KR102127568B1 - Metal shadow mask and preparation method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속 섀도우 마스크를 공개하였는 바, 그 제조 방법은, 모판을 제공하고 수차례의 코팅, 노광, 현상 및 전주 도금의 순환 과정을 진행하여, 마주하는 양측면에 상이한 개구 구경 크기를 갖는 금속 섀도우 마스크를 획득하고, 이러한 구경 크기의 변화를 통해, 금속 섀도우 마스크가 계단 구조의 증착각을 구비하도록 하는 단계를 포함한다. 본 발명은 층별 전주 도금의 방법을 통해 금속 섀도우 마스크에 증착각을 인입하여, 선행기술의 증착이 균일하지 않고 증착 섀도우가 용이하게 생성되는 문제를 해결하였다.The present invention discloses a metal shadow mask, the method of manufacturing a metal shadow having different aperture aperture sizes on both sides facing each other by providing a base plate and performing several cycles of coating, exposure, development and electroplating cycles. Acquiring a mask, and through such a change in aperture size, causing the metal shadow mask to have a deposition angle of a stepped structure. The present invention solves the problem that the deposition shadow of the prior art is not uniform and the deposition shadow is easily generated by introducing the deposition angle into the metal shadow mask through the method of electroplating by layer.

Description

금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법{METAL SHADOW MASK AND PREPARATION METHOD THEREOF}METAL SHADOW MASK AND PREPARATION METHOD THEREOF}

본 발명은 유기 발광 다이오드 디스플레이 기술분야에 관한 것으로서, 구체적으로는 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of organic light emitting diode display technology, and specifically to a metal shadow mask and a method of manufacturing the same.

유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED) 디스플레이 장치는 유기 반도체 재료를 이용하여 제조된 것으로 직류 전압으로 구동되는 박막 발광 소자이다. OLED 디스플레이 장치는 슬림하고 가벼우며 콘트라스트가 높고 시각이 넓은 등 장점을 구비하여, 차세대 디스플레이 기술의 주류로 자리 잡았다.An organic light-emitting diode (OLED) display device is manufactured using an organic semiconductor material and is a thin film light-emitting device driven by a DC voltage. The OLED display device has advantages such as slim, light weight, high contrast, and wide viewing angle, and has established itself as the mainstream of next-generation display technology.

OLED 디스플레이 장치의 발광 원리는 전류가 유기 발광 재료를 통해 코팅될 경우, 즉 상기 유기 발광 재료 코팅은 광선을 발산하게 된다. 현재 OLED업계의 제조 분야에서, 일반적으로는 싱글 증착용 섀도우 마스크 증착의 방식을 사용하는 바, 증착할 시 유기 재료 입자는 각각의 각도로부터 섀도우 마스크의 개구를 관통하여 기판에 부착된다. 그러나, 일반 증착 공정에서, 섀도우 마스크에 분포되는 개구는 테이퍼가 없고, 입자가 경사되게 개구를 향할 경우, 일부 입자는 개구 벽에 의해 가려져 기판에 도달할 수 없기에, 경사 입사되는 입자가 부족한 것을 초래하여, 기판의 증착이 균일하지 않아, 음영 효과가 발생할 수 있으며, 제품의 휘도가 감소함으로써, OLED 소자의 디스플레이 특징에 영향을 미친다.The light emitting principle of the OLED display device is that when an electric current is coated through an organic light emitting material, that is, the organic light emitting material coating emits light. Currently, in the manufacturing field of the OLED industry, a method of depositing a shadow mask for single deposition is generally used, and when depositing, the organic material particles are attached to the substrate through the opening of the shadow mask from each angle. However, in the general deposition process, the opening distributed in the shadow mask is taper free, and if the particles face the opening obliquely, some particles are obscured by the opening wall and cannot reach the substrate, resulting in a lack of oblique incident particles. Thus, since the deposition of the substrate is not uniform, a shading effect may occur, and the luminance of the product decreases, thereby affecting the display characteristics of the OLED device.

현재 업계에서는 음영 효과에 한하여, OLED용 섀도우 마스크를 제조할 시, 일반적으로는 양면 에칭 금속 코일 재료를 사용하는 방식으로 제조하지만, 이러한 방식은 개구 크기의 균일성을 정확하게 제어할 수 없다. 섀도우 마스크는 인듐 주석 산화물(ITO)의 접촉면 개구에 역 테이퍼각이 존재하여, 사각 영역이 생성되며, 증착 품질에 영향을 미치게 된다.In the current industry, only the shadow effect, when manufacturing a shadow mask for OLED, is generally produced by using a double-sided etched metal coil material, but this method cannot accurately control the uniformity of the aperture size. In the shadow mask, a reverse taper angle is present in the opening of the contact surface of indium tin oxide (ITO), thereby creating a rectangular area, which affects deposition quality.

본 발명의 목적은 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법을 제공하여, 유리 기판을 증착할 시 음영 효과가 용이하게 생성되는 문제를 해결하는 것이다. An object of the present invention is to provide a metal shadow mask and a method for manufacturing the same, to solve the problem that a shadow effect is easily generated when depositing a glass substrate.

상기 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 금속 섀도우 마스크의 제조 방법을 제공하였는 바, 모판(模板)을 제공하는 단계; 상기 모판에 감광막을 설치하는 단계; 노광 및 현상하여, 상기 감광막이 상기 모판에 다수 개의 제1 구조를 형성하도록 하는 단계; 제1 층 금속층을 상기 모판에 형성하는 단계; 상기 다수 개의 제1 구조를 제거하여, 상기 제1 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 구조에 대응되는 다수 개의 제1 개구를 형성하는 단계; 상기 감광막을 상기 제1 층 금속층에 형성하는 단계; 노광 및 현상하여, 상기 감광막에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 구조를 형성하고, 상기 제2 구조의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 큰 형성 단계; 제2 층 금속층을 상기 제1 층 금속층에 형성하고, 상기 제1 층 금속층과 금속 섀도우 마스크로 결합하는 단계; 및 상기 다수 개의 제2 구조를 제거하여, 상기 제2 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 개구를 형성하는 단계 등 단계들을 포함한다. In order to solve the above problem, the present invention provides a method for manufacturing a metal shadow mask, comprising: providing a mother bed; Installing a photosensitive film on the mother plate; Exposing and developing, so that the photosensitive film forms a plurality of first structures on the mother plate; Forming a first layer metal layer on the mother plate; Removing the plurality of first structures to form a plurality of first openings corresponding to the plurality of first structures in the first layer metal layer; Forming the photosensitive film on the first layer metal layer; Forming a plurality of second structures corresponding to the plurality of first openings in the photosensitive film by exposing and developing, and forming a size of the second structure larger than the size of the first opening; Forming a second layer metal layer on the first layer metal layer, and combining the first layer metal layer with a metal shadow mask; And removing the plurality of second structures to form a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings in the second layer metal layer.

본 발명은 또한 상기 제조 방법을 통해 제조되는 금속 섀도우 마스크를 제공한다. The present invention also provides a metal shadow mask manufactured through the above manufacturing method.

선행기술과 비교하면, 본 발명은 하기와 같은 기술적 효과를 포함한다.Compared with the prior art, the present invention includes the following technical effects.

본 발명에서 제공하는 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법은, 층별 전(電)주(鑄) 도금의 방법을 통해 전주 도금 금속 섀도우 마스크에 증착각을 인입하여, 계단형의 천공 구조를 형성하고, 제1 층 금속층의 두께를 1 내지 2um로 제어하여, 증착 섀도우를 감소하거나 제거할 수 있다. 아울러, 증착할 시, 유리 기판에 입사되는 유기 재료 입자의 손실을 감소하여, 증착 균일성을 향상시키고 제품의 휘도를 감소시킬 수 있다.The metal shadow mask provided in the present invention and a method for manufacturing the metal shadow mask are formed by introducing a deposition angle into an electroplated metal shadow mask through a method of electroplating each layer to form a stepped perforated structure. By controlling the thickness of the one-layer metal layer to 1 to 2 μm, the deposition shadow can be reduced or eliminated. In addition, during deposition, loss of organic material particles incident on the glass substrate may be reduced, thereby improving deposition uniformity and reducing product luminance.

여기서 설명하는 도면은 본 발명에 대한 부가적인 이해로서, 본 발명의 일부분을 구성하며, 본 발명의 예시적인 실시예 및 그 설명은 본 발명을 해석하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하지 아니한다. 도면에서,
도 1은 본 발명의 실시예의 방법 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 중 상이한 제조 단계에 대응되는 측면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예의 금속 섀도우 마스크의 단면도이다.
The drawings described herein are an additional understanding of the present invention, and constitute a part of the present invention, and exemplary embodiments and descriptions of the present invention are intended to interpret the present invention and do not limit the present invention. In the drawing,
1 is a method flow diagram of an embodiment of the present invention.
2 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
3 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
4 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
5 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
6 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
7 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
8 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
9 is a side view corresponding to different manufacturing steps in the embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a metal shadow mask in an embodiment of the present invention.

이하 도면 및 실시예와 결부하여 본 발명의 실시방식을 상세하게 설명하며, 이로써 본 발명이 기술적 해결수단을 어떻게 사용하여 기술적 과제를 해결하였으며 기술적 효과를 달성하는 지의 실현 과정에 대해서 충분하게 이해하고 실시하도록 한다.Hereinafter, the implementation method of the present invention will be described in detail with reference to the drawings and examples, thereby sufficiently understanding and implementing the process of realizing how the present invention solves the technical problem by using the technical solution and achieves the technical effect. Do it.

명세서 및 청구항에서 어떠한 단어로 특정 부재를 지칭한다. 본 기술분야의 기술자는 하드웨어 제조에서 상이한 명칭으로 동일한 부재를 지칭할 수 있음을 이해한다. 본 명세서 및 청구항은 명칭의 차이로써 부재를 구분하지 않으며, 부재는 기능상의 차이로써 구분하는 것을 원칙으로 한다. 전체의 명세서 및 청구항에 언급되는 “포함”은 개방형 용어로서, “포함하지만 한정되지 않는” 것으로 이해해야 한다. “대체적으로”는 받아들일 수 있는 오차 범위를 가리키며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 일정한 오차 범위내에서 상기 기술적 과제를 해결하며, 상기 기술적 효과를 달성한다. 이 밖에, “커플링” 또는 “전기적으로 연결된다”는 단어는 임의의 직접적이거나 간접적인 전기적 커플링 수단을 포함한다. 따라서, 문장에서 제1 장치가 제2 장치에 커플링된다는 구절이 나오면, 상기 제1 장치는 상기 제2 장치에 직접적으로 전기적으로 커플링되거나, 또는 기타 장치 또는 커플링 수단을 거쳐 상기 제2 장치에 간접적으로 전기적으로 커플링되는 것을 가리킨다. 명세서의 후속 서술은 본 발명의 바람직한 실시방식으로서, 상기 서술은 여전히 본 발명의 일반 원칙을 설명하는 것을 목적으로 하며, 본 발명의 범위를 한정하지 않는다. 본 발명의 보호범위는 청구항에서 확정된 것을 기준으로 한다.Any word in the specification and claims refers to a particular member. It is understood by those skilled in the art that the same elements may be referred to by different names in hardware manufacturing. The present specification and claims do not classify members due to differences in names, and members are classified as functional differences. It is to be understood that “inclusive” as referred to in the entire specification and claims is an open term and is “included but not limited to.” “Alternatively” refers to an acceptable error range, and a person skilled in the art solves the above technical problem within a certain error range, and achieves the above technical effect. In addition, the words “coupling” or “electrically connected” include any direct or indirect electrical coupling means. Accordingly, when a sentence in the sentence indicates that the first device is coupled to the second device, the first device is electrically coupled directly to the second device, or through the other device or coupling means to the second device Refers to being electrically coupled indirectly. Subsequent descriptions of the specification are preferred embodiments of the invention, which are still intended to illustrate the general principles of the invention and do not limit the scope of the invention. The scope of protection of the present invention is based on what is determined in the claims.

더 설명해야 할 것은, 용어 “포괄”, “포함” 또는 이의 기타 형식의 변화도 배타적이지 않은 포함을 포괄함으로써, 일련의 요소의 과정, 방법, 상품 또는 시스템 등 이러한 요소를 포함할 뿐만 아니라, 명확하게 열거하지 않은 기타 요소도 포함하거나, 또는 이러한 과정, 방법, 상품 또는 시스템의 고유한 요소를 더 포함한다. 더 많은 한정이 없는 정황하에서, “하나의...을(를) 포함한다”는 한정의 요소는 상기 요소의 과정, 방법, 상품 또는 시스템에 존재하는 별도의 동일한 요소를 포함하는 것을 제외하지 않는다. What should be further explained is not only to include these elements, such as the process, method, product or system of a series of elements, by including the non-exclusive inclusion of changes in the terms “inclusive”, “inclusive” or other forms thereof, as well. Other elements not specifically listed, or further include elements unique to such processes, methods, products or systems. Under the circumstance of no further limitation, the elements of the qualifier "including one..." do not exclude the inclusion of separate identical elements present in the process, method, product or system of the element. .

실시예Example

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 금속 섀도우 마스크의 제조 방법은, 하기의 단계를 포함한다.As shown in FIG. 1, in one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a metal shadow mask includes the following steps.

단계S101: 모판을 제공한다. 전처리 과정의 깨끗한 모판, 또는 상기 단계 이전에 산성 세척제 및 알칼리성 세척제로 모판을 세척하고, 이어서 탈이온수로 씻어 내며, 그 다음 건조하여 사용 준비한다. Step S101: Provide a mother bed. Clean the bed of the pretreatment process, or wash the bed with an acidic and alkaline cleaner prior to this step, then rinse with deionized water, then dry to prepare for use.

단계S103: 모판에 감광막을 설치한다. 주요하게 일정한 온도의 롤러로 감광막(20)을 일정한 압력으로 모판(10)에 프레싱하여, 감광막(20)과 모판(10) 표면이 충분히 접합하도록 한다(도 2에 도시됨). Step S103: A photosensitive film is installed on the mother board. Mainly, the photosensitive film 20 is pressed to the mother plate 10 at a constant pressure with a roller of a constant temperature, so that the surface of the photosensitive film 20 and the mother plate 10 are sufficiently bonded (shown in FIG. 2).

단계S105: 노광 및 현상하여, 감광막이 모판에 다수 개의 제1 구조를 형성하도록 한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 단계에 있어서, 감광막(20)이 코팅된 모판(10)을 노광시켜, 감광막(20)이 노광 패턴에 따라 제1 층 패턴을 형성하도록 하고; 다음 일정한 온도로 노광한 후의 모판(10)을 베이킹하며, 노광을 거친 감광막(20)을 충분히 반응시키고; 그 후, 노광한 후의 모판(10)을 현상하여, 감광막(20)이 모판(10) 표면에 다수 개의 제1 구조(30)(즉 감광막이 노광 현상된 후의 건조 박막)를 형성하도록 하며, 다수 개의 제1 구조(30)는 서로 이격되어 배열된다. Step S105: exposure and development, so that the photosensitive film forms a plurality of first structures on the mother board. 2 and 3, in the above step, by exposing the mother plate 10 coated with a photosensitive film 20, the photosensitive film 20 to form a first layer pattern according to the exposure pattern; Next, the mother plate 10 after exposure at a constant temperature is baked, and the photosensitive film 20 subjected to the exposure is sufficiently reacted; Thereafter, the mother plate 10 after exposure is developed to allow the photosensitive film 20 to form a plurality of first structures 30 on the surface of the mother plate 10 (that is, a dry thin film after the photosensitive film is exposed and developed), and many The first structures 30 are spaced apart from each other.

여기서, 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 하드 베이킹하거나 또는 UV고상화 과정을 선택적으로 진행할 수도 있고, 현상한 후의 모판(10)은 비교적 높은 온도로 베이킹된 후, 다수 개의 제1 구조(30)는 더욱 견고해지고, 모판(10) 표면과의 부착력은 더욱 강해진다. Here, the base plate 10 having a plurality of first structures 30 may be hard-baked or selectively subjected to a UV solidification process, and after development, the base plate 10 is baked at a relatively high temperature, and then The first structure 30 becomes more robust, and the adhesion with the surface of the mother plate 10 becomes stronger.

단계S107: 제1 층 금속층을 모판에 형성한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 전주 도금하여, 모판(10)의 표면에 제1 구조(30)가 설치되어 있지 않은 위치에 한 층의 금속층(40)을 퇴적시켜, 금속 섀도우 마스크의 제1 층 금속층(40)으로 하며, 이 금속층(40)의 두께(H1)는 대략 1 내지 5um이고, 예를 들면 1 내지 2um이다. 이 단계에 있어서, 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 전주 도금액에 방치하고, 적당한 온도하에 모판(10)에 대해 전착(electrodeposit) 과정을 진행한다. 예를 들면, 모판(10)을 pH 값이 2 내지 3.5인 전주 도금액에 방치하고, 또한 40 내지 60℃의 온도하에 전주 도금 과정을 진행한다. 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 전주 도금 모판의 단계는 pH 값이 3인 전주 도금액에서, 50℃의 온도로 전주 도금 과정을 진행할 수 있다. 또한 정류기, 예를 들면 더블 정류기를 통해, 각각 철 양극 및 니켈 양극의 전류를 제어하며, 여기서 전류 공급 방식은 전류 값이 4 A/dm2인 직류 전류를 사용하여 진행할 수 있다. 따라서, 상기 단계에 있어서, 두께가 1 내지 5um인 철 니켈 합금층을 획득할 수 있고, 또한 두께를 균일하게 0.1 내지 0.5 um의 범위내로 제어한다.Step S107: A first layer metal layer is formed on the mother board. As illustrated in FIG. 4, the base plate 10 having a plurality of first structures 30 is electroplated to form a single layer at a position where the first structure 30 is not installed on the surface of the base plate 10. The metal layer 40 is deposited to be the first layer metal layer 40 of the metal shadow mask, and the thickness H1 of the metal layer 40 is approximately 1 to 5 μm, for example, 1 to 2 μm. In this step, the mother plate 10 having a plurality of first structures 30 is left in the electroplating solution, and an electrodeposition process is performed on the mother plate 10 under an appropriate temperature. For example, the mother plate 10 is left in an electroforming solution having a pH value of 2 to 3.5, and an electroforming process is also performed under a temperature of 40 to 60°C. In some embodiments of the present invention, the step of the electroplating base plate may proceed with the electroplating process at a temperature of 50° C. in the electroplating solution having a pH value of 3. In addition, through a rectifier, for example, a double rectifier, the currents of the iron anode and the nickel anode are respectively controlled, where the current supply method can be performed using a direct current having a current value of 4 A/dm 2 . Therefore, in the above step, it is possible to obtain an iron nickel alloy layer having a thickness of 1 to 5 um, and also to control the thickness uniformly within the range of 0.1 to 0.5 um.

여기서, 전주 도금액의 성분은 황산 니켈 40-80 g/L, 황산 제1 철 20-40 g/L, 산화 방지제 1-2 g/L, 양극 활성제 10-20 g/L및 착화제 0.2-0.4 g/L을 포함한다. 상기 전주 도금 공정을 통해 철 함유량이 40% 내지 70%인 철 니켈 합금층을 획득할 수 있다. 본 발명의 기타 실시예에 있어서, 전주 도금액은 30-45g/L인 pH 완충제 및/또는 2-10 g/L인 복합 안정제를 더 포함할 수도 있고, 여기서 복합 안정제의 사용은 철 니켈 합금층의 밝기가 2급 밝기에 도달할 수 있다. Here, the components of the electroforming solution are nickel sulfate 40-80 g/L, ferrous sulfate 20-40 g/L, antioxidant 1-2 g/L, positive active agent 10-20 g/L, and complexing agent 0.2-0.4 g/L. Through the electroplating process, an iron nickel alloy layer having an iron content of 40% to 70% can be obtained. In another embodiment of the present invention, the electroplating plating solution may further include a pH buffering agent of 30-45 g/L and/or a composite stabilizer of 2-10 g/L, wherein the use of the composite stabilizer is an iron nickel alloy layer. Brightness can reach level 2 brightness.

상기 전주 도금 공정을 통해, 모판에 <2um균일한 두께의 얇은 측(제1 층 금속층)을 도금할 수 있고, 이로써 균일성 면에서 <10%까지 최적화되는 결과를 얻는다. 이 기초상에서, 후속적인 제조 공정에 결부하여 멀티플 골드(金多) 섀도우 마스크에서 OLED 증착에 필요한 작은 증착 섀도우의 계단형 구조를 실현할 수 있다. Through the electroplating process, a thin side (first layer metal layer) having a uniform thickness of <2um can be plated on the mother plate, thereby obtaining results that are optimized to <10% in terms of uniformity. On this basis, it is possible to realize a stepped structure of a small deposition shadow required for OLED deposition in a multiple gold shadow mask in conjunction with a subsequent manufacturing process.

단계S109: 다수 개의 제1 구조를 제거하여, 제1 층 금속층에 다수 개의 제1 구조에 대응되는 다수 개의 제1 개구를 형성하도록 한다. 도 4 및 도 5를 결부하여, 주요하게 전주 도금한 후의 다수 개의 제1 구조(30)를 지닌 모판(10)을 필름 제거홈에 넣고 필름 제거 과정을 진행하며, 모판(10)에서 패터닝되지 않은 감광막을 깨끗하게 제거한다. 즉 다수 개의 제1 구조(30)를 모판에서 제거함으로써, 제1 층 금속층(40)에 다수 개의 제1 개구(41)를 형성한다. 다수 개의 제1 개구(41)의 위치, 형태와 다수 개의 제1 구조(30)의 위치, 형태는 서로 매칭된다. Step S109: The plurality of first structures are removed to form a plurality of first openings corresponding to the plurality of first structures in the first layer metal layer. 4 and 5, the main plate 10 having a plurality of first structures 30 after the main electroplating is put into a film removal groove to proceed with the film removal process, and the pattern is not patterned in the base plate 10. Remove the photosensitive film cleanly. That is, by removing the plurality of first structures 30 from the mother board, the plurality of first openings 41 are formed in the first layer metal layer 40. The positions and shapes of the plurality of first openings 41 and the positions and shapes of the plurality of first structures 30 match each other.

그 다음, 다음 단계를 진행하기 전에, 필름이 제거된 후의 모판(10)에 대해 세척, 건조 과정을 선택적으로 진행하는 바, 예를 들면 탈이온수로 깨끗하게 씻어 내고, 모판(10)을 건조시킬 수 있다. Then, before proceeding to the next step, the washing and drying processes are selectively performed on the mother board 10 after the film is removed, for example, washed clean with deionized water, and the mother board 10 can be dried. have.

단계S111: 감광막을 제1 층 금속층에 형성한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 층 금속층(40)이 설치되어 있는 모판(10)을 일정한 온도의 롤러로써 감광막(20)을 일정한 압력으로 금속층(40)에 프레싱하여, 감광막(20)과 금속층(40)의 표면이 충분히 접합되도록 한다. Step S111: A photosensitive film is formed on the first layer metal layer. As shown in FIG. 6, the base plate 10 on which the first layer metal layer 40 is installed is pressed to the metal layer 40 with a constant pressure by using a roller having a constant temperature to press the photosensitive film 20 to the photosensitive film 20. The surface of the metal layer 40 is sufficiently joined.

단계S113: 노광 및 현상하여, 감광막에 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 구조를 형성하고, 제2 구조의 크기는 제1 개구의 크기보다 크다. 조작함에 있어서, 감광막이 프레싱 되어 있는 모판 노광에 대해, 감광막이 노광 패턴에 따라 제2 층 패턴을 형성하도록 한다. 이어서, 일정한 온도로 노광한 후의 모판을 베이킹하고, 노광을 거친 감광막을 충분히 반응시킨다. 그 다음, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 노광한 후의 모판(10)을 현상하여, 감광막(20)에 다수 개의 제2 구조(50)(즉 감광막(20)을 노광 현상한 후의 건조 박막)이 형성되도록 한다. 다수 개의 제2 구조(50)는 다수 개의 제1 개구(41)에 일일이 대응되고, 제2 구조(50)의 크기는 제1 개구(41)의 크기보다 조금 크며, 제1 개구(41)를 차폐하고, 제1 층 금속층(40)이 제1 개구(41)와 서로 인접하는 주위를 커버한다. Step S113: Exposing and developing, to form a plurality of second structures corresponding to the plurality of first openings in the photosensitive film, and the size of the second structure is larger than the size of the first opening. In operation, for the exposure of the base plate to which the photosensitive film is pressed, the photosensitive film is formed to form a second layer pattern according to the exposure pattern. Subsequently, the mother plate after exposure at a constant temperature is baked, and the photosensitive film that has been exposed is sufficiently reacted. Next, as shown in FIGS. 6 and 7, after developing the mother board 10 after exposure, a plurality of second structures 50 on the photosensitive film 20 (that is, drying after exposing and developing the photosensitive film 20) Thin film). The plurality of second structures 50 correspond to the plurality of first openings 41 one by one, the size of the second structure 50 is slightly larger than the size of the first opening 41, and the first opening 41 is opened. Shielding, the first layer metal layer 40 covers the periphery adjacent to the first opening 41.

이 단계 이후, 모판(10)에 대해 하드 베이킹 또는 UV 고상화 과정을 선택적으로 진행할 수 있고, 현상한 후의 모판(10)을 비교적 높은 온도에서 베이킹하여, 다수 개의 제2 구조(50)가 더욱 견고하고, 부착력이 더욱 강화되도록 한다. After this step, a hard baking or UV solidification process may be selectively performed on the mother board 10, and the mother board 10 after development is baked at a relatively high temperature, so that the plurality of second structures 50 are more robust. And the adhesion is further strengthened.

단계S115: 제2 층 금속층을 제1 층 금속층에 형성하고, 제1 층 금속층과 금속 섀도우 마스크로 결합된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 다수 개의 제2 구조(50)를 지닌 모판(10)을 전주 도금하여, 제1 층 금속층(40)에 제2 구조(50)가 설치되어 있지 않은 위치에 한 층의 금속층(60)을 퇴적시켜, 금속 섀도우 마스크의 제2 층 금속층(60)으로 하며, 이 금속층(60)의 두께(H2)는 제1 층 금속층(40)의 두께(H1)보다 두껍고, 양자의 두께비는 1:5 내지 1:25, 1:10, 1:15 또는 1:20에 도달할 수 있다. 예를 들면, 제1 층 금속층(40)의 두께(H1)가 1um일 경우, 제2 층 금속층(60)의 두께(H2)는 5 내지 25um 사이일 수 있고, 예컨대 5um, 15um 또는 25um 등이다. 제1 층 금속층(40)의 두께(H1)가 2um일 경우, 제2 층 금속층(60)의 두께(H2)는 10um, 20um 또는 25um를 포함할 수 있지만 이에 한하지 않는다. Step S115: A second layer metal layer is formed on the first layer metal layer, and the first layer metal layer is combined with the metal shadow mask. As shown in FIG. 8, the base plate 10 having a plurality of second structures 50 is electroplated, so that one layer is located at a position where the second structure 50 is not installed in the first layer metal layer 40. The metal layer 60 of the metal layer 60 is deposited to be the second layer metal layer 60 of the metal shadow mask, and the thickness H2 of the metal layer 60 is greater than the thickness H1 of the first layer metal layer 40, and both The thickness ratio of may reach 1:5 to 1:25, 1:10, 1:15 or 1:20. For example, when the thickness H1 of the first layer metal layer 40 is 1um, the thickness H2 of the second layer metal layer 60 may be between 5 and 25um, for example, 5um, 15um, or 25um. . When the thickness H1 of the first layer metal layer 40 is 2 μm, the thickness H2 of the second layer metal layer 60 may include, but is not limited to, 10 μm, 20 μm, or 25 μm.

단계S117: 다수 개의 제2 구조를 제거하여, 제2 층 금속층에 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 개구를 형성하도록 한다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 단계에 있어서, 전주 도금한 후의, 다수 개의 제2 구조(50)를 지닌 모판(10)을 필름 제거홈에 넣고 필름 제거 과정을 진행하며, 모판(10)의 감광막을 깨끗하게 제어하여, 다수 개의 제2 구조(50)를 모판(10)에서 제거하며, 제2 층 금속층(60)에 다수 개의 제2 개구(61)를 형성함으로써, 상이한 금속층 두께와 상이한 개구 크기를 가진 금속 섀도우 마스크(70)를 획득한다. 여기서, 다수 개의 제2 개구(61)의 위치는 다수 개의 제1 개구(41)와 일일이 대응되고, 또한 다수 개의 제1 개구(41)와 서로 연통한다. 설명해야 할 것은, 상기 제조 공정을 통해, 제2 개구(61)의 중심 및 상응한 제1 개구(41)의 중심 편이량은 대략 0.5um 내지 1um 사이로 제어할 수 있다. 층과 층 사이의 개구의 중심점 위치를 정밀하게 대칭시켜, 층과 층 사이의 접합이 더욱 정밀하여, 개구의 위치의 정밀도를 보장하며, 작은 개구의 금속 섀도우 마스크(70)의 제조에 유리하다. Step S117: The plurality of second structures is removed to form a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings in the second layer metal layer. Referring to FIGS. 8 and 9, in the above step, after the electroplating, the mother plate 10 having a plurality of second structures 50 is placed in the film removal groove to proceed with the film removal process, and the mother plate 10 By controlling the photoresist film cleanly, removing the plurality of second structures 50 from the mother plate 10, and forming a plurality of second openings 61 in the second layer metal layer 60, different metal layer thicknesses and different openings A metal shadow mask 70 having a size is obtained. Here, the positions of the plurality of second openings 61 correspond to each of the plurality of first openings 41, and also communicate with the plurality of first openings 41. It should be explained that, through the above manufacturing process, the center shift amount of the second opening 61 and the corresponding center opening amount of the first opening 41 can be controlled between approximately 0.5 μm and 1 μm. The position of the center point of the opening between the layers is precisely symmetrical, so that the bonding between the layers and the layers is more precise, ensuring the precision of the opening's position, and is advantageous for the production of a small opening metal shadow mask 70.

상기 필름 제거 과정 이후, 필름이 제거된 후의 모판(10)에 대해 세척, 건조 과정을 선택적으로 진행할 수 있다. 최종적으로, 다시 금속 섀도우 마스크(70)를 모판(10)에서 떼어 내고, 고정한다(도 10에 도시됨). After the film removal process, a washing and drying process may be selectively performed on the mother plate 10 after the film is removed. Finally, the metal shadow mask 70 is again removed from the mother plate 10 and fixed (shown in FIG. 10).

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공정을 통해 제조된 금속 섀도우 마스크(70)는 제1 층 금속층(40) 및 제2 층 금속층(60)을 포함한다. 제1 층 금속층(40)과 제2 층 금속층(60)의 구성 재료는 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 또한 철 니켈 합금을 포함하지만 이에 한하지 않는다. 제1 층 금속층(40)은 다수 개의 제1 개구(41)를 구비하고, 이러한 제1 개구(41)는 서로 이격되어 배열되며, 또한 제1 층 금속층(40)을 관통한다. 제2 층 금속층(60)은 다수 개의 제2 개구(61)를 구비하고, 다수 개의 제2 개구(61)의 위치는 다수 개의 제1 개구(41)에 일일이 대응되고, 또한 수평 방향상에서, 각각의 제2 개구(61)의 크기(구경)는 각각의 제1 개구(41)의 크기(구경)보다 크고, 금속 섀도우 마스크(70)가 서로 연통되는 제1 개구(41)와 제2 개구(61) 내부에 계단 구조가 형성되어 있도록 한다. 상기 구조에 있어서, 구경의 크기 차이로 인해, 상응한 제1 개구(41)와 제2 개구(61)의 동일 측에서, 제1 층 금속층(40)이 제1 개구(41)와 서로 인접한 일 측변과 제2 층 금속층(60)이 제2 개구(61)와 서로 인접한 일 측변 사이에 폭경 차이(ΔW)가 있다. 또한, 상기 제1 층 금속층(40)이 제1 개구(41)와 서로 인접한 측변 및 제2 층 금속층(60)이 제2 개구(61)와 서로 인접한 측변의 연결선과 금속 섀도우 마스크(70)의 표면(즉 제1 또는 제2 층 금속층(40, 60)의 표면) 사이에 협각(θ)이 구비되고, 이 협각(θ)의 각도는 0°보다 크고, 90°보다 작은 임의의 각도일 수 있으며, 바람직하게는, 각도는 30 내지 60°의 협각(θ)이다. 여기서, 폭경 차이(ΔW)를 통해 협각(θ)의 각도 크기를 대응되게 조절할 수 있고, 증착할 시, 유기 재료 입자는 비교적 바람직한 입사 각도를 구비하여, 음영 효과를 감소하거나 제거한다.9 and 10, in an embodiment of the present invention, the metal shadow mask 70 manufactured through the above process includes a first layer metal layer 40 and a second layer metal layer 60. The constituent materials of the first layer metal layer 40 and the second layer metal layer 60 include, but are not limited to, nickel alloys, nickel-cobalt alloys, and iron nickel alloys. The first layer metal layer 40 has a plurality of first openings 41, and the first openings 41 are arranged to be spaced apart from each other, and also penetrate the first layer metal layer 40. The second layer metal layer 60 has a plurality of second openings 61, and the positions of the plurality of second openings 61 correspond to the plurality of first openings 41, and also in the horizontal direction, respectively The size (diameter) of the second opening 61 is larger than the size (diameter) of each of the first openings 41, and the first opening 41 and the second opening (where the metal shadow mask 70 communicates with each other) 61) The stair structure is formed inside. In the above structure, due to the difference in size of the aperture, the first layer metal layer 40 is adjacent to the first opening 41 at the same side of the corresponding first opening 41 and the second opening 61. There is a difference in width (ΔW) between the side edge and one side edge of the second layer metal layer 60 adjacent to the second opening 61. In addition, the first layer 41 of the metal layer 40 is adjacent to each other with the first opening 41 and the second layer metal layer 60 is adjacent to the second opening 61 of the connecting line and the metal shadow mask of the side 70 A narrow angle θ is provided between the surfaces (ie, the surfaces of the first or second layer metal layers 40 and 60), and the angle of the narrow angle θ may be any angle greater than 0° and less than 90°. And preferably, the angle is a narrow angle (θ) of 30 to 60°. Here, the angle size of the narrow angle θ can be adjusted correspondingly through the difference in width ΔW, and when depositing, the organic material particles have a relatively desirable angle of incidence, thereby reducing or eliminating the shading effect.

이 밖에, 증착 섀도우는 증착각의 영향을 받는 외에도, 증착 재료의 차단점과 유리 기판의 수직 거리와 정비례를 이루기에, 따라서, 유리 기판과 접촉하는 제1 층 금속층에 대해 말하자면, 그 두께는 1 내지 5um 사이로 제어할 수 있고, 예를 들면 1um 또는 2um이며, 음영 효과의 생성을 효과적으로 감소할 수 있다.Besides, the deposition shadow is not only affected by the deposition angle, but also in direct proportion to the vertical distance of the glass substrate and the cut-off point of the deposition material, so for the first layer metal layer contacting the glass substrate, its thickness is 1 It can be controlled between to 5um, for example, 1um or 2um, it is possible to effectively reduce the generation of shading effect.

상기 설명은 본 발명의 다수의 바람직한 실시예를 서술하였지만, 상기 내용은 본 발명의 이해를 위한 것으로서 본문에서 공개하는 형식을 한정하지 않으며, 기타 실시예의 배제로 간주하면 아니되고, 각종 기타 조합, 보정 및 환경에 적용될 수 있으며, 본문의 상기 발명의 구상 범위내에서 상기 교도(敎導) 또는 관련 분야의 기술 또는 지식을 통해 개변할 수 있다. 본 기술분야에서 진행되는 개변 및 변화가 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않으면, 모두 본 발명에 첨부된 특허청구범위에 속한다.Although the above description has described a number of preferred embodiments of the present invention, the above is for the understanding of the present invention and does not limit the form disclosed in the text, and should not be regarded as exclusion of other embodiments, various other combinations, corrections And it can be applied to the environment, and within the scope of the concept of the invention of the text can be modified through the skills or knowledge of the prison or related fields. All modifications and changes in the art are within the scope and spirit of the present invention, and all belong to the claims appended to the present invention.

Claims (20)

모판을 제공하는 단계;
상기 모판에 감광막을 설치하는 단계;
노광 및 현상하여, 상기 감광막이 상기 모판에 다수 개의 이격된 제1 구조를 형성하도록 하는 단계;
제1 층 금속층을 상기 모판에 형성하고, 상기 제1 층 금속층의 두께는 1 내지 5um인 단계;
상기 다수 개의 제1 구조를 제거하여, 상기 제1 층 금속층에 상기 다수 개의 이격된 제1 구조에 대응되는 다수 개의 이격된 제1 개구를 형성하는 단계;
감광막을 상기 제1 층 금속층 상부 전체에 설치하는 단계;
노광 및 현상하여, 상기 감광막에 상기 다수 개의 서로 이격된 제1 개구에 대응되는 다수 개의 이격된 제2 구조를 형성하고, 상기 제2 구조의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 큰 단계;
제2 층 금속층을 상기 제1 층 금속층에 형성하고, 상기 제1 층 금속층과 금속 섀도우 마스크로 결합하며, 상기 제1 층 금속층과 상기 제2 층 금속층의 두께비는 1:5 내지 1:25인 단계; 및
상기 다수 개의 제2 구조를 제거하여, 상기 제2 층 금속층에 상기 다수 개의 제1 개구에 대응되는 다수 개의 제2 개구를 형성하는 단계; 를 포함하고,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 일 측변과 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 일 측변 사이에 폭경 차이가 구비되고, 상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 측변 및 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 측변의 연결선과 상기 금속 섀도우 마스크의 표면 사이에 협각이 구비되며, 상기 폭경 차이를 조절하는 것을 통해 상기 협각의 각도 크기를 대응되게 조절할 수 있고,
상기 제1 층 금속층을 상기 모판에 형성하는 단계는 pH 값이 2 내지 3.5 사이이고, 온도가 40℃ 내지 60℃인 전주 도금액에서 전주 도금 과정을 진행하고,
상기 전주 도금액은 황산 니켈 40g/L 내지 80 g/L, 황산 제1 철 20g/L 내지 40 g/L, 산화 방지제 1g/L 내지 2 g/L, 양극 활성제 10g/L 내지 20 g/L 및 착화제 0.2g/L 내지 0.4 g/L, 복합 안정제 2g/L 내지 10 g/L을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
Providing a mother bed;
Installing a photosensitive film on the mother plate;
Exposing and developing, so that the photosensitive film forms a plurality of spaced apart first structures on the mother plate;
Forming a first layer metal layer on the base plate, wherein the first layer metal layer has a thickness of 1 to 5um;
Removing the plurality of first structures to form a plurality of spaced apart first openings corresponding to the plurality of spaced apart first structures in the first layer metal layer;
Installing a photosensitive film over the entire first metal layer;
Exposing and developing to form a plurality of spaced apart second structures corresponding to the plurality of first spaced apart openings in the photosensitive film, wherein the size of the second structure is greater than the size of the first opening;
Forming a second layer metal layer on the first layer metal layer, combining the first layer metal layer with a metal shadow mask, and the thickness ratio between the first layer metal layer and the second layer metal layer is 1:5 to 1:25 ; And
Removing the plurality of second structures to form a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings in the second layer metal layer; Including,
A width difference is provided between one side of the first layer metal layer adjacent to the first opening and one side of the second layer metal layer adjacent to the second opening, and the first layer metal layer includes the first An angle of the narrow angle is provided between the side of the metal shadow mask and the connection line of the side edge adjacent to the opening and the second layer metal layer adjacent to the second opening and the side of the metal shadow mask, and adjusting the width difference. You can adjust the size correspondingly,
The step of forming the first layer metal layer on the mother plate proceeds with the electroplating process in an electroplating solution having a pH value of 2 to 3.5 and a temperature of 40°C to 60°C,
The electroforming solution is nickel sulfate 40 g/L to 80 g/L, ferrous sulfate 20 g/L to 40 g/L, antioxidant 1 g/L to 2 g/L, positive electrode active agent 10 g/L to 20 g/L, and A complexing agent comprising 0.2 g/L to 0.4 g/L and a complex stabilizer 2 g/L to 10 g/L.
제 1항에 있어서,
상기 노광 및 현상하는 단계 이후, 상기 다수 개의 제1 구조 또는 상기 다수 개의 제2 구조에 대해 고상화(固化) 과정을 진행하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
According to claim 1,
After the step of exposing and developing, a step of solidifying the plurality of first structures or the plurality of second structures; Method of manufacturing a metal shadow mask further comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 다수 개의 제2 구조를 제거하는 단계 이후, 금속 섀도우 마스크를 모판에서 떼어 내고, 고정하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
According to claim 1,
After removing the plurality of second structures, removing and fixing the metal shadow mask from the mother board; Method of manufacturing a metal shadow mask further comprising a.
삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 제1 개구와 상기 제2 개구의 중심 편이량은 0.5um 내지 1um 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
According to claim 1,
A method for manufacturing a metal shadow mask, wherein the amount of central deviation between the first opening and the second opening is between 0.5 μm and 1 μm.
제 1항에 있어서,
상기 제2 개구는 대응되는 상기 제1 개구와 서로 연통하고, 또한 상기 금속 섀도우 마스크 내부에서 계단 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
According to claim 1,
The second opening communicates with the corresponding first opening and forms a stepped structure inside the metal shadow mask.
삭제delete 제 7항에 있어서,
상기 협각의 각도는 0°보다 크고 90°보다 작은 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 7,
The angle of the narrow angle is greater than 0 ° and less than 90 ° method of manufacturing a metal shadow mask.
제 9항에 있어서,
상기 협각의 각도는 30° 내지 60° 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크의 제조 방법.
The method of claim 9,
Method of manufacturing a metal shadow mask, characterized in that the angle of the narrow angle is between 30 ° to 60 °.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
A metal shadow mask, characterized in that it is prepared according to the method of claim 1.
제 14항에 있어서,
상기 제1 층 금속층과 상기 제2 층 금속층의 두께비는 1:5 내지 1:25인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 14,
The metal shadow mask, characterized in that the thickness ratio of the first layer metal layer and the second layer metal layer is 1:5 to 1:25.
제 14항에 있어서,
상기 제1 개구와 상기 제2 개구의 중심 편이량은 0.5um 내지 1um 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 14,
The metal shadow mask, characterized in that the central deviation of the first opening and the second opening is between 0.5um and 1um.
제 14항에 있어서,
상기 제2 개구는 대응되는 상기 제1 개구와 서로 연통하고, 또한 상기 금속 섀도우 마스크 내부에서 계단 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 14,
And the second opening communicates with the corresponding first opening and forms a staircase structure inside the metal shadow mask.
제 17항에 있어서,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 일 측변과 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 일 측변 사이에 폭경 차이가 구비되는 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 17,
A metal shadow mask characterized in that a width difference is provided between one side of the first layer metal layer adjacent to the first opening and one side of the second layer metal layer adjacent to the second opening.
제 17항에 있어서,
상기 제1 층 금속층이 상기 제1 개구와 서로 인접하는 측변 및 상기 제2 층 금속층이 상기 제2 개구와 서로 인접하는 측변의 연결선과 상기 금속 섀도우 마스크의 표면 사이에 협각이 구비되고, 상기 협각의 각도는 0°보다 크고 90°보다 작은 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 17,
The first layer metal layer is provided with a narrow angle between the connecting line of the side edge adjacent to the first opening and the second layer metal layer and the second side adjacent to the second opening and the surface of the metal shadow mask. Metal shadow mask characterized in that the angle is greater than 0° and less than 90°.
제 19항에 있어서,
상기 협각의 각도는 30° 내지 60° 사이인 것을 특징으로 하는 금속 섀도우 마스크.
The method of claim 19,
The angle of the narrow angle is a metal shadow mask, characterized in that between 30 ° to 60 °.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110724906B (en) * 2019-11-21 2021-10-22 云谷(固安)科技有限公司 Mask plate and manufacturing method thereof
CN111254385A (en) * 2020-01-19 2020-06-09 阿德文泰克全球有限公司 Metal shadow mask and method for producing the same, electroformed stencil and method for producing the same
JP7454988B2 (en) * 2020-04-01 2024-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ Vapor deposition mask manufacturing device and manufacturing method
CN112299364B (en) * 2020-10-23 2024-02-23 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 Preparation method of micro-channel radiator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231964A (en) * 2001-12-05 2003-08-19 Toray Ind Inc Evaporation mask, its manufacturing process, organic electroluminescent device and its manufacturing process
CN103205695A (en) 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A mask plate for vapor plating and a production method thereof
CN103205784A (en) 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A preparation method for a vapor plating mask plate
WO2017204223A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-30 凸版印刷株式会社 Metal mask for vapor deposition, method for producing metal mask for vapor deposition, and substrate for forming metal mask for vapor deposition

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005154879A (en) * 2003-11-28 2005-06-16 Canon Components Inc Metal mask for vapor deposition, and method of producing vapor deposition pattern using the same
CN103205697B (en) * 2012-01-16 2016-03-02 昆山允升吉光电科技有限公司 Vapor deposition mask plate and manufacture method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231964A (en) * 2001-12-05 2003-08-19 Toray Ind Inc Evaporation mask, its manufacturing process, organic electroluminescent device and its manufacturing process
CN103205695A (en) 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A mask plate for vapor plating and a production method thereof
CN103205784A (en) 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 A preparation method for a vapor plating mask plate
WO2017204223A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-30 凸版印刷株式会社 Metal mask for vapor deposition, method for producing metal mask for vapor deposition, and substrate for forming metal mask for vapor deposition

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