KR20200137852A - 유기발광 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20200137852A
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신주환
김도형
강민주
길성수
오민호
최태진
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 출원은 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것으로, 본 출원의 일 예에 따른 디스플레이 장치는 기판, 기판 상부에 마련되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상부에 마련된 평탄화막, 평탄화막 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광소자, 발광소자를 커버하는 봉지층, 및 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고, 봉지기판은 제1 부재를 포함하는 제1 부분 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분을 포함할 수 있다.

Description

유기발광 디스플레이 장치{ORGANINC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}
본 출원은 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 열의 방출 특성이 뛰어나고, 수소에 의해 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 변화하는 문제를 최소화할 수 있는 봉지기판을 포함하는 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 유기발광 디스플레이 장치는 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 스마트 폰, 테블릿 컴퓨터, 전자 패드, 웨어러블 기기, 워치 폰, 휴대용 정보 기기, 네비게이션, 또는 차량 제어 디스플레이 기기 등의 전자 제품 또는 가전 제품에 탑재되어 영상을 표시하는 화면으로 사용된다.
일반적인 유기발광 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터와 발광소자를 포함할 수 있고, 이를 구동하기 위한 구동 회로를 포함할 수 있다. 여기서, 박막 트랜지스터는 실리콘 박막 트랜지스터 또는 산화물 박막 트랜지스터일 수 있다.
그러나, 일반적인 유기발광 디스플레이 장치는 영상을 구현하는 동작에서 박막 트랜지스터와 발광소자에서 발생하는 열에 의해 유기발광 디스플레이 장치의 열화가 발생하는 문제점이 있고, 또는 유기발광 디스플레이 장치 제조 공정 중에 발생하는 수소에 의해 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 변화하는 문제점이 있다.
본 출원의 발명자들은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 대한 방열 특성에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 신뢰성 문제점과 공정 자동화에 대한 요구사항을 인식하고, 유기발광 디스플레이 장치의 봉지기판에 높은 방열 특성을 갖는 물질 및 자성 특성을 갖는 물질을 포함하여, 방열 특성이 향상되고, 공정 자동화가 수월한 구조의 유기발광 디스플레이 장치를 발명하였다.
또한, 본 출원의 발명자들은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 대한 수소 흡수에 의해 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 설정된 값에서 변화되는 문제점들을 인식하고, 수소 흡수 능력이 있는 물질을 포함하는 봉지기판을 사용함으로써 수소 흡수 특성이 향상되고, 구동 신뢰성이 향상된 박막 트랜지스터 및 유기발광 디스플레이 장치를 발명하였다.
본 출원의 일 예에 따른 해결하고자 하는 과제는 방열 특성이 향상된 유기발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 출원의 다른 예에 따른 해결하고자 하는 과제는 수소 흡수 특성이 향상된 유기발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 출원의 다른 예에 따른 해결하고자 하는 과제는 방열 특성 및 수소 흡수 특성이 향상되고, 공정 자동화가 용이한 유기발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 출원의 일 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판, 기판 상부에 마련되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상부에 마련된 평탄화막, 평탄화막 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광소자, 발광소자를 커버하는 봉지층, 및 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고, 봉지기판은 제1 부재를 포함하는 제1 부분 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판, 기판 상부에 마련되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상부에 마련된 평탄화막, 평탄화막 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광소자, 발광소자를 커버하는 봉지층, 및 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고, 봉지기판은 제1 부재를 포함하는 제1 부분 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판, 기판 상부에 마련되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상부에 마련된 평탄화막, 평탄화막 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광소자, 발광소자를 커버하는 봉지층, 및 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고, 봉지기판은 제2 부재를 포함하는 제2 부분 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분을 포함하고, 제2 부재는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페라이트(Fe3O4) 및 나이오븀(Nb) 중 적어도 하나를 포함하고, 제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 출원의 일 예에 따르면, 방열 특성이 개선되고, 공정 자동화가 용이한 유기발광 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따르면, 유기발광 디스플레이 장치 공정 중 발생하는 수소를 흡수함으로써, 전기적 특성이 안정화된 유기발광 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 출원의 일 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 유기발광 디스플레이 장치를 상세하게 나타낸 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 봉지기판의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 일 예에 따른 봉지기판의 제1 부분 및 제2 부분의 다양한 패턴을 도시한 것이다.
도 5는 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5의 유기발광 디스플레이 장치에서 수소가 확산하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 12 내지 도 15는 봉지기판의 재질에 따른 방열 실험 결과를 나타낸 도면이다.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 출원에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 본 출원에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 그리고, 첨부된 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.
도 1은 본 출원에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 출원에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 화소 어레이층(200), 봉지층(300), 봉지기판(400), 및 백커버(500)를 포함할 수 있고, 봉지층(300)은 제1 부분(410) 및 제2 부분(420)을 포함할 수 있으며, 봉지기판(400) 및 백커버(500)은 접착 부재(510)를 매개로 하여 부착될 수 있다.
기판(100)은 베이스 기판으로서, 글래스(Glass) 기판 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판일 수 있다.
화소 어레이층(200)은 기판(100) 상에 마련되어 영상을 표시하는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 복수의 화소들 각각은 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인 및 복수의 화소 구동 전원 라인에 의해 정의되는 화소 영역에 마련된다. 복수의 화소 각각은 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역으로서, 서브화소로 정의될 수 있다. 인접한 적어도 3개의 화소는 컬러 표시를 위한 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 예를 들어, 하나의 단위 화소는 인접한 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함하며, 휘도 향상을 위해 백색 화소를 더 포함할 수도 있다. 화소 어레이층(200)의 상세 구조에 대해서는 도 2를 참조하여 후술하기로 한다.
봉지층(300)은 각 화소 또는 화소 어레이층(200)으로의 수분 침투를 방지할 수 있고, 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광소자를 보호하기 위하여, 화소 어레이층(200)을 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 봉지층(300)은 후술되는 발광소자의 제2 전극을 덮도록 제2 전극 상에 마련될 수 있다. 본 출원의 일 예에 따른 봉지층(300)은 무기 물질층 또는 유기 물질층로 형성되거나 무기 물질층과 유기 물질층이 교대로 적층된 복층 구조로 형성될 수 있다.
봉지기판(400)은 화소 어레이층(200) 및 봉지층(300)을 외부 수분, 공기 등으로부터 차단하기 위해서 봉지층(300) 상부에 배치될 수 있다. 일 예에 따른 봉지기판(400)은 제1 물질을 포함하는 제1 부분(410), 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)을 포함할 수 있다. 봉지기판(400)의 상세 구조에 대해서는 도 2를 참조하여 후술하기로 한다.
백커버(500)는 기판(100), 화소 어레이층(200), 봉지층(300), 및 봉지기판(400)의 유기발광 디스플레이 표면을 제외한 노출된 표면을 커버하도록 배치될 수 있다. 일 예에 따른 봉지기판(400) 및 백커버(500)는 접착 부재(510)를 매개로 하여 서로 결합될 수 있다.
도 2는 본 출원에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 출원에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터(210) 및 발광소자(250)를 포함하는 화소 어레이층(200), 화소 어레이층(200)을 커버하는 봉지층(300), 및 봉지층(300) 상부에 마련된 봉지기판(400)을 포함하고, 봉지기판(400)은 제1 부재를 포함하는 제1 부분(410) 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)을 포함할 수 있다.
화소 어레이층(200)은 박막 트랜지스터(210), 층간 절연막(220), 보호막(230), 평탄막(240), 발광소자(250), 및 뱅크(260)를 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(210)는 기판(100) 상의 복수의 화소 영역 각각에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 트랜지스터(210)는 액티브층(211), 게이트 전극(213), 소스 전극(214), 및 드레인 전극(215)을 포함할 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터(210)는 게이트 전극(213) 및 액티브층(211) 사이에 마련된 절연막(212)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 트랜지스터(210)는 탑 게이트, 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터(210)일 수 있다. 후술되는 설명에서는 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터(210) 구조에 대해서 설명하였으나, 본 출원이 이에 제한되는 것은 아니다.
일 예에 따르면, 일 예에 따르면 액티브층(211)은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 산화물 반도체는 비정질 실리콘보다 전자 이동속도가 10배 이상 빨라서, 고해상도 및 고속구동을 구현하기에 유리할 수 있다. 이때, 액티브층(211)으로 사용되는 물질의 종류에는 제한이 없다. 예를 들어 Zn 산화물계 물질로, Zn 산화물, In-Zn 산화물, Ga-In-Zn 산화물 등과 여기에 유기물 등 다른 물질을 더 포함한 물질로 형성된 것일 수 있다. 액티브층(211)은 더욱 상세하게는 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역으로 구분될 수 있고, 게이트 전극(213), 소스 전극(214) 및 드레인 전극(215)에 인가된 전압에 따라 박막 트랜지스터(210)가 온/오프(on/off)될 수 있고, 인가되는 전류가 변화할 수 있다.
층간 절연막(220)은 게이트 전극(213) 상에 마련될 수 있다. 층간 절연막(220)은 박막 트랜지스터(210)를 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 층간 절연막(220)은 액티브층(211)과 소스 전극(214) 또는 드레인 전극(215)을 접촉시키기 위하여 해당 영역이 제거될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(220)은 소스 전극(214)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(215)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 층간 절연막(220)은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(SiN)을 포함할 수 있고, 또는 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질화막(SiN)을 포함하는 복수층으로 구성될 수 있다.
보호막(230)은 층간 절연막(220), 소스 전극(214) 및 드레인 전극(215) 상에 마련될 수 있다. 보호막(230)은 소스 전극(214) 및 드레인 전극(215)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 보호막(230)은 제1 전극(251)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 보호막(230)의 컨택홀은 제1 전극(251)을 관통시키기 위하여 평탄화막(240)의 컨택홀과 연결될 수 있다. 또한, 보호막(230)은 일 예에 따르면, 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(SiN)을 포함할 수 있다.
평탄화막(240)은 제1 기판(100) 상에 배치되고, 복수의 화소 영역 각각에 배치된 박막 트랜지스터(210)를 덮을 수 있다. 구체적으로, 평탄화막(240)은 박막 트랜지스터(210) 상에 마련되어, 박막 트랜지스터(210)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(240)은 제1 전극(251)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 평탄화막(240)의 컨택홀은 제1 전극(251)을 관통시키기 위하여 보호막(230)의 컨택홀과 연결될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(240)은 도포 시에 평탄화 성질을 갖는 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다.
발광소자(250)는 복수의 화소 영역의 평탄화막(240) 상에 배치되고, 박막 트랜지스터(210)와 전기적으로 연결될 수 있다. 발광소자(250)는 제1 전극(251), 발광층(252), 및 제2 전극(253)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 발광소자(250)는 유기발광소자일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이하의 설명에서는, 하부 발광 방식으로 설명하였으나, 본 출원이 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예에 따르면, 본 출원의 일 예에 따르는 유기발광 디스플레이 장치는 상부 발광 방식, 하부 발광 방식 또는 양방향 발광 방식일 수 있다.
제1 전극(251)은 복수의 화소 영역의 평탄화막(240) 상에 마련되고, 박막 트랜지스터(210)의 드레인 전극(215)과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 전극(251)은 투과율 20% 내지 80%을 갖는 금속물질 기반으로 준비될 수 있고, 일 예에 따르면 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 반투과성 금속 전극일 수 있으며, 투과율을 만족하기 위해 소정의 두께로 조절되어 형성될 수 있으며, 예를 들어 100nm 미만의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 제1 전극(251)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)과 같은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어진 투명 전극을 더 포함할 수 있다.
발광층(252)은 제1 전극(251) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 발광층(252)은 유기발광층일 수 있고, 정공 수송층(Hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(Electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 발광층(252)은 발광층의 발광 효율 및 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층을 더 포함할 수 있다.
제2 전극(253)은 발광층(252) 상에 마련될 수 있다. 일 예에 따르면, 반사성 전극과 투명 전극의 이중층으로 구성될 수 있고, 반사성 전극의 상부에 투명 전극이 배치되는 형태로 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 반사성 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 플래티늄(Pt) 및 구리(Cu)중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있고, 투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)과 같은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어질 수 있다. 또는, 제2 전극(253)은 전술한 반사성 전극의 단일층으로도 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(253)이 단일층의 반사성 전극이 사용되는 경우 알루미늄(Al), 은(Ag), 플래티늄(Pt) 및 구리(Cu)중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다
뱅크(260)는 평탄화막(240) 상에 배치되어 복수의 제1 전극(251)을 구획할 수 있다. 구체적으로, 뱅크(260)는 복수의 제1 전극(251) 각각을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 또한, 뱅크(260)는 제1 전극(251)의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
봉지층(300)은 화소 어레이층(200) 전면을 덮을 수 있다. 봉지층(300)은 고분자 접착물질 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 봉지층(300)은 실리콘 수지, 에폭시 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 봉지층(300)은 페이스실 접착층(face-seal adhesive, FSA)으로 지칭될 수 있다. 봉지층(300)은 외부에서 유입될 수 있는 수분 등의 침투를 막아 발광소자(250)의 발광층의 열화를 방지할 수 있다. 또는, 일 예에 따르면, 봉지층(300)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막의 조합으로 이루어질 수 있다.
봉지기판(400)은 앞서 설명한 바와 같이, 화소 어레이층(200) 및 봉지층(300)을 외부 수분, 공기 등으로부터 차단하기 위해서 봉지층(300) 상부에 배치될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 일 예에 따른 봉지기판(400)은 기판(100)은 제1 부재를 포함하는 제1 부분(410) 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)을 포함할 수 있다.
제1 부재는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Silver), 금(Gold), Al/PET 복합체, 및 Cu/PET 복합체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 부재에 포함되는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Silver), 금(Gold), Al/PET 복합체, 및 Cu/PET 복합체는 통상적으로 사용되는 봉지기판(400)에 포함되는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 니켈 합금(Invar)에 비교하여, 높은 열 전도도를 가짐으로써, 제1 부재를 포함하는 봉지기판(400)은 유기발광 디스플레이 장치에서 생성되는 열원을 봉지기판(400)을 통해서 효율적으로 방출할 수 있고, 고온에 의한 유기발광 디스플레이 장치의 열 손상을 방지할 수 있어, 유기발광 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
제2 부재는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페라이트(Fe3O4) 또는 나이오븀(Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페라이트(Fe3O4) 또는 나이오븀(Nb)는 자성을 갖는 물질로써, 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정 중 자성 지그(JIG)를 통해 유기발광 디스플레이 장치를 이동시킬 수 있고, 이를 통해 자동화 공정을 가능하게 함으로써, 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정을 단순화하고, 효율화할 수 있는 향상된 효과가 있다.
일 예에 따르면, 제1 부재를 포함하는 제1 부분(410)은 봉지기판(400)의 기지(matrix)이고, 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)은 제1 부분(410)에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물일 수 있다. 예를 들면, 적어도 하나의 라인 패턴은 봉지기판(400)의 장변 또는 단변에 나란하면서, 일단에서 타단으로 연장되는 형태로 형성될 수 있다. 본 출원에 따른 제1 부분(410) 및 제2 부분(420)을 포함하는 봉지기판(400)의 다양한 예에 대해서는 도 4a 및 도 4b를 참조하여 후술하기로 한다.
일 예에 따르면, 제2 부분(420)은 봉지기판(400)의 상면에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 부분(410)은 봉지기판(400)의 상면에 형성될 수 있고, 이러한 경우 높은 열전도도를 갖는 제1 부분(410)은 화소 어레이층(200)과 넓은 접촉 면적을 가질 수 있고, 이에 따라 화소 어레이층(200)의 박막 트랜지스터(210) 또는 발광소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 또한, 제2 부분(420)은 전술한 바와 같이, 자성 특성을 갖는 물질로서, 유기발광 디스플레이 장치의 자동화 공정 장비에 부착되는 부착면을 제공할 수 있고, 이에 따라 제2 부분(420)은 봉지기판(400)의 상면에 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 봉지기판(400)의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 봉지기판(400)은 제1 부재를 포함하는 제 1부분(410)에 라인 패턴의 절삭부를 형성하고, 라인 패턴의 절삭부에 대응하도록 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)을 충진함으로써 준비될 수 있다. 제2 부재는 제1 부분(410)의 라인패턴의 절삭부에 충진된 후 압연 공정을 수행하여, 제1 부재와 결합될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 다른 예에 따른 봉지기판(400)을 타나낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 출원의 다른 예에 따른 봉지기판(400)의 제2 부분(420)은 봉지기판(400)의 장변 또는 단변에 대응되는 라인 패턴으로만 제한되어 형성되는 것이 아니고, 봉지기판(400)의 장변 또는 단변 각각보다 작은 직사각형의 일면을 갖는 직육면체의 패턴이 반복되는 형태로 형성될 수 있다. 다만, 본 출원에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제2 부분(420)의 패턴은 상기의 패턴 형상에 제한되는 것은 아니고, 예를 들어, 반원형, 삼각형, 마름모형, 또는 사다리꼴형의 단면을 갖는 소정의 길이를 갖는 라인 패턴으로 형성될 수 있다.
도 5는 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상부에 마련되는 박막 트랜지스터(210), 박막 트랜지스터(210) 상부에 마련된 평탄화막(240), 평탄화막(240) 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터(210)와 전기적으로 연결된 발광소자(250), 발광소자(250)를 커버하는 봉지층(300), 및 봉지층(300) 상부에 마련된 봉지기판(400)을 포함하고, 봉지기판(400)은 제1 부재를 포함하는 제1 부분(410) 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 포함할 수 있다.
도 5 의 유기발광 디스플레이 장치에서, 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 제외하고는 도 2의 유기발광 디스플레이 장치와 동일하므로, 중복설명을 피하기 위해서 이하에서는 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 중심으로 설명한다.
제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)은 수소를 흡수할 수 있는 금속으로써, 유기발광 디스플레이 장치 내에서 발생할 수 있는 수소를 흡수할 수 있다. 또한, 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)은 앞서 도 3 및 도 4에 예시된 바와 같이, 다양한 형태의 패턴으로 형성될 수 있다.
일 예에 따른 제3 부분(430)은 봉지기판(400)의 상면 및/또는 배면 상에 형성될 수 있다. 도 5에서, 제3 부분(430)은 봉지기판(400)의 배면에 형성되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고, 봉지기판(400)의 상면에 형성될 수 있으며, 또는 봉지기판(400)의 상면 및 배면에 동시에 형성될 수 있다. 제3 부분(430)은 봉지기판(400)의 수소 흡수 능력(hydrogen trap capacity)에 따라 설정되어 적용될 수 있다.
도 6은 도 5의 유기발광 디스플레이 장치에서 수소가 확산하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 발광층(252)에 있는 잉여 리튬은 환경성 수분과 반응할 수 있고, 아래의 화학식 1에 의해 수소를 발생시킬 수 있다.
[화학식 1]
2Li + 2H2O → 2LiOH + H2
상기의 화학식에 의해 발생된 수소 분자(H2)는 높은 확산성을 가진 분자로서, 도 6에 도시된 바와 같이, 액티브층(211)의 전기적 성질을 변화시킴으로써, 박막 트랜지스터(210)의 문턱전압(Vth, Threshold Voltage)를 이동(shift)시킬 수 있고, 이에 따라 박막 트랜지스터(210)의 원치 않는 전기적 성질의 변화를 발생시킬 수 있다. 또한, 유기발광 디스플레이 장치의 제조 공정 중 발생할 수 있는 원치 않는 이물(I)은 발광소자(250)의 발광층(252)을 오픈된 상태로 만들 수 있고, 이에 따라 상기의 화학식 1의 반응을 더욱 촉진시키고, 액티브층(211)로의 확산 경로를 제공할 수 있다.
일 예에 따르면, 이러한 수소 분자에 의해 박막 트랜지스터(210)의 문턱전압이 낮아지는 경우, 유기발광 디스플레이 장치의 설정된 구동 조건에서 높은 전류가 흐를 수 있고, 이에 따라 유기발광 디스플레이 장치의 휘도 불량이 발생할 수 있으며, 높은 휘도에 의해 수명이 감소될 수도 있다. 이때, 박막 트랜지스터(210)의 액티브층(211)은 산화물 액티브층일 수 있다.
본 출원의 다른 예에 따른 봉지기판(400)은 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)에 수소를 흡수할 수 있는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함함으로써, 수소 분자가 박막트랜지스터의 액티브층(211)으로 확산하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 박막 트랜지스터(210) 및 이를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치의 구동 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
도 7은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7을 참조하면, 일 예에 따른 봉지층(300)은 수분 흡수 부재(310)를 더 포함할 수 있다. 수분 흡수 부재(310)는 유기발광 디스플레이 장치에 존재하는 수분을 흡수할 수 있고, 수분에 취약한 유기발광 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 수분 흡수 부재(310)는 흡습성 물질로 이루어진 흡습제일 수 있다. 흡습성 물질은 당업계에 사용되는 흡습제라면 제한되지 않고 사용될 수 있다.
도 8은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이고, 도 9는 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는, 기판(100), 기판(100) 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터(210) 및 발광소자(250)를 포함하는 화소 어레이층(200), 화소 어레이층(200)을 커버하는 봉지층(300), 및 봉지층(300) 상부에 마련된 봉지기판(400)을 포함하고, 봉지기판(400)은 제1 부재를 포함하는 제1 부분(410) 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)을 포함할 수 있으며, 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 더 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9의 유기발광 디스플레이 장치에서, 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 제외하고는 도 2의 유기발광 디스플레이 장치와 동일하므로, 중복설명을 피하기 위해서 이하에서는 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 중심으로 설명한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 봉지기판(400)은 배면에 제3부재를 포함하는 제3 부분(430)을 더 포함하는 것을 알 수 있다. 여기서, 제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)은 수소를 흡수할 수 있는 금속으로써, 유기발광 디스플레이 장치 내에서 발생할 수 있는 수소를 흡수할 수 있다. 이에 따라, 도 8 및 도 9에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 앞서 설명한 도 1 내지 도 4의 유기발광 디스플레이 장치의 이점을 가지면서도, 유기발광 디스플레이 장치 내부에서 발생하는 수소를 흡수할 수 있는 봉지기판(400)을 제공함으로써, 추가적으로 박막 트랜지스터(210)의 전기적 특성의 신뢰성 및 유기발광 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 8 및 도 9에서, 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)은 배면에 형성되는 것으로만 도시되었으나, 이에 제한되지 않고, 봉지기판(400)의 상면 및/또는 배면에 형성될 수 있다. 또한, 일 예에 따르면, 앞서 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 부분(420) 및 제3 부분(430)은 봉지기판(400)에 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.
도 10은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이고, 도 11은 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상부에 마련되는 박막 트랜지스터(210), 박막 트랜지스터(210) 상부에 마련된 평탄화막(240), 평탄화막(240) 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터(210)와 전기적으로 연결된 발광소자(250), 발광소자(250)를 커버하는 봉지층(300), 및 봉지층(300) 상부에 마련된 봉지기판(400)을 포함하고, 봉지기판(400)은 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420) 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 포함하고, 제2 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함하고, 제3 부재는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페라이트(Fe3O4) 또는 나이오븀(Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 10 및 도 11의 유기발광 디스플레이 장치는 봉지기판(400)의 구조를 제외하고는 도 2의 유기발광 디스플레이 장치와 동일하므로, 중복설명을 피하기 위해서 이하에서는 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 중심으로 설명한다.
본 출원의 다른 예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는, 도 10 및 도 11에서 알 수 있듯이, 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420) 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 제2 부재는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페라이트(Fe3O4) 및 나이오븀(Nb) 자성을 갖는 물질로써, 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정 중 자성 지그(JIG)를 통해 유기발광 디스플레이 장치를 이동시킬 수 있고, 이를 통해 자동화 공정을 가능하게 함으로써, 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정을 단순화하고, 효율화할 수 있는 향상된 효과가 있다.
여기서, 제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3 부재는 수소를 흡수하는 물질을 포함할 수 있고, 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정 중에 발생하는 잔류 수소가 박막 트랜지스터(210)의 액티브층(211)으로 확산하는 것을 방지할 수 있고, 박막 트랜지스터(210)의 전기적 성질 및 유기발광 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 10을 참조하면, 제 3부분은 봉지기판(400)의 기지(matrix)이고, 제2 부분(420)은 제3 부분(430)에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물일 수 있다. 도 10에 예시된 유기발광 디스플레이 장치는, 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 넓은 체적으로 마련될 수 있고, 높은 수소 흡수 능력을 갖는 봉지기판(400)을 제공함에 따라 수소를 흡수하는 능력이 향상될 수 있다. 또한, 자성 특성을 갖는 제2 부재가 봉지기판(400)의 상면에 형성됨에 따라, 전술한 도 2의 유기발광 디스플레이 장치의 이점을 동일하게 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 제 2부분은 봉지기판(400)의 기지(matrix)이고, 제3 부분(430)은 제2 부분(420)에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물일 수 있다. 도 11에 예시된 유기발광 디스플레이 장치는, 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420)을 넓은 체적으로 마련되는 봉지기판(400)을 제공함에 따라, 높은 자성 특성을 확보할 수 있다. 따라서, 도 11에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 자석 지그를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치의 자동화 장비를 이용하는 경우, 자동화 장비의 설계 변경 없이 적용 가능하므로, 제조 공정 원가를 절감하고, 공정을 효율화할 수 있는 장점이 있다.
또한, 도 10 및 도 11의 제2 부분(420) 및 제3 부분(430)의 패턴은 앞서 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 같이, 도 10 및 도 11에 도시된 바에 제한되지 않고 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
도 12 내지 도 15는 봉지기판(400)의 재질에 따른 방열 실험 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다. 도 12a 내지 도 12d는 니켈-철 합금(Invar) 재질의 봉지기판(400)을 각각 0.08mm, 0.2mm, 0.5mm 및 5mm로 준비하였고, 도 13a 내지 도 13d는 스테인리스 스틸(SUS) 재질의 봉지기판(400)을 각각 0.08mm, 0.2mm, 0.5mm 및 5mm로 준비하였고, 도 14a 내지 도 14d는 알루미늄 재질의 봉지기판(400)을 각각 0.08mm, 0.2mm, 0.5mm 및 5mm로 준비하였고, 도 15a 내지 도 15d는 글래스 재질의 봉지기판(400)을 각각 0.08mm, 0.2mm, 0.5mm 및 5mm로 준비하였다. 도 12 내지 도 15의 실험에서는, 봉지기판(400)의 일 면에 13개의 위치에 대해서 약 110 ℃로 약 2분간 가열하였고, 공기 중에서 자연 냉각하여, 약 1분 후 전면 및 배면의 온도를 각각 측정하였다.
도 12 내지 도 15의 각 측정치는 하기의 표 1에 요약하였다. 하기의 입력 수치는 모두 섭씨(℃)이다.
두께 0.08mm
0.2mm
0.5mm
2.0mm
재질 전면
온도
배면
온도
전면
온도
배면
온도
전면
온도
배면
온도
전면
온도
배면
온도
도 12
Invar
101.7 102.9 98.3 99.4 89.8 90.6 68.4 68.6
도 13
SUS
93.4 94.3 90.5 91.4 83.4 84.0 64.6 64.8
도 14
알루미늄
79.2 79.8 64.9 65.0 52.1 51.9 44.2 43.8
도 15
글래스
89.3 90.0 89.2 89.9 89.1 89.8 88.0 88.7
도 12 내지 도 15 및 표 1의 데이터를 참조하면, 도 12, 도 13 및 도 14의 니켈-철 합금, 스테인리스 스틸 및 알루미늄 재질로 구성된 봉지기판(400)의 경우 봉지기판(400)의 두께가 증가할수록 가열된 위치 주변으로 확산되면서 온도의 감소 폭도 증가하는 것을 알 수 있다. 도 15의 글래스로 구성된 봉지기판(400)의 경우, 낮은 열전도도(1.0 W/mK)으로 인해, 방열 특성이 좋지 않은 것을 알 수 있다.
도 14의 알루미늄으로 구성된 봉지기판(400)의 경우 가장 높은 열전도도를 가짐으로써, 도 12 및 도 13의 니켈-철 합금 및 스테인리스 스틸으로 구성된 봉지기판(400)과 비교하여도 큰 폭의 온도 감소가 발생한 것을 알 수 있다. 따라서, 도 12 내지 도 15 및 표 1의 실험결과를 참조하면, 봉지기판(400)을 알루미늄과 같은 고방열성 재료로 구성함으로써, 유기발광 디스플레이 장치에 요구되는 충분한 방열성능을 확보할 수 있고, 설계의 자유도를 확보함으로써, 앞서 설명한 제2 부재를 포함하는 제2 부분(420) 또는 제3 부재를 포함하는 제3 부분(430)을 봉지기판(400)에 함께 구성함으로써, 봉지기판(400)에 자성 특성 또는 수소 흡수 특성을 추가적으로 확보할 수 있다.
상술한 본 출원의 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 기판 200: 화소 어레이층
210: 박막 트랜지스터 211: 액티브층
212: 게이트 절연막 213: 게이트 전극
214: 소스전극 215: 드레인전극
220: 층간 절연막 230: 보호막
240: 평탄화막 250: 발광소자
251: 제1 전극 252: 발광층
253: 제2 전극 260: 뱅크
300: 봉지층 310: 수분 흡수 부재
400: 봉지기판 410: 제1 부분
420: 제2 부분 430: 제3 부분
500: 백커버 510: 접착 부재
I: 이물질

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 화소 어레이층;
    상기 화소 어레이층을 커버하는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고,
    상기 봉지기판은 제1 부재를 포함하는 제1 부분 및 제2 부재를 포함하는 제2 부분을 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 부재를 포함하는 제 1부분은 봉지기판의 기지(matrix)이고, 상기 제2 부재를 포함하는 제2 부분은 상기 제1 부분에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물인, 유기발광 디스플레이 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 부재는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Silver), 금(Gold), Al/PET 복합체, 및 Cu/PET 복합체 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부재는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페라이트(Fe3O4) 및 나이오븀(Nb) 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 봉지기판의 상면에 형성되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 봉지기판은 제3 부재를 포함하는 제3 부분을 더 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 부분은 상기 봉지기판의 상면 및/또는 배면 상에 형성되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  9. 기판;
    상기 기판 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 화소 어레이층;
    상기 화소 어레이층을 커버하는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고,
    상기 봉지기판은 제1 부재를 포함하는 제1 부분 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분을 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 부재를 포함하는 제 1부분은 봉지기판의 기지(matrix)이고, 상기 제3 부재를 포함하는 제3 부분은 상기 제1 부분에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물인, 유기발광 디스플레이 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 부재는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Silver), 금(Gold), Al/PET 복합체, 및 Cu/PET 복합체 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 부분은 상기 봉지기판의 상면 및/또는 배면 상에 형성되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지층은 수분 흡수 부재를 더 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  15. 기판;
    상기 기판 상부에 마련되고, 박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 화소 어레이층;
    상기 화소 어레이층을 커버하는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상부에 마련된 봉지기판을 포함하고,
    상기 봉지기판은 제2 부재를 포함하는 제2 부분 및 제3 부재를 포함하는 제3 부분을 포함하고,
    상기 제2 부재는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 페리아트(Fe3O4) 및 나이오븀(Nb) 중 적어도 하나를 포함하는,
    상기 제3 부재는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제 3부분은 봉지기판의 기지(matrix)이고, 상기 제2 부분은 상기 제3 부분에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물인, 유기발광 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 봉지기판의 상면에 형성되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제 2부분은 봉지기판의 기지(matrix)이고, 상기 제3 부분은 상기 제2 부분에 적어도 하나의 라인 패턴으로 삽입되는 구조물인, 유기발광 디스플레이 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제3 부분은 상기 봉지기판의 배면에 형성되는, 유기발광 디스플레이 장치.
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