KR20190108028A - Metal shadow mask and preparation method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a metal shadow mask and a production method thereof. The production method comprises the following steps of: providing a top plate: serve performing several cyclic processes of coating, exposure, development and electroforming to obtain the metal shadow mask having different aperture sizes on opposite sides; and having a stepped deposition angle of the metal shadow mask through change in the aperture size. The present invention solves a problem in that deposition of the prior art is not uniform and deposition shadow is easily generated by introducing the deposition angle into the metal shadow mask through a layer-by-layer electroforming method.

Description

금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법{METAL SHADOW MASK AND PREPARATION METHOD THEREOF}Metal shadow mask and its manufacturing method {METAL SHADOW MASK AND PREPARATION METHOD THEREOF}

본 발명은 유기 발광 다이오드 디스플레이 기술분야에 관한 것으로서, 구체적으로는 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to the field of organic light emitting diode display technology, and more particularly, to a metal shadow mask and a method of manufacturing the same.

유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED) 디스플레이 장치는 유기 반도체 재료를 이용하여 제조된 것으로 직류 전압으로 구동되는 박막 발광 소자이다. OLED 디스플레이 장치는 슬림하고 가벼우며 콘트라스트가 높고 시각이 넓은 등 장점을 구비하여, 차세대 디스플레이 기술의 주류로 자리 잡았다.Organic light-emitting diode (OLED) display devices are manufactured using organic semiconductor materials and are thin film light emitting devices driven by a direct current voltage. OLED display devices have become the mainstream of next-generation display technology with the advantages of slim, light, high contrast, and wide vision.

OLED 디스플레이 장치의 발광 원리는 전류가 유기 발광 재료를 통해 코팅될 경우, 즉 상기 유기 발광 재료 코팅은 광선을 발산하게 된다. 현재 OLED업계의 제조 분야에서, 일반적으로는 싱글 증착용 섀도우 마스크 증착의 방식을 사용하는 바, 증착할 시 유기 재료 입자는 각각의 각도로부터 섀도우 마스크의 개구를 관통하여 기판에 부착된다. 그러나, 일반 증착 공정에서, 섀도우 마스크에 분포되는 개구는 테이퍼가 없고, 입자가 경사되게 개구를 향할 경우, 일부 입자는 개구 벽에 의해 가려져 기판에 도달할 수 없기에, 경사 입사되는 입자가 부족한 것을 초래하여, 기판의 증착이 균일하지 않아, 음영 효과가 발생할 수 있으며, 제품의 휘도가 감소함으로써, OLED 소자의 디스플레이 특징에 영향을 미친다.The light emitting principle of the OLED display device is that when the current is coated through the organic light emitting material, that is, the organic light emitting material coating emits light. Currently in the manufacturing field of the OLED industry, a method of shadow mask deposition for single deposition is generally used, in which the organic material particles adhere to the substrate through the openings of the shadow mask from each angle. However, in the normal deposition process, the openings distributed in the shadow mask are tapered, and when the particles face the opening obliquely, some particles are covered by the opening walls and cannot reach the substrate, resulting in the lack of obliquely entering particles. Thus, the deposition of the substrate is not uniform, so that a shadowing effect may occur, and the brightness of the product is reduced, thereby affecting the display characteristics of the OLED element.

현재 업계에서는 음영 효과에 한하여, OLED용 섀도우 마스크를 제조할 시, 일반적으로는 양면 에칭 금속 코일 재료를 사용하는 방식으로 제조하지만, 이러한 방식은 개구 크기의 균일성을 정확하게 제어할 수 없다. 섀도우 마스크는 인듐 주석 산화물(ITO)의 접촉면 개구에 역 테이퍼각이 존재하여, 사각 영역이 생성되며, 증착 품질에 영향을 미치게 된다.Currently, in the shadowing effect, the manufacturing of shadow masks for OLEDs is generally made by using a double-sided etched metal coil material, but this method cannot accurately control the uniformity of the opening size. Shadow masks have an inverse taper angle at the contact surface openings of indium tin oxide (ITO), creating a rectangular area, which affects the deposition quality.

본 발명의 목적은 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법을 제공하여, 유리 기판을 증착할 시 음영 효과가 용이하게 생성되는 문제를 해결하는 것이다. An object of the present invention is to provide a metal shadow mask and a method of manufacturing the same, to solve the problem that the shadow effect is easily generated when the glass substrate is deposited.

상기 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 금속 섀도우 마스크의 제조 방법을 제공하였는 바, 모판(模板)을 제공하는 단계; 상기 모판에 감광막을 설치하는 단계; 노광 및 현상하여, 상기 감광막이 상기 모판에 다수 개의 제1 구조를 형성하도록 하는 단계; 제1 층 금속층을 상기 모판에 형성하는 단계; 상기 다수 개의 제1 구조를 제거하여, 상기 제1 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 구조에 대응되는 다수 개의 제1 개구를 형성하는 단계; 상기 감광막을 상기 제1 층 금속층에 형성하는 단계; 노광 및 현상하여, 상기 감광막에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 구조를 형성하고, 상기 제2 구조의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 큰 형성 단계; 제2 층 금속층을 상기 제1 층 금속층에 형성하고, 상기 제1 층 금속층과 금속 섀도우 마스크로 결합하는 단계; 및 상기 다수 개의 제2 구조를 제거하여, 상기 제2 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 개구를 형성하는 단계 등 단계들을 포함한다. In order to solve the above problems, the present invention provides a method for producing a metal shadow mask, comprising the steps of: providing a base plate; Installing a photosensitive film on the mother plate; Exposing and developing the photoresist to form a plurality of first structures on the mother plate; Forming a first layer metal layer on the mother plate; Removing the plurality of first structures to form a plurality of first openings corresponding to the plurality of first structures in the first layer metal layer; Forming the photosensitive film on the first layer metal layer; Exposing and developing to form a plurality of second structures corresponding to the plurality of first openings in the photosensitive film, wherein the size of the second structure is larger than the size of the first openings; Forming a second layer metal layer on the first layer metal layer and combining the first layer metal layer with a metal shadow mask; And removing the plurality of second structures to form a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings in the second layer metal layer.

본 발명은 또한 상기 제조 방법을 통해 제조되는 금속 섀도우 마스크를 제공한다. The present invention also provides a metal shadow mask manufactured through the above manufacturing method.

선행기술과 비교하면, 본 발명은 하기와 같은 기술적 효과를 포함한다.Compared with the prior art, the present invention includes the following technical effects.

본 발명에서 제공하는 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법은, 층별 전(電)주(鑄) 도금의 방법을 통해 전주 도금 금속 섀도우 마스크에 증착각을 인입하여, 계단형의 천공 구조를 형성하고, 제1 층 금속층의 두께를 1 내지 2um로 제어하여, 증착 섀도우를 감소하거나 제거할 수 있다. 아울러, 증착할 시, 유리 기판에 입사되는 유기 재료 입자의 손실을 감소하여, 증착 균일성을 향상시키고 제품의 휘도를 감소시킬 수 있다.The metal shadow mask and its manufacturing method provided by this invention introduce | transduce a deposition angle into an electroplating metal shadow mask through the method of layered precast metal plating, and form a stepped perforated structure, By controlling the thickness of the one-layer metal layer to 1 to 2 um, the deposition shadow can be reduced or eliminated. In addition, upon deposition, the loss of organic material particles incident on the glass substrate can be reduced, thereby improving deposition uniformity and reducing the brightness of the product.

여기서 설명하는 도면은 본 발명에 대한 부가적인 이해로서, 본 발명의 일부분을 구성하며, 본 발명의 예시적인 실시예 및 그 설명은 본 발명을 해석하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하지 아니한다. 도면에서,
도 1은 본 발명의 실시예의 방법 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예의 금속 섀도우 마스크의 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The drawings described herein constitute part of the present invention as an additional understanding of the present invention, and exemplary embodiments of the present invention and the description thereof are intended to interpret the present invention and do not limit the present invention. In the drawing,
1 is a method flow diagram of an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
3 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
Figure 4 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
5 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
6 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
7 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
8 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
9 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a metal shadow mask of an embodiment of the invention.

이하 도면 및 실시예와 결부하여 본 발명의 실시방식을 상세하게 설명하며, 이로써 본 발명이 기술적 해결수단을 어떻게 사용하여 기술적 과제를 해결하였으며 기술적 효과를 달성하는 지의 실현 과정에 대해서 충분하게 이해하고 실시하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and examples, whereby the present invention fully understands and implements how the present invention solves technical problems and achieves technical effects by using technical solutions. Do it.

명세서 및 청구항에서 어떠한 단어로 특정 부재를 지칭한다. 본 기술분야의 기술자는 하드웨어 제조에서 상이한 명칭으로 동일한 부재를 지칭할 수 있음을 이해한다. 본 명세서 및 청구항은 명칭의 차이로써 부재를 구분하지 않으며, 부재는 기능상의 차이로써 구분하는 것을 원칙으로 한다. 전체의 명세서 및 청구항에 언급되는 “포함”은 개방형 용어로서, “포함하지만 한정되지 않는” 것으로 이해해야 한다. “대체적으로”는 받아들일 수 있는 오차 범위를 가리키며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 일정한 오차 범위내에서 상기 기술적 과제를 해결하며, 상기 기술적 효과를 달성한다. 이 밖에, “커플링” 또는 “전기적으로 연결된다”는 단어는 임의의 직접적이거나 간접적인 전기적 커플링 수단을 포함한다. 따라서, 문장에서 제1 장치가 제2 장치에 커플링된다는 구절이 나오면, 상기 제1 장치는 상기 제2 장치에 직접적으로 전기적으로 커플링되거나, 또는 기타 장치 또는 커플링 수단을 거쳐 상기 제2 장치에 간접적으로 전기적으로 커플링되는 것을 가리킨다. 명세서의 후속 서술은 본 발명의 바람직한 실시방식으로서, 상기 서술은 여전히 본 발명의 일반 원칙을 설명하는 것을 목적으로 하며, 본 발명의 범위를 한정하지 않는다. 본 발명의 보호범위는 청구항에서 확정된 것을 기준으로 한다.Any word in the specification and claims refers to a particular member. One skilled in the art understands that in hardware manufacturing, the same elements may be referred to by different names. The specification and claims do not distinguish members by differences in names, and in principle, members are classified by functional differences. “Included” in the entire specification and in the claims is to be understood as an open term, “including but not limited to”. “Alternatively” refers to an acceptable error range, and the person skilled in the art solves the technical problem within a certain error range, and achieves the technical effect. In addition, the word “coupling” or “electrically connected” includes any direct or indirect electrical coupling means. Thus, when the sentence states that the first device is coupled to the second device, the first device is electrically electrically coupled to the second device, or via the other device or coupling means, the second device. Refers to electrically indirectly coupled to. The following description of the specification is a preferred embodiment of the present invention, which is still intended to explain the general principles of the present invention and does not limit the scope of the present invention. The protection scope of the invention is based on what is set forth in the claims.

더 설명해야 할 것은, 용어 “포괄”, “포함” 또는 이의 기타 형식의 변화도 배타적이지 않은 포함을 포괄함으로써, 일련의 요소의 과정, 방법, 상품 또는 시스템 등 이러한 요소를 포함할 뿐만 아니라, 명확하게 열거하지 않은 기타 요소도 포함하거나, 또는 이러한 과정, 방법, 상품 또는 시스템의 고유한 요소를 더 포함한다. 더 많은 한정이 없는 정황하에서, “하나의...을(를) 포함한다”는 한정의 요소는 상기 요소의 과정, 방법, 상품 또는 시스템에 존재하는 별도의 동일한 요소를 포함하는 것을 제외하지 않는다. It should be further explained that not only include such an element as a process, method, product or system of elements, but is also clearly defined by encompassing non-exclusive inclusion of the term “inclusive”, “inclusive” or other form of change. It may also include other elements not explicitly listed, or further include elements unique to such processes, methods, goods or systems. In the absence of further limitations, the elements of the definition of “comprise one” do not exclude the inclusion of a separate identical element present in the process, method, product or system of the element. .

실시예Example

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 금속 섀도우 마스크의 제조 방법은, 하기의 단계를 포함한다.As shown in FIG. 1, in one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a metal shadow mask includes the following steps.

단계S101: 모판을 제공한다. 전처리 과정의 깨끗한 모판, 또는 상기 단계 이전에 산성 세척제 및 알칼리성 세척제로 모판을 세척하고, 이어서 탈이온수로 씻어 내며, 그 다음 건조하여 사용 준비한다. Step S101: Provide the mother bed. The clean platen of the pretreatment process, or the platen with an acidic and alkaline detergent prior to this step, then rinsed with deionized water and then dried to prepare for use.

단계S103: 모판에 감광막을 설치한다. 주요하게 일정한 온도의 롤러로 감광막(20)을 일정한 압력으로 모판(10)에 프레싱하여, 감광막(20)과 모판(10) 표면이 충분히 접합하도록 한다(도 2에 도시됨). Step S103: Install a photosensitive film on the mother plate. Mainly pressing the photosensitive film 20 to the base plate 10 at a constant pressure with a roller of a constant temperature, so that the surface of the photosensitive film 20 and the base plate 10 is sufficiently bonded (shown in Figure 2).

단계S105: 노광 및 현상하여, 감광막이 모판에 다수 개의 제1 구조를 형성하도록 한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 단계에 있어서, 감광막(20)이 코팅된 모판(10)을 노광시켜, 감광막(20)이 노광 패턴에 따라 제1 층 패턴을 형성하도록 하고; 다음 일정한 온도로 노광한 후의 모판(10)을 베이킹하며, 노광을 거친 감광막(20)을 충분히 반응시키고; 그 후, 노광한 후의 모판(10)을 현상하여, 감광막(20)이 모판(10) 표면에 다수 개의 제1 구조(30)(즉 감광막이 노광 현상된 후의 건조 박막)를 형성하도록 하며, 다수 개의 제1 구조(30)는 서로 이격되어 배열된다. Step S105: Exposure and development cause the photosensitive film to form a plurality of first structures on the mother plate. 2 and 3, in the above step, the photosensitive film 20 is coated with the base plate 10 so that the photosensitive film 20 forms a first layer pattern according to the exposure pattern; Next, the base plate 10 after exposure to a constant temperature is baked, and the exposed photosensitive film 20 is sufficiently reacted; Thereafter, the exposed base plate 10 is developed so that the photosensitive film 20 forms a plurality of first structures 30 (that is, a dry thin film after the photosensitive film is exposed and developed) on the surface of the base plate 10, First structures 30 are arranged spaced apart from each other.

여기서, 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 하드 베이킹하거나 또는 UV고상화 과정을 선택적으로 진행할 수도 있고, 현상한 후의 모판(10)은 비교적 높은 온도로 베이킹된 후, 다수 개의 제1 구조(30)는 더욱 견고해지고, 모판(10) 표면과의 부착력은 더욱 강해진다. Here, the base plate 10 having a plurality of first structures 30 may be hard-baked or UV solidification may be selectively performed. After development, the base plate 10 is baked at a relatively high temperature and then, The first structure 30 is more firm and the adhesion to the surface of the base plate 10 is stronger.

단계S107: 제1 층 금속층을 모판에 형성한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 전주 도금하여, 모판(10)의 표면에 제1 구조(30)가 설치되어 있지 않은 위치에 한 층의 금속층(40)을 퇴적시켜, 금속 섀도우 마스크의 제1 층 금속층(40)으로 하며, 이 금속층(40)의 두께(H1)는 대략 1 내지 5um이고, 예를 들면 1 내지 2um이다. 이 단계에 있어서, 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 전주 도금액에 방치하고, 적당한 온도하에 모판(10)에 대해 전착(electrodeposit) 과정을 진행한다. 예를 들면, 모판(10)을 pH 값이 2 내지 3.5인 전주 도금액에 방치하고, 또한 40 내지 60℃의 온도하에 전주 도금 과정을 진행한다. 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 전주 도금 모판의 단계는 pH 값이 3인 전주 도금액에서, 50℃의 온도로 전주 도금 과정을 진행할 수 있다. 또한 정류기, 예를 들면 더블 정류기를 통해, 각각 철 양극 및 니켈 양극의 전류를 제어하며, 여기서 전류 공급 방식은 전류 값이 4 A/dm2인 직류 전류를 사용하여 진행할 수 있다. 따라서, 상기 단계에 있어서, 두께가 1 내지 5um인 철 니켈 합금층을 획득할 수 있고, 또한 두께를 균일하게 0.1 내지 0.5 um의 범위내로 제어한다.Step S107: A first layer metal layer is formed on the mother plate. As shown in FIG. 4, the base plate 10 having a plurality of first structures 30 is electroplated to form a layer at a position where the first structure 30 is not provided on the surface of the base plate 10. The metal layer 40 is deposited to form the first layer metal layer 40 of the metal shadow mask, and the thickness H1 of the metal layer 40 is approximately 1 to 5 um, for example, 1 to 2 um. In this step, the base plate 10 having a plurality of first structures 30 is left in the electroplating plating solution, and the electrode plate 10 is subjected to an electrodeposition process under an appropriate temperature. For example, the mother plate 10 is left in the electroplating plating solution having a pH value of 2 to 3.5, and the electroplating process is performed under a temperature of 40 to 60 ° C. In some embodiments of the present invention, the plating of the electroplating base plate may proceed the electroplating process at a temperature of 50 ℃ in the electroplating plating solution pH value 3. It also controls the current of the iron anode and nickel anode, respectively, via a rectifier, for example a double rectifier, where the current supply scheme can proceed using a direct current with a current value of 4 A / dm 2 . Therefore, in the above step, an iron nickel alloy layer having a thickness of 1 to 5 um can be obtained, and the thickness is uniformly controlled in the range of 0.1 to 0.5 um.

여기서, 전주 도금액의 성분은 황산 니켈 40-80 g/L, 황산 제1 철 20-40 g/L, 산화 방지제 1-2 g/L, 양극 활성제 10-20 g/L및 착화제 0.2-0.4 g/L을 포함한다. 상기 전주 도금 공정을 통해 철 함유량이 40% 내지 70%인 철 니켈 합금층을 획득할 수 있다. 본 발명의 기타 실시예에 있어서, 전주 도금액은 30-45g/L인 pH 완충제 및/또는 2-10 g/L인 복합 안정제를 더 포함할 수도 있고, 여기서 복합 안정제의 사용은 철 니켈 합금층의 밝기가 2급 밝기에 도달할 수 있다. Here, the components of the electroplating solution are nickel sulfate 40-80 g / L, ferrous sulfate 20-40 g / L, antioxidant 1-2 g / L, positive active agent 10-20 g / L and complexing agent 0.2-0.4 g / L. An iron nickel alloy layer having an iron content of 40% to 70% may be obtained through the electroplating process. In other embodiments of the present invention, the electroplating plating solution may further comprise a pH buffer of 30-45 g / L and / or a complex stabilizer of 2-10 g / L, wherein the use of the composite stabilizer may be in the form of an iron nickel alloy layer. The brightness can reach level 2 brightness.

상기 전주 도금 공정을 통해, 모판에 <2um균일한 두께의 얇은 측(제1 층 금속층)을 도금할 수 있고, 이로써 균일성 면에서 <10%까지 최적화되는 결과를 얻는다. 이 기초상에서, 후속적인 제조 공정에 결부하여 멀티플 골드(金多) 섀도우 마스크에서 OLED 증착에 필요한 작은 증착 섀도우의 계단형 구조를 실현할 수 있다. Through the electroplating process, it is possible to plate the thin side (first layer metal layer) of <2um uniform thickness on the mother plate, thereby obtaining a result of optimizing up to <10% in terms of uniformity. On this basis, it is possible to realize the stepped structure of the small deposition shadows required for OLED deposition in multiple gold shadow masks in conjunction with subsequent manufacturing processes.

단계S109: 다수 개의 제1 구조를 제거하여, 제1 층 금속층에 다수 개의 제1 구조에 대응되는 다수 개의 제1 개구를 형성하도록 한다. 도 4 및 도 5를 결부하여, 주요하게 전주 도금한 후의 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 필름 제거홈에 넣고 필름 제거 과정을 진행하며, 모판(10)에서 패터닝되지 않은 감광막을 깨끗하게 제거한다. 즉 다수 개의 제1 구조(30)를 모판에서 제거함으로써, 제1 층 금속층(40)에 다수 개의 제1 개구(41)를 형성한다. 다수 개의 제1 개구(41)의 위치, 형태와 다수 개의 제1 구조(30)의 위치, 형태는 서로 매칭된다. Step S109: Remove the plurality of first structures to form a plurality of first openings corresponding to the plurality of first structures in the first layer metal layer. 4 and 5, the base plate 10 having a plurality of first structures 30 after the main electroplating is placed in the film removing groove and the film removing process is performed, and the patterning plate 10 is not patterned. Clean the photoresist. That is, by removing the plurality of first structures 30 from the mother plate, a plurality of first openings 41 are formed in the first layer metal layer 40. The position and shape of the plurality of first openings 41 and the position and shape of the plurality of first structures 30 match each other.

그 다음, 다음 단계를 진행하기 전에, 필름이 제거된 후의 모판(10)에 대해 세척, 건조 과정을 선택적으로 진행하는 바, 예를 들면 탈이온수로 깨끗하게 씻어 내고, 모판(10)을 건조시킬 수 있다. Then, before proceeding to the next step, the washing and drying process for the base plate 10 after the film is removed selectively proceeds, for example, washed clean with deionized water, the base plate 10 can be dried have.

단계S111: 감광막을 제1 층 금속층에 형성한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 층 금속층(40)이 설치되어 있는 모판(10)을 일정한 온도의 롤러로써 감광막(20)을 일정한 압력으로 금속층(40)에 프레싱하여, 감광막(20)과 금속층(40)의 표면이 충분히 접합되도록 한다. Step S111: A photosensitive film is formed on the first layer metal layer. As illustrated in FIG. 6, the photosensitive film 20 is pressed onto the metal layer 40 at a constant pressure by using the roller 10 having the first layer metal layer 40 provided thereon with a roller of a constant temperature, and the photosensitive film 20 and The surface of the metal layer 40 is sufficiently bonded.

단계S113: 노광 및 현상하여, 감광막에 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 구조를 형성하고, 제2 구조의 크기는 제1 개구의 크기보다 크다. 조작함에 있어서, 감광막이 프레싱 되어 있는 모판 노광에 대해, 감광막이 노광 패턴에 따라 제2 층 패턴을 형성하도록 한다. 이어서, 일정한 온도로 노광한 후의 모판을 베이킹하고, 노광을 거친 감광막을 충분히 반응시킨다. 그 다음, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 노광한 후의 모판(10)을 현상하여, 감광막(20)에 다수 개의 제2 구조(50)(즉 감광막(20)을 노광 현상한 후의 건조 박막)이 형성되도록 한다. 다수 개의 제2 구조(50)는 다수 개의 제1 개구(41)에 일일이 대응되고, 제2 구조(50)의 크기는 제1 개구(41)의 크기보다 조금 크며, 제1 개구(41)를 차폐하고, 제1 층 금속층(40)이 제1 개구(41)와 서로 인접하는 주위를 커버한다. Step S113: by exposure and development, a plurality of second structures corresponding to the plurality of first openings are formed in the photosensitive film, and the size of the second structure is larger than the size of the first opening. In operation, the photosensitive film is formed to form a second layer pattern in accordance with the exposure pattern with respect to the mother plate exposure on which the photosensitive film is pressed. Subsequently, the mother plate after exposing at constant temperature is baked, and the exposed photosensitive film is sufficiently reacted. Then, as shown in Figs. 6 and 7, the substrate 10 after exposure is developed to dry after exposing and developing a plurality of second structures 50 (that is, photosensitive film 20) on the photosensitive film 20. Thin film). The plurality of second structures 50 correspond to the plurality of first openings 41 one by one, the size of the second structure 50 is slightly larger than the size of the first opening 41, and the first openings 41 may be formed. It shields and the 1st layer metal layer 40 covers the 1st opening 41 and the periphery which adjoin each other.

이 단계 이후, 모판(10)에 대해 하드 베이킹 또는 UV 고상화 과정을 선택적으로 진행할 수 있고, 현상한 후의 모판(10)을 비교적 높은 온도에서 베이킹하여, 다수 개의 제2 구조(50)가 더욱 견고하고, 부착력이 더욱 강화되도록 한다. After this step, a hard baking or UV solidification process may be selectively performed on the base plate 10, and the developed base plate 10 is baked at a relatively high temperature, so that the plurality of second structures 50 are more robust. And the adhesion is further strengthened.

단계S115: 제2 층 금속층을 제1 층 금속층에 형성하고, 제1 층 금속층과 금속 섀도우 마스크로 결합된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 다수 개의 제2 구조(50)를 지닌 모판(10)을 전주 도금하여, 제1 층 금속층(40)에 제2 구조(50)가 설치되어 있지 않은 위치에 한 층의 금속층(60)을 퇴적시켜, 금속 섀도우 마스크의 제2 층 금속층(60)으로 하며, 이 금속층(60)의 두께(H2)는 제1 층 금속층(40)의 두께(H1)보다 두껍고, 양자의 두께비는 1:5 내지 1:25, 1:10, 1:15 또는 1:20에 도달할 수 있다. 예를 들면, 제1 층 금속층(40)의 두께(H1)가 1um일 경우, 제2 층 금속층(60)의 두께(H2)는 5 내지 25um 사이일 수 있고, 예컨대 5um, 15um 또는 25um 등이다. 제1 층 금속층(40)의 두께(H1)가 2um일 경우, 제2 층 금속층(60)의 두께(H2)는 10um, 20um 또는 25um를 포함할 수 있지만 이에 한하지 않는다. Step S115: A second layer metal layer is formed on the first layer metal layer, and is combined with the first layer metal layer with a metal shadow mask. As shown in FIG. 8, the base plate 10 having the plurality of second structures 50 is electroplated to form a layer at a position where the second structure 50 is not provided in the first layer metal layer 40. The metal layer 60 is deposited to form the second layer metal layer 60 of the metal shadow mask, and the thickness H2 of the metal layer 60 is thicker than the thickness H1 of the first layer metal layer 40, and both The thickness ratio of can reach 1: 5 to 1:25, 1:10, 1:15 or 1:20. For example, when the thickness H1 of the first layer metal layer 40 is 1 um, the thickness H2 of the second layer metal layer 60 may be between 5 and 25 um, for example, 5 um, 15 um, or 25 um. . When the thickness H1 of the first layer metal layer 40 is 2 μm, the thickness H2 of the second layer metal layer 60 may include 10 μm, 20 μm, or 25 μm, but is not limited thereto.

단계S117: 다수 개의 제2 구조를 제거하여, 제2 층 금속층에 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 개구를 형성하도록 한다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 단계에 있어서, 전주 도금한 후의, 다수 개의 제2 구조(50)를 지닌 모판(10)을 필름 제거홈에 넣고 필름 제거 과정을 진행하며, 모판(10)의 감광막을 깨끗하게 제어하여, 다수 개의 제2 구조(50)를 모판(10)에서 제거하며, 제2 층 금속층(60)에 다수 개의 제2 개구(61)를 형성함으로써, 상이한 금속층 두께와 상이한 개구 크기를 가진 금속 섀도우 마스크(70)를 획득한다. 여기서, 다수 개의 제2 개구(61)의 위치는 다수 개의 제1 개구(41)와 일일이 대응되고, 또한 다수 개의 제1 개구(41)와 서로 연통한다. 설명해야 할 것은, 상기 제조 공정을 통해, 제2 개구(61)의 중심 및 상응한 제1 개구(41)의 중심 편이량은 대략 0.5um 내지 1um 사이로 제어할 수 있다. 층과 층 사이의 개구의 중심점 위치를 정밀하게 대칭시켜, 층과 층 사이의 접합이 더욱 정밀하여, 개구의 위치의 정밀도를 보장하며, 작은 개구의 금속 섀도우 마스크(70)의 제조에 유리하다. Step S117: Remove the plurality of second structures to form a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings in the second layer metal layer. 8 and 9, in the step, the base plate 10 having the plurality of second structures 50 after the electroplating is placed in a film removing groove, and the film removing process is performed. The photoresist of the substrate is cleanly controlled, the plurality of second structures 50 are removed from the mother plate 10, and the plurality of second openings 61 are formed in the second layer metal layer 60, thereby opening different metal layers and different openings. Obtain a metal shadow mask 70 having a size. Here, the positions of the plurality of second openings 61 correspond to the plurality of first openings 41 one by one, and also communicate with the plurality of first openings 41. It should be explained that, through the above manufacturing process, the center shift amount of the center of the second opening 61 and the corresponding center shift amount of the first opening 41 can be controlled to be about 0.5 um to 1 um. By precisely symmetry of the center point positions of the openings between the layers, the bonding between the layers and the layers is more precise, ensuring the precision of the position of the openings, and is advantageous for the manufacture of the metal shadow mask 70 of small openings.

상기 필름 제거 과정 이후, 필름이 제거된 후의 모판(10)에 대해 세척, 건조 과정을 선택적으로 진행할 수 있다. 최종적으로, 다시 금속 섀도우 마스크(70)를 모판(10)에서 떼어 내고, 고정한다(도 10에 도시됨). After the film removing process, the washing and drying process may be selectively performed on the mother plate 10 after the film is removed. Finally, the metal shadow mask 70 is again removed from the mother plate 10 and fixed (shown in FIG. 10).

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공정을 통해 제조된 금속 섀도우 마스크(70)는 제1 층 금속층(40) 및 제2 층 금속층(60)을 포함한다. 제1 층 금속층(40)과 제2 층 금속층(60)의 구성 재료는 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 또한 철 니켈 합금을 포함하지만 이에 한하지 않는다. 제1 층 금속층(40)은 다수 개의 제1 개구(41)를 구비하고, 이러한 제1 개구(41)는 서로 이격되어 배열되며, 또한 제1 층 금속층(40)을 관통한다. 제2 층 금속층(60)은 다수 개의 제2 개구(61)를 구비하고, 다수 개의 제2 개구(61)의 위치는 다수 개의 제1 개구(41)에 일일이 대응되고, 또한 수평 방향상에서, 각각의 제2 개구(61)의 크기(구경)는 각각의 제1 개구(41)의 크기(구경)보다 크고, 금속 섀도우 마스크(70)가 서로 연통되는 제1 개구(41)와 제2 개구(61) 내부에 계단 구조가 형성되어 있도록 한다. 상기 구조에 있어서, 구경의 크기 차이로 인해, 상응한 제1 개구(41)와 제2 개구(61)의 동일 측에서, 제1 층 금속층(40)이 제1 개구(41)와 서로 인접한 일 측변과 제2 층 금속층(60)이 제2 개구(61)와 서로 인접한 일 측변 사이에 폭경 차이(ΔW)가 있다. 또한, 상기 제1 층 금속층(40)이 제1 개구(41)와 서로 인접한 측변 및 제2 층 금속층(60)이 제2 개구(61)와 서로 인접한 측변의 연결선과 금속 섀도우 마스크(70)의 표면(즉 제1 또는 제2 층 금속층(40, 60)의 표면) 사이에 협각(θ)이 구비되고, 이 협각(θ)의 각도는 0°보다 크고, 90°보다 작은 임의의 각도일 수 있으며, 바람직하게는, 각도는 30 내지 60°의 협각(θ)이다. 여기서, 폭경 차이(ΔW)를 통해 협각(θ)의 각도 크기를 대응되게 조절할 수 있고, 증착할 시, 유기 재료 입자는 비교적 바람직한 입사 각도를 구비하여, 음영 효과를 감소하거나 제거한다.9 and 10, in an embodiment of the present invention, the metal shadow mask 70 manufactured through the process includes a first layer metal layer 40 and a second layer metal layer 60. The constituent materials of the first layer metal layer 40 and the second layer metal layer 60 include, but are not limited to, nickel alloys, nickel-cobalt alloys, and iron nickel alloys. The first layer metal layer 40 has a plurality of first openings 41, which are arranged spaced apart from each other and also penetrate the first layer metal layer 40. The second layer metal layer 60 has a plurality of second openings 61, and positions of the plurality of second openings 61 correspond to the plurality of first openings 41 one by one, and in the horizontal direction, respectively. The size (diameter) of the second opening 61 of the first opening 41 is larger than the size (diameter) of each of the first openings 41, and the first and second openings 41 and 2 through which the metal shadow mask 70 communicates with each other ( 61) The staircase structure should be formed inside. In the above structure, due to the difference in size of the apertures, the first layer metal layer 40 is adjacent to the first opening 41 at the same side of the corresponding first opening 41 and the second opening 61. There is a width difference ΔW between the side edges and one side edge of the second layer metal layer 60 adjacent to the second opening 61. In addition, the sidewalls of the first layer metal layer 40 adjacent to the first opening 41 and the sidewalls of the second layer metal layer 60 adjacent to the second opening 61 and the metal shadow mask 70 may be formed. A narrow angle θ is provided between the surfaces (that is, the surfaces of the first or second layer metal layers 40 and 60), and the angle of the narrow angle θ can be any angle larger than 0 ° and smaller than 90 °. Preferably, the angle is a narrow angle [theta] of 30 to 60 degrees. Here, the angular size of the narrow angle θ can be correspondingly adjusted through the width difference ΔW, and when deposited, the organic material particles have a relatively preferred angle of incidence, thereby reducing or eliminating the shading effect.

이 밖에, 증착 섀도우는 증착각의 영향을 받는 외에도, 증착 재료의 차단점과 유리 기판의 수직 거리와 정비례를 이루기에, 따라서, 유리 기판과 접촉하는 제1 층 금속층에 대해 말하자면, 그 두께는 1 내지 5um 사이로 제어할 수 있고, 예를 들면 1um 또는 2um이며, 음영 효과의 생성을 효과적으로 감소할 수 있다.In addition, since the deposition shadow is influenced by the deposition angle, the deposition shadow is directly proportional to the vertical distance of the glass substrate and the break point of the deposition material, and thus, for the first layer metal layer in contact with the glass substrate, the thickness is 1 It can be controlled to between 5um, for example 1um or 2um, it can effectively reduce the generation of the shadow effect.

상기 설명은 본 발명의 다수의 바람직한 실시예를 서술하였지만, 상기 내용은 본 발명의 이해를 위한 것으로서 본문에서 공개하는 형식을 한정하지 않으며, 기타 실시예의 배제로 간주하면 아니되고, 각종 기타 조합, 보정 및 환경에 적용될 수 있으며, 본문의 상기 발명의 구상 범위내에서 상기 교도(敎導) 또는 관련 분야의 기술 또는 지식을 통해 개변할 수 있다. 본 기술분야에서 진행되는 개변 및 변화가 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않으면, 모두 본 발명에 첨부된 특허청구범위에 속한다.Although the above description has described a number of preferred embodiments of the present invention, the above contents are for the purpose of understanding the present invention and do not limit the form disclosed in the text, and should not be regarded as an exclusion of other embodiments, and various other combinations and corrections. And it can be applied to the environment, it can be modified through the skills or knowledge of the prison or related fields within the scope of the invention of the text. Modifications and changes in the art without departing from the spirit and scope of the present invention all fall within the scope of the appended claims.

Claims (20)

모판을 제공하는 단계;
상기 모판에 감광막을 설치하는 단계;
노광 및 현상하여, 상기 감광막이 상기 모판에 다수 개의 제1 구조를 형성하도록 하는 단계;
제1 층 금속층을 상기 모판에 형성하는 단계;
상기 다수 개의 제1 구조를 제거하여, 상기 제1 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 구조에 대응되는 다수 개의 제1 개구를 형성하는 단계;
상기 감광막을 상기 제1 층 금속층에 설치하는 단계;
노광 및 현상하여, 상기 감광막에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 구조를 형성하고, 상기 제2 구조의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 큰 단계;
제2 층 금속층을 상기 제1 층 금속층에 형성하고, 상기 제1 층 금속층과 금속 섀도우 마스크로 결합하는 단계; 및
상기 다수 개의 제2 구조를 제거하여, 상기 제2 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 개구를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
Providing a mother bed;
Installing a photosensitive film on the mother plate;
Exposing and developing the photoresist to form a plurality of first structures on the mother plate;
Forming a first layer metal layer on the mother plate;
Removing the plurality of first structures to form a plurality of first openings corresponding to the plurality of first structures in the first layer metal layer;
Installing the photosensitive film on the first layer metal layer;
Exposing and developing to form a plurality of second structures corresponding to the plurality of first openings in the photosensitive film, the size of the second structure being larger than the size of the first openings;
Forming a second layer metal layer on the first layer metal layer and combining the first layer metal layer with a metal shadow mask; And
Removing the plurality of second structures to form a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings in the second layer metal layer; Method of producing a metal shadow mask comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 노광 및 현상하는 단계 이후, 상기 다수 개의 제1 구조 또는 상기 다수 개의 제2 구조에 대해 고상화(固化) 과정을 진행하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
After the exposing and developing, performing a solidification process on the plurality of first structures or the plurality of second structures; Method of producing a metal shadow mask further comprises.
제 1항에 있어서,
상기 다수 개의 제2 구조를 제거하는 단계 이후, 금속 섀도우 마스크를 모판에서 떼어 내고, 고정하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
After removing the plurality of second structures, removing and fixing the metal shadow mask from the mother plate; Method of producing a metal shadow mask further comprises.
제 1항에 있어서,
상기 다수 개의 제1 구조를 제거하는 상기 단계 또는 상기 다수 개의 제2 구조를 제거하는 상기 단계 이후, 필름 제거한 후의 상기 모판을 세척, 건조하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
Washing and drying the mother plate after removing the film after the step of removing the plurality of first structures or the step of removing the plurality of second structures; Method of producing a metal shadow mask further comprises.
제 1항에 있어서,
상기 제1 층 금속층과 상기 제2 층 금속층의 두께비는 1:5 내지 1:25인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
The thickness ratio of the first layer metal layer and the second layer metal layer is 1: 5 to 1:25 manufacturing method of the metal shadow mask.
제 1항에 있어서,
상기 제1 개구와 상기 제2 개구의 중심 편이량은 0.5um 내지 1um 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
The center shift amount of the said 1st opening and said 2nd opening is a manufacturing method of the metal shadow mask characterized by the above-mentioned.
제 1항에 있어서,
상기 제2 개구는 대응되는 상기 제1 개구와 서로 연통하고, 또한 상기 금속 섀도우 마스크 내부에서 계단 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
And the second opening is in communication with the corresponding first opening and further forms a stepped structure inside the metal shadow mask.
제 7항에 있어서,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 일 측변과 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 일 측변 사이에 폭경 차이가 구비되는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
A width difference is provided between one side of the first layer metal layer adjacent to the first opening and one side of the second layer metal layer adjacent to the second opening. .
제 7항에 있어서,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 측변 및 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 측변의 연결선과 상기 금속 섀도우 마스크의 표면 사이에 협각이 구비되고, 상기 협각의 각도는 90°보다 작은 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
A narrow angle is provided between a connection line of a side of the first layer metal layer adjacent to the first opening and a side of the side of the second layer metal layer adjacent to the second opening and a surface of the metal shadow mask. Wherein the angle is less than 90 °.
제 9항에 있어서,
상기 협각의 각도는 30° 내지 60° 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 9,
The angle of the narrow angle is a method of manufacturing a metal shadow mask, characterized in that between 30 ° to 60 °.
제 1항에 있어서,
상기 제1 층 금속층을 상기 모판에 형성하는 단계는 pH 값이 2 내지 3.5 사이이고, 온도가 40℃ 내지 60℃인 전주 도금액에서 전주 도금 과정을 진행하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the first layer metal layer on the mother plate is a method of manufacturing a metal shadow mask, characterized in that the electroplating process in the electroplating plating solution having a pH value of 2 to 3.5, the temperature of 40 ℃ to 60 ℃.
제 11항에 있어서,
상기 전주 도금액은 황산 니켈 40g/L 내지 80 g/L, 황산 제1 철 20g/L 내지 40 g/L, 산화 방지제 1g/L 내지 2 g/L, 양극 활성제 10g/L 내지 20 g/L 및 착화제 0.2g/L 내지 0.4 g/L을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
The electroplating plating solution is 40 g / L to 80 g / L nickel sulfate, 20 g / L to 40 g / L ferrous sulfate, 1 g / L to 2 g / L of antioxidant, 10 g / L to 20 g / L of the positive electrode active agent and Method for producing a metal shadow mask, characterized in that it comprises from 0.2g / L to 0.4 g / L complexing agent.
제 12항에 있어서,
상기 전주 도금액은 복합 안정제 2g/L 내지 10 g/L을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 12,
The electroplating plating solution is a method of manufacturing a metal shadow mask, characterized in that it further comprises 2g / L to 10 g / L of a composite stabilizer.
제 1항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
A metal shadow mask made according to the method of claim 1.
제 14항에 있어서,
상기 제1 층 금속층과 상기 제2 층 금속층의 두께비는 1:5 내지 1:25인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 14,
And a thickness ratio of the first layer metal layer and the second layer metal layer is 1: 5 to 1:25.
제 14항에 있어서,
상기 제1 개구와 상기 제2 개구의 중심 편이량은 0.5um 내지 1um 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 14,
The center shadow amount of the first opening and the second opening is between 0.5um to 1um, the metal shadow mask.
제 14항에 있어서,
상기 제2 개구는 대응되는 상기 제1 개구와 서로 연통하고, 또한 상기 금속 섀도우 마스크 내부에서 계단 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 14,
And the second opening is in communication with the corresponding first opening and also forms a stepped structure inside the metal shadow mask.
제 17항에 있어서,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 일 측변과 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 일 측변 사이에 폭경 차이가 구비되는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 17,
The width of the metal shadow mask, characterized in that the width difference is provided between one side of the first layer metal layer adjacent to the first opening and the second side of the metal layer adjacent to the second opening.
제 17항에 있어서,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 측변 및 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 측변의 연결선과 상기 금속 섀도우 마스크의 표면 사이에 협각이 구비되고, 상기 협각의 각도는 90°보다 작은 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 17,
A narrow angle is provided between a connection line of a side of the first layer metal layer adjacent to the first opening and a side of the side of the second layer metal layer adjacent to the second opening and a surface of the metal shadow mask. Metal shadow mask, characterized in that the angle is less than 90 °.
제 19항에 있어서,
상기 협각의 각도는 30° 내지 60° 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 19,
And the angle of the narrow angle is between 30 ° and 60 °.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110724906B (en) * 2019-11-21 2021-10-22 云谷(固安)科技有限公司 Mask plate and manufacturing method thereof
CN111254385A (en) * 2020-01-19 2020-06-09 阿德文泰克全球有限公司 Metal shadow mask and method for producing the same, electroformed stencil and method for producing the same
JP7454988B2 (en) * 2020-04-01 2024-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ Vapor deposition mask manufacturing device and manufacturing method
CN112299364B (en) * 2020-10-23 2024-02-23 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 Preparation method of micro-channel radiator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231964A (en) * 2001-12-05 2003-08-19 Toray Ind Inc Evaporation mask, its manufacturing process, organic electroluminescent device and its manufacturing process
CN103205695A (en) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A mask plate for vapor plating and a production method thereof
CN103205784A (en) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A preparation method for a vapor plating mask plate
WO2017204223A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-30 凸版印刷株式会社 Metal mask for vapor deposition, method for producing metal mask for vapor deposition, and substrate for forming metal mask for vapor deposition

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005154879A (en) * 2003-11-28 2005-06-16 Canon Components Inc Metal mask for vapor deposition, and method of producing vapor deposition pattern using the same
CN103205697B (en) * 2012-01-16 2016-03-02 昆山允升吉光电科技有限公司 Vapor deposition mask plate and manufacture method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231964A (en) * 2001-12-05 2003-08-19 Toray Ind Inc Evaporation mask, its manufacturing process, organic electroluminescent device and its manufacturing process
CN103205695A (en) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A mask plate for vapor plating and a production method thereof
CN103205784A (en) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A preparation method for a vapor plating mask plate
WO2017204223A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-30 凸版印刷株式会社 Metal mask for vapor deposition, method for producing metal mask for vapor deposition, and substrate for forming metal mask for vapor deposition

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