KR20190109118A - Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same - Google Patents

Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190109118A
KR20190109118A KR1020180031085A KR20180031085A KR20190109118A KR 20190109118 A KR20190109118 A KR 20190109118A KR 1020180031085 A KR1020180031085 A KR 1020180031085A KR 20180031085 A KR20180031085 A KR 20180031085A KR 20190109118 A KR20190109118 A KR 20190109118A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
substrate
raw material
nebulizer
film deposition
Prior art date
Application number
KR1020180031085A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102033514B1 (en
Inventor
류혁현
홍예진
김재연
Original Assignee
인제대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인제대학교 산학협력단 filed Critical 인제대학교 산학협력단
Priority to KR1020180031085A priority Critical patent/KR102033514B1/en
Publication of KR20190109118A publication Critical patent/KR20190109118A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102033514B1 publication Critical patent/KR102033514B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/04—Pretreatment of the material to be coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention relates to a thin film deposition apparatus including a nebulizer and a thin film deposition method using the same. According to an embodiment of the present invention, the thin film deposition apparatus including a nebulizer comprises: a reaction chamber in which a deposition process is performed on a substrate; a raw material supply unit supplying a raw material into the reaction chamber and including a nebulizer; a plate unit including a substrate stage supporting the substrate, and a plate rod supporting the substrate stage and moving a position of the substrate stage; and a rail unit connected to one end of the plate unit and moving the plate unit.

Description

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법{THIN FILM DEPOSITION APPARATUS INCLUDING NEBULIZER AND METHOD OF DEPOSITING THIN FILM USING THE SAME}Thin film deposition apparatus including a nebulizer and thin film deposition method using the same {THIN FILM DEPOSITION APPARATUS INCLUDING NEBULIZER AND METHOD OF DEPOSITING THIN FILM USING THE SAME}

본 발명은 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 기판 스테이지를 자유롭게 이동할 수 있는 부재를 포함하는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus including a nebulizer and a thin film deposition method using the same. Specifically, the present invention relates to a thin film deposition apparatus including a nebulizer including a member that can freely move a substrate stage.

박막, 특히 산화물의 박막은 디스플레이 분야, 태양전지 분야, 터치패널 분야 등 다양한 분야에서 전자 소자로 이용되는 것으로, 간단한 조성 변화로 광학적으로 투명하면서도 전기 전도성이 높은 박막의 형성이 가능하므로 그 관심이 증대되고 있다.Thin films, especially oxide thin films, are used as electronic devices in various fields, such as display, solar cell, and touch panel, and the interest is increased because a simple composition change can form optically transparent and highly conductive thin films. It is becoming.

한편, 기존 산화물 박막 제조 시에는 고가의 진공 증착 장비 및 타겟 등의 공정이 많이 이용되었으나, 최근에는 경제성 있는 공정을 위하여 용액 공정을 통한 산화물 박막 형성 방법에 대한 연구가 이루어지고 있다. 대표적인 용액 공정으로는 spin-coating, inkjet printing 등이 있으며, 용액 공정은 일반적인 진공공정에 비하여 저가의 비용으로 대면적에 균일한 박막의 형성이 유리하며, 방법이 매우 간단하고, 박막 사이의 계면의 특성을 조절하면 추가적인 전기적 특성 향상을 기대할 수 있다는 장점이 있으나, 일반적인 열처리 방식을 이용하여 우수한 전기적 특성을 얻기 위해서는 매우 높은 온도가 요구된다. 이러한 열처리 온도는 용액 공정의 제조비용을 증가시키는 문제점이 있다. 이에 마이크로파를 이용한 용액 공정이 제안되었다.On the other hand, the manufacturing of the oxide thin film has been used a lot of processes such as expensive vacuum deposition equipment and targets, but in recent years to study the oxide thin film formation method through a solution process for economical process. Typical solution processes include spin-coating, inkjet printing, etc. The solution process is advantageous to form a thin film in a large area at a low cost compared to a general vacuum process, and the method is very simple. Adjusting the characteristics has the advantage that additional electrical characteristics can be expected, but very high temperature is required to obtain excellent electrical characteristics by using a general heat treatment method. This heat treatment temperature has a problem of increasing the manufacturing cost of the solution process. Thus, a solution process using microwaves has been proposed.

마이크로파(Mirowave)는 주파수가 낮은 전자기파의 한 종류(3 내지 300 GHz)로서, 산업용, 과학용 또는 의료용 등의 응용분야에 적용할 수 있는 재현성이 높은 강력한 에너지원이다. 일반적으로 물질을 가열하기 위해서는 열원으로부터 전도열을 이용하여 처리하였으며, 열은 시료와 용매에 전달되기 위해 먼저 시료 용기, 매질을 통하여 물질에 전달되다. 이러한 중간과정은 비효율적이며, 열 손실이 발생하고, 수시간이 소요된다. 이에 비하여, 마이크로파는 재질과 열전도도에 의존하지 않고, 직접 시료에 전달되어, 분자의 회전운동으로 인해 에너지를 전달한다.Microwave (Mirowave) is a kind of low-frequency electromagnetic waves (3 to 300 GHz), a powerful and reproducible powerful energy source that can be applied to industrial, scientific or medical applications. In general, the material is heated using conductive heat from a heat source, and heat is first transferred to the material through a sample vessel and a medium to be transferred to the sample and the solvent. This intermediate process is inefficient, generates heat losses, and takes hours. In contrast, microwaves are delivered directly to the sample, independent of material and thermal conductivity, delivering energy due to the rotational motion of the molecules.

이외에 네블라이저(nebulizer)를 이용한 용액 공정은 통하여 기판 상에 박막을 증착시키는데 이용된다. 일반적으로 웨이퍼나 유리 등의 기판 상에 박막 층을 형성시켜 태양전지 등의 제조에서 증착 공정을 수행한다. 이외에 태양전지를 제조하면서 다양한 증착 장비들이 사용되고 있다. In addition, a solution process using a nebulizer is used to deposit a thin film on a substrate. Generally, a thin film layer is formed on a substrate such as a wafer or glass to perform a deposition process in the manufacture of a solar cell. In addition, a variety of deposition equipment is used to manufacture solar cells.

종래의 네블라이저를 이용한 용액 공정 장치는 기판이 장착된 기판 스테이지의 움직임을 조절할 수 없어서 기판에 증착되는 박막의 두께 균일성을 제어하기 어렵고, 다양한 원료를 공급하여 박막을 증착하는 것이 어려운 문제점이 있다.Conventional solution processing apparatus using a nebulizer is difficult to control the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate because it is difficult to control the movement of the substrate stage on which the substrate is mounted, it is difficult to supply a variety of raw materials to deposit the thin film .

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0007681호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0007681

본 발명은 기판 스테이지를 자유롭게 이동함으로써 기판 상에 증착되는 박막의 두께 및 품질을 제어하여 개선할 수 있으며, 다양한 종류의 원료를 공급하여 다양한 박막을 효율적으로 증착할 수 있는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법을 제공함을 목적으로 한다. The present invention can be improved by controlling the thickness and quality of the thin film deposited on the substrate by moving the substrate stage freely, and a thin film deposition including a nebulizer that can efficiently deposit various thin films by supplying various kinds of raw materials An object of the present invention is to provide an apparatus and a thin film deposition method using the same.

또한, 공정 시간 및 공정 비용을 감소시킬 수 있다.In addition, process time and process costs can be reduced.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치는, 기판 상에 증착 공정이 수행되는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내로 원료를 공급하고 네블라이저를 포함하는 원료 공급부; 기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하고 상기 기판 스테이지의 위치를 이동하는 플레이트봉,을 포함하는 플레이트부; 및 상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 플레이트부를 이동하는 레일부;를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a thin film deposition apparatus including a nebulizer includes: a reaction chamber in which a deposition process is performed on a substrate; A raw material supply unit supplying a raw material into the reaction chamber and including a nebulizer; A plate portion including a substrate stage for supporting a substrate, and a plate rod for supporting the substrate stage and moving the position of the substrate stage; And a rail part connected to one end of the plate part and moving the plate part.

상기 레일부는 상기 플레이트부를 상하 및 좌우로 이동할 수 있다.The rail part may move up and down and left and right in the plate part.

상기 레일부는 상기 플레이트부가 이동하는 경로를 제공하는 레일, 및 상기 플레이트부에 구동력을 제공하는 구동부재를 포함할 수 있다.The rail part may include a rail providing a path through which the plate part moves, and a driving member providing a driving force to the plate part.

상기 플레이트봉은 길이가 연장 또는 단축됨으로써 상기 기판 스테이지의 위치를 이동할 수 있다.The plate rod may move in a position where the substrate stage is extended or shortened.

상기 원료 공급부는, 상기 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 원료 공급관, 상기 원료 공급관을 통해 공급되는 원료를 저장하는 저장부, 및 상기 저장부로부터 원료가 공급되는 것을 차단하는 차단부,를 포함할 수 있다.The raw material supply unit may include a raw material supply pipe for supplying the raw material into the reaction chamber, a storage unit for storing the raw material supplied through the raw material supply pipe, and a blocking unit for blocking the supply of the raw material from the storage unit. .

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법은, 앞서 설명한 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법이며, 상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계; 기판 상에 증착하고자 하는 박막의 종류를 고려하여 플레이트부의 위치를 상기 레일부를 이용하여 상기 플레이트부를 이동하는 단계; 상기 플레이트봉을 이용하여 상기 기판 스테이지를 이동하는 단계; 및 상기 원료 공급부에서 원료를 공급하여 상기 기판 스테이지 상에 배치된 기판에 박막을 증착하는 단계;를 포함한다. A thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention is a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer described above, comprising: placing a substrate on the substrate stage; Moving the plate part using the rail part to position the plate part in consideration of the type of thin film to be deposited on a substrate; Moving the substrate stage by using the plate rods; And depositing a thin film on a substrate disposed on the substrate stage by supplying a raw material from the raw material supply unit.

상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계 이후에, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.After arranging the substrate on the substrate stage, the method may further include heating the substrate.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법은, 기판 스테이지를 자유롭게 이동함으로써 기판 상에 증착되는 박막의 두께 및 품질을 제어하여 개선할 수 있으며, 다양한 종류의 원료를 공급하여 다양한 박막을 효율적으로 증착할 수 있다. The thin film deposition apparatus including the nebulizer according to the embodiment of the present invention and the thin film deposition method using the same can be improved by controlling the thickness and quality of the thin film deposited on the substrate by freely moving the substrate stage, By supplying raw materials, various thin films can be efficiently deposited.

또한, 공정 시간 및 공정 비용을 감소시킬 수 있다.In addition, process time and process costs can be reduced.

도 1 내지 도 2는 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 플레이트부를 도시한 것이다.
도 6은 레일부를 도시한 것이다.
도 7 내지 도 9는 레일부 상에서 플레이트부가 이동하는 모습을 도시한 것이다. 1 to 2 show a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 show the plate portion.
6 shows a rail part.
7 to 9 illustrate how the plate portion moves on the rail portion.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.　 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements represented by the same reference numerals in the drawings are the same elements. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions. In addition, "comprising" any component throughout the specification means that, unless specifically stated otherwise, it may further include other components without excluding other components.

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치Thin Film Deposition Apparatus Including Nebulizer

도 1 내지 도 2는 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)를 도시한 것이고, 도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)의 단면도이다.1 to 2 show a thin film deposition apparatus 100 including a nebulizer according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a thin film deposition apparatus 100 including a nebulizer according to an embodiment of the present invention It is a cross section of.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는, 기판 상에 증착 공정이 수행되는 반응 챔버(110); 상기 반응 챔버(110) 내로 원료를 공급하고 네블라이저를 포함하는 원료 공급부(160a, 160b, 160c); 기판을 지지하는 기판 스테이지(132), 및 상기 기판 스테이지(132)를 지지하고 상기 기판 스테이지(132)의 위치를 이동하는 플레이트봉(131),을 포함하는 플레이트부(130); 및 상기 플레이트부(130)의 일단에 연결되고, 상기 플레이트부(130)를 이동하는 레일부(120);를 포함한다.1 to 3, a thin film deposition apparatus 100 including a nebulizer according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber 110 in which a deposition process is performed on a substrate; A raw material supply unit 160a, 160b, 160c for supplying a raw material into the reaction chamber 110 and including a nebulizer; A plate part 130 including a substrate stage 132 for supporting a substrate, and a plate rod 131 for supporting the substrate stage 132 and moving the position of the substrate stage 132; And a rail part 120 connected to one end of the plate part 130 and moving the plate part 130.

반응 챔버(110)는 내부에 기판이 배치되고 상기 기판이 원료와 반응하여 상기 기판 상에 원료가 증착되는 반응이 일어나는 영역을 제공한다. 상기 반응 챔버(110)는 내부의 반응 물질이 외부로 확산되거나 외부의 환경에 영향을 받지 않도록 하기 위해 외부와 밀폐되도록 형성될 수 있다. 상기 반응 챔버(110)는 화학 반응에 안정적인 금속 재질로 된 벽을 포함할 수 있으며, 상기 벽의 일부에 타공이 형성되어 원료 공급부(160a, 160b, 160c), 퍼지가스 공급부(170), 배기구(150) 등이 연결되도록 구성될 수 있다. The reaction chamber 110 provides a region in which a substrate is disposed therein and the substrate reacts with the raw material so that the reaction of depositing the raw material on the substrate occurs. The reaction chamber 110 may be formed to be sealed to the outside to prevent the reaction material therein from being diffused to the outside or affected by the environment. The reaction chamber 110 may include a wall made of a metal material that is stable to chemical reactions, and a hole is formed in a part of the wall so that the raw material supply parts 160a, 160b, 160c, the purge gas supply part 170, and the exhaust port ( 150) may be configured to be connected.

상기 반응 챔버(110)의 일 측면에는 기판을 상기 반응 챔버(110) 내부 및 외부로 이동하기 위한 입구를 형성할 수 있고, 반응 공정 시 상기 입구를 막기 위한 뚜껑을 포함할 수 있다(미도시). 상기 뚜껑은 외부에서 반응 챔버(110) 내부를 관찰할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다. One side of the reaction chamber 110 may form an inlet for moving the substrate into and out of the reaction chamber 110, and may include a lid for blocking the inlet during the reaction process (not shown) . The lid may be formed of a transparent material to observe the inside of the reaction chamber 110 from the outside.

상기 반응 챔버(110)는 반응 공정에 사용된 가스를 제거하기 위한 배기구(150)를 포함할 수 있다. 상기 배기구(150)의 개수 및 배치 위치는 특별히 제한되지 않는다. The reaction chamber 110 may include an exhaust port 150 for removing the gas used in the reaction process. The number and arrangement positions of the exhaust ports 150 are not particularly limited.

원료 공급부(160a, 160b, 160c)는 상기 반응 챔버(110) 내부로 원료를 공급하는 역할을 수행한다. 이를 위해 상기 원료 공급부(160a, 160b, 160c)는 원료를 공급하는 네블라이저(nebulizer)를 포함할 수 있으며, 상기 네블라이저에 의해 공급되는 원료를 반응 챔버(110) 내로 이동하는 통로인 원료 공급관, 상기 원료를 저장하는 저장부, 및 상기 저장부로부터 원료가 공급되는 것을 차단하는 차단부,를 더 포함할 수 있다. The raw material supplier 160a, 160b, 160c serves to supply raw materials into the reaction chamber 110. To this end, the raw material supply unit (160a, 160b, 160c) may include a nebulizer (nebulizer) for supplying the raw material, the raw material supply pipe which is a passage for moving the raw material supplied by the nebulizer into the reaction chamber 110, It may further include a storage unit for storing the raw material, and a blocking unit for blocking the raw material is supplied from the storage unit.

본 발명의 실시 예에서, 복수의 원료 공급부(160a, 160b, 160c)를 포함할 수 있으며, 각각의 원료 공급관을 통해 반응 챔버(110) 내부로 원료를 공급할 수 있다. 이 때, 상기 반응 챔법 내에서 원료 공급관의 위치는 원료 공급부(160a, 160b, 160c)에 따라 달라질 수 있다. In an embodiment of the present invention, a plurality of raw material supply units 160a, 160b, and 160c may be included, and raw materials may be supplied into the reaction chamber 110 through respective raw material supply pipes. At this time, the position of the raw material supply pipe in the reaction chamber method may vary depending on the raw material supply unit (160a, 160b, 160c).

상기 네블라이저는 원료를 증기 상태로 공급할 수 있다. 상기 네블라이저는 본 기술분야에서 원료를 공급하는 데 적용되는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 네블라이저는 저장부에서 공급된 원료를 증기 상태로 변환하기 위한 원료 담지 부재 및 상기 원료 담지 부재에 담긴 원료의 상을 증기 상태로 변환하기 위한 부재를 포함할 수 있다. 상기 원료의 상을 증기 상태로 변환하기 위한 부재는 상기 원료를 가열하는 부재 또는 상기 원료에 초음파를 제공하는 부재일 수 있다. The nebulizer may supply raw materials in a vapor state. The nebulizer is not particularly limited as long as it is applied to supply raw materials in the art. Specifically, the nebulizer may include a raw material supporting member for converting the raw material supplied from the storage unit into a vapor state and a member for converting the phase of the raw material contained in the raw material supporting member into a vapor state. The member for converting the phase of the raw material into a vapor state may be a member for heating the raw material or a member for providing ultrasonic waves to the raw material.

저장부는 적어도 하나 이상일 수 있으며, 원료를 내부에 저장하는 탱크를 포함할 수 있다. 상기 저장부에 저장된 원료는 네블라이저로 공급되고, 공급된 원료가 네블라이저에 의해 증기로 변환되어 원료 공급관을 통해 반응 챔버(110) 내부로 공급될 수 있다. 상기 네블라이저는 복수의 저장부 각각에 복수 개가 연결되어 배치될 수 있으며, 하나의 네블라이저가 복수의 저장부와 연결되어 배치될 수 있다. The storage unit may be at least one, and may include a tank for storing the raw material therein. The raw material stored in the storage unit may be supplied to the nebulizer, and the supplied raw material may be converted into steam by the nebulizer and supplied into the reaction chamber 110 through the raw material supply pipe. The nebulizer may be connected to a plurality of storage units, and a single nebulizer may be connected to a plurality of storage units.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 원료 공급관은 원료 공급부(160a, 160b,160c) 각각으로부터 반응 챔버(110)의 일면에 형성된 타공을 통해 반응 챔버(110) 내부로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 원료 공급관은 공급되는 원료에 따라 복수 개가 배치될 수 있다. 또한, 하나의 원료 공급관에 복수의 원료가 순차적으로 또는 혼합되어 공급되도록 배치될 수 있다.1 to 3, the raw material supply pipe may be disposed to extend into the reaction chamber 110 through perforations formed on one surface of the reaction chamber 110 from each of the raw material supply units 160a, 160b, and 160c. The raw material supply pipe may be arranged in plurality depending on the raw material to be supplied. In addition, a plurality of raw materials may be arranged to be sequentially or mixed to one raw material supply pipe.

차단부는 저장부에 저장된 원료가 네블라이저 또는 원료 공급관으로 공급되는 것을 차단하는 역할을 한다. 상기 차단부는 특별히 제한되지 않으며, 기체 또는 액체 상태의 물질의 이동을 막기 위해 일반적으로 사용되는 차단 밸브를 포함할 수 있다.The blocking unit serves to block the raw material stored in the storage unit from being supplied to the nebulizer or the raw material supply pipe. The blocking unit is not particularly limited and may include a blocking valve generally used to prevent movement of a substance in a gas or liquid state.

도 4 및 도 5는 플레이트부(130)를 도시한 것이다. 플레이트부(130)는 반응 챔버(110) 내에 배치되고, 기판을 지지하고 이동하여 증착이 효율적으로 이루어질 수 있도록 한다. 이를 위해 상기 플레이트부(130)는 기판을 지지하는 기판 스테이지(132), 및 상기 기판 스테이지(132)를 지지하고 상기 기판 스테이지(132)의 위치를 이동하는 플레이트봉(131),을 포함한다.4 and 5 illustrate the plate portion 130. The plate part 130 is disposed in the reaction chamber 110 and supports and moves the substrate so that deposition can be efficiently performed. To this end, the plate portion 130 includes a substrate stage 132 for supporting a substrate, and a plate rod 131 for supporting the substrate stage 132 and moving the position of the substrate stage 132.

기판 스테이지(132)는 기판을 안정적으로 지지하는 역할을 수행한다. 기판 스테이지(132)는 적어도 하나의 기판을 지지할 수 있다. 상기 기판 스테이지(132)는 기판을 지지하는 판을 포함하며, 상기 기판을 안정적으로 파지하기 위한 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 기판을 안정적으로 파지하기 위한 부재는 기판을 고정하는 클립 또는 기판 및 기판 스테이지(132)의 판 사이에 진공을 형성하여 기판을 고정하는 진공형성장치일 수 있다. 도 4를 참조하면, 기판이 배치되는 판에 홀이 형성되어 있다. 상기 홀을 통하여 진공을 형성함으로써 기판을 안정적으로 지지할 수 있다. The substrate stage 132 serves to stably support the substrate. The substrate stage 132 may support at least one substrate. The substrate stage 132 may include a plate supporting the substrate, and may further include a member for stably holding the substrate. The member for stably holding the substrate may be a vacuum forming apparatus for fixing the substrate by forming a vacuum between the clip fixing the substrate or the substrate and the plate of the substrate stage 132. Referring to FIG. 4, holes are formed in the plate on which the substrate is disposed. By forming a vacuum through the hole, the substrate can be stably supported.

플레이트봉(131)은 기판 스테이지(132)를 지지하고 상기 기판 스테이지(132)를 원료가 공급되는 위치로 이동하여 증착 공정이 보다 효율적으로 수행될 수 있도록 한다. 구체적으로, 상기 플레이트봉(131)은 길이가 연장 또는 단축됨으로써 상기 기판 스테이지(132)의 위치를 이동할 수 있다. 이와 같이 기판의 위치를 제어함으로써 기판 상에 증착이 발생하는 증착 면적을 제어할 수 있다. The plate rod 131 supports the substrate stage 132 and moves the substrate stage 132 to a position where the raw material is supplied so that the deposition process can be performed more efficiently. Specifically, the plate rod 131 may move the position of the substrate stage 132 by extending or shortening the length. By controlling the position of the substrate in this way, it is possible to control the deposition area where deposition occurs on the substrate.

이를 위해 상기 플레이트봉(131)은 상기 기판 스테이지(132)에 의해 지지된 기판을 원료가 공급되는 위치로 이동하는 이동부재를 포함할 수 있다. 상기 이동부재는 유압 또는 공압에 의해 구동하는 액추에이터일 수 있다. 또는 레일을 따라 구동력을 전달하는 리니어 타입의 모터일 수 있다. To this end, the plate rod 131 may include a moving member for moving the substrate supported by the substrate stage 132 to a position where the raw material is supplied. The moving member may be an actuator driven by hydraulic pressure or pneumatic pressure. Or it may be a linear type of motor for transmitting the driving force along the rail.

도 4 및 도 5를 참조하면, 플레이트봉(131)은 내부가 비어있는 사각기둥 형태의 부재가 서로 중첩하여 결합함으로써 길이가 조절될 수 있다. 기판 스테이지(132)를 증착 공정을 수행하기 위한 위치로 이동할 때에는 상기 사각 기둥 또는 파이프 형태의 부재의 각각의 일단이 서로 멀어지도록 배치되어 상기 기판 스테이지(132)가 원료 공급관에 근접하도록 할 수 있다. 앞서 서명한 바와 같이, 상기 사각기둥 형태의 부재는 액추에이터 또는 리니어 타입 모터에 의해 이동할 수 있다.4 and 5, the length of the plate rod 131 may be adjusted by overlapping and joining the members having a rectangular pillar shape having an empty inside. When the substrate stage 132 is moved to a position for performing a deposition process, one end of each of the rectangular pillar or pipe-shaped members may be disposed to be far from each other so that the substrate stage 132 is close to the raw material supply pipe. As previously signed, the square pillar-shaped member can be moved by an actuator or linear type motor.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는 상기 상기 기판 스테이지(132)를 회전하는 모터부를 더 포함할 수 있다. 상기 모터부는 플레이트봉(131)을 회전하여 기판 스테이지(132) 상의 기판이 반응 챔버(110) 내에서 회전할 수 있도록 할 수 있다. 이를 위해 상기 모터부는 상기 플레이트봉(131) 및 레일부(120)와의 사이에 배치되거나, 플레이트봉(131)의 중간에 배치되어 플레이트봉 중에서 기판 스테이지(132)에 연결된 부분만 회전하도록 할 수 있다. 또는 플레이트봉(131) 및 기판 스테이지(132) 사이에 배치될 수 있다. 일반적으로 증착 공정 시 반응 챔버(110) 내부의 원료 농도 및 공정 온도는 위치에 따라 다를 수 있다. 이 경우, 기판의 국부적 영역에 따라 증착되는 박막의 두께 및 조성이 달라질 수 있다. 이러한 문제를 방지하기 위해 기판을 회전시켜 위치를 지속적으로 변경시킴으로써 반응 챔버(110) 내부의 원료 농도 및 공정 온도의 차이에 따른 문제점을 해결할 수 있다. The thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer according to the embodiment of the present invention may further include a motor unit for rotating the substrate stage 132. The motor unit may rotate the plate rod 131 to allow the substrate on the substrate stage 132 to rotate in the reaction chamber 110. To this end, the motor unit may be disposed between the plate rod 131 and the rail unit 120 or disposed in the middle of the plate rod 131 to rotate only a portion of the plate rod connected to the substrate stage 132. . Alternatively, the plate rod 131 and the substrate stage 132 may be disposed. In general, the raw material concentration and the process temperature in the reaction chamber 110 during the deposition process may vary depending on the location. In this case, the thickness and composition of the deposited thin film may vary depending on the local region of the substrate. In order to prevent such a problem, the substrate may be rotated to continuously change a position, thereby solving a problem due to a difference in raw material concentration and process temperature in the reaction chamber 110.

도 6은 레일부(120)를 도시한 것이고, 도 7 내지 도 9는 레일부(120) 상에서 플레이트부(130)가 이동하는 모습을 도시한 것이다. 레일부(120)는 상기 플레이트부(130)를 상하 및 좌우로 이동하는 역할을 수행한다. 이를 통해 최적의 박막이 증착될 수 있는 위치에 기판 스테이지(132)를 배치함으로써 증착 효율 및 박막의 품질을 개선할 수 있다. FIG. 6 illustrates the rail part 120, and FIGS. 7 to 9 illustrate how the plate part 130 moves on the rail part 120. The rail part 120 serves to move the plate part 130 vertically and horizontally. Through this, by placing the substrate stage 132 at a position where the optimum thin film can be deposited, the deposition efficiency and the quality of the thin film can be improved.

앞서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시 예에서 원료 공급부(160a, 160b, 160c)는 복수로 구성될 수 있고 각각의 원료 공급관을 통해 반응 챔버(110) 내부로 원료를 공급할 수 있다. 이 때, 상기 반응 챔법 내에서 원료 공급관의 위치는 원료 공급부(160a, 160b, 160c)에 따라 달라질 수 있다. 이 경우 공급되는 원료에 따라 최적의 증착이 이루어지는 위치가 달라질 수 있다. 본 발명의 실시 예는 레일부(120)를 포함하고 있고, 상기 레일부(120)가 플레이트부(130)를 상하좌우로 이동시킴으로써 최적의 증착이 이루어지는 위치로 기판을 이동할 수 있다. 따라서, 공급되는 원료의 종류가 달라져서 증착 조건이 변경되더라도 최적의 증착이 이루어지도록 기판 위치를 설정할 수 있다. 이를 통해 복수의 다양한 원료를 하나의 반응 챔버(110) 내에서 기판 상에 증착을 할 수 있어 공정 시간 및 비용을 감소시킬 수 있다. As described above, in the embodiment of the present invention, the raw material supply units 160a, 160b, and 160c may be configured in plural and may supply raw materials into the reaction chamber 110 through respective raw material supply pipes. At this time, the position of the raw material supply pipe in the reaction chamber method may vary depending on the raw material supply unit (160a, 160b, 160c). In this case, the position where the optimum deposition is made may vary depending on the raw material supplied. Embodiment of the present invention includes a rail unit 120, the rail unit 120 can move the substrate to the position where the optimum deposition is made by moving the plate portion 130 up, down, left and right. Accordingly, even if the type of raw material supplied is changed and the deposition conditions are changed, the substrate position can be set to achieve the optimum deposition. Through this, a plurality of various raw materials may be deposited on the substrate in one reaction chamber 110, thereby reducing process time and cost.

상기 레일부(120)는 상기 플레이트부(130)가 이동하는 경로를 제공하는 레일, 및 상기 플레이트부(130)에 구동력을 제공하는 구동부재를 포함할 수 있다. 또한, 상기 플레이트부(130)를 정지하도록 하는 브레이크 부재를 더 포함할 수 있다. The rail part 120 may include a rail providing a path through which the plate part 130 moves, and a driving member providing a driving force to the plate part 130. In addition, it may further include a brake member for stopping the plate portion 130.

상기 레일은 플레이트부(130)의 플레이트봉(131)이 원하는 위치로 안정적으로 이동하도록 하는 역할을 한다. 도 6에 도시된 바와 같이 상기 레일은 상하로 연장되어 형성된 홈 및 좌우로 연장되어 형성된 홈을 포함할 수 있으며, 상기 홈들이 서로 교차하여 형성될 수 있다. 상기 홈에 플레이트봉(131)이 결합되어 상기 플레이트봉(131)이 상기 홈을 따라 이동하도록 형성될 수 있다. The rail serves to stably move the plate rod 131 of the plate portion 130 to a desired position. As illustrated in FIG. 6, the rail may include a groove formed to extend up and down and a groove formed to extend left and right, and the grooves may be formed to cross each other. Plate rod 131 is coupled to the groove may be formed to move the plate rod 131 along the groove.

이동 부재는 상기 플레이트봉(131)의 일단에 연결되어 상기 플레이트봉(131)을 가이드 레일 부재에 의해 형성된 경로를 따라 이동하도록 할 수 있는 것이면 제한되지 않는다. 상기 이동 부재는 상기 가이드 레일 부재를 따라 이동하는 리니어 타입의 모터이거나 기체 또는 유체에 의해 동력을 제공하는 액추에이터일 수 있다. 또는 상기 이동 부재는 가이드 레일 부재를 따라 배치된 스크류, 상기 스크류가 삽입되는 나사선을 포함하는 중공을 포함하고 상기 스크류가 회전함에 의하여 위치가 이동되고 플레이트봉(131)을 지지하는 부재, 및 상기 스크류를 회전하는 모터를 포함할 수 있다. The moving member is not limited as long as it can be connected to one end of the plate rod 131 to move the plate rod 131 along a path formed by the guide rail member. The moving member may be a linear type motor moving along the guide rail member or an actuator providing power by a gas or a fluid. Or the movable member includes a screw disposed along a guide rail member, a hollow including a screw thread into which the screw is inserted, the member being moved by the rotation of the screw and supporting the plate rod 131, and the screw It may include a motor to rotate.

브레이크 부재는 상기 이동 부재에 연결되어 상기 이동 부재가 플레이트봉(131)에 제공하는 이동 속도를 제어할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. The brake member is not particularly limited as long as it is connected to the movable member so as to control the moving speed that the movable member provides to the plate rod 131.

본 발명의 실시 예에서, 마이크로파 발생장치(140)를 더 포함함으로써 증착 효율을 개선할 수 있다. 도 2를 참조하면, 상기 마이크로파 발생장치(140)는 반응 챔버(110)에 결합하여, 상기 반응 챔버(110) 내부의 기판을 가열하는 기능을 수행할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the microwave generator 140 may be further included to improve deposition efficiency. Referring to FIG. 2, the microwave generator 140 may be coupled to the reaction chamber 110 to perform a function of heating a substrate inside the reaction chamber 110.

상기 마이크로파 발생장치(140)가 발생하는 마이크로파(Mirowave)는 주파수가 낮은 전자기파의 한 종류(3 내지 300 GHz)로서, 산업용, 과학용 또는 의료용 등의 응용분야에 적용할 수 있는 재현성이 높은 강력한 에너지원이다. 일반적으로 물질을 가열하기 위해서는 열원으로부터 전도열을 이용하여 처리하였으며, 열은 시료와 용매에 전달되기 위해 먼저 시료 용기, 매질을 통하여 물질에 전달되다. 이러한 중간과정은 비효율적이며, 열 손실이 발생하고, 수시간이 소요된다. 이에 비하여, 마이크로파는 재질과 열전도도에 의존하지 않고, 직접 시료에 전달되어, 분자의 회전운동으로 인해 에너지를 전달한다. 본 발명의 실시 예에서, 마이크로파 발생장치(140)는 앞서 설명한 마이크로파를 기판에 전달하여 기판을 가열할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.Microwave (Mirowave) generated by the microwave generator 140 is a kind of low-frequency electromagnetic waves (3 to 300 GHz), powerful energy with high reproducibility that can be applied to industrial, scientific or medical applications Circle. In general, the material is heated using conductive heat from a heat source, and heat is first transferred to the material through a sample vessel and a medium to be transferred to the sample and the solvent. This intermediate process is inefficient, generates heat losses, and takes hours. In contrast, microwaves are delivered directly to the sample, independent of material and thermal conductivity, delivering energy due to the rotational motion of the molecules. In the embodiment of the present invention, the microwave generator 140 is not particularly limited as long as the microwave generator 140 can heat the substrate by transferring the microwaves to the substrate.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는 퍼지가스 공급부(170)를 더 포함할 수 있다. 상기 퍼지가스 공급부(170)는 반응 챔버(110)의 오염을 방지하고, 원료가 교체되는 경우 원료의 혼합에 의한 박막의 품질 저하를 방지하기 위해 반응 챔버(110) 내부로 퍼지 가스를 공급하는 역할을 수행한다. 상기 퍼지가스 공급부(170)는 반응 챔버(110)와 연통하여 상기 반응 챔버(110) 내부에 퍼지 가스를 공급하는 통로를 제공하는 퍼지 가스관, 퍼지 가스를 저장하는 퍼지 가스 저장부, 및 상기 퍼지 가스 저장부의 가스 공급을 차단하는 차단부재를 포함할 수 있다. The thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer according to the embodiment of the present invention may further include a purge gas supply unit 170. The purge gas supply unit 170 supplies a purge gas into the reaction chamber 110 to prevent contamination of the reaction chamber 110 and to prevent deterioration of the quality of the thin film due to mixing of the raw materials when the raw materials are replaced. Do this. The purge gas supply unit 170 communicates with the reaction chamber 110 to provide a passage for supplying a purge gas to the reaction chamber 110, a purge gas storage unit for storing a purge gas, and the purge gas It may include a blocking member for blocking the gas supply to the reservoir.

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법Thin film deposition method using thin film deposition apparatus including nebulizer

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법은, 앞서 설명한 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)를 이용한 박막 증착 방법이며, 상기 기판 스테이지(132)에 기판을 배치하는 단계; 기판 상에 증착하고자 하는 박막의 종류를 고려하여 상기 레일부(120)를 이용하여 상기 플레이트부(130)를 이동하는 단계; 상기 플레이트봉(131)을 이용하여 상기 기판 스테이지(132)를 이동하는 단계; 및 상기 원료 공급부(160a, 160b, 160c)에서 원료를 공급하여 상기 기판 스테이지(132) 상에 배치된 기판에 박막을 증착하는 단계;를 포함한다. A thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention is a thin film deposition method using the thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer described above, and the substrate stage 132 on the substrate Arranging; Moving the plate part 130 using the rail part 120 in consideration of the type of thin film to be deposited on a substrate; Moving the substrate stage 132 using the plate rods 131; And depositing a thin film on a substrate disposed on the substrate stage 132 by supplying raw materials from the raw material supply units 160a, 160b, and 160c.

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는 앞서 설명한 실시 예 중 어느 하나이다.The thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer is any one of the above-described embodiments.

우선 박막 증착이 요구되는 기판을 반응 챔버(110) 내에 배치하기 위해 상기 기판을 기판 스테이지(132)에 배치한다.First, the substrate is disposed on the substrate stage 132 in order to place a substrate requiring thin film deposition in the reaction chamber 110.

상기 기판 스테이지(132)에 기판을 배치하는 단계 이후에, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는 마이크로파 발생장치(140)를 더 포함할 수 있으며, 상기 마이크로파 발생장치(140)에서 마이크로파를 발생함으로써 기판을 가열할 수 있다. After arranging the substrate on the substrate stage 132, the method may further include heating the substrate. In this case, the thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer may further include a microwave generator 140, and may heat the substrate by generating microwaves in the microwave generator 140.

다음으로, 기판을 증착 공정을 수행하기 위한 위치에 배치한다. 이를 위해 레일부(120) 및 플레이트봉(131)을 이용하여 기판 스테이지(132)의 위치를 제어한다.Next, the substrate is placed in a position for performing the deposition process. To this end, the position of the substrate stage 132 is controlled using the rail unit 120 and the plate rods 131.

기판 상에 증착하고자 하는 박막의 종류를 고려하여 플레이트부(130)의 위치를 상기 레일부(120)를 이용하여 상기 플레이트부(130)를 이동한다. 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는 복수의 원료 공급부(160a, 160b, 160c)와 연결되어 다양한 종류의 박막을 기판 상에 증착할 수 있다. 기판 상에 증착하고자 하는 원료를 공급하는 원료 공급부(160a, 160b, 160c)가 반응 챔버(110) 내부로 원료를 공급하는 위치에 기판을 배치하기 위해 레일부(120)를 이용하여 플레이트부(130)를 상하 및 좌우로 이동할 수 있다. In consideration of the type of thin film to be deposited on the substrate, the plate part 130 is moved using the rail part 120. The thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer may be connected to the plurality of raw material supply units 160a, 160b, and 160c to deposit various kinds of thin films on the substrate. The plate unit 130 using the rail unit 120 to arrange the substrate in a position where the raw material supply units 160a, 160b, 160c supplying the raw materials to be deposited on the substrate supply the raw materials into the reaction chamber 110. ) Can be moved up and down and left and right.

또한, 상기 플레이트봉(131)을 이용하여 상기 기판 스테이지(132)를 이동한다. 플레이트봉(131)은 레일부(120) 및 기판 스테이지(132) 사이의 거리를 조절하기 위해 길이가 길어지거나 짧아질 수 있다. 이를 통해 기판 상의 증착이 이루어지는 면적을 제어할 수 있고, 증착 프로파일을 제어할 수 있다. In addition, the substrate stage 132 is moved using the plate rod 131. The plate rod 131 may be lengthened or shortened to adjust the distance between the rail 120 and the substrate stage 132. This can control the area where the deposition on the substrate is made, it is possible to control the deposition profile.

다음으로, 증착 공정을 수행하기 위한 위치에 배치된 기판에 상기 원료 공급부(160a, 160b, 160c)에서 원료를 공급하여 박막을 증착하는 단계를 수행한다. 본 단계는 상기 원료 공급부(160a, 160b, 160c)의 네블라이저를 이용하여 상기 반응 챔버(110) 내로 원료를 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 네블라이저를 이용하여 저장부의 원료를 반응 챔버(110) 내로 공급하여, 상기 반응 챔버(110) 내에서 기판 상에 증착 공정이 수행되도록 한다. 이 때, 모터부를 통해 플레이트부(130)를 회전시킴으로써 기판 상에 증착되는 박막이 고르게 형성될 수 있도록 할 수 있다. Next, the step of depositing a thin film by supplying the raw material from the raw material supply unit (160a, 160b, 160c) to the substrate disposed in the position for performing the deposition process. This step may include supplying raw materials into the reaction chamber 110 by using the nebulizers of the raw material supply units 160a, 160b, and 160c. Specifically, the raw material of the storage unit is supplied into the reaction chamber 110 by using the nebulizer so that the deposition process is performed on the substrate in the reaction chamber 110. In this case, the thin film deposited on the substrate may be evenly formed by rotating the plate 130 through the motor unit.

증착이 완료된 후에, 레일부(120) 및 플레이트봉(131)을 이용하여 기판을 다음 증착 공정을 수행하기 위한 위치로 이동할 수 있으며, 이러한 작업은 반복적으로 수행될 수 있다. 이 경우, 어느 하나의 원료 공급부(160a, 160b, 160c)에서 원료를 공급하여 기판 상에 박막을 증착한 후에 반응 챔버(110) 내부로 퍼지 가스를 공급하여 반응 챔버(110) 내부를 클리닝할 수 있다. After the deposition is completed, the rail unit 120 and the plate rod 131 may be used to move the substrate to a position for performing the next deposition process, and this operation may be repeatedly performed. In this case, one of the raw material supply units 160a, 160b, and 160c may supply raw materials to deposit a thin film on the substrate, and then purge the gas into the reaction chamber 110 to clean the inside of the reaction chamber 110. have.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. Accordingly, various forms of substitution, modification, and alteration may be made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, which are also within the scope of the present invention. something to do.

100: 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치
110: 반응 챔버
120: 레일부
130: 플레이트부
131: 플레이트봉
132: 기판 스테이지
140: 마이크로파 발생장치
150: 배기구
160a, 160b, 160c: 원료 공급부
170: 퍼지가스 공급부100: thin film deposition apparatus including the nebulizer
110: reaction chamber
120: rail
130: plate portion
131: plate rod
132: substrate stage
140: microwave generator
150: air vent
160a, 160b, 160c: raw material supply part
170: purge gas supply unit

Claims (7)

기판 상에 증착 공정이 수행되는 반응 챔버;
상기 반응 챔버 내로 원료를 공급하고 네블라이저를 포함하는 원료 공급부;
기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하고 상기 기판 스테이지의 위치를 이동하는 플레이트봉,을 포함하는 플레이트부; 및
상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 플레이트부를 이동하는 레일부;를 포함하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.A reaction chamber in which a deposition process is performed on the substrate;
A raw material supply unit supplying a raw material into the reaction chamber and including a nebulizer;
A plate portion including a substrate stage for supporting a substrate, and a plate rod for supporting the substrate stage and moving the position of the substrate stage; And
Includes; is connected to one end of the plate portion, the rail portion for moving the plate portion;
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제1항에 있어서,
상기 레일부는 상기 플레이트부를 상하 및 좌우로 이동하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The rail portion to move the plate portion up and down and left and right,
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제1항에 있어서,
상기 레일부는 상기 플레이트부가 이동하는 경로를 제공하는 레일, 및 상기 플레이트부에 구동력을 제공하는 구동부재를 포함하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The rail part includes a rail providing a path through which the plate part moves, and a driving member providing a driving force to the plate part.
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제1항에 있어서,
상기 플레이트봉은 길이가 연장 또는 단축됨으로써 상기 기판 스테이지의 위치를 이동하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The plate rod is moved to the position of the substrate stage by extending or shortening the length,
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제1항에 있어서,
상기 원료 공급부는, 상기 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 원료 공급관, 상기 원료 공급관을 통해 공급되는 원료를 저장하는 저장부, 및 상기 저장부로부터 원료가 공급되는 것을 차단하는 차단부,를 포함하는
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The raw material supply unit, a raw material supply pipe for supplying the raw material into the reaction chamber, a storage unit for storing the raw material supplied through the raw material supply pipe, and a blocking unit for blocking the supply of the raw material from the storage unit;
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 기판 상에 증착 공정이 수행되는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내로 원료를 공급하고 네블라이저를 포함하는 원료 공급부; 기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하고 상기 기판 스테이지의 위치를 이동하는 플레이트봉,을 포함하는 플레이트부; 상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 플레이트부를 이동하는 레일부;를 포함하는, 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법에 있어서,
상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계;
기판 상에 증착하고자 하는 박막의 종류를 고려하여 상기 레일부를 이용하여 상기 플레이트부를 이동하는 단계;
상기 플레이트봉을 이용하여 상기 기판 스테이지를 이동하는 단계; 및
상기 원료 공급부에서 원료를 공급하여 상기 기판 스테이지 상에 배치된 기판에 박막을 증착하는 단계;를 포함하는
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법.A reaction chamber in which a deposition process is performed on the substrate; A raw material supply unit supplying a raw material into the reaction chamber and including a nebulizer; A plate portion including a substrate stage for supporting a substrate, and a plate rod for supporting the substrate stage and moving the position of the substrate stage; In the thin film deposition method using a thin film deposition apparatus comprising a nebulizer, including; rail portion connected to one end of the plate portion, the plate portion moving;
Placing a substrate on the substrate stage;
Moving the plate part using the rail part in consideration of the type of thin film to be deposited on a substrate;
Moving the substrate stage by using the plate rods; And
Supplying a raw material from the raw material supply unit and depositing a thin film on a substrate disposed on the substrate stage;
Thin film deposition method using a thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제6항에 있어서,
상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계 이후에, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법.
The method of claim 6,
After placing the substrate on the substrate stage, further comprising heating the substrate,
Thin film deposition method using a thin film deposition apparatus comprising a nebulizer.
KR1020180031085A 2018-03-16 2018-03-16 Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same KR102033514B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180031085A KR102033514B1 (en) 2018-03-16 2018-03-16 Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180031085A KR102033514B1 (en) 2018-03-16 2018-03-16 Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190109118A true KR20190109118A (en) 2019-09-25
KR102033514B1 KR102033514B1 (en) 2019-10-17

Family

ID=68068535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180031085A KR102033514B1 (en) 2018-03-16 2018-03-16 Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102033514B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326583A (en) * 1994-05-30 1995-12-12 Tokyo Electron Ltd Processing method and device
KR20110007681A (en) 2009-07-17 2011-01-25 연세대학교 산학협력단 Thin film fabrication by solution process
KR20120072086A (en) * 2010-12-23 2012-07-03 전자부품연구원 Apparatus to deposit powder using aerosol
KR20130040484A (en) * 2011-10-14 2013-04-24 김교선 Apparatus for manufacturing large-sized n-type semi-conductor cds (or zns, ins, inoh, znoh) thin film and method manufacturing thin film using it
KR20130136067A (en) * 2012-06-04 2013-12-12 주식회사 테스 Thin film deposition apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326583A (en) * 1994-05-30 1995-12-12 Tokyo Electron Ltd Processing method and device
KR20110007681A (en) 2009-07-17 2011-01-25 연세대학교 산학협력단 Thin film fabrication by solution process
KR20120072086A (en) * 2010-12-23 2012-07-03 전자부품연구원 Apparatus to deposit powder using aerosol
KR20130040484A (en) * 2011-10-14 2013-04-24 김교선 Apparatus for manufacturing large-sized n-type semi-conductor cds (or zns, ins, inoh, znoh) thin film and method manufacturing thin film using it
KR20130136067A (en) * 2012-06-04 2013-12-12 주식회사 테스 Thin film deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102033514B1 (en) 2019-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4653089B2 (en) Vapor deposition source using pellets for manufacturing OLEDs
KR20180034253A (en) Gas introduction mechanism and processing apparatus
JP2009084665A (en) Supply device and vapor deposition apparatus
KR20150138173A (en) Rotating semi-batch ald device and process
JP4074574B2 (en) Organic vapor deposition equipment
JP6454906B2 (en) Vacuum deposition apparatus and device manufacturing method using the same
KR20180067463A (en) A measurement assembly for measuring a deposition rate, an evaporation source, a deposition apparatus, and a method therefor
KR102033514B1 (en) Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same
US20120090546A1 (en) Source supplying unit, method for supplying source, and thin film depositing apparatus
CN215481225U (en) High flux film preparation facilities convenient to change crucible
EP2536869B1 (en) Constant volume closure valve for vapor phase deposition source
KR102033516B1 (en) Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same
CN112877649A (en) High-flux thin film preparation device convenient for crucible replacement and application thereof
CN113061849A (en) High-flux thermal evaporation film preparation device and application thereof
KR20090005697A (en) Substrate processing apparatus comprising tunable baffle and exhaustion method using the same
KR102033526B1 (en) Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same
KR101016065B1 (en) Batch Type Heat Treatment Apparatus
KR101208995B1 (en) Evaporation equipment including deposits vessel
KR20180132498A (en) Vacuum deposition apparatus and device manufacturing method using the same
KR101512329B1 (en) Batch type apparatus for processing substrate
KR101394481B1 (en) Gas injection appartus and Apparatus for depositing the organic thin film using the same
JP2010219344A (en) Plasma processing apparatus
KR20180129450A (en) Solution process apparatus using microwave and nebulizer
US20210262081A1 (en) Deposition apparatus and deposition method
KR20030003578A (en) Organic EL vacuum depositon apparatus using thermal heating source

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right