KR20190107589A - 기판 건조 장치 - Google Patents

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KR20190107589A
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opening
drying apparatus
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KR1020190027598A
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코지 야마시타
요시히로 가이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

건조용 유체를 기판에 대하여 균일하게 공급하는 것이다. 실시 형태에 따른 기판 건조 장치는 처리실과, 덮개부를 구비한다. 처리실은 기판을 반입출시키기 위한 개구부를 가진다. 덮개부는 개구부를 개폐 가능하다. 또한, 덮개부는 확산실과, 정류 부재를 구비한다. 확산실은 건조용 유체를 확산시킨다. 또한, 정류 부재는 확산실에 확산된 건조용 유체의 흐름을 정돈하여 확산실로부터 처리실로 유출시킨다.

Description

기판 건조 장치 {SUBSTRATE DRYING APPARATUS}
개시의 실시 형태는 기판 건조 장치에 관한 것이다.
종래, 액 처리 후의 기판을 건조하는 기판 건조 장치가 알려져 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는, 액 처리조의 상부에 배치되는 처리실과, 액 처리조에서 액 처리된 기판을 처리실로 반송하는 반송부와, 처리실의 내부에 마련되어 처리실 내로 건조용 유체를 공급하는 공급 노즐을 구비한 기판 건조 장치가 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2016-119436호
그러나, 상술한 종래 기술에는, 처리실 내에 배치된 기판에 대하여 건조용 유체를 균일하게 공급한다고 하는 점에서 한층 더 개선의 여지가 있다.
실시 형태의 일태양은, 건조용 유체를 기판에 대하여 균일하게 공급할 수 있는 기판 건조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일태양에 따른 기판 건조 장치는, 기판을 건조시키는 기판 건조 장치로서, 처리실과, 덮개부를 구비한다. 처리실은 기판을 반입출시키기 위한 개구부를 가진다. 덮개부는 개구부를 개폐 가능하다. 또한, 덮개부는 확산실과 정류 부재를 구비한다. 확산실은 건조용 유체를 확산시킨다. 또한, 정류 부재는 확산실에 확산된 건조용 유체의 흐름을 정돈하여 확산실로부터 처리실로 유출시킨다.
실시 형태의 일태양에 따르면, 건조용 유체를 기판에 대하여 균일하게 공급할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적인 단면도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 덮개부의 모식적인 평면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 노즐의 모식적인 평면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 정류 부재의 모식적인 평면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 처리실 내에 형성되는 다운 플로우를 나타내는 모식도이다.
도 6은 건조용 유체의 공급 경로의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7은 상류측 공급 경로와 하류측 공급 경로가 접속된 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 실행하는 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 9는 제 1 반입 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 10은 액 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 11은 제 2 반입 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 12는 건조 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 13은 반출 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 14는 변형예에 따른 기판 건조 장치의 모식적인 단면도이다.
도 15는 변형예에 따른 기판 건조 장치의 모식적인 단면도이다.
이하에, 본원에 따른 기판 건조 장치를 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라고 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본원에 따른 기판 건조 장치가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.
먼저, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대하여 도 1 ~ 도 4를 참조하여 설명한다. 도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적인 단면도이다. 또한, 도 2는 실시 형태에 따른 덮개부의 모식적인 평면도이며, 도 3은 실시 형태에 따른 노즐의 모식적인 평면도이며, 도 4는 실시 형태에 따른 정류 부재의 모식적인 평면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판(이하, 단순히 '웨이퍼(W)'라 기재함)에 대하여 액 처리를 행하는 액 처리조(1)와, 액 처리조(1)의 상부에 배치되고, 액 처리 후의 웨이퍼(W)의 건조를 행하는 기판 건조 장치(2)를 구비한다. 또한, 기판 처리 장치(100)는 액 처리조(1) 및 기판 건조 장치(2)를 제어하는 제어 장치(8)를 구비한다.
액 처리조(1)는 저류조(10)와, 오버플로우조(11)와, 씰조(12)를 구비한다. 저류조(10), 오버플로우조(11) 및 씰조(12)는 상부에 개구부를 가지고, 내부에 처리액을 저류한다.
저류조(10)는 복수의 웨이퍼(W)를 일괄하여 침지 가능한 크기로 형성된다. 오버플로우조(11)는 저류조(10)의 상단 외주부에 형성되고, 저류조(10)로부터 오버플로우된 처리액을 저류한다. 씰조(12)는 오버플로우조(11)의 상단 외주부에 형성되고, 순수 등을 저류한다. 씰조(12)에 저류된 순수 등에 후술하는 차폐 기구(50)의 씰편(523)을 침지시킴으로써, 액 처리조(1)의 내부와 외부를 차단할 수 있다.
액 처리조(1)에는 처리액의 공급을 행하는 처리액 공급 기구(13)와, 처리액의 배출을 행하는 처리액 배출 기구(14)가 마련된다.
처리액 공급 기구(13)는 복수(여기서는, 2 개)의 처리액 토출 노즐(131)과, 공급로(132)와, 처리액 공급원(133)과, 밸브(134)와, 유량 조정기(135)를 구비한다. 2 개의 처리액 토출 노즐(131)은 저류조(10)의 내측 저부에 마련된다. 공급로(132)는 2 개의 처리액 토출 노즐(131)과 처리액 공급원(133)을 접속한다. 처리액 공급원(133)은 2 개의 처리액 토출 노즐(131)에 대하여 처리액을 공급한다. 여기서는, 처리액으로서 순수 등의 린스액이 공급되는 것으로 한다. 밸브(134)는 공급로(132)의 중도부에 마련되고, 공급로(132)를 개폐한다. 유량 조정기(135)는 공급로(132)의 중도부에 마련되고, 공급로(132)를 흐르는 처리액의 유량을 조정한다. 밸브(134) 및 유량 조정기(135)는 제어 장치(8)의 제어부(81)에 접속되어 있으며, 제어부(81)에 의해 제어된다.
처리액 공급 기구(13)는 처리액 공급원(133)으로부터 공급되는 처리액을 처리액 토출 노즐(131)로부터 저류조(10)의 내부로 공급한다. 이에 의해, 저류조(10)에 처리액이 저류된다.
처리액 배출 기구(14)는 배출구(141)와, 배출로(142)와, 밸브(143)를 구비한다. 배출구(141)는 저류조(10)의 내측 저부 중앙에 형성된다. 배출로(142)는 배출구(141)에 접속된다. 밸브(143)는 배출로(142)의 중도부에 마련되고, 배출로(142)를 개폐한다. 밸브(143)는 제어부(81)에 접속되고, 제어부(81)에 의해 개폐 제어된다.
처리액 배출 기구(14)는 밸브(143)를 개방함으로써, 저류조(10)의 내부에 저류된 처리액을 배출구(141)로부터 외부의 배출로(142)로 배출한다.
기판 건조 장치(2)는 처리실(20)과, 덮개부(30)와, 반송부(40)와, 차폐 기구(50)를 구비한다.
처리실(20)은 복수의 웨이퍼(W)를 일괄하여 수용 가능한 크기로 형성된다. 처리실(20)의 상부에는 제 1 개구부(21)가 마련되고, 하부에는 제 2 개구부(22)가 마련된다. 제 1 개구부(21)는 기판 처리 장치(100)의 외부와 처리실(20)과의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 반입출시키기 위한 개구부이다. 제 2 개구부(22)는 처리실(20)과 저류조(10)와의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 반입출시키기 위한 개구부이다.
처리실(20)은 제 1 플랜지부(23)를 구비한다. 제 1 플랜지부(23)는 제 1 개구부(21)의 주위에 마련된다. 구체적으로, 제 1 플랜지부(23)는 제 1 개구부(21)의 가장자리부로부터 제 1 개구부(21)의 외방을 향해 수평으로 돌출된다.
처리실(20)은 복수(여기서는, 2 개)의 배기구(24)를 구비한다. 2 개의 배기구(24)는 처리실(20) 내에 배치된 복수의 웨이퍼(W)보다 하방, 또한 복수의 웨이퍼(W)의 배열 방향(Y축 방향)에 대하여 직교하는 방향(X축 방향)에 좌우 대칭으로 마련된다. 2 개의 배기구(24)는 배기로(25)에 접속되어 있으며, 처리실(20) 내의 분위기는 배기구(24) 및 배기로(25)를 거쳐 기판 건조 장치(2)의 외부로 배출된다.
덮개부(30)는 처리실(20)의 상방에 배치되고, 처리실(20)의 제 1 개구부(21)를 폐색한다. 구체적으로, 덮개부(30)는 처리실(20)의 제 1 플랜지부(23)와 대향하는 위치에 제 2 플랜지부(36)를 가지고 있고, 제 2 플랜지부(36)가 제 1 플랜지부(23)에 마련된 씰 부재(후술하는 씰 부재(119))와 접촉함으로써, 처리실(20)의 제 1 개구부(21)를 폐색한다.
덮개부(30)는 제 1 승강 기구(31)에 접속된다. 제 1 승강 기구(31)는 제 1 개구부(21)를 폐색하는 폐색 위치와, 폐색 위치보다 상방의 위치로서 제 1 개구부(21)를 개방하는 개방 위치와의 사이에서 덮개부(30)를 승강시킨다. 제 1 승강 기구(31)는 제어부(81)에 접속되어 있으며, 제어부(81)에 의해 제어된다.
덮개부(30)는 확산실(32)과, 복수(여기서는, 2 개)의 노즐(123)과, 정류 부재(34)와, 압손 부재(35)를 구비한다.
확산실(32)은 덮개부(30)가 도 1에 나타내는 폐색 위치에 있는 상태에 있어서 제 1 개구부(21)의 상부에 배치되고, 정류 부재(34) 및 압손 부재(35)를 개재하여 처리실(20)에 연통한다.
2 개의 노즐(123)은 확산실(32)의 내부에 배치되어 있으며, 확산실(32) 내에 건조용 유체를 공급한다. 구체적으로, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각 노즐(123)은 후술하는 반송부(40)에 유지되는 복수의 웨이퍼(W)의 배열 방향(Y축 방향)을 따라 연장되는 장척 형상을 가지고 있다. 또한 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 노즐(123)은 길이 방향을 따라 형성된 복수의 토출구(123a)로부터 건조용 유체를 수평으로 토출한다.
각 노즐(123)은 이음새부(122)를 개재하여 접속부(121)에 접속되어 있으며, 건조용 유체는 접속부(121)로부터 이음새부(122)를 거쳐 확산실(32) 내의 노즐(123)로 도입된다. 건조용 유체의 공급 경로에 대해서는 후술한다.
정류 부재(34)는 처리실(20)의 천장 부분에 상당하는 판 형상의 부재이며, 확산실(32)에 확산된 건조용 유체의 흐름을 정돈하여 확산실(32)로부터 처리실(20)로 유출시킨다. 구체적으로, 도 4에 나타내는 바와 같이, 정류 부재(34)에는 복수의 슬릿(341)이 형성되어 있으며, 이러한 슬릿(341)을 건조용 유체가 통과함으로써, 건조용 유체의 흐름이 일정 방향으로 정돈된다.
압손 부재(35)는 정류 부재(34)의 상부에 배치되는 판 형상의 부재이며, 확산실(32)로부터 정류 부재(34)로 유입되는 건조용 유체에 압력 손실을 일으킨다. 압손 부재(35)로서는, 예를 들면 수지제, 세라믹스제 또는 부직포제의 다공질 부재 외에, 펀칭 가공에 의해 복수의 개구가 마련된 판 형상의 부재(펀칭 보드)를 이용할 수 있다.
또한 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 덮개부(30)는 후술하는 반송부(40)의 암(42)이 삽입 관통되는 삽입 관통구(37)와, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 밀폐하는 밀폐 기구(38)를 구비한다. 삽입 관통구(37) 및 밀폐 기구(38)는 제 2 플랜지부(36)에 마련된다.
밀폐 기구(38)는 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극으로 퍼지 가스를 공급하는 공급부(도시하지 않음)와, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극으로부터 퍼지 가스를 배출하는 배출부(도시하지 않음)를 구비한다. 밀폐 기구(38)는 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극에 퍼지 가스를 공급하여, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극의 압력을 처리실(20) 내의 압력보다 높게 함으로써, 처리실(20)의 내부로부터 외부로의 건조용 유체의 누설을 방지할 수 있다. 퍼지 가스의 유량은 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극으로 공급된 퍼지 가스가 처리실(20) 내로 유입되지 않는 유량이 되도록 도시하지 않은 유량 조정기에 의해 조정된다.
또한 밀폐 기구(38)는, 상기와 같이 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 기체에 의해 밀폐하는 것에 한정되지 않고, 예를 들면 인플레이트 씰 등을 이용하여 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 물리적으로 밀폐하는 것이어도 된다. 인플레이트 씰은 튜브 형상의 수지제 씰 부재이며, 내부에 기체를 공급함으로써 팽창하여, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 밀폐한다.
반송부(40)는 복수의 웨이퍼(W)를 일괄하여 유지하는 유지부(41)와, 유지부(41)를 지지하는 암(42)과, 암(42)을 승강시키는 제 2 승강 기구(43)를 구비한다.
유지부(41)는 복수의 웨이퍼(W)를 기립 자세로, 수평 방향으로 일정한 간격을 두고 배열한 상태로 유지한다. 구체적으로, 유지부(41)는 복수의 웨이퍼(W)의 하부 주연부를 지지하는 2 개의 제 1 가이드 부재(411)와, 제 1 가이드 부재(411)보다 상방에 있어서 복수의 웨이퍼(W)의 주연부를 지지하는 2 개의 제 2 가이드 부재(412)를 구비한다. 복수의 웨이퍼(W)는 이들 제 1 가이드 부재(411) 및 제 2 가이드 부재(412)에 의해 4 점에서 지지된다.
암(42)은 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 하부에 있어서 유지부(41)를 지지한다. 암(42)은 제 2 승강 기구(43)에 접속된다. 제 2 승강 기구(43)는 암(42)을 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제 2 승강 기구(43)는 제어부(81)에 접속되어 있으며, 제어부(81)에 의해 제어된다.
차폐 기구(50)는 차폐 도어(51)와, 케이싱(52)과, 이동 기구(53)를 구비한다. 차폐 도어(51)는 처리실(20)의 제 2 개구부(22)를 폐색 가능한 크기로 형성된다. 차폐 도어(51)의 상면에는, 외주부로부터 중앙부를 향해 하향 경사지는 경사면(511)이 마련되어 있고, 경사면(511)의 중앙부에는 도시하지 않은 배액구가 마련된다. 후술하는 건조 처리에 있어서 웨이퍼(W)로부터 제거된 처리액 등은, 경사면(511)을 지나 도시하지 않은 배액구로 모아져, 배액구로부터 기판 건조 장치(2)의 외부로 배출된다.
케이싱(52)은 액 처리조(1)와 처리실(20)과의 사이에 개재되고, 내부에 차폐 도어(51)를 수용한다. 케이싱(52)은 처리실(20)의 제 2 개구부(22)와 대향하는 위치에 제3 개구부(521)를 가지고, 저류조(10)의 개구부와 대향하는 위치에 제 4 개구부(522)를 가진다. 처리실(20)과 저류조(10)는 케이싱(52)을 개재하여 연통한다.
케이싱(52)의 하면에는 하방을 향해 돌출되는 씰편(523)이 마련되어 있다. 씰편(523)은 씰조(12)에 저류된 순수에 침지된다. 이에 의해, 액 처리조(1)의 내부와 외부를 차단할 수 있다.
이동 기구(53)는 차폐 도어(51)에 접속되고, 차폐 도어(51)를 수평 이동 및 승강시킨다. 이에 의해, 이동 기구(53)는 처리실(20)의 제 2 개구부(22)를 폐색하는 폐색 위치와, 제 2 개구부(22)를 개방하는 개방 위치와의 사이에서 차폐 도어(51)를 이동시킬 수 있다. 이동 기구(53)는 제어부(81)에 접속되어 있으며, 제어부(81)로 개폐 제어된다. 또한, 웨이퍼(W)와 차폐 도어(51)가 간섭하지 않도록, 개방 위치는 폐색 위치의 측방에 마련된다.
제어 장치(8)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(81)와 기억부(82)를 구비한다. 기억부(82)는 예를 들면 RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현되고, 기판 처리 장치(100)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램을 기억한다. 제어부(81)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 가지는 마이크로 컴퓨터 및 각종의 회로를 포함하고, 기억부(82)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어한다.
또한 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(8)의 기억부(82)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 덮개부(30)는 노즐(123)로부터 확산실(32)로 공급된 건조용 유체를 정류 부재(34)에 의해 흐름을 정돈한 후에 처리실(20) 내에 유출시킨다. 이에 의해, 기판 건조 장치(2)는 처리실(20)의 천장 부분에 상당하는 정류 부재(34)로부터 하방을 향해 흐르는 건조용 유체의 수직인 흐름인 다운 플로우를 처리실(20) 내에 형성할 수 있다. 또한, 건조용 유체를 정류 부재(34)에 직접 공급하는 것이 아니라, 확산실(32) 내에 일단 확산시킨 다음 정류 부재(34)에 공급함으로써, 건조용 유체를 정류 부재(34)에 직접 공급하는 경우와 비교하여, 정류 부재(34)로부터 유출되는 건조용 유체에 유량의 편향이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 처리실(20) 내에 보다 균일한 다운 플로우를 형성할 수 있다. 처리실(20) 내에 건조용 유체의 다운 플로우를 형성함으로써, 처리실(20) 내에 배치된 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 건조용 유체가 균일하게 공급되게 되기 때문에, 예를 들면 복수의 웨이퍼(W) 사이 혹은 1 매의 웨이퍼(W)의 면내에 있어서 건조 정도에 차이가 생기기 어렵게 하는 것이 가능하다.
또한 실시 형태에 따른 덮개부(30)에서는, 정류 부재(34)의 상부에 압손 부재(35)를 마련하여 정류 부재(34)의 슬릿(341)으로 유입되는 건조용 유체에 압력 손실을 일으키도록 하고 있다. 이에 의해, 건조용 유체가 확산실(32) 내에 보다 고밀도로 확산되게 되기 때문에, 정류 부재(34)로부터 유출되는 건조용 유체에 유량의 편향이 보다 생기기 어려워져, 감아오름 등이 없는 적합한 다운 플로우를 처리실(20) 내에 형성할 수 있다.
건조용 유체의 배기구(24)는 처리실(20) 내에 배치된 복수의 웨이퍼(W)보다 하방에 마련되어 있기 때문에, 다운 플로우를 웨이퍼(W)의 하방까지 유지시키기 쉽다. 또한, 유지부(41)의 제 1 가이드 부재(411)와 제 2 가이드 부재(412)와의 사이 및 2 개의 제 1 가이드 부재(411)의 사이에는 각각 간극(413, 414)이 마련되어 있고, 건조용 유체는 이들 간극(413, 414)을 통하여 배기구(24)로 유입된다. 이와 같이, 유지부(41)에 간극(413, 414)이 마련됨으로써, 웨이퍼(W)의 하부로부터 배기구(24)에 도달하는 건조용 유체의 흐름에 난류를 일으키기 어렵게 할 수 있다.
이어서, 건조용 유체의 공급 경로의 구성에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6은 건조용 유체의 공급 경로의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다. 또한, 도 7은 상류측 공급 경로와 하류측 공급 경로가 접속된 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다. 또한, 도 6 및 도 7은 도 2에 나타내는 A-A선 화살표 방향으로 봤을 때의 단면도에 상당한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 건조용 유체의 공급 경로는 고정적으로 마련되는 상류측 경로부(110)와, 덮개부(30)와 함께 승강하는 하류측 경로부(120)를 포함한다.
상류측 경로부(110)는 접속부(111)와, 이음새부(112)와, 배관부(113)와, IPA 공급원(114a)과, 핫 N2 가스 공급원(114b)과, IPA 증기 발생기(115)와, 밸브(116)와, 유량 조정기(117)를 포함한다.
접속부(111)는 처리실(20)의 제 1 플랜지부(23)에 마련된다. 접속부(111)는 제 1 플랜지부(23)를 상하로 관통하는 유로(111a)를 가진다. 이음새부(112)는 접속부(111)와 배관부(113)를 연결한다. 이음새부(112)는 상하 방향으로 연장되는 유로(112a)를 가진다. 유로(112a)는 상류측의 단부에 있어서 배관부(113)에 연통하고, 하류측의 단부에 있어서 유로(111a)에 연통한다.
접속부(111)의 상면, 즉, 접속부(121)와의 대향면에는 씰 부재(118)가 마련된다. 씰 부재(118)는 예를 들면 O링이며, 유로(111a)의 하류측 단부의 주위에 마련된다. 또한, 제 1 플랜지부(23)의 상면 즉 제 2 플랜지부(36)와의 대향면에는, 씰 부재(119)가 마련된다. 씰 부재(119)는 예를 들면 립 씰이며, 접속부(111)보다 제 1 플랜지부(23)의 외주측에 마련된다.
배관부(113)는 밸브(116) 및 유량 조정기(117)를 개재하여 IPA 증기 발생기(115)에 접속된다. IPA 증기 발생기(115)는 IPA 공급원(114a)과, 핫 N2 가스 공급원(114b)에 접속된다. IPA 증기 발생기(115)는 IPA 공급원(114a)으로부터 공급되는 IPA와 핫 N2 가스 공급원(114b)으로부터 공급되는 핫 N2 가스(가열된 질소 가스)를 혼합함으로써, IPA를 핫 N2 가스의 열에 의해 기화시켜 IPA 증기를 생성한다. IPA 증기 발생기(115)는 생성한 IPA 증기를 배관부(113)에 공급한다. 또한, IPA 증기 발생기(115)에 IPA를 공급하지 않고 핫 N2 가스만을 공급한 경우, IPA 증기 발생기(115)로부터 배관부(113)로 핫 N2 가스가 공급된다. 밸브(116)는 배관부(113)의 중도부에 마련되어, 배관부(113)를 개폐한다. 유량 조정기(117)는 배관부(113)의 중도부에 마련되어, 배관부(113)를 흐르는 IPA 증기 또는 핫 N2 가스의 유량을 조정한다.
하류측 경로부(120)는 접속부(121)와, 이음새부(122)와, 노즐(123)을 포함한다. 접속부(121)는 제 2 플랜지부(36)에 마련된다. 접속부(121)는 제 2 플랜지부(36)를 상하로 관통하는 유로(121a)를 가진다. 이음새부(122)는 접속부(121)와 노즐(123)을 연결한다. 이음새부(122)는 수평 방향으로 연장되는 유로(122a)를 가진다. 유로(122a)는 상류측의 단부에 있어서 유로(121a)에 연통하고, 하류측의 단부에 있어서 노즐(123)에 연통한다.
이와 같이, 건조용 유체의 공급 경로는 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)로 분할되어 있다. 그리고, 덮개부(30)가 제 1 승강 기구(31)(도 1 참조)에 의해 하강하여 제 1 개구부(21)를 폐색한 상태가 되었을 때, 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)가 접속되어 건조용 유체의 공급 경로가 완성된다. 구체적으로, 도 7에 나타내는 바와 같이, 하류측 경로부(120)의 접속부(121)가 상류측 경로부(110)의 접속부(111)와 접속됨으로써, 상류측 경로부(110)의 유로(111a, 112a)와 하류측 경로부(120)의 유로(121a, 122a)가 연통한다. 이에 의해, IPA 증기 발생기(115)로부터 공급되는 IPA 증기 또는 핫 N2 가스를 노즐(123)에 마련된 복수의 토출구(123a)로부터 확산실(32)의 내부로 공급할 수 있다. 또한, 덮개부(30)가 상승하여, 하류측 경로부(120)의 접속부(121)가 상류측 경로부(110)의 접속부(111)로부터 분리됨으로써, 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)와의 접속이 해제된다.
덮개부(30)가 폐색 위치에 있는 상태에 있어서, 하류측 경로부(120)의 접속부(121)는 상류측 경로부(110)의 접속부(111)에 마련된 씰 부재(118)에 접촉한다. 이에 의해, 상류측 경로부(110)의 유로(111a)와 하류측 경로부(120)의 유로(121a)와의 사이로부터의 건조용 유체의 누설을 억제할 수 있다. 또한, 덮개부(30)가 폐색 위치에 있는 상태에 있어서, 덮개부(30)의 제 2 플랜지부(36)는 처리실(20)의 제 1 플랜지부(23)에 마련된 씰 부재(119)에 접촉한다. 이에 의해, 처리실(20)과 덮개부(30)와의 간극으로부터의 건조용 유체의 누설을 억제할 수 있다.
이와 같이, 건조용 유체의 공급 경로를 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)로 분할함으로써, 건조용 유체의 공급 경로 중 덮개부(30)와 함께 이동하는 부분을 줄일 수 있다. 따라서, 건조용 유체의 공급 경로가 이동함에 따른 발진 등의 영향을 저감할 수 있다.
이어서, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 구체적 동작에 대하여 도 8 ~ 도 13을 참조하여 설명한다. 도 8은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)가 실행하는 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 또한, 도 9는 제 1 반입 처리의 동작예를 나타내는 도이며, 도 10은 액 처리의 동작예를 나타내는 도이며, 도 11은 제 2 반입 처리의 동작예를 나타내는 도이며, 도 12는 건조 처리의 동작예를 나타내는 도이며, 도 13은 반출 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)에서는, 복수의 웨이퍼(W)를 저류조(10)에 반입하는 제 1 반입 처리가 행해진다(단계(S101)). 구체적으로, 제어부(81)는, 복수의 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 장치를 제어하여, 복수의 웨이퍼(W)를 반송부(40)의 유지부(41)로 전달한다(도 9 참조). 이 후, 제어부(81)는 제 1 승강 기구(31) 및 제 2 승강 기구(43)를 제어하여 덮개부(30) 및 암(42)을 하강시킴으로써, 덮개부(30)를 폐색 위치에 배치시킨다. 이에 의해, 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)가 접속되어(도 7 참조), 노즐(123)로부터 확산실(32), 압손 부재(35) 및 정류 부재(34)를 거쳐 처리실(20) 내로 핫 N2 가스가 공급된다. 또한 이 후, 제어부(81)는 제 2 승강 기구(43)를 제어하여 암(42)을 더 하강시킴으로써, 유지부(41)에 유지된 복수의 웨이퍼(W)를 저류조(10)에 반입한다(도 10 참조).
또한, 기판 처리 장치(100)는 제 1 반입 처리에 앞서 대기 처리를 행해도 된다. 대기 처리에서는, 처리실(20)을 밀폐한 상태, 즉 덮개부(30) 및 차폐 도어(51)를 폐색 위치에 배치시킨 상태로, 노즐(123)로부터 처리실(20) 내로 핫 N2 가스를 공급함으로써 처리실(20) 내의 온도를 미리 설정된 온도로 조정한다. 이 후, 덮개부(30) 및 유지부(41)를 상승시켜, 유지부(41)를 도 9에 나타내는 웨이퍼(W)의 수취 위치에 배치시킨 후, 제 1 반입 처리가 개시된다.
저류조(10)에는 처리액 토출 노즐(131)로부터 처리액이 상시 공급되지만, 대기 처리 중에 있어서는, 절수의 관점으로부터, 처리액의 유량을 액 처리 시보다 줄여도 된다.
이어서, 기판 처리 장치(100)에서는, 복수의 웨이퍼(W)를 처리액으로 처리하는 액 처리가 행해진다(단계(S102)). 구체적으로, 제어부(81)는 유량 조정기(135)를 제어하여 처리액 토출 노즐(131)로부터 저류조(10)로 공급되는 처리액의 유량을 증가시킨 상태로, 복수의 웨이퍼(W)를 저류조(10)에 정해진 시간 침지시킴으로써 복수의 웨이퍼(W)를 처리한다. 여기서는, 린스액을 이용한 린스 처리가 행해지는 것으로 한다.
이어서, 기판 처리 장치(100)는, 액 처리 후의 복수의 웨이퍼(W)를 기판 건조 장치(2)의 처리실(20)로 반입하는 제 2 반입 처리가 행해진다(단계(S103)). 구체적으로, 제어부(81)는 반송부(40)의 제 2 승강 기구(43)를 제어하여 암(42)을 상승시킴으로써, 유지부(41)에 유지된 복수의 웨이퍼(W)를 저류조(10)로부터 인상하여 기판 건조 장치(2)의 처리실(20) 내에 배치시킨다(도 11 참조). 이 후, 제어부(81)는 차폐 기구(50)의 이동 기구(53)를 제어하여 차폐 도어(51)를 이동시킴으로써, 차폐 도어(51)를 폐색 위치에 배치시킨다(도 12 참조). 이에 의해, 처리실(20)이 덮개부(30) 및 차폐 도어(51)에 의해 밀폐된 상태가 된다.
이어서, 기판 처리 장치(100)에서는, 복수의 웨이퍼(W)로부터 처리액을 제거하는 건조 처리가 행해진다(단계(S104)). 구체적으로, 제어부(81)는 IPA 증기 발생기(115)(도 6 참조)에 IPA 및 핫 N2 가스를 공급함으로써 IPA 증기를 발생시킨다. IPA 증기 발생기(115)에 있어서 발생한 IPA 증기는, 상류측 경로부(110) 및 하류측 경로부(120)를 거쳐 확산실(32)에 공급되어, 확산실(32)로부터 처리실(20)로 공급된다. 확산실(32)에 공급된 IPA 증기는 확산실(32) 내에 확산되고, 정류 부재(34)에 의해 흐름이 정돈되어 처리실(20)로 유출된다. 이에 의해, 처리실(20) 내에 IPA 증기의 다운 플로우가 형성되고(도 5 참조), 처리실(20) 내에 배치된 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 IPA 증기가 균일하게 공급된다.
IPA 증기는 각 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 접촉하고, 각 웨이퍼(W)의 표면 및 이면 상에서 응축하여, 이 응축한 IPA에 의해 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 잔존하는 처리액이 IPA로 치환된다. 이 후, 제어부(81)는 IPA 공급원(114a)으로부터 IPA 증기 발생기(115)로의 IPA의 공급을 정지함으로써, 노즐(123)로부터 확산실(32)로 핫 N2 가스를 공급한다. 이에 의해, 처리실(20) 내에 핫 N2 가스의 다운 플로우가 형성되어, 처리실(20) 내에 배치된 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 핫 N2 가스가 균일하게 공급된다. 복수의 웨이퍼(W)에 핫 N2 가스가 공급됨으로써, 각 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 잔존하는 IPA의 휘발이 촉진되어 복수의 웨이퍼(W)가 건조된다.
이어서, 기판 처리 장치(100)에서는, 복수의 웨이퍼(W)를 처리실(20)로부터 반출하는 반출 처리가 행해진다(단계(S105)). 구체적으로, 제어부(81)는 제 1 승강 기구(31) 및 제 2 승강 기구(43)를 제어하여 덮개부(30) 및 유지부(41)를 상승시킨다(도 13 참조). 이 후, 제어부(81)는 도시하지 않은 기판 반송 장치를 제어하여, 복수의 웨이퍼(W)를 유지부(41)로부터 기판 반송 장치로 전달한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(100)에 의한 일련의 기판 처리가 완료된다.
또한 일련의 기판 처리에 있어서, 덮개부(30)에 마련된 삽입 관통구(37)와 반송부(40)의 암(42)과의 간극은, 밀폐 기구(38)에 의해 상시 밀폐된 상태인 것으로 한다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 밀폐 기구(38)가 인플레이트 씰 등을 이용하여 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 물리적으로 밀폐하는 것인 경우, 제어부(81)는 제 2 반입 처리에 있어서 덮개부(30) 및 유지부(41) 중 유지부(41)만을 이동시킬 시, 밀폐 기구(38)에 의한 밀폐 상태를 해제해도 된다.
상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 기판 건조 장치(2)는 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 건조시키는 기판 건조 장치로서, 처리실(20)과 덮개부(30)를 구비한다. 처리실(20)은 웨이퍼(W)를 반입출시키기 위한 제 1 개구부(21)(개구부의 일례)를 가진다. 덮개부(30)는 제 1 개구부(21)를 개폐 가능하다. 또한, 덮개부(30)는 확산실(32)과 정류 부재(34)를 구비한다. 확산실(32)은 건조용 유체를 확산시킨다. 또한, 정류 부재(34)는 확산실(32)에 확산된 건조용 유체의 흐름을 정돈하여 확산실(32)로부터 처리실(20)로 유출시킨다. 따라서, 실시 형태에 따른 기판 건조 장치(2)에 의하면, 건조용 유체를 웨이퍼(W)에 대하여 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 기판 건조 장치(2)는 건조용 유체를 공급하는 상류측 경로부(110)와, 상류측 경로부(110)로부터 공급되는 건조용 유체를 확산실(32)의 내부로 도입하는 하류측 경로부(120)를 구비한다. 하류측 경로부(120)는 덮개부(30)에 마련되고, 덮개부(30)가 제 1 개구부(21)를 폐색하는 폐색 위치에 있는 경우에 상류측 경로부(110)와 접속되고, 덮개부(30)가 제 1 개구부(21)를 개방하는 개방 위치에 있는 경우에 상류측 경로부(110)로부터 분리된다. 이와 같이, 건조용 유체의 공급 경로를 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)로 분할 가능하게 구성하여 덮개부(30)와 함께 이동하는 부분을 줄임으로써, 발진 등의 영향을 저감할 수 있다.
또한, 처리실(20)은 제 1 개구부(21)의 주위에 제 1 플랜지부(23)를 구비하고, 덮개부(30)는 제 1 플랜지부(23)와 대향하는 제 2 플랜지부(36)를 구비하고, 상류측 경로부(110)는 제 1 플랜지부(23)에 하류측 경로부(120)와의 접속부(111)를 구비하고, 하류측 경로부(120)는 제 2 플랜지부(36)에 상류측 경로부(110)와의 접속부(121)를 구비한다. 이에 의해, 덮개부(30)를 하강시키는 하나의 동작으로, 제 1 개구부(21)의 폐색 및 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)와의 접속의 양방을 실현할 수 있다.
또한, 상류측 경로부(110)의 접속부(111) 및 이음새부(112)는 반드시 처리실(20)에 마련되는 것을 요하지 않으며, 처리실(20) 이외의 장소에 고정적으로 마련되어도 된다.
또한, 제 1 개구부(21)는 처리실(20)의 상부에 마련되고, 처리실(20)은 처리실(20) 내에 배치된 웨이퍼(W)보다 하방에 건조용 유체의 배기구(24)를 구비한다. 이에 의해, 제 1 개구부(21)로부터 하방을 향해 흐르는 건조용 유체의 수직인 흐름이 웨이퍼(W)의 하방까지 유지되기 쉬워지기 때문에, 웨이퍼(W)에 대하여 건조용 유체를 보다 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 덮개부(30)는 확산실(32)로부터 정류 부재(34)로 유입되는 건조용 유체에 압력 손실을 일으키는 압손 부재(35)를 구비한다. 이에 의해, 확산실(32) 내에 건조용 유체가 보다 고밀도로 확산되게 되기 때문에, 정류 부재(34)로부터 유출되는 건조용 유체에 유량의 편향이 보다 생기기 어려워져, 감아오름 등이 없는 적합한 다운 플로우를 처리실(20) 내에 형성할 수 있다.
또한, 기판 건조 장치(2)는 덮개부(30)를 승강시키는 제 1 승강 기구(31)와, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부(41)와, 유지부(41)를 지지하는 암(42)과, 암(42)을 승강시키는 제 2 승강 기구(43)를 구비한다. 또한, 덮개부(30)는 암(42)이 삽입 관통되는 삽입 관통구(37)를 구비한다. 이에 의해, 덮개부(30)와 유지부(41)를 독립하여 승강시킬 수 있다.
또한, 덮개부(30)는 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 밀폐하는 밀폐 기구(38)를 구비한다. 따라서, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극으로부터 건조용 유체가 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 밀폐 기구(38)는 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극에 기체를 공급하여 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극의 압력을 처리실(20) 내의 압력보다 높게 함으로써, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 밀폐한다. 따라서, 예를 들면 인플레이트 씰 등을 이용하여 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 물리적으로 밀폐하는 경우와 비교하여 발진 등의 영향을 저감할 수 있다. 또한, 예를 들면 제 1 반입 처리 시 또는 제 2 반입 처리 시와 같이 덮개부(30)와 유지부(41)를 독립하여 승강시키는 경우에도, 삽입 관통구(37)와 암(42)과의 간극을 밀폐한 상태를 유지할 수 있다.
(변형예)
상술한 실시 형태에서는, 건조용 유체의 공급 경로를 상류측 경로부(110)와 하류측 경로부(120)로 분할 가능하게 구성하여, 덮개부(30)에 노즐(123)을 마련하는 것으로 했지만, 노즐(123)은 처리실(20)에 마련해도 된다. 도 14 및 도 15는 변형예에 따른 기판 건조 장치의 모식적인 단면도이다.
예를 들면, 도 14에 나타내는 바와 같이, 변형예에 따른 기판 건조 장치(2A)는 처리실(20A)과 덮개부(30A)를 구비한다. 처리실(20A)은 노즐(123)과, 노즐 고정부(125)와, 이음새부(126)를 구비한다. 노즐 고정부(125)는 제 1 플랜지부(23)를 상하로 관통하는 유로(125a)를 가진다. 유로(125a)는 하류측의 단부에 있어서 노즐(123)에 연통한다. 이음새부(126)는 노즐 고정부(125)와 배관부(113)를 연결한다. 이음새부(126)는 상하 방향으로 연장되는 유로(126a)를 가진다. 유로(126a)는 상류측의 단부에 있어서 배관부(113)에 연통하고, 하류측의 단부에 있어서 유로(125a)에 연통한다. 배관부(113)는 밸브(116) 및 유량 조정기(117)를 개재하여 IPA 증기 발생기(115)에 접속된다. IPA 증기 발생기(115)는 IPA 공급원(114a)과 핫 N2 가스 공급원(114b)에 접속된다.
노즐 고정부(125)와 제 1 플랜지부(23)와의 간극에는 씰 부재(127)가 마련된다. 씰 부재(127)는 예를 들면 O링이며, 노즐 고정부(125)와 제 1 플랜지부(23)와의 간극으로부터 건조용 유체가 누설되는 것을 억제한다. 또한, 제 1 플랜지부(23)의 상면 즉 덮개부(30A)의 제 2 플랜지부(36A)와의 대향면에는, 씰 부재(128)가 마련된다. 씰 부재(128)는 예를 들면 립 씰이며, 노즐 고정부(125)보다 제 1 플랜지부(23)의 외주측에 마련된다.
덮개부(30A)는 확산실(32), 정류 부재(34) 및 압손 부재(35)를 구비한다. 덮개부(30A)에는 하류측 경로부(120) 즉 접속부(121), 이음새부(122) 및 노즐(123)은 마련되어 있지 않다.
변형예에 따른 기판 건조 장치(2A)에서는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 덮개부(30A)가 제 1 승강 기구(31)에 의해 하강하여 폐색 위치에 배치됨으로써, 노즐(123)이 확산실(32) 내에 배치된 상태가 된다. 이에 의해, IPA 증기 발생기(115)로부터 공급되는 IPA 증기 또는 핫 N2 가스는, 노즐(123)로부터 확산실(32) 내로 공급되게 된다. 이와 같이, 노즐(123)은 처리실(20A)에 마련되어도 된다.
상술한 실시 형태 및 변형예에서는, 기판 건조 장치(2, 2A)가 노즐(123)을 구비하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 기판 건조 장치(2, 2A)는 반드시 노즐(123)을 구비하는 것을 요하지 않는다. 예를 들면, 기판 건조 장치(2)는 이음새부(122)의 유로(122a)로부터 확산실(32) 내로 건조용 유체를 직접 공급해도 된다. 또한, 기판 건조 장치(2A)는 노즐 고정부(125)의 유로(125a)로부터 확산실(32) 내로 건조용 유체를 직접 공급해도 된다.
가일층의 효과 및 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
W : 웨이퍼
1 : 액 처리조
2 : 기판 건조 장치
10 : 저류조
20 : 처리실
21 : 제 1 개구부
22 : 제 2 개구부
23 : 제 1 플랜지부
24 : 배기구
30 : 덮개부
32 : 확산실
34 : 정류 부재
35 : 압손 부재
123 : 노즐

Claims (10)

  1. 기판을 건조시키는 기판 건조 장치로서,
    상기 기판을 반입출시키기 위한 개구부를 가지는 처리실과,
    상기 개구부를 개폐 가능한 덮개부
    를 구비하고,
    상기 덮개부는,
    건조용 유체를 확산시키는 확산실과,
    상기 확산실에 확산된 상기 건조용 유체의 흐름을 정돈하여 상기 확산실로부터 상기 처리실로 유출시키는 정류 부재
    를 구비하는, 기판 건조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조용 유체를 공급하는 상류측 경로부와,
    상기 상류측 경로부로부터 공급되는 상기 건조용 유체를 상기 확산실의 내부에 도입하는 하류측 경로부
    를 구비하고,
    상기 하류측 경로부는,
    상기 덮개부에 마련되고, 상기 덮개부가 상기 개구부를 폐색하는 폐색 위치에 있는 경우에 상기 상류측 경로부와 접속되고, 상기 덮개부가 상기 개구부를 개방하는 개방 위치에 있는 경우에 상기 상류측 경로부로부터 분리되는, 기판 건조 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리실은,
    상기 개구부의 주위에 제 1 플랜지부를 구비하고,
    상기 덮개부는,
    상기 제 1 플랜지부와 대향하는 제 2 플랜지부를 구비하고,
    상기 상류측 경로부는,
    상기 제 1 플랜지부에 상기 하류측 경로부와의 접속부를 구비하고,
    상기 하류측 경로부는,
    상기 제 2 플랜지부에 상기 상류측 경로부와의 접속부를 구비하는, 기판 건조 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구부는 상기 처리실의 상부에 마련되고,
    상기 처리실은,
    상기 처리실 내에 배치된 상기 기판보다 하방에 상기 건조용 유체의 배기구를 구비하는, 기판 건조 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개부는,
    상기 확산실로부터 상기 정류 부재로 유입되는 상기 건조용 유체에 압력 손실을 일으키는 압손 부재
    를 구비하는, 기판 건조 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 압손 부재는,
    다공질 부재 또는 펀칭 가공된 부재인, 기판 건조 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개부를 승강시키는 제 1 승강 기구와,
    상기 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 지지하는 암과,
    상기 암을 승강시키는 제 2 승강 기구
    를 구비하고,
    상기 덮개부는,
    상기 암이 삽입 관통되는 삽입 관통구
    를 구비하는, 기판 건조 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 덮개부는, 상기 삽입 관통구와 상기 암과의 간극을 밀폐하는 밀폐 기구
    를 구비하는, 기판 건조 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 밀폐 기구는,
    상기 삽입 관통구와 상기 암과의 간극에 기체를 공급하여 상기 간극의 압력을 상기 처리실 내의 압력보다 높게 함으로써 상기 간극을 밀폐하는, 기판 건조 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 건조 장치는, 처리액을 저류하는 액 처리조의 상부에 배치되는 것으로서,
    상기 제 1 승강 기구 및 상기 제 2 승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제 1 승강 기구 및 상기 제 2 승강 기구를 제어함으로써 상기 덮개부 및 상기 암을 하강시켜 상기 개구부를 폐색하는 폐색 위치에 상기 덮개부를 배치시키고, 또한 상기 유지부에 유지된 상기 기판을 상기 액 처리조 내에 배치시키는 제 1 반입 처리와, 상기 액 처리조에 저류된 상기 처리액에 의한 상기 기판의 액 처리가 행해진 후, 상기 암만을 상승시켜 상기 유지부에 유지된 상기 기판을 상기 처리실 내에 배치시키는 제 2 반입 처리와, 상기 처리실에 있어서 상기 건조용 유체를 이용한 상기 기판의 건조 처리가 행해진 후, 상기 덮개부 및 상기 암을 상승시켜 상기 개구부를 개방하는 개방 위치에 상기 덮개부를 배치시키고, 또한 상기 유지부에 유지된 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 반출 처리를 행하는, 기판 건조 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202123313A (zh) * 2019-08-29 2021-06-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7197544B2 (ja) 2020-09-28 2022-12-27 矢崎総業株式会社 シールド電線の製造方法、接地用部材付きのシールド電線、及び、加締め装置
JP7475252B2 (ja) * 2020-10-02 2024-04-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
CN112833658B (zh) * 2020-12-25 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗干燥装置
CN113663885A (zh) * 2021-08-11 2021-11-19 江苏长虹智能装备股份有限公司 一种新型烘干室体密封结构
US20230070804A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-09 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016119436A (ja) 2014-12-24 2016-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100248564B1 (ko) * 1992-04-07 2000-03-15 다카시마 히로시 스핀 드라이어
JP2909304B2 (ja) * 1992-04-07 1999-06-23 東京エレクトロン株式会社 回転処理装置
US6050275A (en) * 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
JPH10247635A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Kaijo Corp ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法
US6647998B2 (en) * 2001-06-20 2003-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers
KR100481858B1 (ko) * 2002-07-22 2005-04-11 삼성전자주식회사 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비및 상기 장비를 사용하는 건조방법
JP4154692B2 (ja) * 2003-06-05 2008-09-24 富士フイルム株式会社 塗布膜の乾燥装置
WO2005098918A1 (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエア
JP4584783B2 (ja) * 2005-06-22 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2008186865A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5596071B2 (ja) * 2012-03-09 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016119436A (ja) 2014-12-24 2016-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

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