KR20200017019A - 표시 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents
표시 패널 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200017019A KR20200017019A KR1020180092064A KR20180092064A KR20200017019A KR 20200017019 A KR20200017019 A KR 20200017019A KR 1020180092064 A KR1020180092064 A KR 1020180092064A KR 20180092064 A KR20180092064 A KR 20180092064A KR 20200017019 A KR20200017019 A KR 20200017019A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data line
- pad unit
- shot
- pad
- overlapping portion
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2825—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere in household appliances or professional audio/video equipment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H01L27/3276—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
일 실시예에 따른 표시 패널은 복수개의 신호선과 이에 연결된 복수개의 화소를 포함하는 표시부; 상기 표시부의 주변에 위치하는 주변부; 상기 주변부에 위치하고, 데이터 구동부가 연결되는 복수개의 드라이버 IC(Integrated Circuit)를 포함하는 IC 실장부; 상기 주변부에 위치하고, 상기 복수개의 신호선을 검사하는 검사 패드부를 포함하고, 상기 검사 패드부는 게이트 구동부 검사 패드 유닛을 포함하는 게이트 구동부 검사 패드부와 데이터선 검사 패드 유닛을 포함하는 데이터선 검사 패드부를 포함하고, 상기 데이터선 검사 패드 유닛은 상기 데이터선 검사 패드부의 좌우 양측에 위치하는 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 사이에 위치하는 복수개의 중간 데이터선 검사 패드 유닛을 포함하고, 각 데이터선 검사 패드 유닛은 복수개의 데이터선 검사 패드와 복수개의 더미 패드를 포함하고, 상기 더미 패드에는 연결 배선이 연결되지 않는다.
Description
본 발명은 표시 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 분할 노광하여 제조하는 표시 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 사용되고 있다.
이러한 표시 장치는 복수의 신호선과 이에 연결되어 있는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널은 기판 위에 적층된 복수의 층을 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널은 화소 전극에 데이터 신호를 인가하기 위한 데이터 구동부를 포함하고, 데이터 구동부는 드라이버 IC를 포함한다. 또한 표시 패널은 데이터 구동부 및 신호선을 검사하기 위한 복수의 검사 패드를 포함할 수 있다.
표시 장치의 기판 위에 순차적으로 적층되어 형성되어 있는 복수의 박막 층을 포함한다.
이러한 복수의 박막을 형성하기 위하여, 도전막 증착, 감광막(PR, Photoresist) 도포, 마스크를 이용한 감광막의 선택적 노광 및 현상으로 감광막 패턴 형성, 감광막 패턴을 마스크로 하여 도전막을 식각하는 사진 식각(Photo Lithography, 포토 리소그래피) 공정을 이용한다.
한편, 표시 패널이 대형화되고, 해상도가 높아지면서, 표시 패널 제조 시 노광 설비에 사용 가능한 마스크 사이즈에 한계가 발생하고 있다. 이를 극복하기 위하여, 노광 공정 시 대면적의 기판을 하나의 마스크로 여러 번 노광하여 박막 패턴을 형성하는 분할 노광법이 이용되고 있다.
분할 노광법에서, 각각의 노광 공정 상 샷 경계부에서 오버랩(overlap)이나 최소 선폭(Critical Dimension, CD)의 차이가 발생할 경우, 샷 경계부에서 화면 밝기 변동 등으로 인한 스티치(stitch) 불량이 시인될 수 있고, 이를 방지하기 위하여 인접하는 두 샷 간 일정한 폭을 가지는 샷 중첩부를 형성하여 이중으로 노광시킨다. 그런데, 최근 패널이 초대형 고해상도(QUHD)로 발전함에 따라, 화소 수가 증가하고 이에 따라 데이터 드라이버 IC의 개수 또한 증가하고, 기판의 크기는 화소 수의 증가만큼 비례하여 커지지 않게 됨으로써, 드라이버 IC의 크기는 감소하고 개수는 증가하게 된다. 따라서, 분할 노광 시, 일정 폭의 샷 중첩부 내의 드라이버 IC의 개수가 증가하고, 표시 패널의 좌우 양 끝에서의 중첩부 내의 패턴이 변동되는 문제가 발생할 수 있다. 샷 중첩부를 마스크의 안 쪽으로 이동시킬 경우 중첩부 간의 패턴 불일치를 피할 수 있으나, 그럴 경우 샷 수의 증가로 인해 제조 시간 및 제조 비용이 증가하는 공정적 손실이 생기며, 스티치(stitch) 라인 또한 증가하는 문제점이 있다.
해결하고자 하는 기술적 과제는 분할 노광 공정에서 해상도 증가로 인해 표시 패널의 좌우 양측에 대응하는 마스크 중첩부에서의 패턴 불일치를 해결하고, 마스크의 샷(shot) 수를 감소시키기 위한 표시 패널 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 복수개의 신호선과 이에 연결된 복수개의 화소를 포함하는 표시부, 상기 표시부의 주변에 위치하는 주변부, 상기 주변부에 위치하고, 데이터 구동부가 연결되는 복수개의 드라이버 IC(Integrated Circuit)를 포함하는 IC 실장부, 상기 주변부에 위치하고, 상기 복수개의 신호선을 검사하는 검사 패드부를 포함하고, 상기 검사 패드부는 게이트 구동부 검사 패드 유닛을 포함하는 게이트 구동부 검사 패드부와 데이터선 검사 패드 유닛을 포함하는 데이터선 검사 패드부를 포함하고, 상기 데이터선 검사 패드 유닛은 상기 데이터선 검사 패드부의 좌우 양측에 위치하는 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 사이에 위치하는 복수개의 중간 데이터선 검사 패드 유닛을 포함하고, 각 데이터선 검사 패드 유닛은 복수개의 데이터선 검사 패드와 복수개의 더미 패드를 포함하고, 상기 더미 패드에는 연결 배선이 연결되지 않는다.
상기 표시 패널에서 상기 더미 패드 중 일부는 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛이 포함하는 상기 데이터선 검사 패드의 일부와 대응하는 위치에 형성될 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 게이트 구동부 검사 패드 유닛이 상기 드라이버 IC 중 좌측 끝에 위치하는 드라이버 IC에 대응하는 상기 검사 패드부의 영역의 일부를 차지할 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛에서 상기 더미 패드는 상기 복수개의 데이터선 검사 패드의 좌우 양측에 위치할 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 중 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛에서 상기 더미 패드는 상기 복수개의 데이터선 검사 패드의 좌측에 위치할 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 중 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛에서 상기 더미 패드는 상기 복수개의 데이터선 검사 패드의 우측에 위치할 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 더미 패드의 개수는 상기 데이터선 검사 패드의 개수와 같거나 작을 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛의 상기 더미 패드의 개수는 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛의 상기 더미 패드의 개수와 같거나 작을 수 있다.
상기 표시 패널에서 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛의 폭은 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛의 폭과 같거나 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법은 표시부에 복수개의 신호선과 이에 연결된 복수개의 화소를 형성하는 단계, 상기 복수개의 신호선을 검사하는 검사 패드를 형성하는 단계, 상기 신호선과 상기 검사 패드를 연결하는 연결 배선을 형성하는 단계, 상기 연결 배선이 연결되지 않는 더미 패드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 신호선, 상기 화소, 상기 검사 패드 및 상기 연결 배선 중 적어도 하나는 동일한 마스크를 이용하여 복수의 샷(shot)으로 분할하여 노광하는 분할 노광법을 이용한 사진 식각 공정으로 형성하며, 상기 분할 노광법은 하나의 샷을 노광하는 최초 노광 단계, 상기 최초 노광 단계의 샷의 일부가 중첩되는 중첩부가 있도록 중간 샷을 위치시킨 후 상기 중간 샷을 노광하는 중간 노광 단계, 상기 중간 노광 단계의 샷의 일부가 중첩되는 중첩부가 있도록 최후 샷을 위치시킨 후 상기 최후 샷을 노광하는 최후 노광 단계를 포함하고, 상기 중첩부의 패턴은 서로 일치하는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 패널 제조 방법에서 상기 마스크는 좌중첩부 및 우중첩부를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널 제조 방법에서 상기 중첩부의 폭은 50mm 내지 150mm일 수 있다.
상기 표시 패널 제조 방법에서 상기 최초 노광 단계에서는 상기 마스크의 상기 우중첩부 영역까지 노광되며, 상기 중간 노광 단계에서는 상기 마스크의 상기 좌중첩부부터 상기 우중첩부까지 노광되며, 상기 최후 노광 단계에서는 상기 마스크의 상기 좌중첩부부터 노광될 수 있다.
상기 표시 패널 제조 방법에서 상기 중간 노광 단계의 상기 중간 샷의 상기 좌중첩부 및 상기 우중첩부는 빛이 이중으로 조사되는 이중 노광부를 형성할 수 있다.
상기 표시 패널 제조 방법에서 상기 중간 노광 단계는 복수의 노광 단계를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 분할 노광 공정에서 샷 중첩부를 안쪽으로 이동시킬 필요가 없고 샷 수의 증가를 막을 수 있는 표시 패널 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 블록도이고,
도 2는 도 1의 검사 패드부와 IC 실장부의 확대도이고,
도 3A는 도 2의 검사 패드부 중 하나의 중간 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 대응 관계를 더 자세히 도시한 도면이고,
도 3B는 도 2의 검사 패드부 중 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 대응 관계를 더 자세히 도시한 도면이고,
도 3C는 도 2의 검사 패드부 중 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 대응 관계를 더 자세히 도시한 도면이고,
도 4는 하나의 마스크를 이용한 분할 노광 공정과 이를 통해 제조되는 도 1 의 표시 패널의 일부를 도시한 도면이고,
도 5는 도 4의 복수의 샷 간의 중첩부에 포함되는 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이고,
도 6은 일 실시예에 따른 도 4의 하나의 마스크 상의 좌중첩부 및 우중첩부 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 도 4의 하나의 마스크 상의 좌중첩부 및 우중첩부 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 검사 패드부와 IC 실장부의 확대도이고,
도 3A는 도 2의 검사 패드부 중 하나의 중간 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 대응 관계를 더 자세히 도시한 도면이고,
도 3B는 도 2의 검사 패드부 중 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 대응 관계를 더 자세히 도시한 도면이고,
도 3C는 도 2의 검사 패드부 중 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 대응 관계를 더 자세히 도시한 도면이고,
도 4는 하나의 마스크를 이용한 분할 노광 공정과 이를 통해 제조되는 도 1 의 표시 패널의 일부를 도시한 도면이고,
도 5는 도 4의 복수의 샷 간의 중첩부에 포함되는 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이고,
도 6은 일 실시예에 따른 도 4의 하나의 마스크 상의 좌중첩부 및 우중첩부 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 도 4의 하나의 마스크 상의 좌중첩부 및 우중첩부 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1, 도 2, 도 3A 내지 도 3C를 참고하여, 일 실시예에 따른 표시 패널에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(10)은 화상을 보여주는 표시부(100), 표시부(100)를 제외한 표시 패널(10) 주변 영역인 주변부(110)를 포함하며, 주변부(110)는 데이터 구동부가 연결되는 n개의 드라이버 IC가 포함된 IC 실장부(120), 게이트 구동부(210) 및 데이터 라인과 게이트 구동부(210)를 검사하는 검사 패드부(200)를 포함한다.
표시부(100)는 화상을 표시하기 위한 복수개의 화소(PX) 및 각 화소(PX)에 연결되는 복수개의 신호선을 포함한다. 신호선은 행 방향으로 연장되는 게이트선(GL) 및 열 방향으로 연장되는 데이터선(DL)을 포함할 수 있다. 화소(PX)는 게이트선(GL)과 데이터선(DL)이 교차하는 지점에 배치되고, 대응하는 게이트선(GL)과 대응하는 데이터선(DL)에 연결될 수 있다.
각 화소(PX)는 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 표시 소자를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 표시 소자는 박막 트랜지스터에 의해 전달되는 전압에 의해 액정의 배향이 달라지는 액정 소자를 포함할 수 있다. 다른 예에 따르면, 표시 소자는 박막 트랜지스터로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 각 화소(PX)는 이러한 예로 한정되지 않는다.
IC 실장부(120) 중 표시부(100)의 상단 테두리는 n개의 드라이버 IC(IC1, IC2, …, ICn)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 드라이버 IC의 개수는 초대형 고해상도(QUHD) 표시 패널의 경우 24개일 수 있다. 드라이버 IC의 개수는 이에 한정되지 않는다.
검사 패드부(200)는 n개의 데이터선 검사 패드 유닛(P1, P2, …, Pn)을 포함하는 데이터선 검사 패드부(220) 및 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)을 포함하는 게이트 구동부 검사 패드부(211, 212)를 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)이 각각 1개로 도시되어 있으나, 검사 패드부(200)의 좌우 양측에 각각 1개 이상씩 존재할 수 있다. 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)의 개수는 본 발명을 한정하지 않으며, 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)이 양측에 존재하는 것이 바람직하나 좌나 우 중 일측에만 존재할 수도 있다.
게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)은 게이트선(GL)과 연결되는 영역으로서, 복수의 게이트 구동부 검사 패드를 포함한다. 복수의 게이트 구동부 검사 패드는 게이트선(GL)의 단부인 게이트 패드에 연결될 수 있다.
데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)은 검사 패드부(200) 양 끝의 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn) 및 중간 데이터선 검사 패드 유닛(P2 내지 Pn-1)을 포함한다. 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)은 검사 패드부(200) 좌우 양측에 존재하는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)와 인접한다. 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)의 개수(n)는 본 발명을 한정하지 않는다.
데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)은 데이터선(DL)과 연결되는 영역으로서, 복수개의 데이터선 검사 패드를 포함한다. 복수개의 데이터선 검사 패드는 데이터선(DL)의 단부인 데이터 패드에 연결될 수 있다.
도 2는 도 1의 검사 패드부(200)와 IC 실장부(120)의 확대도이다.
도 2를 참조하면, 검사 패드부(200)에 위치하는 n개의 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)은 IC 실장부(120)에 위치하는 n개의 드라이버 IC(IC1 내지 ICn)와 각각 대응될 수 있다. 이와 같이 도 2에서는 하나의 드라이버 IC와 하나의 데이터선 검사 패드 유닛이 대응되게 도시되어 있으나, 하나의 IC에 대응하는 데이터선 검사 패드 유닛의 개수는 이에 한정되지 않는다.
데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)은 복수개의 데이터선 검사 패드(310)와 복수개의 더미 패드(320)를 포함한다. 각각의 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)은 중앙측에 위치하는 복수개의 데이터선 검사 패드(310)와, 복수개의 데이터선 검사 패드(310)의 양측에 위치하는 복수개의 더미 패드(320)를 포함할 수 있다.
이 때 데이터선 검사 패드(310)는 드라이버 IC 내의 데이터선(DL)의 단부인 데이터 패드(도시하지 않음)와 연결 배선(130)을 통해 연결되어 데이터선(DL)을 검사할 수 있다. 반면, 더미 패드(320)는 섬(island) 형태의 독립된 패턴으로서 연결 배선(130)이 연결되지 않을 수 있다. 이 때 데이터선 검사 패드(310)와 데이터 패드(도시하지 않음)는 서로 일대일 대응하지 않을 수도 있다.
최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)은 중간 데이터선 검사 패드 유닛(P2 내지 Pn-1)보다 적은 개수의 더미 패드(320)를 포함할 수 있다. 따라서, 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)의 폭이 중간 데이터선 검사 패드 유닛(P2 내지 Pn-1)보다 좁을 수 있다. 이에 따라 좌측 끝의 드라이버 IC(IC1)에 대응하는 검사 패드부(200) 영역의 좌측을 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1)이 차지할 수 있으며, 우측 끝의 드라이버 IC(ICn)에 대응하는 검사 패드부(200) 영역의 우측을 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2)이 차지할 수 있다.
도 3A, 도 3B, 도 3C는 도 2의 검사 패드부(200) 내의 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)중 어느 하나와, 이와 대응하는 한 개의 드라이버 IC 간의 연결 관계를 더 자세히 도시한 도면이다. 도 3A는 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)과 드라이버 IC(ICm)를 도시하고(1<m<n을 만족한다.), 도 3B는 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)과 좌측 끝 드라이버 IC(IC1)를 도시하고, 도 3C는 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)과 우측 끝 드라이버 IC(ICn) 간의 연결 관계에 관하여 도시한다.
이 때 하나의 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)이 한 개의 드라이버 IC에만 대응하는 것으로 도시되어 있으나, 만약 하나의 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn 중 어느 하나)에 2개 이상의 드라이버 IC가 대응할 경우, 하나의 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn 중 어느 하나)이 검사해야 할 드라이버 IC의 개수가 증가하게 된다. 이 경우, 데이터선 검사 패드 유닛과 드라이버 IC 사이의 연결 배선(130)이 가로 방향으로 길어짐에 따라 배선 저항이 증가하며, 검사 효율 및 전력 감소의 문제가 발생할 수 있다.
먼저 도 3A를 참조하면, 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm) 및 이와 대응하는 m번째 드라이버 IC(ICm) 간의 연결 관계가 도시된다.
중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)은 중앙측에 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 및 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 양측에 위치하는 복수개의 더미 패드(320)를 포함할 수 있다.
도 3B를 참조하면, 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1) 및 이와 대응하는 첫번째 드라이버 IC(IC1) 간의 연결 관계가 도시된다.
좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)은 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)과 마찬가지로 중앙측에 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 및 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 양측에 위치하는 복수개의 더미 패드(320)를 포함할 수 있다. 한편, 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)은 데이터선 검사 패드부(220)의 좌측 끝에 위치하여 게이트 구동부 검사 패드부(211)에 위치하는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1)과 인접한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 초대형 고해상도(QUHD) 패널에서 화소(PX)의 수가 증가하고, 이에 따라 드라이버 IC의 크기가 감소함에 따라 도 3B에 도시된 바와 같이, 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1)이 첫번째 드라이버 IC(IC-1)에 대응하는 검사 패드부(200) 영역의 일부를 차지하게 된다. 이는 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)과 인접하는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1)의 영역 확보를 위한 것이다. 따라서, 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 양측에 위치하는 복수개의 더미 패드(320)의 개수는 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)이 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)보다 적을 수 있고, 이에 따라 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)의 폭이 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)보다 작을 수 있다.
도 3C를 참조하면, 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn) 및 이와 대응하는 n번째 드라이버 ICn 간의 연결 관계가 도시된다.
우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)은 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)과 마찬가지로 중앙측에 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 및 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 양측에 위치하는 복수개의 더미 패드(320)를 포함할 수 있다. 한편, 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)은 데이터선 검사 패드부(220)의 우측 끝에 위치하여 게이트 구동부 검사 패드부(212)에 위치하는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2)과 인접한다. 표시 패널의 해상도가 증가함에 따라, 표시 패널이 초대형 고해상도 (QUHD) 패널인 경우, 화소(PX)의 수가 증가하고, 이에 따라 드라이버 IC의 크기가 감소한다. 따라서, 도 3C에 도시된 바와 같이, 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2)이 n번째 드라이버 IC(ICn)에 대응하는 검사 패드부(200) 영역의 일부를 차지하게 된다. 이는 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)과 인접하는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2)의 영역 확보를 위한 것이다. 따라서, 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 양측에 위치하는 복수개의 더미 패드(320)의 개수는 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)이 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)보다 적을 수 있고, 이에 따라 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)의 폭이 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)보다 작을 수 있다.
복수개의 데이터선 검사 패드(310) 및 복수개의 더미 패드(320)는 인듐 갈륨 산화물(IGO) 등으로 이루어질 수 있다.
그러면, 이제 도 4 내지 도 7을 참고하여, 실시예에 따른 표시 패널 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 4는 하나의 마스크를 이용한 분할 노광 공정과 이를 통해 제조되는 도 1 의 표시 패널의 일부를 도시한 도면이다.
도 4의 하단에 도시되어 있는 표시 패널(10)은 도 1에 도시된 일 예에 따른 표시 패널(10)이다. 도 4에서 IC 실장부(120) 및 검사 패드부(200)는 일부만 도시되어 있다. 본 발명의 표시 패널을 제조하기 위해 IC 실장부(120)의 드라이버 IC(IC1 내지 ICn) 패턴, 검사 패드부(200)의 데이터선 검사 패드(310) 패턴 및 더미 패드(320) 패턴을 형성하기 위해 도 4의 상단의 마스크(40)를 이용하여 분할 노광하는 방식을 이용할 수 있다.
먼저 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 제조하기 위해 하나의 마스크(40)를 이용하여 분할 노광할 수 있다. 도 4의 상단은 동일한 마스크(40)의 복수의 샷(shot)을 나타낸다. 좌측부터 차례대로 A 샷(41), B 샷(42), C 샷(43)을 나타내며 A 샷(41), B 샷(42), C 샷(43)의 순서로 차례대로 노광한다. 이 때 각 샷(41, 42, 43)을 노광하는 단계에 따라, A 샷의 좌중첩부(411), A 샷의 우중첩부(412), B 샷의 좌중첩부(421), B 샷의 우중첩부(422), C 샷의 좌중첩부(431), C 샷의 우중첩부(432)가 도시된다. 이 때 각 샷을 노광하는 마스크는 동일한 마스크(40)이므로, 각 샷의 좌중첩부(411, 421, 431)는 동일한 부분을 나타내며, 각 샷의 우중첩부(412, 422, 432) 또한 동일한 부분을 나타낼 수 있다.
갹 샷(41, 42, 43)의 상부에는 드라이버 IC(IC1 내지 ICn), 데이터선 검사 패드(310) 및 더미 패드(320) 패턴을 형성하는 부분을 도시되어 있고, 드라이버 IC(IC1 내지 ICn) 및 데이터선 검사 패드 유닛(P-1 내지 Pn)은 각 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)에 포함되는 일부만을 도시하였다. 도 4에서는 각 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)의 중심이 어느 하나의 드라이버 IC(ICm)의 중심과 대응하도록 도시되어 있으나 이에 한정되지 않고, 각 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)의 중심은 인접하는 드라이버 IC 간의 경계와 일치할 수도 있으며, 변형 가능하다. 또한 도 4에서는 하나의 중첩부에 포함되는 드라이버 IC의 개수가 1개 초과 2개 미만인 것으로 도시되었지만, 중첩부에 포함되는 드라이버 IC의 개수는 이에 한정되지 않는다.
도 4를 참조하면, A 샷(41)에서 노광 영역(A1)이 노광되며, 노광 영역(A1)을 제외한 나머지 부분은 차광될 수 있다. B샷에서 노광 영역(B1)이 노광되며, 노광 영역(B1) 좌우측은 차광될 수 있다. 다음으로, C샷에서 노광 영역(C1)이 노광되며, 노광 영역(C1)을 제외한 나머지 부분은 차광될 수 있다. 이 때 사진 식각 공정에서 사용되는 감광막(PR,photoresist)은 노광되는 부분이 제거되는 양성(positive), 또는 노광되지 않은 부분이 제거되는 음성(negative)일 수 있다.
이러한 노광 공정으로 인해 서로 인접한 샷 간에 빛이 이중으로 조사되는 이중 노광부가 생길 수 있다. 더욱 구체적으로는, A 샷의 우중첩부(412)와 B 샷의 좌중첩부(421)가 중첩되는 이중 노광부 AB(440) 및 B 샷의 우중첩부(422)와 C 샷의 좌중첩부(431)가 중첩되는 이중 노광부 BC(450)에서는 빛이 이중으로 조사될 수 있다. 이 때, 이중 노광되는 두 중첩부의 패턴이 정확히 일치해야 각 샷에서 노광이 동일하게 이루어져 불량 없이 패턴을 형성할 수 있다. 즉, A 샷의 우중첩부(412)의 패턴과 B 샷의 좌중첩부(421)의 패턴이 정확히 일치해야 하며, B 샷의 우중첩부(422)의 패턴과 C 샷의 좌중첩부(431)의 패턴이 정확히 일치해야 한다.
이 때, A 샷의 좌중첩부(411) 및 C 샷의 우중첩부(432)는 '중첩부'라는 표현을 사용하였지만, 실제로 A 샷(41) 및 C 샷(43)에서 이중 노광되는 영역은 아닐 수 있다. 도 4에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법에서, A 샷의 좌중첩부(411)는 B 샷의 좌중첩부(421)일 때, C 샷의 우중첩부(432)는 B 샷의 우중첩부(422)일 때만 이중으로 노광되는 것으로 도시되어 있다.
도 5를 참고하여, 복수의 샷 간의 중첩부에 포함되는 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 5는 도 4의 복수의 샷 간의 중첩부에 포함되는 데이터선 검사 패드 유닛과 이와 대응하는 드라이버 IC 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
먼저 A 샷의 중첩부(411, 412)에 대해 설명한다.
A 샷의 좌중첩부(411)는 좌측 3개의 데이터선 검사 패드 유닛(P1, P2, P3)을 포함한다. 구체적으로, A 샷의 좌중첩부(411)의 중심은 두번째 데이터선 검사 패드 유닛(P2)의 중심과 일치하고, A 샷의 좌중첩부(411)는 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)의 일부, 두번째 데이터선 검사 패드 유닛(P-2)의 전부, 세번째 데이터선 검사 패드 유닛(P-3)의 일부를 포함한다.
A 샷의 우중첩부(412)는 3개의 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1, Pa, Pa+1)(이 때, a>1을 만족한다.)을 포함한다. 구체적으로, A 샷의 우중첩부(412)의 중심은 a번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa)의 중심과 일치하고, A 샷의 우중첩부(412)는 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1)의 일부, a번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-)의 전부, (a+1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(P-a+1)의 일부를 포함한다.
게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)은 검사 패드부(200)의 좌우 양측에 위치하므로, A 샷의 좌중첩부(411)의 좌측에 위치하게 된다. 이에 따라 첫번째 드라이버 IC(IC-1)에 대응하는 검사 패드부(200) 좌측 영역 일부를 차지하게 되고 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)이 첫번째 드라이버 IC(IC-1)의 중앙선 오른쪽으로 밀릴 수 있다.
다음으로 B 샷의 중첩부(421, 422)에 대해 설명한다.
B 샷의 좌중첩부(421)는 3개의 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1', Pa', Pa+1')(이 때, a>1을 만족한다.)을 포함한다. 구체적으로, B 샷의 좌중첩부(421)의 중심은 a번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa')의 중심과 일치하고, B 샷의 좌중첩부(421)는 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1')의 일부, a번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa')의 전부, (a+1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa+1')의 일부를 포함한다. (이 때 Pa-1', Pa', Pa+1'는 각각 Pa-1, Pa, Pa+1와 같은 것이나, 설명의 편의를 위해 구별하여 표기함.)
B 샷의 우중첩부(422)는 3개의 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1, Pb, Pb+1)(이 때, b>a>1을 만족한다.)을 포함한다. 구체적으로, B 샷의 우중첩부(422)의 중심은 b번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb)의 중심과 일치하고, B 샷의 우중첩부(422)는 (b-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1)의 일부, b번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-)의 전부, (b+1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(P-b+1)의 일부를 포함한다.
본 발명에서의 분할 노광 공정 중 일부는 A 샷(41)을 수행한 동일한 마스크(40)로 B 샷(42)을 수행한다. 이에 따라 A 샷의 우중첩부(412)와 B 샷의 좌중첩부(421)가 중첩하게 되고 이 중첩하는 영역이 빛이 이중으로 조사되는 이중 노광부 AB(440)를 형성할 수 있다. 즉, B 샷의 좌중첩부(421)가 A 샷의 우중첩부(412)의 패턴과 일치해야 하며, 이는 곧 하나의 샷(shot) 또는 하나의 마스크(40)의 좌중첩부(411, 421, 431)의 패턴과 우중첩부(412, 422, 432)의 패턴이 일치해야 한다.
도 5를 참고하면, 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)에서 게이트 구동부와의 연결 배선은 최외각 드라이버 IC(IC1, ICn)에 대응하는 영역에서만 연결되기 때문에, B 샷의 좌중첩부(421)의 좌측에 있는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1')에서 게이트 구동부와의 연결 배선은 생략하고 게이트 구동부 검사 패드의 패턴만 도시되어 있다.
전술한 바와 같이, A 샷의 좌중첩부(411)에서 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)이 첫번째 드라이버 IC(IC1)의 중앙선 오른쪽으로, 즉 A 샷의 안쪽으로 밀림에 따라, 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)이 포함하는 일부의 데이터선 검사 패드(310)가 두번째 드라이버 IC(IC2)에 가까운 쪽으로 밀리게 된다. 따라서 A 샷의 우중첩부(412)의 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1)와 동일선 상에 있는 B 샷의 좌중첩부(421)의 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1')에서도, 일부의 데이터선 검사 패드(311)가 a번째 드라이버 IC(IC-a') 쪽으로 밀리게 된다. 따라서 A 샷의 우중첩부(412) 내의 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1)에, B 샷의 좌중첩부(421)의 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1')에서 B 샷의 안쪽으로 밀린 데이터선 검사 패드(311)와 대응하는 위치에 패턴이 형성되어야 한다. 따라서, A 샷의 우중첩부(412)의 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1)에 더미 패드(321)를 형성하여 이중 노광부 AB(440)을 이루는 각 중첩부(412, 421) 간의 패턴을 일치시킬 수 있다. 만약, 실시예와 다르게, 이러한 더미 패드(321)를 형성하지 않을 경우, A 샷의 우중첩부(412)와 B 샷의 좌중첩부(421)의 패턴이 불일치하여 정상적인 노광 공정에 의한 패턴이 형성될 수 없다.
이 때 도 4 및 도 5를 참고하면, A 샷의 노광 영역(A1)에서 이중 노광부 AB(440) 좌측 차광부(461)에서는 빛이 조사되지 않도록 차광된다. 즉, 이중 노광부 AB(440) 좌측 영역은 노광되는 부분이 아니므로, 본 도 5에서 B 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1') 내의 패턴은 이해를 용이하게 하기 위하여 도시한 것으로, A 샷의 우중첩부(412) 좌측과 B 샷의 좌중첩부(421) 좌측의 패턴이 B 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1')으로 인해 불일치하더라도 무관하다.
다음으로 C 샷의 중첩부(431, 432)에 대해 설명한다.
C 샷의 좌중첩부(431)는 3개의 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1', Pb', Pb+1')(이 때, b>a>1을 만족한다.)을 포함한다. 구체적으로, C 샷의 좌중첩부(431)의 중심은 b번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb')의 중심과 일치하고, C 샷의 좌중첩부(431)는 (b-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1')의 일부, b번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb')의 전부, (b+1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb+1')의 일부를 포함한다. (이 때 Pb-1', Pb', Pb+1'는 각각 Pb-1, Pb, Pb+1와 같은 것이나, 설명의 편의를 위해 구별하여 표기함.)
C 샷의 우중첩부(432)는 우측 3개의 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-2, Pn-1, P-n)(이 때, n>b>a>1을 만족한다.)을 포함한다. 구체적으로, C 샷의 우중첩부(432)의 중심은 (n-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-1)의 중심과 일치하고, C 샷의 우중첩부(432)는 (n-2)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-2)의 일부, (n-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-1)의 전부, 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)의 일부를 포함한다.
본 발명에서의 분할 노광 공정 중 일부는 A 샷(41), B 샷(42)을 수행한 동일한 마스크(40)로 C 샷(43)을 수행한다. 이에 따라 B 샷의 우중첩부(422)와 C 샷의 좌중첩부(431)가 중첩하게 되고 이 중첩하는 영역이 빛이 이중으로 조사되는 이중 노광부 BC(450)를 형성할 수 있다. 즉, C 샷의 좌중첩부(c1)가 B 샷의 우중첩부(422)의 패턴과 일치해야 하며, 이는 곧 하나의 샷(shot) 또는 하나의 마스크(40)의 좌중첩부(411, 421, 431)의 패턴과 우중첩부(412, 422, 432)의 패턴이 일치해야 한다.
도 5를 참고하면, 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)에서 게이트 구동부와의 연결 배선은 최외각 드라이버 IC(IC1, ICn)에 대응하는 영역에서만 연결되기 때문에, C 샷의 좌중첩부(431)의 좌측에 있는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1'')에서 게이트 구동부와의 연결 배선은 생략하고 게이트 구동부 검사 패드의 패턴만 도시되어 있다.
전술한 바와 같이, B 샷의 좌중첩부(421)의 (a-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pa-1')의 데이터선 검사 패드(310)의 일부가 a번째 드라이버 IC(IC-a') 쪽으로 이동함에 따라, 결국 C 샷의 좌중첩부(431)의 (b-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1')에서 일부의 데이터선 검사 패드(311)가 b번째 드라이버 IC(ICb') 쪽으로 밀리게 된다. 따라서 B 샷의 우중첩부(422)의 (b-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1)에, C 샷의 좌중첩부(431)의 (b-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1')에서 C 샷의 안쪽으로 밀린 데이터선 검사 패드(311)와 대응하는 위치에 패턴이 형성되어야 한다. 따라서, B 샷의 우중첩부(422)의 (b-1)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pb-1)에 더미 패드(321)를 형성하여 이중 노광부 BC(450)을 이루는 각 중첩부(422, 431) 간의 패턴을 일치시킬 수 있다. 만약, 실시예와 다르게, 이러한 더미 패드(321)를 형성하지 않을 경우, B 샷의 우중첩부(422)와 C 샷의 좌중첩부(431)의 패턴이 불일치하여 정상적인 노광 공정에 의한 패턴이 형성될 수 없게 된다.
이 때 도 4 및 도 5를 참고하면, C 샷의 노광 영역(C1)에서 이중 노광부 BC(450) 좌측 차광부(462)에서는 빛이 조사되지 않도록 차광된다. 즉, 이중 노광부 BC(450) 좌측 영역은 노광되는 부분이 아니므로, 도 5에서 C 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1'') 내의 패턴은 이해를 용이하게 하기 위하여 도시한 것으로, B 샷의 우중첩부(422) 좌측과 C 샷의 좌중첩부(431) 좌측의 패턴이 C 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1'')으로 인해 불일치하더라도 무관하다.
지금까지 A 샷(41)부터 C 샷(43)의 순서로 마스크(40)의 좌중첩부(411, 421, 431)가 중첩되는 것을 기준으로 설명하였으나, 각 샷의 좌중첩부(411, 421, 431)의 패턴이 서로 일치해야하는 것과 마찬가지로, 각 샷의 우중첩부(412, 422, 432)의 패턴 또한 서로 일치해야 한다.
게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)은 검사 패드부(200)의 좌우 양측에 존재하므로, C 샷의 우중첩부(432)의 우측에 위치하게 된다. 이에 따라 n번째 드라이버 IC(ICn)에 대응하는 검사 패드부(200) 우측 영역의 일부를 차지하게 되고 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)이 n번째 드라이버 IC(ICn)의 중앙선 왼쪽, 즉 C 샷(43)의 안쪽으로 밀릴 수 있다.
이 때 도 4 및 도 5를 참고하면, B 샷의 노광 영역(B1)에서 이중 노광부 BC(450) 우측 영역인 차광부(464)에서는 빛이 조사되지 않도록 차광된다. 즉, 이중 노광부 BC(450) 우측 영역은 노광되는 부분이 아니므로, 도 5에서 B 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2')(도시하지 않음) 내의 패턴은 이해를 용이하게 하기 위하여 도시한 것으로, C 샷의 좌중첩부(431) 우측과 B 샷의 우중첩부(422) 우측의 패턴이 B 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2')으로 인해 불일치하더라도 무관하다.
마찬가지로 A 샷의 노광 영역(A1)에서 이중 노광부 AB(440) 우측 영역인 차광부(463)에서는 빛이 조사되지 않도록 차광된다. 즉, 이중 노광부 AB(440) 우측 영역은 노광되는 부분이 아니므로, 도 5에서 A 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2'’)(도시하지 않음) 내의 패턴은 이해를 용이하게 하기 위하여 도시한 것으로, B 샷의 좌중첩부(421) 우측과 A 샷의 우중첩부(412) 우측의 패턴이 A 샷의 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2'’)으로 인해 불일치하더라도 무관하다.
도 6는 일 실시예에 따른 도 4의 하나의 마스크 상의 좌중첩부 및 우중첩부 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
전술한 내용을 기반하여 종합하면, 최종적으로 C 샷의 우중첩부(c2)와 A 샷의 좌중첩부(411) 내의 패턴이 일치해야 하는 것이고, 이는 다시 말해 하나의 마스크(40)의 좌중첩부, 우중첩부 내의 패턴이 일치해야 한다.
결국은 본 발명의 분할 노광 공정 상에서 검사 패드부(200) 양측에 위치하는 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1, G2)로 인해 이중 노광부 AB(440), 이중 노광부 BC(450)에서 패턴의 불일치가 발생한 것이므로, 결국 각각 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)이 포함된 A 샷의 좌중첩부(411)와 C 샷의 우중첩부(432)의 패턴이 일치해야 한다. 실제로는 C 샷(43)과 A 샷(41)이 이중 노광되지는 않지만, 설명의 편의를 위해 도 6에서의 이중으로 노광되는 부분을 중첩부 CA라고 한다. 이 때 중첩부 CA 좌측은 이중 노광부 AB(440) 좌측 차광부(461), 이중 노광부 BC(450) 좌측 차광부(462)를 통칭할 수 있으며, 중첩부 CA 우측은 이중 노광부 AB(440) 우측 차광부(463), 이중 노광부 BC(450) 우측 차광부(464)를 통칭할 수 있다.
먼저 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)이 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G1)의 검사 영역 확보를 위해 첫번째 드라이버 IC(IC--1)의 우측으로, 즉 두번째 드라이버 IC(IC2)에 가까운 쪽으로 밀린다. 이에 따라, 중첩부 CA에서 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)에 대응하는 (n-2)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-2) 상에, 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)에서 우측으로 밀린 데이터선 검사 패드(311)와 대응하는 위치에 형성된 더미 패드(321)가 A 샷의 좌중첩부(411)의 패턴과 C 샷의 우중첩부(432)의 패턴을 일치시킨다.
이와 마찬가지로 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)이 게이트 구동부 검사 패드 유닛(G2)의 검사 영역 확보를 위해 n번째 드라이버 IC(IC--n)의 좌측으로, 즉 (n-1)번째 드라이버 IC(ICn-1)에 가까운 쪽으로 밀린다. 이에 따라, 중첩부 CA에서 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)과 대응하는 3번째 데이터선 검사 패드 유닛(P--3) 상에, 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)에서 좌측으로 밀린 데이터선 검사 패드(311)와 동일한 위치에 형성된 더미 패드(321)가 A 샷의 좌중첩부(411)의 패턴과 C 샷의 우중첩부(432)의 패턴을 일치시킨다.
이 때 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P-1, Pn)에서 중첩부 CA 안쪽으로 밀린 데이터선 검사 패드(311)와 대응하는 위치에 형성되는 중간 데이터선 검사 패드 유닛(P-3, Pn-2)의 더미 패드(321) 간에는, 서로 점선으로 대응하는 표시가 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 인접한 서로 다른 샷 간 중첩부의 패턴 일치를 위한 더미 패드(320)는 중간 데이터선 검사 패드 유닛 중 특히 P3, Pa-1, Pb-1, Pn-2(이 때 1<a<b<n을 만족한다.)에 필요하다. 도 6을 참조하면, 3번째 데이터선 검사 패드 유닛(P3)의 좌측과 (n-2)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-2)의 우측에 더미 패드(320)가 형성된다. 이 때 이러한 더미 패드가 3번째 데이터선 검사 패드 유닛(P3)의 좌측과 (n-2)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-2)의 우측을 제외한 나머지 영역에도 모두 형성될 수 있다. 즉, 더미 패드(320)는 모든 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)에서 중앙측의 복수개의 데이터선 검사 패드(310) 양측으로 형성될 수 있다. 특히 더미 패드(320)는 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P--1, Pn)에서는 중간 데이터선 검사 패드 유닛(Pm)에서보다 적은 개수로 형성될 수 있다. 모든 데이터선 검사 패드 유닛(P1 내지 Pn)이 더미 패드(320)를 포함하는 이유는, 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)의 폭, 위치 등이 유동적일 수 있고, 그 예시로 도 5를 참고할 때 중첩부의 중심이, 그 중심이 위치하는 드라이버 IC 내에서 이동할 수도 있고, 아예 다른 드라이버 IC로 이동하거나, 인접한 드라이버 IC 간의 경계로 이동할 수도 있을 것을 대비한 것이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 따른 도 4의 하나의 마스크 상의 좌중첩부 및 우중첩부 간의 패턴 관계를 더욱 자세히 도시한 도면이다.
도 7은 마스크(40)의 중첩부의 폭이 변동되는 경우를 예시로 나타낸 도면으로, 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)의 각각 좌, 우측에서도 더미 패드(320)를 형성하는 이유를 설명한다.
최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)을 참고하면, 중첩부 CA의 폭이 확대됨에 따라 (n-2)번째 데이터선 검사 패드 유닛(Pn-2)에서 더 포함하게 된 데이터선 검사 패드(312)와 대응하는 위치에 형성될 패턴이 필요하게 된다. 이러한 패턴 일치를 위해 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1)에서 더미 패드(322)를 형성한다. 마찬가지로, 중첩부 CA의 폭이 확대됨에 따라 3번째 데이터선 검사 패드 유닛(P3)에서 더 포함하게 된 데이터선 검사 패드(312)와 대응하는 위치에 형성될 패턴이 필요하게 된다. 이러한 패턴 일치를 위해 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(Pn)에서 더미 패드(322)를 형성한다.
이와 같이 도 3 내지 도 7에서, 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)의 데이터선 검사 패드(310) 중 일부는 분할 노광 공정시, 중간 데이터선 검사 패드 유닛(P2 내지 Pn-1)의 더미 패드(320) 중 일부와 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 이 때, 더미 패드(320)는 데이터선 검사 패드(310)처럼 검사용으로 쓰이는 것이 아니라 마스크를 이용한 분할 노광 공정시 패턴 형성만을 위하여 형성되기 때문에 연결 배선(130)이 연결되지 않으며, 검사 신호나 전압 등이 인가되지 않을 수 있다.
이 때 도 3 내지 도 7의 연결 배선(130)은 게이트선(GL)과 동일한 층으로 형성될 수 있으며, 데이터선(DL)과 같은 층 또는 게이트선(GL)과 데이터선(DL)과 같은 층이 중첩된 이중층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 연결 배선(130)은 다른 층과 같은 층으로 형성될 수도 있다.
도 4 내지 도 7에서 마스크(40) 상의 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)의 폭은 약 50mm 내지 150mm일 수 있으며, 바람직하게는 100mm 또는 140mm일 수 있다. 그러나 마스크(40) 상의 중첩부의 폭은 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(40)를 이용한 분할 노광 공정에서 검사 패드부(200)의 데이터선 검사 패드(310) 및 더미 패드(320)의 패턴 형성을 위주로 설명하였지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(40)는 검사 패드부(200)의 데이터선 검사 패드(310)와 더미 패드(320) 패턴뿐만 아니라, IC 실장부(120) 및 표시부(100) 내의 화소(PX) 영역, 게이트선 및 데이터선 등 표시 패널(10) 상의 모든 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 제조하는 공정에서 사용하는 마스크(40)에서 더미 패드(320) 패턴을 포함하여 표시 패널(10)의 검사 패드부(200) 상에 더미 패드(320)를 형성함으로써, 초대형 고해상도(QUHD) 패널에서 드라이버 IC의 개수의 증가 및 드라이버 IC 크기의 감소로 인해 마스크(40)의 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)에서 발생하는 패턴의 불일치를 해소할 수 있다. 만약 마스크(40)의 중첩부가 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)을 포함하지 않도록 중첩부를 마스크(40)의 중앙선에 가깝게 안 쪽으로 이동시킬 경우, 본 발명이 해결하고자 하는 중첩부 간 패턴의 불일치는 발생하지 않을 수 있다. 그러나 이 경우, 중첩부를 안 쪽으로 이동시킴에 따라 샷(shot) 수가 증가하고, 스티치(stitch) 불량 또한 증가하는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(40)의 중첩부(411, 412, 421, 422, 431, 432)가 최외각 데이터선 검사 패드 유닛(P1, Pn)을 포함하더라도 더미 패드(320)를 포함함으로써 이중 노광부 AB(440), 이중 노광부 BC(450) 또는 중첩부 CA 내의 패턴을 일치시킴으로써 샷(shot) 수의 증가를 방지할 수 있어, 공정의 시간 및 비용을 절약하여 제조 공정이 간소화된 표시 패널을 제공할 수 있다. 본 발명에서는 3개의 샷으로 간소화된 공정을 대표로 하여 설명하였으나, 표시 패널 및 마스크의 사이즈가 다를 수 있으므로, 더미 패드(320)를 형성함으로써 감소된 샷 수는 본 발명을 한정하지 않는다. 즉 B 샷(42)의 수는 1개 이상일 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 표시 패널
100: 표시부
120: IC 실장부 130: 연결 배선
200: 검사 패드부 220: 데이터선 검사 패드부
310, 311, 312: 데이터선 검사 패드
320, 321, 322: 더미 패드
40: 마스크 41: A 샷
42: B 샷 43: C 샷
411: A 샷의 좌중첩부 412: A 샷의 우중첩부
421: B 샷의 좌중첩부 422: B 샷의 우중첩부
431: C 샷의 좌중첩부 432: C 샷의 우중첩부
440: 이중 노광부 AB 450: 이중 노광부 BC
120: IC 실장부 130: 연결 배선
200: 검사 패드부 220: 데이터선 검사 패드부
310, 311, 312: 데이터선 검사 패드
320, 321, 322: 더미 패드
40: 마스크 41: A 샷
42: B 샷 43: C 샷
411: A 샷의 좌중첩부 412: A 샷의 우중첩부
421: B 샷의 좌중첩부 422: B 샷의 우중첩부
431: C 샷의 좌중첩부 432: C 샷의 우중첩부
440: 이중 노광부 AB 450: 이중 노광부 BC
Claims (15)
- 복수개의 신호선과 이에 연결된 복수개의 화소를 포함하는 표시부;
상기 표시부의 주변에 위치하는 주변부;
상기 주변부에 위치하고, 데이터 구동부가 연결되는 복수개의 드라이버 IC(Integrated Circuit)를 포함하는 IC 실장부;
상기 주변부에 위치하고, 상기 복수개의 신호선을 검사하는 검사 패드부
를 포함하고,
상기 검사 패드부는 게이트 구동부 검사 패드 유닛을 포함하는 게이트 구동부 검사 패드부와 데이터선 검사 패드 유닛을 포함하는 데이터선 검사 패드부를 포함하고,
상기 데이터선 검사 패드 유닛은 상기 데이터선 검사 패드부의 좌우 양측에 위치하는 최외각 데이터선 검사 패드 유닛과 상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 사이에 위치하는 복수개의 중간 데이터선 검사 패드 유닛을 포함하고,
각 데이터선 검사 패드 유닛은 복수개의 데이터선 검사 패드와 복수개의 더미 패드를 포함하고,
상기 더미 패드에는 연결 배선이 연결되지 않는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 더미 패드 중 일부는 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛이 포함하는 상기 데이터선 검사 패드의 일부와 대응하는 위치에 형성되는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 게이트 구동부 검사 패드 유닛이 상기 드라이버 IC 중 좌측 끝에 위치하는 드라이버 IC에 대응하는 상기 검사 패드부의 영역의 일부를 차지하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛에서 상기 더미 패드는 상기 복수개의 데이터선 검사 패드의 좌우 양측에 위치하는 표시 패널. - 제4 항에 있어서,
상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 중 좌측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛에서 상기 더미 패드는 상기 복수개의 데이터선 검사 패드의 좌측에 위치하는 표시 패널. - 제4 항에 있어서,
상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛 중 우측 최외각 데이터선 검사 패드 유닛에서 상기 더미 패드는 상기 복수개의 데이터선 검사 패드의 우측에 위치하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 더미 패드의 개수는 상기 데이터선 검사 패드의 개수와 같거나 작은 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛의 상기 더미 패드의 개수는 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛의 상기 더미 패드의 개수와 같거나 작은 표시 패널. - 제 8항에 있어서,
상기 최외각 데이터선 검사 패드 유닛의 폭은 상기 중간 데이터선 검사 패드 유닛의 폭과 같거나 작은 표시 패널. - 표시부에 복수개의 신호선과 이에 연결된 복수개의 화소를 형성하는 단계;
상기 복수개의 신호선을 검사하는 검사 패드를 형성하는 단계;
상기 신호선과 상기 검사 패드를 연결하는 연결 배선을 형성하는 단계;
상기 연결 배선이 연결되지 않는 더미 패드를 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 신호선, 상기 화소, 상기 검사 패드 및 상기 연결 배선 중 적어도 하나는 동일한 마스크를 이용하여 복수의 샷(shot)으로 분할하여 노광하는 분할 노광법을 이용한 사진 식각 공정으로 형성하며,
상기 분할 노광법은
하나의 샷을 노광하는 최초 노광 단계;
상기 최초 노광 단계의 샷의 일부가 중첩되는 중첩부가 있도록 중간 샷을 위치시킨 후 상기 중간 샷을 노광하는 중간 노광 단계;
상기 중간 노광 단계의 샷의 일부가 중첩되는 중첩부가 있도록 최후 샷을 위치시킨 후 상기 최후 샷을 노광하는 최후 노광 단계
를 포함하고,
상기 중첩부의 패턴은 서로 일치하는 표시 패널 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 마스크는 좌중첩부 및 우중첩부를 포함하는 표시 패널 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 중첩부의 폭은 50mm 내지 150mm인 표시 패널 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 최초 노광 단계에서는 상기 마스크의 상기 우중첩부 영역까지 노광되며, 상기 중간 노광 단계에서는 상기 마스크의 상기 좌중첩부부터 상기 우중첩부까지 노광되며, 상기 최후 노광 단계에서는 상기 마스크의 상기 좌중첩부부터 노광되는 표시 패널 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 중간 노광 단계의 상기 중간 샷의 상기 좌중첩부 및 상기 우중첩부는 빛이 이중으로 조사되는 이중 노광부를 형성하는 표시 패널 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 중간 노광 단계는 복수의 노광 단계를 포함하는 표시 패널 제조 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180092064A KR102456696B1 (ko) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 표시 패널 및 그 제조 방법 |
US16/358,660 US10845662B2 (en) | 2018-08-07 | 2019-03-19 | Display panel and manufacturing method thereof |
CN201910675211.8A CN110865515B (zh) | 2018-08-07 | 2019-07-25 | 显示面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180092064A KR102456696B1 (ko) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 표시 패널 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200017019A true KR20200017019A (ko) | 2020-02-18 |
KR102456696B1 KR102456696B1 (ko) | 2022-10-19 |
Family
ID=69405861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180092064A KR102456696B1 (ko) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 표시 패널 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10845662B2 (ko) |
KR (1) | KR102456696B1 (ko) |
CN (1) | CN110865515B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12010901B2 (en) | 2022-08-30 | 2024-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200115750A (ko) * | 2019-03-25 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법 |
CN111863915B (zh) * | 2020-07-29 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、显示面板 |
US20220320228A1 (en) * | 2020-10-23 | 2022-10-06 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Apparatus |
US20240194101A1 (en) * | 2021-06-01 | 2024-06-13 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and display device |
CN116243509A (zh) * | 2023-04-06 | 2023-06-09 | 上海中航光电子有限公司 | 一种显示面板及其混料检出方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5945984A (en) * | 1994-11-24 | 1999-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device and method of inspecting same |
KR20060015201A (ko) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판과, 이를 갖는 모기판 및 액정표시장치 |
US8208114B2 (en) * | 2002-06-19 | 2012-06-26 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Drive apparatus with improved testing properties |
KR20170113869A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 테스트 시스템 및 테스트 컨트롤러 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1209662C (zh) * | 2001-12-17 | 2005-07-06 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及电子机器 |
KR101129618B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2012-03-27 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 패널 및 이의 검사 방법과 이의 제조방법 |
JP4211808B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR101269289B1 (ko) | 2006-06-29 | 2013-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20130083722A (ko) * | 2012-01-13 | 2013-07-23 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 구동 칩 및 디스플레이 장치 |
KR102314795B1 (ko) * | 2015-01-26 | 2021-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR102332255B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2021-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2018
- 2018-08-07 KR KR1020180092064A patent/KR102456696B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-19 US US16/358,660 patent/US10845662B2/en active Active
- 2019-07-25 CN CN201910675211.8A patent/CN110865515B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5945984A (en) * | 1994-11-24 | 1999-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device and method of inspecting same |
US8208114B2 (en) * | 2002-06-19 | 2012-06-26 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Drive apparatus with improved testing properties |
KR20060015201A (ko) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판과, 이를 갖는 모기판 및 액정표시장치 |
KR20170113869A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 테스트 시스템 및 테스트 컨트롤러 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12010901B2 (en) | 2022-08-30 | 2024-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10845662B2 (en) | 2020-11-24 |
CN110865515A (zh) | 2020-03-06 |
KR102456696B1 (ko) | 2022-10-19 |
CN110865515B (zh) | 2023-12-08 |
US20200050068A1 (en) | 2020-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20200017019A (ko) | 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
US9190421B2 (en) | Display device and fabrication method thereof | |
US20170309644A1 (en) | Display device | |
KR101681820B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 이를 구비한 표시패널 | |
US11271019B2 (en) | Display device with fan-out wire having various widths, photomask, and manufacturing method of display device | |
JP2019169086A (ja) | 位置入力装置 | |
KR101586677B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2019184864A (ja) | 表示装置 | |
KR19990046917A (ko) | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
US9437617B2 (en) | Display apparatus | |
KR19990031315A (ko) | 액정 표시 장치 패널, 그 제조 방법 및 정렬 방법 | |
KR101006435B1 (ko) | 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법 | |
CN113224083A (zh) | 显示设备 | |
KR20190110166A (ko) | 표시 장치 | |
JP2011164361A (ja) | 表示装置 | |
KR20210102524A (ko) | 표시 장치 | |
JP2008233594A (ja) | 電気光学装置 | |
JP2021182130A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
CN110767661B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN110716400B (zh) | 显示装置 | |
US20200050036A1 (en) | Display device | |
KR20160090971A (ko) | 표시장치용 표시패널 및 표시패널 검사 방법 | |
KR101390106B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 리페어방법 | |
KR20130031738A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100740935B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |