JP2019153724A - Processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエーハの面を加工する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for processing a wafer surface.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、表面に形成されたウエーハは、研磨装置によって研磨されてゲッタリング層を形成する等して所望の面粗さに形成された後、レーザー加工装置、ダイシング装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A plurality of devices such as IC, LSI, etc. are partitioned by dividing lines, and the wafer formed on the surface is polished by a polishing apparatus to form a gettering layer, etc. The device is divided into individual devices by a dividing device such as a laser processing device or a dicing device, and is used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
上記した研磨装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨する研磨パッドを回転可能に備えた研磨手段と、該研磨手段を該チャックテーブルに接近、及び離反させ該チャックテーブルに保持されたウエーハに該研磨パッドを押圧及び離反させる送り手段と、から概ね構成されていて、ウエーハの裏面を研磨しながら所望の面の粗さに仕上げることができる（例えば、特許文献１を参照。）。 The polishing apparatus described above includes a chuck table that holds a wafer, a polishing means that is rotatably provided with a polishing pad that polishes the wafer held by the chuck table, and the polishing means that approaches and separates from the chuck table. Feeding means that presses and separates the polishing pad from the wafer held on the chuck table, and generally comprises a desired surface roughness while polishing the back surface of the wafer (for example, patent See reference 1.)
また、上記した研磨加工を施す前に裏面を研削する研削装置も、上記研磨装置と略同様の構成を備えており、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する環状の研削砥石を回転可能に備えた研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルに接近、及び離反させ該チャックテーブルに保持されたウエーハに該研削砥石を押圧及び離反させる送り手段と、から概ね構成されている（例えば、特許文献２を参照。）。 Further, the grinding apparatus for grinding the back surface before performing the above polishing process has a configuration substantially similar to that of the polishing apparatus, and grinds the chuck table for holding the wafer and the wafer held by the chuck table. A grinding means having a ring-shaped grinding wheel rotatably, and a feed means for pressing and separating the grinding wheel against a wafer held on the chuck table by moving the grinding means closer to and away from the chuck table. (For example, refer to Patent Document 2).
上記した研磨装置によって、ウエーハの面が所望の粗さに研磨される。しかし、加工が施されるウエーハの厚みが不均一で、裏面にウネリがあった場合は、研磨パッドとウエーハの裏面との間における接触圧力が不均一となり、ウエーハの裏面を均一な粗さに加工することが困難である。また、環状の研削砥石を加工具として備えた研削装置においても、同様の問題が発生する。 The surface of the wafer is polished to a desired roughness by the above-described polishing apparatus. However, if the thickness of the wafer to be processed is non-uniform and there is undulation on the back surface, the contact pressure between the polishing pad and the back surface of the wafer becomes non-uniform, and the back surface of the wafer is made to have a uniform roughness. It is difficult to process. The same problem occurs in a grinding apparatus provided with an annular grinding wheel as a processing tool.
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの面に加工を施す加工具と、加工されるウエーハの面との接触圧を均一にすることができる加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described facts, and a main technical problem thereof is a processing apparatus capable of making the contact pressure between a processing tool for processing the surface of the wafer and the surface of the processed wafer uniform. Is to provide.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハの面を加工する加工装置であって、ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引保持部と、該吸引保持部の外周を囲繞する枠体と、該枠体に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面に接触して加工を施す加工具を備えた加工手段と、を少なくとも含み、該吸引保持部は、吸引孔が形成された基台と、該基台に配設されウエーハを支持する複数の圧電素子と、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を該保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、該電圧印加手段を制御する制御手段と、から少なくとも構成され、該制御手段は、該吸引保持部に保持されたウエーハに該加工具を接触させて各圧電素子から出力される電圧を各圧電素子に対応して記憶する出力電圧記憶部と、該出力電圧記憶部に記憶された電圧値の最大値を求め、該最大値から該出力電圧記憶部に記憶された電圧値を差し引いて印加電圧を求める算出部と、該印加電圧を各圧電素子に対応して印加すべき電圧として記憶する印加電圧記憶部と、を備え、該印加電圧記憶部に記憶された電圧で該電圧印加手段を制御する加工装置が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a processing apparatus for processing a wafer surface surrounds a suction holding portion having a holding surface for sucking and holding a wafer, and an outer periphery of the suction holding portion. Processing means including a chuck table including a frame, a communication path formed in the frame and communicating with a suction source, and a processing tool that performs processing in contact with the surface of the wafer held by the chuck table The suction holding unit includes a base having suction holes formed therein, a plurality of piezoelectric elements disposed on the base and supporting the wafer, and a voltage applied to each piezoelectric element to each piezoelectric element. A voltage applying means for expanding the element in a direction perpendicular to the holding surface; and a control means for controlling the voltage applying means. The control means is provided on the wafer held by the suction holding portion. Contact each processing tool An output voltage storage unit that stores the voltage output from the electric element corresponding to each piezoelectric element, and obtains the maximum value of the voltage value stored in the output voltage storage unit, and from the maximum value to the output voltage storage unit A calculation unit that subtracts the stored voltage value to obtain an applied voltage, and an applied voltage storage unit that stores the applied voltage as a voltage to be applied corresponding to each piezoelectric element, and stores the applied voltage in the applied voltage storage unit There is provided a machining apparatus for controlling the voltage applying means with the applied voltage.
該加工装置は、該加工手段は、該加工具としてウエーハの面を研磨する研磨パッドを回転可能に備えた研磨手段を備えることが好ましい。 In the processing apparatus, it is preferable that the processing means includes a polishing means rotatably provided with a polishing pad for polishing the surface of the wafer as the processing tool.
本発明に基づき構成される加工装置は、ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引保持部と、該吸引保持部の外周を囲繞する枠体と、該枠体に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面に接触して加工を施す加工具を備えた加工手段と、を少なくとも含み、該吸引保持部は、吸引孔が形成された基台と、該基台に配設されウエーハを支持する複数の圧電素子と、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を該保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、該電圧印加手段を制御する制御手段と、から少なくとも構成され、該制御手段は、該吸引保持部に保持されたウエーハに該加工具を接触させて各圧電素子から出力される電圧を各圧電素子に対応して記憶する出力電圧記憶部と、該出力電圧記憶部に記憶された電圧値の最大値を求め、該最大値から該出力電圧記憶部に記憶された電圧値を差し引いて印加電圧を求める算出部と、該印加電圧を各圧電素子に対応して印加すべき電圧として記憶する印加電圧記憶部と、を備え、該印加電圧記憶部に記憶された電圧で該電圧印加手段を制御するので、厚みが不均一で、表面にウネリがある場合であっても、ウエーハの加工面と加工具との接触圧力が均一になり、ウエーハの面を均一な接触圧で加工することが可能になる。 A processing apparatus configured according to the present invention includes a suction holding portion having a holding surface for sucking and holding a wafer, a frame surrounding the outer periphery of the suction holding portion, and a communication formed on the frame and communicating with a suction source. A chuck table provided with a passage, and a processing means provided with a processing tool for processing in contact with the surface of the wafer held by the chuck table, wherein the suction holding portion is formed with a suction hole And a plurality of piezoelectric elements arranged on the base and supporting the wafer, and voltage applying means for applying a voltage to each piezoelectric element to expand each piezoelectric element in a direction perpendicular to the holding surface. And a control means for controlling the voltage application means. The control means brings the processing tool into contact with the wafer held by the suction holding portion and outputs the voltage output from each piezoelectric element. Memorize corresponding to piezoelectric element An output voltage storage unit, a maximum value of the voltage value stored in the output voltage storage unit, a calculation unit for subtracting the voltage value stored in the output voltage storage unit from the maximum value to obtain an applied voltage; and An applied voltage storage unit that stores the applied voltage as a voltage to be applied corresponding to each piezoelectric element, and the voltage application unit is controlled by the voltage stored in the applied voltage storage unit, so that the thickness is not uniform Thus, even when there is undulation on the surface, the contact pressure between the processing surface of the wafer and the processing tool becomes uniform, and the wafer surface can be processed with a uniform contact pressure.
以下、本発明の実施形態に係る加工装置について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。 Hereinafter, a processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
図１に示す加工装置は、ウエーハの裏面を研磨する研磨装置１である。研磨装置１は、図に示すように、装置ハウジング２を備えている。この装置ハウジング２は、略直方体形状の主部２１と、主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ上方に延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、加工手段としての研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。 The processing apparatus shown in FIG. 1 is a polishing apparatus 1 that polishes the back surface of a wafer. The polishing apparatus 1 includes an apparatus housing 2 as shown in the figure. The device housing 2 includes a substantially rectangular parallelepiped main portion 21 and an upright wall 22 provided at the rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extending upward. A polishing unit 3 as a processing means is mounted on the front surface of the upright wall 22 so as to be movable in the vertical direction.
研磨ユニット３は、移動基台３１と移動基台３１に装着されたスピンドルユニット４、及び研磨パッド５を備えている。移動基台３１は、直立壁２２に配設された一対の案内レール２３、２３と摺動可能に係合するように構成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２３、２３に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には、前方に突出した支持部を介してスピンドルユニット４が取り付けられる。 The polishing unit 3 includes a moving base 31, a spindle unit 4 mounted on the moving base 31, and a polishing pad 5. The movable base 31 is configured to slidably engage with a pair of guide rails 23, 23 disposed on the upright wall 22. In this way, the spindle unit 4 is attached to the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 23, 23 provided on the upright wall 22 via a support portion protruding forward.
スピンドルユニット４は、スピンドルハウジング４１と、スピンドルハウジング４１に回転自在に配設された回転スピンドル４２と、回転スピンドル４２を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ４３とを備えている。スピンドルハウジング４１に回転可能に支持された回転スピンドル４２は、下方側の端部がスピンドルハウジング４１の下端から突出するように配設され、該端部には、ホイールマウント４４が設けられている。このホイールマウント４４の下面には、研磨パッド５が取り付けられる。回転スピンドル４２、サーボモータ４３、ホイールマウント４４の内部には、上下方向に貫通するスラリー供給路４６が形成されており、サーボモータ４３の上端部には、スラリー供給路４６に連通するスラリー投入口４５が形成されている。 The spindle unit 4 includes a spindle housing 41, a rotary spindle 42 rotatably disposed on the spindle housing 41, and a servo motor 43 as a drive source for rotationally driving the rotary spindle 42. The rotary spindle 42 rotatably supported by the spindle housing 41 is disposed so that the lower end protrudes from the lower end of the spindle housing 41, and a wheel mount 44 is provided at the end. The polishing pad 5 is attached to the lower surface of the wheel mount 44. A slurry supply path 46 penetrating in the vertical direction is formed inside the rotary spindle 42, the servo motor 43, and the wheel mount 44. A slurry inlet that communicates with the slurry supply path 46 is formed at the upper end of the servo motor 43. 45 is formed.
研磨パッド５を、図１の左上方に下面が見える状態で示す。研磨パッド５は、ホイールマウント４４にボルトで固定される基台５１と、研磨シート５２とから構成される。基台５１は、ホイールマウント４４と同様の円板形状であり、たとえばアルミ合金で構成される。研磨シート５２は、たとえば発泡ウレタンシートで構成され、基台５１の下面に両面テープ等の接着手段により接着される。研磨シート５２の表面には、研磨加工時に供給されるスラリーＳが研磨シート５２の表面全体に行き渡るようにするための細溝５２ａが格子状に形成されている。研磨シート５２の中央には、スラリー供給孔５３が形成されており、スラリー投入口４５から投入されるスラリーＳは、スラリー供給路４６を介して、このスラリー供給孔５３から供給される。研磨シート５２は、所定時間使用された後、基台５１から剥がされ、新しい研磨パッド５２に交換することができる。 The polishing pad 5 is shown in a state where the lower surface is visible in the upper left of FIG. The polishing pad 5 includes a base 51 fixed to the wheel mount 44 with a bolt and a polishing sheet 52. The base 51 has a disk shape similar to that of the wheel mount 44 and is made of, for example, an aluminum alloy. The polishing sheet 52 is made of, for example, a foamed urethane sheet, and is bonded to the lower surface of the base 51 by an adhesive means such as a double-sided tape. On the surface of the polishing sheet 52, narrow grooves 52 a are formed in a lattice shape so that the slurry S supplied during polishing is spread over the entire surface of the polishing sheet 52. A slurry supply hole 53 is formed in the center of the polishing sheet 52, and the slurry S introduced from the slurry introduction port 45 is supplied from the slurry supply hole 53 via the slurry supply path 46. After being used for a predetermined time, the polishing sheet 52 is peeled off from the base 51 and can be replaced with a new polishing pad 52.
図示の研磨装置１は、研磨ユニット３を一対の案内レール２３、２３に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動させる研磨ユニット送り機構６を備えている。この研磨ユニット送り機構６は、直立壁２２の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド６１、雄ねじロッド６１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ６２を備え、移動基台３１の背面に備えられた図示しない雄ねじロッド６１の軸受部材等から構成される。このパルスモータ６２が正転すると研磨ユニット３が下降させられ、パルスモータ６２が逆転すると研磨ユニット３が上昇させられる。 The illustrated polishing apparatus 1 includes a polishing unit feed mechanism 6 that moves the polishing unit 3 in a vertical direction (a direction perpendicular to a holding surface of a chuck table described later) along a pair of guide rails 23 and 23. . The polishing unit feed mechanism 6 includes a male screw rod 61 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending substantially vertically, and a pulse motor 62 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 61. It is comprised from the bearing member etc. of the male screw rod 61 (not shown) provided in the back surface. When the pulse motor 62 rotates forward, the polishing unit 3 is lowered, and when the pulse motor 62 rotates reversely, the polishing unit 3 is raised.
上記ハウジング２の主部２１には、被加工物としての板状物（たとえば半導体のウエーハ。）を保持する保持手段としてのチャックテーブル機構７が配設されている。チャックテーブル機構７は、チャックテーブル７１と、チャックテーブル７１の周囲を覆うカバー部材７２と、カバー部材７２の前後に配設された蛇腹手段７３と、を備えている。装置ハウジング２の上面で、蛇腹手段７３が配設される領域の近傍には、チャックテーブル７１上に保持されるウエーハに供給されて研磨加工に使用されたあとのスラリーＳを回収するための回収孔９が形成される。 The main portion 21 of the housing 2 is provided with a chuck table mechanism 7 as a holding means for holding a plate-like object (for example, a semiconductor wafer) as a workpiece. The chuck table mechanism 7 includes a chuck table 71, a cover member 72 that covers the periphery of the chuck table 71, and bellows means 73 disposed before and after the cover member 72. On the upper surface of the apparatus housing 2, in the vicinity of the region where the bellows means 73 is disposed, a collection for collecting the slurry S after being supplied to the wafer held on the chuck table 71 and used for the polishing process. A hole 9 is formed.
チャックテーブル７１は、図示しない回転駆動手段によって回転可能に構成されると共に、図示しないチャックテーブル移動手段によって図１に示す被加工物載置域７１ａと研磨パッド５と対向する研磨域７１ｂとの間（矢印Ｘで示すＸ軸方向）で移動させられる。 The chuck table 71 is configured to be rotatable by a rotation driving means (not shown), and between the workpiece placement area 71a shown in FIG. 1 and a polishing area 71b facing the polishing pad 5 by a chuck table moving means (not shown). (X-axis direction indicated by arrow X).
図２、及び図３を参照しながら、チャックテーブル７１の構成についてさらに詳細に説明する。図２には、チャックテーブル７１を、チャックテーブル機構７のカバー部材７２、及び蛇腹手段７３を省略して斜視図で示している。チャックテーブル７１は、ウエーハを吸引保持するための吸引保持部７５と、吸引保持部７５の外周を囲繞する枠体７６と、枠体７６の下面中心部から下方に延びる軸部７７を備えている。軸部７７の内部には、枠体７６内の後述する空間部７６ａを図示しない吸引源に連通する連通路７７ａが形成されている。軸部７７は、図示しない駆動用モータに接続され、チャックテーブル７１は、所定の回転速度で駆動される。 The configuration of the chuck table 71 will be described in more detail with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a perspective view of the chuck table 71 with the cover member 72 and the bellows means 73 of the chuck table mechanism 7 omitted. The chuck table 71 includes a suction holding portion 75 for sucking and holding the wafer, a frame 76 surrounding the outer periphery of the suction holding portion 75, and a shaft portion 77 extending downward from the center of the lower surface of the frame 76. . Inside the shaft portion 77, a communication passage 77a is formed which communicates a space portion 76a described later in the frame body 76 with a suction source (not shown). The shaft portion 77 is connected to a driving motor (not shown), and the chuck table 71 is driven at a predetermined rotational speed.
図３に、図２で示すチャックテーブル７１のＡ−Ａ断面を示す。図３に示すように、枠体７６に囲繞されて保持される吸引保持部７５は、基台１００と、基台１００上に保持される複数の圧電素子１１０と、を備えており、圧電素子１１０の上面が、ウエーハを保持する保持面１１１を構成する。基台１００は、枠体７６に囲繞される円盤形状をなしており、枠体７６の内部に形成され空間部７６ａと外部とを連通する吸引孔１０１が複数形成されている。空間部７６ａは、連通路７７ａと接続されており、隣接する圧電素子１１０間に形成される空隙１１２と、基台１００の吸引孔１０１を介して保持面１１１側に吸引作用を生じさせる。本実施形態の圧電素子１１０は、加えられた力に応じて電圧を発生すると共に、印加される電圧に応じて垂直方向に膨張（厚みが変化）するものとして周知の構成であり、たとえば、１μｍ押し下げられることにより１Ｖの電圧を発生し、１Ｖの電圧が印加さえることにより１μｍ膨張する。各圧電素子１１０には、基台１００を介して電圧を印加、又は検出するための電圧線１２１と、接地（アース）用のアース線１２２が接続される。 FIG. 3 shows an AA cross section of the chuck table 71 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the suction holding unit 75 surrounded and held by the frame body 76 includes a base 100 and a plurality of piezoelectric elements 110 held on the base 100. The upper surface of 110 constitutes a holding surface 111 that holds the wafer. The base 100 has a disk shape surrounded by the frame body 76, and a plurality of suction holes 101 that are formed inside the frame body 76 and communicate with the space 76a and the outside are formed. The space portion 76 a is connected to the communication passage 77 a and causes a suction action to occur on the holding surface 111 side via the gap 112 formed between the adjacent piezoelectric elements 110 and the suction hole 101 of the base 100. The piezoelectric element 110 according to the present embodiment has a well-known configuration that generates a voltage according to an applied force and expands in a vertical direction (changes in thickness) according to an applied voltage. A voltage of 1V is generated by being pushed down, and 1 μm is expanded by applying a voltage of 1V. A voltage line 121 for applying or detecting a voltage and a ground line 122 for grounding (grounding) are connected to each piezoelectric element 110 via the base 100.
図２、及び図３から理解されるように、電圧線１２１は、吸引保持部７５を構成する圧電素子１１０に対応して個々に配設されるものであり、アース線１２２は、各圧電素子１１０に共通する線である。チャックテーブル７１は回転するように構成されているため、軸部７７には、個々の電圧線１２１のそれぞれに接続される回転接点１２１Ａ、及びアース線１２２に接続される回転接点１２２Ａが配設される。なお、図では省略しているが、電圧線１２１は、吸引保持部７５に配設される各圧電素子１１０の全てに対応して配設される。 As understood from FIGS. 2 and 3, the voltage lines 121 are individually arranged corresponding to the piezoelectric elements 110 constituting the suction holding unit 75, and the ground line 122 is provided for each piezoelectric element. 110 is a line common to 110. Since the chuck table 71 is configured to rotate, the shaft portion 77 is provided with a rotating contact 121A connected to each of the individual voltage lines 121 and a rotating contact 122A connected to the ground wire 122. The Although not shown in the drawing, the voltage line 121 is provided corresponding to all the piezoelectric elements 110 provided in the suction holding unit 75.
回転接点１２１Ａ、及び１２２Ａが配設されたチャックテーブル７１の軸部７７に隣接して、回転接点１２２Ａに接する接点１２、及び回転接点１２１Ａに接する接点１３が配設される。接点１２はアースに接続され、接点１３は配線１３１を介して制御手段１０に接続される。上記した接点１２、及び接点１３から圧電素子１１０まで形成される回路が、本実施形態の電圧印加手段を構成し、それと同時に、圧電素子１１０が出力する電圧を検出する電圧検出手段も構成する。 Adjacent to the shaft portion 77 of the chuck table 71 on which the rotating contacts 121A and 122A are disposed, the contact 12 that contacts the rotating contact 122A and the contact 13 that contacts the rotating contact 121A are disposed. The contact 12 is connected to the ground, and the contact 13 is connected to the control means 10 via the wiring 131. The circuit formed from the contact 12 and the contact 13 to the piezoelectric element 110 constitutes the voltage applying means of the present embodiment, and at the same time, constitutes a voltage detecting means for detecting the voltage output from the piezoelectric element 110.
制御手段１０は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている。制御手段１０には、少なくとも圧電素子１１０から出力される電圧値が、該電圧検出手段を介して入力され、制御手段１０は、チャックテーブル７１を移動させる移動手段（図示は省略する。）、及び上記電圧印加手段を制御する。 The control means 10 is constituted by a computer and temporarily stores a central processing unit (CPU) that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) that stores a control program, etc., and detected values and arithmetic results. A readable / writable random access memory (RAM), an input interface, and an output interface. At least the voltage value output from the piezoelectric element 110 is input to the control unit 10 via the voltage detection unit, and the control unit 10 moves the chuck table 71 (not shown) and moves. The voltage application means is controlled.
図２に示すように、制御手段１０には、複数の圧電素子１１０から出力される出力電圧値を、各圧電素子１１０が配設された各Ｘ−Ｙ位置に対応して記憶する出力電圧記憶部１０ａが設定される。さらに、制御手段１０には、出力電圧記憶部１０ａに記憶された各Ｘ−Ｙ位置の出力電圧値を参照することによって、出力電圧記憶部１０ａに記憶された各出力電圧値の中で最も大きい最大値を求め、該最大値から出力電圧記憶部１０ａに記憶された出力電圧値を差し引いて、各圧電素子１１０に印加する印加電圧を算出する算出部１０ｂと、算出部１０ｂにおいて算出された印加電圧値を各Ｘ−Ｙ位置に対応した印加電圧として記憶する印加電圧記憶部１０ｃと、を備える。 As shown in FIG. 2, the control means 10 stores output voltage values output from the plurality of piezoelectric elements 110 corresponding to the XY positions where the piezoelectric elements 110 are disposed. Part 10a is set. Further, the control means 10 refers to the output voltage value at each XY position stored in the output voltage storage unit 10a, so that it is the largest among the output voltage values stored in the output voltage storage unit 10a. A calculation unit 10b that obtains a maximum value, subtracts the output voltage value stored in the output voltage storage unit 10a from the maximum value, and calculates an applied voltage to be applied to each piezoelectric element 110, and an application calculated by the calculation unit 10b And an applied voltage storage unit 10c that stores a voltage value as an applied voltage corresponding to each XY position.
制御手段１０は、上記した印加電圧記憶部１０ｃに記憶された印加電圧値に基づいて、電圧印加手段を制御することで、各圧電素子１１０が膨張する量を制御し、吸引保持部７５の保持面１１１の高さを調整することができる。 The control means 10 controls the amount of expansion of each piezoelectric element 110 by controlling the voltage application means based on the applied voltage value stored in the applied voltage storage section 10 c described above, and holds the suction holding section 75. The height of the surface 111 can be adjusted.
本実施形態に係る研磨装置１は、概ね上記したように構成されており、以下、上記した研磨装置１を用いてウエーハを研磨する手順について図４〜図７を参照しながら説明する。 The polishing apparatus 1 according to the present embodiment is generally configured as described above. Hereinafter, a procedure for polishing a wafer using the above-described polishing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 4 to 7.
研磨作業を実施する作業者は、被加工物であるウエーハＷのデバイスが形成された表面Ｗａ側に図示しない保護テープを貼着し、図１で示された被加工物載置域７１ａに移動されたチャックテーブル７１上に、ウエーハＷの裏面Ｗｂ側を上にして載置する（図４（ａ）を参照。）。次いで、図示しない吸引手段を作動することによって、軸部７７の連通路７７ａを介してウエーハＷを吸引保持する。 An operator who performs the polishing operation attaches a protective tape (not shown) to the surface Wa side on which a device of the wafer W as a workpiece is formed, and moves to the workpiece placement area 71a shown in FIG. The wafer W is placed on the chuck table 71 with the back surface Wb side of the wafer W facing up (see FIG. 4A). Next, by operating a suction means (not shown), the wafer W is sucked and held via the communication passage 77 a of the shaft portion 77.
次に、制御手段１０は、図示しない移動手段を作動し、チャックテーブル７１を被加工物載置域７１ａから移動して研磨域７１ｂに位置付けることにより、研磨パッド５の直下にチャックテーブル７１に吸引保持されたウエーハＷを位置付ける。この状態では、平面視で、研磨パッド５の中心と、チャックテーブル７１の中心とをずらし（偏心し）、且つ研磨パッド５が吸引保持部７５全体を覆うように位置付ける。上記したように、チャックテーブル７１の吸引保持部７５は、複数の圧電素子１１０により構成されており、図５の上方に示すように、各圧電素子１１０は、チャックテーブル７１上のＸ−Ｙ座標軸でそのＸ−Ｙ位置が特定されるように配設されている。チャックテーブル７１が被加工物載置域７１ａから研磨域７１ｂに移動する際には、各圧電素子１１０には電圧は印加されておらず、各圧電素子１１０によって構成される保持面１１１は均一の高さになっている。なお、図５は、チャックテーブル７１上にウエーハＷが載置されている状態を示しており、チャックテーブル７１の吸引保持部７５に配設された圧電素子１１０を点線で示し、ウエーハＷの表面側に形成されたデバイスは、説明の都合上省略している。 Next, the control means 10 operates a moving means (not shown) to move the chuck table 71 from the workpiece placement area 71a and position it in the polishing area 71b, thereby attracting the chuck table 71 directly below the polishing pad 5. Position the held wafer W. In this state, the center of the polishing pad 5 and the center of the chuck table 71 are shifted (eccentric) in plan view, and the polishing pad 5 is positioned so as to cover the entire suction holding portion 75. As described above, the suction holding portion 75 of the chuck table 71 is composed of a plurality of piezoelectric elements 110, and each piezoelectric element 110 has an XY coordinate axis on the chuck table 71 as shown in the upper part of FIG. 5. Are arranged so that the XY position is specified. When the chuck table 71 moves from the workpiece placement area 71a to the polishing area 71b, no voltage is applied to each piezoelectric element 110, and the holding surface 111 formed by each piezoelectric element 110 is uniform. It is height. 5 shows a state in which the wafer W is placed on the chuck table 71. The piezoelectric element 110 disposed on the suction holding portion 75 of the chuck table 71 is indicated by a dotted line, and the surface of the wafer W is shown. The device formed on the side is omitted for convenience of explanation.
上記したように、研磨パッド５の直下にチャックテーブル７１を位置付けたならば、図４（ｂ）に示すように、研磨パッド５を下降し、研磨シート５２をウエーハＷの裏面Ｗｂ側全体に対して、たとえば、１００Ｎの力で押圧し、ウエーハＷの裏面Ｗｂに対して均一な圧力を加える（図４（ｃ）を参照。）。チャックテーブル７１の吸引保持部７５に配設された各圧電素子１１０は、上記したように、加えられた力に応じた電圧が発生するものであることから、ウエーハＷの厚みが均一でないことによって、裏面Ｗｂにウネリが存在している場合は、各圧電素子１１０に、このウネリに起因する異なる電圧が発生する。各圧電素子１１０において異なる電圧が発生するイメージ図を図５に示す。図５の下方に示す表には、吸引保持部７５上のＸ−Ｙ位置と、各Ｘ−Ｙ位置に対応する圧電素子１１０において発生した出力電圧値（Ｖ）が示されている。例えば、ウエーハＷの厚みが大きいＸ−Ｙ位置（１３−１１）にある圧電素子１１０には、大きな力が掛かるため、１０Ｖの電圧が発生する。また、ウエーハＷの厚みが小さいＸ−Ｙ位置（９−１）にある圧電素子１１０では、１Ｖの電圧が発生する。各圧電素子１１０において発生した電圧は、電圧線１２１、回転接点１２１Ａ、接点１３、及び配線１３１を介して、制御手段１０に入力される。図５の下方に示す電圧は、説明の都合上、一点鎖線で示す領域の圧電素子１１０において発生した電圧値を示すものであるが、実際は、チャックテーブル７１上の全ての圧電素子１１０に対応して電圧値が出力される。 As described above, when the chuck table 71 is positioned immediately below the polishing pad 5, the polishing pad 5 is lowered to bring the polishing sheet 52 to the entire back surface Wb side of the wafer W as shown in FIG. For example, it is pressed with a force of 100 N, and a uniform pressure is applied to the back surface Wb of the wafer W (see FIG. 4C). Since each piezoelectric element 110 disposed in the suction holding portion 75 of the chuck table 71 generates a voltage corresponding to the applied force as described above, the thickness of the wafer W is not uniform. When undulation is present on the back surface Wb, different voltages are generated in each piezoelectric element 110 due to this undulation. An image diagram in which different voltages are generated in each piezoelectric element 110 is shown in FIG. The table shown in the lower part of FIG. 5 shows the XY position on the suction holding unit 75 and the output voltage value (V) generated in the piezoelectric element 110 corresponding to each XY position. For example, since a large force is applied to the piezoelectric element 110 at the XY position (13-11) where the thickness of the wafer W is large, a voltage of 10V is generated. In addition, a voltage of 1 V is generated in the piezoelectric element 110 at the XY position (9-1) where the thickness of the wafer W is small. The voltage generated in each piezoelectric element 110 is input to the control means 10 via the voltage line 121, the rotating contact 121 </ b> A, the contact 13, and the wiring 131. The voltage shown in the lower part of FIG. 5 indicates the voltage value generated in the piezoelectric element 110 in the region indicated by the alternate long and short dash line for convenience of explanation, but actually corresponds to all the piezoelectric elements 110 on the chuck table 71. Voltage value is output.
なお、研磨シート５２の中心には、スラリーＳの供給孔５３が配設されているため、研磨パッド５をウエーハＷの裏面Ｗｂ側全体に押圧して均一な圧力を加えても、供給孔５３部分に位置する圧電素子１１０では、研磨パッド５を押圧することに伴う電圧が正確に発生しないことが想定される。その場合は、研磨パッド５をウエーハＷの裏面Ｗｂ側に押圧し出力電圧値を検出した後、一旦研磨パッド５を上昇させて、チャックテーブル７１を所定角度だけ回転させて、再び、研磨パッド５を下降させて、研磨パッド５をウエーハＷの裏面Ｗｂ側に押圧し、各圧電素子１１０から電圧を出力させる。上記したように、研磨パッド５と、チャックテーブル７１とは、偏心させられていることから、このようにしてチャックテーブル７１の角度を変更して、複数回各圧電素子１１０から電圧値を出力させ、極端に低い出力電圧値を除外することによって、ウエーハＷ全体のウネリによって生じる出力電圧値を正確に検出することができる。出力電圧値の検出方法は、これに限定されず、チャックテーブル７１の中心に対して、研磨パッド５の中心を偏心させて、研磨パッド５を下降して所定の圧力、たとえば１００Ｎの力で押圧させた上で、研磨パッド５、及びチャックテーブル７１を回転させながら、チャックテーブル７１上の吸引保持部７５に均等に圧力を与え、その際に発生する各圧電素子１１０における出力電圧値を検出してもよい。 Since the supply hole 53 of the slurry S is disposed at the center of the polishing sheet 52, even if the polishing pad 5 is pressed against the entire back surface Wb side of the wafer W and a uniform pressure is applied, the supply hole 53 is provided. In the piezoelectric element 110 located in the portion, it is assumed that the voltage accompanying the pressing of the polishing pad 5 is not accurately generated. In that case, after the polishing pad 5 is pressed toward the back surface Wb of the wafer W and the output voltage value is detected, the polishing pad 5 is once raised, the chuck table 71 is rotated by a predetermined angle, and the polishing pad 5 is again turned on. , And the polishing pad 5 is pressed toward the back surface Wb of the wafer W, and a voltage is output from each piezoelectric element 110. As described above, since the polishing pad 5 and the chuck table 71 are eccentric, the angle of the chuck table 71 is changed in this way, and the voltage value is output from each piezoelectric element 110 a plurality of times. By excluding extremely low output voltage values, it is possible to accurately detect the output voltage value generated by the undulation of the entire wafer W. The method for detecting the output voltage value is not limited to this, and the center of the polishing pad 5 is eccentric with respect to the center of the chuck table 71, and the polishing pad 5 is lowered and pressed with a predetermined pressure, for example, a force of 100N. Then, while rotating the polishing pad 5 and the chuck table 71, pressure is evenly applied to the suction holding portion 75 on the chuck table 71, and the output voltage value at each piezoelectric element 110 generated at that time is detected. May be.
上記したように、各圧電素子１１０によって出力された出力電圧値（Ｖ）を検出したならば、各圧電素子１１０のＸ−Ｙ位置に対応させて制御手段１０の出力電圧記憶部１０ａに記憶する。各圧電素子１１０によって出力された出力電圧値を出力電圧記憶部１０ａに記憶したならば、制御手段１０に設定された算出部１０ｂが、出力電圧記憶部１０ａに記憶された出力電圧値の中における最大値を求める。たとえば、本実施形態では、図５の下方に示した表中に点線で囲むことによって示す１３−１１位置において検出された１０Ｖが最大値である。さらに、算出部１０ｂは、この最大値（１０Ｖ）から、各圧電素子１１０のＸ−Ｙ位置に対応して記憶された出力電圧値を差し引き、図６の下方側に示すように、各Ｘ−Ｙ位置の圧電素子１１０に対して印加すべき印加電圧を算出する。図６には、図５に示した各圧電素子１１０が出力した出力電圧値と、上記最大値とに基づき演算される印加電圧値を具体的に示しており、演算された印加電圧値は、制御手段１０に設定される印加電圧記憶部１０ｃに記憶される。より具体的には、図６に示すように、たとえば、Ｘ−Ｙ位置が７−１で特定される位置の圧電素子１１０では、当該位置で出力された出力電圧値が１Ｖであったことから、印加電圧値＝１０（Ｖ）−１（Ｖ）＝９（Ｖ）であり、Ｘ−Ｙ位置が１０−３で特定される位置の圧電素子１１０では、当該位置で出力された出力電圧値が４Ｖであったことから、印加電圧値＝１０（Ｖ）−４（Ｖ）＝６（Ｖ）である。 As described above, when the output voltage value (V) output by each piezoelectric element 110 is detected, it is stored in the output voltage storage unit 10a of the control means 10 in correspondence with the XY position of each piezoelectric element 110. . If the output voltage value output by each piezoelectric element 110 is stored in the output voltage storage unit 10a, the calculation unit 10b set in the control means 10 may include the output voltage value stored in the output voltage storage unit 10a. Find the maximum value. For example, in the present embodiment, 10 V detected at the 13-11 position indicated by surrounding with a dotted line in the table shown at the bottom of FIG. 5 is the maximum value. Further, the calculation unit 10b subtracts the output voltage value stored corresponding to the XY position of each piezoelectric element 110 from this maximum value (10V), and as shown on the lower side of FIG. An applied voltage to be applied to the piezoelectric element 110 at the Y position is calculated. FIG. 6 specifically shows the applied voltage value calculated based on the output voltage value output from each piezoelectric element 110 shown in FIG. 5 and the maximum value, and the calculated applied voltage value is It is stored in the applied voltage storage unit 10 c set in the control means 10. More specifically, as shown in FIG. 6, for example, in the piezoelectric element 110 at the position where the XY position is specified as 7-1, the output voltage value output at the position is 1V. Applied voltage value = 10 (V) -1 (V) = 9 (V), and in the piezoelectric element 110 at the position where the XY position is specified by 10-3, the output voltage value output at the position Therefore, the applied voltage value = 10 (V) −4 (V) = 6 (V).
各圧電素子１１０に印加される印加電圧値が演算され、印加電圧記憶部１０ｃに記憶されたならば、図７に示すように、制御手段１０は、研磨パッド５を、所定の圧力、たとえば１００Ｎの力で、ウエーハＷに押圧しつつ、研磨シート５２とウエーハＷの境界部に対してスラリーＳを供給しながら、図示しない回転駆動手段を駆動してチャックテーブル７１を、たとえば、矢印Ｒ１で示す方向に３００ｒｐｍの回転速度で回転する。さらに、制御手段１０は、研磨パッド５を、たとえば、矢印Ｒ２で示す方向に６０００ｒｐｍの回転速度で回転する。そして、この際、制御手段１０の印加電圧記憶部１０ｃに記憶された印加電圧値に基づいて電圧印加手段が制御され、各圧電素子１１０のそれぞれに、印加電圧記憶部１０ｃに記憶された印加電圧値が印加される。これにより、研磨されるウエーハＷの高さがウエーハＷ表面のウネリに応じて調整され、ウエーハＷの裏面Ｗｂの高さが均一になるように調整される。その結果、研磨パッド５と、ウエーハＷの接触圧力が均一化された状態で研磨が実施され、ウエーハＷの裏面１０ｂの面の粗さが均一になる。このようにして研磨加工が施された後のウエーハＷは、適宜洗浄工程等の次工程に搬送される。なお、図１には示されていないが、研磨装置１には、加工前、加工後のウエーハＷを収容するカセットを載置するカセットテーブル、カセットから搬出されたウエーハＷの位置合わせを行う位置合わせテーブル、加工後のウエーハＷを洗浄する洗浄手段、及びそれらの間においてウエーハＷを搬送する搬送手段等が備えられていてもよい。 If the applied voltage value applied to each piezoelectric element 110 is calculated and stored in the applied voltage storage unit 10c, the control means 10 applies the polishing pad 5 to a predetermined pressure, for example, 100 N, as shown in FIG. The chuck table 71 is indicated by, for example, an arrow R1 by driving a rotation driving means (not shown) while supplying the slurry S to the boundary portion between the polishing sheet 52 and the wafer W while pressing the wafer W with the force of Rotate at a rotational speed of 300 rpm in the direction. Furthermore, the control means 10 rotates the polishing pad 5 at a rotational speed of 6000 rpm, for example, in the direction indicated by the arrow R2. At this time, the voltage application unit is controlled based on the applied voltage value stored in the applied voltage storage unit 10c of the control unit 10, and the applied voltage stored in the applied voltage storage unit 10c is stored in each piezoelectric element 110. A value is applied. Thereby, the height of the wafer W to be polished is adjusted according to the undulations on the surface of the wafer W, and the height of the back surface Wb of the wafer W is adjusted to be uniform. As a result, polishing is performed in a state where the contact pressure between the polishing pad 5 and the wafer W is uniform, and the surface roughness of the back surface 10b of the wafer W becomes uniform. The wafer W after being subjected to the polishing process in this manner is appropriately transported to the next step such as a cleaning step. Although not shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 includes a cassette table on which a cassette for storing the wafer W before and after processing, and a position for aligning the wafer W unloaded from the cassette. An alignment table, a cleaning unit that cleans the processed wafer W, and a transport unit that transports the wafer W between them may be provided.
上記した実施形態では、加工手段としてウエーハＷを研磨する研磨ユニット３を備えた研磨装置１の例を提示したが、本発明はこれに限定されず、特許文献２に示されるような研削装置に適用してもよい。研削装置には、たとえば、加工手段として、研削砥石が環状に配設された研削ホイールを有する研削手段が備えられる。該研削装置においては、上記研磨装置１と同様に、チャックテーブルの吸引保持部に、複数の圧電素子が配設される。研削加工を実施するに際しては、該研削ホイールの中心がチャックテーブルに保持されたウエーハの中心に対して偏心するように位置付けられ、該研削ホイールを下降させることで、たとえば、５０Ｎの力でウエーハを押圧する。該研削砥石でウエーハを押圧することにより、各圧電素子から電圧を出力させたならば、出力された電圧値を出力電圧記憶部に記憶する。上記した研削ホイールは、研削砥石が環状に配設されたものであり、吸引保持部の一部の圧電素子にしか電圧を生じさせることができないことから、その後、研削ホイールを一旦上昇させてチャックテーブルを所定の角度(たとえば、５°）だけ回転させて、再び研削ホイールを下降して、ウエーハを５０Ｎの力で押圧し、他の圧電素子から電圧を出力させる。このような動作を間欠的に繰り返すことで、全ての圧電素子から電圧を出力させて、出力電圧記憶部に記憶する。このようにして、各圧電素子からウエーハのウネリに伴う電圧を出力させて、出力電圧値を記憶したならば、上記した研磨装置１と同様に、算出部によって、出力電圧値の最大値を求めると共に、各圧電素子に印加すべき印加電圧値を演算して印加電圧記憶部に記憶し、印加電圧記憶部に記憶された印加電圧値に基づき、各圧電素子に電圧を印加して研削加工を実施する。これにより、吸引保持部に保持されるウエーハＷの高さを調整し、ウエーハＷの裏面側を均等に研削加工することができる。 In the above-described embodiment, the example of the polishing apparatus 1 including the polishing unit 3 that polishes the wafer W as the processing means has been presented. However, the present invention is not limited to this, and the grinding apparatus as shown in Patent Document 2 is used. You may apply. The grinding apparatus includes, for example, a grinding means having a grinding wheel in which grinding wheels are annularly arranged as processing means. In the grinding apparatus, similarly to the polishing apparatus 1, a plurality of piezoelectric elements are disposed in the suction holding portion of the chuck table. When carrying out the grinding process, the center of the grinding wheel is positioned so as to be eccentric with respect to the center of the wafer held by the chuck table, and the grinding wheel is lowered, for example, with a force of 50 N. Press. If a voltage is output from each piezoelectric element by pressing the wafer with the grinding wheel, the output voltage value is stored in the output voltage storage unit. In the above grinding wheel, the grinding wheel is arranged in an annular shape, and a voltage can be generated only in a part of the piezoelectric elements of the suction holding portion. The table is rotated by a predetermined angle (for example, 5 °), the grinding wheel is lowered again, the wafer is pressed with a force of 50 N, and a voltage is output from another piezoelectric element. By repeating such an operation intermittently, voltages are output from all the piezoelectric elements and stored in the output voltage storage unit. In this way, when the voltage associated with the wafer undulation is output from each piezoelectric element and the output voltage value is stored, the maximum value of the output voltage value is obtained by the calculation unit similarly to the polishing apparatus 1 described above. At the same time, an applied voltage value to be applied to each piezoelectric element is calculated and stored in the applied voltage storage unit. Based on the applied voltage value stored in the applied voltage storage unit, a voltage is applied to each piezoelectric element for grinding. carry out. Thereby, the height of the wafer W held by the suction holding unit can be adjusted, and the back side of the wafer W can be uniformly ground.
１：研磨装置
２：装置ハウジング
３：研磨ユニット
３１：移動基台
４：スピンドルユニット
４１：スピンドルハウジング
４２：回転スピンドル
４３：サーボモータ
４４：ホイールマウント
４６：スラリー供給路
５：研磨パッド
５１：基台
５２：研磨シート
５３：スラリー供給孔
７：チャックテーブル機構
７１：チャックテーブル
７２：カバー部材
７３、７４：蛇腹手段
７５：吸引保持部
７６：枠体
７６ａ：空間部
７７：軸部
７７ａ：連通路
８：厚み検出手段
１０：制御手段
１０ａ：出力電圧記憶部
１０ｂ：算出部
１０ｃ：印加電圧記憶部
１２、１３：接点
１００：基台
１０１：吸引孔
１１０：圧電素子
１１１：保持面
１２１：電圧線
１２１Ａ、１２２Ａ：回転接点
1: Polishing device 2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 4: Spindle unit 41: Spindle housing 42: Rotating spindle 43: Servo motor 44: Wheel mount 46: Slurry supply path 5: Polishing pad 51: Base 52: Polishing sheet 53: Slurry supply hole 7: Chuck table mechanism 71: Chuck table 72: Cover member 73, 74: Bellows means 75: Suction holding part 76: Frame 76a: Space part 77: Shaft part 77a: Communication path 8 : Thickness detection means 10: Control means 10 a: Output voltage storage unit 10 b: Calculation unit 10 c: Applied voltage storage unit 12, 13: Contact 100: Base 101: Suction hole 110: Piezoelectric element 111: Holding surface 121: Voltage line 121 A 122A: Rotating contact
Claims (2)
ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引保持部と、該吸引保持部の外周を囲繞する枠体と、該枠体に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハの面に接触して加工を施す加工具を備えた加工手段と、を少なくとも含み、
該吸引保持部は、吸引孔が形成された基台と、該基台に配設されウエーハを支持する複数の圧電素子と、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を該保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、該電圧印加手段を制御する制御手段と、から少なくとも構成され、
該制御手段は、該吸引保持部に保持されたウエーハに該加工具を接触させて各圧電素子から出力される電圧を各圧電素子に対応して記憶する出力電圧記憶部と、該出力電圧記憶部に記憶された電圧値の最大値を求め、該最大値から該出力電圧記憶部に記憶された電圧値を差し引いて印加電圧を求める算出部と、該印加電圧を各圧電素子に対応して印加すべき電圧として記憶する印加電圧記憶部と、を備え、
該印加電圧記憶部に記憶された電圧に基づいて該電圧印加手段を制御する加工装置。 A processing device for processing a wafer surface,
A chuck table including a suction holding portion having a holding surface for sucking and holding a wafer, a frame surrounding the outer periphery of the suction holding portion, and a communication path formed in the frame and communicating with a suction source;
Processing means provided with a processing tool that performs processing in contact with the surface of the wafer held by the chuck table;
The suction holding unit includes a base having suction holes formed therein, a plurality of piezoelectric elements disposed on the base and supporting a wafer, and a voltage applied to each piezoelectric element to place each piezoelectric element on the holding surface. A voltage applying means for expanding the voltage applying means in the vertical direction, and a control means for controlling the voltage applying means.
The control means contacts the wafer held by the suction holding unit with an output voltage storage unit that stores the voltage output from each piezoelectric element corresponding to each piezoelectric element, and the output voltage storage unit. Calculating a maximum value of the voltage value stored in the unit, subtracting the voltage value stored in the output voltage storage unit from the maximum value, and calculating an applied voltage, and corresponding the applied voltage to each piezoelectric element An applied voltage storage unit that stores the voltage to be applied,
A processing apparatus for controlling the voltage application unit based on the voltage stored in the applied voltage storage unit.
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| JP (1) | JP2019153724A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260316A (en) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor device |
| JPH1076439A (en) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sony Corp | Thin plate holding device |
-
2018
- 2018-03-06 JP JP2018039273A patent/JP2019153724A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH09260316A (en) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor device |
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