KR20190125160A - 태양전지 컴포넌트 - Google Patents

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KR20190125160A
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Abstract

본 발명은 태양전지 컴포넌트를 제공한다. 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트는 금속기판의 상부 및 하부 표면에 각각 스트립 형상 돌기와 기둥모양 돌기를 설치하고, 상기 스트립 형상 돌기의 두 경사측면과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면이 이루는 협각이 15°내지 30°이며, 각각의 상기 스트립 형상 돌기의 각각의 경사측면에 모두 태양전지 셀이 설치되고, 금속기판에는 수지기판, 탄성기둥, 탄성층을 설치하여, 본 출원에 따른 태양전지 컴포넌트의 출력이 더욱 높아지는 동시에 우수한 열 소산 성능과 내충격 성능을 구비하게 되며, 더 나아가 상기 태양전지 컴포넌트의 사용 수명이 연장되고 안정성이 더욱 높아진다.

Description

태양전지 컴포넌트
본 발명은 태양전지 기술분야에 관한 것으로서, 특히 태양전지 컴포넌트에 관한 것이다.
태양에너지의 가장 큰 장점은 무한히 사용할 수 있고 고갈되지 않는다는 점이다. 또한 사용 과정에서 생태계의 균형을 파괴하지 않고 환경을 오염시키지도 않는다. 그러므로 태양에너지는 환경친화적이고 재생 가능한 녹색 에너지라고 할 수 있다. 태양전지는 반도체 PN결합 또는 PIN 결합을 이용하여 태양의 빛 에너지를 전기에너지로 변환할 수 있고, 전환과정에서 어떠한 기계적 운동도 필요하지 않으며, 환경을 오염시키지 않으므로 가장 큰 잠재력을 가진 태양에너지의 이용 방식이 되었다. 종래의 각종 태양전지에서, 실리콘계 태양전지는 효율이 높고 제조공법이 성숙되어 널리 응용되고 있다. 종래의 실리콘 태양전지에는 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지, 비결정질 박막 태양전지 등이 포함된다. 종래의 실리콘 태양전지 컴포넌트는 일반적으로 유리덮개, 제1 EVA 접착층, 태양전지 셀 층, 제2 EVA 접착층, 태양전지 백 패널을 포함하며, 서로 인접한 태양전지 셀을 편리하게 전기적으로 연결하기 위해, 통상적으로 서로 인접한 태양전지 셀 사이에 틈새를 남긴다. 그러나 틈새가 존재함으로써 태양전지 컴포넌트 표면에 도달하는 태양광의 활용도가 낮아지고, 더 나아가 태양전지 컴포넌트의 출력이 감소하게 된다.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 단점을 극복하는 태양전지 컴포넌트를 제공하는데 있다.
상기 목적을 실현하기 위해, 본 발명은 이하가 포함된 태양전지 컴포넌트를 제공한다.
금속기판으로서, 상기 금속기판의 상부 표면에 순서대로 연결된 다수의 스트립 형상 돌기가 설치되고, 상기 스트립 형상 돌기의 단면은 이등변삼각형이며, 상기 스트립 형상 돌기의 두 경사측면과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면이 이루는 협각은 15° 내지 30°이고, 상기 금속기판의 하부 표면에 배열 형태로 배치된 다수의 기둥모양 돌기가 설치된다.
절연도료층으로서, 상기 절연도료층은 상기 금속기판의 상부 표면을 완전히 덮는다.
다수의 직사각형 태양전지 셀로서, 각각의 상기 스트립 형상 돌기의 각각의 경사측면에 상기 직사각형 태양전지 셀이 모두 설치되고, 상기 직사각형 태양전지 셀의 폭과 상기 스트립 형상 돌기의 상기 경사측면의 폭은 동일하다.
봉지 접착층으로서, 상기 봉지 접착층은 상기 직사각형 태양전지 셀과 상기 금속기판의 상부 표면을 완전히 덮는다.
투명덮개로서, 상기 투명덮개는 상기 봉지 접착층 위에 설치된다.
제1 수지기판으로서, 상기 제1 수지기판의 상부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제1 기둥모양 오목홈이 설치되고, 상기 금속기판의 하부 표면의 각각의 기둥모양 돌기의 일부분은 상응하는 상기 제1 기둥모양 오목홈 안에 감입되며, 상기 제1 수지기판의 하부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제2 기둥모양 오목홈이 설치된다.
다수의 탄성기둥으로서, 각각의 탄성기둥의 일부분은 상응하는 상기 제2 기둥모양 오목홈 안에 감입된다.
제2 수지기판으로서, 상기 제2 수지기판의 상부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제3 기둥모양 오목홈이 설치되고, 각각의 탄성기둥의 다른 일부분은 상응하는 상기 제3 기둥모양 오목홈 안에 감입된다.
탄성층으로서, 상기 탄성층은 상기 제2 수지기판의 하부 표면에 설치된다.
외부 내후성 수지층으로서, 상기 외부 내후성 수지층은 상기 탄성층의 하부 표면에 설치된다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 상기 금속기판의 재질은 알루미늄, 구리 및 철 중의 하나이고, 상기 기둥모양 돌기의 꼭대기면은 원형이며, 상기 기둥모양 돌기의 직경은 1㎝ 내지 3㎝이고, 서로 인접한 기둥모양 돌기의 간격은 3㎜ 내지 5㎜이며, 상기 기둥모양 돌기의 높이는 0.5㎜ 내지 2㎜이다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 상기 절연도료층의 두께는 20㎛ 내지 50㎛이다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 서로 인접한 상기 직사각형 태양전지 셀 사이는 리본을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 직사각형 태양전지 셀의 치수는 10㎜*125㎜이다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 상기 봉지 접착층의 재질은 EVA이다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 상기 제1 수지기판과 상기 제2 수지기판의 재질은 PET, PEN, PC, PP, PMMA 중 하나이다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 상기 제1 기둥모양 오목홈의 깊이는 0.2㎜ 내지 0.8㎜이고, 상기 제2 기둥모양 오목홈 및 상기 제3 기둥모양 오목홈의 깊이는 0.15㎜ 내지 0.6㎜이며, 상기 탄성기둥의 직경은 1㎝ 내지 3㎝, 서로 인접한 상기 탄성기둥의 간격은 3㎜ 내지 5㎜이고, 상기 탄성기둥의 높이는 0.5㎜ 내지 2㎜이다.
상술한 태양전지 컴포넌트는 더 나아가, 상기 탄성기둥과 상기 탄성층의 재질은 고무이며, 상기 탄성층의 두께는 0.3㎜ 내지 0.5㎜이고, 상기 외부 내후성 수지층의 재질은 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 불화비닐(polyvinyl fluoride) 또는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층의 두께는 모두 100㎛ 내지 200㎛이다.
종래 기술과 비교하면, 본 출원의 유익한 효과는 아래와 같다.
본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트는, 전지 셀이 금속기판의 스트립 형상 돌기의 경사측면에 설치되고, 상기 스트립 형상 돌기가 설치된 경사측면과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면이 이루는 협각은 모두 15° 내지 30°로서, 상기 협각을 설치함으로써 각 태양전지가 충분한 태양광을 받을 수 있을 뿐만 아니라 태양전지 컴포넌트 안의 태양전지 셀 개수를 증가시킬 수 있으며, 더 나아가 태양전지 컴포넌트의 출력을 높일 수 있다는 장점이 있으며, 본 발명에 따른 금속기판의 하부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 기둥모양 돌기를 설치하고, 각 기둥모양 돌기의 일부만이 제1 수지기판에 감입됨으로써, 상기 금속기판과 상기 제1 수지기판 사이에 기둥모양 돌기를 노출시키는 틈새를 형성한다. 상기 틈새가 존재함으로써 태양전지 셀이 생성하는 열량이 빠르게 공기 중으로 전달되어, 태양전지 컴포넌트의 열 소산 성능을 효과적으로 높일 수 있다. 제1 수지기판과 제2 수지기판 사이에 다수의 탄성기둥을 설치하고 제2 수지기판과 외부 내후성 수지층 사이에 탄성층을 설치함으로써 이중 탄성 구조가 태양전지 컴포넌트의 내충격 성능을 효과적으로 높이게 된다. 종래의 태양전지 컴포넌트와 비교하면, 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트는 구체적인 구조와 각 부품의 구체적인 치수를 개선함으로써, 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트가 더욱 높은 출력을 구비하는 동시에, 우수한 열 소산 성능과 내충격 성능을 구비하게 되고, 더 나아가 상기 태양전지 컴포넌트의 사용 수명이 길어지고 안정성도 더욱 높아진다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트의 구조를 도시한 설명도이다.
도 2는 도 1에서 A-A’선을 따른 단면을 도시한 설명도이다.
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명은 이하를 포함하는 태양전지 컴포넌트를 제공한다. 금속기판(1)으로서, 상기 금속기판(1)의 상부 표면에 순서대로 연결된 다수의 스트립 형상 돌기(11)가 설치되고, 상기 스트립 형상 돌기(11)의 단면은 이등변삼각형이며, 상기 스트립 형상 돌기(11)의 두 경사측면(12)과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면(13)이 이루는 협각은 모두 15° 내지 30°이고, 상기 금속기판(1)의 하부 표면에는 배열 형태로 배치된 다수의 기둥모양 돌기(14)가 설치된다. 절연도료층(2)으로서, 상기 절연도료층(2)은 상기 금속기판(1)의 상부 표면을 완전히 덮는다. 다수의 직사각형 태양전지 셀(3)로서, 각각의 상기 스트립 형상 돌기(11)의 각각의 경사측면(12)에 상기 직사각형 태양전지 셀(3)이 모두 설치되며, 상기 직사각형 태양전지 셀(3)의 폭과 상기 스트립 형상 돌기(11)의 상기 경사측면(12)의 폭은 동일하다. 봉지 접착층(4)으로서, 상기 봉지 접착층(4)은 상기 직사각형 태양전지 셀(3)과 상기 금속기판(1)의 상부 표면을 완전히 덮는다. 투명덮개(5)로서, 상기 투명덮개(5)는 상기 봉지 접착층(4) 위에 설치된다. 제1 수지기판(6)으로서, 상기 제1 수지기판(6)의 상부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제1 기둥모양 오목홈(61)이 설치되며, 상기 금속기판(1)의 하부 표면의 각 기둥모양 돌기(14)의 일부분은 상응하는 상기 제1 기둥모양 오목홈(61) 안에 감입되고, 상기 제1 수지기판(6)의 하부 표면에는 배열 형태로 분포된 다수의 제2 기둥모양 오목홈(62)이 설치된다. 다수의 탄성기둥(7)으로서, 각각의 탄성기둥(7)의 일부분은 상응하는 상기 제2 기둥모양 오목홈(62) 안에 감입된다. 제2 수지기판(8)으로서, 상기 제2 수지기판(8)의 상부 표면에는 배열 형태로 분포된 다수의 제3 기둥모양 오목홈(81)이 설치되고, 각각의 탄성기둥(7)의 다른 일부분은 상응하는 상기 제3 기둥모양 오목홈(81) 안에 감입된다. 탄성층(9)으로서, 상기 탄성층(9)은 상기 제2 수지기판(8)의 하부 표면에 설치된다. 외부 내후성 수지층(10)으로서, 상기 외부 내후성 수지층(10)은 상기 탄성층(9)의 하부 표면에 설치된다.
상기 태양전지 컴포넌트에서 상기 스트립 형상 돌기(11)의 두 경사측면(12)와 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면(13)이 이루는 협각은 15° 내지 30°이고, 경사측면과 바닥면이 이루는 협각이 30°보다 클 경우, 경사측면에 배치된 태양전지 셀이 태양광 조사를 충분히 받을 수 없으며, 나아가 태양전지 셀 하나의 출력이 낮아지고, 나아가 태양전지 컴포넌트의 출력이 상대적으로 덜 증가하게 된다. 또한 협각 각도가 커짐에 따라 태양전지 컴포넌트의 두께도 비교적 두꺼워지며, 나아가 전체 제조비용이 증가하게 된다. 경사측면과 바닥면이 이루는 협각이 15°보다 작을 경우, 전체 태양전지 컴포넌트에서 태양전지 셀이 증가하는 개수가 적어지며, 나아가 태양전지 컴포넌트의 출력이 상대적으로 덜 증가하게 된다. 상기 금속기판(1)의 재질은 알루미늄, 구리 및 철 중 하나이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 꼭대기면은 원형이고, 상기 기둥모양 돌기(14)의 직경은 1㎝ 내지 3㎝이다. 서로 인접한 기둥모양 돌기(14)의 간격은 3㎜ 내지 5㎜이고, 상기 기둥모양 돌기(14)의 높이는 0.5㎜ 내지 2㎜이다. 상기 절연도료층(2)의 두께는 20㎛ 내지 50㎛이다. 서로 인접한 상기 직사각형 태양전지 셀(3) 사이는 리본을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 직사각형 태양전지 셀(3)의 치수는 10㎜*125㎜이다. 상기 봉지 접착층(4)의 재질은 EVA이다. 상기 제1 수지기판(6)과 상기 제2 수지기판(8)의 재질은 PET, PEN, PC, PP, PMMA 중 하나이다. 상기 제1 기둥모양 오목홈(61)의 깊이는 0.2㎜ 내지 0.8㎜이며, 상기 제2 기둥모양 오목홈(62) 및 상기 제3 기둥모양 오목홈(81)의 깊이는 0.15㎜ 내지 0.6㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 직경은 1㎝ 내지 3㎝이며, 서로 인접한 상기 탄성기둥(7)의 거리는 3㎜ 내지 5㎜, 상기 탄성기둥(7)의 높이는 0.5㎜ 내지 2㎜이다. 상기 탄성기둥(7)과 상기 탄성층(9)의 재질은 고무이며, 상기 탄성층(9)의 두께는 0.3㎜ 내지 0.5㎜이고, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 재질은 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 불화비닐(polyvinyl fluoride) 또는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 두께는 100㎛ 내지 200㎛이다.
실시예 1
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명은 이하가 포함된 태양전지 컴포넌트를 제공한다. 금속기판(1)으로서, 상기 금속기판(1)의 상부 표면에 순서대로 연결된 스트립 형상 돌기(11)가 설치되고, 상기 스트립 형상 돌기(11)의 단면은 이등변삼각형이며, 상기 스트립 형상 돌기(11)의 두 경사측면(12)과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면(13)이 이루는 협각은 23°이고, 상기 금속기판(1)의 하부 표면에는 배열 형태로 배치된 다수의 기둥모양 돌기(14)가 설치된다. 절연도료층(2)으로서, 상기 절연도료층(2)은 상기 금속기판(1)의 상부 표면을 완전히 덮는다. 다수의 직사각형 태양전지 셀(3)로서, 각각의 상기 스트립 형상 돌기(11)의 각각의 경사측면(12)에 상기 직사각형 태양전지 셀(3)이 모두 설치되고, 상기 직사각형 태양전지 셀(3)의 폭과 상기 스트립 형상 돌기(11)의 상기 경사측면(12)의 폭이 동일하다. 봉지 접착층(4)으로서, 상기 봉지 접착층(4)은 상기 직사각형 태양전지 셀(3)과 상기 금속기판(1)의 상부 표면을 완전히 덮는다. 투명덮개(5)로서, 상기 투명덮개(5)는 상기 봉지 접착층(4) 위에 설치된다. 제1 수지기판(6)으로서, 상기 제1 수지기판(6)의 상부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제1 기둥모양 오목홈(61)이 설치되며, 상기 금속기판(1)의 하부 표면의 각각의 기둥모양 돌기(14)의 일부분은 상응하는 상기 제1 기둥모양 오목홈(61) 안에 감입되고, 상기 제1 수지기판(6)의 하부 표면에는 배열 형태로 분포된 다수의 제2 기둥모양 오목홈(62)이 설치된다. 다수의 탄성기둥(7)으로서, 각각의 탄성기둥(7)의 일부분은 상응하는 상기 제2 기둥모양 오목홈(62) 안에 감입된다. 제2 수지기판(8)으로서, 상기 제2 수지기판(8)의 상부 표면에는 배열 형태로 분포된 다수의 제3 기둥모양 오목홈(81)이 설치되고, 각각의 탄성기둥(7)의 다른 일부분은 상응하는 상기 제3 기둥모양 오목홈(81) 안에 감입된다. 탄성층(9)으로서, 상기 탄성층(9)은 상기 제2 수지기판(8)의 하부 표면에 설치된다. 외부 내후성 수지층(10)으로서, 상기 외부 내후성 수지층(10)은 상기 탄성층(9)의 하부 표면에 설치된다.
여기에서, 상기 금속기판(1)의 재질은 알루미늄이고, 상기 기둥모양 돌기(14)의 꼭대기면은 원형이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 직경은 2㎝이고, 서로 인접한 기둥모양 돌기(14)의 간격은 4㎜이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 높이는 1.5㎜이다. 상기 절연도료층(2)의 두께는 40㎛이다. 서로 인접한 상기 직사각형 태양전지 셀(3) 사이는 리본을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 직사각형 태양전지 셀(3)의 치수는 10㎜*125㎜이다. 상기 봉지 접착층(4)의 재질은 EVA이다. 상기 제1 수지기판(6)과 상기 제2 수지기판(8)의 재질은 PET이다. 상기 제1 기둥모양 오목홈(61)의 깊이는 0.5㎜이며, 상기 제2 기둥모양 오목홈(62) 및 상기 제3 기둥모양 오목홈(81)의 깊이는 0.4㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 직경은 2㎝이며, 서로 인접한 상기 탄성기둥(7)의 간격은 4㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 높이는 1.5㎜이다. 상기 탄성기둥(7)과 상기 탄성층(9)의 재질은 고무이며, 상기 탄성층(9)의 두께는 0.4㎜이고, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 재질은 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE)이며, 상기 내후성 수지층(10)의 두께는 150㎛이다.
테스트 결과에 따르면, 동일한 규격의 종래 태양전지 컴포넌트에 비해, 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트의 출력은 종래 컴포넌트의 출력에 비해 12% 증가하였다.
실시예 2
본 실시예는 또 다른 태양전지 컴포넌트를 제공하며, 실시예 1과의 차이점은 이하와 같다. 상기 스트립 형상 돌기(11)의 두 경사측면(12)과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면(13)이 이루는 협각은 18°이며, 상기 금속기판(1)의 재질은 구리이고, 상기 기둥모양 돌기(14)의 꼭대기면은 원형이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 직경은 3㎝이고, 서로 인접한 기둥모양 돌기(14)의 간격은 5㎜이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 높이는 2㎜이다. 상기 절연도료층(2)의 두께는 50㎛이다. 상기 제1 수지기판(6)과 상기 제2 수지기판(8)의 재질이은PEN이다. 상기 제1 기둥모양 오목홈(61)의 깊이는 0.8㎜이며, 상기 제2 기둥모양 오목홈(62) 및 상기 제3 기둥모양 오목홈(81)의 깊이는 0.6㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 직경은 3㎝이며, 서로 인접한 상기 탄성기둥(7)의 간격은 5㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 높이는 2㎜이다. 상기 탄성층(9)의 두께는 0.5㎜이고, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 재질은 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF)이며, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 두께는 모두 200㎛이다.
테스트 결과에 따르면, 동일한 규격의 종래 태양전지 컴포넌트에 비해 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트의 출력은 종래 컴포넌트의 출력에 비해 5% 증가하였다.
실시예 3
본 실시예는 또 다른 태양전지 컴포넌트를 제공하며, 실시예 1과의 차이점은 이하와 같다. 상기 스트립 형상 돌기(11)의 두 경사측면(12)과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면(13)이 이루는 협각은 모두 28°이며, 상기 금속기판(1)의 재질은 철이고, 상기 기둥모양 돌기(14)의 꼭대기면은 원형이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 직경은 1㎝이고, 서로 인접한 기둥모양 돌기(14)의 간격은 3㎜이며, 상기 기둥모양 돌기(14)의 높이는 0.5㎜이다. 상기 절연도료층(2)의 두께는 20㎛이다. 상기 제1 수지기판(6)과 상기 제2 수지기판(8)의 재질은 PP이다. 상기 제1 기둥모양 오목홈(61)의 깊이는 0.2㎜이며, 상기 제2 기둥모양 오목홈(62) 및 상기 제3 기둥모양 오목홈(81)의 깊이는 0.15㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 직경은 1㎝이며, 서로 인접한 상기 탄성기둥(7)의 간격은 3㎜이고, 상기 탄성기둥(7)의 높이는 0.5㎜이다. 상기 탄성기둥(7)과 상기 탄성층(9)의 재질은 고무이며, 상기 탄성층(9)의 두께는 0.3㎜이고, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 재질은 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이고, 상기 외부 내후성 수지층(10)의 두께는 모두 100㎛이다.
테스트 결과에 따르면, 동일한 규격의 종래 태양전지 컴포넌트에 비해 본 발명에 따른 태양전지 컴포넌트의 출력은 종래 컴포넌트의 출력에 비해 7% 증가하였다.
이상은 본 발명의 바람직한 실시방식이며, 본 기술분야의 일반적인 기술자라면 본 발명의 원리를 벗어나지 않고서 다수의 개선과 윤색을 가할 수 있을 것이나, 그것들도 본 발명의 보호범위를 벗어나지 않음을 지적해야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 금속기판, 절연도료층, 다수의 직사각형 태양전지 셀, 봉지 접착층, 투명덮개, 제1 수지기판, 다수의 탄성기둥, 제2 수지기판, 탄성층, 외부 내후성 수지층을 포함하되,
    상기 금속기판은, 상기 금속기판의 상부 표면에 순서대로 연결된 다수의 스트립 형상 돌기가 설치되고, 상기 스트립 형상 돌기의 단면은 이등변삼각형이며, 상기 스트립 형상 돌기의 두 경사측면과 상기 스트립 형상 돌기의 바닥면이 이루는 협각은 15° 내지 30°이고, 상기 금속기판의 하부 표면에 배열 형태로 배치된 다수의 기둥모양 돌기가 설치되고;
    상기 절연도료층은, 상기 금속기판의 상부 표면을 완전히 덮고;
    상기 다수의 직사각형 태양전지 셀은, 각각의 상기 스트립 형상 돌기의 각각의 경사측면에 상기 직사각형 태양전지 셀이 모두 설치되고, 상기 직사각형 태양전지 셀의 폭과 상기 스트립 형상 돌기의 상기 경사측면의 폭은 동일하고;
    상기 봉지 접착층은, 상기 직사각형 태양전지 셀과 상기 금속기판의 상부 표면을 완전히 덮고;
    상기 투명덮개는, 상기 봉지 접착층 위에 설치되고;
    상기 제1 수지기판은, 상기 제1 수지기판의 상부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제1 기둥모양 오목홈이 설치되고, 상기 금속기판의 하부 표면의 각각의 기둥모양 돌기의 일부분은 상응하는 상기 제1 기둥모양 오목홈 안에 감입되며, 상기 제1 수지기판의 하부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제2 기둥모양 오목홈이 설치되고;
    상기 다수의 탄성기둥은, 각각의 탄성기둥의 일부분이 상응하는 상기 제2 기둥모양 오목홈 안에 감입되고;
    상기 제2 수지기판은, 상기 제2 수지기판의 상부 표면에 배열 형태로 분포된 다수의 제3 기둥모양 오목홈이 설치되고, 각각의 탄성기둥의 다른 일부분은 상응하는 상기 제3 기둥모양 오목홈 안에 감입되고;
    상기 탄성층은, 상기 제2 수지기판의 하부 표면에 설치되고;
    상기 외부 내후성 수지층은, 상기 탄성층의 하부 표면에 설치되는 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속기판의 재질은 알루미늄, 구리 및 철 중의 하나이고, 상기 기둥모양 돌기의 꼭대기면은 원형이며, 상기 기둥모양 돌기의 직경은 1㎝ 내지 3㎝이고, 서로 인접한 기둥모양 돌기의 간격은 3㎜ 내지 5㎜이며, 상기 기둥모양 돌기의 높이가 0.5㎜ 내지 2㎜인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연도료층의 두께가 20㎛ 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  4. 제1항에 있어서,
    서로 인접한 상기 직사각형 태양전지 셀 사이는 리본을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 직사각형 태양전지 셀의 치수가 10㎜*125㎜인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 봉지 접착층의 재질이 EVA인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지기판과 상기 제2 수지기판의 재질이 PET, PEN, PC, PP, PMMA 중 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기둥모양 오목홈의 깊이는 0.2㎜ 내지 0.8㎜이고, 상기 제2 기둥모양 오목홈 및 상기 제3 기둥모양 오목홈의 깊이는 0.15㎜ 내지 0.6㎜이며, 상기 탄성기둥의 직경은 1㎝ 내지 3㎝, 서로 인접한 상기 탄성기둥의 간격은 3㎜ 내지 5㎜이고, 상기 탄성기둥의 높이가 0.5㎜ 내지 2㎜인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 탄성기둥과 상기 탄성층의 재질은 고무이며, 상기 탄성층의 두께는 0.3㎜ 내지 0.5㎜이고, 상기 외부 내후성 수지층의 재질은 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 불화비닐(polyvinyl fluoride) 또는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층의 두께가 모두 100㎛ 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 컴포넌트.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108376721A (zh) * 2018-04-25 2018-08-07 海门市绣羽工业设计有限公司 一种太阳能电池组件
CN110534600A (zh) * 2019-08-07 2019-12-03 河海大学常州校区 一种提高太阳光利用率光伏组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012124375A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Sony Chemical & Information Device Corp 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2015046440A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 株式会社小糸製作所 太陽電池モジュール
CN206551586U (zh) * 2016-12-26 2017-10-13 浙江龙游展宇有机玻璃有限公司 一种太阳能高强度亚克力板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288337A (en) * 1992-06-25 1994-02-22 Siemens Solar Industries, L.P. Photovoltaic module with specular reflector
US20110253193A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 General Electric Company Deployable solar panel system
CN102969379A (zh) * 2012-11-27 2013-03-13 中国科学院物理研究所嘉兴工程中心 一种锯齿形斜面封装高效光伏组件
CN203165925U (zh) * 2013-03-20 2013-08-28 嘉兴乾和新能源科技有限公司 一种带有箱体结构2d封装的高效光伏组件
US9780719B2 (en) * 2014-08-22 2017-10-03 Solarcity Corporation East-west photovoltaic array with spaced apart photovoltaic modules for improved aerodynamic efficiency
CN108376721A (zh) * 2018-04-25 2018-08-07 海门市绣羽工业设计有限公司 一种太阳能电池组件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012124375A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Sony Chemical & Information Device Corp 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2015046440A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 株式会社小糸製作所 太陽電池モジュール
CN206551586U (zh) * 2016-12-26 2017-10-13 浙江龙游展宇有机玻璃有限公司 一种太阳能高强度亚克力板

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