KR20190115157A - 표시장치 - Google Patents

표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190115157A
KR20190115157A KR1020180037440A KR20180037440A KR20190115157A KR 20190115157 A KR20190115157 A KR 20190115157A KR 1020180037440 A KR1020180037440 A KR 1020180037440A KR 20180037440 A KR20180037440 A KR 20180037440A KR 20190115157 A KR20190115157 A KR 20190115157A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
layer
functional
display panel
thickness
Prior art date
Application number
KR1020180037440A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102547124B1 (ko
Inventor
최성철
류한선
명만식
신재구
이지화
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180037440A priority Critical patent/KR102547124B1/ko
Priority to US16/359,681 priority patent/US11404655B2/en
Priority to TW108111082A priority patent/TWI825083B/zh
Priority to CN201910241068.1A priority patent/CN110323253A/zh
Publication of KR20190115157A publication Critical patent/KR20190115157A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102547124B1 publication Critical patent/KR102547124B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/0097—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/04—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by at least one layer folded at the edge, e.g. over another layer ; characterised by at least one layer enveloping or enclosing a material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H01L27/3244—
    • H01L51/5293—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/05—5 or more layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/42—Polarizing, birefringent, filtering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/54—Yield strength; Tensile strength
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/546—Flexural strength; Flexion stiffness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/558—Impact strength, toughness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/14—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by a layer differing constitutionally or physically in different parts, e.g. denser near its faces
    • B32B5/145—Variation across the thickness of the layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B32B7/14—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties applied in spaced arrangements, e.g. in stripes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시장치는 플렉서블 표시패널, 상기 플렉서블 표시패널 상부에 배치되는 복수의 기능층들, 및 각각이 상기 복수의 기능층들 사이 또는 상기 복수의 기능층들 중 어느 하나와 상기 플렉서블 표시패널 사이에 배치되는 복수의 접착부재들을 포함한다. 상기 복수의 접착부재들의 두께들의 합은 135㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 그리고, 상기 복수의 접착부재들 중 가장 큰 두께를 갖는 접착부재의 두께는 상기 복수의 접착부재들 중 가장 작은 두께를 갖는 접착부재의 1.3배 이하이다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 플렉서블 표시장치에 관한 것으로, 구체적으로 신뢰성이 향상된 표시장치에 관한 것이다.
표시장치는 표시화면에 다양한 이미지를 표시하여 사용자에게 정보를 제공한다. 일반적으로 표시장치는 할당된 화면 내에서 정보를 표시한다. 최근 휘어지는 플렉서블 표시패널을 구비한 플렉서블 표시장치들이 개발되고 있다. 플렉서블 표시장치는 리지드 표시장치와 달리, 종이처럼 접거나 말거나 휠 수 있다. 형상이 다양하게 변경될 수 있는 플렉서블 표시장치는 기존의 화면 크기에 구애받지 않고 휴대할 수 있어, 사용자 편의성이 향상된다.
플렉서블 표시장치를 구현하는 경우, 접거나 말거나 휘는 과정에서 접착부재에 의해 부착되어 있는 구성요소들이 스트레스를 받아 박리 현상이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 외부에서 충격이 인가되는 경우, 플렉서블 표시패널이 파손되는 문제점이 있다.
본 발명은 플렉서블 표시장치를 접을 때 박리 현상이 발생하는 것을 억제할 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 외부에서 충격이 인가되더라도, 플렉서블 표시패널이 파손되는 것을 억제할 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 플렉서블 표시패널, 상기 플렉서블 표시패널 상부에 배치되는 복수의 기능층들, 및 각각이 상기 복수의 기능층들 사이 또는 상기 복수의 기능층들 중 어느 하나와 상기 플렉서블 표시패널 사이에 배치되는 복수의 접착부재들을 포함한다. 상기 복수의 접착부재들의 두께들의 합은 135㎛ 이상 200㎛ 이하이고, 상기 복수의 접착부재들 중 가장 큰 두께를 갖는 접착부재의 두께는 상기 복수의 접착부재들 중 가장 작은 두께를 갖는 접착부재 두께의 1.3배 이하이다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 가장 작은 두께를 갖는 접착부재는 상기 가장 큰 두께를 갖는 접착부재보다 상부에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 기능층들 각각은 고분자물질을 포함하며, 상기 복수의 기능층들 각각의 모듈러스는 2Gpa 이상 100Gpa 이하 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 기능층들은 인가되는 충격을 흡수하는 충격흡수 기능층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 기능층들은 입사되는 광을 편광시키는 편광 기능층을 더 포함하고, 상기 편광 기능층은 상기 충격흡수 기능층과 상기 플렉서블 표시패널 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 기능층들은 상기 편광 기능층 상에 배치되는 윈도우 기능층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 기능층들은 상기 윈도우 기능층 상에 배치되는 보호 기능층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 플렉서블 표시패널 하부에 배치되고, 인가되는 충격을 흡수하는 쿠션층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 쿠션층 하부에 배치되고, 상기 플렉서블 표시패널을 지지하는 세트부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 기능들 각각의 두께는 35㎛ 이상 60㎛ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 플렉서블 표시패널, 상기 플렉서블 표시패널 하부에 배치되고, 상기 플렉서블 표시패널을 지지하는 세트부재, 및 상기 플렉서블 표시패널 상부에 배치되는 복수의 접착층들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 접착층들의 두께들의 합은 135㎛ 이상 200㎛ 이하이며, 상기 복수의 접착층들 간의 두께 편차는 30퍼센트 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 접을 때 박리 현상이 발생하지 않으면서, 외부에서 인가되는 충격으로부터 강건한 플렉서블 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2a 내지 도 2e는 각각 도 1에 도시된 표시장치를 폴딩 또는 롤링한 것을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 표시모듈의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 블록도를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도를 도시한 것이다.
도 7은 도 6의 화소에 인가되는 발광제어신호 및 스캔신호들을 예시적으로 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 일부분의 단면을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 도 9에 도시된 표시모듈의 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도면들에 있어서, 구성요소들의 비율 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
"포함하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 1에 도시된 것과 같이 이미지(IM)가 표시되는 표시면(IS)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 폴더블 표시장치 또는 말려지는 롤러블 표시장치일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 테블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 사용될 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)의 표시면(IS)은 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 표시장치(DD)는 이미지(IM)가 표시되는 표시영역(DD-DA) 및 표시영역(DD-DA)에 인접한 비표시영역(DD-NDA)을 포함한다. 비표시영역(DD-NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 도 1에는 이미지(IM)의 일 예로 어플리케이션의 아이콘들과 시계창을 도시하였다. 표시영역(DD-DA)은 사각형상일 수 있다. 비표시영역(DD-NDA)은 표시영역(DD-DA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시영역(DD-DA)의 형상과 비표시영역(DD-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
표시장치(DD)는 하우징(HS)을 포함할 수 있다. 하우징(HS)은 표시장치(DD)의 외곽에 배치되며, 내부에 부품들을 수용할 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 각각 도 1에 도시된 표시장치(DD)를 폴딩 또는 롤링한 것을 도시한 것이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 벤딩축(BX)을 기준으로 인-폴딩 될 수 있다. 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 벤딩축(BX)을 기준으로 아웃-폴딩 될 수 있다. 도 2c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 끝 부분부터 안쪽으로 롤링되거나 폴딩될 수 있다. 도 2d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 끝 부분부터 바깥쪽으로 롤링되거나 폴딩될 수 있다. 도 2e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 대각선 방향으로 폴딩되거나 롤링될 수 있다. 도 2a 내지 도 2e에서 표시장치(DD)의 롤링 또는 폴딩방법을 예시적으로 도시한 것이며, 이에 제한되지 않는다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 표시모듈(DM, DM-1)의 단면도이다. 도 3은 제2 방향축(DR2)과 제3 방향축(DR3)이 정의하는 단면을 도시하였다.
표시장치(DD)는 표시모듈(DM), 복수의 기능층들(FC1~FC3), 베이스 필름(BF), 쿠션층(CSH), 세트부재(ST), 및 복수의 접착부재들(AD1~AD6)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 접착부재들(AD1~AD6) 각각은 감압 접착제(Pressure sensitive adhesive, PSA)일 수 있다.
기능층들(FC1~FC3)은 표시모듈(DM)의 상부에 배치될 수 있다.
제1 기능층(FC1)은 제1 접착부재(AD1)에 의해 표시모듈(DM)과 접착될 수 있다. 제2 기능층(FC2)은 제2 접착부재(AD2)에 의해 제1 기능층(FC1)과 접착될 수 있다. 제3 기능층(FC3)은 제3 접착부재(AD3)에 의해 제2 기능층(FC2)과 접착될 수 있다.
기능층들(FC1~FC3) 각각은 고분자 문질을 포함할 수 있다. 기능층들(FC1~FC3) 각각은 필름 형태일 수 있다. 기능층들(FC1~FC3) 각각의 모듈러스는 2Gpa 이상 100Gpa 이하 일 수 있다.
기능층들(FC1~FC3) 각각의 두께는 35㎛ 이상 60㎛ 이하 일 수 있다. 기능층들(FC1~FC3) 각각의 두께가 35㎛보다 작으면 본래 목적했던 기능의 수행능력이 저하되고, 60㎛보다 크면 표시장치(DD)의 유연성이 감소할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 기능층(FC1)은 입사되는 광을 편광시키는 편광 기능층 일 수 있다. 제2 기능층(FC2)은 외부에서 인가되는 충격을 흡수하는 충격흡수 기능층 일 수 있다. 제3 기능층(FC3)은 표시장치(DD)의 외면을 구성하는 윈도우 기능층 일 수 있다.
베이스 필름(BF), 쿠션층(CSH), 및 세트부재(ST)는 표시모듈(DM)의 하부에 배치된다.
베이스 필름(BF)은 제4 접착부재(AD4)에 의해 표시모듈(DM)과 접착될 수 있다. 베이스 필름(BF)은 고분자 물질을 포함할 수 있다.
쿠션층(CSH)은 제5 접착부재(AD5)에 의해 베이스 필름(BF)에 접착될 수 있다. 쿠션층(CSH)은 고분자 물질을 포함할 수 있다. 쿠션층(CSH)은 외부에서 인가되는 충격을 흡수하기 위한 층 일 수 있다.
세트부재(ST)는 제6 접착부재(AD6)에 의해 쿠션층(CSH)에 접착될 수 있다. 세트부재(ST)는 표시모듈(DM)을 지지할 수 있다. 세트부재(ST)는 표시모듈(DM)을 접거나 휘기 위한 힌지(미도시)를 포함할 수 있다. 세트부재(ST)는 하우징(HS, 도 1 참조)의 일부분일 수 있다.
도 4a를 참조하면, 표시모듈(DM)은 표시패널(DP) 및 입력감지유닛(TS)을 포함할 수 있다. 입력감지유닛(TS)은 외부에서 인가되는 터치 및/또는 압력을 감지할 수 있다.
입력감지유닛(TS)은 표시패널(DP)의 박막봉지층(미도시) 상에 직접적으로 배치될 수 있다. 여기서 직접적으로 배치란 별도의 접착부재 없이 입력감지유닛(TS)이 표시패널(DP) 상에 배치되는 것을 의미한다.
도 4b를 참조하면, 표시모듈(DM-1)은 표시패널(DP), 입력감지유닛(TS), 및 제7 접착부재(AD7)를 포함할 수 있다. 표시패널(DP)과 입력감지유닛(TS)은 제7 접착부재(AD7)에 의해 접착될 수 있다.
제1 접착부재(AD1)는 제1 두께(WD1)을 갖고, 제2 접착부재(AD2)는 제2 두께(WD2)를 가지며, 제3 접착부재(AD3)은 제3 두께(WD3)를 갖는다.
제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3)는 외부에서 인가되는 충격을 흡수하는 완충기능을 가지기 때문에, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)가 너무 얇은 경우, 표시모듈(DM)은 외부의 충격에 의해 쉽게 파손될 수 있다. 반면, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)가 너무 큰 값을 가지거나, 서로간의 편차가 큰 경우에는 폴딩 또는 휘어졌을 때 제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3)에 의해 접착되는 구성요소들이 서로 박리될 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3)가 가지는 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)에 대한 최적화 된 값이 필요하다.
예를들어, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합은 135㎛이상 200㎛이할 일 수 있다. 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합이 135㎛보다 작은 경우, Pen Drop 실험시 외부의 충격이 표시모듈(DM)에 인가되어, 표시모듈(DM)이 파손될 수 있다. 여기서 Pen Drop 실험이란 소정의 높이에서 펜 모양의 물체를 표시장치(DD)에 떨어뜨린 후 표시장치(DD)의 표시모듈(DM)이 파손되었는지 측정하는 실험이다.
제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합이 200㎛보다 큰 경우, 표시장치(DD)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC1~FC3)이 표시모듈(DM)로부터 박리될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3) 중 가장 두꺼운 접착부재와 가장 얇은 접착부재 간의 두께 편차가 30% 이내이어야 한다. 상기 두께 편차가 30%보다 큰 경우에도 역시, 표시장치(DD)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC1~FC3) 중 적어도 일부가 표시모듈(DM)로부터 박리될 수 있다.
구조 1 2 3 4
접착부재 수 3 개
WD3 75㎛ 50㎛ 50㎛ 50㎛
WD2 50㎛ 75㎛ 50㎛ 75㎛
WD1 50㎛ 50㎛ 75㎛ 75㎛
총 두께 175㎛ 175㎛ 175㎛ 200㎛
Max/Min 1.5 1.5 1.5 1.5
Pen Drop 실험 OK OK OK OK
박리 방지 여부 Fail Fail Fail Fail
표 1은 구조 1 내지 구조 4의 실험예에 대한 것이다. 표 1을 참조하면, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합이 175㎛ 또는 200㎛이므로, Pen Drop 실험에도 표시모듈(DM)이 파손되지 않음을 알 수 있다. 또한, 표 1에서는 제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3) 중 가장 두꺼운 접착부재와 가장 얇은 접착부재의 편차가 50%이므로, 표시장치(DD)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC1~FC3)이 표시모듈(DM)로부터 박리되는 것을 방지하지 못함을 알 수 있다.
구조 5 6 7 8 9 10
접착부재 수 3 개
WD3 40㎛ 50㎛ 60㎛ 65㎛ 50㎛ 50㎛
WD2 40㎛ 50㎛ 60㎛ 65㎛ 60㎛ 60㎛
WD1 40㎛ 50㎛ 60㎛ 65㎛ 50㎛ 60㎛
총 두께 120㎛ 150㎛ 180㎛ 195㎛ 160㎛ 170㎛
Max/Min 1 1 1 1 1.2 1.2
Pen Drop 실험 Fail OK OK OK OK OK
박리 방지 여부 OK OK OK OK OK OK
표 2는 구조 5 내지 구조 10의 실험예에 대한 것이다. 구조 5의 실험예를 검토하면, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합이 각각 120㎛로 작아서, Pen Drop 실험에서 표시모듈(DM)이 파손됨을 알 수 있다. 반면, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합이 150㎛인 경우에는 Pen Drop 실험에서 표시모듈(DM)이 파손되지 않음을 알 수 있다. 표시장치(DD)를 제조하는 공정에서 발생하는 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 오차범위가 10%임음 고려하면, 제1 내지 제3 두께(WD1~WD3)의 합은 150㎛보다 10% 작은 값인 135㎛ 이상일 수 있다.표 2를 참조하면, 제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3) 중 가장 두꺼운 접착부재와 가장 얇은 접착부재의 편차가 25%이내이므로, 표시장치(DD)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC1~FC3)이 표시모듈(DM)로부터 박리되는 것이 방지됨을 알 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 내지 제3 접착부재(AD1~AD3) 중 가장 작은 두께를 가지는 접착부재는 가장 큰 두께를 가지는 접착부재보다 상부에 배치될 수 있다. 이 경우, 표시장치(DD)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC1~FC3)이 표시모듈(DM)로부터 박리되는 것이 방지될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 블록도이다.
표시패널(DP)은 평면상에서 표시영역(DP-DA)과 비표시영역(DP-NDA)을 포함한다. 본 실시예에서 비표시영역(DP-NDA)은 표시영역(DP-DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다. 표시패널(DP)의 표시영역(DP-DA) 및 비표시영역(DP-NDA)은 도 1에 도시된 표시장치(DD)의 표시영역(DD-DA) 및 비표시영역(DD-NDA)에 각각 대응될 수 있다.
표시패널(DP)은 주사 구동부(100), 데이터 구동부(200), 복수 개의 스캔 라인들(SL), 복수 개의 발광제어 라인들(ECL), 복수 개의 데이터 라인들(DL), 및 복수 개의 전원 라인들(PL), 및 복수 개의 화소들(PX, 이하 화소들)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 표시영역(DP-DA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 유기발광 다이오드(OLED, 도 6 참조)와 그에 연결된 화소회로(CC, 도 6 참조)를 포함한다.
주사 구동부(100)는 스캔 구동부 및 발광제어 구동부를 포함할 수 있다.
스캔 구동부는 스캔 신호들을 생성하고, 생성된 스캔 신호들을 스캔 라인들(SL)에 순차적으로 출력한다. 발광제어 구동부는 발광제어 신호들을 생성하고, 생성된 발광제어 신호들을 발광제어 라인들(ECL)에 출력한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 주사 구동부(100) 내에서 스캔 구동부 및 발광제어 구동부가 구분되지 않고, 하나의 회로로 구성될 수 있다.
주사 구동부(100)는 화소들(PX)의 구동회로와 동일한 공정, 예컨대 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
데이터 구동부(200)는 데이터 신호들을 데이터 라인들(DL)에 출력한다. 데이터 신호들은 영상 데이터들의 계조값에 대응하는 아날로그 전압들이다.
본 발명의 일 실시예에서, 데이터 구동부(200)는 인쇄회로기판(FPCB)에 실장되고, 인쇄회로기판(FPCB)이 데이터 라인들(DL)의 일단에 배치된 패드들과 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니고, 데이터 구동부(200)는 표시패널(DP)에 직접적으로 실장될 수 있다.
스캔 라인들(SL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)에 교차하는 제1 방향(DR1)으로 나열될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제2 방향(DR2) 과 제1 방향(DR1)은 직교할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광제어 라인들(ECL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)으로 나열될 수 있다. 즉, 발광제어 라인들(ECL) 각각은 스캔 라인들(SL) 중 대응하는 스캔 라인에 나란하게 배열될 수 있다.
데이터 라인들(DL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)으로 나열된다. 데이터 라인들(DL)은 데이터 신호들을 대응하는 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
전원 라인들(PL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 나열된다. 전원 라인들(PL)은 제1 전원(ELVDD)을 대응하는 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
복수 개의 화소들(PX) 각각은 스캔 라인들(SL) 중 대응하는 스캔 라인, 발광제어 라인들(ECL) 중 대응하는 발광제어 라인, 데이터 라인들(DL) 중 대응하는 데이터 라인, 및 전원 라인들(PL) 중 대응하는 전원 라인에 접속된다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도를 도시한 것이다. 도 7은 도 6의 화소(PX)에 인가되는 발광제어신호(Ei), 스캔신호들(Si-1, Si, Si+1)을 예시적으로 도시한 것이다. 도 6에는 i번째 스캔 라인(SLi) 및 i번째 발광제어 라인(ECLi)에 연결된 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다.
화소(PX)는 유기발광소자(OLED) 및 화소회로(CC)를 포함할 수 있다. 화소회로(CC)는 복수의 트랜지스터들(T1~T7) 및 커패시터(CP)를 포함할 수 있다. 화소회로(CC)는 데이터 신호에 대응하여 유기발광소자(OLED)에 흐르는 전류량을 제어한다.
유기발광소자(OLED)는 화소회로(CC)로부터 제공되는 전류량에 대응하여 소정의 휘도로 발광할 수 있다. 이를 위하여, 제1 전원(ELVDD)의 레벨은 제2 전원(ELVSS)의 레벨보다 높게 설정될 수 있다.
복수의 트랜지스터들(T1~T7)은 각각 입력전극(또는, 소스 전극), 출력전극(또는, 드레인 전극) 및 제어전극(또는, 게이트 전극)을 포함할 수 있다. 본 명세서 내에서 편의상 입력전극 및 출력전극 중 어느 하나는 제1 전극으로 지칭되고, 다른 하나는 제2 전극으로 지칭될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 제1 트랜지스터(T1)는 본 명세서 내에서 드라이빙 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제어전극에 인가되는 전압에 대응하여 유기발광소자(OLED)에 흐르는 전류량을 제어한다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속된다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 제어전극은 i번째 스캔 라인(SLi)에 접속된다. 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 스캔 라인(SLi)으로 i번째 스캔 신호(Si)가 제공될 때 턴-온되어 데이터 라인(DL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킨다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제어전극 사이에 접속된다. 제3 트랜지스터(T3)의 제어전극은 i번째 스캔 라인(SLi)에 접속된다. 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 스캔 라인(SLi)으로 i번째 스캔 신호(Si)가 제공될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제어전극을 전기적으로 접속시킨다. 따라서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속된다.
제4 트랜지스터(T4)는 노드(ND)와 초기화 전원생성부(미도시) 사이에 접속된다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 제어전극은 i-1번째 스캔 라인(SLi-1)에 접속된다. 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 스캔 라인(SLi-1)으로 i-1번째 스캔신호(Si-1)가 제공될 때 턴-온되어 노드(ND)로 초기화전압(Vint)을 제공한다.
제5 트랜지스터(T5)는 전원 라인(PL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속된다. 제5 트랜지스터(T5)의 제어전극은 i번째 발광제어 라인(ECLi)에 접속된다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속된다. 그리고, 제6 트랜지스터(T6)의 제어전극은 i번째 발광제어 라인(ECLi)에 접속된다.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원생성부(미도시)와 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속된다. 그리고, 제7 트랜지스터(T7)의 제어전극은 i+1번째 스캔 라인(SLi+1)에 접속된다. 이와 같은 제7 트랜지스터(T7)는 i+1번째 스캔 라인(SLi+1)으로 i+1번째 스캔신호(Si+1)가 제공될 때 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 제공한다.
제7 트랜지스터(T7)는 화소(PX)의 블랙 표현 능력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되면 유기발광소자(OLED)의 기생 커패시터(미도시)가 방전된다. 그러면, 블랙 휘도 구현시 제1 트랜지스터(T1)로부터의 누설전류에 의하여 유기발광소자(OLED)가 발광하지 않게되고, 이에 따라 블랙 표현 능력이 향상될 수 있다.
추가적으로, 도 6에서는 제7 트랜지스터(T7)의 제어전극이 i+1번째 스캔 라인(SLi+1)에 접속되는 것으로 도시되었지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서, 제7 트랜지스터(T7)의 제어전극은 i번째 스캔 라인(SLi) 또는 i-1번째 스캔 라인(SLi-1)에 접속될 수 있다.
도 6에서는 PMOS를 기준으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서 화소(PX)는 NMOS로 구성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서 화소(PX)는 NMOS와 PMOS의 조합에 의해 구성될 수 있다.
커패시터(CP)는 전원 라인(PL)과 노드(ND) 사이에 배치된다. 커패시터(CP)는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한다. 커패시터(CP)에 저장된 전압에 따라 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온 될 때 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류량이 결정될 수 있다.
본 발명에서 화소(PX)의 구조는 도 6에 도시된 구조로 한정되지 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서 화소(PX)는 유기발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도 7을 참조하면, 발광제어신호(Ei)는 하이레벨(E-HIGH) 또는 로우레벨(E-LOW)을 가질 수 있다. 스캔 신호들(SLi-1, SLi, SLi+1)은 각각 하이레벨(S-HIGH) 또는 로우레벨(S-LOW)을 가질 수 있다.
발광제어신호(Ei)가 하이레벨(E-HIGH)을 가질 때, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-오프된다. 제5 트랜지스터(T5)가 턴-오프되면 전원 라인(PL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극이 전기적으로 차단된다. 제6 트랜지스터(T6)가 턴-오프되면 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극이 전기적으로 차단된다. 따라서, i번째 발광제어 라인(ECLi)으로 하이레벨(E-HIGH)을 가지는 발광 제어신호(Ei)가 제공되는 기간 동안 유기발광소자(OLED)는 발광하지 않는다.
이후, i-1번째 스캔 라인(SLi-1)으로 제공되는 i-1번째 스캔신호(Si)가 로우레벨(S-LOW)을 가지면 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온된다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되면 초기화전압(Vint)이 노드(ND)로 제공된다.
i번째 스캔 라인(SLi)으로 제공되는 i번째 스캔신호(Si)가 로우레벨(S-LOW)을 가지면 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온된다.
제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되면 데이터 신호가 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극으로 제공된다. 이 때, 노드(ND)가 초기화전압(Vint)으로 초기화되었기 때문에 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되면 데이터신호에 대응되는 전압이 노드(ND)로 제공된다. 이때, 커패시터(CP)는 데이터신호에 대응되는 전압을 저장한다.
i+1번째 스캔 라인(SLi+1)으로 제공되는 i+1번째 스캔신호(Si+1)가 로우레벨(S-LOW)을 가지면 제7 트랜지스터(T7) 가 턴-온된다.
제7 트랜지스터(M7)가 턴-온되면 초기화전압(Vint)이 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 제공되어 유기발광소자(OLED)의 기생 커패시터가 방전된다.
발광제어 라인(ECLi)으로 제공되는 발광제어신호(Ei)가 로우레벨(E-LOW)를 가지면 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온된다. 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되면 제1 전원(ELVDD)이 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 제공된다. 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온되면 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극이 전기적으로 접속된다. 그러면, 유기발광소자(OLED)는 제공받는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 광을 생성한다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX, 도 6 참조)의 일부분의 단면을 도시한 것이다. 도 8에서는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)를 예시적으로 도시하였으나, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 구조가 이에 제한되는 것은 아니다. 도 8에서는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극(ED2)이 화소(PX)의 애노드전극(AE)에 직접 컨택하는 것처럼 도시되어 있으나, 이는 단면상의 형상이어서 이와 같이 도시된 것이며, 실제로는 도 6에 도시된 것처럼 제1 트랜지스터(T1)는 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 화소(PX)의 애노드전극(AE)과 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되지 않으며, 본 발명의 다른 실시예에서 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극(ED2)은 화소(PX)의 애노드전극(AE)과 직접 컨택할 수 있다.
표시패널(DP, 도 5 참조)은 베이스 기판(BS), 버퍼층(BFL), 게이트 절연층들(GI1, GI2), 층간 절연층(ILD), 회로절연층(VIA), 및 화소정의막(PDL)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(BS)의 일면 상에 버퍼층(BFL)이 배치된다.
버퍼층(BFL)은 제조공정 중에 있어서 베이스 기판(BS)에 존재하는 불순물이 화소(PX)에 유입되는 것을 방지한다. 특히, 불순물이 화소(PX)를 구성하는 트랜지스터들(T1, T2)의 액티브부들(ACL)에 확산되는 것을 방지한다.
불순물은 외부에서 유입되거나, 베이스 기판(BS)이 열분해됨으로써 발생할 수 있다. 불순물은 베이스 기판(BS)으로부터 배출된 가스 또는 나트륨일 수 있다. 또한, 버퍼층(BFL)은 외부로부터 화소(PX)로 유입되는 수분을 차단한다.
버퍼층(BFL) 상에 트랜지스터들(T1, T2) 각각을 구성하는 액티브부들(ACL)이 배치된다. 액티브부들(ACL) 각각은 폴리 실리콘 또는 아몰포스 실리콘을 포함할 수 있다. 그밖에 액티브부들(ACL)은 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
액티브부들(ACL)은 전자 또는 정공이 이동할 수 있는 통로역할을 하는 채널영역, 채널영역을 사이에 두고 배치된 제1 이온도핑영역 및 제2 이온도핑영역을 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 액티브부들(ACL)을 커버하는 제1 게이트 절연층(GI1)이 배치된다. 제1 게이트 절연층(GI1)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 제1 게이트 절연층(GI1)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
제1 게이트 절연층(GI1) 상에 트랜지스터들(T1, T2) 각각을 구성하는 제어전극들(GE1)이 배치된다. 제1 트랜지스터(T1)의 제어전극(GE1)은 커패시터(CP)를 구성하는 두 개의 전극들 중 어느 하나일 수 있다. 제1 게이트 절연층(GI1) 상에 스캔 라인들(SL, 도 5 참조) 및 발광제어 라인들(ECL, 도 5 참조) 중 적어도 일부분이 배치될 수 있다.
제1 게이트 절연층(GI1) 상에 제어전극들(GE1)을 커버하는 제2 게이트 절연층(GI2)이 배치된다. 제2 게이트 절연층(GI2)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 제2 게이트 절연층(GI2)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
제2 게이트 절연층(GI2) 상에 커패시터(CP, 도 6 참조)를 구성하는 두 개의 전극들 중 다른 하나의 전극(GE2)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 게이트 절연층(GI1) 상에 배치된 전극(GE1)과 제2 게이트 절연층(GI2) 상에 배치된 전극(GE2)이 중첩하여 도 6에 도시된 커패시터(CP)를 형성할 수 있다. 단, 커패시터(CP)를 구성하는 전극들이 배치되는 구조가 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 게이트 절연층(GI2) 상에 전극(GE2)을 커버하는 층간 절연층(ILD)이 배치된다. 층간 절연층(ILD)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 층간 절연층(ILD)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상에 데이터 라인(DL, 도 5 참조) 및 전원 라인(PL, 도 5 참조)의 적어도 일부분이 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD) 상에 트랜지스터들(T1, T2) 각각의 제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)이 배치될 수 있다.
제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)은 각각 게이트 절연층들(GI1, GI2) 및 층간 절연층(ILD)을 관통하는 관통홀들을 통해 대응하는 액티브부들(ACL)과 연결될 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상에 제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)을 커버하는 회로절연층(VIA)이 배치된다. 회로절연층(VIA)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 회로절연층(VIA)은 평탄면을 제공할 수 있다.
회로절연층(VIA) 상에 화소정의막(PDL) 및 유기발광소자(OLED)가 배치된다. 도 8에서는 편의상 유기발광소자(OLED)의 애노드전극(AE)만을 도시하였다. 도시하지 않았으나, 유기발광소자(OLED)는 애노드전극(AE)외에 정공수송영역, 발광층, 전자수송영역, 및 캐소드를 더 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 표시패널(DP)은 유기발광소자(OLED)를 밀봉하는 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD-1)의 단면도이다. 도 10a 및 도 10b는 도 9에 도시된 표시모듈(DM-2, DM-3)의 단면도이다.
표시장치(DD-1)는 표시모듈(DM-2), 복수의 기능층들(FC2, FC3), 베이스 필름(BF), 쿠션층(CSH), 세트부재(ST), 및 복수의 접착부재들(AD2~AD6)을 포함할 수 있다.
도 9에 도시된 표시장치(DD-1)는 도 3에 도시된 표시장치(DD)와 비교하여 제1 접착부재(AD1) 및 제1 기능층(FC1)이 생략되었다. 따라서, 표시모듈(DM) 의 상부에는 2개의 접착부재들(AD2, AD3)만이 배치된다.
대신, 도 10a 및 도 10b에 도시된 것과 같이 표시모듈(DM-2, DM-3) 내에 편광 기능을 갖는 제1 기능층(FC1)이 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제2 두께(WD2) 및 제3 두께(WD3)의 합은 135㎛이상 200㎛이하 일 수 있다. 제2 두께(WD2) 및 제3 두께(WD3)의 합이 135㎛보다 작은 경우, Pen Drop 실험시 외부의 충격이 표시모듈(DM-2)에 인가되어, 표시모듈(DM-2)이 파손될 수 있다. 제2 두께(WD2) 및 제3 두께(WD3)의 합이 200㎛보다 큰 경우, 표시장치(DD-1)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC2, FC3)이 표시모듈(DM-2)로부터 박리될 수 있다. 또한, 제2 접착부재(AD2) 및 제3 접착부재(AD3) 중 두꺼운 접착부재와 얇은 접착부재 간의 두께 편차가 30% 이내이어야 한다. 상기 두께 편차가 30%보다 큰 경우에도 역시, 표시장치(DD-1)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC2, FC3)이 표시모듈(DM-2)로부터 박리될 수 있다.
구조 11 12 13 14 15
접착부재 수 2 개
WD3 75 ㎛ 50㎛ 50㎛ 50㎛ 60㎛
WD2 50㎛ 75㎛ 60㎛ 50㎛ 60㎛
WD1 - - - - -
총 두께 125㎛ 125㎛ 110㎛ 100㎛ 120㎛
Max/Min 1.5 1.5 1.2 1 1
Pen Drop 실험 Fail Fail Fail Fail Fail
박리 방지 여부 Fail Fail OK OK OK
표 3은 구조 11 내지 구조 15의 실험예에 대한 것이다. 표 3을 참조하면, 구조 11 내지 구조 15에서 제2 내지 제3 두께(WD2, WD3)의 합이 모두 125㎛ 이하 이므로, Pen Drop 실험시 외부의 충격이 표시모듈(DM-2)에 인가되어, 표시모듈(DM-2)이 파손됨을 알 수 있다.구조 11 및 구조 12에서, 제2 접착부재(AD2) 및 제3 접착부재(AD3) 중 두꺼운 접착부재와 얇은 접착부재 간의 두께 편차가 50%이므로, 표시장치(DD-1)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC2, FC3)이 표시모듈(DM-2)로부터 박리되는 것을 방지하지 못함을 알 수 있다. 반면, 구조 13 내지 구조 15에서, 제2 접착부재(AD2) 및 제3 접착부재(AD3) 중 두꺼운 접착부재와 얇은 접착부재 간의 두께 편차가 20%보다 작으므로, 표시장치(DD-1)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC2, FC3)이 표시모듈(DM-2)로부터 박리되는 것을 방지함을 알 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제2 접착부재(AD2) 및 제3 접착부재(AD3) 중 더 얇은 두께를 가지는 접착부재는 더 큰 두께를 가지는 접착부재보다 상부에 배치될 수 있다. 이 경우, 표시장치(DD)가 폴딩 또는 휘어졌을 때, 기능층들(FC2, FC3)이 표시모듈(DM)로부터 박리되는 것이 방지될 수 있다.
그 외의 다른 구성들에 대한 설명은 도 3, 도 4a, 및 도 4b에서 설명한 내용과 실질적으로 동일한바 생략한다.
실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
DD: 표시장치 DM: 표시모듈
DP: 표시패널 TS: 입력감지유닛
AD1~AD7: 접착부재 FC1~FC3: 기능층

Claims (17)

  1. 플렉서블 표시패널;
    상기 플렉서블 표시패널 상부에 배치되는 복수의 기능층들; 및
    각각이 상기 복수의 기능층들 사이 또는 상기 복수의 기능층들 중 어느 하나와 상기 플렉서블 표시패널 사이에 배치되는 복수의 접착부재들을 포함하고,
    상기 복수의 접착부재들의 두께들의 합은 135㎛ 이상 200㎛ 이하이고,
    상기 복수의 접착부재들 중 가장 큰 두께를 갖는 접착부재의 두께는 상기 복수의 접착부재들 중 가장 작은 두께를 갖는 접착부재의 두께의 1.3배 이하인 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 가장 작은 두께를 갖는 접착부재는 상기 가장 큰 두께를 갖는 접착부재보다 상부에 배치되는 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기능층들 각각은 고분자물질을 포함하며,
    상기 복수의 기능층들 각각의 모듈러스는 2Gpa 이상 100Gpa 이하인 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 기능층들은 인가되는 충격을 흡수하는 충격흡수 기능층을 포함하는 표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 기능층들은 입사되는 광을 편광시키는 편광 기능층을 더 포함하고,
    상기 편광 기능층은 상기 충격흡수 기능층과 상기 플렉서블 표시패널 사이에 배치되는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 기능층들은 상기 편광 기능층 상에 배치되는 윈도우 기능층을 더 포함하는 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 기능층들은 상기 윈도우 기능층 상에 배치되는 보호 기능층을 더 포함하는 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 플렉서블 표시패널 하부에 배치되고, 인가되는 충격을 흡수하는 쿠션층을 더 포함하는 표시장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 쿠션층 하부에 배치되고, 상기 플렉서블 표시패널을 지지하는 세트부재를 더 포함하는 표시장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기능층들 각각의 두께는 35㎛ 이상 60㎛ 이하인 표시장치.
  11. 플렉서블 표시패널;
    상기 플렉서블 표시패널 하부에 배치되고, 상기 플렉서블 표시패널을 지지하는 세트부재; 및
    상기 플렉서블 표시패널 상부에 배치되는 복수의 접착층들을 포함하고,
    상기 복수의 접착층들의 두께들의 합은 135㎛ 이상 200㎛ 이하이며,
    상기 복수의 접착층들 간의 두께 편차는 30퍼센트 이하인 표시장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 접착층들 중 제1 접착층에 의해 상기 플렉서블 표시패널과 접착되고, 고분자 물질을 포함하는 제1 기능층을 더 포함하는 표시장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 기능층은 충격흡수 기능층 또는 편광 기능층인 표시장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 접착층들 중 제2 접착층에 의해 상기 제1 기능층과 접착되고, 고분자 물질을 포함하는 제2 기능층을 더 포함하는 표시장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 기능층은 입사되는 광을 편광시키는 편광 기능층이고, 상기 제2 기능층은 인가되는 충격을 흡수하는 충격흡수 기능층인 표시장치.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 접착층들 중 가장 작은 두께를 갖는 접착층은 상기 복수의 접착층들 중 가장 큰 두께를 갖는 접착층보다 상부에 배치되는 표시장치.
  17. 제11 항에 있어서,
    각각이 고분자물질을 포함하고, 2Gpa 이상 100Gpa 이하의 모듈러스를 갖는 복수의 기능층들을 더 포함하는 표시장치.
KR1020180037440A 2018-03-30 2018-03-30 표시장치 KR102547124B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180037440A KR102547124B1 (ko) 2018-03-30 2018-03-30 표시장치
US16/359,681 US11404655B2 (en) 2018-03-30 2019-03-20 Display device
TW108111082A TWI825083B (zh) 2018-03-30 2019-03-28 顯示裝置
CN201910241068.1A CN110323253A (zh) 2018-03-30 2019-03-28 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180037440A KR102547124B1 (ko) 2018-03-30 2018-03-30 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190115157A true KR20190115157A (ko) 2019-10-11
KR102547124B1 KR102547124B1 (ko) 2023-06-26

Family

ID=68055586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180037440A KR102547124B1 (ko) 2018-03-30 2018-03-30 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11404655B2 (ko)
KR (1) KR102547124B1 (ko)
CN (1) CN110323253A (ko)
TW (1) TWI825083B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6556812B2 (ja) * 2017-11-28 2019-08-07 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 ハードコート付フィルムタイプタッチセンサとこれを用いたフレキシブルディバイス
KR102714975B1 (ko) * 2018-10-15 2024-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102711545B1 (ko) * 2019-07-22 2024-10-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN112582575A (zh) 2020-12-25 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示模组及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150084260A (ko) * 2014-01-13 2015-07-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20170113822A (ko) * 2016-03-25 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20180002114A (ko) * 2016-06-28 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060066803A1 (en) 2004-09-30 2006-03-30 Aylward Peter T Substrate free flexible liquid crystal displays
TWI450387B (zh) 2006-09-29 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
JP5369979B2 (ja) 2009-08-05 2013-12-18 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出装置
US8194399B2 (en) 2010-07-16 2012-06-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Altering the flexibility of a display device
KR101273985B1 (ko) * 2010-08-05 2013-06-12 오지 홀딩스 가부시키가이샤 양면 점착 시트, 박리 시트를 구비하는 양면 점착 시트, 그의 제조 방법 및 투명 적층체
KR20130015230A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130142405A (ko) 2012-06-19 2013-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101990537B1 (ko) 2012-07-27 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 보호용 윈도우 구조물, 이를 포함하는 디스플레이 패널 어셈블리, 디스플레이 패널 보호용 윈도우 구조물의 제조 방법 및 이를 이용한 디스플레이 패널 어셈블리의 제조 방법
KR101994889B1 (ko) 2012-09-14 2019-07-01 삼성전자 주식회사 휴대단말용 보호 장치
US9127188B2 (en) 2012-12-27 2015-09-08 Cheil Industries, Inc. Adhesive film and optical display including the same
US9348362B2 (en) 2013-02-08 2016-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible portable terminal
KR102127791B1 (ko) 2013-07-31 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20150084257A (ko) * 2014-01-13 2015-07-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN104779265B (zh) 2014-01-14 2020-07-07 松下电器产业株式会社 发光装置
KR102347532B1 (ko) 2014-01-23 2022-01-05 삼성디스플레이 주식회사 접을 수 있는 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI764064B (zh) 2014-03-13 2022-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 撓性裝置
KR102243206B1 (ko) 2014-03-18 2021-04-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102292101B1 (ko) 2014-03-18 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법
US9340415B2 (en) 2014-03-18 2016-05-17 Texas Instruments Incorporated MEMS device with non-planar features
KR102342846B1 (ko) 2014-04-28 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102268328B1 (ko) * 2014-10-21 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 광투과 점착 필름 및 이를 포함하는 표시 장치
US9535522B2 (en) 2014-12-22 2017-01-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display device
KR102400457B1 (ko) * 2015-03-16 2022-05-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 플렉서블 표시장치용 윈도우 부재의 제조방법
JP6715432B2 (ja) * 2015-07-22 2020-07-01 住友化学株式会社 フレキシブルデバイスの前面板
WO2017038913A1 (ja) 2015-09-01 2017-03-09 リンテック株式会社 粘着シート及び半導体装置の製造方法
WO2017066364A1 (en) * 2015-10-13 2017-04-20 Corning Incorporated Bendable electronic device modules, articles and methods of making the same
KR101579710B1 (ko) 2015-11-12 2015-12-22 동우 화인켐 주식회사 광학적층체 및 이를 포함하는 화상표시장치
DE102016121942B4 (de) * 2015-11-30 2024-07-25 Lg Display Co., Ltd. Faltbare Anzeigevorrichtung
KR20170064453A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
KR102417115B1 (ko) 2015-12-04 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR102494986B1 (ko) 2016-01-11 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
US10476037B2 (en) * 2016-04-22 2019-11-12 Samsung Sdi Co., Ltd. Flexible display apparatus
KR102020891B1 (ko) 2016-04-25 2019-09-11 삼성전자 주식회사 점착필름, 이를 포함하는 광학부재 및 이를 포함하는 광학표시장치
JP7418943B2 (ja) 2016-04-29 2024-01-22 三星ディスプレイ株式會社 表示装置
KR102426512B1 (ko) 2016-06-09 2022-07-28 삼성디스플레이 주식회사 접이식 표시 장치
KR101974377B1 (ko) 2016-07-29 2019-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP7042020B2 (ja) 2016-08-15 2022-03-25 日東電工株式会社 フレキシブル画像表示装置用積層体、及び、フレキシブル画像表示装置
KR102539196B1 (ko) * 2016-08-18 2023-06-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
US10147772B2 (en) 2016-08-23 2018-12-04 3M Innovative Properties Company Foldable OLED device with compatible flexural stiffness of layers
KR102600289B1 (ko) 2016-09-21 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102578589B1 (ko) 2016-09-30 2023-09-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN110249376B (zh) 2017-01-06 2021-08-24 大日本印刷株式会社 光学膜和图像显示装置
JP6937829B2 (ja) 2017-06-26 2021-09-22 富士フイルム株式会社 複合部材およびデバイス
JP2019012099A (ja) 2017-06-29 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US10270047B2 (en) 2017-08-01 2019-04-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible organic light-emitting diode display panel
KR102436547B1 (ko) * 2017-09-29 2022-08-29 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102370422B1 (ko) * 2018-03-05 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN108874224A (zh) 2018-06-27 2018-11-23 武汉天马微电子有限公司 一种柔性触控显示面板及其折叠角度检测方法和系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150084260A (ko) * 2014-01-13 2015-07-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20170113822A (ko) * 2016-03-25 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20180002114A (ko) * 2016-06-28 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN110323253A (zh) 2019-10-11
US20190305236A1 (en) 2019-10-03
TW201942725A (zh) 2019-11-01
KR102547124B1 (ko) 2023-06-26
US11404655B2 (en) 2022-08-02
TWI825083B (zh) 2023-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111047982B (zh) 显示装置
KR102666870B1 (ko) 표시장치
KR102645189B1 (ko) 표시장치
KR102547124B1 (ko) 표시장치
KR102488401B1 (ko) 표시장치
KR102502183B1 (ko) 표시모듈
KR102533161B1 (ko) 표시장치
JP2024128137A (ja) 表示装置
KR102568726B1 (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant