KR20190112422A - Light emitting device package and light module - Google Patents
Light emitting device package and light module Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190112422A KR20190112422A KR1020180034394A KR20180034394A KR20190112422A KR 20190112422 A KR20190112422 A KR 20190112422A KR 1020180034394 A KR1020180034394 A KR 1020180034394A KR 20180034394 A KR20180034394 A KR 20180034394A KR 20190112422 A KR20190112422 A KR 20190112422A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- protrusion
- frame
- light emitting
- emitting device
- disposed
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 5
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L Congo Red Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=CC2=C(N)C(N=NC3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)N=NC3=C(C4=CC=CC=C4C(=C3)S([O-])(=O)=O)N)=CC(S([O-])(=O)=O)=C21 IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012310 Polyamide 9T (PA9T) Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
실시예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and a light source module including the same.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy to adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 황색, 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using Group 3-Group 5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed using thin film growth technology and device materials. There is an advantage that can implement light of various wavelength bands such as green, blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is also fabricated using a Group 3-5
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb, which replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device may be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electrical energy is converted into light energy using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table. Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 노란색(Yellow) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, ultraviolet (UV) light emitting devices, blue light emitting devices, green light emitting devices, yellow light emitting devices, and red light emitting devices using nitride semiconductors are commercially used and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, a light emitting diode which emits light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, and is used in the wavelength band, for short wavelengths, for sterilization and purification, and for long wavelengths, an exposure machine or a curing machine. Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be classified into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm) in order of long wavelength. The UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, forgery discrimination, photocatalyst sterilization, special lighting (aquarium / agriculture, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm). ) Area is used for medical purposes, UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products.
또한, 가시광선 발광소자 역시 다양한 분야에 사용되고 있으며, 특히 노란색 광을 방출하는 발광소자의 경우 자동차의 측면 리피터(Side repeater) 및 리어 콤비네이션 램프(Rear combination lamp, RCL)의 방향 지시등으로 사용되고 있다. 그러나, 상기 노란색 광을 방출하는 발광소자의 경우 다른 색상의 광을 방출하는 발광소자에 비해 많은 양의 열을 방출하여 방열 문제가 있으며, 상기 열에 의해 상기 발광소자가 패키지 내부에서 탈락하는 문제가 있다.In addition, the visible light emitting device is also used in various fields, in particular, the light emitting device that emits yellow light is used as a direction indicator of the side repeater (Rear combination lamp) and rear combination lamp (RCL) of the vehicle. However, the light emitting device that emits yellow light has a heat dissipation problem by emitting a larger amount of heat than a light emitting device that emits light of a different color, and the light emitting device is eliminated from the package by the heat. .
또한, 적용되는 제품 또는 요구되는 제품에 따라 발광소자 패키지의 크기가 상이하며, 상기 발광소자 패키지가 배치되는 회로 기판 설계 역시 상이할 수 있다. 즉, 적용 대상에 따라 발광소자 패키지 또는 회로 기판의 설계를 변경해야 하기 때문에 제조 비용이 증가하며 공정 효율이 저하되는 문제점이 있다. In addition, the size of the light emitting device package is different according to the applied product or the required product, and the circuit board design on which the light emitting device package is disposed may also be different. That is, since the design of the light emitting device package or the circuit board needs to be changed according to the application target, there is a problem in that manufacturing cost increases and process efficiency decreases.
따라서, 상술한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지가 요구된다.Therefore, there is a need for a new light emitting device package and a semiconductor device package that can solve the above problems.
실시예는 제 1 프레임 및 제 2 프레임을 포함하고, 상기 제 1 프레임의 크기를 최적화하고 상기 제 1 프레임을 몸체의 관통홀을 통해 노출시켜 방열 특성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 또는 광원 모듈을 제공하고자 한다.The embodiment includes a light emitting device package or a light source module including a first frame and a second frame and optimizing the size of the first frame and exposing the first frame through a through hole of the body to improve heat dissipation characteristics. To provide.
또한, 실시예는 발광소자가 발광소자 패키지 내에서 탈락하는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 또는 광원 모듈을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package or a light source module that can prevent the light emitting device from falling in the light emitting device package.
또한, 실시예는 몸체로부터 돌출되는 복수 개의 돌출부를 이용하여 설계 변경 없이 다양한 회로 기판과 연결할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device package and a light source module that can be connected to a variety of circuit boards without changing the design by using a plurality of protrusions protruding from the body.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 본딩부를 포함하는 제 1 프레임, 제 2 본딩부를 포함하며 상기 제 1 프레임과 이격되어 배치되는 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체 및 상기 제 1 본딩부 상에 배치되는 발광소자를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제 1 및 제 2 본딩부와 전기적으로 연결되며, 상기 몸체는, 제 2 방향으로 연장하며 제 2 방향의 길이를 가지는 제 1 측면 및 상기 제 1 측면의 일끝단에서 제 1 방향으로 연장하며 제 1 방향의 길이를 가지는 제 3 측면을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 프레임 각각은, 상기 제 1 및 제 3 측면에 각각 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a first frame including a first bonding portion, a second frame including a second bonding portion and spaced apart from the first frame, and disposed between the first frame and the second frame. And a light emitting device disposed on the body and the first bonding portion, wherein the light emitting element is electrically connected to the first and second bonding portions, and the body extends in a second direction and has a length in a second direction. And a third side surface extending in a first direction at one end of the first side surface and having a length in a first direction, wherein the first and second frames each include the first and third sides. It includes at least one protrusion projecting on each side.
또한, 실시예에 따른 광원 모듈은 회로 기판 및 상기 회로 기판 상에 배치되는 상기 발광소자 패키지를 포함한다.In addition, the light source module according to the embodiment includes a circuit board and the light emitting device package disposed on the circuit board.
실시예는 제 1 프레임 및 제 2 프레임을 포함할 수 있고, 발광소자가 배치되는 제 1 프레임의 일부는 몸체의 관통홀을 통해 상기 몸체의 외부로 노출될 수 있다. 또한, 상기 발광소자가 배치되는 상기 제 1 프레임의 크기는 상기 제 2 프레임의 크기보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있어 방열 특성을 향상시킬 수 있다.The embodiment may include a first frame and a second frame, and a part of the first frame in which the light emitting device is disposed may be exposed to the outside of the body through the through hole of the body. In addition, the size of the first frame in which the light emitting device is disposed may be larger than the size of the second frame. Accordingly, the light emitting device package can effectively discharge the heat emitted from the light emitting device can improve the heat dissipation characteristics.
또한, 실시예는 상술한 바와 같이 상기 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있어, 상기 발광소자가 패키지 내부에서 탈락하는 현상을 방지할 수 있다. 상기 발광소자가 상기 제 1 프레임으로부터 탈락하는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 전체적인 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment can effectively discharge the heat emitted from the light emitting device as described above, it is possible to prevent the light emitting device from falling off inside the package. It is possible to prevent the light emitting device from falling off from the first frame. Accordingly, the overall reliability of the light emitting device package can be improved.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 내지 제 4 측면을 포함하는 몸체를 포함하고, 상기 제 1 측면 및 상기 제 2 측면의 제 1 방향의 길이는 상기 제 3 측면 및 상기 제 4 측면의 길이보다 길 수 있다. 이때, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임은 각각의 프레임으로부터 돌출되는 돌출부를 포함할 수 있으며, 상기 돌출부에 의해 패키지의 설계 변경 및 회로 기판의 설계 변경 없이 다양한 회로 기판과 연결할 수 있다. 이에 따라 제조 비용을 감소시킬 수 있고 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a body including the first to the fourth side, the length of the first side of the first side and the second side of the third side and the fourth side It may be longer than the length. In this case, the first frame and the second frame may include protrusions protruding from the respective frames, and the protrusions may be connected to various circuit boards without changing the design of the package and the design of the circuit board. As a result, manufacturing costs can be reduced and process efficiency can be improved.
또한, 상기 제 1 프레임은 상기 몸체가 배치되는 제 1 홀을 포함할 수 있고, 상기 제 2 프레임은 상기 몸체가 배치되는 제 2 홀을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀은 상기 몸체 상에 배치되는 상부 몸체와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 위치할 수 있다. 이에 따라 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀은 외부에서 시인되지 않아 상기 발광소자 패키지는 향상된 외관을 가질 수 있다.The first frame may include a first hole in which the body is disposed, and the second frame may include a second hole in which the body is disposed. In this case, the first hole and the second hole may be located at a position overlapping in the vertical direction with the upper body disposed on the body. Accordingly, the reliability of the light emitting device package can be improved, and the first hole and the second hole are not visible from the outside, so that the light emitting device package can have an improved appearance.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 실시예에 따른 프레임의 평면도이다.
도 5는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이다.
도 6은 도 2의 발광소자 패키지의 B-B' 단면도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 기판 상에 배치된 예를 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 기판 상에 배치된 다른 예를 도시한 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a rear view of the light emitting device package according to the embodiment.
4 is a plan view of a frame according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the light emitting device package of FIG. 2.
6 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of the light emitting device package of FIG. 2.
7 is a diagram illustrating an example in which a light emitting device package is disposed on a substrate.
8 illustrates another example in which a light emitting device package according to an exemplary embodiment is disposed on a substrate.
9 is a side cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment.
발명의 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 발명의 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of an embodiment of the invention, each layer (film), region, pattern or structures may be “on / over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. "On / over" and "under" are defined as being "directly" or "indirectly" through another layer. It includes everything. In addition, the reference to the top / top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but embodiments are not limited thereto.
발명의 실시예에 따른 반도체 소자 패키지는 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 발명에서 소자 패키지는 반도체 소자나 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.A semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present invention, the device package may include a semiconductor device or a light emitting device that emits light of ultraviolet rays, infrared rays, or visible light. Hereinafter, a description will be given based on a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device. The light emitting device may include a non-light emitting device such as a zener diode or a sensing device that monitors a wavelength or heat. Can be. Hereinafter, a description will be given based on a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device, and the light emitting device package will be described in detail.
발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 앞서, 제 1 방향은 도면에 도시된 x축 방향일 수 있고, 제 2 방향은 도면에 도시된 y축 방향으로 상기 x축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 또한, 제 3 방향은 도면에 도시된 z축 방향으로, 상기 x축 및 y축과 직교하는 방향일 수 있다.Before describing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the first direction may be the x-axis direction shown in the drawings, and the second direction may be the direction orthogonal to the x-axis direction in the y-axis direction shown in the drawings. Can be. In addition, the third direction may be a direction perpendicular to the x-axis and the y-axis in the z-axis direction shown in the drawing.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이고 도 4는 실시예에 따른 프레임의 평면도이다. 또한, 도 5는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이고, 도 6은 도 2의 발광소자 패키지의 B-B' 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to the embodiment, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package according to the embodiment, FIG. 3 is a rear view of the light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 4 is a frame according to the embodiment. Top view of the. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of the light emitting device package of FIG. 2.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 패키지 몸체(100) 및 발광소자(500)를 포함할 수 있다.1 to 6, the light emitting
상기 발광소자 패키지(1000)는 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 제 1 방향의 길이가 상기 제 2 방향의 길이보다 클 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 방향의 길이는 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향의 길이보다 길거나 같을 수 있다. 여기서, 상기 제 1 방향은 상기 발광소자(500)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 방향은 상기 발광소자(500)의 장변 방향일 수 있고, 상기 제 2 방향은 상기 발광소자(500)의 단변 방향일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 방향은 도면에서 x축 방향일 수 있고, 상기 제 2 방향은 도면에서 y축 방향일 수 있다. 또한, 수직 방향은 도면에서 z축 방향일 수 있다.The light emitting
상기 패키지 몸체(100)는 복수 개의 프레임을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 프레임은 적어도 2개의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 복수 개의 프레임은 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)을 포함할 수 있다.The package body 100 may include a plurality of frames. In detail, the frame may include at least two frames. For example, the plurality of frames may include a
상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(100)는 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(100)는 관통홀(TH)을 포함하는 몸체(110)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 상기 복수 개의 프레임들 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 복수 개의 프레임과 결합할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)을 감싸며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)을 부분적으로 감싸며 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(110)는 절연 부재로 지칭될 수 있다.The package body 100 may include a
상기 관통홀(TH)은 상기 몸체(110)의 상면 및 하면을 관통하는 홀일 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 폭은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 갈수록 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 상부 폭은 상기 관통홀(TH)의 하부 폭보다 넓을 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상부에서 하부로 갈수록 점차 좁은 폭을 가질 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 후술할 상기 관통홀 내부에 배치되는 프레임과 대응되는 형태를 가질 수 있다. The through hole TH may be a hole penetrating the upper and lower surfaces of the
상기 패키지 몸체(100)는 상기 제 1 프레임(200) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(100)는 상기 제 2 프레임(300) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(100)는 상기 몸체(110) 상에 배치되는 상부 몸체(110)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 상부 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 상부 몸체(110)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임 상에 배치되는 경사면을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 상에는 캐비티(122)가 제공될 수 있다. 상기 캐비티(122)의 높이(h1)는 약 550㎛ 내지 약 650㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 캐비티(122)의 높이(h1)는 약 580㎛ 내지 약 620㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 캐비티(122)의 높이(h1)는 약 590㎛ 내지 약 610㎛일 수 있다. 상기 몸체(110) 및 상기 상부 몸체(110)는 동일한 물질을 포함하거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몸체(110) 및 상기 상부 몸체(110)는 일체형으로 형성되거나 별도로 형성될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 상기 패키지 몸체(100)에 캐비티(122)가 형성된 구조로 제공될 수 있고, 상기 캐비티(122) 없이 상기 패키지 몸체(100)의 상면이 평탄한 구조, 예켠대 상기 상부 몸체(110)가 생략되어 상기 몸체(110)의 상면이 평탄한 구조로 제공될 수 있다.The package body 100 may be disposed on the
상기 몸체(110)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 상기 제 1 프레임(200), 상기 제 2 프레임(300) 및 이에 접촉되는 물질들이 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체(110)가 완충 작용을 할 수 있다. 이때 상기 몸체(110)가 상기 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 상기 제 1 방향이 상기 제 2 방향보다 클 수 있다. 실시예에 따른 몸체(110)는 바람직하게 PCT 또는 PPA 재질을 포함할 수 있으며, 상기 PCT 또는 상기 PPA 재질은 융점이 높고 열 가소성 수지이다. The
상기 상부 몸체(110)는 상기 캐비티(122)의 둘레에 경사진 측면(IS1, IS2)을 제공할 수 있다. 상기 경사진 측면(IS1, IS2)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 경사진 측면(IS1, IS2)을 포함할 수 있고, 상기 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)은 상기 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)은 상기 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)과 서로 다른 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)의 경사각은 상기 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)의 경사각보다 작을 수 있다.The
상기 몸체(110)는 복수 개의 측면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(110)는 상기 제 1 방향으로 서로 마주하며 대향되게 배치된 제 1 측면(S1) 및 제 2 측면(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 제 2 방향으로 연장하며 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 제 2 방향으로 서로 마주하며 대향되게 배치된 제 3 측면(S3) 및 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 제 1 방향으로 연장하며 제 1 방향의 길이를 가질 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각은, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)을 연결하는 측면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 측면(S3)은 상기 제 1 측면(S1)의 일끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 일끝단과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1)의 타끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 타끝단과 연결될 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)에 비해 길이가 길 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 및 제 4 측면(S3, S4)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 및 제 2 측면(S1, S2)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)의 양 단부에서 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제 1 내지 상기 제 4 측면(S1, S2, S3, S4)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다.The
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 몸체(110)에서 상기 프레임들 사이의 영역, 예컨대 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임 사이의 영역의 상부 및 하부 중 적어도 한 영역에 오목한 리세스(Recess)가 더 배치될 수 있다. 상기 리세스는 상기 프레임들 및 그 주변 물질들이 열 팽창 또는 수축할 때 완충시켜 줄 수 있다.Although not shown in the drawings, a recess is recessed in at least one of the upper and lower regions of the
상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 도전성 프레임은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 두께는 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려하여 형성될 수 있으며, 약 100㎛ 내지 약 300㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 두께는 서로 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 상술한 두께 범위 내에서 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.The
상기 제 1 프레임(200)과 상기 제 2 프레임(300)은 금속 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)과 상기 제 2 프레임(300)은 상기 패키지 몸체(100)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(500)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제 1 프레임(200)은 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있고, 상기 제 1 프레임(200)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 프레임(200)의 제 2 방향의 길이와 같거나 길 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)은 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 프레임(300)의 제 2 방향의 길이와 같거나 길 수 있다. The
상기 제 1 프레임(200)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 프레임(300)의 제 1 방향의 길이보다 길 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 2 프레임(300)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 즉, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)의 크기는 상기 제 2 프레임(300)의 크기보다 클 수 있다. 자세하게, 평면에서 보았을 때 상기 제 1 프레임(200)의 평면적은 상기 제 2 프레임(300)의 평면적보다 클 수 있다.The length in the first direction of the
상기 제 1 프레임(200)은 상기 패키지 몸체(100)의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(200)은 제 1 본딩부(205)를 포함할 수 있고, 상기 제 1 본딩부(205)는 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 중 적어도 하나의 측면 방향으로 연장될 수 있다.The
상기 제 2 프레임(300)은 상기 패키지 몸체(100)의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 프레임(300)은 제 2 본딩부(305)를 포함할 수 있고, 상기 제 2 본딩부(305)는 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 중 적어도 하나의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 본딩부(305)는 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장될 수 있다.The
상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305)는 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305) 사이의 간격(d0)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305) 사이의 간격(d0)은 약 90㎛ 내지 약 110㎛일 수 있다. 바람직하게 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305) 사이의 간격(d0)은 약 95㎛ 내지 약 105㎛일 수 있다. 상기 간격이 약 80㎛ 미만인 경우, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 사이의 간격이 좁아 전극 분리선의 기능을 수행할 수 없다. 또한, 상기 간격(d0)이 약 120㎛를 초과하는 경우, 발광소자(500)의 전기적 연결을 위한 와이어 본딩 공정 시 사용되는 와이어의 양이 증가할 수 있으며 전체적인 발광소자 패키지의 부피가 증가할 수 있다.The
상기 제 1 프레임(200)은 제 1 연장부를 더 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)로부터 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장되는 제 1 연장부를 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 연장부는 상기 제 2 본딩부(305)와 인접할 수 있다.The
상기 제 1 본딩부(205)의 제 2 방향 길이는 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 측면(S2)과 인접한 상기 제 1 본딩부(205)의 제 2 방향 길이는, 상기 제 1 측면(S1)과 인접한 상기 제 1 본딩부(205)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다.The length in the second direction of the
또한, 상기 제 2 본딩부(305)의 제 1 방향의 길이는 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 본딩부(305)의 제 1 방향 길이는, 상기 제 3 측면(S3)에서 상기 제 4 측면 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. In addition, the length of the
상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 중 적어도 하나의 프레임은 제 1 리세스(R1)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)의 크기가 상기 제 2 프레임(300)보다 클 경우, 상기 제 1 프레임(200)은 제 1 리세스(R1)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)과 수직 방향으로 대응되는 위치에 위치할 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)는 상기 관통홀(TH)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 여기서 상기 수직 방향은 도면에서 z축 방향을 의미할 수 있다. 즉, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 내부에 삽입되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205)의 일부는 상기 관통홀(TH) 내부에 삽입되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200) 중 상기 제 1 리세스(R1)가 형성된 영역은 상기 관통홀(TH) 내부에 삽입되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)의 바닥면 중 상기 제 1 리세스(R1)가 형성된 영역은 상기 관통홀(TH)의 내측면과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라 상기 관통홀(TH)은 외부에서 시인되지 않을 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 리세스(R1) 상에 배치될 수 있다.At least one frame of the
상기 제 1 리세스(R1)는 상기 제 1 프레임(200)의 상면 상에 위치할 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)는 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있고, 상기 제 1 리세스(R1)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 리세스(R1)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 또한, 상기 제 1 리세스(R1)의 제 1 방향의 길이는 상기 캐비티(122) 바닥의 제 1 방향의 길이보다 작을 수 있고, 상기 제 1 리세스의 제 2 방향의 길이는 상기 캐비티(122) 바닥의 제 2 방향의 길이보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 방향에 따른 열 팽창 또는 수축을 완충시켜 줄 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)의 제 1 리세스(R1)가 제 1 방향의 열 팽창 또는 수축을 완충시켜 줌으로써, 상기 제 1 프레임(200) 및 그 상부에 배치되는 도전부에 크랙이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.The first recess R1 may be located on an upper surface of the
상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는 상기 발광소자(500)의 두께보다 작을 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 리세스(R1)의 수직 방향 높이(h2)는 상기 발광소자(500)의 수직 방향 두께보다 작을 수 있다. 여기서 상기 수직 방향은 도면에서 z축 방향을 의미한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 리세스(R1) 상에 배치될 수 있고, 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 발광소자(500)의 최상면까지의 거리는 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 1 프레임(200)의 최상면까지의 거리보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)에서 측면 및 하면 방향으로 출사된 광은 상기 제 1 리세스(R1)를 통해 상부 방향으로 반사될 수 있다.The height h2 of the first recess R1 may be smaller than the thickness of the
또한, 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 두께보다 작을 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는 상기 몸체(110)의 두께보다 작을 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는, 상기 제 1 프레임(200)의 두께의 약 30% 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)는, 상기 제 1 프레임(200)의 두께의 약 30% 내지 약 80%일 수 있다. 상기 제 1 리세스(R1)의 높이(h2)가 약 30% 미만인 경우 방열 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 미미할 수 있고, 상기 깊이가 약 80%를 초과하는 경우 상기 제 1 프레임(200)의 신뢰성이 저하될 수 있다.In addition, the height h2 of the first recess R1 may be smaller than the thickness of the
상기 제 1 리세스(R1)는 상부에서 하부로 갈수록 점차 좁은 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 리세스(R1)에 의해 경사진 측면을 포함할 수 있다. 상기 경사진 측면은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 경사진 내측면을 포함할 수 있고, 상기 제 1 방향으로 경사진 내측면은 상기 제 2 방향으로 경사진 내측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 방향으로 경사진 내측면은 상기 제 2 방향으로 경사진 내측면과 서로 다른 경사각을 가질 수 있다. The first recess R1 may have a narrow width gradually from the top to the bottom. Accordingly, the
상기 제 1 방향으로 경사진 내측면의 경사각은 상기 제 2 방향으로 경사진 내측면의 경사각보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 1 리세스(R1)에서 제 1 방향으로 경사진 내측면의 경사각은, 상기 상부 몸체(120)에서 제 1 방향으로 경사진 측면(IS1)의 경사각과 대응되거나 작을 수 있다. 또한, 상기 제 1 리세스(R1)에서 제 2 방향으로 경사진 내측면의 경사각은, 상기 상부 몸체(120)에서 제 2 방향으로 경사진 측면(IS2)의 경사각과 대응되거나 작을 수 있다. The inclination angle of the inner side surface inclined in the first direction may be smaller than the inclination angle of the inner side surface inclined in the second direction. In addition, the inclination angle of the inner side surface inclined in the first direction in the first recess R1 may correspond to or be smaller than the inclination angle of the side surface IS1 inclined in the first direction in the
상기 제 1 프레임(200)은 제 1 측면(S1)에 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각으로부터 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 1 측면(S1), 상기 제 2 측면(S2), 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각으로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장되는 제 1 돌출부(210)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장되는 제 4 돌출부(220)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 2 측면(S2) 방향으로 연장되는 제 5 돌출부(230) 및 제 6 돌출부(240)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)는 상기 제 2 측면(S2)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 제 1 본딩부(205)에서 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 연장되는 제 7 돌출부(250) 및 제 8 돌출부(260)를 포함할 수 있다. 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)는 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출될 수 있다. 여기서 같은 측면으로부터 돌출되는 돌출부들은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 측면(S2)으로부터 돌출되는 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출되는 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 1 프레임(200)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 3 측면(S3)에 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 3 측면(S3) 각각으로부터 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 2 본딩부(305)에서 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 3 측면(S3) 각각으로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 2 본딩부(305)에서 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장되는 제 2 돌출부(310)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)은 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장되는 제 3 돌출부(320)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다. 여기서, 같은 측면으로부터 돌출되는 돌출부들은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출되는 상기 제 1 프레임(200)의 제 1 돌출부(210)와 상기 제 2 프레임(300)의 제 2 돌출부(310)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)의 제 4 돌출부(220)와 상기 제 2 프레임(300)의 제 3 돌출부(320)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
즉, 상기 제 1 측면(S1)에는 제 1 돌출부(210) 및 제 2 돌출부(310)가 위치할 수 있고, 상기 제 3 측면(S3)에는 제 3 돌출부(320) 및 제 4 돌출부(220)가 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 2 측면(S2)에는 제 5 돌출부(230) 및 제 6 돌출부(240)가 위치할 수 있고, 상기 제 4 측면(S4)에는 제 7 돌출부(250) 및 제 8 돌출부(260)가 위치할 수 있다.That is, a
상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 2 돌출부(310)는 서로 다른 극성일 수 있고, 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220)는 서로 다른 극성일 수 있다. 또한, 상기 제 1 돌출부(210), 제 4 돌출부(220) 제 5 돌출부(230), 상기 제 6 돌출부(240), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부는 서로 동일한 극성일 수 있고, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320)는 서로 동일한 극성일 수 있다.The
상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 6 돌출부(240)와 마주할 수 있다. 상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 6 돌출부(240)와 제 1 방향으로 이격되어 마주할 수 있다. 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 5 돌출부(230)와 마주할 수 있다. 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 5 돌출부(230)와 제 1 방향으로 이격되어 마주할 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 8 돌출부(260)와 마주할 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 8 돌출부(260)와 제 2 방향으로 이격되어 마주할 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 7 돌출부(250)와 마주할 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 7 돌출부(250)와 제 2 방향으로 이격되어 마주할 수 있다.The
상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 6 돌출부(240) 사이의 제 1 방향 거리는, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 5 돌출부(230) 사이의 제 1 방향 거리와 대응될 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 8 돌출부(260) 사이의 제 2 방향 거리는, 상기 제 4 돌출부(220) 및 상기 제 7 돌출부(250) 사이의 제 2 방향 거리와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 6 돌출부(240) 사이의 제 1 방향 거리는, 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 8 돌출부(260) 사이의 제 2 방향 거리보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 5 돌출부(230) 사이의 제 1 방향 거리는, 상기 제 4 돌출부(220) 및 상기 제 7 돌출부(250) 사이의 제 2 방향 거리보다 클 수 있다.The first directional distance between the
상기 제 1 측면(S1)에 배치된 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 2 돌출부(310)는 제 1 거리(d1)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 1 거리(d1)는 상기 제 1 돌출부(210)의 중심과 상기 제 2 돌출부(310)의 중심 사이의 거리일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3)에 배치된 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220)는 제 2 거리(d2)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 2 거리(d2)는 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220)의 중심 사이의 거리일 수 있다. 상기 제 2 측면(S2)에 배치된 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)는 제 3 거리(d3)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 3 거리(d3)는 상기 제 5 돌출부(230)의 중심과 상기 제 6 돌출부(240)의 중심 사이의 거리일 수 있다. 상기 제 4 측면(S4)에 배치된 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)는 제 4 거리(d4)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 4 거리(d4)는 상기 제 7 돌출부(250)의 중심과 상기 제 8 돌출부(260)의 중심 사이의 거리일 수 있다. The
상기 제 1 거리(d1) 값은 상기 제 3 거리(d3) 값과 대응될 수 있다. 상기 제 2 거리(d2) 값은 상기 제 4 거리(d4) 값과 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 거리(d1) 값은 상기 제 2 거리(d2) 값과 상이할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 거리(d1) 값은 상기 제 2 거리(d2) 값보다 작을 수 있다. The first distance d1 may correspond to the third distance d3. The second distance d2 may correspond to the fourth distance d4. In addition, the first distance d1 may be different from the second distance d2. In detail, the first distance d1 may be smaller than the second distance d2.
도 5를 참조하면, 상기 돌출부들은 각각의 프레임 몸체의 끝단으로부터 절곡되어 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 4 내지 상기 제 8 돌출부(220, 230, 240, 250, 260)는 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단으로부터 절곡되어 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 돌출부(210)는 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 4 돌출부(220)는 상기 제 1 프레임(200) 몸체(110)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240) 각각은 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 2 측면(S2) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 2 측면(S2)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260) 각각은 상기 제 1 본딩부(205)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출될 수 있다.Referring to FIG. 5, the protrusions may be bent from the end of each frame body to protrude in a branched shape. For example, the
또한, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 2 본딩부(305)의 끝단으로부터 절곡되어 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 돌출부(310)는 상기 제 2 본딩부(305)의 끝단에서 절곡되어 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 1 측면(S1)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 제 3 돌출부(320)는 상기 제 2 본딩부(305)의 끝단으로부터 절곡되어 상기 제 3 측면(S3) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 제 3 측면(S3)으로부터 돌출될 수 있다.In addition, the
상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 4 내지 상기 제 8 돌출부(220, 230, 240, 250, 260) 중 선택되는 하나의 돌출부의 상면까지의 높이는, 상기 제 1 프레임(200)의 전체 두께, 예컨대 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 1 프레임(200)의 최상면까지의 높이보다 작을 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320) 중 선택되는 하나의 돌출부의 상면까지의 높이는, 상기 제 2 프레임(300)의 전체 두께, 예컨대 상기 몸체(110)의 바닥면에서 상기 제 2 프레임(300)의 최상면까지의 높이보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 4 내지 제 8 돌출부(220, 230, 240, 250, 260)의 바닥면은, 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면보다 낮을 수 있다. 또한, 상기 제 2 돌출부(310) 및 상기 제 3 돌출부(320)의 바닥면은, 상기 제 2 본딩부(305)의 바닥면보다 낮을 수 있다.The height from the bottom surface of the
상기 제 1 돌출부(210) 및 상기 제 2 돌출부(310) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 3 돌출부(320) 및 상기 제 4 돌출부(220) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260) 사이의 오픈 영역에는 상기 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다. A portion of the
상기 제 1 프레임(200)은 상기 몸체(110)의 바닥면에 노출될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)의 일부는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 의해 상기 몸체(110)의 바닥면에 노출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205)의 일부는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 의해 노출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 내지 제 8 돌출부(210, 310, 320, 220, 230, 240, 250, 260)는 상기 몸체(110)로부터 돌출되어 상기 몸체(110)의 바닥면에 노출될 수 있다.The
상기 몸체(110)의 관통홀(TH)에 의해 노출되는 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면과 동일한 면 상에 위치할 수 있다. The bottom surface of the
이때, 상기 관통홀(TH)에 의해 노출된 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면 면적(SA1)은 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)의 약 15% 내지 약 30%일 수 있다. 자세하게, 노출된 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면 면적(SA1)은 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)의 약 18% 내지 약 27%일 수 있다. 바람직하게, 노출된 상기 제 1 본딩부(205)의 바닥면 면적(SA1)은 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)의 약 20% 내지 약 25%일 수 있다. 여기서, 상기 몸체(110)의 바닥면 전체 면적(SA2)은 상기 발광소자 패키지를 배면에서 보았을 때 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)이 제거된 링(ring) 형태를 가지는 영역의 면적을 의미할 수 있다. 상기 면적이 15% 미만인 경우 방열 특성이 향상되는 효과가 미미할 수 있고, 상기 면적이 30%를 초과할 경우 상기 몸체(110)가 차지하는 비율이 감소하여 발광소자 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있다. 즉, 신뢰성 및 방열 특성 향상을 위해 상기 노출되는 제 1 프레임(200)의 바닥면의 면적은 상술한 범위인 것이 바람직할 수 있다.In this case, the bottom surface area SA1 of the
또한, 상기 캐비티(122) 바닥에 배치된 상기 제 1 본딩부(205)의 상면 면적은 상기 캐비티(122) 바닥에 배치된 상기 제 2 본딩부(305)의 상면 면적의 2배 이상일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지의 방열 특성은 향상될 수 있다.In addition, an upper surface area of the
각각의 돌출부의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면과 동일한 면 상에 위치할 수 있다. 이와 다르게 상기, 각각의 돌출부의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면과 상이한 면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 돌출부들의 바닥면은 상기 몸체(110)의 바닥면으로부터 하부 방향으로 더 돌출될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출부들과 상기 바닥면 사이에는 단차를 가질 수 있다.The bottom surface of each protrusion may be located on the same surface as the bottom surface of the
상기 제 1 프레임(200)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 본딩부(205)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(205)에는 적어도 하나의 제 1 홀(TH1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(300)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 본딩부(305)에는 적어도 하나의 홀이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 본딩부(305)에는 적어도 하나의 제 2 홀(TH2)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 제 1 리세스(R1)와 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 제 1 리세스(R1)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2) 내부에는 상기 몸체(110)가 배치될 수 있다.At least one hole may be disposed in the
상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 원형, 타원형, 사각형, 삼각형 및 다각형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 서로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 홀(TH1)은 상기 제 2 홀(TH2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 여기서 크기는 상기 홀의 직경, 너비 또는 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)을 통해 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 상기 몸체(110)와 결합할 수 있다.The first hole TH1 and the second hole TH2 may have a shape of at least one of a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, and a polygon. The first hole TH1 and the second hole TH2 may have shapes corresponding to each other. In addition, the first hole TH1 may have a size corresponding to the second hole TH2. Here, the size may mean the diameter, width or width of the hole. The
상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)에는 상기 몸체(110)와의 결합을 강화하기 위해 스텝 구조가 더 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(200)은 상기 몸체(110)와의 결합력 강화를 위해 적어도 하나의 홀이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200)에는 적어도 하나의 제 3 홀(TH3)이 더 배치될 수 있고, 상기 제 2 프레임(300)에는 적어도 하나의 제 4 홀(TH4)이 더 배치될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(205)로부터 연장되는 돌출부에는 상기 제 3 홀(TH3)이 배치될 수 있고, 상기 제 2 본딩부(305)로부터 연장되는 돌출부에는 상기 제 4 홀(TH4)이 배치될 수 있다.Step structures may be further disposed on the
상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 원형, 타원형, 사각형, 삼각형 및 다각형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다. 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 서로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 서로 대응되는 크기를 가질 수 있다.The third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have a shape of at least one of a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, and a polygon. The third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have shapes corresponding to each other. In addition, the third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have sizes corresponding to each other.
상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)과 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)의 크기는 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)의 크기보다 작을 수 있다. 여기서 크기는 상기 홀의 직경, 너비 또는 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 내지 상기 제 4 홀(TH1, TH2, TH3, TH4)을 통해 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)은 상기 몸체(110)와 보다 강하게 결합할 수 있다.The third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have a shape corresponding to the first hole TH1 and the second hole TH2. In addition, the third hole TH3 and the fourth hole TH4 may have sizes different from those of the first hole TH1 and the second hole TH2. For example, the size of the third hole TH3 and the fourth hole TH4 may be smaller than the size of the first hole TH1 and the second hole TH2. Here, the size may mean the diameter, width or width of the hole. The
상기 제 1 홀(TH1)은 상기 제 4 돌출부(220), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)와 인접하게 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 3 홀(TH3)은 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)와 인접하게 위치할 수 있다. 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 제 3 돌출부(320)와 인접하게 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 4 홀(TH4)은 상기 제 2 돌출부(310)와 인접하게 위치할 수 있다.The first hole TH1 may be positioned adjacent to the
또한, 상기 제 1 내지 제 4 홀(TH1, TH2, TH3, TH4)은 상기 상부 몸체(110)와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 상부 몸체(110)와 수직방향으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 홀(TH1) 및 상기 제 2 홀(TH2)은 상기 상부 몸체(110)와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. In addition, the first to fourth holes TH1, TH2, TH3, and TH4 may be disposed in regions corresponding to the
또한, 상기 발광소자(500)에서 상기 제 1 홀(TH1) 및/또는 상기 제 2 홀(TH2) 사이의 거리는, 상기 발광소자(500)에서 상기 제 3 홀(TH3) 및/또는 상기 제 4 홀(TH4) 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 이에 따라, 평면에서 상기 발광소자 패키지(1000)를 보았을 때, 사기 상부 몸체(110)에 의해 상기 제 1 홀(TH1), 상기 제 2 홀(TH2), 상기 제 3 홀(TH3) 및 상기 제 4 홀(TH4)은 외부에서 시인되지 않을 수 있다.In addition, the distance between the first hole TH1 and / or the second hole TH2 in the
상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(200) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 본딩부(205) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하세, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 리세스(R1) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 본딩부(205) 및 상기 제 2 본딩부(305)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(500) 상에는 제 1 전극(91) 및 제 2 전극(90)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 상부에는 제 1 전극(91)이 배치될 수 있고, 상기 발광소자(500)의 하부에는 제 2 전극(90)이 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)의 제 2 전극(90)은 상기 제 1 프레임(200)과 마주할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 전극(90)은 상기 제 1 프레임(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)의 제 1 전극(91)은 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 제 1 전극(91)은 와이어(550)를 통해 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 몰딩부(190)를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(500) 상에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 패키지 몸체(100)에 의하여 제공된 캐비티(122)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 캐비티(122) 및 상기 제 1 리세스(R1)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(500)를 감싸며 배치될 수 있다.The light emitting
상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(500)는 황색, 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.The
상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610nm에서 650nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, NaYF4:Mn4+, NaGdF4:Mn4+, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.The phosphor disposed inside or below the
실시예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.The phosphor composition according to the embodiment should basically conform to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr may be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y may be substituted with Tb, Lu, Sc, Gd, etc. of the lanthanide series. In addition, the active agent Eu, etc. may be substituted by Ce, Tb, Pr, Er, Yb, etc. according to a desired energy level, and an active agent alone or a deactivator may be additionally applied to modify properties.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.The quantum dot phosphor may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit red light. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si,
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 기판 상에 배치된 광원 모듈의 예를 도시한 도면이고, 도 8은 다른 예를 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating an example of a light source module in which a light emitting device package is disposed on a substrate, and FIG. 8 is a diagram illustrating another example.
도 7 및 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 기판(600) 상에 배치될 수 있다. 상기 기판(600)은 회로 기판일 수 있다. 상기 회로 기판(600)에는 상기 발광소자(500)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다.7 and 8, the light emitting
상기 기판(600)은 복수 개의 패드들(611, 613, 615, 617)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)은 상기 기판(600)의 패드들(611, 613, 615, 617)과 본딩부로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 돌출부는 상기 기판(600)의 패드들(611, 613, 615, 617)과 대응되는 위치에 위치할 수 있고, 상기 본딩부로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 발광소자(500)는 상기 기판(600)의 각 패드들(611, 613, 615, 617)로부터 전원을 공급받을 수 있다. The
각각의 상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 원형, 타원형, 사각형, 삼각형 및 다각형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다.Each of the
상기 패드(611, 613, 615, 617)의 상면은 상기 기판(600)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이와 다르게, 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 상면은 상기 기판(600)의 상면과 상이한 평면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 상면은 상기 기판(600)의 상면으로부터 돌출되어 상기 기판(600)의 상면보다 더 높게 배치될 수 있다.Top surfaces of the
각각의 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 제 1 방향의 폭은, 각각의 상기 돌출부의 제 1 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 또한, 각각의 상기 패드(611, 613, 615, 617)의 제 2 방향의 폭은, 각각의 상기 돌출부의 제 2 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)의 제 1 방향의 폭은 그 상부에 위치하는 하나의 돌출부의 제 1 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(611)의 제 2 방향의 폭은 그 상부에 위치하는 하나의 돌출부의 제 2 방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다.The width in the first direction of each of the
도 7을 참조하면, 상기 패드는 제 1 패드(611), 제 2 패드(613), 제 3 패드(615) 및 제 4 패드(617)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 3 패드(615)와 제 2 방향으로 마주할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 제 4 패드(617)와 제 2 방향으로 마주할 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 2 패드(613)와 제 1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 3 패드(615)는 상기 제 4 패드(617)와 제 1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7, the pad may include a
상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 1 방향 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 2 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다. The distance between the first directions of the first and
상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 1 방향 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(615, 617)의 제 2 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(617, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the first direction of the first and
상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 2 방향 사이의 거리는, 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 제 2 방향 사이의 거리와 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the second directions of the first and
상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 돌출부와 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 패드(611, 613, 615, 617)는 상기 돌출부와 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611) 상기 제 4 돌출부(220) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 제 3 돌출부(320) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 3 패드(615)는 제 7 돌출부(250) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 4 패드(617)는 제 8 돌출부(260) 아래에 위치할 수 있다. 이와 더불어, 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 2 돌출부(310), 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240) 하부에는 상기 패드들(611, 613, 615, 617)이 위치하지 않을 수 있다. The
이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 발광소자(500)는 상기 제 1 내지 제 4 패드(611, 613, 615, 617)와, 상기 제 3 돌출부(320), 상기 제 4 돌출부(220), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260)에 의해 전원을 공급받을 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드(611), 상기 제 3 패드(615) 및 상기 제 4 패드(617)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 2 전극(90)과 연결될 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 전극(91)과 연결될 수 있다.Accordingly, the
또한, 도 8을 참조하면, 상기 패드는 제 1 패드(611), 제 2 패드(613), 제 3 패드(615) 및 제 4 패드(617)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 3 패드(615)와 제 1 방향으로 마주할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 제 4 패드(617)와 제 1 방향으로 마주할 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 2 패드(613)와 제 2 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 3 패드(615)는 상기 제 4 패드(617)와 제 2 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, referring to FIG. 8, the pad may include a
상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 2 방향 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 1 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다. The distance between the second directions of the first and
상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 제 2 방향 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(615, 617)의 제 1 방향 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 패드(611, 613)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(617, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the second directions of the first and
상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 제 1 방향 사이의 거리는, 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 제 1 방향 사이의 거리와 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 3 패드(611, 615)의 중심 사이의 거리는 상기 제 2 및 제 4 패드(613, 617)의 중심 사이의 거리보다 짧을 수 있다.The distance between the first directions of the first and
상기 패드들(611, 613, 615, 617)은 상기 제 1 프레임(200) 및 상기 제 2 프레임(300)의 돌출부와 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 패드(611, 613, 615, 617)는 상기 돌출부와 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(611)는 상기 제 5 돌출부(230) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 2 패드(613)는 상기 제 6 돌출부(240) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 3 패드(615)는 상기 제 2 돌출부(310) 아래에 위치할 수 있고, 상기 제 4 패드(617)는 상기 제 1 돌출부(210) 아래에 위치할 수 있다. 이와 더불어, 상기 제 3 돌출부(320), 상기 제 4 돌출부(220), 상기 제 7 돌출부(250) 및 상기 제 8 돌출부(260) 하부에는 상기 패드들(611, 613, 615, 617)이 위치하지 않을 수 있다. The
이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 발광소자(500)는 상기 제 1 내지 제 4 패드(611, 613, 615, 617)와, 상기 제 1 돌출부(210), 상기 제 2 돌출부(310), 상기 제 5 돌출부(230) 및 상기 제 6 돌출부(240)에 의해 전원을 공급받을 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드(611), 상기 제 2 패드(613) 및 상기 제 4 패드(617)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 2 전극(90)과 연결될 수 있고, 상기 제 3 패드(615)는 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 전극(91)과 연결될 수 있다.Accordingly, the
즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 회로 기판 또는 패키지의 설계 변경 없이 다양한 크기의 기판과 대응될 수 있고, 전기적으로 연결할 수 있다.That is, the light emitting
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다. 9 is a side cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment.
도 9를 참조하면, 상기 발광소자(500)는 상부에 제 1 도전형 반도체층(11)과 전기적으로 연결된 제 1 전극(91)이 배치되고, 하부에 제 2 도전형 반도체층(13)과 전기적으로 연결된 제 2 전극(90)이 배치된 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 9, the
상기 발광소자(500)는 제 1 전극(91), 발광 구조물(10) 및 상기 발광 구조물(10) 아래에 복수의 전도층(96, 97, 98, 99)을 갖는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(91)은 상기 발광 구조물(10) 상에 배치되며, 가지 패턴 또는 암 패턴(91A)과 같은 전극을 가질 수 있다. 상기 제 2 전극(90)은 상기 제 1 프레임(200)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 1 전극(91)은 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(91)은 와이어(550)를 통해 상기 제 2 프레임(300)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광 구조물(10)은 제 1 도전형 반도체층(11), 제 2 도전형 반도체층(13), 및 상기 제 1 도전형 반도체층(11)과 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 사이에 활성층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(11)은 n형 도펀트를 갖는 반도체일 수 있으며, 상기 제 2 도전형 반도체층(13)은 p형 도펀트를 갖는 반도체일 수 있다. 상기 발광 구조물(10)은 II족 내지 V족 원소 및 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(13)은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(13)은 우물층/장벽층을 포함하며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 발광 구조물(10)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The
상기 제 2 전극(90)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치되며, 접촉층(96), 반사층(97), 본딩층(98) 및 전도성 지지 부재(99)를 포함한다. 상기 제 2 전극(90)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 접촉층(96)은 반도체층 예컨대, 제 2 도전형 반도체층(13)과 접촉된다. 상기 접촉층(96)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다. 상기 접촉층(96) 아래에 반사층(97)이 배치되며, 상기 반사층(97)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(97)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 아래에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사층(97) 아래에는 본딩층(98)이 배치되며, 상기 본딩층(98)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
상기 제 2 도전형 반도체층(13)과 제 2 전극(90) 사이에 하부 보호층(83) 및 전류 블록킹층(85)이 배치된다. 상기 하부 보호층(83)은 상기 제 2 도전형 반도체층(13)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하부 보호층(83)은 투명한 전도성 물질 또는 절연성 물질을 포함하며, 예컨대 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 하부 보호층(83)의 내측부는 상기 제 2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물(10)의 측면보다 더 외측에 배치된다. 상기 전류 블록킹층(85)은 제 2 도전형 반도체층(13)과 접촉층(96) 또는 반사층(97) 사이에 배치될 수 있다. 상기 전류 블록킹층(85)은 절연물질을 포함하며, 예컨대 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전류 블록킹층(85)은 쇼트키 접촉을 위한 금속으로도 형성될 수 있다. The
상기 전류 블록킹층(85)은 상기 발광 구조물(10) 상에 배치된 제 1 전극(91)과 상기 발광 구조물(10)의 두께 방향으로 대응되게 배치된다. 상기 전류 블록킹층(85)은 상기 제 2 전극(90)으로부터 공급되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 전류 블록킹층(85)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 제 1 전극(91)과 수직 방향으로 적어도 일부 또는 전 영역이 오버랩될 수 있다. The
상기 본딩층(98) 아래에는 전도성 지지 부재(99)가 형성되며, 상기 전도성 지지 부재(99)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(99)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. A
상기 제 1 도전형 반도체층(11)의 상면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조(미도시)로 형성될 수 있다. 상기 반도체층의 표면에는 절연층(87)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이에 따라 발광 구조물(10) 위에 제 1 전극(91) 및 아래에 전도성 지지 부재(99)를 갖는 수직형 전극 구조를 갖는 발광 칩이 제조될 수 있다.An upper surface of the first
한편, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. 광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light source device. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, or the like according to an industrial field. As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light and including a light emitting element, and a light disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module to the front. An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device does not include a color filter and may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are disposed.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp may include a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, a front, and reflected by the reflector. It may include a lens for refracting the light forward, and a shade for blocking or reflecting a portion of the light reflected by the reflector toward the lens to achieve a light distribution pattern desired by the designer.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Another example of a light source device may include a lighting device, a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of the member and the holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.
즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)을 포함할 수 있고, 상기 발광소자(500)가 배치되는 제 1 프레임(200)의 일부는 상기 몸체(110)의 관통홀(TH)을 통해 바닥면에 노출될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)는 열을 효과적으로 배출할 수 있어 방열 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열에 의해 상기 발광소자(500)가 상기 제 1 프레임(200)으로부터 탈락하는 현상을 방지할 수 있어 전체적인 발광소자 패키지(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.That is, the light emitting
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 제 1 내지 제 4 측면(S1, S2, S3, S4)을 포함하는 몸체(110)를 포함하고, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)의 제 2 방향의 길이보다 길수 있다. 이때, 상기 발광소자 패키지(1000)는 복수 개의 돌출부를 포함하는 제 1 프레임(200) 및 제 2 프레임(300)을 포함할 수 있고, 각각의 프레임으로부터 돌출되는 돌출부 사이의 간격을 조절하여 하나의 패키지로 다양한 기판(600)과 연결할 수 있다. 이에 따라, 회로 기판의 설계 변경 및/또는 패키지의 설계 변경 없이 다양한 크기의 기판과 대응될 수 있고 전기적으로 연결할 수 있다. 따라서, 제조 비용을 감소시킬 수 있고 공정 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, the light emitting
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (10)
제 2 본딩부를 포함하며 상기 제 1 프레임과 이격되어 배치되는 제 2 프레임;
상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체; 및
상기 제 1 본딩부 상에 배치되는 발광소자를 포함하고,
상기 발광소자는, 상기 제 1 및 제 2 본딩부와 전기적으로 연결되고,
상기 몸체는, 제 2 방향으로 연장하며 제 2 방향의 길이를 가지는 제 1 측면 및 상기 제 1 측면의 일끝단에서 제 1 방향으로 연장하며 제 1 방향의 길이를 가지는 제 3 측면을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 프레임 각각은, 상기 제 1 및 제 3 측면에 각각 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.A first frame including a first bonding part;
A second frame including a second bonding portion and spaced apart from the first frame;
A body disposed between the first frame and the second frame; And
It includes a light emitting element disposed on the first bonding portion,
The light emitting device is electrically connected to the first and second bonding portions,
The body includes a first side surface extending in a second direction and having a length in a second direction, and a third side surface extending in a first direction at one end of the first side surface and having a length in a first direction,
Each of the first and second frames includes at least one protrusion protruding from the first and third side surfaces, respectively.
상기 몸체는,
상기 제 1 측면과 제 1 방향으로 마주하는 제 2 측면; 및
상기 제 3 측면과 제 2 방향으로 마주하는 제 4 측면을 더 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 측면의 제 2 방향의 길이는, 상기 제 3 및 제 4 측면의 제 1 방향의 길이보다 짧은 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The body,
A second side facing the first side in a first direction; And
Further comprising a fourth side facing the third side in a second direction,
A light emitting device package having a length in the second direction of the first and second side surfaces shorter than a length in the first direction of the third and fourth side surfaces.
상기 제 1 프레임은,
상기 제 1 측면으로부터 돌출되는 제 1 돌출부;
상기 제 2 측면으로부터 돌출되는 제 5 돌출부 및 제 6 돌출부;
상기 제 3 측면으로부터 돌출되는 제 4 돌출부; 및
상기 제 4 측면으로부터 돌출되는 제 7 돌출부 및 제 8 돌출부를 포함하고,
상기 제 2 프레임은,
상기 제 1 측면으로부터 돌출되는 제 2 돌출부; 및
상기 제 3 측면으로부터 돌출되는 제 3 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 2,
The first frame,
A first protrusion protruding from the first side;
Fifth and sixth protrusions protruding from the second side surface;
A fourth protrusion protruding from the third side; And
A seventh protrusion and an eighth protrusion protruding from the fourth side;
The second frame,
A second protrusion protruding from the first side; And
The light emitting device package including a third protrusion protruding from the third side.
상기 제 1 돌출부 및 상기 제 6 돌출부 사이의 제 1 방향 간격은, 상기 제 4 돌출부 및 상기 제 7 돌출부 사이의 제 2 방향 간격보다 큰 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein
The light emitting device package of claim 1, wherein a first direction gap between the first protrusion and the sixth protrusion is greater than a second direction gap between the fourth protrusion and the seventh protrusion.
상기 제 1 돌출부 및 상기 제 4 내지 제 8 돌출부의 바닥면은, 상기 제 1 본딩부의 바닥면보다 낮고,
상기 제 2 돌출부 및 상기 제 3 돌출부의 바닥면은, 상기 제 2 본딩부의 바닥면보다 낮은 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein
The bottom surface of the first protrusion and the fourth to eighth protrusions is lower than the bottom surface of the first bonding portion,
The bottom surface of the second protrusion and the third protrusion, the light emitting device package lower than the bottom surface of the second bonding portion.
상기 제 1 측면에 배치된 상기 제 1 돌출부 및 상기 제 2 돌출부의 중심 사이의 거리는, 상기 제 3 측면에 배치된 상기 제 3 돌출부 및 상기 제 4 돌출부의 중심 사이의 거리보다 긴 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein
The distance between the center of the first protrusion and the second protrusion disposed on the first side, the light emitting device package is longer than the distance between the center of the third protrusion and the fourth protrusion disposed on the third side.
상기 제 1 프레임의 평면적은 상기 제 2 프레임의 평면적보다 큰 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The planar area of the first frame is larger than the planar area of the second frame.
상기 회로 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하고,
상기 발광소자 패키지는 제 6 항에 따른 발광소자 패키지인 광원 모듈.A circuit board; And
A light emitting device package disposed on the circuit board;
The light emitting device package is a light source module according to claim 6.
상기 회로기판은 서로 이격되어 배치되는 제 1 내지 제 4 패드를 포함하고,
상기 제 1 패드는, 상기 제 4 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 2 패드는, 상기 제 3 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 3 패드는, 상기 제 7 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 4 패드는, 상기 제 8 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되는 광원 모듈.The method of claim 8,
The circuit board includes first to fourth pads spaced apart from each other,
The first pad is disposed at a position overlapping with the fourth protrusion in the vertical direction,
The second pad is disposed at a position overlapping with the third protrusion in the vertical direction,
The third pad is disposed at a position overlapping with the seventh protrusion in the vertical direction,
The fourth pad is disposed at a position overlapping with the eighth protrusion in the vertical direction.
상기 회로기판은 서로 이격되어 배치되는 제 1 내지 제 4 패드를 포함하고,
상기 제 1 패드는, 상기 제 5 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 2 패드는, 상기 제 6 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 3 패드는, 상기 제 2 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되고,
상기 제 4 패드는, 상기 제 1 돌출부와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치되는 광원 모듈.The method of claim 8,
The circuit board includes first to fourth pads spaced apart from each other,
The first pad is disposed at a position overlapping with the fifth protrusion in the vertical direction,
The second pad is disposed at a position overlapping with the sixth protrusion in the vertical direction,
The third pad is disposed at a position overlapping with the second protrusion in the vertical direction,
The fourth pad is disposed at a position overlapping the first protrusion in the vertical direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180034394A KR20190112422A (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Light emitting device package and light module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180034394A KR20190112422A (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Light emitting device package and light module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190112422A true KR20190112422A (en) | 2019-10-07 |
Family
ID=68422190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180034394A KR20190112422A (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Light emitting device package and light module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20190112422A (en) |
-
2018
- 2018-03-26 KR KR1020180034394A patent/KR20190112422A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3483944B1 (en) | Light emitting device package and lighting apparatus comprising same | |
EP3444856A1 (en) | Light emitting device package and light source apparatus | |
JP7335574B2 (en) | light emitting device package | |
US11302846B2 (en) | Light emitting device package and light source unit | |
EP3471156A1 (en) | Light-emitting device package | |
TWI775911B (en) | Light emitting device package | |
US11404618B2 (en) | Light-emitting device package and light source module | |
KR102369821B1 (en) | Light emitting device package | |
KR20190112422A (en) | Light emitting device package and light module | |
KR102515603B1 (en) | Light emitting device package and light module | |
KR102514176B1 (en) | Light emitting device package and light source unit | |
KR102486040B1 (en) | Light emitting device package and light source unit | |
KR102610607B1 (en) | Light emitting device package | |
KR102559569B1 (en) | Light emitting device package and light unit | |
KR102526252B1 (en) | Light emitting device package and light module | |
KR102359818B1 (en) | Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package | |
KR102567568B1 (en) | Semiconductor Package | |
KR102522822B1 (en) | Light emitting device package | |
KR102369237B1 (en) | Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package | |
KR102648675B1 (en) | Semiconductor device and light emitting device package having thereof | |
KR102632216B1 (en) | Semiconductor device and light emitting device package having thereof | |
KR20190105339A (en) | Light emitting device package | |
KR20190142499A (en) | Light emitting device package and light source unit | |
KR20190120540A (en) | Light emitting device package and light unit | |
KR20190118761A (en) | Light emitting device package, manufacturing method thereof and light source unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |