KR20190140449A - 비수계 배터리용 일체식 금속 애노드로서의 다상 금속 포일 - Google Patents
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Abstract
비수계 배터리에 유용한 다상 금속 애노드가 본원에 개시된다. 애노드는 적어도 하나의 활성 금속과 적어도 하나의 전도성 금속을 포함한다.
Description
정부 지원 진술서
본 발명은 에너지부에 의해 수여된 승인 번호 DE-SC0005397하에 정부 지원으로 이루어졌다. 정부는 본 발명에 소정의 권리를 갖는다.
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017년 4월 28일에 출원된 미국 가출원 62/491,653의 이익을 주장하며, 본원에 전체 내용이 포함된다.
기술분야
본 발명은 비수계 배터리에 사용하기 위한 다상 금속 포일 합금 애노드, 예를 들어 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼슘 이온, 및 마그네슘 이온 배터리에 관한 것이다.
충전식 비수계 리튬 이온 배터리 (LIB)는 가전 제품부터 전기차에 이르기까지 어디에나 있지만, 향후 수요를 충족시키기 위해 현재의 기술을 더욱 개선할 필요가 있다. 이를 위해, 최근 연구는 실리콘, 주석, 게르마늄, 알루미늄 등의 합금 화합물을 추가하여 LIB 흑연 애노드의 중량 당 에너지 밀도를 개선하는 데 초점을 맞추고 있다. 이론적 커패시티가 더 높은 합금 화합물을 추가하여 에너지 밀도를 높이려는 노력은, 제1 사이클 쿨롱 효율, 속도 능력, 및 사이클성을 매우 저하하지 않고서 성공적으로 첨가할 수 있는 중량 백분율(< 10 중량%)이 낮기 때문에 불행히도 제한적인 성공을 거두었다. 부피 변화를 다루기 위한 시도에서, 일부 연구는 Al-Sn, Sn-Sb, 및 Ag-Sn과 같은 이성분계 분말의 박막이나 합성물을 조사했다. 분말은 전도성 매트릭스와 밀접하게 혼합된 나노 크기의 합금 재료를 가짐으로써 유용했다.
중량 당 밀도를 높이기 위한 대안적인 경로는, 활물질 및 집전체 모두의 역할을 할 수 있는 재료를 조사하는 것이었다. 이들 조사는 주로 알루미늄 또는 주석으로 제한되었고, 그 이유는 포일을 생산하기 위해 요구되는 재료의 연성이 높기 때문이다. 이들 조사는 좋지 못한 사이클성, 낮은 쿨롱 효율성, 또는 낮은 실현/활용 커패시티로 인해 제한된 영향을 미쳤다. 이들 연구 중 많은 것이, 리튬 합금화 금속으로 만들어진 포일의 좋지 못한 사이클성은 사이클링 및/또는 전해질과의 원치 않는 반응에 의한 큰 부피 변화(> 200 %)에 기인한다고 결론을 내리고 있다.
적어도 하나 이상의 활물질과 전도성 금속의 다상 금속 시스템을 포함하는 일체식 금속 포일 애노드(IMFA)를 본원에 개시한다. IMFA는 별도의 비활성 구리 포일 집전체의 필요성을 제거함으로써, 유효 커패시티를 (150 mAh/g에서 300 mAh/g 이하까지로) 획기적으로 증가시키면서 부피 확장을 감소시킨다. 공개된 애노드는 리튬 이온 화학물질 외에도, 예를 들어 나트륨 이온, 칼슘 이온 및 마그네슘 이온 배터리와 같은 다른 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 시스템에 유리하게 배치될 수 있다.
하나 이상의 구현예의 세부 사항은 아래 설명에 명시된다. 다른 특징부, 목적 및 장점은 설명과 청구범위로부터 명백할 것이다.
도 1은 압연 전과 후의 AT(알루미늄-주석)와 AZT(알루미늄-아연-주석) 합금의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다. 특히, 주조 잉곳으로서 AT50, AT60, AT70, AZT50, AZT60, 및 AZT70의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다. AT50, AT60, AT70, AZT50, AZT60, 및 AZT70 합금 포일의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다. EDX 원소 맵에서 주석은 적색, 알루미늄은 녹색, 그리고 아연은 청색으로 나타낸다. 도 1a는 z-y 평면 전체에 걸쳐 분산된 다상 시스템을 도시한다. 도 1b는 x-y 평면 전체에 걸쳐 분산된 금속을 나타내는 다상 시스템을 도시한다.
도 2는 AZT 애노드의 전기 화학적 성능을 나타낸다: (a) 300 mAh/g 커패시티 제한 사이클링 동안 C/10에서 AZT70 합금의 정전류 전압 응답. (b) 리튬 반쪽 셀에서 다중 속도 및 다중 커패시티 범위에서 AZT70의 사이클성.
도 3은 AZT70의 고배율 SEM과 대응하는 EDX 원소 맵을 도시한다.
도 4는 다양한 AT 및 AZT 합금의 XRD 패턴을 도시한다.
도 5는 a) 공기 및 b) 아르곤 분위기에서 AT 합금을 가열한 TGA/DSC 결과를 도시한다.
도 6은 Sn-Zn 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵으로 EDX 원소 맵에서 주석은 적색으로, 아연은 녹색으로 나타낸다.
도 7은 Sn-Zn 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 8은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Zn의 전압 프로파일을 도시한다.
도 9는 Sn-Bi 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 10은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Bi의 전압 프로파일을 도시한다.
도 11은 Sn-Pb 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 12는 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Pb의 전압 프로파일을 도시한다.
도 13은 Cu-Pb 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 14는 C/10의 속도로 3번째 충/방전 중에 Cu-Pb의 전압 프로파일을 도시한다.
도 15는 Al-Zn-Sn 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵으로 EDX 원소 맵에서 주석은 적색으로, 알루미늄은 녹색으로, 아연은 청색으로 나타낸다.
도 16은 Al-Zn-Sn 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 17은 C/10의 속도로 다양한 충전 및 방전 중에 Al-Zn-Sn의 전압 프로파일을 도시한다.
도 18은 20 μm 해상도에서 Al-Sn-Bi 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다.
도 19는 10 μm 해상도에서 Al-Sn-Bi 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다.
도 20은 Al-Sn-Bi 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 21은 Sn-Cu 클래드 포일의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다. EDX 원소 맵에서 구리는 녹색으로, 주석은 적색으로 나타낸다.
도 22는 Sn-Cu 클래드 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 23은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Cu 클래드 포일의 전압 프로파일을 도시한다.
도 24는 Sn 도금된 Cu의 SEM 사진과 EDX 원소 맵으로 EDX 원소 맵에서 주석은 적색으로, 구리는 녹색으로 나타낸다.
도 25는 Sn 도금된 Cu 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 26은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn 도금된 Cu 포일의 전압 프로파일을 도시한다.
도 27은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Al-Sn 애노드의 나트륨 치환에 대한 전압 프로파일을 도시한다.
도 28은 (a) 주조 잉곳, 포일로 압연, 및 포일의 주석 부분을 리튬으로 후속 치환의 예시, (b) x1500 배율에서 알루미늄-주석 IdEA 애노드의 SEM 사진, (c) C/10의 속도로 250 mAh/g에서 사이클링한 Al-Sn IdEA 애노드의 장시간 사이클링 데이터를 도시한다.
도 29는 Sn0.545Zn0.0445Bi0.01 포일의 사이클링 데이터를 도시한다.
도 30은 Zn58Sn40Cd2 애노드 사이클의 5번째 나트륨 치환/비나트륨 치환(방전/충전)을 금속성 나트륨에 대해 나타낸다.
도 2는 AZT 애노드의 전기 화학적 성능을 나타낸다: (a) 300 mAh/g 커패시티 제한 사이클링 동안 C/10에서 AZT70 합금의 정전류 전압 응답. (b) 리튬 반쪽 셀에서 다중 속도 및 다중 커패시티 범위에서 AZT70의 사이클성.
도 3은 AZT70의 고배율 SEM과 대응하는 EDX 원소 맵을 도시한다.
도 4는 다양한 AT 및 AZT 합금의 XRD 패턴을 도시한다.
도 5는 a) 공기 및 b) 아르곤 분위기에서 AT 합금을 가열한 TGA/DSC 결과를 도시한다.
도 6은 Sn-Zn 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵으로 EDX 원소 맵에서 주석은 적색으로, 아연은 녹색으로 나타낸다.
도 7은 Sn-Zn 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 8은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Zn의 전압 프로파일을 도시한다.
도 9는 Sn-Bi 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 10은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Bi의 전압 프로파일을 도시한다.
도 11은 Sn-Pb 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 12는 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Pb의 전압 프로파일을 도시한다.
도 13은 Cu-Pb 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 14는 C/10의 속도로 3번째 충/방전 중에 Cu-Pb의 전압 프로파일을 도시한다.
도 15는 Al-Zn-Sn 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵으로 EDX 원소 맵에서 주석은 적색으로, 알루미늄은 녹색으로, 아연은 청색으로 나타낸다.
도 16은 Al-Zn-Sn 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 17은 C/10의 속도로 다양한 충전 및 방전 중에 Al-Zn-Sn의 전압 프로파일을 도시한다.
도 18은 20 μm 해상도에서 Al-Sn-Bi 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다.
도 19는 10 μm 해상도에서 Al-Sn-Bi 잉곳의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다.
도 20은 Al-Sn-Bi 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 21은 Sn-Cu 클래드 포일의 SEM 사진과 EDX 원소 맵을 도시한다. EDX 원소 맵에서 구리는 녹색으로, 주석은 적색으로 나타낸다.
도 22는 Sn-Cu 클래드 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 23은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn-Cu 클래드 포일의 전압 프로파일을 도시한다.
도 24는 Sn 도금된 Cu의 SEM 사진과 EDX 원소 맵으로 EDX 원소 맵에서 주석은 적색으로, 구리는 녹색으로 나타낸다.
도 25는 Sn 도금된 Cu 포일의 X선 회절 스펙트럼을 도시한다.
도 26은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Sn 도금된 Cu 포일의 전압 프로파일을 도시한다.
도 27은 C/10의 속도로 5번째 충/방전 중에 Al-Sn 애노드의 나트륨 치환에 대한 전압 프로파일을 도시한다.
도 28은 (a) 주조 잉곳, 포일로 압연, 및 포일의 주석 부분을 리튬으로 후속 치환의 예시, (b) x1500 배율에서 알루미늄-주석 IdEA 애노드의 SEM 사진, (c) C/10의 속도로 250 mAh/g에서 사이클링한 Al-Sn IdEA 애노드의 장시간 사이클링 데이터를 도시한다.
도 29는 Sn0.545Zn0.0445Bi0.01 포일의 사이클링 데이터를 도시한다.
도 30은 Zn58Sn40Cd2 애노드 사이클의 5번째 나트륨 치환/비나트륨 치환(방전/충전)을 금속성 나트륨에 대해 나타낸다.
본 방법과 시스템을 개시하고 설명하기 전에, 방법과 시스템은 특정 합성 방법, 특정 구성 요소, 또는 특정 조성에 제한되지 않음을 이해해야 한다. 또한 본원에 사용되는 용어는 특정 구현예만을 기술하기 위한 것이며 제한하기 위한 것이 아니라는 점을 이해해야 한다.
명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 명백하게 달리 나타내지 않는 한 복수 대상을 포함한다. 범위는 본원에서 "약" 하나의 특정 값부터, 및/또는 "약" 다른 하나의 특정 값까지로 표시될 수 있다. 이러한 범위를 표시하는 경우, 다른 구현예는 상기 하나의 특정 값부터 및/또는 상기 다른 하나의 특정 값까지를 포함한다. 유사하게, "약"을 앞에 사용하여 값을 근사치로 표현하는 경우, 특정 값은 또 다른 구현예를 형성함을 이해할 것이다. 각 범위의 종점은 다른 종점과 관련하여, 그리고 다른 종점과 독립적으로 중요함을 또한 이해할 것이다.
"선택적인" 또는 "선택적으로"은 후속적으로 설명한 사건이나 상황이 발생할 수 있거나 발생하지 않을 수 있음을 의미하며, 설명에는 상기 사건이나 상황이 발생한 경우와 그렇지 않은 경우를 포함함을 의미한다.
본 명세서의 설명 및 청구범위에 걸쳐, 단어 "포함한다" 및 그 단어의 변형, 예컨대 "포함하는"은 "포함하나 이로 한정되지 않는"의 의미이며, 예를 들어 다른 첨가제, 성분, 정수 또는 단계를 배제하는 의미는 아니다. "예시적인"은 "~의 예"를 의미하며, 선호되거나 이상적인 구현예의 표시를 전달하는 의미는 아니다. "~와 같은"은 제한적 의미가 아니라 설명을 위해 사용된다.
개시된 방법 및 시스템을 수행하기 위해 사용될 수 있는 구성 요소를 개시한다. 이들 및 다른 구성 요소는 본원에 개시되며, 이러한 구성 요소의 조합, 부분 집합, 상호 작용, 그룹 등이 개시되는 경우, 각각의 다양한 개별적 및 집단적 조합에 대한 구체적인 참조와 이들 조합의 순열은 명시적으로 개시되지 않을 수 있지만, 각 구성 요소는 모든 방법 및 시스템에 대해 본원에 구체적으로 고려되고 설명되는 것으로 이해한다. 이는 개시된 방법의 단계를 포함하나 이에 제한되지 않는 본 출원의 모든 양태에 적용된다. 따라서, 수행할 수 있는 다양한 추가 단계가 있으면, 이들 추가 단계 각각은 개시된 방법의 임의 특정 구현예 또는 구현예의 조합을 통해 수행할 수 있는 것으로 이해된다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "리튬 합금화 전위(lithium alloying potential)"란 용어는 리튬 이온을 고체 리튬 금속으로 환원시키는 소정 금속의 능력을 지칭한다. 리튬 합금화 전위는 리튬 금속 자체에 대해 측정한다. 마찬가지로, "나트륨 합금화 전위"는 나트륨 이온을 고체 금속으로 환원시키는 소정 금속의 능력을 말하며, "마그네슘 합금화 전위"는 마그네슘 이온을 마그네슘으로 환원시키는 소정 금속의 능력을 지칭한다. 나트륨 합금화 전위는 나트륨 금속 자체에 대해 측정되고, 마그네슘 합금화 전위는 마그네슘 금속 자체에 대해 측정된다. 다른 알칼리 금속 및 알칼리 토금속의 합금화 전위는 유사한 방식으로 측정될 수 있다.
예를 들어 알칼리 금속 시스템과 알칼리 토금속 시스템과 같이, 비수계 배터리의 애노드로 사용하기 위한 다상 금속 포일을 본원에 개시한다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 알칼리 금속 시스템은 전해질이 적어도 하나의 알칼리 금속, 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐 또는 세슘을 포함하는 셀을 지칭한다. 용어 알칼리 토금속 시스템은 전해질이 적어도 하나의 알칼리 토금속, 예를 들어 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬 또는 바륨을 포함하는 셀을 지칭한다.
포일은 적어도 하나의 활성 금속과 적어도 하나의 전도성 금속을 포함한다. 활성 금속은 전도성 금속보다 더 쉽게 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 합금화한다. 일부 구현예에서 활성 금속과 전도성 금속은 적어도 이론적으로 동일한 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 합금화할 수 있다. 활성 금속은 전도성 금속보다 전해질에 대한 더 높은 합금화 전위를 갖는 점에서 전도성 금속과 구별된다. 예를 들어 리튬 이온 배터리를 사용하는 경우, 활성 금속은 전도성 금속보다 더 높은 리튬 합금화 전위를 가질 것이다. 마찬가지로, 나트륨 이온 배터리를 사용하는 경우, 활성 금속은 전도성 금속보다 더 높은 나트륨 합금화 전위를 가질 것이고, 마그네슘 이온 배터리를 사용하는 경우, 활성 금속은 전도성 금속보다 더 높은 마그네슘 합금화 전위를 가질 것이다. 활성 금속과 전도성 금속 사이의 합금화 전위의 차이로 인해, 정의된 전압에 걸쳐 작동하는 전기 셀에 애노드를 사용할 경우에 활성 금속만이 전해질과 합금화할 수 있다. 실질적으로 합금화되지 않는 전도성 금속은 연성을 유지하고, 애노드의 효율과 사이클성에 기여한다.
일반적으로 활성 금속은 0.01 V 내지 1.0 V의 전압에서, 예를 들어 0.025 V 내지 0.85 V, 0.05 V 내지 0.85 V, 0.1 V 내지 0.85 V, 0.2 V 내지 0.85 V, 0.3 V 내지 0.85 V, 0.4 V 내지 0.85 V, 0.5 V 내지 0.85 V, 0.6 V 내지 0.85 V, 0.025 V 내지 0.6 V, 0.05 V 내지 0.6 V, 0.1 V 내지 0.6 V, 0.2 V 내지 0.6 V, 0.3 V 내지 0.6 V, 0.4 V 내지 0.6 V, 0.5 V 내지 0.6 V, 0.025 V 내지 0.5 V, 0.05 V 내지 0.5 V, 0.1 V 내지 0.5 V, 0.2 V 내지 0.5 V, 0.3 V 내지 0.5 V, 0.4 V 내지 0.5 V, 0.025 V 내지 0.4 V, 0.05 V 내지 0.4 V, 0.1 V 내지 0.4 V, 0.2 V 내지 0.4 V, 0.3 V 내지 0.4 V에서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 합금화할 것이다.
다음 표는 리튬 시스템 내의 다상 금속성 애노드에 사용되기 적합한 몇 가지 금속을 나열한다. 몇 가지 금속의 리튬 합금화 전위(리튬 금속에 대해 측정됨) 또한 제공된다.
다음 표는 나트륨 시스템 내의 다상 금속성 애노드에 사용되기 적합한 몇 가지 금속을 나열한다. 몇 가지 금속의 나트륨 합금화 전위(나트륨 금속에 대해 측정됨) 또한 제공된다.
다음 표는 마그네슘 시스템 내의 다상 금속성 애노드에 사용되기 적합한 몇 가지 금속을 나열한다. 몇 가지 금속의 마그네슘 합금화 전위(마그네슘 금속에 대해 측정됨) 또한 제공된다.
다상 금속 애노드가, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 모두 합금화할 수 있는 2개의 상이한 금속을 활성 금속 및 전도성 금속으로서 포함하는 경우, 활성 금속은 더 높은 합금화 전위를 갖는 금속일 것이다. 예를 들어, 주석과 비스무스를 포함하는 리튬 셀용 애노드에서, 주석은 전도성 금속이 되는 반면에 주석과 납을 포함하는 애노드에서, 주석은 활성 금속일 것이다. 주석/비스무스 시스템에서, 동작 전압이 0.69 V를 초과해서 유지되는 경우, 주석이 아니라 비스무스만 합금화될 것이다.
따라서, 본 발명의 일부 구현예에서 활성 금속은 알루미늄, 게르마늄, 실리콘, 아연, 갈륨, 은, 카드뮴, 인듐, 주석, 안티몬, 금, 납, 비스무스, 또는 마그네슘을 포함한다. 주석, 비스무스, 및 납은 바람직한 활성 금속이다.
일부 구현예에서, 전도성 금속은 니켈, 알루미늄, 아연, 실리콘, 마그네슘, 납, 게르마늄, 비스무스, 은, 카드뮴, 안티몬, 구리, 또는 금을 포함할 수 있다. 알루미늄, 아연, 주석, 납, 및 구리는 바람직한 전도성 금속이다.
일부 구현예에서, 다상 금속 애노드는 주석과 알루미늄, 주석과 아연, 비스무스와 주석, 주석과 납, 납과 구리, 또는 주석과 구리를 포함한다.
활성 및 전도성 금속은 상이한 중량 비율로 존재할 수 있고, 예를 들어, 활성 금속 대 전도성 금속의 중량비는 1:10 내지 10:1, 1:10 내지 5:1, 1:5 내지 5:1, 1:2.5 내지 5:1, 1:2.5 내지 2.5:1, 1:1 내지 2.5:1, 1:2.5 내지 1:1, 또는 1:1.5 내지 1.5:1일 수 있다.
특정 구현예에서, 다상 금속 애노드는 활성 금속 및 전도성 금속과는 상이한 적어도 하나의 추가 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가 원소는 붕소, 탄소, 알루미늄, 실리콘, 인, 갈륨, 게르마늄, 비소, 인듐, 안티몬, 납, 주석, 비스무스, 티타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 이트륨, 지르코늄, 니오븀, 몰리브덴, 테크네튬, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 카드뮴, 텅스텐, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금, 그리고 이들의 조합일 수 있다.
추가 원소(들)는 활성 금속 상에 존재할 수 있고, 이는 활성 금속과는 바로 접촉하나 전도성 금속과는 그렇지 않음을 의미한다. 추가 원소(들)는 전도성 금속 상에 존재할 수 있고, 이는 전도성 금속과는 바로 접촉하나 활성 금속과는 그렇지 않음을 의미한다. 특정 경우에, 활성 금속 상에 하나 이상의 추가 요소가 존재할 수 있으며, 활성 금속 상에서의 것과 동일하거나 다를 수 있는 하나 이상의 추가 요소가 전도성 상에 존재할 수 있다.
추가 원소(들)는 나노입자, 고체 용액, 또는 금속간 화합물의 형태로 존재할 수 있다. 나노입자는 1 내지 1,000 nm, 10 내지 1,000 nm, 50 내지 1,000 nm, 100 내지 1,000 nm, 250 내지 1,000 nm, 500 내지 1,000 nm, 750 내지 1,000 nm, 1 내지 750 nm, 10 내지 750 nm, 50 내지 750 nm, 100 내지 750 nm, 250 내지 750 nm, 500 내지 750 nm, 1 내지 500 nm, 10 내지 500 nm, 50 내지 500 nm, 100 내지 500 nm, 또는 250 내지 500 nm의 평균 입자 크기를 가질 수 있다.
하나 이상의 추가 원소는 금속 총 중량에 대해 0.1 내지 10 중량%, 0.5 내지 10 중량%, 1.0 내지 10 중량%, 2.5 내지 10 중량%, 5.0 내지 10 중량%, 7.5 내지 10 중량%, 0.1 내지 7.5 중량%, 0.1 내지 5.0 중량%, 0.1 내지 3.5 중량%, 0.1 내지 2.5 중량%, 0.1 내지 1.0 중량%, 1 내지 7.5 중량%, 2.5 내지 7.5 중량%, 2 내지 5 중량%, 2.5 내지 4 중량%로 존재할 수 있다.
일부 구현예에서, 하나 이상의 추가 원소는 아연 또는 구리, 또는 둘 다를 포함할 수 있다.
다상 금속 포일은 공융(eutectic) 혼합물, 클래드 시스템, 또는 증착 시스템일 수 있다. 공융 혼합물은 액체 상태에서 금속을 (전술한 것처럼 선택적으로 하나 이상의 추가 원소와 함께) 혼합한 다음 혼합물로부터 고체 잉곳을 형성함으로써 얻을 수 있다. 하나 이상의 추가 원소는 예를 들어, 공융 혼합물보다 더 높은 융점을 갖는 경우, 액체 상태일 필요는 없다. 클래드는 활성 및 전도성 금속 와이어를 같이 엮어 기계적인 힘을 통해 같이 힘을 줌으로써 얻을 수 있다. 활성 금속은, 예를 들어 전해 증착 또는 무전해 증착, 또는 주석 도금의 다양한 방법에 의해 전도성 금속 상에 증착될 수 있다.
조합된 금속은 압연되거나 달리 박형 포일로 형상화될 수 있다. 포일은 0.25 mm 이하, 0.20 mm 이하, 0.15 mm 이하, 0.125 mm 이하, 0.1 mm 이하, 0.075 mm 이하, 0.05 mm 이하, 0.04 mm 이하, 0.03 mm 이하, 0.02 mm 이하, 0.01 mm 이하, 0.005 mm 이하, 0.0025 mm 이하, 0.0020 mm 이하, 0.001 mm 이하, 0.0005 mm 이하, 또는 0.0001 mm 이하의 두께를 가질 수 있다. 일부 경우에서 포일은 0.0001 내지 0.25 mm, 0.001 내지 0.1 mm, 0.0025 내지 0.1 mm, 0.005 내지 0.1 mm, 0.01 내지 0.1 mm, 0.001 내지 0.05 mm, 0.001 내지 0.01 mm의 두께를 가질 수 있다. 일반적으로 금속 고체의 두께는 다상 금속 포일 애노드를 형성하기 위해 적어도 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 100, 500, 1,000, 2,500, 5,000, 7,500, 또는 심지어 10,000배로 감소될 수 있다. 결과적으로 포일은 20 마이크론 이하, 10 마이크론 이하, 8 마이크론 이하, 6 마이크론 이하, 5 마이크론 이하, 4 마이크론 이하, 3 마이크론 이하, 2 마이크론 이하, 또는 1 마이크론 이하의 적어도 하나의 공간 치수의 평균 상 단면적을 갖는다. 이러한 평균 상 단면적을 갖는 다상 금속 애노드의 SEM 이미지가 도 1, 도 3, 도 6, 도 15, 도 19, 도 21, 및 도 24에 도시된다. 도 1a는 도 1b에 도시된 금속 잉곳으로부터 압연된 다상 금속 포일을 도시한다. 수직 축은 잉곳이 압연 중에 최대 감소량을 겪는 치수를 도시한다. 도 1b는 포일로 압연되기 전에 금속 잉곳을 나타내는 다상 시스템을 도시한다. SEM 사진은 원형의 이성분계 공융 합금을 나타낸다. 특히 알루미늄-주석 합금에 관해, 일차 알루미늄 덴드라이트(dendrite)는 공융 주석에 의해 둘러싸이고, 공융 합금 내에서 주석으로부터 알루미늄이 명확하게 분리되지 않는다. 관찰된 미세구조는 합금의 아공융(hypoeutectic) 조성뿐만 아니라 97.6 % 주석에서 공융 조성의 위치를 고려할 때 알루미늄-주석 상변태도에 기초한 예상을 충족시켰다. 주조 상태의 잉곳의 현미경 사진에서 보여지는 알루미늄과 주석 특징부의 크기 스케일은 수 십 마이크론 정도이다. 주조 상태의 잉곳은 도 1에서 보는 바와 같이 y축을 따라 약 100배 신장되고, z축을 따라 상응하는 100배의 감소가 있고, x축으로는 거의 변화가 없도록 이방성으로 냉간 압연되었다. 잉곳을 포일로 거시적으로 변형하면, 포일의 미세구조에 유사한 변화를 유도한다. 가장 중요한 것은 압연된 포일에서 알루미늄/주석 특징부 크기는 z축을 따라 약 200 nm로 감소했다. 주석 특징부의 크기 감소는 상당한 전기 화학적 밀링을 겪지 않고 주석 입자로 하여금 리튬과 가역적으로 합금화할 수 있도록 하는 데 매우 중요하다고 생각된다.
일부 구현예에서, 애노드는 탄소, 예를 들어 그래파이트 또는 그래핀의 형태를 전혀 포함하지 않는다.
다상 금속 애노드를 리튬 이온 셀에서 유리하게 사용할 수 있다. 셀은 또한 캐소드, 예를 들어 리튬 코발트 옥사이드(LiCoO2), 리튬 철 포스페이트(LiFePO4), 리튬 니켈 망간 코발트 옥사이드(LiNixMnyCo1-x-yO2), 리튬 망간 옥사이드(LiMn2O4), 리튬 코발트 니켈 알루미늄 옥사이드(LiCoxNiyAl1-x-yO2), 그리고 프로필렌 카보네이트(PC), 에틸 메틸 카보네이드(EMC), 디메틸 카보네이트(DMC), 에틸렌 카보네이트(EC) 및/또는 모노플루오로에틸렌 카보네이트와 같은 비수계 카보네이트 전해질과 리튬 헥사플루오로포스페이트(LiPF6), 리튬 클로레이트(LiClO4), 비스(트리플루오로메탄)술폰아미드(LiTSFI) 및/또는 리튬 테트라보레이트(LiBF4)와 같은 염과의 혼합물과 같은 전해질을 포함한다.
다상 금속 애노드를 나트륨 이온 셀에서 유리하게 사용할 수 있다. 셀은 또한 나트륨 코발트 옥사이드(NaCoO2), 나트륨 크롬 옥사이드(NaCrO2), 나트륨 철 포스페이트(NaFePO4), 나트륨 바나듐 포스페이트(Na3V2(PO4)3)와 같은 캐소드, 그리고 나트륨 클로레이트(NaClO4), 나트륨 헥사플루오로포스페이트(NaPF6), 및/또는 나트륨 테트라플루오로보레이트(NaBF4)와 같은 염을 갖는 전술한 카보네이트 전해질을 포함할 수 있다.
다상 금속 애노드를 마그네슘 이온 셀에서 유리하게 사용할 수 있다. 셀은 또한 몰리브덴 설파이드(Mo6S8), 마그네슘 망간 실리케이트(MgMnSiO4), 티타늄 디설파이드(TiS2), 몰리브덴 설파이드(MoS2), 티타늄 셀레나이드(TiSe2), 니오븀 설파이드(NbS3), 코발트 설파이드(CoS), 망간 옥사이드(MnO2), 및/또는 몰리브덴 옥사이드(MoO3)와 같은 캐소드, 그리고 마그네슘 퍼클로레이트(Mg(ClO4)2), 마그네슘 테트라플루오로보레이트(Mg(BF4)2), 마그네슘 비스(트리플루오로메탄)술폰이미드(MgTFSI)와 같은 염을 갖는 전술한 카보네이트 전해질을 포함할 수 있다.
다상 금속 애노드를 칼슘 이온 셀에서 유리하게 사용할 수 있다. 셀은 또한 망간 헥사시아노페레이트(Ca0.5NaFe(CN)6), 바나듐 펜토사이드(V2O5), 칼슘 코발트 옥사이드(CaCo2O4)와 같은 캐소드, 그리고 칼슘 헥사플루오로포스페이트(Ca(PF6)2), 및/또는 칼슘 퍼클로레이트(Ca(ClO4)2)와 같은 염을 갖는 전술한 선형 카보네이트 전해액을 포함할 수 있다.
실시예
하기 실시예는 개시된 주제에 따른 방법 및 결과를 예시하기 위해 하기에 제시된다. 이들 실시예는 본원에 개시된 주제의 모든 양태를 포함하는 것이라기보다는 대표적인 방법, 조성, 및 결과를 설명하기 위한 것이다. 이들 실시예는 당업자에게 자명한 본 발명의 등가물 및 변형을 배제하려는 것은 아니다.
수치(예, 양, 온도 등)에 대한 정확성을 보장하기 위한 노력이 이루어졌지만, 일부 오차 및 편차를 고려해야 한다. 다른 언급이 없는 한, 부는 중량부, 온도는 ℃ 또는 대기 온도이며, 압력은 대기압 또는 대기압 부근이다. 설명된 공정으로부터 얻은 생성물의 순도 및 수율을 최적화하기 위해 사용될 수 있는, 예를 들어 성분 농도, 온도, 압력 및 다른 반응 범위 및 조건과 같은 반응 조건의 수많은 변형 및 조합이 있다. 이러한 공정 조건을 최적화하기 위해서, 합리적이고 일상적인 실험만이 필요하다.
실시예 1: Al-Sn 및 Al-Zn-Sn 금속 포일
고온 그래파이트 도가니 안에 원하는 비율의 알루미늄(McMaster-Carr, 1100 시리즈 >99.5 %) 아연(RotoMetals, >99.7%), 및 주석(Metal Shipper Inc., >99.9%) 약 50 g을 750ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다. 60 mm 직경의 롤러를 구비한 수동식 Durston 압연 밀로 약 7 x 7 x 3.5 mm 크기의 잉곳 섹션을 압연하여 포일을 만들었다. 3.5 mm 치수를 0.02~0.03 mm로 감소시키면서 신장을 7 mm 치수 중 하나를 목표로 하도록 압연을 수행했다. 압연 이후, 일부 포일을 185º C에서 공기 또는 아르곤 분위기로 1 시간 동안 어닐링했다.
구리 Kα(λ = 0.15418 nm)선을 이용한 Bragg-Brentano 타입 회절기(Rigaku Miniflex 600)로 X선 회절 패턴을 수집했다. 3º s-1의 속도로 10~100º 2θ의 2θ 범위에 걸쳐 연속 방식으로 스캔을 했다. SEM으로 분석하기 전에 전통적인 금속 조직학 샘플 준비법을 사용하여 포일과 잉곳을 마운팅하고 폴리싱하였다. 간략하게 시편을 먼저 절단하고, 열경화성 고분자(Beuhler사, PhenoCure)에 마운팅하였다. 그 다음, 마운팅된 시편을 먼저 6과 1 μm 다이아몬드 현탁액을 사용하여 폴리싱하고 0.1 μm 알루미나의 수계 현탁액을 사용하여 최종 폴리싱하였다. 그 다음, 시편을 물과 에탄올로 세척하고 신속하게 건조시켰다. 모든 합금은 물과의 반응성 정도가 커서 세척 단계는 표면을 에칭함을 주목해야 한다. 후속 에칭 단계는 없었다. 20 keV 가속 전압으로 작동하는 JEOL JSM-5610으로 주사 전자 현미경 사진을 찍었다. Oxford사 INCAx-act 검출기로 에너지 분산 X-선 분광법 원소 맵을 생성하였다. 다양한 합금의 화학양론을 결정하기 위해 Varian 715-ES로 유도 결합 플라즈마 광학 방출 분광법(ICP-OES)을 수행했다. 압연된 각각의 포일 약 10 mg을 왕수에 용해한 다음 탈이온수로 250 ml의 부피로 희석했다. Varian 715-ES를 알루미늄, 아연, 및 주석 10,000 ppm 표준 용액(Ricca chemical)으로 교정했다. 열중량 분석(TGA)은 5º C/min의 가열 속도로 공기 및 아르곤 분위기 모두에서 약 15mg의 샘플로 Jupiter STA 449 F3에서 수행했다.
제조된 상태의 포일의 전기 화학적 특성을 시험하기 위해 코인셀(CR 2032)을 구성했다. 포일 스트립(약 20 μm 두께)을 약 10 mg 중량인 12 mm 디스크로 펀칭했다. 금속 리튬 칩(MTI사)을 카운터 전극으로 사용했고, 광섬유 프리필터(Millipore APFA04700)를 세퍼레이터로 사용했다. 사용된 전해질은, 모노플루오로 에틸렌 카보네이트(FEC)와 에틸렌 카보네이트(EC)이 3:7 비율로 섞여 있으며, 이는 1M 비스(트리플루오로메탄)술폰이미드 리튬(LiTSFI)와 3% 비닐렌 카보네이트(VC)를 포함하였다. 아르곤 분위기의 불활성(O2 < 5 ppm) 건조(H2O < 1 ppm) 글로브박스에서 코인셀을 구성했다. 일단 조립되면, BT-2000 Arbin 계측 배터리 사이클러로 정전류 충방전 및 순환 전압전류법을 수행했다. 정전류 충방전 시험의 처음 3 사이클은 조건 설정 사이클로, 더 낮은 전압 차단 없이 C/10 속도를 사용했지만, 150, 200, 250, 300 mAh/g 셀의 공칭 커패시티에 대해 각각 180, 240, 300, 300 mAh/g의 커패시티 제한 차단을 사용했다. 이어서, 셀을 0.3 내지 1.0 V 전압 범위에 걸쳐 사이클링하였다. 어닐링 효과를 조사하기 위해 시험한 셀에 대해 2개의 C/10 형성 사이클 후 0.3 내지 1.5 V의 전압과 300 mAh/g의 커패시티 제한 사이클링을 실시하였다. 300 mAh/g의 정전류 충방전 셀과 동일한 방법을 사용하여 셀을 형성한 후에 순환 전압전류법을 수행했다. 2개의 전압 범위, 즉 0.3 V 내지 1.5 V 및 0 V 내지 1.5 V에 걸쳐 0.0005 V/s의 스윕 속도로 순환 전압-전류 그래프를 수집했다. 간헐적 전기 화학 임피던스 분광법은 새로운 셀로 Biologic VMP3 시험 시스템에서 수행했다. 1 시간 휴지 후 EIS 스윕을 추가해서, 정전류 충방전 셀과 동일한 방법으로 셀을 사이클링하였다. 정전위 EIS를 1 MHz부터 0.01 Hz까지의 사인파 진폭 10mV로 10마다 6 단계씩 수행했다.
실시예 2: 추가 공융물
고온 그래파이트 도가니 안에 약 25 g의 아연(RotoMetals, >99.7%), 및 25 g의 주석(Metal Shipper Inc., >99.9%)을 550ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다.
다음과 같이 Sn-Pb 잉곳을 합성하였다. 고온 그래파이트 도가니 안에 약 25 g의 주석(Inc., >99.9%)과 25 g의 납(Rotometals)을 400ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다.
다음과 같이 Sn-Bi 잉곳을 합성하였다. 고온 그래파이트 도가니 안에 약 30 g의 주석(Metal Shipper Inc., >99.9%)과 20 g의 비스무스(Rotometals, 99.99%)를 350ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다.
다음과 같이 Cu-Pb 잉곳을 합성하였다. 고온 그래파이트 도가니 안에 약 40 g의 납(Rotometals, 99.9%)과 10 g의 구리(Rotometals, 99.99%)를 1100ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다.
다음과 같이 Al-Sn-Bi 잉곳을 합성하였다. 고온 그래파이트 도가니 안에 약 35 g의 주석(Metal Shipper Inc., 1100>99.9%), 15 g의 알루미늄(McMaster-Carr, 1100 시리즈 >99.5%), 및 10 g의 비스무스(Rotometals, 99.99%)를 750ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다.
다음과 같이 Al-Sn-Cd-Zn 잉곳을 합성하였다. 고온 그래파이트 도가니 안에 약 30 g의 주석(Metal Shipper Inc., 1100 시리즈 >99.9%), 12.5 g의 알루미늄(McMaster-Carr, 1100 시리즈 >99.5%), 5 g의 비스무스(Rotometals, 99.99%), 및 5 g의 카드뮴(Rotometals)을 750ºC에서 공기 중에서 녹였다. 그 다음, 용융액을 그래파이트 몰드에 주조하고 냉각시켜 약 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다.
60 mm 직경의 롤러를 구비한 수동식 Durston 압연 밀로 약 7 x 7 x 3.5 mm 크기의 전술한 잉곳 섹션을 압연하여 포일을 만들었다. 3.5 mm 치수를 0.02~0.03 mm로 감소시키면서 신장을 7 mm 치수 중 하나를 목표로 하도록 압연을 수행했다.
실시예 3: 클래드 Sn-Cu 포일
7 g의 주석(Metal Shipper사, >99.9%)을 0.7 mm 포일로 압연했고, 3 g의 0.01" 구리 와이어(Copper Wire USA, 30 게이지)는 촘촘한 더치직(Dutch weave)으로 엮었다. 이들을 5층 교번 Cu/Sn/Cu/Sn/Cu로 조립하여 3.3 mm 적층체를 생성하고, 3.3 mm 치수가 0.02~0.03 mm로 감소하도록 압연하였다.
실시예 4: 도금된 Sn-Cu 포일
3 g의 구리 와이어(Copper Wire USA, 30 게이지)를 새 둥지 구성으로 무작위 배향해서, 플럭스(Oatey 5번)로 충분히 적셔 직경 18 mm이고 높이 3.8 mm인 퍽(puck) 속에 프레싱했다. 도가니 안의 주석이 완전히 녹을 때까지 300º C로 가열했다. 퍽을 액체 주석 속에 잠기게 하고 집게로 용용 금속으로부터 제거했다. 주석 도금 후 퍽의 중량은 약 8 g이었고, 부피는 그대로 남았다. 그 다음, 3 mm 치수가 0.02~0.03 mm로 감소되도록 퍽을 압연하였다.
실시예 5: IMFA 제조를 위한 전해 증착
3 g의 스틸 와이어를 새 둥지 구성으로 무작위 배향해서 직경 18 mm이고 높이 3.8 mm인 퍽 속에 프레싱했다. 이 퍽을 1 M 구리(II) 설페이트 수용액에 잠기게 해서 5 마이크론의 구리를 스틸 표면에 전해 증착시켰다. 이 퍽을 건조시키고, 플럭스로 코팅한 다음, 전술한 바와 같이 주석으로 도금했다.
실시예 6: IMFA 제조를 위한 무전해 증착
3 g의 스틸 와이어를 새 둥지 구성으로 무작위 배향해서 직경 18 mm이고 높이 3.8 mm인 퍽 속에 프레싱했다. 이 퍽을 1 M 구리(II) 설페이트 수용액에 잠기게 하고 포름알데히드를 첨가해서 5 마이크론의 구리를 스틸 표면 상에 증착시켰다. 퍽을 그 다음 건조시키고, 플럭스로 코팅한 다음, 전술한 바와 같이 주석으로 도금했다.
실시예 7:
합금 내에 활성 나노입자의 분산
고온 그래파이트 도가니 안에 약 25 g의 알루미늄(McMaster-Carr, 1100 시리즈 >99.5%), 및 25 g의 주석(Metal Shipper사, >99.9%)을 750ºC에서 공기 중에서 녹였다. 2.5 g의 50 nm 실리콘 나노입자를 빠르게 용융액 속으로 교반시키고, 용융액을 즉시 그래파이트 몰드에서 주조하고 냉각시켜 35 x 13 x 7 mm 크기의 직사각형 잉곳을 형성하였다. 전술한 바와 같이 잉곳을 처리하였다.
추가적으로, 3 g의 구리 와이어를 새 둥지 구성으로 무작위 배향하고 0.4 g의 50 nm 실리콘 나노입자를 함유한 플럭스에 충분히 적셨다. 이 와이어를 직경 18 mm이고 높이 3.8 mm인 퍽 속에 프레싱했다. 도가니 안의 주석이 완전히 녹을 때까지 350º C로 가열했다. 퍽을 액체 주석 속에 잠기게 하고 집게로 용용 금속으로부터 제거했다. 주석 도금 후 퍽의 중량은 약 8.2 g이었고, 부피는 그대로 남았다. 그 다음, 3 mm 치수가 0.02~0.03 mm로 감소되도록 퍽을 압연하였다.
실시예 8:
합금 내에 활성 나노입자의 기계적 혼입
60 mm 직경의 롤러를 구비한 수동식 Durston 압연 밀로 약 7 x 7 x 3.5 mm 크기의 Al-Sn 잉곳 섹션을 압연하여 포일을 만들었다. 3.5 mm 직경을 0.1 mm로 감소시키면서 신장을 7 mm 치수 중 하나를 목표로 하도록 압연을 수행했다. 이때, 실리콘 나노입자의 균일층을 포일에 드롭 캐스팅하고, 포일을 반으로 접었다. 실리콘 로딩이 포일의 5 중량%로 계산될 때까지, 일축 신장을 계속하고 공정을 반복했다.
실시예 9: IMFA의 리튬 치환
고온 그래파이트 도가니 안에 약 4.5 g의 알루미늄(McMaster-Carr, 1100 시리즈 >99.5%), 4.5 g의 주석(Metal Shipper사, >99.9%), 및 1 g의 리튬을 750ºC에서 아르곤 하에 녹였다. 시스템을 아르곤 하에 냉각시키고, 최종 잉곳을 전술한 바와 같이 포일로 가공하였다.
리튬 포일을 Al-Sn 공융 포일에 클램핑하고, 시스템을 24 시간 동안 50º C에서 유지하고, 이후 리튬 포일을 접촉에서 제거했다.
아세톤/드라이 아이스 욕조에서 무수화 암모니아의 응축에 의해 화학적인 리튬 치환을 수행했다. 1 g의 리튬 금속을 암모니아에 첨가하고 욕조로 용매화해서 용매화된 리튬 암모니아 용액을 형성했다. 이어서 9 g의 금속 포일을 욕조에 잠기게 하고 시스템을 에탄올-드라이 아이스 욕조에 옮겨 공정을 완료했다.
전술한 바와 같이 리튬 금속 카운터 애노드에 대해 코인셀에서 Al-Sn 공융 애노드를 조립하여 전기화학적 리튬 치환을 수행하고, IMFA를 Li2.2Sn로 리튬 치환하였다. 그 다음, 셀을 아르곤 하에서 분리하고, 리튬 치환된 애노드를 다른 새로운 셀에 옮겼다.
결과
Sn-Zn의 SEM 사진은 도 6에 도시된 원형의 이성분계 공융 합금을 나타낸다. 일차 아연 덴드라이트는 공융 주석에 의해 둘러싸이고, 공융 합금 내에서 주석으로부터 알루미늄이 명확하게 분리되지 않는다. 관찰된 미세구조는 합금의 아공융 조성뿐만 아니라 92 % 주석에서 공융 조성의 위치를 고려할 때 Zn-Sn 상변태도에 기초한 예상을 충족시켰다. 주조 상태의 잉곳의 현미경 사진에서 보여지는 아연과 주석 특징부의 크기 스케일은 수 십 마이크론 정도이다. 이러한 완전한 분리는, 관찰되는 금속간 화합물 또는 불순물 없이 2개의 결정질 금속상에 해당하는 피크가 있는 X선 회절로 확인되었다. 도 7에 X-선 스펙트럼을 관찰할 수 있다.
Sn-Zn 잉곳을 포일로 공정 처리한 후, 반쪽 셀을 전술한 바와 같이 조립했다. Zn-Sn 포일은 C/10의 속도로 300 mA/g에서 사이클링하였다. 5번째 충전 및 방전 커브를 도 9에서 볼 수 있다. 다른 이성분계 공융 시스템과 비교하는 경우, 주석의 뛰어난 활용성을 관찰하였다.
X-선 회절을 이용해 Sn-Bi 포일의 특성분석을 수행하였고, 2개의 금속 상으로의 완전한 분리가 관찰되었다. 도 9에 X-선 스펙트럼을 발견할 수 있다. 반쪽 셀로 조립되는 경우, 비스무스의 리튬 치환은 0.78 V에서 일어나는 것으로 관찰되었고, 평탄역은 주석의 리튬 치환과 중첩되었다. Sn-Bi의 5번째 충전/방전 커브를 도 10에 나타냈다.
X-선 회절을 이용해 Sn-Pb 포일의 특성분석을 수행하였고, 2개의 금속 상으로의 완전한 분리가 관찰되었다. 도 11에 X-선 스펙트럼을 발견할 수 있다. 반쪽 셀로 조립되는 경우, 납의 리튬 치환은 0.4 V에 존재하는 경사진 평탄역에 발생했다. Sn-Pb의 5번째 충전/방전 커브를 도 12에 나타냈다.
X-선 회절을 이용해 Cu-Pb 포일의 특성분석을 수행하였고, 2개의 금속 상으로의 완전한 분리가 관찰되었다. 도 13에 X-선 스펙트럼을 발견할 수 있다. 반쪽 셀로 조립되는 경우, 납의 리튬 치환은 0.4 V에 발생하는 것으로 관찰되었다. 어떤 평탄역도 구리 매트릭스에 기인하지 않았다. Sn-Bi의 3번째 충전/방전 커브를 도 14에 나타냈다.
Al-Zn-Sn의 SEM 사진은 도 15에 도시된 원형의 이성분계 공융 합금을 나타내고, 각 상은 아연 고체 용액을 함유한다. 일차 알루미늄 풍부 덴드라이트는 공융 주석 풍부 영역에 의해 둘러싸이고, 공융 합금 내에서 주석으로부터 알루미늄이 명확하게 분리되지 않는다. 관찰된 미세구조는 아연이 주석-풍부 상으로 우선적으로 분리됨을 암시했다. 주조 상태의 잉곳의 현미경 사진에서 보여지는 알루미늄과 주석 특징부의 크기 스케일은 수 십 마이크론 정도이다. 이러한 분리는, 아연의 존재에 기인하는 격자 상수 변이와 함께 2개의 결정질 금속 상에 해당하는 피크가 있는 X선 회절에 의해 확인되었다. 도 16에 관찰된 금속간 화합물 또는 불순물 X-선 스펙트럼을 관찰할 수 없다.
반쪽 셀로 조립되는 경우, 예상대로 주석의 리튬 치환이 관찰되었다. 충전/방전 커브를 도 17에 발견할 수 있다.
Al-Sn-Bi SEM 사진은 도 18 및 도 19에 도시된 다중 크기의 공융 합금을 나타낸다. 일차 마이크론 크기의 알루미늄 덴드라이트는 비스무스와 주석이 풍부한 영역에 의해 둘러싸여 있었고, 알루미늄의 2상(biphasic) Sn-Bi 영역으로의 분리는 뚜렷하지 않았다. Sn-Bi 영역을 더 자세히 조사하면 1 마이크론 미만의 특징부를 갖는, 추가의 맞물린 공융 형상을 볼 수 있다. 주조 상태의 잉곳의 현미경 사진에서 보여지는 알루미늄 특징부의 크기 스케일은 수 십 마이크론 정도이다. 이 완전한 분리는, 관찰되는 금속간 화합물 또는 불순물 없이 3개의 결정질 금속상에 해당하는 피크가 있는 X선 회절로 확인되었다. 도 20에 X-선 스펙트럼을 관찰할 수 있다.
도 21의 Sn-Cu 클래드의 SEM 사진은 상의 완전한 분리와 함께 주석이 구리에 혼입된 것까지 보여준다. 이 완전한 분리는, 관찰되는 금속간 화합물 또는 불순물 없이 2개의 결정질 금속상에 해당하는 피크가 있는 X선 회절로 확인되었다. 도 22에 X-선 스펙트럼을 관찰할 수 있다.
반쪽 셀로 조립되는 경우, 예상대로 주석의 리튬 치환이 관찰되었다. 어떤 커패시티도 불활성 구리 매트릭스에 기인하지 않았다. Sn-Cu의 5번째 충전/방전 커브를 도 23에 나타냈다.
주석 도금된 구리 기재의 SEM 사진은 도 24에 도시한 바와 같이 구리 매트릭스 주위에 거대 주석이 핵생성하는 것을 나타낸다. 일차 구리 와이어는, 이전에 관찰된 이성분계 공융물에 유사한 시스템인 순수 주석 상에 의해 둘러싸이고, 특징부는 10~100 마이크론 정도이다. 이러한 완전한 분리는, 관찰되는 금속간 화합물 또는 불순물 없이 2개의 결정질 금속상에 해당하는 피크가 있는 X선 회절로 확인되었다. 도 25에 X-선 스펙트럼을 관찰할 수 있다.
반쪽 셀로 조립되는 경우, 예상대로 주석의 리튬 치환이 관찰되었다. 어떤 커패시티도 불활성 구리 매트릭스에 기인하지 않았다. 주석 도금된 구리 포일의 5번째 충전/방전 커브를 도 26에 나타냈다.
첨부된 청구범위의 방법과 조성은 본원에 기술된 특정 조성과 방법에 의해 그 범위가 제한되지 않으며, 이는 청구범위의 몇몇 양태의 예시로서 의도된 것이고 기능적으로 동등한 임의의 조성과 방법은 청구범위의 범주 내에 속한다. 본원에 나타내고 설명한 것 이외의 조성과 방법의 다양한 변형은 첨부된 청구범위의 범주 내에 속하는 것으로 의도된다. 또한, 본원에 개시된 특정한 대표 조성과 방법 단계만이 구체적으로 설명되었지만, 조성과 방법 단계의 다른 조합은 특별히 언급되지는 않았지만, 첨부된 청구범위의 범주 내에 포함되는 것으로 의도된다. 따라서, 단계, 요소, 구성 요소 또는 구성품의 조합이 본원에서 명시적으로 또는 덜 언급될 수 있지만, 명시적으로 언급되지 않는다 하더라도 단계, 요소, 구성 요소 및 구성 요소의 다른 조합이 포함된다. 본원에서 사용되는 용어 "포함하는(comprising)"과 그 변형 형태는 "포함하는(including)"과 그 변형 형태와 동의어로 사용되며, 개방적이고 비제한적인 용어다. 다양한 구현예를 설명하기 위해 본원에 "~을 포함하는"이라는 용어를 사용했지만, 발명의 보다 구체적인 구현예를 제공하기 위해 "~을 포함하는"을 대신하여 "본질적으로 ~로 이루어진" 및 "~로 이루어진"이란 용어가 사용할 수 있으며 또한 개시된다. 실시예 외에 또는 달리 명시된 경우를 제외하고, 명세서와 청구범위에 사용된 성분, 반응 조건 등의 양을 나타내는 모든 숫자는 최소한으로 이해되어야 하며, 균등론을 청구범위에 적용하는 것을 제한하려는 시도로서가 아니라, 유효 자릿수와 일반적인 반올림 방식의 관점에서 해석되어야 한다.
Claims (43)
- 활성 금속 상과 전도성 금속 상을 포함하는 다상 금속 애노드로서, 상기 활성 금속은, 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 전도성 금속과 합금하는 전위보다 높은 전위에서 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 합금하는 다상 금속 애노드.
- 제1항에 있어서, 상기 활성 금속은,
a) 리튬에 대해 상기 전도성 금속보다 더 높은 리튬 합금화 전위;
b) 나트륨에 대해 상기 전도성 금속보다 더 높은 나트륨 합금화 전위;
c) 마그네슘에 대해 상기 전도성 금속보다 더 높은 마그네슘 합금화 전위; 또는
d) 칼슘에 대해 상기 전도성 금속보다 더 높은 칼슘 합금화 전위를 특징으로 하는 다상 금속 애노드. - 제2항에 있어서, 상기 활성 금속은 리튬에 대해 0.01 V 내지 1.0 V의 더 높은 리튬 합금화 전위를 갖는 애노드.
- 제2항에 있어서, 상기 활성 금속은 나트륨에 대해 0.01 V 내지 1.0 V의 더 높은 나트륨 합금화 전위를 갖는 애노드.
- 제2항에 있어서, 상기 활성 금속은 마그네슘에 대해 0.01 V 내지 1.0 V의 더 높은 마그네슘 합금화 전위를 갖는 애노드.
- 제2항에 있어서, 상기 활성 금속은 칼슘에 대해 0.01 V 내지 1.0 V의 더 높은 칼슘 합금화 전위를 갖는 애노드.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 알루미늄, 실리콘, 아연, 갈륨, 은, 카드뮴, 인듐, 주석, 안티몬, 금, 납, 비스무스, 또는 마그네슘을 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 금속은 니켈, 알루미늄, 아연, 실리콘, 납, 게르마늄, 비스무스, 은, 카드뮴, 안티몬, 구리, 또는 금을 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 주석을 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 금속은 알루미늄을 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 주석을 포함하고 상기 전도성 금속은 알루미늄을 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 활성 금속 대 전도성 금속의 중량비는 1:10 내지 10:1, 1:10 내지 5:1, 1:5 내지 5:1, 1:2.5 내지 5:1, 1:2.5 내지 2.5:1, 1:1 내지 2.5:1, 1:2.5 내지 1:1, 또는 1:1.5 내지 1.5:1인 애노드.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 애노드는 상기 활성 금속 또는 상기 전도성 금속과는 상이한 적어도 하나의 추가 원소를 더 포함하고, 붕소, 탄소, 알루미늄, 실리콘, 인, 갈륨, 게르마늄, 비소, 인듐, 안티몬, 납, 주석, 비스무스, 티타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 이트륨, 지르코늄, 니오븀, 몰리브덴, 테크네튬, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 카드뮴, 텅스텐, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 애노드.
- 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 원소는 상기 활성 금속 상에 존재하는 애노드.
- 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 원소는 상기 전도성 금속 상에 존재하는 애노드.
- 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 원소는 상기 활성 금속 상에 존재하고, 상기 적어도 하나의 추가 원소는 상기 전도성 금속 상에 존재하는 애노드.
- 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 추가 원소는 나노입자의 형태로 존재하는 애노드.
- 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 추가 원소는 상기 금속 총 중량에 대해 0.1 내지 10 중량%, 0.5 내지 10 중량%, 1.0 내지 10 중량%, 2.5 내지 10 중량%, 5.0 내지 10 중량%, 7.5 내지 10 중량%, 0.1 내지 7.5 중량%, 0.1 내지 5.0 중량%, 0.1 내지 3.5 중량%, 0.1 내지 2.5 중량%, 0.1 내지 1.0 중량%, 1 내지 7.5 중량%, 2.5 내지 7.5 중량%, 2 내지 5 중량%, 2.5 내지 4 중량%로 존재하는 애노드.
- 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 추가 원소는 아연 또는 구리, 또는 아연과 구리 둘 다를 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다상 금속 애노드는 상기 활성 금속 상과 상기 전도성 금속 상을 포함하는 공융 합금을 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다상 금속 애노드는 상기 전도성 금속 상 위에 상기 활성 금속 클래드를 포함하는 애노드.
- 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다상 금속 애노드는 상기 전도성 금속 위에 증착된 상기 활성 금속을 포함하는 애노드.
- 제22항에 있어서, 상기 활성 금속은 전해 증착을 이용해 상기 전도성 금속 위에 도금되는 애노드.
- 제22항에 있어서, 상기 활성 금속은 무전해 증착을 이용해 상기 전도성 금속 위에 도금되는 애노드.
- 제22항에 있어서, 상기 활성 금속은 주석 도금을 이용해 상기 전도성 금속 위에 도금되는 애노드.
- 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 애노드는 0.05 mm 이하, 0.04 mm 이하, 0.03 mm 이하, 0.02 mm 이하, 0.01 mm 이하, 0.005 mm 이하, 또는 0.0025 mm 이하의 두께를 갖는 포일인 애노드.
- 제1항 내지 제26항 중 어느 한 한에 있어서, 상기 활성 금속과 상기 전도성 금속은 20 마이크론 이하, 10 마이크론 이하, 8 마이크론 이하, 6 마이크론 이하, 5 마이크론 이하, 4 마이크론 이하, 3 마이크론 이하, 2 마이크론 이하, 또는 1 마이크론 이하의 적어도 하나의 공간 치수의 평균 상 단면적을 갖는 애노드.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 애노드는 z-y 평면에서 20 마이크론 이하, 10 마이크론 이하, 8 마이크론 이하, 6 마이크론 이하, 5 마이크론 이하, 4 마이크론 이하, 3 마이크론 이하, 2 마이크론 이하, 또는 1 마이크론 이하의 평균 상 단면적을 갖는 포일인 애노드.
- 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 리튬과 합금화되는 애노드.
- 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 나트륨과 합금화되는 애노드.
- 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 마그네슘과 합금화되는 애노드.
- 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 금속은 칼슘과 합금화되는 애노드.
- 리튬 함유 전해질과 접촉하는 다상 금속 전극에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 공정에 의해 제조되는 리튬 치환된 애노드로서,
상기 다상 금속 전극은 활성 금속 상과 전도성 금속 상을 포함하고,
상기 인가된 전압에서 상기 활성 금속이 우선적으로 리튬과 합금화되는 애노드. - 다상 금속 애노드를 제조하는 방법으로서,
활성 금속과 전도성 금속을 포함하는 혼합 금속 전구체를 형성하는 단계, 및
결합된 금속을 0.05 mm 이하, 0.04 mm 이하, 0.03 mm 이하, 0.02 mm 이하, 0.01 mm 이하, 0.005 mm 이하, 또는 0.0025 mm 이하의 두께로 평탄화하는 단계를 포함하되,
상기 활성 금속은 상기 전도성 금속보다 더 높은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 합금화 전위로 합금화되는 것을 특징으로 하는 방법. - 제34항에 있어서, 상기 평탄화 단계는 상기 혼합된 금속 전구체의 두께를 적어도 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 100, 1000, 또는 10000배로 감소시키는 방법.
- 제34항 또는 제35항에 있어서, 상기 평탄화 단계는 20 마이크론 이하, 10 마이크론 이하, 8 마이크론 이하, 6 마이크론 이하, 5 마이크론 이하, 4 마이크론 이하, 3 마이크론 이하, 2 마이크론 이하, 또는 1 마이크론 이하의 적어도 하나의 공간 치수의 평균 상 단면적을 생성하는 방법.
- 제34항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평탄화 단계는 압연을 포함하는 방법.
- 제34항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합된 금속 전구체는 용융 상태에서 활성 금속과 불활성 전도성 금속을 결합한 후 상기 혼합된 금속 전구체를 제공하기 위해 냉각하여 형성되는 방법.
- 제34항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합된 금속 전구체는 활성 금속과 전도성 금속이 엮인 와이어를 포함하는 방법.
- 제39항에 있어서, 상기 엮인 와이어는 평직, 더치직, 능직, 또는 능첩직을 포함하는 방법.
- 제34항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 금속 위에 상기 활성 금속을 증착하는 단계를 포함하는 방법.
- 제34항 내지 제41항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 다상 금속 애노드.
- 전기화학 셀로서,
a) 제1항 내지 제33항 또는 제42항 중 어느 한 항의 애노드;
b) 캐소드; 및
c) 전해질을 포함하는 전기 화학적 셀.
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JPH0850922A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-02-20 | Canon Inc | 電池用電極及び該電極を有するリチウム二次電池 |
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