted from the light emitting device 110 can easily pass through.

접착층(130)은 실리콘 수지(silicon resin) 또는 에폭시 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다. 또한, 접착층(130)은 광 산란제를 포함할 수 있다. 상기 광 산란제는 굴절률의 편차를 이용하여 빛을 산란시키는 물질이다. 상기 광 산란제로는 발광소자(110)의 기판과 다른 굴절률을 갖는 BN, TiO2, SiO2 등이 사용될 수 있다.The adhesive layer 130 may include a silicone resin or an epoxy resin. In addition, the adhesive layer 130 may include a light scattering agent. The light scattering agent is a material that scatters light using a refractive index deviation. As the light scattering agent, BN, TiO 2 , SiO 2 , or the like having a refractive index different from that of the substrate of the light emitting device 110 may be used.

광 산란제는 발광소자(110)에서 방사되는 청색 파장의 광을 산란시킬 수 있다. 이러한 광 산란을 통해, 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(123)의 퀀텀 닷에 바로 입사되는 것을 방지함으로써 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 광 산란제는 발광소자(110) 및/또는 파장변환부(160)에서 발생하는 열을 외부로 확산시킬 수 있다.The light scattering agent may scatter blue wavelength light emitted from the light emitting device 110 . Through such light scattering, damage to the quantum dot may be minimized by preventing light having a blue wavelength from being directly incident on the quantum dot of the second wavelength conversion layer 123 . In addition, the light scattering agent may diffuse heat generated from the light emitting device 110 and/or the wavelength converter 160 to the outside.

한편, 다른 실시 예로, 접착층은 다수의 기포(air)를 포함하는 발포 접착 시트로 형성될 수 있다. 상기 발포 접착 시트에 형성된 다수의 기포들은 발광소자(110)의 기판보다 작은 굴절률(즉, 굴절률 1.0)을 갖기 때문에, 발광소자(110)에서 방사되는 광을 효과적으로 산란시킬 수 있다. 또한, 상기 발포 접착 시트는 BN, TiO2, SiO2 등과 같은 광 산란제를 추가적으로 구비하여 발광소자(110) 및/또는 파장변환부(160)에서 발생하는 열을 외부로 확산시킬 수 있다.Meanwhile, in another embodiment, the adhesive layer may be formed of a foamed adhesive sheet including a plurality of air bubbles. Since the bubbles formed on the foamed adhesive sheet have a refractive index smaller than that of the substrate of the light emitting device 110 (ie, a refractive index of 1.0), light emitted from the light emitting device 110 can be effectively scattered. In addition, the foamed adhesive sheet may additionally include a light scattering agent such as BN, TiO 2 , SiO 2 , etc. to diffuse heat generated from the light emitting device 110 and/or the wavelength conversion unit 160 to the outside.

몰딩 부재(140)는 발광소자(110) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 몰딩 부재(140)는 외부 환경 및/또는 외부 충격 등으로부터 발광소자(110) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)를 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(140)는 발광소자(110)에서 방사되는 빛을 특정 방향(가령, 상부 방향)으로 반사시킬 수 있다.The molding member 140 may be formed to surround the light emitting device 110 and the quantum dot plate assembly 120 . The molding member 140 may protect the light emitting device 110 and the quantum dot plate assembly 120 from an external environment and/or external impact. Also, the molding member 140 may reflect light emitted from the light emitting device 110 in a specific direction (eg, an upward direction).

몰딩 부재(140)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드 9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 몰딩 부재(140)는 실리콘(Silicon) 재질로 형성될 수 있다.The molding member 140 is a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , photo sensitive glass (PSG), poly It may be formed of at least one of amide 9T (PA9T), syngiotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), and beryllium oxide (BeO). In a preferred embodiment, the molding member 140 may be formed of a silicon material.

몰딩 부재(140)는 하나 이상의 열 전달 물질(매체)을 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재(140)는 열 전달 물질을 통해 발광소자(110)에서 발생된 열을 반사 부재(150) 방향으로 전달할 수 있다.The molding member 140 may include one or more heat transfer materials (mediums). The molding member 140 may transfer heat generated from the light emitting device 110 toward the reflective member 150 through a heat transfer material.

반사 부재(150)는 몰딩 부재(140)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 반사 부재(150)는 몰딩 부재(140)를 지지하여 발광소자 패키지(100)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반사 부재(150)는 발광소자(110) 및/또는 파장변환부(160)에서 발생된 열을 외부로 방출할 수 있다. 이러한 반사 부재(150)는 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등과 같은 금속 재질로 형성될 수 있다.The reflective member 150 may be formed to surround a side surface of the molding member 140 . The reflective member 150 may improve durability of the light emitting device package 100 by supporting the molding member 140 . Also, the reflective member 150 may emit heat generated by the light emitting device 110 and/or the wavelength converter 160 to the outside. The reflective member 150 may be formed of a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag).

한편, 본 실시 예에서는, 투광 플레이트 바디의 하면에 미리 결정된 패턴이 형성되고, 접착층(130)에 광 산란제가 포함되는 것을 예시하고 있으나 이를 제한하지는 않는다. 따라서, 투광 플레이트 바디의 하면에 미리 결정된 패턴이 형성된 경우, 광 산란제가 접착층(130)에 포함되지 않도록 구성할 수 있다. 또한, 접착층(130)에 광 산란제가 포함된 경우, 투광 플레이트 바디의 하면에 미리 결정된 패턴이 형성되지 않도록 구성할 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, a predetermined pattern is formed on the lower surface of the light transmission plate body and the light scattering agent is included in the adhesive layer 130, but this is not limited thereto. Accordingly, when a predetermined pattern is formed on the lower surface of the light transmission plate body, the light scattering agent may not be included in the adhesive layer 130 . In addition, when the light scattering agent is included in the adhesive layer 130, a predetermined pattern may not be formed on the lower surface of the light transmitting plate body.

이상, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 파장변환층을 제2 파장변환층의 하부에 배치하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(100)는 광 산란제를 퀀텀닷 플레이트 조립체와 발광소자 사이에 도포하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(100)는 미리 결정된 패턴을 투광 플레이트 바디의 하면에 형성하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.As described above, in the light emitting device package 100 according to the present invention, damage to quantum dots caused by blue wavelength light can be minimized by arranging the first wavelength conversion layer under the second wavelength conversion layer. In addition, in the light emitting device package 100, damage to the quantum dots caused by blue wavelength light may be minimized by applying a light scattering agent between the quantum dot plate assembly and the light emitting device. In addition, the light emitting device package 100 may minimize damage to quantum dots due to blue wavelength light by forming a predetermined pattern on the lower surface of the light transmitting plate body.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하는 도면이다.2A to 2E are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2e를 참조하면, 지그(jig) 내부에 복수 개의 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)를 일렬 또는 매트릭스 형태로 배열할 수 있다. 각각의 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)는 서로 일정 거리만큼 이격되도록 배치될 수 있다. 여기서, 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)는 파장변환부와 상기 파장변환부를 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 2A to 2E , a plurality of quantum dot plate assemblies 120 may be arranged in a line or matrix form inside a jig. Each of the quantum dot plate assemblies 120 may be arranged to be spaced apart from each other by a predetermined distance. Here, the quantum dot plate assembly 120 may include a wavelength conversion unit and a light transmission plate body sealing the wavelength conversion unit.

각 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)의 상면에는 광 산란제를 포함하는 접착층(130)을 도포할 수 있다. 상기 접착층(130)이 도포된 퀀텀닷 플레이트 조립체(120) 상에는 발광소자(110)를 배치할 수 있다. 일정한 온도 조건 하에서 접착층(130)을 경화시켜, 각각의 발광소자(110)와 이에 대응하는 각각의 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)를 접착시킬 수 있다.An adhesive layer 130 including a light scattering agent may be applied to the upper surface of each quantum dot plate assembly 120 . A light emitting device 110 may be disposed on the quantum dot plate assembly 120 to which the adhesive layer 130 is applied. Each light emitting device 110 and each quantum dot plate assembly 120 corresponding thereto may be bonded by curing the adhesive layer 130 under a constant temperature condition.

상기 접착층(130)으로 실리콘(Si) 재질이 사용되는 경우, 저온의 실리콘을 각각의 퀀텀닷 플레이트 조립체(120) 상에 도포하고, 그 위에 각각의 발광소자(110)를 배치하며, 해당 실리콘을 일정 온도 조건(가령, 150도 이하의 온도 조건) 하에서 경화시켜 각 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)와 각 발광소자(110)를 접착시킬 수 있다. 상기 접착 공정이 완료되면, 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)와 인접 퀀텀닷 플레이트 조립체(120) 사이에 복수의 반사 부재들(150)을 배열할 수 있다. 이후, 실리콘 주입 장치를 이용하여 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)와 복수의 발광소자(110)를 둘러싸도록 각각의 반사 부재(150) 사이에 몰딩 부재(140)를 충진할 수 있다. 상기 몰딩 부재(140)는, 각 발광소자(110)의 제1 및 제2 도전형 메탈층만이 외부로 노출되도록, 각 발광소자(110)의 최 상단까지 채워질 수 있다. 일정한 온도 조건(가령, 100도 이하의 조건) 하에서 일정 시간이 경과하면, 상기 몰딩 부재(140)는 단단하게 경화된다.When a silicon (Si) material is used as the adhesive layer 130, low-temperature silicon is applied on each quantum dot plate assembly 120, each light emitting device 110 is placed thereon, and the silicon Each quantum dot plate assembly 120 and each light emitting element 110 may be bonded by curing under a certain temperature condition (eg, a temperature condition of 150 degrees or less). When the bonding process is completed, a plurality of reflective members 150 may be arranged between the quantum dot plate assembly 120 and the adjacent quantum dot plate assembly 120 . Thereafter, the molding member 140 may be filled between the reflective members 150 to surround the plurality of quantum dot plate assemblies 120 and the plurality of light emitting devices 110 by using a silicon injection device. The molding member 140 may fill up to the top of each light emitting element 110 so that only the first and second conductive metal layers of each light emitting element 110 are exposed to the outside. When a certain time elapses under a certain temperature condition (eg, a condition of 100 degrees or less), the molding member 140 is hardened.

이와 같이 형성된 발광 구조물을 패키지 분리 공정을 통해 단위 패키지 영역으로 분리할 수 있다. 상기 패키지 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 에칭 또는 건식 에칭을 이용하여 칩을 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정되지는 않는다.The light emitting structure thus formed may be separated into unit package areas through a package separation process. The package separation process may include, for example, a breaking process of separating chips by applying physical force using a blade, a laser scribing process of separating chips by irradiating a laser to a chip boundary, wet etching or dry etching. It may include, but is not limited to, an etching process of separating a chip using a chip.

이러한 패키지 분리 공정을 통해 복수 개의 발광소자 패키지(100)를 제작할 수 있다. 상기 복수의 발광소자 패키지들(100)은, 발광소자(110)가 하부 방향에 위치하고 퀀텀닷 플레이트 조립체(120)가 상부 방향에 위치하도록, 상/하 반전하여 사용할 수 있다.A plurality of light emitting device packages 100 may be manufactured through such a package separation process. The plurality of light emitting device packages 100 may be used by inverting up/down so that the light emitting device 110 is positioned in a lower direction and the quantum dot plate assembly 120 is positioned in an upper direction.

도 3은 도 1의 발광소자 패키지에 포함된 퀀텀닷 플레이트 조립체의 구성을 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing the configuration of a quantum dot plate assembly included in the light emitting device package of FIG. 1 .

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체(200)는 파장변환부와 상기 파장변환부를 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the quantum dot plate assembly 200 according to an embodiment of the present invention may include a wavelength conversion unit and a light transmission plate body sealing the wavelength conversion unit.

파장변환부는 제1 파장변환층(210)과, 상기 제1 파장변환층(210) 상의 제2 파장변환층(220)을 포함할 수 있다.The wavelength conversion unit may include a first wavelength conversion layer 210 and a second wavelength conversion layer 220 on the first wavelength conversion layer 210 .

제1 파장변환층(210)은 하나 이상의 벌크 형광체 물질을 포함할 수 있다. 제1 파장변환층(210)은 발광소자에서 방사되는 청색 파장의 광을 미리 결정된 파장의 광으로 변환할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(210)은 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(220)에 바로 입사되는 것을 막아주는 버퍼(buffer) 역할을 수행할 수 있다.The first wavelength conversion layer 210 may include one or more bulk phosphor materials. The first wavelength conversion layer 210 may convert light of a blue wavelength emitted from the light emitting device into light of a predetermined wavelength. The first wavelength conversion layer 210 may serve as a buffer that prevents light of a blue wavelength from being directly incident on the second wavelength conversion layer 220 .

제2 파장변환층(220)은 하나 이상의 퀀텀 닷(QD) 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(220)은 제1 파장변환층(220)의 상부에 배치되어, 상기 제1 파장변환층(220)에서 방사되는 미리 결정된 파장의 광을 백색 파장의 광으로 변환할 수 있다.The second wavelength conversion layer 220 may include one or more quantum dot (QD) materials. The second wavelength conversion layer 220 is disposed on the first wavelength conversion layer 220 to convert light of a predetermined wavelength emitted from the first wavelength conversion layer 220 into light of a white wavelength. there is.

QD 물질은 퀀텀 닷(또는 양자점, Quantum Dot)을 포함하는 색광 변환 물질로서, 아크릴레이트(acrylate) 또는 에폭시 폴리머(epoxy polymer) 또는 이들의 조합과 같은 매트릭스 물질에 퀀텀 닷을 혼합 또는 분산하여 형성될 수 있다.The QD material is a color light conversion material containing quantum dots (or quantum dots), and is formed by mixing or dispersing quantum dots in a matrix material such as acrylate or epoxy polymer or a combination thereof. can

퀀텀 닷은 지름이 수 나노미터(nm)인 반도체 나노 입자로 양자구속 혹은 양자가둠 효과(Quantum Confinement Effect)와 같은 양자 역학(Quantum Mechanics)적 특성을 지니고 있다. 여기서, 양자구속 효과란 반도체 나노 입자의 크기가 작아짐에 따라 띠 간격 에너지(band gap energy)가 커지는(역으로 파장은 작아지는) 현상을 의미한다. 화학 합성 공정으로 만들어지는 퀀텀닷은 재료를 바꾸지 않고 입자 크기를 조절하는 것만으로도 원하는 색상을 구현할 수 있다. 예컨대, 양자구속 효과에 따라 나노 입자 크기가 작을수록 짧은 파장을 갖는 청색 빛을 발광할 수 있고, 나노 입자의 크기가 클수록 긴 파장을 갖는 적색 빛을 발광할 수 있다. A quantum dot is a semiconductor nanoparticle with a diameter of several nanometers (nm) and has quantum mechanical properties such as quantum confinement or quantum confinement effect. Here, the quantum confinement effect means a phenomenon in which band gap energy increases (conversely, wavelength decreases) as the size of semiconductor nanoparticles decreases. Quantum dots, which are made through a chemical synthesis process, can achieve the desired color simply by adjusting the particle size without changing the material. For example, according to the quantum confinement effect, blue light having a shorter wavelength can be emitted as the size of the nanoparticles decreases, and red light having a longer wavelength can be emitted as the size of the nanoparticles increases.

퀀텀 닷은 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅳ족 물질일 수 있으며, 구체적으로 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP2, PbS, ZnO, TiO2, AgI, AgBr, Hg12, PbSe, In2S3, In2Se3, Cd3P2, Cd3As2 또는 GaAs일 수 있다. 또한, 퀀텀 닷은 코어-쉘 구조(core-shell)를 가질 수 있다. 여기서, 코어(core)는 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 쉘(shell)은 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The quantum dot may be a group II-VI, III-V, or IV material, specifically CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP 2 , PbS, ZnO, TiO 2 , AgI, AgBr, Hg 12 , PbSe, In 2 S 3 , In 2 Se 3 , Cd 3 P 2 , Cd 3 As 2 or GaAs. In addition, quantum dots may have a core-shell structure. Here, the core includes any one material selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, and HgS, and the shell includes CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, It may include any one material selected from the group consisting of ZnS, HgTe and HgS.

제1 및 제2 파장변환층들(210, 220)은 시트 타입(sheet type)으로 형성되거나 혹은 레진 타입(resin type)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 파장변환층들(210, 220)은 발광소자 패키지의 용도에 따라 다양한 조합의 조성 물질로 구성될 수 있다.The first and second wavelength conversion layers 210 and 220 may be formed in a sheet type or a resin type. The first and second wavelength conversion layers 210 and 220 may be composed of various combinations of composition materials according to the purpose of the light emitting device package.

아래 표 1은 제1 파장변환층(210) 및 제2 파장변환층(220)을 구성하는 조성 물질의 조합을 예시하는 표이다. 표 1에 도시된 바와 같이, 일 실시 형태로, 제1 파장변환층(210)은 적색 형광체 물질과 녹색 형광체 물질을 포함할 수 있고, 이에 대응하는 제2 파장변환층(220)은 적색 퀀텀 닷 물질과 녹색 퀀텀 닷 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시 형태로, 제1 파장변환층(210)은 적색 형광체 물질을 포함할 수 있고, 이에 대응하는 제2 파장변환층(220)은 적색 퀀텀 닷 물질, 녹색 퀀텀 닷 물질 및 녹색 형광체 물질을 포함할 수 있다. 또 다른 실시 형태로, 제1 파장변환층(210)은 녹색 형광체 물질을 포함할 수 있고, 이에 대응하는 제2 파장변환층(220)은 적색 퀀텀 닷 물질, 녹색 퀀텀 닷 물질 및 적색 형광체 물질을 포함할 수 있다. 한편, 이외에도, 다양한 조합의 조성 물질들로 제1 파장변환층(210) 및 제2 파장변환층(220)을 구성할 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.Table 1 below is a table illustrating combinations of materials constituting the first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 . As shown in Table 1, in one embodiment, the first wavelength conversion layer 210 may include a red phosphor material and a green phosphor material, and the second wavelength conversion layer 220 corresponding to this may include a red quantum dot. material and a green quantum dot material. In another embodiment, the first wavelength conversion layer 210 may include a red phosphor material, and the corresponding second wavelength conversion layer 220 includes a red quantum dot material, a green quantum dot material, and a green phosphor material. can do. In another embodiment, the first wavelength conversion layer 210 may include a green phosphor material, and the corresponding second wavelength conversion layer 220 includes a red quantum dot material, a green quantum dot material, and a red phosphor material. can include On the other hand, it will be apparent to those skilled in the art that the first wavelength conversion layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 can be configured with various combinations of composition materials.

제1 실시 형태First Embodiment 제2 실시 형태Second Embodiment 제3 실시 형태3rd embodiment 제1 파장변환층1st wavelength conversion layer Red PH + Green PHRed PH + Green PH Red PHRed PH Green PHGreen PH 제2 파장변환층Second wavelength conversion layer Red QD + Green QDRed QD + Green QD Red QD + Green QD + Green PHRed QD + Green QD + Green PH Red QD + Green QD + Red PHRed QD + Green QD + Red PH

투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(230), 상기 하부 투광 플레이트(230)의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트(250), 상기 하부 투광 플레이트(230) 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트(250)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(240)를 포함할 수 있다.The light-transmitting plate body corresponds to the lower light-transmitting plate 230, the plurality of side light-transmitting plates 250 formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate 230, and the upper surface of the lower light-transmitting plate 230, and the plurality of side light-transmitting plates ( 250) may include an upper light transmission plate 240 formed on the upper surface.

투광 플레이트 바디의 내측에는 제1 및 제2 파장변환층들(210, 220)을 실장하기 위한 중공영역(Empty Portion, 260)이 형성될 수 있다. 상기 중공영역은 진공(vacuum) 상태일 수 있다. An empty portion 260 for mounting the first and second wavelength conversion layers 210 and 220 may be formed inside the light transmission plate body. The hollow region may be in a vacuum state.

하부 투광 플레이트(230)의 상면에 중공영역(260) 및 측면 투광 플레이트(250)을 형성하는 방법으로는, 크게 세 가지 공정 즉, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 등이 있다. 기계적 가공 공정은 그라인더(grinder)로 하부 투광 플레이트의 상면을 깎아서 트렌치를 형성하는 공정이고, 화학적 가공 공정은 에칭 용액과 마스크(mask)로 하부 투광 플레이트의 상면을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정이며, 조립 공정은 복수 개의 글래스 부재들을 레이저로 용접하여 트렌치를 형성하는 공정이다.Methods for forming the hollow region 260 and the side light transmission plate 250 on the upper surface of the lower light transmission plate 230 include three major processes, namely, a mechanical processing process, a chemical processing process, and an assembly process. The mechanical processing process is a process of forming a trench by cutting the upper surface of the lower light-transmitting plate with a grinder, and the chemical processing process is a process of forming a trench by etching the upper surface of the lower light-transmitting plate with an etching solution and a mask, The assembling process is a process of forming a trench by welding a plurality of glass members with a laser.

하부 투광 플레이트(230)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 하부 투광 플레이트(230)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 또한, 하부 투광 플레이트(230)는 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The overall shape of the lower light transmission plate 230 may be formed in a thin plate shape, but is not necessarily limited thereto. The upper and lower surfaces of the lower light transmission plate 230 may be formed in a predetermined shape (for example, a rectangle, a square, a circle, an oval, etc.). Also, the lower light transmission plate 230 may be formed to have a uniform thickness.

중공영역(260)의 전체적인 형상은 하부 투광 플레이트(230)의 외부 형상과 동일 또는 유사한 모양으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상기 중공영역(260)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상기 중공영역(260)은 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 중공영역(260)은 하부 투광 플레이트(230)의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The overall shape of the hollow region 260 may be the same as or similar to the external shape of the lower light transmission plate 230, but is not necessarily limited thereto. The upper and lower surfaces of the hollow region 260 may be formed in a predetermined shape (for example, a rectangle, a square, a circle, an oval, etc.). The hollow region 260 may be formed to have a uniform thickness. Also, the hollow region 260 may be formed to have a thickness smaller than that of the lower light transmission plate 230 .

복수의 측면 투광 플레이트들(250)은 하부 투광 플레이트(230)의 상면의 맨 가장자리 영역을 따라 중공영역(260)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 측면 투광 플레이트들(250)은 직사각형의 고리 모양으로 형성될 수 있다.The plurality of side light transmission plates 250 may be formed to surround the hollow region 260 along the outer edge of the upper surface of the lower light transmission plate 230 . For example, the side light transmission plates 250 may be formed in a rectangular ring shape.

하부 투광 플레이트(230)의 하면에는, 발광소자에서 방사되는 빛을 산란시키기 위한 복수의 패턴들이 형성될 수 있다. 상기 복수의 패턴들은, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같은 프리즘 타입의 패턴일 수 있다. 또한, 상기 패턴들은, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같은 엠보싱 타입의 패턴일 수 있다.A plurality of patterns may be formed on the lower surface of the lower light transmission plate 230 to scatter light emitted from the light emitting device. The plurality of patterns may be prism-type patterns as shown in (a) of FIG. 4 . In addition, the patterns may be embossing type patterns as shown in FIG. 4(b).

상부 투광 플레이트(240)는 측면 투광 플레이트들(250)의 상부에 배치되어, 상기 중공영역(260)에 존재하는 제1 및 제2 파장변환층들(210, 220)을 커버할 수 있다. The upper light transmission plate 240 may be disposed above the side light transmission plates 250 to cover the first and second wavelength conversion layers 210 and 220 existing in the hollow region 260 .

상부 투광 플레이트(240)와 복수의 측면 투광 플레이트들(250)이 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)하여 퀀텀닷 플레이트 조립체(200)를 형성할 수 있다. 이러한 레이저 글래스 용접(laser glass welding)을 통해, 하부 투광 플레이트(230)와 상부 투광 플레이트(240)와 측면 투광 플레이트들(250) 사이의 빈 공간(즉, 중공영역, 260)에 제1 파장변환층(210)과 제2 파장변환층(220)을 밀봉(sealing)할 수 있다.The quantum dot plate assembly 200 may be formed by welding an area where the upper light transmission plate 240 and the plurality of side light transmission plates 250 meet each other with a femto laser beam. Through such laser glass welding, the first wavelength conversion is performed in the empty space (ie, the hollow region 260) between the lower light-transmitting plate 230, the upper light-transmitting plate 240, and the side light-transmitting plates 250. The layer 210 and the second wavelength conversion layer 220 may be sealed.

상부 투광 플레이트(240)는 측면 투광 플레이트들(250)의 상부와 만나는 접촉부와 상기 중공영역(260)에 대응되는 평탄(Flat)부를 구비할 수 있다.The upper light-transmitting plate 240 may include a contact portion meeting upper portions of the side light-transmitting plates 250 and a flat portion corresponding to the hollow region 260 .

상부 투광 플레이트(240)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상부 투광 플레이트(240)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상부 투광 플레이트(240)는 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다. The overall shape of the upper light transmission plate 240 may be formed in a thin plate shape, but is not necessarily limited thereto. The upper and lower surfaces of the upper light transmission plate 240 may be formed in a predetermined shape (eg, rectangular, square, circular, oval, etc.). The upper light transmission plate 240 may be formed to have a uniform thickness.

상부 투광 플레이트(240)는 하부 투광 플레이트(230)와 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 상부 투광 플레이트(240)의 하면과 복수의 측면 투광 플레이트들(250)의 상면은 높은 평탄도를 갖도록 형성되어, 레이저 용접으로 인한 접합율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 상부 투광 플레이트(240)와 복수의 측면 투광 플레이트들(250)은 1 마이크로미터(㎛) 이하의 평탄도를 가질 수 있다.The upper light transmission plate 240 may be formed to have the same shape and size as the lower light transmission plate 230 . The lower surface of the upper light-transmitting plate 240 and the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates 250 are formed to have high flatness, so that a bonding rate due to laser welding can be improved. For example, the top light transmission plate 240 and the plurality of side light transmission plates 250 may have a flatness of 1 micrometer (μm) or less.

이러한 제1 파장변환층(210), 제2 파장변환층(220), 하부 투광 플레이트(230), 상부 투광 플레이트(240) 및 측면 투광 플레이트들(250)을 포함하는 퀀텀닷 플레이트 조립체(200)는 발광소자(미도시) 상에 배치되어, 상기 발광소자에서 방사되는 빛의 파장을 효과적으로 변환할 수 있다. 또한, 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체(200)는 제2 파장변환층(220)의 하부에 제1 파장변환층(210)을 배치함으로써, 발광소자에서 방사되는 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.Quantum dot plate assembly 200 including the first wavelength conversion layer 210, the second wavelength conversion layer 220, the lower light transmission plate 230, the upper light transmission plate 240 and the side light transmission plates 250 is disposed on a light emitting element (not shown), and can effectively convert a wavelength of light emitted from the light emitting element. In addition, in the quantum dot plate assembly 200, the first wavelength conversion layer 210 is disposed below the second wavelength conversion layer 220, thereby preventing damage to the quantum dots due to blue wavelength light emitted from the light emitting device. can be minimized.

도 5a 내지 도 5f는 도 1의 발광소자 패키지에 포함된 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면이다.5A to 5F are diagrams illustrating a manufacturing method of a quantum dot plate assembly included in the light emitting device package of FIG. 1 .

도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 일정한 크기 및 두께를 갖는 제1 글래스 플레이트(또는 하부 글래스 플레이트, 510)를 생성할 수 있다. 상기 제1 글래스 플레이트(510)는 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.Referring to FIGS. 5A to 5C , a first glass plate (or lower glass plate) 510 having a constant size and thickness may be created. The first glass plate 510 may have a plate shape having a predetermined shape (eg, a rectangle or a square).

제1 글래스 플레이트(510)의 상면에는 복수의 중공영역들(520)을 형성할 수 있다. 일 실시 예로, 제1 글래스 플레이트(510)의 상면을 그라인더(grinder)로 깎아서 복수의 중공영역들(520)을 형성할 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 제1 글래스 플레이트(510)의 상면을 에칭 용액 및 마스크(mask)로 식각하여 복수의 중공영역들(520)과 복수의 측면 투광 플레이트들을 형성할 수 있다.A plurality of hollow regions 520 may be formed on the upper surface of the first glass plate 510 . As an example, the plurality of hollow regions 520 may be formed by grinding the upper surface of the first glass plate 510 with a grinder. Meanwhile, in another embodiment, the upper surface of the first glass plate 510 may be etched with an etching solution and a mask to form a plurality of hollow regions 520 and a plurality of side transmissive plates.

복수의 중공영역들(520)은 제1 글래스 플레이트(510)의 상면에 매트릭스 형태로 배열되도록 형성될 수 있다. 상기 복수의 중공영역들(520)은 일정한 간격으로 배치되도록 형성될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 복수의 중공영역들(520)은 제1 글래스 플레이트(510)의 상면에 일렬로 배열되도록 형성될 수도 있다. The plurality of hollow regions 520 may be formed to be arranged in a matrix form on the upper surface of the first glass plate 510 . The plurality of hollow regions 520 may be formed to be arranged at regular intervals. Meanwhile, in another embodiment, the plurality of hollow regions 520 may be formed to be arranged in a line on the upper surface of the first glass plate 510 .

각각의 중공영역(520)은 서로 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로, 각각의 중공영역(520)은 얇은 직육면체 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 중공영역(520)은 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.Each of the hollow regions 520 may be formed to have the same shape and size as each other. For example, each hollow region 520 may be formed in a thin rectangular parallelepiped shape. In addition, each hollow region 520 may be formed to have a uniform thickness.

제1 글래스 플레이트(510)의 하면에는 프리즘 타입의 패턴들(530)을 형성할 수 있다. 상기 패턴들(530)은 레이저 에칭, 습식 에칭 또는 건식 에칭 등을 통해 형성될 수 있다. Prism-type patterns 530 may be formed on the lower surface of the first glass plate 510 . The patterns 530 may be formed through laser etching, wet etching, or dry etching.

도 5d를 참조하면, 트렌치 공정 및 패턴 공정이 완료된 제1 글래스 플레이트(510)를 챔버(chamber) 내부로 이동시킨 후, 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하여 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만들 수 있다.Referring to FIG. 5D , after the first glass plate 510 on which the trench process and the pattern process have been completed is moved into a chamber, air inside the chamber may be discharged to the outside to create a vacuum inside the chamber. .

이러한 진공 조건에서, 형광체 주입 장치(미도시)를 이용하여 벌크 형광체(540)를 제1 글래스 플레이트(510)의 상면에 형성된 중공영역들(520)에 주입할 수 있다. 이때, 상기 벌크 형광체(540)로 구성된 제1 파장변환층은 100㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. Under this vacuum condition, the bulk phosphor 540 may be injected into the hollow regions 520 formed on the upper surface of the first glass plate 510 using a phosphor injection device (not shown). In this case, the first wavelength conversion layer composed of the bulk phosphor 540 may be formed to a thickness of 100 μm or less.

이후, 형광체 주입 장치(미도시)를 이용하여 QD 형광체(550)를 벌크 형광체(540) 위에 주입할 수 있다. 이때, 상기 QD 형광체(550)로 구성된 제2 파장변환층은 80~120㎛의 두께로 형성될 수 있다. 통상 벌크 형광체(540) 및 QD 형광체(550)는 졸(sol) 상태이므로, 각 중공영역(520)의 하부에서부터 상부 방향으로 채워지게 된다. 상기 QD 형광체(550)는 형광체 주입 장치를 통해 측면 투광 플레이트의 상면과 동일한 높이 혹은 그 보다 약간 낮은 높이까지 주입될 수 있다. 또한, 제1 파장변환층과 제2 파장변환층의 높이의 합이 발광소자의 높이와 같거나 크도록 주입될 수 있다.Thereafter, the QD phosphor 550 may be injected onto the bulk phosphor 540 using a phosphor injection device (not shown). At this time, the second wavelength conversion layer composed of the QD phosphor 550 may be formed to a thickness of 80 to 120 μm. In general, since the bulk phosphor 540 and the QD phosphor 550 are in a sol state, each hollow region 520 is filled from the bottom to the top. The QD phosphor 550 may be injected to a height equal to or slightly lower than the upper surface of the side transmissive plate through a phosphor injection device. In addition, it may be injected such that the sum of the heights of the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer is equal to or greater than the height of the light emitting device.

벌크 형광체(540) 및 QD 형광체(550)의 주입이 모두 완료되면, 챔버 내부의 온도를 미리 결정된 온도까지 상승시켜 복수의 중공영역들(520)에 주입된 형광체들(540, 550)을 단단하게 경화시킬 수 있다. 이에 따라, 벌크 형광체(540) 및 QD 형광체(430)는 중공영역(520)의 형상에 대응한다. When the injection of the bulk phosphor 540 and the QD phosphor 550 are both completed, the temperature inside the chamber is raised to a predetermined temperature to harden the phosphors 540 and 550 injected into the plurality of hollow regions 520. can be hardened. Accordingly, the bulk phosphor 540 and the QD phosphor 430 correspond to the shape of the hollow region 520 .

이후, 레이저 글래스 용접을 수행하기 위해, 세척 장치를 이용하여 QD 형광체(550)와 인접한 제1 글래스 플레이트(510)의 상면을 세척할 수 있다. 또한, 세척 장치를 이용하여 제1 글래스 플레이트(510)와 용접할 제2 글래스 플레이트(또는 상부 글래스 플레이트, 560)를 세척할 수도 있다. Thereafter, in order to perform laser glass welding, the upper surface of the first glass plate 510 adjacent to the QD phosphor 550 may be cleaned using a cleaning device. In addition, the first glass plate 510 and the second glass plate (or upper glass plate 560 ) to be welded may be washed using a cleaning device.

도 5e를 참조하면, 제1 글래스 플레이트(510)와 동일한 모양 및 크기를 갖는 제2 글래스 플레이트(560)를 생성할 수 있다. 마찬가지로, 상기 제2 글래스 플레이트(560)는 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 5E , a second glass plate 560 having the same shape and size as the first glass plate 510 may be created. Similarly, the second glass plate 560 may be configured in a plate shape having a predetermined shape (eg, a rectangle or a square).

제2 글래스 플레이트(560)는 제1 글래스 플레이트(510)의 상부에 배치되어, 제1 글래스 플레이트(510)의 중공영역들(520)에 존재하는 제1 및 제2 파장변환층들(540, 550)을 커버할 수 있다.The second glass plate 560 is disposed on the first glass plate 510, and the first and second wavelength conversion layers 540 exist in the hollow regions 520 of the first glass plate 510; 550) can be covered.

제1 글래스 플레이트(510)와 제2 글래스 플레이트(560)는 높은 평탄도를 갖도록 형성되어, 레이저 용접으로 인한 접합율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 제1 글래스 플레이트(510)와 제2 글래스 플레이트(560)의 평탄도는 1 마이크로미터 이하를 가질 수 있다.The first glass plate 510 and the second glass plate 560 are formed to have high flatness, so that a bonding rate due to laser welding can be improved. For example, the flatness of the first glass plate 510 and the second glass plate 560 may be 1 micrometer or less.

제1 및 제2 글래스 플레이트(510, 560)가 적층된 상태에서, 레이저 장치(미도시)를 이용하여 미리 결정된 파장을 갖는 펨토 레이저 빔(femto laser beam)을 제2 글래스 플레이트(560)의 상면에 수직한 방향으로 조사할 수 있다. 이때, 상기 미리 결정된 파장은 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 포함할 수 있으며, 좀 더 바람직하게는 1030㎚ 내지 1060㎚의 파장을 포함할 수 있다.In a state where the first and second glass plates 510 and 560 are stacked, a femto laser beam having a predetermined wavelength is applied to the upper surface of the second glass plate 560 using a laser device (not shown). can be investigated in a direction perpendicular to In this case, the predetermined wavelength may include a wavelength of 1000 nm to 1100 nm, and more preferably may include a wavelength of 1030 nm to 1060 nm.

레이저 장치(미도시)는 제1 글래스 플레이트(510)의 상면(즉, 측면 투광 플레이트의 상면)과 제2 글래스 플레이트(560)의 하면이 서로 만나는 영역(즉, 도 5e에 도시된 점선 영역, 570)을 따라 펨토 레이저 빔을 조사할 수 있다. 상기 펨토 레이저 빔이 조사된 글래스 영역은 고온(가령, 2000℃ 내지 3000℃)으로 용융되어, 제1 글래스 플레이트(510)와 제2 글래스 플레이트(560)를 접합시킨다. 본 발명에 따른 레이저 글래스 용접은 10-3g/㎡/day 미만의 투습도(즉, 단위면적당 습기가 침투할 수 있는 정도, Water Vapor Transmission Rate)를 유지함으로써, 상기 제1 글래스 플레이트(510)와 제2 글래스 플레이트(560) 사이로 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. The laser device (not shown) is a region where the upper surface of the first glass plate 510 (ie, the upper surface of the side transmissive plate) and the lower surface of the second glass plate 560 meet each other (ie, the dotted line area shown in FIG. 5E, 570), a femto laser beam may be irradiated. The glass region irradiated with the femto laser beam is melted at a high temperature (eg, 2000° C. to 3000° C.) to bond the first glass plate 510 and the second glass plate 560 together. In the laser glass welding according to the present invention , the first glass plate 510 and Moisture penetration between the second glass plates 560 may be prevented.

이러한 레이저 글래스 용접을 통해, 제1 글래스 플레이트(510)와 제2 글래스 플레이트(560) 사이에 존재하는 복수의 중공영역들(520)에 제1 및 제2 파장변환층들(540, 550)을 실링할 수 있다.Through such laser glass welding, the first and second wavelength conversion layers 540 and 550 are formed in the plurality of hollow regions 520 existing between the first glass plate 510 and the second glass plate 560. Sealing can be done.

도 5f를 참조하면, 레이저 글래스 용접 완료 시, 컷팅 장치(미도시)를 이용하여 각 중공영역들(520) 사이의 경계 부분을 제2 글래스 플레이트(560)의 상면에 수직한 방향으로 자를 수 있다. 이러한 컷팅 공정을 통해 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 제작할 수 있다. 상기 컷팅 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 분리시키는 브레이킹 공정, 각 중공영역들 사이에 레이저를 조사하여 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 5F , when the laser glass welding is completed, a boundary portion between the hollow regions 520 may be cut in a direction perpendicular to the upper surface of the second glass plate 560 by using a cutting device (not shown). . A plurality of quantum dot plate assemblies may be manufactured through such a cutting process. The cutting process is, for example, a breaking process in which physical force is applied using a blade to separate the hollow areas, a laser scribing process in which laser is irradiated and separated between each hollow area, and wet etching or dry etching. It may include an etching process for separation, etc., but is not limited thereto.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 발광소자(610), 상기 발광소자(610) 상의 접착층(620), 상기 접착층(620) 상의 제1 파장변환층(630), 상기 제1 파장변환층(630) 상의 퀀텀닷 플레이트 조립체(640), 상기 발광소자(610) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(640)를 둘러싸는 몰딩 부재(650), 상기 몰딩 부재(650)의 측면에 배치되는 반사 부재(660)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , a light emitting device package 600 according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device 610, an adhesive layer 620 on the light emitting device 610, and a first wavelength conversion layer on the adhesive layer 620. 630, the quantum dot plate assembly 640 on the first wavelength conversion layer 630, the molding member 650 surrounding the light emitting device 610 and the quantum dot plate assembly 640, the molding member 650 ) It may include a reflective member 660 disposed on the side.

발광소자(610)는 기판, 상기 기판 아래의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래의 제2 도전형 메탈층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 제1 도전형 메탈층을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(610)는 플립칩 타입의 발광 소자일 수 있다.The light emitting device 610 includes a substrate, a first conductivity type semiconductor layer under the substrate, an active layer under the first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer under the active layer, and a layer under the second conductivity type semiconductor layer. A second conductivity type metal layer and a first conductivity type metal layer under the first conductivity type semiconductor layer may be included. The light emitting device 610 may be a flip chip type light emitting device.

접착층(620)은 발광소자(610)와 제1 파장변환층(630) 사이에 배치되어, 상기 발광소자(610)과 제1 파장변환층(630)을 접착시킬 수 있다. 접착층(620)은 발광소자(610)의 상면에 전체적으로 도포될 수 있다. 또한, 상기 접착층(620)은 발광소자(610)에서 방사한 빛이 쉽게 투과할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다.The adhesive layer 620 may be disposed between the light emitting element 610 and the first wavelength conversion layer 630 to adhere the light emitting element 610 to the first wavelength conversion layer 630 . The adhesive layer 620 may be entirely coated on the upper surface of the light emitting device 610 . In addition, the adhesive layer 620 may be formed of a transparent material so that light emitted from the light emitting device 610 can easily pass through.

접착층(620)은 실리콘 수지(silicon resin) 또는 에폭시 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다. 또한, 접착층(620)은 광 산란제를 포함할 수 있다. 상기 광 산란제는 굴절률의 편차를 이용하여 빛을 산란시키는 물질이다. 상기 광 산란제로는 발광소자(610)의 기판과 다른 굴절률을 갖는 BN, TiO2, SiO2 등이 사용될 수 있다.The adhesive layer 620 may include silicone resin or epoxy resin. Also, the adhesive layer 620 may include a light scattering agent. The light scattering agent is a material that scatters light using a refractive index deviation. As the light scattering agent, BN, TiO 2 , SiO 2 , or the like having a refractive index different from that of the substrate of the light emitting device 610 may be used.

광 산란제는 발광소자(610)에서 방사되는 청색 파장의 광을 산란시킬 수 있다. 이러한 광 산란을 통해, 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(641)의 퀀텀 닷에 바로 입사되는 것을 방지함으로써 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 광 산란제는 발광소자(610) 및/또는 퀀텀닷 플레이트 조립체(640)에서 발생하는 열을 외부로 확산시킬 수 있다.The light scattering agent may scatter blue wavelength light emitted from the light emitting device 610 . Through such light scattering, damage to the quantum dot may be minimized by preventing light having a blue wavelength from being directly incident on the quantum dot of the second wavelength conversion layer 641 . In addition, the light scattering agent may diffuse heat generated from the light emitting device 610 and/or the quantum dot plate assembly 640 to the outside.

제1 파장변환층(630)은 접착층(620)과 퀀텀닷 플레이트 조립체(640) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(630)은 형광체 필름 또는 형광체 시트로 형성될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(630)은 하나 이상의 벌크 형광체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(630)은 발광소자(610)에서 방사되는 청색 파장의 광을 미리 결정된 파장의 광으로 변환할 수 있다.The first wavelength conversion layer 630 may be disposed between the adhesive layer 620 and the quantum dot plate assembly 640 . The first wavelength conversion layer 630 may be formed of a phosphor film or a phosphor sheet. The first wavelength conversion layer 630 may include one or more bulk phosphor materials. The first wavelength conversion layer 630 may convert light of a blue wavelength emitted from the light emitting device 610 into light of a predetermined wavelength.

제1 파장변환층(630)은 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(841)에 바로 입사되는 것을 막아주는 버퍼(buffer) 역할을 수행할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(610)에서 방사되는 청색 파장의 광으로 인해 제2 파장변환층(841)의 퀀텀 닷이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.The first wavelength conversion layer 630 may serve as a buffer that prevents blue wavelength light from being directly incident on the second wavelength conversion layer 841 . Accordingly, damage to the quantum dots of the second wavelength conversion layer 841 due to blue wavelength light emitted from the light emitting element 610 can be minimized.

퀀텀닷 플레이트 조립체(640)는 제1 파장변환층(630) 상에 배치되어, 상기 제1 파장변환층(630)에서 방사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다.The quantum dot plate assembly 640 may be disposed on the first wavelength conversion layer 630 to convert a wavelength of light emitted from the first wavelength conversion layer 630 .

퀀텀닷 플레이트 조립체(640)는 제2 파장변환층(641)과 상기 제2 파장변환층(641)을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다. The quantum dot plate assembly 640 may include a second wavelength conversion layer 641 and a light transmission plate body sealing the second wavelength conversion layer 641 .

투광 플레이트 바디는 내부에 형성된 중공영역(empty portion)을 구비하며, 상기 중공영역에 배치된 제2 파장변환층(641)이 외부 환경에 노출되지 않도록 실링할 수 있다.The light transmission plate body has an empty portion formed therein, and may seal the second wavelength conversion layer 641 disposed in the hollow portion so that it is not exposed to the external environment.

투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(643), 상기 하부 투광 플레이트(643)의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트(644), 상기 하부 투광 플레이트(643) 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트(644)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(645)를 포함할 수 있다.The light-transmitting plate body corresponds to the lower light-transmitting plate 643, the plurality of side light-transmitting plates 644 formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate 643, and the upper surface of the lower light-transmitting plate 643, and the plurality of side light-transmitting plates ( 644 may include an upper light transmission plate 645 formed on the upper surface.

투광 플레이트 바디의 내측에는 제2 파장변환층(641)을 실장하기 위한 중공영역(또는 트렌치 영역)이 형성될 수 있다. 상기 중공영역은 진공(vacuum) 상태일 수 있다.A hollow region (or trench region) for mounting the second wavelength conversion layer 641 may be formed inside the light transmission plate body. The hollow region may be in a vacuum state.

복수의 측면 투광 플레이트(644)의 상면과 상부 투광 플레이트(645)의 하면이 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)함으로써, 투광 플레이트 바디의 중공영역에 제2 파장변환층(641)을 실링할 수 있다.The second wavelength conversion layer 641 is formed in the hollow region of the light-transmitting plate body by welding the area where the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates 644 and the lower surface of the upper light-transmitting plate 645 meet each other with a femto laser beam. Sealing can be done.

제2 파장변환층(641)은 하나 이상의 퀀텀 닷 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(641)은 제1 파장변환층(630)에서 방사되는 미리 결정된 파장의 광을 백색 파장의 광으로 변환할 수 있다.The second wavelength conversion layer 641 may include one or more quantum dot materials. The second wavelength conversion layer 641 may convert light of a predetermined wavelength emitted from the first wavelength conversion layer 630 into light of a white wavelength.

투광 플레이트 바디는 제1 파장변환층(630)에 대향하는 면에 미리 결정된 패턴이 형성되어, 상기 제1 파장변환층(630)에서 방사되는 광을 산란시킬 수 있다. 이러한 광 산란을 통해, 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(641)의 퀀텀 닷에 바로 입사되는 것을 방지함으로써 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.The light transmission plate body may have a predetermined pattern formed on a surface facing the first wavelength conversion layer 630 to scatter light emitted from the first wavelength conversion layer 630 . Through such light scattering, damage to the quantum dot may be minimized by preventing light having a blue wavelength from being directly incident on the quantum dot of the second wavelength conversion layer 641 .

투광 플레이트 바디의 하면에 형성된 패턴들은, 프리즘 타입 패턴(prism type pattern)이거나 혹은 엠보싱 타입 패턴(embossing type pattern)일 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. Patterns formed on the lower surface of the light transmission plate body may be prism type patterns or embossing type patterns, but are not necessarily limited thereto.

몰딩 부재(650)는 발광소자(610) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(640)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 몰딩 부재(650)는 외부 환경 및/또는 외부 충격 등으로부터 발광소자(610) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(640)를 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(650)는 발광소자(610)에서 방사되는 빛을 특정 방향(가령, 상부 방향)으로 반사시킬 수 있다.The molding member 650 may be formed to surround the light emitting device 610 and the quantum dot plate assembly 640 . The molding member 650 may protect the light emitting device 610 and the quantum dot plate assembly 640 from an external environment and/or external impact. Also, the molding member 650 may reflect light emitted from the light emitting device 610 in a specific direction (eg, an upward direction).

몰딩 부재(650)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드 9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The molding member 650 is a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , photo sensitive glass (PSG), poly It may be formed of at least one of amide 9T (PA9T), syngiotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), and beryllium oxide (BeO).

반사 부재(660)는 몰딩 부재(650)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 반사 부재(660)는 몰딩 부재(650)를 지지하여 발광소자 패키지(600)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반사 부재(660)는 발광소자(610) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(640)에서 발생된 열을 외부로 방출할 수 있다. 이러한 반사 부재(660)는 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등과 같은 금속 재질로 형성될 수 있다.The reflective member 660 may be formed to surround a side surface of the molding member 650 . The reflective member 660 may support the molding member 650 to improve durability of the light emitting device package 600 . Also, the reflective member 660 may emit heat generated from the light emitting device 610 and the quantum dot plate assembly 640 to the outside. The reflective member 660 may be formed of a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag).

이상, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광소자 패키지(600)는 제1 파장변환층을 퀀텀닷 플레이트 조립체의 하부에 배치하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(600)는 광 산란제를 제1 파장변환층과 발광소자 사이에 도포하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(600)는 미리 결정된 패턴을 투광 플레이트 바디의 하면에 형성하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.As described above, in the light emitting device package 600 according to the present invention, damage to the quantum dots caused by blue wavelength light can be minimized by arranging the first wavelength conversion layer under the quantum dot plate assembly. In addition, in the light emitting device package 600, damage to quantum dots caused by blue wavelength light may be minimized by applying a light scattering agent between the first wavelength conversion layer and the light emitting device. In addition, the light emitting device package 600 may minimize damage to quantum dots due to blue wavelength light by forming a predetermined pattern on the lower surface of the light transmitting plate body.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 발광소자(710), 상기 발광소자(710) 상의 제1 파장변환층(720), 상기 제1 파장변환층(720) 상의 퀀텀닷 플레이트 조립체(730), 상기 발광소자(710) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(730)를 둘러싸는 몰딩 부재(740), 상기 몰딩 부재(740)의 측면에 배치되는 반사 부재(750)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a light emitting device package 700 according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device 710, a first wavelength conversion layer 720 on the light emitting device 710, and the first wavelength conversion layer ( 720) on the quantum dot plate assembly 730, a molding member 740 surrounding the light emitting device 710 and the quantum dot plate assembly 730, and a reflective member 750 disposed on a side surface of the molding member 740 can include

발광소자(710)는 기판, 상기 기판 아래의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래의 제2 도전형 메탈층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 제1 도전형 메탈층을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(710)는 플립칩 타입의 발광 소자일 수 있다.The light emitting device 710 includes a substrate, a first conductivity type semiconductor layer under the substrate, an active layer under the first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer under the active layer, and a layer under the second conductivity type semiconductor layer. A second conductivity type metal layer and a first conductivity type metal layer under the first conductivity type semiconductor layer may be included. The light emitting device 710 may be a flip chip type light emitting device.

제1 파장변환층(또는 접착층, 720)은 발광소자(710)과 퀀텀닷 플레이트 조립체(730) 사이에 배치되어, 상기 발광소자(710)과 퀀텀닷 플레이트 조립체(730)를 접착시킬 수 있다. 제1 파장변환층(720)은 발광소자(710)의 상면에 전체적으로 도포될 수 있다. 또한, 상기 제1 파장변환층(720)은 발광소자(710)에서 방사한 빛이 쉽게 투과할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다.The first wavelength conversion layer (or adhesive layer) 720 may be disposed between the light emitting device 710 and the quantum dot plate assembly 730 to adhere the light emitting device 710 to the quantum dot plate assembly 730. The first wavelength conversion layer 720 may be entirely coated on the upper surface of the light emitting device 710 . In addition, the first wavelength conversion layer 720 may be formed of a transparent material so that light emitted from the light emitting element 710 can easily pass through.

제1 파장변환층(720)은 실리콘 수지(silicon resin) 또는 에폭시 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 파장변환층(720)은 광 산란제를 포함할 수 있다. 상기 광 산란제는 굴절률의 편차를 이용하여 빛을 산란시키는 물질이다. 상기 광 산란제로는 발광소자(710)의 기판과 다른 굴절률을 갖는 BN, TiO2, SiO2 등이 사용될 수 있다.The first wavelength conversion layer 720 may include silicon resin or epoxy resin. In addition, the first wavelength conversion layer 720 may include a light scattering agent. The light scattering agent is a material that scatters light using a refractive index deviation. As the light scattering agent, BN, TiO 2 , SiO 2 , or the like having a refractive index different from that of the substrate of the light emitting device 710 may be used.

광 산란제는 발광소자(710)에서 방사되는 청색 파장의 광을 산란시킬 수 있다. 이러한 광 산란을 통해, 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(731)의 퀀텀 닷에 바로 입사되는 것을 방지함으로써 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 광 산란제는 발광소자(710) 및/또는 퀀텀닷 플레이트 조립체(730)에서 발생한 열을 외부로 확산시킬 수 있다.The light scattering agent may scatter blue wavelength light emitted from the light emitting device 710 . Through such light scattering, damage to the quantum dot may be minimized by preventing light having a blue wavelength from being directly incident on the quantum dot of the second wavelength conversion layer 731 . In addition, the light scattering agent may diffuse heat generated from the light emitting device 710 and/or the quantum dot plate assembly 730 to the outside.

제1 파장변환층(720)은 하나 이상의 벌크 형광체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(720)은 벌크 형광체 물질을 통해 발광소자(710)에서 방사되는 청색 파장의 광을 미리 결정된 파장의 광으로 변환할 수 있다.The first wavelength conversion layer 720 may include one or more bulk phosphor materials. The first wavelength conversion layer 720 may convert light of a blue wavelength emitted from the light emitting device 710 into light of a predetermined wavelength through a bulk phosphor material.

제1 파장변환층(720)은 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(731)에 바로 입사되는 것을 막아주는 버퍼(buffer) 역할을 수행할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(710)에서 방사되는 청색 파장의 광으로 인해 제2 파장변환층(731)의 퀀텀 닷이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.The first wavelength conversion layer 720 may serve as a buffer that prevents blue wavelength light from directly incident on the second wavelength conversion layer 731 . Accordingly, damage to the quantum dots of the second wavelength conversion layer 731 due to blue wavelength light emitted from the light emitting element 710 can be minimized.

퀀텀닷 플레이트 조립체(730)는 제1 파장변환층(720) 상에 배치되어, 상기 제1 파장변환층(720)에서 방사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다. The quantum dot plate assembly 730 may be disposed on the first wavelength conversion layer 720 to convert a wavelength of light emitted from the first wavelength conversion layer 720 .

퀀텀닷 플레이트 조립체(730)는 제2 파장변환층(731)과 상기 제2 파장변환층(731)을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다.The quantum dot plate assembly 730 may include a second wavelength conversion layer 731 and a light transmission plate body sealing the second wavelength conversion layer 731 .

투광 플레이트 바디는 내부에 형성된 중공영역(empty portion)을 구비하며, 상기 중공영역에 배치된 제2 파장변환층(731)이 외부 환경에 노출되지 않도록 실링할 수 있다.The light transmission plate body has an empty portion formed therein, and may seal the second wavelength conversion layer 731 disposed in the hollow portion so that it is not exposed to the external environment.

투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(733), 상기 하부 투광 플레이트(733)의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트(734), 상기 하부 투광 플레이트(733) 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트(734)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(735)를 포함할 수 있다.The light-transmitting plate body corresponds to the lower light-transmitting plate 733, the plurality of side light-transmitting plates 734 formed on the upper surface of the lower light-transmitting plate 733, and the upper surface of the lower light-transmitting plate 733, and the plurality of side light-transmitting plates ( 734) may include an upper light transmission plate 735 formed on the upper surface.

투광 플레이트 바디의 내측에는 제2 파장변환층(641)을 실장하기 위한 중공영역(또는 트렌치 영역)이 형성될 수 있다. 상기 중공영역은 진공(vacuum) 상태일 수 있다.A hollow region (or trench region) for mounting the second wavelength conversion layer 641 may be formed inside the light transmission plate body. The hollow region may be in a vacuum state.

복수의 측면 투광 플레이트(734)의 상면과 상부 투광 플레이트(735)의 하면이 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)함으로써, 투광 플레이트 바디의 중공영역에 제2 파장변환층(731)을 실링할 수 있다.The second wavelength conversion layer 731 is formed in the hollow region of the light-transmitting plate body by welding the area where the upper surface of the plurality of side light-transmitting plates 734 and the lower surface of the upper light-transmitting plate 735 meet each other with a femto laser beam. Sealing can be done.

제2 파장변환층(731)은 하나 이상의 퀀텀 닷 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(731)은 제1 파장변환층(720)에서 방사되는 미리 결정된 파장의 광을 백색 파장의 광으로 변환할 수 있다.The second wavelength conversion layer 731 may include one or more quantum dot materials. The second wavelength conversion layer 731 may convert light of a predetermined wavelength emitted from the first wavelength conversion layer 720 into light of a white wavelength.

투광 플레이트 바디는 제1 파장변환층(720)에 대향하는 면에 미리 결정된 패턴이 형성되어, 상기 제1 파장변환층(720)에서 방사되는 광을 산란시킬 수 있다. 이러한 광 산란을 통해, 청색 파장의 광이 제2 파장변환층(731)의 퀀텀 닷에 바로 입사되는 것을 방지함으로써 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.The light transmission plate body may have a predetermined pattern formed on a surface facing the first wavelength conversion layer 720 to scatter light emitted from the first wavelength conversion layer 720 . Through such light scattering, damage to the quantum dot may be minimized by preventing light having a blue wavelength from being directly incident on the quantum dot of the second wavelength conversion layer 731 .

투광 플레이트 바디의 하면에 형성된 패턴들은, 프리즘 타입 패턴(prism type pattern)이거나 혹은 엠보싱 타입 패턴(embossing type pattern)일 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. Patterns formed on the lower surface of the light transmission plate body may be prism type patterns or embossing type patterns, but are not necessarily limited thereto.

몰딩 부재(740)는 발광소자(710) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(730)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 몰딩 부재(740)는 외부 환경 및/또는 외부 충격 등으로부터 발광소자(710) 및 퀀텀닷 플레이트 조립체(730)를 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(740)는 발광소자(710)에서 방사되는 빛을 특정 방향(가령, 상부 방향)으로 반사시킬 수 있다.The molding member 740 may be formed to surround the light emitting device 710 and the quantum dot plate assembly 730 . The molding member 740 may protect the light emitting device 710 and the quantum dot plate assembly 730 from an external environment and/or external impact. Also, the molding member 740 may reflect light emitted from the light emitting device 710 in a specific direction (eg, upward direction).

몰딩 부재(740)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드 9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The molding member 740 is a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , photo sensitive glass (PSG), poly It may be formed of at least one of amide 9T (PA9T), syngiotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), and beryllium oxide (BeO).

반사 부재(750)는 몰딩 부재(740)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 반사 부재(750)는 몰딩 부재(740)를 지지하여 발광소자 패키지(700)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반사 부재(750)는 발광소자(710) 및/또는 퀀텀닷 플레이트 조립체(730)에서 발생된 열을 외부로 방출할 수 있다. 이러한 반사 부재(750)는 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등과 같은 금속 재질로 형성될 수 있다.The reflective member 750 may be formed to surround a side surface of the molding member 740 . The reflective member 750 may support the molding member 740 to improve durability of the light emitting device package 700 . In addition, the reflective member 750 may emit heat generated from the light emitting device 710 and/or the quantum dot plate assembly 730 to the outside. The reflective member 750 may be formed of a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag).

이상, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광소자 패키지(700)는 벌크 형광체 물질을 포함하는 제1 파장변환층을 발광소자와 퀀텀닷 플레이트 조립체 사이에 배치하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(700)는 광 산란제를 포함하는 제1 파장변환층을 발광소자와 퀀텀닷 플레이트 조립체 사이에 배치하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(700)는 미리 결정된 패턴을 투광 플레이트 바디의 하면에 형성하여 청색 파장의 광으로 인한 퀀텀 닷의 손상을 최소화할 수 있다.As described above, in the light emitting device package 700 according to the present invention, the first wavelength conversion layer including a bulk phosphor material is disposed between the light emitting device and the quantum dot plate assembly to generate quantum dots due to blue wavelength light. damage can be minimized. In addition, the light emitting device package 700 may minimize damage to the quantum dots due to blue wavelength light by disposing the first wavelength conversion layer including a light scattering agent between the light emitting device and the quantum dot plate assembly. In addition, the light emitting device package 700 may minimize damage to quantum dots due to blue wavelength light by forming a predetermined pattern on the lower surface of the light transmitting plate body.

한편 이상에서는 본 발명의 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described above, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, and should be defined by not only the claims to be described later, but also those equivalent to these claims.

100: 발광소자 패키지 110: 발광소자
120: 퀀텀닷 플레이트 조립체 130: 접착층
140: 몰딩 부재 150: 반사 부재100: light emitting device package 110: light emitting device
120: quantum dot plate assembly 130: adhesive layer
140: molding member 150: reflective member

Claims (20)

제1 글래스 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들을 형성하는 단계;
상기 복수의 중공 영역들에 청색 파장을 변환시키는 제1 형광체를 주입하는 단계;
상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷(QD)을 포함하는 제2 형광체를 주입하되, 상기 제2 형광체는 상기 제1 형광체 위에 주입하는 단계;
주입된 상기 제1 형광체 및 제2 형광체를 동시에 경화시켜, 경화된 상기 제1 형광체로 이루어진 제1파장변환층 및 경화된 상기 제2 형광체로 이루어진 제2파장변환층을 형성하는 단계;
상기 제1 글래스 플레이트의 상부에 제2 글래스 플레이트를 배치하는 단계;
상기 제1 글래스 플레이트와 상기 제2 글래스 플레이트가 서로 만나는 영역을 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 제1 글래스 플레이트 및 상기 제2 글래스 플레이트를 용접하는 단계;
각 중공 영역 사이의 경계 부분을 컷팅하여 복수개의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 제조하는 단계;
제조된 상기 복수개의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 서로 이격되게 배치하되, 상기 제2파장변환층이 상기 제1파장변환층의 아래에 오도록 배치하는 단계;
상기 복수개의 퀀텀닷 플레이트 조립체의 상면에 접착층을 위치시키는 단계;
상기 접착층 상에 발광소자를 배치하여 접착하는 단계;
서로 이격되게 배치한 인접한 퀀텀닷 플레이트 조립체들 사이에 복수의 반사 부재들을 배열하는 단계;
상기 반사 부재와 상기 퀀텀 닷 플레이트 조립체 사이에 몰딩 부재를 충진하여 발광 구조물을 제조하는 단계; 및
상기 발광 구조물을 복수개의 발광소자 패키지로 분리하는 단계;
를 포함하는, 발광소자 패키지의 제조 방법. forming a plurality of hollow regions on an upper surface of the first glass plate;
injecting a first phosphor that converts a blue wavelength into the plurality of hollow regions;
injecting a second phosphor including quantum dots (QDs) into the plurality of hollow regions, wherein the second phosphor is injected onto the first phosphor;
simultaneously curing the injected first phosphor and the second phosphor to form a first wavelength conversion layer made of the cured first phosphor and a second wavelength conversion layer made of the cured second phosphor;
disposing a second glass plate on top of the first glass plate;
welding the first glass plate and the second glass plate by irradiating a laser beam along an area where the first glass plate and the second glass plate meet each other;
manufacturing a plurality of quantum dot plate assemblies by cutting a boundary portion between each hollow region;
arranging the manufactured plurality of quantum dot plate assemblies spaced apart from each other so that the second wavelength conversion layer is below the first wavelength conversion layer;
positioning an adhesive layer on upper surfaces of the plurality of quantum dot plate assemblies;
disposing and bonding a light emitting device on the adhesive layer;
arranging a plurality of reflective members between adjacent quantum dot plate assemblies that are spaced apart from each other;
manufacturing a light emitting structure by filling a molding member between the reflective member and the quantum dot plate assembly; and
Separating the light emitting structure into a plurality of light emitting device packages;
A method of manufacturing a light emitting device package comprising a. 제 1항에 있어서,
상기 제1파장변환층 및 제2파장변환층을 합한 두께는 상기 발광소자의 두께와 같거나 큰 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The combined thickness of the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer is equal to or greater than the thickness of the light emitting device. 제 1항에 있어서,
상기 제2 파장변환층은 상기 제1 파장변환층의 입자의 크기보다 작은 입자를 가지는 형광체인 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that the second wavelength conversion layer is a phosphor having particles smaller than the particle size of the first wavelength conversion layer. 제 1항에 있어서,
상기 제2 파장변환층의 두께는 80~120㎛ 인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that the thickness of the second wavelength conversion layer is 80 ~ 120㎛. 제 1항에 있어서,
상기 접착층은 상기 발광소자에서 발광되는 광을 산란시키기 위한 광 산란제를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that the adhesive layer comprises a light scattering agent for scattering the light emitted from the light emitting device. 제 1항에 있어서,
상기 접착층은 다수의 기포(Air)를 포함하는 발포 접착 시트로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that the adhesive layer is formed of a foamed adhesive sheet containing a plurality of air bubbles (Air). 제 1항에 있어서,
형성된 상기 복수의 중공영역들을 진공(vacuum) 상태로 만드는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
A method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that making the formed plurality of hollow regions in a vacuum state. 제 1항에 있어서,
상기 제1 글래스 플레이트의 하면에는 상기 발광소자에서 발광되는 광을 산란시키기 위한 복수개의 패턴들을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
Forming a plurality of patterns on the lower surface of the first glass plate to scatter the light emitted from the light emitting device; 제 1항에 있어서,
상기 몰딩 부재를 충진하는 단계는, 상기 몰딩 부재를 상기 발광소자의 최상단까지 충진하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
In the step of filling the molding member, the manufacturing method of the light emitting device package, characterized in that the filling of the molding member to the top of the light emitting device. 제 1항에 있어서,
상기 발광 구조물을 복수개의 발광소자 패키지로 분리하는 단계는,
상기 반사 부재의 중앙부를 절단하여 복수개의 패키지로 분리하는 것을 특징으로 하는, 발광 소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
Separating the light emitting structure into a plurality of light emitting device packages,
Method for manufacturing a light emitting device package, characterized in that by cutting the central portion of the reflective member to separate into a plurality of packages. 제 1항에 있어서,
상기 몰딩 부재는 상기 발광소자 및 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체에서 발생된 열을 상기 반사 부재로 전달하기 위한 열 전달 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device package, wherein the molding member includes a heat transfer medium for transferring heat generated from the light emitting device and the quantum dot plate assembly to the reflective member. 제 1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 글래스 플레이트를 용접하는 단계는 펨토 레이저 빔을 조사하여 용접하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The welding of the first and second glass plates is a method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that welding by irradiating a femto laser beam. 제1항에 있어서,
분리된 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자가 아래쪽에 위치하고 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체가 위쪽에 위치하도록 상하 반전하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법. According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device package further comprising the step of vertically inverting the separated light emitting device package so that the light emitting device is positioned at the bottom and the quantum dot plate assembly is positioned at the top. 제1항에 있어서,
상기 접착층은 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제1글래스 플레이트의 일면에 위치하며,
상기 접착층 상에 상기 발광소자를 접착하면, 상기 접착층이 상기 발광소자의 측면까지 형성되는, 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
The adhesive layer is located on one surface of the first glass plate of the quantum dot plate assembly,
When the light emitting element is bonded on the adhesive layer, the adhesive layer is formed to the side of the light emitting element, the manufacturing method of the light emitting device package. 제 14항에 있어서,
상기 접착층 상에 상기 발광 소자를 접착하며, 상기 접착층은 상기 발광소자의 측면에서 일정한 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 14,
A method of manufacturing a light emitting device package, wherein the light emitting device is bonded to the adhesive layer, and the adhesive layer has a constant slope from a side surface of the light emitting device. 제 1항에 있어서,
상기 분리된 발광소자 패키지에서 상기 반사 부재는 상기 몰딩 부재의 측면에 형성되어, 상기 발광소자 및 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체에서 발생된 열을 외부로 방출 시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.According to claim 1,
In the separated light emitting device package, the reflective member is formed on a side surface of the molding member to emit heat generated from the light emitting device and the quantum dot plate assembly to the outside. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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