KR102486040B1 - Light emitting device package and light source unit - Google Patents

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Abstract

발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 내에 복수의 캐비티; 상기 캐비티 각각에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀; 상기 제1관통홀과 대면하는 제1본딩부 및 상기 제2관통홀과 대면하는 제2본딩부를 갖는 복수의 발광소자; 상기 각 캐비티의 제1관통홀의 둘레에 배치된 제1금속부; 상기 각 캐비티의 제2관통홀의 둘레에 배치된 제2금속부; 및 상기 몸체 상에 형광체층을 포함하며, 상기 제1 및 제2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 상기 몸체의 두께보다 작고, 상기 복수의 캐비티 중 제1캐비티에 배치된 상기 제1 및 제2금속부 중 어느 하나는 제2캐비티에 배치된 상기 제1 및 제2금속부 중 어느 하나와 연결될 수 있다.A light emitting device package disclosed in an embodiment of the invention includes a body; a plurality of cavities within the body; first and second through holes spaced apart from each other in each of the cavities; a plurality of light emitting elements having a first bonding portion facing the first through hole and a second bonding portion facing the second through hole; first metal parts disposed around the first through holes of each of the cavities; a second metal part disposed around the second through hole of each cavity; and a phosphor layer on the body, wherein a thickness of the first and second metal parts is smaller than a thickness of the body disposed below the light emitting device, and the first cavity disposed in a first cavity among the plurality of cavities. and any one of the second metal parts may be connected to any one of the first and second metal parts disposed in the second cavity.

Figure R1020180040638
Figure R1020180040638

Description

발광소자 패키지 및 광원 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE UNIT}Light emitting device package and light source device {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE UNIT}

발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a light emitting device package, a method for manufacturing a light emitting device package, and a light source device having the same.

발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a semiconductor device package, a method for manufacturing a semiconductor device package, and a light source device having the same.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and can be used in various ways such as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials are developed in thin film growth technology and device materials to produce red, green, It has the advantage of being able to implement light in various wavelength bands such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material can implement a white light source with high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. These light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when light receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials, photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of device materials. By doing so, it is possible to use light in a wide range of wavelengths from gamma rays to radio wavelengths. In addition, such a light-receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy control of element materials, so that it can be easily used in power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can replace a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, and can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications are expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, applications of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device (Light Emitting Device) may be provided as, for example, a p-n junction diode having a characteristic of converting electrical energy into light energy using a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, and a compound semiconductor Various wavelengths can be implemented by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are of great interest in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, red light emitting devices, and the like using nitride semiconductors are commercialized and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, as a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, in the wavelength range, in the case of a short wavelength, it is used for sterilization and purification, and in the case of a long wavelength, an exposure machine or a curing machine, etc. can be used

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet light can be divided into three types in order of wavelength: UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm). UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit money discrimination, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm) ) area is used for medical purposes, and the UV-C (200nm~280nm) area is applied to air purification, water purification, and sterilization products.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as semiconductor devices capable of providing high output are requested, research on semiconductor devices capable of increasing output by applying high power is being conducted.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method capable of improving light extraction efficiency of the semiconductor device and improving light intensity at the package end. In addition, in a semiconductor device package, research into a method for improving a bonding force between a package electrode and a semiconductor device is being conducted.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in semiconductor device packages, research is being conducted on ways to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield through process efficiency improvement and structural change.

발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 하부에 몸체의 관통 홀이 배치되고 상기 관통홀의 표면 및 상기 몸체의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which a through hole of a body is disposed under a semiconductor device or a light emitting device, and a metal part is disposed on at least one or both of a surface of the through hole and a bottom of the body. there is.

발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광 소자와 중첩되는 영역에 몸체의 관통 홀과 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which a through hole of a body and a metal part are disposed in an area overlapping a semiconductor device or light emitting device.

발명의 실시 예는 몸체의 상면과 하면 사이에 관통된 복수의 관통홀에 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which metal parts are disposed in a plurality of through-holes penetrating between the upper and lower surfaces of the body.

발명의 실시 예는 몸체와 소자 사이에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package capable of supporting and fixing a lower portion of the device by disposing the first resin between the body and the device.

발명의 실시 예는 몸체 상부에 오목한 하나 또는 복수의 리세스가 배치되며, 상기 리세스에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention provides a semiconductor device package or a light emitting device package in which one or a plurality of concave recesses are disposed on the upper part of the body, and a first resin is disposed in the recesses to support and fix the lower part of the device. can

발명의 실시 예는 몸체의 제1방향 및 제2방향 중 적어도 한 방향 또는 양 방향으로 배열된 복수의 발광소자 아래에 관통홀이 각각 배치되며, 상기 관통홀을 통해 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention is a semiconductor device package in which through-holes are respectively disposed under a plurality of light emitting elements arranged in at least one or both directions of the first and second directions of the body, and metal parts are disposed through the through-holes; A light emitting device package is provided.

발명의 실시 예는 n열×m행 (n,m≥1)의 캐비티를 갖는 몸체 내에 관통홀을 통해 금속부가 배치되어,각 캐비티에 배치된 발광소자와 전기적으로 연결되는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention is a semiconductor device package or light emitting device electrically connected to a light emitting device disposed in each cavity by disposing a metal part through a through hole in a body having n columns × m rows (n, m≥1) of cavities. package is provided.

발명의 실시 예는 복수의 캐비티 상에 하나 또는 복수의 형광체층을 적층한 발광소자 패키지 또는 반도체소자 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a light emitting device package or a semiconductor device package in which one or a plurality of phosphor layers are stacked on a plurality of cavities.

발명의 실시 예는 발광소자 상에 서로 다른 형광체층을 적층하여 광 추출 효율을 개선한 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a semiconductor device package or a light emitting device package in which light extraction efficiency is improved by stacking different phosphor layers on a light emitting device.

발명의 실시 예는 복수의 발광소자가 배치된 몸체의 배면에서의 금속부의 패턴을 통해 복수의 발광소자를 직렬, 병렬 또는 직 병렬로 연결할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a semiconductor device package or a light emitting device package capable of connecting a plurality of light emitting devices in series, parallel or serial parallel through a pattern of a metal part on a rear surface of a body in which a plurality of light emitting devices are disposed.

발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.

발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.Embodiments of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package capable of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and presenting a new package structure.

발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention can provide a semiconductor device package or a light emitting device package capable of preventing re-melting from occurring in a bonding area of a semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like. there is.

발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 내에 복수의 캐비티; 상기 캐비티 각각에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀; 상기 제1관통홀과 대면하는 제1본딩부 및 상기 제2관통홀과 대면하는 제2본딩부를 갖는 복수의 발광소자; 상기 각 캐비티의 제1관통홀의 둘레에 배치된 제1금속부; 상기 각 캐비티의 제2관통홀의 둘레에 배치된 제2금속부; 및 상기 몸체 상에 형광체층을 포함하며, 상기 제1 및 제2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 상기 몸체의 두께보다 작고, 상기 복수의 캐비티 중 제1캐비티에 배치된 상기 제1 및 제2금속부 중 어느 하나는 제2캐비티에 배치된 상기 제1 및 제2금속부 중 어느 하나와 연결될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a body; a plurality of cavities within the body; first and second through holes spaced apart from each other in each of the cavities; a plurality of light emitting elements having a first bonding portion facing the first through hole and a second bonding portion facing the second through hole; first metal parts disposed around the first through holes of each of the cavities; a second metal part disposed around the second through hole of each cavity; and a phosphor layer on the body, wherein a thickness of the first and second metal parts is smaller than a thickness of the body disposed below the light emitting device, and the first cavity disposed in a first cavity among the plurality of cavities. and any one of the second metal parts may be connected to any one of the first and second metal parts disposed in the second cavity.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1캐비티에 배치된 상기 제1금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제1연장부; 및 상기 제2캐비티에 배치된 제2금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제2연장부를 포함하며, 상기 제1캐비티에 배치된 제2금속부와 상기 제2캐비티에 배치된 제1금속부를 연결하는 연결부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the invention, the first extension portion extending from the first metal portion disposed in the first cavity to the lower surface of the body; and a second extension part extending from the second metal part disposed in the second cavity to the lower surface of the body, wherein the second metal part disposed in the first cavity and the first metal part disposed in the second cavity It may include a connecting part for connecting.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연장부와 상기 연결부의 사이, 및 상기 연결부와 상기 제2연장부 사이에 상기 몸체의 하면으로부터 오목한 분리부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a separation portion concave from the lower surface of the body may be included between the first extension part and the connection part, and between the connection part and the second extension part.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체의 측면은 상기 제1연장부 또는 상기 제2연장부와 수직 평면 상에 배치되며, 상기 몸체의 측면은 상기 형광체층과 수직 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the side surface of the body may be disposed on a plane perpendicular to the first extension part or the second extension part, and the side surface of the body may be disposed on a plane perpendicular to the phosphor layer.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 형광체층 내의 형광체는 바닥면과 측면에 더 많은 양이 분포될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a larger amount of the phosphor in the phosphor layer may be distributed on the bottom surface and the side surface.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 각 캐비티에 다수의 몰딩부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the invention, a plurality of molding parts may be included in each of the cavities.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 다수의 몰딩부는 상기 발광소자의 상면과 측면에 제1형광체를 갖는 제1몰딩부, 및 상기 제1몰딩부 상에 제2형광체를 갖는 제2몰딩부를 포함하며, 상기 제1형광체는 상기 발광소자의 측면에 배치된 상기 제1몰딩부의 측부 외측면에 다른 영역보다 더 많은 양이 분포될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the plurality of molding parts include a first molding part having a first phosphor on top and side surfaces of the light emitting device, and a second molding part having a second phosphor on the first molding part, A larger amount of the first phosphor may be distributed on an outer surface of a side of the first molding part disposed on a side surface of the light emitting device than in other areas.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 다수의 몰딩부는 상기 발광소자의 상면과 측면에 제1형광체를 갖는 제1몰딩부, 및 상기 제1몰딩부 상에 제2형광체를 갖는 제2몰딩부를 포함하며, 상기 제2형광체는 상기 제2몰딩부의 바닥과 상기 캐비티 측면에 다른 영역보다더 많은 양이 분포될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the plurality of molding parts include a first molding part having a first phosphor on top and side surfaces of the light emitting device, and a second molding part having a second phosphor on the first molding part, A greater amount of the second phosphor may be distributed on the bottom of the second molding part and the side surface of the cavity than in other areas.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 수지 재질로 형성되며, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며, 상기 제1수지는 상기 제1 및 제2본딩부 사이에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the body is formed of a resin material, includes a first resin between the light emitting element and the body, and the first resin may be disposed between the first and second bonding parts. .

발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 발광소자 아래의 제1몸체와, 상기 발광소자 둘레에 제2몸체를 포함하며, 상기 제2몸체는 상기 발광소자가 배치된 상기 캐비티를 포함하며, 상기 각 캐비티 내에 몰딩부를 포함하며, 상기 형광체층은 상기 복수의 캐비티와 상기 제2몸체 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the invention, the body includes a first body under the light emitting element and a second body around the light emitting element, the second body includes the cavity in which the light emitting element is disposed, A molding unit may be included in each cavity, and the phosphor layer may be disposed on the plurality of cavities and the second body.

발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며, 상기 발광소자 패키지의 제1 및 제2관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며, 상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부 및 상기 제1관통홀 내의 제1금속부에 연결되며, 상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부 및 상기 제2관통홀 내의 제2금속부에 연결될 수 있다.A light source device according to an embodiment of the present invention includes a circuit board having first and second pads thereon; and first and second conductive parts disposed in the first and second through holes of the light emitting element package, wherein one or a plurality of light emitting device packages are disposed on the circuit board, wherein the first conductive parts are disposed in the first pad. and a first bonding portion of the light emitting device and a first metal portion within the first through hole, and the second conductive portion is connected to the second pad and the second bonding portion of the light emitting device package and within the second through hole. It may be connected to the second metal part.

발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀에 금속부를 제공하여, 본딩부와의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by providing a metal part in the through-hole of the body facing the bonding parts of the semiconductor element or the light emitting element, it is possible to improve adhesion and electrical conductivity with the bonding part.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀 및 바닥에 배치된 금속부를 도전부로 본딩하여 줌으로써, 관통홀 내의 도전부의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. According to an embodiment of the present invention, electrical reliability of the conductive part in the through hole can be improved by bonding the through hole of the body and the metal part disposed on the floor to the conductive part.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀을 통해 도전부와 소자의 본딩부를 연결시켜 주어, 플립 칩의 본딩부의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by connecting the conductive part and the bonding part of the device through the through hole of the body, the adhesive strength and electrical conductivity of the bonding part of the flip chip can be improved.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀에 소자의 본딩부와 도전부가 연결될 수 있도록 하여, 플립 칩의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the adhesive force and electrical conductivity of the flip chip can be improved by allowing the bonding portion and the conductive portion of the device to be connected to the through hole of the body.

발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부와 몸체 사이에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by disposing the first resin between the lower part of the element and the body, it is possible to improve the adhesive strength and bearing capacity of the element.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체 상부 및 소자 하부에에 리세스를 배치하고 소자 하부에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by disposing recesses on the upper part of the body and on the lower part of the element, and by disposing the first resin on the lower part of the element, it is possible to improve the adhesive strength and bearing capacity of the element.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체 상에 복수의 발광소자를 배치하여, 광도를 개선시켜 줄 수 있다. According to an embodiment of the invention, by disposing a plurality of light emitting devices on the body, it is possible to improve the luminous intensity.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체 상에 복수의 발광소자를 몸체 하면의 금속부 패턴으로 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting devices on the body may be connected in series or in parallel with a metal part pattern on the lower surface of the body.

발명의 실시 예에 의하면, 복수의 발광소자 각각에 서로 다른 형광체층이 적층하여, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, different phosphor layers may be stacked on each of a plurality of light emitting devices to improve light extraction efficiency.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 사이즈를 복수의 발광소자의 개수에 따라 가변될 수 있도록 전극부의 패턴을 제공할 수 있다. According to an embodiment of the invention, a pattern of the electrode unit may be provided so that the size of the body can be varied according to the number of the plurality of light emitting elements.

발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the invention, there is an advantage of improving light extraction efficiency, electrical characteristics, and reliability.

발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and presenting a new package structure.

발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage in preventing a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like.

발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지, 이를 갖는 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. According to an embodiment of the present invention, reliability of a semiconductor device package or a light emitting device package and a light source device having the same can be improved.

도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 발광소자 패키지의 금속부의 패턴 예이다.
도 10은 도 1 또는 도 6의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 11은 도 1의 발광소자 패키지의 제3변형 예이다.
도 12는 도 11의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다.
도 13은 도 1 또는 도 6의 발광소자 패키지의 제4변형 예이다.
도 14 내지 도 18은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 발광 소자 상의 몰딩부 또는 수지층의 변형 예이다.
도 19는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 20는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view in which the light emitting device is removed from the light emitting device package of FIG. 1 .
FIG. 3 is a bottom view of the light emitting device package of FIG. 1 .
4 is an AA-side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 .
FIG. 5 is a BB-side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 .
FIG. 6 is a first modified example of the light emitting device package of FIG. 1 .
7 to 9 are examples of patterns of the metal part of the light emitting device package of FIG. 6 .
FIG. 10 is a second modified example of the light emitting device package of FIG. 1 or FIG. 6 .
FIG. 11 is a third modified example of the light emitting device package of FIG. 1 .
12 is a CC-side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 11 .
13 is a fourth modified example of the light emitting device package of FIG. 1 or 6 .
14 to 18 are modified examples of a molding part or a resin layer on a light emitting device in a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
19 is an example of a light source device having a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
20 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.An embodiment will be described below with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criterion for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but the embodiment is not limited thereto.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The semiconductor device of the device package may include a light emitting device that emits light of ultraviolet rays, infrared rays, or visible rays. Hereinafter, a description will be given based on the case where a light emitting element is applied as an example of a semiconductor device, and a package or light source device to which the light emitting element is applied may include a non-light emitting element such as a zener diode or a sensing element for monitoring wavelength or heat. can Hereinafter, a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described, and a light emitting device package will be described in detail.

<제1실시 예> <First Embodiment>

도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이며, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이며, 도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view in which the light emitting device is removed from the light emitting device package of FIG. 1, FIG. 3 is a bottom view of the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. is an A-A side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 5 is a B-B side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 몸체(110) 및 발광소자(120,120A)를 포함할 수 있다.1 to 4 , the light emitting device package 100 may include a body 110 and light emitting devices 120 and 120A.

상기 몸체(110)는 제1방향(X)으로 복수의 발광 소자(120,120A)가 배치되거나, 제2방향(Y)로 복수의 발광 소자가 배치되거나, 도 6과 같이 제1 및 제2방향으로 복수의 발광소자가 배열될 수 있다. 예컨대, 상기 발광소자의 행열은 n열, m행일 수 있으며, 상기 n,m은 1이상일 수 있다. 상기 복수의 발광소자(120,120A)는 서로 별도로 구동되거나, 직렬로 연결되어 구동되거나, 병렬로 연결될 수 있다. In the body 110, a plurality of light emitting elements 120 and 120A are disposed in a first direction (X), a plurality of light emitting elements are disposed in a second direction (Y), or as shown in FIG. 6, in first and second directions. A plurality of light emitting elements may be arranged. For example, the matrix of the light emitting elements may be n columns and m rows, and n and m may be 1 or more. The plurality of light emitting devices 120 and 120A may be driven separately from each other, driven in series, or connected in parallel.

상기 몸체(110)는 각 발광소자(120,120A)와 중첩되는 영역에 복수의 관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 각 발광소자(120,120A)가 배치된 복수의 캐비티(102,102A)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 캐비티(102,102A) 사이에는 장벽부(110B)가 배치되어, 광 간섭을 줄여주거나, 개별 광 지향각 분포가 줄어드는 것을 방지할 수 있다.The body 110 may include a plurality of through holes TH1 and TH2 in areas overlapping each of the light emitting devices 120 and 120A. The body 110 may include a plurality of cavities 102 and 102A in which the respective light emitting elements 120 and 120A are disposed. A barrier portion 110B is disposed between the plurality of cavities 102 and 102A to reduce light interference or prevent individual light beam angle distributions from being reduced.

상기 몸체(110)는 제1몸체(115)와 제2몸체(110A)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 위에 캐비티(102,102A)를 제공할 수 있다. 일 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 별개로 형성된 후 부착되거나 결합될 수 있다. 이러한 결합을 위해, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)는 걸림홈 또는/및 걸림턱과 같은 결합 구조를 가질 수 있다. The body 110 may include a first body 115 and a second body 110A. The second body 110A may be disposed on the first body 115 . The second body 110A may be disposed around the upper circumference of the first body 115 . The second body 110A may provide cavities 102 and 102A above the first body 115 . As an example, the first body 115 and the second body 110A may be integrally formed with each other. As another example, the first body 115 and the second body 110A may be formed separately from each other and then attached or combined. For this coupling, the first body 115 and the second body 110A may have a coupling structure such as a locking groove or/and a locking jaw.

상기 제1몸체(115)는 발광소자(120,120A)를 지지하는 몸체부일 수 있고, 상기 제2몸체(110A)는 반사부일 수 있다. 다른 표현으로서, 제1 몸체(115)는 하부 몸체, 제2 몸체(110A)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102,10A)를 제공하는 제2 몸체(110A)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 제1 몸체(115)만을 포함할 수도 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 발광소자(120,120A)의 둘레에 배치되며, 상기 발광소자(120,120A)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The first body 115 may be a body portion supporting the light emitting devices 120 and 120A, and the second body 110A may be a reflection portion. As another expression, the first body 115 may be referred to as a lower body, and the second body 110A may be referred to as an upper body. Also, according to the embodiment, the body 110 may include only the first body 115 providing a flat upper surface without including the second body 110A providing the cavities 102 and 10A. The second body 110A is disposed around the light emitting devices 120 and 120A, and may reflect light emitted from the light emitting devices 120 and 120A upward. The second body 110A may be inclined with respect to the upper surface of the first body 115 .

상기 몸체(110)는 캐비티(102,102A)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102,102A)는 바닥면과, 바닥면에서 몸체(110)의 상면에 대해 경사진 측면(132)을 포함할 수 있다. 상기 측면(132)는 스텝 구조를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 몸체(110)는 복수의 캐비티(102,102A)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.The body 110 may include cavities 102 and 102A. The cavities 102 and 102A may include a bottom surface and a side surface 132 inclined from the bottom surface to the top surface of the body 110 . The side surface 132 may include a step structure. According to the embodiment, the body 110 may be provided in a structure having a plurality of cavities 102 and 102A, or may be provided in a structure with a flat top surface without cavities.

예로서, 상기 몸체(110)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있다. For example, the body 110 may be made of a resin material or an insulating resin material. The body 110 includes polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide9T (PA9T), silicone, epoxy, epoxy molding compound (EMC), silicone It may be formed of at least one selected from a group including a molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. The body 110 may be formed of a resin material, and may include a filler made of a high refractive index material such as TiO 2 and SiO 2 therein. The body 110 may be formed of a thermoplastic resin.

발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향일 수 있다. 발광소자(120,120A)가 직사각형 형상인 경우, 상기 제1방향은 상기 발광소자(120,120A)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120,120A)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)가 정사각형 형상인 경우, 상기 제1 방향과 상기 제2방향의 변의 길이는 서로 동일할 수 있다. 도 6과 같이, 상기 몸체(110)는 제1방향과 제2방향이 서로 동일한 길이를 가질 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120,120A)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120,120A)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다. The length of the light emitting device package 100 in the first direction (X) may be equal to or greater than the length in the second direction (Y). In the following description, a first direction may be an X direction, a second direction may be a Y direction orthogonal to the X direction, and a third direction may be a Z direction orthogonal to the X and Y directions. When the light emitting devices 120 and 120A have a rectangular shape, the first direction may be a direction of a longer side among sides of the light emitting devices 120 and 120A. For example, the first direction may be a long side direction of the light emitting devices 120 and 120A, and the second direction may be a short side direction. When the light emitting devices 120 and 120A have a square shape, lengths of sides of the first direction and the second direction may be equal to each other. As shown in FIG. 6 , the body 110 may have the same length in the first direction and in the second direction. Both short sides of the light emitting elements 120 and 120A may be disposed on opposite sides in the first direction, and both long sides of the light emitting elements 120 and 120A may be disposed on opposite sides in the second direction.

상기 몸체(110)는 제1방향에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격이 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향 길이일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제2방향의 길이일 수 있다. The body 110 may include first and second side surfaces S1 and S2 disposed in a first direction, and third and fourth side surfaces S3 and S4 disposed in a second direction. A distance between the first and second side surfaces S1 and S2 may be the length of the third and fourth side surfaces S3 and S4 in the first direction. The distance between the third and fourth side surfaces S3 and S4 may be the length of the first and second side surfaces S1 and S2 in the second direction.

상기 몸체(110)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 이러한 몸체(110)는 상면 또는 캐비티(102,102A) 의 바닥에 금속 프레임이 제거된 구조이므로, 금속 프레임을 갖는 구조에 비해 몸체 재질의 선택의 폭이 넓을 수 있다. 상기 몸체(110)는 금속 프레임 예컨대, 리드 프레임과 일체로 사출하지 않아, 금속부의 두께를 상기 리드 프레임의 두께보다 얇게 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)는 리드 프레임과 미리 사출하지 않게게 되므로, 몸체(110)의 관통홀의 위치 변경, 캐비티(102,102A) 의 형상, 몸체(110)의 사이즈, 또는 패키지 사이즈에 대한 설계 변경이 용이할 수 있다. The body 110 may be formed of an insulating material. Since the body 110 has a structure in which the metal frame is removed from the upper surface or the bottom of the cavities 102 and 102A, the selection of body materials can be wider than the structure having a metal frame. Since the body 110 is not integrally injected with a metal frame, for example, a lead frame, a metal portion may be provided with a thickness smaller than that of the lead frame. Since the body 110 is not pre-injected with the lead frame, it is easy to change the position of the through hole of the body 110, the shape of the cavities 102 and 102A, the size of the body 110, or the design of the package size. can do.

도 4와 같이, 상기 몸체(100)의 두께(t1)는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 800 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(100)의 두께(t1)는 제1몸체(115)의 두께(t1)과 상기 제2몸체(110A)의 두께의 합일 수 있으며, 상기 제2몸체(110A)의 두께는 상기 발광소자(120,120A)의 두께 이상일 수 있다. 이러한 제2몸체(110A)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광소자(120,120A)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. As shown in FIG. 4 , the thickness t1 of the body 100 may be greater than or equal to 100 micrometers, for example, in the range of 100 to 800 micrometers. The thickness t1 of the body 100 may be the sum of the thickness t1 of the first body 115 and the thickness of the second body 110A, and the thickness of the second body 110A is the light emitting element. It may be more than the thickness of (120, 120A). The upper surface of the second body 110A may be disposed at a position equal to or higher than the upper surface of the light emitting devices 120 and 120A to distribute beam angles of light.

상기 몸체(110)는 관통홀(TH1,TH2)을 구비할 수 있다. 상기 몸체(110)는 각 발광소자(120,120A) 하부에 복수의 관통홀(TH1,TH2)을 구비할 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 각 발광소자(120,120A)의 아래에서 서로 이격된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 아래에 배치된 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 각 발광소자(120,120A)의 아래에서 상기 제1몸체(115)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 캐비티(102,102A) 의 바닥에서 상기 제1몸체(115)의 하면까지 관통될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 각 캐비티(102,102A)의 바닥에서 상기 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 관통될 수 있다. The body 110 may have through holes TH1 and TH2. The body 110 may have a plurality of through holes TH1 and TH2 under each of the light emitting elements 120 and 120A. The through-holes TH1 and TH2 may include first and second through-holes TH1 and TH2 spaced apart from each other under each of the light emitting devices 120 and 120A. The first and second through holes TH1 and TH2 may pass through the upper and lower surfaces of the body 110 or the first body 115 disposed below each of the light emitting devices 120 and 120A. The first and second through holes TH1 and TH2 may penetrate from the upper surface to the lower surface of the first body 115 below each of the light emitting devices 120 and 120A. The first and second through holes TH1 and TH2 may penetrate from the bottom of the cavity 102 and 102A to the lower surface of the first body 115 . The first and second through holes TH1 and TH2 may penetrate from the bottom of each cavity 102 and 102A in a direction from the upper surface to the lower surface of the body 110 .

실시예에 의하면, 각 캐비티(102,102A)에서 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)의 내면은 수직한 면이거나, 경사진 면 또는 곡면 중에서 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 둘레에 경사진 면을 포함할 수 있다. According to the embodiment, the width or area of the upper region of the first through hole TH1 in each of the cavities 102 and 102A may be smaller than or equal to the width or area of the lower region of the first through hole TH1. . The width or area of the upper region of the second through hole TH2 may be smaller than or equal to the width or area of the lower region of the second through hole TH2. The first and second through holes TH1 and TH2 may be provided in an inclined shape in which a width gradually decreases from a lower area to an upper area. Inner surfaces of the first and second through holes TH1 and TH2 may include at least one or two or more of a vertical surface, an inclined surface, or a curved surface. For example, the first and second through holes TH1 and TH2 may include inclined surfaces around them.

상기 각 캐비티(102,102A)에서 제1 관통홀(TH1)와 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은 100 마이크로 미터 내지 600 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)과 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은, 상기 발광소자 패키지(100)가 회로기판, 또는 서브 마운트에 실장되는 경우에, 전기적인 간섭을 방지하기 위하여 상기의 범위로 이격될 수 있다. 도 4와 같이, 상기 제1 및 관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 제1 몸체(115)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 제1 몸체(115)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 제1몸체(115)의 두께(t2)는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 상기 제1몸체(115)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 상기 제1몸체(115)의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다. 상기 제1몸체(115)의 두께는 상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께 즉, 관통홀(TH1,TH2)에서의 수평 방향 두께보다 클 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)의 하부에 배치된 상기 몸체(110)의 상면 및 하면 사이의 간격은 상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께 즉, 관통홀에서의 수평 방향 두께보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이(t2)는 상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께보다 클 수 있다. The distance between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 in each of the cavities 102 and 102A may be 100 micrometers to 600 micrometers. The distance between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 in the lower surface area of the first body 115 is determined when the light emitting device package 100 is mounted on a circuit board or a submount. , can be spaced within the above range to prevent electrical interference. As shown in FIG. 4 , the depth of the first and through holes TH1 and TH2 may be the same as the thickness t2 of the first body 115 . The depth of the first and second through holes TH1 and TH2 may be provided with a thickness capable of maintaining stable strength of the first body 115 . The depth of the first and second through holes TH1 and TH2 of the body 110 may be less than 400 micrometers, for example, 80 to 400 micrometers or 100 to 300 micrometers. Here, the thickness t2 of the first body 115 may be provided in a range of 400 micrometers or less, for example, 80 to 400 micrometers or 100 to 300 micrometers. The depth of the first and second through holes TH1 and TH2 of the first body 115 may be equal to or thicker than the thickness of the first body 115 . The thickness of the first body 115 may be greater than the thickness of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 , that is, the thickness of the through holes TH1 and TH2 in the horizontal direction. The distance between the upper and lower surfaces of the body 110 disposed under the light emitting devices 120 and 120A may be greater than the thickness of the metal parts 111, 112, 112A and 113, that is, the thickness in the horizontal direction in the through hole. The depth t2 of the first and second through holes TH1 and TH2 may be greater than the thickness of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 .

상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. The first and second through holes TH1 and TH2 may be disposed in areas overlapping in a vertical direction with areas of the respective light emitting devices 120 and 120A. The top view of the first and second through holes TH1 and TH2 may include at least one of a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, and an atypical shape having straight lines and curves. Upper lengths of the first and second through holes TH1 and TH2 may be provided with the same length in the first direction and the second direction, or may be provided with a longer length in either direction. Lower lengths of the first and second through holes TH1 and TH2 may be provided with the same length in the first direction and the second direction, or may be provided with a longer length in either direction.

상기 제1관통홀(TH1)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 제1본딩부(121) 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 제2본딩부(122)의 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 동일할 수 있다. 다른 예로서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 다를 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나로 상부 형상의 중심과 하부 형상의 중심이 동일한 수직 직선 상에 배치되거나, 서로 다른 수직한 직선 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제1방향으로 상부 및 하부 중심이 서로 다를 위치에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제2방향으로 상부 및 하부 중심이 서로 다를 위치에 배치될 수 있다. One or more first through holes TH1 may be disposed under the first bonding portion 121 of each of the light emitting devices 120 and 120A. The second through hole TH2 may be disposed under the second bonding portion 122 of each of the light emitting devices 120 and 120A, one or more. The first and second through holes TH1 and TH2 may have the same upper and lower shapes. As another example, the first and second through holes TH1 and TH2 may have different upper and lower shapes. The upper and lower shapes of the first and second through holes TH1 and TH2 may be symmetrical. The upper and lower shapes of the first and second through holes TH1 and TH2 may be asymmetrical. The first and second through holes TH1 and TH2 may be disposed on a vertical straight line in which the center of the upper shape and the center of the lower shape are the same or on different vertical straight lines in at least one of the first direction and the second direction. can For example, upper and lower shapes of the first and second through holes TH1 and TH2 may be different from each other, or upper and lower centers may be disposed at different positions in the first direction. As another example, the upper and lower shapes of the first and second through holes TH1 and TH2 may be different from each other, or the upper and lower centers may be disposed at different positions in the second direction.

발명의 실시 예에 의하면, 도 4와 같이, 상기 각 발광소자(120,120A)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 제1방향의 길이가 제2방향의 길이보다 더 길 수 있다. 상기 복수의 발광소자(120,120A)는 서로 동일한 색의 파장을 발광하거나, 서로 다른 컬러 또는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있다. According to an embodiment of the invention, as shown in FIG. 4 , each of the light emitting devices 120 and 120A may include a first bonding part 121 , a second bonding part 122 , and a light emitting structure 123 . The light emitting devices 120 and 120A may include a substrate 124 . The light emitting devices 120 and 120A may have a length in the first direction equal to a length in the second direction or a length in the first direction longer than a length in the second direction. The plurality of light emitting devices 120 and 120A may emit light of the same color wavelength, or may emit light of different colors or different peak wavelengths.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The first bonding part 121 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. The second bonding portion 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 기판(124)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 제거될 수 있다.The substrate 124 is a light-transmitting layer and may be formed of an insulating material or a semiconductor material. The substrate 124 may be selected from a group including, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, a concave-convex pattern may be formed on the surface of the substrate 124 . The substrate 124 may be removed.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.According to an embodiment of the invention, the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 may be provided as a Group 2-6 or Group 3-5 compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 includes at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). It can be.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity-type semiconductor layers may be implemented with at least one of group 3-5 or group 2-6 compound semiconductors. The first and second conductive semiconductor layers are formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It can be. For example, the first and second conductivity type semiconductor layers may include at least one selected from a group including GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. . The first conductivity-type semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The second conductivity-type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented as a compound semiconductor. For example, the active layer may be implemented with at least one of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers alternately disposed, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1 , 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) may be arranged as a semiconductor material having a composition formula. For example, the active layer is selected from a group including InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, and InP/GaAs. may contain at least one.

상기 발광소자(120,120A)의 둘레에 몸체(110)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)의 둘레에는 제2몸체(110A)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)는 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)는 상기 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102,102A) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102,102A) 의 외측 둘레에 배치된 내 측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다.A body 110 may be disposed around the light emitting devices 120 and 120A. A second body 110A may be disposed around the light emitting devices 120 and 120A. The light emitting devices 120 and 120A may be disposed on the body 110 . The light emitting devices 120 and 120A may be disposed on the first body 115 . The light emitting devices 120 and 120A may be disposed within the cavities 102 and 102A provided by the body 110 . The inner side surface 132 disposed on the outer circumference of the cavities 102 and 102A may be inclined or vertical, and for example, the inclined surface may be inclined in one or more steps or two or more steps.

상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 각 발광소자(120,120A)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 몸체(111) 또는 제1몸체(115)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)과 동일한 방향으로 이격될 수 있다.The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of each of the light emitting devices 120 and 120A. The first bonding part 121 may be disposed on the body 110 or the first body 115 . The second bonding part 122 may be disposed on the body 110 or the first body 115 . The first and second bonding parts 121 and 122 may face the body 111 or the first body 115 . The first and second bonding parts 121 and 122 may be spaced apart in a first direction. The first and second bonding parts 121 and 122 may be spaced apart in the same direction as the first and second through holes TH1 and TH2.

상기 각 발광소자(120,120A)의 제1 및 제2본딩부(121,122)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 각 발광소자(120,120A)는 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120,120A)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 또는 제2몸체(110A)의 상부 방향으로 추출될 수 있게 된다. The first and second bonding parts 121 and 122 of each of the light emitting devices 120 and 120A may be electrodes or pads. Accordingly, each of the light emitting devices 120 and 120A can be driven by driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting devices 120 and 120A can be extracted toward the top of the body 110 or the top of the second body 110A.

각 발광소자(120,120A)에서 상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질 및 비금속 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.In each of the light emitting devices 120 and 120A, the first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 110 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 110 . The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may include at least one or both of a metal material and a non-metal material. The first and second bonding parts 121 and 122 are Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru , Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO may be formed by using one or more materials or alloys selected from the group consisting of a single layer or a multi-layer .

상기 각 발광소자(120,120A)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120,120A)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다. Each of the light emitting devices 120 and 120A may include one or a plurality of light emitting cells therein. The light emitting cell may include at least one of an n-p junction, a p-n junction, an n-p-n junction, and a p-n-p junction. The plurality of light emitting cells may be connected in series to each other within one light emitting device. Accordingly, the light emitting devices 120 and 120A may have one or a plurality of light emitting cells, and when n light emitting cells are disposed in one light emitting device, they may be driven with n times the driving voltage. For example, when the driving voltage of one light emitting cell is 3V and two light emitting cells are disposed in one light emitting device, each light emitting device can be driven with a driving voltage of 6V. Alternatively, when the driving voltage of one light emitting cell is 3V and three light emitting cells are disposed in one light emitting device, each light emitting device may be driven with a driving voltage of 9V. The number of light emitting cells disposed in each of the light emitting devices 120 and 120A may be 1, 2 to 5.

발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 몸체(110)과 상기 발광소자(120,120A) 사이의 영역에는 소정의 갭(Gap)이 배치될 수 있다. 상기 갭의 높이는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 두께와 같거나 클 수 있다. 상기 갭에는 제1수지(160)가 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120,120A)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120,120A)의 하면과 상기 제1몸체(115)의 상면 또는 캐비티 바닥 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 각 발광소자(120,120A)를 상기 몸체(110)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 도 19의 도전부(321,323)가 형성되기 전에 상기 발광소자(120,120A)의 하부에 디스펜싱되어, 상기 발광소자(120,120A)를 상기 제1몸체(115) 상에 부착 및 고정시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120,120A)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1수지(160)는 상기 도전부(321,323)가 리멜팅되더라도, 상기 제1몸체(115)에 상기 발광소자(120,120A)를 고정시켜 줄 수 있다. In the light emitting device package 100 according to an embodiment of the present invention, a predetermined gap may be disposed in an area between the body 110 and the light emitting devices 120 and 120A. A height of the gap may be equal to or greater than a thickness of the first and second bonding parts 121 and 122 . A first resin 160 may be disposed in the gap. The first resin 160 may be disposed in a region between the first and second bonding parts 121 and 122 and between the lower surfaces of the light emitting devices 120 and 120A and the upper surface of the body 110 . The first resin 160 is disposed in the region between the first and second bonding parts 121 and 122 and between the lower surfaces of the light emitting devices 120 and 120A and the upper surface of the first body 115 or the bottom of the cavity. It can be. The first resin 160 may attach each of the light emitting devices 120 and 120A to the body 110 . The first resin 160 may include a resin material such as silicone or epoxy. The first resin 160 may include a metal oxide or a filler therein. For example, the first resin 160 may be formed of a material containing metal oxides or impurities such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . The first resin 160 is dispensed below the light emitting elements 120 and 120A before the conductive parts 321 and 323 of FIG. 19 are formed, and the light emitting elements 120 and 120A are placed on the first body 115. can be attached and fixed. Accordingly, movement or tilt of the light emitting devices 120 and 120A can be prevented. In addition, the first resin 160 can fix the light emitting elements 120 and 120A to the first body 115 even if the conductive parts 321 and 323 are remelted.

상기 제1수지(160)는 상기 각 발광소자(120,120A)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120,120A)와 상기 몸체(110) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)로부터 상기 발광소자(120,120A)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120,120A)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. The first resin 160 may provide a light diffusion function between the light emitting elements 120 and 120A and the body 110 when light is emitted from the lower surface of each of the light emitting elements 120 and 120A. When light is emitted from the light emitting devices 120 and 120A to the lower surface of the light emitting devices 120 and 120A, the first resin 160 provides a light diffusion function, thereby improving light extraction efficiency of the light emitting device package. . In addition, the first resin 160 may reflect light emitted from the light emitting devices 120 and 120A. For example, when the first resin 160 has a reflective function, the first resin 160 may be made of a material containing metal oxides or impurities such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . can

상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120,120A)의 하면과 상기 몸체(110)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120,120A)를 상기 몸체(110)에 접착시켜 주어, 상기 발광소자(120,120A)의 지지력을 증가시켜 줄 수 있고 상기 발광소자(120,120A)의 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120,120A)와 상기 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120,120A)의 하부 면에 접촉되어, 도 19와 같은 회로 기판(201) 상에서 상기 발광소자(120,120A)와 본딩되는 도전부(321,323)가 리멜팅될 경우, 상기 발광소자(120,120A)의 유동을 방지하고 상기 발광소자(120,120A)를 지지할 수 있다.The first resin 160 may contact the lower surfaces of the light emitting devices 120 and 120A and the body 110 . The first resin 160 may contact the first and second bonding parts 121 and 122 . The first resin 160 adheres the light emitting elements 120 and 120A to the body 110, thereby increasing the bearing capacity of the light emitting elements 120 and 120A, and tilting the light emitting elements 120 and 120A. can prevent The first resin 160 may provide a stable fixing force between the light emitting devices 120 and 120A and the body 110 . The first resin 160 contacts the lower surface of the light emitting elements 120 and 120A, and the conductive parts 321 and 323 bonded to the light emitting elements 120 and 120A on the circuit board 201 as shown in FIG. 19 are remelted. In this case, it is possible to prevent movement of the light emitting devices 120 and 120A and to support the light emitting devices 120 and 120A.

발명에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 각 발광소자(120,120A)의 하부에서 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(110)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)와 수직 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 Z 방향으로 상기 발광소자(120,120A)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(TH1)을 통해 상기 제1 본딩부(121)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제1 관통홀(TH1)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다. According to the light emitting device package 100 according to the present invention, the first and second through holes TH1 and TH2 at the bottom of each light emitting device 120 and 120A penetrate the upper and lower surfaces of the body 110 in the Z direction, can be provided. The first and second through holes TH1 and TH2 may overlap each of the light emitting elements 120 and 120A in a vertical direction Z. The first through hole TH1 may be disposed under the first bonding portion 121 of each of the light emitting devices 120 and 120A. The first through hole TH1 may overlap with the first bonding portion 121 of each of the light emitting devices 120 and 120A in a vertical direction. The first through hole TH1 may overlap the first bonding portion 121 of the light emitting devices 120 and 120A in the Z direction from the upper surface to the lower surface of the body 110 . By exposing the first bonding portion 121 through the first through hole TH1, an electrical path and an electrical path through one or more types of conductive materials filled or disposed in the first through hole TH1. It can be provided as a heat dissipation path.

상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 각 발광소자(120,120A)의 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 방향으로 상기 각 발광소자(120,120A)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제2 관통홀(TH2)을 통해 상기 제2 본딩부(122)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제2 관통홀(TH2)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.The second through hole TH2 may be disposed under the second bonding portion 122 of each of the light emitting devices 120 and 120A. The second through hole TH2 may overlap each of the light emitting devices 120 and 120A in a vertical direction. The second through hole TH2 may overlap with the second bonding portion 122 of each of the light emitting devices 120 and 120A in a vertical direction. The second through hole TH2 may be provided overlapping with the second bonding portion 122 of each of the light emitting devices 120 and 120A in a direction from the upper surface to the lower surface of the body 110 . By exposing the second bonding portion 122 through the second through hole TH2, an electrical path and an electrical path through one or more types of conductive materials filled or disposed in the second through hole TH2. It can be provided as a heat dissipation path.

상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 제1방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120,120A)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120,120A)와 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. The first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be spaced apart from each other in a first direction. The first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be spaced apart from each other under the lower surfaces of the light emitting devices 120 and 120A. The first through hole TH1 and the second through hole TH2 may overlap the light emitting elements 120 and 120A in the Z-axis direction.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1관통홀(TH1)은 X 방향의 폭과 Y 방향의 길이가 서로 동일하거나 Y 방향의 길이가 X 방향의 폭보다 클 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 X 방향의 폭과 Y 방향의 길이가 서로 동일하거나 Y 방향의 길이가 X 방향의 길폭보다 클 수 있다. 이러한 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1,2방향의 폭 및 길이는 제1 및 제2본딩부(121,122)의 크기에 의해 달라질 수 있다. X 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, X 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. Y 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 길이가 상기 제1 본딩부(121)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, Y 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 길이가 상기 제2 본딩부(122)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 대칭 형상이거나 비 대칭 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 발광소자(110)의 두 본딩부(121,122)가 중첩되는 방향(X)과 동일한 방향의 폭이 두 본딩부(121,122)가 중첩되지 않는 방향(Y)의 길이보다 작을 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 3 , the first through hole TH1 may have the same width in the X direction and the length in the Y direction, or may have a length in the Y direction greater than the width in the X direction. The second through hole TH2 may have the same width in the X direction and a length in the Y direction, or may have a length in the Y direction greater than a length in the X direction. Widths and lengths of the first and second through holes TH1 and TH2 in the first and second directions may vary depending on the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 . A width of an upper region of the first through hole TH1 in the X direction may be smaller than or equal to the width of the first bonding portion 121 . Also, the width of the upper region of the second through hole TH2 in the X direction may be smaller than or equal to the width of the second bonding portion 122 . The first and second through holes TH1 and TH2 may have the same or different widths in the X direction from the top. Widths of the first and second bonding parts 121 and 122 in the X direction may be the same as or different from each other. A length of an upper region of the first through hole TH1 in the Y direction may be smaller than or equal to the length of the first bonding portion 121 . In addition, the length of the upper region of the second through hole TH2 in the Y direction may be less than or equal to the length of the second bonding portion 122 . The first and second through holes TH1 and TH2 may have the same or different lengths in the Y direction from the top. Lengths of the first and second bonding parts 121 and 122 in the Y direction may be the same as or different from each other. For example, the lower surface area of the first bonding portion 121 may be larger than the upper surface area of the first through hole TH1. A lower surface area of the second bonding portion 122 may be larger than an upper surface area of the second through hole TH2 . The first and second through holes TH1 and TH2 may have symmetrical or asymmetrical upper and lower shapes. The first and second through holes TH1 and TH2 have the same width as the direction X in which the two bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 110 overlap, and the direction in which the two bonding parts 121 and 122 do not overlap. It may be smaller than the length of (Y).

상기 제1관통홀(TH1)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 도 1과 같은 구조에서는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 동일할 수 있다. 도 10과 같은 구조에서는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 다를 수 있다. 여기서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 어긋나게 배치된 경우, 두 관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 직선 거리는 하면 중심 간의 직선 거리보다 더 작을 수 있다. The center of the upper surface and the center of the lower surface of the first through hole TH1 may be disposed at the same center or may be offset from each other. The center of the upper surface and the center of the lower surface of the second through hole TH2 may be disposed at the same center or may be offset from each other. In the structure shown in FIG. 1 , the centers of upper and lower surfaces of the first and second through holes TH1 and TH2 may be the same. In the structure shown in FIG. 10 , the centers of the upper and lower surfaces of the first and second through holes TH1 and TH2 may be different from each other. Here, when the centers of the upper and lower surfaces of the first and second through holes TH1 and TH2 are displaced from each other, the linear distance between the centers of the upper surfaces of the two through holes TH1 and TH2 may be smaller than the linear distance between the centers of the lower surfaces. there is.

도 3 및 도 4를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 금속부(111,112,112A,113)를 포함할 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)는 제1발광소자(120) 아래에서 서로 이격된 제1 및 제2금속부(111,112)와, 제2발광소자(120A) 아래에서 서로 이격된 제3 및 제4금속부(112A,113)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(112)는 몸체(110) 또는 제1몸체(115)의 하면에서 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제3금속부(112A)와 상기 제4금속부(113)는 몸체(110) 또는 제1몸체(115)의 하면에서 물리적으로 분리될 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 4 , the light emitting device package 100 according to an embodiment of the present invention may include metal parts 111 , 112 , 112A and 113 . The metal parts 111, 112, 112A, 113 include first and second metal parts 111, 112 spaced apart from each other under the first light emitting element 120, and third and third metal parts spaced apart from each other under the second light emitting element 120A. 4 metal parts 112A and 113 may be included. The first metal part 111 and the second metal part 112 may be physically separated from the lower surface of the body 110 or the first body 115 . The third metal part 112A and the fourth metal part 113 may be physically separated from the lower surface of the body 110 or the first body 115 .

상기 제1 및 제2금속부(111,112)는 제1캐비티(102) 바닥 또는 제1발광소자(120)의 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4금속부(112A,113)는 제2캐비티(102A) 바닥 또는 제2발광소자(120A)의 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치될 수 있다.The first and second metal parts 111 and 112 may be disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 disposed at the bottom of the first cavity 102 or below the first light emitting device 120 . The third and fourth metal parts 112A and 113 may be disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 disposed at the bottom of the second cavity 102A or below the second light emitting element 120A. there is.

상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(112)는 수직 방향 또는 Z 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 제3금속부(112A)와 상기 제4금속부(113)는 수직 방향 또는 Z 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 도 3 및 도 4와 같이, 상기 제2 및 제3금속부(112,112A)는 연결부(112B)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에 따라 제1발광소자(120)과 제2발광소자(120A)는 직렬로 연결될 수 있다.The first metal part 111 and the second metal part 112 may be disposed not to overlap each other in a vertical direction or a Z direction. The third metal part 112A and the fourth metal part 113 may be disposed not to overlap each other in a vertical direction or a Z direction. As shown in FIGS. 3 and 4 , the second and third metal parts 112 and 112A may be connected to each other through a connection part 112B. Accordingly, the first light emitting device 120 and the second light emitting device 120A may be connected in series.

상기 제1 및 제3금속부(111,112A)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면과 상기 몸체(110)의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제2 및 제4금속부(112,113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면과 상기 몸체(110)의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제3금속부(111,112A)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 전체에 배치될 수 있다. 상기 제2 및 제4금속부(112,113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 전체에 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4금속부(111,112,112A,113)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면에 노출될 수 있다. The first and third metal parts 111 and 112A may be disposed on at least one or both of a surface of the first through hole TH1 and a bottom of the body 110 . The second and fourth metal parts 112 and 113 may be disposed on at least one or both of a surface of the second through hole TH2 and a bottom of the body 110 . The first and third metal parts 111 and 112A may be disposed on the entire surface of the first through hole TH1. The second and fourth metal parts 112 and 113 may be disposed on the entire surface of the second through hole TH2. The first to fourth metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may be exposed on upper surfaces of the first and second through holes TH1 and TH2 .

상기 금속부(111,112,112A,113)의 상면은 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상면에서 상기 발광소자(120,120A)의 하부에 배치된 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)의 내부 홀은 수직 방향으로 관통되는 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 센터 홀 또는 내부 홀일 수 있다. Upper surfaces of the metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be disposed on the same plane as the upper surfaces of the body 110 disposed below the light emitting elements 120 and 120A at the upper surfaces of the through holes TH1 and TH2. . The metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be disposed around the first and second through holes TH1 and TH2. The inner holes of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may be center holes or inner holes of the first and second through holes TH1 and TH2 penetrating in the vertical direction.

상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께(t3)가 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상부 폭 또는 제1,2방향의 폭 중 작은 폭의 1/2 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 금속부(111,112,112A,113) 각각의 내부에는 관통홀(TH1,TH2)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,112)의 합 두께 또는 제3 및 제4금속부(112A,113)의 합 두께는 상기 제 1 또는 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1,2방향의 상부 폭보다 작을 수 있다. 이때, 금속부(111,112,112A,113)는 서로 동일한 두께일 수 있다.The thickness t3 of the metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be less than 1/2 of the smaller width of the upper width of the through holes TH1 and TH2 or the width in the first and second directions. In this case, Inside each of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 , a structure may be provided in which a hole is disposed at the center of the through hole TH1 or TH2 . The sum thickness of the first and second metal parts 111 and 112 or the sum thickness of the third and fourth metal parts 112A and 113 is the first and second directions of the first or second through holes TH1 and TH2. may be smaller than the upper width of In this case, the metal parts 111, 112, 112A, and 113 may have the same thickness as each other.

상기 금속부(111,112,112A,113)는 금속으로 제공될 수도 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)는 다층으로서, 상기 몸체(110)에 접촉된 제1층 및 상기 제1층 아래의 제2층을 포함할 수 있으며, 상기 제1층은 Ti, Cr, Ta, Pt 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제2층은 Au, Ag, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be made of metal. The metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be, for example, copper (Cu), titanium (Ti), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin ( It may be selected from Sn) and silver (Ag), and may be formed as a single layer or multiple layers. The metal parts 111, 112, 112A, and 113 are multi-layered and may include a first layer in contact with the body 110 and a second layer below the first layer, and the first layer is Ti, Cr, or Ta. , Pt, and the second layer may include at least one of Au, Ag, and Cu.

상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께(t3)는 상기 발광소자(120,120A)의 하부에 배치된 몸체(110)의 상면과 하면 사이의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 상기 t3는 t2의 1/30 이하 예컨대, 1/30 내지 1/100 이하일 수 있다. 상기 t3:t2의 비율은 1: 30 내지 1: 100의 범위일 수 있다. 이는 상기 몸체(110)의 표면에 상기 금속부(111,112,112A,113)를 증착 공정 또는 도금 공정을 통해 형성시켜 주어, 얇은 두께로 제공될 수 있다. 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 리드 프레임과 몸체를 일체로 사출하지 않고 있어, 발광 소자 하부에 배치된 리드 프레임과 몸체 결합 시 두 물질 간의 열 팽창 계수의 차이에 따른 문제를 해결할 수 있다. 또한 몸체(110)에 미리 제공된 관통홀(TH1,TH2)의 표면에 금속을 이용하여 증착 공정 또는 도금 공정을 수행함으로써, 상기 금속부의 두께는 상기 관통홀의 제1방향의 상부 폭의 1/3 이하일 수 있다. 즉, 상기 금속부의 두께가 상기 관통홀의 상부 폭의 1/3 이상일 경우, 관통홀의 상부 폭의 확보가 어려워 본딩부와 도전부의 접촉 면적이 감소될 수 있다. A thickness t3 of the metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be smaller than a thickness t2 between the upper and lower surfaces of the body 110 disposed under the light emitting devices 120 and 120A. The t3 may be 1/30 or less of t2, for example, 1/30 to 1/100 or less. The ratio of t3:t2 may be in the range of 1:30 to 1:100. This may be provided with a thin thickness by forming the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 on the surface of the body 110 through a deposition process or a plating process. Since the light emitting device package according to the embodiment of the present invention does not integrally inject the lead frame and the body, it is possible to solve a problem caused by a difference in coefficient of thermal expansion between the two materials when the lead frame disposed under the light emitting device and the body are coupled. In addition, by performing a deposition process or a plating process using metal on the surface of the through holes TH1 and TH2 provided in advance in the body 110, the thickness of the metal part may be less than 1/3 of the upper width of the through hole in the first direction. can That is, when the thickness of the metal part is greater than 1/3 of the upper width of the through hole, it is difficult to secure the upper width of the through hole, and the contact area between the bonding part and the conductive part may be reduced.

상기 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113)의 두께는 5 마이크로 미터 이하 예컨대, 2 내지 5 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께가 상기 범위보다 크면 열 전도율의 개선이나 전기 전도 특성의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 작으면 방열 효율이나 전기 전도특성이 저하될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113)는 상기 몸체(110)의 표면에 증착 공정, 또는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. Thicknesses of the first and second metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be less than or equal to 5 micrometers, for example, in the range of 2 to 5 micrometers. When the thickness of the metal parts 111, 112, 112A, and 113 is greater than the above range, improvement in thermal conductivity or electrical conductivity is insignificant, and when the thickness is smaller than the above range, heat dissipation efficiency or electrical conductivity may be deteriorated. The first and second metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may be formed on the surface of the body 110 through a deposition process or a plating process.

다른 예로서, 상기 제1 및 제3금속부(111,112A)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 제2 및 제4금속부(112,113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 각 캐비티(102,102A)에서 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부(111,112,112A,113) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 상기 각 캐비티(102,102A)에서 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부(111,112,112A,113) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 중심 간의 간격보다 클 수 있다. As another example, the first and third metal parts 111 and 112A may be disposed on a portion of the surface of the first through hole TH1. The second and fourth metal parts 112 and 113 may be disposed on a portion of the surface of the second through hole TH2. The distance between the metal parts 111, 112, 112A, 113 disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 in each of the cavities 102 and 102A is between the centers of the first and second through holes TH1 and TH2. may be larger than the interval. The distance between the metal parts 111, 112, 112A, 113 disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 in each of the cavities 102 and 102A is between the centers of the first and second through holes TH1 and TH2. may be greater than the interval.

상기 제1금속부(111)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 제1연장부(111B)를 포함할 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 상기 제1금속부(111)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 상기 제1관통홀(TH1)에 배치된 제1금속부(111)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 바닥 면적의 1/2 이하 예컨대, 1/2 내지 1/5 범위일 수 있다. 상기 제1금속부(111) 및 제1연장부(111B)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.The first metal part 111 may include a first extension part 111B extending to the bottom of the body 110 . The first extension part 111B may extend from the first metal part 111 . The first extension part 111B may extend from the first metal part 111 disposed in the first through hole TH1. The area of the lower surface of the first extension part 111B may be less than 1/2 of the area of the bottom of the body 110, for example, in the range of 1/2 to 1/5. The first metal part 111 and the first extension part 111B may be formed in the same laminated structure.

상기 제2금속부(112)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 연결부(112B)를 포함할 수 있다. 상기 연결부(112B)는 상기 제2 및 제3금속부(112,112A)로부터 연장될 수 있다. 상기 연결부(112B)는 상기 제1캐비티(102)의 바닥에 제공된 제2관통홀(TH2)의 제2금속부(112)와 제2캐비티(102A)의 바닥에 제공된 제1관통홀(TH1)의 제3금속부(112A)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 연결부(112B)의 하면 면적은 제1 및 제2연장부(111B,113B)의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2, 3금속부(112,112A) 및 연결부(112B)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.The second metal part 112 may include a connection part 112B extending to the bottom of the body 110 . The connection part 112B may extend from the second and third metal parts 112 and 112A. The connection part 112B is formed by the second metal part 112 of the second through hole TH2 provided at the bottom of the first cavity 102 and the first through hole TH1 provided at the bottom of the second cavity 102A. The third metal part 112A of may be connected. The lower surface area of the connection part 112B may be larger than the lower surface area of the first and second extension parts 111B and 113B. The second and third metal parts 112 and 112A and the connection part 112B may be formed in the same laminated structure.

상기 제4금속부(113)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 제2연장부(113B)를 포함할 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 제4금속부(113)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 제2관통홀(TH2)에 배치된 제4금속부(113)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 바닥 면적의 1/2 이하 예컨대, 1/2 내지 1/5 범위일 수 있다. 상기 제3금속부(113) 및 제3연장부(113B)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.The fourth metal part 113 may include a second extension part 113B extending to the bottom of the body 110 . The second extension part 113B may extend from the fourth metal part 113 . The second extension part 113B may extend from the fourth metal part 113 disposed in the second through hole TH2. The area of the lower surface of the second extension part 113B may be less than 1/2 of the area of the bottom of the body 110, for example, in the range of 1/2 to 1/5. The third metal part 113 and the third extension part 113B may be formed in the same laminated structure.

상기 연결부(112B)는 바닥 분리부(R5,R6) 사이에서 일부 또는 전체에 제공될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 상기 제1분리부(R5)와 제1측면(S1) 사이의 바닥 영역 전체 또는 일부에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(111B)는 제2분리부(R6)와 제2측면(S2) 사이의 영역에서 바닥 일부 또는 전체에 배치될 수 있다. 상기 연결부(112B), 제1 및 제2연장부(111B,113B) 중 적어도 하나는 몸체(110)의 적어도 측면으로 연장될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The connection part 112B may be provided in part or in whole between the bottom separating parts R5 and R6. The first extension part 111B may be disposed on all or part of the floor area between the first separation part R5 and the first side surface S1. The second extension part 111B may be disposed on part or the whole of the floor in an area between the second separation part R6 and the second side surface S2. At least one of the connecting portion 112B and the first and second extension portions 111B and 113B may extend to at least a side surface of the body 110, but is not limited thereto.

상기 제 1 및 제2분리부(R5,R6)은 몸체 바닥에 노출될 수 있다. 상기 제 1 및 제2분리부(R5,R6)은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 도 4와 같이, 상기 제 1 및 제2분리부(R5,R6)은 몸체 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 배치될 수 있다. 상기 제1분리부(R5)는 제1 및 제2금속부(111,112) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 하면에 배치되며, 상기 제2분리부(R6)은 제3 및 제4금속부(112A,113) 사이에 배치된 몸체(110)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1분리부(R5)는 제1연장부(111B)와 연결부(112B) 사이에 배치되며, 상기 제2분리부(R6)은 연결부(112B)와 제2연장부(113B) 사이에 배치될 수 있다. The first and second separation parts R5 and R6 may be exposed on the bottom of the body. The first and second separators R5 and R6 may be disposed parallel to each other. As shown in FIG. 4 , the first and second separators R5 and R6 may be concavely disposed from the lower surface of the body toward the upper surface. The first separator R5 is disposed on the lower surface of the body 110 disposed between the first and second metal parts 111 and 112, and the second separator R6 is disposed on the third and fourth metal parts. (112A, 113) may be disposed on the lower surface of the body 110 disposed between. The first separation part R5 is disposed between the first extension part 111B and the connection part 112B, and the second separation part R6 is disposed between the connection part 112B and the second extension part 113B. It can be.

상기 분리부(R5,R6)는 상기 몸체(110)의 하면에서 상면 방향으로 오목하며, 곡면 또는 각진 면을 포함할 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)의 표면은 러프한 면을 포함할 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)는 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)나 연결부(112B)가 제거된 영역으로서, 전기적으로 금속부(111,112/112A,113)를 서로 분리시켜 줄 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)의 제2방향(Y) 길이는 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)의 길이와 동일할 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)의 제2방향(Y) 길이는 상기 몸체(110)의 하면의 제2방향 길이와 동일할 수 있다. 이러한 분리부(R5,R6)은 몸체의 하부를 통해 금속부 또는 금속층을 형성한 후 레이져 스크라이빙 공정을 통해 금속부의 일부 영역을 제거하여 서로 다른 금속부로 분리시킨 영역일 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)의 깊이는 1 마이크로 미터 이하 예컨대, 0.01 내지 1 마이크로 미터 범위일 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)의 깊이는 상기 금속부(111,112,112A,113)의 두께 이하일 수 있다. 상기 분리부(R5,R6)의 깊이가 상기 범위보다 큰 경우, 제1,2관통홀(TH1,TH2) 사이의 강성이 저하될 수 있다. The separation parts R5 and R6 are concave in the direction from the lower surface of the body 110 to the upper surface, and may include a curved surface or an angled surface. Surfaces of the separators R5 and R6 may include rough surfaces. The separation parts R5 and R6 are regions where the first and second extension parts 111B and 113B or the connection part 112B are removed, and can electrically separate the metal parts 111, 112/112A, 113 from each other. there is. Lengths of the separation portions R5 and R6 in the second direction Y may be the same as those of the first and second extension portions 111B and 113B. The length of the separation parts R5 and R6 in the second direction (Y) may be the same as the length of the lower surface of the body 110 in the second direction. The separating parts R5 and R6 may be regions formed by forming a metal part or a metal layer through the lower part of the body and then removing a partial region of the metal part through a laser scribing process to separate them into different metal parts. The depth of the separating parts R5 and R6 may be 1 micrometer or less, for example, in the range of 0.01 to 1 micrometer. A depth of the separation parts R5 and R6 may be less than or equal to a thickness of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 . When the depths of the separating portions R5 and R6 are greater than the above range, rigidity between the first and second through holes TH1 and TH2 may decrease.

도 2 및 도 3과 같이, 상기 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113)의 제2방향 길이는 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)와 연결부(112B)의 제2방향 길이보다 작을 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113)로부터 발생된 열은 제1 및 제2연장부(111B,113B) 또는 연결부(112B)를 통해 확산되어 방열될 수 있다. 2 and 3, the lengths of the first and second metal parts 111, 112, 112A and 113 in the second direction are the lengths of the first and second extension parts 111B and 113B and the connection part 112B in the second direction. may be less than the length. Accordingly, heat generated from the first and second metal parts 111, 112, 112A, and 113 may be diffused and dissipated through the first and second extension parts 111B and 113B or the connection part 112B.

상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 각 금속부(111,112,112A,113)의 표면적은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 표면적보다는 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 각 금속부(111,112,112A,113)의 면적은 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B) 또는 연결부(112B)의 각 면적보다 작을 수 있다. A surface area of each of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 may be smaller than that of the first and second through holes TH1 and TH2 . The area of each of the metal parts 111, 112, 112A, and 113 disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 is the area of each of the first and second extension parts 111B and 113B or the connection part 112B. may be smaller than

상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 금속부(111,112,112A,113)의 높이는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 높이보다 크고, 상기 제1몸체(115)의 두께보다 클 수 있다. 이는 상기 금속부(111,112,112A,113)의 높이는 상기 연장부 또는 연결부의 두께를 포함하고 있어, 상기 금속부(111,112,112A,113)의 높이는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하면보다 더 아래로 돌출될 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)의 상단은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 같거나 더 낮게 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 금속부(111,112,112A,113)의 상부는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 통해 상기 제1몸체(115)의 상면으로 연장될 수 있다. 예컨대, 각 금속부(111,112,112A,113)의 상부는 상기 몸체(110)의 상면으로 연장되고, 상기 발광소자(120,120A)의 제1 및 제2본딩부(121,122)와 대면할 수 있다. The heights of the metal parts 111, 112, 112A, 113 disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 are greater than the heights of the first and second through holes TH1 and TH2, and the first body ( 115) may be greater than the thickness. This is because the height of the metal parts 111, 112, 112A, 113 includes the thickness of the extension part or the connecting part, and the height of the metal parts 111, 112, 112A, 113 is the lower surface of the first and second through holes TH1 and TH2. It can protrude further down. Upper ends of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may be disposed equal to or lower than upper surfaces of the first and second through holes TH1 and TH2 . As another example, upper portions of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may extend to the upper surface of the first body 115 through the first and second through holes TH1 and TH2 . For example, upper portions of each of the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may extend to the upper surface of the body 110 and face the first and second bonding parts 121 and 122 of the light emitting devices 120 and 120A.

상기 금속부(111,112,112A,113)는 상기 각 발광소자(120,120A)의 하부 영역 내에 배치되며, 상기 발광소자(120,120A)의 측면 외측으로 돌출되지 않을 수 있다. 예컨대, 상기 금속부(111,112,112A,113)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 영역에 배치되거나, 몸체(110)의 상면에 연장되더라도, 상기 발광소자(120,120A)의 측면 외측으로 노출되지 않을 수 있다. 이는 상기 몸체(110)의 재질이 상기 금속부(111,112,112A,113)의 재질보다 반사 특성이 더 우수하여, 상기 금속부(111,112,112A,113)이 상기 발광소자(120,120A)의 외측에 노출될 경우, 광의 반사 특성이 저하될 수 있다. The metal parts 111 , 112 , 112A and 113 are disposed within the lower regions of the respective light emitting devices 120 and 120A and may not protrude outward from the side surfaces of the light emitting devices 120 and 120A. For example, the metal parts 111, 112, 112A, and 113 are disposed in the regions of the first and second through holes TH1 and TH2, or extend to the upper surface of the body 110, but also the side surfaces of the light emitting elements 120 and 120A. It may not be exposed to the outside. This is because the material of the body 110 has better reflection characteristics than the material of the metal parts 111, 112, 112A, and 113, so that the metal parts 111, 112, 112A, and 113 are exposed to the outside of the light emitting devices 120 and 120A. In this case, light reflection characteristics may be deteriorated.

상기 금속부(111,112,112A,113)는 상기 각 발광소자(120,120A)의 제1 및 제2본딩부(121,122)와 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제3금속부(111,112A)는 상기 제1본딩부(121)와 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 제2 및 제4금속부(112,113)는 상기 제2본딩부(122)와 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 금속부(111,112,112A,113)와 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역에는 도전부가 배치될 수 있다. 상기 도전부의 설명은 후술하기로 한다. 상기 금속부(111,112,112A,113)와 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 계면은 금속 또는 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 배치될 수 있다. 상기 금속 또는 금속간 화합물층은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. The metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may be connected to the first and second bonding parts 121 and 122 of the respective light emitting devices 120 and 120A. The first and third metal parts 111 and 112A may contact or be connected to the first bonding part 121 . The second and fourth metal parts 112 and 113 may contact or be connected to the second bonding part 122 . A conductive part may be disposed in a region between the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 and the first and second bonding parts 121 and 122 . The conductive part will be described later. A metal or intermetallic compound (IMC) layer may be disposed at an interface between the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 and the first and second bonding parts 121 and 122 . The metal or intermetallic compound layer may include at least one of Cu x Sn y , Ag x Sn y , and Au x Sn y , where x is 0<x<1, y=1-x, x>y can be satisfied.

도 19와 도 4를 참조하면, 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(321,323)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(321,323) 예컨대, 솔더 페이스트, 실버 페이스트와 같은 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 도전부(321,323)는 금속부(111,112,112A,113)와 본딩부(121,122)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(321,323)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(321,323)는 CuxSny계, AgxSny계, AuxSny계, SAC계 페이스트 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 상기 도전전 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.Referring to FIGS. 19 and 4 , the light emitting device package may include conductive parts 321 and 323 in the first and second through holes TH1 and TH2 . The light emitting device package may include conductive parts 321 and 323 in the first and second through holes TH1 and TH2, for example, a conductive paste such as solder paste or silver paste. The conductive parts 321 and 323 may connect the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 and the bonding parts 121 and 122 . The conductive parts 321 and 323 may include one material selected from a group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. The conductive parts 321 and 323 may include at least one of Cu x Sn y -based paste, Ag x Sn y -based paste, Au x Sn y -based paste , and SAC-based paste, where x is 0<x<1, y=1- The condition of x, x>y can be satisfied. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be composed of multiple layers composed of different materials or multiple layers or single layers composed of alloys.

상기 도전부(321,323)는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내부에 배치되고 상기 관통홀(TH1,TH2)의 하부에 노출되지 않을 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(321,323)는 하부에 절연 재질의 물질이 채워져 상기 도전부(321,323)이 하부로 누출되는 것을 차단할 수 있다. 이러한 도전부(321,323)가 상기 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 경우, 상기 금속부(111,112,112A,113)는 하부의 연장부(111B,113B)를 통해 회로 기판이나 서브 마운트와 같은 지지 부재와 도전성 페이스트로 접합될 수 있다. 이때, 연결부는 방열 금속일 수 있다. The conductive parts 321 and 323 may be disposed inside the through holes TH1 and TH2 and may not be exposed to lower portions of the through holes TH1 and TH2. For example, a lower portion of the conductive portions 321 and 323 may be filled with an insulating material to block leakage of the conductive portions 321 and 323 to the lower portion. When the conductive parts 321 and 323 are disposed in the through-holes TH1 and TH2, the metal parts 111, 112, 112A and 113 pass through the lower extension parts 111B and 113B to support members such as circuit boards or submounts. and can be bonded with conductive paste. In this case, the connection part may be a heat-dissipating metal.

상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 회로 기판(301) 상에 배치되는 도전부(321,323)가 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)에는 제1도전부(321)가 배치되고, 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2도전부(323)가 배치될 수 있다. 상기 제1도전부(321)는 상기 제1금속부(111)의 표면과 상기 제1관통홀(TH1)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제1도전부(321)는 상기 제1관통홀(TH1)에서 상기 제1금속부(111)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(323)는 상기 제2금속부(112)의 표면과 상기 제2관통홀(TH2)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(323)는 상기 제2관통홀(TH2) 내에서 상기 제2금속부(112)의 표면에 접촉될 수 있다. 제3 및 제4금속부와 도전부의 관계는 상기 제1 및 제2금속부와 도전부의 설명을 참조하기로 한다.Conductive parts 321 and 323 disposed on the circuit board 301 may be disposed in the first and second through holes TH1 and TH2 . A first conductive part 321 may be disposed in the first through hole TH1 , and a second conductive part 323 may be disposed in the second through hole TH2 . The first conductive part 321 may contact the surface of the first metal part 111 and the surface of the first through hole TH1. The first conductive part 321 may contact the surface of the first metal part 111 at the first through hole TH1. The second conductive part 323 may contact the surface of the second metal part 112 and the surface of the second through hole TH2. The second conductive part 323 may contact the surface of the second metal part 112 within the second through hole TH2. The relationship between the third and fourth metal parts and the conductive part will be referred to the description of the first and second metal parts and the conductive part.

예컨대, 상기 제1도전부(321)는 상기 발광소자(120,120A)의 제1본딩부(121)와, 상기 제1금속부(111) 및 상기 회로 기판(301)의 제1패드(311)에 연결될 수 있다. 상기 제2도전부(323)는 상기 발광소자(120,120A)의 제2본딩부(122)와, 상기 제2금속부(112) 및 상기 회로 기판(301)의 제2패드(313)에 연결될 수 있다. 상기 제1도전부(321)는 상기 발광소자(120,120A)의 제1본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2도전부(323)는 상기 발광소자(120,120A)의 제2본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2도전부(321,323)에 의한 전기적인 및 열적인 경로를 최소화할 수 있다. For example, the first conductive portion 321 may include the first bonding portion 121 of the light emitting devices 120 and 120A, the first metal portion 111, and the first pad 311 of the circuit board 301. can be connected to The second conductive part 323 may be connected to the second bonding part 122 of the light emitting devices 120 and 120A, the second metal part 112 and the second pad 313 of the circuit board 301. can The first conductive portion 321 may overlap the first bonding portion 121 of the light emitting devices 120 and 120A in a vertical direction. The second conductive portion 323 may overlap the second bonding portion 122 of the light emitting devices 120 and 120A in a vertical direction. Accordingly, electrical and thermal paths by the first and second conductive parts 321 and 323 can be minimized.

도 19와 같이, 상기 회로 기판(301)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(301)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로 기판(301)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층(303)이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층(303)으로부터 노출된 패드(311,313)가 배치된다. 상기 패드(311,313)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층(303)은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.As shown in FIG. 19 , the circuit board 301 may be a printed circuit board (PCB). The circuit board 301 may include at least one of a resin material PCB, a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and a rigid PCB. In the circuit board 301, an insulating layer or protective layer 303 is disposed on a base layer made of resin or metal, and pads 311 and 313 exposed from the insulating layer or protective layer 303 are disposed. The pads 311 and 313 may electrically connect one or a plurality of light emitting device packages. The insulating layer or protective layer 303 may be made of a solder resist material or a resin material.

상기 회로 기판(301)의 각 패드(311,313)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.Each of the pads 311 and 313 of the circuit board 301 is, for example, at least one selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, and Al. of or alloys thereof.

상기 제1패드(311)는 상기 제1도전부(321)를 통해 상기 제1발광소자(12)의 제1본딩부(121)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(313)는 상기 제2도전부(323)을 통해 상기 제1발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1발광소자(120)의 아래에 배치된 제2관통홀(TH2)와 제2발광소자(120A) 아래에 배치된 제1관통홀(TH1)에는 도전부가 배치되고, 회로 기판의 패드는 없을 수 있다. 그리고, 상기 제2발광소자(120A)의 아래에 배치된 제2관통홀(TH2)에 제2도전부(313)를 채워 제2패드와 제2본딩부(122)를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. The first pad 311 is electrically connected to the first bonding part 121 of the first light emitting element 12 through the first conductive part 321, and the second pad 313 is It may be electrically connected to the second bonding part 122 of the first light emitting element 120 through the second conductive part 323 . Here, conductive parts are disposed in the second through hole TH2 disposed below the first light emitting element 120 and the first through hole TH1 disposed below the second light emitting element 120A, and the circuit board Pads may be absent. Also, the second through hole TH2 disposed under the second light emitting element 120A can be filled with the second conductive part 313 to electrically connect the second pad and the second bonding part 122. there is.

여기서, 도전부(321,323)의 접합 공정을 보면, 상기 제1 및 제2도전부(321,323)는 액상의 재질로 제공되며, 회로기판(301)의 제1 및 제2패드(311,313) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(301) 상에 정렬된 발광소자(120,120A)를 결합하게 된다. 이때 상기 제1패드(311) 상에 배치된 제1도전부(321)는 제1관통홀(TH1)에 주입되고, 상기 제2패드(313) 상에 배치된 제2도전부(323)는 제2관통홀(TH2)에 주입될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 제1몸체(115) 또는 몸체(110)의 상면 및 하면은 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1 및 제2도전부(321,323)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(321,323) 사이에 배치된 제1몸체(115)는 액상의 도전성 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(321,323) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다. Here, looking at the bonding process of the conductive parts 321 and 323, the first and second conductive parts 321 and 323 are made of a liquid material and are located on the first and second pads 311 and 313 of the circuit board 301. After that, the light emitting elements 120 and 120A aligned on the circuit board 301 are coupled. At this time, the first conductive part 321 disposed on the first pad 311 is injected into the first through hole TH1, and the second conductive part 323 disposed on the second pad 313 is It may be injected into the second through hole TH2. The upper and lower surfaces of the first body 115 or the body 110 disposed between the first and second through holes TH1 and TH2 are made of a resin material, so that the first and second conductive parts 321 and 323 ) can prevent the spread of Accordingly, the first body 115 disposed between the first and second conductive parts 321 and 323 can prevent the liquid conductive paste from spreading, and electrical interference between the first and second conductive parts 321 and 323 can be prevented. can block

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.According to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the body 110 from being damaged or discolored due to exposure to high temperatures. Accordingly, it is possible to widen the range of selection of materials constituting the upper body. According to the embodiment, the first body 115 may be provided using a relatively inexpensive resin material as well as an expensive material such as ceramic.

발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 4와 같이 몰딩부(190,191)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190,191)는 상기 각 발광소자(120,120A) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190,191)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190,191)는 상기 제2몸체(110A)에 의하여 제공된 각 캐비티(102,102A)에 배치될 수 있다. The light emitting device package 100 according to the embodiment of the present invention may include molding parts 190 and 191 as shown in FIG. 4 . The molding parts 190 and 191 may be provided on each of the light emitting elements 120 and 120A. The molding parts 190 and 191 may be disposed on the body 110 . The molding parts 190 and 191 may be disposed in respective cavities 102 and 102A provided by the second body 110A.

상기 몰딩부(190,191)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190,191)는 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190,191)는 상기 발광소자(120,120A)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190,191)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120,120A)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190,191)는 형성하지 않을 수 있다.The molding parts 190 and 191 may include an insulating material. The molding parts 190 and 191 may include a transparent insulating material. The molding parts 190 and 191 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting devices 120 and 120A and providing wavelength-converted light. For example, the molding parts 190 and 191 may be formed of at least one selected from a group including phosphors and quantum dots. The light emitting devices 120 and 120A may emit blue, green, red, white, infrared or ultraviolet light. The phosphor or quantum dot may emit blue, green, or red light. The molding parts 190 and 191 may not be formed.

상기 몰딩부(190,191) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610 nm에서 650 nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10 nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4+, K3SiF7:Mn4 + 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1 - cFb:Mn4 + c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.The phosphor disposed inside or below the molding parts 190 and 191 may include a phosphor of a fluoride compound, and may include, for example, at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, or a KTF-based phosphor. The phosphors may emit light with different peak wavelengths, and the light emitted from the light emitting device may emit light with different yellow and red peak wavelengths or different red peak wavelengths. One type of the phosphor may include a red phosphor. The red phosphor may have a wavelength range from 610 nm to 650 nm, and the wavelength may have a full width at half maximum of less than 10 nm. The red phosphor may include a fluoride-based phosphor. The fluorite-based phosphors are KSF-based red K 2 SiF 6 :Mn 4+ , K 2 TiF 6 : Mn 4+ , NaYF 4 :Mn 4+ , NaGdF 4 :Mn 4+ , K 3 SiF 7 : Mn 4+ At least one of them may be included. The KSF-based phosphor, for example, may have a composition formula of K a Si 1 - c F b :Mn 4 + c , wherein a is 1 ≤ a ≤ 2.5, b is 5 ≤ b ≤ 6.5, and c is 0.001 ≤ c ≤ 0.1 can be satisfied. In addition, the fluorite-based red phosphor may be coated with Mn-free fluoride or further include an organic coating on the phosphor surface or Mn-free fluoride-coated surface to improve reliability at high temperature/high humidity. In the case of the fluorite-based red phosphor as described above, unlike other phosphors, since it can implement a narrow half-width of 10 nm or less, it can be used in high-resolution devices.

실시 예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.The phosphor composition according to the embodiment should basically conform to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group of the periodic table. For example, Sr can be substituted with alkaline earth (II) group Ba, Ca, Mg, etc., and Y can be substituted with lanthanide group Tb, Lu, Sc, Gd, etc. In addition, Eu, etc. as an activator may be substituted with Ce, Tb, Pr, Er, Yb, etc. according to a desired energy level, and an activator alone or an auxiliary activator may be additionally applied to modify properties.

상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.The quantum dot phosphor may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit red light. The quantum dots may be, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2 , CuInSe 2 and the like, and combinations thereof.

상기 몰딩부(190,191)는 도 10 내지 도 12와, 도 14 내지 도 18과 같은 구조로 선택적으로 변형 될 수 있다. 이에 대한 설명은 후술하기로 한다. The molding parts 190 and 191 may be selectively modified into the structures shown in FIGS. 10 to 12 and 14 to 18. A description of this will be given later.

발명의 실시 예에 따른 발광소자(120,120A)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 금속부(111,112,112A,113) 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전부(321,323)의 용융점이 다른 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 도전부와 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 회로 기판이나 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 of the light emitting devices 120 and 120A according to an embodiment of the present invention may receive driving power through the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 and the conductive part. Also, the melting point of the conductive parts 321 and 323 may be selected to have a higher melting point than that of other bonding materials. The light emitting device package 100 may be supplied mounted on a submount or a circuit board. However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in a bonding region between the light emitting device and the conductive portion provided in the light emitting device package, so that stability of electrical connection and physical coupling may be weakened. Therefore, since the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device device package 100 according to the embodiment is bonded through a reflow process to a circuit board or a main board, electrical connection and physical bonding force It has the advantage of not deteriorating. In addition, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the body 110 from being damaged or discolored due to exposure to high temperatures.

이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.Accordingly, the range of selection for the material constituting the body 110 can be widened. According to the embodiment, the body 110 may be provided using a relatively inexpensive resin material as well as an expensive material such as ceramic. For example, the body 110 includes at least one material selected from the group consisting of PolyPhtal Amide (PPA) resin, PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate (PCT) resin, Epoxy Molding Compound (EMC) resin, and Silicone Molding Compound (SMC) resin. can do.

도 1 및 도 5를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110) 상에 오목한 리세스(Recess)가 배치될 수 있다. 리세스(R1,R2)는 각 발광소자(120,120A) 아래에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2) 각각은 몸체(110)의 상면 중에서 상기 발광소자(120,120A)과 적어도 일부 또는 모두가 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)가 복수인 경우, 적어도 하나의 리세스는 상기 각 발광소자(120,120A)와 적어도 일부 또는 모두가 중첩될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R1,R2)는 발광소자(120,120A)의 영역 아래에서 제2방향으로 배열될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 5 , a concave recess may be disposed on the body 110 of the light emitting device package. One or a plurality of the recesses R1 and R2 may be disposed under each of the light emitting devices 120 and 120A. Each of the recesses R1 and R2 may overlap at least some or all of the light emitting devices 120 and 120A on the upper surface of the body 110 in a vertical direction. When the number of the recesses R1 and R2 is plural, at least one recess may overlap at least a portion or all of the respective light emitting devices 120 and 120A. The plurality of recesses R1 and R2 may be arranged in the second direction below the regions of the light emitting devices 120 and 120A.

상기 리세스(R1,R2)는 서로 이격된 제1 및 제2리세스(R1,R2)를 포함할 수 있다. 제1리세스(R1)는 상기 각 발광소자(120,120A) 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제3측면(S3)에 가깝게 배치되며, 상기 제2리세스(R2)는 상기 각 발광소자(120,120A) 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제4측면(S4)에 가깝게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)는 상기 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113) 사이의 영역을 기준으로 제3측면(S3) 및 제4측면(S4) 방향으로 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(110)의 리세스는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에 오목한 제3리세스(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 제3리세스는 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113) 사이의 영역에 오목하게 배치될 수 있다. The recesses R1 and R2 may include first and second recesses R1 and R2 spaced apart from each other. The first recess R1 is disposed close to the third side surface S3 in a region between the first and second through holes TH1 and TH2 disposed below each of the light emitting devices 120 and 120A, and the second The recess R2 may be disposed close to the fourth side surface S4 in a region between the first and second through holes TH1 and TH2 disposed below each of the light emitting devices 120 and 120A. The first and second recesses R1 and R2 are disposed in the direction of the third side surface S3 and the fourth side surface S4 based on the area between the first and second metal parts 111 , 112 , 112A and 113 . It can be. As another example, the recess of the body 110 may include a third recess (not shown) concave in a region between the first and second through holes TH1 and TH2. The third recess may be concavely disposed in a region between the first and second metal parts 111 , 112 , 112A and 113 .

상기 리세스(R1,R2)는 상기 제1몸체(115) 상에 오목하게 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)에는 제1수지(160)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)에 배치된 상기 제1수지(160)는 발광소자(120,120A)의 하면과 접착되어, 상기 발광소자(120,120A)가 틸트되거나 유동하는 것을 방지할 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)는 제1몸체(115) 상에 하나 또는 복수로 배치되어, 상기 제1수지(160)의 일부와 결합될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)는 적어도 일부가 발광소자(120,120A)과 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 적어도 일부가 발광소자(120,120A)의 측면 외측으로 돌출된 외측부를 포함할 수 있다. 이러한 리세스(R1,R2)은 일부가 발광소자(120,120A)의 내측에서 외측으로 돌출되므로, 발광소자(120,120A)의 가압에 따라 확산되는 제1수지(160)를 담을 수 있다. 상기 제1몸체(115)와 발광소자(120,120A) 사이에는 제1수지(160)가 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 제1 및 제2본딩부(121,122)와 제1 및 제2금속부(111,112,112A,113) 사이를 통해 상기 관통홀(TH1,TH2)내에 배치된 도전부에 접촉될 수 있다.The recesses R1 and R2 may be concavely disposed on the first body 115 . A portion of the first resin 160 may be disposed in the recesses R1 and R2. The first resin 160 disposed in the recesses R1 and R2 adheres to the lower surfaces of the light emitting devices 120 and 120A, thereby preventing the light emitting devices 120 and 120A from tilting or moving. One or a plurality of the recesses R1 and R2 may be disposed on the first body 115 and coupled to a part of the first resin 160 . The recesses R1 and R2 may include at least a portion of an inner portion overlapping the light emitting devices 120 and 120A in a vertical direction and an outer portion of at least a portion of which protrudes outward from the side surface of the light emitting device 120 and 120A. Since some of the recesses R1 and R2 protrude from the inside of the light emitting devices 120 and 120A to the outside, they may contain the first resin 160 diffused according to the pressure of the light emitting devices 120 and 120A. A first resin 160 may be bonded between the first body 115 and the light emitting elements 120 and 120A. The first resin 160 may contact side surfaces of the first and second bonding parts 121 and 122 . The first resin 160 contacts the conductive parts disposed in the through holes TH1 and TH2 through the first and second bonding parts 121 and 122 and the first and second metal parts 111, 112, 112A and 113. It can be.

상기 리세스(R1,R2)의 깊이는 상기 몸체(110)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 예컨대 20 마이크로 미터 이상 또는 20 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)의 깊이가 상기 범위보다 크면 제1몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작으면 지지력이 미미할 수 있다. 이러한 리세스(R1,R2)의 깊이는 상기 제1몸체(115)의 두께보다 작을 수 있다. The depth of the recesses R1 and R2 may be formed to a predetermined depth from the upper surface of the body 110, and may be, for example, greater than 20 micrometers or in the range of 20 to 60 micrometers. When the depths of the recesses R1 and R2 are larger than the above range, the rigidity of the first body 115 may be reduced, and when the depth is smaller than the above range, the supporting force may be insignificant. Depths of the recesses R1 and R2 may be smaller than the thickness of the first body 115 .

상기 각 발광소자(120,120A)의 하부 둘레에는 리세스 또는/및 제2수지가 배치되어, 발광소자(120,120A)를 접착시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(110) 상에는 캐소드 구분을 위한 식별부(101)가 배치될 수 있다. 상기 제2수지는 상기 발광소자(120,120A)의 적어도 한 코너, 또는 한 코너 이상에 배치되어, 상기 발광소자(120,120A)의 하면과 접착되고, 상기 발광소자(120,120A)를 지지할 수 있다. 상기 제2수지는 상기 발광소자(120,120A)의 코너에 인접한 본딩부에 접촉될 수 있다. 이러한 제2수지(162)는 상기 발광소자(120,120A)가 회전 또는 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2수지는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제2수지는 상기 도전부가 리멜팅되더라도, 상기 몸체(110)에 상기 발광소자(120,120A)를 고정시켜 줄 수 있다. A recess or/and a second resin may be disposed around the lower circumference of each of the light emitting elements 120 and 120A, so that the light emitting elements 120 and 120A may be adhered to each other. An identification unit 101 for classifying the cathode may be disposed on the body 110 . The second resin may be disposed at at least one corner or more than one corner of the light emitting elements 120 and 120A, adhere to the lower surface of the light emitting elements 120 and 120A, and support the light emitting elements 120 and 120A. . The second resin may contact a bonding portion adjacent to a corner of the light emitting device 120 or 120A. The second resin 162 may prevent the light emitting devices 120 and 120A from rotating or tilting. The second resin may be made of a material containing metal oxides or impurities such as TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 . The second resin may fix the light emitting elements 120 and 120A to the body 110 even if the conductive part is remelted.

도 6은 도 1의 패키지의 제1변형 예이며, 도 7 내지 도 9는 도 6의 패키지의 금속부의 패턴 예를 나타낸 도면이다. 이러한 제1변형 예를 설명함에 있어서, 상기와 동일한 구성은 선택적으로 적용될 수 있다.FIG. 6 is a first modified example of the package of FIG. 1 , and FIGS. 7 to 9 are diagrams showing examples of patterns of metal parts of the package of FIG. 6 . In describing this first modified example, the same configuration as above may be selectively applied.

도 6을 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110) 내에 복수의 캐비티(102,102A,202,202A)를 포함할 수 있으며, 상기 복수의 캐비티(102,102A,202,202A)는 n행, m열(n,m≥2)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 캐비티(102,102A,202,202A)는 서로 분리될 수 있다. 상기 몸체(110) 내에는 복수의 발광소자(120,120A,220,220A)를 포함할 수 있으며, 상기 발광소자(120,120A,220,220A)는 4개 이상일 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A,220,220A) 아래에는 상기에 개시된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)이 배치될 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A,220,220A) 아래에는 상기에 개시된 제1 및 제2리세스(R1,R2)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 각각에는 제1 내지 제4금속부(111,112,112A,113) 및 제5 내지 제8금속부(211,212,212A,213)가 배치될 수 있다. Referring to FIG. 6 , the light emitting device package may include a plurality of cavities 102, 102A, 202, and 202A in a body 110, and the plurality of cavities 102, 102A, 202, and 202A may include n rows and m columns (n , m≥2). The plurality of cavities 102, 102A, 202, and 202A may be separated from each other. A plurality of light emitting devices 120 , 120A , 220 , and 220A may be included in the body 110 , and the number of light emitting devices 120 , 120A , 220 , and 220A may be four or more. The first and second through holes TH1 and TH2 described above may be disposed below each of the light emitting devices 120 , 120A, 220 , and 220A. The first and second recesses R1 and R2 described above may be disposed below each of the light emitting devices 120 , 120A, 220 , and 220A. First to fourth metal parts 111 , 112 , 112A and 113 and fifth to eighth metal parts 211 , 212 , 212A and 213 may be disposed in each of the first and second through holes TH1 and TH2 .

도 7과 같이, 몸체(110)의 하면에는 제1연장부(111B), 연결부(112B), 제2연장부(113B)를 포함할 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 제1 및 제5금속부(111,211)로부터 연장되고 서로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 연결부(112B)는 제2,3,6,7금속부(112,112A,212,212A)로부터 연장되고 서로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 제4금속부(113)과 제8금속부(213)로부터 연장되고 서로 연결시켜 줄 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2발광소자(120,120A)는 서로 직렬로 연결되며, 제3 및 제4발광소자(220,220A)는 직렬로 연결될 수 있다. 또한 제1 및 제3발광소자(120,220)와, 제2 및 제4발광소자(120A,220A)는 병렬로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 7 , the lower surface of the body 110 may include a first extension part 111B, a connection part 112B, and a second extension part 113B. The first extension part 111B may extend from the first and fifth metal parts 111 and 211 and connect them to each other. The connection portion 112B may extend from the second, third, sixth, and seventh metal portions 112, 112A, 212, and 212A and connect them to each other. The second extension part 113B may extend from the fourth metal part 113 and the eighth metal part 213 and connect them to each other. Accordingly, the first and second light emitting devices 120 and 120A may be connected in series to each other, and the third and fourth light emitting devices 220 and 220A may be connected in series. Also, the first and third light emitting devices 120 and 220 and the second and fourth light emitting devices 120A and 220A may be connected in parallel.

도 8과 같이, 제1 내지 제4금속부(111,112,112A,113)는 제1 및 제2발광소자(120,120A)를 직렬로 연결시켜 주며, 제5 내지 제8금속부(211,212,212A,213)는 제3 및 제4발광소자(220,220A)를 직렬로 연결시켜 줄 수 있다. 제1 내지 제4금속부(111,112,112A,113)는 제5 내지 제8금속부(211,212,212A,213)와 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제5 내지 제8금속부(211,212,212A,213)는 연장부(212B,213B) 및 연결부(212B)를 포함할 수 있다 8, the first to fourth metal parts 111, 112, 112A, 113 connect the first and second light emitting devices 120, 120A in series, and the fifth to eighth metal parts 211, 212, 212A, 213 may connect the third and fourth light emitting devices 220 and 220A in series. The first to fourth metal parts 111 , 112 , 112A and 113 may be electrically insulated from the fifth to eighth metal parts 211 , 212 , 212A and 213 . The fifth to eighth metal parts 211 , 212 , 212A and 213 may include extension parts 212B and 213B and a connection part 212B.

도 9와 같이, 제1 내지 제4금속부(111,112,112A,113)는 제1 및 제2발광소자(120,120A)를 직렬로 연결시켜 주며, 제5 내지 제8금속부(211,212,212A,213)는 제3 및 제4발광소자(220,220A)를 직렬로 연결시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제4 및 제8금속부(113,213)은 제2연장부(113B)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에 따라 제2 및 제4발광소자(120A,220A)의 제2본딩부는 공통 전극으로 연결될 수 있다. 또는 제2발광소자(120A)의 제2본딩부가 p형 전극이고, 제4발광소자(220A)가 제2본딩부가 n형 전극인 경우, 제 1내지 제4발광소자(120,120A,220,220A)는 직렬로 연결될 수 있다. 이러한 방식으로 50 개 이상의 발광소자를 직렬 연결하여, 높은 구동 전압 또는 교류 전원으로 구동시켜 줄 수 있다. 9, the first to fourth metal parts 111, 112, 112A, 113 connect the first and second light emitting devices 120 and 120A in series, and the fifth to eighth metal parts 211, 212, 212A, 213 may connect the third and fourth light emitting devices 220 and 220A in series. Here, the fourth and eighth metal parts 113 and 213 may be connected to each other by a second extension part 113B. Accordingly, the second bonding parts of the second and fourth light emitting devices 120A and 220A may be connected to a common electrode. Alternatively, when the second bonding portion of the second light emitting device 120A is a p-type electrode and the second bonding portion of the fourth light emitting device 220A is an n-type electrode, the first to fourth light emitting devices 120, 120A, 220, and 220A can be connected in series. In this way, more than 50 light emitting devices may be connected in series and driven with a high driving voltage or AC power.

도 10은 도 4의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다. 이러한 제2변형 예를 설명함에 있어서, 상기와 동일한 구성은 선택적으로 적용될 수 있다.FIG. 10 is a second modified example of the light emitting device package of FIG. 4 . In describing the second modified example, the same configuration as above may be selectively applied.

도 10을 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110) 상에 형광체층(193)을 포함할 수 있다. 발광소자(120,120A) 각각에는 몰딩부(190,191)가 배치될 수 있다. 상기 제1몰딩부(190)는 제1발광소자(120) 상에 배치되고, 상기 제2몰딩부(191)는 제2발광소자(121) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1몰딩부(190)는 제1캐비티(102) 내에서 제1발광소자(120)를 덮을 수 있고, 상기 제2몰딩부(191)는 제2캐비티(102A) 내에서 제2발광소자(120A)를 덮을 수 있다. 이러한 패키지의 구조는 상기와 같이, n행, m열(n,m≥1)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10 , the light emitting device package may include a phosphor layer 193 on the body 110 . Molding parts 190 and 191 may be disposed on each of the light emitting devices 120 and 120A. The first molding part 190 may be disposed on the first light emitting element 120 and the second molding part 191 may be disposed on the second light emitting element 121 . The first molding part 190 may cover the first light emitting element 120 within the first cavity 102, and the second molding part 191 may cover the second light emitting element 120 within the second cavity 102A. (120A) can be covered. As described above, the structure of such a package may include n rows and m columns (n, m≥1).

상기 형광체층(193)은 제1 및 제2몰딩부(190,191) 상에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(193)은 상기 몸체(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(193)의 측면은 상기 몸체(110)의 측면(S1,S2,S3,S4)와 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(193)의 측면은 상기 몸체(110)의 측면(S1,S2,S3,S4)과, 상기 연장부(111B,113B)와 연결부(112B)와 동일한 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 이는 몸체(110) 내에 발광소자(120,120A)를 배치하고 몰딩부(190,191)를 몰딩한 후, 형광체층(193)를 형성하게 되며, 이러한 상태에서 소정 크기의 패키지 단위로 커팅하게 된다. 이에 따라 형광체층(193)의 상면 면적은 각 패키지의 상면 면적 또는 하면 면적과 동일할 수 있다. 상기 형광체층(193)은 몸체(110) 상면에 접착되므로, 습기 침투를 방지할 수 있고 파장 변환된 형광체 광을 균일한 분포로 방출할 수 있다. 또한 몸체(110) 상에 형광체층(193)이 배치되므로, 광의 지향각 분포는 넓어질 수 있다. The phosphor layer 193 may be disposed on the first and second molding parts 190 and 191 . The phosphor layer 193 may be disposed on the body 110 . Side surfaces of the phosphor layer 193 may be disposed on the same vertical plane as side surfaces S1 , S2 , S3 , and S4 of the body 110 . The side surface of the phosphor layer 193 may be disposed on the same vertical plane as the side surfaces S1 , S2 , S3 , and S4 of the body 110 , the extension parts 111B and 113B, and the connection part 112B. . After disposing the light emitting devices 120 and 120A in the body 110 and molding the molding parts 190 and 191, the phosphor layer 193 is formed, and in this state, it is cut into packages of a predetermined size. Accordingly, the upper surface area of the phosphor layer 193 may be the same as the upper or lower surface area of each package. Since the phosphor layer 193 is adhered to the upper surface of the body 110, moisture permeation can be prevented and wavelength-converted phosphor light can be emitted in a uniform distribution. In addition, since the phosphor layer 193 is disposed on the body 110, the beam angle distribution of light can be widened.

상기 발광소자(120,120A)는 제1광을 발광하고, 상기 제1 및 제2몰딩부(120,120A)에는 상기 제1광을 제2광으로 파장 변환하는 제1형광체를 포함할 수 있다. 상기 제1광은 청색, 녹색, 또는 적색 광일 수 있으며, 상기 형광체층(193)은 상기 제1광을 제3광으로 파장 변환하는 제2형광체를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2형광체는 서로 다른 형광체이거나 서로 동일한 형광체일 수 있다. 상기 제1형광체는 적색, 황색 형광체 중 적어도 하나이며, 상기 제2형광체는 녹색, 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1형광체는 상대적으로 수분에 취약한 형광체일 수 있다. 상기 제2형광체는 서로 다른 컬러를 발광하는 2종류의 형광체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2광은 청색, 녹색, 황색 중 적어도 하나이며, 상기 제3광은 녹색, 황색, 적색 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 제1 및 제2몰딩부(190,191)는 서로 동일한 형광체이거나, 서로 다른 형광체를 포함할 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A)는 서로 동일한 광이거나 서로 다른 광을 발광할 수 있다. The light emitting elements 120 and 120A may emit a first light, and the first and second molding parts 120 and 120A may include a first phosphor for converting a wavelength of the first light into a second light. The first light may be blue, green, or red light, and the phosphor layer 193 may include a second phosphor that converts a wavelength of the first light into a third light. The first and second phosphors may be different phosphors or the same phosphors. The first phosphor may include at least one of red and yellow phosphors, and the second phosphor may include at least one of green and blue phosphors. The first phosphor may be a phosphor that is relatively vulnerable to moisture. The second phosphor may include two types of phosphors emitting different colors, but is not limited thereto. The second light may include at least one of blue, green, and yellow, and the third light may include at least one of green, yellow, and red. As another example, the first and second molding parts 190 and 191 may include the same phosphor or different phosphors. Each of the light emitting devices 120 and 120A may emit the same light or different lights.

도 11 및 도 12는 도 1의 발광소자 패키지의 제3변형 예이다. 이러한 제3변형 예를 설명함에 있어서, 상기와 동일한 구성은 선택적으로 적용될 수 있다. 11 and 12 are third modified examples of the light emitting device package of FIG. 1 . In describing this third modified example, the same configuration as above may be selectively applied.

도 11 및 도 12를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체 상에 형광체층(193)이 배치될 수 있다. 상기 형광체층(193)의 둘레에는 몸체(110)의 측벽부(210)가 배치될 수 있다. 상기 측벽부(210)는 상기 몸체(110)의 상면으로부터 Z축 방향으로 돌출되고 상기 형광체층(193)의 외측 둘레를 커버할 수 있다. 여기서, 상기 측벽부(210)의 내부 영역은 상부 캐비티 영역으로 정의할 수 있다. 상기 측벽부(210)는 상기 형광체층(193)의 두께와 같은 높이(t4)로 돌출될 수 있다. 상기 측벽부(210)의 측면은 상기 몸체(110)의 측면과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 측벽부(210)의 측면은 상기 몸체(110)의 측면, 상기 연장부(111B,113B)와 연결부(112B)과 동일한 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(193)은 장벽부(110B) 상에 배치되고 제1 및 제2몰딩부(190,191)의 상면과 접촉할 수 있다. 도 10 및 도 12에서, 상기 제1,2몰딩부 없이 형광체층(193)이 상기 각 캐비티(102,102A)에 채워질 수 있다. Referring to FIGS. 11 and 12 , a phosphor layer 193 may be disposed on a body of a light emitting device package. A side wall portion 210 of the body 110 may be disposed around the phosphor layer 193 . The side wall portion 210 protrudes from the upper surface of the body 110 in the Z-axis direction and may cover an outer circumference of the phosphor layer 193 . Here, the inner region of the side wall portion 210 may be defined as an upper cavity region. The side wall portion 210 may protrude to the same height t4 as the thickness of the phosphor layer 193 . A side surface of the side wall portion 210 may be disposed on the same vertical plane as the side surface of the body 110 . A side surface of the side wall portion 210 may be disposed on the same vertical plane as the side surface of the body 110, the extension portions 111B and 113B, and the connection portion 112B. The phosphor layer 193 may be disposed on the barrier portion 110B and may contact upper surfaces of the first and second molding portions 190 and 191 . 10 and 12 , the phosphor layer 193 may fill each of the cavities 102 and 102A without the first and second molding parts.

도 13은 도 4의 발광소자 패키지의 제4변형 예이다. 이러한 제4변형 예를 설명함에 있어서, 상기와 동일한 구성은 선택적으로 적용될 수 있다.FIG. 13 is a fourth modified example of the light emitting device package of FIG. 4 . In describing the fourth modified example, the same configuration as above may be selectively applied.

도 13을 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110)의 하부에 수직 방향으로 관통되는 관통홀(TH5,TH6)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH5,TH6)는 각 발광소자(120,120A)에 하나가 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH5,TH6)에는 각 발광소자(120,120A)의 제1 및 제2본딩부(121,122)가 노출될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH5)에는 제1 및 제2금속부(111,112)가 분리되어 배치되고, 제2관통홀(TH6)에는 제3 및 제4금속부(112A,113)가 분리되어 배치될 수 있다. 이에 따라 각 발광소자(120,120A)는 제2 및 제3금속부(112,112A)에 의해 직렬로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 13 , the light emitting device package may include through holes TH5 and TH6 penetrating in a vertical direction at a lower portion of the body 110 . One of the through holes TH5 and TH6 may be disposed in each of the light emitting elements 120 and 120A. The first and second bonding parts 121 and 122 of the light emitting devices 120 and 120A may be exposed through the through holes TH5 and TH6. The first and second metal parts 111 and 112 are separately disposed in the first through hole TH5, and the third and fourth metal parts 112A and 113 are separately disposed in the second through hole TH6. can Accordingly, each of the light emitting devices 120 and 120A may be connected in series by the second and third metal parts 112 and 112A.

상기 각 발광소자(120,120A)의 하면의 외곽부는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 상에 배치될 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A)의 하면의 외곽부는 제2수지(162)가 배치되어, 상기 발광소자(120,120A)를 제1몸체(115) 상에 접착시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)는 발광소자(120,120A)의 측면에 접촉될 수 있어, 발광소자의 유동을 억제할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The outer portion of the lower surface of each of the light emitting devices 120 and 120A may be disposed on the body 110 or the first body 115 . A second resin 162 is disposed on the outer portion of the lower surface of each of the light emitting elements 120 and 120A, so that the light emitting elements 120 and 120A can be adhered to the first body 115 . The second resin 162 may come into contact with the side surfaces of the light emitting elements 120 and 120A, thereby suppressing the movement of the light emitting elements. The second resin 162 may be made of a material containing metal oxides or impurities such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 .

이러한 각 발광소자(120,120A)에 하나의 관통홀(TH5,TH6)이 배치된 경우, 회로 기판 상에서 각 관통홀(TH5,TH6)의 센터 부분으로 절연 분리막을 각 관통홀(TH5,TH6)에 돌출시켜, 도전부의 확산에 따른 전기적인 간섭을 방지할 수 있다.When one through hole (TH5, TH6) is disposed in each of these light emitting elements (120, 120A), an insulating separator is applied to each through hole (TH5, TH6) as a center portion of each through hole (TH5, TH6) on the circuit board. By protruding, it is possible to prevent electrical interference due to diffusion of the conductive part.

도 14 내지 도 18은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 발광 소자 상의 몰딩부 또는 수지층의 변형 예이다. 도 14 내지 도 18에 도시된 발광소자 패키지는 단일 발광소자를 갖는 패키지이거나, 상기에 개시된 복수의 캐비티 또는 복수의 발광소자를 갖는 패키지에 적용될 수 있다.14 to 18 are modified examples of a molding part or a resin layer on a light emitting device in a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. The light emitting device package illustrated in FIGS. 14 to 18 may be a package having a single light emitting device, or may be applied to a package having a plurality of cavities or a plurality of light emitting devices described above.

도 14를 참조하면, 발광소자 패키지는 제1몸체(115) 상에 발광소자(120)가 배치되며, 상기 발광소자(120)는 하부에 제1수지(160)가 접착되고, 둘레에 제2수지(162)가 접착될 수 있다. 상기 제2수지는 제거될 수 있다. 상기 제1몸체(115)에는 발광소자(120)의 본딩부(121,122)와 대응되는 관통홀(TH1,TH2)이 형성될 수 있다. 이러한 관통홀(TH1,TH2)는 제거될 수 있다.Referring to FIG. 14, the light emitting device package has a light emitting device 120 disposed on a first body 115, a first resin 160 is attached to the lower portion of the light emitting device 120, and a second resin 160 is attached to the circumference thereof. Resin 162 may be adhered. The second resin may be removed. Through-holes TH1 and TH2 corresponding to the bonding parts 121 and 122 of the light emitting element 120 may be formed in the first body 115 . These through holes TH1 and TH2 may be removed.

상기 발광소자(120) 상에는 제1몰딩부(91)가 배치되며, 상기 제1수지층(91) 상에는 제2몰딩부(92)가 배치될 수 있다. 상기 제1몰딩부(91)는 제1형광체(P1)를 포함하며, 상기 제1몰딩부(91)의 외곽부(91A)는 상기 발광소자(120)의 측면 및 제1몸체(115)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제2몰딩부(92)는 제2형광체(P2)를 가지며, 상기 제1몰딩부(91) 상에 배치될 수 있으며, 상기 캐비티(102)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제2몰딩부(92)의 상면은 상기 몸체(110)의 상면과 같은 수평 면에 배치되거나, 오목할 수 있다. 상기 제2몰딩부(92)의 일부(92A)는 발광소자(120)의 측면과 대향되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1형광체(P1)는 적색 또는 황색 중 적어도 하나이며, 상기 제2형광체(P2)는 청색 또는 녹색 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 제1 및 제2형광체(P1,P2)는 서로 다른 형광체일 수 있다. 상기 발광소자 패키지로부터 방출된 광은 백색 광일 수 있다. 상기 제1형광체(P1)가 KSF계 형광체인 경우, 수분에 취약하므로, 제2몰딩부(92)로 커버할 수 있어, 적색 형광체의 변색을 방지할 수 있다. A first molding part 91 may be disposed on the light emitting element 120 , and a second molding part 92 may be disposed on the first resin layer 91 . The first molding part 91 includes the first phosphor P1, and the outer part 91A of the first molding part 91 is the side surface of the light emitting element 120 and the first body 115. It can be extended to the upper surface. The second molding part 92 has a second phosphor P2 , may be disposed on the first molding part 91 , and may contact a side surface of the cavity 102 . The upper surface of the second molding part 92 may be disposed on the same horizontal plane as the upper surface of the body 110 or may be concave. A part 92A of the second molding part 92 may be disposed in an area facing the side surface of the light emitting device 120 . The first phosphor P1 may be at least one of red or yellow, and the second phosphor P2 may be at least one of blue or green. The first and second phosphors P1 and P2 may be different phosphors. Light emitted from the light emitting device package may be white light. When the first phosphor P1 is a KSF-based phosphor, it is vulnerable to moisture, so it can be covered with the second molding part 92 to prevent discoloration of the red phosphor.

상기 제1몰딩부(91)는 시트 형상으로 상기 발광소자(120)의 표면에 라미네이팅 방식으로 접착될 수 있다. 상기 제2몰딩부(92)는 디스펜싱 방식으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2몰딩부(91,92) 중 적어도 하나 또는 모두를 디스펜싱 방식으로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2몰딩부(92)의 제2형광체(P2)는 발광소자(120)의 상면과 대응되는 평평한 제1몰딩부(91)의 상면과, 캐비티(102)의 측면 상에 다른 영역보다 더 많은 양이 분포하게 된다. 즉, 디스펜싱한 후 원심 분리기로 상기 패키지를 회전시켜 줌으로써, 제2형광체(P2)가 제2몰딩부(92)의 바닥과 측면에 다른 영역보다 더 많은 양이 분포될 수 있다. 상기 제2형광체(P2)는 분산되는 효과를 줄 수 있어, 파장 변환 효율 및 광 추출 효율이 개선될 수 있다. The first molding part 91 may have a sheet shape and be adhered to the surface of the light emitting device 120 in a laminating method. The second molding part 92 may be formed by a dispensing method. Here, at least one or both of the first and second molding parts 91 and 92 may be formed by a dispensing method. In this case, the second phosphor P2 of the second molding part 92 is a different area on the upper surface of the flat first molding part 91 corresponding to the upper surface of the light emitting element 120 and the side surface of the cavity 102. A larger amount will be distributed. That is, by rotating the package with a centrifugal separator after dispensing, a larger amount of the second phosphor P2 may be distributed on the bottom and side surfaces of the second molding part 92 than in other areas. The second phosphor P2 may have a dispersing effect, so that wavelength conversion efficiency and light extraction efficiency may be improved.

도 14 및 도 15와 같이, 제1몰딩부(91) 및 제2몰딩부(92)에 형광체(P1,P2)를 첨가한 후 디스펜싱하고, 원심 분리기로 패키지를 회전시킬 수 있다. 이 경우, 도 14에서 제1형광체(P1)는 발광 소자(120)의 상면, 제1몸체(115)의 상면, 캐비티 하부 측면에 분포할 수 있다. 이에 따라 제1형광체(P1)가 발광소자(120)의 상면에 집중적으로 분포되는 문제를 억제할 수 있고, 발광소자(120)의 측면으로부터 이격되어 있어, 파장 변환 효율이 개선될 수 있다. As shown in FIGS. 14 and 15 , after the phosphors P1 and P2 are added to the first molding part 91 and the second molding part 92 , dispensing is performed, and the package may be rotated by a centrifugal separator. In this case, in FIG. 14 , the first phosphor P1 may be distributed on the upper surface of the light emitting element 120, the upper surface of the first body 115, and the lower side of the cavity. Accordingly, a problem in which the first phosphor P1 is intensively distributed on the upper surface of the light emitting element 120 can be suppressed, and wavelength conversion efficiency can be improved because it is spaced apart from the side surface of the light emitting element 120 .

도 15와 같이, 제1몰딩부(91)의 두께가 상기 발광소자(120)의 상면보다 높게 배치될 수 있으며, 제1형광체(P1)는 발광소자(120)의 상면, 캐비티(102)의 측면에 다른 영역보다 더 많은 양이 분포할 수 있다. 상기 제1형광체(P1)는 수지 재질의 몸체(110)과 제2몰딩부(92) 사이에 배치되므로, 수분으로부터 보호할 수 있다. 이때 제2형광체(P2)는 제2몰딩부(92)의 바닥에 침전된 형태로 분포하거나, 캐비티 측면(132)에 분포할 수 있다. 이러한 제1 및 제2형광체(P1,P2)가 분산되는 효과를 줄 수 있어, 파장 변환 효율 및 광 추출 효율이 개선될 수 있다. As shown in FIG. 15 , the thickness of the first molding part 91 may be disposed higher than the upper surface of the light emitting element 120, and the first phosphor P1 is formed on the upper surface of the light emitting element 120 and the upper surface of the cavity 102. A larger amount can be distributed on the side than in other areas. Since the first phosphor P1 is disposed between the body 110 made of resin and the second molding part 92, it can be protected from moisture. At this time, the second phosphor P2 may be distributed in a form precipitated on the bottom of the second molding part 92 or distributed on the side surface 132 of the cavity. Since the first and second phosphors P1 and P2 may have a dispersion effect, wavelength conversion efficiency and light extraction efficiency may be improved.

도 16과 같이, 캐비티(102) 내에서 발광소자(120) 상에 제1몰딩부(91)를 디스펜싱하고, 제2몰딩부(92)를 제1몰딩부(91) 상에 디스펜싱할 수 있다. 이러한 몰딩부(91,92)에 대해 원심 분리기로 패키지를 회전시켜 줄 경우, 제1형광체(P1)의 분포와 제2형광체(P2)의 분포가 흩어질 수 있다. 예컨대,제1형광체(P1)는 발광소자(120)의 상면과 발광소자(120)의 측면과 대면하는 제1몰딩부(91)의 외곽부(91A)의 외면에 다른 영역보다 더 많은 양이 분포할 수 있다. 이는 제1몰딩부(91)의 외곽부(91A)의 외면에 제1형광체(P1)가 다른 영역보다 더 많은 양이 분포하게 되므로, 파장 변환 효율이 개선될 수 있다. 도 14 내지 도 16에서, 제1몰딩부(91)는 제2수지(162)에 접착될 수 있어, 반사 광의 파장 변환을 수행할 수 있다. As shown in FIG. 16, the first molding part 91 is dispensed on the light emitting device 120 in the cavity 102, and the second molding part 92 is dispensed on the first molding part 91. can When the package is rotated by a centrifugal separator with respect to the molding parts 91 and 92, the distribution of the first phosphor P1 and the distribution of the second phosphor P2 may be scattered. For example, the amount of the first phosphor P1 is greater on the outer surface of the outer portion 91A of the first molding part 91 facing the upper surface of the light emitting element 120 and the side surface of the light emitting element 120 than in other areas. can be distributed. Since a larger amount of the first phosphor P1 is distributed on the outer surface of the outer portion 91A of the first molding portion 91 than in other areas, wavelength conversion efficiency may be improved. 14 to 16 , the first molding part 91 may be adhered to the second resin 162 to perform wavelength conversion of the reflected light.

도 17을 참조하면, 제1몰딩부(91)를 발광소자(120)의 표면에 얇은 두께로 적층할 수 있으며, 이러한 제1몰딩부(91)는 형광체로 이루어진 층일 수 있다. 상기 제1몰딩부(91) 상에 투명한 제3몰딩부(93)를 포함하며, 상기 제3몰딩부(93)은 형광체와 같은 불순물이 없는 투명한 층이 배치될 수 있다. 상기 제3몰딩부(93) 상에 제2몰딩부(92) 상에 배치되며 제2형광체(P2)를 포함할 수 있다. 상기 제1형광체(P1)는 KSF계 적색 형광체를 포함하여 수분 침투에 의한 문제를 줄여줄 수 있다. Referring to FIG. 17 , a first molding portion 91 may be laminated on the surface of the light emitting device 120 with a thin thickness, and the first molding portion 91 may be a layer made of a phosphor. A transparent third molding part 93 may be included on the first molding part 91 , and a transparent layer free from impurities such as phosphors may be disposed on the third molding part 93 . It is disposed on the second molding part 92 on the third molding part 93 and may include a second phosphor P2. The first phosphor (P1) includes a KSF-based red phosphor to reduce problems caused by water penetration.

도 18을 참조하면, 캐비티(102) 내에서 제1몸체(115) 상에 배치된 발광소자(120)의 표면에 제1형광체(P1)를 갖는 제1몰딩부(91)가 배치되며, 상기 제1몰딩부(91) 상에 투명한 제3몰딩부(93)가 배치되며, 상기 제3몰딩부(93)와 몸체(110) 상에 형광체층(95)이 배치될 수 있다. 상기 형광체층(95)은 제1,2형광체(P1,P2) 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 또한 형광체층(95)을 디스펜싱한 후 원심 분리기로 패키지를 회전시켜 줄 수 경우, 상기 형광체층(95) 내의 형광체(P1,P2)는 바닥 및 측면에 다른 영역보다 더 많은 양이 분포할 수 있어, 파장 변환 효율 및 광 추출 효율이 개선될 수 있다. 또한 몸체(110) 상에 형광체층(95)이 배치되므로, 광의 지향각 분포는 넓어질 수 있다.Referring to FIG. 18, a first molding part 91 having a first phosphor P1 is disposed on the surface of the light emitting element 120 disposed on the first body 115 in the cavity 102, A transparent third molding part 93 may be disposed on the first molding part 91 , and a phosphor layer 95 may be disposed on the third molding part 93 and the body 110 . The phosphor layer 95 may include at least one or both of the first and second phosphors P1 and P2. In addition, when the package can be rotated by a centrifugal separator after dispensing the phosphor layer 95, a larger amount of the phosphors P1 and P2 in the phosphor layer 95 can be distributed on the bottom and side surfaces than in other areas. Therefore, wavelength conversion efficiency and light extraction efficiency can be improved. In addition, since the phosphor layer 95 is disposed on the body 110, the beam angle distribution of light can be widened.

발광소자 패키지의 제조 방법을 보면, 복수의 캐비티를 갖는 몸체에 복수의 관통홀을 형성하는 단계; 상기 각 관통홀 및 몸체 하면에 금속부를 증착하는 단계; 제1수지를 몸체 상에 도팅하고 발광소자를 제1수지로 부착시키고 제1본딩부 및 제2본딩부를 각 관통홀에 대응시키는 단계; 상기 발광소자의 표면에 제1 및 제2몰딩부 중 적어도 하나 또는 모두를 형성하는 단계; 선택적으로 상기 몸체 상에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하며, 이때 원심 분리기를 이용하여 회전시켜 줄 수 있다. 또한 상기 금속부를 분리 영역이 형성되도록 레이저 스크라이빙 공정을 통해 형성하게 된다. Looking at the manufacturing method of the light emitting device package, forming a plurality of through holes in a body having a plurality of cavities; Depositing a metal part on each of the through holes and the lower surface of the body; dotting a first resin on the body, attaching a light emitting element with the first resin, and making the first bonding part and the second bonding part correspond to each through hole; forming at least one or both of first and second molding parts on a surface of the light emitting device; Optionally, a step of forming a phosphor layer on the body is included, and at this time, it can be rotated using a centrifugal separator. In addition, the metal part is formed through a laser scribing process to form a separation region.

도 19는 광원 장치의 예로서, 상기에 개시된 발광소자 패키지를 회로 기판(201)상에 배치된 도전부(321,323)를 이용하여 결합시켜 줄 수 있다. 이러한 회로 기판(201)는 발광소자 패키지(100)와 상기 금속부(111,112,112A,113)과 도전부(321,323)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 회로 기판(201) 상에는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배열될 수 있다. 상기 발광소자 패키지의 배열방향은 제1방향으로 배열되거나, 제2방향으로 배열되거나, 제1,2방향으로 배열될 수 있다. 19 is an example of a light source device, and the light emitting device package disclosed above may be coupled using the conductive parts 321 and 323 disposed on the circuit board 201 . The circuit board 201 may be electrically connected to the light emitting device package 100 , the metal parts 111 , 112 , 112A and 113 , and the conductive parts 321 and 323 . One or a plurality of light emitting device packages may be arranged on the circuit board 201 . The arrangement direction of the light emitting device package may be arranged in a first direction, in a second direction, or in first and second directions.

상기 제1관통홀(TH1)에는 제1금속부(111) 및 제1도전부(221)가 배치되며, 상기 제1금속부(111) 및 상기 제1도전부(221)는 상기 제1본딩부(121)와 제1패드(211) 사이를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2금속부(112)와 제2도전부(223)가 배치되며, 상기 제2금속부(112) 및 상기 제2도전부(223)는 상기 제2본딩부(122)와 제2패드(213) 사이를 연결시켜 줄 수 있다. A first metal part 111 and a first conductive part 221 are disposed in the first through hole TH1, and the first metal part 111 and the first conductive part 221 are bonded to each other by the first bonding. A connection may be provided between the unit 121 and the first pad 211 . A second metal part 112 and a second conductive part 223 are disposed in the second through hole TH2, and the second metal part 112 and the second conductive part 223 are bonded to the second bonding. A connection may be provided between the unit 122 and the second pad 213 .

상기 제1금속부(111)의 제1연장부(111B)와 상기 제2금속부(112)의 제2연장부(113B)는 상기 회로 기판(201) 상의 보호층(203)과 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 보호층(203)이 절연성 재질로 배치되어, 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)를 따라 도전부(321,323)가 확산되는 것을 방지할 수 있다.The first extension 111B of the first metal part 111 and the second extension 113B of the second metal part 112 face or contact the protective layer 203 on the circuit board 201. It can be. Since the protective layer 203 of the circuit board 201 is made of an insulating material, diffusion of the conductive parts 321 and 323 along the first and second extension parts 111B and 113B can be prevented.

도 20은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.20 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 20을 참조하면, 발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 20 , the light emitting device conceptually illustrates only the relative arrangement relationship between the first electrode 627 and the second electrode 628 . The first electrode 627 may include a first bonding portion 621 and a first branch electrode 625 . The second electrode 628 may include a second bonding portion 622 and a second branch electrode 626 .

발광소자는 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다. 상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The light emitting device may include a light emitting structure 623 disposed on a substrate 624 . The substrate 624 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, the substrate 624 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on an upper surface thereof.

상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 623 may include a first conductivity type semiconductor layer 623a, an active layer 623b, and a second conductivity type semiconductor layer 623c. The active layer 623b may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 623a and the second conductivity type semiconductor layer 623c. For example, the active layer 623b may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 623a, and the second conductivity-type semiconductor layer 623c may be disposed on the active layer 623b.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity-type semiconductor layer 623a may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 623c may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 623a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 623c may be provided as an n-type semiconductor layer.

발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The light emitting device may include a first electrode 627 and a second electrode 628 . The first electrode 627 may include a first bonding portion 621 and a first branch electrode 625 . The first electrode 627 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 623c. The first branch electrode 625 may be disposed to be branched from the first bonding part 621 . The first branch electrode 625 may include a plurality of branch electrodes branched from the first bonding part 621 . The second electrode 628 may include a second bonding portion 622 and a second branch electrode 626 . The second electrode 628 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 623a. The second branch electrode 626 may be disposed to be branched from the second bonding part 622 . The second branch electrode 626 may include a plurality of branch electrodes branched from the second bonding part 622 .

상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다. The first branch electrodes 625 and the second branch electrodes 626 may be alternately arranged in a finger shape. Power supplied through the first bonding part 621 and the second bonding part 622 by the first branch electrode 625 and the second branch electrode 626 is transmitted to the light emitting structure 623 as a whole. It can be spread and provided.

상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 627 and the second electrode 628 may be formed in a single-layer or multi-layer structure. For example, the first electrode 627 and the second electrode 628 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 627 and the second electrode 628 may be ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni , Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf, or at least one or an alloy of two or more of these materials.

한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the light emitting structure 623 . The protective layer may be provided on an upper surface of the light emitting structure 623 . Also, the protective layer may be provided on a side surface of the light emitting structure 623 . The protective layer may be provided to expose the first bonding portion 621 and the second bonding portion 622 . In addition, the protective layer may be selectively provided on the circumference and the lower surface of the substrate 624 .

예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided with an insulating material. For example, the protective layer is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group including.

실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light generated in the active layer 623b may be emitted in directions of six surfaces of the light emitting device. Light generated in the active layer 623b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the light emitting device and four side surfaces.

상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개 또는 3개 이상의 발광 셀을 갖는 발광소자를 포함할 수 있다. 이에 따라 고전압의 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.The light emitting device has been described as a structure having one light emitting cell. When the light emitting cell includes the above light emitting structure, the driving voltage of the light emitting device may be the voltage applied to one light emitting cell. As an example of the light emitting device disclosed in the embodiment, a light emitting device having two or three or more light emitting cells may be included. Accordingly, a high voltage light emitting device package can be provided.

이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 관통홀에 배치된 금속부 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 관통홀에 배치된 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.As described above, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the bonding part of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the metal part and the conductive part disposed in the through hole. . Also, the melting point of the conductive portion disposed in the through hole may be selected to have a higher melting point than that of a general bonding material. Therefore, the light emitting device device package according to the embodiment has the advantage of not deteriorating electrical connection and physical bonding force because a re-melting phenomenon does not occur even when bonded to a main substrate or the like through a reflow process. there is.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the body 110 from being damaged or discolored due to exposure to high temperatures. Accordingly, it is possible to widen the range of selection of materials constituting the body. According to an embodiment, the body may be provided using a relatively inexpensive resin material as well as an expensive material such as ceramic.

또한 프레임의 관통 홀의 하부 형상을 대칭적 또는 비 대칭적으로 형성하여, 도전부과 도전돌기의 결합 면적을 증가시켜 주어, 크랙 발생을 억제하고, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. In addition, by forming the lower shape of the through hole of the frame symmetrically or asymmetrically, the bonding area between the conductive part and the conductive protrusion is increased, thereby suppressing crack generation and improving the reliability of the package.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may be applied to a light source device.

또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like according to industrial fields.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module including a light emitting element that emits light, and a light emitting module disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward. A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying image signals to the display panel, A color filter disposed on the front side may be included. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are respectively disposed without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 또는 조명 모듈로 구현될 수 있으며, 상기 발광 모듈 또는 조명 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the headlamp may be implemented as a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate or a lighting module, and directs light emitted from the light emitting module or the lighting module in a certain direction, for example, forward. A reflector that reflects light forward, a lens that refracts the light reflected by the reflector forward, and a shade that blocks or reflects a part of the light reflected by the reflector and directed to the lens to form a light distribution pattern desired by the designer. can include

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.A lighting device, which is another example of a light source device, may include a cover, a light source module, a radiator, a power supply unit, an inner case, and a socket. Also, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described centering on the embodiment, this is only an example and is not intended to limit the embodiment, and those skilled in the art to which the embodiment belongs may find various things not exemplified above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

110: 몸체
110A: 제2몸체
111,112,112A,113,211,212,212A,213: 금속부
111B,113B: 연장부
112B: 연결부
115: 제1몸체
120,120A,220,220A: 발광소자
121,122: 본딩부
TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지
162: 제2수지
201: 회로 기판
211,213: 패드
321,323: 도전부110: body
110A: second body
111, 112, 112A, 113, 211, 212, 212A, 213: metal part
111B, 113B: extension
112B: connection part
115: first body
120,120A,220,220A: light emitting element
121,122: bonding unit
TH1,TH2: through hole
160: first resin
162: second resin
201: circuit board
211,213: pad
321,323: conductive part

Claims (11)

몸체;
상기 몸체 내에 복수의 캐비티;
상기 복수의 캐비티 각각에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀;
상기 제1관통홀과 대면하는 제1본딩부 및 상기 제2관통홀과 대면하는 제2본딩부를 각각 갖는 복수의 발광소자;
상기 복수의 캐비티 각각의 하부 및 상기 제1관통홀의 둘레에 배치된 제1금속부;
상기 복수의 캐비티 각각의 하부 및 상기 제2관통홀의 둘레에 배치된 제2금속부;
상기 몸체의 상면과 상기 복수의 캐비티 위에 배치된 형광체층;
상기 복수의 캐비티 중 제1캐비티의 하부에 배치된 상기 제1금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제1연장부;
상기 복수의 캐비티 중 제2캐비티 하부에 배치된 상기 제2금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제2연장부;
상기 몸체의 하면에서 상기 제1캐비티 하부에 배치된 상기 제2금속부와 상기 제2캐비티 하부에 배치된 상기 제1금속부를 연결하는 연결부; 및
상기 제1연장부와 상기 연결부의 사이, 및 상기 연결부와 상기 제2연장부 사이에 각각 배치되며 상기 몸체의 하면으로부터 상면을 향해 오목한 복수의 분리부를 포함하며,
상기 제1캐비티의 하부에 배치된 상기 제1 및 제2금속부 중 어느 하나는 상기 제2캐비티의 하부에 배치된 상기 제1 및 제2금속부 중 어느 하나에 연결되는 발광소자 패키지. body;
a plurality of cavities within the body;
first and second through holes spaced apart from each other in each of the plurality of cavities;
a plurality of light emitting elements each having a first bonding portion facing the first through hole and a second bonding portion facing the second through hole;
a first metal part disposed under each of the plurality of cavities and around the first through hole;
a second metal part disposed under each of the plurality of cavities and around the second through hole;
a phosphor layer disposed on an upper surface of the body and on the plurality of cavities;
a first extension part extending from the first metal part disposed under a first cavity among the plurality of cavities to a lower surface of the body;
a second extension part extending from the second metal part disposed below a second cavity among the plurality of cavities to a lower surface of the body;
a connecting part connecting the second metal part disposed under the first cavity and the first metal part disposed under the second cavity on a lower surface of the body; and
A plurality of separators disposed between the first extension part and the connection part and between the connection part and the second extension part and concave from the lower surface of the body toward the upper surface,
Any one of the first and second metal parts disposed under the first cavity is connected to any one of the first and second metal parts disposed under the second cavity. 제1항에 있어서,
상기 몸체는 상기 복수의 캐비티의 바닥 아래에 배치된 제1몸체를 포함하며,
상기 제1 및 제2금속부 각각의 두께는 상기 제1몸체의 두께보다 작고, 상기 제1 및 제2금속부 각각의 두께는 상기 제1 및 제2관통홀 각각의 중심에서 외측을 향해 수평한 두께이며,
상기 제1 및 제2관통홀은 상기 복수의 캐비티 각각의 바닥에서 상기 몸체의 하면으로 관통되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The body includes a first body disposed below the bottom of the plurality of cavities,
The thickness of each of the first and second metal parts is smaller than the thickness of the first body, and the thickness of each of the first and second metal parts is horizontal toward the outside from the center of each of the first and second through holes. is the thickness,
The first and second through holes penetrate from the bottom of each of the plurality of cavities to the lower surface of the body. 제2항에 있어서,
상기 몸체의 측면은 상기 제1연장부 또는 상기 제2연장부의 외측면과 수직 평면 상에 배치되며,
상기 몸체의 측면은 상기 형광체층과 수직 평면 상에 배치되며,
상기 형광체층 내의 형광체는 상기 형광체층의 상면보다 바닥면과 측면에 더 많은 양이 분포되는 발광소자 패키지.According to claim 2,
The side surface of the body is disposed on a plane perpendicular to the outer surface of the first extension part or the second extension part,
The side surface of the body is disposed on a plane perpendicular to the phosphor layer,
A light emitting device package in which a larger amount of the phosphor in the phosphor layer is distributed on the bottom and side surfaces of the phosphor layer than on the top surface. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 및 제2캐비티 각각에 적층된 다수의 몰딩부를 포함하며,
상기 다수의 몰딩부는 서로 다른 파장을 발광하는 형광체를 포함하며,
상기 다수의 몰딩부는 상기 발광소자들 각각의 상면과 측면에 제1형광체를 갖는 제1몰딩부, 및 상기 제1몰딩부 상에 제2형광체를 갖는 제2몰딩부를 포함하며,
상기 제1형광체는 상기 발광소자의 측면보다 상기 제1몰딩부의 외측 표면에 더 많은 양이 분포되며,
상기 제2형광체는 상기 제1,2캐비티의 내측보다 상기 제2몰딩부의 바닥과 상기 제1,2캐비티 각각의 측면에 더 많은 양이 분포되는 발광소자 패키지.According to any one of claims 1 to 3,
It includes a plurality of molding parts stacked on each of the first and second cavities,
The plurality of molding parts include phosphors emitting different wavelengths,
The plurality of molding parts include a first molding part having a first phosphor on top and side surfaces of each of the light emitting elements, and a second molding part having a second phosphor on the first molding part,
The first phosphor is distributed in a larger amount on the outer surface of the first molding part than on the side surface of the light emitting element,
The light emitting device package of claim 1 , wherein a greater amount of the second phosphor is distributed on a bottom of the second molding part and a side surface of each of the first and second cavities than inside the first and second cavities. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몸체는 수지 재질로 형성되며,
상기 발광소자들 각각과 상기 몸체 사이에 배치된 제1수지를 포함하며,
상기 제1수지는 상기 발광소자들 각각의 제1 및 제2본딩부 사이에 배치되며, 내부에 금속 산화물을 가지며,
상기 복수의 발광소자는 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.
According to any one of claims 1 to 3,
The body is formed of a resin material,
A first resin disposed between each of the light emitting elements and the body,
The first resin is disposed between the first and second bonding parts of each of the light emitting elements and has a metal oxide therein,
The plurality of light emitting devices are electrically connected to the light emitting device package.
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