KR20190102996A - Machining apparatus - Google Patents

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KR20190102996A
KR20190102996A KR1020190012859A KR20190012859A KR20190102996A KR 20190102996 A KR20190102996 A KR 20190102996A KR 1020190012859 A KR1020190012859 A KR 1020190012859A KR 20190012859 A KR20190012859 A KR 20190012859A KR 20190102996 A KR20190102996 A KR 20190102996A
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polishing
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KR1020190012859A
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사토시 야마나카
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

The objective of the present invention is to provide a processing apparatus capable of forming a wafer with a desired thickness. According to the present invention, the processing apparatus (1) processing the surface of a wafer (W) includes: a chuck table (71) including an absorption maintaining part (75) having a maintaining surface (111) for absorbing and maintaining the wafer (W), a frame body (76) surrounding the outer edge of the absorption maintaining part (75), and a connection passage formed in the frame body (76) and connected to an absorption source; and a processing unit processing the surface of the wafer (W) maintained on the chuck table (71). The absorption maintaining part (75) comprises: a support frame (100) including an absorption hole (101); a plurality of piezoelectric elements (110) placed in the support frame (100) and supporting the wafer (W); a voltage application unit expanding each of the piezoelectric elements (110) in a vertical direction to the maintaining surface (111) by applying a voltage to each of the piezoelectric elements (110); and a control unit (10) controlling the voltage application unit. The processing apparatus (1) adjusts the height of the wafer (W) by expanding each of the piezoelectric elements (110) through the action of the voltage application unit.

Description

가공 장치{MACHINING APPARATUS}Processing equipment {MACHINING APPARATUS}

본 발명은 웨이퍼의 면을 가공하는 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus for processing a surface of a wafer.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어, 표면에 형성된 웨이퍼는, 연삭 장치에 의한 이면의 연삭, 및 연마 장치에 의한 이면의 연마 등이 실시되어 원하는 두께, 및 조도 (粗度) 로 마무리된 후, 레이저 가공 장치, 다이싱 장치 등의 분할 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되어 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.A plurality of devices, such as IC and LSI, are partitioned by a division scheduled line, and the wafer formed on the surface is subjected to grinding of the back surface by the grinding apparatus, polishing of the back surface by the polishing apparatus, and the like to obtain a desired thickness and roughness. After finishing with a degree, it divides into individual devices by division apparatuses, such as a laser processing apparatus and a dicing apparatus, and is used for electric appliances, such as a mobile telephone and a personal computer.

연삭 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭하는 환상의 연삭 지석을 회전 가능하게 구비한 연삭 수단과, 그 연삭 수단을 그 척 테이블에 접근 및 이반 (離反) 시켜 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 그 연삭 지석을 가압 및 이반시키는 이송 수단으로 대체로 구성되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).The grinding apparatus includes a grinding means rotatably provided with a chuck table for holding a wafer, an annular grinding grindstone for grinding a wafer held on the chuck table, and the grinding means approaching and transferring the grinding means. It is generally comprised by the conveying means which pressurizes and carries out the grinding grindstone to the wafer hold | maintained at the chuck table, for example (refer patent document 1).

또, 연마 장치도 상기 연삭 장치와 대략 동일한 구성을 구비하고 있어, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연마하는 연마 패드를 회전 가능하게 구비한 연마 수단과, 그 연마 수단을 그 척 테이블에 접근 및 이반시켜 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 그 연마 패드를 가압 및 이반시키는 이송 수단으로 대체로 구성되어 있어, 웨이퍼의 이면을 연마하면서 원하는 조도로 마무리할 수 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 를 참조).The polishing apparatus also has a configuration substantially the same as that of the grinding apparatus, and includes polishing means rotatably provided with a chuck table for holding a wafer, a polishing pad for polishing a wafer held on the chuck table, and the polishing means. It is generally constituted by a transfer means for accessing and transferring the chuck table to press and release the polishing pad on the wafer held on the chuck table, so that the back surface of the wafer can be polished and finished with desired roughness (for example, , Patent Document 2).

일본 공개특허공보 2005-246491호Japanese Laid-Open Patent Publication 2005-246491 일본 공개특허공보 평08-099265호Japanese Unexamined Patent Publication No. 08-099265

상기한 연삭 장치 및 연마 장치에 의해, 웨이퍼가 원하는 두께로 연삭되고, 및 원하는 조도로 연마된다. 그러나, 가공이 행해지는 웨이퍼의 두께가 불균일하고, 이면에 기복이 있는 경우에는, 기복을 따라서 연삭 가공 및 연마 가공이 행해지게 되어, 연삭 후 및 연마 후의 웨이퍼의 두께가 불균일한 채로 되어, 의도하지 않은 두께 편차가 남는다고 하는 문제가 있다. 또, 예를 들어, 웨이퍼의 중심의 두께를 외측보다 두껍게 하는 등, 의도적으로 두께를 불균일하게 하고자 하는 경우에도, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 에 기재된 기술로는 대응이 곤란하다고 하는 문제도 있다.By the above-described grinding apparatus and polishing apparatus, the wafer is ground to a desired thickness and polished to a desired roughness. However, if the thickness of the wafer on which the processing is performed is nonuniform and there are undulations on the back surface, grinding and polishing processing is performed along the relief, and the thickness of the wafer after grinding and after polishing is uneven, which is not intended. There is a problem that an uneven thickness deviation remains. Moreover, even if it intends to make thickness nonuniform purposely, for example, making the thickness of the center of a wafer thicker than the outer side, there exists a problem that correspondence is difficult with the technique of patent document 1 and patent document 2.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 웨이퍼를 원하는 두께로 형성할 수 있는 가공 장치를 제공하는 것에 있다.This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is providing the processing apparatus which can form a wafer in desired thickness.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 면을 가공하는 가공 장치로서, 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 흡인 유지부와, 그 흡인 유지부의 외주를 둘러싸는 프레임체와, 그 프레임체에 형성되고 흡인원에 연통하는 연통로를 구비한 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 면을 가공하는 가공 수단을 적어도 포함하고, 그 흡인 유지부는, 흡인공이 형성된 기대 (基臺) 와, 그 기대에 배치 형성되고 웨이퍼를 지지하는 복수의 압전 소자와, 각 압전 소자에 전압을 인가하여 각 압전 소자를 그 유지면에 대해 수직 방향으로 팽창시키는 전압 인가 수단과, 그 전압 인가 수단을 제어하는 제어 수단으로 적어도 구성되고, 그 전압 인가 수단의 작용에 의해 각 압전 소자를 팽창시켜 웨이퍼의 높이를 조정하는 가공 장치가 제공된다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said main technical subject, According to this invention, the processing apparatus which processes the surface of a wafer, The suction holding part which has the holding surface which suction-holds a wafer, The frame body surrounding the outer periphery of the suction holding part, A chuck table having a communication path formed in the frame body and communicating with the suction source, and at least processing means for processing the surface of the wafer held by the chuck table, wherein the suction holding portion is a base having a suction hole. I) a plurality of piezoelectric elements disposed on the base and supporting the wafer, voltage applying means for applying voltage to each piezoelectric element to expand each piezoelectric element in a direction perpendicular to the holding surface thereof, and applying the voltage A processing device configured to at least control means for controlling the means, and for expanding the piezoelectric elements by the action of the voltage applying means to adjust the height of the wafer. It is a ball.

그 가공 장치는, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 두께를 검출하는 두께 검출 수단과, 그 두께 검출 수단에 의해 검출된 두께 데이터를 기억하는 기억 수단을 구비하고, 그 제어 수단은, 그 기억 수단에 기억된 두께 데이터에 기초하여 그 전압 인가 수단을 작동하여 각 전압 소자를 팽창시켜 웨이퍼의 높이를 조정하도록 할 수 있다.The processing apparatus includes thickness detecting means for detecting the thickness of the wafer held in the chuck table, and storage means for storing the thickness data detected by the thickness detecting means, and the control means is provided in the storage means. Based on the stored thickness data, the voltage application means can be operated to expand each voltage element so as to adjust the height of the wafer.

그 가공 수단은, 웨이퍼의 면을 연마하는 연마 패드를 회전 가능하게 구비한 연마 수단이어도 되고, 웨이퍼의 면을 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 구비한 연삭 휠을 회전 가능하게 구비한 연삭 수단이어도 된다.The processing means may be polishing means rotatably provided with a polishing pad for polishing the surface of the wafer, or may be grinding means provided with a grinding wheel rotatably provided with a grinding grindstone for grinding the surface of the wafer.

본 발명에 기초하여 구성되는 가공 장치는, 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 흡인 유지부와, 그 흡인 유지부의 외주를 둘러싸는 프레임체와, 그 프레임체에 형성되고 흡인원에 연통하는 연통로를 구비한 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 면을 가공하는 가공 수단을 적어도 포함하고, 그 흡인 유지부는, 흡인공이 형성된 기대와, 그 기대에 배치 형성되고 웨이퍼를 지지하는 복수의 압전 소자와, 각 압전 소자에 전압을 인가하여 각 압전 소자를 그 유지면에 대해 수직 방향으로 팽창시키는 전압 인가 수단과, 그 전압 인가 수단을 제어하는 제어 수단으로 적어도 구성되고, 그 전압 인가 수단의 작용에 의해 각 압전 소자를 팽창시켜 웨이퍼의 높이를 조정하기 때문에, 웨이퍼를 균일한 두께로 가공할 수 있다. 또, 각 압전 소자의 팽창량을 적절히 조정함으로써, 웨이퍼의 두께에 원하는 변화 (웨이퍼의 중앙을 두껍게 하거나, 웨이퍼의 중앙을 얇게 하는 등) 를 가져올 수 있다.The processing apparatus constructed based on this invention is a suction holding part which has the holding surface which suction-holds a wafer, the frame body surrounding the outer periphery of the suction holding part, and the communication path formed in the frame body and communicating with a suction source. And a processing means for processing the surface of the wafer held on the chuck table, the suction holding part comprising: a base on which a suction hole is formed, and a plurality of piezoelectric elements disposed on the base and supporting the wafer. An element, at least a voltage applying means for applying a voltage to each piezoelectric element to expand each piezoelectric element in a direction perpendicular to the holding surface thereof, and a control means for controlling the voltage applying means. By expanding each piezoelectric element by adjusting the height of a wafer, a wafer can be processed to a uniform thickness. In addition, by appropriately adjusting the amount of expansion of each piezoelectric element, a desired change (such as thickening the center of the wafer or thinning the center of the wafer) can be brought about in the thickness of the wafer.

도 1 은 본 실시형태에 관련된 연마 장치의 전체 사시도이다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 연마 장치의 척 테이블의 일부 확대 사시도이다.
도 3 은 도 2 에 나타내는 척 테이블의 A-A 단면도이다.
도 4 는 두께 검출 수단에 의해 웨이퍼 (W) 의 두께를 검출할 때의 두께 데이터의 일부를 발췌하여 나타내는 이미지도이다.
도 5 는 전압 인가 수단에 의해 압전 소자마다 전압을 인가할 때의 인가 전압치의 일부를 발췌하여 나타내는 이미지도이다.1 is an overall perspective view of a polishing apparatus according to the present embodiment.
FIG. 2 is a partially enlarged perspective view of the chuck table of the polishing apparatus shown in FIG. 1. FIG.
It is AA sectional drawing of the chuck table shown in FIG.
4 is an image diagram showing a part of the thickness data when the thickness detection means detects the thickness of the wafer W. FIG.
Fig. 5 is an image diagram showing a part of applied voltage values when voltage is applied to each piezoelectric element by the voltage applying means.

이하, 본 발명의 실시형태에 관련된 가공 장치에 대해 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1 에 나타내는 가공 장치는, 웨이퍼의 이면을 연마하는 연마 장치 (1) 이다. 연마 장치 (1) 는, 도면에 나타내는 바와 같이, 장치 하우징 (2) 을 구비하고 있다. 이 장치 하우징 (2) 은, 대략 직방체 형상의 메인부 (21) 와, 메인부 (21) 의 후단부 (도 1 에 있어서 우측 상단) 에 형성되고 상방으로 연장되는 직립벽 (22) 을 가지고 있다. 직립벽 (22) 의 전면에는, 가공 수단으로서의 연마 유닛 (3) 이 상하 방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다.The processing apparatus shown in FIG. 1 is a polishing apparatus 1 for polishing the back surface of a wafer. The grinding | polishing apparatus 1 is equipped with the apparatus housing 2 as shown in the figure. This apparatus housing | casing 2 has the substantially rectangular parallelepiped main part 21 and the upstanding wall 22 formed in the rear end part (the upper right side in FIG. 1) of the main part 21, and extending upwards. . The polishing unit 3 as the processing means is mounted on the front surface of the upstanding wall 22 so as to be movable in the vertical direction.

연마 유닛 (3) 은, 이동 기대 (31) 와 이동 기대 (31) 에 장착된 스핀들 유닛 (4), 및 연마 패드 (5) 를 구비하고 있다. 이동 기대 (31) 는, 직립벽 (22) 에 배치 형성된 1 쌍의 안내 레일 (23, 23) 과 슬라이딩 가능하게 걸어 맞춰지도록 구성되어 있다. 이와 같이 직립벽 (22) 에 형성된 1 쌍의 안내 레일 (23, 23) 에 슬라이딩 가능하게 장착된 이동 기대 (31) 의 전면에는, 전방으로 돌출된 지지부를 개재하여 스핀들 유닛 (4) 이 설치된다.The polishing unit 3 includes a moving base 31, a spindle unit 4 attached to the moving base 31, and a polishing pad 5. The movement base 31 is comprised so that a sliding engagement with the pair of guide rails 23 and 23 arrange | positioned at the upright wall 22 is possible. Thus, the spindle unit 4 is provided in the front surface of the movement base 31 slidably mounted to the pair of guide rails 23 and 23 formed in the upstanding wall 22 via the support part which protruded forward. .

스핀들 유닛 (4) 은, 스핀들 하우징 (41) 과, 스핀들 하우징 (41) 에 자유롭게 회전할 수 있도록 배치 형성된 회전 스핀들 (42) 과, 회전 스핀들 (42) 을 회전 구동하기 위한 구동원으로서의 서보 모터 (43) 를 구비하고 있다. 스핀들 하우징 (41) 에 회전 가능하게 지지된 회전 스핀들 (42) 은, 하방측의 단부가 스핀들 하우징 (41) 의 하단으로부터 돌출되도록 배치 형성되고, 그 단부에는, 휠 마운트 (44) 가 형성되어 있다. 이 휠 마운트 (44) 의 하면에는, 연마 패드 (5) 가 설치된다. 회전 스핀들 (42), 서보 모터 (43), 휠 마운트 (44) 의 내부에는, 상하 방향으로 관통하는 슬러리 공급로 (46) 가 형성되어 있고, 서보 모터 (43) 의 상단부에는, 슬러리 공급로 (46) 에 연통하는 슬러리 투입구 (45) 가 형성되어 있다.The spindle unit 4 includes a spindle housing 41, a rotating spindle 42 disposed so as to rotate freely in the spindle housing 41, and a servo motor 43 as a driving source for rotationally driving the rotating spindle 42. ). The rotary spindle 42 rotatably supported by the spindle housing 41 is arranged so that the lower end part protrudes from the lower end of the spindle housing 41, and the wheel mount 44 is formed in the end part. . The polishing pad 5 is provided on the lower surface of the wheel mount 44. Inside the rotary spindle 42, the servo motor 43, and the wheel mount 44, a slurry supply passage 46 penetrates in the up and down direction, and a slurry supply passage (at the upper end of the servo motor 43) ( A slurry inlet 45 communicating with 46 is formed.

연마 패드 (5) 를, 도 1 의 좌측 상방에 하면이 보이는 상태로 도시한다. 연마 패드 (5) 는, 휠 마운트 (44) 에 볼트에 의해 고정되는 기대 (51) 와, 연마 시트 (52) 로 구성된다. 기대 (51) 는, 휠 마운트 (44) 와 동일한 원판 형상이며, 예를 들어 알루미늄 합금으로 구성된다. 연마 시트 (52) 는, 예를 들어 발포 우레탄 시트로 구성되고, 기대 (51) 의 하면에 양면 테이프 등의 접착 수단에 의해 접착된다. 연마 시트 (52) 의 표면에는, 연마 가공시에 공급되는 슬러리 (S) 가 연마 시트 (52) 의 표면 전체에 고르게 퍼지도록 하기 위한 미세홈 (52a) 이 격자상으로 형성되어 있다. 연마 시트 (52) 의 중앙에는 슬러리 공급공 (53) 이 형성되어 있어, 슬러리 투입구 (45) 로부터 투입되는 슬러리 (S) 는, 슬러리 공급로 (46) 를 통해서, 이 슬러리 공급공 (53) 으로부터 공급된다. 연마 시트 (52) 는, 소정 시간 사용된 후, 기대 (51) 로부터 벗겨내어, 새로운 연마 시트 (52) 로 교환할 수 있다.The polishing pad 5 is shown in a state where the lower surface is visible above the left side in FIG. 1. The polishing pad 5 is composed of a base 51 fixed to the wheel mount 44 by bolts and a polishing sheet 52. The base 51 has the same disk shape as the wheel mount 44 and is made of, for example, an aluminum alloy. The abrasive sheet 52 is comprised, for example from a urethane foam sheet, and is adhere | attached on the lower surface of the base 51 by adhesive means, such as a double-sided tape. On the surface of the polishing sheet 52, fine grooves 52a are formed in a lattice shape so that the slurry S supplied at the time of polishing processing is evenly spread over the entire surface of the polishing sheet 52. As shown in FIG. The slurry supply hole 53 is formed in the center of the polishing sheet 52, and the slurry S injected from the slurry inlet 45 is discharged from the slurry supply hole 53 through the slurry supply path 46. Supplied. After using the polishing sheet 52 for a predetermined time, the polishing sheet 52 can be peeled off from the base 51 and replaced with a new polishing sheet 52.

도시한 연마 장치 (1) 는, 연마 유닛 (3) 을 1 쌍의 안내 레일 (23, 23) 을 따라서 상하 방향 (후술하는 척 테이블의 유지면에 대해 수직인 방향) 으로 이동시키는 연마 유닛 이송 기구 (6) 를 구비하고 있다. 이 연마 유닛 이송 기구 (6) 는, 직립벽 (22) 의 전측에 배치 형성되고 실질상 연직으로 연장되는 수나사 로드 (61), 수나사 로드 (61) 를 회전 구동하기 위한 구동원으로서의 펄스 모터 (62) 를 구비하고, 이동 기대 (31) 의 배면에 구비된 도시하지 않은 수나사 로드 (61) 의 베어링 부재 등으로 구성된다. 이 펄스 모터 (62) 가 정회전하면 연마 유닛 (3) 이 하강되어지고, 펄스 모터 (62) 가 역회전하면 연마 유닛 (3) 이 상승되어진다.The illustrated polishing apparatus 1 moves the polishing unit 3 along a pair of guide rails 23 and 23 in a vertical direction (a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table to be described later). (6) is provided. The polishing unit feed mechanism 6 is a pulse motor 62 serving as a driving source for rotationally driving the male screw rod 61 and the male screw rod 61 which are disposed on the front side of the upstanding wall 22 and extend substantially vertically. And a bearing member of a male screw rod 61 (not shown) provided on the rear surface of the moving base 31. When the pulse motor 62 rotates forward, the polishing unit 3 is lowered. When the pulse motor 62 reversely rotates, the polishing unit 3 is raised.

상기 하우징 (2) 의 메인부 (21) 에는, 피가공물로서의 판상물 (예를 들어 반도체의 웨이퍼) 을 유지하는 유지 수단으로서의 척 테이블 기구 (7) 가 배치 형성되어 있다. 척 테이블 기구 (7) 는, 척 테이블 (71) 과, 척 테이블 (71) 의 주위를 덮는 커버 부재 (72) 와, 커버 부재 (72) 의 전후에 배치 형성된 벨로우즈 수단 (73) 을 구비하고 있다. 장치 하우징 (2) 의 상면에서, 벨로우즈 수단 (73) 이 배치 형성되는 영역의 근방에는, 척 테이블 상의 웨이퍼에 공급되는 슬러리를 회수하기 위한 회수공 (9) 이 형성된다.The main part 21 of the housing 2 is provided with a chuck table mechanism 7 as a holding means for holding a plate-like object (for example, a semiconductor wafer) as a work piece. The chuck table mechanism 7 includes a chuck table 71, a cover member 72 covering the circumference of the chuck table 71, and bellows means 73 disposed before and after the cover member 72. . In the upper surface of the apparatus housing 2, near the region where the bellows means 73 is arranged, a recovery hole 9 for recovering the slurry supplied to the wafer on the chuck table is formed.

척 테이블 (71) 은, 도시하지 않은 회전 구동 수단에 의해 회전 가능하게 구성됨과 함께, 도시하지 않은 척 테이블 이동 수단에 의해 도 1 에 나타내는 피가공물 재치역 (載置域) (71a) 과, 연마 패드 (5) 와 대향하는 연마역 (71b) 의 사이 (화살표 X 로 나타내는 X 축 방향) 에서 이동되어진다.While the chuck table 71 is rotatably comprised by the rotation drive means which is not shown in figure, the workpiece placement area 71a shown by FIG. 1 by the chuck table moving means which is not shown in figure, and grinding | polishing The pad 5 is moved between the polishing zones 71b facing each other (the X axis direction indicated by the arrow X).

도시한 연마 장치 (1) 는, 척 테이블 (71) 에 유지되는 웨이퍼의 두께를 계측하는 두께 검출 수단 (8) 을 구비한다. 이 두께 검출 수단 (8) 은, 도면에 나타내는 바와 같이 장치 하우징 (2) 을 구성하는 직방체 형상의 메인부 (21) 의 상면에 있어서, 척 테이블 (71) 이 피가공물 재치역 (71a) 으로부터 연마역 (71b) 사이에서 이동되어지는 경로 도중의 측방에 배치 형성되어 있다. 두께 검출 수단 (8) 은, 회전축부 (81) 와, 회전축부 (81) 의 선단으로부터 수평으로 연장되는 측정 단자 (82) 로 이루어지고, 도시하지 않은 구동 수단에 의해 회전축부 (81) 를 중심으로 측정 단자 (82) 가 회전한다. 측정 단자 (82) 의 하면에는, 길이 방향으로 배열되는 도시하지 않은 복수의 발광부와, 그 발광부에 대응하여 배치 형성되는 도시하지 않은 수광부가 배치 형성된다. 척 테이블 (71) 상에 유지되는 웨이퍼의 두께를 계측하는 경우에는, 회전축부 (81) 를 회전시킴으로써 측정 단자 (82) 를 벨로우즈 수단 (73) 상에 위치시키고, 척 테이블 (71) 을 피가공물 재치역 (71a) 과 연마역 (71b) 의 사이에서 이동시킨다. 그 때, 측정 단자 (82) 의 바로 아래를 웨이퍼가 이동하면, 그 발광부로부터 웨이퍼에 입사된 광의 일부가 웨이퍼의 표면에서 반사되고, 다른 일부가 웨이퍼를 투과한 후, 웨이퍼와 척 테이블 (71) 의 유지면의 경계면에서 반사된다. 각 반사광은, 그 수광부에서 검출되고, 검출치는, 후술하는 제어 수단 (10) (도 2 를 참조) 으로 보내진다. 이 2 개의 반사광에는 웨이퍼의 두께에 따른 광로차에 의한 위상차가 발생하는 점에서 간섭 현상이 일어난다. 제어 수단 (10) 은, 미리 기억된 제어 프로그램에 따라서, 웨이퍼의 표면에서 반사된 반사광과, 웨이퍼와 척 테이블 (71) 의 경계면에서 반사된 반사광의 간섭에서 얻어진 분광 간섭 파형에 기초하여, 척 테이블 (71) 상의 소정 위치에 있어서의 두께를 산출한다. 또한, 두께를 산출하는 방법에 대해서는 여러 가지 방법이 알려져 있어, 상세한 설명에 대해서는 생략한다.The illustrated polishing apparatus 1 includes a thickness detecting means 8 for measuring the thickness of the wafer held by the chuck table 71. In the upper surface of the rectangular parallelepiped main part 21 which comprises the apparatus housing 2, this thickness detection means 8 grinds the chuck table 71 from the workpiece placement part 71a. It is arrange | positioned and formed in the side of the path | route which is moved between the stations 71b. The thickness detecting means 8 consists of the rotating shaft part 81 and the measuring terminal 82 extended horizontally from the front-end | tip of the rotating shaft part 81, and centers the rotating shaft part 81 by the drive means which is not shown in figure. The measuring terminal 82 rotates. On the lower surface of the measurement terminal 82, a plurality of light emitting parts (not shown) arranged in the longitudinal direction and a light receiving part not shown arranged to correspond to the light emitting parts are arranged. In the case of measuring the thickness of the wafer held on the chuck table 71, the measuring terminal 82 is placed on the bellows means 73 by rotating the rotary shaft portion 81, and the chuck table 71 is placed on the workpiece. It moves between the mounting zone 71a and the polishing zone 71b. At that time, when the wafer moves directly under the measurement terminal 82, part of the light incident on the wafer from the light emitting portion is reflected on the surface of the wafer, and after the other part has passed through the wafer, the wafer and the chuck table 71 Is reflected at the boundary of the holding surface. Each reflected light is detected by the light receiving unit, and the detected value is sent to the control means 10 (see FIG. 2) described later. Interference phenomenon occurs in these two reflected light in that the phase difference by the optical path difference according to the thickness of a wafer generate | occur | produces. The control means 10 is based on the spectral interference waveform obtained from the interference of the reflected light reflected on the surface of the wafer and the reflected light reflected on the interface between the wafer and the chuck table 71 according to a control program stored in advance. The thickness at the predetermined position on the 71 is calculated. In addition, various methods are known about the method of calculating thickness, and detailed description is abbreviate | omitted.

도 2, 및 도 3 을 참조하면서, 척 테이블 (71) 의 구성에 대해 한층 더 상세하게 설명한다. 도 2 에는, 척 테이블 기구 (7) 의 커버 부재 (72) 및 벨로우즈 수단 (73) 을 생략하고, 척 테이블 (71) 을 사시도로 나타내고 있다. 척 테이블 (71) 은, 웨이퍼를 흡인 유지하기 위한 흡인 유지부 (75) 와, 흡인 유지부 (75) 의 외주를 둘러싸는 프레임체 (76) 와, 프레임체 (76) 의 하면 중심부로부터 하방으로 연장되는 축부 (77) 를 구비하고 있다. 축부 (77) 의 내부에는, 프레임체 (76) 를 도시하지 않은 흡인원에 연통시키는 연통로 (77a) 가 형성되어 있다. 축부 (77) 는, 도시하지 않은 구동용 모터에 접속되어, 척 테이블 (71) 은, 소정의 회전 속도로 구동된다.The configuration of the chuck table 71 will be described in more detail with reference to FIGS. 2 and 3. In FIG. 2, the cover member 72 and the bellows means 73 of the chuck table mechanism 7 are omitted, and the chuck table 71 is shown in a perspective view. The chuck table 71 includes a suction holding unit 75 for suction holding the wafer, a frame body 76 surrounding the outer circumference of the suction holding unit 75, and a lower surface center of the lower surface of the frame body 76. It has an extending shaft portion 77. Inside the shaft portion 77, a communication path 77a for communicating the frame 76 to a suction source (not shown) is formed. The shaft portion 77 is connected to a drive motor (not shown), and the chuck table 71 is driven at a predetermined rotational speed.

도 3 에, 도 2 에 나타내는 척 테이블 (71) 의 A-A 단면을 나타낸다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 프레임체 (76) 에 둘러싸여 유지되는 흡인 유지부 (75) 는, 기대 (100) 와, 기대 (100) 상에 유지되는 복수의 압전 소자 (110) 를 구비하고 있고, 압전 소자 (110) 의 상면이, 웨이퍼를 유지하는 유지면 (111) 을 구성한다. 기대 (100) 는, 프레임체 (76) 에 둘러싸이는 원반 형상을 이루고 있으며, 프레임체 (76) 의 내부에 형성되고 공간부 (76a) 와 외부를 연통하는 흡인공 (101) 이 복수 형성되어 있다. 공간부 (76a) 는, 연통로 (77a) 와 접속되어 있고, 인접하는 압전 소자 (110) 사이에 형성되는 공극 (112) 과, 기대 (100) 의 흡인공 (101) 을 통하여 유지면 (111) 측에 흡인 작용을 일으킨다. 본 실시형태의 압전 소자 (110) 는, 인가되는 전압에 비례하여 수직 방향으로 팽창 (두께가 변화) 하는 것으로서 주지된 구성이며, 예를 들어 1 V 의 전압에 대해 1 ㎛ 팽창한다. 각 압전 소자 (110) 에는, 기대 (100) 를 통해서 전압을 인가하기 위한 전압 공급선 (121) 과, 접지 (어스) 용의 어스선 (122) 이 접속된다.3, the A-A cross section of the chuck table 71 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the suction holder 75 surrounded by the frame body 76 is provided with a base 100 and a plurality of piezoelectric elements 110 held on the base 100. The upper surface of the piezoelectric element 110 constitutes the holding surface 111 holding the wafer. The base 100 has a disk shape surrounded by the frame body 76, and a plurality of suction holes 101 are formed inside the frame body 76 and communicate with the space 76a and the outside. . The space part 76a is connected to the communication path 77a, and is hold | maintained through the space | gap 112 formed between the adjacent piezoelectric elements 110, and the suction surface 101 of the base 100, and the holding surface 111 ) Suction action on the side. The piezoelectric element 110 of this embodiment is a structure well-known as expanding in a vertical direction in proportion to the applied voltage (changes in thickness), and expands 1 micrometer with respect to the voltage of 1V, for example. Each piezoelectric element 110 is connected to a voltage supply line 121 for applying a voltage through the base 100 and an earth line 122 for ground (earth).

도 2, 및 도 3 으로부터 이해되는 바와 같이, 전압 공급선 (121) 은, 흡인 유지부 (75) 를 구성하는 압전 소자 (110) 에 대응하여 개개에 배치 형성되는 것이고, 어스선 (122) 은, 각 압전 소자 (110) 에 공통되는 선이다. 척 테이블 (71) 은 회전하도록 구성되어 있기 때문에, 축부 (77) 에는, 개개의 전압 공급선 (121) 의 각각에 접속되는 회전 접점 (121A), 및 어스선 (122) 에 접속되는 회전 접점 (122A) 이 배치 형성된다.As understood from FIG. 2 and FIG. 3, the voltage supply lines 121 are formed to be individually disposed corresponding to the piezoelectric elements 110 constituting the suction holding unit 75, and the earth lines 122 are each formed. It is a line common to the piezoelectric element 110. Since the chuck table 71 is configured to rotate, the shaft portion 77 has a rotary contact 121A connected to each of the individual voltage supply lines 121 and a rotary contact 122A connected to the earth line 122. This batch is formed.

회전 접점 (121A 및 122A) 이 배치 형성된 척 테이블 (71) 의 축부 (77) 에 인접하여, 회전 접점 (122A) 에 접하는 접점 (12) 및 회전 접점 (121A) 에 접하는 접점 (13) 이 배치 형성된다. 접점 (12) 은 어스에 접속되고, 접점 (13) 은 배선 (131) 을 통해서 제어 수단 (10) 에 접속된다. 상기한 접점 (12) 및 접점 (13) 으로부터 압전 소자 (110) 까지 형성되는 회로가, 본 실시형태의 전압 인가 수단을 구성한다.Adjacent to the shaft portion 77 of the chuck table 71 in which the rotary contacts 121A and 122A are arranged, the contact 12 in contact with the rotary contact 122A and the contact 13 in contact with the rotary contact 121A are formed in a batch. do. The contact 12 is connected to the earth, and the contact 13 is connected to the control means 10 via the wiring 131. The circuit formed from the said contact 12 and the contact 13 to the piezoelectric element 110 comprises the voltage application means of this embodiment.

제어 수단 (10) 은, 컴퓨터에 의해 구성되고, 제어 프로그램에 따라서 연산 처리하는 중앙 연산 처리 장치 (CPU) 와, 제어 프로그램 등을 격납하는 리드 온리 메모리 (ROM) 와, 검출한 검출치, 연산 결과 등을 일시적으로 격납하기 위한 읽고 쓰기 가능한 랜덤 액세스 메모리 (RAM) 와, 입력 인터페이스 및 출력 인터페이스를 구비하고 있고, 적어도 두께 검출 수단 (8) 으로부터의 검출치가 입력되어, 척 테이블 (71) 을 이동시키는 이동 수단 (도시는 생략한다) 및 상기 전압 인가 수단을 제어한다.The control means 10 is comprised by the computer, The central processing unit (CPU) which performs arithmetic processing according to a control program, The read-only memory (ROM) which stores a control program, etc., The detected detection value, and the calculation result And a read / write random access memory (RAM) for temporarily storing a back and the like, an input interface and an output interface, and at least detection values from the thickness detecting means 8 are input to move the chuck table 71. Control means for moving (not shown) and the voltage applying means.

제어 수단 (10) 의 랜덤 액세스 메모리 (RAM) 내에는, 두께 검출 수단 (8) 에 의해 검출된 흡인 유지부 (75) 상의 각 좌표 위치에 있어서의 두께 데이터를 각 좌표 위치에 대응시켜 기억하는 기억 수단이 설정된다. 그리고, 제어 수단 (10) 의 기억 수단에 기억된 두께 데이터를 참조하면서, 상기한 전압 인가 수단을 제어하여, 흡인 유지부 (75) 의 각 압전 소자 (110) 에 인가되는 전압을 조정함으로써, 각 압전 소자 (110) 가 팽창하는 양을 제어하여, 흡인 유지부 (75) 의 유지면 (111) 의 높이를 조정한다.In the random access memory (RAM) of the control means 10, the memory which stores the thickness data in each coordinate position on the suction holding | maintenance part 75 detected by the thickness detection means 8 in correspondence with each coordinate position, and stores it. Means are set. Then, by referring to the thickness data stored in the storage means of the control means 10, by controlling the voltage application means described above, by adjusting the voltage applied to each piezoelectric element 110 of the suction holding portion 75, The amount of expansion of the piezoelectric element 110 is controlled to adjust the height of the holding surface 111 of the suction holder 75.

본 실시형태에 관련된 연마 장치 (1) 는, 대체로 상기한 것과 같이 구성되어 있으며, 이하, 상기한 연마 장치 (1) 를 사용하여 웨이퍼를 연마하는 순서에 대해서 설명한다.The polishing apparatus 1 according to the present embodiment is generally configured as described above, and the following describes the procedure of polishing the wafer using the polishing apparatus 1 described above.

연마 작업을 실시하는 작업자는, 피가공물인 웨이퍼의 디바이스가 형성된 표면측에 보호 테이프를 첩착하여, 도 1 에 나타내는 연마 장치 (1) 에 있어서의 피가공물 재치역 (71a) 에 위치되어 있는 척 테이블 (71) 상에, 웨이퍼의 보호 테이프측을 아래로 하여 재치한다. 이어서, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동함으로써, 축부 (77) 의 연통로 (77a), 및 흡인 유지부 (75) 의 흡인공 (101) 을 통하여 유지면 (111) 에 웨이퍼를 흡인 유지한다. 따라서, 척 테이블 (71) 상에 흡인 유지된 웨이퍼는, 이면이 상측이 된다.An operator who performs a polishing operation adheres a protective tape to a surface side on which a device of a wafer which is a workpiece is formed, and is located at a workpiece placement 71a in the polishing apparatus 1 shown in FIG. 1. On 71, the protective tape side of a wafer is placed down. Subsequently, by operating the suction means (not shown), the wafer is sucked and held on the holding surface 111 via the communication path 77a of the shaft portion 77 and the suction hole 101 of the suction holding portion 75. Therefore, the back surface of the wafer attracted and held on the chuck table 71 becomes the upper side.

다음으로, 제어 수단 (10) 은, 척 테이블 (71) 을 이동시키는 도시하지 않은 이동 수단을 작동하여, 척 테이블 (71) 을 피가공물 재치역 (71a) 으로부터 이동시켜 연마역 (71b) 에 위치시키고, 연마 패드 (5) 의 외주 가장자리를 척 테이블 (71) 의 회전 중심을 통과하는 위치에 위치시킨다. 이 과정에서, 두께 검출 수단 (8) 을 작동하여, 척 테이블 (71) 상의 웨이퍼를 두께 검출 수단 (8) 의 측정 단자 (82) 의 바로 아래를 통과시킨다. 상기한 바와 같이, 척 테이블 (71) 의 흡인 유지부 (75) 는, 복수의 압전 소자 (110) 에 의해 구성되어 있고, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 각 압전 소자 (110) 는, X-Y 좌표축으로 그 위치가 특정되도록 배치 형성되어 있다. 척 테이블 (71) 이 피가공물 재치역 (71a) 으로부터 연마역 (71b) 으로 이동할 때에는, 연마 장치 (1) 의 장치 하우징 (2) 상의 X-Y 방향과, 상기 척 테이블 (71) 의 X-Y 방향이 일치하도록 위치되어지고, 각 압전 소자 (110) 에는 전압은 인가되어 있지 않고, 각 압전 소자 (110) 에 의해 구성되는 유지면 (111) 은 균일한 높이로 설정되어 있다. 또한, 도 4 에서는, 척 테이블 (71) 상에 W 로 나타내는 웨이퍼가 재치되어 있는 상태를 나타내고 있고, 웨이퍼 (W) 의 이면측에 있는 압전 소자 (110) 를 점선으로 나타내며, 웨이퍼 (W) 의 표면측에 형성된 디바이스는, 설명의 형편상 생략하였다.Next, the control means 10 operates the movement means not shown which moves the chuck table 71, and moves the chuck table 71 from the workpiece placement area 71a, and is located in the grinding | polishing area 71b. The outer peripheral edge of the polishing pad 5 is positioned at a position passing through the rotational center of the chuck table 71. In this process, the thickness detecting means 8 is operated to pass the wafer on the chuck table 71 directly under the measuring terminal 82 of the thickness detecting means 8. As mentioned above, the suction holding | maintenance part 75 of the chuck table 71 is comprised by the some piezoelectric element 110, As shown in FIG. 4, each piezoelectric element 110 is an XY coordinate axis. It is arrange | positioned so that the position may be specified. When the chuck table 71 moves from the workpiece placing zone 71a to the polishing zone 71b, the XY direction on the apparatus housing 2 of the polishing apparatus 1 coincides with the XY direction of the chuck table 71. It is positioned so that a voltage is not applied to each piezoelectric element 110, and the holding surface 111 constituted by each piezoelectric element 110 is set to a uniform height. In addition, in FIG. 4, the state shown by the wafer shown by W on the chuck table 71 is shown, The piezoelectric element 110 in the back surface side of the wafer W is shown by the dotted line, and the wafer W of the wafer W is shown. The device formed in the surface side was abbreviate | omitted for the convenience of description.

상기한 것처럼 두께 검출 수단 (8) 을 작동시켜 웨이퍼 (W) 전체면의 각 X-Y 위치에 대응하는 위치의 두께를 계측하여, 도 4 의 하방에 그 일부를 나타내는 바와 같이, 제어 수단 (10) 의 메모리에 각 X-Y 위치에 있어서의 두께 데이터를 기억시킨다. 또한, 제어 수단 (10) 의 메모리에 기억되는 두께 데이터는, 검출된 두께 중, 가장 작은 값을 기준치로 했을 경우의 그 기준치와의 차로서, 흡인 유지부 (75) 의 X-Y 위치에 연관시켜 ㎛ 단위로 기억된다. 보다 구체적으로는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, X-Y 위치가 7-1 로 특정되는 위치는, 웨이퍼 (W) 의 두께가 가장 작은 위치이고, 두께 데이터는 0 ㎛ 가 된다. 또, X-Y 위치가 10-3 으로 특정되는 위치에서는, 웨이퍼 (W) 의 두께 데이터가 3 ㎛ (기준치보다 3 ㎛ 두껍다) 인 것을 이해할 수 있다.As described above, the thickness detecting means 8 is operated to measure the thickness of the position corresponding to each XY position on the entire surface of the wafer W, and a part of the control means 10 is shown below in FIG. The memory stores the thickness data at each XY position. Further, the thickness data stored in the memory of the control means 10 is a difference from the reference value when the smallest value is used as the reference value among the detected thicknesses, and is related to the XY position of the suction holding unit 75 in the micrometer. It is remembered in units. More specifically, as shown in FIG. 4, for example, the position where the X-Y position is specified as 7-1 is the position where the thickness of the wafer W is the smallest, and the thickness data is 0 μm. It is to be understood that the thickness data of the wafer W is 3 µm (3 µm thicker than the reference value) at the position where the X-Y position is specified by 10-3.

이어서, 제어 수단 (10) 은, 기억 수단에 기억된 상기 웨이퍼 (W) 의 두께 데이터에 기초하여, 각 X-Y 위치에 대응하는 위치에 배치 형성된 각 압전 소자 (110) 에 인가하는 전압치를 압전 소자 (110) 마다 연산한다. 도 5 에는, 도 4 에 나타낸 X-Y 위치에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 두께 데이터에 기초하여 연산된 당해 위치에 있는 압전 소자 (110) 에 대해 인가하는 인가 전압치의 일부를 나타내고 있다. 보다 구체적으로는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, X-Y 위치가 7-1 로 특정되는 위치의 압전 소자 (110) 에 대해서는, 당해 위치의 웨이퍼 (W) 의 두께 데이터가 0 ㎛ 인 점에서, 인가 전압치는 0 V 이고, 또, X-Y 위치가 10-3 으로 특정되는 위치의 압전 소자 (110) 에 대해서는, 당해 위치의 웨이퍼 (W) 의 두께 데이터가 3 ㎛ 인 점에서, 인가 전압치는 3 V 이다. 이와 같이, 각 압전 소자 (110) 에 대한 인가 전압치는, 이하에 나타내는 식 (1) 에 기초하여 연산된다.Subsequently, the control means 10 applies the voltage value applied to each piezoelectric element 110 formed at a position corresponding to each XY position based on the thickness data of the wafer W stored in the storage means. Every 110). In FIG. 5, a part of the applied voltage value applied to the piezoelectric element 110 in the said position computed based on the thickness data of the wafer W in the X-Y position shown in FIG. 4 is shown. More specifically, as shown in FIG. 5, for example, for the piezoelectric element 110 at the position where the XY position is specified by 7-1, the thickness data of the wafer W at the position is 0 μm. In this case, the applied voltage value is 0 V, and for the piezoelectric element 110 at the position where the XY position is specified by 10-3, the thickness data of the wafer W at the position is 3 µm. 3 V. Thus, the voltage applied to each piezoelectric element 110 is calculated based on Formula (1) shown below.

인가 전압치 (V) = 두께 데이터 (㎛) × 1 (V) ····· (1)   Applied voltage value (V) = thickness data (μm) × 1 (V) (1)

척 테이블 (71) 이 연마역 (71b) 으로 이동되고, 연마 패드 (5) 와 척 테이블 (71) 이 소정의 위치 관계로 세팅되면, 제어 수단 (10) 은 도시하지 않은 회전 구동 수단을 구동하여 척 테이블 (71) 을 예를 들어 300 rpm 의 회전 속도로 회전시킴과 함께, 상기한 서보 모터 (43) 를 구동하여 연마 패드 (5) 를 예를 들어 6000 rpm 의 회전 속도로 회전시킨다. 그리고, 연마 시트 (52) 와 웨이퍼 (W) 의 경계부에 대해 슬러리 (S) 를 공급하면서, 연마 유닛 이송 기구 (6) 의 펄스 모터 (62) 를 정회전 구동하여 연마 패드 (5) 를 하강시켜, 연마 시트 (52) 를 웨이퍼의 상면 (이면측) 인 피연마면에 소정의 압력으로 가압한다. 이 때, 제어 수단 (10) 에 의해 전압 인가 수단이 제어됨으로써, 흡인 유지부 (75) 에 배치 형성된 각 압전 소자 (110) 에 대해 도 5 에 나타낸 웨이퍼의 두께 데이터에 따른 전압이 인가된다. 그 결과, 연마되는 웨이퍼 (W) 의 높이가 각 위치의 두께에 따라서 조정되고, 높은 위치로 조정된 웨이퍼 (W) 의 특정 위치가 보다 중점적으로 연마되어, 웨이퍼 (W) 의 전체가 균일한 두께가 되도록 연마된다. 연마 가공이 실시된 후의 웨이퍼 (W) 는, 적절히 세정 공정 등의 다음 공정으로 반송된다. 또한, 도 1 에는 도시되지 않지만, 연마 장치 (1) 에는, 가공 전, 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 수용하는 카세트를 재치하는 카세트 테이블, 카세트로부터 반출된 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤을 실시하는 위치 맞춤 테이블, 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 세정하는 세정 수단, 및 이들의 사이에 있어서 웨이퍼 (W) 를 반송하는 반송 수단 등을 구비하고 있어도 된다.When the chuck table 71 is moved to the polishing zone 71b and the polishing pad 5 and the chuck table 71 are set in a predetermined positional relationship, the control means 10 drives a rotation drive means (not shown) The chuck table 71 is rotated at a rotational speed of 300 rpm, for example, and the above-described servo motor 43 is driven to rotate the polishing pad 5 at a rotational speed of, for example, 6000 rpm. Then, while supplying the slurry S to the boundary portion between the polishing sheet 52 and the wafer W, the pulse motor 62 of the polishing unit feed mechanism 6 is rotated forward to lower the polishing pad 5. The polishing sheet 52 is pressed to a to-be-polished surface, which is the upper surface (lower surface side) of the wafer, at a predetermined pressure. At this time, the voltage applying means is controlled by the control means 10, so that the voltage according to the thickness data of the wafer shown in FIG. 5 is applied to each piezoelectric element 110 disposed in the suction holding portion 75. As a result, the height of the wafer W to be polished is adjusted according to the thickness of each position, and the specific position of the wafer W adjusted to the high position is polished more intensively, so that the entire thickness of the wafer W is uniform. Polished to be. The wafer W after the polishing process is appropriately conveyed to the next step such as a washing step. In addition, although not shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 includes a cassette table for placing a cassette containing the wafer W after processing and a position for aligning the wafer W carried out from the cassette. You may be provided with the fitting table, the washing | cleaning means which wash | cleans the wafer W after a process, the conveying means, etc. which convey the wafer W between them.

상기한 실시형태에서는, 가공 수단으로서 웨이퍼 (W) 를 연마하는 연마 유닛 (3) 을 구비한 연마 장치 (1) 의 예를 제시했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 특허문헌 1 에 나타내는 것과 같은 연삭 장치에 적용해도 된다. 연삭 장치에 적용하는 경우에는, 예를 들어, 가공 수단으로서, 웨이퍼 (W) 의 면을 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 구비한 연삭 휠을 회전 가능하게 구비한 연삭 수단을 구비하도록 하면 된다. 본 발명을 연삭 장치에 적용하는 경우에도, 상기 연마 장치 (1) 와 마찬가지로, 척 테이블의 흡인 유지부에 복수의 압전 소자를 배치하고, 각 압전 소자에 전압을 인가하여 각 압전 소자를 유지면에 대해 수직 방향으로 팽창시키는 전압 인가 수단을 제어한다. 이로써, 흡인 유지부에 유지되는 웨이퍼 (W) 의 높이를 조정하여, 원하는 두께로 가공할 수 있다.In the above-mentioned embodiment, although the example of the grinding | polishing apparatus 1 provided with the grinding | polishing unit 3 which grinds the wafer W as a processing means was shown, this invention is not limited to this, You may apply to the same grinding apparatus. When applied to a grinding apparatus, for example, what is necessary is just to provide the grinding means which provided with the grinding wheel rotatably the annular grinding wheel which grinds the surface of the wafer W as a processing means. Even when the present invention is applied to the grinding apparatus, similarly to the polishing apparatus 1, a plurality of piezoelectric elements are disposed on the suction holding part of the chuck table, and voltage is applied to each piezoelectric element so that each piezoelectric element is placed on the holding surface. Control the voltage application means for expanding in the vertical direction with respect to the Thereby, the height of the wafer W held by the suction holding | maintenance part can be adjusted and can be processed to desired thickness.

상기한 실시형태에서는, 연마 장치 (1) 에 의해 웨이퍼 (W) 에 대해 연마 가공을 실시할 때에, 기억 수단에 기억된 두께 데이터에 기초하여 전압 인가 수단을 작동하여 웨이퍼 (W) 의 높이를 조정하고, 가공 후의 웨이퍼 (W) 의 두께가 균일해지도록 했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 의 두께를, 웨이퍼의 중심측에서 두껍고, 외주측에서 얇아지도록 하는 경우에는, 웨이퍼 (W) 의 중심측에 위치되는 압전 소자 (110) 에 인가되는 인가 전압치를 작게, 외주 측에 위치되는 압전 소자 (110) 에 대한 인가 전압치가 서서히 커지도록 인가 전압치를 조정해도 된다. 또, 가공 전의 웨이퍼 (W) 의 두께를 알고 있는 경우에는, 반드시 웨이퍼 (W) 전역의 두께를 검출하는 두께 검출 수단 (8) 을 구비하지 않아도 되며, 생략할 수도 있다.In the above-described embodiment, when polishing the wafer W by the polishing apparatus 1, the voltage applying means is operated based on the thickness data stored in the storage means to adjust the height of the wafer W. FIG. And the thickness of the wafer W after processing was made uniform, but this invention is not limited to this. For example, when the thickness of the wafer W after polishing is made thick at the center side of the wafer and thinned at the outer circumferential side, application is applied to the piezoelectric element 110 located at the center side of the wafer W. You may adjust an applied voltage value so that a voltage value may become small and the applied voltage value with respect to the piezoelectric element 110 located in the outer peripheral side may become large gradually. Moreover, when knowing the thickness of the wafer W before a process, it is not necessary to necessarily provide the thickness detection means 8 which detects the thickness of the whole wafer W, and can also abbreviate | omit.

상기한 실시형태에서는, 두께 데이터에 기초하여 압전 소자 (110) 에 인가되는 인가 전압치를 상기한 식 (1) 에 기초하여 연산했지만, 인가 전압치의 연산식은 이것으로 한정되지 않고, 압전 소자 (110) 의 팽창 특성, 혹은, 적용되는 연삭 장치 및 연마 장치의 가공 특성에 따라서, 적절히 변경하는 것이 가능하다.In the above-mentioned embodiment, although the applied voltage value applied to the piezoelectric element 110 based on thickness data was computed based on said Formula (1), the calculation formula of an applied voltage value is not limited to this, The piezoelectric element 110 is not limited to this. It can be suitably changed according to the expansion characteristic of or the processing characteristic of the grinding apparatus and grinding | polishing apparatus applied.

1 : 연마 장치
2 : 장치 하우징
3 : 연마 유닛
31 : 이동 기대
4 : 스핀들 유닛
41 : 스핀들 하우징
42 : 회전 스핀들
43 : 서보 모터
44 : 휠 마운트
46 : 슬러리 공급로
5 : 연마 패드
51 : 기대
52 : 연마 시트
53 : 슬러리 공급공
7 : 척 테이블 기구
71 : 척 테이블
72 : 커버 부재
73, 74 : 벨로우즈 수단
75 : 흡인 유지부
76 : 프레임체
76a : 공간부
77 : 축부
77a : 연통로
8 : 두께 검출 수단
10 : 제어 수단
12, 13 : 접점
100 : 기대
101 : 흡인공
110 : 압전 소자
111 : 유지면
121 : 전압 공급선
121A, 122A : 회전 접점1: polishing device
2: device housing
3: polishing unit
31: expect to move
4: Spindle Unit
41: spindle housing
42: rotating spindle
43: servo motor
44: wheel mount
46: slurry feed furnace
5: polishing pad
51: expect
52: Polishing Sheet
53: slurry feed hole
7: Chuck Table Mechanism
71: Chuck Table
72: cover member
73, 74: bellows means
75: suction holding unit
76: frame
76a: space part
77 shaft
77a: communication path
8: thickness detection means
10 control means
12, 13: contact
100: expect
101: suction ball
110: piezoelectric element
111: holding surface
121: voltage supply line
121A, 122A: Rotary Contacts

Claims (4)

웨이퍼의 면을 가공하는 가공 장치로서,
웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 흡인 유지부와, 그 흡인 유지부의 외주를 둘러싸는 프레임체와, 그 프레임체에 형성되고 흡인원에 연통하는 연통로를 구비한 척 테이블과,
그 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 면을 가공하는 가공 수단을 적어도 포함하고,
그 흡인 유지부는, 흡인공이 형성된 기대와, 그 기대에 배치 형성되고 웨이퍼를 지지하는 복수의 압전 소자와, 각 압전 소자에 전압을 인가하여 각 압전 소자를 그 유지면에 대해 수직 방향으로 팽창시키는 전압 인가 수단과, 그 전압 인가 수단을 제어하는 제어 수단으로 적어도 구성되고,
그 전압 인가 수단의 작용에 의해 각 압전 소자를 팽창시켜 웨이퍼의 높이를 조정하는, 가공 장치.As a processing apparatus for processing the surface of the wafer,
A chuck table having a suction holding part having a holding surface for suction holding a wafer, a frame body surrounding the outer circumference of the suction holding part, a communication path formed in the frame body and communicating with a suction source;
At least processing means for processing the surface of the wafer held on the chuck table,
The suction holding part includes a base having a suction hole, a plurality of piezoelectric elements disposed on the base and supporting the wafer, and a voltage that applies voltage to each piezoelectric element to expand each piezoelectric element in a direction perpendicular to the holding surface thereof. At least comprising an applying means and a control means for controlling the voltage applying means,
The processing apparatus which expands each piezoelectric element by the action of the voltage application means, and adjusts the height of a wafer. 제 1 항에 있어서,
그 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 두께를 검출하는 두께 검출 수단과, 그 두께 검출 수단에 의해 검출된 두께 데이터를 기억하는 기억 수단을 구비하고,
그 제어 수단은, 그 기억 수단에 기억된 두께 데이터에 기초하여 그 전압 인가 수단을 작동하여 각 압전 소자를 팽창시켜 웨이퍼의 높이를 조정하는, 가공 장치.The method of claim 1,
A thickness detecting means for detecting the thickness of the wafer held in the chuck table, and a storage means for storing the thickness data detected by the thickness detecting means,
The control means operates the voltage application means based on the thickness data stored in the storage means to expand each piezoelectric element to adjust the height of the wafer. 제 1 항에 있어서,
그 가공 수단은, 웨이퍼의 면을 연마하는 연마 패드를 회전 가능하게 구비한 연마 수단인, 가공 장치.The method of claim 1,
The processing means is a processing device which is a polishing means rotatably provided with a polishing pad for polishing a surface of a wafer. 제 1 항에 있어서,
그 가공 수단은, 웨이퍼의 면을 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 구비한 연삭 휠을 회전 가능하게 구비한 연삭 수단인, 가공 장치.The method of claim 1,
The processing apparatus is a processing apparatus which is a grinding means provided with the grinding wheel rotatably provided with the grinding grindstone which grinds the surface of a wafer.
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