CN110246867A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110246867A
CN110246867A CN201910172739.3A CN201910172739A CN110246867A CN 110246867 A CN110246867 A CN 110246867A CN 201910172739 A CN201910172739 A CN 201910172739A CN 110246867 A CN110246867 A CN 110246867A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
basal layer
display device
substrate
basal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910172739.3A
Other languages
English (en)
Inventor
王盛民
崔凡洛
梁容豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN110246867A publication Critical patent/CN110246867A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；以及显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管。所述基底包括：第一基底层；第二基底层，所述第二基底层设置在所述第一基底层上；第一屏障层，所述第一屏障层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间；以及第一紫外光阻挡层，所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置，并且更具体地涉及具有紫外光阻挡特性的显示装置。
背景技术
显示装置是生成可被用户观察到的图像的装置。显示装置已经被包含在诸如信息装置的多种多样的电子产品中，所述信息装置例如是智能电话等。在通常使用的各种类型的显示装置之中，有机发光二极管(OLED)显示装置作为具有诸如小外形、轻重量和低功耗的优异特性的显示装置而引人注目。
随着诸如智能电话的信息装置的户外使用增加，显示装置可在较长时间段内暴露于日光。此外，紫外光可在作为制造显示装置的部分的各种工艺中使用。暴露于紫外光可损坏显示装置的各种组件。
发明内容
本发明提供一种显示装置，该显示装置可以阻挡紫外光穿过基底的底部，从而防止损坏显示装置的各种组件。
一种显示装置，包括：基底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；以及显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管。所述基底包括：第一基底层；第二基底层，所述第二基底层设置在所述第一基底层上；第一屏障层，所述第一屏障层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间；以及第一紫外光阻挡层，所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间。
所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第一屏障层之间。
所述基底还包括设置在所述第一屏障层和所述第二基底层之间的第二紫外光阻挡层。
所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一屏障层和所述第二基底层之间。
所述第一紫外光阻挡层包括：苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、氰基丙烯酸酯化合物、三嗪化合物、草酰苯胺化合物和/或水杨酸酯化合物。
所述第一紫外光阻挡层包括氧化钙和/或氟化锂。
一种显示装置，包括：基底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管；以及传感器，所述传感器设置在所述基底下方。所述基底包括：第一基底层；第二基底层，所述第二基底层设置在所述第一基底层上；以及紫外光阻挡层，所述紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间。
所述紫外光阻挡层与所述传感器重叠。
一种显示装置，包括：基底，所述基底具有设置在所述基底中的多个紫外光阻挡颗粒；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；以及显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管。
所述基底还包括第一基底层、设置在所述第一基底层上的第二基底层以及设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间的屏障层，并且其中，所述多个紫外光阻挡颗粒设置在所述第一基底层内。
附图说明
由于当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开变得更好理解，因此将易于获得本公开及其很多随附方面的更完整的理解，在附图中：
图1、图2、图3、图4和图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图；并且
图6、图7、图8、图9和图10是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在描述图中所示的本公开的示例性实施例中，为了清楚的目的，采用了具体术语。然而，本公开并不旨在限于如此选择的具体术语，将理解的是，每个具体元件包括以类似方式操作的所有技术等同物。
下文中，将参照图1、图2、图3、图4和图5来描述根据本公开的示例性实施例的显示装置。
图1、图2、图3、图4和图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图1、图2、图3和图4，根据本公开的示例性实施例的显示装置100可包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路以及设置在像素电路上的显示元件DE。像素电路可包括薄膜晶体管TFT和电容器CAP。显示装置100还可包括设置在基底SUB下方的保护膜140。
基底SUB可包括第一基底层111、第一屏障层112、第二基底层113、第二屏障层114以及第一紫外光阻挡层115。
第一基底层111可包括电绝缘的柔性材料。例如，第一基底层111可包括诸如聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)或聚醚砜(PS)等有机材料。然而，第一基底层111的材料不限于此，并且相对柔性且电绝缘的任何材料均可用作第一基底层111的材料。
第一屏障层112可设置在第一基底层111上。第一屏障层112可包括无机材料。例如，第一屏障层112可包括硅基材料，诸如非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等。第一屏障层112可形成在易受氧和湿气影响的第一基底层111上。因此，第一屏障层112被配置为保护第一基底层111免受损坏，并且被配置为防止诸如氧和湿气的杂质渗入显示装置100的敏感层中。
第二基底层113可设置在第一屏障层112上。第二基底层113可包括电绝缘的柔性材料。第二基底层113可包括与第一基底层111的材料基本上相同的材料，或者可具有与第一基底层111的厚度基本上相同的厚度。然而，本发明不限于此，并且第一基底层111和第二基底层113可包括不同的材料，或者可具有彼此不同的厚度。
第二屏障层114可设置在第二基底层113上。第二屏障层114可包括无机材料。第二屏障层114可包括与第一屏障层112的材料基本上相同的材料，或者可具有与第一屏障层112的厚度基本上相同的厚度。然而，本发明不限于此，并且第一屏障层112和第二屏障层114可包括不同的材料，或者可具有彼此不同的厚度。第二屏障层114可形成在易受氧和湿气影响的第二基底层113上，从而保护第二基底层113免受损坏，并且防止诸如氧和湿气的杂质渗入显示装置100中。
第一紫外光阻挡层115可设置在第一基底层111和第二基底层113之间。
显示装置100可暴露于投射到基底SUB的底部上的紫外光。这里，紫外光可来自日光，或者可以是在制造显示装置100的工艺期间使用的紫外光。例如，可在制造显示装置100的工艺期间使用紫外光以固化形成在基底SUB下方的部件。
投射到基底SUB的底部上的紫外光可不利地影响薄膜晶体管TFT、电容器CAP和/或显示元件DE。第一紫外光阻挡层115可形成在基底SUB中，从而阻挡紫外光穿过基底SUB的底部。因此，可防止设置在基底SUB上方的薄膜晶体管TFT、电容器CAP和显示元件DE的损坏。
第一紫外光阻挡层115可包括吸收紫外光的材料。
在本公开的示例性实施例中，第一紫外光阻挡层115可包括诸如苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、氰基丙烯酸酯化合物、三嗪化合物、草酰苯胺化合物和/或水杨酸酯化合物的有机材料。
苯甲酮化合物的示例例如可包括：2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-2’-二羟基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮、2-羟基-4-辛基二苯甲酮和4-十二烷氧基-2’-羟基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮等。
苯并三唑化合物的示例可包括：2-(5-甲基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二(α,α-二甲基苄基)苯基)-2H-苯并三唑、2-(3,5-二叔丁基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-(3-叔丁基-5-甲基-2-羟基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3,5-二叔丁基-2-羟基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3,5-二叔丁酰基-2-羟基苯基)苯并三唑或2-(2’-羟基-5’-叔辛基苯基)苯并三唑等。
苯甲酸酯化合物的示例可包括：2,4-二叔丁基苯基-3’,5’-二叔丁基-4-羟基苯甲酸酯等。
三嗪化合物的示例可包括：2-[4-[(2-羟基-3-十二烷氧基丙基)氧基]-2-羟基苯基]-4,6-二(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪等。
水杨酸酯化合物的示例可包括：水杨酸苯酯或4-叔丁基苯基水杨酸酯等。
来自上述的紫外光吸收有机材料中的苯甲酮化合物和苯并三唑化合物的化学式在下面示出。
<式1>
在以上式1中，R1可以是氢(H)、烷基或羟基，R2可以是氢(H)、烷基或苯基，R3可以是氢(H)或烷基，并且R4可以是氢(H)或烷氧基。
<式2>
在以上式2中，R5可以是氢(H)或烷基。
在式1和式2中，苯甲酮化合物和苯并三唑化合物中的每个具有羟基(-OH)。第一紫外光阻挡层115例如可包括具有可提供氢键的羟基(-OH)的单体材料。来自外部的紫外光例如可由于激发态分子内质子转移(ESIPT)现象而被吸收。例如，第一紫外光阻挡层115可包括具有原子的化合物，所述原子与羟基(-OH)相邻并且具有非共价电子对，所述原子诸如是氧(O)原子或氮(N)原子，其中，氢键可在羟基(-OH)和具有非共价电子对的原子之间产生。第一紫外光阻挡层115中的通过吸收紫外光激发的化合物可经受其中质子在激发的分子中移动的光互变异构反应，因此氢(H)原子可从羟基(-OH)释放以形成稳定的酮式分子。因此，可释放热。因此，入射到第一紫外光阻挡层115上的紫外光可转化为热能并且辐射到外部，这可减小或防止紫外光透射到显示装置100中。
根据本公开的示例性实施例，第一紫外光阻挡层115可包括诸如氧化钙(CaO)和/或氟化锂(LiF)的无机材料。例如，当在沉积钙之后在钙上供应氧时，其上沉积有钙的层可与氧反应以变成氧化钙(CaO)，并且包括氧化钙(CaO)的第一紫外光阻挡层115可被形成。可替代地，第一紫外光阻挡层115可通过在氧气环境中将所沉积的钙暴露于紫外光而形成。
在本公开的示例性实施例中，第一紫外光阻挡层115可如图1中所示地设置在第一基底层111和第一屏障层112之间，或者可如图2中所示地设置在第一屏障层112和第二基底层113之间。基底SUB可包括设置在第一基底层111和第二基底层113之间的单个紫外光阻挡层。
在本公开的示例性实施例中，基底SUB还可如图3中所示地包括第二紫外光阻挡层116。第二紫外光阻挡层116可设置在第一基底层111和第二基底层113之间。第二紫外光阻挡层116可形成在基底SUB中，从而阻挡投射到基底SUB的底部上紫外光。因此，可防止设置在基底SUB上方的薄膜晶体管TFT、电容器CAP和显示元件DE的损坏。
第二紫外光阻挡层116可包括与第一紫外光阻挡层115的材料基本上相同的材料，或者可具有与第一紫外光阻挡层115的厚度基本上相同的厚度。然而，本发明不限于此，第一紫外光阻挡层115和第二紫外光阻挡层116可包括不同的材料，或者可具有彼此不同的厚度。
第一紫外光阻挡层115可设置在第一基底层111和第一屏障层112之间，并且第二紫外光阻挡层116可设置在第一屏障层112和第二基底层113之间。基底SUB可包括设置在第一基底层111和第二基底层113之间的两个紫外光阻挡层。
在本公开的示例性实施例中，如图4中所示，第一紫外光阻挡层115可设置在第一基底层111和第二基底层113之间，而不是设置在第一基底层111和第一屏障层112之间。例如，基底SUB可不包括第一屏障层112，反而可包括第一紫外光阻挡层115。第一紫外光阻挡层115可用作第一屏障层112。
第一紫外光阻挡层115可包括在前述的有机材料和无机材料之中的诸如氧化钙(CaO)和/或氟化锂(LiF)的无机材料。因此，第一紫外光阻挡层115可阻挡紫外光，并且可防止诸如氧和湿气的杂质渗入显示装置100中。
缓冲层121可设置在基底SUB上。缓冲层121可防止杂质渗透穿过基底SUB。此外，缓冲层121可平坦化基底SUB的表面。可替代地，可省略缓冲层121。
薄膜晶体管TFT和电容器CAP可设置在缓冲层121上。薄膜晶体管TFT可将电压或电流提供到显示元件DE。显示装置100可包括具有顶栅结构的薄膜晶体管，然而，本发明不限于此。显示装置100可包括具有底栅结构的薄膜晶体管。薄膜晶体管TFT可包括第一有源图案122a、栅电极124a、源电极128a和漏电极128b。电容器CAP可保持薄膜晶体管TFT的电压。电容器CAP可包括下电极124b和上电极126。
半导体层可设置在缓冲层121上。半导体层可包括第一有源图案122a和第二有源图案122b。第一有源图案122a和第二有源图案122b可彼此间隔开。半导体层可包括非晶硅或多晶硅等。可替代地，半导体层可包括氧化物半导体。
第一绝缘层123可设置在半导体层上。第一绝缘层123可将栅电极124a与第一有源图案122a绝缘，并且可将下电极124b与第二有源图案122b绝缘。第一绝缘层123可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等。
第一导电层可设置在第一绝缘层123上。第一导电层可包括栅电极124a和下电极124b。栅电极124a可与第一有源图案122a至少部分地重叠。下电极124b可与栅电极124a间隔开，并且可与第二有源图案122b至少部分地重叠。包括第二有源图案122b和用作栅电极的下电极124b的薄膜晶体管可被限定。第一导电层可包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)和/或钛(Ti)。
第二绝缘层125可设置在第一导电层上。第二绝缘层125可将上电极126与下电极124b绝缘。第二绝缘层125可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等。
第二导电层可设置在第二绝缘层125上。第二导电层可包括上电极126。上电极126可与下电极124b至少部分地重叠。第二导电层可包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo和/或Ti。
第三绝缘层127可设置在第二导电层上。第二绝缘层125和第三绝缘层127可共同将源电极128a和漏电极128b两者与栅电极124a绝缘。第三绝缘层127可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等。
第三导电层可设置在第三绝缘层127上。第三导电层可包括源电极128a和漏电极128b。源电极128a和漏电极128b可与第一有源图案122a接触。例如，源电极128a和漏电极128b可通过形成在第一绝缘层123、第二绝缘层125和第三绝缘层127中的各自的接触孔与第一有源图案122a接触。第三导电层可包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo和/或Ti。例如，第三导电层可形成为诸如Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层129可设置在第三导电层上。平坦化层129可在第三导电层上方提供平坦的表面。平坦化层129可包括诸如光致抗蚀剂、基于聚丙烯酸酯的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于丙烯酸的树脂或环氧基树脂等有机材料。
显示元件DE可设置在平坦化层129上。显示元件DE可配置为基于从薄膜晶体管TFT供应的电压或电流而发光。在本公开的示例性实施例中，显示元件DE可以是有机发光元件，并且可包括第一电极131、有机发光层133和第二电极134。然而，显示元件DE不限于此，并且诸如液晶显示元件等各种显示元件可用作显示元件DE。
第一电极131可设置在平坦化层129上。可针对显示装置100的每个像素将第一电极131图案化。第一电极131可与漏电极128b接触。例如，第一电极131可通过形成在平坦化层129中的接触孔与漏电极128b接触。第一电极131可以是反射电极。第一电极131可包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)或铬(Cr)等形成的反射层以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等形成的透射层。例如，第一电极131可形成为诸如ITO/Ag/ITO的多层结构。
在平坦化层129上可围绕第一电极131设置像素限定层132。像素限定层132可覆盖第一电极131的边缘，并且可包括暴露第一电极131的中央的开口。像素限定层132可包括诸如光致抗蚀剂、基于聚丙烯酸酯的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于丙烯酸的树脂或环氧基树脂等有机材料。
有机发光层133可设置在第一电极131上。有机发光层133可设置在像素限定层132的开口中。
有机发光层133可由低分子有机材料或高分子有机材料形成。当有机发光层133由低分子有机材料形成时，在第一电极131和有机发光层133之间可形成有空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)，并且在有机发光层133上可形成有电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。当有机发光层133由高分子有机材料形成时，HTL可形成在第一电极131和有机发光层133之间。
第二电极134可设置在有机发光层133上。第二电极134可被共用地提供到多个像素。第二电极134可以是透射电极。例如，第二电极134可由金属、金属合金、金属氮化物、透明金属氧化物或透明导电材料等形成。
在第二电极134上可形成有封装显示元件DE的薄膜封装层。薄膜封装层可包括至少一个有机层和至少一个无机层。
有机层可包括聚合物，并且可以是例如包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯以及聚丙烯酸酯之一的单层或堆叠层。在实施例中，有机层可包括聚丙烯酸酯。具体来说，有机层可包括聚合的单体组合物，所述聚合的单体组合物包括基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体。单体组合物还可包括基于单丙烯酸酯的单体。此外，单体组合物还可包括公知的光引发剂，诸如，三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(“TPO”)，然而，本发明不限于此。
无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。在实施例中，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种。
保护膜140可设置在基底SUB下方。保护膜140可吸收来自外部的冲击，从而防止显示装置100被冲击损坏。保护膜140可由诸如垫或海绵等包含空气的材料形成以吸收冲击。例如，保护膜140可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。粘合层可形成在基底SUB和保护膜140之间并且可将保护膜140附着到基底SUB。
参照图5，根据本公开的实施例的显示装置100还可包括设置在基底SUB下方的传感器151。例如，传感器151可设置在基底SUB下方，使得保护膜140设置在传感器151和基底SUB之间。
在本公开的示例性实施例中，传感器151可以是配置为感测用户的指纹的指纹识别传感器。传感器151可设置在其上置有显示元件DE的显示区域中。
传感器151可经由粘合层152附着到保护膜140的底部。可将紫外光投射到基底SUB的底部以硬化粘合层152。如果紫外光穿过基底SUB，则可不利地影响薄膜晶体管TFT、电容器CAP或显示元件DE。此外，当将紫外光投射到基底SUB上时，可由于紫外光而在显示装置100上产生色斑。
为解决前述问题，基底SUB可包括在平面图中与传感器151至少部分地重叠的紫外光阻挡层115。在本公开的示例性实施例中，可将紫外光阻挡层115图案化使得紫外光阻挡层115的至少一部分与传感器151重叠。紫外光阻挡层115的宽度可大于传感器151的宽度或者与传感器151的宽度基本上相同。
垫层153、压印层(embossing layer)154和遮光层155可设置在保护膜140的底部的其上未设有传感器151的部分上。
垫层153可设置在基底SUB下方，并且可减小可以以其他方式施加到显示装置100的冲击。垫层153可包括诸如聚丙烯(PP)或聚乙烯(PE)的聚合物。在本公开的示例性实施例中，垫层153可包括具有约0.5g/cm3或更大的密度的任何材料。垫层153可形成为泡沫或凝胶。在本公开的示例性实施例中，垫层153可包括例如橡胶的具有高弹力的材料。
压印层154可设置在基底SUB和垫层153之间。压印层154可以是粘性的。压印层154可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。
遮光层155可配置为防止设置在基底SUB下方的元件被观察到。遮光层155可设置在基底SUB和压印层154之间。遮光层155可通过丝网印刷工艺等由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等形成。
下文中，将参照图6、图7、图8、图9和图10来描述根据本公开的一些示例性实施例的显示装置。
图6、图7、图8、图9和图10是示出根据本公开的一些示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图6、图7、图8、图9和图10，根据本公开的一些示例性实施例的显示装置200可包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路以及设置在像素电路上的显示元件DE。像素电路可包括薄膜晶体管TFT和电容器CAP。显示装置200还可包括设置在基底SUB下方的保护膜240。
在参照图6、图7、图8、图9和图10来描述显示装置200的各种元件中，一些元件可与参照图1、图2、图3、图4和图5描述的显示装置100的对应元件基本上相同或者类似。就省略了元件的详细描述而言，可假设这些元件至少类似于已经被描述过的对应元件。
参照图6、图7和图8，基底SUB可包括第一基底层211、第一屏障层212、第二基底层213以及第二屏障层214。
第一基底层211和/或第二基底层213可包括包含有机材料的基质和分散在基质内的多个紫外光阻挡颗粒。
紫外光阻挡颗粒可包括诸如苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、氰基丙烯酸酯化合物、三嗪化合物、草酰苯胺化合物和/或水杨酸酯化合物的有机材料。
基质中的紫外光阻挡颗粒的量例如可根据第一基底层211和/或第二基底层213的厚度或紫外光阻挡颗粒的吸收波长范围等而改变。例如，可将紫外光阻挡颗粒包括在约0.1wt％至约20wt％的量内。
基质可包括有机材料，第一基底层211和/或第二基底层213的薄膜特性基于所述有机材料，并且基质例如可包括诸如聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)或聚醚砜(PS)等有机材料。
可使用各种方法以形成第一基底层211和/或第二基底层213。例如，可通过使用诸如蒸镀、喷墨印刷、丝网印刷或旋涂的方法将有机膜形成层安置在载体基底上，所述有机膜形成层包括例如包括用于形成基质的有机材料的第一单体和包括紫外光阻挡颗粒的第二单体的混合物。
在本公开的示例性实施例中，紫外光阻挡颗粒可在基质内交联。
紫外光阻挡颗粒例如可包括丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团和/或环氧基团，并且可具有一结构，在该结构中，材料或化合物与丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团和环氧基团之中的至少一个官能团偶联。官能团可在基质内交联，这可为第一基底层211和/或第二基底层213提供更稠密的薄膜特性。
参照图6，在本公开的示例性实施例中，第一基底层211可包括包含有机材料的第一基质211b和分散在第一基质211b中的多个第一紫外光阻挡颗粒211a，并且第二基底层213可不包括紫外光阻挡颗粒。第一基底层211可阻挡投射到显示装置200的底部的紫外光。
参照图7，在另一实施例中，第二基底层213可包括包含有机材料的第二基质213b和分散在第二基质213b中的多个第二紫外光阻挡颗粒213a，并且第一基底层211可不包括紫外光阻挡颗粒。第二基底层213可阻挡投射到显示装置200的底部的紫外光。
参照图8，根据本公开的示例性实施例，第一基底层211可包括包含有机材料的第一基质211b和分散在第一基质211b中的多个第一紫外光阻挡颗粒211a，并且第二基底层213可包括包含有机材料的第二基质213b和分散在第二基质213b中的多个第二紫外光阻挡颗粒213a。第一基底层211和第二基底层213可阻挡投射到显示装置200的底部的紫外光。
参照图9，根据本公开的示例性实施例的显示装置200还可包括设置在基底SUB下方的传感器251。例如，传感器251可设置在基底SUB下方，使得保护膜240设置在传感器251和基底SUB之间。第一基底层211可包括在平面图中与传感器251重叠的第一紫外光阻挡颗粒211a。可将第一紫外光阻挡颗粒211a分散在第一基质211b内以与传感器251重叠，并且第一紫外光阻挡颗粒211a可不位于第一基底层211的不与传感器251重叠的部分中。例如，其中第一紫外光阻挡颗粒211a所位于的区域的宽度可大于传感器251的宽度或者可与传感器251的宽度基本上相同。
参照图10，不同于上述显示装置200的基底SUB，根据本公开的示例性实施例的显示装置200的基底SUB可不包括第一基底层211、第一屏障层212、第二基底层213以及第二屏障层214。基底SUB可包括分散在其中的多个紫外光阻挡颗粒SUBa。
在本公开的示例性实施例中，基底SUB可包括诸如聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)或聚醚砜(PS)等有机材料。在本公开的示例性实施例中，基底SUB可包括玻璃、石英、陶瓷或金属等。
根据本公开的示例性实施例的显示装置可适用于包括在计算机、笔记本电脑、移动电话、智能电话、智能平板电脑、PMP、PDA或MP3播放器等中的显示装置。
虽然已经参照附图描述了根据本发明的示例性实施例的显示装置，但是示出的实施例是例子，并且可在不脱离本公开的技术精神的情况下由相关技术领域中的具有普通知识的人员修改和改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；和
显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管，
其中，所述基底包括：
第一基底层；
第二基底层，所述第二基底层设置在所述第一基底层上；
第一屏障层，所述第一屏障层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间；以及
第一紫外光阻挡层，所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第一屏障层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述基底还包括设置在所述第一屏障层和所述第二基底层之间的第二紫外光阻挡层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一紫外光阻挡层设置在所述第一屏障层和所述第二基底层之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一紫外光阻挡层包括：苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、氰基丙烯酸酯化合物、三嗪化合物、草酰苯胺化合物和/或水杨酸酯化合物。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一紫外光阻挡层包括氧化钙和/或氟化锂。
7.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；
显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管；以及
传感器，所述传感器设置在所述基底下方，
其中，所述基底包括：
第一基底层；
第二基底层，所述第二基底层设置在所述第一基底层上；以及
紫外光阻挡层，所述紫外光阻挡层设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述紫外光阻挡层与所述传感器重叠。
9.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，所述基底包括设置在所述基底中的多个紫外光阻挡颗粒；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基底上；以及
显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述基底还包括第一基底层、设置在所述第一基底层上的第二基底层以及设置在所述第一基底层和所述第二基底层之间的屏障层，并且
其中，所述多个紫外光阻挡颗粒设置在所述第一基底层内。
CN201910172739.3A 2018-03-08 2019-03-07 显示装置 Pending CN110246867A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0027537 2018-03-08
KR1020180027537A KR102504565B1 (ko) 2018-03-08 2018-03-08 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110246867A true CN110246867A (zh) 2019-09-17

Family

ID=67842077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910172739.3A Pending CN110246867A (zh) 2018-03-08 2019-03-07 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11335866B2 (zh)
KR (1) KR102504565B1 (zh)
CN (1) CN110246867A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110828485A (zh) * 2019-11-19 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111933675A (zh) * 2020-08-18 2020-11-13 维沃移动通信有限公司 显示模组和电子设备以及显示模组制备方法
WO2021120172A1 (zh) * 2019-12-20 2021-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN113421886A (zh) * 2021-06-02 2021-09-21 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102504565B1 (ko) * 2018-03-08 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11088078B2 (en) * 2019-05-22 2021-08-10 Nanya Technology Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20220014454A (ko) * 2020-07-28 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치용 광 흡수제
KR20230167771A (ko) * 2022-06-02 2023-12-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038857A (zh) * 2006-03-03 2007-09-19 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR20160024061A (ko) * 2014-08-22 2016-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 표시장치
US20160093833A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device comprising polarizing layer
CN107004130A (zh) * 2015-06-18 2017-08-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 用于屏幕上指纹感应的屏幕下光学传感器模块
US20170336831A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Apple Inc. Electronic Devices With Flexible Displays

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6025894A (en) * 1996-09-04 2000-02-15 Casio Computer Co., Ltd. Scatter control member for organic electroluminescent light source for passing light with or without scattering depending upon an incident angle
JP4098747B2 (ja) * 2003-05-28 2008-06-11 三星エスディアイ株式会社 両面発光型表示装置
KR100719706B1 (ko) * 2005-09-13 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 유기 발광표시장치
KR100860278B1 (ko) 2007-06-04 2008-09-25 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 소자
US8352279B2 (en) 2008-09-06 2013-01-08 Huawei Technologies Co., Ltd. Efficient temporal envelope coding approach by prediction between low band signal and high band signal
KR20110110590A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120060407A (ko) * 2010-12-02 2012-06-12 삼성전자주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 터치 표시 장치
US8350275B2 (en) 2011-04-01 2013-01-08 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Optoelectronic devices and coatings therefore
KR20130017312A (ko) 2011-08-10 2013-02-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20130061206A (ko) * 2011-12-01 2013-06-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102080007B1 (ko) * 2012-05-25 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 광투과율 제어가 가능한 표시장치
KR102180037B1 (ko) 2013-11-06 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102400022B1 (ko) * 2015-12-30 2022-05-19 엘지디스플레이 주식회사 측부 구부림 구조를 갖는 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치
EP3254235B1 (en) * 2016-01-31 2023-07-12 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Under-screen optical sensor module for on-screen fingerprint sensing
KR102322016B1 (ko) 2016-06-01 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102577001B1 (ko) * 2016-08-11 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조방법, 및 플렉서블 기판을 포함하는 디스플레이 장치
KR102608416B1 (ko) * 2016-09-06 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108229241A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 上海箩箕技术有限公司 显示模组及其使用方法
KR102549995B1 (ko) * 2017-05-05 2023-06-29 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 중합체 필름 및 그러한 필름을 포함하는 디스플레이 디바이스
KR102349279B1 (ko) * 2017-09-08 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102470375B1 (ko) * 2017-10-31 2022-11-23 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102504565B1 (ko) * 2018-03-08 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200058039A (ko) * 2018-11-19 2020-05-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038857A (zh) * 2006-03-03 2007-09-19 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR20160024061A (ko) * 2014-08-22 2016-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 표시장치
US20160093833A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device comprising polarizing layer
CN107004130A (zh) * 2015-06-18 2017-08-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 用于屏幕上指纹感应的屏幕下光学传感器模块
US20170336831A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Apple Inc. Electronic Devices With Flexible Displays

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110828485A (zh) * 2019-11-19 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021120172A1 (zh) * 2019-12-20 2021-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN111933675A (zh) * 2020-08-18 2020-11-13 维沃移动通信有限公司 显示模组和电子设备以及显示模组制备方法
CN111933675B (zh) * 2020-08-18 2023-07-11 维沃移动通信有限公司 显示模组和电子设备以及显示模组制备方法
CN113421886A (zh) * 2021-06-02 2021-09-21 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102504565B1 (ko) 2023-03-02
US11335866B2 (en) 2022-05-17
US20220216435A1 (en) 2022-07-07
US20190280224A1 (en) 2019-09-12
KR20190107241A (ko) 2019-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110246867A (zh) 显示装置
CN104205400B (zh) 用于有机电子器件的基板
US10971563B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
CN100505372C (zh) 电光装置、其制造方法以及电子设备
TW569166B (en) Organic light emitting element and display device using organic light emitting element
KR101563232B1 (ko) 발광소자, 발광장치, 발광장치 제조방법 및 시트 형상시일재
CN207381403U (zh) 显示基板、显示面板
KR101591334B1 (ko) 터치패널 타입 유기전계발광소자
US8063553B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
CN104377224B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR102426624B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107452752A (zh) 显示装置及其制造方法
KR101353434B1 (ko) 유기전자소자용 기판
TW200509748A (en) Organic electroluminescence device
KR20200137852A (ko) 유기발광 디스플레이 장치
JP2004047298A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた画像形成装置、携帯端末、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100793546B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
CN105474425A (zh) 有机发光器件及其制备方法
JP2007095326A (ja) 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2004103334A (ja) 有機ｅｌ装置および電子機器
KR100930915B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN108336245A (zh) 可挠性电子装置及其制作方法
TW201203647A (en) Light-emitting device
KR20120106476A (ko) 적외선 광정류기가 포함된 양자점 소자 제조 방법
KR100685812B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination