KR20190118438A - Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same - Google Patents

Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190118438A
KR20190118438A KR1020180041772A KR20180041772A KR20190118438A KR 20190118438 A KR20190118438 A KR 20190118438A KR 1020180041772 A KR1020180041772 A KR 1020180041772A KR 20180041772 A KR20180041772 A KR 20180041772A KR 20190118438 A KR20190118438 A KR 20190118438A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
disposed
substrate
pattern portion
protective
Prior art date
Application number
KR1020180041772A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102568983B1 (en
Inventor
장재준
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020180041772A priority Critical patent/KR102568983B1/en
Publication of KR20190118438A publication Critical patent/KR20190118438A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102568983B1 publication Critical patent/KR102568983B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06K9/00006
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338Input devices, e.g. touch panels
    • H01L27/323
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a fingerprint recognition module, which comprises: a substrate; a conductive pattern unit disposed on the substrate; a protective layer partially disposed in one region on the conductive pattern unit; a first connecting unit disposed on the first conductive pattern unit exposed through a first open area of the protective layer; a first chip disposed on the first connecting unit; and a protective pattern unit disposed on the substrate exposed through the first open region of the protective layer. The first chip includes a fingerprint recognition sensor, and the protective pattern unit is disposed in a vibration space of a fingerprint recognition sensor between an upper surface of the substrate and the first chip.

Description

지문 인식 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스{FINGERPRINT SENSING MODULE AND LECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}Fingerprint recognition module and electronic device including same {FINGERPRINT SENSING MODULE AND LECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 발명은 지문 인식 모듈에 관한 것으로, 특히 벤딩 구조를 가지는 지문 인식 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a fingerprint recognition module, and more particularly, to a fingerprint recognition module having a bending structure and an electronic device including the same.

지문인식센서는 인간의 손가락 지문을 감지하는 센서로서, 최근에는 스마트폰이나 태블릿 컴퓨터 등의 휴대용 전자기기에서 보안성을 강화하기 위한 수단으로 널리 사용되고 있다. 즉, 지문인식센서를 통해 사용자 등록이나 보안 인증 절차를 거치도록 함으로써, 휴대용 전자기기에 저장된 데이터를 보호하고, 보안 사고를 미연에 방지할 수 있다. 일반적으로 스마트폰의 전면 하단에는 홈 키가 마련되어 있다. 홈 키는 스마트폰의 다양한 기능을 원터치 방식으로 구현하여, 사용 편의성을 향상시킨다. 한편, 태블릿 컴퓨터는 전술한 스마트폰과 유사하게 본체의 전면 하단에 홈 키가 마련되어 있다. 이와 같이, 스마트폰 및 태블릿 컴퓨터에서 홈 키는 휴대용 전자기기를 통해 설정된 동작을 구현하도록 해주는데, 일 예로 휴대용 전자기기의 사용 중 홈 키를 누르거나 터치하면 초기 화면으로 복귀하는 것과 같은 편의적인 기능을 제공한다.The fingerprint sensor is a sensor for detecting a human finger fingerprint. Recently, the fingerprint sensor is widely used as a means for reinforcing security in portable electronic devices such as smartphones and tablet computers. That is, by performing a user registration or security authentication process through the fingerprint sensor, it is possible to protect the data stored in the portable electronic device, and to prevent security incidents in advance. In general, the home key is provided at the bottom front of the smartphone. The home key implements various functions of the smartphone in a one-touch manner, thereby improving usability. On the other hand, the tablet computer is provided with a home key in the lower front of the body similar to the above-described smartphone. As such, the home key in a smartphone and a tablet computer allows a user to implement a set operation through a portable electronic device. For example, when the user presses or touches the home key while using the portable electronic device, the home key returns to an initial screen. to provide.

한편, 지문인식모듈은, 기판 위에 지문인식센서와 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)이 장착되는 구조를 갖는다. 그러나, 상기와 같은 지문인식 모듈은 메인보드와 직접 연결될 수 없다. 즉, 상기 지문인식모듈과 상기 메인보드 사이에는 인쇄회로기판이 요구된다.Meanwhile, the fingerprint recognition module has a structure in which a fingerprint recognition sensor and an application specific integrated circuit (ASIC) are mounted on a substrate. However, the fingerprint module as described above cannot be directly connected to the motherboard. That is, a printed circuit board is required between the fingerprint recognition module and the main board.

디스플레이부를 가지는 전자 디바이스는 복수의 인쇄회로기판이 요구됨에 따라, 두께가 증가되는 문제점이 있다. 또한, 복수의 인쇄회로기판의 크기는 전자 디바이스의 소형화에 제약이 될 수 있다. 또한, 복수의 인쇄회로기판의 접합 불량은 전자 디바이스의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. An electronic device having a display unit has a problem that thickness is increased as a plurality of printed circuit boards are required. In addition, the sizes of the plurality of printed circuit boards may be limited to the miniaturization of the electronic device. In addition, poor bonding of a plurality of printed circuit boards can reduce the reliability of the electronic device.

따라서, 이와 같은 문제를 해소할 수 있는 새로운 구조의 지문인식모듈이 요구된다.Therefore, there is a need for a fingerprint recognition module having a new structure that can solve such a problem.

실시 예는 지문인식 센서와 ASIC이 하나의 기판에 실장되면서, 전자 디바이스의 메인보드와 직접 연결될 수 있는 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문인식모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공하고자 한다.Embodiments provide a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for chip-on-film that can be directly connected to a main board of an electronic device while a fingerprint sensor and an ASIC are mounted on one substrate, and an electronic device including the same.

또한, 실시 예는, 지문인식 센서, ASIC 및 메인보드와 연결되는 본딩부 상에서 발생하는 노이즈를 최소화할 수 있는 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문인식모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for chip on film that can minimize the noise generated on the bonding sensor connected to the fingerprint sensor, the ASIC and the main board and an electronic device including the same. do.

또한, 실시 예는 지문인식 센서의 진동 공간 내로 전도성 접착층이 침범하는 것을 방지할 수 있는 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문인식모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for a chip on film that can prevent the conductive adhesive layer from invading into the vibration space of the fingerprint sensor and an electronic device including the same.

또한, 실시 예는 지문인식 센서의 중앙부의 휨 현상이 발생하는 것을 최소화할 수 있는 지문인식모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a fingerprint recognition module and an electronic device including the same that can minimize the bending of the central portion of the fingerprint sensor.

또한, 실시 예는 지문인식 센서의 진동 공간 내에서 발생하는 가스를 외부로 배출할 수 있는 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문인식모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for a chip on film that can discharge the gas generated in the vibration space of the fingerprint sensor to the outside and an electronic device including the same.

제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved in the proposed embodiment are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned above are clear to those skilled in the art to which the proposed embodiments belong from the following description. Can be understood.

실시 예에 따른 지문 인식 모듈은 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전도성 패턴부; 상기 전도성 패턴부 상의 일 영역에 부분적으로 배치되는 보호층; 상기 보호층의 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 제 1 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 1 접속부; 상기 제 1 접속부 위에 배치되는 제 1 칩; 및 상기 보호층의 상기 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 상기 기판 위에 배치되는 보호 패턴부를 포함하고, 상기 제 1 칩은, 지문 인식 센서를 포함하고, 상기 보호 패턴부는, 상기 기판의 상면과 상기 제 1 칩 사이의 상기 지문 인식 센서의 진동 공간 내에 배치된다.A fingerprint recognition module according to an embodiment includes a substrate; A conductive pattern portion disposed on the substrate; A protective layer partially disposed in one region on the conductive pattern portion; A first connecting portion disposed on the first conductive pattern portion exposed through the first open area of the protective layer; A first chip disposed on the first connection portion; And a protective pattern part disposed on the substrate exposed through the first open area of the protective layer, wherein the first chip includes a fingerprint sensor, and the protective pattern part includes an upper surface of the substrate and the first material. It is disposed in the vibration space of the fingerprint recognition sensor between one chip.

또한, 상기 보호 패턴부의 높이는, 상기 제 1 전도성 패턴부의 높이보다 낮다.In addition, the height of the protective pattern portion is lower than the height of the first conductive pattern portion.

또한, 상기 제 1 전도성 패턴부의 높이는, 7㎛ 내지 13㎛ 범위를 만족하고, 상기 보호 패턴부의 높이는, 6㎛ 내지 11㎛ 범위를 만족한다.Further, the height of the first conductive pattern portion satisfies the range of 7 μm to 13 μm, and the height of the protective pattern portion satisfies the range of 6 μm to 11 μm.

또한, 상기 보호 패턴부는, 상기 제 1 전도성 패턴부와 인접하게 배치되고, 상기 진동 공간의 외곽 영역에 배치되는 제 1 보호 패턴부와, 상기 진동 공간의 상기 외곽 영역을 제외한 상기 진동 공간의 중앙 영역에 배치되는 제 2 보호 패턴부를 포함한다.In addition, the protective pattern portion is disposed adjacent to the first conductive pattern portion, the first protective pattern portion disposed in the outer region of the vibration space, and the central region of the vibration space excluding the outer region of the vibration space It includes a second protective pattern portion disposed in the.

또한, 상기 제 1 보호 패턴부의 수평 단면 형상은, 상기 제 2 보호 패턴부의 수평 단면 형상과 다르다.The horizontal cross-sectional shape of the first protective pattern portion is different from the horizontal cross-sectional shape of the second protective pattern portion.

또한, 상기 제 1 보호 패턴부와 상기 제 2 보호 패턴부 사이 영역에서 상기 기판을 관통하며 형성되고, 상기 진동 공간과 연통하는 통공을 더 포함한다.The apparatus may further include a through hole formed in the region between the first protective pattern portion and the second protective pattern portion to communicate with the vibration space.

또한, 상기 보호층의 제 2 오픈 영역을 통해 노출된 제 2 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 2 접속부; 및 상기 제 2 접속부 위에 배치되는 제 2 칩을 더 포함하고, 상기 제 2 칩은, 주문형 집적 회로를 포함한다.In addition, a second connecting portion disposed on the second conductive pattern portion exposed through the second open area of the protective layer; And a second chip disposed on the second connection portion, wherein the second chip includes an application specific integrated circuit.

또한, 상기 기판은, 일단에 위치하고, 상기 제 1 칩이 배치되는 제 1 비절곡 영역과, 상기 일단과 반대되는 타단에 위치하며 상기 제 2 칩이 배치되는 제 2 비절곡 영역과, 상기 제 1 및 2 비절곡 영역 사이에 위치하는 절곡 영역을 포함하고, 상기 제 1 비절곡 영역 및 상기 제 2 비절곡 영역 사이에는 접착층이 배치되며, 상기 제 1 비절곡 영역은, 상기 접착층을 중심으로 상기 제 2 비절곡 영역과 마주보며 배치된다.In addition, the substrate may include a first non-bended region positioned at one end and disposed with the first chip, a second non-bended region positioned at the other end opposite to the one end and disposed with the second chip, and the first And a bending area positioned between the two non-bending areas, wherein an adhesive layer is disposed between the first non-bending area and the second non-bending area, and the first non-bending area is formed around the adhesive layer. 2 are placed facing the non-bent area.

또한, 상기 기판은, 상기 접착층의 상부에 위치하며, 상기 제 1 비절곡 영역과 상기 절곡 영역의 일부를 포함하는 상부 파트와, 상기 접착층의 하부에 위치하며, 상기 제 2 비절곡 영역과 상기 절곡 영역의 나머지 일부를 포함하는 하부 파트를 포함하며, 상기 제 1 칩의 상면 면적 및 상기 상부 파트의 상면 면적의 비율은, 1:2 이하이다.In addition, the substrate may be positioned above the adhesive layer, and may include an upper part including the first non-bended region and a portion of the bent region, a lower part of the adhesive layer, and the second non-bended region and the bent portion. A lower part including the remaining part of the area is included, and the ratio of the upper surface area of the first chip and the upper surface area of the upper part is 1: 2 or less.

또한, 상기 제 1 전도성 패턴부는, 상면에서 하면 방향으로 일정 깊이 함몰되고, 상호 일정 간격 이격되며, 상기 제 1 접속부가 배치되는 복수의 홈을 포함하고, 상기 제 1 전도성 패턴부의 상면은, 중앙을 중심으로 상기 진동 공간을 향하는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역을 제외한 제 2 영역을 포함하고, 상기 제 1 영역에서의 상기 복수의 홈에 의한 제 1 개구율은, 상기 제 2 영역에서의 상기 복수의 홈에 의한 제 2 개구율보다 크다.The first conductive pattern portion may include a plurality of grooves recessed at a predetermined depth from an upper surface thereof in a lower surface direction, spaced apart from each other by a predetermined interval, and having the first connecting portion disposed thereon, and an upper surface of the first conductive pattern portion disposed at a center thereof. A first area | region toward the said vibration space toward a center and a 2nd area | region except the said 1st area are included, The 1st opening ratio by the said some groove | channel in the said 1st area is the said 2nd area | region in the said 2nd area | region Is larger than the second opening ratio due to the groove.

또한, 상기 보호층의 제 3 오픈 영역을 통해 노출된 전도성 패턴부 위에 배치되는 적어도 하나의 제 3 칩을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 제 3 칩은, 다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제 2 오픈 영역과 상기 제 3 오픈 영역의 사이 영역의 간격은, 상기 제 1 오픈 영역과 상기 제 2 오픈 영역의 사이 영역의 간격보다 작다.The semiconductor device may further include at least one third chip disposed on the conductive pattern portion exposed through the third open area of the protective layer, wherein the at least one third chip includes a diode chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip. At least one of the capacitors, wherein the interval between the area between the second open area and the third open area is smaller than the interval between the area between the first open area and the second open area.

한편, 실시 예에 따른 전자 디바이스는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전도성 패턴부; 상기 전도성 패턴부 상의 일 영역에 부분적으로 배치되는 보호층; 상기 보호층의 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 제 1 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 1 접속부; 상기 제 1 접속부 위에 배치되는 제 1 칩; 상기 보호층의 제 2 오픈 영역을 통해 노출된 제 2 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 2 접속부; 상기 제 2 접속부 위에 배치되는 제 2 칩; 및 상기 보호층의 상기 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 상기 기판 위에 배치되는 보호 패턴부를 포함하고, 상기 제 1 칩은, 지문 인식 센서를 포함하고, 상기 제 2 칩은, 주문형 집적 회로를 포함하며, 상기 기판은, 일단에 위치하는 제 1 비절곡 영역과, 상기 일단과 반대되는 타단에 위치하는 제 2 비절곡 영역과, 상기 제 1 및 2 비절곡 영역 사이에 위치하는 절곡 영역을 포함하고, 상기 제 1 오픈 영역은 상기 제 1 비절곡 영역 상에 위치하고, 상기 제 2 오픈 영역은 상기 제 2 비절곡 영역 상에 위치하고, 상기 보호 패턴부는, 상기 기판의 상면과 상기 제 1 칩 사이의 상기 지문 인식 센서의 진동 공간 내에 배치되며, 상기 보호 패턴부의 높이는, 상기 제 1 전도성 패턴부의 높이보다 낮은 지문 인식 모듈; 상기 제 1 칩 상에 부착되는 디스플레이부; 및 상기 지문 인식 모듈의 상기 제 2 비절곡 영역 상에 위치한 전도성 패턴부와 연결되는 메인 보드를 포함한다.On the other hand, an electronic device according to the embodiment includes a substrate; A conductive pattern portion disposed on the substrate; A protective layer partially disposed in one region on the conductive pattern portion; A first connecting portion disposed on the first conductive pattern portion exposed through the first open area of the protective layer; A first chip disposed on the first connection portion; A second connecting portion disposed on the second conductive pattern portion exposed through the second open area of the protective layer; A second chip disposed on the second connection portion; And a protective pattern portion disposed on the substrate exposed through the first open area of the protective layer, wherein the first chip includes a fingerprint sensor, and the second chip includes an application specific integrated circuit; The substrate includes a first non-bent region positioned at one end, a second non-bent region positioned at the other end opposite to the one end, and a bent region positioned between the first and second non-bent regions, The first open area is located on the first non-bent area, the second open area is located on the second non-bent area, and the protective pattern part is the fingerprint between the upper surface of the substrate and the first chip. A fingerprint recognition module disposed in a vibration space of a recognition sensor, wherein a height of the protection pattern portion is lower than a height of the first conductive pattern portion; A display unit attached to the first chip; And a main board connected to the conductive pattern part positioned on the second non-bending area of the fingerprint recognition module.

또한, 상기 디스플레이부는, 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널 상에 위치하는 커버 윈도우를 포함하며, 상기 제 1 칩은 상기 디스플레이 패널의 하면 또는 상기 커버 윈도우 하면에 부착된다.The display unit may further include a display panel; And a cover window positioned on the display panel, wherein the first chip is attached to a bottom surface of the display panel or a bottom surface of the cover window.

본 발명의 실시 예에 따르면, 지문 인식 모듈의 기판으로 2층 구조의 칩 온 필름용 연성회로기판이 적용되며, 이에 따른 파인 피치(Fine pitch) 대응으로 기판 면적을 획기적으로 감소시킬 수 있다. 또한, 실시 예는 폴리이미드 기판을 사용함으로 인해 파인 피치를 구현(라인 / Space = 10 um 이하 / 15 um 이하)할 수 있어 지문 인식 모듈의 크기를 감소시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a flexible circuit board for a chip-on-film having a two-layer structure is applied as a substrate of a fingerprint recognition module, and the substrate area can be significantly reduced in response to a fine pitch. In addition, the embodiment can implement a fine pitch (line / Space = 10um or less / 15um or less) by using a polyimide substrate can reduce the size of the fingerprint recognition module.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 하나의 기판 위에 서로 다른 종류의 제 1 칩, 제 2 칩 및 제 3 칩을 실장할 수 있어 향상된 신뢰성을 가지는 지문 인식 모듈을 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to mount different types of first chip, second chip and third chip on a single substrate to provide a fingerprint recognition module having improved reliability.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 따르면, 지문 센서가 실장되는 이너 리드 패턴부의 높이가 7㎛ 이상으로 형성되도록 함으로써, 상기 지문 센서의 진동 공간을 확보할 수 있으며, 이에 따른 상기 지문 센서의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the height of the inner lead pattern portion on which the fingerprint sensor is mounted is formed to be 7 μm or more, thereby ensuring a vibration space of the fingerprint sensor, and thus operating reliability of the fingerprint sensor. Can improve.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 지문 인식 모듈과 메인보드를 직접 연결할 수 있다. 이에 따라, 지문 인식 모듈을 통해 감지된 신호를 메인보드까지 전달하기 위한 연성 회로기판의 크기 및 두께가 감소될 수 있다. 뿐만 아니라 지문인식용 칩에서 형성된 신호가 메인 보드까지 전달되는 신호 거리를 줄일 수 있어 지문인식을 빠르게 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present disclosure, the fingerprint recognition module and the main board may be directly connected. Accordingly, the size and thickness of the flexible circuit board for transmitting the signal sensed through the fingerprint recognition module to the main board can be reduced. In addition, the signal distance from the signal generated from the fingerprint chip to the main board can be shortened, so that fingerprint recognition can be accelerated.

이에 따라, 실시 예에 따른 지문 인식 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스는 다른 부품의 공간 및/또는 배터리 공간을 확장시킬 수 있다.Accordingly, the fingerprint recognition module and the electronic device including the same may expand the space of another component and / or the battery space.

또한, 복수의 인쇄회로기판의 연결이 요구되지 않으므로, 공정의 편의성 및 전기적인 연결의 신뢰성이 향상될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 지문 인식 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스는 고해상도의 디스플레이부를 가지는 전자디바이스에 적합할 수 있다.In addition, since the connection of the plurality of printed circuit boards is not required, the convenience of the process and the reliability of the electrical connection may be improved. Accordingly, the fingerprint recognition module and the electronic device including the same according to the embodiment may be suitable for an electronic device having a high resolution display unit.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 제 1 칩과 제 2 칩의 주변에 사이드 몰딩부를 추가함으로써, 침습이나 충격으로부터 상기 제 1 칩과 제 2 칩을 보호할 수 있으며, 이에 따른 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by adding a side molding portion around the first chip and the second chip, it is possible to protect the first chip and the second chip from invasion or impact, thereby improving operation reliability Can be improved.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 벤딩 라인을 중심으로, 제 1 칩 및 제 2 칩까지의 각각의 거리가 최소 1.6mm가 되도록 한다. 따라서, 지문 인식 모듈의 벤딩 시에, 벤딩 외력에 의한 본딩부의 크랙을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the distance between the first chip and the second chip centered on the bending line is at least 1.6 mm. Therefore, when bending the fingerprint recognition module, it is possible to prevent cracking of the bonding part due to the bending external force.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 제 2 칩과 제 3 칩 사이의 거리를 최대한 가깝게 하면서, 최소 1.0mm 이상이 되도록 한다. 따라서, 상기 제 2 칩과 제 3 칩의 거리가 멀어짐에 따라 발생하는 신호 손실을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 제 2 칩과 제 3 칩의 거리가 상기 1.0mm보다 가까워짐에 따라 발생하는 제 3 칩의 위치 틀어짐 현상을 방지할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the distance between the second chip and the third chip as close as possible, so as to be at least 1.0mm. Therefore, the signal loss caused by the distance between the second chip and the third chip can be minimized. In addition, the position shift of the third chip, which occurs as the distance between the second chip and the third chip is closer than 1.0 mm, can be prevented.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 지문 인식 모듈을 구성하는 연성 회로 기판이 벤딩 구조를 가지도록 한다. 이에 따라, 상기 지문 인식 모듈이 가지는 전체 길이를 감소할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the flexible circuit board constituting the fingerprint recognition module has a bending structure. Accordingly, the total length of the fingerprint recognition module can be reduced.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는 제 1 칩(C1)이 배치되는 이너 리드 패턴부 상에, 상기 이너 리드 패턴부의 두께 방향으로 함몰된 복수의 홈을 형성한다. 상기 홈은, 상기 이너 리드 패턴부 상에 상기 제 1 칩(C1)의 실장을 위해 형성되는 접속부에 의해 채워지게 된다. 즉, 상기 접속부는 상기 제 1 칩(C1)의 실장 과정에서, 진동 공간에 해당하는 유효부 내로 침투할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 침투하는 접속부의 일부가 상기 홈 내를 채울 수 있도록 한다. 이에 따르면, 상기 접속부가 상기 유효부 내로 침투함에 따라 발생하는 동작 신뢰성 문제를 해결할 수 있다.In addition, in the embodiment according to the present invention, a plurality of grooves recessed in the thickness direction of the inner lead pattern portion are formed on the inner lead pattern portion on which the first chip C1 is disposed. The groove is filled by a connection portion formed for mounting the first chip C1 on the inner lead pattern portion. That is, the connection part may penetrate into the effective part corresponding to the vibration space during the mounting process of the first chip C1. Therefore, in the present invention, a part of the penetrating connection portion can fill the inside of the groove. According to this, it is possible to solve the operation reliability problem that occurs as the connection portion penetrates into the effective portion.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는, 상기 제 1 칩(C1)의 진동 공간에 대응하는 기판의 상면에 상기 이너 리드 패턴부의 높이보다는 낮은 높이의 보호 패턴부를 형성한다. 상기 보호 패턴부의 상면과 상기 제 1 칩(C1)의 하면 사이에는 일정 이격 공간이 존재한다. 그리고, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 이격 공간 내에서 진동하여 동작할 수 있다. 또한, 상기 보호 패턴부는 상기 제 1 칩(C1)이 하부 방향으로 심하게 진동하는 것을 방지하여, 상기 제 1 칩(C1)의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 접속부에 의해 이너리드 패턴부 위에 실장되며, 이에 따라 외곽 영역은 상기 이너리드 패턴부에 의해 지지될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역은 기판 상에 부유(floating)된 상태로 위치하게 된다. 이때, 상기 보호 패턴부는 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역이 상기 외곽 영역 대비 아래로 처지는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따른 상기 제 1 칩(C1)의 휨 현상을 최소화할 수 있다. In addition, according to the embodiment of the present invention, a protective pattern portion having a height lower than that of the inner lead pattern portion is formed on the upper surface of the substrate corresponding to the vibration space of the first chip C1. A predetermined space exists between the upper surface of the protective pattern portion and the lower surface of the first chip C1. In addition, the first chip C1 may operate by vibrating in the separation space. In addition, the protective pattern part may prevent the first chip C1 from vibrating violently in the downward direction, thereby improving the operational reliability of the first chip C1. On the other hand, the first chip (C1) is mounted on the inner lead pattern portion by the connection portion, the outer region can be supported by the inner lead pattern portion. Alternatively, the central region of the first chip C1 is positioned in a floating state on the substrate. In this case, the protective pattern part may prevent the central area of the first chip C1 from sagging below the outer area, thereby minimizing the warpage of the first chip C1.

한편, 상기 보호 패턴부는 상기 유효부의 중앙 영역에 배치되는 제 2 보호 패턴부와, 상기 제 2 보호 패턴부를 둘러싸며 상기 유효부의 외곽 영역에 배치되는 제 1 보호 패턴부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 보호 패턴부와 제 2 보호 패턴부는 서로 다른 형상 또는 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 보호 패턴부는 상기 설명한 바와 같이 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역의 처짐을 방지하는 기능을 할 수 있다. 또한, 상기 제 1 보호 패턴부는 상기 접속부가 상기 유효부 내로 침투하는 것을 추가로 방지할 수 있다. The protective pattern part may include a second protective pattern part disposed in a central area of the effective part, and a first protective pattern part surrounding the second protective pattern part and disposed in an outer area of the effective part. In this case, the first protective pattern portion and the second protective pattern portion may have different shapes or different sizes. As described above, the second protective pattern portion may function to prevent sagging of the central region of the first chip C1. In addition, the first protective pattern part may further prevent the connection part from penetrating into the effective part.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는, 제 1 칩과 제 2 칩의 사이 영역과 마주보는 기판의 하면, 제 2 칩이 실장 영역과 마주보는 기판의 하면, 메인보드와 연결되는 아우터 리드 패턴부와 마주보는 기판의 하면 상에 그라운드 패턴을 형성한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 상기 제 1 칩과 제 2 칩 사이 영역에서 발생하는 전자 방해 잡음을 차폐할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 실시 예에의하면 상기 제 2 칩에서 발생하는 전자 방해 잡음을 차폐할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 지문 인식 모듈과 메인 보드 사이에서 발생하는 전자 방해 잡음을 차폐할 수 있다. 한편, 상기 그라운드 패턴은 메쉬 형상을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, 그라운드 패턴에서의 선저항(linear resistance)을 증가를 최소화할 수 있으며, 이의 도금 시에 발생하는 다른 전도성 패턴의 선폭의 증가를 최소화할 수 있다.In addition, in an embodiment according to the present invention, an outer lead pattern portion connected to a main board and a lower surface of a substrate facing the area between the first chip and the second chip, a lower surface of the substrate facing the mounting area, and the second chip; A ground pattern is formed on the bottom surface of the opposing substrate. Accordingly, according to the embodiment of the present invention, it is possible to shield the electromagnetic interference noise generated in the region between the first chip and the second chip. In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to shield the electromagnetic interference noise generated in the second chip. In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to shield the electromagnetic interference noise generated between the fingerprint recognition module and the main board. On the other hand, the ground pattern has a mesh shape. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the increase in linear resistance in the ground pattern, and to minimize the increase in the line width of other conductive patterns generated during plating thereof.

또한, 본 발명에 따른 실시 예서는, 기판, 전도성 패턴부, 보호층 및 접착층 상에 상기 제 1 칩의 진동 공간과 연통하는 가스 배출구를 형성한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 상기 진동 공간 내에 존재하는 가스에 의해 기판이 팽창하는 문제나, 동작 신뢰성이 저하되는 문제를 해결할 수 있다.In addition, the embodiment according to the present invention forms a gas outlet communicating with the vibration space of the first chip on the substrate, the conductive pattern portion, the protective layer and the adhesive layer. Accordingly, according to the embodiment of the present invention, it is possible to solve the problem that the substrate expands due to the gas present in the vibration space and the problem that the operation reliability is lowered.

도 1a는 기존의 인쇄회로기판을 포함하는 디스플레이부를 구비한 전자디바이스의 단면도이다.
도 1b는 도 1a에 따른 인쇄회로기판의 평면도이다.
도 2a는 실시예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 디스플레이부를 구비한 전자디바이스의 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 따른 지문 인식 모듈의 칩 온 필름용 연성 회로기판이 절곡된 형태에서의 단면도이다.
도 2c는 도 2a에 따른 지문 인식 모듈의 칩 온 필름용 연성 회로기판이 절곡된 형태에서의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 실시 예에 따른 지문 인식 모듈의 연성 회로 기판을 나타낸 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 연성 회로 기판을 포함하는 지문 인식 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 4a는 도 3a에서 제 1 칩이 실장되는 영역을 확대한 도면이다.
도 4b는 도 4의 홈의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3b의 A 부분의 확대 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시 예에 따른 보호 패턴부를 나타낸 평면도이다.
도 7a는 도 3b의 지문 인식 모듈의 절곡 형태를 보여주는 도면이다.
도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 절곡 전의 지문 인식 모듈 및 절곡 후의 지문 인식 모듈의 평면도이다.
도 8은 도 7a의 접착층의 평면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 또 다른 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문 인식 모듈의 또 다른 단면도이다.
도 11은 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 일 영역을 확대한 단면도이다.
도 12a는 실시 예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 전자 디바이스의 단면도이다.
도 12b는 실시 예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 전자 디바이스의 다른 단면도이다.
도 12c는 실시 예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 전자 디바이스의 또 다른 단면도이다.
도 13은 내지 도 17은 지문 인식 모듈을 포함하는 다양한 전자 디바이스의 도면들이다.
1A is a cross-sectional view of an electronic device having a display unit including a conventional printed circuit board.
1B is a plan view of the printed circuit board of FIG. 1A.
2A is a cross-sectional view of an electronic device having a display unit including a fingerprint recognition module according to an embodiment.
FIG. 2B is a cross-sectional view of the flexible circuit board for chip on film of the fingerprint recognition module according to FIG.
FIG. 2C is a plan view of the flexible circuit board for chip on film of the fingerprint recognition module according to FIG.
3A is a cross-sectional view illustrating a flexible circuit board of a fingerprint recognition module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a fingerprint recognition module including the flexible circuit board of FIG. 3A.
FIG. 4A is an enlarged view of a region in which the first chip is mounted in FIG. 3A.
4B is a view illustrating a modified example of the groove of FIG. 4.
5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3B.
6A to 6D are plan views illustrating a protection pattern unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 7A illustrates a bent form of the fingerprint recognition module of FIG. 3B.
7B is a plan view illustrating a fingerprint recognition module before bending and a fingerprint recognition module after bending according to an embodiment of the present disclosure.
8 is a plan view of the adhesive layer of FIG. 7A.
9 is another cross-sectional view of a flexible circuit board for a chip on film according to an embodiment.
10 is another cross-sectional view of a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for on film according to an embodiment.
11 is an enlarged cross-sectional view of a region of a flexible circuit board for a chip on film according to an embodiment.
12A is a cross-sectional view of an electronic device including a fingerprint recognition module according to an embodiment.
12B is another cross-sectional view of an electronic device including a fingerprint recognition module according to an embodiment.
12C is another cross-sectional view of an electronic device including a fingerprint recognition module according to an embodiment.
13 through 17 are diagrams of various electronic devices including a fingerprint recognition module.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. In addition, when a part is "connected" with another part, this includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "indirectly connected" with the other member in between. In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1b를 참조하여, 비교 예에 따른 인쇄회로기판을 설명한다. 1A to 1B, a printed circuit board according to a comparative example will be described.

디스플레이부를 가지는 전자 디바이스는 지문 인식 기능을 구현하기 위해서, 메인보드(40) 이외에 적어도 2개의 기판이 요구된다. An electronic device having a display unit requires at least two substrates in addition to the main board 40 to implement a fingerprint recognition function.

비교 예에 따른 디스플레이부를 포함하는 전자 디바이스에 포함되는 기판은 적어도 2개일 수 있다.At least two substrates may be included in the electronic device including the display unit according to the comparative example.

비교 예에 따른 디스플레이부를 포함하는 전자 디바이스는 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20)을 포함할 수 있다.An electronic device including a display unit according to a comparative example may include a first substrate 10 and a second substrate 20.

상기 제 1 기판(10)은 연성 인쇄회로기판(FPCB, Flexible Printed Circuit Board) 또는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 사용하였다. As the first substrate 10, a flexible printed circuit board (FPCB) or a silicon wafer was used.

상기 제 2 기판(20)은 연성 인쇄회로기판(FPCB, Flexible Printed Circuit Board)을 사용하였다. As the second substrate 20, a flexible printed circuit board (FPCB) was used.

비교 예에 따른 디스플레이부를 구비한 전자 디바이스는 디스플레이 패널과 메인보드 사이에 제 1 및 제 2 기판이 요구되기 때문에, 전자 디바이스의 전체적인 두께가 증가할 수 있다. 자세하게, 비교 예에 따른 디스플레이부를 구비한 전자 디바이스는 상, 하로 적층되는 제 1 및 제 2 기판이 요구되기 때문에, 전자 디바이스의 전체적인 두께가 증가할 수 있다.In the electronic device having the display unit according to the comparative example, since the first and second substrates are required between the display panel and the main board, the overall thickness of the electronic device may increase. In detail, since the electronic device having the display unit according to the comparative example requires the first and second substrates to be stacked up and down, the overall thickness of the electronic device may increase.

상기 제 1 기판(10) 및 상기 제 2 기판(20)은 서로 다른 공정으로 형성되었다. 예를 들어, 상기 제 1 기판(10)은 일반적인 적층 공정에 의해서 제조되고, 상기 제 2 기판(20)은 시트(sheet) 방식으로 제조되고 있다. The first substrate 10 and the second substrate 20 are formed by different processes. For example, the first substrate 10 is manufactured by a general lamination process, and the second substrate 20 is manufactured by a sheet method.

비교 예에 따른 제 1 및 제 2 기판은 각각 서로 다른 공정으로 형성되므로, 공정 효율이 저하될 수 있다. Since the first and second substrates according to the comparative example are formed in different processes, the process efficiency may be reduced.

또한, 비교 예에 따른 기판을 포함하는 칩 패키지는 서로 다른 종류의 칩을 하나의 기판 상에 배치하는 공정의 난이성이 있으므로, 별도의 제 1 및 제 2 기판이 요구된다. In addition, since a chip package including a substrate according to a comparative example has a difficulty in disposing different types of chips on one substrate, separate first and second substrates are required.

또한, 비교 예에 따른 기판을 포함하는 칩 패키지는 서로 다른 종류의 칩을 하나의 기판상에서 접속시키기 어려운 문제점이 있다. In addition, the chip package including the substrate according to the comparative example has a problem that it is difficult to connect different types of chips on one substrate.

디스플레이 패널(30)의 상부에 접근한 객체로부터 지문을 인식하여 처리 또는 전달하기 위하여 제 1 기판(10)은 제 2 기판(20)과 연결되고, 제 2 기판(20)은 메인보드(40)에 연결된다. The first substrate 10 is connected to the second substrate 20, and the second substrate 20 is connected to the main board 40 so as to recognize and process or transfer a fingerprint from an object approaching the upper portion of the display panel 30. Is connected to.

비교 예에 따른 디스플레이부를 구비한 전자 디바이스는 커버 윈도우(70)와 상기 제 1 기판(10)의 사이, 상기 제 1 기판(10)과 상기 제 2 기판(20)의 사이, 상기 제 2 기판(20)과 상기 메인보드(40)의 사이에 각각 별도의 접착층(50)이 요구될 수 있다. 즉, 비교 예에 따른 디스플레이부를 구비한 전자 디바이스는 다수 개의 접착층이 요구되므로, 접착층의 연결불량으로 인하여 전자 디바이스의 신뢰성이 저하될 수 있는 문제점을 가진다. 또한, 상, 하로 연결되는 상기 제 1 기판(10) 및 상기 제 2 기판(20)의 사이에 배치되는 접착층은 전자 디바이스의 두께를 증가시킬 수 있다. An electronic device having a display unit according to a comparative example may include a cover window 70 and the first substrate 10, between the first substrate 10 and the second substrate 20, and the second substrate ( A separate adhesive layer 50 may be required between the 20 and the main board 40. That is, since the electronic device having the display unit according to the comparative example requires a plurality of adhesive layers, there is a problem that the reliability of the electronic device may be degraded due to the poor connection of the adhesive layers. In addition, an adhesive layer disposed between the first substrate 10 and the second substrate 20 connected up and down may increase the thickness of the electronic device.

도 1b를 참조하면, 비교 예는 복수의 기판이 요구되므로, 일 방향에서의 길이(L1)는 각각의 상기 제 1 기판(10) 및 상기 제 2 기판(20)의 길이의 합이다. 통상 길이(L1)는 300mm 정도이다. 비교 예에 따른 전자 디바이스는 복수의 기판이 요구됨에 따라, 다른 부품을 실장하기 위한 공간 또는 배터리(60)를 배치하기 위한 공간이 축소될 수 있다. 또한, 디스플레이부 외부에 지문인식 부품이 실장됨으로 전체 디바이스의 크기가 커져야 하는 문제가 있다.Referring to FIG. 1B, since a plurality of substrates are required in the comparative example, the length L1 in one direction is the sum of the lengths of the first substrate 10 and the second substrate 20, respectively. Normally, the length L1 is about 300 mm. As the electronic device according to the comparative example requires a plurality of substrates, a space for mounting another component or a space for arranging the battery 60 may be reduced. In addition, since the fingerprint recognition component is mounted outside the display unit, there is a problem that the size of the entire device must be increased.

최근 스마트폰과 같은 전자 디바이스는 사용자의 편의성 내지 보안을 강화하기 위하여 다양한 기능을 가지는 부품이 추가되고 있다. 예를 들어, 스마트 폰, 스마트 워치 등의 전자 디바이스에는 여러 개의 카메라 모듈(듀얼 카메라 모듈, dual camera module)이 탑재되거나, 홍채 인식, 가상현실(VR, Virtual Reality)과 같은 다양한 기능을 가지는 부품이 추가되고 있다. 이에 따라, 추가되는 부품을 실장하기 위한 공간의 확보가 중요하다.Recently, electronic devices such as smart phones have been added with components having various functions to enhance user convenience and security. For example, an electronic device such as a smart phone or a smart watch may be equipped with several camera modules (dual camera module) or parts having various functions such as iris recognition and virtual reality (VR). Being added. Accordingly, it is important to secure space for mounting additional components.

또한, 웨어러블 디바이스를 비롯한 다양한 전자 디바이스는 사용자의 편의성 향상을 위해서, 배터리 공간의 확대가 요구된다. In addition, various electronic devices including wearable devices require expansion of battery space in order to improve user convenience.

따라서, 기존의 전자 디바이스에 사용된 복수의 인쇄회로기판을 하나의 인쇄회로기판으로 대체함에 따라, 새로운 부품을 실장하기 위한 공간 확보 또는 배터리 크기의 확대를 위한 공간 확보의 중요성이 대두된다. Therefore, as a plurality of printed circuit boards used in existing electronic devices are replaced with a single printed circuit board, the importance of securing a space for mounting a new component or securing a space for expanding a battery size is increasing.

비교 예에 따른 전자 디바이스는 서로 다른 종류의 제 1 칩, 제 2 칩 및 제 3 칩이 각각 별도의 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(30)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(30)의 사이의 접착층(50)의 두께 및 상기 제 2 기판(30)의 두께는 전자 디바이스의 두께를 증가시키는 문제점이 있었다. In an electronic device according to a comparative example, different types of first, second, and third chips may be disposed on separate first and second substrates 10 and 30, respectively. Accordingly, the thickness of the adhesive layer 50 and the thickness of the second substrate 30 between the first substrate 10 and the second substrate 30 have a problem of increasing the thickness of the electronic device.

또한, 상기 제 2 기판(30)의 크기만큼 배터리 공간 내지 다른 부품을 실장하기 위한 공간이 축소되는 문제점이 있었다. In addition, there is a problem in that a space for mounting a battery space or another component is reduced by the size of the second substrate 30.

또한, 제 1 및 제 2 기판의 접합불량은 전자 디바이스의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다. In addition, poor bonding between the first and second substrates has a problem of lowering the reliability of the electronic device.

실시 예는 이러한 문제점을 해소하기 위해서, 복수의 칩을 하나의 기판에 실장할 수 있는 새로운 구조의 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문 인식 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for chip-on-film having a new structure capable of mounting a plurality of chips on one substrate, and an electronic device including the same.

실시 예와 비교 예의 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 나타내며, 앞서 설명한 비교 예와 중복되는 설명은 제외한다.Like reference numerals in the embodiments and the comparative examples denote the same components, and descriptions overlapping with the comparative examples described above are omitted.

도 2a 내지 도 2c를 참조하여, 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문 인식 모듈이 장착된 전자 디바이스를 설명한다. 2A to 2C, an electronic device equipped with a fingerprint recognition module including a flexible circuit board for a chip on film according to an embodiment will be described.

실시 예에 따른 전자 디바이스는 디스플레이 패널의 일측에 접근한 객체로부터 획득한 지문 인식 신호를 메인보드까지 전달하기 위해서 하나의 인쇄회로기판을 사용할 수 있다. The electronic device according to the embodiment may use a single printed circuit board to transfer a fingerprint recognition signal obtained from an object approaching one side of the display panel to the main board.

실시 예에 따른 디스플레이부를 포함하는 전자 디바이스에 포함되는 인쇄회로 기판은 하나의 연성 인쇄회로기판일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 서로 대향되는 디스플레이부와 메인보드 사이에서 절곡(bending)되어 디스플레이부 및 메인보드와 연결될 수 있다. The printed circuit board included in the electronic device including the display unit according to the embodiment may be one flexible printed circuit board. Accordingly, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be bent between the display unit and the main board facing each other and be connected to the display unit and the main board. Can be.

자세하게, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 서로 다른 종류의 복수 개의 칩을 배치하기 위한 하나의 기판일 수 있다. In detail, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be one substrate for arranging a plurality of chips of different types.

실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 서로 다른 종류의 제 1 칩(c1), 제 2 칩(c2) 및 제 3 칩(c3)을 배치하기 위한 기판일 수 있다. The fingerprint recognition module 100 including a flexible circuit board for a chip on film according to an embodiment may include different types of first chips c1, second chips c2, and third chips c3. It may be a substrate for placement.

실시 예에 따른 지문 인식용 모듈(100)의 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 두께(t2)는 절곡(bending)되기 이전에 20㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 절곡(bending) 전의 두께(t2)는 30㎛ 내지 80㎛일 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 절곡 전의 두께(t2)는 70㎛ 내지 75㎛일 수 있다.The thickness t2 of the flexible circuit board for the chip on film of the fingerprint recognition module 100 according to the embodiment may be 20 μm to 100 μm before bending. For example, the thickness t2 before bending of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 30 μm to 80 μm. For example, the thickness t2 before bending of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 70 μm to 75 μm.

실시 예에 따른 지문 인식 모듈(100)의 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 절곡 전의 두께(t2)는 비교 예에 따른 복수의 기판의 총 두께(t1)의 1/5 내지 1/2 수준의 두께를 가질 수 있다. 즉, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 절곡 전의 두께(t2)는 비교 예에 따른 복수의 기판의 두께(t1)의 20% 내지 50%의 수준의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 절곡(bending) 전의 두께(t2)는 비교 예에 따른 복수의 기판의 두께(t1)의 25% 내지 40%의 수준의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 절곡(bending) 전의 두께(t2)는 비교 예에 따른 복수의 기판의 두께(t1)의 25% 내지 35%의 수준의 두께를 가질 수 있다.The thickness t2 before bending of the flexible circuit board for the chip on film of the fingerprint recognition module 100 according to the embodiment is 1/5 to 1 of the total thickness t1 of the plurality of substrates according to the comparative example. It may have a thickness of 1/2 level. That is, the thickness t2 before bending of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may have a thickness of 20% to 50% of the thickness t1 of the plurality of substrates according to the comparative example. Can be. For example, the thickness t2 before bending of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment is 25% to 40% of the thickness t1 of the plurality of substrates according to the comparative example. Can have a level thickness. For example, the thickness t2 before bending of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 25% to 35% of the thickness t1 of the plurality of substrates according to the comparative example. Can have a level thickness.

실시 예에 따른 디스플레이부를 구비한 전자 디바이스는 디스플레이 패널과 메인보드 사이에 오직 하나의 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판이 요구되기 때문에, 전자 디바이스의 전체적인 두께를 감소시킬 수 있다. The electronic device having the display unit according to the embodiment can reduce the overall thickness of the electronic device because only one flexible circuit board for a chip on film is required between the display panel and the main board.

또한, 실시 예는 비교 예에 포함된 제 1 기판 및 제 2 기판 사이의 접착층(50)을 생략할 수 있어, 칩 온 필름용 연성회로기판을 포함하는 칩 패키지 및 이를 포함하는 전자 디바이스의 전체적인 두께를 감소시킬 수 있다. In addition, the embodiment may omit the adhesive layer 50 between the first substrate and the second substrate included in the comparative example, the overall thickness of the chip package and the electronic device including the flexible circuit board for chip on film Can be reduced.

또한, 실시 예는 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 접착층(50)을 생략할 수 있어, 접착 불량에 의한 문제점을 해소할 수 있으므로, 전자 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, the embodiment may omit the adhesive layer 50 between the first substrate and the second substrate, thereby solving the problem caused by poor adhesion, thereby improving the reliability of the electronic device.

또한, 복수 개의 기판의 접착 공정을 생략할 수 있어, 공정 효율이 증가되고, 공정 비용이 저감될 수 있다. In addition, the bonding process of the plurality of substrates can be omitted, so that the process efficiency can be increased and the process cost can be reduced.

또한, 별도의 공정으로 관리되었던 기판을 하나의 공정으로 대체함에 따라, 공정 효율 및 제품 수율을 향상시킬 수 있다. In addition, by replacing the substrate that was managed in a separate process with one process, it is possible to improve the process efficiency and product yield.

실시 예에 따른 지문 인식 모듈(100)의 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판은 절곡 영역 및 비절곡 영역을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 절곡 영역을 포함함에 따라, 서로 마주보며 배치되는 상기 디스플레이 패널(30) 및 상기 메인보드(40) 사이에 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)이 배치될 수 있다.The flexible circuit board for the chip on film of the fingerprint recognition module 100 according to the embodiment may include a bent region and a non-bent region. The fingerprint recognition module 100 including a flexible circuit board for a chip on film according to an embodiment includes a bent region, and thus the display panel 30 and the main board 40 are disposed to face each other. A fingerprint recognition module 100 including a flexible circuit board for a chip on film may be disposed therebetween.

실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 비절곡(non-bending) 영역은 디스플레이 패널(30)과 서로 마주보며 배치될 수 있다. 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 비절곡 영역 상에는 제 1 칩(C1)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 상기 제 1 칩(c1)의 안정적인 실장이 가능할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 비절곡 영역 상에는 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 상기 제 2 칩(c2) 및 제 3 칩(C3)의 안정적인 실장이 가능할 수 있다. Non-bending areas of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for a chip on film according to the embodiment may be disposed to face the display panel 30. The first chip C1 may be disposed on the non-bending region of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment. Accordingly, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be capable of stably mounting the first chip c1. In addition, the second chip C2 and the third chip C3 may be disposed on the non-bended region of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment. Accordingly, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be capable of stably mounting the second chip c2 and the third chip C3.

도 2c는 도 2b의 하면에서의 평면도이다. FIG. 2C is a plan view from the bottom of FIG. 2B.

도 2c를 참조하면, 실시 예는 하나의 기판이 요구되므로, 일 방향에서의 길이(L2)는 하나의 기판의 길이일 수 있다. 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 일 방향에서의 길이(L2)는 실시예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 길이일 수 있다. 일례로, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 일 방향에서의 길이(L2)는 10㎜ 내지 50㎜일 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 일 방향에서의 길이(L2)는 5㎜ 내지 30㎜ 일 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 일 방향에서의 길이(L2)는 7㎜ 내지 25㎜일 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 일 방향에서의 길이(L2)는 10㎜ 내지 15㎜일 수 있다. Referring to FIG. 2C, since one embodiment requires one substrate, the length L2 in one direction may be the length of one substrate. The length L2 in one direction of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment is a flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment. It may be the length of the fingerprint recognition module 100 including. For example, the length L2 in one direction of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 10 mm to 50 mm. For example, the length L2 in one direction of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 5 mm to 30 mm. For example, the length L2 in one direction of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 7 mm to 25 mm. For example, the length L2 in one direction of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be 10 mm to 15 mm.

다만, 실시 예가 이에 제한되는 것은 아니며, 배치하기 위한 칩의 종류 및/또는 개수, 전자 디바이스의 종류에 따라 다양한 크기로 설계될 수 있음은 물론이다.However, the embodiment is not limited thereto and may be designed in various sizes according to the type and / or number of chips to be arranged and the type of electronic device.

또한, 별도의 지문인식용 공간이 필요 없고, 디스플레이부와 중첩되도록 형성됨으로 전체 디바이스에서 디스플레이 영역을 넓게 사용할 수 있어 사용자 편의성을 높일 수 있다.In addition, a separate fingerprint recognition space is not required, and the display area can be widely used in the entire device because it is formed to overlap the display unit, thereby increasing user convenience.

실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 일 방향에서의 길이(L2)는 비교 예에 따른 기판의 일 방향에서의 길이(L1)의 10% 내지 70% 수준의 길이를 가질 수 있다. The length L2 in one direction of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for a chip on film according to the embodiment is 10 of the length L1 in one direction of the substrate according to the comparative example. It may have a length in the range of% to 70%.

이에 따라, 실시 예는 전자 디바이스 내의 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 크기가 감소될 수 있고, 비교 예의 별도의 지문인식용 공간이 필요했던 것을 제거함으로 인해 전체 디스플레이 영역을 확대할 수 있을 뿐만 아니라, 배터리(60)를 배치하기 위한 공간이 확대될 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 평면적이 감소될 수 있어, 다른 부품을 탑재시키기 위한 공간 확보가 가능할 수 있다. Accordingly, the embodiment can reduce the size of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for a chip on film in the electronic device, eliminating the need for a separate fingerprint recognition space of the comparative example As a result, not only can the entire display area be enlarged, but also the space for disposing the battery 60 can be enlarged. In addition, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be reduced in planarity, thereby securing space for mounting other components.

이하에서는, 도 3 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 연성 회로 기판 및 이를 포함하는 지문 인식 모듈에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a flexible circuit board and a fingerprint recognition module including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 12.

도 3a는 본 발명의 실시 예에 따른 지문 인식 모듈의 연성 회로 기판을 나타낸 단면도이고, 도 3b는 도 3a의 연성 회로 기판을 포함하는 지문 인식 모듈을 나타낸 단면도이고, 도 4a는 도 3a에서 제 1 칩이 실장되는 영역을 확대한 도면이고, 도 4b는 도 4의 홈의 변형 예를 나타낸 도면이며, 도 5는 도 3b의 A 부분의 확대 도면이고, 도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시 예에 따른 보호 패턴부를 나타낸 평면도이며, 도 7a는 도 3b의 지문 인식 모듈의 절곡 형태를 보여주는 도면이고, 도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 절곡 전의 지문 인식 모듈 및 절곡 후의 지문 인식 모듈의 평면도이며, 도 8은 도 7a의 접착층의 평면도이고, 도 9는 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 또 다른 단면도이며, 도 10은 실시 예에 따른 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문 인식 모듈의 또 다른 단면도이고, 도 11은 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 일 영역을 확대한 단면도이며, 도 12a는 실시 예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 전자 디바이스의 단면도이고, 도 12b는 실시 예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 전자 디바이스의 다른 단면도이며, 도 12c는 실시 예에 따른 지문 인식 모듈을 포함하는 전자 디바이스의 또 다른 단면도이다.3A is a cross-sectional view illustrating a flexible circuit board of a fingerprint recognition module according to an embodiment of the present invention, FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a fingerprint recognition module including the flexible circuit board of FIG. 3A, and FIG. 4A is a first view in FIG. 3A. 4B is an enlarged view showing an area where a chip is mounted, FIG. 4B is a view illustrating a modified example of the groove of FIG. 4, FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3B, and FIGS. 7A is a plan view illustrating a bent form of the fingerprint recognition module of FIG. 3B, and FIG. 7B is a plan view of a fingerprint recognition module before bending and a fingerprint recognition module after bending according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a plan view of the adhesive layer of FIG. 7A, and FIG. 9 is another cross-sectional view of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment, and FIG. 10 is a fingerprint including the flexible circuit board for the on film according to the embodiment. 11 is an enlarged cross-sectional view of a region of a flexible circuit board for a chip on film according to an embodiment, and FIG. 12A is a cross-sectional view of an electronic device including a fingerprint recognition module according to an embodiment. 12B is another cross-sectional view of an electronic device including a fingerprint recognition module according to an embodiment, and FIG. 12C is another cross-sectional view of an electronic device including a fingerprint recognition module according to an embodiment.

실시 예에 따른 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판은 기판(110), 상기 기판(110) 상에 배치되는 배선 패턴층(120), 도금층(130), 보호 패턴부(190 및 보호층(140)을 포함할 수 있다.In the flexible circuit board for a chip on film according to the embodiment, the substrate 110, the wiring pattern layer 120, the plating layer 130, and the protection pattern portion 190 disposed on the substrate 110 may be protected. It may include layer 140.

여기에서, 칩 온 필름(All in one chip on film)용 연성 회로기판은 지문 인식 모듈(100)을 구성하는 제 1 칩(C1), 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3)이 실장되기 전의 기판이다.Herein, in the flexible circuit board for an all-in-one chip on film, the first chip C1, the second chip C2, and the third chip C3 constituting the fingerprint recognition module 100 are mounted. It is a board before it becomes.

상기 기판(110)은 상기 배선 패턴층(120), 도금층(130), 보호 패턴부(190) 및 보호층(140)을 지지하는 지지기판일 수 있다.The substrate 110 may be a support substrate supporting the wiring pattern layer 120, the plating layer 130, the protection pattern unit 190, and the protection layer 140.

상기 기판(110)은 절곡 영역 및 절곡 영역 이외의 영역을 포함할 수 있다. 즉, 상기 기판(110)은 절곡이 이루어지는 절곡 영역 및 절곡 영역 이외의 비절곡 영역을 포함할 수 있다. 상기 절곡 영역은, 상기 기판(110)의 상면 중 제 1 칩(C1)과 제 2 칩(C2)의 사이 영역일 수 있다. 상기 절곡 영역은, 제 1 칩(C1), 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3)이 배치되는 칩 배치 영역을 제외한 영역일 수 있다. 그리고, 상기 비절곡 영역은, 상기 절곡 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 상기 비절곡 영역은, 상기 제 1 칩(C1)이 배치되는 제 1 칩 배치 영역, 상기 제 2 칩(C2)이 배치되는 제 2 칩 배치 영역 및 상기 제 3 칩(C3)이 배치되는 제 3 칩 배치 영역을 포함할 수 있다.The substrate 110 may include a bent region and a region other than the bent region. That is, the substrate 110 may include a bending area where bending is performed and a non-bending area other than the bending area. The bent region may be an area between the first chip C1 and the second chip C2 on the upper surface of the substrate 110. The bent area may be an area excluding a chip arrangement area in which the first chip C1, the second chip C2, and the third chip C3 are disposed. The non-bending region may be a region other than the bending region. The non-bending region may include a first chip arrangement region in which the first chip C1 is disposed, a second chip arrangement region in which the second chip C2 is arranged, and a third chip arrangement in which the third chip C3 is disposed. It may include a chip arrangement area.

상기 기판(110)은 연성 기판일 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(110)은 부분적인 절곡이 가능할 수 있다. 즉, 상기 기판(110)은 연성 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)은 폴리이미드(polyimide, PI) 기판일 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN)과 같은 고분자 물질로 구성된 기판일 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(110)을 포함하는 연성 회로기판은 곡선의 디스플레이 장치가 구비된 다양한 전자 디바이스에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)을 포함하는 연성 회로기판은 플렉서블 특성이 우수함에 따라, 웨어러블 전자 디바이스의 반도체 칩을 실장하는데 적합할 수 있다. 자세하게, 실시 예는 곡면 디스플레이를 포함하는 전자 디바이스에 적합할 수 있다. The substrate 110 may be a flexible substrate. Accordingly, the substrate 110 may be partially bent. That is, the substrate 110 may include a flexible plastic. For example, the substrate 110 may be a polyimide (PI) substrate. However, the embodiment is not limited thereto and may be a substrate made of a polymer material such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN). Accordingly, the flexible circuit board including the substrate 110 may be used in various electronic devices having a curved display device. For example, the flexible circuit board including the substrate 110 may be suitable for mounting a semiconductor chip of a wearable electronic device because of its excellent flexibility. In detail, embodiments may be suitable for electronic devices that include curved displays.

상기 기판(110)은 절연 기판일 수 있다. 즉, 상기 기판(110)은 다양한 배선 패턴들을 지지하는 절연 기판일 수 있다. The substrate 110 may be an insulating substrate. That is, the substrate 110 may be an insulating substrate supporting various wiring patterns.

상기 기판(110)은 20㎛ 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)은 25㎛ 내지 50㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 30㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 기판(100)의 두께가 100㎛ 초과인 경우에는 전체적인 연성 회로기판의 두께가 증가할 수 있다. 상기 기판(100)의 두께가 20㎛ 미만인 경우에는 제 1 칩(C1), 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3)을 동시에 배치하기 어려울 수 있다. 상기 기판(110)의 두께가 20um 미만인 경우에는, 다수의 칩을 실장 하는 공정에서 상기 기판(110)이 열/압력 등에 취약할 수 있어, 다수의 칩을 동시에 배치하기 어려울 수 있다.The substrate 110 may have a thickness of 20 μm to 100 μm. For example, the substrate 110 may have a thickness of 25 μm to 50 μm. For example, the substrate 100 may have a thickness of 30 μm to 40 μm. When the thickness of the substrate 100 is greater than 100 μm, the thickness of the entire flexible printed circuit board may increase. When the thickness of the substrate 100 is less than 20 μm, it may be difficult to simultaneously arrange the first chip C1, the second chip C2, and the third chip C3. When the thickness of the substrate 110 is less than 20 μm, the substrate 110 may be vulnerable to heat / pressure in a process of mounting a plurality of chips, and thus it may be difficult to simultaneously arrange a plurality of chips.

상기 기판(110) 상에는 배선이 배치될 수 있다. 상기 배선은 패턴화된 복수 개의 배선일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110) 상에서 상기 복수 개의 배선들은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 기판(110)의 일면 상에는 배선 패턴층(120)이 배치될 수 있다.Wiring may be disposed on the substrate 110. The wiring may be a plurality of patterned wiring. For example, the plurality of wires may be spaced apart from each other on the substrate 110. That is, the wiring pattern layer 120 may be disposed on one surface of the substrate 110.

바람직하게, 상기 기판(110)의 양면에는 각각 배선층이 배치될 수 있다. 즉, 기판(110)의 상면에는 상부 배선 패턴층이 배치될 수 있고, 하면에는 하부 배선 패턴층이 배치될 수 있다. 또한, 상부 배선 패턴층 위에는 상부 도금층이 배치될 수 있다. 또한, 상부 배선 패턴층 위에는 상부 보호층이 배치될 수 있다. 또한, 하부 배선 패턴층 아래에는 하부 도금층이 배치될 수 있다. 그리고, 상기 하부 배선 패턴층 아래에는 하부 보호층이 배치될 수 있다.Preferably, wiring layers may be disposed on both surfaces of the substrate 110, respectively. That is, the upper wiring pattern layer may be disposed on the upper surface of the substrate 110, and the lower wiring pattern layer may be disposed on the lower surface of the substrate 110. In addition, an upper plating layer may be disposed on the upper wiring pattern layer. In addition, an upper protective layer may be disposed on the upper wiring pattern layer. In addition, a lower plating layer may be disposed under the lower wiring pattern layer. A lower protective layer may be disposed below the lower wiring pattern layer.

상기 배선 패턴층(120)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. The wiring pattern layer 120 may include a conductive material.

예를 들어, 상기 배선 패턴층(120)은 전기 전도성이 우수한 금속 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 배선 패턴층(120)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 다만, 실시 예가 이에 제한되는 것은 아니고, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 은(Ag), 몰리브덴(Mo). 금(Au), 티타튬(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있음은 물론이다. For example, the wiring pattern layer 120 may include a metal material having excellent electrical conductivity. In more detail, the wiring pattern layer 120 may include copper (Cu). However, embodiments are not limited thereto, and copper (Cu), aluminum (Al), chromium (Cr), nickel (Ni), silver (Ag), and molybdenum (Mo). Of course, it may include at least one metal of gold (Au), titanium (Ti), and alloys thereof.

상기 배선 패턴층(120)은 1㎛ 내지 15㎛의 두께로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 배선 패턴층(120)은 4㎛ 내지 10㎛의 두께로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 배선 패턴층(120)은 6㎛ 내지 9㎛의 두께로 배치될 수 있다.The wiring pattern layer 120 may be disposed to have a thickness of 1 μm to 15 μm. For example, the wiring pattern layer 120 may be disposed to have a thickness of about 4 μm to about 10 μm. For example, the wiring pattern layer 120 may be disposed to have a thickness of 6 μm to 9 μm.

상기 배선 패턴층(120)의 두께가 1㎛ 미만인 경우에는 상기 배선 패턴층의 저항이 증가할 수 있다. 상기 배선 패턴층(120)의 두께가 15㎛ 초과인 경우에는 리소 그라피 공법을 사용할 경우 사이드 에칭, 프린팅 공법을 사용할 경우 마스크 사용이 어렵고, 스퍼터링 공법의 경우 장기간에 증착을 해야 함으로 미세패턴을 구현하기 어려울 수 있다.When the thickness of the wiring pattern layer 120 is less than 1 μm, the resistance of the wiring pattern layer may increase. When the thickness of the wiring pattern layer 120 is greater than 15 μm, it is difficult to use a mask when the side etching and the printing method are used when the lithography method is used, and in the case of the sputtering method, the deposition is performed for a long time to implement a fine pattern. It can be difficult.

상기 배선 패턴층(120) 상에는 도금층(130)이 배치될 수 있다. 상기 도금층(130)은 제 1 도금층(131) 및 제 2 도금층(132)을 포함할 수 있다. The plating layer 130 may be disposed on the wiring pattern layer 120. The plating layer 130 may include a first plating layer 131 and a second plating layer 132.

상기 배선 패턴층(120) 상에는 제 1 도금층(131)이 배치되고, 상기 제 1 도금층(131) 상에는 상기 제 2 도금층(132)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)은 위스커(whisker) 형성의 방지를 위해, 상기 배선 패턴층(120) 상에 2층으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 배선 패턴층(120)의 패턴들 사이의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 상기 배선 패턴층(120) 상에는 두 층의 도금층이 배치됨에 따라, 칩과의 본딩 특성이 향상될 수 있다. 상기 배선 패턴층이 구리(Cu)를 포함하는 경우에는, 상기 배선 패턴층이 제 1 칩(C1)과 직접 본딩될 수 없고, 별도로 접착을 위한 처리가 요구될 수 있다. 반면, 상기 배선 패턴층 상에 배치되는 상기 도금층을 단일층으로 형성하는 경우 도금공정에서 배선패턴층의 구리(Cu)가 도금층으로 확산되어 칩과의 본딩시 불량을 초래할 수 있다. 상기 1층의 도금층 상에 2층의 도금층을 추가로 형성함으로 인해 칩과의 본딩되는 표면에 구리(Cu)의 양이 없거나 감소시켜 칩 본딩이 용이해질 수 있다. 상기 도금층이 주석(Sn)을 포함하는 경우에는, 상기 도금층의 표면이 순수 주석층일 수 있어, 제 1 칩(C1)과 본딩이 용이할 수 있다. The first plating layer 131 may be disposed on the wiring pattern layer 120, and the second plating layer 132 may be disposed on the first plating layer 131. The first plating layer 131 and the second plating layer 132 may be formed in two layers on the wiring pattern layer 120 to prevent whisker formation. Accordingly, a short circuit between the patterns of the wiring pattern layer 120 may be prevented. In addition, as two plating layers are disposed on the wiring pattern layer 120, bonding characteristics with a chip may be improved. When the wiring pattern layer includes copper (Cu), the wiring pattern layer may not be directly bonded to the first chip C1, and a separate process for adhesion may be required. On the other hand, in the case where the plating layer disposed on the wiring pattern layer is formed as a single layer, copper (Cu) of the wiring pattern layer may be diffused into the plating layer in the plating process, thereby causing defects in bonding with the chip. By further forming two plating layers on the one plating layer, chip bonding may be facilitated by reducing or reducing the amount of copper (Cu) on the surface to be bonded with the chip. When the plating layer includes tin (Sn), the surface of the plating layer may be a pure tin layer, so that bonding with the first chip C1 may be easy.

상기 제 1 도금층(131)이 배치되는 영역은 상기 제 2 도금층(132)이 배치되는 영역과 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 도금층(131)이 배치되는 면적은 상기 제 2 도금층(132)이 배치되는 면적과 대응될 수 있다. The region where the first plating layer 131 is disposed may correspond to the region where the second plating layer 132 is disposed. That is, an area in which the first plating layer 131 is disposed may correspond to an area in which the second plating layer 132 is disposed.

뿐만 아니라 상기 제 1 도금층(131)이 배치되는 영역은 상기 제 2 도금층(132)이 배치되는 영역보다 클 수 있다. 상기 제 1 도금층(131)을 형성한 후 보호층(140)을 형성하고, 보호층이 형성되지 않은 제 1 도금층(131) 상에 상기 제 2 도금층(132)를 형성하여도 상기 위스커 현상 및 구리(Cu) 확산을 방지할 수 있다.In addition, an area in which the first plating layer 131 is disposed may be larger than an area in which the second plating layer 132 is disposed. After forming the first plating layer 131, the protective layer 140 is formed, and the whisker phenomenon and the copper are formed even when the second plating layer 132 is formed on the first plating layer 131 where the protective layer is not formed. (Cu) Diffusion can be prevented.

상기 도금층(130)은 주석(Sn)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)을 포함할 수 있다. The plating layer 130 may include tin (Sn). For example, the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may include tin (Sn).

일례로, 상기 배선 패턴층(120)을 구리(Cu)로 배치하고, 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)을 주석(Sn)으로 배치할 수 있다. 상기 도금층(130)이 주석을 포함하는 경우에는, 주석(Sn)의 내식성이 우수하기 때문에, 상기 배선 패턴층(120)의 산화를 방지할 수 있다. For example, the wiring pattern layer 120 may be disposed of copper (Cu), and the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may be disposed of tin (Sn). When the plating layer 130 includes tin, since the corrosion resistance of tin (Sn) is excellent, oxidation of the wiring pattern layer 120 can be prevented.

한편, 상기 도금층(130)의 물질은 상기 배선 전극층(120)의 물질보다 전기 전도도가 낮을 수 있다. 상기 도금층(130)은 상기 배선 전극층(120)과 전기적인 접속이 가능할 수 있다. Meanwhile, the material of the plating layer 130 may have a lower electrical conductivity than the material of the wiring electrode layer 120. The plating layer 130 may be electrically connected to the wiring electrode layer 120.

상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)은 동일한 주석(Sn)으로 형성되나, 별도의 공정으로 형성될 수 있다. The first plating layer 131 and the second plating layer 132 are formed of the same tin (Sn), but may be formed by a separate process.

실시 예에 따른 연성 회로기판의 제조 공정에 열경화와 같은 열처리 공정이 포함되는 경우에는, 상기 배선 패턴층(120)의 구리(Cu) 또는 상기 도금층(130)의 주석(Sn)의 확산 작용이 일어날 수 있다. 자세하게, 상기 보호층(140)의 경화를 통해, 상기 배선 패턴층(120)의 구리(Cu) 또는 상기 도금층(130)의 주석(Sn)의 확산 작용이 일어날 수 있다.When the manufacturing process of the flexible circuit board according to the embodiment includes a heat treatment process such as thermal curing, the diffusion action of copper (Cu) of the wiring pattern layer 120 or tin (Sn) of the plating layer 130 Can happen. In detail, the hardening of the protective layer 140 may cause diffusion of copper (Cu) of the wiring pattern layer 120 or tin (Sn) of the plating layer 130.

이에 따라, 상기 제 1 도금층(131)에서 상기 제 2 도금층(132)의 표면으로 갈수록 구리(Cu)의 확산 농도가 낮아짐에 따라, 구리(Cu)의 함량이 연속적으로 작아질 수 있다. 한편, 상기 제 1 도금층(131)에서 상기 제 2 도금층(132)의 표면으로 갈수록 주석(Sn)의 함량은 연속적으로 커질 수 있다. 이에 따라, 상기 도금층(130)의 최상부는 순수한 주석을 포함할 수 있다. Accordingly, as the diffusion concentration of copper (Cu) decreases from the first plating layer 131 to the surface of the second plating layer 132, the content of copper (Cu) may be continuously decreased. Meanwhile, the tin (Sn) content may increase continuously from the first plating layer 131 to the surface of the second plating layer 132. Accordingly, the top of the plating layer 130 may include pure tin.

즉, 상기 배선 패턴층(120) 및 상기 도금층(130)은 적층 계면에서의 화학작용에 의해, 상기 도금층(130)의 적어도 일부는 주석 및 구리의 합금일 수 있다. 상기 배선 패턴층(120) 상에 상기 도금층(130)을 형성한 후의 주석 및 구리의 합금의 두께보다, 상기 도금층(130) 상에 상기 보호층(140)을 경화시킨 후에 주석 및 구리의 합금의 두께는 증가할 수 있다. That is, the wiring pattern layer 120 and the plating layer 130 may be an alloy of tin and copper by at least a portion of the plating layer 130 by a chemical reaction at a laminated interface. After curing the protective layer 140 on the plating layer 130 than the thickness of the alloy of tin and copper after forming the plating layer 130 on the wiring pattern layer 120 of the alloy of tin and copper The thickness can increase.

상기 도금층(130)의 적어도 일부에 포함된 주석 및 구리의 합금은 CuxSny의 화학식을 가지고, 0<x+y<12일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식에서, x와 y의 합은 4≤≤x+y≤≤11일 수 있다. 예를 들어, 상기 도금층(130)에 포함된 주석 및 구리의 합금은 Cu3Sn 및 Cu6Sn5 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도금층(131)은 주석 및 구리의 합금층일 수 있다.An alloy of tin and copper included in at least a portion of the plating layer 130 may have a chemical formula of Cu x Sn y and may be 0 <x + y <12. For example, in the above formula, the sum of x and y may be 4 ≦≦ x + y ≦≦ 11. For example, the alloy of tin and copper contained in the plating layer 130 is Cu 3 Sn and Cu 6 Sn 5 It may include at least one of. In detail, the first plating layer 131 may be an alloy layer of tin and copper.

또한, 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)은 주석 및 구리의 함량이 서로 다를 수 있다. 상기 구리 배선 패턴층과 직접 접촉하는 상기 제 1 도금층(131)은 상기 제 2 도금층(132)보다 구리의 함량이 클 수 있다.In addition, the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may have different contents of tin and copper. The first plating layer 131 in direct contact with the copper wiring pattern layer may have a greater copper content than the second plating layer 132.

상기 제 2 도금층(132)은 상기 제 1 도금층(131)보다 주석의 함량이 클 수 있다. 상기 제 2 도금층(132)은 순수 주석을 포함할 수 있다. 여기에서, 순수 주석이란 주석(Sn)의 함량이 50 원자% 이상인 것, 70 원자% 이상인 것, 90 원자% 이상인 것을 의미할 수 있다. 이때, 주석 이외의 원소는 구리일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)의 함량이 50 원자% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)의 함량이 70 원자% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)의 함량이 90 원자% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)의 함량이 95 원자% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)의 함량이 98 원자% 이상일 수 있다.The second plating layer 132 may have a greater content of tin than the first plating layer 131. The second plating layer 132 may include pure tin. Here, pure tin may mean that the content of tin (Sn) is 50 atomic% or more, 70 atomic% or more, and 90 atomic% or more. In this case, elements other than tin may be copper. For example, the second plating layer 132 may have a content of tin (Sn) of 50 atomic% or more. For example, the second plating layer 132 may have a content of tin (Sn) of 70 atomic% or more. For example, the second plating layer 132 may have a content of tin (Sn) of about 90 atomic% or more. For example, the second plating layer 132 may have a content of tin (Sn) of 95 atomic% or more. For example, the second plating layer 132 may have a content of tin (Sn) of 98 atomic% or more.

실시 예에 따른 도금층은 Cu/Sn의 확산현상으로 인해, 전기화학적 마이그레이션(Electrochemical Migration Resistance)을 방지하여, 금속 성장으로 인한 합선 불량을 차단할 수 있다. Due to the diffusion phenomenon of Cu / Sn, the plating layer according to the embodiment prevents electrochemical migration resistance, thereby preventing short circuit defects due to metal growth.

다만, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 도금층(130)은 Ni/Au 합금, 금(Au), 무전해 니켈 금 도금(electroless nickel immersion gold, ENIG), Ni/Pd 합금, 유기화합물 도금(Organic Solderability Preservative, OSP) 중 어느 하나를 포함할 수 있음은 물론이다. However, the embodiment is not limited thereto, and the plating layer 130 may be formed of Ni / Au alloy, gold (Au), electroless nickel immersion gold (ENIG), Ni / Pd alloy, or organic compound plating (Organic). Of course, it may include any one of the Solderability Preservative (OSP).

상기 제 1 도금층(131)은 상기 제 2 도금층(132)은 서로 대응되거나, 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)의 전체 두께는 0.07㎛ 내지 1㎛일 수 있다. 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)의 전체 두께는 0.15㎛ 내지 0.7㎛일 수 있다. 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132)의 전체 두께는 0.3㎛ 내지 0.5㎛일 수 있다. 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132) 중 어느 하나의 도금층은 0.05㎛ 내지 0.15㎛ 이하의 두께일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도금층(131) 및 상기 제 2 도금층(132) 중 어느 하나의 도금층은 0.07㎛ 내지 0.13㎛ 이하의 두께일 수 있다. The first plating layer 131 and the second plating layer 132 may correspond to each other or may have different thicknesses. The overall thickness of the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may be 0.07 μm to 1 μm. The overall thickness of the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may be 0.15 μm to 0.7 μm. The overall thickness of the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may be 0.3 μm to 0.5 μm. The plating layer of any one of the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may have a thickness of 0.05 μm to 0.15 μm or less. For example, the plating layer of any one of the first plating layer 131 and the second plating layer 132 may have a thickness of 0.07 μm to 0.13 μm or less.

상기 보호층(140)은 상기 배선 패턴층(120) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(140)은 상기 배선 패턴층(120) 상의 상기 도금층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(140)은 상기 도금층(130)을 덮을 수 있어, 상기 배선 패턴층(120) 및 상기 도금층(130)의 산화에 의한 손상 또는 탈막을 방지할 수 있다. The protective layer 140 may be partially disposed on the wiring pattern layer 120. For example, the protective layer 140 may be disposed on the plating layer 130 on the wiring pattern layer 120. The protective layer 140 may cover the plating layer 130 to prevent damage or film removal due to oxidation of the wiring pattern layer 120 and the plating layer 130.

상기 보호층(140)은 상기 배선 패턴층(120) 및/또는 상기 도금층(130)이 메인보드(40), 제 1 칩(C1) 또는 제 2 칩(C2) 또는 제 3 칩(C3)과 전기적으로 연결되기 위한 영역을 제외한 영역에 부분적으로 배치될 수 있다. The protective layer 140 may include the wiring pattern layer 120 and / or the plating layer 130 as the main board 40, the first chip C1, the second chip C2, or the third chip C3. It may be partially disposed in an area except for an area to be electrically connected.

이에 따라, 상기 보호층(140)은 상기 배선 패턴층(120) 및/또는 상기 도금층(130)과 부분적으로 중첩될 수 있다.Accordingly, the protective layer 140 may partially overlap the wiring pattern layer 120 and / or the plating layer 130.

상기 보호층(140)의 면적은 기판(110)의 면적보다 작을 수 있다. 상기 보호층(140)은 기판의 끝단을 제외한 영역에 배치되며, 복수 개의 오픈 영역을 포함할 수 있다. The area of the protective layer 140 may be smaller than the area of the substrate 110. The protective layer 140 may be disposed in an area excluding the end of the substrate, and may include a plurality of open areas.

상기 보호층(140)은 홀과 같은 형상의 제 1 오픈 영역(OA1)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 오픈 영역(OA1)은 상기 배선 패턴층(120) 및/또는 상기 도금층(130)이 제 1 칩(C1)과 전기적으로 연결되기 상기 보호층(140)의 비배치 영역일 수 있다. The protective layer 140 may include a first open area OA1 having a hole-like shape. The first open area OA1 may be a non-arranged area of the protective layer 140 in which the wiring pattern layer 120 and / or the plating layer 130 are electrically connected to the first chip C1.

상기 보호층(140)은 홀과 같은 형상의 제 2 오픈 영역(OA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 오픈 영역(OA2)은 상기 배선 패턴층(120) 및/또는 상기 도금층(130)이 제 2 칩(C2)과 전기적으로 연결되기 위한 상기 보호층(140)의 비배치 영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 오픈 영역(OA2)에서, 상기 도금층(130)은 외부로 노출될 수 있다. The protective layer 140 may include a second open area OA2 having a hole-like shape. The second open area OA2 may be a non-arranged area of the protective layer 140 for electrically connecting the wiring pattern layer 120 and / or the plating layer 130 to the second chip C2. . Accordingly, in the second open region OA2, the plating layer 130 may be exposed to the outside.

상기 제 2 오픈 영역(OA2)에서, 상기 도금층(130)의 구리의 함량은 50 원자% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 도금층(130)에서의 구리의 함량은 60 원자% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 도금층(130)에서의 구리의 함량은 60 원자% 내지 80 원자% 일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 오픈 영역(OA2)에서 측정된 상기 제 1 도금층(131)의 구리의 함량은 60 원자% 내지 80 원자% 일 수 있다.In the second open region OA2, the copper content of the plating layer 130 may be 50 atomic% or more. For example, the copper content in the plating layer 130 may be 60 atomic% or more. For example, the copper content in the plating layer 130 may be 60 atomic% to 80 atomic%. In detail, the copper content of the first plating layer 131 measured in the second open region OA2 may be 60 atomic% to 80 atomic%.

상기 보호층(140)은 홀과 같은 형상의 제 3 오픈 영역(OA3)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 오픈 영역(OA3)은 상기 배선 패턴층(120) 및/또는 상기 도금층(130)이 제 3 칩(C3)과 전기적으로 연결되기 위한 상기 보호층(140)의 비배치 영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 3 오픈 영역(OA3)에서, 상기 도금층(130)은 외부로 노출될 수 있다. The protective layer 140 may include a third open area OA3 having a hole-like shape. The third open area OA3 may be a non-arranged area of the protective layer 140 for electrically connecting the wiring pattern layer 120 and / or the plating layer 130 to the third chip C3. . Accordingly, in the third open area OA3, the plating layer 130 may be exposed to the outside.

상기 보호층(140)은 상기 메인보드(40)와 전기적으로 연결되기 위한 전도성 패턴부 상에 배치되지 않을 수 있다. 실시 예는 상기 메인보드(40)와 전기적으로 연결되기 위한 전도성 패턴부 상의 상기 보호층(140)의 비배치 영역인 제 4 오픈 영역(OA4)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 4 오픈 영역(OA4)에서, 상기 도금층(130)은 외부로 노출될 수 있다. The protective layer 140 may not be disposed on the conductive pattern part for electrically connecting with the main board 40. The embodiment may include a fourth open area OA4, which is a non-located area of the protective layer 140 on the conductive pattern part to be electrically connected to the main board 40. Accordingly, in the fourth open area OA4, the plating layer 130 may be exposed to the outside.

상기 제 4 오픈 영역(OA4)에서, 상기 도금층(130)의 구리의 함량은 50 원자% 이상일 수 있다. 또는, 상기 제 3 오픈 영역(OA3)에서, 상기 도금층(130)의 구리의 함량은 50 원자% 미만일 수 있다. 상기 제 4 오픈 영역(OA3)은 상기 제 1 오픈 영역(OA1)보다 기판의 외곽에 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 4 오픈 영역(OA4)은 상기 제 2 오픈 영역(OA2)보다 기판의 외곽에 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 4 오픈 영역(OA4)은 상기 제 3 오픈 영역(OA3)보다 기판의 외곽에 위치할 수 있다. In the fourth open region OA4, the copper content of the plating layer 130 may be 50 atomic% or more. Alternatively, in the third open region OA3, the copper content of the plating layer 130 may be less than 50 atomic%. The fourth open area OA3 may be located outside the substrate than the first open area OA1. In addition, the fourth open area OA4 may be located outside the substrate than the second open area OA2. In addition, the fourth open area OA4 may be located outside the substrate than the third open area OA3.

상기 제 1 오픈 영역(OA1), 상기 제 2 오픈 영역(OA2) 및 상기 제 3 오픈 영역(OA3)은 상기 제 4 오픈 영역(OA4)보다 기판의 중앙 영역에 위치할 수 있다. The first open area OA1, the second open area OA2, and the third open area OA3 may be located in a central area of the substrate rather than the fourth open area OA4.

이때, 상기 기판의 길이 방향의 2개의 최외곽 영역 중 적어도 어느 하나의 영역은 보호층(140)에 의해 덮일 수 있다. 다시 말해서, 기판(110)은 제 1 외곽 영역 및 제 2 외곽 영역을 포함할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역은 기판(110)의 좌측 단부 영역일 수 있다. 상기 제 2 외곽 영역은 기판(110)의 우측 단부 영역일 수 있다. 그리고, 상기 제 2 외곽 영역에는 상기 설명한 바와 같이 메인 보드와 연결되기 위한 제 4 오픈 영역(OA4)이 위치한다. 이와 다르게, 제 1 외곽 영역은 오픈 영역을 가지지 않는다. 다시 말해서, 상기 제 1 외곽 영역은 보호층(140)이 형성되는 보호부(PP)를 포함할 수 있다. In this case, at least one of the two outermost regions in the longitudinal direction of the substrate may be covered by the protective layer 140. In other words, the substrate 110 may include a first outer region and a second outer region. The first outer region may be a left end region of the substrate 110. The second outer region may be a right end region of the substrate 110. As described above, a fourth open area OA4 is connected to the main board as described above. Alternatively, the first outer region does not have an open region. In other words, the first outer region may include a protective part PP on which the protective layer 140 is formed.

상기 보호층(140)은 절곡 영역(BP, Bending part)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 보호층(140)은 절곡시 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The protective layer 140 may be disposed in the bending area BP. Accordingly, the protective layer 140 may disperse the stress that may occur when bending. Therefore, the reliability of the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment can be improved.

또한, 상기 제 1 외곽 영역에 보호층이 형성됨으로 인해 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)의 제 1 외곽 영역의 마모를 방지할 수 있다. 종래 Drive IC를 실장하는 칩 온 필름(chip on film)용 연성 회로기판의 경우, 상기 제 1 외곽 영역에 대응하는 부분에 디스플레이와 연결되는 단자가 형성되었으며, 이에 따라 상기 제 1 외곽 영역은 디스플레이 패널과 접촉하고 ACF 등의 접착물질로 제 1 외곽영역의 노출된 부분이 보호되어 제 1 외곽 영역의 마모를 방지할 수 있었다. 그러나, 본 발명의 경우 제 1 외곽 영역에 연결되는 부분이 없기 때문에 제 1 외곽 영역에 별도의 보호부(PP)를 형성하여 마모를 방지할 수 있다.In addition, since the protective layer is formed on the first outer region, wear of the first outer region of the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film may be prevented. In the case of a flexible circuit board for chip-on-film mounting a conventional drive IC, a terminal connected to a display is formed at a portion corresponding to the first outer region, and thus the first outer region is a display panel. The exposed portion of the first outer region was protected by an adhesive material such as ACF to prevent wear of the first outer region. However, in the case of the present invention, since there is no part connected to the first outer region, a separate protection part PP may be formed in the first outer region to prevent wear.

상기 보호층(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 보호층(140)은 전도성 패턴부의 표면을 보호하기 위해 도포된 후 가열하여 경화될 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 상기 보호층(140)은 레지스트(resist) 층일 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(140)은 유기 고분자 물질을 포함하는 솔더 레지스트층일 수 있다. 일례로, 상기 보호층(140)은 에폭시 아크릴레이트 계열의 수지를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 보호층(140)은 수지, 경화제, 광 개시제, 안료, 용매, 필러, 첨가제, 아크릴 계열의 모노머 등을 포함할 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 보호층(140)은 포토 솔더 레지스트층, 커버레이(cover-lay) 및 고분자 물질 중 어느 하나일 수 있음은 물론이다.The protective layer 140 may include an insulating material. The protective layer 140 may be coated to protect the surface of the conductive pattern portion, and may include various materials that may be cured by heating. The protective layer 140 may be a resist layer. For example, the protective layer 140 may be a solder resist layer including an organic polymer material. For example, the protective layer 140 may include an epoxy acrylate-based resin. In detail, the protective layer 140 may include a resin, a curing agent, a photoinitiator, a pigment, a solvent, a filler, an additive, an acrylic monomer, and the like. However, the embodiment is not limited thereto, and the protective layer 140 may be any one of a photo solder resist layer, a cover-lay, and a polymer material.

상기 보호층(140)의 두께는 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 상기 보호층(140)의 두께는 5㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(140)의 두께는 7㎛ 내지 12㎛일 수 있다. 상기 보호층(140)의 두께가 20㎛ 초과인 경우에는 칩 온 필름용 연성 회로기판의 두께가 증가할 수 있다. 상기 보호층(140)의 두께가 1㎛ 미만인 경우에는 칩 온 필름용 연성 회로기판에 포함된 전도성 패턴부의 신뢰성이 저하될 수 있다. The protective layer 140 may have a thickness of about 1 μm to about 20 μm. The protective layer 140 may have a thickness of 5 μm to 15 μm. For example, the thickness of the protective layer 140 may be 7㎛ to 12㎛. When the thickness of the protective layer 140 is greater than 20 μm, the thickness of the flexible circuit board for the chip on film may increase. When the thickness of the protective layer 140 is less than 1 μm, the reliability of the conductive pattern part included in the flexible circuit board for the chip on film may be reduced.

실시 예에 따른 기판(110)의 일면 상에 배선 패턴층(120), 도금층(130) 및 보호층(140)을 배치한 후, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 배선 패턴층(120), 도금층(130) 및 보호층(140)을 배치할 수 있다. After the wiring pattern layer 120, the plating layer 130, and the protective layer 140 are disposed on one surface of the substrate 110, the wiring pattern layer 120 and the plating layer are formed on the other surface opposite to the one surface. 130 and the protective layer 140 may be disposed.

즉, 실시 예에 따른 기판(110)의 일면 상에 상부 배선 패턴층, 상부 도금층 및 상부 보호층이 배치될 수 있고, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 하부 배선 패턴층, 하부 도금층 및 하부 보호층이 배치될 수 있다. That is, the upper wiring pattern layer, the upper plating layer, and the upper protective layer may be disposed on one surface of the substrate 110 according to the embodiment, and the lower wiring pattern layer, the lower plating layer, and the lower protective layer on the other surface opposite to the one surface. This can be arranged.

상부 배선 패턴층은 하부 배선 패턴층과 서로 대응되는 금속 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 공정 효율이 향상될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 다른 전도성 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. The upper wiring pattern layer may include a lower wiring pattern layer and a metal material corresponding to each other. Accordingly, process efficiency can be improved. However, the embodiment is not limited thereto and may include other conductive materials.

상부 배선 패턴층의 두께는 하부 배선 패턴층의 두께와 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 공정 효율이 향상될 수 있다.The thickness of the upper wiring pattern layer may correspond to the thickness of the lower wiring pattern layer. Accordingly, process efficiency can be improved.

상부 도금층은 하부 도금층과 서로 대응되는 금속 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 공정 효율이 향상될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 다른 전도성 물질을 포함할 수 있음은 물론이다.The upper plating layer may include a metal material corresponding to the lower plating layer. Accordingly, process efficiency can be improved. However, the embodiment is not limited thereto and may include other conductive materials.

상부 도금층의 두께는 하부 도금층의 두께와 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 공정 효율이 향상될 수 있다.The thickness of the upper plating layer may correspond to the thickness of the lower plating layer. Accordingly, process efficiency can be improved.

상기 기판(110)은 관통 홀을 포함할 수 있다. 상기 기판(110)은 복수 개의 관통 홀을 포함할 수 있다. 상기 기판(110)의 복수 개의 관통 홀은 기계적인 공정 또는 화학적인 공정에 의해서 각각 또는 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)의 복수 개의 관통 홀은 드릴 공정 또는 식각 공정에 의해서 형성될 수 있다. 일례로, 상기 기판의 관통 홀은 레이저를 통한 펀칭 및 디스미어 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 디스미어 공정은 상기 관통홀의 내측면에 부착된 폴리이미드 스미어를 제거하는 공정일 수 있다. 상기 디스미어 공정에 의해, 상기 폴리이미드 기판의 내측면은 직선과 유사한 경사면을 가질 수 있다.The substrate 110 may include a through hole. The substrate 110 may include a plurality of through holes. The plurality of through holes of the substrate 110 may be respectively formed at the same time or by a mechanical process or a chemical process. For example, the plurality of through holes of the substrate 110 may be formed by a drill process or an etching process. For example, the through hole of the substrate may be formed through a punching and desmear process through a laser. The desmear process may be a process of removing a polyimide smear attached to an inner side surface of the through hole. By the desmear process, the inner surface of the polyimide substrate may have an inclined surface similar to a straight line.

상기 기판(110) 상에는 배선 패턴층(120), 도금층(130), 보호 패턴부(190) 및 보호층(140)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 기판(110)의 양면 상에는 배선 패턴층(120), 도금층(130), 및 보호층(140)이 각각 차례대로 배치될 수 있다. The wiring pattern layer 120, the plating layer 130, the protection pattern unit 190, and the protection layer 140 may be disposed on the substrate 110. In detail, the wiring pattern layer 120, the plating layer 130, and the protective layer 140 may be sequentially disposed on both surfaces of the substrate 110.

상기 배선 패턴층(120)은 증착(evaporation), 도금(plating), 스퍼터링(sputtering) 중 적어도 하나의 방법으로 형성될 수 있다. The wiring pattern layer 120 may be formed by at least one of evaporation, plating, and sputtering.

일례로, 회로를 형성하기 위한 배선층은 스퍼터링 후 전해도금에 의하여 형성될 수 있다. 일례로, 회로를 형성하기 위한 배선층은 무전해 도금에 의해 형성된 구리 도금층일 수 있다. 또는, 상기 배선층은 무전해 도금에 및 전해 도금에 의해 형성된 구리 도금층일 수 있다. In one example, the wiring layer for forming the circuit may be formed by electroplating after sputtering. In one example, the wiring layer for forming the circuit may be a copper plating layer formed by electroless plating. Alternatively, the wiring layer may be a copper plating layer formed by electroless plating and by electrolytic plating.

다음으로, 상기 배선층 상에 드라이필름을 라미네이션한 다음, 노광, 현상 및 에칭 공정을 통해, 연성회로기판의 양면, 즉 상면과 하면에 패턴화된 배선층을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 배선 패턴층(120)을 형성할 수 있다. Next, after laminating the dry film on the wiring layer, a patterned wiring layer may be formed on both surfaces, that is, the upper and lower surfaces of the flexible circuit board, through an exposure, development, and etching process. Accordingly, the wiring pattern layer 120 may be formed.

상기 기판(110)을 관통하는 비아 홀(V1, V2, V3, V4)의 내부에는 전도성 물질이 채워질 수 있다. 비아 홀의 내부에 채워지는 전도성 물질은 상기 배선 패턴층(120)과 서로 대응되거나 서로 다른 전도성 물질일 수 있다. 예를 들어, 비아 홀의 내부에 채워지는 전도성 물질은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 은(Ag), 몰리브덴(Mo). 금(Au), 티타튬(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 상기 기판(110)의 상면의 전도성 패턴부(CP)의 전기적인 신호는 상기 비아홀에 채워진 전도성 물질을 통해서 상기 기판(110)의 하면의 전도성 패턴부(CP)에 전달될 수 있다.A conductive material may be filled in the via holes V1, V2, V3, and V4 penetrating the substrate 110. The conductive material filled in the via hole may correspond to the wiring pattern layer 120 or may be different conductive materials from each other. For example, the conductive material filled in the via hole is copper (Cu), aluminum (Al), chromium (Cr), nickel (Ni), silver (Ag), molybdenum (Mo). Gold (Au), titanium (Ti) and their alloys may include at least one metal. The electrical signal of the conductive pattern portion CP of the upper surface of the substrate 110 may be transmitted to the conductive pattern portion CP of the lower surface of the substrate 110 through the conductive material filled in the via hole.

뿐만 아니라 상기 기판상에 비아를 형성하고 배선을 형성함으로 인해 상기 비아에 배선과 동일한 물질이 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 이를 통해 별도로 비아에 전도성 물질을 채워 넣는 공정을 제거할 수 있고, 또한, 비아와 배선의 물질 차이로 인한 신호 전달/왜곡 현상을 줄일 수 있다.In addition, since the via is formed on the substrate and the wiring is formed, the same material as the wiring may be formed in the via in the same process. This eliminates the process of separately filling the vias with conductive material, and also reduces signal transmission / distortion due to material differences between vias and interconnects.

그 다음으로, 상기 배선 패턴층(120) 상에는 도금층(130)이 형성될 수 있다. Next, a plating layer 130 may be formed on the wiring pattern layer 120.

그 이후에는, 전도성 패턴부(CP) 상에 보호부(PP)을 스크린 인쇄할 수 있다. After that, the protective part PP may be screen printed on the conductive pattern part CP.

전도성 패턴부(CP)는 상기 배선 패턴층(120) 및 상기 도금층(130)를 포함할 수 있다. 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 도금층(130)과 서로 대응되거나 서롤 다를 수 있다. 상기 제 1 도금층(131)의 면적은 상기 제 2 도금층(132)의 면적과 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. The conductive pattern part CP may include the wiring pattern layer 120 and the plating layer 130. The area of the wiring pattern layer 120 may correspond to or different from the plating layer 130. An area of the first plating layer 131 may correspond to or different from an area of the second plating layer 132.

도 3a를 참조하면, 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 도금층(130)과 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 도금층(131)의 면적은 상기 제 2 도금층(132)의 면적과 서로 대응될 수 있다. Referring to FIG. 3A, an area of the wiring pattern layer 120 may correspond to the plating layer 130. An area of the first plating layer 131 may correspond to an area of the second plating layer 132.

도 9를 참조하면, 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 도금층(130)과 서로 다를 수 있다. 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 제 1 도금층(131)의 면적과 대응될 수 있다. 상기 제 1 도금층(131)의 면적은 상기 제 2 도금층(132)의 면적과 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도금층(131)의 면적은 상기 제 2 도금층(132)의 면적보다 클 수 있다. 9, an area of the wiring pattern layer 120 may be different from that of the plating layer 130. An area of the wiring pattern layer 120 may correspond to an area of the first plating layer 131. An area of the first plating layer 131 may be different from an area of the second plating layer 132. For example, an area of the first plating layer 131 may be larger than an area of the second plating layer 132.

도 10을 참조하면, 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 도금층(130)과 서로 대응될 수 있다. Referring to FIG. 10, an area of the wiring pattern layer 120 may correspond to the plating layer 130.

도 11을 참조하면, 상기 기판(110)의 일면에서 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 도금층(130)과 서로 다르고, 상기 기판(110)의 타면에서 상기 배선 패턴층(120)의 면적은 상기 도금층(130)과 서로 대응될 수 있다. Referring to FIG. 11, an area of the wiring pattern layer 120 on one surface of the substrate 110 is different from that of the plating layer 130, and an area of the wiring pattern layer 120 on the other surface of the substrate 110. Silver may correspond to the plating layer 130.

상기 보호층(140)은 상기 기판(110) 상에 직접 접촉하며 배치되거나, 상기 배선 패턴층(120) 상에 직접 접촉하며 배치되거나, 상기 제 1 도금층(131) 상에 직접 접촉하며 배치되거나, 상기 제 2 도금층(132) 상에 직접 접촉하며 배치될 수 있다. The protective layer 140 may be disposed in direct contact with the substrate 110, may be disposed in direct contact with the wiring pattern layer 120, or may be disposed in direct contact with the first plating layer 131. The second plating layer 132 may be disposed in direct contact with each other.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 배선 패턴층(120) 상에 상기 제 1 도금층(131)이 배치되고, 상기 제 1 도금층(131) 상에 상기 제 2 도금층(132)이 형성되고, 상기 제 2 도금층(132) 상에 부분적으로 상기 보호층(140)이 배치될 수 있다. 3A and 3B, the first plating layer 131 is disposed on the wiring pattern layer 120, and the second plating layer 132 is formed on the first plating layer 131. The protective layer 140 may be partially disposed on the second plating layer 132.

도 9를 참조하면, 상기 배선 패턴층(120) 상에 상기 제 1 도금층(131)이 배치되고, 상기 제 1 도금층(131) 상에 부분적으로 상기 보호층(140)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 도금층(132)은 상기 도금층(131) 상의 상기 보호층(140)이 배치된 영역 이외의 영역에 배치될 수 있다. 9, the first plating layer 131 may be disposed on the wiring pattern layer 120, and the protective layer 140 may be partially disposed on the first plating layer 131. The second plating layer 132 may be disposed in a region other than the region where the protective layer 140 is disposed on the plating layer 131.

상기 보호층(140)의 하면이 접촉하는 상기 제 1 도금층(131)은 구리 및 주석의 합금층일 수 있다. 상기 보호층(140)의 측면과 접촉하는 상기 제 2 도금층(132)은 순수 주석을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 보호층(140)과 상기 제 1 도금층(131) 사이에 공동부가 형성됨에 따른 보호층의 탈막을 방지할 수 있고, 위스커의 형성을 방지할 수 있어, 보호층의 밀착력을 높일 수 있다. 따라서, 실시 예는 2층의 도금층을 포함할 수 있어, 신뢰성이 높은 전자 디바이스를 제공할 수 있다. The first plating layer 131 contacted by the lower surface of the protective layer 140 may be an alloy layer of copper and tin. The second plating layer 132 in contact with the side surface of the protective layer 140 may include pure tin. Accordingly, it is possible to prevent the removal of the protective layer due to the cavity formed between the protective layer 140 and the first plating layer 131, to prevent the formation of a whisker, to increase the adhesion of the protective layer. have. Therefore, the embodiment may include two plating layers, thereby providing a highly reliable electronic device.

또한, 상기 배선 패턴층(120) 상에 단일층의 주석 도금층(131)만을 배치하고, 하나의 주석 도금층(131) 상에 보호층(140)을 배치하는 경우에는 보호층(140)의 열 경화 시에 상기 주석 도금층(131)이 가열됨에 따라, 상기 주석 도금층(131) 내에 구리가 확산될 수 있다. 이에 따라, 상기 주석 도금층(131)은 주석 및 구리의 합금층이 될 수 있으므로, 골드 범프를 가지는 제 1 칩의 실장이 견고하게 이루어질 수 없는 문제점이 있다. 따라서, 실시 예에 따른 도금층(130)은 기판으로부터 멀어질수록 주석의 농도가 연속적으로 증가할 수 있는 제 1 도금층(131) 및 제 2 도금층(132)이 요구된다. In addition, when only a single tin plating layer 131 is disposed on the wiring pattern layer 120, and the protective layer 140 is disposed on one tin plating layer 131, thermal curing of the protective layer 140 is performed. As the tin plating layer 131 is heated at the time, copper may be diffused in the tin plating layer 131. Accordingly, since the tin plating layer 131 may be an alloy layer of tin and copper, there is a problem in that the mounting of the first chip having gold bumps cannot be made firmly. Therefore, the plating layer 130 according to the embodiment requires the first plating layer 131 and the second plating layer 132 which can continuously increase the tin concentration as the distance from the substrate.

도 9를 참조하면, 상기 배선 패턴층(120) 상에 상기 제 1 도금층(131)이 배치되고, 상기 제 1 도금층(131) 상에 부분적으로 상기 보호층(140)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 도금층(132)은 상기 도금층(131) 상의 상기 보호층(140)이 배치된 영역 이외의 영역에 배치될 수 있다.9, the first plating layer 131 may be disposed on the wiring pattern layer 120, and the protective layer 140 may be partially disposed on the first plating layer 131. The second plating layer 132 may be disposed in a region other than the region where the protective layer 140 is disposed on the plating layer 131.

도 10을 참조하면, 상기 배선 패턴층(120)은 제 1 배선 패턴층(121) 및 제 2 배선 패턴층(122)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 기판 상에는 복수 개의 배선 패턴층이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 10, the wiring pattern layer 120 may include a first wiring pattern layer 121 and a second wiring pattern layer 122. That is, a plurality of wiring pattern layers may be disposed on the substrate.

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 기판(110)과 상기 제 1 배선 패턴층(121) 사이에는 상기 기판(110)과 상기 제 1 배선 패턴층(121)의 밀착력을 향상하기 위한 금속 시드층을 더 포함할 수 있다. 이때, 금속 시드층은 스퍼터링에 의해 형성할 수 있다. 금속 시드층은 구리를 포함할 수 있다. Although not illustrated, a metal seed layer may be formed between the substrate 110 and the first wiring pattern layer 121 to improve adhesion between the substrate 110 and the first wiring pattern layer 121. It may further include. In this case, the metal seed layer may be formed by sputtering. The metal seed layer may comprise copper.

상기 제 1 배선 배턴층(121) 및 상기 제 2 배선 패턴층(122)은 서로 대응되거나 서로 다른 공정으로 형성될 수 있다.The first wiring baton layer 121 and the second wiring pattern layer 122 may be formed to correspond to each other or different processes.

상기 제 1 배선 배턴층(121)은 1㎛ 내지 15㎛ 두께로 구리를 스퍼터링하여 형성될 수 있다. 상기 제 1 배선 배턴층(121)은 기판의 상부, 하부 및 관통홀의 내측면에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 배선 배턴층(121)의 두께가 얇기 때문에, 관통홀의 내측면은 서로 이격될 수 있다. The first wiring baton layer 121 may be formed by sputtering copper to a thickness of 1 μm to 15 μm. The first wiring baton layer 121 may be disposed on upper, lower, and inner surfaces of the through hole of the substrate. At this time, since the thickness of the first wiring baton layer 121 is thin, the inner surfaces of the through holes may be spaced apart from each other.

다음으로, 상기 제 2 배선 패턴층(122)은 상기 제 1 배선 패턴층(121) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 배선 패턴층(122)은 도금에 의하여 관통 홀의 내부에 전체적으로 채워질 수 있다. Next, the second wiring pattern layer 122 may be disposed on the first wiring pattern layer 121. In addition, the second wiring pattern layer 122 may be entirely filled in the through hole by plating.

상기 제 1 배선 패턴층(121)은 스퍼터링에 의하여 형성되기 때문에, 상기 기판(110) 또는 상기 금속 시드층과의 밀착력이 우수한 장점을 가지지만, 제조 비용이 높기 때문에, 상기 제 1 배선 패턴층(121) 상에 다시, 도금에 의한 상기 제 2 배선 패턴층(122)을 형성함으로써, 제조 비용을 저감시킬 수 있다. 또한, 별도로 기판의 관통 홀에 전도성 물질을 채우지 않고, 상기 제 1 배선 패턴층(121) 상에 상기 제 2 배선 패턴층(122)을 배치함과 동시에 비아 홀 내에 구리가 충진될 수 있으므로, 공정 효율이 향상될 수 있다. 또한, 비아홀 내에 보이드가 형성되는 것을 방지할 수 있어, 신뢰성이 높은 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함하는 지문 인식 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스를 제공할 수 있다. Since the first wiring pattern layer 121 is formed by sputtering, the first wiring pattern layer 121 has an advantage of excellent adhesion to the substrate 110 or the metal seed layer. However, since the manufacturing cost is high, the first wiring pattern layer ( By forming the second wiring pattern layer 122 by plating again on 121, the manufacturing cost can be reduced. In addition, since the second wiring pattern layer 122 is disposed on the first wiring pattern layer 121 and copper is filled in the via hole without separately filling the through hole of the substrate, the process is performed. The efficiency can be improved. In addition, it is possible to prevent the formation of voids in the via hole, it is possible to provide a fingerprint recognition module including a highly reliable chip-on-film flexible circuit board and an electronic device including the same.

도 11을 참조하면, 상기 기판의 일면에는 복수 개의 보호층(140)이 배치될 수 있다. 상기 보호층은 제 1 보호층(141) 및 제 2 보호층(142)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11, a plurality of protective layers 140 may be disposed on one surface of the substrate. The protective layer may include a first protective layer 141 and a second protective layer 142.

예를 들어, 상기 기판의 일면 상에 제 1 보호층(141)이 부분적으로 배치되고, 상기 보호층(141)이 배치되는 영역 이외의 영역 상에 상기 배선 패턴층(120)이 배치될 수 있다. For example, the first protective layer 141 may be partially disposed on one surface of the substrate, and the wiring pattern layer 120 may be disposed on a region other than the region where the protective layer 141 is disposed. .

상기 보호층(141) 상에는 상기 제 2 보호층(142)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 보호층(142)은 상기 제 1 보호층(141) 및 상기 배선 패턴층(120)을 덮으며, 상기 제 1 보호층(141)보다 큰 영역에 배치될 수 있다. The second protective layer 142 may be disposed on the protective layer 141. The second passivation layer 142 may cover the first passivation layer 141 and the wiring pattern layer 120 and may be disposed in an area larger than the first passivation layer 141.

상기 보호층(142)은 상기 제 1 보호층(141)의 상면을 감싸면서 상기 보호층(141)과 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 보호층(142)의 폭은 상기 보호층(141)보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 보호층(142)의 하면은 상기 배선 패턴층(120) 및 상기 제 1 보호층(141)과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 보호층(142)은 상기 제 1 보호층(141)과 상기 배선 패턴층(120)의 계면에서 응력이 집중되는 것을 완화할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 벤딩 시 발생할 수 있는 탈막 또는 크랙의 발생을 낮출 수 있다.The protective layer 142 may be disposed on an area corresponding to the protective layer 141 while surrounding the upper surface of the first protective layer 141. The width of the second passivation layer 142 may be larger than the passivation layer 141. Accordingly, the lower surface of the second protective layer 142 may contact the wiring pattern layer 120 and the first protective layer 141. Accordingly, the second protective layer 142 may alleviate concentration of stress at an interface between the first protective layer 141 and the wiring pattern layer 120. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of film removal or cracks that may occur when bending the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment.

상기 제 1 및 2 보호층은 동일 물질을 사용할 수 있다, 이를 통해 상기 보호층은 상기 도금층상에서 단차를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 단차가 형성됨으로 인해 상기 보호층(140)과 상기 제 1 도금층(131) 사이에 공동부가 형성됨에 따른 보호층의 탈막을 방지할 수 있고, 위스커의 형성을 방지할 수 있어, 보호층의 밀착력을 높일 수 있다.The first and second passivation layers may use the same material. The passivation layer may be formed to have a step on the plating layer. Since the step is formed, it is possible to prevent the removal of the protective layer due to the formation of the cavity between the protective layer 140 and the first plating layer 131, and to prevent the formation of a whisker, the adhesion of the protective layer Can increase.

상기 제 2 보호층(142)이 배치되는 영역 이외의 영역에는 상기 도금층(130)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 보호층(142)이 배치되는 영역 이외의 영역에서, 상기 배선 패턴층(120) 상에 상기 제 1 도금층(131)이 배치되고, 상에 상기 제 1 도금층(131) 상에 상기 제 2 도금층(132)이 차례대로 배치될 수 있다.The plating layer 130 may be disposed in a region other than the region in which the second protective layer 142 is disposed. In detail, the first plating layer 131 is disposed on the wiring pattern layer 120 and the first plating layer 131 on the wiring pattern layer 120 in a region other than the region where the second protective layer 142 is disposed. The second plating layer 132 may be arranged in sequence.

상기 기판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에는 배선 패턴층(120)이 배치될 수 있다. 배선 패턴층(120) 상에는 상기 도금층(130)이 배치될 수 있다. 상기 도금층(130) 상에는 부분적으로 보호층(140)이 배치될 수 있다. The wiring pattern layer 120 may be disposed on the other surface opposite to the one surface of the substrate. The plating layer 130 may be disposed on the wiring pattern layer 120. The protective layer 140 may be partially disposed on the plating layer 130.

상기 기판의 일면에 배치되는 보호층과 상기 기판의 타면에 배치되는 보호층의 폭은 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. Widths of the protective layer disposed on one surface of the substrate and the protective layer disposed on the other surface of the substrate may correspond to each other or may be different from each other.

도면에서는 기판의 일면에만 복수 개의 보호층이 배치되는 것을 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 기판의 양면에 각각 복수 개의 보호층을 포함할 수 있음은 물론이다. 또한, 기판의 일면에만 복수 개 또는 하나의 보호층이 배치될 수 있음은 물론이다. Although the drawings show that a plurality of protective layers are disposed only on one surface of the substrate, the embodiment is not limited thereto, and a plurality of protective layers may be included on both surfaces of the substrate, of course. In addition, a plurality or one protective layer may be disposed on only one surface of the substrate.

한편, 이와 같은 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 기판(110), 기판의 일면 상에 배치되는 전도성 패턴부(CP) 및 상기 전도성 패턴부(CP) 상의 일 영역에 부분적으로 보호층(140)이 배치되어 형성되는 보호부(PP)를 포함할 수 있다.On the other hand, the fingerprint recognition module 100 including a flexible circuit board for a chip-on-film according to such an embodiment is a substrate 110, a conductive pattern portion (CP) disposed on one surface of the substrate and the conductive pattern portion (CP) The protective layer 140 may be partially disposed on one region of the upper surface of the protective layer 140.

상기 전도성 패턴부(CP)는 상기 배선 패턴층(120) 및 상기 도금층(130)을 포함할 수 있다. The conductive pattern part CP may include the wiring pattern layer 120 and the plating layer 130.

상기 전도성 패턴부(CP) 상의 일 영역과 다른 영역 상에는 상기 보호부(PP)가 배치되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 전도성 패턴부(CP) 상의 일 영역과 다른 영역 상에는 상기 전도성 패턴부(CP) 및 이격된 상기 전도성 패턴부(CP)사이의 기판(110)이 노출될 수 있다. 상기 전도성 패턴부(CP) 상의 일 영역과 다른 영역 상에는 제 1 접속부(150), 제 2 접속부(160) 및 제 3 접속부(170)가 각각 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 보호부(PP)가 배치되지 않는 상기 전도성 패턴부(CP)의 상면에는 제 1 접속부(150), 제 2 접속부(160) 및 제 3 접속부(170)가 각각 배치될 수 있다.The protection part PP may not be disposed on an area different from one area on the conductive pattern part CP. Accordingly, the substrate 110 between the conductive pattern portion CP and the spaced apart conductive pattern portion CP may be exposed on one region and the other region on the conductive pattern portion CP. The first connection part 150, the second connection part 160, and the third connection part 170 may be disposed on one area different from the one area on the conductive pattern part CP. In detail, the first connection part 150, the second connection part 160, and the third connection part 170 may be disposed on an upper surface of the conductive pattern part CP on which the protection part PP is not disposed.

상기 제 1 접속부(150), 상기 제 2 접속부(160) 및 제 3 접속부(170) 각각은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 접속부(150)는 육면체 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 접속부(150)의 단면은 사각형 형상을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 접속부(150)의 단면은 직사각형 또는 정사각형 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 접속부(160)는 구형 형상을 포함할 수 있다. 상기 제 2 접속부(160)의 단면은 원형 형상을 포함할 수 있다. 또는, 상기 제 2 접속부(160)는 부분적으로, 또는 전체적으로 라운드진 형상을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 2 접속부(160)의 단면 형상은 일 측면에서 평면이고, 상기 일 측면과 반대되는 타 측면에서 곡면인 것을 포함할 수 있다. Each of the first connector 150, the second connector 160, and the third connector 170 may have a different shape. For example, the first connector 150 may have a hexahedron shape. In detail, the cross section of the first connector 150 may include a quadrangular shape. In more detail, the cross section of the first connector 150 may have a rectangular or square shape. For example, the second connector 160 may have a spherical shape. The cross section of the second connector 160 may have a circular shape. Alternatively, the second connector 160 may have a rounded shape partially or entirely. For example, the cross-sectional shape of the second connection portion 160 may include a flat surface on one side and a curved surface on the other side opposite to the one side.

상기 제 3 접속부(170)는 구형 형상을 포함할 수 있다. 상기 제 3 접속부(170)의 단면은 원형 형상을 포함할 수 있다. 또는, 상기 제 3 접속부(170)는 부분적으로, 또는 전체적으로 라운드진 형상을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 3 접속부(170)의 단면 형상은 일 측면에서 평면이고, 상기 일 측면과 반대되는 타 측면에서 곡면인 것을 포함할 수 있다.The third connector 170 may have a spherical shape. The cross section of the third connection unit 170 may include a circular shape. Alternatively, the third connector 170 may include a rounded shape partially or entirely. For example, the cross-sectional shape of the third connection unit 170 may include a flat surface on one side and a curved surface on the other side opposite to the one side.

상기 제 1 접속부(150), 상기 제 2 접속부(160) 및 제 3 접속부(170)는 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 상기 제 1 접속부(150), 상기 제 2 접속부(160) 및 제 3 접속부(170)의 폭은 서로 다를 수 있다. 상기 제 1 접속부(150) 상에는 상기 제 1 칩(C1)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 접속부(150)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 접속부(150)는 상기 제 1 접속부(150)의 상면에 배치되는 상기 제 1 칩(C1) 및 상기 제 1 접속부(150)의 하면에 배치되는 상기 전도성 패턴부(CP)를 전기적으로 연결할 수 있다. The first connector 150, the second connector 160, and the third connector 170 may have different sizes. Widths of the first connector 150, the second connector 160, and the third connector 170 may be different from each other. The first chip C1 may be disposed on the first connector 150. The first connector 150 may include a conductive material. Accordingly, the first connector 150 is disposed on the upper surface of the first connector 150 and the conductive pattern portion CP disposed on the lower surface of the first connector 150. Can be electrically connected.

상기 제 2 접속부(160) 상에는 상기 제 2 칩(C2)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 접속부(160)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 접속부(160)는 상기 제 2 접속부(160)의 상면에 배치되는 상기 제 2 칩(C2) 및 상기 제 2 접속부(160)의 하면에 배치되는 상기 전도성 패턴부(CP)를 전기적으로 연결할 수 있다.The second chip C2 may be disposed on the second connector 160. The second connector 160 may include a conductive material. Accordingly, the second connecting portion 160 is disposed on the top surface of the second connecting portion 160 and the conductive pattern portion CP disposed on the bottom surface of the second connecting portion 160. Can be electrically connected.

상기 제 3 접속부(170) 상에는 상기 제 3 칩(C3)이 배치될 수 있다. 상기 제 3 접속부(170)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 3 접속부(170)는 상기 제 3 접속부(170)의 상면에 배치되는 상기 제 3 칩(C3) 및 상기 제 3 접속부(170)의 하면에 배치되는 상기 전도성 패턴부(CP)를 전기적으로 연결할 수 있다.The third chip C3 may be disposed on the third connector 170. The third connector 170 may include a conductive material. Accordingly, the third connecting portion 170 is disposed on the upper surface of the third connecting portion 170 and the conductive pattern portion CP disposed on the lower surface of the third chip C3 and the third connecting portion 170. Can be electrically connected.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 동일한 일면 상에는 서로 다른 종류의 제 1 칩(C1), 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3)이 배치될 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 동일한 일면 상에는 하나의 상기 제 1 칩(C1), 하나의 제 2 칩(C2) 및 복수 개의 제 3 칩(C3)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 칩 패키징 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.Different types of first chips C1, second chips C2, and third chips C3 may be disposed on the same surface of the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment. In detail, one first chip C1, one second chip C2, and a plurality of third chips C3 may be disposed on the same surface of the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment. Thereby, the efficiency of a chip packaging process can be improved.

상기 제 1 칩(C1)은 지문 인식 센서를 포함할 수 있다. 바람직하게, 제 1 칩(C1)은 초음파 지문 인식 센서를 포함할 수 있다. 바람직하게, 제 1 칩(C1)은 변환기(transducer)를 포함할 수 있다. 상기 변환기는 지문 인식 센서의 한 종류인 초음파 지문 센서를 구성하며, 이의 원리는 접촉 표면에 놓인 손가락에 초음파를 투사하여 반사되는 음파를 전기적 신호로 변환하여 지문 이미지를 취득한다. 따라서, 상기 제 1 칩(C1)은 손가락에 반사되는 음파를 전기적 신호로 변환하는 변환기(transducer)를 포함할 수 있다. The first chip C1 may include a fingerprint recognition sensor. Preferably, the first chip C1 may include an ultrasonic fingerprint recognition sensor. Preferably, the first chip C1 may include a transducer. The transducer constitutes an ultrasonic fingerprint sensor, which is a kind of fingerprint recognition sensor, and its principle is to obtain an image of a fingerprint by converting sound waves reflected by an ultrasonic wave onto a finger placed on a contact surface into an electrical signal. Therefore, the first chip C1 may include a transducer for converting sound waves reflected by the finger into an electrical signal.

상기 제 2 칩(C2)은 주문형 집적 회로(ASIC)를 포함할 수 있다. 상기 주문형 집적 회로(ASIC)는 메인 보드(40)를 통해 전달되는 제어 신호를 수신하여 상기 제 1 칩(C1)에 전달하거나, 상기 제 1 칩(C1)을 통해 획득된 신호를 아날로그 처리하여 상기 메인 보드(40)로 전달할 수 있다. The second chip C2 may include an application specific integrated circuit (ASIC). The application specific integrated circuit (ASIC) receives a control signal transmitted through the main board 40 and transmits it to the first chip C1, or analogizes a signal obtained through the first chip C1 to perform the analog processing. The main board 40 may be transferred.

제 3 칩(C3)은 다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 하나인 것을 포함할 수 있다. The third chip C3 may include at least one of a diode chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip capacitor.

칩 온 필름용 연성 회로기판 상에 배치되는 복수 개의 제 3 칩(C3)은 다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 하나가 여러 개 배치되는 것을 의미할 수 있다. 일례로, 칩 온 필름용 연성 회로기판 상에는 여러 개의 MLCC 칩이 배치될 수 있다. The plurality of third chips C3 disposed on the flexible circuit board for the chip on film may mean that at least one of a diode chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip capacitor is disposed. For example, several MLCC chips may be disposed on the flexible circuit board for the chip on film.

또한, 상기 제 3 칩(C3)은 다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 둘을 포함할 수 있다. 즉, 칩 온 필름용 연성 회로기판 상에는 서로 다른 종류의 복수 개의 제 3 칩(C3a, C3b)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 칩 온 필름용 연성 회로기판 상에는 다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 어느 하나의 제 3 칩(C3a) 및 다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 상기 어느 하나와 다른 하나의 제 3 칩(C3b)을 포함할 수 있다.In addition, the third chip C3 may include at least two of a diode chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip capacitor. That is, a plurality of third chips C3a and C3b of different types may be disposed on the flexible circuit board for the chip on film. For example, a third chip C3a of any one of a diode chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip capacitor and a diode chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip capacitor may be formed on the flexible circuit board for the chip on film. Another third chip C3b may be included.

실시 예에서 상기 제 3 칩의 종류가 이에 제한되는 것은 아니며, 상기 제 1 칩(C1) 및 제 2 칩(C2)의 동작의 신뢰성을 위한 다양한 서브 칩들이 모두 여기에 포함될 수 있다. In an embodiment, the type of the third chip is not limited thereto, and various sub-chips for reliability of the operations of the first chip C1 and the second chip C2 may be included therein.

한편, 상기 제 1 칩(C1)은 제 1 접속부(150) 위에 실장될 수 있다. 이때, 상기 제 1 접속부(150)는 금(Au)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 접속부(150)는 골드 범프일 수 있다. 실시 예에 따른 칩 온 름용 연성회로기판에 하나의 제 1 칩(C1)을 배치하기 위해서는 복수 개의 상기 제 1 접속부(150)가 상기 제 1 칩(C1) 및 상기 제 2 도금층(132) 사이에 배치될 수 있다. The first chip C1 may be mounted on the first connector 150. In this case, the first connector 150 may include gold (Au). The first connector 150 may be a gold bump. In order to arrange one first chip C1 on the chip warm flexible circuit according to the embodiment, a plurality of first connection parts 150 may be disposed between the first chip C1 and the second plating layer 132. Can be arranged.

상기 제 1 오픈 영역(OA1)의 상기 제 2 도금층(132)은 주석(Sn)의 함량이 50 원자% 이상임에 따라, 금(Au)을 포함하는 상기 제 1 접속부(150)와 밀착특성이 우수할 수 있다. 상기 칩 온 필름용 연성회로기판을 포함하는 지문 인식 모듈(100)은 상기 제 1 접속부(150)를 통해 상기 제 1 칩(C1)과 전도성 패턴의 전기적인 연결이 우수할 수 있어, 신뢰성이 향상될 수 있다. Since the second plating layer 132 of the first open region OA1 has a content of tin (Sn) of 50 atomic% or more, the second plating layer 132 has excellent adhesion property with the first connection portion 150 including gold (Au). can do. The fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film may have excellent electrical connection between the first chip C1 and the conductive pattern through the first connection part 150, thereby improving reliability. Can be.

이와 다르게, 상기 제 1 접속부(150)는 이방성 도전 페이스트(ACP)를 포함할 수 있으며, 그에 따라 상기 제 1 칩(C1)의 단자와 상기 제 1 오픈 영역(OA1)을 통해 노출된 전도성 패턴부를 전기적으로 연결할 수 있다. Alternatively, the first connector 150 may include an anisotropic conductive paste (ACP), so that the conductive pattern portion exposed through the terminal of the first chip (C1) and the first open area (OA1). Can be electrically connected

한편, 상기 제 1 접속부(150)가 배치되는 전도성 패턴부(CP)에는 상기 제 1 접속부(150)의 흐름을 방지하는 패터닝된 홈(PG:Patterning Groove)가 형성된다. 상기 전도성 패턴부(CP) 중 상기 제 1 접속부(150)가 배치되는 부분은, 상기 제 1 칩(C1)과 연결되는 제 1 이너 리드 패턴부(I1)와, 제 2 이너 리드 패턴부(I2)를 포함한다. 그리고, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)와, 제 2 이너 리드 패턴부(I2)에는 각각 상기 홈(PG)이 형성된다.On the other hand, a patterned groove (PG: Patterning Groove) for preventing the flow of the first connecting portion 150 is formed in the conductive pattern portion CP on which the first connecting portion 150 is disposed. A portion of the conductive pattern portion CP on which the first connection portion 150 is disposed may include a first inner lead pattern portion I1 connected to the first chip C1 and a second inner lead pattern portion I2. ). The grooves PG are formed in the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2, respectively.

도 4a를 참조하면, 상기 홈(PG)은 하나의 이너 리드 패턴부 상에 일정 간격을 두고 복수 개 형성된다. 상기 홈(PG)은 상기 제 1 접속부(150)의 열 처리 과정에서, 상기 제 1 접속부(150)가 상기 제 1 칩(C1)의 진동 공간 내로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된다. 즉, 상기 제 1 칩(C1)을 실장하기 위해서는, 상기 제 1 접속부(150)를 열 처리하는 공정을 진행해야 한다. 이때, 상기 열 처리 공정에서, 상기 제 1 접속부(150)의 적어도 일부는, 상기 진동 공간 방향으로 흘러갈 수 있으며, 이에 따라 상기 진동 공간 내로 침투할 수 있다. Referring to FIG. 4A, a plurality of grooves PG are formed on one inner lead pattern portion at a predetermined interval. The groove PG is formed to prevent the first connector 150 from penetrating into the vibration space of the first chip C1 during the heat treatment of the first connector 150. That is, in order to mount the first chip C1, a process of thermally treating the first connector 150 must be performed. At this time, in the heat treatment process, at least a part of the first connection part 150 may flow in the vibration space direction, and thus may penetrate into the vibration space.

따라서, 본 발명에서는, 상기 열 처리 공정에서 상기 진동 공간 방향으로 이동하는 상기 제 1 접속부(150)의 일부의 흐름을 차단하기 위해 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)와, 제 2 이너 리드 패턴부(I2)에 각각 복수의 홈(PG)을 형성한다. 즉, 상기 열 처리 공정에서 상기 진동 공간 방향으로 이동하는 상기 제 1 접속부(150)의 일부는 상기 복수의 홈(PG)의 내부로 이동하며, 이에 따라 상기 진동 공간 방향으로의 침투를 방지할 수 있다.Therefore, in the present invention, the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern to block the flow of a part of the first connecting portion 150 moving in the vibration space direction in the heat treatment process. A plurality of grooves PG are formed in the portion I2, respectively. That is, a part of the first connection part 150 moving in the vibration space direction in the heat treatment process moves inside the plurality of grooves PG, thereby preventing penetration into the vibration space direction. have.

이때, 상기 제 1 및 이너 리드 패턴부(I1, I2)의 적어도 일부분은 상부 보호층에 의해 덮일 수 있다. 상기 상부 보호층은, 상기 열 처리 공정에서 상기 제 1 접속부(150)가 제 1 방향(진동 공간 방향과 반대되는 방향)으로 이동하는 것을 방지하는 댐 역할을 할 수 있다. 다만, 상기 제 1 방향과 반대되는 제 2 방향(상기 진동 공간을 향하는 방향)에는 상기 상부 보호층이 배치되지 않으며, 이에 따라 상기 댐 기능을 하는 구성이 존재하지 않는다. 따라서, 상기 홈(PG)은 상기 제 1 및 2 이너 리드 패턴부(I1, I2)의 중앙을 중심으로, 상기 제 2 방향으로 향하는 영역 상에만 선택적으로 형성될 수 있다. In this case, at least a portion of the first and inner lead pattern portions I1 and I2 may be covered by an upper passivation layer. The upper protective layer may serve as a dam that prevents the first connection portion 150 from moving in the first direction (the direction opposite to the vibration space direction) in the heat treatment process. However, the upper protective layer is not disposed in the second direction (direction toward the vibration space) opposite to the first direction, and thus there is no configuration that functions as the dam. Therefore, the groove PG may be selectively formed only on a region facing the second direction, centering on the centers of the first and second inner lead pattern portions I1 and I2.

예를 들어, 도 4a에서, 좌측에 위치한 제 1 이너 리드 패턴부(I1)의 좌측에는 상부 보호층이 배치된다. 따라서, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)의 중앙을 중심으로 좌측 영역에는 상기 홈(PG)이 형성되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)의 중앙을 중심으로 우측에는 상기 진동 공간이 형성되어 있다. 따라서, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)의 중앙을 중심으로 우측 영역에는 일정 간격 이격되는 복수의 홈(PG)이 배치될 수 있다.For example, in FIG. 4A, an upper passivation layer is disposed on the left side of the first inner lead pattern portion I1 located on the left side. Therefore, the groove PG may not be formed in the left region around the center of the first inner lead pattern portion I1. In addition, the vibration space is formed on the right side of the center of the first inner lead pattern portion I1. Therefore, a plurality of grooves PG spaced at regular intervals may be disposed in the right region around the center of the first inner lead pattern portion I1.

따라서, 본 발명에 따른 실시 예에서는 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)의 제 1 영역(중앙을 중심으로 상기 제 1 방향에 위치한 영역)에는 상기 홈(PG)을 형성하지 않음에 따라 상기 제 1 접속부(150)가 안정적으로 안착될 수 있도록 한다. 또한, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)의 제 2 영역(중앙을 중심으로 상기 제 2 방향에 위치한 영역)에만 선택적으로 상기 홈(PG)을 형성함에 따라 상기 제 2 방향으로 이동하는 제 1 접속부(150)의 흐름을 차단할 수 있다.Therefore, in the embodiment according to the present invention, the groove PG is not formed in the first region (the region located in the first direction about the center) of the first inner lead pattern portion I1. 1 to allow the connection part 150 to be stably seated. In addition, the first movement of the first inner lead pattern part I1 may be performed in the second direction by selectively forming the groove PG only in the second region (the region located in the second direction with the center as the center). The flow of the connection unit 150 may be blocked.

한편, 도 4b를 참조하면, 상기 홈(PG)은 다양한 조건으로 형성될 수 있다. 상기 조건은, 복수의 홈 사이의 간격일 수 있으며, 상기 복수의 홈이 가지는 각각의 폭일 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4B, the groove PG may be formed under various conditions. The condition may be an interval between a plurality of grooves and a width of each of the grooves.

도 4b의 (a)를 참조하면, 상기 복수의 홈(PG) 사이의 간격은, 상기 제 2 방향으로 갈수록 점차 감소할 수 있다. 즉, 상기 진동 공간과 가장 인접한 상기 제 1및 2 이너 리드 패턴부(I1, I2)의 가장자리 영역에는, 상기 제 1 접속부의 흐름을 완전히 차단할 필요가 있다. 따라서, 상기 진동 공간과 인접할수록 상기 홈(PG)의 배치 간격을 감소시킴으로써, 상기 제 1 접속부가 상기 진동 공간으로 침투할 수 있는 상황을 사전에 방지할 수 있도록 한다.Referring to FIG. 4B (a), the distance between the plurality of grooves PG may gradually decrease toward the second direction. That is, it is necessary to completely block the flow of the first connecting portion in the edge region of the first and second inner lead pattern portions I1 and I2 closest to the vibration space. Therefore, by reducing the arrangement interval of the grooves PG closer to the vibration space, it is possible to prevent the situation that the first connecting portion can penetrate into the vibration space in advance.

또한, 도 4b의 (b)를 참조하면, 상기 복수의 홈(PG)이 가지는 각각의 폭은 서로 다를 수 있다. 즉, 상기 복수의 홈(PG)이 가지는 각각의 폭은 상기 제 2 방향으로 갈수폭 점차 증가할 수 있다. 다시 말해서, 상기 복수의 홈(PG)이 가지는 가각각의 폭은 상기 진동 공간과 인접할수록 클 수 있다. 따라서, 상기 진동 공간과 인접할수록 상기 홈(PG)이 가지는 폭을 증가시킴으로써, 상기 제 1 접속부(150)가 상기 진동 공간으로 침투할 수 있는 상황을 사전에 방지할 수 있도록 한다.In addition, referring to FIG. 4B (b), the widths of the plurality of grooves PG may be different from each other. That is, each width of the plurality of grooves PG may gradually increase in width in the second direction. In other words, the width of each angle of the plurality of grooves PG may be larger as it is adjacent to the vibration space. Therefore, by increasing the width of the groove PG closer to the vibration space, a situation in which the first connection part 150 can penetrate into the vibration space can be prevented in advance.

한편, 상기 기판(110)의 상면 중 상기 제 1 오픈 영역(OA1) 상에는 상기 제 1 및 2 이너 리드 패턴부(I1, I2)가 배치된다. 이때, 상기 제 1 및 2 이너 리드 패턴부(I1, I2)는 상기 제 1 오픈 영역(OA1)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 오픈 영역(OA1)의 상기 가장자리 영역을 제외한 나머지 영역은 상기 제 1 칩(C1)의 진동 공간을 형성한다. Meanwhile, the first and second inner lead pattern parts I1 and I2 are disposed on the first open area OA1 of the upper surface of the substrate 110. In this case, the first and second inner lead pattern parts I1 and I2 may be disposed in an edge area of the first open area OA1. The remaining area except for the edge area of the first open area OA1 forms a vibration space of the first chip C1.

이때, 본 발명에서는 상기 진동 공간 내에 보호 패턴부(190)를 형성하고, 상기 형성된 보호 패턴부(190)를 통해 상기 제 1 접속부(150)의 침투 차단 및 상기 제 1 칩(C1)의 안정적인 진동 동작이 이루어지도록 한다.In this case, in the present invention, the protective pattern part 190 is formed in the vibration space, and the penetration of the first connection part 150 and the stable vibration of the first chip C1 are formed through the formed protective pattern part 190. Let the action take place.

즉, 상기 진동 공간에 해당하는 상기 기판(110)의 상면에는 상기 보호 패턴부(190)가 배치된다.That is, the protective pattern part 190 is disposed on the upper surface of the substrate 110 corresponding to the vibration space.

상기 보호 패턴부(190)는 상호 일정 간격 이격되며, 기둥 형상을 가지는 복수의 보호 패턴을 포함할 수 있다. The protection pattern unit 190 may be spaced apart from each other by a predetermined interval, and may include a plurality of protection patterns having a columnar shape.

상기 보호 패턴부(190)는 비전도성 물질로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 보호 패턴부(190)는 절연물질로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 보호 패턴부(190)는 감광 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호 패턴부(190)는 포토 레지스트(PR: Photo Resist)일 수 있다. The protective pattern part 190 may be formed of a non-conductive material. Preferably, the protective pattern portion 190 may be formed of an insulating material. Preferably, the protective pattern portion 190 may be formed of a photosensitive resin. For example, the protection pattern unit 190 may be a photo resist (PR).

이때, 상기 보호 패턴부(190)는 상기 진동 공간에 해당하는 유효부의 외곽 영역에 배치되는 제 1 보호 패턴부(191)와, 상기 유효부의 중앙 영역에 배치되는 제 2 보호 패턴부(192)를 포함할 수 있다.In this case, the protection pattern part 190 may include a first protection pattern part 191 disposed in the outer region of the effective part corresponding to the vibration space, and a second protection pattern part 192 disposed in the center area of the effective part. It may include.

상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)와 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)로부터 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. The first protective pattern portion 191 may be disposed adjacent to the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2. The first protective pattern portion 191 may be spaced apart from the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2 by a predetermined interval.

상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)에 형성된 홈(PG)과 함께, 상기 제 1 접속부(150)가 상기 진동 공간의 유효부 내로 침투하는 것을 방지할 수 있다. The first protection pattern portion 191 includes the grooves PG formed in the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2, and the first connection portion 150 vibrates. Penetration into the effective portion of the space can be prevented.

다시 말해서, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 기판(110)의 상면 중 상기 진동 공간의 유효부의 외곽 영역에 배치되어, 상기 제 1 접속부(150)가 상기 유효부 내로 침투하는 것을 방지하는 격벽 역할을 할 수 있다. In other words, the first protective pattern portion 191 is disposed in an outer region of the effective portion of the vibration space among the upper surfaces of the substrate 110 to prevent the first connection portion 150 from penetrating into the effective portion. Can act as a bulkhead.

즉, 상기 제 1 접속부(150)의 양에 따라, 상기 제 1 접속부(150)의 일부가 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)에 형성된 홈(PG)에 의해 흐름이 차단되지 않고, 상기 진동 공간의 유효부 내로 침투할 수 있다.That is, according to the amount of the first connecting portion 150, a portion of the first connecting portion 150 is formed in the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2. The flow is not blocked by), and can penetrate into the effective portion of the vibration space.

이에 따라, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 접속부(150)가 상기 진동 공간의 유효부 내로 침투하는 것을 추가로 방지할 수 있다. Accordingly, the first protective pattern part 191 may further prevent the first connection part 150 from penetrating into the effective part of the vibration space.

이때, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)의 높이보다 낮은 높이를 가지며 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 전도성 패턴부(CP)의 높이보다 낮은 높이를 가질 수 있다. In this case, the first protective pattern portion 191 may be formed to have a height lower than that of the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2. Preferably, the first protective pattern portion 191 may have a height lower than that of the conductive pattern portion CP.

따라서, 상기 제 1 보호 패턴부(191)의 상면은 일정 이격 거리를 가지며 상기 상기 제 1 칩(C1)의 하면과 이격될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 형성된 이격 거리 내에서 진동을 수행하여 그에 따른 감지 신호를 획득할 수 있다.Therefore, an upper surface of the first protective pattern unit 191 may have a predetermined distance and may be spaced apart from a lower surface of the first chip C1. In addition, the first chip C1 may perform a vibration within the formed separation distance to obtain a detection signal accordingly.

바람직하게, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에는 상기 제 1 칩(C1)의 하면을 보호하는 칩 보호층(153)이 형성된다. 이때, 상기 칩 보호층(153)은 SU8과 같은 포토 레지스트로 형성될 수 있다. Preferably, a chip protection layer 153 is formed on the bottom surface of the first chip C1 to protect the bottom surface of the first chip C1. In this case, the chip protection layer 153 may be formed of a photoresist such as SU8.

그리고, 상기 제 1 보호 패턴부(191)의 상면은 상기 진동 공간 내에서, 상기 칩 보호층(153)의 하면과 일정 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. The upper surface of the first protective pattern part 191 may be spaced apart from the lower surface of the chip protection layer 153 by a predetermined distance in the vibration space.

상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 진동 공간의 유효부의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 2 보호 패턴부(192)의 주위를 둘러싸며 배치될 수 있다.The second protective pattern part 192 may be disposed in a central area of the effective part of the vibration space. Accordingly, the first protective pattern portion 191 may be disposed to surround the second protective pattern portion 192.

상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 1 칩(C1)의 진동 동작의 안정성을 확보하기 위해 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 칩(C1)은 사용 환경 내에서, 다양한 요인에 의해 정상보다 큰 폭으로 진동을 할 수 있다. 그리고, 상기 제 1 칩(C1)이 정상보다 큰 폭으로 진동하는 경우, 상기 제 1 칩(C1)에 데미지가 갈 수 있으며, 이에 따른 정확한 감지 신호를 획득할 수 없게 된다. 따라서, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 유효부 내에서 상기 제 1 칩(C1)의 비정상적인 진동 동작을 방지할 수 있다.The second protective pattern portion 192 may be formed to ensure the stability of the vibration operation of the first chip (C1). That is, the first chip C1 may vibrate more than normal due to various factors in the use environment. In addition, when the first chip C1 vibrates with a width larger than normal, damage may occur to the first chip C1, and thus, an accurate sensing signal may not be obtained. Accordingly, the second protection pattern unit 192 may prevent abnormal vibration of the first chip C1 in the effective part.

또한, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에는 상기 제 1 접속부(150)를 통해 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)와 전기적으로 연결되는 패드(PAD)가 형성된다. 이때, 상기 패드(PAD)는 상기 제 1 칩(C1)의 하면의 외곽 영역에 배치될 수 있다. 바람직하게 상기 패드(PAD)는 상기 제 1 칩(C1)의 하면의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 칩(C1)의 외곽 영역은 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)에 의해 지지되어 배치될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역은 상기 기판(110)의 상면과 일정 간격 이격된 부유(Floating) 상태로 배치된다. 이에 따라, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 중앙 영역이 아래 방향으로 처지는 휨 현상이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역의 처짐 현상을 방지할 수 있으며, 이에 따른 상기 제 1 칩(C1)의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 제 2 보호 패턴부(192)의 일부는 상기 제 1 보호 패턴부(191)와 함께 상기 제 1 접속부(150)가 상기 유효부 내로 침투하는 것을 방지하는 기능을 수행할 수도 있을 것이다. In addition, a pad PAD is electrically connected to the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2 through the first connection portion 150 on the bottom surface of the first chip C1. ) Is formed. In this case, the pad PAD may be disposed in an outer region of the bottom surface of the first chip C1. Preferably, the pad PAD may be disposed in an edge region of the bottom surface of the first chip C1. Accordingly, the outer region of the first chip C1 may be supported and disposed by the first inner lead pattern portion I1 and the second inner lead pattern portion I2. Alternatively, the central region of the first chip C1 is disposed in a floating state spaced apart from the upper surface of the substrate 110 by a predetermined distance. Accordingly, the first chip C1 may cause a bending phenomenon in which the central region sags downward. Accordingly, the second protective pattern unit 192 can prevent the deflection of the central region of the first chip C1, thereby improving the operational reliability of the first chip C1. Meanwhile, a part of the second protection pattern part 192 may perform a function of preventing the first connection part 150 from penetrating into the effective part together with the first protection pattern part 191.

도 5를 참조하면, 상기 제 1 이너리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)를 구성하는 전도성 패턴부(CP)는 제 1 높이(H1)를 가질 수 있다. 그리고, 상기 기판(110)은 제 2 높이(H2)를 가질 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴부(CP) 상에 배치되는 상기 제 1 접속부(150)는 제 3 높이(H3)를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 칩(C1)은 제 4 높이(H4)를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에 배치되는 패드(PAD)는 제 5 높이(H5)를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에 배치되는 칩 보호층(153)은 제 6 높이(H6)를 가질 수 있다. 또한, 상기 보호 패턴부(190)는 제 7 높이(H7)를 가질 수 있다. Referring to FIG. 5, the conductive pattern part CP constituting the first inner lead pattern part I1 and the second inner lead pattern part I2 may have a first height H1. In addition, the substrate 110 may have a second height H2. In addition, the first connection part 150 disposed on the conductive pattern part CP may have a third height H3. In addition, the first chip C1 may have a fourth height H4. In addition, the pad PAD disposed on the bottom surface of the first chip C1 may have a fifth height H5. In addition, the chip protection layer 153 disposed on the bottom surface of the first chip C1 may have a sixth height H6. In addition, the protection pattern part 190 may have a seventh height H7.

상기 전도성 패턴부(CP)가 가지는 제 1 높이(H1)는 7㎛ 내지 13㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. The first height H1 of the conductive pattern part CP may satisfy a range between 7 μm and 13 μm.

그리고, 상기 기판(110)이 가지는 제 2 높이(H2)는 15㎛ 내지 50㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)이 가지는 제 2 높이(H2)는 25㎛ 내지 40㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 상기 기판(110)이 가지는 제 2 높이(H2)는 30㎛ 내지 35㎛일 수 있다. The second height H2 of the substrate 110 may satisfy a range of 15 μm to 50 μm. For example, the second height H2 of the substrate 110 may satisfy a range between 25 μm and 40 μm. For example, the second height H2 of the substrate 110 may be 30 μm to 35 μm.

또한, 상기 제 1 접속부(150)가 가지는 상기 제 3 높이(H3)는 1㎛ 내지 4㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. In addition, the third height H3 of the first connection part 150 may satisfy a range between 1 μm and 4 μm.

또한, 상기 제 1 칩(C1)이 가지는 상기 제 4 높이(H4)는 50㎛ 내지 70㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. 바람직하게 상기 제 1 칩(C1)이 가지는 상기 제 4 높이(H4)는 60㎛일 수 있다.In addition, the fourth height H4 of the first chip C1 may satisfy a range of 50 μm to 70 μm. Preferably, the fourth height H4 of the first chip C1 may be 60 μm.

또한, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에 배치되는 패드(PAD)가 가진 상기 제 5 높이(H5)는 1㎛ 내지 3㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 패드(PAD)가 가지는 상기 제 5 높이(H5)는 2㎛일 수 있다.In addition, the fifth height H5 of the pad PAD disposed on the bottom surface of the first chip C1 may satisfy a range between 1 μm and 3 μm. Preferably, the fifth height H5 of the pad PAD may be 2 μm.

또한, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에 배치되는 칩 보호층(153)이 가진 상기 제 6 높이(H6)는 2㎛ 내지 10㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 칩 보호층(153)이 가지는 상기 제 6 높이(H6)는 4㎛ 내지 5㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다.In addition, the sixth height H6 of the chip protection layer 153 disposed on the bottom surface of the first chip C1 may satisfy a range between 2 μm and 10 μm. Preferably, the sixth height H6 of the chip protection layer 153 may satisfy a range between 4 μm and 5 μm.

한편, 상기 보호 패턴부(190)가 가지는 상기 제 7 높이(H7)는 4㎛ 내지 12㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 보호 패턴부(190)가 가지는 상기 제 7 높이(H7)는 6㎛ 내지 11㎛ 사이의 범위를 만족할 수 있다. Meanwhile, the seventh height H7 of the protective pattern unit 190 may satisfy a range between 4 μm and 12 μm. Preferably, the seventh height H7 of the protective pattern part 190 may satisfy a range between 6 μm and 11 μm.

이때, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 7 높이(H7)에 대응하는 상호 동일 높이를 가지며, 상기 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않고, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192)의 높이는 서로 다를 수 있다. 즉, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192) 중 어느 하나는 상기 제 7 높이(H7)를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192) 중 다른 하나는 상기 제 7 높이(H7)보다 작은 제 8 높이를 가질 수 있다. In this case, the first protective pattern portion 191 and the second protective pattern portion 192 may have the same height as the seventh height H7 and may be disposed on the substrate 110. However, the embodiment is not limited thereto, and the heights of the first protective pattern portion 191 and the second protective pattern portion 192 may be different from each other. That is, any one of the first protective pattern portion 191 and the second protective pattern portion 192 may have the seventh height H7. In addition, the other of the first protective pattern portion 191 and the second protective pattern portion 192 may have an eighth height smaller than the seventh height H7.

또한, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192) 각각의 높이는 상기 전도성 패턴부(CP)가 가지는 상기 제 1 높이(H1)보다 작을 수 있다.In addition, the height of each of the first protective pattern part 191 and the second protective pattern part 192 may be smaller than the first height H1 of the conductive pattern part CP.

상기와 같은, 본 발명에 따른 실시 예에서는, 상기 제 1 칩(C1)의 진동 공간에 대응하는 기판(110)의 상면에 상기 이너 리드 패턴부의 높이보다는 낮은 높이의 보호 패턴부를 형성한다. 상기 보호 패턴부의 상면과 상기 제 1 칩(C1)의 하면 사이에는 일정 이격 공간이 존재한다. 그리고, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 이격 공간 내에서 진동하여 동작할 수 있다. 또한, 상기 보호 패턴부는 상기 제 1 칩(C1)이 하부 방향으로 심하게 진동하는 것을 방지하여, 상기 제 1 칩(C1)의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 접속부에 의해 이너리드 패턴부 위에 실장되며, 이에 따라 외곽 영역은 상기 이너리드 패턴부에 의해 지지될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역은 기판 상에 부유(floating)된 상태로 위치하게 된다. 이때, 상기 보호 패턴부는 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역이 상기 외곽 영역 대비 아래로 처지는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따른 상기 제 1 칩(C1)의 휨 현상을 최소화할 수 있다. As described above, in the embodiment according to the present disclosure, a protective pattern portion having a height lower than that of the inner lead pattern portion is formed on the upper surface of the substrate 110 corresponding to the vibration space of the first chip C1. A predetermined space exists between the upper surface of the protective pattern portion and the lower surface of the first chip C1. In addition, the first chip C1 may operate by vibrating in the separation space. In addition, the protective pattern part may prevent the first chip C1 from vibrating violently in the downward direction, thereby improving the operational reliability of the first chip C1. On the other hand, the first chip (C1) is mounted on the inner lead pattern portion by the connection portion, the outer region can be supported by the inner lead pattern portion. Alternatively, the central region of the first chip C1 is positioned in a floating state on the substrate. In this case, the protective pattern part may prevent the central area of the first chip C1 from sagging below the outer area, thereby minimizing the warpage of the first chip C1.

한편, 상기 보호 패턴부는 상기 유효부의 중앙 영역에 배치되는 제 2 보호 패턴부와, 상기 제 2 보호 패턴부를 둘러싸며 상기 유효부의 외곽 영역에 배치되는 제 1 보호 패턴부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 보호 패턴부와 제 2 보호 패턴부는 서로 다른 형상 또는 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 보호 패턴부는 상기 설명한 바와 같이 상기 제 1 칩(C1)의 중앙 영역의 처짐을 방지하는 기능을 할 수 있다. 또한, 상기 제 1 보호 패턴부는 상기 제 1 접속부가 상기 유효부 내로 침투하는 것을 추가로 방지할 수 있다. The protective pattern part may include a second protective pattern part disposed in a central area of the effective part, and a first protective pattern part surrounding the second protective pattern part and disposed in an outer area of the effective part. In this case, the first protective pattern portion and the second protective pattern portion may have different shapes or different sizes. As described above, the second protective pattern portion may function to prevent sagging of the central region of the first chip C1. In addition, the first protective pattern part may further prevent the first connection part from penetrating into the effective part.

한편, 도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 상기 보호 패턴부(190)는 다양한 형상을 가지며 상기 기판(110)의 상면 중 상기 진동 공간에 대응하는 유효부 상에 배치될 수 있다.6A to 6D, the protective pattern part 190 may have various shapes and may be disposed on an effective part corresponding to the vibration space among the upper surfaces of the substrate 110.

도 6a를 참조하면, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 기판(110)의 상면 중 상기 유효부의 외곽 영역에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상호 일정 간격 이격된 복수의 제 1 보호 패턴을 포함하여 구성될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 보호 패턴은 수평 단면이 사각형을 가질 수 있다. 또한, 상기 복수의 제1 보호 패턴을 연결하는 상기 제 1 보호 패턴부(191)의 전체 형상도 사각 형상을 가질 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않고, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 삼각 형상이나 다각 형상을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 6A, the first protective pattern portion 191 may be disposed in an outer region of the effective portion of the upper surface of the substrate 110. In this case, the first protection pattern unit 191 may include a plurality of first protection patterns spaced apart from each other by a predetermined interval. The first protective pattern may have a quadrangular cross section. In addition, the overall shape of the first protective pattern portion 191 connecting the plurality of first protective patterns may also have a square shape. However, the embodiment is not limited thereto, and the first protective pattern part 191 may have a triangular shape or a polygonal shape.

한편, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 1 보호 패턴부(191)에 의해 둘러싸이며, 상기 유효부의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 유효부의 중앙 영역에서, 상호 일정 간격 이격되어 배치되는 복수의 제 2 보호 패턴을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 보호 패턴은 수평 단면이 원 형상을 가질 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않고, 상기 제 2 보호 패턴은 타원 형상, 하트 형상 및 부채꼴 형상 등으로 변형 가능하다.The second protective pattern part 192 may be surrounded by the first protective pattern part 191, and may be disposed in a central area of the effective part. In this case, the second protection pattern unit 192 may include a plurality of second protection patterns that are spaced apart from each other by a predetermined interval in the central region of the effective part. In this case, the second protection pattern may have a circular cross section. However, the embodiment is not limited thereto, and the second protection pattern may be modified into an ellipse shape, a heart shape, and a fan shape.

즉, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 제 2 보호 패턴부(192)는 수평 단면 형상이 서로 다를 수 있다. 이는, 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192)가 가지는 기능이 서로 다르기 때문이다. That is, the first protective pattern portion 191 and the second protective pattern portion 192 may have different horizontal cross-sectional shapes. This is because the functions of the first protective pattern part 191 and the second protective pattern part 192 are different from each other.

상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 접속부(150)의 침투를 방지하는 기능을 수행한다. 이때, 상기 제 1 보호 패턴부(191)의 수직 단면이 곡면을 가지는 경우, 상기 곡면을 통해 상기 제 1 접속부(150)의 일부가 상기 유효부 내로 침투될 수 있다. 따라서, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 접속부(150)의 침투를 완벽하게 차단하기 위해, 상기와 같은 사각 형상을 가지는 것이 바람직하다.The first protective pattern part 191 performs a function of preventing penetration of the first connection part 150. In this case, when the vertical cross section of the first protective pattern portion 191 has a curved surface, a portion of the first connection portion 150 may penetrate into the effective portion through the curved surface. Therefore, the first protective pattern portion 191 preferably has a rectangular shape as described above to completely block the penetration of the first connection portion 150.

또한, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 1 칩(C1)의 하면이 처지는 것을 방지한다. 따라서, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 1 칩(C1)의 하면(보다 명확하게는 칩 보호층의 하면)과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 보호 패턴부(192)를 구성하는 제 2 보호 패턴은 원과 같은 단면 형상을 가지도록 하여, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에 가해지는 데미지를 최소화할 수 있도록 한다.In addition, the second protective pattern unit 192 prevents the lower surface of the first chip C1 from sagging. Therefore, the second protective pattern unit 192 may contact the lower surface of the first chip C1 (more specifically, the lower surface of the chip protective layer). Accordingly, the second protective pattern constituting the second protective pattern part 192 has a cross-sectional shape like a circle, so that damage to the bottom surface of the first chip C1 can be minimized.

한편, 도 6b를 참조하면, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 유효부의 외곽 영역에 복수의 열로 배치될 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 6B, the first protective pattern portion 191 may be arranged in a plurality of rows in the outer region of the effective portion.

즉, 도 6a에서는, 상기 제 1 보호 패턴부(191)가 상기 유효부의 외곽 영역에 1열로 배치되는 것으로 도시되었다. That is, in FIG. 6A, the first protective pattern part 191 is illustrated as being arranged in one row in the outer region of the effective part.

이와 다르게, 도 6b를 참조하면 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 유효부의 외곽 영역에 2열로 배치될 수 있다. 다만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 3열, 4열 및 이 이상의 열로도 배치될 수 있을 것이다. Alternatively, referring to FIG. 6B, the first protective pattern portion 191 may be disposed in two rows in the outer region of the effective portion. However, this is only an example, and the first protective pattern portion 191 may be arranged in three rows, four rows, or more rows.

즉, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 유효부의 최외곽 영역에 배치되는 제 1 열의 보호패턴들(191a)과, 상기 제 1 열의 보호패턴(191a)들의 안쪽에 배치되는 제 2 열의 보호패턴들(191b)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제 1 열의 보호패턴들(191a) 및 상기 제 2 열의 보호패턴들(191b)은 모두 상호 일정 간격 이격된 복수의 보호패턴들을 포함할 수 있다.That is, the first protection pattern part 191 may protect the first row of protection patterns 191a disposed in the outermost region of the effective part and the second row of protection patterns 191a of the first row. It may include patterns 191b. The protection patterns 191a in the first column and the protection patterns 191b in the second column may include a plurality of protection patterns spaced apart from each other by a predetermined interval.

이때, 상기 제 1 열의 보호패턴들(191a)은 상기와 같이 상호 일정 간격 이격되어 있으며, 이에 따라 각각의 제 1 열의 보호 패턴들(191a) 사이에는 오픈 영역(OR)이 존재하게 된다. 이때, 상기 오픈 영역(OR)을 통해 상기 제 1 접속부(150)가 침투되는 상황이 발생할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는 상기 제 1 열의 보호패턴들(191a) 이외에 추가의 상기 제 2 열의 보호패턴들(191b)을 형성한다. 이때, 상기 제 1 열의 보호패턴들(191a)과 상기 제 2 열의 보호패턴들(191b)은 각각의 열에서 상호 지그재그 형태로 배치될 수 있다. 다시 말해서, 상기 제 2 열의 보호패턴들(191b)은 상기 제 2열 내에서, 상기 제 1 열의 보호 패턴들(191a) 사이의 상기 오픈 영역(OR) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 열의 보호 패턴들(191a) 사이의 오픈 영역(OR)을 통해 상기 제 1 접속부(150)가 침투된다 하더라도, 상기 제 2 열의 보호패턴들(191b)에 의해 흐름이 차단될 수 있다. In this case, the protection patterns 191a of the first column are spaced apart from each other as described above, so that an open area OR exists between the protection patterns 191a of each first column. In this case, a situation may occur in which the first connection unit 150 penetrates through the open area OR. Accordingly, in the present invention, additional protective patterns 191b of the second column are formed in addition to the protective patterns 191a of the first column. In this case, the protective patterns 191a of the first column and the protective patterns 191b of the second column may be arranged in a zigzag form in each column. In other words, the protection patterns 191b of the second column may be disposed on the open area OR between the protection patterns 191a of the first column within the second column. Accordingly, even if the first connection part 150 penetrates through the open area OR between the protection patterns 191a of the first row, the flow may be blocked by the protection patterns 191b of the second row. Can be.

한편, 도 6c에서와 같이, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기와 같이 제 1 열의 보호패턴들(191a) 및 제 2 열의 보호패턴들(191b)을 포함할 수 있다. 6C, the first protection pattern unit 191 may include the protection patterns 191a in the first column and the protection patterns 191b in the second column as described above.

또한, 상기 제 2 열의 보호패턴들(191) 내에는 상기 제 2 보호 패턴부(192)가 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 이전 도면에서 도시된 형상과는 다르게 사각 단면 형상을 가질 수 있다.In addition, the second protection pattern part 192 may be disposed in the protection patterns 191 of the second row. In this case, the second protective pattern portion 192 may have a square cross-sectional shape different from the shape shown in the previous drawing.

한편, 도 6d에서와 같이, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 1열의 보호패턴들만을 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 6D, the first protection pattern unit 191 may include only one protection pattern in one column.

이때, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 이전 실시 예에서와 같이 상호 일정 간격 이격된 복수의 제 1 보호패턴을 포함하지 않고, 단일 개의 보호 패턴을 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 유효부의 외곽 영역을 둘러싸는 단일폐곡선 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 접속부(150)는 상기 단일폐곡선 형상의 제 1 보호 패턴부(191)에 의해 흐름이 완벽하게 차단될 수 있다.In this case, as in the previous embodiment, the first protection pattern unit 191 may not include the plurality of first protection patterns spaced apart from each other by a predetermined interval, but may include a single protection pattern. Preferably, the first protective pattern portion 191 may have a single closed curve shape surrounding an outer region of the effective portion. Accordingly, the first connection portion 150 may be completely blocked flow by the first protective pattern portion 191 of the single closed curve shape.

한편, 상기 제 1 칩(C1)의 주위에는 제 1 사이드 몰딩부(155)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 사이드 몰딩부(155)는 상기 지문 인식 모듈의 사용 환경에서, 다양한 오염 요인으로부터 상기 제 1 칩(C1)의 동작 신뢰성이 확보될 수 있도록 한다. 이때, 상기 제 1 사이드 몰딩부(155)는 상기 제 1 칩(C1)의 하부 영역에는 배치되지 않는다. 바람직하게, 상기 제 1 사이드 몰딩부(155)는 상기 제 1 칩(C1)의 단자의 외곽 영역을 둘러싸며 배치되고, 그에 따라 상기 제 1 칩(C1)의 하부 영역의 주위를 밀폐한다. 따라서, 상기 제 1 칩(C1)의 하부 영역에는 상기 기판(110)과 상기 제 1 칩(C1) 사이에 공간이 형성된다. 상기 공간은 상기 제 1 칩(C1)의 동작 중에 발생하는 진동을 위해 형성된다. 즉, 상기 제 1 칩(C1)은 초음파 지문 센서이며, 그에 따라 동작 중에 진동이 발생한다. 따라서, 상기 공간은 상기 제 1 칩(C1)의 진동이 안정적으로 발생할 수 있도록 하는 공간을 확보한다. The first side molding part 155 may be disposed around the first chip C1. The first side molding part 155 may ensure the operational reliability of the first chip C1 from various contamination factors in the environment of using the fingerprint recognition module. In this case, the first side molding part 155 is not disposed in the lower region of the first chip C1. Preferably, the first side molding part 155 is disposed surrounding the outer region of the terminal of the first chip C1, thereby sealing the circumference of the lower region of the first chip C1. Therefore, a space is formed between the substrate 110 and the first chip C1 in the lower region of the first chip C1. The space is formed for vibration generated during the operation of the first chip C1. That is, the first chip C1 is an ultrasonic fingerprint sensor, and thus vibration occurs during operation. Therefore, the space ensures a space for stable vibration of the first chip (C1).

이때, 상기 공간이 너무 넓으면, 그에 따른 지문 인식 모듈의 전체 부피가 커지는 문제가 있으며, 상기 공간이 너무 좁으면, 상기 지문 인식 센서의 동작 중에 상기 제 1 칩(C1)과 상기 기판(110) 사이의 접촉에 따른 제 1 칩(C1)의 동작 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다. At this time, if the space is too large, there is a problem that the total volume of the fingerprint recognition module accordingly increases, and if the space is too narrow, the first chip C1 and the substrate 110 during the operation of the fingerprint recognition sensor. Problems may arise in the operation reliability of the first chip (C1) according to the contact therebetween.

따라서, 상기 공간의 높이는 7㎛~13㎛ 사이를 가지도록 한다. 또한, 상기 공간의 높이는 8㎛~11㎛ 사이를 가지도록 한다. 바람직하게, 상기 공간의 높이는 최소 7㎛ 이상이 되도록 한다. 즉, 상기 공간의 높이가 7㎛보다 작으면, 상기 제 1 칩(C1)의 진동 공간이 충분히 확보되지 않음에 따른 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는 상기 전도성 패턴부의 높이가 최소 7㎛ 이상이 되도록 상기 기재한 배선 패턴층(120)의 두께, 제 1 도금층(131)의 두께 및 제 2 도금층(132)의 두께 범위를 조절한다. Therefore, the height of the space to have a 7㎛ ~ 13㎛. In addition, the height of the space is to have between 8㎛ ~ 11㎛. Preferably, the height of the space is to be at least 7㎛. That is, when the height of the space is smaller than 7 μm, a problem may occur due to insufficient vibration space of the first chip C1. Accordingly, in the present invention, the thickness of the wiring pattern layer 120, the thickness of the first plating layer 131, and the thickness range of the second plating layer 132 are adjusted so that the height of the conductive pattern portion is at least 7 μm. do.

한편, 상기 제 1 칩(C1)의 하면에는 칩 보호층이 배치된다. 상기 칩 보호층은 상기 제 1 칩(C1)과 상기 기판 사이에서, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 기판 사이의 접촉에 따른 상기 제 1 칩(C1)을 보호하기 위해 형성된다. Meanwhile, a chip protection layer is disposed on the bottom surface of the first chip C1. The chip protection layer is formed between the first chip C1 and the substrate to protect the first chip C1 due to contact between the first chip C1 and the substrate.

또한, 상기 제 1 칩(C1)이 배치된 영역과 수직으로 중첩된 영역 상에는 적어도 하나의 통공(VP:Vent Path)이 형성된다. 상기 통공(VP:Vent Path)은 상기 진동 공간과 연통한다. 상기 통공(VP:Vent Path)은 상기 진동 공간 내에 충전된 가스를 외부로 배출시키기 위한 가스 배출 경로를 형성한다. In addition, at least one vent path (VP) is formed on a region vertically overlapping the region where the first chip C1 is disposed. The vent path (VP) communicates with the vibration space. The vent path (VP) forms a gas discharge path for discharging the gas filled in the vibration space to the outside.

이를 위해, 상기 통공(VP:Vent Path)은 상기 진동 공간과 연통하여, 상기 진동 공간 내에 충전된 가스를 외부로 배출하기 위한 경로를 형성한다. 즉, 상기 통공(VP:Vent Path)은 상기 진동 공간과 수직으로 중첩된 영역 상에 위치한 상기 기판(110), 상기 하부 전도성 패턴부(CP) 및 상기 하부 보호층(PP)을 관통하여 형성된다. 이때, 상기 통공(VP:Vent Path)은 일정 간격 이격된 위치에 복수 개 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 통공(VP:Vent Path)은 상기 진동 공간의 모서리 영역에 각각 배치될 수 있다. To this end, the vent path (VP) communicates with the vibration space to form a path for discharging the gas filled in the vibration space to the outside. In other words, the vent path (VP) is formed through the substrate 110, the lower conductive pattern portion CP, and the lower protective layer PP positioned on a region vertically overlapping the vibration space. . In this case, a plurality of vent paths (VP) may be disposed at positions spaced apart from each other by a predetermined interval. For example, the vent paths (VP) may be disposed at edge regions of the vibration space, respectively.

바람직하게, 상기 통공(VP)은 상기 제 1 보호 패턴부(191) 및 상기 제 2 보호 패턴부(192) 사이 영역의 상기 기판(110)을 관통하며 형성될 수 있다. Preferably, the through hole VP may pass through the substrate 110 in a region between the first protective pattern portion 191 and the second protective pattern portion 192.

결론적으로, 상기 제 1 칩(C1)의 동작은, 상기 진동 공간 내에서의 상하 진동에 의해 이루어진다. 이때, 상기 진동 공간 내에 침투하는 수분이나 제 1 접속부(150)와 같은 이물질 등은 상기 제 1 칩(C1)의 진동에 방해를 줄 수 있으며, 이에 따른 상기 제 1 칩(C1)의 동작 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다.In conclusion, the operation of the first chip C1 is performed by vertical vibration in the vibration space. At this time, the moisture penetrating into the vibration space or foreign matter such as the first connection portion 150 may interfere with the vibration of the first chip (C1), thereby reducing the operational reliability of the first chip (C1) Problems may arise.

이에 따라, 본 발명에서는, 상기 제 1 칩(C1)이 실장되는 상기 이너 리드 패턴부 상에 복수의 홈을 형성하여, 상기 제 1 접속부의 열 처리 과정에서, 상기 제 1 접속부의 일부가 상기 진동 공간 내로 침투하는 것을 방지한다. 또한, 상기 제 1 칩(C1) 주위에는 상기 제 1 사이드 몰딩부(155)가 배치되며, 이에 따라 상기 진동 공간 내로의 수분이나 이물질 등의 침투를 차단한다. 또한, 상기 기판 상에는 상기 진동 공간과 연통하는 통공(VP)이 형성되며, 이에 따라 상기 진동 공간 내에 가스가 충전됨에 따라 발생하는 신뢰성 문제를 해결할 수 있다.Accordingly, in the present invention, a plurality of grooves are formed on the inner lead pattern portion on which the first chip C1 is mounted, so that part of the first connection portion vibrates during the heat treatment of the first connection portion. Prevents penetration into space. In addition, the first side molding part 155 is disposed around the first chip C1, thereby preventing the penetration of moisture or foreign matter into the vibration space. In addition, a through hole (VP) is formed on the substrate in communication with the vibration space, thereby solving the reliability problem caused by the gas is filled in the vibration space.

한편, 칩 온 필름용 연성회로기판의 상기 제 2 오픈 영역(OA2)에는 제 2 접속부(160)가 배치된다. On the other hand, the second connection portion 160 is disposed in the second open area OA2 of the flexible circuit board for chip on film.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성회로기판에 제 2 칩(C2)을 배치하기 위해서는, 마스크(도시하지 않음)를 통해서 제 2 접속부(160)가 배치되는 영역과 대응되는 부분에만 선택적으로 열을 공급할 수 있다. 자세하게, 실시 예는 선택적인 리플로우(selective reflow) 공정을 통해서 제 2 칩(C2)을 연결하기 위한 제 2 접속부(160)가 배치되는 영역에 선택적으로 열의 공급을 할 수 있다. 자세하게, 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성회로기판은 상기 제 1 칩(C1)을 실장한 이후에 제 2 칩(C2)을 배치하는 경우에도, 선택적인 리플로우(selective reflow) 공정을 통한 부분적인 열 공급이 가능할 수 있다. In order to arrange the second chip C2 on the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment, heat is selectively provided only to a portion corresponding to an area where the second connection portion 160 is disposed through a mask (not shown). Can supply In detail, the embodiment may selectively supply heat to a region where the second connector 160 for connecting the second chip C2 is disposed through a selective reflow process. In detail, the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment may be a part through a selective reflow process even when the second chip C2 is disposed after the first chip C1 is mounted. Heat supply may be possible.

즉, 실시 예에 따른 제조 공정은 마스크를 통해 상기 제 1 오픈 영역(OA)이 열이 노출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 오픈 영역(OA1)에 배치되는 상기 제 2 도금층이 열 공급에 의하여 순수 주석으로부터 주석 및 구리의 합금층으로 변성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 하나의 칩 온 필름용 연성 회로기판(100) 상에 서로 다른 제 1 칩(C1) 및 제 2 칩(C2)을 실장하는 경우에도, 상기 제 1 오픈 영역에서 상기 제 2 도금층(132a)의 주석(Sn)의 함량은 50 원자% 이상일 수 있어, 제 1 칩(C1)의 조립(assembly)이 우수할 수 있다. That is, the manufacturing process according to the embodiment may prevent the heat of the first open region OA from being exposed through the mask. Accordingly, the second plating layer disposed in the first open region OA1 can be prevented from being denatured from pure tin to an alloy layer of tin and copper by heat supply. Accordingly, even when different first chips C1 and second chips C2 are mounted on one chip-on-film flexible circuit board 100, the second plating layer 132a in the first open area. The tin (Sn) content of) may be 50 atom% or more, so that the assembly of the first chip C1 may be excellent.

상기 제 2 접속부(160)는 금(Au)을 포함할 수 있으나, 바람직하게, 상기 제 2 접속부(160) 금(Au) 이외의 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 접속부(160)는 상기 제 2 접속부(160)의 하부에 위치한 상기 제 2 도금층(132)가 순수 주석이 아닌 경우에도, 상기 제 2 칩(C2)과의 조립 성능이 우수할 수 있다. 또한, 상기 제 2 접속부(160)는 금(Au) 이외의 금속을 포함할 수 있어, 제조 비용을 저감시킬 수 있다. The second connector 160 may include gold (Au), but preferably, the second connector 160 may include a metal other than gold (Au). Accordingly, the second connector 160 has excellent assembly performance with the second chip C2 even when the second plating layer 132 disposed below the second connector 160 is not pure tin. can do. In addition, the second connection part 160 may include a metal other than gold (Au), thereby reducing manufacturing costs.

예를 들어, 상기 제 2 접속부(160)는 구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 인듐(In), 납(Pb), 안티몬(Sb), 비스무트(bi), 은(Ag), 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the second connector 160 may include copper (Cu), tin (Sn), aluminum (Al), zinc (Zn), indium (In), lead (Pb), antimony (Sb), and bismuth (bi). ), Silver (Ag), and nickel (Ni).

상기 제 2 접속부(160)는 솔더 범프일 수 있다. 상기 제 2 접속부(160)는 솔더 볼일 수 있다. 상기 리플로우 공정의 온도에서 솔더볼은 용융될 수 있다. The second connector 160 may be a solder bump. The second connector 160 may be a solder ball. At the temperature of the reflow process, the solder ball may be melted.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성회로기판에 하나의 제 2 칩(C2)을 배치하기 위해서는 복수 개의 상기 제 2 접속부(160)가 상기 제 2 칩(C2) 및 상기 제 2 도금층(132) 사이에 배치될 수 있다. In order to arrange one second chip C2 on the flexible circuit board for chip-on-film according to the embodiment, a plurality of second connection portions 160 are disposed between the second chip C2 and the second plating layer 132. Can be placed in.

상기 리플로우 공정의 온도에서, 제 2 칩(C2)은 제 2 접속부(160)를 통해 상기 제 2 오픈 영역(OA2) 상의 제 2 도금층(132)과 우수한 본딩이 가능할 수 있다. At the temperature of the reflow process, the second chip C2 may be capable of excellent bonding with the second plating layer 132 on the second open area OA2 through the second connector 160.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성회로기판은 상기 제 1 오픈 영역에서 제 1 접속부(150)를 통해 상기 제 1 칩(C1)의 연결이 우수한 동시에, 제 2 오픈 영역에서 제 2 접속부(160)를 통해 상기 제 2 칩(C2)의 연결이 우수할 수 있다. In the flexible circuit board for chip-on-film according to the embodiment, the connection of the first chip C1 is excellent through the first connection part 150 in the first open area, and the second connection part 160 in the second open area. Through the connection of the second chip (C2) may be excellent.

한편, 상기 제 2 칩(C2)의 주위에는 제 2 사이드 몰딩부(164)가 배치될 수 있다. 상기 제 2 사이드 몰딩부(164)는 다양한 오염 요인으로부터 상기 제 2 칩(C2)의 동작 신뢰성이 확보될 수 있도록 한다. 이때, 상기 제 2 사이드 몰딩부(164)는 상기 제 2 칩(C2)의 하부 영역에 배치되지 않을 수 있다. 또한, 이와 다르게 상기 제 2 사이드 몰딩부(164)는 상기 제 2 칩(C2)의 하부 영역을 모두 채우며 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 사이드 몰딩부(164)는 상기 제 2 칩(C2)의 장착 견고성을 향상시킬 수 있다. Meanwhile, a second side molding part 164 may be disposed around the second chip C2. The second side molding part 164 may ensure operational reliability of the second chip C2 from various contamination factors. In this case, the second side molding part 164 may not be disposed in the lower region of the second chip C2. Alternatively, the second side molding part 164 may be disposed to fill all the lower regions of the second chip C2. Therefore, the second side molding part 164 may improve the mounting robustness of the second chip C2.

한편, 칩 온 필름용 연성회로기판의 상기 제 3 오픈 영역(OA3)에는 제 3 접속부(170)가 배치된다. On the other hand, a third connecting portion 170 is disposed in the third open area OA3 of the flexible circuit board for chip on film.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성회로기판에 제 3 칩(C3)을 배치하기 위해서는, 마스크(도시하지 않음)를 통해서 제 3 접속부(170)가 배치되는 영역과 대응되는 부분에만 선택적으로 열을 공급할 수 있다. 자세하게, 실시 예는 선택적인 리플로우(selective reflow) 공정을 통해서 제 3 칩(C3)을 연결하기 위한 제 3 접속부(170)가 배치되는 영역에 선택적으로 열의 공급을 할 수 있다. In order to arrange the third chip C3 on the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment, heat is selectively provided only to a portion corresponding to an area where the third connection unit 170 is disposed through a mask (not shown). Can supply In detail, the embodiment may selectively supply heat to a region where the third connector 170 for connecting the third chip C3 is disposed through a selective reflow process.

상기 제 3 접속부(170)는 금(Au) 이외의 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 3 접속부(170)는 상기 제 3 접속부(170)의 하부에 위치한 상기 제 2 도금층(132)이 순수 주석이 아닌 경우에도, 상기 제 3 칩(C3)과의 조립 성능이 우수할 수 있다. 또한, 상기 제 3 접속부(170)는 금(Au) 이외의 금속을 포함할 수 있어, 제조 비용을 저감시킬 수 있다. The third connector 170 may include a metal other than Au. Accordingly, the third connector 170 has excellent assembly performance with the third chip C3 even when the second plating layer 132 disposed below the third connector 170 is not pure tin. can do. In addition, the third connection portion 170 may include a metal other than gold (Au), thereby reducing the manufacturing cost.

예를 들어, 상기 제 3 접속부(170)는 구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 인듐(In), 납(Pb), 안티몬(Sb), 비스무트(bi), 은(Ag), 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the third connector 170 may include copper (Cu), tin (Sn), aluminum (Al), zinc (Zn), indium (In), lead (Pb), antimony (Sb), and bismuth (bi). ), Silver (Ag), and nickel (Ni).

한편, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이는 제 1 거리(W1) 만큼 이격되고, 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 3 칩(C3) 사이는 제 2 거리(W2) 만큼 이격된다. 즉 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이는 제 1 거리(W1) 만큼 이격되어 있으며, 이에 따라 벤딩 시에 발생하는 크랙 가능성을 최소화하도록 한다.Meanwhile, a distance between the first chip C1 and the second chip C2 is separated by a first distance W1, and a second distance between the second chip C2 and the third chip C3 ( Spaced apart by W2). That is, the first chip C1 and the second chip C2 are spaced apart by the first distance W1, thereby minimizing the possibility of cracking occurring during bending.

즉, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이에는 절곡 영역을 포함한다. 보다 명확하게는, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이는 상기 제 1 칩(C1)과 인접한 제 1 비절곡 영역과, 상기 제 2 칩(C2)가 인접한 제 2 비절곡 영역과, 상기 제 1 비절곡 영역 및 제 2 비절곡 영역 사이의 절곡 영역을 포함한다.That is, a bending region is included between the first chip C1 and the second chip C2. More specifically, between the first chip C1 and the second chip C2, a first non-bending region adjacent to the first chip C1 and a second ratio adjacent to the second chip C2 are provided. A bent region and a bent region between the first non-bended region and the second non-bended region.

이때, 상기 절곡 영역의 폭은 상기 기판(110)의 두께나 전도성 패턴부(CP)의 두께에 의해 결정될 수 있다. 이때, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 간격이 너무 좁으면 상기 제 1 및 2 비절곡 영역의 폭이 좁아질 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 기판의 절곡 시에 상기 실장된 제 1 칩(C1) 또는 제 2 칩(C2)에 데미지가 가해질 수 있으며, 이에 따른 본딩부의 크랙이 발생할 수 있다. In this case, the width of the bent region may be determined by the thickness of the substrate 110 or the thickness of the conductive pattern portion CP. In this case, if the interval between the first chip C1 and the second chip C2 is too narrow, the widths of the first and second non-bended regions may be narrowed. In this case, damage may be applied to the mounted first chip C1 or the second chip C2 when the substrate is bent, and cracking of the bonding part may occur.

따라서, 도 7a를 참조하면, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리는 상기 크랙이 발생하지 않을 수 있는 최소 거리를 가져야 한다. 이때, 절곡 후에, 절곡된 단부로부터 상기 제 1 칩(C1) 사이의 거리(W3)는 최소 1.6mm가 되어야 상기 크랙의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 절곡 후에, 절곡된 단부로부터 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리는 최소 1.6mm가 되어야 상기 크랙의 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리(W1)는 최소 3.2mm가 되도록 한다. Therefore, referring to FIG. 7A, the distance between the first chip C1 and the second chip C2 should have a minimum distance at which the crack may not occur. At this time, after bending, the distance (W3) between the bent end and the first chip (C1) should be at least 1.6mm to prevent the occurrence of cracks. In addition, after bending, the distance between the bent end and the second chip (C2) should be at least 1.6mm to prevent the occurrence of the crack. Therefore, the distance W1 between the first chip C1 and the second chip C2 is set to be at least 3.2 mm.

여기에서, 상기 절곡된 단부로부터 상기 제 1 칩(C1) 사이의 거리는, 상기 기판의 절곡 후에, 최 우측에 위치한 기판의 단부에서 상기 제 1 칩(C1)의 우측단 까지의 거리를 의미할 수 있다. 여기에서, 상기 절곡된 단부로부터 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리는, 상기 기판의 절곡 후에, 최 우측에 위치한 기판의 단부에서 상기 제 2 칩(C2)의 좌측 단까지의 거리를 의미할 수 있다. 또한, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리(W1)가 10mm를 초과하는 경우, 상기 제 2 칩(C2)에서 수신되는 제 1 칩(C1)의 출력 신호에 손실이 발생할 수 있다. 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리(W1)는 3.2mm 내지 10mm 사이의 범위를 가지도록 한다. 예를 들어 상기 거리(W1)는 3.2mm 내지 5mm 사이 일수 있다. 예를 들어 상기 거리(W1)는 3.2mm 내지 3.6mm 사이 일수 있다.Herein, the distance between the bent end and the first chip C1 may mean a distance from the end of the rightmost substrate to the right end of the first chip C1 after bending of the substrate. have. Herein, the distance between the bent end and the second chip C2 may mean a distance from the end of the rightmost substrate to the left end of the second chip C2 after bending of the substrate. have. In addition, when the distance W1 between the first chip C1 and the second chip C2 exceeds 10 mm, the output signal of the first chip C1 received by the second chip C2 may be applied to the output signal. Losses may occur. The distance W1 between the first chip C1 and the second chip C2 is in a range of 3.2 mm to 10 mm. For example, the distance W1 may be between 3.2 mm and 5 mm. For example, the distance W1 may be between 3.2 mm and 3.6 mm.

또한, 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 3 칩(C3) 사이의 거리를 가까울수록 신호 처리에 있어 유리하다. 즉, 상기 제 2 칩(C2)과 제 3 칩(C3) 사이의 거리가 멀어지면, 그만큼 신호 배선의 길이가 길어지고, 이에 따른 배선 저항의 상승으로 인해 신호 전달 손실이 발생하게 된다. 그러나, 상기 제 2 칩과 제 3 칩(C3) 사이의 거리가 너무 인접하는 경우, 상기 제 2 칩(C2)과 제 3 칩(C3) 사이의 실장 과정에서 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 즉 일반적으로 상기 제 2 칩(C2)이 실장된 이후에 상기 제 3 칩(C3)의 실장 공정을 진행한다. 이때, 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 3 칩(C3) 사이의 거리가 너무 인접한 경우, 상기 제 3 칩(C3)의 본딩 시에, 상기 본딩이 완료된 제 2 접속부(160)가 녹는 현상이 발생하며, 이에 따른 제 2 칩(C2)의 위치가 틀어지는 문제가 발생하게 된다. 따라서, 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 3 칩(C3) 사이의 거리(W2)는 최소 1.0mm가 되도록 하여, 상기 발생할 수 있는 문제점을 해결할 수 있도록 한다. In addition, the closer the distance between the second chip (C2) and the third chip (C3), the better the signal processing. That is, when the distance between the second chip C2 and the third chip C3 increases, the length of the signal wire becomes longer, and signal transmission loss occurs due to an increase in the wire resistance. However, when the distance between the second chip and the third chip C3 is too close, a reliability problem may occur in the mounting process between the second chip C2 and the third chip C3. That is, generally, the mounting process of the third chip C3 is performed after the second chip C2 is mounted. In this case, when the distance between the second chip C2 and the third chip C3 is too close, when the bonding of the third chip C3, the second connection portion 160 that has completed the bonding is melted. This occurs, thereby causing a problem in that the position of the second chip C2 is changed. Therefore, the distance W2 between the second chip C2 and the third chip C3 is set to be at least 1.0 mm, thereby solving the problem that may occur.

또한, 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 3 칩(C3) 사이의 거리(W2)가 5mm를 초과하는 경우, 상기 제 2 칩(C2)과 제 3 칩(C3) 사이의 신호에 손실이 발생할 수 있다. 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 3 칩(C3) 사이의 거리(W2)는 1.0mm 내지 5mm 사이의 범위를 가지도록 한다. 예를 들어, 상기 거리(W2)는 1.0mm 내지 3mm 사이 일수 있다. 예를 들어 상기 거리(W2)는 1.0mm 내지 1.5mm 사이 일수 있다.In addition, when the distance W2 between the second chip C2 and the third chip C3 exceeds 5 mm, a loss in the signal between the second chip C2 and the third chip C3 may occur. May occur. The distance W2 between the second chip C2 and the third chip C3 is in a range of 1.0 mm to 5 mm. For example, the distance W2 may be between 1.0 mm and 3 mm. For example, the distance W2 may be between 1.0 mm and 1.5 mm.

즉, 상기 거리(W2)는 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 거리(W1)보다 작을 수 있다. 이를 통해 신호의 손실을 최소화하면서 절곡이 가능한 연성회로 기판을 형성할 수 있다.That is, the distance W2 may be smaller than the distance W1 between the first chip C1 and the second chip C2. This allows a flexible circuit board that can be bent while minimizing signal loss.

한편, 도 7b를 참조하면, 상기 벤딩 전의 상기 연성 회로 기판의 상면은, 제 1 방향의 길이가 14mm 내지 26mm 사이의 범위를 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 연성 회로 기판의 제 1 방향의 길이는 19.96mm일 수 있다. 또한, 상기 연상 회로 기판의 상면의 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향의 길이는 10mm 내지 15mm일 수 있다. 바람직하게 상기 연성 회로 기판의 상기 제 2 방향의 길이는 12.1mm일 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 7B, the upper surface of the flexible circuit board before the bending may satisfy a range of 14 mm to 26 mm in a length in the first direction. Preferably, the length of the flexible circuit board in the first direction may be 19.96 mm. In addition, the length of the second direction perpendicular to the first direction of the upper surface of the associative circuit board may be 10mm to 15mm. Preferably, the length of the second direction of the flexible circuit board may be 12.1 mm.

한편, 상기와 같은 연성 회로 기판의 벤딩 후는, 상기 제 2 방향의 길이는 그대로 유지되며, 상기 제 1 방향의 길이는 벤딩 전의 길이의 1/2일 수 있다. 바람직하게, 상기 벤딩 후의 제 1 방향의 길이는 7mm 내지 13mm일 수 있다. 바람직하게, 상기 벤딩 후의 상기 제 1 방향의 길이는 10mm일 수 있다. On the other hand, after bending the flexible circuit board as described above, the length of the second direction is maintained as it is, the length of the first direction may be 1/2 of the length before bending. Preferably, the length in the first direction after the bending may be 7 mm to 13 mm. Preferably, the length of the first direction after the bending may be 10 mm.

이에 따라, 상기 벤딩 후의 상기 연성 회로 기판의 상기 제 1 방향의 길이는 10mm일 수 있고, 상기 제 2 방향의 길이는 12.1mm일 수 있다.Accordingly, the length in the first direction of the flexible circuit board after the bending may be 10 mm, and the length in the second direction may be 12.1 mm.

한편, 상기 벤딩 후의 상기 연성 회로 기판의 상부에는 상기 제 1 칩(C1)이 배치되고, 하부에는 상기 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3)이 배치된다. 이때, 상기 벤딩 후의 상기 연성 회로 기판의 상면 면적은 상기 제 1 칩(C1)이 가지는 면적에 따라 결정될 수 있다. Meanwhile, the first chip C1 is disposed above the flexible circuit board after the bending, and the second chip C2 and the third chip C3 are disposed below. In this case, an upper surface area of the flexible circuit board after the bending may be determined according to an area of the first chip C1.

이때, 상기 제 1 칩(C1)의 상면은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향의 길이가 7mm 내지 8mm 사이의 범위를 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 칩(C1)의 상면의 제 1 방향의 길이는 7.43mm일 수 있고, 제 2 방향의 길이는 7.83mm일 수 있다. In this case, an upper surface of the first chip C1 may satisfy a range between 7 mm and 8 mm in the first direction and the second direction. Preferably, the length in the first direction of the upper surface of the first chip C1 may be 7.43 mm, and the length in the second direction may be 7.83 mm.

이에 따라, 상기 제 1 칩(C1)의 상면 면적과, 상기 벤딩 후의 상기 연성 회로 기판의 상면의 면적은 1:2 이하의 비율을 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 칩(C1)의 상면 면적과, 상기 벤딩 후의 상기 연성 회로 기판의 상면의 면적은 1:1.8 이하의 비율을 만족할 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 칩(C1)의 상면 면적과, 상기 벤딩 후의 상기 연성 회로 기판의 상면의 면적은 1:1.5 이하의 비율을 만족할 수 있다. 즉, 상기 벤딩 후의 상기 연성회로기판의 상면 면적은 상기 제 1 칩(C1)의 상면 면적 대비 1.5 배 정도를 가지도록 한다.Accordingly, the area of the upper surface of the first chip C1 and the area of the upper surface of the flexible circuit board after the bending may satisfy a ratio of 1: 2 or less. Preferably, the area of the upper surface of the first chip C1 and the area of the upper surface of the flexible circuit board after the bending may satisfy a ratio of 1: 1.8 or less. Preferably, the area of the upper surface of the first chip C1 and the area of the upper surface of the flexible circuit board after the bending may satisfy a ratio of 1: 1.5 or less. That is, the upper surface area of the flexible circuit board after the bending is about 1.5 times the upper surface area of the first chip C1.

한편, 상기와 같이 연성 회로 기판은 절곡 영역을 포함한다. 이에 따라, 상기 연성 회로 기판은, 절곡 영역의 일측에 위치한 연성 회로 기판의 제 1 비절곡 영역과, 상기 절곡 영역의 타측에 위치한 상기 연성 회로 기판의 제 2 비절곡 영역을 포함한다. 이때, 상기 제 1 비절곡 영역과 상기 제 2 비절곡 영역의 사이에는 접착층(180)이 배치될 수 있다. 상기 접착층(180)은 상기 연성 회로 기판의 절곡 형태가 유지되도록 한다. 또한, 상기 접착층(180)의 표면에는 전자파를 차폐하는 차폐필름(도시하지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 차폐 필름은, 상기 제 1 비절곡 영역에 배치된 제 1 칩(C1)과, 상기 제 2 비절곡 영역에 배치된 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3) 사이에서의 신호 간섭을 억제하면서 전자파를 차폐할 수 있다. On the other hand, as described above, the flexible circuit board includes a bent region. Accordingly, the flexible circuit board includes a first non-bending area of the flexible circuit board located on one side of the bent area and a second non-bending area of the flexible circuit board located on the other side of the bent area. In this case, the adhesive layer 180 may be disposed between the first non-bending area and the second non-bending area. The adhesive layer 180 maintains the bending form of the flexible circuit board. In addition, a shielding film (not shown) may be disposed on the surface of the adhesive layer 180 to shield electromagnetic waves. The shielding film may be configured to prevent signal interference between the first chip C1 disposed in the first non-bent region, the second chip C2 and the third chip C3 disposed in the second non-bent region. Electromagnetic waves can be shielded while being suppressed.

한편, 상기 설명한 바와 같이, 상기 연성 회로 기판 상에는 통공(VP:Vent Path)이 형성된다. 이때, 상기 연성 회로 기판이 벤딩되는 경우, 상기 통공(VP:Vent Path)의 하부는 상기 접착층(180)에 의해 막히게 된다. 따라서, 상기 접착층(180)에는 상기 연성 회로 기판 상에 형성된 통공(VP:Vent Path)과 연통하는 추가적인 가스 배출 경로가 형성된다. 즉, 상기 통공(VP:Vent Path)은 제 1 파트 및 제 2 파트로 구분될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 파트는 상기 진동 공간과 연통하는 상기 연성 회로 기판 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 파트는 상기 제 1 파트와 연통하면서, 상기 접착층(180) 상에 형성될 수 있다. On the other hand, as described above, a hole (VP: Vent Path) is formed on the flexible circuit board. In this case, when the flexible circuit board is bent, the lower portion of the vent path (VP) is blocked by the adhesive layer 180. Accordingly, an additional gas discharge path is formed in the adhesive layer 180 to communicate with a vent path (VP) formed on the flexible circuit board. That is, the vent path (VP) may be divided into a first part and a second part. The first part may be formed on the flexible circuit board in communication with the vibration space. In addition, the second part may be formed on the adhesive layer 180 while communicating with the first part.

도 8을 참조하면, 상기 접착층(180)에는 통공(VP:Vent Path)의 제 2 파트가 형성된다. 이때, 상기 제 2 파트는, 상기 제 1 파트와 수평 단면이 동일한 형상을 갖는 제 1 서브 파트(141)와, 상기 제 1 서브 파트(141)로부터 상기 접착층(180)의 적어도 일단으로 연장되는 제 2 서브 파트(142)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 서브 파트(142)는 적어도 1회 절곡되어 형성될 수 있다. 그러나, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 상기 제 2 서브 파트(142)는 절곡되는 부분 없이 직선으로 상기 접착층(180)의 단부와 상기 제 1 파트 사이를 연결할 수 있다.Referring to FIG. 8, a second part of a vent path (VP) is formed in the adhesive layer 180. In this case, the second part may include a first sub part 141 having a same horizontal cross-section as the first part, and an agent extending from the first sub part 141 to at least one end of the adhesive layer 180. It may include two sub-parts 142. In this case, the second sub part 142 may be formed by bending at least once. However, this is only an example, and the second sub part 142 may connect the end portion of the adhesive layer 180 and the first part in a straight line without a bent portion.

한편, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이를 연결하는 메인 배선은 상기 기판(110)의 상면에 위치할 수 있다. 상기 메인 배선은, 상기 제 1 칩(C1)에서 획득된 감지 신호가 상기 제 2 칩(C2)으로 전달되는 신호 전송라인일 수 있다.Meanwhile, a main wiring connecting the first chip C1 and the second chip C2 may be located on an upper surface of the substrate 110. The main wiring may be a signal transmission line through which a detection signal obtained from the first chip C1 is transferred to the second chip C2.

이때, 상기 기판(110)의 상면에 위치하는 전도성 패턴부(CP)는 수직 방향을 중심으로 상호 중첩되지 않는다. 즉, 상기 메인 배선은 상기 기판(110)의 상면에만 위치하기 때문에, 각각의 메인 배선이 수직 방향으로는 상호 중첩될 수 없다. 이때, 상기 메인 배선이 수직 방향으로 중첩되는 경우, 상호 간의 신호 간섭에 따라 신호 전송 효율이 떨어질 수 있다.In this case, the conductive pattern portions CP disposed on the upper surface of the substrate 110 do not overlap each other in a vertical direction. That is, since the main wirings are located only on the upper surface of the substrate 110, the respective main wirings cannot overlap each other in the vertical direction. In this case, when the main wires overlap each other in the vertical direction, signal transmission efficiency may decrease due to signal interference between the main wires.

한편, 상기 메인 배선은 상호 이격되는 다수의 신호 라인을 포함하고 있으며, 이에 따라 상기 기판(110)의 상면 상에서 직선 형태가 아닌 적어도 1회 절곡(둔각 및 예각으로 절곡되는 것을 모두 포함)되는 형태를 가진다.Meanwhile, the main wiring includes a plurality of signal lines spaced apart from each other, and accordingly, the main wiring has a form in which at least one bend (including both bent and acute angles) is bent on the upper surface of the substrate 110 rather than in a straight line shape. Have

이때, 상기 연성 회로 기판의 벤딩 전에는 상기 메인 배선이 수직 방향에서 상호 중첩되지 않게 된다. 그러나, 연성 회로 기판의 벤딩 후에는, 상기 메인 배선이 수직 방향으로 상호 중첩되게 된다. 이에 따라, 상기 벤딩 후에는 상기 메인 배선에서 상호 신호 간섭이 발생할 수 있다. At this time, the main wirings do not overlap each other in the vertical direction before bending the flexible circuit board. However, after bending the flexible circuit board, the main wirings overlap each other in the vertical direction. Accordingly, after bending, mutual signal interference may occur in the main wiring.

따라서, 본 발명에서는 상기 기판(110)에 복수의 그라운드 패턴(GP)을 형성한다. 상기 그라운드 패턴은 그라운드 단자(도시하지 않음)와 연결되며, 그에 따라 칩이나 신호 배선 상에서 발생하는 노이즈나 전자 방해 잡음 등을 제거한다.Therefore, in the present invention, a plurality of ground patterns GP are formed on the substrate 110. The ground pattern is connected to a ground terminal (not shown), thereby removing noise or electromagnetic interference noise generated on a chip or a signal wire.

상기 복수의 그라운드 패턴(GP)은 제 1 그라운드 패턴(GP1), 제 2 그라운드 패턴(GP2) 및 제 3 그라운드 패턴(GP3)을 포함한다. 이때, 상기 제 1 칩(C1), 제 2 칩(C2) 및 제 3 칩(C3) 사이의 신호 라인은 상기 기판(110)의 상면에 중점적으로 배치된다. 이는, 신호 라인의 길이를 최소화하여 그에 따른 신호 전송 효율을 높이기 위함이다.The plurality of ground patterns GP may include a first ground pattern GP1, a second ground pattern GP2, and a third ground pattern GP3. In this case, signal lines between the first chip C1, the second chip C2, and the third chip C3 are mainly disposed on the upper surface of the substrate 110. This is to minimize the length of the signal line and to increase the signal transmission efficiency accordingly.

따라서, 본 발명에서의 상기 복수의 그라운드 패턴(GP)은 상기 기판(110)의 하면의 더미 영역에 형성하도록 한다. Therefore, the plurality of ground patterns GP according to the present invention are formed in the dummy region of the lower surface of the substrate 110.

이때, 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1), 제 2 그라운드 패턴(GP2) 및 제 3 그라운드 패턴(GP3)의 각각의 배치 위치는 서로 다르다.In this case, arrangement positions of the first ground pattern GP1, the second ground pattern GP2, and the third ground pattern GP3 are different from each other.

상기 제 1 그라운드 패턴(GP1)은, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 영역과 수직으로 중첩되는 상기 기판(110)의 하면에 위치한다. 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이의 영역은 상기 설명한 바와 같이 절곡 영역이다. 그리고, 상기 절곡 영역에서는 상기 설명한 바와 같이 메인 배선들이 수직 방향으로 상호 중첩되는 구조를 가진다. 따라서, 상기 기판(110)의 절곡 영역의 하면에 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1)을 배치한다. 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1)은, 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이에서의 신호 간섭이나 전자 방해 잡음을 제거한다. The first ground pattern GP1 is positioned on a bottom surface of the substrate 110 that vertically overlaps an area between the first chip C1 and the second chip C2. The region between the first ground pattern GP1 and the second chip C2 is a bent region as described above. In the bending region, as described above, the main wirings have a structure in which they overlap each other in the vertical direction. Therefore, the first ground pattern GP1 is disposed on the bottom surface of the bent region of the substrate 110. The first ground pattern GP1 removes signal interference or electromagnetic interference between the first chip C1 and the second chip C2.

상기 제 2 그라운드 패턴(GP2)은 상기 기판(110)의 하면 중 상기 제 2 칩(C2)이 배치된 영역과 수직으로 중첩되는 영역에 배치된다. 즉, 상기 연성 회로 기판이 벤딩되는 경우, 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1)과 제 2 칩(C2)은 상호 마주보며 배치되며, 이에 따라 상호 간의 신호 간섭이나 전자 방해 잡음에 따른 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 기판(110)의 하면 중 상기 제 2 칩(C2)이 배치된 영역과 수직으로 중첩되는 영역에 상기 제 2 그라운드 패턴(GP2)을 배치하여, 상기 제 2 칩(C2)에서 발생하는 전자 방해 잡음을 제거한다.The second ground pattern GP2 is disposed in an area of the lower surface of the substrate 110 that vertically overlaps with an area where the second chip C2 is disposed. That is, when the flexible circuit board is bent, the first ground pattern GP1 and the second chip C2 are disposed to face each other, which may cause reliability problems due to signal interference or electromagnetic interference noise. have. Therefore, the second ground pattern GP2 is disposed in a region of the lower surface of the substrate 110 that vertically overlaps with the region where the second chip C2 is disposed, thereby generating the second chip C2. Eliminate electromagnetic interference.

제 3 그라운드 패턴(GP3)은 제 4 오픈 영역(OA4)과 수직으로 중첩되는 기판(110)의 하면에 배치된다. 즉, 상기 기판(110)의 상면에는 제 4 오픈 영역(OA4)이 형성되며, 상기 제 4 오픈 영역(OA4)을 통해 메인 보드와 연결되는 아우터 리드 패턴부가 노출된다. The third ground pattern GP3 is disposed on the bottom surface of the substrate 110 that vertically overlaps the fourth open area OA4. That is, a fourth open area OA4 is formed on the upper surface of the substrate 110, and an outer lead pattern part connected to the main board is exposed through the fourth open area OA4.

그리고, 상기 아우터 리드 패턴부에는 상기 메인 보드가 본딩된다. 이때, 상기 메인 보드가 본딩된 후에는 상기 연성 회로 기판과 상기 메인 보드 사이에서의 신호 간섭이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 제 3 그라운드 패턴(GP3)은 상기 아우터 리드 패턴부와 수직으로 중첩되는 기판(110)의 하면 상에 배치한다. 상기 제 3 그라운드 패턴(GP3)은 상기 연성 회로 기판과 상기 메인 보드 사이에서 발생하는 신호 간섭이나 전자 방해 잡음을 차단한다.The main board is bonded to the outer lead pattern portion. In this case, after the main board is bonded, signal interference between the flexible circuit board and the main board may occur. Therefore, the third ground pattern GP3 is disposed on the bottom surface of the substrate 110 that vertically overlaps the outer lead pattern portion. The third ground pattern GP3 blocks signal interference or electromagnetic interference noise generated between the flexible circuit board and the main board.

한편, 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1), 제 2 그라운드 패턴(GP2) 및 상기 제 3 그라운드 패턴(GP3) 각각은 메쉬(mesh) 패턴 형상을 가진다. 즉, 본 발명에서의 전도성 패턴부(CP)는 미세 패턴이다. 이때, 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1), 제 2 그라운드 패턴(GP2) 및 상기 제 3 그라운드 패턴(GP3)이 미세 패턴보다 큰 폭을 가지는 스트라이프 형상을 가지는 경우, 상기 스트라이프 형상의 그라운드 패턴에서의 선 저항이 증가하는 문제가 있다. 또한, 상기 스트라이프 형상의 패턴의 폭은 상기 미세 패턴의 폭보다 크기 때문에, 상호 간의 패턴의 폭 차이로 인해, 상기 미세 패턴의 폭이 증가할 수 있다. 이와 마찬가지로 상기 그라운드 패턴을 일정 수준 이상의 면적을 가지는 판 형태로 형성하는 경우, 상기 판 형태의 그라운드 패턴의 제조 공정 시에 상기 미세 패턴의 폭에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 제 1 그라운드 패턴(GP1), 제 2 그라운드 패턴(GP2) 및 상기 제 3 그라운드 패턴(GP3)을 메쉬 패턴 형상을 가지도록 함으로써, 미세 패턴에 영향을 주지 않으면서 최적의 신호 간섭이나 전자 방해 잡음을 제거할 수 있도록 한다.Meanwhile, each of the first ground pattern GP1, the second ground pattern GP2, and the third ground pattern GP3 has a mesh pattern shape. That is, the conductive pattern part CP in the present invention is a fine pattern. In this case, when the first ground pattern GP1, the second ground pattern GP2, and the third ground pattern GP3 have a stripe shape having a width larger than that of the fine pattern, a line in the stripe ground pattern There is a problem of increasing resistance. In addition, since the width of the stripe-shaped pattern is larger than the width of the fine pattern, the width of the fine pattern may increase due to the difference in width between the patterns. Similarly, when the ground pattern is formed in a plate shape having an area of a predetermined level or more, the width of the fine pattern may be affected during the manufacturing process of the plate pattern. Therefore, in the present invention, the first ground pattern GP1, the second ground pattern GP2, and the third ground pattern GP3 have a mesh pattern shape, thereby making it possible to obtain an optimal signal without affecting a fine pattern. Allows you to remove interference or electromagnetic interference.

도 12a를 참조하면, 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판에 실장된 제 1 칩(C1)은 디스플레이 패널(30)과 접촉할 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 칩(C1)의 상면에는 접착층(50)이 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 칩(C1)은 상기 접착층(50)에 의해 상기 디스플레이 패널(30)의 하면에 부착될 수 있다. 이를 통해 디스플레이의 유효 영역을 최대한 확보하는 디바이스를 제작할 수 있다.Referring to FIG. 12A, the first chip C1 mounted on the chip on film flexible circuit board may contact the display panel 30. Preferably, the adhesive layer 50 may be disposed on the top surface of the first chip C1. The first chip C1 may be attached to the bottom surface of the display panel 30 by the adhesive layer 50. This makes it possible to fabricate a device that maximizes the effective area of the display.

또한, 이와 다르게, 도 12b를 참조하면, 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판에 실장된 제 1 칩(C1)은 디스플레이 패널(30) 위에 위치한 커버 윈도우(70)와 접촉할 수 있다. 바람직하게, 상기 커버 윈도우(70)의 적어도 일 영역은 상기 디스플레이 패널(30)과 수직으로 중첩되지 않을 수 있다. 바람직하게, 상기 커버 윈도우(70)의 적어도 일 영역은 영상이 표시되지 않은 비유효 영역을 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 제 1 칩(C1)은 상기 커버 윈도우(70)의 비유효 영역 하부에 부착될 수 있다. Alternatively, referring to FIG. 12B, the first chip C1 mounted on the flexible circuit board for the chip on film may contact the cover window 70 positioned on the display panel 30. Preferably, at least one area of the cover window 70 may not vertically overlap with the display panel 30. Preferably, at least one area of the cover window 70 may include an invalid area in which an image is not displayed, so that the first chip C1 is disposed below the invalid area of the cover window 70. Can be attached.

이에 따라, 상기 디스플레이 패널(30) 또는 상기 커브 윈도우(70) 및 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판(명확하게는, 제 1 칩)은 상기 접착층(50)을 사이에 두고 상, 하로 합착될 수 있다. 이를 통해 디스플레이를 통해 전달되는 지문신호의 왜곡을 최소화시킬 수 있다. Accordingly, the display panel 30 or the curve window 70 and the flexible circuit board for chip on film (obviously, the first chip) may be bonded up and down with the adhesive layer 50 interposed therebetween. have. This can minimize the distortion of the fingerprint signal transmitted through the display.

한편, 상기 커버 윈도우(70)는 글라스 필름일 수 있다.Meanwhile, the cover window 70 may be a glass film.

상기 칩 온 필름용 연성 회로 기판(100)의 일단은 보호부(PP)를 포함할 수 있다. 다시 말해서, 상기 칩 온 필름용 연성 회로 기판(100)의 일단에는 외부 기판이나 칩과 연결될 필요가 없음으로 상기 일단은 보호층에 의해 모두 덮일 수 있으며, 이에 따른 전도성 패턴부가 외부로 노출되지 않는다. 상기 일단에 전도성 패턴부를 노출 시키는 단자가 필요 없음으로 인해 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 길이를 최소화할 수 있고 배터리 등 다른 부품을 탑재시키기 위한 공간 확보가 가능할 수 있다. One end of the flexible circuit board 100 for the chip on film may include a protection part PP. In other words, one end of the flexible circuit board 100 for chip-on-film does not need to be connected to an external substrate or a chip, and thus one end may be covered by a protective layer, and thus the conductive pattern part is not exposed to the outside. Since the terminal exposing the conductive pattern portion is not required at one end, the length of the flexible circuit board 100 for the chip on film may be minimized, and space for mounting other components such as a battery may be secured.

상기 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 상기 일단과 반대되는 타단은 메인보드(40)와 연결될 수 있다. 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 상기 일단과 반대되는 타단은 메인보드(40)와 접착층(50)에 의해서 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 접착층(50)의 상면에는 메인보드(40)가 배치되고, 상기 접착층(50)의 하면에는 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 메인보드(40) 및 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판은 상기 접착층(50)을 사이에 두고 상, 하로 합착될 수 있다. 상기 메인보드(40) 및 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판 사이에 위치한 접착층(50)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 상기 접착층(50)은 전도성 입자가 접착 물질 내에 분산된 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 접착층(50)은 이방성 전도성 필름(ACF)일 수 있다. 이에 따라, 상기 접착층(50)은 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판 및 상기 메인보드(40) 사이의 전기적인 신호를 전달함과 별도의 구성요소를 안정적으로 연결할 수 있다.The other end opposite to the one end of the flexible circuit board 100 for the chip on film may be connected to the main board 40. The other end opposite to the one end of the flexible circuit board 100 for the chip on film may be connected by the main board 40 and the adhesive layer 50. In detail, the main board 40 may be disposed on the upper surface of the adhesive layer 50, and the flexible circuit board for the chip on film may be disposed on the lower surface of the adhesive layer 50. Accordingly, the main board 40 and the flexible circuit board for the chip on film may be bonded up and down with the adhesive layer 50 interposed therebetween. The adhesive layer 50 disposed between the main board 40 and the flexible circuit board for the chip on film may include a conductive material. The adhesive layer 50 may be one in which conductive particles are dispersed in an adhesive material. For example, the adhesive layer 50 may be an anisotropic conductive film (ACF). Accordingly, the adhesive layer 50 may transmit an electrical signal between the flexible circuit board for the chip on film and the main board 40 and may stably connect separate components.

한편, 이와 다르게 상기 제 1 칩(C1) 위에 배치되는 접착층(50)은 OCA(Optical clear adhesive)로 PET 기반의 투명 접착층을 포함할 수 있다.Alternatively, the adhesive layer 50 disposed on the first chip C1 may include a PET-based transparent adhesive layer as an optical clear adhesive (OCA).

한편, 도 10c와 같이, 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판과 메인보드(40) 사이에는 제 2 기판(20)이 추가적으로 배치될 수도 있다. 상기 제 2 기판(20)은 추가적인 신호 처리나, 디스플레이상의 스타일러스 펜이나 손의 움직임에 따른 터치 신호를 인식하는 기능 또는 디스플레이의 신호를 처리하는 Drive IC 등 상기 지문 인식 기능 이외의 추가 기능을 제공하기 위해서, 상기 메인 보드와 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판 사이에 배치될 수 있다. 제 2 기판(20)은 절연기판(21)과, 전도성 패턴부(22)와 보호층(23)과 강도 확보를 위한 보강부(24)를 포함하는 구성을 가질 수 있다. 이를 통해서 지문인식용 신호와 터치 신화나 디스플레이신호를 처리하는 기판을 별도로 구성하지 않고 하나의 기판상에서 처리할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 10C, a second substrate 20 may be additionally disposed between the flexible circuit board for the chip on film and the main board 40. The second substrate 20 may provide additional functions other than the fingerprint recognition function, such as additional signal processing, a function of recognizing a touch signal according to movement of a stylus pen or a hand on a display, or a drive IC that processes a signal of a display. To this end, the main board and the flexible circuit board for the chip-on film may be disposed. The second substrate 20 may have a structure including an insulating substrate 21, a conductive pattern portion 22, a protective layer 23, and a reinforcing portion 24 for securing strength. Through this, the substrate for processing the fingerprint recognition signal and the touch myth or the display signal can be processed on one substrate.

한편, 도 3 내지 도 12를 참조하여, 메인보드(40)와의 연결관계를 설명한다. Meanwhile, referring to FIGS. 3 to 12, a connection relationship with the main board 40 will be described.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)은 관통 홀을 포함하는 기판(100); 상기 관통 홀을 포함하는 기판의 양면 상에 각각 배치되는 배선 패턴층(120); 상기 배선 패턴층(120) 상에 배치되는 제 1 도금층(131); 상기 제 1 도금층(131) 상에 배치되는 제 2 도금층(132); 및 상기 배선 패턴층 상에 부분적으로 배치되는 보호층(140)을 포함할 수 있다.The flexible circuit board 100 for a chip on film according to the embodiment may include a substrate 100 including a through hole; A wiring pattern layer 120 disposed on both surfaces of the substrate including the through holes; A first plating layer 131 disposed on the wiring pattern layer 120; A second plating layer 132 disposed on the first plating layer 131; And a protective layer 140 partially disposed on the wiring pattern layer.

상기 배선 패턴층(120)을 기판의 양면에 형성함으로 인해 지문인식용 칩과 거의 유사한 크기의 기판을 형성할 수 있다.By forming the wiring pattern layer 120 on both sides of the substrate, a substrate having a size substantially similar to that of a fingerprint chip can be formed.

상기 보호층(140)이 형성되는 상기 보호층(140)의 배치 영역은 상기 보호부(PP)일 수 있다. 상기 보호층이 형성되지 않는 상기 보호부(PP) 이외의 영역에서 상기 전도성 패턴부(CP)는 외부로 노출될 수 있다. 즉, 보호층의 오픈 영역 내지 전도성 패턴부 상에 보호부가 배치되지 않는 영역에서 상기 전도성 패턴부(CP)는 상기 제 1 칩(C1), 제 2 칩(C2), 제 3 칩(C3) 및 메인보드(40)와 전기적으로 연결될 수 있다. An area of the protective layer 140 on which the protective layer 140 is formed may be the protective part PP. The conductive pattern part CP may be exposed to the outside in a region other than the protective part PP in which the protective layer is not formed. That is, in the open area of the protective layer or the area in which the protective part is not disposed on the conductive pattern part, the conductive pattern part CP includes the first chip C1, the second chip C2, the third chip C3, and the like. It may be electrically connected to the main board 40.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 리드 패턴부는 보호부와 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 상기 리드 패턴부는 보호층에 의해 덮여있지 않은 오픈 영역에 위치한 전도성 패턴부를 의미할 수 있고, 기능에 따라서 이너 리드 패턴부 및 아우터 리드 패턴부로 구별될 수 있다. 또한, 도면 상에는 도시하지 않았지만, 상기 보호부와 중첩되지 않는 영역에는 테스트 패턴부(도시하지 않음)가 더 위치할 수 있다. 상기 테스트 패턴부는 각각의 전도성 패턴부를 통해 신호가 정상적으로 전달되고 있는지를 테스트하기 위한 패턴이다. 즉, 상기 테스트 패턴부는 실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판 및 이를 포함하는 지문 인식 모듈의 불량 여부를 확인하기 위한 전도성 패턴부를 의미할 수 있다.The lead pattern portion of the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may not overlap with the protective portion. That is, the lead pattern part may mean a conductive pattern part located in an open area not covered by the protective layer, and may be classified into an inner lead pattern part and an outer lead pattern part according to a function. In addition, although not shown in the drawings, a test pattern part (not shown) may be further located in an area that does not overlap with the protection part. The test pattern unit is a pattern for testing whether a signal is normally transmitted through each conductive pattern unit. That is, the test pattern unit may mean a conductive pattern unit for confirming whether the flexible circuit board for the chip on film and the fingerprint recognition module including the same are defective.

상기 리드 패턴부는 상기 제 1 칩, 상기 제 2 칩, 제 3 칩(C3), 상기 메인보드와 연결되기 위한 전도성 패턴부를 의미할 수 있다.The lead pattern part may mean a conductive pattern part for connecting to the first chip, the second chip, the third chip C3, and the main board.

상기 리드 패턴부는 위치에 따라서 이너 리드 패턴부 및 아우터 리드 패턴부로 구별될 수 있다. 상기 제 1 칩(C1)과 상대적으로 가까이 놓여있고, 보호층에 의해 중첩되지 않는 전도성 패턴부의 일 영역은 이너 리드 패턴부로 표현될 수 있다. 상기 제 1 칩(C1)과 상대적으로 멀리 놓여있고, 보호층에 의해 중첩되지 않는 전도성 패턴부의 일 영역은 아우터 리드 패턴부로 표현될 수 있다.The lead pattern portion may be classified into an inner lead pattern portion and an outer lead pattern portion according to a position. One region of the conductive pattern portion which is relatively close to the first chip C1 and is not overlapped by the protective layer may be represented as an inner lead pattern portion. One region of the conductive pattern portion, which is relatively far from the first chip C1 and is not overlapped by the protective layer, may be represented by an outer lead pattern portion.

칩 온 필름용 연성 회로기판은 제 1 이너 리드 패턴부(I1), 제 2 이너 리드 패턴부(I2), 제 3 이너 리드 패턴부(I3), 제 4 이너 리드 패턴부(I4), 제 5 이너 리드 패턴부(I5) 및 제 6 이너 리드 패턴부(I6)를 포함할 수 있다.The flexible circuit board for the chip on film may include a first inner lead pattern portion I1, a second inner lead pattern portion I2, a third inner lead pattern portion I3, a fourth inner lead pattern portion I4, and a fifth The inner lead pattern portion I5 and the sixth inner lead pattern portion I6 may be included.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판은 아우터 리드 패턴부(OP)를 포함할 수 있다. The flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may include an outer lead pattern part OP.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 일면 상에는 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1), 제 2 이너 리드 패턴부(I2), 제 3 이너 리드 패턴부(I3), 제 4 이너 리드 패턴부(I4), 제 5 이너 리드 패턴부(I5) 및 제 6 이너 리드 패턴부(I6), 그리고 아우터 리드부(OP)가 배치될 수 있다.The first inner lead pattern portion I1, the second inner lead pattern portion I2, the third inner lead pattern portion I3, and the fourth portion are formed on one surface of the flexible circuit board 100 for chip on film according to the embodiment. The inner lead pattern portion I4, the fifth inner lead pattern portion I5, the sixth inner lead pattern portion I6, and the outer lead portion OP may be disposed.

한편, 상기 아우터 리드부(OP)의 위치는 바뀔 수 있다. 즉, 상기 아우터 리드부(OP)의 위치는 상기 기판(110)의 하면에 위치할 수 있다. 이때, 상기 테스트 패턴부는 상기 기판(110)의 상면에 위치할 수 있다. Meanwhile, the position of the outer lead part OP may be changed. That is, the position of the outer lead part OP may be located on the bottom surface of the substrate 110. In this case, the test pattern part may be located on an upper surface of the substrate 110.

즉, 상기 테스트 패턴부와 상기 아우터 리드 패턴부(OP)는 기판의 하면 및 상면에 형성되는 것으로 도식화하였으나, 설계 효율성에 맞추어 다수의 상기 패턴들의 일부 또는 전부가 상면 및 하면 중 어디에 형성되어도 무방하다.That is, although the test pattern portion and the outer lead pattern portion OP are illustrated as being formed on the lower surface and the upper surface of the substrate, some or all of the plurality of patterns may be formed on the upper surface and the lower surface in accordance with design efficiency. .

바람직하게는 상기 칩 온 필름용 연성 회로기판이 절곡되어 메인 보드에 부착될 경우 상면이 아우터 리드 패턴부(OP)로 형성되고 하면이 테스트 패턴부를 형성함으로 인해 다수의 패턴부로 인한 공간 제약을 해결할 수 있다.Preferably, when the flexible circuit board for the chip-on-film is bent and attached to the main board, the upper surface is formed by the outer lead pattern part OP and the lower surface is formed by the test pattern part, thereby eliminating space constraints due to the plurality of pattern parts. have.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판의 일면 상에 배치되는 상기 제 1 칩(C1)은 제 1 접속부(150)를 통해, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)와 연결될 수 있다.The first chip C1 disposed on one surface of the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment may be formed through the first connection part 150 and the first inner lead pattern part I1 and the second inner lead. It may be connected to the pattern portion I2.

상기 제 1 접속부(150)는 위치 및/또는 기능에 따라, 제 1 서브 제 1 접속부(151), 제 2 서브 제 1 접속부(152)를 포함할 수 있다. The first connector 150 may include a first sub-first connector 151 and a second sub-first connector 152 according to a location and / or a function.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 일면 상에 배치되는 상기 제 1 칩(C1)은 상기 제 1 서브 제 1 접속부(151)를 통해 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first chip C1 disposed on one surface of the flexible circuit board 100 for chip-on-film according to the embodiment is the first inner lead pattern part I1 through the first sub-first connection part 151. And may be electrically connected with.

상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)는 상기 기판(110)의 상면을 따라 제 1 비아홀(V1)로 전기적인 신호를 전달할 수 있다. 상기 제 1 비아홀(V1) 및 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)는 전기적으로 연결될 수 있다.The first inner lead pattern part I1 may transmit an electrical signal to the first via hole V1 along the upper surface of the substrate 110. The first via hole V1 and the first inner lead pattern portion I1 may be electrically connected to each other.

또한, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)는 상기 기판(110)의 상면을 따라 제 1 비아홀(V1)까지 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 비아홀(V1)에 충진된 전도성 물질을 통해 상기 기판(110)의 하면을 따라 상기 제 3 비아홀(V3)로 전기적인 신호를 전달 할 수 있다. 이때, 상기 제 1 비아 홀(V1) 및 제 3 비아 홀(V3)을 통해 전달되는 신호는, 상기 제 2 칩(C2)과 상기 제 1 칩(C1) 사이에 전송되는 신호일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 비아 홀(V1) 및 상기 제 3 비아 홀(V3)을 통해 전달되는 신호는 메인 보드(40)를 통해 전달되는 상기 제 1 칩(C1)의 제어 신호일 수 있다.In addition, the first inner lead pattern part I1 may be electrically connected to the first via hole V1 along the upper surface of the substrate 110, and the substrate may be filled with a conductive material filled in the first via hole V1. An electrical signal may be transmitted to the third via hole V3 along the bottom surface of the 110. In this case, the signal transmitted through the first via hole V1 and the third via hole V3 may be a signal transmitted between the second chip C2 and the first chip C1. Preferably, the signal transmitted through the first via hole V1 and the third via hole V3 may be a control signal of the first chip C1 transmitted through the main board 40.

다시 말해서, 상기 제 1 칩(C1)으로부터 신호 전송 라인은 상기와 같은 비아 홀을 통해 상기 기판(110)의 하면에 배치될 수 있다. In other words, the signal transmission line from the first chip C1 may be disposed on the bottom surface of the substrate 110 through the via hole.

이를 통해 지문인식을 위한 발신 신호(Tx)는 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 하면에 형성하여 신호 전송 라인이 상대적으로 길고, 지문이 인식된 후 되돌아 오는 수신 신호(Rx)는 상면에 형성하여 발신 신호 전송 라인보다 짧게 구현하여 좀더 명확한 지문을 인식 할 수 있다. 바람직하게는 발신 신호(Tx) 신호 전송 라인의 수가 수신 신호(Rx) 신호 전송 라인의 수보다 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 하면에 더 많을 수 있다.Through this, the outgoing signal Tx for fingerprint recognition is formed on the lower surface of the flexible circuit board 100 for chip-on-film, so that the signal transmission line is relatively long, and the received signal Rx returned after the fingerprint is recognized on the upper surface. By forming shorter than the outgoing signal transmission line, it can recognize the fingerprint more clearly. Preferably, the number of transmission signal Tx signal transmission lines may be greater on the bottom surface of the flexible circuit board 100 for chip-on-film than the number of transmission signal Rx signal transmission lines.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판(100)의 일면 상에 배치되는 상기 제 1 칩(C1)은 상기 제 2 서브 제 1 접속부(152)를 통해 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first chip C1 disposed on one surface of the flexible circuit board 100 for chip-on-film according to the embodiment is the second inner lead pattern portion I2 through the second sub-first connection portion 152. And may be electrically connected with.

상기 기판(110)의 상면에 배치되는 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)는 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)의 하부에 위치한 제 2 비아홀(V2)에 충진된 전도성 물질을 통해 상기 기판(110)의 하면을 따라 상기 제 4 비아 홀(V4)과 연결될 수 있다. The second inner lead pattern portion I2 disposed on the upper surface of the substrate 110 may be formed of a conductive material filled in a second via hole V2 disposed under the second inner lead pattern portion I2. It may be connected to the fourth via hole V4 along the bottom surface of 110.

또한, 상기 테스트 패턴부이 형성된다면, 상기 테스트 패턴부는 상기 1 비아홀(V1, V2, V3, V4)을 통해 전달될 수 있는 전기적인 신호의 불량을 확인할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 패턴부를 통해, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I1)에 전달되는 신호의 정확성을 확인할 수 있다. 자세하게, 상기 테스트 패턴부에서 전압 또는 전류를 측정함에 따라, 상기 제 1 칩과 상기 제 2 칩 사이에 위치하는 전도성 패턴부의 단락이나 쇼트의 발생여부 내지 발생 위치를 확인할 수 있어, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, if the test pattern unit is formed, the test pattern unit may identify a failure of an electrical signal that may be transmitted through the first via holes V1, V2, V3, and V4. For example, the accuracy of the signal transmitted to the first inner lead pattern unit I1 may be confirmed through the test pattern unit. In detail, as the voltage or current is measured by the test pattern unit, whether or not a short circuit or a short circuit occurs in the conductive pattern unit positioned between the first chip and the second chip can be confirmed, thereby improving product reliability. You can.

한편, 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I2) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2) 상에는 상기 설명한 바와 같은 복수의 홈(PG)이 형성되며, 상기 복수의 홈(PG)을 통해 상기 제 1 접속부(150)가 진동 공간 내로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 한다.Meanwhile, a plurality of grooves PG as described above are formed on the first inner lead pattern portion I2 and the second inner lead pattern portion I2, and the first groove lead PG is formed through the plurality of grooves PG. The connection part 150 can be prevented from penetrating into the vibration space.

또한, 상기 기판(110)의 상면 중 상기 진동 공간에 해당하는 유효부 상에는 상기 보호 패턴부(190)가 배치된다. 상기 보호 패턴부(190)는 상기 복수의 홈(PG)을 통해 완벽히 차단되지 않은 상기 제 1 접속부(150)의 흐름을 추가 차단하는 제 1 보호 패턴부(191)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 보호 패턴부(191)는 상기 제 1 이너 리드 패턴부(I2) 및 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)와 인접하게 상기 유효부의 외곽 영역에 배치될 수 있다. In addition, the protective pattern part 190 is disposed on an effective part corresponding to the vibration space among the upper surfaces of the substrate 110. The protection pattern unit 190 may include a first protection pattern unit 191 that additionally blocks the flow of the first connection unit 150 that is not completely blocked through the plurality of grooves PG. Accordingly, the first protective pattern portion 191 may be disposed in the outer region of the effective portion adjacent to the first inner lead pattern portion I2 and the second inner lead pattern portion I2.

또한, 상기 보호 패턴부(190)는 상기 유효부의 중앙 영역에 배치되는 제 2 보호 패턴부(192)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 보호 패턴부(192)는 상기 제 1 칩(C1)의 처짐을 방지하면서, 상기 제 1 칩(C1)이 안정적으로 진동 동작을 할 수 있도록 한다.In addition, the protection pattern unit 190 may include a second protection pattern unit 192 disposed in the central area of the effective unit. The second protective pattern unit 192 prevents the first chip C1 from sagging and enables the first chip C1 to stably vibrate.

또한, 제 2 칩(C2)은 제 1 서브 제 2 접속부(161), 제 2 서브 제 2 접속부(162) 및 제 3 서브 제 2 접속부(163)를 통해 각각 제 3 이너 리드 패턴부(I3), 제 4 이너 리드 패턴부(I4), 제 5 이너 리드 패턴부(I5)와 전기적으로 연결된다. 이때, 상기 제 3 이너 리드 패턴부(I3)는 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)와 비아 홀을 거치지 않고, 상기 기판의 상면에 위치한 배선을 통해 직접 연결될 수 있다. 이때, 상기 제 3 이너 리드 패턴부(I3)와 상기 제 2 이너 리드 패턴부(I2)에는, 상기 제 1 칩(C1)에서 획득된 감지 신호가 상기 제 2 칩(C2)으로 전달되는 신호 전송라인일 수 있다. In addition, the second chip C2 may be connected to the third inner lead pattern part I3 through the first sub second connection part 161, the second sub second connection part 162, and the third sub second connection part 163, respectively. The fourth inner lead pattern portion I4 and the fifth inner lead pattern portion I5 are electrically connected to each other. In this case, the third inner lead pattern portion I3 may be directly connected to the second inner lead pattern portion I2 through a wire disposed on the upper surface of the substrate without passing through the via hole. In this case, a signal transmitted from the first chip C1 to the second chip C2 is transmitted to the third inner lead pattern part I3 and the second inner lead pattern part I2. May be a line.

즉, 상기 제 2 칩(C2)은 아날로그 신호 처리를 하며, 이에 따라 수신되는 신호의 정확도에 따라 출력되는 신호의 정확도가 결정된다. 이때, 상기 수신되는 신호의 전송 라인이 길어질수록 상기 신호의 손실 정도가 커지게 되며, 이에 따라 상기 제 2 칩(C2)에 수신되는 신호에 정확도가 감소하게 된다. 따라서, 본 발명에서는 상기 제 1 칩(C1)과 상기 제 2 칩(C2) 사이에서, 상기 제 2 칩(C2)의 신호 수신 라인은 상기 기판의 상면에 위치하도록 하여, 신호 전송 라인의 길이를 최소화하여 신호 손실을 최소화할 수 있다.That is, the second chip C2 performs analog signal processing, and accordingly, the accuracy of the output signal is determined according to the accuracy of the received signal. In this case, the longer the transmission line of the received signal is, the greater the loss of the signal is, thereby reducing the accuracy of the signal received by the second chip (C2). Therefore, in the present invention, between the first chip C1 and the second chip C2, the signal receiving line of the second chip C2 is positioned on the upper surface of the substrate, so that the length of the signal transmission line Minimize signal loss.

상기 디스플레이 패널(30)은 하부 기판 및 상부기판을 포함할 수 있다.The display panel 30 may include a lower substrate and an upper substrate.

상기 디스플레이 패널이 액정표시 패널인 경우, 상기 디스플레이 패널(30)은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)와 화소 전극을 포함하는 하부기판과 컬러 필터층들을 포함하는 상부 기판이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조로 형성될 수 있다. When the display panel is a liquid crystal display panel, the display panel 30 is a lower substrate including a thin film transistor (TFT) and a pixel electrode and an upper substrate including color filter layers are bonded to each other with the liquid crystal layer interposed therebetween. It can be formed into a structure.

또한, 상기 디스플레이 패널(30)은 박막트랜지스터, 칼라필터 및 블랙매트릭스가 하부기판에 형성되고, 상부 기판이 액정층을 사이에 두고 상기 하부 기판과 합착되는 COT(color filter on transistor)구조의 액정표시패널일 수도 있다. In addition, the display panel 30 has a thin film transistor, a color filter, and a black matrix formed on the lower substrate, and the upper substrate is bonded to the lower substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween. It may be a panel.

또한, 상기 디스플레이 패널(30)이 액정 표시 패널인 경우, 상기 디스플레이 패널(30) 하부에서 광을 제공하는 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다. In addition, when the display panel 30 is a liquid crystal display panel, the display panel 30 may further include a backlight unit configured to provide light under the display panel 30.

상기 디스플레이 패널(30)이 유기전계발광표시 패널인 경우, 상기 디스플레이 패널(30)은 별도의 광원이 필요하지 않은 자발광 소자를 포함한다. 상기 디스플레이 패널(30)은 하부기판 상에 박막트랜지스터가 형성되고, 상기 박막트랜지스터와 접촉하는 유기발광소자가 형성된다. 상기 유기발광소자는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기발광소자 상에 인캡슐레이션을 위한 봉지 기판 / 배리어 기판 역할을 하는 상부 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 기판은 Rigid 할 수도 있고 Flexible 할 수도 있다. When the display panel 30 is an organic light emitting display panel, the display panel 30 includes a self-light emitting device that does not require a separate light source. The display panel 30 has a thin film transistor formed on a lower substrate, and an organic light emitting element in contact with the thin film transistor is formed. The organic light emitting diode may include an anode, a cathode, and an organic light emitting layer formed between the anode and the cathode. In addition, the organic light emitting device may further include an upper substrate serving as an encapsulation substrate / barrier substrate for encapsulation. The upper substrate may be rigid or flexible.

또한, 상기 커버 윈도우(70) 하부에 편광판을 더 포함할 수 있다. 상기 편광판은 선 편광판 또는 외광 반사 방지 편광판 일 수 있다. 예를 들면, 상기 디스플레이 패널(30)이 액정표시패널인 경우, 상기 편광판은 선 편광판일 수 있다. 또한, 상기 디스플레이 패널(30)이 유기전계발광표시패널인 경우, 상기 편광판은 외광 반사 방지 편광판 일 수 있다. In addition, the cover window 70 may further include a polarizing plate. The polarizing plate may be a linear polarizing plate or an external light reflection preventing polarizing plate. For example, when the display panel 30 is a liquid crystal display panel, the polarizing plate may be a linear polarizing plate. In addition, when the display panel 30 is an organic light emitting display panel, the polarizing plate may be an anti-reflective polarizing plate.

상기 지문인식 모듈과 지문을 제공하는 사람의 손 사이에 이처럼 많은 층들이 존재함으로 인해 수신 신호가 약할 수 있다. 그럼으로 상기 지문인식 모듈의 상기 신호 수신 라인은 상기 기판의 상면에 위치하도록 하여, 신호 전송 라인의 길이를 최소화함으로 인해 수신 신호 손실을 최소화 할 수 있다.Due to the presence of such layers between the fingerprint recognition module and the hand of the person providing the fingerprint, the received signal may be weak. Therefore, the signal receiving line of the fingerprint recognition module is located on the upper surface of the substrate, thereby minimizing the length of the signal transmission line, thereby minimizing the reception signal loss.

한편, 제 3 칩(C3)은 제 3 접속부(170)를 통해 상기 제 6 이너 리드 패턴부(I6)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 제 6 이너 리드 패턴부(I6)는 상기 제 4 이너 리드 패턴부(I4) 또는 제 4 이너 리드 패턴부(I5)와 전기적으로 연결될 수 있다. Meanwhile, the third chip C3 is electrically connected to the sixth inner lead pattern part I6 through the third connection part 170. The sixth inner lead pattern part I6 may be electrically connected to the fourth inner lead pattern part I4 or the fourth inner lead pattern part I5.

실시 예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 양면에 미세한 피치의 전도성 패턴부를 구현할 수 있어, 고해상도의 디스플레이부를 가지는 전자 디바이스에 적합할 수 있다. The fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may implement a conductive pattern part having a fine pitch on both surfaces thereof, and thus may be suitable for an electronic device having a high resolution display unit.

또한, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 플렉서블 하며, 크기가 작고, 두께가 얇기 때문에, 다양한 전자 디바이스에 사용될 수 있다.In addition, since the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment is flexible, small in size, and thin in thickness, it can be used in various electronic devices.

예를 들어, 도 13을 참조하면, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 베젤을 축소할 수 있으므로, 에지 디스플레이에 사용될 수 있다.For example, referring to FIG. 13, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may reduce the bezel and thus may be used for the edge display.

예를 들어, 도 14를 참조하면, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 휘어지는 플렉서블(flexible) 전자 디바이스에 포함될 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 터치 디바이스 장치는 플렉서블 터치 디바이스 장치일 수 있다. 따라서, 사용자가 손으로 휘거나 구부릴 수 있다. 이러한 플렉서블 터치 윈도우는 웨어러블 터치 등에 적용될 수 있다.For example, referring to FIG. 14, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be included in a flexible flexible electronic device. Therefore, the touch device device including the same may be a flexible touch device device. Thus, the user can bend or bend by hand. The flexible touch window may be applied to a wearable touch or the like.

예를 들어, 도 15를 참조하면, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 폴더블 디스플레이 장치가 적용되는 다양한 전자 디바이스에 적용될 수 있다. 도 15a 내지 도 15c를 참조하면, 폴더블 디스플레이 장치는 폴더블 커버 윈도우가 접힐 수 있다. 폴더블 디스플레이 장치는 다양한 휴대용 전자제품에 포함될 수 있다. 자세하게, 폴더블 디스플레이 장치는 이동식 단말기(휴대폰), 노트북(휴대용 컴퓨터) 등에 포함될 수 있다. 이에 따라, 휴대용 전자제품의 디스플레이 영역은 크게 하면서도, 보관이나 이동시에는 장치의 크기를 줄일 수 있어, 휴대성을 높일 수 있다. 따라서, 휴대용 전자제품 사용자의 편의를 향상시킬 수 있다. 그러나, 실시 예가 이에 제한되는 것은 아니고, 폴더블 디스플레이 장치는 다양한 전자 제품에 사용될 수 있음은 물론이다.For example, referring to FIG. 15, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be applied to various electronic devices to which the foldable display device is applied. 15A to 15C, the foldable cover window may be folded in the foldable display device. The foldable display device may be included in various portable electronic products. In detail, the foldable display device may be included in a mobile terminal (mobile phone), a notebook computer (portable computer), and the like. As a result, the display area of the portable electronic product can be increased, and the size of the device can be reduced during storage or movement, thereby improving portability. Therefore, the convenience of the user of the portable electronic product can be improved. However, the embodiment is not limited thereto, and the foldable display device may be used in various electronic products.

도 15a를 참조하면, 폴더블 디스플레이 장치는 화면 영역에서 하나의 접힘 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴더블 디스플레이 장치는 접힌 형태에서 C형 형상을 가질 수 있다. 즉, 폴더블 디스플레이 장치는 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 포개어질 수 있다. 이때, 상기 일단과 상기 타단은 서로 가까이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 15A, the foldable display device may include one folded area in the screen area. For example, the foldable display device may have a C shape in a folded form. That is, one end of the foldable display device and the other end opposite to the one end may be stacked on each other. In this case, the one end and the other end may be disposed close to each other. For example, the one end and the other end may be disposed facing each other.

도 15b를 참조하면, 폴더블 디스플레이 장치는 화면 영역에서 두 개의 접힘 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴더블 디스플레이 장치는 접힌 형태에서 G형 형상을 가질 수 있다. 즉, 폴더블 디스플레이 장치는 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 대응되는 방향으로 접힘에 따라, 서로 포개어질 수 있다. 이때, 상기 일단과 상기 타단은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 일단과 상기 타단은 서로 평행하게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 15B, the foldable display device may include two folded areas in the screen area. For example, the foldable display device may have a G shape in a folded form. That is, the foldable display device may be folded as one end and the other end opposite to the one end are folded in directions corresponding to each other. In this case, the one end and the other end may be spaced apart from each other. For example, the one end and the other end may be arranged parallel to each other.

도 15c를 참조하면, 폴더블 디스플레이 장치는 화면 영역에서 두 개의 접힘 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴더블 디스플레이 장치는 접힌 형태에서 S형 형상을 가질 수 있다. 즉, 폴더블 디스플레이 장치는 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 다른 방향으로 접힐 수 있다. 이때, 상기 일단과 상기 타단은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 일단과 상기 타단은 서로 평행하게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 15C, the foldable display device may include two folded areas in the screen area. For example, the foldable display device may have an S shape in a folded form. That is, one end of the foldable display device and the other end opposite to the one end may be folded in different directions. In this case, the one end and the other end may be spaced apart from each other. For example, the one end and the other end may be arranged parallel to each other.

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 롤러블 디스플레이에 적용될 수 있음은 물론이다.In addition, although not shown in the drawings, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment may be applied to the rollable display.

도 16을 참조하면, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 곡면 디스플레이를 포함하는 다양한 웨어러블 터치 디바이스에 포함될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)을 포함하는 전자 디바이스는 슬림화, 소형화 또는 경량화될 수 있다.Referring to FIG. 16, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be included in various wearable touch devices including a curved display. Therefore, the electronic device including the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip-on-film according to the embodiment can be made slim, small or light.

도 17을 참조하면, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 TV, 모니터, 노트북과 같은 디스플레이 부분을 가지는 다양한 전자 디바이스에 사용될 수 있다. Referring to FIG. 17, the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be used in various electronic devices having display parts such as a TV, a monitor, and a notebook.

그러나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니고, 실시예에 따른 칩 온 필름용 연성 회로기판을 포함한 지문 인식 모듈(100)은 평판 또는 곡선 형상의 디스플레이 부분을 가지는 다양한 전자 디바이스에 사용될 수 있음은 물론이다.However, the embodiment is not limited thereto, and the fingerprint recognition module 100 including the flexible circuit board for the chip on film according to the embodiment may be used in various electronic devices having a flat or curved display portion.

상술한 실시 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시 예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may be illustrated in the above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

10: 제 1 인쇄회로기판
20: 제 2 인쇄회로기판
C1: 제 1 칩
C2: 제 2 칩
30: 디스플레이 패널
40: 메인보드
50: 접착층
60: 배터리
100: 지문 인식 모듈
110: 기판
120: 배선 패턴층
130: 도금층
140: 보호층
CP: 전도성 패턴부
PP: 보호부
OA1, OA2, OA3,OA4, OA5: 오픈 영역
V1, V2, V3: 비아홀
OP: 아우터 리드 패턴부
I1, I2, I3, I4, I5, I6: 이너 리드 패턴부
150: 제 1 접속부
160: 제 2 접속부
170: 제 3 접속부
180: 접착층
190: 보호 패턴부
10: first printed circuit board
20: second printed circuit board
C1: first chip
C2: second chip
30: display panel
40: mainboard
50: adhesive layer
60: battery
100: fingerprint recognition module
110: substrate
120: wiring pattern layer
130: plating layer
140: protective layer
CP: conductive pattern
PP: protector
OA1, OA2, OA3, OA4, OA5: open area
V1, V2, V3: Via Hole
OP: outer lead pattern part
I1, I2, I3, I4, I5, I6: inner lead pattern portion
150: first connection part
160: second connection portion
170: third connection part
180: adhesive layer
190: protective pattern portion

Claims (14)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 전도성 패턴부;
상기 전도성 패턴부 상의 일 영역에 부분적으로 배치되는 보호층;
상기 보호층의 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 제 1 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 1 접속부;
상기 제 1 접속부 위에 배치되는 제 1 칩; 및
상기 보호층의 상기 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 상기 기판 위에 배치되는 보호 패턴부를 포함하고,
상기 제 1 칩은,
지문 인식 센서를 포함하고,
상기 보호 패턴부는,
상기 기판의 상면과 상기 제 1 칩 사이의 상기 지문 인식 센서의 진동 공간 내에 배치되는
지문 인식 모듈.
Board;
A conductive pattern portion disposed on the substrate;
A protective layer partially disposed in one region on the conductive pattern portion;
A first connecting portion disposed on the first conductive pattern portion exposed through the first open area of the protective layer;
A first chip disposed on the first connection portion; And
A protective pattern portion disposed on the substrate exposed through the first open region of the protective layer,
The first chip,
Includes a fingerprint sensor,
The protective pattern portion,
Disposed in a vibration space of the fingerprint recognition sensor between an upper surface of the substrate and the first chip.
Fingerprint Recognition Module.
제 1항에 있어서,
상기 보호 패턴부의 높이는,
상기 제 1 전도성 패턴부의 높이보다 낮은
지문 인식 모듈.
The method of claim 1,
The height of the protective pattern portion,
Lower than the height of the first conductive pattern portion
Fingerprint Recognition Module.
제 2항에 있어서,
상기 제 1 전도성 패턴부의 높이는,
7㎛ 내지 13㎛ 범위를 만족하고,
상기 보호 패턴부의 높이는,
6㎛ 내지 11㎛ 범위를 만족하는
지문 인식 모듈.
The method of claim 2,
The height of the first conductive pattern portion,
Satisfies a range of 7 μm to 13 μm,
The height of the protective pattern portion,
Satisfying the range of 6 μm to 11 μm
Fingerprint Recognition Module.
제 1항에 있어서,
상기 보호 패턴부는,
상기 제 1 전도성 패턴부와 인접하게 배치되고, 상기 진동 공간의 외곽 영역에 배치되는 제 1 보호 패턴부와,
상기 진동 공간의 상기 외곽 영역을 제외한 상기 진동 공간의 중앙 영역에 배치되는 제 2 보호 패턴부를 포함하는
지문 인식 모듈
The method of claim 1,
The protective pattern portion,
A first protective pattern portion disposed adjacent to the first conductive pattern portion and disposed in an outer region of the vibration space;
And a second protective pattern part disposed in the central area of the vibration space except for the outer area of the vibration space.
Fingerprint identification module
제 4항에 있어서,
상기 제 1 보호 패턴부의 수평 단면 형상은,
상기 제 2 보호 패턴부의 수평 단면 형상과 다른
지문 인식 모듈.
The method of claim 4, wherein
The horizontal cross-sectional shape of the first protective pattern portion is
Different from the horizontal cross-sectional shape of the second protective pattern portion
Fingerprint Recognition Module.
제 4항에 있어서,
상기 제 1 보호 패턴부와 상기 제 2 보호 패턴부 사이 영역에서 상기 기판을 관통하며 형성되고, 상기 진동 공간과 연통하는 통공을 더 포함하는
지문 인식 모듈.
The method of claim 4, wherein
A through hole formed in a region between the first protective pattern portion and the second protective pattern portion and communicating with the vibration space;
Fingerprint Recognition Module.
제 1항에 있어서,
상기 보호층의 제 2 오픈 영역을 통해 노출된 제 2 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 2 접속부; 및
상기 제 2 접속부 위에 배치되는 제 2 칩을 더 포함하고,
상기 제 2 칩은,
주문형 집적 회로를 포함하는
지문 인식 모듈.
The method of claim 1,
A second connecting portion disposed on the second conductive pattern portion exposed through the second open area of the protective layer; And
Further comprising a second chip disposed on the second connecting portion,
The second chip,
Including application specific integrated circuits
Fingerprint Recognition Module.
제 7항에 있어서,
상기 기판은,
일단에 위치하고, 상기 제 1 칩이 배치되는 제 1 비절곡 영역과,
상기 일단과 반대되는 타단에 위치하며 상기 제 2 칩이 배치되는 제 2 비절곡 영역과,
상기 제 1 및 2 비절곡 영역 사이에 위치하는 절곡 영역을 포함하고,
상기 제 1 비절곡 영역 및 상기 제 2 비절곡 영역 사이에는 접착층이 배치되며,
상기 제 1 비절곡 영역은,
상기 접착층을 중심으로 상기 제 2 비절곡 영역과 마주보며 배치되는
지문 인식 모듈.
The method of claim 7, wherein
The substrate,
A first non-bending region located at one end and arranged with the first chip,
A second non-bending region positioned on the other end opposite to the one end and on which the second chip is disposed;
A bending region located between the first and second non-bending regions,
An adhesive layer is disposed between the first non-bent region and the second non-bent region,
The first non-bending area,
It is disposed facing the second non-bent region around the adhesive layer.
Fingerprint Recognition Module.
제 8항에 있어서,
상기 기판은,
상기 접착층의 상부에 위치하며, 상기 제 1 비절곡 영역과 상기 절곡 영역의 일부를 포함하는 상부 파트와,
상기 접착층의 하부에 위치하며, 상기 제 2 비절곡 영역과 상기 절곡 영역의 나머지 일부를 포함하는 하부 파트를 포함하며,
상기 제 1 칩의 상면 면적 및 상기 상부 파트의 상면 면적의 비율은,
1:2 이하인
지문 인식 모듈.
The method of claim 8,
The substrate,
An upper part positioned above the adhesive layer, the upper part including the first non-bending area and a part of the bending area;
Located below the adhesive layer, and includes a lower part including the second non-bending area and the remaining part of the bending area,
The ratio of the upper surface area of the first chip and the upper surface area of the upper part is
Less than 1: 2
Fingerprint Recognition Module.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전도성 패턴부는,
상면에서 하면 방향으로 일정 깊이 함몰되고, 상호 일정 간격 이격되며, 상기 제 1 접속부가 배치되는 복수의 홈을 포함하고,
상기 제 1 전도성 패턴부의 상면은,
중앙을 중심으로 상기 진동 공간을 향하는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역을 제외한 제 2 영역을 포함하고,
상기 제 1 영역에서의 상기 복수의 홈에 의한 제 1 개구율은,
상기 제 2 영역에서의 상기 복수의 홈에 의한 제 2 개구율보다 큰
지문 인식 모듈.
The method of claim 1,
The first conductive pattern portion,
It includes a plurality of grooves recessed in a predetermined depth in the lower surface in the upper surface, spaced apart from each other, the first connecting portion is disposed,
The upper surface of the first conductive pattern portion,
A first region facing the vibration space around a center and a second region except the first region,
The first aperture ratio due to the plurality of grooves in the first region is
Greater than a second aperture ratio due to the plurality of grooves in the second region
Fingerprint Recognition Module.
제 7항에 있어서,
상기 보호층의 제 3 오픈 영역을 통해 노출된 전도성 패턴부 위에 배치되는 적어도 하나의 제 3 칩을 더 포함하며,
상기 적어도 하나의 제 3 칩은,
다이오드 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 하나를 포함하며,
상기 제 2 오픈 영역과 상기 제 3 오픈 영역의 사이 영역의 간격은,
상기 제 1 오픈 영역과 상기 제 2 오픈 영역의 사이 영역의 간격보다 작은
지문 인식 모듈.
The method of claim 7, wherein
At least one third chip disposed on the conductive pattern portion exposed through the third open region of the protective layer,
The at least one third chip,
At least one of a diode chip, MLCC chip, BGA chip, chip capacitor,
An interval of an area between the second open area and the third open area is
Less than an interval of an area between the first open area and the second open area
Fingerprint Recognition Module.
제 1 항 내지 제 11항에 있어서,
상기 보호 패턴부는,
포토레지스트를 포함하는
지문 인식 모듈.
The method according to claim 1, wherein
The protective pattern portion,
Containing photoresist
Fingerprint Recognition Module.
기판;
상기 기판 상에 배치되는 전도성 패턴부;
상기 전도성 패턴부 상의 일 영역에 부분적으로 배치되는 보호층;
상기 보호층의 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 제 1 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 1 접속부;
상기 제 1 접속부 위에 배치되는 제 1 칩;
상기 보호층의 제 2 오픈 영역을 통해 노출된 제 2 전도성 패턴부 위에 배치되는 제 2 접속부;
상기 제 2 접속부 위에 배치되는 제 2 칩; 및
상기 보호층의 상기 제 1 오픈 영역을 통해 노출된 상기 기판 위에 배치되는 보호 패턴부를 포함하고,
상기 제 1 칩은,
지문 인식 센서를 포함하고,
상기 제 2 칩은,
주문형 집적 회로를 포함하며,
상기 기판은,
일단에 위치하는 제 1 비절곡 영역과,
상기 일단과 반대되는 타단에 위치하는 제 2 비절곡 영역과,
상기 제 1 및 2 비절곡 영역 사이에 위치하는 절곡 영역을 포함하고,
상기 제 1 오픈 영역은 상기 제 1 비절곡 영역 상에 위치하고,
상기 제 2 오픈 영역은 상기 제 2 비절곡 영역 상에 위치하고,
상기 보호 패턴부는,
상기 기판의 상면과 상기 제 1 칩 사이의 상기 지문 인식 센서의 진동 공간 내에 배치되며,
상기 보호 패턴부의 높이는,
상기 제 1 전도성 패턴부의 높이보다 낮은 지문 인식 모듈;
상기 제 1 칩 상에 부착되는 디스플레이부; 및
상기 지문 인식 모듈의 상기 제 2 비절곡 영역 상에 위치한 전도성 패턴부와 연결되는 메인 보드를 포함하는
전자 디바이스.
Board;
A conductive pattern portion disposed on the substrate;
A protective layer partially disposed in one region on the conductive pattern portion;
A first connecting portion disposed on the first conductive pattern portion exposed through the first open area of the protective layer;
A first chip disposed on the first connection portion;
A second connecting portion disposed on the second conductive pattern portion exposed through the second open area of the protective layer;
A second chip disposed on the second connection portion; And
A protective pattern portion disposed on the substrate exposed through the first open region of the protective layer,
The first chip,
Includes a fingerprint sensor,
The second chip,
Includes application specific integrated circuits,
The substrate,
A first non-bending region located at one end,
A second non-bending area positioned at the other end opposite to the one end;
A bending region located between the first and second non-bending regions,
The first open area is located on the first non-bended area,
The second open area is located on the second non-bent area,
The protective pattern portion,
Disposed in a vibration space of the fingerprint sensor between an upper surface of the substrate and the first chip,
The height of the protective pattern portion,
A fingerprint recognition module lower than a height of the first conductive pattern portion;
A display unit attached to the first chip; And
A main board connected to the conductive pattern part disposed on the second non-bending area of the fingerprint recognition module;
Electronic device.
제 13항에 있어서,
상기 디스플레이부는,
디스플레이 패널; 및
상기 디스플레이 패널 상에 위치하는 커버 윈도우를 포함하며,
상기 제 1 칩은 상기 디스플레이 패널의 하면 또는 상기 커버 윈도우 하면에 부착되는
전자 디바이스.
The method of claim 13,
The display unit,
Display panel; And
A cover window positioned on the display panel;
The first chip is attached to a bottom surface of the display panel or a bottom surface of the cover window.
Electronic device.
KR1020180041772A 2018-04-10 2018-04-10 Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same KR102568983B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180041772A KR102568983B1 (en) 2018-04-10 2018-04-10 Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180041772A KR102568983B1 (en) 2018-04-10 2018-04-10 Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190118438A true KR20190118438A (en) 2019-10-18
KR102568983B1 KR102568983B1 (en) 2023-08-22

Family

ID=68462727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180041772A KR102568983B1 (en) 2018-04-10 2018-04-10 Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102568983B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200125577A (en) * 2018-02-27 2020-11-04 디아이씨 가부시끼가이샤 Electronic component package and its manufacturing method
KR20220043011A (en) * 2020-09-28 2022-04-05 한국전자통신연구원 stretchable-electric device and manufacturing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150112715A (en) * 2014-03-28 2015-10-07 엘지디스플레이 주식회사 Flexible display device and method for manufacturing the same
KR20170062123A (en) * 2015-11-27 2017-06-07 삼성전기주식회사 Fingerprint sensing device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150112715A (en) * 2014-03-28 2015-10-07 엘지디스플레이 주식회사 Flexible display device and method for manufacturing the same
KR20170062123A (en) * 2015-11-27 2017-06-07 삼성전기주식회사 Fingerprint sensing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200125577A (en) * 2018-02-27 2020-11-04 디아이씨 가부시끼가이샤 Electronic component package and its manufacturing method
KR20220043011A (en) * 2020-09-28 2022-04-05 한국전자통신연구원 stretchable-electric device and manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR102568983B1 (en) 2023-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102438206B1 (en) Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same
US20220256706A1 (en) Display apparatus and method for manufacturing the same
KR102475251B1 (en) Flexible circuit board and chip pakage comprising the same, and electronic device comprising the same
CN110637506B (en) Flexible circuit board for all-in-one chip on film, chip package comprising flexible circuit board and electronic device comprising chip package
JPWO2021169882A5 (en)
US20220353992A1 (en) Flexible printed circuit and manufacturing method thereof, electronic device module and electronic device
KR102568983B1 (en) Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same
KR102430864B1 (en) Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same
KR102430863B1 (en) Flexible circuit board for all in one chip on film and chip pakage comprising the same, and electronic device comprising the same
KR102395435B1 (en) Fingerprint sensing module and lectronic device comprising the same
KR20120063202A (en) Semiconductor package and display panel assembly having the same
US20230005893A1 (en) Fingerprint recognition module and electronic device comprising same
KR101144531B1 (en) Touch input device
KR102438205B1 (en) Flexible circuit board for all in one chip on film and chip pakage comprising the same, and electronic device comprising the same
KR102374299B1 (en) Flexible circuit board for all in one chip on film and chip pakage comprising the same, and electronic device comprising the same
CN117651457A (en) Display device and method of manufacturing the same
CN115241261A (en) Display panel and display device
KR20190054500A (en) Hybrid flexible circuit board and chip package comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant