KR20190107241A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 포함할 수 있다. 기판은 제1 기판층, 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층, 제1 기판층과 제2 기판층 사이에 배치되는 제1 배리어층 및 제1 기판층과 제2 기판층 사이에 배치되는 제1 자외선 차단층을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 표시 장치 내부로의 자외선 투과량을 줄일 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보 사이의 연결 매체인 표시 장치의 시장이 커지고 있다. 이러한 표시 장치는 다양한 형태로 개발되고 있는데, 그 중에서도 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 표시 장치로서 유기 발광 표시 장치가 주목 받고 있다.
한편, 정보화 기기의 실외 사용이 늘어남에 따라, 표시 장치가 태양광에 노출되는 시간이 점점 증가하고 있다. 또한, 표시 장치를 제조하는 과정에서 자외선을 조사하는 작업이 요구되는 경우도 흔하게 발생한다. 이와 같이, 외부의 자외선이 표시 장치의 내부까지 자유롭게 투과하면, 표시 장치의 내부에 위치하는 소자들(예를 들면, 표시 소자, 박막 트랜지스터 등)에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 일 목적은 표시 장치 내부로의 자외선 투과량을 줄일 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 포함할 수 있다. 상기 기판은 제1 기판층, 상기 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층, 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 제1 배리어층 및 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 제1 자외선 차단층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 자외선 차단층은 상기 제1 기판층과 상기 제1 배리어층 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 제1 배리어층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 제2 자외선 차단층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 자외선 차단층은 상기 제1 배리어층과 상기 제2 기판층 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 제2 기판층과 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치되는 제2 배리어층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 자외선 차단층은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 자외선 차단층은 산화 칼슘(CaO) 및 플루오린화 리튬(LiF) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자, 그리고 상기 기판의 아래에 배치되는 센서를 포함할 수 있다. 상기 기판은 제1 기판층, 상기 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층 및 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 자외선 차단층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 자외선 차단층은 상기 센서와 평면상 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 센서는 지문 인식 센서일 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 다른 실시예들에 따른 표시 장치는 내부에 복수의 자외선 차단 입자들을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 제1 기판층, 상기 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층 및 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 배리어층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 제1 기판층의 내부에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 제1 기판층의 내부에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 자외선 차단 입자들은 하이드록실기(hydroxyl group)를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 자외선 차단 입자들은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 내부에 상기 복수의 자외선 차단 입자들이 분산되는 매트릭스를 더 포함하고, 상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 매트릭스와 가교결합할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판의 아래에 배치되는 센서를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 센서와 평면상 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 기판 내의 제1 기판층과 제2 기판층 사이에 배치되는 자외선 차단층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치 내부로의 자외선 투과량을 줄일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치에 있어서, 기판 내의 제1 기판층 및/또는 제2 기판층은 복수의 자외선 차단 입자들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치 내부로의 자외선 투과량을 줄일 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
이하, 도 1, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 1, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치되는 화소 회로 및 상기 화소 회로 상에 배치되는 표시 소자(DE)를 포함할 수 있다. 상기 화소 회로는 박막 트랜지스터(TFT) 및 커패시터(CAP)를 포함할 수 있다. 표시 장치(100)는 기판(SUB)의 하부에 배치되는 보호 필름(140)을 더 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 제1 기판층(111), 제1 배리어층(112), 제2 기판층(113), 제2 배리어층(114) 및 제1 자외선 차단층(115)을 포함할 수 있다.
제1 기판층(111)은 가요성 및 전기 절연성을 가지는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판층(111)은 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone: PS) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다. 그러나, 제1 기판층(111)의 물질은 이에 한정되지 아니하고, 가요성 및 전기 절연성을 가지는 물질이라면 제1 기판층(111)의 물질로 사용될 수 있다.
제1 기판층(111) 상에는 제1 배리어층(112)이 배치될 수 있다. 제1 배리어층(112)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 배리어층(112)은 비정질 실리콘(a-Si), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같이 실리콘을 함유하는 물질을 포함할 수 있다. 제1 배리어층(112)은 산소 및 수분에 취약한 제1 기판층(111) 상에 형성되어 제1 기판층(111)의 파손을 방지하고, 산소 및 수분과 같은 이물질이 표시 장치(100)의 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제1 배리어층(112) 상에는 제2 기판층(113)이 배치될 수 있다. 제2 기판층(113)은 가요성 및 전기 절연성을 가지는 재질을 포함할 수 있다. 제2 기판층(113)은 제1 기판층(111)과 동일한 재질을 가지거나 동일한 두께를 가지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 기판층(111)과 제2 기판층(113)이 서로 다른 재질 및 서로 다른 두께를 가져도 무방하다.
제2 기판층(113) 상에는 제2 배리어층(114)이 배치될 수 있다. 제2 배리어층(114)은 무기물을 포함할 수 있다. 제2 배리어층(114)은 제1 배리어층(112)과 동일한 재질을 가지거나 동일한 두께를 가지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 배리어층(112)과 제2 배리어층(114)이 서로 다른 재질 및 서로 다른 두께를 가져도 무방하다. 제2 배리어층(114)은 산소 및 수분에 취약한 제2 기판층(113) 상에 형성되어 제2 기판층(113)의 파손을 방지하고, 산소 및 수분과 같은 이물질이 표시 장치(100)의 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제1 기판층(111)과 제2 기판층(113) 사이에는 제1 자외선 차단층(115)이 배치될 수 있다.
표시 장치(100)는 기판(SUB)의 하부에 조사되는 자외선에 노출될 수 있다. 여기서, 자외선은 사용자가 표시 장치(100)를 실외에서 사용하는 경우에 조사되는 자외선일 수 있고, 표시 장치(100)를 제조하는 과정에서 조사되는 자외선일 수도 있다. 예를 들면, 표시 장치(100)의 제조 과정에서 조사되는 자외선은 기판(SUB)의 하부에 형성되는 부재를 경화시키기 위한 자외선일 수 있다.
기판(SUB)의 하부에 조사되는 자외선은 박막 트랜지스터(TFT), 커패시터(CAP) 및 표시 소자(DE)에 영향을 미칠 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 제1 자외선 차단층(115)은 기판(SUB) 내에 형성되어 기판(SUB)의 하부에 조사되는 자외선을 차단할 수 있다. 이에 따라, 기판(SUB) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 커패시터(CAP) 및 표시 소자(DE)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제1 자외선 차단층(115)은 자외선을 흡수하는 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 자외선 차단층(115)은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및/또는 살리실레이트(salicylate)계 화합물과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물에는 2,4-디하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥틸벤조페논, 4-도데실옥시-2-하이드록시벤조페논, 4-벤질옥시-2-하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논 등이 포함될 수 있다.
상기 벤조트리아졸계 화합물에는 2-(5-메틸-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-[2-하이드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2-(3,5-디-t-부틸-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-5-메틸-2-하이드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3,5-디-t-부틸-2-하이드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3,5-디-t-아실-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-하이드록시5'-t-옥틸페닐)벤조트리아졸 등이 포함될 수 있다.
상기 벤조에이트계 화합물에는 2,4-디-t-부틸페닐-3', 5'-디-t-부틸-4-하이드록시벤조에이트 등이 포함될 수 있다.
상기 트리아진계 화합물에는 2-[4-[(2-하이드록시-3-도데실옥시프로필)옥시]-2-하이드록시페닐]-4, 6-비스(2,4-디메틸페닐)1,3,5-트리아진 등이 포함될 수 있다.
상기 살리실에이트계 화합물에는 페닐사리시레이트, 4-t-부틸페닐사리시레이트 등이 포함될 수 있다.
상술한 자외선 흡수용 유기물들 중에서 벤조페논계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물의 화학식들은 다음과 같다.
<화학식 1>
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R1은 수소(H), 알킬기(alkyl group), 하이드록실기(hydroxyl group)를 나타내고, R2는 수소(H), 알킬기(alkyl group), 페닐기(phenyl group)를 나타내고, R3는 수소(H), 알킬기(alkyl group)를 나타내며, R4는 수소(H), 알콕시기(alkoxy group)를 나타낸다.
<화학식 2>
Figure pat00002
상기 화학식 2에서, R5는 수소(H), 알킬기(alkyl group)를 나타낸다.
상기 화학식 1 및 상기 화학식 2에 도시된 바와 같이, 벤조페논계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물은 하이드록실기(-OH)를 가질 수 있다. 이는 벤조페논계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물에 한정되는 것은 아니며, 상술한 자외선 흡수용 유기물들 또한 하이드록실기를 가질 수 있다. 이와 같이 제1 자외선 차단층(115)은 수소결합이 가능한 작용기인 하이드록실기(-OH)를 갖는 단분자 물질로 형성됨으로써, 여기상태 분자 내 양성자 전이(excited-state intramolecular proton transfer, ESIPT) 현상을 통해 외부로부터 입사된 자외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로, 제1 자외선 차단층(115)에는 분자 내의 하이드록실기(-OH)에 인접하게 산소(O) 원자나 질소(N) 원자와 같은 비공유 전자쌍을 갖는 원자가 존재하고, 하이드록실기(-OH)와 상기 비공유 전자쌍을 갖는 원자 사이에서 수소결합이 형성될 수 있다. 이 때, 자외선을 흡수하여 여기상태에 놓인 제1 자외선 차단층(115) 내의 분자들은 여기된 분자 내에서 양성자가 이동하는 광이성질체화 반응(photo-tautomerization)을 거치게 되고, 이에 따라 하이드록실기(-OH)로부터 수소(H)가 빠져 나가게 되어 안정적인 상태의 케토형(keto form) 분자가 되면서 열방출이 발생할 수 있다. 이로써 제1 자외선 차단층(115)에 입사된 자외선은 열에너지 형태로 변환하여 외부로 방출됨으로써, 자외선이 표시 장치(100)의 내부로 투과되는 것을 차단할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제1 자외선 차단층(115)은 산화 칼슘(CaO) 및/또는 플루오린화 리튬(LiF)과 같은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 칼슘을 증착한 후에 칼슘 상부에 산소를 공급하면 칼슘이 증착된 층이 산소와 반응하여 산화 칼슘(CaO)으로 바뀌면서 산화 칼슘(CaO)을 포함하는 제1 자외선 차단층(115)을 형성할 수 있다. 또한, 제1 자외선 차단층(115)은 칼슘을 증착한 후에 자외선을 산소 분위기에서 조사하여 처리함으로써 형성될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 자외선 차단층(115)은 도 1에 도시된 바와 같이 제1 기판층(111)과 제1 배리어층(112) 사이에 배치되거나, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 배리어층(112)과 제2 기판층(113) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우, 기판(SUB)은 제1 기판층(111)과 제2 기판층(113) 사이에 배치되는 하나의 자외선 차단층을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(SUB)은 제2 자외선 차단층(116)을 더 포함할 수 있다. 제2 자외선 차단층(116)은 제1 기판층(111)과 제2 기판층(113) 사이에 배치될 수 있다. 제2 자외선 차단층(116)은 기판(SUB) 내에 형성되어 기판(SUB)의 하부에 조사되는 자외선을 차단할 수 있기 때문에, 기판(SUB) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 커패시터(CAP) 및 표시 소자(DE)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제2 자외선 차단층(116)은 제1 자외선 차단층(115)과 동일한 재질을 가지거나 동일한 두께를 가지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 자외선 차단층(115)과 제2 자외선 차단층(116)은 서로 다른 재질 및 서로 다른 두께를 가져도 무방하다.
제1 자외선 차단층(115)은 제1 기판층(111)과 제1 배리어층(112) 사이에 배치되고, 제2 자외선 차단층(116)은 제1 배리어층(112)과 제2 기판층(113) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우, 기판(SUB)은 제1 기판층(111)과 제2 기판층(113) 사이에 배치되는 두 개의 자외선 차단층들을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 자외선 차단층(115)은 제1 배리어층(112)을 대신하여 제1 기판층(111)과 제2 기판층(113) 사이에 배치될 수 있다. 다시 말해, 기판(SUB)은 제1 배리어층(112)을 포함하지 않고, 제1 배리어층(112) 대신에 제1 자외선 차단층(115)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 자외선 차단층(115)이 제1 배리어층(112)의 역할을 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 자외선 차단층(115)은 전술한 유기물 및 무기물 중에서 산화 칼슘(CaO) 및/또는 플루오린화 리튬(LiF)과 같은 무기물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 자외선 차단층(115)은 자외선을 차단하는 역할 뿐만 아니라 산소 및 수분과 같은 이물질이 표시 장치(100)의 내부로 침투하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
기판(SUB) 상에는 버퍼막(121)이 배치될 수 있다. 버퍼막(121)은 기판(SUB)을 통한 불순물의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼막(121)은 이의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 선택적으로, 버퍼막(121)은 생략될 수도 있다.
버퍼막(121) 상에는 박막 트랜지스터(TFT) 및 커패시터(CAP)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 표시 소자(DE)에 전압 또는 전류를 공급할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 탑 게이트(top-gate) 구조의 박막 트랜지스터를 포함하는 것으로 예시되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 바텀 게이트(bottom-gate) 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 제1 액티브 패턴(122a), 게이트 전극(124a), 소스 전극(128a) 및 드레인 전극(128b)을 포함할 수 있다. 커패시터(CAP)는 박막 트랜지스터(TFT)의 전압을 유지할 수 있다. 커패시터(CAP)는 하부 전극(124b) 및 상부 전극(126)을 포함할 수 있다.
버퍼막(121) 상에는 반도체층(122a, 122b)이 배치될 수 있다. 반도체층(122a, 122b)은 제1 액티브 패턴(122a) 및 제2 액티브 패턴(122b)을 포함할 수 있다. 제1 액티브 패턴(122a)과 제2 액티브 패턴(122b)은 서로 이격할 수 있다. 반도체층(122a, 122b)은 비정질 실리콘, 다결정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 반도체층(122a, 122b)은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
반도체층(122a, 122b) 상에는 제1 절연막(123)이 배치될 수 있다. 제1 절연막(123)은 제1 액티브 패턴(122a)으로부터 게이트 전극(124a)을 절연시키고, 제2 액티브 패턴(122b)으로부터 하부 전극(124b)을 절연시킬 수 있다. 제1 절연막(123)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제1 절연막(123) 상에는 제1 도전층(124a, 124b)이 배치될 수 있다. 제1 도전층(124a, 124b)은 게이트 전극(124a) 및 하부 전극(124b)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(124a)은 제1 액티브 패턴(122a)과 중첩할 수 있다. 하부 전극(124b)은 게이트 전극(124a)과 이격하고, 제2 액티브 패턴(122b)과 중첩할 수 있다. 이 경우, 제2 액티브 패턴(122b) 및 게이트의 역할을 하는 하부 전극(124b)을 포함하는 박막 트랜지스터가 정의될 수 있다. 제1 도전층(124a, 124b)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.
제1 도전층(124a, 124b) 상에는 제2 절연막(125)이 배치될 수 있다. 제2 절연막(125)은 하부 전극(124b)으로부터 상부 전극(126)을 절연시킬 수 있다. 제2 절연막(125)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제2 절연막(125) 상에는 제2 도전층(126)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(126)은 상부 전극(126)을 포함할 수 있다. 상부 전극(126)은 하부 전극(124b)과 중첩할 수 있다. 제2 도전층(126)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 Ti를 포함할 수 있다.
제2 도전층(126) 상에는 제3 절연막(127)이 배치될 수 있다. 제2 절연막(125) 및 제3 절연막(127)은 게이트 전극(124a)으로부터 소스 전극(128a) 및 드레인 전극(128b)을 절연시킬 수 있다. 제3 절연막(127)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제3 절연막(127) 상에는 제3 도전층(128a, 128b)이 배치될 수 있다. 제3 도전층(128a, 128b)은 소스 전극(128a) 및 드레인 전극(128b)을 포함할 수 있다. 소스 전극(128a) 및 드레인 전극(128b)은 제1 액티브 패턴(122a)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(128a) 및 드레인 전극(128b)은 각각 제1 절연막(123), 제2 절연막(125) 및 제3 절연막(127)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 제1 액티브 패턴(122a)과 접촉할 수 있다. 제3 도전층(128a, 128b)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 Ti를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제3 도전층(128a, 128b)은 Mo/Al/Mo 또는 Ti/Al/Ti와 같은 다층막으로 형성될 수 있다.
제3 도전층(128a, 128b) 상에는 평탄화막(129)이 배치될 수 있다. 평탄화막(129)은 이의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 평탄화막(129)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
평탄화막(129) 상에는 표시 소자(DE)가 배치될 수 있다. 표시 소자(DE)는 박막 트랜지스터(TFT)가 공급하는 전압 또는 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 소자(DE)는 유기 발광 소자일 수 있고, 제1 전극(131), 유기 발광층(133) 및 제2 전극(134)을 포함할 수 있다. 그러나 표시 소자(DE)는 이에 한정되지 아니하고, 액정 표시 소자 등과 같은 다양한 표시 소자들이 사용될 수 있다.
평탄화막(129) 상에는 제1 전극(131)이 배치될 수 있다. 제1 전극(131)은 표시 장치(100)의 화소 별로 패터닝될 수 있다. 제1 전극(131)은 드레인 전극(128b)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(131)은 평탄화막(129)에 형성된 접촉 구멍을 통해 드레인 전극(128b)과 접촉할 수 있다. 제1 전극(131)은 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(131)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 등으로 형성되는 반사층 및 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3) 등으로 형성되는 투과층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(131)은 ITO/Ag/ITO와 같은 다층막으로 형성될 수 있다.
평탄화막(129) 상의 제1 전극(131)의 주위에는 화소 정의막(132)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(132)은 제1 전극(131)의 가장자리를 덮어 제1 전극(131)의 중심부를 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 화소 정의막(132)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
제1 전극(131) 상에는 유기 발광층(133)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(133)은 화소 정의막(132)의 상기 개구 내에 배치될 수 있다.
유기 발광층(133)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다. 유기 발광층(133)이 저분자 유기물로 형성되는 경우에, 제1 전극(131)과 유기 발광층(133) 사이에 정공 주입층(hole injection layer: HIL) 및 정공 수송층(hole transport layer: HTL)이 형성되고, 유기 발광층(133) 상에 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL)이 형성될 수 있다. 유기 발광층(133)이 고분자 유기물로 형성되는 경우에 제1 전극(131)과 유기 발광층(133) 사이에 정공 수송층(HTL)이 형성될 수 있다.
유기 발광층(133) 상에는 제2 전극(134)이 배치될 수 있다. 제2 전극(134)은 상기 화소들에 공통으로 제공될 수 있다. 제2 전극(134)은 투과 전극일 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(134)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
도면에는 도시되지 않았으나, 제2 전극(134) 상에는 표시 소자(DE)를 봉지하는 박막 봉지층이 형성될 수 있다. 상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다.
상기 유기층은 고분자로 형성되며, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 다층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
기판(SUB)의 아래에는 보호 필름(140)이 배치될 수 있다. 보호 필름(140)은 외부로부터의 충격을 흡수하여 충격에 의해 표시 장치(100)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 보호 필름(140)은 쿠션, 스펀지 등과 같이 공기를 함유하여 충격을 흡수할 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호 필름(140)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등을 포함할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나 기판(SUB)과 보호 필름(140) 사이에는 점착층이 형성되어 보호 필름(140)이 기판(SUB)에 접착될 수 있다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(SUB)의 아래에 배치되는 센서(151)를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 센서(151)는 보호 필름(140)을 사이에 두고 기판(SUB)의 아래에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 센서(151)는 사용자의 손가락의 지문을 감지하는 지문 인식 센서일 수 있다. 센서(151)는 표시 소자(DE)가 위치하는 표시 영역 내에 위치할 수 있다.
센서(151)는 보호 필름(140)의 하부에 점착층(152)을 통해 부착될 수 있다. 이 경우, 점착층(152)을 경화시키기 위하여 기판(SUB)의 하부에 자외선을 조사할 수 있다. 이러한 자외선이 기판(SUB)을 관통하는 경우에 박막 트랜지스터(TFT), 커패시터(CAP) 및 표시 소자(DE)에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 자외선이 기판(SUB)에 조사되는 경우에 표시 장치(100)에 자외선으로 인한 얼룩이 생성될 수 있다.
전술한 문제점을 해결하기 위하여 본 실시예에 따른 기판(SUB)은 센서(151)와 평면상 중첩하는 자외선 차단층(115)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 자외선 차단층(115)은 적어도 일부가 센서(151)와 중첩하도록 패터닝될 수 있다. 이 경우, 자외선 차단층(115)의 폭은 센서(151)의 폭보다 크거나 실질적으로 같을 수 있다.
보호 필름(140) 하부의 센서(151)가 배치되지 않은 부분에는 쿠션층(153), 엠보싱층(154) 및 차광층(155)이 배치될 수 있다.
쿠션층(153)은 기판(SUB)의 하부에 배치되어 표시 장치(100)의 충격을 완화시킬 수 있다. 쿠션층(153)은 폴리프로필렌(polypropylene: PP), 폴리에틸렌(polyethylene: PE), 폴리우레탄(polyurethane: PU) 등과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 쿠션층(153)이 약 0.5 g/cm3 이상의 밀도를 가질 수 있다면, 어느 하나의 소재에 한정되지 않을 수 있다. 쿠션층(153)은 폼(foam) 형상 또는 젤(gel) 형상일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 쿠션층(153)은 탄성력이 우수한 물질(예를 들면, 고무)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)과 쿠션층(153) 사이에는 엠보싱층(154)이 배치될 수 있다. 엠보싱층(154)은 접착 기능을 가질 수 있다. 엠보싱층(154)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등을 포함할 수 있다.
기판(SUB)과 엠보싱층(154) 사이에는 기판(SUB) 아래에 배치되는 부품 소자들이 상부로 비치는 것을 방지하기 위하여 차광층(155)이 배치될 수 있다. 차광층(155)은 스크린 프린팅법(screen printing) 등을 사용하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등으로 형성될 수 있다.
이하, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치(200)는 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치되는 화소 회로 및 상기 화소 회로 상에 배치되는 표시 소자(DE)를 포함할 수 있다. 상기 화소 회로는 박막 트랜지스터(TFT) 및 커패시터(CAP)를 포함할 수 있다. 표시 장치(200)는 기판(SUB)의 하부에 배치되는 보호 필름(240)을 더 포함할 수 있다.
도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10을 참조하여 설명하는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치(200)에 있어서, 도 1, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 기판(SUB)은 제1 기판층(211), 제1 배리어층(212), 제2 기판층(213) 및 제2 배리어층(214)을 포함할 수 있다.
제1 기판층(211) 및/또는 제2 기판층(213)은 복수의 자외선 차단 입자들 및 내부에 상기 자외선 차단 입자들이 분산되고, 유기물을 포함하며, 모체의 역할을 하는 매트릭스를 포함할 수 있다.
상기 자외선 차단 입자들은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및/또는 살리실레이트(salicylate)계 화합물과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
상기 매트릭스 내에 상기 자외선 차단 입자들을 분산시키는 비율은 제1 및 제2 기판층들(211, 213)의 두께, 상기 자외선 차단 입자들의 흡수 파장대 등에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면 약 0.1 내지 약 20wt%의 상기 자외선 차단 입자들을 상기 매트릭스에 첨가할 수 있다.
상기 매트릭스는 제1 및 제2 기판층들(211, 213)의 막특성을 결정하는 유기물을 포함하고, 예를 들면, 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone: PS) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 기판층들(211, 213)을 형성하는 방법에는 여러 가지가 있을 수 있는데, 증착법(evaporation), 잉크젯 프린팅법(inkjet printing), 스크린 프린팅법(screen printing), 스핀 코팅법(spin coating) 등을 이용하여 상술한 상기 매트릭스 형성용 유기물을 포함하는 제1 모노머(monomer)와 상기 자외선 차단 입자들을 포함하는 제2 모노머가 혼합된 유기막용 형성층을 캐리어 기판 상에 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 자외선 차단 입자들은 상기 매트릭스와 가교결합될 수 있다.
상기 자외선 차단 입자들은 상술한 유기물에 더하여, 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및/또는 에폭시기(epoxy group)를 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 자외선 차단 입자들은 상술한 유기물이 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나의 작용기와 결합된 구조를 가질 수 있다. 이러한 작용기는 상기 매트릭스에 가교결합되어, 제1 및 제2 기판층들(211, 213)에 좀 더 치밀한 막특성을 부여할 수 있다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제1 기판층(211)은 복수의 제1 자외선 차단 입자들(211a) 및 내부에 제1 자외선 차단 입자들(211a)이 분산되고, 유기물을 포함하며, 모체의 역할을 하는 제1 매트릭스(211b)를 포함하고, 제2 기판층(213)은 상기 자외선 차단 입자들을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 제1 기판층(211)은 표시 장치(200)의 하부에 조사되는 자외선을 차단하는 역할을 할 수 있다.
도 7을 참조하면, 다른 실시예에 있어서, 제2 기판층(213)은 복수의 제2 자외선 차단 입자들(213a) 및 내부에 제2 자외선 차단 입자들(213a)이 분산되고, 유기물을 포함하며, 모체의 역할을 하는 제2 매트릭스(213b)를 포함하고, 제1 기판층(211)은 상기 자외선 차단 입자들을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 제2 기판층(213)은 표시 장치(200)의 하부에 조사되는 자외선을 차단하는 역할을 할 수 있다.
도 8을 참조하면, 다른 실시예에 있어서, 제1 기판층(211)은 복수의 제1 자외선 차단 입자들(211a) 및 내부에 제1 자외선 차단 입자들(211a)이 분산되고, 유기물을 포함하며, 모체의 역할을 하는 제1 매트릭스(211b)를 포함하고, 제2 기판층(213)은 복수의 제2 자외선 차단 입자들(213a) 및 내부에 제2 자외선 차단 입자들(213a)이 분산되고, 유기물을 포함하며, 모체의 역할을 하는 제2 매트릭스(213b)를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 기판층들(211, 213)은 표시 장치(200)의 하부에 조사되는 자외선을 차단하는 역할을 할 수 있다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(200)는 기판(SUB)의 아래에 배치되는 센서(251)를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 센서(251)는 보호 필름(240)을 사이에 두고 기판(SUB)의 아래에 배치될 수 있다. 본 실시예에 따른 제1 기판층(211)은 센서(251)와 평면상 중첩하는 제1 자외선 차단 입자들(211a)을 포함할 수 있다. 제1 자외선 차단 입자들(211a)은 제1 매트릭스(211b) 내에 센서(251)와 중첩하도록 분산될 수 있고, 제1 기판층(211)의 센서(251)와 중첩하지 않는 부분에는 제1 자외선 차단 입자들(211a)이 위치하지 않을 수 있다. 예를 들면, 자외선 차단 입자들(211a)이 위치하는 영역의 폭은 센서(251)의 폭보다 크거나 실질적으로 같을 수 있다.
도 10을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(200)의 기판(SUB)은 상술한 실시예들에 따른 표시 장치(200)의 기판(SUB)과 상이하게 제1 기판층(211), 제1 배리어층(212), 제2 기판층(213) 및 제2 배리어층(214)을 포함하지 않을 수 있다. 기판(SUB)은 내부에 복수의 자외선 차단 입자들(SUBa)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판(SUB)은 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone: PS) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 기판(SUB)은 유리, 석영, 세라믹, 금속 등을 포함할 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
100, 200: 표시 장치 111, 211: 제1 기판층
211a: 제1 자외선 차단 입자들 211b: 제1 매트릭스
112, 212: 제1 배리어층 113, 213: 제2 기판층
213a: 제2 자외선 차단 입자들 213b: 제2 매트릭스
114, 214: 제2 배리어층 115: 제1 자외선 차단층
116: 제2 자외선 차단층 140, 240: 보호 필름
151, 251: 센서 SUB: 기판
TFT: 박막 트랜지스터 DE: 표시 소자

Claims (20)

  1. 제1 기판층, 상기 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층, 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 제1 배리어층 및 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 제1 자외선 차단층을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 및
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자외선 차단층은 상기 제1 기판층과 상기 제1 배리어층 사이에 배치되는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1 배리어층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 제2 자외선 차단층을 더 포함하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자외선 차단층은 상기 제1 배리어층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제2 기판층과 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치되는 제2 배리어층을 더 포함하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자외선 차단층은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자외선 차단층은 산화 칼슘(CaO) 및 플루오린화 리튬(LiF) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 표시 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는, 표시 장치.
  9. 제1 기판층, 상기 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층 및 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 자외선 차단층을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자; 및
    상기 기판의 아래에 배치되는 센서를 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 자외선 차단층은 상기 센서와 평면상 중첩하는, 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 센서는 지문 인식 센서인, 표시 장치.
  12. 내부에 복수의 자외선 차단 입자들을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 및
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 포함하는, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판은 제1 기판층, 상기 제1 기판층 상에 배치되는 제2 기판층 및 상기 제1 기판층과 상기 제2 기판층 사이에 배치되는 배리어층을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 제1 기판층의 내부에 위치하는, 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 제2 기판층의 내부에 위치하는, 표시 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 차단 입자들은 하이드록실기(hydroxyl group)를 가지는, 표시 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 차단 입자들은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판은 내부에 상기 복수의 자외선 차단 입자들이 분산되는 매트릭스를 더 포함하고,
    상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 매트릭스와 가교결합하는, 표시 장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 아래에 배치되는 센서를 더 포함하는, 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 차단 입자들은 상기 센서와 평면상 중첩하는, 표시 장치.
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