KR20190095856A - Method for adjusting flatness of sheet part of chemical vapor deposition machine - Google Patents

Method for adjusting flatness of sheet part of chemical vapor deposition machine Download PDF

Info

Publication number
KR20190095856A
KR20190095856A KR1020180079887A KR20180079887A KR20190095856A KR 20190095856 A KR20190095856 A KR 20190095856A KR 1020180079887 A KR1020180079887 A KR 1020180079887A KR 20180079887 A KR20180079887 A KR 20180079887A KR 20190095856 A KR20190095856 A KR 20190095856A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cvd
flatness
sheet portion
coordinate
predetermined
Prior art date
Application number
KR1020180079887A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김동희
박연각
치팡 훙
최승용
Original Assignee
글로벌 머터리얼 사이언스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 글로벌 머터리얼 사이언스 주식회사 filed Critical 글로벌 머터리얼 사이언스 주식회사
Publication of KR20190095856A publication Critical patent/KR20190095856A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45559Diffusion of reactive gas to substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness

Abstract

The present invention provides a method for adjusting flatness of a sheet part of a chemical vapor deposition (CVD) machine. The method comprises the following steps of: (a) drawing a coordinate system corresponding to the CVD sheet part including a plurality of coordinates; (b) measuring flatness of the CVD sheet part for each coordinate; (c) determining whether the flatness of the CVD sheet part at each coordinate satisfies predetermined flatness; and (d) using a stamp to apply stress at room temperature on the CVD sheet part corresponding to a coordinate required for adjusting flatness when the flatness of the CVD sheet part at each coordinate does not satisfy the predetermined flatness. Moreover, the (b) and (c) steps are performed again. According to the present invention, the time required for adjusting the flatness of the CVD sheet part can be reduced.

Description

화학 기상 증착 장치의 시트부의 평탄화 조정 방법{METHOD FOR ADJUSTING FLATNESS OF SHEET PART OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION MACHINE}Flattening adjustment method of the sheet part of a chemical vapor deposition apparatus {METHOD FOR ADJUSTING FLATNESS OF SHEET PART OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION MACHINE}

본 발명은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 장치의 구성 요소를 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 CVD 장치의 시트부의 평탄도를 조정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for treating the components of a chemical vapor deposition (CVD) apparatus, and more particularly, to a method for adjusting the flatness of a sheet portion of a CVD apparatus.

CVD 장치는 광전자 반도체 제조 공정에서 종종 사용되며, 디스플레이 패널을 제조하는 데 널리 사용된다. CVD 장치의 다양한 구성 요소가 일정 기간 동안 사용 된 후에는 열화되기 쉽다. CVD 장치의 각 구성 요소의 수명을 보장하기 위해서는 CVD 구성 요소를 수리하고 유지 보수해야 한다. 보다 구체적으로, 시간 비용을 제어하기 위해 CVD 부품을 갱신하는 데 필요한 시간을 줄이는 것이 이 분야에서 중요한 문제이다. 또한 CVD 신제품의 경우 제조 시간을 단축하는 방법도 이 분야에서 중요한 문제이다. CVD devices are often used in optoelectronic semiconductor manufacturing processes and are widely used to manufacture display panels. Various components of the CVD apparatus are prone to deterioration after being used for a certain period of time. To ensure the life of each component of the CVD apparatus, the CVD components must be repaired and maintained. More specifically, reducing the time required to update CVD components to control time costs is an important issue in this field. In addition, how to reduce manufacturing time for new CVD products is an important issue in this field.

도 1은 종래의 CVD 장치(1)를 도시하는 개략 구성도이다. CVD 장치(1)에서, 확산기(diffuser, 12)는 상부 전극으로서 작용하고 서셉터(susceptor, 14)는 하부 전극으로서 작용한다. 배킹 플레이트(backing plate, 16)는 챔버 벽에 고정되어 확산기(12)를 장착하기 위한 지지를 제공한다. 화학 기상 증착 프로세스에서, 가스는 입구(11)로부터 유입되고 확산기(12)와 배킹 플레이트(16) 사이의 간극을 가로 질러 확산되고, 확산기(12)와 서셉터(14) 사이의 전압 차이 때문에, 가스는 이온화되고 이온화된 입자는 서셉터(14)를 향해 이동한다. 필름은 기판 예를 들어, 디스플레이 요소를 제조하기 위한 기판 상에 증착된다. 여분의 가스는 출구(19)를 통해 유출된다.1 is a schematic configuration diagram showing a conventional CVD apparatus 1. In the CVD apparatus 1, a diffuser 12 acts as an upper electrode and a susceptor 14 acts as a lower electrode. A backing plate 16 is fixed to the chamber wall to provide support for mounting the diffuser 12. In the chemical vapor deposition process, gas enters from the inlet 11 and diffuses across the gap between the diffuser 12 and the backing plate 16 and because of the voltage difference between the diffuser 12 and the susceptor 14, The gas is ionized and the ionized particles move towards susceptor 14. The film is deposited on a substrate, for example a substrate for making a display element. The excess gas flows out through the outlet 19.

CVD 장치(1)의 시트부(예를 들어, 확산기(12), 서셉터(14) 및 백킹 플레이트(16))은 그 평탄도(flatness)가 원래의 요구조건을 충족시키지 못하는 것과 같은 다양한 요인들로 인해 종종 형상이 변한다. 따라서, CVD 시트부의 평탄도는 이 분야에서 규칙적으로 또는 불규칙하게 조정될 필요가 있다. CVD 시트부가 신제품(new product)이든 리뉴얼 제품(renewed product)이든 관계없이 평탄도는 대개 다음 프로세서를 사용하여 조정된다. 시트부는 오븐 내의 플랫폼 상에 놓여지고 시트부의 원하는 형상에 기초한 카운터웨이트(counterweight)가 적용된다. 시트부는 시트부의 형상이 원하는 형상으로 점진적으로 변하도록 오븐 내에서 온도가 상승하고 온도가 감소함에 따라 베이킹된다.The sheet portion of the CVD apparatus 1 (e.g., diffuser 12, susceptor 14 and backing plate 16) may be subject to various factors such as its flatness does not meet the original requirements. Often change shape. Therefore, the flatness of the CVD sheet portion needs to be adjusted regularly or irregularly in this field. Regardless of whether the CVD sheet portion is a new or renewed product, flatness is usually adjusted using the following processors. The seat portion is placed on a platform in an oven and a counterweight is applied based on the desired shape of the seat portion. The sheet portion is baked as the temperature rises and the temperature decreases in the oven such that the shape of the sheet portion gradually changes to the desired shape.

그러나, CVD 시트부의 추후 사용으로 인한 스프링 백(springback)을 피하기 위해, 오븐에서의 온도가 상승하고 온도가 감소하는 프로세스들은 느릴 필요가 있다. 이러한 프로세스들은 보통 2 ~ 3 일이 걸린다. 또한, 오븐 내에서의 성형 공정 후에 CVD 시트부의 평탄도(flatness) 또는 변형도(conformation)가 소정의 요구 조건을 충족시키지 못하면, CVD 시트부를 재성형하기 위해 다시 오븐에 배치할 필요가 있다. CVD 시트부에 대한 이러한 평탄도 조절 방식은 많은 시간을 소비할 뿐만 아니라 성형 공정의 효율성도 매우 불안정하다.However, to avoid springback due to later use of the CVD sheet portion, processes in which the temperature rises in the oven and the temperature decreases need to be slow. These processes usually take two to three days. In addition, if the flatness or deformation of the CVD sheet portion after the molding process in the oven does not meet a predetermined requirement, it is necessary to place it back in the oven to reshape the CVD sheet portion. This flatness control method for the CVD sheet portion not only consumes a lot of time, but also the efficiency of the molding process is very unstable.

본 발명의 목적은 시트부의 평탄도를 조정하는데 필요한 시간 비용을 감소시키기 위해 화학 기상 증착(CVD) 장치의 시트부의 평탄도를 조정하는 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method of adjusting the flatness of a sheet portion of a chemical vapor deposition (CVD) apparatus to reduce the time cost required to adjust the flatness of the sheet portion.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 화학 기상 증착(CVD) 장치의 시트부의 평탄도를 조절하는 방법을 제공한다. 이 방법은 (a) 복수의 좌표들을 포함하는, CVD 시트부에 대응하는 좌표계를 그리는 단계; (b) 각 좌표에 대한 CVD 시트부의 평탄도를 측정하는 단계; (c) 각 좌표에서 CVD 시트부의 평탄도가 소정의 평탄도를 만족시키는지를 판정하는 단계; 및 (d) 각 좌표에서의 CVD 시트부의 평탄도가 소정의 평탄도를 만족하지 않는 경우, 평탄도 조정이 필요한 좌표에 대응하는 CVD 시트부 상에 실온 하에서 응력(stress)을 가하기 위한 스탬프를 이용하는 단계를 포함하고, (b) 및 (c) 단계로 되돌아 간다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for adjusting the flatness of the sheet portion of the chemical vapor deposition (CVD) apparatus. The method comprises the steps of (a) drawing a coordinate system corresponding to the CVD sheet portion, the plurality of coordinates; (b) measuring the flatness of the CVD sheet portion for each coordinate; (c) determining whether the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate satisfies the predetermined flatness; And (d) if the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate does not satisfy the predetermined flatness, use a stamp for applying stress under room temperature on the CVD sheet portion corresponding to the coordinates requiring flatness adjustment. A step, and return to steps (b) and (c).

본 발명에 개시된 바와 같은 CVD 장치의 시트부의 평탄도를 조정하는 방법에서, 시트부는 실온(room temperature) 하에서 스탬프를 사용하여 평탄하게 조정된다. 종래의 온도-상승 카운터웨이트 방식(temperature-increasing counterweight approach)과 비교하여, 본 발명은 CVD 부재를 갱신하는데 소요되는 시간을 단축시켜 시간 비용을 절감할 수 있으며, 또한 새로운 CVD 부재를 제조하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있고, 변형된 형상의 불안정한 기술적 문제를 효율적으로 해결할 수 있다.In the method of adjusting the flatness of the sheet portion of the CVD apparatus as disclosed in the present invention, the sheet portion is adjusted flat using a stamp under room temperature. Compared with the conventional temperature-increasing counterweight approach, the present invention can shorten the time required to update the CVD member, thereby reducing the time cost, and also required to manufacture a new CVD member. The time can be shortened and the unstable technical problem of the deformed shape can be efficiently solved.

도 1은 종래의 CVD 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 CVD 장치의 시트부의 평탄도를 조정하는 방법의 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 확산기를 도시하는 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 스탬프에 의해 가압된 시트부를 도시하는 개략도이다.
도 5는 본 발명에 따른 평탄도 조정의 일례를 나타내는 개략도이다.
1 is a schematic configuration diagram showing a conventional CVD apparatus.
2 is a flowchart of a method of adjusting the flatness of a sheet portion of a CVD apparatus according to the present invention.
3 is a schematic diagram illustrating a diffuser in accordance with the present invention.
4 is a schematic view showing a sheet portion pressed by a stamp according to the present invention.
5 is a schematic view showing an example of the flatness adjustment according to the present invention.

본 개시 내용의 목적, 기술 방안 및 기술적인 효과를 보다 명확하고 명확하게 하기 위해, 첨부된 도면과 함께 실시예를 사용하여 이하에 본 개시 내용을 상세히 설명한다. 여기에 기술된 특정 실시예는 단지 본 개시를 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 명세서에서 사용되는 "실시예"라는 용어는 예, 예시 또는 예시를 언급하지만, 본 개시를 제한하려는 의도는 아니라는 것을 이해해야 한다. 또한, 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 "a" 및 "an"이라는 문구는 일반적으로 다르게 특정되거나 단수 형태로 지시되는 문맥으로부터 명확하지 않는 한 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 첨부된 도면에서, 유사하거나 동일한 구조 또는 기능을 갖는 구성 요소는 동일한 참조 번호로 표시된다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS To make the purpose, technical solution, and technical effect of the present disclosure clearer and clearer, the present disclosure will be described in detail below using examples with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that the specific embodiments described herein are merely for describing the present disclosure, and the term "embodiment" as used herein refers to examples, examples, or illustrations, but is not intended to limit the present disclosure. . Also, the phrases “a” and “an”, as used in the specification and the appended claims, should generally be interpreted to mean “one or more” unless the context clearly indicates otherwise or in singular form. In addition, in the accompanying drawings, components having similar or identical structures or functions are denoted by the same reference numerals.

본 발명은 화학 기상 증착(CVD) 장치의 시트부의 평탄도를 조정하는 방법을 제공한다. 이 방법은 CVD 시트부의 평탄도 조정에 필요한 시간을 효율적으로 단축 할 수 있다. CVD 시트부는, 도 1에 도시된 바와 같이, CVD 장치 내의 확산기 (또는 상부 전극이라 칭함), 서셉터 (또는 하부 전극이라 칭함), 또는 배킹 플레이트일 수 있다. 본 발명은 CVD 장치의 시트부인 한, 상기 예시적인 구성 요소에 한정되지 않는다. CVD 시트부의 재료는 금속, 특히 알루미늄이다.The present invention provides a method of adjusting the flatness of a sheet portion of a chemical vapor deposition (CVD) apparatus. This method can efficiently shorten the time required for adjusting the flatness of the CVD sheet portion. The CVD sheet portion may be a diffuser (also called upper electrode), susceptor (or lower electrode), or backing plate in the CVD apparatus, as shown in FIG. 1. The present invention is not limited to the above exemplary components as long as it is a sheet portion of the CVD apparatus. The material of the CVD sheet portion is metal, in particular aluminum.

CVD 시트부는 신제품 또는 리뉴얼 제품 일 수 있다. 신제품은 새로 제조된 제품이지만 사용되지 않은 것을 의미한다. 리뉴얼 제품은 CVD 장비의 화학 기상 증착에 사용되었지만 재생된 제품을 의미한다.The CVD sheet portion may be a new product or a renewed product. A new product is one that is newly manufactured but not used. Renewal products refer to products that have been used for chemical vapor deposition in CVD equipment but have been recycled.

이하에서 도 2를 참조하여 본 발명의 평탄도 조정 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of adjusting flatness of the present invention will be described with reference to FIG. 2.

단계 S10에서, CVD 시트부에 대응하는 좌표계가 그려진다. 좌표계는 복수의 좌표들을 포함한다.In step S10, a coordinate system corresponding to the CVD sheet portion is drawn. The coordinate system includes a plurality of coordinates.

이 단계에서, 좌표계는 CVD 시트부 상에 그려질 수 있다. 일 예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 동일한 간격을 갖는 다수의 라인들(예를 들어, 수직 및 수평 라인들)이 확산기(30) 상에 그려진다. 이 라인들은 동일한 면적을 갖는 다수의 영역들을 형성한다. 각 영역은 좌표로 사용할 수 있다.In this step, the coordinate system can be drawn on the CVD sheet portion. In one example, as shown in FIG. 3, multiple lines (eg, vertical and horizontal lines) with equal spacing are drawn on the diffuser 30. These lines form multiple regions with the same area. Each area can be used as a coordinate.

또한, 컴퓨터상의 그래픽 드로잉 소프트웨어를 사용하여 도 3에 대응하는 좌표계를 그리므로 후속하는 평탄도 측정 단계 후에 각 좌표에 대한 평탄도의 분포가 설정된다.In addition, since the coordinate system corresponding to FIG. 3 is drawn using the graphic drawing software on the computer, the distribution of the flatness for each coordinate is set after the subsequent flatness measuring step.

단계 S12에서, 각 좌표에 대해 CVD 시트부의 평탄도가 측정된다. In step S12, the flatness of the CVD sheet portion is measured for each coordinate.

이 단계에서, 적외선 레벨링 장비(infrared leveling instrument)를 이용하여 각 좌표에서 CVD 시트부의 평탄도를 측정하여 CVD 시트부의 평탄도의 분포를 설정할 수 있다. 구체적으로는 좌표계의 좌표마다 적외선 레벨링 장비를 사용하여 CVD 시트부의 평탄도를 측정하고, 측정한 평탄도를 컴퓨터에 설치된 그래픽 드로잉 소프트웨어(graphic drawing software )에 입력하여 CVD 시트부의 평탄도 분포를 설정한다. 그래픽 드로잉 소프트웨어는 시뮬레이션된 평탄도 분포(flatness distribution)를 얻기 위해 보간 알고리즘(interpolation algorithm)과 협력할 수 있다.In this step, the flatness of the CVD sheet portion can be set by measuring the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate using an infrared leveling instrument. Specifically, the flatness distribution of the CVD sheet portion is measured by using an infrared leveling device for each coordinate of the coordinate system, and the measured flatness is input to graphic drawing software installed in a computer. . The graphical drawing software can cooperate with an interpolation algorithm to obtain a simulated flatness distribution.

단계 S14에서는 각 좌표에서의 CVD 시트부의 평탄도가 소정의 평탄도를 만족시키는지 여부가 판정된다.In step S14, it is determined whether the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate satisfies the predetermined flatness.

일례로서, 운영 직원(operations staff)은 각 좌표에서 CVD 시트부의 평탄도를 손으로 체크하여 소정의 평탄도를 만족하는지 여부를 판정하고, 소정의 평탄도에 합치하지 않는 좌표를 조정 대상 좌표로 표시할 수 있다. 경우에 따라 운영 직원은 일부 좌표에 대해서만 CVD 시트부의 평탄도를 검사하고 좌표계의 모든 좌표를 확인하지 않고도 평탄도 조정 여부를 결정하기 위해 주변 지역이 매끄러운지 여부(whether nearby regions are smooth)를 확인할 수 있다.As an example, the operations staff checks the flatness of the CVD sheet portion by hand at each coordinate to determine whether the predetermined flatness is satisfied, and displays coordinates not matching the predetermined flatness as coordinates to be adjusted. can do. In some cases, the operator can check the flatness of the CVD sheet for only a few coordinates and determine whether the nearby neighborhoods are smooth to determine whether to adjust the flatness without having to check all coordinates in the coordinate system. have.

다른 예에서, 소정의 평탄도가 충족되는 상황 하에서, 소프트웨어를 사용하여 각 좌표의 소정의 평탄도 값이 설정될 수 있다. 단계 S12로부터 얻어진 각 좌표의 측정된 평탄도 값은 소정의 평탄 값과 비교되어 각 좌표의 평탄도가 요구 조건을 충족시키는지 여부를 결정한다.In another example, under certain circumstances where a certain flatness is met, a predetermined flatness value of each coordinate may be set using software. The measured flatness value of each coordinate obtained from step S12 is compared with a predetermined flat value to determine whether the flatness of each coordinate satisfies the requirement.

각 좌표의 측정된 평탄도 값이 소정의 평탄도 값을 만족한다면, 이는 CVD 시트부의 평탄도가 성형 요구 조건을 따르고 공정이 종료될 수 있음을 의미한다. 측정된 각 좌표의 평탄도 값이 소정의 평탄도 값을 만족하지 않으면 CVD 시트부의 평탄도를 조정할 필요가 있음을 의미하고, 단계 S16으로 진행한다.If the measured flatness value of each coordinate satisfies the predetermined flatness value, this means that the flatness of the CVD sheet portion follows the molding requirements and the process can be terminated. If the measured flatness value of each coordinate does not satisfy the predetermined flatness value, it means that the flatness of the CVD sheet portion needs to be adjusted, and the flow proceeds to step S16.

예시로서, 측정된 평탄도 값과 다양한 좌표의 미리 결정된 평탄도 값 사이의 차이가 합산되어 평균화될 수 있거나 또는 차이의 근사 평균 제곱(root means square of the differences)이 계산될 수 있다. 획득된 결과가 임계값보다 작으면, 평탄도 요구 조건이 충족되었다고 결정될 수 있다. 획득된 결과가 임계값보다 큰 경우, 평탄도 요구 조건이 충족되지 않는다고 결정될 수 있다.As an example, the difference between the measured flatness value and the predetermined flatness value of the various coordinates can be summed and averaged or the root means square of the differences can be calculated. If the result obtained is less than the threshold, it may be determined that the flatness requirement has been met. If the result obtained is greater than the threshold, it may be determined that the flatness requirement is not met.

단계 S16에서, 스탬프는 평탄도에서 조정될 필요가 있는 좌표에 대응하는 CVD 시트 부분 상에 상온 하에서 응력을 가하기 위해 이용된다.In step S16, the stamp is used to stress under normal temperature on the portion of the CVD sheet corresponding to the coordinates that need to be adjusted in flatness.

이 단계에서,도 4에 도시된 바와 같이, 유압 프레스 장치(도시되지 않음)에 의해 구동되는 스탬프(40)는 평탄도를 조정하기 위해 CVD 시트부의 일정 좌표에 힘을 가하거나 압착한다. 구체적으로는, 예를 들면, 그 평탄도가 소정의 평탄도를 만족하지 않는다고 단계 S14에서 결정된 소정 좌표의 평탄도를 운영 직원이 조정할 수 있다. 운영 직원은 스탬프(40)를 상기 좌표보다 위의 위치로 이동시킨 후 스탬프(40)를 아래쪽으로 이동시켜 전술한 좌표에 대응하는 응력을 CVD 시트부에 가하여 상기 좌표의 평탄도를 변경시킨다. 다른 예에서, 운영 직원은 측정된 편평도 값과 각 좌표의 소정의 평탄도 값 사이의 차이를 단계 S15로부터 얻는다. 상기 차이가 미리 결정된 값보다 큰 경우, 대응하는 좌표는 평탄도가 조정된다.In this step, as shown in Fig. 4, the stamp 40 driven by the hydraulic press device (not shown) presses or compresses a certain coordinate of the CVD sheet portion to adjust the flatness. Specifically, for example, the operating staff can adjust the flatness of the predetermined coordinate determined in step S14 that the flatness does not satisfy the predetermined flatness. The operating staff moves the stamp 40 to a position above the coordinates and then moves the stamp 40 downward to apply a stress corresponding to the coordinates described above to the CVD sheet to change the flatness of the coordinates. In another example, the operator gets a difference from step S15 between the measured flatness value and the predetermined flatness value of each coordinate. If the difference is greater than a predetermined value, the corresponding coordinates are adjusted for flatness.

스탬프(40)에 의해 가해질 필요가 있는 응력의 크기는 응력 모델(stress force model)을 사용하여 얻을 수 있다. 응력 모델은 수학적 모델링(mathematical modelling) 또는 통계적 접근법(statistical approaches)을 사용하여 설정될 수 있다. 응력 모델에 의해 제공되는 응력의 크기에 기초하여, 작업 요원은 스탬프(40)와 CVD 시트부 사이의 접촉 기간을 설정함으로써 소정의 크기의 응력을 달성할 수있다.The magnitude of the stress that needs to be applied by the stamp 40 can be obtained using a stress force model. The stress model can be set up using mathematical modeling or statistical approaches. Based on the magnitude of the stress provided by the stress model, the operator can achieve a predetermined magnitude of stress by setting the contact period between the stamp 40 and the CVD sheet portion.

단계 S16 후에, 단계 S12로 진행하여 평탄도 조정 후의 각 좌표의 평탄도를 다시 측정하고 단계 S14로 진행하여 평탄도가 요구 조건을 충족시키는지의 여부를 판정한다. 평탄도가 요구조건을 충족하는 것으로 판정된 경우, 즉 예스(yes)인 경우 프로세스가 종료되고, 그렇지 않다면, 스탬프(40)는 평탄도를 조정하기 위해 다시 사용된다.After step S16, the flow advances to step S12 to measure the flatness of each coordinate after the flatness adjustment again, and the flow advances to step S14 to determine whether the flatness satisfies the requirements. If it is determined that the flatness meets the requirements, ie yes, the process is terminated, otherwise the stamp 40 is used again to adjust the flatness.

도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 아크(arc)는 CVD 시트부의 소정의 변형된 형상인 것으로 가정된다. 신제품 또는 리뉴얼 제품과 상관없이, CVD 시트부의 평탄도는 (i) CVD 시트부의 중앙 영역의 평탄도를 조정함으로써; 및 (ii) 단계 (i) 후에, CVD 시트부의 중앙 영역 및 주변 영역의 평탄도를 조정하여, 소정의 아크 형상의 요구 조건을 충족시킨다. 평탄도 조정 동안, 복수의 스탬프가 동시에 응력을 가하기 위해 사용될 수 있거나, 단일 스탬프를 사용하여 다른 영역에 응력이 차례로 적용될 수 있다.As shown in FIG. 5, in one embodiment the arc is assumed to be a predetermined deformed shape of the CVD sheet portion. Regardless of the new or renewed product, the flatness of the CVD sheet portion may be determined by (i) adjusting the flatness of the central region of the CVD sheet portion; And (ii) after step (i), the flatness of the central region and the peripheral region of the CVD sheet portion is adjusted to meet the requirements of the predetermined arc shape. During the flatness adjustment, a plurality of stamps may be used to stress at the same time, or stresses may be applied in turn to other areas using a single stamp.

단계 S10 이전에, 본 발명의 방법은 CVD 시트 부분의 응력을 완화하기 위해 열처리로 CVD 시트 부분을 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 신제품의 경우 잔류 응력은 공정 과정에서 형성되기 쉽고 평탄도 조정에서 불안정한 요인이 된다. 따라서 신제품에는 열처리가 필요하다. 예를 들어, CVD 시트 부분은 420 ℃의 온도를 기준으로 4 시간 동안 온도를 상승시키고 6 시간 동안 온도를 감소시키도록 처리된다. 리뉴얼 제품의 경우, 일반적으로 응력이 축적되는 데 중요하지 않다. 평탄도 조정의 효율을 높이기 위해, 열처리는 리뉴얼 제품에 대해 생략될 수 있다.Prior to step S10, the method of the present invention may further comprise treating the CVD sheet portion by heat treatment to relieve stress of the CVD sheet portion. For new products, residual stresses tend to form during the process and become unstable in flatness adjustment. Therefore, new products require heat treatment. For example, the CVD sheet portion is treated to raise the temperature for 4 hours and decrease the temperature for 6 hours based on the temperature of 420 ° C. In the case of renewal products, it is generally not critical to the accumulation of stress. To increase the efficiency of flatness adjustment, heat treatment can be omitted for renewal products.

열처리 전에, 본 발명의 방법은 CVD 시트부 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. CVD 시트부가 알루미늄으로 제조되는 예에 대해, 알루미늄 판은 환원-산화 반응으로 처리되어 부식 방지를 향상시키기 위해 알루미늄 판 상에 알루미늄 산화물층을 형성할 수 있다.Prior to the heat treatment, the method may further comprise forming a protective layer on the CVD sheet portion. For the example where the CVD sheet portion is made of aluminum, the aluminum plate may be subjected to a reduction-oxidation reaction to form an aluminum oxide layer on the aluminum plate to improve corrosion protection.

평탄도 조절 전에, 평탄도 조정에 영향을 미치지 않도록 CVD 시트 부분을 세정, 예를 들어 화학 세정으로 처리하여 CVD 시트부 상의 잔류 먼지 또는 파편을 세정할 수 있다.Prior to the flatness adjustment, the CVD sheet portion may be treated by cleaning, for example, chemical cleaning, so as not to affect the flatness adjustment, to clean residual dust or debris on the CVD sheet portion.

특히, 일 실시예에서, 신제품은 다음 단계들로 처리된다. 플레이트 (예를 들어, 알루미늄 플레이트)는 소정 형상 (예를 들어, 아크)에 가까운 형상을 형성하도록 처리된다. 그 후, 플레이트는 화학 세척으로 처리되고, 플레이트 상에 보호층이 형성되도록 처리되고, 플레이트의 응력을 완화시키기 위해 열처리로 처리된다. 그 후, 플레이트는 단계 S10 내지 단계 S16을 사용하여 미세한 평탄도 조절로 처리되고, 또 다른 세척 직후에 공장을 떠날 수 있다. 일 실시예에서, 리뉴얼 제품은 다음 단계들로 처리된다. 시트부는 약품 세척으로 처리된 후, 단계 S10 내지 단계 S16에 설명된 바와 같이 평탄도 조정으로 처리된다. 시트부는 다른 세척 직후에 갱신 완료됩니다.In particular, in one embodiment, the new product is processed in the following steps. The plate (eg aluminum plate) is processed to form a shape close to a predetermined shape (eg arc). The plate is then treated by chemical cleaning, treated to form a protective layer on the plate, and subjected to heat treatment to relieve the stress of the plate. Thereafter, the plate is subjected to fine flatness control using steps S10 to S16 and can leave the factory immediately after another cleaning. In one embodiment, the renewal product is processed in the following steps. The sheet portion is subjected to chemical washing and then to flatness adjustment as described in steps S10 to S16. The seat is renewed immediately after another wash.

종래의 온도-상승 카운터 웨이트 방식을 사용하여 CVD 시트부를 성형하는데 2 내지 3 일이 소요된다. 그러나, 본 개시의 기술적 효과에 있어서, 종래의 방식에서 걸리던 시간의 1/3이 8.5 세대 디스플레이 패널 생산 라인에서 확산기의 평탄도 조정을 완료하는데 필요하고, 종래의 방식에서 걸리던 시간의 1/6이 6 세대 디스플레이 패널 생산 라인의 확산기에만 필요하다. 본 발명은 시간 비용을 효율적으로 절약하고 종래의 방식에서의 불안정한 요인에 의해 야기된 효과를 감소시킬 수 있다.It takes 2 to 3 days to mold the CVD sheet portion using conventional temperature-rise counter weight schemes. However, in the technical effect of the present disclosure, one third of the time taken in the conventional manner is required to complete the flatness adjustment of the diffuser in the 8.5 generation display panel production line, and one sixth of the time taken in the conventional manner. Necessary only for diffusers in 6G display panel production line. The present invention can effectively save time cost and reduce the effects caused by unstable factors in the conventional manner.

본 발명에 기재된 CVD 장치의 시트부의 평탄도 조정 방법에 있어서, 실온 하에서의 스탬프를 이용하여 시트부의 평탄도를 조정한다. 본 발명은 종래의 온도-상승 카운터웨이트 방식에 비해 CVD 부재를 갱신하는데 소요되는 시간을 줄여 시간 비용을 절감할 수 있으며, 새로운 CVD 부재를 제조하는 데 소요되는 시간을 단축 할 수 있으며, 성형 과정의 불안정한 효율성의 기술적 문제를 효율적으로 해결할 수있다. .In the flatness adjustment method of the sheet | seat part of the CVD apparatus of this invention, the flatness of a sheet | seat part is adjusted using the stamp under room temperature. The present invention can reduce the time required to update the CVD member compared to the conventional temperature-rise counterweight method, thereby reducing the time cost, reducing the time required to manufacture a new CVD member, Efficiently solve technical problems of unstable efficiency. .

본 발명의 바람직한 실시예가 도시되고 상세하게 설명되었지만, 당업자는 다양한 수정 및 변경을 행할 수있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 설명된다. 본 발명은 도시된 바와 같은 특정 형태로 제한되어서는 안되며, 본 발명의 사상 및 영역을 유지하는 모든 변형 및 수정은 첨부된 특허청구범위에 정의된 범위 내에 있는 것으로 의도된다.While preferred embodiments of the present invention have been shown and described in detail, those skilled in the art can make various modifications and changes. Accordingly, embodiments of the present invention are described as illustrative and not restrictive. The present invention is not to be limited to the specific forms as shown, and all modifications and variations that maintain the spirit and scope of the invention are intended to be within the scope defined in the appended claims.

Claims (13)

(a) 복수의 좌표들을 포함하는, CVD 시트부에 대응하는 좌표계를 그리는 단계;
(b) 각 좌표에 대한 CVD 시트부의 평탄도를 측정하는 단계;
(c) 각 좌표에서 CVD 시트부의 평탄도가 소정의 평탄도를 만족시키는지를 판정하는 단계; 및
(d) 각 좌표에서의 CVD 시트부의 평탄도가 소정의 평탄도를 만족하지 않는 경우, 평탄도 조정이 필요한 좌표에 대응하는 CVD 시트부 상에 실온 하에서 응력을 가하기 위한 스탬프를 이용하는 단계를 포함하고, (b) 및 (c) 단계로 되돌아 가는, 화학 기상 증착(CVD) 장치의 시트부의 평탄도를 조절하는 방법.
(a) drawing a coordinate system corresponding to the CVD sheet portion including a plurality of coordinates;
(b) measuring the flatness of the CVD sheet portion for each coordinate;
(c) determining whether the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate satisfies the predetermined flatness; And
(d) if the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate does not satisfy the predetermined flatness, using a stamp for stressing at room temperature on the CVD sheet portion corresponding to the coordinates requiring flatness adjustment; and (b) and (c), wherein the flatness of the sheet portion of the chemical vapor deposition (CVD) apparatus is controlled.
제 1 항에 있어서,
(e) 각 좌표에서의 CVD 시트부의 평탄도가 소정의 평탄도를 만족하면, 단계 (a) ~ (c) 단계를 종료하는 방법.
The method of claim 1,
(e) A method of ending steps (a) to (c) if the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate satisfies the predetermined flatness.
제 1 항에 있어서,
상기 CVD 시트부는 확산기, 서셉터(susceptor), 및 백킹 플레이트(backing plate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
The method of claim 1,
And the CVD sheet portion is selected from the group consisting of diffusers, susceptors, and backing plates.
제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계 이전에,
열처리에 의해 상기 CVD 시트부를 가공하여 CVD 시트부의 응력을 완화시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
The method of claim 1,
Before step (a) above,
Processing the CVD sheet portion by heat treatment to relieve stress of the CVD sheet portion.
제 1 항에 있어서,
상기 열처리 전에,
상기 CVD 시트부 상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
The method of claim 1,
Before the heat treatment,
And forming a protective layer on the CVD sheet portion.
제 5 항에 있어서,
상기 보호층을 형성하는 단계에서, 상기 보호층은 환원-산화 반응(reduction-oxidation reactions)을 이용하여 형성되는 방법.
The method of claim 5,
In the step of forming the protective layer, the protective layer is formed using reduction-oxidation reactions.
제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계 이전에,
화학 시트로 상기 CVD 시트부를 처리하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
The method of claim 1,
Before step (a) above,
Treating the CVD sheet portion with a chemical sheet.
제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
그래픽 드로잉 소프트웨어를 사용하여 상기 CVD 시트부에 해당하는 좌표계를 설정하는 단계를 포함하는 방법.
The method of claim 1,
In step (a),
Setting a coordinate system corresponding to the CVD sheet portion using graphic drawing software.
제 8 항에 있어서,
상기 (b) 단계는,
그래픽 드로잉 소프트웨어를 사용하여 상기 CVD 시트부의 평탄도 분포를 설정하는 단계를 포함하는 방법.
The method of claim 8,
In step (b),
Setting flatness distribution of the CVD sheet portion using graphical drawing software.
제 1 항에 있어서,
상기 (b) 단계는,
각 좌표에서 상기 CVD 시트부의 평탄도를 측정하기 위해 적외선 레벨링 장비를 사용하는 단계를 포함하는 방법.
The method of claim 1,
In step (b),
Using infrared leveling equipment to measure the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate.
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는,
상기 (b) 단계에서 측정된 각 좌표에서 상기 CVD 시트부의 평탄도의 측정 값을 상기 소정의 평탄도와 비교하여 상기 CVD 시트부의 평탄도가 상기 소정의 평탄도를 만족시키는지를 판단하는 단계를 포함하는 방법.
The method of claim 1, wherein step (c) comprises:
Comparing the measured value of the flatness of the CVD sheet portion at each coordinate measured in step (b) with the predetermined flatness to determine whether the flatness of the CVD sheet portion satisfies the predetermined flatness. Way.
제 1 항에 있어서,
상기 (d) 단계는,
(d1) 상기 CVD 시트부의 중앙 영역의 평탄도를 조정하는 단계; 및
(d2) 상기 중앙 영역의 평탄도 및 상기 CVD 시트부의 주변 영역을 조절하는 단계를 포함하는 방법.
The method of claim 1,
In step (d),
(d1) adjusting the flatness of the central region of the CVD sheet portion; And
(d2) adjusting the flatness of the central region and the peripheral region of the CVD sheet portion.
제 1 항에 있어서,
상기 스탬프는 유압 프레스 장치에 의해 구동되는 방법.
The method of claim 1,
The stamp is driven by a hydraulic press device.
KR1020180079887A 2018-02-07 2018-07-10 Method for adjusting flatness of sheet part of chemical vapor deposition machine KR20190095856A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107104381A TWI646210B (en) 2018-02-07 2018-02-07 Method for adjusting flatness of sheet parts of chemical vapor deposition machine
TW107104381 2018-02-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190095856A true KR20190095856A (en) 2019-08-16

Family

ID=65803990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180079887A KR20190095856A (en) 2018-02-07 2018-07-10 Method for adjusting flatness of sheet part of chemical vapor deposition machine

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20190095856A (en)
TW (1) TWI646210B (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006016265A (en) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd Method for relieving deformation of glass platen
NL2006190A (en) * 2010-03-11 2011-09-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2014183253A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Nikon Corp Substrate holding device, substrate holder, and exposure method and device
TWI583496B (en) * 2013-05-09 2017-05-21 中國砂輪企業股份有限公司 Detection method and apparatus for the tip of a chemical mechanical polishing conditioner
NL2016691A (en) * 2015-06-22 2016-12-29 Asml Netherlands Bv Substrate support, method of compensating unflatness of an upper surface of a substrate, lithogrpahic apparatus and device manufacturing method.
TWM542240U (en) * 2017-02-14 2017-05-21 Chih Cheng Detailed Industrial Co Ltd Leveling equipment for electronic products

Also Published As

Publication number Publication date
TWI646210B (en) 2019-01-01
TW201934791A (en) 2019-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102650384B1 (en) Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
US9835388B2 (en) Systems for uniform heat transfer including adaptive portions
TWI633586B (en) Contoured showerhead for improved plasma shaping and control
CN106024567B (en) With the plasma process system and structure for tilting confinement ring
TW201735235A (en) Systems and methods for performing edge ring characterization
CN110010432A (en) A kind of edge ring
KR20150094537A (en) Ball screw showerhead module adjuster assembly for showerhead module of semiconductor substrate processing apparatus
CN207021233U (en) Substrate support with uneven gas flow gap
Su et al. Control relevant issues in semiconductor manufacturing: Overview with some new results
WO2010051233A2 (en) Adjustable gas distribution apparatus
US20160239600A1 (en) Prediction Based Chucking and Lithography Control Optimization
KR20190095856A (en) Method for adjusting flatness of sheet part of chemical vapor deposition machine
US20230170195A1 (en) Automated feedforward and feedback sequence for patterning cd control
JP7061489B2 (en) Vacuum drying equipment, substrate processing equipment and vacuum drying method
KR102055149B1 (en) Method of manufacturing lithography template, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus
CN110116149A (en) The flatness processing method of the tabular component of chemical vapor deposition machine station
CN106201079A (en) The manufacture method of a kind of touching display screen and touching display screen
CN101355008B (en) Method for forming film
CN203839359U (en) Substrate position calibration device
TW202143302A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method capable of suppressing non-uniformity of substrate processing applied to a substrate, while suppressing deposition of a product
CN219892141U (en) Ion screen device for improving process stability
JP2018125342A (en) Heat treatment device and heat treatment method
CN116026278A (en) Method for predicting service life of overflow brick
JPH1018058A (en) Etching solution flow rate control method in photoetching equipment
Morisawa et al. CMP process run-to-run control to adjust margin in control limit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination