KR102033516B1 - Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치는, 기판 상에 증착 공정이 수행되고, 기판이 내부 및 외부로 이동하는 출입구를포함하는 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버; 상기 제1 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제1 원료 공급부; 상기 제2 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제2 원료 공급부; 기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하고 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버 내부로 이동하는 플레이트봉,을 포함하는 플레이트부; 및 상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버의 내부로 이동하도록 하기 위해 상기 플레이트부를 이동하는 플레이트 레일부;를 포함한다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus including a nebulizer and a thin film deposition method using the same. In the thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention, a deposition process is performed on a substrate, and the substrate is internally formed. And a first reaction chamber and a second reaction chamber including an entrance and a door moving outwardly. A first raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the first reaction chamber; A second raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the second reaction chamber; A plate portion including a substrate stage supporting a substrate, and a plate rod supporting the substrate stage and moving into the first reaction chamber and the second reaction chamber; And a plate rail part connected to one end of the plate part and moving the plate part to move the substrate stage into the first reaction chamber and the second reaction chamber.

Description

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법{THIN FILM DEPOSITION APPARATUS INCLUDING NEBULIZER AND METHOD OF DEPOSITING THIN FILM USING THE SAME}Thin film deposition apparatus including a nebulizer and thin film deposition method using the same {THIN FILM DEPOSITION APPARATUS INCLUDING NEBULIZER AND METHOD OF DEPOSITING THIN FILM USING THE SAME}

본 발명은 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 기판 스테이지를 복수의 반응 챔버에 이동하도록 하는 플레이트 레일부를 포함한다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus including a nebulizer and a thin film deposition method using the same. Specifically, it includes a plate rail portion for moving the substrate stage to the plurality of reaction chambers.

박막, 특히 산화물의 박막은 디스플레이 분야, 태양전지 분야, 터치패널 분야 등 다양한 분야에서 전자 소자로 이용되는 것으로, 간단한 조성 변화로 광학적으로 투명하면서도 전기 전도성이 높은 박막의 형성이 가능하므로 그 관심이 증대되고 있다.Thin films, especially oxide thin films, are used as electronic devices in various fields, such as display, solar cell, and touch panel, and the interest is increased because a simple composition change can form optically transparent and highly conductive thin films. It is becoming.

한편, 기존 산화물 박막 제조 시에는 고가의 진공 증착 장비 및 타겟 등의 공정이 많이 이용되었으나, 최근에는 경제성 있는 공정을 위하여 용액 공정을 통한 산화물 박막 형성 방법에 대한 연구가 이루어지고 있다. 대표적인 용액 공정으로는 spin-coating, inkjet printing 등이 있으며, 용액 공정은 일반적인 진공공정에 비하여 저가의 비용으로 대면적에 균일한 박막의 형성이 유리하며, 방법이 매우 간단하고, 박막 사이의 계면의 특성을 조절하면 추가적인 전기적 특성 향상을 기대할 수 있다는 장점이 있으나, 일반적인 열처리 방식을 이용하여 우수한 전기적 특성을 얻기 위해서는 매우 높은 온도가 요구된다. 이러한 열처리 온도는 용액 공정의 제조비용을 증가시키는 문제점이 있다. 기존의 네블라이저 용액 공정은 열원이 따로 없기 때문에 박막 증착 효율을 증가시키기 위하여 기판 스테이지에 대향하는 면으로 열원을 장착하였다. On the other hand, the manufacturing of the oxide thin film has been used a lot of processes such as expensive vacuum deposition equipment and targets, but in recent years to study the oxide thin film formation method through a solution process for economical process. Typical solution processes include spin-coating, inkjet printing, etc. The solution process is advantageous to form a thin film in a large area at a low cost compared to a general vacuum process, and the method is very simple. Adjusting the characteristics has the advantage that additional electrical characteristics can be expected, but very high temperature is required to obtain excellent electrical characteristics by using a general heat treatment method. This heat treatment temperature has a problem of increasing the manufacturing cost of the solution process. In the conventional nebulizer solution process, since there is no heat source, the heat source is mounted on the surface facing the substrate stage to increase the thin film deposition efficiency.

이외에 네블라이저(nebulizer)를 이용한 용액 공정은 통하여 기판 상에 박막을 증착시키는데 이용된다. 일반적으로 웨이퍼나 유리 등의 기판 상에 박막 층을 형성시켜 태양전지 등의 제조에서 증착 공정을 수행한다. 이외에 태양전지를 제조하면서 다양한 증착 장비들이 사용되고 있다. In addition, a solution process using a nebulizer is used to deposit a thin film on a substrate. Generally, a thin film layer is formed on a substrate such as a wafer or glass to perform a deposition process in the manufacture of a solar cell. In addition, a variety of deposition equipment is used to manufacture solar cells.

종래의 네블라이저를 이용한 용액 공정 장치는 다양한 박막의 적층을 위한 연속 증착 공정에 적용이 어렵고, 추가적인 에너지원이 없어 기판에 박막을 형성시킴에 있어 효율성의 문제점이 있었다.Conventional solution processing apparatus using the nebulizer is difficult to apply to the continuous deposition process for the deposition of various thin films, there is a problem of efficiency in forming a thin film on the substrate because there is no additional energy source.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0007681호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0007681

본 발명은 복수의 반응 챔버로 기판을 용이하게 이동할 수 있으며, 기판 상에 다양한 물질을 효율적이고 안정적으로 증착할 수 있는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법을 제공함을 목적으로 한다. It is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus including a nebulizer capable of easily moving a substrate to a plurality of reaction chambers and efficiently and stably depositing various materials on the substrate, and a thin film deposition method using the same. .

또한, 기판 상에 다양한 박막을 연속적이고 신속하게 증착할 수 있다.In addition, various thin films can be continuously and quickly deposited on a substrate.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치는, 기판 상에 증착 공정이 수행되고, 기판이 내부 및 외부로 이동하는 출입구를 포함하는 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버; 상기 제1 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제1 원료 공급부; 상기 제2 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제2 원료 공급부; 기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하고 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버 내부로 이동하는 플레이트봉,을 포함하는 플레이트부; 및 상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버의 내부로 이동하도록 하기 위해 상기 플레이트부를 이동하는 플레이트 레일부;를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a thin film deposition apparatus including a nebulizer includes: a first reaction chamber and a second reaction chamber including a doorway through which a deposition process is performed on a substrate and the substrate moves in and out; A first raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the first reaction chamber; A second raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the second reaction chamber; A plate portion including a substrate stage supporting a substrate, and a plate rod supporting the substrate stage and moving into the first reaction chamber and the second reaction chamber; And a plate rail part connected to one end of the plate part and moving the plate part to move the substrate stage into the first reaction chamber and the second reaction chamber.

상기 플레이트부가 상기 플레이트 레일부에 의해 이동하는 함에 따른 상기 기판 스테이지의 이동경로를 따라 배치되어, 상기 기판 스테이지의 이동을 가이드하는 공정 레일부를 더 포함할 수 있다.The plate unit may further include a process rail unit disposed along the movement path of the substrate stage as the plate unit moves by the plate rail unit to guide the movement of the substrate stage.

상기 플레이트부는 상기 플레이트봉은 상기 기판 스테이지를 가열하는 가열부를 더 포함할 수 있다.The plate portion may further include a heating portion for heating the substrate stage.

상기 플레이트봉은 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버의 내부 및 외부로 이동하도록 길이가 연장 또는 단축될 수 있다.The plate rod may be extended or shortened in length to move the substrate stage into and out of the first reaction chamber and the second reaction chamber.

상기 가열부는 상기 기판 스테이지에서 기판이 배치되는 면에 대향하는 면에 배치될 수 있다.The heating unit may be disposed on a surface of the substrate stage opposite to a surface on which the substrate is disposed.

상기 제1 원료 공급부 및 제2 원료 공급부는, 각각 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 원료 공급관, 상기 원료 공급관을 통해 공급되는 원료를 저장하는 저장부, 및 상기 저장부로부터 원료가 공급되는 것을 차단하는 차단부,를 포함할 수 있다.The first raw material supply unit and the second raw material supply unit, a raw material supply pipe for supplying raw materials into the first reaction chamber and the second reaction chamber, respectively, a storage unit for storing the raw material supplied through the raw material supply pipe, and from the storage unit It may include a blocking unit, which blocks the supply of the raw material.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법은, 앞서 설명한 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법으로서, 상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계; 상기 플레이트봉을 이용하여 상기 제1 반응 챔버 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착하는 단계; 및 상기 플레이트봉을 이용하여 상기 제1 반응 챔버 외부로 상기 기판을 이동하고, 상기 플레이트 레일부를 이용하여 상기 플레이트부를 상기 제2 반응 챔버 쪽으로 이동하고, 상기 플레이트봉을 이용하여 상기 제2 반응 챔버 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착하는 단계;를 포함한다.A thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention, the thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer described above, comprising: placing a substrate on the substrate stage; Moving the substrate into the first reaction chamber by using the plate rod to deposit a raw material on the substrate; And move the substrate to the outside of the first reaction chamber by using the plate rod, move the plate portion toward the second reaction chamber by using the plate rail, and use the plate rod to inside the second reaction chamber. And moving the substrate to deposit the raw material on the substrate.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법은, 복수의 반응 챔버로 기판을 용이하게 이동할 수 있으며, 기판 상에 다양한 물질을 효율적이고 안정적으로 증착할 수 있다.The thin film deposition apparatus including the nebulizer according to the embodiment of the present invention and the thin film deposition method using the same, can easily move the substrate to a plurality of reaction chambers, and can efficiently and stably deposit various materials on the substrate. .

또한, 기판 상에 다양한 박막을 연속적이고 신속하게 증착할 수 있다.In addition, various thin films can be continuously and quickly deposited on a substrate.

도 1 내지 도 2는 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 A 부분을 확대한 것으로, 기판 스테이지가 반응 챔버 외부에배치된 상태를 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 A 부분을 확대한 것으로, 기판 스테이지가 반응 챔버 내부에배치된 상태를 도시한 것이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것으로, 각 반응 챔버에서 순차적으로 증착 공정을 수행하는 방법을 도시한 것이다.1 to 2 show a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3 and illustrates a state where the substrate stage is disposed outside the reaction chamber.
FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3 and illustrates a state where the substrate stage is disposed in the reaction chamber.
6 to 8 relate to a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention, showing a method of sequentially performing a deposition process in each reaction chamber.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.　 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions. In addition, "comprising" any component throughout the specification means that, unless specifically stated otherwise, it may further include other components without excluding other components.

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치Thin Film Deposition Apparatus Including Nebulizer

도 1 내지 도 2는 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)를 도시한 것이고, 도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)의 단면도이다.1 to 2 show a thin film deposition apparatus 100 including a nebulizer according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a thin film deposition apparatus 100 including a nebulizer according to an embodiment of the present invention It is a cross section of.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는, 기판 상에 증착 공정이 수행되고, 기판이 내부 및 외부로 이동하는 출입구를 포함하는 제1 반응 챔버(110a) 및 제2 반응 챔버(110b); 상기 제1 반응 챔버(110a) 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제1 원료 공급부(120a); 상기 제2 반응 챔버(110b) 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제2 원료 공급부(120b); 기판을 지지하는 기판 스테이지(131), 및 상기 기판 스테이지(131)를 지지하고 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버(110a, 110b) 내부로 이동하는 플레이트봉(132),을 포함하는 플레이트부(130); 및 상기 플레이트부(130)의 일단에 연결되고, 상기 기판 스테이지(131)를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버(110a, 110b)의 내부로 이동하도록 하기 위해 상기 플레이트부(130)를 이동하는 플레이트 레일부(140);를 포함한다.1 to 3, a thin film deposition apparatus 100 including a nebulizer according to an embodiment of the present invention includes a doorway through which a deposition process is performed on a substrate and the substrate moves in and out. A first reaction chamber 110a and a second reaction chamber 110b; A first raw material supply unit 120a including a nebulizer for supplying raw materials into the first reaction chamber 110a; A second raw material supply unit 120b including a nebulizer for supplying raw materials into the second reaction chamber 110b; A plate part including a substrate stage 131 for supporting a substrate, and a plate rod 132 for supporting the substrate stage 131 and moving into the first and second reaction chambers 110a and 110b. 130; And move the plate 130 to be connected to one end of the plate 130 and to move the substrate stage 131 into the first and second reaction chambers 110a and 110b. It includes; the plate rail 140.

본 발명의 실시 예에서, 반응 챔버는 2 이상일 수 있다. 도 1 내지 도 3은 반응 챔버가 3개인 경우를 예시하고 있다. In an embodiment of the invention, the reaction chamber may be two or more. 1 to 3 illustrate the case of three reaction chambers.

제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)는 내부에 기판이 배치되고 상기 기판이 원료와 반응하여 상기 기판 상에 원료가 증착되는 반응이 일어나는 영역을 제공한다. 상기 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)는 내부의 반응 물질이 외부로 확산되거나 외부의 환경에 영향을 받지 않도록 하기 위해 외부와 밀폐되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)는 화학 반응에 안정적인 금속 재질로 된 벽을 포함할 수 있으며, 상기 벽의 일부에 타공이 형성되어 원료 공급부, 퍼지 가스 공급부, 배기구 등이 연결되도록 구성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 일 면에는 기판 스테이지(131)가 내부 및 외부로 이동할 수 있도록 하는 출입구를 포함할 수 있다. 상기 출입구에는 외부와의 밀폐가 가능하도록 하기 위해 문을 더 배치할 수 있다. 상기 문은 외부에서 반응 챔버 내부를 관찰할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다.The first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c provide regions in which a substrate is disposed therein and the substrate reacts with the raw material so that the reaction of depositing the raw material on the substrate occurs. The first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c may be formed to be sealed to the outside in order to prevent the reaction material therein from spreading out or being affected by the environment. The first to third reaction chambers (110a, 110b, 110c) may include a wall made of a metal material stable to the chemical reaction, a hole is formed in a portion of the wall is a raw material supply, purge gas supply, exhaust port, etc. It may be configured to be connected. One surface of the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c may include an entrance and exit to allow the substrate stage 131 to move inside and outside. The door may be further disposed at the entrance to enable sealing with the outside. The door may be formed of a transparent material to observe the inside of the reaction chamber from the outside.

상기 반응 챔버(110a, 110b, 110c)는 반응 공정에 사용된 가스를 제거하기 위한 배기구를 포함할 수 있다. 상기 배기구의 개수 및 배치 위치는 특별히 제한되지 않는다. The reaction chambers 110a, 110b, and 110c may include an exhaust port for removing a gas used in the reaction process. The number and arrangement positions of the exhaust ports are not particularly limited.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)가 상하로 배치되어 있으며, 각각의 반응 챔버 사이에 고정 프레임을 두어 위치를 고정할 수 있다. 이 때, 상기 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)를 배치함에 있어서 상기 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 출입구가 일직선 상에 위치하도록 할 수 있다. 이는 플레이트부(130)가 플레이트 레일부(140)의 레일을 따라 각 반응 챔버 사이를 이동하기 때문에, 상기 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 출입구가 일직선 상에 위치하도록 함으로써 증착 공정을 보다 빠르고 효율적으로 수행할 수 있도록 하기 위함이다. 본 발명의 다른 실시 예에서, 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)는 각각의 출입구가 일직선 상에 위치하도록 수평으로 배치될 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 1 to 3, the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c are disposed up and down, and may be fixed by placing a fixing frame between the reaction chambers. At this time, in the arrangement of the first to third reaction chambers (110a, 110b, 110c), the entrance and exit of the first to third reaction chambers (110a, 110b, 110c) can be located in a straight line. This is because the plate portion 130 moves between the reaction chambers along the rails of the plate rail portion 140, so that the entrances of the first to third reaction chambers 110a, 110b, 110c are located in a straight line. This is to enable a faster and more efficient deposition process. In another embodiment of the present invention, the first to third reaction chambers (110a, 110b, 110c) may be arranged horizontally so that each entrance is located in a straight line is not particularly limited.

원료 공급부(120a, 120b, 120c)는 상기 반응 챔버 내부로 원료를 공급하는 역할을 수행한다. 상기 원료 공급부(120a, 120b, 120c)는 각각의 반응 챔버(110a, 110b, 110c)마다 연결되어 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 원료 공급부(120a, 120b, 120c)는 각각 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)에 원료를 공급하기 위해 네블라이저(nebulizer, 미도시)를 각각 포함할 수 있으며, 상기 네블라이저에 의해 공급되는 원료를 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c) 내로 이동하는 통로인 원료 공급관, 상기 원료를 저장하는 저장부, 및 상기 저장부로부터 원료가 공급되는 것을 차단하는 차단부(미도시),를 더 포함할 수 있다. The raw material supply units 120a, 120b, and 120c serve to supply raw materials into the reaction chamber. The raw material supply units 120a, 120b, and 120c may be connected to each reaction chamber 110a, 110b, and 110c. The first to third raw material supply units 120a, 120b, and 120c may each include a nebulizer (not shown) to supply raw materials to the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c, respectively. And a raw material supply pipe which is a passage for moving the raw material supplied by the nebulizer into the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c, a storage unit for storing the raw material, and a raw material supplied from the storage unit. Blocking unit (not shown) for blocking the, may further include.

상기 네블라이저는 원료를 증기 상태로 공급할 수 있다. 상기 네블라이저는 본 기술분야에서 원료를 공급하는 데 적용되는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 네블라이저는 저장부에서 공급된 원료를 증기 상태로 변환하기 위한 원료 담지 부재 및 상기 원료 담지 부재에 담긴 원료의 상을 증기 상태로 변환하기 위한 부재를 포함할 수 있다. 상기 원료의 상을 증기 상태로 변환하기 위한 부재는 상기 원료를 가열하는 부재 또는 상기 원료에 초음파를 제공하는 부재일 수 있다. The nebulizer may supply raw materials in a vapor state. The nebulizer is not particularly limited as long as it is applied to supply raw materials in the art. Specifically, the nebulizer may include a raw material supporting member for converting the raw material supplied from the storage unit into a vapor state and a member for converting the phase of the raw material contained in the raw material supporting member into a vapor state. The member for converting the phase of the raw material into a vapor state may be a member for heating the raw material or a member for providing ultrasonic waves to the raw material.

저장부는 원료를 내부에 저장하는 탱크를 포함할 수 있다. 상기 저장부에 저장된 원료는 네블라이저로 공급되고, 공급된 원료가 네블라이저에 의해 증기로 변환되어 원료 공급관을 통해 반응 챔버 내부로 공급될 수 있다. 상기 네블라이저는 복수의 저장부 각각에 복수 개가 연결되어 배치될 수 있으며, 하나의 네블라이저가 복수의 저장부와 연결되어 배치될 수 있다. The storage unit may include a tank for storing the raw material therein. The raw material stored in the storage unit may be supplied to the nebulizer, and the supplied raw material may be converted into steam by the nebulizer and supplied into the reaction chamber through the raw material supply pipe. The nebulizer may be connected to a plurality of storage units, and a single nebulizer may be connected to a plurality of storage units.

상기 원료 공급관(120a, 120b, 120c)은 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 일면에 형성된 타공을 통해 반응 챔버(110a, 110b, 110c) 내부로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 원료 공급관(120a, 120b, 120c)은 증착 반응이 효율적으로 이루어질 수 있도록 하기 위해 기판 스테이지(131)상에 배치된 기판의 상부까지 연장되어 배치될 수 있다.The raw material supply pipes 120a, 120b and 120c may be disposed to extend into the reaction chambers 110a, 110b and 110c through perforations formed in one surface of the reaction chambers 110a, 110b and 110c. The raw material supply pipes 120a, 120b, and 120c may be extended to an upper portion of the substrate disposed on the substrate stage 131 so that the deposition reaction can be efficiently performed.

차단부는 저장부에 저장된 원료가 네블라이저 또는 원료 공급관으로 공급되는 것을 차단하는 역할을 한다. 상기 차단부는 특별히 제한되지 않으며, 기체 또는 액체 상태의 물질의 이동을 막기 위해 일반적으로 사용되는 차단 밸브를 포함할 수 있다.The blocking unit serves to block the raw material stored in the storage unit from being supplied to the nebulizer or the raw material supply pipe. The blocking unit is not particularly limited and may include a blocking valve generally used to prevent movement of a substance in a gas or liquid state.

플레이트부(130)는 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c) 내부 또는 외부에 배치되고, 기판을 지지하고 가열하여 증착 반응이 효율적으로 이루어질 수 있도록 한다. 이를 위해 상기 플레이트부(130)는 기판을 지지하는 기판 스테이지(131), 및 상기 기판 스테이지(131)를 지지하는 플레이트봉(132),을 포함한다. 또한, 상기 플레이트부(130)는 상기 기판 스테이지(131)를 가열하는 가열부(133),를 더 포함할 수 있다.The plate part 130 is disposed inside or outside the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c, and supports the substrate and heats it so that the deposition reaction can be efficiently performed. To this end, the plate unit 130 includes a substrate stage 131 for supporting a substrate, and a plate rod 132 for supporting the substrate stage 131. In addition, the plate unit 130 may further include a heating unit 133 that heats the substrate stage 131.

기판 스테이지(131)는 기판을 안정적으로 지지하는 역할을 수행한다. 기판 스테이지(131)는 적어도 하나의 기판을 지지할 수 있다. 상기 기판 스테이지(131)는 기판을 지지하는 판을 포함하며, 상기 기판을 안정적으로 파지하기 위한 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 기판을 안정적으로 파지하기 위한 부재는 기판을 고정하는 클립 또는 기판 및 기판 스테이지(131) 사이에 진공을 형성하여 기판을 고정하는 진공형성장치일 수 있으나 특별히 제한되지 않는다. The substrate stage 131 serves to stably support the substrate. The substrate stage 131 may support at least one substrate. The substrate stage 131 may include a plate for supporting a substrate, and may further include a member for stably holding the substrate. The member for stably holding the substrate may be a clip for fixing the substrate or a vacuum forming apparatus for fixing the substrate by forming a vacuum between the substrate and the substrate stage 131, but is not particularly limited.

플레이트봉(132)은 기판 스테이지(131)를 지지하고, 기판 스테이지(131)가 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 내부 및 외부로 이동할 수 있도록 하는 역할을 수행한다. 도 4 및 도 5를 참조하여 플레이트봉(132)을 보다 상세히 설명한다. The plate rod 132 supports the substrate stage 131 and serves to allow the substrate stage 131 to move into and out of the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c. The plate rod 132 will be described in more detail with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 도 3의 A 부분을 확대한 것으로, 기판 스테이지(131)가 반응 챔버 외부에 배치된 상태를 도시한 것이고, 도 5는 도 3의 A 부분을 확대한 것으로, 기판 스테이지(131)가 반응 챔버 내부에 배치된 상태를 도시한 것이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 플레이트봉(132)은 기판 스테이지(131)의 후면에 연결되어 상기 기판 스테이지(131)가 반응 챔버(110a) 내의 특정 위치에 안정적으로 배치될 수 있도록 한다. 상기 플레이트봉(132)은 봉 형상일 수 있으나 특별히 제한되지 않는다. 상기 플레이트봉(132)은 뒤에 설명하는 플레이트 레일부(140)와 연결되며, 이에 따라 상기 플레이트 레일부(140)에서 제공하는 구동력에 의해 플레이트부(130)가 각 반응 챔버(110a, 110b, 110c) 사이를 이동하게 된다.FIG. 4 is an enlarged view of portion A of FIG. 3 and illustrates a state where the substrate stage 131 is disposed outside the reaction chamber, and FIG. 5 is an enlarged view of portion A of FIG. It shows the state disposed inside the reaction chamber. 4 and 5, the plate rod 132 is connected to the rear surface of the substrate stage 131 so that the substrate stage 131 can be stably disposed at a specific position in the reaction chamber 110a. The plate rod 132 may have a rod shape, but is not particularly limited. The plate rods 132 are connected to the plate rail portion 140 to be described later, whereby the plate portions 130 are each reaction chamber 110a, 110b, 110c by the driving force provided by the plate rail portion 140. ) To move between them.

상기 플레이트봉(132)은 유압 또는 공압에 의해 구동하는 액추에이터를 포함하거나 레일을 따라 구동력을 전달하는 리니어 타입의 모터를 포함하여 길이를 연장하거나 단축할 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 플레이트봉(132)은 다수의 중공형의 파이프 형태의 부재가 중첩하여 결합함으로써 기판 스테이지(131)의 위치를 이동할 수 있다. 기판 스테이지(131)를 반응 챔버(110a) 외부에 위치시킬 때에는 상기 파이프 형태의 부재의 각각의 일단이 서로 근접하도록 배치되고, 상기 기판 스테이지(131)를 반응 챔버(110a) 내부에 위치시킬 때에는 상기 파이프 형태의 부재의 각각의 일단이 서로 멀어지도록 배치함으로써 기판 스테이지(131)를 이동시킬 수 있다. 앞서 서명한 바와 같이, 상기 파이프 형태의 부재는 액추에이터 또는 리니어 타입 모터에 의해 이동할 수 있다.The plate rod 132 may include an actuator driven by hydraulic pressure or pneumatic pressure or include a linear type motor that transmits a driving force along a rail, and may extend or shorten the length thereof. 4 and 5, the plate rod 132 may move the position of the substrate stage 131 by overlapping and joining a plurality of hollow pipe-shaped members. When the substrate stage 131 is positioned outside the reaction chamber 110a, one end of each of the pipe-shaped members is disposed to be close to each other, and when the substrate stage 131 is positioned inside the reaction chamber 110a, The substrate stage 131 may be moved by disposing one end of each of the pipe-shaped members away from each other. As previously signed, the pipe-shaped member can be moved by an actuator or linear type motor.

가열부(133)는 기판 스테이지(131)를 가열하여 상기 기판 스테이지(131) 상에 배치된 기판을 가열함으로써 증착 공정을 빠르게 진행하고 증착되는 박막의 품질을 제어하는 기능을 수행할 수 있다. 종래에는 증착 공정 중 열을 공급하는 에너지원이 없어 증착 효율이 떨어지는 문제점이 있었다. 본 발명의 실시 예는 가열부(133)를 포함함으로써 증착 공정 중 기판에 열을 공급할 수 있기 때문에 증착 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 가열부(133)는 외부에서 온도를 제어할 수 있기 때문에 공정 조건의 효율적인 제어가 가능하다.The heating unit 133 may heat the substrate stage 131 to heat the substrate disposed on the substrate stage 131, thereby rapidly performing a deposition process and controlling a quality of the deposited thin film. Conventionally, there is a problem that the deposition efficiency is lowered because there is no energy source for supplying heat during the deposition process. In the embodiment of the present invention, since the heating unit 133 may be provided to heat the substrate during the deposition process, the efficiency of the deposition process may be improved. In addition, since the heating unit 133 can control the temperature from the outside, it is possible to efficiently control the process conditions.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 가열부(133)는 상기 플레이트봉(132)의 내부를 따라 기판 스테이지(131)까지 연장되어 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서, 상기 가열부(133)는 기판 스테이지(131)에서 기판이 배치되는 면에 대향하는 면인 기판 스테이지(131)의 후면의 형상에 대응하는 형상으로 배치되고 상기 가열부(133)에 전원을 공급하는 부재가 상기 스테이지봉을 따라 연장되어 배치될 수 있다. 또는, 상기 가열부(133)는 상기 플레이트봉(132)의 외부를 따라 연장되어 배치될 수 있다. 상기 가열부(133)는 플레이트봉(132)의 내부 또는 외부를 감싸는 형상일 수 있으며, 구체적으로 기둥, 원통 또는 코일 형상일 수 있다. 4 and 5, the heating unit 133 may be disposed to extend to the substrate stage 131 along the inside of the plate rod 132. In another embodiment, the heating unit 133 is disposed in a shape corresponding to the shape of the rear surface of the substrate stage 131, which is a surface opposite to the surface on which the substrate is disposed in the substrate stage 131, and is disposed on the heating unit 133. A member for supplying power may be disposed to extend along the stage rod. Alternatively, the heating unit 133 may be disposed to extend along the outside of the plate rod 132. The heating part 133 may have a shape surrounding the inside or the outside of the plate rod 132, and specifically, may have a pillar, a cylinder, or a coil shape.

또한, 상기 가열부(133)는 기판 스테이지(131)의 내부 또는 기판 스테이지(131)의 하면으로 연장되어, 상기 기판 스테이지(131)를 가열함으로써 기판 스테이지(131) 상의 기판에 열을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 가열부(133)는 앞서 설명한 플레이트봉(132)을 따라 연장되어 배치된 구성 외에, 기판 스테이지(131)의 형상에 대응하는 형상을 함으로써 상기 기판 스테이지(131)를 가열하는 구성을 더 포함할 수 있다. 상기 기판 스테이지(131)를 가열하는 구성은 기판 스테이지(131) 전체 형상을 따라 배치될 수 있으며, 상기 기판 스테이지(131) 상에 배치되는 기판이 배치되는 영역에만 선택적으로 배치될 수 있다. In addition, the heating unit 133 may extend into the substrate stage 131 or to the lower surface of the substrate stage 131, thereby providing heat to the substrate on the substrate stage 131 by heating the substrate stage 131. have. In this case, the heating unit 133 is configured to heat the substrate stage 131 by forming a shape corresponding to the shape of the substrate stage 131, in addition to the configuration that extends along the plate rod 132 described above. It may further include. The structure for heating the substrate stage 131 may be disposed along the entire shape of the substrate stage 131, and may be selectively disposed only in an area where the substrate disposed on the substrate stage 131 is disposed.

상기 가열부(133)는 열을 기판에 전달할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일 예로, 상기 가열부(133)는 금속, 탄소 재료 등 도전성 재료를 포함할 수 있으며, 외부에서 공급되는 전류가 흐름으로써 발생하는 저항열을 발생하는 것일 수 있다. 도 5를 참조하면, 상기 가열부(133)는 플레이트봉(132)의 일부 및 기판 스테이지(131)의 하면에 배치되고, 외부의 전원을 공급받아 상기 가열부(133)가 가열될 수 있다. The heating unit 133 is not particularly limited as long as it can transfer heat to the substrate. For example, the heating unit 133 may include a conductive material such as a metal or a carbon material, and may generate resistance heat generated by a current supplied from the outside. Referring to FIG. 5, the heating unit 133 may be disposed on a portion of the plate rod 132 and the lower surface of the substrate stage 131, and the heating unit 133 may be heated by receiving external power.

플레이트 레일부(140)는 플레이트부(130)의 일단에 연결되어 배치된다. 상기 플레이트 레일부(140)는 플레이트부(130)가 이동하는 경로를 제공하는 가이드 레일 부재 및 상기 플레이트부(130)가 이동하도록 구동력을 제공하는 이동 부재를 포함할 수 있다. 또한, 상기 플레이트부(130)를 정지하도록 하는 브레이크 부재를 더 포함할 수 있다. The plate rail 140 is connected to one end of the plate 130. The plate rail unit 140 may include a guide rail member providing a path through which the plate unit 130 moves and a moving member providing a driving force to move the plate unit 130. In addition, it may further include a brake member for stopping the plate portion 130.

가이드 레일 부재는 플레이트부(130)의 플레이트봉(132)이 각각의 반응 챔버로 안정적으로 이동하도록 하는 역할을 한다. 도 1에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c) 방향으로 홈이 형성되고, 상기 홈에 플레이트봉(132)이 결합되어 상기 플레이트봉(132)이 상기 홈을 따라 이동하도록 형성될 수 있다. The guide rail member serves to stably move the plate rod 132 of the plate portion 130 to each reaction chamber. As shown in FIG. 1, grooves are formed in the directions of the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c, and plate rods 132 are coupled to the grooves so that the plate rods 132 are along the grooves. It may be configured to move.

이동 부재는 상기 플레이트봉(132)의 일단에 연결되어 상기 플레이트봉(132)을 가이드 레일 부재에 의해 형성된 경로를 따라 이동하도록 할 수 있는 것이면 제한되지 않는다. 상기 이동 부재는 상기 가이드 레일 부재를 따라 이동하는 리니어 타입의 모터이거나 기체 또는 유체에 의해 동력을 제공하는 액추에이터일 수 있다. 또는 상기 이동 부재는 가이드 레일 부재를 따라 배치된 스크류, 상기 스크류가 삽입되는 나사선을 포함하는 중공을 포함하고 상기 스크류가 회전함에 의하여 위치가 이동되고 플레이트봉(132)을 지지하는 부재, 및 상기 스크류를 회전하는 모터를 포함할 수 있다. The moving member is not limited as long as it is connected to one end of the plate rod 132 to move the plate rod 132 along a path formed by the guide rail member. The moving member may be a linear type motor moving along the guide rail member or an actuator providing power by a gas or a fluid. Or the movable member includes a screw disposed along a guide rail member, a hollow including a thread line into which the screw is inserted, the member being moved by the rotation of the screw and supporting the plate rod 132, and the screw It may include a motor to rotate.

브레이크 부재는 상기 이동 부재에 연결되어 상기 이동 부재가 플레이트봉(132)에 제공하는 이동 속도를 제어할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. The brake member is not particularly limited as long as it is connected to the movable member so as to control the moving speed provided by the movable member to the plate rod 132.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예는 상기 플레이트부(130)가 상기 플레이트 레일부(140)에 의해 이동하는 것에 따른 상기 기판 스테이지(131)의 이동경로를 따라 배치되어 상기 기판 스테이지(131)의 이동을 가이드하는 공정 레일부(150)를 더 포함할 수 있다.1 to 3, according to an exemplary embodiment of the present invention, the plate 130 is disposed along the movement path of the substrate stage 131 as the plate rail 130 moves by the plate rail 140. Process rail unit 150 for guiding the movement of the stage 131 may be further included.

공정 레일부(150)는 기판 스테이지(131)가 안정적으로 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c) 사이를 이동할 수 있도록 가이드 역할을 수행할 수 있다. 이를 통해, 기판 스테이지(131)를 안정적이고 빠르게 다음 반응 챔버로 이동할 수 있다. The process rail unit 150 may serve as a guide to allow the substrate stage 131 to stably move between the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c. Through this, the substrate stage 131 can be stably and quickly moved to the next reaction chamber.

도 1에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)가 배치되는 방향(일 예로, 상하 방향 또는 수평 방향)으로 연장된 형태로 배치될 수 있으며, 기판 스테이지(131)가 공정 레일부(150)를 따라 이동하는 경로를 제공하기 위한 둔턱을 포함할 수 있다. 또한, 공정 레일부(150)는 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 출입구에 대응하는 홈을 포함하여, 기판 스테이지(131)가 공정 레일부(150)의 홈을 따라 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 내부로 안정적으로 이동할 수 있도록 경로를 제공할 수 있다. 이를 위해 공정 레일부(150)는 제1 내지 제3 반응 챔버(110a, 110b, 110c)의 일 면에 부착된 형태로 배치될 수 있다. As illustrated in FIG. 1, the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c may be disposed to extend in a direction in which the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c are disposed (for example, in a vertical direction or a horizontal direction). May include a barrier for providing a path that moves along the process rail unit 150. In addition, the process rail unit 150 may include a groove corresponding to the entrance and exit of the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c, and the substrate stage 131 may be formed along the groove of the process rail unit 150. A path may be provided to stably move into the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c. To this end, the process rail unit 150 may be disposed in a form attached to one surface of the first to third reaction chambers 110a, 110b, and 110c.

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법Thin film deposition method using thin film deposition apparatus including nebulizer

도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것으로, 각 반응 챔버에서 순차적으로 증착 공정을 수행하는 방법을 도시한 것이다.6 to 8 relate to a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention, showing a method of sequentially performing a deposition process in each reaction chamber.

본 발명의 실시 예를 따르는 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법은, 앞서 설명한 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)를 이용한 박막 증착 방법으로서, 상기 기판 스테이지(131)에 기판을 배치하는 단계; 상기 플레이트봉(132)을 이용하여 상기 제1 반응 챔버(110a) 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착하는 단계; 및 상기 플레이트봉(132)을 이용하여 상기 제1 반응 챔버(110a) 외부로 상기 기판을 이동하고, 상기 플레이트 레일부(140)를 이용하여 상기 플레이트부(130)를 상기 제2 반응 챔버(110b) 쪽으로 이동하고, 상기 플레이트봉(132)을 이용하여 상기 제2 반응 챔버(110b) 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착하는 단계;를 포함한다.A thin film deposition method using a thin film deposition apparatus including a nebulizer according to an embodiment of the present invention is a thin film deposition method using the thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer described above, and a substrate is formed on the substrate stage 131. Arranging; Moving the substrate into the first reaction chamber (110a) using the plate rod (132) to deposit a raw material on the substrate; And move the substrate to the outside of the first reaction chamber 110a using the plate rod 132, and move the plate 130 to the second reaction chamber 110b by using the plate rail 140. And moving the substrate into the second reaction chamber 110b by using the plate rod 132 to deposit a raw material on the substrate.

네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치(100)는 앞서 설명한 실시 예 중 어느 하나이다.The thin film deposition apparatus 100 including the nebulizer is any one of the above-described embodiments.

우선 박막 증착이 요구되는 기판을 기판 스테이지(131)에 배치한다. First, a substrate on which thin film deposition is required is disposed on the substrate stage 131.

다음으로, 증착 공정이 효율적으로 수행되도록 하기 위해 플레이트부(130)의 가열부(133)를 이용하여 기판을 가열하는 단계를 수행할 수 있다. 이 때, 증착되는 박막의 종류에 따라 상기 가열부(133)의 온도를 설정할 수 있다.Next, in order to perform the deposition process efficiently, the step of heating the substrate using the heating unit 133 of the plate unit 130 may be performed. At this time, the temperature of the heating unit 133 may be set according to the type of the thin film to be deposited.

다음으로, 플레이트봉(132)을 이용하여 상기 제1 반응 챔버(110a) 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착한다 (도 6 참조). 만일, 기판 스테이지(131)가 제1 반응 챔버(110a)의 출입구에 대응하는 위치에 배치하지 않은 경우에는 플레이트 레일부(140)를 이용하여 플레이트부(130)의 기판 스테이지(131)가 제1 반응 챔버(110a)의 출입구에 대응하는 위치에 배치되도록 이동시킨 후 플레이트봉(132)의 길이를 연장시켜 기판 스테이지(131)를 제1 반응 챔버(110a)의 내부로 이동할 수 있다. Next, the substrate is moved into the first reaction chamber 110a using the plate rod 132 to deposit a raw material on the substrate (see FIG. 6). If the substrate stage 131 is not disposed at a position corresponding to the entrance and exit of the first reaction chamber 110a, the substrate stage 131 of the plate unit 130 may be formed using the plate rail unit 140. After moving to be disposed at a position corresponding to the entrance and exit of the reaction chamber 110a, the length of the plate rod 132 may be extended to move the substrate stage 131 into the first reaction chamber 110a.

다음으로, 기판 스테이지(131)를 제2 반응 챔버(110b) 내부로 이동하여 다음 박막을 기판 상에 증착한다(도 7 참조). 본 공정 단계는 구체적으로, 상기 플레이트봉(132)을 이용하여 상기 제1 반응 챔버(110a) 외부로 상기 기판을 이동하고, 상기 플레이트 레일부(140)를 이용하여 상기 플레이트부(130)를 상기 제2 반응 챔버(110b) 쪽으로 이동하고, 상기 플레이트봉(132)을 이용하여 상기 제2 반응 챔버(110b) 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착함으로써 수행될 수 있다. Next, the substrate stage 131 is moved into the second reaction chamber 110b to deposit the next thin film on the substrate (see FIG. 7). In detail, the process may include moving the substrate to the outside of the first reaction chamber 110a using the plate rods 132, and moving the plate portion 130 to the plate rail portion 140. The substrate may be moved toward the second reaction chamber 110b, and the substrate may be moved into the second reaction chamber 110b using the plate rod 132 to deposit a raw material on the substrate.

다음으로, 필요에 따라 기판 스테이지(131)를 제3 반응 챔버(110c) 내부로 이동하여 다음 박막을 기판 상에 증착할 수 있다(도 8 참조).Next, if necessary, the substrate stage 131 may be moved into the third reaction chamber 110c to deposit the next thin film on the substrate (see FIG. 8).

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다. It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. Accordingly, various forms of substitution, modification, and alteration may be made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, which are also within the scope of the present invention. something to do.

100: 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치
110a, 110b, 110c: 제1 내지 제3 반응 챔버
120a, 120b, 120c: 제1 내지 제3 원료 공급부
130: 플레이트부
131: 기판 스테이지
132: 플레이트봉
133: 가열부
140: 플레이트 레일부
150: 공정 레일부100: thin film deposition apparatus including the nebulizer
110a, 110b, 110c: first to third reaction chambers
120a, 120b, 120c: first to third raw material supply units
130: plate portion
131: substrate stage
132: plate rod
133: heating unit
140: plate rail portion
150: process rail part

Claims (8)

기판 상에 증착 공정이 수행되고, 기판이 내부 및 외부로 이동하는 출입구를 포함하는 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버; 상기 제1 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제1 원료 공급부; 상기 제2 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제2 원료 공급부; 기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하고 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버 내부로 이동하는 플레이트봉을 포함하는 플레이트부; 및 상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버의 내부로 이동하도록 하기 위해 상기 플레이트부를 이동하는 플레이트 레일부;를 포함하고,
상기 플레이트부가 상기 플레이트 레일부에 의해 이동하는 것에 따른 상기 기판 스테이지의 이동경로를 따라 배치되어, 상기 기판 스테이지의 이동을 가이드하는 공정 레일부를 더 포함하며,
상기 플레이트 레일부는 상기 플레이트부가 이동하는 경로를 제공하는 가이드 레일 부재, 상기 플레이트부가 이동하도록 구동력을 제공하는 이동 부재, 및 상기 플레이트부를 정지하도록 하는 브레이크 부재를 포함하고,
상기 기판 스테이지가 상기 공정 레일부를 따라 이동하는 경로를 제공하기 위한 둔턱을 포함하며, 상기 공정 레일부는 상기 제1 반응 챔버 및 상기 제2 반응 챔버의 출입구에 대응하는 홈을 포함하여, 상기 기판 스테이지가 상기 공정 레일부의 상기 홈을 따라 상기 제1 반응 챔버 및 상기 제2 반응 챔버의 내부로 안정적으로 이동할 수 있는 경로를 제공하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.A first reaction chamber and a second reaction chamber including a doorway through which a deposition process is performed on the substrate and the substrate moves in and out of the substrate; A first raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the first reaction chamber; A second raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the second reaction chamber; A plate portion including a substrate stage for supporting a substrate, and a plate rod for supporting the substrate stage and moving the substrate stage into the first reaction chamber and the second reaction chamber; And a plate rail part connected to one end of the plate part and moving the plate part to move the substrate stage into the first reaction chamber and the second reaction chamber.
It further comprises a process rail is disposed along the movement path of the substrate stage as the plate portion moves by the plate rail portion, to guide the movement of the substrate stage,
The plate rail part includes a guide rail member providing a path through which the plate part moves, a moving member providing a driving force to move the plate part, and a brake member to stop the plate part,
And a barrier for providing a path through which the substrate stage moves along the process rail portion, wherein the process rail portion includes a groove corresponding to an entrance and exit of the first reaction chamber and the second reaction chamber. Providing a path that can be stably moved into the first reaction chamber and the second reaction chamber along the groove of the process rail portion,
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 플레이트봉은 상기 기판 스테이지를 가열하는 가열부를 더 포함하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The plate rod further includes a heating unit for heating the substrate stage,
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제1항에 있어서,
상기 플레이트봉은 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버의 내부 및 외부로 이동하도록 길이가 연장 또는 단축되는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The plate rod is extended or shortened in length to move the substrate stage into and out of the first reaction chamber and the second reaction chamber,
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제3항에 있어서,
상기 가열부는 상기 기판 스테이지에서 기판이 배치되는 면에 대향하는 면에 배치되는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 3,
The heating unit is disposed on a surface opposite to the surface on which the substrate is disposed in the substrate stage,
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제1항에 있어서,
상기 제1 원료 공급부 및 제2 원료 공급부는, 각각 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 원료 공급관, 상기 원료 공급관을 통해 공급되는 원료를 저장하는 저장부, 및 상기 저장부로부터 원료가 공급되는 것을 차단하는 차단부,를 포함하는
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The first raw material supply unit and the second raw material supply unit, a raw material supply pipe for supplying raw materials into the first reaction chamber and the second reaction chamber, respectively, a storage unit for storing the raw material supplied through the raw material supply pipe, and from the storage unit Blocking unit for blocking the supply of raw material, including
Thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 기판 상에 증착 공정이 수행되고, 기판이 내부 및 외부로 이동하는 출입구를포함하는 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버; 상기 제1 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제1 원료 공급부; 상기 제2 반응 챔버 내로 원료를 공급하는 네블라이저를 포함하는 제2 원료 공급부; 기판을 지지하는 기판 스테이지, 및 상기 기판 스테이지를 지지하는 플레이트봉,을 포함하는 플레이트부; 및 상기 플레이트부의 일단에 연결되고, 상기 기판 스테이지를 상기 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버의 내부로 이동하도록 하기 위해 상기 플레이트부를 이동하는 플레이트 레일부;를 포함하고,
상기 플레이트부가 상기 플레이트 레일부에 의해 이동하는 것에 따른 상기 기판 스테이지의 이동경로를 따라 배치되어, 상기 기판 스테이지의 이동을 가이드하는 공정 레일부를 더 포함하며,
상기 플레이트 레일부는 상기 플레이트부가 이동하는 경로를 제공하는 가이드 레일 부재, 상기 플레이트부가 이동하도록 구동력을 제공하는 이동 부재, 및 상기 플레이트부를 정지하도록 하는 브레이크 부재를 포함하고,
상기 기판 스테이지가 상기 공정 레일부를 따라 이동하는 경로를 제공하기 위한 둔턱을 포함하며, 상기 공정 레일부는 상기 제1 반응 챔버 및 상기 제2 반응 챔버의 출입구에 대응하는 홈을 포함하여, 상기 기판 스테이지가 상기 공정 레일부의 상기 홈을 따라 상기 제1 반응 챔버 및 상기 제2 반응 챔버의 내부로 안정적으로 이동할 수 있는 경로를 제공하는, 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법에 있어서,
상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계;
상기 플레이트봉을 이용하여 상기 제1 반응 챔버 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착하는 단계; 및
상기 플레이트봉을 이용하여 상기 제1 반응 챔버 외부로 상기 기판을 이동하고, 상기 플레이트 레일부를 이용하여 상기 플레이트부를 상기 제2 반응 챔버 쪽으로 이동하고, 상기 플레이트봉을 이용하여 상기 제2 반응 챔버 내부로 상기 기판을 이동하여 상기 기판 상에 원료를 증착하는 단계;를 포함하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법.A first reaction chamber and a second reaction chamber including a doorway through which a deposition process is performed on the substrate and the substrate moves in and out; A first raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the first reaction chamber; A second raw material supply unit including a nebulizer for supplying raw materials into the second reaction chamber; A plate portion including a substrate stage for supporting a substrate, and a plate rod for supporting the substrate stage; And a plate rail part connected to one end of the plate part and moving the plate part to move the substrate stage into the first reaction chamber and the second reaction chamber.
It further comprises a process rail is disposed along the movement path of the substrate stage as the plate portion moves by the plate rail portion, to guide the movement of the substrate stage,
The plate rail part includes a guide rail member providing a path through which the plate part moves, a moving member providing a driving force to move the plate part, and a brake member to stop the plate part,
And a barrier for providing a path through which the substrate stage moves along the process rail portion, wherein the process rail portion includes a groove corresponding to an entrance and exit of the first reaction chamber and the second reaction chamber. In the thin film deposition method using a thin film deposition apparatus comprising a nebulizer, which provides a path for stably moving into the first reaction chamber and the second reaction chamber along the groove of the process rail portion,
Placing a substrate on the substrate stage;
Moving the substrate into the first reaction chamber by using the plate rod to deposit a raw material on the substrate; And
The substrate is moved out of the first reaction chamber using the plate rod, the plate portion is moved toward the second reaction chamber using the plate rail portion, and the plate is moved into the second reaction chamber using the plate rod. Moving the substrate to deposit a raw material on the substrate;
Thin film deposition method using a thin film deposition apparatus comprising a nebulizer. 제7항에 있어서,
상기 플레이트봉은 상기 기판 스테이지를 가열하는 가열부를 더 포함하고,
상기 기판 스테이지에 기판을 배치하는 단계 이후에, 상기 가열부를 이용하여 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는,
네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법.
The method of claim 7, wherein
The plate rod further includes a heating unit for heating the substrate stage,
After placing the substrate on the substrate stage, further comprising the step of heating the substrate using the heating unit,
Thin film deposition method using a thin film deposition apparatus comprising a nebulizer.
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