KR20190126240A - 하드 마스크 형성용 조성물 및 전자 부품의 제조 방법 - Google Patents

하드 마스크 형성용 조성물 및 전자 부품의 제조 방법 Download PDF

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KR20190126240A
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게이이치 이바타
료지 와타나베
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

리소그래피에서 사용되는 하드 마스크를 형성하는 하드 마스크 형성용 조성물로서, 제 1 수지와, 제 2 수지를 함유하고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 1 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 85 질량％ 이상이고, 상기 제 2 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 2 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 70 질량％ 이상이고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량 미만인, 하드 마스크 형성용 조성물.

Description

하드 마스크 형성용 조성물 및 전자 부품의 제조 방법{HARD-MASK FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은, 하드 마스크 형성용 조성물 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2018년 5월 1일에 일본에 출원된, 일본 특허출원 2018-088421호에 근거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
일반적으로, 반도체 제조 시에는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 레지스트막을 형성한 적층체에, 드라이 에칭을 포함하는 처리, 예를 들어 레지스트막에 선택적 노광을 실시함으로써 그 레지스트막에 레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로 하여 드라이 에칭을 실시하여, 기판 상에 패턴을 형성하는 등의 처리가 실시되고 있다.
레지스트막을 사용한 패턴 형성 방법으로는, 3 층 레지스트법이 알려져 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조). 3 층 레지스트법은, 먼저 지지체 상에, 유기 재료를 사용하여 유기 하드 마스크층을 형성하고, 그 위에 무기 재료를 사용하여 무기 하드 마스크층을 형성한 후, 또 그 위에 레지스트막을 형성한다. 이어서, 통상적인 리소그래피 기술에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여 무기 하드 마스크층을 에칭함으로써 무기 하드 마스크 패턴을 형성하고, 이어서 무기 하드 마스크층 패턴을 마스크로 하여, 유기 하드 마스크층을 에칭함으로써, 유기 하드 마스크 패턴을 형성한다. 그리고, 그 유기 하드 마스크 패턴을 마스크로 하여 지지체의 에칭을 실시하고, 지지체를 가공한다.
또, 3 층 레지스트법보다 공정수가 적은 2 층 레지스트법도 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 2, 3 참조). 2 층 레지스트법에서는, 지지체 상에, 3 층 레지스트법과 동일하게 하여 유기 하드 마스크층을 형성한 후, 그 위에 레지스트막을 형성한다. 이어서, 통상적인 리소그래피 기술에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 유기 하드 마스크층을 에칭함으로써, 유기 하드 마스크 패턴을 형성한다. 그리고, 그 유기 하드 마스크 패턴을 마스크로 하여 지지체의 에칭을 실시하고, 지지체를 가공한다.
유기 하드 마스크층을 형성하는 방법으로는, 종래 화학 기상 성장법 (이하, CVD 법이라고 하는 경우가 있다) 이 알려져 있다. CVD 법에서는, 하드 마스크 형성 재료로서 아모르퍼스 카본이 사용되지만, 스루풋이 느리고, 고액의 설비투자가 필요하다는 등의 문제가 있다.
그 때문에, 최근, 스핀 온 코팅 (spin-on-coating) 법에 의한 성막이 도입 되고 있고 (예를 들어, 특허문헌 4), 그 방법에 적용 가능한 유기 하드 마스크 형성 재료가 제안되어 있다. 스핀 온 코팅법은, CVD 법과 비교해, 스루풋이 높고, 또한 기존의 스핀 코터를 사용 가능하다는 장점이 있다.
일본 공개특허공보 2001-51422호 일본 공개특허공보 소61-239243호 일본 공개특허공보 소62-25744호 일본 공개특허공보 2015-91775호
유기 하드 마스크 형성 재료는, 기판 가공의 마스크로서의 기능을 하기 때문에, 고에칭 내성의 재료가 요구된다. 또, 무기 하드 마스크층 형성 시의 고온에 견딜 필요가 있기 때문에, 내열성도 요구된다.
한편, 기판의 심굴 (深掘) 가공을 실시하는 경우, 유기 하드 마스크층도 심굴 가공에 충분한 막두께를 가질 필요가 있다. 그 때문에, 유기 하드 마스크 형성 재료는, 유기 하드 마스크층의 후막화가 가능한 재료일 것이 요구된다. 그러나, 고에칭 내성이고 내열성의 유기 재료의 경우, 막두께의 상승에 수반하여 크랙 등이 발생하여, 후막화를 방해할 염려가 있다. 그 때문에, 고에칭 내성 및 내열성을 갖고, 또한 후막화에 적합한 유기 하드 마스크 형성 재료의 개척이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 고에칭 내성 및 내열성을 갖고, 또한 후막화에 적합한 하드 마스크 형성용 조성물 및 상기 하드 마스크 형성용 조성물을 사용한 전자 부품의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.
즉, 본 발명의 제 1 양태는, 리소그래피에서 사용되는 하드 마스크를 형성하는 하드 마스크 형성용 조성물로서, 제 1 수지와, 제 2 수지를 함유하고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 1 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 85 질량％ 이상이고, 상기 제 2 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 2 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 70 질량％ 이상이고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량 미만인, 하드 마스크 형성용 조성물이다.
본 발명의 제 2 양태는, 지지체 상에, 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정, 상기 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 하드 마스크층 (m2) 을 형성하는 공정, 상기 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하고, 현상함으로써, 상기 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m2) 에 에칭 처리를 실시하여, 무기 패턴을 형성하는 공정, 상기 무기 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정을 갖는, 전자 부품의 제조 방법이다.
본 발명의 제 3 양태는, 지지체 상에, 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정, 상기 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 무기 패턴을 형성하는 공정, 상기 무기 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정을 갖는, 전자 부품의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 고에칭 내성 및 내열성을 갖고, 또한 후막화에 적합한 하드 마스크 형성용 조성물 및 상기 하드 마스크 형성용 조성물을 사용한 전자 부품의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 사용하는 지지체의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 하드 마스크층 (m2) 을 형성하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 레지스트막을 형성하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 레지스트 패턴을 형성하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 무기 패턴을 형성하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 수지 패턴을 형성하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품을 제조하는 방법에 있어서의 지지체를 가공하는 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것이라고 정의한다.
「알킬기」는, 특별히 기재하지 않는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.
「알킬렌기」는, 특별히 기재하지 않는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.
「할로겐화알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이고, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
「불소화알킬기」 또는 「불소화알킬렌기」는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.
「구성 단위」란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.
「치환기를 가지고 있어도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우의 양방을 포함한다.
「노광」은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.
본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는 부제 탄소가 존재하고, 에난티오 이성체 (enantiomer) 나 디아스테레오 이성체 (diastereomer) 가 존재할 수 있는 것이 있지만, 그 경우는 하나의 식으로 그것들 이성체를 대표해 나타낸다. 그들 이성체는 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로서 사용해도 된다.
＜하드 마스크 형성용 조성물＞
본 발명의 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물은, 리소그래피에서 사용되는 하드 마스크를 형성하기 위한 조성물이다. 본 실시형태의 하드 마스크 형성용 조성물은, 제 1 수지와, 제 2 수지를 함유하고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 1 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 85 질량％ 이상이고, 상기 제 2 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 2 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 70 질량％ 이상이고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량 미만이다.
≪제 1 수지≫
제 1 수지는, 당해 수지에 포함되는 탄소량이, 당해 제 1 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 85 질량％ 이상인 것을 특징으로 한다. 이러한 탄소 함유량이 높은 제 1 수지를 사용함으로써, 에칭 내성이 높고, 또한 내열성을 구비한 하드 마스크 형성용 조성물을 조제할 수 있다.
수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대한 당해 수지의 탄소량 (질량％) 은, 구성 단위마다의 탄소량 (질량％) 에 그 구성 단위의 몰비를 곱해 산출된 값의 합계값으로서 구할 수 있다. 보다 구체적으로는, 구성 단위 (uA) 와 구성 단위 (uB) 의 공중합체인 수지 (R) 에 있어서의 탄소량 (질량％) 은, 하기 식 (1) 에 의해 구할 수 있다. 또한, 3 종 이상의 구성 단위를 갖는 수지도, 동일하게, 수지의 탄소량 (질량％) 을 산출할 수 있다.
[수학식 1]
수지 (R) 의 탄소량 (질량％) = CuA/TuA × a ＋ CuB/TuB × b (1)
CuA : 구성 단위 (uA) 에 포함되는 탄소 원자의 몰질량
TuA : 구성 단위 (uA) 의 몰질량
CuB : 구성 단위 (uB) 에 포함되는 탄소 원자의 몰질량
TuB : 구성 단위 (uB) 의 몰질량
a : 수지 (R) 에 있어서의 구성 단위 (uA) 의 몰비 (％)
b : 수지 (R) 에 있어서의 구성 단위 (uB) 의 몰비 (％)
제 1 수지의 탄소량은, 85 질량％ 이상이면 특별히 한정되지 않지만, 87 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 88 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 89 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 90 질량％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 제 1 수지의 탄소량의 범위로는, 예를 들어 85 ∼ 96 질량％ 가 예시되고, 87 ∼ 95 질량％ 가 바람직하고, 88 ∼ 94 질량％ 가 보다 바람직하며, 89 ∼ 93 질량％ 가 더욱 바람직하고, 90 ∼ 92 질량％ 가 특히 바람직하다. 제 1 수지의 탄소량이, 상기 범위의 하한값 이상이면, 에칭 내성이 높고, 또한 내열성이 높은 하드 마스크를 형성할 수 있다. 또, 제 1 수지의 탄소량이, 상기 범위의 상한값 이하이면, 다른 원소와의 밸런스가 잡기 쉬워진다.
제 1 수지가 갖는 구성 단위로는, 예를 들어 하기 일반식 (u11-1) 로 나타내는 구성 단위 (u11), 하기 일반식 (u12-1) 로 나타내는 구성 단위 (u12), 및 하기 일반식 (u13-1) 로 나타내는 구성 단위 (u13) 을 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[식 중, R11 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기 또는 수소 원자이다. R12 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기이다.]
[화학식 2]
Figure pat00002
[식 중, R13 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 10 ∼ 30 의 다고리형 탄화수소기이다.]
〔구성 단위 (u11)〕
구성 단위 (u11) 은, 상기 일반식 (u11-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 상기 일반식 (u11-1) 중, R11 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기 또는 수소 원자이다. 또한, 그 탄소수에는, 치환기가 포함하는 탄소 원자는 포함하지 않는 것으로 한다. 이하, 동일하게, 특별히 언급하지 않는 한, 탄소수에는, 치환기가 포함하는 탄소 원자는 포함하지 않는 것으로 한다.
R11 에 있어서의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.
지방족 탄화수소기는, 포화 지방족 탄화수소기여도 되고, 불포화 지방족 탄화수소기여도 된다. 그 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.
직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 5 가 보다 바람직하며, 1 ∼ 3 이 더욱 바람직하다. 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등의 직사슬형 알킬기 ; 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등의 분기 사슬형 알킬기 ; 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 2-부테닐기 등의 직사슬형 알케닐기 : 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등의 분기 사슬형 알케닐기 ; 에티닐기, 프로파르길기, 3-펜티닐기 등의 직사슬형 알키닐기 ; 1-메틸프로파르길기 등의 분기 사슬형 알키닐기를 들 수 있다.
R11 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어 하이드록시기, 카르보닐기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
R11 에 있어서의 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기), 지방족 탄화수소 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소 고리는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다.
상기 지방족 탄화수소 고리는, 다고리여도 되고, 단고리여도 된다.
단고리의 지방족 탄화수소 고리로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.
다고리의 지방족 탄화수소 고리로는, 탄소수 7 ∼ 10 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난 등의 가교 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸 등을 들 수 있다.
R11 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 하이드록시기, 카르보닐기, 알콕시기, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 있어서의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 보다 바람직하다.
R11 에 있어서의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기가 되는 경우, 그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. 이 방향 고리는, 4n ＋ 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 18 이 보다 바람직하며, 6 ∼ 16 이 더욱 바람직하다.
방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피롤리딘 고리, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.
R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.
R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 하이드록시기, 카르보닐기, 알콕시기, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 있어서의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 보다 바람직하다.
상기 중에서도, R11 에 있어서의 탄화수소기로는, 수지의 탄소량을 높게 할 수 있는 점에서, 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 다고리 방향족 탄화수소기가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 치환기를 가지지 않는 것이 더욱 바람직하다.
R11 의 구체예를 이하에 나타낸다. 하기 식 중 「*」는, 일반식 (u11-1) 중의 질소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
[화학식 3]
Figure pat00003
구성 단위 (u11) 의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 4]
Figure pat00004
제 1 수지가 갖는 구성 단위 (u11) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.
제 1 수지 중의 구성 단위 (u11) 의 비율은, 제 1 수지를 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 60 몰％ 가 바람직하고, 3 ∼ 50 몰％ 가 보다 바람직하다.
구성 단위 (u11) 의 비율을 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 하면, 에칭 내성 및 내열성이 향상된다. 또, 구성 단위 (u11) 의 비율을 상기 바람직한 범위의 상한값 이하로 하면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.
〔구성 단위 u12〕
구성 단위 (u12) 는, 상기 일반식 (u12-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 상기 일반식 (u12-1) 중 R12 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기는, 탄소수 6 ∼ 25 가 바람직하다.
R12 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 상기 일반식 (u11-1) 중의 R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.
R12 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 바람직한 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기를 들 수 있다. 수지의 탄소량을 높이는 관점에서, R12 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지지 않는 것이 바람직하다.
R12 의 구체예를 이하에 나타낸다. 하기 식 중 「*」는, 일반식 (u12-1) 중의 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
[화학식 5]
Figure pat00005
구성 단위 (u12) 의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 6]
Figure pat00006
제 1 수지가 갖는 구성 단위 (u12) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.
제 1 수지 중의 구성 단위 (u12) 의 비율은, 제 1 수지를 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 30 ∼ 70 몰％ 가 바람직하고, 40 ∼ 60 몰％ 가 보다 바람직하며, 50 몰％ 가 더욱 바람직하다.
구성 단위 (u12) 의 비율을 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 하면, 에칭 내성 및 내열성이 향상된다. 또, 구성 단위 (u12) 의 비율을 상기 바람직한 범위의 상한값 이하로 하면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.
〔구성 단위 (u13)〕
구성 단위 (u13) 은, 상기 일반식 (u13-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 상기 일반식 (u13-1) 중, R13 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 10 ∼ 30 의 다고리형 탄화수소기이다. 그 다고리 방향족 탄화수소기는, 탄소수 10 ∼ 25 가 바람직하다.
R13 에 있어서의 다고리 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 2 개 이상 포함하는 방향족 탄화수소기이다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 페릴렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피롤리딘 고리, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.
R13 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌, 페릴렌 등) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 등을 들 수 있다.
R13 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 바람직한 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기를 들 수 있다. 수지의 탄소량을 높이는 관점에서, R13 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지지 않는 것이 바람직하다.
R13 의 구체예를 이하에 나타낸다. 하기 식 중 「*」는, 일반식 (u13-1) 중의 산소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
[화학식 7]
Figure pat00007
구성 단위 (u13) 의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 8]
Figure pat00008
제 1 수지가 갖는 구성 단위 (u13) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.
제 1 수지 중의 구성 단위 (u13) 의 비율은, 제 1 수지를 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 60 몰％ 가 바람직하고, 3 ∼ 50 몰％ 가 보다 바람직하다.
구성 단위 (u13) 의 비율을 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 하면, 에칭 내성 및 내열성이 향상된다. 또, 구성 단위 (u13) 의 비율을 상기 바람직한 범위의 상한값 이하로 하면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.
제 1 수지는, 상기 구성 단위 (u11), 구성 단위 (u12) 및 구성 단위 (u13) 에 추가하여, 다른 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 다른 구성 단위로는, 탄소량이 높은 구성 단위인 것이 바람직하다. 예를 들어, 방향족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 등이 예시된다.
제 1 수지로는, 구성 단위 (u11) 및 구성 단위 (u12) 를 갖는 수지 ; 구성 단위 (u12) 및 구성 단위 (u13) 을 갖는 수지 ; 구성 단위 (u11), 구성 단위 (u12) 및 구성 단위 (u13) 을 갖는 수지 ; 등을 들 수 있다.
그러한 수지로는, 구성 단위 (u11) 을 유도하는 모노머와 구성 단위 (u12) 를 유도하는 모노머의 공중합체 ; 구성 단위 (u12) 를 유도하는 모노머와 구성 단위 (u13) 을 유도하는 모노머의 공중합체 ; 구성 단위 (u11) 을 유도하는 모노머와, 구성 단위 (u12) 를 유도하는 모노머와, 구성 단위 (u13) 을 유도하는 모노머의 공중합체 ; 등을 들 수 있다.
제 1 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 특별히 한정되는 것이 아니고, 1000 ∼ 500000 정도가 바람직하고, 3000 ∼ 50000 정도가 보다 바람직하다. 제 1 수지의 Mw 가, 상기 바람직한 범위 내이면, 에칭 내성 및 내열성이 양호하다.
제 1 수지의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 4.0 정도가 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 정도가 보다 바람직하며, 1.0 ∼ 2.5 정도가 특히 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.
제 1 수지의 오오니시 파라미터는, 3.0 이하인 것이 바람직하고, 2.0 이하인 것이 보다 바람직하다. 제 1 수지의 오오니시 파라미터로서 1.0 ∼ 3.0 의 범위가 예시되고, 1.0 ∼ 2.0 이 바람직하다. 오오니시 파라미터는, 일반적으로 수지의 에칭 내성의 지표가 된다 (J. Electrochem Soc, 143, 130 (1983), H. Gokan, S. Esho and Y. Ohnishi). 오오니시 파라미터는, 탄소 밀도를 나타내는 데에 일반적으로 사용되는 파라미터이고, 구체적으로는 「[C, H, O 의 전체 원자수]/([C 원자수] - [O 원자수])」로 구해진다. 오오니시 파라미터가 낮을수록 에칭 내성이 향상된다.
제 1 수지의 열분해 온도는, 400 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 410 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 제 1 수지의 열분해 온도로는, 예를 들어 400 ∼ 500 ℃ 의 범위가 예시되고, 410 ∼ 450 ℃ 의 범위가 바람직하다. 상기 열분해 온도는, 열중량 분석 (TGA) 에 의해, 240 ℃ 에 있어서의 수지의 질량을 기준으로 하여, 질량이 5 ％ 감소할 때의 온도이다.
제 1 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
하드 마스크 형성용 조성물 중의 제 1 수지의 비율은, 하드 마스크 형성용 조성물에 포함되는 모든 수지의 총질량에 대해 50 ∼ 95 질량％ 이상이 바람직하고, 60 ∼ 90 질량％ 가 보다 바람직하며, 65 ∼ 85 질량％ 가 더욱 바람직하다. 그 비율이 상기 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 하드 마스크 형성용 조성물의 에칭 내성 및 내열성이 향상된다. 그 비율이 상기 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 하드 마스크층을 후막화했을 때에 크랙 등이 생기기 어렵다.
제 1 수지는, 예를 들어 구성 단위 (u12) 를 유도하는 모노머와, 구성 단위 (u11) 을 유도하는 모노머 및 구성 단위 (u13) 을 유도하는 모노머 중 어느 것 또는 양방을 산 촉매의 존재하에서 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 구성 단위 (u11) 을 유도하는 모노머 및 구성 단위 (u13) 을 유도하는 모노머로는, 통상 페놀 화합물을 사용할 수 있다. 또, 구성 단위 (u12) 를 유도하는 모노머로는, 통상 알데하이드 화합물을 사용할 수 있다.
제 1 수지의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 9]
Figure pat00009
[화학식 10]
Figure pat00010
≪제 2 수지≫
제 2 수지는, 당해 수지에 포함되는 탄소량이, 당해 제 2 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 70 질량％ 이상, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량 미만인 것을 특징으로 한다. 이러한 탄소 함유량의 제 2 수지를, 제 1 수지와 병용함으로써, 우수한 에칭 내성 및 내열성을 유지하면서, 하드 마스크층에 크랙 등이 생기기 어려워져, 하드 마스크층의 후막화 (예를 들어, 1 ㎛ 이상) 를 실현할 수 있다.
제 2 수지의 탄소량은, 70 질량％ 이상이고, 또한 상기 제 1 수지의 탄소량 미만이면, 특별히 한정되지 않는다. 제 2 수지의 탄소량은, 73 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 75 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 78 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 제 2 수지의 탄소량의 상한값은, 제 1 수지의 탄소량 미만이고, 제 1 수지의 탄소량에 따라 변동한다. 제 2 수지의 탄소량은, 예를 들어 제 1 수지의 탄소량보다 2 질량％ 이상 낮은 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상 낮은 것이 보다 바람직하며, 8 질량％ 이상 낮은 것이 더욱 바람직하다. 제 2 수지의 탄소량은, 제 1 수지의 탄소량보다, 2 ∼ 20 질량％ 낮은 것이 바람직하고, 5 ∼ 15 질량％ 낮은 것이 보다 바람직하며, 8 ∼ 13 질량％ 낮은 것이 더욱 바람직하다.
제 2 수지가 갖는 구성 단위로는, 예를 들어 하기 일반식 (u21-1) 로 나타내는 구성 단위 (u21), 하기 일반식 (u22-1) 로 나타내는 구성 단위 (u22) 를 들 수 있다.
[화학식 11]
Figure pat00011
[식 중, R21 은, 적어도 1 개의 하이드록시기를 갖는 페놀 화합물에서 유래하는 유기기이다. R22 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기 또는 수소 원자이다.]
〔구성 단위 (u21)〕
구성 단위 (u21) 은, 상기 일반식 (u21-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 상기 일반식 (u21-1) 중, R21 은, 적어도 1 개의 하이드록시기를 갖는 페놀 화합물에서 유래하는 유기기이다.
R21 에 있어서의 유기기가 유래하는 페놀 화합물은, 알데하이드와 축합하여, 노볼락 수지 또는 레졸 수지를 형성할 수 있는 것이 바람직하다. 그러한 페놀 화합물로는, 예를 들어 페놀 ; m-크레졸, p-크레졸, o-크레졸 등의 크레졸류 ; 2,3-자일레놀, 2,5-자일레놀, 3,5-자일레놀, 3,4-자일레놀 등의 자일레놀류 ; m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-에틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2,3,5-트리에틸페놀, 4-tert-부틸페놀, 3-tert-부틸페놀, 2-tert-부틸페놀, 2-tert-부틸-4-메틸페놀, 2-tert-부틸-5-메틸페놀 등의 알킬페놀류 ; p-메톡시페놀, m-메톡시페놀, p-에톡시페놀, m-에톡시페놀, p-프로폭시페놀, m-프로폭시페놀 등의 알콕시페놀류 ; o-이소프로페닐페놀, p-이소프로페닐페놀, 2-메틸-4-이소프로페닐페놀, 2-에틸-4-이소프로페닐페놀 등의 이소프로페닐페놀류 ; 페닐페놀 등의 아릴페놀류 ; 4,4'-디하이드록시비페닐, 비스페놀 A, 레조르시놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 9,9-비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)플루오렌, 1,1-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)시클로헥산 등의 폴리하이드록시페놀류 등을 들 수 있다.
구성 단위 (u21) 의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 12]
Figure pat00012
[식 (u21-1) 중, n 은 0 ∼ 3 의 정수이다.]
제 2 수지가 갖는 구성 단위 (u21) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.
제 2 수지 중의 구성 단위 (u21) 의 비율은, 제 2 수지를 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 30 ∼ 70 몰％ 가 바람직하다.
〔구성 단위 (u22)〕
구성 단위 (u22) 는, 상기 일반식 (u22-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 상기 일반식 (u22-1) 중, R22 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기 또는 수소 원자이다. 그 방향족 탄화수소기는, 탄소수 6 ∼ 25 가 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하다.
R22 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 상기 일반식 (u11-1) 중의 R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.
R22 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, R11 에 있어서의 방향족 탄화수소기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 바람직한 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기를 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 구성 단위 (u22) 는, 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리를 포함하는 알데하이드 화합물로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다. 알데하이드 화합물의 구체예로는, 포름알데하이드, 파라포름알데하이드, 트리옥산, 푸르푸랄, 벤즈알데하이드, 테레프탈알데하이드, 페닐아세트알데하이드, α-페닐프로필알데하이드, β-페닐프로필알데하이드, o-하이드록시벤즈알데하이드, m-하이드록시벤즈알데하이드, p-하이드록시벤즈알데하이드, o-메틸벤즈알데하이드, m-메틸벤즈알데하이드, p-메틸벤즈알데하이드, o-클로로벤즈알데하이드, m-클로로벤즈알데하이드, p-클로로벤즈알데하이드, 계피알데하이드, 4-이소프로필벤즈알데하이드, 4-이소부틸벤즈알데하이드, 4-페닐벤즈알데하이드 등을 들 수 있다.
구성 단위 (u22) 의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 13]
Figure pat00013
제 2 수지가 갖는 구성 단위 (u22) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.
제 2 수지 중의 구성 단위 (u22) 의 비율은, 제 2 수지를 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 30 ∼ 70 몰％ 가 바람직하다.
제 2 수지는, 상기 구성 단위 (u21) 및 구성 단위 (u22) 에 추가하여, 다른 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 다른 구성 단위로는, 예를 들어 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 등이 예시된다.
제 2 수지로는, 구성 단위 (u21) 및 구성 단위 (u22) 를 갖는 수지 등을 들 수 있다. 그러한 수지로는, 구성 단위 (u21) 을 유도하는 모노머와 구성 단위 (u22) 를 유도하는 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 제 2 수지는, 노볼락 수지 또는 레졸 수지인 것이 바람직하고, 노볼락 수지인 것이 보다 바람직하다.
제 2 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 특별히 한정되는 것이 아니고, 1000 ∼ 100000 정도가 바람직하다.
제 2 수지의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1 ∼ 50 정도가 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.
제 2 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
하드 마스크 형성용 조성물 중의 제 2 수지의 비율은, 하드 마스크 형성용 조성물에 포함되는 모든 수지의 총질량에 대해 5 ∼ 50 질량％ 가 바람직하고, 10 ∼ 40 질량％ 가 보다 바람직하며, 15 ∼ 35 질량％ 가 더욱 바람직하다.
제 1 수지와 제 2 수지의 비율 (질량비) 은, 제 1 수지/제 2 수지 = 50/50 ∼ 95/5 인 것이 바람직하고, 60/40 ∼ 90/10 이 보다 바람직하며, 65/35 ∼ 80/20 이 더욱 바람직하다. 그 비율이 상기 바람직한 범위 내이면, 양호한 에칭 내성 및 내열성을 유지하면서, 하드 마스크층을 후막화했을 때에 크랙 등이 생기기 어려워진다.
제 2 수지는, 예를 들어 구성 단위 (u21) 을 유도하는 모노머와, 구성 단위 (u22) 를 유도하는 모노머를 산 촉매 또는 알칼리 촉매의 존재하에서 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 구성 단위 (u21) 을 유도하는 모노머로는, 통상 페놀 화합물을 사용할 수 있다. 또, 구성 단위 (u22) 를 유도하는 모노머로는, 통상 알데하이드 화합물을 사용할 수 있다. 산 촉매로는, 특별히 한정되지 않지만, 염산, 질산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산 등이 예시된다.
제 2 수지는, 시판되는 노볼락 수지 또는 레졸 수지 등을 사용해도 된다. 시판되는 노볼락 수지 및 레졸 수지로는, 예를 들어 스미토모 베이클라이트 제조의 PR-53364, PR-53365 등을 들 수 있다.
제 2 수지의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화학식 14]
Figure pat00014
[화학식 15]
Figure pat00015
≪임의 성분≫
본 실시형태의 하드 마스크 형성용 조성물은, 상기 제 1 수지 및 제 2 수지에 추가하여, 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 성분으로는, 가교제, 가교 촉진 촉매, 광산 발생제, 흡광제, 레올로지 조정제, 접착 보조제, 계면 활성제, 용제 등을 들 수 있다.
가교제로는, 메틸올기 혹은 알콕시메틸기를 갖는 글리콜우릴 등의 아미노계 가교제, 및 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다. 구체예로는, 예를 들어 (주) 산와 케미컬의 니카락〔등록상표〕시리즈 (니카락 MX270 등) 를 들 수 있다. 가교제의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 40 질량부인 것이 보다 바람직하다. 가교제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
가교 촉진 촉매로는, 예를 들어 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄 p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 시트르산, 벤조산, 하이드록시벤조산, 및 나프탈렌카르복실산 등의 산성 화합물 ; 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 및 그 외 유기 술폰산알킬에스테르 등의 열산 발생제를 들 수 있다. 가교 촉진 촉매의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 0.0001 ∼ 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.0005 ∼ 10 질량부가 보다 바람직하며, 0.01 ∼ 3 질량부가 더욱 바람직하다. 가교 촉진 촉매는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광산 발생제로는, 예를 들어 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 및 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 오늄염계 광산 발생제류, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐 함유 화합물계 광산 발생제류, 그리고 벤조인토실레이트, 및 N-하이드록시숙신이미드트리플루오로메탄술포네이트 등의 술폰산계 광산 발생제류 등을 들 수 있다. 광산 발생제의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 0.2 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.4 ∼ 5 질량부인 것이 바람직하다. 광산 발생제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
흡광제로는, 예를 들어 「공업용 색소의 기술과 시장」(CMC 출판) 이나 「염료 편람」(유기 합성 화학 협회편) 에 기재된 시판되는 흡광제, 예를 들어 C. I. Disperse Yellow 1, 3, 4, 5, 7, 8, 13, 23, 31, 49, 50, 51, 54, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90, 93, 102, 114 및 124 ; C. I. Disperse Orange 1, 5, 13, 25, 29, 30, 31, 44, 57, 72 및 73 ; C. I. Disperse Red 1, 5, 7, 13, 17, 19, 43, 50, 54, 58, 65, 72, 73, 88, 117, 137, 143, 199 및 210 ; C. I. Disperse Violet 43 ; C. I. Disperse Blue 96 ; C. I. Fluorescent Brightening Agent 112, 135 및 163 ; C. I. Solvent Orange 2 및 45 ; C. I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27 및 49 ; C. I. Pigment Green 10 ; C. I. Pigment Brown 2 등을 들 수 있다. 흡광제의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 10 질량부 이하가 바람직하고, 5 질량부 이하가 보다 바람직하다. 흡광제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
레올로지 조정제로는, 예를 들어 디메틸프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 디이소부틸프탈레이트, 디헥실프탈레이트, 및 부틸이소데실프탈레이트 등의 프탈산 유도체, 디노르말부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디이소옥틸아디페이트, 및 옥틸데실아디페이트 등의 아디프산 유도체, 디노르말부틸말레이트, 디에틸말레이트, 및 디노닐말레이트 등의 말레산 유도체, 메틸올리에이트, 부틸올리에이트, 및 테트라하이드로푸르푸릴올리에이트 등의 올레산 유도체, 또는 노르말부틸스테아레이트 및 글리세릴스테아레이트 등의 스테아르산 유도체를 들 수 있다. 레올로지 조정제의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 30 질량부 미만이 바람직하다. 레올로지 조정제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
접착 보조제로는, 예를 들어 m 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 및 클로로메틸디메틸클로로실란 등의 클로로실란류, 트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 및 페닐트리에톡시실란 등의 알콕시실란류, 헥사메틸디실라잔, N,N'-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 및 트리메틸실릴이미다졸 등의 실라잔류, 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 및 메르캅토피리미딘 등의 복소 고리형 화합물이나, 1,1-디메틸우레아 및 1,3-디메틸우레아 등의 우레아, 또는 티오우레아 화합물을 들 수 있다. 접착 보조제의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 5 질량부 미만인 것이 바람직하고, 2 질량부 미만인 것이 보다 바람직하다. 접착 보조제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
계면 활성제로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 및 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 및 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머류, 소르비탄모노라우레이트, 소르비탄모노팔미테이트, 소르비탄모노스테아레이트, 소르비탄모노올리에이트, 소르비탄트리올리에이트, 및 소르비탄트리스테아레이트 등의 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리올리에이트, 및 폴리옥시에틸렌소르비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르류 등의 논이온계 계면 활성제, 그리고 에프탑〔등록상표〕EF301, 동 EF303, 동 EF352 [미츠비시 매트리얼 전자 화성 (주) (구 (주) 토켐 프로덕츠) 제조, 상품명], 메가팍〔등록상표〕F171, 동 F173, 동 R-30 [DIC (주) (구 다이니폰잉크 (주)) 제조, 상품명], 플루오라드 FC430, 동 FC431 (스미토모 3M (주) 제조, 상품명), 아사히가드〔등록상표〕AG710, 서플론〔등록상표〕S-382, 동 SC101, 동 SC102, 동 SC103, 동 SC104, 동 SC105, 동 SC106 (아사히 유리 (주) 제조, 상품명) 등의 불소계 계면 활성제, 오르가노실록산 폴리머 KP341 (신에츠 화학 공업 (주) 제조) 등을 들 수 있다. 계면 활성제의 배합량은, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 전체 수지 성분 100 질량부에 대해 2.0 질량부 이하가 바람직하고, 1.0 질량부 이하가 보다 바람직하다. 계면 활성제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
용제는, 상기 제 1 수지, 제 2 수지, 및 상기 임의 성분을 용해하기 위해서 사용된다. 용제로는, 예를 들어 γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다] ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭사이드 (DMSO) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 레벨링성을 보다 향상시키는 관점에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산에틸, 락트산부틸, 및 시클로헥산온 등이 바람직하다.
용제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로 해도 된다.
용제의 사용량은, 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포막 두께에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어, 하드 마스크 형성용 조성물 중의 수지 성분 농도가 1 ∼ 50 질량％, 바람직하게는 15 ∼ 35 질량％ 의 범위 내가 되도록, 용제를 배합할 수 있다.
본 실시형태의 하드 마스크 형성용 조성물은, 85 질량％ 이상의 높은 탄소량을 갖는 제 1 수지와, 상기 제 1 수지의 탄소량보다 약간 낮은 탄소량을 갖는 제 2 수지를 병용하기 때문에, 양호한 에칭 내성 및 내열성을 갖고, 또한 크랙의 발생이 저감된 하드 마스크층을 형성할 수 있다. 이로써, 하드 마스크층을 후막화 (예를 들어, 1 ㎛ 이상) 할 수 있는 점에서, 심굴 가공용의 하드 마스크 형성용 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.
＜전자 부품의 제조 방법＞
≪제 1 실시형태≫
본 발명의 제 2 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법은,
지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정 (이하 「공정 (i)」이라고 한다.),
상기 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 하드 마스크층 (m2) 을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (ii)」라고 한다.),
상기 하드 마스크층 (m2) 상에, 레지스트막을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (iii)」),
상기 레지스트막을 노광하고, 현상함으로써, 상기 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (iv)」라고 한다.),
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m2) 에 에칭 처리를 실시하여, 무기 패턴을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (v)」 라고 한다),
상기 무기 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (vi)」이라고 한다), 및
상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정 (이하, 「공정 (vii)」이라고 한다.)
을 갖는다.
이하, 본 실시형태의 전자 부품의 제조 방법에 대해, 도 1 ∼ 도 8 을 참조하면서 구체예를 설명한다. 단, 본 실시형태에 관련된 제조법은, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
도 1 은, 기판 (11) 및 가공층 (12) 으로 이루어지는 지지체 (10) 를 나타낸다.
먼저, 지지체 (10) 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성한다 (도 2 ; 공정 (i)).
다음으로, 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 하드 마스크층 (m2) 을 형성한다 (도 3 ; 공정 (ii)). 또, 필요에 따라, 하드 마스크층 (m2) 상에 반사 방지막 (BARC) (20) 을 성막한다.
다음으로, 하드 마스크층 (m2) 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막 (30) 을 형성한다 (도 4 ; 공정 (iii)).
다음으로, 레지스트막을 노광하고, 현상함으로써, 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트 패턴 (30p) 을 형성한다 (도 5 ; 공정 (iv)).
다음으로, 레지스트 패턴 (30p) 을 마스크로 하여 하드 마스크층 (m2) 에 에칭 처리를 실시하여, 무기 패턴 (m2p) 을 형성한다 (도 6 ; 공정 (v)).
다음으로, 무기 패턴 (m2p) 을 마스크로 하여 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴 (m1p) 을 형성한다 (도 7 ; 공정 (vi)).
다음으로, 수지 패턴 (m1p) 을 마스크로 하여 지지체 (10) 를 가공하여, 패턴 (12p) 을 형성한다 (도 8 ; 공정 (vii)).
이와 같이 하여, 기판 (11) 상에 패턴 (12p) 을 구비한 전자 부품 (100) 을 제조할 수 있다.
[공정 (i)]
공정 (i) 은, 지지체 (10) 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정이다.
지지체 (10) 로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 전자 부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제의 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.
또, 지지체 (10) 는, 상기 기판 (11) 상에 가공층 (12) 이 성막된 것이어도 된다. 가공층 (12) 으로는, Si, SiO2, SiON, SiN, p-Si,α-Si, W, W-Si, Al, Cu, Al-Si 등 다양한 Low-k 막 및 그 스토퍼막 등을 들 수 있다. 가공층 (12) 의 두께는, 통상 50 ∼ 10,000 nm 로 할 수 있다. 또, 심굴 가공을 실시하는 경우, 가공층 (12) 의 두께는, 1,000 ∼ 10,000 nm 로 할 수 있다. 또한, 가공층 (12) 을 성막하는 경우, 기판 (11) 과 가공층 (12) 은, 통상 상이한 재질의 것이 사용된다.
하드 마스크층 (m1) 의 형성에는, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용한다. 구체적으로는, 지지체 (10) 상에, 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을, 스핀 코트법 등으로 도포한다. 이어서, 베이크하여 경화시킴으로써, 하드 마스크층 (m1) 을 형성한다. 베이크는, 통상 100 ℃ ∼ 500 ℃, 바람직하게는 200 ℃ ∼ 450 ℃, 보다 바람직하게는 300 ℃ ∼ 400 ℃ 의 범위에서 실시한다. 베이크 온도를 상기 범위의 상한값 이하로 함으로써, 수지의 산화 반응에 의한 에칭 내성의 저하를 억제할 수 있다. 또, 베이크 온도를 상기 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 후술하는 공정 (ii) 에서의 성막 시의 고온에 의한 변질을 억제할 수 있다. 베이크 시간은, 통상 10 ∼ 600 초, 바람직하게는 30 ∼ 300 초, 보다 바람직하게는 50 ∼ 200 초로 할 수 있다.
하드 마스크층 (m1) 의 막두께는, 특별히 한정되지 않고, 가공층 (12) 의 두께에 따라 적절히 설정 가능하다. 하드 마스크층 (m1) 의 막두께는, 예를 들어 30 ∼ 20,000 nm 로 할 수 있다. 또, 심굴 가공을 실시하는 경우, 하드 마스크층 (m1) 의 막두께는, 1,000 nm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 하드 마스크층 (m1) 의 막두께로는, 1,000 ∼ 20,000 nm 가 바람직하고, 1,000 ∼ 15,000 nm 가 보다 바람직하다.
[공정 (ii)]
공정 (ii) 는, 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 하드 마스크층 (m2) 을 형성하는 공정이다.
하드 마스크층 (m2) 을 형성하기 위한 무기 재료는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 무기 재료로는, 예를 들어 규소산화막 (SiO2 막), 규소질화막 (Si3N4 막), 및 규소산화질화막 (SiON 막) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반사 방지막으로서의 효과가 높은 SiON 막이 바람직하다. 하드 마스크층 (m2) 의 형성에는, CVD 법이나 ALD 법 등을 이용할 수 있다.
하드 마스크층 (m2) 의 막두께로는, 5 ∼ 200 nm 정도가 예시되고, 10 ∼ 100 nm 정도가 바람직하다.
하드 마스크층 (m2) 의 형성에 CVD 법이나 ALD 법을 이용하는 경우, 온도가 고온 (400 ℃ 정도) 이 되기 때문에, 하드 마스크층 (m1) 에는 고온 내성이 요구된다. 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물은, 내열성이 우수하여, 400 ℃ 정도의 고온에 폭로되어도 쉬링크 등이 생기기 어렵다. 그 때문에, CVD 법이나 ALD 법으로 성막되는 무기 하드 마스크층과 조합하여, 바람직하게 사용할 수 있다.
하드 마스크층 (m2) 을 형성 후, 필요에 따라 하드 마스크층 (m2) 상에, 반사 방지막 (BARC) (20) 을 형성해도 된다. BARC (20) 는, 유기 BARC 여도 되고, 무기 BARC 여도 된다. BARC 는, 종래 공지된 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
[공정 (iii)]
공정 (iii) 은, 하드 마스크층 (m2) 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막 (30) 을 형성하는 공정이다.
레지스트 조성물은, 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 노광 공정을 이용한 방법에 바람직한 레지스트 재료로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다. 레지스트 조성물은, 포지티브형이어도 되고, 네거티브형이어도 된다. 레지스트 조성물로는, 예를 들어 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분을 함유하는 것 등이 예시된다.
레지스트막 (30) 의 형성은, 특별히 한정되지 않고, 레지스트막의 형성에 일반적으로 이용되는 방법을 이용하면 된다. 예를 들어, 하드 마스크층 (m2) 상에 (BARC (20) 를 형성한 경우에는 하드 마스크층 (m2) 상의 BARC (20) 상에), 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하여 레지스트막 (30) 을 형성할 수 있다.
레지스트막 (30) 의 막두께는, 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 30 ∼ 500 nm 정도가 예시된다.
[공정 (iv)]
공정 (iv) 는, 레지스트막 (30) 을 노광하고, 현상함으로써, 상기 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트 패턴 (30p) 을 형성하는 공정이다.
레지스트막 (30) 의 노광은, ArF 노광 장치, KrF 노광 장치, 전자선 묘화 장치, EUV 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), 그리고 X 선 및 연 X 선 등의 방사선 등을 이용하여 실시할 수 있다. 레지스트막 (30) 의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.
예를 들어, 레지스트막 (30) 에 대해, 소정의 패턴이 형성된 포토마스크 (마스크 패턴) 를 통한 노광, 또는 포토마스크를 통하지 않은 전자선의 직접 조사에 의한 묘화 등에 의해 선택적 노광을 실시한다. 그 후, 베이크 (포스트 익스포져 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다.
다음으로, 상기 레지스트막 (30) 을 현상 처리한다. 현상 처리에 사용하는 현상액은, 레지스트 조성물의 종류, 현상 방법에 따라, 일반적으로 사용되는 현상액에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 알칼리 현상 프로세스의 경우는, 알칼리 현상액을 이용하고, 용제 현상 프로세스의 경우는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.
알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량％ 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다.
용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.
현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면장력에 의해 융기시키고 일정 시간 정지하는 방법 (퍼들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 (塗出) 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 도출하는 방법 (다이나믹 디스펜스법) 등을 들 수 있다.
현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 순수를 사용한 물린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.
용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을, 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.
현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트베이크) 를 실시해도 된다.
이와 같이 하여, 하드 마스크층 (m2) 상에, 레지스트 패턴 (30p) 을 형성할 수 있다.
[공정 (v)]
공정 (v) 는, 상기 레지스트 패턴 (30p) 을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m2) 에 에칭 처리를 실시하여, 무기 패턴 (m2p) 을 형성하는 공정이다.
하드 마스크층 (m2) 의 에칭 처리의 방법은, 특별히 한정되지 않고, 일반적인 드라이 에칭법 등을 이용할 수 있다. 에칭 방법으로는, 예를 들어 다운 플로우 에칭이나 케미컬 드라이 에칭 등의 화학적 에칭 ; 스퍼터 에칭이나 이온 빔 에칭 등의 물리적 에칭 ; RIE (리액티브 이온 에칭) 등의 화학적·물리적 에칭이 예시된다.
예를 들어, 평행 평판형 RIE 에서는, RIE 장치의 챔버에 다층 적층체를 넣고, 필요한 에칭 가스를 도입한다. 챔버 내의, 상부 전극과 평행하게 놓인 다층 적층체의 홀더에 고주파 전압을 가하면, 에칭 가스가 플라즈마화된다. 플라즈마 중에서는 정 (正)·부 (負) 의 이온이나 전자 등의 전하 입자, 중성 활성종 등의 에칭종이 존재하고 있다. 이들 에칭종이 하부 레지스트층에 흡착되면, 화학 반응이 발생하고, 반응 생성물이 표면으로부터 이탈하여 외부로 배기되고, 에칭이 진행된다.
하드 마스크층 (m2) 을 에칭하기 위해서 사용되는 에칭 가스로는, 예를 들어 할로겐계의 가스를 들 수 있다. 할로겐계의 가스로는, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자, 염소 원자 등의 할로겐 원자로 치환된 탄화수소 가스가 예시된다. 보다 구체적으로는, 테트라플루오로메탄 (CF4) 가스, 트리플루오로메탄 (CHF3) 가스 등의 불화탄소계 가스 ; 테트라클로로메탄 (CCl4) 가스 등의 염화탄소계 가스 등을 들 수 있다.
[공정 (vi)]
공정 (vi) 은, 상기 무기 패턴 (m2p) 을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴 (m1p) 을 형성하는 공정이다.
에칭 처리의 방법은, 특별히 한정되지 않고, 상기 공정 (v) 와 마찬가지로, 일반적인 드라이 에칭 방법 등을 이용할 수 있다. 하드 마스크층 (m1) 을 에칭하기 위해서 사용되는 에칭 가스로는, 예를 들어 산소 가스, 이산화황 가스, 할로겐계 가스 등을 들 수 있다. 예를 들어, 에칭 가스로서 산소 가스를 사용한 산소 플라즈마 에칭 등이 바람직하게 예시된다.
[공정 (vii)]
공정 (vii) 은, 상기 수지 패턴 (m1p) 을 마스크로 하여 상기 지지체 (10) 를 가공하는 공정이다.
지지체 (10) 의 가공은, 예를 들어 수지 패턴 (m1p) 을 마스크로 하여 가공층 (12) 에 에칭 처리를 실시함으로써 실시할 수 있다. 에칭 처리의 방법은, 특별히 한정되지 않고, 상기 공정 (v) 와 마찬가지로, 일반적인 드라이 에칭 방법 등을 이용할 수 있다. 가공층 (12) 을 에칭하기 위해서 사용되는 에칭 가스로는, 예를 들어 할로겐계 가스를 들 수 있다.
본 실시형태의 전자 부품의 제조 방법에 있어서는, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여, 하드 마스크층 (m1) 을 형성하기 때문에, 하드 마스크층 (m1) 의 후막화 (1 ㎛ 이상) 가 가능하다. 그 때문에, 하드 마스크층 (m1) 으로부터 형성되는 수지 패턴을, 심굴 가공의 마스크로서 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 상기에서는, 3 층 레지스트법에 의해 전자 부품을 제조하는 방법을 설명했지만, 2 층 레지스트법에 의해 전자 부품을 제조해도 된다. 그 경우, 하드 마스크층 (m1) 상에는, 하드 마스크층 (m2) 이 아니라, 레지스트막 (30) 을 형성한다.
그리고, 상기 공정 (iv) 와 마찬가지로, 레지스트막 (30) 을 노광하고, 현상함으로써, 하드 마스크층 (m1) 상에 레지스트 패턴 (30p) 을 형성한다.
다음으로, 상기 공정 (vi) 과 마찬가지로, 레지스트 패턴 (30p) 을 마스크로 하여 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴 (m1p) 을 형성한다.
그 후에는, 상기 공정 (vii) 과 마찬가지로, 수지 패턴 (m1p) 을 마스크로 하여 지지체 (10) 를 가공하여, 패턴 (12p) 을 형성한다.
이와 같이 하여, 2 층 레지스트법에 의해서도 전자 부품을 제조할 수 있다.
따라서, 본 발명은,
지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정,
상기 하드 마스크층 (m1) 상에 레지스트막을 형성하는 공정,
상기 레지스트막을 노광하고, 현상함으로써, 상기 하드 마스크층 (m1) 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정,
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정, 및
상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정
을 갖는, 전자 부품의 제조 방법도 또한 제공한다.
≪제 2 실시형태≫
본 발명의 제 3 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법은,
지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (i)'」라고 한다.),
상기 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 무기 패턴을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (v)'」라고 한다.),
상기 무기 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정 (이하, 「공정 (vi)'」라고 한다.), 및
상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정 (이하, 「공정 (vii)'」라고 한다.)
을 갖는다.
제 3 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법은, 레지스트막의 형성을 실시하지 않고, 무기 재료로 이루어지는 무기 패턴을 직접 하드 마스크층 (m1) 상에 형성하는 것을 제외하고, 상기 제 2 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법과 동일하다.
이하, 본 실시형태의 전자 부품의 제조 방법에 대해, 도 1, 도 2 및 도 6 ∼ 8 을 참조하면서 구체예를 설명한다. 단, 본 실시형태에 관련된 제조 방법은, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
먼저, 지지체 (10) 상, 상기 제 1 양태에 관련된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성한다 (도 1 ∼ 도 2 ; 공정 (i)'). 본 공정은, 상기 제 2 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법에 있어서의 공정 (i) 과 동일하다.
다음으로, 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 무기 패턴 (m2p) 을 형성한다 (도 6 ; 공정 (v)'). 무기 패턴 (m2p) 을 형성하기 위한 무기 재료로는, 상기 제 2 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법에 있어서의 공정 (ii) 에서 예시한 무기 재료와 동일한 것, 및 상기 무기 재료를 함유하는 레지스트 조성물 등을 들 수 있다. 무기 패턴 (m2p) 의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료를 함유하는 레지스트 조성물을 사용하여, 무기 레지스트막을 형성하고, 노광 및 현상을 실시함으로써, 하드 마스크층 (m1) 상에 무기 패턴 (m2p) 을 형성할 수 있다.
다음으로, 무기 패턴 (m2p) 을 마스크로 하여 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴 (m1p) 을 형성한다 (도 7 ; 공정 (vi)'). 본 공정은, 상기 제 2 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법에 있어서의 공정 (vi) 과 동일하다.
다음으로, 수지 패턴 (m1p) 을 마스크로 하여 지지체 (10) 를 가공하여, 패턴 (12p) 을 형성한다 (도 8 ; 공정 (vii)'). 본 공정은, 상기 제 2 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법에 있어서의 공정 (vii) 과 동일하다.
이와 같이 하여도, 기판 (11) 상에 패턴 (12p) 을 구비한 전자 부품 (100) 을 제조할 수 있다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
＜제 1 수지의 제조예＞
9-나프틸카르바졸 10.00 g (34.09 mmol), 벤즈알데하이드 36.17 g (340.9 mmol), 및 1-피레놀 66.96 g (306.8 mmol) 과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 75.42 g 에 용해한 후, 파라톨루엔술폰산 10 ％ PGMEA 용액 87.53 g 을 첨가하였다. 반응 온도를 약 120 ℃ 정도로 유지하면서 중합을 진행시켰다.
약 10 시간 정도 반응시킨 후, 반응물에 과잉량의 메탄올/물 (9 : 1) 공용매를 첨가하고, 생성된 고체를 적당량의 PGMEA 에 용해하였다. 이것을, 과잉량의 에탄올/물 (9 : 1) 공용매에 대해 적하하고, 침전을 채취하였다. 상기 침전을 65 ℃ 정도의 진공 오븐으로 약 20 시간 정도 건조시켰다. 그 결과, 하기 수지 (1-1) 을 얻었다. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 4,000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.1.
[화학식 16]
Figure pat00016
＜제 2 수지의 제조예＞
≪수지 (2-1), 수지 (2-2)≫
정법에 의해, m-크레졸 및 p-크레졸과, 포름알데하이드를 산 촉매하에서 부가 축합시킴으로써, 하기 수지 (2-1) 을 얻었다.
[화학식 17]
Figure pat00017
정법에 의해, m-크레졸 및 2,3,5-트리메틸페놀과, 포름알데하이드를 산 촉매하에서 부가 축합시킴으로써, 하기 수지 (2-2) 를 얻었다.
[화학식 18]
Figure pat00018
≪수지 (2-3)≫
교반기, 온도계를 구비한 100 mL 의 3 구 플라스크에, 9,9-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)플루오렌 15.0 g (39.7 mmol), 벤즈알데하이드 4.21 g (39.7 mmol), PGMEA 15.7 g, p-톨루엔술폰산의 10 ％ PGMEA 용액 10.2 g 을 주입하고, 120 ℃ 에서 10 시간 반응시켰다. 얻어진 용액에 PGMEA 45.7 g 을 첨가하고, 실온으로 되돌린 후, 과잉량의 빈용매 (메탄올 : 물 = 6 : 4) 에 대해 적하하고, 침전을 여과하였다. 얻어진 침전을 60 ℃ 의 진공 오븐으로 종야 건조시켜, 하기 수지 (2-3) 10.5 g 을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 2100, 다분산도 (Mw/Mn) 는 1.58 이었다.
[화학식 19]
Figure pat00019
≪수지 (2-4)≫
교반기, 온도계를 구비한 200 mL 의 3 구 플라스크에, 9,9-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)플루오렌 30.0 g (79.3 mmol), 4-이소프로필벤즈알데하이드 11.8 g (79.3 mmol), PGMEA 27.8 g, p-톨루엔술폰산의 10 ％ PGMEA 용액 20.4 g 을 주입하고, 120 ℃ 에서 16 시간 반응시켰다. 얻어진 용액에 PGMEA 51.3 g 을 첨가하고, 실온으로 되돌린 후, 과잉량의 빈용매 (메탄올 : 물 = 8 : 2) 에 대해 적하하고, 침전을 여과하였다. 얻어진 침전을 60 ℃ 의 진공 오븐으로 종야 건조시켜, 하기 수지 (2-4) 10.5 g 을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 1900, 다분산도 (Mw/Mn) 는 1.32 였다.
[화학식 20]
Figure pat00020
≪수지 (2-5)≫
교반기, 온도계를 구비한 200 mL 의 3 구 플라스크에, 9,9-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)플루오렌 30.0 g (79.3 mmol), 4-이소부틸벤즈알데하이드 12.9 g (79.3 mmol), PGMEA 28.5 g, p-톨루엔술폰산의 10 ％ PGMEA 용액 20.4 g 을 주입하고, 120 ℃ 에서 14 시간 반응시켰다. 얻어진 용액에 PGMEA 51.3 g 을 첨가하고, 실온으로 되돌린 후, 과잉량의 빈용매 (메탄올 : 물 = 8 : 2) 에 대해 적하하고, 침전을 여과하였다. 얻어진 침전을 60 ℃ 의 진공 오븐으로 종야 건조시켜, 하기 수지 (2-5) 10.5 g 을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 2000, 다분산도 (Mw/Mn) 는 1.29 였다.
[화학식 21]
Figure pat00021
≪수지 (2-6)≫
교반기, 온도계를 구비한 100 mL 의 3 구 플라스크에, 비스페놀 Z (혼슈 화학 공업) 30.0 g (111.79 mmol), 4-페닐벤즈알데하이드 20.37 g (111.79 mmol), PGMEA 33.58 g, p-톨루엔술폰산의 10 ％ PGMEA 용액 28.70 g 을 주입하고, 120 ℃ 에서 5 시간 반응시켰다. 얻어진 용액에 PGMEA 58.1 g 을 첨가하고, 실온으로 되돌린 후, 과잉량의 빈용매 (메탄올 : 물 = 80 : 20) 에 대해 적하하고, 침전을 여과하였다. 얻어진 침전을 60 ℃ 의 진공 오븐으로 종야 건조시켜, 상기 (2-6) 의 수지 37 g 을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 2700, 다분산도 (Mw/Mn) 는 2.32 였다.
[화학식 22]
Figure pat00022
(실시예 1 ∼ 6, 비교예 1 ∼ 3)
＜하드 마스크 형성용 조성물의 조제＞
표 1 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해해, 각 예의 하드 마스크 형성용 조성물을 각각 조제하였다.
Figure pat00023
표 1 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다. 하기 수지 (3-1) 및 수지 (3-2) 는, 정법에 의해, 각 구성 단위를 유도하는 모노머를 라디칼 중합함으로써 합성하였다.
(1)-1 : 상기 수지 (1-1).
(2)-1 : 상기 수지 (2-1).
(2)-2 : 상기 수지 (2-2).
(2)-3 : 상기 수지 (2-3).
(2)-4 : 상기 수지 (2-4).
(2)-5 : 상기 수지 (2-5).
(2)-6 : 상기 수지 (2-6).
(3)-1 : 하기 수지 (3-1).
(3)-2 : 하기 수지 (3-2).
(S)-1 : PGMEA/시클로헥산온 = 75/25 (혼합비) 의 혼합 용제.
[화학식 23]
Figure pat00024
＜크랙의 평가＞
실리콘 웨이퍼 상에, 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 의 각 하드 마스크 형성용 조성물을 각각, 스피너를 사용하여 도포하고, 온도 350 ℃ 에서 60 초간의 베이크 처리를 실시함으로써 건조시켜, 막두께 2 ∼ 4 ㎛ 의 하드 마스크층을 형성하였다.
옵토 디지털 마이크로스코프 DSX500 에 의해, 하드 마스크층을 관찰하고, 하기 평가 기준에 근거하여, 크랙의 발생을 평가하였다. 그 결과를 표 2 에 나타냈다.
평가 기준
0 : 크랙 없음
1 : 웨이퍼 상 드문드문 수개의 크랙
2 : 웨이퍼 전체면에 수십개 정도의 크랙
3 : 웨이퍼 전체면에 수백개의 크랙
4 : 웨이퍼 전체면에 매우 다수의 크랙, 하드 마스크층이 붕괴될 정도로 깨지기 쉽다
＜쉬링크율의 평가＞
실리콘 웨이퍼 상에, 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 의 각 하드 마스크 형성용 조성물을 각각, 스피너를 사용하여 도포하고, 온도 240 ℃ 또는 350 ℃ 에서 60 초간의 베이크 처리를 실시함으로써 건조시켜, 막두께 2 ∼ 4 ㎛ 의 하드 마스크층을 형성하였다.
온도 240 ℃ 에서 베이크한 샘플과 350 ℃ 에서 베이크한 샘플에 있어서, 하드 마스크층의 막두께를 각각 측정하고, 하기 식에 의해 쉬링크율을 산출하였다. 그 결과를 표 2 에 나타냈다.
[수학식 2]
Figure pat00025
Figure pat00026
표 2 에 나타내는 결과로부터, 실시예 1 ∼ 6 의 하드 마스크 형성용 조성물에서는, 크랙의 발생이 억제되고, 쉬링크율의 열화도 확인되지 않았다.
한편, 비교예 1 에서는, 웨이퍼 전체면에 다수의 크랙이 확인되었다. 또, 비교예 2 및 3 에서는, 크랙의 개선은 인정되었지만, 쉬링크율이 열화하였다.
(실시예 7 ∼ 11, 비교예 4)
＜하드 마스크 형성용 조성물의 조제＞
표 3 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해해, 각 예의 하드 마스크 형성용 조성물을 각각 조제하였다.
Figure pat00027
표 3 중, 각 약호는 각각 표 1 과 동일하다.
＜크랙의 평가＞
표 3 의 각 예의 하드 마스크 형성용 조성물을 각각 사용한 것 이외에는, 상기와 동일한 방법으로, 크랙의 평가를 실시하였다. 결과를 표 4 에 나타냈다.
평가 기준
0 : 크랙 없음
1 : 웨이퍼 상 드문드문 수개의 크랙
2 : 웨이퍼 전체면에 수십개 정도의 크랙
3 : 웨이퍼 전체면에 수백개의 크랙
4 : 웨이퍼 전체면에 매우 다수의 크랙, 하드 마스크층이 붕괴될 정도로 깨지기 쉽다
Figure pat00028
표 4 에 나타내는 결과로부터, 실시예 7 ∼ 11 의 하드 마스크 형성용 조성물에서는, 비교예 4 와 비교해, 크랙의 발생이 억제되었다.
10 : 지지체
11 : 기판
12 : 가공층
12p : 패턴
20 : BARC 층
30 : 레지스트막
30p : 레지스트 패턴
m1, m2 : 하드 마스크층
m1p : 수지 패턴
m2p : 무기 패턴
100 : 전자 부품

Claims (7)

  1. 리소그래피에서 사용되는 하드 마스크를 형성하는 하드 마스크 형성용 조성물로서,
    제 1 수지와, 제 2 수지를 함유하고,
    상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 1 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 85 질량％ 이상이고,
    상기 제 2 수지에 포함되는 탄소량은, 당해 제 2 수지를 구성하는 전체 원소의 합계 질량에 대해 70 질량％ 이상이고, 상기 제 1 수지에 포함되는 탄소량 미만인, 하드 마스크 형성용 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수지는, 하기 일반식 (u11-1) 로 나타내는 구성 단위 (u11) 과, 하기 일반식 (u12-1) 로 나타내는 구성 단위 (u12) 를 갖는 수지를 포함하는, 하드 마스크 형성용 조성물.
    Figure pat00029

    [식 중, R11 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기 또는 수소 원자이다. R12 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기이다.]
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수지는, 하기 일반식 (u13-1) 로 나타내는 구성 단위 (u13) 과, 하기 일반식 (u12-1) 로 나타내는 구성 단위 (u12) 를 갖는 수지를 포함하는, 하드 마스크 형성용 조성물.
    Figure pat00030

    [식 중, R13 은, 치환기를 가져도 되는 탄소수 10 ∼ 30 의 다고리형 탄화수소기이다. R12 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기이다.]
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 수지는, 하기 일반식 (u21-1) 로 나타내는 구성 단위 (u21) 과, 하기 일반식 (u22-1) 로 나타내는 구성 단위 (u22) 를 갖는 페놀 수지를 포함하는, 하드 마스크 형성용 조성물.
    Figure pat00031

    [식 중, R21 은, 적어도 1 개의 하이드록시기를 갖는 페놀 화합물에서 유래하는 유기기이다. R22 는, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기 또는 수소 원자이다.]
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수지와 상기 제 2 수지의 비율 (질량비) 은,
    제 1 수지 : 제 2 수지 = 50/50 ∼ 95/5 인,
    하드 마스크 형성용 조성물.
  6. 지지체 상에, 제 1 항에 기재된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정,
    상기 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 하드 마스크층 (m2) 을 형성하는 공정,
    상기 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트막을 형성하는 공정,
    상기 레지스트막을 노광하고, 현상함으로써, 상기 하드 마스크층 (m2) 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m2) 에 에칭 처리를 실시하여, 무기 패턴을 형성하는 공정,
    상기 무기 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정, 및
    상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정
    을 갖는, 전자 부품의 제조 방법.
  7. 지지체 상에, 제 1 항에 기재된 하드 마스크 형성용 조성물을 사용하여 하드 마스크층 (m1) 을 형성하는 공정,
    상기 하드 마스크층 (m1) 상에, 무기 재료로 이루어지는 무기 패턴을 형성하는 공정,
    상기 무기 패턴을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층 (m1) 에 에칭 처리를 실시하여, 수지 패턴을 형성하는 공정, 및
    상기 수지 패턴을 마스크로 하여 상기 지지체를 가공하는 공정
    을 갖는, 전자 부품의 제조 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11650503B2 (en) * 2018-08-02 2023-05-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Hard mask-forming composition and method for manufacturing electronic component
EP3922456A4 (en) * 2019-02-07 2022-11-30 Mitsui Chemicals, Inc. MATERIAL FOR UNDERCOAT FILM FORMATION, RESIST UNDERCOAT FILM AND LAMINATE
JP7349887B2 (ja) * 2019-10-31 2023-09-25 東京応化工業株式会社 ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法
US11886116B2 (en) * 2020-05-06 2024-01-30 Inpria Corporation Multiple patterning with organometallic photopatternable layers with intermediate freeze steps
US11656550B2 (en) 2020-09-01 2023-05-23 Tokyo Electron Limited Controlling semiconductor film thickness
KR20220090193A (ko) * 2020-12-22 2022-06-29 삼성에스디아이 주식회사 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239243A (ja) 1985-04-17 1986-10-24 Hitachi Ltd ２層レジスト法
JPS6225744A (ja) 1985-07-26 1987-02-03 Hitachi Ltd 複合レジスト層の形成方法
JP2001051422A (ja) 1999-08-06 2001-02-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感放射線レジスト組成物
JP2015091775A (ja) 2013-09-30 2015-05-14 東京応化工業株式会社 ビニル基含有化合物を含有する組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100888611B1 (ko) * 2007-06-05 2009-03-12 제일모직주식회사 반사방지 하드마스크 조성물　및　이를 이용한 기판상재료의 패턴화 방법
CN101641390B (zh) * 2007-04-02 2013-05-01 第一毛织株式会社 具有抗反射性能的硬掩模组合物及用其图案化材料的方法
JP5385006B2 (ja) * 2009-05-25 2014-01-08 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法
US8722841B2 (en) * 2009-06-19 2014-05-13 Nissan Chemical Industries, Ltd. Carbazole novolak resin
CN104253024B (zh) * 2013-06-27 2017-07-28 第一毛织株式会社 硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置
KR101572594B1 (ko) * 2015-04-01 2015-11-27 최상준 반사방지용 하드마스크 조성물
JP6502885B2 (ja) * 2015-05-18 2019-04-17 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びパターン形成方法
JP6712188B2 (ja) * 2015-07-13 2020-06-17 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP6462602B2 (ja) * 2016-01-12 2019-01-30 信越化学工業株式会社 多層膜形成方法及びパターン形成方法
KR20170126750A (ko) * 2016-05-10 2017-11-20 최상준 반사방지용 하드마스크 조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239243A (ja) 1985-04-17 1986-10-24 Hitachi Ltd ２層レジスト法
JPS6225744A (ja) 1985-07-26 1987-02-03 Hitachi Ltd 複合レジスト層の形成方法
JP2001051422A (ja) 1999-08-06 2001-02-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感放射線レジスト組成物
JP2015091775A (ja) 2013-09-30 2015-05-14 東京応化工業株式会社 ビニル基含有化合物を含有する組成物

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