KR20190112422A - Light emitting device package and light module - Google Patents

Light emitting device package and light module Download PDF

Info

Publication number
KR20190112422A
KR20190112422A KR1020180034394A KR20180034394A KR20190112422A KR 20190112422 A KR20190112422 A KR 20190112422A KR 1020180034394 A KR1020180034394 A KR 1020180034394A KR 20180034394 A KR20180034394 A KR 20180034394A KR 20190112422 A KR20190112422 A KR 20190112422A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protrusion
frame
light emitting
emitting device
disposed
Prior art date
Application number
KR1020180034394A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
양주영
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020180034394A priority Critical patent/KR20190112422A/en
Publication of KR20190112422A publication Critical patent/KR20190112422A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a light emitting element package which can increase heat dissipation characteristics comprises: a first frame including a first bonding unit; a second frame including a second bonding unit and arranged to be spaced apart from the first frame; a body arranged between the first frame and the second frame; and a light emitting element arranged on the first bonding unit. The light emitting element is electrically connected with the first and second bonding units. The body includes a first side surface which is extended in a second direction and has a length of the second direction and a third side surface which is extended in a first direction at one end of the first side surface and has a length of the first direction. Each of the first and second frames includes at least one protrusion unit which protrudes from each of the first and third side surfaces. Moreover, according to an embodiment of the present invention, a light source module comprises: a circuit substrate; and a light emitting element package arranged on the circuit substrate.

Description

발광소자 패키지 및 광원 모듈{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT MODULE}Light emitting device package and light source module {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT MODULE}

실시예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and a light source module including the same.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy to adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 황색, 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using Group 3-Group 5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed using thin film growth technology and device materials. There is an advantage that can implement light of various wavelength bands such as green, blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a group 3 to 5 or 2 to 6 group compound semiconductor material may implement a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is also fabricated using a Group 3-5 Group 2 or Group 6 compound semiconductor material, development of device materials absorbs light in various wavelength ranges to generate a photocurrent. As a result, light in various wavelengths can be used from gamma rays to radio wavelengths. In addition, such a light receiving device has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of the device material, so that it can be easily used in power control or microwave circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb, which replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device may be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electrical energy is converted into light energy using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table. Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 노란색(Yellow) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, ultraviolet (UV) light emitting devices, blue light emitting devices, green light emitting devices, yellow light emitting devices, and red light emitting devices using nitride semiconductors are commercially used and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, a light emitting diode which emits light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, and is used in the wavelength band, for short wavelengths, for sterilization and purification, and for long wavelengths, an exposure machine or a curing machine. Can be used.

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be classified into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm) in order of long wavelength. The UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, forgery discrimination, photocatalyst sterilization, special lighting (aquarium / agriculture, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm). ) Area is used for medical purposes, UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products.

또한, 가시광선 발광소자 역시 다양한 분야에 사용되고 있으며, 특히 노란색 광을 방출하는 발광소자의 경우 자동차의 측면 리피터(Side repeater) 및 리어 콤비네이션 램프(Rear combination lamp, RCL)의 방향 지시등으로 사용되고 있다. 그러나, 상기 노란색 광을 방출하는 발광소자의 경우 다른 색상의 광을 방출하는 발광소자에 비해 많은 양의 열을 방출하여 방열 문제가 있으며, 상기 열에 의해 상기 발광소자가 패키지 내부에서 탈락하는 문제가 있다.In addition, the visible light emitting device is also used in various fields, in particular, the light emitting device that emits yellow light is used as a direction indicator of the side repeater (Rear combination lamp) and rear combination lamp (RCL) of the vehicle. However, the light emitting device that emits yellow light has a heat dissipation problem by emitting a larger amount of heat than a light emitting device that emits light of a different color, and the light emitting device is eliminated from the package by the heat. .

또한, 적용되는 제품 또는 요구되는 제품에 따라 발광소자 패키지의 크기가 상이하며, 상기 발광소자 패키지가 배치되는 회로 기판 설계 역시 상이할 수 있다. 즉, 적용 대상에 따라 발광소자 패키지 또는 회로 기판의 설계를 변경해야 하기 때문에 제조 비용이 증가하며 공정 효율이 저하되는 문제점이 있다. In addition, the size of the light emitting device package is different according to the applied product or the required product, and the circuit board design on which the light emitting device package is disposed may also be different. That is, since the design of the light emitting device package or the circuit board needs to be changed according to the application target, there is a problem in that manufacturing cost increases and process efficiency decreases.

따라서, 상술한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지가 요구된다.Therefore, there is a need for a new light emitting device package and a semiconductor device package that can solve the above problems.

실시예는 제 1 프레임 및 제 2 프레임을 포함하고, 상기 제 1 프레임의 크기를 최적화하고 상기 제 1 프레임을 몸체의 관통홀을 통해 노출시켜 방열 특성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 또는 광원 모듈을 제공하고자 한다.The embodiment includes a light emitting device package or a light source module including a first frame and a second frame and optimizing the size of the first frame and exposing the first frame through a through hole of the body to improve heat dissipation characteristics. To provide.

또한, 실시예는 발광소자가 발광소자 패키지 내에서 탈락하는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 또는 광원 모듈을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package or a light source module that can prevent the light emitting device from falling in the light emitting device package.

또한, 실시예는 몸체로부터 돌출되는 복수 개의 돌출부를 이용하여 설계 변경 없이 다양한 회로 기판과 연결할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device package and a light source module that can be connected to a variety of circuit boards without changing the design by using a plurality of protrusions protruding from the body.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 본딩부를 포함하는 제 1 프레임, 제 2 본딩부를 포함하며 상기 제 1 프레임과 이격되어 배치되는 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체 및 상기 제 1 본딩부 상에 배치되는 발광소자를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제 1 및 제 2 본딩부와 전기적으로 연결되며, 상기 몸체는, 제 2 방향으로 연장하며 제 2 방향의 길이를 가지는 제 1 측면 및 상기 제 1 측면의 일끝단에서 제 1 방향으로 연장하며 제 1 방향의 길이를 가지는 제 3 측면을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 프레임 각각은, 상기 제 1 및 제 3 측면에 각각 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a first frame including a first bonding portion, a second frame including a second bonding portion and spaced apart from the first frame, and disposed between the first frame and the second frame. And a light emitting device disposed on the body and the first bonding portion, wherein the light emitting element is electrically connected to the first and second bonding portions, and the body extends in a second direction and has a length in a second direction. And a third side surface extending in a first direction at one end of the first side surface and having a length in a first direction, wherein the first and second frames each include the first and third sides. It includes at least one protrusion projecting on each side.

또한, 실시예에 따른 광원 모듈은 회로 기판 및 상기 회로 기판 상에 배치되는 상기 발광소자 패키지를 포함한다.In addition, the light source module according to the embodiment includes a circuit board and the light emitting device package disposed on the circuit board.

실시예는 제 1 프레임 및 제 2 프레임을 포함할 수 있고, 발광소자가 배치되는 제 1 프레임의 일부는 몸체의 관통홀을 통해 상기 몸체의 외부로 노출될 수 있다. 또한, 상기 발광소자가 배치되는 상기 제 1 프레임의 크기는 상기 제 2 프레임의 크기보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있어 방열 특성을 향상시킬 수 있다.The embodiment may include a first frame and a second frame, and a part of the first frame in which the light emitting device is disposed may be exposed to the outside of the body through the through hole of the body. In addition, the size of the first frame in which the light emitting device is disposed may be larger than the size of the second frame. Accordingly, the light emitting device package can effectively discharge the heat emitted from the light emitting device can improve the heat dissipation characteristics.

또한, 실시예는 상술한 바와 같이 상기 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있어, 상기 발광소자가 패키지 내부에서 탈락하는 현상을 방지할 수 있다. 상기 발광소자가 상기 제 1 프레임으로부터 탈락하는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 전체적인 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment can effectively discharge the heat emitted from the light emitting device as described above, it is possible to prevent the light emitting device from falling off inside the package. It is possible to prevent the light emitting device from falling off from the first frame. Accordingly, the overall reliability of the light emitting device package can be improved.

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 내지 제 4 측면을 포함하는 몸체를 포함하고, 상기 제 1 측면 및 상기 제 2 측면의 제 1 방향의 길이는 상기 제 3 측면 및 상기 제 4 측면의 길이보다 길 수 있다. 이때, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임은 각각의 프레임으로부터 돌출되는 돌출부를 포함할 수 있으며, 상기 돌출부에 의해 패키지의 설계 변경 및 회로 기판의 설계 변경 없이 다양한 회로 기판과 연결할 수 있다. 이에 따라 제조 비용을 감소시킬 수 있고 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a body including the first to the fourth side, the length of the first side of the first side and the second side of the third side and the fourth side It may be longer than the length. In this case, the first frame and the second frame may include protrusions protruding from the respective frames, and the protrusions may be connected to various circuit boards without changing the design of the package and the design of the circuit board. As a result, manufacturing costs can be reduced and process efficiency can be improved.

또한, 상기 제 1 프레임은 상기 몸체가 배치되는 제 1 홀을 포함할 수 있고, 상기 제 2 프레임은 상기 몸체가 배치되는 제 2 홀을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀은 상기 몸체 상에 배치되는 상부 몸체와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 위치할 수 있다. 이에 따라 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀은 외부에서 시인되지 않아 상기 발광소자 패키지는 향상된 외관을 가질 수 있다.The first frame may include a first hole in which the body is disposed, and the second frame may include a second hole in which the body is disposed. In this case, the first hole and the second hole may be located at a position overlapping in the vertical direction with the upper body disposed on the body. Accordingly, the reliability of the light emitting device package can be improved, and the first hole and the second hole are not visible from the outside, so that the light emitting device package can have an improved appearance.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 실시예에 따른 프레임의 평면도이다.
도 5는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이다.
도 6은 도 2의 발광소자 패키지의 B-B' 단면도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 기판 상에 배치된 예를 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 기판 상에 배치된 다른 예를 도시한 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다.
1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a rear view of the light emitting device package according to the embodiment.
4 is a plan view of a frame according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the light emitting device package of FIG. 2.
6 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of the light emitting device package of FIG. 2.
7 is a diagram illustrating an example in which a light emitting device package is disposed on a substrate.
8 illustrates another example in which a light emitting device package according to an exemplary embodiment is disposed on a substrate.
9 is a side cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment.

발명의 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 발명의 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of an embodiment of the invention, each layer (film), region, pattern or structures may be “on / over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. "On / over" and "under" are defined as being "directly" or "indirectly" through another layer. It includes everything. In addition, the reference to the top / top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but embodiments are not limited thereto.

발명의 실시예에 따른 반도체 소자 패키지는 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 발명에서 소자 패키지는 반도체 소자나 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.A semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present invention, the device package may include a semiconductor device or a light emitting device that emits light of ultraviolet rays, infrared rays, or visible light. Hereinafter, a description will be given based on a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device. The light emitting device may include a non-light emitting device such as a zener diode or a sensing device that monitors a wavelength or heat. Can be. Hereinafter, a description will be given based on a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device, and the light emitting device package will be described in detail.

발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 앞서, 제 1 방향은 도면에 도시된 x축 방향일 수 있고, 제 2 방향은 도면에 도시된 y축 방향으로 상기 x축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 또한, 제 3 방향은 도면에 도시된 z축 방향으로, 상기 x축 및 y축과 직교하는 방향일 수 있다.Before describing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the first direction may be the x-axis direction shown in the drawings, and the second direction may be the direction orthogonal to the x-axis direction in the y-axis direction shown in the drawings. Can be. In addition, the third direction may be a direction perpendicular to the x-axis and the y-axis in the z-axis direction shown in the drawing.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이고 도 4는 실시예에 따른 프레임의 평면도이다. 또한, 도 5는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이고, 도 6은 도 2의 발광소자 패키지의 B-B' 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to the embodiment, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package according to the embodiment, FIG. 3 is a rear view of the light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 4 is a frame according to the embodiment. Top view of the. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of the light emitting device package of FIG. 2.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 패키지 몸체(100) 및 발광소자(500)를 포함할 수 있다.1 to 6, the light emitting device package 1000 according to the embodiment may include a package body 100 and a light emitting device 500.

상기 발광소자 패키지(1000)는 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 제 1 방향의 길이가 상기 제 2 방향의 길이보다 클 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 방향의 길이는 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향의 길이보다 길거나 같을 수 있다. 여기서, 상기 제 1 방향은 상기 발광소자(500)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 방향은 상기 발광소자(500)의 장변 방향일 수 있고, 상기 제 2 방향은 상기 발광소자(500)의 단변 방향일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 방향은 도면에서 x축 방향일 수 있고, 상기 제 2 방향은 도면에서 y축 방향일 수 있다. 또한, 수직 방향은 도면에서 z축 방향일 수 있다.The light emitting device package 1000 may extend in a first direction and in a second direction perpendicular to the first direction. The light emitting device package 1000 may have a length in the first direction greater than a length in the second direction. The length of the first direction of the light emitting device package 1000 may be longer than or equal to the length of the first direction of the package body 100. Here, the first direction may be a direction of a longer side of the sides of the light emitting device 500. For example, the first direction may be a long side direction of the light emitting device 500, and the second direction may be a short side direction of the light emitting device 500. In detail, the first direction may be an x-axis direction in the drawing, and the second direction may be a y-axis direction in the drawing. In addition, the vertical direction may be a z-axis direction in the drawing.

상기 패키지 몸체(100)는 복수 개의 프레임을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 프레임은 적어도 2개의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 복수 개의 프레임은 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)을 포함할 수 있다.The package body 100 may include a plurality of frames. In detail, the frame may include at least two frames. For example, the plurality of frames may include a first frame 200 and a second frame 300.

상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있다.The first frame 200 and the second frame 300 may be spaced apart from each other. The first frame and the second frame may have different polarities. For example, the first frame 200 may be connected to the P-type electrode of the light emitting device 500, and the second frame 300 may be connected to the N-type electrode of the light emitting device 500. Alternatively, the first frame 200 may be connected to the N-type electrode of the light emitting device 500, and the second frame 300 may be connected to the P-type electrode of the light emitting device 500.

상기 패키지 몸체(100)는 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(100)는 관통홀(TH)을 포함하는 몸체(110)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 상기 복수 개의 프레임들 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 복수 개의 프레임과 결합할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)을 감싸며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)을 부분적으로 감싸며 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(110)는 절연 부재로 지칭될 수 있다.The package body 100 may include a body 110. The package body 100 may include a body 110 including a through hole TH. In addition, the body 110 may be disposed between the plurality of frames. The body 110 may be combined with the plurality of frames. For example, the body 110 may be disposed to surround the first frame 200 and the second frame 300. In detail, the body 110 may be disposed to partially surround the first frame 200 and the second frame 300. The body 110 may function as an electrode separation line between the first frame 200 and the second frame. The body 110 may be referred to as an insulating member.

상기 관통홀(TH)은 상기 몸체(110)의 상면 및 하면을 관통하는 홀일 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 폭은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 갈수록 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 상부 폭은 상기 관통홀(TH)의 하부 폭보다 넓을 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상부에서 하부로 갈수록 점차 좁은 폭을 가질 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 후술할 상기 관통홀 내부에 배치되는 프레임과 대응되는 형태를 가질 수 있다. The through hole TH may be a hole penetrating the upper and lower surfaces of the body 110. The width of the through hole TH may change from the upper surface of the body 110 toward the lower surface thereof. For example, an upper width of the through hole TH may be wider than a lower width of the through hole TH. The through hole TH may have a gradually narrower width from top to bottom. The through hole TH may have a shape corresponding to a frame disposed in the through hole to be described later.

상기 패키지 몸체(100)는 상기 제 1 프레임(200) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(100)는 상기 제 2 프레임(300) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(100)는 상기 몸체(110) 상에 배치되는 상부 몸체(110)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 상부 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 상부 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임 상에 배치되는 경사면을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 상에는 캐비티(122)가 제공될 수 있다. 상기 캐비티(122)의 높이(h1)는 약 550㎛ 내지 약 650㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 캐비티(122)의 높이(h1)는 약 580㎛ 내지 약 620㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 캐비티(122)의 높이(h1)는 약 590㎛ 내지 약 610㎛일 수 있다. 상기 몸체(110) 및 상기 상부 몸체(110)는 동일한 물질을 포함하거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몸체(110) 및 상기 상부 몸체(110)는 일체형으로 형성되거나 별도로 형성될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 상기 패키지 몸체(100)에 캐비티(122)가 형성된 구조로 제공될 수 있고, 상기 캐비티(122) 없이 상기 패키지 몸체(100)의 상면이 평탄한 구조, 예켠대 상기 상부 몸체(110)가 생략되어 상기 몸체(110)의 상면이 평탄한 구조로 제공될 수 있다.The package body 100 may be disposed on the first frame 200. In addition, the package body 100 may be disposed on the second frame 300. For example, the package body 100 may further include an upper body 110 disposed on the body 110. That is, the upper body 110 may be disposed on the first frame 200 and the second frame 300. The upper body 110 may provide an inclined surface disposed on the first frame 200 and the second frame. Accordingly, the cavity 122 may be provided on the first frame 200 and the second frame 300. The height h1 of the cavity 122 may be about 550 μm to about 650 μm. In detail, the height h1 of the cavity 122 may be about 580 μm to about 620 μm. Preferably, the height h1 of the cavity 122 may be about 590 μm to about 610 μm. The body 110 and the upper body 110 may include the same material or different materials. In addition, the body 110 and the upper body 110 may be integrally formed or separately formed. The light emitting device package 1000 according to the embodiment may be provided in a structure in which a cavity 122 is formed in the package body 100, and a structure in which the upper surface of the package body 100 is flat without the cavity 122, eg On the upper body 110 is omitted, the upper surface of the body 110 may be provided in a flat structure.

상기 몸체(110)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 상기 제 1 프레임(200), 상기 제 2 프레임(300) 및 이에 접촉되는 물질들이 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체(110)가 완충 작용을 할 수 있다. 이때 상기 몸체(110)가 상기 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 상기 제 1 방향이 상기 제 2 방향보다 클 수 있다. 실시예에 따른 몸체(110)는 바람직하게 PCT 또는 PPA 재질을 포함할 수 있으며, 상기 PCT 또는 상기 PPA 재질은 융점이 높고 열 가소성 수지이다. The body 110 may be made of a resin material or an insulating resin material. The body 110 is polyphthalamide (PPA), polychloro triphenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T (PA9T), silicone, epoxy, epoxy molding compound (EMC: epoxy molding compound), silicone It may be formed of at least one selected from the group consisting of molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ) and the like. The body 110 may be formed of a resin material, and may include a filler of a high refractive material such as TiO 2 and SiO 2 therein. The body 110 may be formed of a thermoplastic resin, and the thermoplastic resin is a material that hardens when heated and is hardened again when cooled, so that the first frame 200 and the second frame 300 contact with the thermoplastic resin. When the materials to be expanded or contracted by heat, the body 110 may act as a buffer. In this case, when the body 110 has the buffering function, it is possible to prevent the conductive parts such as solder paste, Ag paste, and SAC (Sn-Ag-Cu) paste from being damaged. In the package, a coefficient of thermal expansion (CTE) according to thermal expansion and contraction may be greater in the first direction than in the second direction. Body 110 according to the embodiment may preferably comprise a PCT or PPA material, the PCT or PPA material is a high melting point and a thermoplastic resin.

상기 상부 몸체(110)는 상기 캐비티(122)의 둘레에 경사진 측면(IS1, IS2)을 제공할 수 있다. 상기 경사진 측면(IS1, IS2)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 경사진 측면(IS1, IS2)을 포함할 수 있고, 상기 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)은 상기 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)은 상기 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)과 서로 다른 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)의 경사각은 상기 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)의 경사각보다 작을 수 있다.The upper body 110 may provide inclined side surfaces IS1 and IS2 around the cavity 122. The inclined side surfaces IS1 and IS2 may include side surfaces IS1 and IS2 inclined in a first direction and a second direction, and the side surface IS1 inclined in the first direction is inclined in the second direction. It may have an inclination angle corresponding to the photograph side surface IS2. Alternatively, the side surface IS1 inclined in the first direction may have a different inclination angle from the side surface IS2 inclined in the second direction. For example, the inclination angle of the side surface IS1 inclined in the first direction may be smaller than the inclination angle of the side surface IS2 inclined in the second direction.

상기 몸체(110)는 복수 개의 측면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(110)는 상기 제 1 방향으로 서로 마주하며 대향되게 배치된 제 1 측면(S1) 및 제 2 측면(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 제 2 방향으로 연장하며 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 제 2 방향으로 서로 마주하며 대향되게 배치된 제 3 측면(S3) 및 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 제 1 방향으로 연장하며 제 1 방향의 길이를 가질 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각은, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)을 연결하는 측면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 측면(S3)은 상기 제 1 측면(S1)의 일끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 일끝단과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1)의 타끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 타끝단과 연결될 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)에 비해 길이가 길 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 및 제 4 측면(S3, S4)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 및 제 2 측면(S1, S2)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)의 양 단부에서 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제 1 내지 상기 제 4 측면(S1, S2, S3, S4)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다.The body 110 may include a plurality of side surfaces. In detail, the body 110 may include a first side surface S1 and a second side surface S2 that face each other and face each other in the first direction. The first side surface S1 and the second side surface S2 may extend in a second direction and have a length in a second direction. In addition, the body 110 may include a third side surface S3 and a fourth side surface S4 disposed to face each other in a second direction. The third side surface S3 and the fourth side surface S4 may extend in a first direction and have a length in a first direction. Each of the third side surface S3 and the fourth side surface S4 may be a side surface connecting the first side surface S1 and the second side surface S2. For example, the third side surface S3 may extend from one end of the first side surface S1 in a first direction and be connected to one end of the second side surface S2. In addition, the fourth side surface S4 may extend in the first direction from the other end of the first side surface S1 and be connected to the other end of the second side surface S2. The first side surface S1 and the second side surface S2 may be surfaces perpendicular to or inclined with respect to the bottom surface of the body 110. The third side surface S3 and the fourth side surface S4 may be surfaces perpendicular to or inclined with respect to the bottom surface of the body 110. The third side surface S3 and the fourth side surface S4 may be longer than the first side surface S1 and the second side surface S2. For example, the length of the third and fourth side surfaces S3 and S4 in the first direction may be longer than the length of the first and second side surfaces S1 and S2 in the second direction. The first side surface S1 and the second side surface S2 may be disposed in directions perpendicular to both ends of the third side surface S3 and the fourth side surface S4. The first to fourth side surfaces S1, S2, S3, and S4 may be vertically or inclined with respect to the bottom surface of the body 110.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 몸체(110)에서 상기 프레임들 사이의 영역, 예컨대 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임 사이의 영역의 상부 및 하부 중 적어도 한 영역에 오목한 리세스(Recess)가 더 배치될 수 있다. 상기 리세스는 상기 프레임들 및 그 주변 물질들이 열 팽창 또는 수축할 때 완충시켜 줄 수 있다.Although not shown in the drawings, a recess is recessed in at least one of the upper and lower regions of the frame 110, for example, the region between the first frame 200 and the second frame in the body 110. May be further arranged. The recess may cushion the frames and the surrounding materials as they expand or contract.

상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 도전성 프레임은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 두께는 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려하여 형성될 수 있으며, 약 100㎛ 내지 약 300㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 두께는 서로 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 상술한 두께 범위 내에서 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.The first frame 200 and the second frame 300 may be provided as a conductive frame. The conductive frame may be made of metal such as copper (Cu), titanium (Ti), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver ( Ag), and may be formed in a single layer or multiple layers. The thickness of the first frame 200 and the second frame 300 may be formed in consideration of heat dissipation characteristics and electrical conduction characteristics, it may be formed in the range of about 100㎛ to about 300㎛. The thicknesses of the first frame 200 and the second frame 300 may correspond to each other. For example, the first frame 200 and the second frame 300 may have the same thickness within the above-described thickness range.

상기 제 1 프레임(200)과 상기 제 2 프레임(300)은 금속 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)과 상기 제 2 프레임(300)은 상기 패키지 몸체(100)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(500)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 200 and the second frame 300 may be provided as a metal frame. The first frame 200 and the second frame 300 may stably provide structural strength of the package body 100, and may be electrically connected to the light emitting device 500.

상기 제 1 프레임(200)은 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있고, 상기 제 1 프레임(200)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 프레임(200)의 제 2 방향의 길이와 같거나 길 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)은 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 프레임(300)의 제 2 방향의 길이와 같거나 길 수 있다. The first frame 200 may have a length in a first direction and a length in a second direction, and the length in the first direction of the first frame 200 may be in the second direction of the first frame 200. It can be equal to or longer than the length. In addition, the second frame 300 may have a length in a first direction and a length in a second direction, and the length in the first direction of the second frame 300 may be the second of the second frame 300. It may be equal to or longer than the length of the direction.

상기 제 1 프레임(200)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 프레임(300)의 제 1 방향의 길이보다 길 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 2 프레임(300)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 즉, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)의 크기는 상기 제 2 프레임(300)의 크기보다 클 수 있다. 자세하게, 평면에서 보았을 때 상기 제 1 프레임(200)의 평면적은 상기 제 2 프레임(300)의 평면적보다 클 수 있다.The length in the first direction of the first frame 200 may be longer than the length in the first direction of the second frame 300. The length in the second direction of the first frame 200 may be longer than the length in the second direction of the second frame 300. That is, the first frame 200 and the second frame 300 may have different sizes. For example, the size of the first frame 200 may be larger than the size of the second frame 300. In detail, the planar area of the first frame 200 may be larger than the planar area of the second frame 300 when viewed in a plan view.

상기 제 1 프레임(200)은 상기 패키지 몸체(100)의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(200)은 제 1 본딩부(205)를 포함할 수 있고, 상기 제 1 본딩부(205)는 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 중 적어도 하나의 측면 방향으로 연장될 수 있다.The first frame 200 may extend in the lateral direction of the package body 100. In detail, the first frame 200 may include a first bonding unit 205, and the first bonding unit 205 may include the first side surface S1, the second side surface S2, and the first side surface. It may extend in at least one side direction of the third side (S3) and the fourth side (S4).

상기 제 2 프레임(300)은 상기 패키지 몸체(100)의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 프레임(300)은 제 2 본딩부(305)를 포함할 수 있고, 상기 제 2 본딩부(305)는 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 중 적어도 하나의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 본딩부(305)는 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장될 수 있다.The second frame 300 may extend in the lateral direction of the package body 100. In detail, the second frame 300 may include a second bonding portion 305, and the second bonding portion 305 may include the first side surface S1, the second side surface S2, and the second side surface. It may extend in at least one side direction of the third side (S3) and the fourth side (S4). In more detail, the second bonding part 305 may extend in the directions of the first side surface S1 and the third side surface S3.

상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305)는 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305) 사이의 간격(d0)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305) 사이의 간격(d0)은 약 90㎛ 내지 약 110㎛일 수 있다. 바람직하게 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305) 사이의 간격(d0)은 약 95㎛ 내지 약 105㎛일 수 있다. 상기 간격이 약 80㎛ 미만인 경우, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 사이의 간격이 좁아 전극 분리선의 기능을 수행할 수 없다. 또한, 상기 간격(d0)이 약 120㎛를 초과하는 경우, 발광소자(500)의 전기적 연결을 위한 와이어 본딩 공정 시 사용되는 와이어의 양이 증가할 수 있으며 전체적인 발광소자 패키지의 부피가 증가할 수 있다.The first bonding part 205 and the second bonding part 305 may be spaced apart from each other. For example, the distance d0 between the first bonding portion 205 and the second bonding portion 305 may be about 80 μm to about 120 μm. In detail, the distance d0 between the first bonding portion 205 and the second bonding portion 305 may be about 90 μm to about 110 μm. Preferably, the distance d0 between the first bonding portion 205 and the second bonding portion 305 may be about 95 μm to about 105 μm. When the gap is less than about 80 μm, the gap between the first frame 200 and the second frame 300 is narrow, and thus may not function as an electrode separation line. In addition, when the interval d0 exceeds about 120 μm, the amount of wire used in the wire bonding process for the electrical connection of the light emitting device 500 may increase, and the volume of the entire light emitting device package may increase. have.

상기 제 1 프레임(200)은 제 1 연장부를 더 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)로부터 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장되는 제 1 연장부를 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 연장부는 상기 제 2 본딩부(305)와 인접할 수 있다.The first frame 200 may further include a first extension part. In detail, the first frame 200 may further include a first extension part extending from the first bonding part 205 toward the first side surface S1. The first extension part may be adjacent to the second bonding part 305.

상기 제 1 본딩부(205)의 제 2 방향 길이는 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 측면(S2)과 인접한 상기 제 1 본딩부(205)의 제 2 방향 길이는, 상기 제 1 측면(S1)과 인접한 상기 제 1 본딩부(205)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다.The length in the second direction of the first bonding part 205 may vary. For example, a second direction length of the first bonding portion 205 adjacent to the second side surface S2 may correspond to a second direction of the first bonding portion 205 adjacent to the first side surface S1. It can be longer than the length.

또한, 상기 제 2 본딩부(305)의 제 1 방향의 길이는 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 본딩부(305)의 제 1 방향 길이는, 상기 제 3 측면(S3)에서 상기 제 4 측면 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. In addition, the length of the second bonding part 305 in the first direction may vary. For example, the length of the first direction of the second bonding part 305 may decrease from the third side surface S3 toward the fourth side direction.

상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 중 적어도 하나의 프레임은 제 1 리세스(R1)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)의 크기가 상기 제 2 프레임(300)보다 클 경우, 상기 제 1 프레임(200)은 제 1 리세스(R1)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)과 수직 방향으로 대응되는 위치에 위치할 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)는 상기 관통홀(TH)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 여기서 상기 수직 방향은 도면에서 z축 방향을 의미할 수 있다. 즉, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 내부에 삽입되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205)의 일부는 상기 관통홀(TH) 내부에 삽입되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200) 중 상기 제 1 리세스(R1)가 형성된 영역은 상기 관통홀(TH) 내부에 삽입되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)의 바닥면 중 상기 제 1 리세스(R1)가 형성된 영역은 상기 관통홀(TH)의 내측면과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라 상기 관통홀(TH)은 외부에서 시인되지 않을 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 리세스(R1) 상에 배치될 수 있다.At least one frame of the first frame 200 and the second frame 300 may include a first recess R1. For example, when the size of the first frame 200 is larger than the second frame 300, the first frame 200 may include a first recess R1. The first recess R1 may be positioned at a position corresponding to the through hole TH of the body 110 in a vertical direction. The first recess R1 may overlap the through hole TH in a vertical direction. Here, the vertical direction may refer to the z-axis direction in the drawing. That is, the first frame 200 may be inserted into the through hole TH of the body 110 and disposed therein. In detail, a part of the first bonding part 205 may be inserted into the through hole TH. For example, an area in which the first recess R1 is formed in the first frame 200 may be inserted into the through hole TH. An area where the first recess R1 is formed in the bottom surface of the first frame 200 may directly contact the inner surface of the through hole TH. Accordingly, the through hole TH may not be visually recognized from the outside. The light emitting device 500 may be disposed on the first recess R1.

상기 제 1 리세스(R1)는 상기 제 1 프레임(200)의 상면 상에 위치할 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)는 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있고, 상기 제 1 리세스(R1)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 리세스(R1)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 또한, 상기 제 1 리세스(R1)의 제 1 방향의 길이는 상기 캐비티(122) 바닥의 제 1 방향의 길이보다 작을 수 있고, 상기 제 1 리세스의 제 2 방향의 길이는 상기 캐비티(122) 바닥의 제 2 방향의 길이보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 방향에 따른 열 팽창 또는 수축을 완충시켜 줄 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)의 제 1 리세스(R1)가 제 1 방향의 열 팽창 또는 수축을 완충시켜 줌으로써, 상기 제 1 프레임(200) 및 그 상부에 배치되는 도전부에 크랙이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.The first recess R1 may be located on an upper surface of the first frame 200. The first recess R1 may have a length in the first direction and a length in the second direction, and the length of the first recess R1 in the first direction may be the first length of the first recess R1. It can be longer than the length in two directions. In addition, the length of the first direction of the first recess R1 may be smaller than the length of the first direction of the bottom of the cavity 122, and the length of the first recess of the first recess R1 may be the cavity 122. ) May be smaller than the length of the bottom in the second direction. Accordingly, the thermal expansion or contraction in the first direction can be buffered. When the first recess R1 of the first frame 200 buffers thermal expansion or contraction in the first direction, cracks may occur in the conductive part disposed on the first frame 200 and the upper portion thereof. It can be suppressed or prevented.

상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는 상기 발광소자(500)의 두께보다 작을 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 리세스(R1)의 수직 방향 높이(h2)는 상기 발광소자(500)의 수직 방향 두께보다 작을 수 있다. 여기서 상기 수직 방향은 도면에서 z축 방향을 의미한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 리세스(R1) 상에 배치될 수 있고, 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 발광소자(500)의 최상면까지의 거리는 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 1 프레임(200)의 최상면까지의 거리보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)에서 측면 및 하면 방향으로 출사된 광은 상기 제 1 리세스(R1)를 통해 상부 방향으로 반사될 수 있다.The height h2 of the first recess R1 may be smaller than the thickness of the light emitting device 500. In detail, the vertical height h2 of the first recess R1 may be smaller than the vertical thickness of the light emitting device 500. Here, the vertical direction refers to the z-axis direction in the drawing. As shown in FIG. 6, the light emitting device 500 may be disposed on the first recess R1, and the distance from the bottom surface of the body 110 to the top surface of the light emitting device 500 may be determined. It may be larger than the distance from the bottom surface of the body 110 to the top surface of the first frame 200. Accordingly, the light emitted from the light emitting device 500 in the lateral and lower surfaces may be reflected upward through the first recess R1.

또한, 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 두께보다 작을 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는 상기 몸체(110)의 두께보다 작을 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는, 상기 제 1 프레임(200)의 두께의 약 30% 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는, 상기 제 1 프레임(200)의 두께의 약 30% 내지 약 80%일 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)가 약 30% 미만인 경우 방열 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 미미할 수 있고, 상기 깊이가 약 80%를 초과하는 경우 상기 제 1 프레임(200)의 신뢰성이 저하될 수 있다.In addition, the height h2 of the first recess R1 may be smaller than the thickness of the first frame 200 and the second frame 300. The height h2 of the first recess R1 may be smaller than the thickness of the body 110. The height h2 of the first recess R1 may be about 30% or more of the thickness of the first frame 200. In detail, the height h2 of the first recess R1 may be about 30% to about 80% of the thickness of the first frame 200. When the height h2 of the first recess R1 is less than about 30%, the effect of improving heat dissipation may be insignificant. When the depth exceeds about 80%, the first frame 200 Reliability may be degraded.

상기 제 1 리세스(R1)는 상부에서 하부로 갈수록 점차 좁은 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 리세스(R1)에 의해 경사진 측면을 포함할 수 있다. 상기 경사진 측면은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 경사진 내측면을 포함할 수 있고, 상기 제 1 방향으로 경사진 내측면은 상기 제 2 방향으로 경사진 내측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 방향으로 경사진 내측면은 상기 제 2 방향으로 경사진 내측면과 서로 다른 경사각을 가질 수 있다. The first recess R1 may have a narrow width gradually from the top to the bottom. Accordingly, the first frame 200 may include a side surface inclined by the first recess R1. The inclined side surface may include an inner side surface inclined in a first direction and a second direction, and the inner side surface inclined in the first direction may have an inclination angle corresponding to the inner side surface inclined in the second direction. . Alternatively, the inner surface inclined in the first direction may have a different inclination angle from the inner surface inclined in the second direction.

상기 제 1 방향으로 경사진 내측면의 경사각은 상기 제 2 방향으로 경사진 내측면의 경사각보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 1 리세스(R1)에서 제 1 방향으로 경사진 내측면의 경사각은, 상기 상부 몸체(120)에서 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)의 경사각과 대응되거나 작을 수 있다. 또한, 상기 제 1 리세스(R1)에서 제 2 방향으로 경사진 내측면의 경사각은, 상기 상부 몸체(120)에서 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)의 경사각과 대응되거나 작을 수 있다. The inclination angle of the inner side surface inclined in the first direction may be smaller than the inclination angle of the inner side surface inclined in the second direction. In addition, the inclination angle of the inner side surface inclined in the first direction in the first recess R1 may correspond to or be smaller than the inclination angle of the side surface IS1 inclined in the first direction in the upper body 120. In addition, the inclination angle of the inner side surface inclined in the second direction in the first recess R1 may correspond to or be smaller than the inclination angle of the side surface IS2 inclined in the second direction in the upper body 120.

상기 제 1 프레임(200)은 제 1 측면(S1)에 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각으로부터 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각으로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장되는 제 1 돌출부(210)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장되는 제 4 돌출부(220)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 2 측면(S2) 방향으로 연장되는 제 5 돌출부(230) 및 제 6 돌출부(240)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)는 상기 제 2 측면(S2)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 연장되는 제 7 돌출부(250) 및 제 8 돌출부(260)를 포함할 수 있다. 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)는 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출될 수 있다. 여기서 같은 측면으로부터 돌출되는 돌출부들은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 측면(S2)으로부터 돌출되는 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출되는 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first frame 200 may include at least one protrusion protruding from the first side surface S1. The first frame 200 may include at least one protrusion protruding from each of the first side surface S1, the second side surface S2, the third side surface S3, and the fourth side surface S4. Can be. In detail, the first frame 200 may include the first side surface S1, the second side surface S2, the third side surface S3, and the fourth side surface S4 at the first bonding part 205. It may include at least one protrusion projecting to each. For example, the first frame 200 may include a first protrusion 210 extending from the first bonding portion 205 toward the first side surface S1. The first protrusion 210 may protrude from the first side surface S1. In addition, the first frame 200 may include a fourth protrusion 220 extending from the first bonding portion 205 toward the third side surface S3. The fourth protrusion 220 may protrude from the third side surface S3. In addition, the first frame 200 may include a fifth protrusion 230 and a sixth protrusion 240 extending from the first bonding part 205 in the direction of the second side surface S2. The fifth protrusion 230 and the sixth protrusion 240 may protrude from the second side surface S2. In addition, the first frame 200 may include a seventh protrusion 250 and an eighth protrusion 260 extending in the direction of the fourth side surface S4 from the first bonding portion 205. The seventh protrusion 250 and the eighth protrusion 260 may protrude from the fourth side surface S4. The protrusions protruding from the same side may be spaced apart from each other. For example, the fifth protrusion 230 and the sixth protrusion 240 protruding from the second side surface S2 may be spaced apart from each other. In addition, the seventh protrusion 250 and the eighth protrusion 260 protruding from the fourth side surface S4 may be spaced apart from each other.

상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 1 프레임(200)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 3 측면(S3)에 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 3 측면(S3) 각각으로부터 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 2 본딩부(305)에서 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 3 측면(S3) 각각으로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 2 본딩부(305)에서 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장되는 제 2 돌출부(310)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장되는 제 3 돌출부(320)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다. 여기서, 같은 측면으로부터 돌출되는 돌출부들은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출되는 상기 제 1 프레임(200)의 제 1 돌출부(210)와 상기 제 2 프레임(300)의 제 2 돌출부(310)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)의 제 4 돌출부(220)와 상기 제 2 프레임(300)의 제 3 돌출부(320)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.The second frame 300 may be spaced apart from the first frame 200. In addition, the second frame 300 may include at least one protrusion protruding from the third side surface S3. The second frame 300 may include at least one protrusion protruding from each of the first side surface S1 and the third side surface S3. In detail, the second frame 300 may include at least one protrusion protruding from the second bonding part 305 to each of the first side surface S1 and the third side surface S3. For example, the second frame 300 may include a second protrusion 310 extending in the direction of the first side surface S1 from the second bonding part 305. The second protrusion 310 may protrude from the first side surface S1. In addition, the second frame 300 may include a third protrusion 320 extending in the direction of the third side surface S3. The third protrusion 320 may protrude from the third side surface S3. Here, the protrusions protruding from the same side may be spaced apart from each other. For example, the first protrusion 210 of the first frame 200 protruding from the first side surface S1 and the second protrusion 310 of the second frame 300 may be spaced apart from each other. have. In addition, the fourth protrusion 220 of the first frame 200 and the third protrusion 320 of the second frame 300 may be spaced apart from each other.

즉, 상기 제 1 측면(S1)에는 제 1 돌출부(210) 및 제 2 돌출부(310)가 위치할 수 있고, 상기 제 3 측면(S3)에는 제 3 돌출부(320) 및 제 4 돌출부(220)가 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 2 측면(S2)에는 제 5 돌출부(230) 및 제 6 돌출부(240)가 위치할 수 있고, 상기 제 4 측면(S4)에는 제 7 돌출부(250) 및 제 8 돌출부(260)가 위치할 수 있다.That is, a first protrusion 210 and a second protrusion 310 may be located on the first side surface S1, and a third protrusion 320 and a fourth protrusion 220 on the third side surface S3. May be located. In addition, a fifth protrusion 230 and a sixth protrusion 240 may be positioned on the second side surface S2, and a seventh protrusion 250 and an eighth protrusion 260 may be disposed on the fourth side surface S4. May be located.

상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 2 돌출부(310)는 서로 다른 극성일 수 있고, 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220)는 서로 다른 극성일 수 있다. 또한, 상기 제 1 돌출부(210), 제 4 돌출부(220) 제 5 돌출부(230), 상기 제 6 돌출부(240), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부는 서로 동일한 극성일 수 있고, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320)는 서로 동일한 극성일 수 있다.The first protrusion 210 and the second protrusion 310 may have different polarities, and the third protrusion 320 and the fourth protrusion 220 may have different polarities. In addition, the first protrusion 210, the fourth protrusion 220, the fifth protrusion 230, the sixth protrusion 240, the seventh protrusion 250, and the eighth protrusion may have the same polarity. The second protrusion 310 and the third protrusion 320 may have the same polarity.

상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 6 돌출부(240)와 마주할 수 있다. 상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 6 돌출부(240)와 제 1 방향으로 이격되어 마주할 수 있다. 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 5 돌출부(230)와 마주할 수 있다. 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 5 돌출부(230)와 제 1 방향으로 이격되어 마주할 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 8 돌출부(260)와 마주할 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 8 돌출부(260)와 제 2 방향으로 이격되어 마주할 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 7 돌출부(250)와 마주할 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 7 돌출부(250)와 제 2 방향으로 이격되어 마주할 수 있다.The first protrusion 210 may face the sixth protrusion 240. The first protrusion 210 may face the sixth protrusion 240 spaced apart in a first direction. The second protrusion 310 may face the fifth protrusion 230. The second protrusion 310 may face the fifth protrusion 230 spaced apart in the first direction. The third protrusion 320 may face the eighth protrusion 260. The third protrusion 320 may face the eighth protrusion 260 spaced apart in a second direction. The fourth protrusion 220 may face the seventh protrusion 250. The fourth protrusion 220 may face the seventh protrusion 250 spaced apart in the second direction.

상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 6 돌출부(240) 사이의 제 1 방향 거리는, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 5 돌출부(230) 사이의 제 1 방향 거리와 대응될 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 8 돌출부(260) 사이의 제 2 방향 거리는, 상기 제 4 돌출부(220) 및 상기 제 7 돌출부(250) 사이의 제 2 방향 거리와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 6 돌출부(240) 사이의 제 1 방향 거리는, 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 8 돌출부(260) 사이의 제 2 방향 거리보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 5 돌출부(230) 사이의 제 1 방향 거리는, 상기 제 4 돌출부(220) 및 상기 제 7 돌출부(250) 사이의 제 2 방향 거리보다 클 수 있다.The first directional distance between the first protrusion 210 and the sixth protrusion 240 may correspond to the first directional distance between the second protrusion 310 and the fifth protrusion 230. The second direction distance between the third protrusion 320 and the eighth protrusion 260 may correspond to a second direction distance between the fourth protrusion 220 and the seventh protrusion 250. In addition, a first direction distance between the first protrusion 210 and the sixth protrusion 240 may be greater than a second direction distance between the third protrusion 320 and the eighth protrusion 260. In addition, a first direction distance between the second protrusion 310 and the fifth protrusion 230 may be greater than a second direction distance between the fourth protrusion 220 and the seventh protrusion 250.

상기 제 1 측면(S1)에 배치된 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 2 돌출부(310)는 제 1 거리(d1)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 1 거리(d1)는 상기 제 1 돌출부(210)의 중심과 상기 제 2 돌출부(310)의 중심 사이의 거리일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3)에 배치된 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220)는 제 2 거리(d2)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 2 거리(d2)는 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220)의 중심 사이의 거리일 수 있다. 상기 제 2 측면(S2)에 배치된 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)는 제 3 거리(d3)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 3 거리(d3)는 상기 제 5 돌출부(230)의 중심과 상기 제 6 돌출부(240)의 중심 사이의 거리일 수 있다. 상기 제 4 측면(S4)에 배치된 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)는 제 4 거리(d4)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 4 거리(d4)는 상기 제 7 돌출부(250)의 중심과 상기 제 8 돌출부(260)의 중심 사이의 거리일 수 있다. The first protrusion 210 and the second protrusion 310 disposed on the first side surface S1 may be spaced apart by a first distance d1. The first distance d1 may be a distance between the center of the first protrusion 210 and the center of the second protrusion 310. The third protrusion 320 and the fourth protrusion 220 disposed on the third side surface S3 may be spaced apart by a second distance d2. The second distance d2 may be a distance between the centers of the third protrusion 320 and the fourth protrusion 220. The fifth protrusion 230 and the sixth protrusion 240 disposed on the second side surface S2 may be spaced apart by a third distance d3. The third distance d3 may be a distance between the center of the fifth protrusion 230 and the center of the sixth protrusion 240. The seventh protrusion 250 and the eighth protrusion 260 disposed on the fourth side surface S4 may be spaced apart by a fourth distance d4. The fourth distance d4 may be a distance between the center of the seventh protrusion 250 and the center of the eighth protrusion 260.

상기 제 1 거리(d1) 값은 상기 제 3 거리(d3) 값과 대응될 수 있다. 상기 제 2 거리(d2) 값은 상기 제 4 거리(d4) 값과 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 거리(d1) 값은 상기 제 2 거리(d2) 값과 상이할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 거리(d1) 값은 상기 제 2 거리(d2) 값보다 작을 수 있다. The first distance d1 may correspond to the third distance d3. The second distance d2 may correspond to the fourth distance d4. In addition, the first distance d1 may be different from the second distance d2. In detail, the first distance d1 may be smaller than the second distance d2.

도 5를 참조하면, 상기 돌출부들은 각각의 프레임 몸체의 끝단으로부터 절곡되어 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 4 내지 상기 제 8 돌출부(220, 230, 240, 250, 260)는 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단으로부터 절곡되어 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 1 프레임(200) 몸체(110)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240) 각각은 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 2 측면(S2) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 2 측면(S2)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260) 각각은 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출될 수 있다.Referring to FIG. 5, the protrusions may be bent from the end of each frame body to protrude in a branched shape. For example, the first protrusion 210 and the fourth to eighth protrusions 220, 230, 240, 250, and 260 protrude from the ends of the first bonding portion 205 in a branched manner. Can be. In detail, the first protrusion 210 may be bent at the end of the first bonding portion 205 and extend in the direction of the first side surface S1, and may protrude from the first side surface S1. The fourth protrusion 220 may be bent at an end of the body 110 of the first frame 200 to extend in the direction of the third side surface S3, and may protrude from the third side surface S3. . Each of the fifth protrusion 230 and the sixth protrusion 240 may be bent at an end of the first bonding portion 205 to extend in the direction of the second side surface S2, and the second side surface S2. Can protrude from). Each of the seventh protrusion 250 and the eighth protrusion 260 may be bent at an end of the first bonding part 205 to extend in the direction of the fourth side surface S4, and the fourth side surface S4. Can protrude from).

또한, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 2 본딩부(305)의 끝단으로부터 절곡되어 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 2 본딩부(305)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 2 본딩부(305)의 끝단으로부터 절곡되어 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다.In addition, the second protrusion 310 and the third protrusion 320 may be bent and branched from the end of the second bonding portion 305. In detail, the second protrusion 310 may be bent at an end of the second bonding part 305 to extend in the direction of the first side surface S1, and may protrude from the first side surface S1. The third protrusion 320 may be bent from an end of the second bonding portion 305 to extend in the direction of the third side surface S3, and may protrude from the third side surface S3.

상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 4 내지 상기 제 8 돌출부(220, 230, 240, 250, 260) 중 선택되는 하나의 돌출부의 상면까지의 높이는, 상기 제 1 프레임(200)의 전체 두께, 예컨대 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 1 프레임(200)의 최상면까지의 높이보다 작을 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320) 중 선택되는 하나의 돌출부의 상면까지의 높이는, 상기 제 2 프레임(300)의 전체 두께, 예컨대 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 2 프레임(300)의 최상면까지의 높이보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 4 내지 제 8 돌출부(220, 230, 240, 250, 260)의 바닥면은, 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면보다 낮을 수 있다. 또한, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320)의 바닥면은, 상기 제 2 본딩부(305)의 바닥면보다 낮을 수 있다.The height from the bottom surface of the body 110 to an upper surface of one protrusion selected from the first protrusion 210 and the fourth to eighth protrusions 220, 230, 240, 250, and 260 is the first height. The overall thickness of the first frame 200, for example, may be less than the height from the bottom surface of the body 110 to the top surface of the first frame 200. In addition, the height from the bottom surface of the body 110 to the top surface of one of the protrusions selected from the second protrusion 310 and the third protrusion 320 is, for example, the overall thickness of the second frame 300, for example. It may be less than the height from the bottom surface of the body 110 to the top surface of the second frame (300). That is, the bottom surface of the first protrusion 210 and the fourth to eighth protrusions 220, 230, 240, 250, and 260 may be lower than the bottom surface of the first bonding portion 205. In addition, a bottom surface of the second protrusion 310 and the third protrusion 320 may be lower than a bottom surface of the second bonding portion 305.

상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 2 돌출부(310) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. A portion of the body 110 may be disposed in an open area between the first protrusion 210 and the second protrusion 310. In addition, a portion of the body 110 may be disposed in an open area between the third protrusion 320 and the fourth protrusion 220. In addition, a part of the body 110 may be disposed in an open area between the fifth protrusion 230 and the sixth protrusion 240. In addition, a portion of the body 110 may be disposed in an open area between the seventh protrusion 250 and the eighth protrusion 260.

상기 제 1 프레임(200)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 노출될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)의 일부는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 의해 상기 몸체(110)의 바닥면에 노출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205)의 일부는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 의해 노출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 내지 제 8 돌출부(210, 310, 320, 220, 230, 240, 250, 260)는 상기 몸체(110)로부터 돌출되어 상기 몸체(110)의 바닥면에 노출될 수 있다.The first frame 200 may be exposed on the bottom surface of the body 110. For example, a portion of the first frame 200 may be exposed to the bottom surface of the body 110 by the through hole TH of the body 110. In detail, a part of the first bonding part 205 may be exposed by the through hole TH of the body 110. In addition, the first to eighth protrusions 210, 310, 320, 220, 230, 240, 250, and 260 may protrude from the body 110 to be exposed to the bottom surface of the body 110.

상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 의해 노출되는 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면과 동일한 면 상에 위치할 수 있다. The bottom surface of the first bonding portion 205 exposed by the through hole TH of the body 110 may be located on the same surface as the bottom surface of the body 110.

이때, 상기 관통홀(TH)에 의해 노출된 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면 면적(SA1)은 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)의 약 15% 내지 약 30%일 수 있다. 자세하게, 노출된 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면 면적(SA1)은 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)의 약 18% 내지 약 27%일 수 있다. 바람직하게, 노출된 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면 면적(SA1)은 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)의 약 20% 내지 약 25%일 수 있다. 여기서, 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)은 상기 발광소자 패키지를 배면에서 보았을 때 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)이 제거된 링(ring) 형태를 가지는 영역의 면적을 의미할 수 있다. 상기 면적이 15% 미만인 경우 방열 특성이 향상되는 효과가 미미할 수 있고, 상기 면적이 30%를 초과할 경우 상기 몸체(110)가 차지하는 비율이 감소하여 발광소자 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있다. 즉, 신뢰성 및 방열 특성 향상을 위해 상기 노출되는 제 1 프레임(200)의 바닥면의 면적은 상술한 범위인 것이 바람직할 수 있다.In this case, the bottom surface area SA1 of the first bonding part 205 exposed by the through hole TH is about 15% to about 30% of the total surface area SA2 of the bottom surface of the body 110. Can be. In detail, the exposed bottom surface area SA1 of the first bonding part 205 may be about 18% to about 27% of the total bottom area SA2 of the body 110. Preferably, the exposed bottom surface area SA1 of the first bonding part 205 may be about 20% to about 25% of the total bottom area SA2 of the body 110. Here, the total area SA2 of the bottom surface of the body 110 is a region having a ring shape in which the first frame 200 and the second frame 300 are removed when the light emitting device package is viewed from the rear side. It can mean the area. When the area is less than 15%, the effect of improving heat dissipation characteristics may be insignificant. When the area is more than 30%, the ratio of the body 110 may be reduced, thereby reducing the reliability of the light emitting device package. That is, the area of the bottom surface of the exposed first frame 200 may be in the above-described range to improve reliability and heat dissipation characteristics.

또한, 상기 캐비티(122) 바닥에 배치된 상기 제 1 본딩부(205)의 상면 면적은 상기 캐비티(122) 바닥에 배치된 상기 제 2 본딩부(305)의 상면 면적의 2배 이상일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지의 방열 특성은 향상될 수 있다.In addition, an upper surface area of the first bonding portion 205 disposed on the bottom of the cavity 122 may be twice or more than an upper surface area of the second bonding portion 305 disposed on the bottom of the cavity 122. Accordingly, heat dissipation characteristics of the light emitting device package may be improved.

각각의 돌출부의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면과 동일한 면 상에 위치할 수 있다. 이와 다르게 상기, 각각의 돌출부의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면과 상이한 면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 돌출부들의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면으로부터 하부 방향으로 더 돌출될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출부들과 상기 바닥면 사이에는 단차를 가질 수 있다.The bottom surface of each protrusion may be located on the same surface as the bottom surface of the body 110. Alternatively, the bottom surface of each protrusion may be located on a surface different from the bottom surface of the body 110. For example, the bottom surface of the protrusions may further protrude downward from the bottom surface of the body 110. Accordingly, there may be a step between the protrusions and the bottom surface.

상기 제 1 프레임(200)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 본딩부(205)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205)에는 적어도 하나의 제 1 홀(TH1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 본딩부(305)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 본딩부(305)에는 적어도 하나의 제 2 홀(TH2)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 제 1 리세스(R1)와 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 제 1 리세스(R1)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2) 내부에는 상기 몸체(110)가 배치될 수 있다.At least one hole may be disposed in the first frame 200. For example, at least one hole may be disposed in the first bonding portion 205. In detail, at least one first hole TH1 may be disposed in the first bonding unit 205. In addition, at least one hole may be disposed in the second frame 300. For example, at least one hole may be disposed in the second bonding portion 305. In detail, at least one second hole TH2 may be disposed in the second bonding unit 305. The first hole TH1 and the second hole TH2 may be spaced apart from the first recess R1. The first hole TH1 and the second hole TH2 may be disposed at positions adjacent to the first recess R1. The body 110 may be disposed in the first hole TH1 and the second hole TH2.

상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 원형, 타원형, 사각형, 삼각형 및 다각형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 서로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 홀(TH1)은 상기 제 2 홀(TH2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 여기서 크기는 상기 홀의 직경, 너비 또는 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)을 통해 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 상기 몸체(110)와 결합할 수 있다.The first hole TH1 and the second hole TH2 may have a shape of at least one of a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, and a polygon. The first hole TH1 and the second hole TH2 may have shapes corresponding to each other. In addition, the first hole TH1 may have a size corresponding to the second hole TH2. Here, the size may mean the diameter, width or width of the hole. The first frame 200 and the second frame 300 may be coupled to the body 110 through the first hole TH1 and the second hole TH2.

상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)에는 상기 몸체(110)와의 결합을 강화하기 위해 스텝 구조가 더 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 몸체(110)와의 결합력 강화를 위해 적어도 하나의 홀이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)에는 적어도 하나의 제 3 홀(TH3)이 더 배치될 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)에는 적어도 하나의 제 4 홀(TH4)이 더 배치될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(205)로부터 연장되는 돌출부에는 상기 제 3 홀(TH3)이 배치될 수 있고, 상기 제 2 본딩부(305)로부터 연장되는 돌출부에는 상기 제 4 홀(TH4)이 배치될 수 있다.Step structures may be further disposed on the first frame 200 and the second frame 300 to strengthen coupling with the body 110. In addition, at least one hole may be further disposed in the first frame 200 to reinforce the bonding force with the body 110. For example, at least one third hole TH3 may be further disposed in the first frame 200, and at least one fourth hole TH4 may be further disposed in the second frame 300. have. The third hole TH3 may be disposed in the protrusion extending from the first bonding portion 205, and the fourth hole TH4 may be disposed in the protrusion extending from the second bonding portion 305. have.

상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 원형, 타원형, 사각형, 삼각형 및 다각형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다. 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 서로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 서로 대응되는 크기를 가질 수 있다.The third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have a shape of at least one of a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, and a polygon. The third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have shapes corresponding to each other. In addition, the third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have sizes corresponding to each other.

상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)과 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)의 크기는 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)의 크기보다 작을 수 있다. 여기서 크기는 상기 홀의 직경, 너비 또는 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 내지 상기 제 4 홀(TH1, TH2, TH3, TH4)을 통해 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 상기 몸체(110)와 보다 강하게 결합할 수 있다.The third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have a shape corresponding to the first hole TH1 and the second hole TH2. In addition, the third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have sizes different from those of the first hole TH1 and the second hole TH2. For example, the size of the third hole TH3 and the fourth hole TH4 may be smaller than the size of the first hole TH1 and the second hole TH2. Here, the size may mean the diameter, width or width of the hole. The first frame 200 and the second frame 300 may be more strongly coupled to the body 110 through the first to fourth holes TH1, TH2, TH3, and TH4.

상기 제 1 홀(TH1)은 상기 제 4 돌출부(220), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)와 인접하게 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 3 홀(TH3)은 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)와 인접하게 위치할 수 있다. 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 제 3 돌출부(320)와 인접하게 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 4 홀(TH4)은 상기 제 2 돌출부(310)와 인접하게 위치할 수 있다.The first hole TH1 may be positioned adjacent to the fourth protrusion 220, the seventh protrusion 250, and the eighth protrusion 260. In addition, the third hole TH3 may be positioned adjacent to the first protrusion 210, the fifth protrusion 230, and the sixth protrusion 240. The second hole TH2 may be located adjacent to the third protrusion 320. In addition, the fourth hole TH4 may be positioned adjacent to the second protrusion 310.

또한, 상기 제 1 내지 제 4 홀(TH1, TH2, TH3, TH4)은 상기 상부 몸체(110)와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 상부 몸체(110)와 수직방향으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 상부 몸체(110)와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. In addition, the first to fourth holes TH1, TH2, TH3, and TH4 may be disposed in regions corresponding to the upper body 110. In detail, the first hole TH1 and the second hole TH2 may be disposed at positions corresponding to the upper body 110 in a vertical direction. In more detail, the first hole TH1 and the second hole TH2 may be disposed at positions overlapping the upper body 110 in the vertical direction.

또한, 상기 발광소자(500)에서 상기 제 1 홀(TH1) 및/또는 상기 제 2 홀(TH2) 사이의 거리는, 상기 발광소자(500)에서 상기 제 3 홀(TH3) 및/또는 상기 제 4 홀(TH4) 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 이에 따라, 평면에서 상기 발광소자 패키지(1000)를 보았을 때, 사기 상부 몸체(110)에 의해 상기 제 1 홀(TH1), 상기 제 2 홀(TH2), 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 외부에서 시인되지 않을 수 있다.In addition, the distance between the first hole TH1 and / or the second hole TH2 in the light emitting device 500 is the third hole TH3 and / or the fourth in the light emitting device 500. It may be shorter than the distance between the holes TH4. Accordingly, when the light emitting device package 1000 is viewed in a plan view, the first hole TH1, the second hole TH2, the third hole TH3, and the third hole are formed by the upper body 110. The four holes TH4 may not be visually recognized from the outside.

상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(200) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 본딩부(205) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하세, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 리세스(R1) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(500) 상에는 제 1 전극(91) 및 제 2 전극(90)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 상부에는 제 1 전극(91)이 배치될 수 있고, 상기 발광소자(500)의 하부에는 제 2 전극(90)이 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)의 제 2 전극(90)은 상기 제 1 프레임(200)과 마주할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 전극(90)은 상기 제 1 프레임(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)의 제 1 전극(91)은 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 제 1 전극(91)은 와이어(550)를 통해 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 500 may be disposed on the first frame 200. In detail, the light emitting device 500 may be disposed on the first bonding part 205. In more detail, the light emitting device 500 may be disposed on the first recess R1. The light emitting device 500 may be electrically connected to the first frame 200 and the second frame 300. The light emitting device 500 may be electrically connected to the first bonding portion 205 and the second bonding portion 305. The first electrode 91 and the second electrode 90 may be disposed on the light emitting device 500. In detail, a first electrode 91 may be disposed above the light emitting device 500, and a second electrode 90 may be disposed below the light emitting device 500. The second electrode 90 of the light emitting device 500 may face the first frame 200. In detail, the second electrode 90 may be electrically connected to the first frame 200. In addition, the first electrode 91 of the light emitting device 500 may be electrically connected to the second frame 300. In detail, the first electrode 91 of the light emitting device 500 may be electrically connected to the second frame 300 through a wire 550.

실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 몰딩부(190)를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(500) 상에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 패키지 몸체(100)에 의하여 제공된 캐비티(122)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 캐비티(122) 및 상기 제 1 리세스(R1)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(500)를 감싸며 배치될 수 있다.The light emitting device package 1000 according to the embodiment may further include a molding unit 190. The molding part 190 may be provided on the light emitting device 500. The molding part 190 may be disposed on the first frame 200 and the second frame 300. The molding part 190 may be disposed in the cavity 122 provided by the package body 100. The molding part 190 may be disposed in the cavity 122 and the first recess R1. The molding part 190 may be disposed to surround the light emitting device 500.

상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(500)는 황색, 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.The molding part 190 may include an insulating material. In addition, the molding part 190 may include wavelength conversion means for receiving the light emitted from the light emitting device 500 and providing the wavelength-converted light. For example, the molding unit 190 may be at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like. The light emitting device 500 may emit light of yellow, blue, green, red, white, infrared or ultraviolet light. The phosphor or quantum dot may emit light of blue, green, and red. The molding part 190 may not be formed.

상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610nm에서 650nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, NaYF4:Mn4+, NaGdF4:Mn4+, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.The phosphor disposed inside or below the molding unit 190 may include a phosphor of a fluoride compound, and may include, for example, at least one of an MGF phosphor, a KSF phosphor, or a KTF phosphor. The phosphor may emit light of different peak wavelengths, and the light emitted from the light emitting device may emit light of different yellow and red colors or different red peak wavelengths. One kind of the phosphor may include a red phosphor. The red phosphor may have a wavelength range of 610 nm to 650 nm, and the wavelength may have a half width of less than 10 nm. The red phosphor may include a fluoride phosphor. The fluorite-based phosphor is KSF red K 2 SiF 6 : Mn 4+ , K 2 TiF 6 : Mn 4+ , NaYF 4 : Mn 4+ , NaGdF 4 : Mn 4+ , K 3 SiF 7 : Mn 4+ It may include at least one of. For example, the KSF-based phosphor may have a composition formula of K a Si 1-c F b : Mn 4+ c , wherein a is 1 ≦ a ≦ 2.5, b is 5 ≦ b ≦ 6.5, and c is 0.001 ≦ c <0.1 may be satisfied. In addition, the fluorite-based red phosphor may further include an organic coating on the surface of the fluoride or Mn-containing fluoride or the surface of the fluoride coating does not contain Mn in order to improve the reliability at high temperature / high humidity. Unlike the other phosphors, the above-described fluerite-based red phosphor may implement a narrow width of 10 nm or less, and thus may be utilized in a high resolution device.

실시예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.The phosphor composition according to the embodiment should basically conform to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr may be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y may be substituted with Tb, Lu, Sc, Gd, etc. of the lanthanide series. In addition, the active agent Eu, etc. may be substituted by Ce, Tb, Pr, Er, Yb, etc. according to a desired energy level, and an active agent alone or a deactivator may be additionally applied to modify properties.

상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.The quantum dot phosphor may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit red light. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2, Such as CuInSe 2 and the like, and combinations thereof.

도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 기판 상에 배치된 광원 모듈의 예를 도시한 도면이고, 도 8은 다른 예를 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating an example of a light source module in which a light emitting device package is disposed on a substrate, and FIG. 8 is a diagram illustrating another example.

도 7 및 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 기판(600) 상에 배치될 수 있다. 상기 기판(600)은 회로 기판일 수 있다. 상기 회로 기판(600)에는 상기 발광소자(500)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다.7 and 8, the light emitting device package 1000 according to the embodiment may be disposed on the substrate 600. The substrate 600 may be a circuit board. The circuit board 600 may be provided with a power supply circuit for controlling the driving of the light emitting device 500.

상기 기판(600)은 복수 개의 패드들(611, 613, 615, 617)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)은 상기 기판(600)의 패드들(611, 613, 615, 617)과 본딩부로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 돌출부는 상기 기판(600)의 패드들(611, 613, 615, 617)과 대응되는 위치에 위치할 수 있고, 상기 본딩부로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 발광소자(500)는 상기 기판(600)의 각 패드들(611, 613, 615, 617)로부터 전원을 공급받을 수 있다. The substrate 600 may include a plurality of pads 611, 613, 615, and 617. In detail, the first frame 200 and the second frame 300 of the light emitting device package 1000 may be connected to the pads 611, 613, 615, and 617 of the substrate 600 by bonding. For example, protrusions of the first frame 200 and the second frame 300 may be positioned at positions corresponding to the pads 611, 613, 615, and 617 of the substrate 600. It may be connected to the bonding portion. Accordingly, the light emitting device 500 of the light emitting device package 1000 may receive power from each of the pads 611, 613, 615, and 617 of the substrate 600.

각각의 상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 원형, 타원형, 사각형, 삼각형 및 다각형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다.Each of the pads 611, 613, 615, 617 is at least one selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al It may include a material or an alloy thereof. In addition, each of the pads 611, 613, 615, and 617 may have a shape of at least one of a circle, an oval, a rectangle, a triangle, and a polygon.

상기 패드(611, 613, 615, 617)의 상면은 상기 기판(600)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이와 다르게, 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 상면은 상기 기판(600)의 상면과 상이한 평면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 상면은 상기 기판(600)의 상면으로부터 돌출되어 상기 기판(600)의 상면보다 더 높게 배치될 수 있다.Top surfaces of the pads 611, 613, 615, and 617 may be coplanar with the top surface of the substrate 600. Alternatively, the top surfaces of the pads 611, 613, 615, and 617 may be located on a plane different from the top surface of the substrate 600. For example, the top surfaces of the pads 611, 613, 615, and 617 may protrude from the top surface of the substrate 600 and be disposed higher than the top surface of the substrate 600.

각각의 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 제 1 방향의 폭은, 각각의 상기 돌출부의 제 1 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 또한, 각각의 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 제 2 방향의 폭은, 각각의 상기 돌출부의 제 2 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)의 제 1 방향의 폭은 그 상부에 위치하는 하나의 돌출부의 제 1 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(611)의 제 2 방향의 폭은 그 상부에 위치하는 하나의 돌출부의 제 2 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다.The width in the first direction of each of the pads 611, 613, 615, 617 may be equal to or greater than the width in the first direction of each of the protrusions. Further, the width in the second direction of each of the pads 611, 613, 615, 617 may be equal to or greater than the width in the second direction of each of the protrusions. For example, the width in the first direction of the first pad 611 may be equal to or greater than the width in the first direction of one protrusion located at an upper portion thereof. In addition, the width in the second direction of the first pad 611 may be equal to or larger than the width in the second direction of one protrusion located at an upper portion thereof.

도 7을 참조하면, 상기 패드는 제 1 패드(611), 제 2 패드(613), 제 3 패드(615) 및 제 4 패드(617)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 3 패드(615)와 제 2 방향으로 마주할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 제 4 패드(617)와 제 2 방향으로 마주할 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 2 패드(613)와 제 1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 3 패드(615)는 상기 제 4 패드(617)와 제 1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7, the pad may include a first pad 611, a second pad 613, a third pad 615, and a fourth pad 617. For example, the first pad 611 may face the third pad 615 in a second direction, and the second pad 613 may face the fourth pad 617 in a second direction. can do. In addition, the first pad 611 may be spaced apart from the second pad 613 in a first direction. The third pad 615 may be spaced apart from the fourth pad 617 in a first direction.

상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 1 방향 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 2 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다. The distance between the first directions of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the second directions of the first and third pads 611 and 615. That is, the distance between the centers of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the centers of the first and third pads 611 and 615.

상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 1 방향 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(615, 617)의 제 2 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(617, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the first direction of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the second direction of the second and fourth pads 615 and 617. That is, the distance between the centers of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the centers of the second and fourth pads 617 and 617.

상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 2 방향 사이의 거리는, 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 제 2 방향 사이의 거리와 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the second directions of the first and third pads 611 and 615 may correspond to the distance between the second directions of the second and fourth pads 613 and 617. That is, the distance between the centers of the first and third pads 611 and 615 may be shorter than the distance between the centers of the second and fourth pads 613 and 617.

상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 돌출부와 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 패드(611, 613, 615, 617)는 상기 돌출부와 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611) 상기 제 4 돌출부(220) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 제 3 돌출부(320) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 3 패드(615)는 제 7 돌출부(250) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 4 패드(617)는 제 8 돌출부(260) 아래에 위치할 수 있다. 이와 더불어, 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 2 돌출부(310), 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240) 하부에는 상기 패드들(611, 613, 615, 617)이 위치하지 않을 수 있다. The pads 611, 613, 615, and 617 may be located in regions corresponding to protrusions of the first frame 200 and the second frame 300. In detail, the pads 611, 613, 615, and 617 may be disposed at positions overlapping the protrusions. For example, the first pad 611 may be located below the fourth protrusion 220, and the second pad 613 may be located below the third protrusion 320, and the third pad may be disposed on the third pad 320. 615 may be located under the seventh protrusion 250, and the fourth pad 617 may be located under the eighth protrusion 260. In addition, the pads 611, 613, 615, and 617 are positioned below the first protrusion 210, the second protrusion 310, the fifth protrusion 230, and the sixth protrusion 240. You can't.

이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 발광소자(500)는 상기 제 1 내지 제 4 패드(611, 613, 615, 617)와, 상기 제 3 돌출부(320), 상기 제 4 돌출부(220), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)에 의해 전원을 공급받을 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드(611), 상기 제 3 패드(615) 및 상기 제 4 패드(617)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 2 전극(90)과 연결될 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 전극(91)과 연결될 수 있다.Accordingly, the light emitting device 500 of the light emitting device package 1000 includes the first to fourth pads 611, 613, 615, and 617, the third protrusion 320, and the fourth protrusion 220. The power may be supplied by the seventh protrusion 250 and the eighth protrusion 260. In detail, the first pad 611, the third pad 615, and the fourth pad 617 may be connected to the second electrode 90 of the light emitting device package 1000, and the second pad ( 613 may be connected to the first electrode 91 of the light emitting device package 1000.

또한, 도 8을 참조하면, 상기 패드는 제 1 패드(611), 제 2 패드(613), 제 3 패드(615) 및 제 4 패드(617)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 3 패드(615)와 제 1 방향으로 마주할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 제 4 패드(617)와 제 1 방향으로 마주할 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 2 패드(613)와 제 2 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 3 패드(615)는 상기 제 4 패드(617)와 제 2 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, referring to FIG. 8, the pad may include a first pad 611, a second pad 613, a third pad 615, and a fourth pad 617. For example, the first pad 611 may face the third pad 615 in a first direction, and the second pad 613 may face the fourth pad 617 in a first direction. can do. In addition, the first pad 611 may be spaced apart from the second pad 613 in a second direction. The third pad 615 may be spaced apart from the fourth pad 617 in a second direction.

상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 2 방향 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 1 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다. The distance between the second directions of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the first directions of the first and third pads 611 and 615. That is, the distance between the centers of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the centers of the first and third pads 611 and 615.

상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 2 방향 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(615, 617)의 제 1 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(617, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the second directions of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the first directions of the second and fourth pads 615 and 617. That is, the distance between the centers of the first and second pads 611 and 613 may be shorter than the distance between the centers of the second and fourth pads 617 and 617.

상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 1 방향 사이의 거리는, 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 제 1 방향 사이의 거리와 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the first directions of the first and third pads 611 and 615 may correspond to the distance between the first directions of the second and fourth pads 613 and 617. That is, the distance between the centers of the first and third pads 611 and 615 may be shorter than the distance between the centers of the second and fourth pads 613 and 617.

상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 돌출부와 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 패드(611, 613, 615, 617)는 상기 돌출부와 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 5 돌출부(230) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 제 6 돌출부(240) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 3 패드(615)는 상기 제 2 돌출부(310) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 4 패드(617)는 상기 제 1 돌출부(210) 아래에 위치할 수 있다. 이와 더불어, 상기 제 3 돌출부(320), 상기 제 4 돌출부(220), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260) 하부에는 상기 패드들(611, 613, 615, 617)이 위치하지 않을 수 있다. The pads 611, 613, 615, and 617 may be located in regions corresponding to protrusions of the first frame 200 and the second frame 300. In detail, the pads 611, 613, 615, and 617 may be disposed at positions overlapping the protrusions. For example, the first pad 611 may be located below the fifth protrusion 230, and the second pad 613 may be located below the sixth protrusion 240. The third pad 615 may be located below the second protrusion 310, and the fourth pad 617 may be located below the first protrusion 210. In addition, the pads 611, 613, 615, and 617 are positioned under the third protrusion 320, the fourth protrusion 220, the seventh protrusion 250, and the eighth protrusion 260. You can't.

이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 발광소자(500)는 상기 제 1 내지 제 4 패드(611, 613, 615, 617)와, 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 2 돌출부(310), 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)에 의해 전원을 공급받을 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드(611), 상기 제 2 패드(613) 및 상기 제 4 패드(617)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 2 전극(90)과 연결될 수 있고, 상기 제 3 패드(615)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 전극(91)과 연결될 수 있다.Accordingly, the light emitting device 500 of the light emitting device package 1000 may include the first to fourth pads 611, 613, 615, and 617, the first protrusion 210, and the second protrusion 310. The power may be supplied by the fifth protrusion 230 and the sixth protrusion 240. In detail, the first pad 611, the second pad 613, and the fourth pad 617 may be connected to the second electrode 90 of the light emitting device package 1000, and the third pad ( 615 may be connected to the first electrode 91 of the light emitting device package 1000.

즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 회로 기판 또는 패키지의 설계 변경 없이 다양한 크기의 기판과 대응될 수 있고, 전기적으로 연결할 수 있다.That is, the light emitting device package 1000 according to the embodiment may correspond to a substrate of various sizes without changing the design of the circuit board or the package, and may be electrically connected.

도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다. 9 is a side cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment.

도 9를 참조하면, 상기 발광소자(500)는 상부에 제 1 도전형 반도체층(11)과 전기적으로 연결된 제 1 전극(91)이 배치되고, 하부에 제 2 도전형 반도체층(13)과 전기적으로 연결된 제 2 전극(90)이 배치된 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting device 500 includes a first electrode 91 electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 and a second conductive semiconductor layer 13 disposed below. It may have a structure in which the second electrode 90 is electrically connected.

상기 발광소자(500)는 제 1 전극(91), 발광 구조물(10) 및 상기 발광 구조물(10) 아래에 복수의 전도층(96, 97, 98, 99)을 갖는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(91)은 상기 발광 구조물(10) 상에 배치되며, 가지 패턴 또는 암 패턴(91A)과 같은 전극을 가질 수 있다. 상기 제 2 전극(90)은 상기 제 1 프레임(200)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 1 전극(91)은 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(91)은 와이어(550)를 통해 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 500 may include a first electrode 91, a light emitting structure 10, and a second electrode having a plurality of conductive layers 96, 97, 98, and 99 under the light emitting structure 10. have. The first electrode 91 may be disposed on the light emitting structure 10 and may have an electrode such as a branch pattern or a female pattern 91A. The second electrode 90 may be electrically connected to the first frame 200, and the first electrode 91 may be electrically connected to the second frame 300. For example, the first electrode 91 may be electrically connected to the second frame 300 through a wire 550.

상기 발광 구조물(10)은 제 1 도전형 반도체층(11), 제 2 도전형 반도체층(13), 및 상기 제 1 도전형 반도체층(11)과 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 사이에 활성층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(11)은 n형 도펀트를 갖는 반도체일 수 있으며, 상기 제 2 도전형 반도체층(13)은 p형 도펀트를 갖는 반도체일 수 있다. 상기 발광 구조물(10)은 II족 내지 V족 원소 및 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(13)은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(13)은 우물층/장벽층을 포함하며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 발광 구조물(10)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductive semiconductor layer 11, a second conductive semiconductor layer 13, and between the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13. The active layer 13 may be included. The first conductive semiconductor layer 11 may be a semiconductor having an n-type dopant, and the second conductive semiconductor layer 13 may be a semiconductor having a p-type dopant. The light emitting structure 10 may be selectively formed from a compound semiconductor of Group II to Group V elements and Group III to Group V elements, and may emit a predetermined peak wavelength within a wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band. The first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13 may be, for example, a semiconductor layer using a compound semiconductor of a group III-V group element, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN. It may include at least one of, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP. The active layer 13 includes a well layer / barrier layer, and the period of the well layer / barrier layer is, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, At least one of a pair of InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, and InP / GaAs. The light emitting structure 10 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제 2 전극(90)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치되며, 접촉층(96), 반사층(97), 본딩층(98) 및 전도성 지지 부재(99)를 포함한다. 상기 제 2 전극(90)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 90 is disposed under the second conductive semiconductor layer 13 and includes a contact layer 96, a reflective layer 97, a bonding layer 98, and a conductive support member 99. The second electrode 90 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 13.

상기 접촉층(96)은 반도체층 예컨대, 제 2 도전형 반도체층(13)과 접촉된다. 상기 접촉층(96)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다. 상기 접촉층(96) 아래에 반사층(97)이 배치되며, 상기 반사층(97)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(97)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 아래에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사층(97) 아래에는 본딩층(98)이 배치되며, 상기 본딩층(98)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The contact layer 96 is in contact with a semiconductor layer, for example, the second conductivity type semiconductor layer 13. The contact layer 96 may be a low conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, or a metal of Ni and Ag. A reflective layer 97 is disposed below the contact layer 96, and the reflective layer 97 is composed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and a combination thereof. It may be formed into a structure including at least one layer of a material selected from the group. The reflective layer 97 may be in contact with the second conductive semiconductor layer 13, but is not limited thereto. A bonding layer 98 is disposed below the reflective layer 97, and the bonding layer 98 may be used as a barrier metal or a bonding metal, and the material may be, for example, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, And at least one of Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and an optional alloy.

상기 제 2 도전형 반도체층(13)과 제 2 전극(90) 사이에 하부 보호층(83) 및 전류 블록킹층(85)이 배치된다. 상기 하부 보호층(83)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하부 보호층(83)은 투명한 전도성 물질 또는 절연성 물질을 포함하며, 예컨대 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 하부 보호층(83)의 내측부는 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물(10)의 측면보다 더 외측에 배치된다. 상기 전류 블록킹층(85)은 제 2 도전형 반도체층(13)과 접촉층(96) 또는 반사층(97) 사이에 배치될 수 있다. 상기 전류 블록킹층(85)은 절연물질을 포함하며, 예컨대 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전류 블록킹층(85)은 쇼트키 접촉을 위한 금속으로도 형성될 수 있다. The lower passivation layer 83 and the current blocking layer 85 are disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the second electrode 90. The lower protective layer 83 may be formed along the bottom edge of the second conductive semiconductor layer 13 and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The lower protective layer 83 may include a transparent conductive material or an insulating material, for example, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2 , SiOx, SiO x N y , Si 3 N 4 , It may include at least one of Al 2 O 3 , TiO 2 . An inner portion of the lower passivation layer 83 is disposed under the second conductive semiconductor layer 13, and an outer portion is disposed outside the side of the light emitting structure 10. The current blocking layer 85 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the contact layer 96 or the reflective layer 97. The current blocking layer 85 may include an insulating material, and for example, may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . As another example, the current blocking layer 85 may also be formed of metal for Schottky contact.

상기 전류 블록킹층(85)은 상기 발광 구조물(10) 상에 배치된 제 1 전극(91)과 상기 발광 구조물(10)의 두께 방향으로 대응되게 배치된다. 상기 전류 블록킹층(85)은 상기 제 2 전극(90)으로부터 공급되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 전류 블록킹층(85)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 제 1 전극(91)과 수직 방향으로 적어도 일부 또는 전 영역이 오버랩될 수 있다. The current blocking layer 85 is disposed to correspond to the thickness direction of the first electrode 91 and the light emitting structure 10 disposed on the light emitting structure 10. The current blocking layer 85 may block a current supplied from the second electrode 90 and diffuse it in another path. The current blocking layer 85 may be disposed in one or a plurality, and at least a portion or the entire area of the current blocking layer 85 may overlap with the first electrode 91.

상기 본딩층(98) 아래에는 전도성 지지 부재(99)가 형성되며, 상기 전도성 지지 부재(99)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(99)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. A conductive support member 99 is formed below the bonding layer 98, and the conductive support member 99 may be formed as a conductive member, and the materials may be copper (copper) or gold (Au-gold). , Nickel (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, etc.) may be formed of a conductive material. As another example, the conductive support member 99 may be implemented as a conductive sheet.

상기 제 1 도전형 반도체층(11)의 상면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조(미도시)로 형성될 수 있다. 상기 반도체층의 표면에는 절연층(87)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이에 따라 발광 구조물(10) 위에 제 1 전극(91) 및 아래에 전도성 지지 부재(99)를 갖는 수직형 전극 구조를 갖는 발광 칩이 제조될 수 있다.An upper surface of the first conductive semiconductor layer 11 may be formed with a light extraction structure (not shown) such as roughness. An insulating layer 87 may be disposed on the surface of the semiconductor layer, but is not limited thereto. Accordingly, a light emitting chip having a vertical electrode structure having a first electrode 91 on the light emitting structure 10 and a conductive support member 99 below may be manufactured.

한편, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. 광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light source device. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, or the like according to an industrial field. As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light and including a light emitting element, and a light disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module to the front. An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device does not include a color filter and may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are disposed.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp may include a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, a front, and reflected by the reflector. It may include a lens for refracting the light forward, and a shade for blocking or reflecting a portion of the light reflected by the reflector toward the lens to achieve a light distribution pattern desired by the designer.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Another example of a light source device may include a lighting device, a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of the member and the holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.

즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)을 포함할 수 있고, 상기 발광소자(500)가 배치되는 제 1 프레임(200)의 일부는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)을 통해 바닥면에 노출될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)는 열을 효과적으로 배출할 수 있어 방열 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열에 의해 상기 발광소자(500)가 상기 제 1 프레임(200)으로부터 탈락하는 현상을 방지할 수 있어 전체적인 발광소자 패키지(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.That is, the light emitting device package 1000 according to the embodiment may include a first frame 200 and a second frame 300, a part of the first frame 200 in which the light emitting device 500 is disposed It may be exposed to the bottom surface through the through hole TH of the body 110. Accordingly, the light emitting device package 1000 may effectively discharge heat, thereby improving heat dissipation characteristics. Therefore, it is possible to prevent the light emitting device 500 from falling off from the first frame 200 by the heat emitted from the light emitting device 500, thereby improving the reliability of the overall light emitting device package 1000. .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 제 1 내지 제 4 측면(S1, S2, S3, S4)을 포함하는 몸체(110)를 포함하고, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)의 제 2 방향의 길이보다 길수 있다. 이때, 상기 발광소자 패키지(1000)는 복수 개의 돌출부를 포함하는 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)을 포함할 수 있고, 각각의 프레임으로부터 돌출되는 돌출부 사이의 간격을 조절하여 하나의 패키지로 다양한 기판(600)과 연결할 수 있다. 이에 따라, 회로 기판의 설계 변경 및/또는 패키지의 설계 변경 없이 다양한 크기의 기판과 대응될 수 있고 전기적으로 연결할 수 있다. 따라서, 제조 비용을 감소시킬 수 있고 공정 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, the light emitting device package 1000 according to the embodiment includes a body 110 including first to fourth side surfaces S1, S2, S3, and S4, and the first side surface S1 and the second side. The length of the first direction of the side surface S2 may be longer than the length of the third direction S3 and the second direction of the fourth side surface S4. In this case, the light emitting device package 1000 may include a first frame 200 and a second frame 300 including a plurality of protrusions, one by adjusting the interval between the protrusions protruding from each frame The package may be connected to various substrates 600. Accordingly, it is possible to correspond to and electrically connect the substrates of various sizes without changing the design of the circuit board and / or the design of the package. Therefore, manufacturing cost can be reduced and process efficiency can be improved.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (10)

제 1 본딩부를 포함하는 제 1 프레임;
제 2 본딩부를 포함하며 상기 제 1 프레임과 이격되어 배치되는 제 2 프레임;
상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체; 및
상기 제 1 본딩부 상에 배치되는 발광소자를 포함하고,
상기 발광소자는, 상기 제 1 및 제 2 본딩부와 전기적으로 연결되고,
상기 몸체는, 제 2 방향으로 연장하며 제 2 방향의 길이를 가지는 제 1 측면 및 상기 제 1 측면의 일끝단에서 제 1 방향으로 연장하며 제 1 방향의 길이를 가지는 제 3 측면을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 프레임 각각은, 상기 제 1 및 제 3 측면에 각각 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.
A first frame including a first bonding part;
A second frame including a second bonding portion and spaced apart from the first frame;
A body disposed between the first frame and the second frame; And
It includes a light emitting element disposed on the first bonding portion,
The light emitting device is electrically connected to the first and second bonding portions,
The body includes a first side surface extending in a second direction and having a length in a second direction, and a third side surface extending in a first direction at one end of the first side surface and having a length in a first direction,
Each of the first and second frames includes at least one protrusion protruding from the first and third side surfaces, respectively.
제 1 항에 있어서,
상기 몸체는,
상기 제 1 측면과 제 1 방향으로 마주하는 제 2 측면; 및
상기 제 3 측면과 제 2 방향으로 마주하는 제 4 측면을 더 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 측면의 제 2 방향의 길이는, 상기 제 3 및 제 4 측면의 제 1 방향의 길이보다 짧은 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The body,
A second side facing the first side in a first direction; And
Further comprising a fourth side facing the third side in a second direction,
A light emitting device package having a length in the second direction of the first and second side surfaces shorter than a length in the first direction of the third and fourth side surfaces.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 프레임은,
상기 제 1 측면으로부터 돌출되는 제 1 돌출부;
상기 제 2 측면으로부터 돌출되는 제 5 돌출부 및 제 6 돌출부;
상기 제 3 측면으로부터 돌출되는 제 4 돌출부; 및
상기 제 4 측면으로부터 돌출되는 제 7 돌출부 및 제 8 돌출부를 포함하고,
상기 제 2 프레임은,
상기 제 1 측면으로부터 돌출되는 제 2 돌출부; 및
상기 제 3 측면으로부터 돌출되는 제 3 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 2,
The first frame,
A first protrusion protruding from the first side;
Fifth and sixth protrusions protruding from the second side surface;
A fourth protrusion protruding from the third side; And
A seventh protrusion and an eighth protrusion protruding from the fourth side;
The second frame,
A second protrusion protruding from the first side; And
The light emitting device package including a third protrusion protruding from the third side.
제3항에 있어서,
상기 제 1 돌출부 및 상기 제 6 돌출부 사이의 제 1 방향 간격은, 상기 제 4 돌출부 및 상기 제 7 돌출부 사이의 제 2 방향 간격보다 큰 발광소자 패키지.
The method of claim 3, wherein
The light emitting device package of claim 1, wherein a first direction gap between the first protrusion and the sixth protrusion is greater than a second direction gap between the fourth protrusion and the seventh protrusion.
제3항에 있어서,
상기 제 1 돌출부 및 상기 제 4 내지 제 8 돌출부의 바닥면은, 상기 제 1 본딩부의 바닥면보다 낮고,
상기 제 2 돌출부 및 상기 제 3 돌출부의 바닥면은, 상기 제 2 본딩부의 바닥면보다 낮은 발광소자 패키지.
The method of claim 3, wherein
The bottom surface of the first protrusion and the fourth to eighth protrusions is lower than the bottom surface of the first bonding portion,
The bottom surface of the second protrusion and the third protrusion, the light emitting device package lower than the bottom surface of the second bonding portion.
제3항에 있어서,
상기 제 1 측면에 배치된 상기 제 1 돌출부 및 상기 제 2 돌출부의 중심 사이의 거리는, 상기 제 3 측면에 배치된 상기 제 3 돌출부 및 상기 제 4 돌출부의 중심 사이의 거리보다 긴 발광소자 패키지.
The method of claim 3, wherein
The distance between the center of the first protrusion and the second protrusion disposed on the first side, the light emitting device package is longer than the distance between the center of the third protrusion and the fourth protrusion disposed on the third side.
제1항에 있어서,
상기 제 1 프레임의 평면적은 상기 제 2 프레임의 평면적보다 큰 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The planar area of the first frame is larger than the planar area of the second frame.
회로 기판; 및
상기 회로 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하고,
상기 발광소자 패키지는 제 6 항에 따른 발광소자 패키지인 광원 모듈.
A circuit board; And
A light emitting device package disposed on the circuit board;
The light emitting device package is a light source module according to claim 6.
제 8 항에 있어서,
상기 회로기판은 서로 이격되어 배치되는 제 1 내지 제 4 패드를 포함하고,
상기 제 1 패드는, 상기 제 4 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 2 패드는, 상기 제 3 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 3 패드는, 상기 제 7 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 4 패드는, 상기 제 8 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되는 광원 모듈.
The method of claim 8,
The circuit board includes first to fourth pads spaced apart from each other,
The first pad is disposed at a position overlapping with the fourth protrusion in the vertical direction,
The second pad is disposed at a position overlapping with the third protrusion in the vertical direction,
The third pad is disposed at a position overlapping with the seventh protrusion in the vertical direction,
The fourth pad is disposed at a position overlapping with the eighth protrusion in the vertical direction.
제 8 항에 있어서,
상기 회로기판은 서로 이격되어 배치되는 제 1 내지 제 4 패드를 포함하고,
상기 제 1 패드는, 상기 제 5 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 2 패드는, 상기 제 6 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 3 패드는, 상기 제 2 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 4 패드는, 상기 제 1 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되는 광원 모듈.
The method of claim 8,
The circuit board includes first to fourth pads spaced apart from each other,
The first pad is disposed at a position overlapping with the fifth protrusion in the vertical direction,
The second pad is disposed at a position overlapping with the sixth protrusion in the vertical direction,
The third pad is disposed at a position overlapping with the second protrusion in the vertical direction,
The fourth pad is disposed at a position overlapping the first protrusion in the vertical direction.
KR1020180034394A 2018-03-26 2018-03-26 Light emitting device package and light module KR20190112422A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180034394A KR20190112422A (en) 2018-03-26 2018-03-26 Light emitting device package and light module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180034394A KR20190112422A (en) 2018-03-26 2018-03-26 Light emitting device package and light module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190112422A true KR20190112422A (en) 2019-10-07

Family

ID=68422190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180034394A KR20190112422A (en) 2018-03-26 2018-03-26 Light emitting device package and light module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190112422A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3483944B1 (en) Light emitting device package and lighting apparatus comprising same
EP3444856A1 (en) Light emitting device package and light source apparatus
JP7335574B2 (en) light emitting device package
US11302846B2 (en) Light emitting device package and light source unit
EP3471156A1 (en) Light-emitting device package
TWI775911B (en) Light emitting device package
US11404618B2 (en) Light-emitting device package and light source module
KR102369821B1 (en) Light emitting device package
KR20190112422A (en) Light emitting device package and light module
KR102515603B1 (en) Light emitting device package and light module
KR102514176B1 (en) Light emitting device package and light source unit
KR102486040B1 (en) Light emitting device package and light source unit
KR102610607B1 (en) Light emitting device package
KR102559569B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR102526252B1 (en) Light emitting device package and light module
KR102359818B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package
KR102567568B1 (en) Semiconductor Package
KR102522822B1 (en) Light emitting device package
KR102369237B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package
KR102648675B1 (en) Semiconductor device and light emitting device package having thereof
KR102632216B1 (en) Semiconductor device and light emitting device package having thereof
KR20190105339A (en) Light emitting device package
KR20190142499A (en) Light emitting device package and light source unit
KR20190120540A (en) Light emitting device package and light unit
KR20190118761A (en) Light emitting device package, manufacturing method thereof and light source unit

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application