KR20190092192A - Substrate procesing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus, in which a polishing process of a substrate is performed, includes: a substrate mounting unit on which the substrate is mounted; a polishing unit polishing the upper surface of the substrate; a linear moving unit linearly moving the polishing unit with respect to the substrate; and a swing rotation unit swing-rotating the polishing unit with respect to the substrate when the polishing unit is linearly moving with respect to the substrate, thereby minimizing generation of scratches on the substrate during the polishing process and improving polishing quality.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 연마 공정 중에 기판에 스크레치가 발생하는 것을 최소화하고 연마 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that can minimize the occurrence of scratches on the substrate during the polishing process and improve the polishing quality.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, with increasing interest in information display and increasing demand for using a portable information carrier, a lightweight flat panel display (FPD), which replaces a conventional display device, a cathode ray tube (CRT), is used. The research and commercialization of Korea is focused on.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of flat panel display devices, the light and low power consumption of the liquid crystal display device (LCD) has been the most noticeable display device, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, and the brightness and contrast ratio (contrast) Due to disadvantages such as ratio, viewing angle, and the like, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among these, one of the next-generation displays that are in the spotlight recently is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display apparatus. In recent years, since a display apparatus is aimed at slimming and high-pixel, a corresponding glass substrate should be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the laser laser annealing (ELA) process in which a laser is injected to amorphous silicon (a-Si) and crystallized into polysilicon (poly-Si), polysilicon crystallizes and projections may occur on the surface. And such protrusions may generate mura-effects, so the glass substrate must be able to be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, in recent years, various studies have been made to efficiently polish the surface of a substrate, but there is still a need for development thereof.

본 발명은 기판의 연마 균일도를 높일 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the substrate processing apparatus which can raise the polishing uniformity of a board | substrate, and can improve a yield.

특히, 본 발명은 연마 공정 중에 기판의 표면에 스크레치가 형성되는 것을 최소화할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, it is an object of the present invention to minimize the formation of scratches on the surface of a substrate during a polishing process.

또한, 본 발명은 유리 기판의 표면 균일도를 높이고 연마 품질을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to make it possible to raise the surface uniformity of a glass substrate, and to improve polishing quality.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 중에, 기판의 습식 상태를 보장함과 동시에 기판의 세정이 이루어지도록 하는 것에 의하여, 기판 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고화되는 것을 최소화할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, while the polishing process for the substrate is being performed, the substrate is polished by ensuring the wet state of the substrate and at the same time cleaning the substrate As the surface is dried, it is possible to minimize the solidification of the abrasive particles and the like on the polishing surface.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 연마 균일도를 높일 수 있으며, 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the polishing uniformity of the substrate can be increased, and the advantageous effect of improving the yield can be obtained.

특히, 본 발명에 따르면 연마 공정 중에 기판에 스크레치가 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, an advantageous effect of minimizing the occurrence of scratches on the substrate during the polishing process can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 유리 기판의 표면 균일도를 높이고 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of increasing the surface uniformity of the glass substrate and improving the polishing quality can be obtained.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 직선이동부와 스윙회전부를 설명하기 위한 평면도,
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 직선이동부와 스윙회전부의 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도,
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 파트를 설명하기 위한 도면,
도 12 내지 도 14는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판거치부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a perspective view for explaining a polishing part;
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view for explaining a linear moving part and a swing rotating part;
4 to 7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining another embodiment of the linear movement unit and the swing rotation unit,
8 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which illustrates a retainer;
9 and 10 are views for explaining another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention;
11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which illustrates a cleaning part;
12 to 14 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of the substrate mounting portion.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and may be described by referring to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 직선이동부와 스윙회전부를 설명하기 위한 평면도이고, 도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 직선이동부와 스윙회전부의 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도이다. 그리고, 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이고, 도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 파트를 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view for explaining a polishing part as a substrate processing apparatus according to the present invention. In addition, Figure 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining a linear moving portion and a swing rotation part, Figures 4 to 7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, another linear movement part and a swing rotation part It is a top view for demonstrating an Example. 8 is a view for explaining a retainer as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIGS. 9 and 10 are views for explaining another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. 11 is a figure for demonstrating a cleaning part as a substrate processing apparatus which concerns on this invention.

도 1 내지 도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)와, 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(220)과, 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 직선 이동시키는 직선이동부(20)와, 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)이 직선 이동하는 중에 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 스윙 회전시키는 스윙회전부(30)를 포함한다.1 to 10, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a substrate mounting portion 210 on which a substrate W is mounted, and a polishing unit 220 for polishing an upper surface of the substrate W. As shown in FIG. And the linear movement unit 20 for linearly moving the polishing unit 220 with respect to the substrate W, and the polishing unit with respect to the substrate W while the polishing unit 220 is linearly moved with respect to the substrate W. It includes a swing rotation part 30 for swinging the swing 220.

이는, 연마 공정 중에 기판에 스크레치가 발생하는 것을 최소화하고 연마 균일도를 높이기 위함이다.This is to minimize scratches on the substrate during the polishing process and to increase polishing uniformity.

즉, 연마 공정 중에 기판에 대해 연마 유닛이 제1방향으로만 직선 이동하게 되면, 연마 유닛과 기판의 사이에서 슬러리에 포함된 서로 다른 크기(10㎚~60㎚)의 입자가 제1방향으로만 선형 이동하기 때문에, 기판의 이동 방향(제1방향)을 따라 기판의 표면에 선형으로 결(texture)이 형성되고, 이와 같은 선형 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성되면 마이크로 스크래치가 발생하는 문제점이 있다. 특히, 기판에 대해 연마 파트가 제1방향으로만 직선 이동하는 방식에서는, 기판의 표면에서 선형 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성될 확률이 높아 마이크로 스크래치가 빈번하게 발생하는 문제점이 있다.That is, when the polishing unit is linearly moved only in the first direction with respect to the substrate during the polishing process, particles of different sizes (10 nm to 60 nm) contained in the slurry are only in the first direction between the polishing unit and the substrate. Because of linear movement, a texture is formed linearly on the surface of the substrate along the moving direction (first direction) of the substrate, and if such linear grains are repeatedly formed at the same site, there is a problem that micro scratches occur. . In particular, in the manner in which the polishing part moves linearly only in the first direction with respect to the substrate, there is a problem in that microscratch is frequently generated due to a high probability of repeatedly forming linear grains at the same site on the surface of the substrate.

하지만, 본 발명은 연마 유닛이 기판에 대해 직선 이동함과 동시에, 스윙 회전하도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛은 기판에 대해 연속적인 비선형 형태(예를 들어 곡선 형태)의 경로를 따라 이동하면서 기판을 연마할 수 있으므로, 연마 공정 중에 기판의 표면에 슬러리 입자에 의한 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성될 확률을 현저하게 낮출 수 있으며, 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성됨에 따른 마이크로 스크래치의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention allows the polishing unit to be moved linearly with respect to the substrate and at the same time swing swinging, thereby polishing the substrate while the polishing unit moves along a continuous non-linear (eg curved) path relative to the substrate. As a result, it is possible to significantly lower the probability that grains due to slurry particles are repeatedly formed at the same site on the surface of the substrate during the polishing process, which is advantageous in minimizing the occurrence of micro scratches as the grains are repeatedly formed at the same site. The effect can be obtained.

기판거치부(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트에 공급된 기판(W)은 기판거치부(210)로 이송되어 기판거치부(210)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The substrate mounting unit 210 is disposed between the loading part 100 and the unloading part 300, and the substrate W supplied to the loading part is transferred to the substrate mounting unit 210, thereby providing a substrate mounting unit 210. After being ground in the state seated in, it is unloaded through the unloading part 300.

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트(200)에 로딩하기 위해 마련된다.More specifically, the loading part 100 is provided for loading the substrate W to be polished into the polishing part 200.

로딩 파트(100)는 연마 파트(200)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed in various structures capable of loading the substrate W on the polishing part 200, and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100.

일 예로, 로딩 파트(100)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part 100 may include a plurality of loading transfer rollers 110 spaced apart from each other at predetermined intervals, and the substrate W supplied on the plurality of loading transfer rollers 110 may be a loading transfer roller. As the 110 rotates, it is mutually cooperatively transported by a plurality of loading feed rollers. In some cases, the loading part may be configured to include a circulation belt which is circulated by the loading conveying roller.

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the loading part 100 may be aligned in a posture and a position in which postures and positions are determined by an alignment unit (not shown) before being supplied to the loading part 100.

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate W used in the present invention, a rectangular substrate W having one side length larger than 1 m may be used. For example, as the substrate W to be subjected to the chemical mechanical polishing process, a sixth generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use 7th and 8th generation glass substrates as the substrate to be processed. Alternatively, it is also possible to use a substrate (eg, a second generation glass substrate) whose length of one side is smaller than 1 m.

기판거치부(210)와, 연마 유닛(220)은 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트를 구성하도록 마련된다.The substrate mounting portion 210 and the polishing unit 220 are provided to constitute the polishing part between the loading part 100 and the unloading part 300.

기판거치부(210)는 기판(W)을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(210)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The substrate mounting unit 210 may be provided in various structures capable of mounting the substrate W, and the structure and shape of the substrate mounting unit 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 기판거치부(210)는, 기판지지부(212)와, 기판지지부(212)의 상면에 구비되며 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)를 포함하고, 기판(W)은 표면패드(214)의 상면에 안착된다.For example, the substrate mounting portion 210 may include a substrate support portion 212 and a surface pad 214 provided on the upper surface of the substrate support portion 212 to suppress a slip by increasing a coefficient of friction for the substrate W. The substrate W is mounted on the top surface of the surface pad 214.

참고로, 본 발명에서 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 이때, 슬러리는 연마패드(222)의 내측 영역에서 공급되거나 연마패드(222)의 외측 영역에서 공급될 수 있다.For reference, in the present invention, polishing the substrate W is defined as polishing the substrate W by a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process on the substrate W. For example, in the polishing part, a slurry for chemical polishing is supplied together while a mechanical polishing on the substrate W is performed, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. In this case, the slurry may be supplied from the inner region of the polishing pad 222 or from the outer region of the polishing pad 222.

기판지지부(212)는 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support part 212 is provided to support the bottom surface of the substrate (W).

기판지지부(212)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)의 저면을 지지하도록 구성될 수 있다.The substrate support 212 may be configured to support the bottom surface of the substrate W in various ways depending on the required conditions and design specifications.

이하에서는 기판지지부(212)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부를 이용하여 기판을 저면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support 212 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the bottom of the substrate by using two or more substrate supports.

아울러, 기판지지부(212)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판지지부가 금속 재질 또는 다공성 재질로 형성될 수 있으며, 기판지지부의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.In addition, a stone tablet may be used as the substrate support 212. In some cases, the substrate support part may be formed of a metal material or a porous material, and the present invention is not limited or limited by the material of the substrate support part.

기판지지부(212)의 상면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)가 구비된다.The upper surface of the substrate support 212 is provided with a surface pad 214 to suppress the slip by increasing the coefficient of friction for the substrate (W).

이와 같이, 기판지지부(212)의 상면에 표면패드(214)를 마련하고, 기판(W)이 표면패드(214)의 외표면에 안착되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)이 기판지지부(212)에 거치된 상태에서, 기판지지부(212)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As such, the surface pad 214 is provided on the upper surface of the substrate support 212, and the substrate W is seated on the outer surface of the surface pad 214, whereby the substrate W is attached to the substrate support 212. In the mounted state, the movement of the substrate W with respect to the substrate support 212 can be restrained (slip restrained), and an advantageous effect of stably maintaining the arrangement position of the substrate W can be obtained.

표면패드(214)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드(214)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(214)는 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄, 엔지니어링 플라스틱, 실리콘 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.The surface pad 214 may be formed of various materials having adhesion to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the surface pad 214. For example, the surface pad 214 may be formed using any one or more of polyurethane, engineering plastic, and silicone having excellent elasticity and adhesiveness (friction). In some cases, the surface pad may be formed of another material having a non-slip function.

또한, 표면패드(214)는 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다. 여기서, 표면패드(214)가 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다 함은, 표면패드(214)가 비교적 높은 연신율을 갖는 것으로도 표현될 수 있으며, 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있는 푹신푹신한 재질로 형성된 것으로 정의된다.In addition, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compression ratio. Here, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compressibility, it can be expressed that the surface pad 214 has a relatively high elongation, the soft material that the surface pad 214 can be easily compressed Is defined as formed.

바람직하게, 표면패드(214)는 20~50%의 압축율을 갖도록 형성된다. 이와 같이, 표면패드(214)가 20~50%의 압축율을 갖도록 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 표면패드(214)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 최소화할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the surface pad 214 is formed to have a compression ratio of 20 to 50%. As such, by forming the surface pad 214 to have a compression ratio of 20 to 50%, even if foreign matter flows between the substrate W and the surface pad 214, the surface pad 214 is as easy as the thickness of the foreign matter. Since it can be compressed, it is possible to minimize the height deviation (specific portions of the substrate W locally protruded by foreign matter) due to the foreign matter, and as a specific portion of the substrate W locally protrudes An advantageous effect of minimizing the reduction of polishing uniformity can be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(212)가 접촉 방식으로 기판(W)을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 기판의 저면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the above-described and illustrated embodiments of the present invention, the substrate support 212 is configured to support the substrate W in a contact manner, but in some cases, the substrate support portion may contact the bottom surface of the substrate in a non-contact manner. It is also possible to configure to support.

일 예로, 기판지지부는 기판의 저면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판의 저면(또는 표면패드의 저면)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이때, 기판지지부는 기판의 저면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.For example, the substrate support unit may be configured to inject a fluid to the bottom of the substrate, and to support the bottom (or bottom of the surface pad) of the substrate by the injection force by the fluid. In this case, the substrate support unit may spray at least one of a gas (for example, air) and a liquid (for example, pure water) to the bottom surface of the substrate, and the type of fluid may vary depending on the required conditions and design specifications. can be changed.

경우에 따라서는, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, the substrate support may be configured to support the inner surface of the substrate in a non-contact manner by using magnetic force (for example, repulsive force) or floating force by ultrasonic vibration.

연마 유닛(220)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 220 is provided to polish the surface of the substrate W while being in contact with the surface of the substrate W. FIG.

일 예로, 연마 유닛(220)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(222)를 포함한다.For example, the polishing unit 220 is formed in a smaller size than the substrate W, and includes a polishing pad 222 that moves while rotating in contact with the substrate W.

보다 구체적으로, 연마패드(222)는 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, the polishing pad 222 is mounted on a polishing pad carrier (not shown), and linearly polishes (planarizes) the surface of the substrate W while rotating in contact with the surface of the substrate W. FIG.

연마패드 캐리어는 연마패드(222)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(222)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier may be formed in various structures capable of rotating the polishing pad 222, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad carrier. For example, the polishing pad carrier may be configured as a single body, or a plurality of bodies may be combined and configured to rotate in connection with a drive shaft (not shown). In addition, the polishing pad carrier is provided with a pressing portion (for example, a pneumatic pressing portion for pressing the polishing pad by pneumatic pressure) for pressing the polishing pad 222 to the surface of the substrate (W).

연마패드(222)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(222)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(222)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 222 is formed of a material suitable for mechanical polishing of the substrate (W). For example, the polishing pad 222 may be made of polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer, Silicon, latex, nitride rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and various copolymers of styrene, butadiene, and acrylonitrile may be formed, and the material and properties of the polishing pad 222 may be adjusted to the required conditions and design specifications. It can be changed in various ways.

바람직하게 연마패드(222)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(222)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(222)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(222)를 사용하게 되면, 연마패드(222)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게, 도 3과 같이, 연마패드(222)는 기판(W)의 가로 길이(L) 또는 세로 길이의 1/2보다 작은 직경(D)을 갖도록 형성될 수 있다. 다르게는, 도 5와 같이, 연마패드(222')가 기판(W)의 가로 길이(L) 또는 세로 길이의 1/2 이상의 직경(D')을 갖도록 형성될 수 있다.Preferably, as the polishing pad 222, a circular polishing pad 222 having a size smaller than that of the substrate W is used. That is, it is also possible to polish the substrate W by using the polishing pad 222 having a size larger than the substrate W. However, when the polishing pad 222 having a size larger than the substrate W is used, polishing is performed. Since very large rotating equipment and space are required to rotate the pad 222, there is a problem that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered. More preferably, as shown in FIG. 3, the polishing pad 222 may be formed to have a diameter D smaller than the horizontal length L of the substrate W or one half of the vertical length. Alternatively, as shown in FIG. 5, the polishing pad 222 ′ may be formed to have a diameter D ′ equal to or greater than 1/2 of the horizontal length L of the substrate W or the vertical length.

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(222)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(222)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(222)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, rotating the polishing pad (for example, the polishing pad having a diameter larger than 1m) having a size larger than the substrate W, since the substrate W has at least one side length greater than 1 m. The problem itself is very difficult. In addition, when a non-circular polishing pad (for example, a square polishing pad) is used, the surface of the substrate W to be polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness as a whole. However, the present invention, by rotating the circular polishing pad 222 having a smaller size than the substrate (W) to polish the surface of the substrate (W), thereby reducing the space efficiency and design freedom without significantly reducing the polishing pad ( It is possible to rotate the 222 to polish the substrate W, and to obtain an advantageous effect of keeping the polishing amount by the polishing pad 222 uniformly as a whole.

직선이동부(20)는 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 직선 이동시키도록 마련된다.The linear moving part 20 is provided to linearly move the polishing unit 220 with respect to the substrate W. As shown in FIG.

연마 유닛(220)이 기판(W)에 대해 직선 이동하는 방향은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 연마 유닛(220)의 직선 이동 방향은 기판(W)의 세로 방향(도 3 기준)으로 정의될 수 있다. 경우에 따라서는 연마 유닛의 직선 이동 방향이 기판의 가로 방향으로 정의되거나, 사선 방향을 따라 정의되는 것도 가능하다.The direction in which the polishing unit 220 linearly moves with respect to the substrate W may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the linear movement direction of the polishing unit 220 may be defined as the longitudinal direction of the substrate W (see FIG. 3). In some cases, the linear movement direction of the polishing unit may be defined in the horizontal direction of the substrate or may be defined along the diagonal direction.

직선이동부(20)는 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 직선 이동시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 직선이동부(20)의 구조 및 이동 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The linear moving part 20 may be formed in various structures capable of linearly moving the polishing unit 220 with respect to the substrate W, and the present invention is limited by the structure and the moving method of the linear moving part 20. It is not limited.

일 예로, 직선이동부(20)는 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 직선 이동시키는 갠트리 유닛(20)을 포함하고, 스윙회전부(30)는 갠트리 유닛(20)에 장착된다.For example, the linear movement unit 20 includes a gantry unit 20 for linearly moving the polishing unit 220 with respect to the substrate W, and the swing rotation unit 30 is mounted to the gantry unit 20.

보다 구체적으로, 갠트리 유닛(20)은, 제1방향(예를 들어, X축 방향, 도 3 기준 기판의 세로 방향)을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리(22)를 포함하고, 스윙회전부(30)는 X축 갠트리(22)에 장착되며, 연마 유닛(220)은 스윙회전부(30)에 장착된다.More specifically, the gantry unit 20 includes an X-axis gantry 22 that linearly moves along a first direction (eg, X-axis direction, longitudinal direction of the reference substrate of FIG. 3), and includes a swing rotation unit 30. ) Is mounted to the X-axis gantry 22, the polishing unit 220 is mounted to the swing rotation unit (30).

일 예로, X축 갠트리(22)는 "U"자 형상으로 형성될 수 있으며, 제1방향을 따라 배치된 가이드 레일(22a)을 따라 이동하도록 구성된다.For example, the X-axis gantry 22 may be formed in a “U” shape and configured to move along the guide rail 22a disposed along the first direction.

X축 갠트리(22)는 기판(W)을 사이에 두고 기판(W)의 양측에 배치되며 기판(W)의 이송 방향을 따라 직선 이동 가능하게 마련되는 제1지지축(미도시)과 제2지지축(미도시), 및 제1지지축과 제2지지축을 연결하는 연결축(미도시)을 포함할 수 있으며, 연마 유닛(220)은 스윙회전부(30)를 매개로 연결축 상에 장착될 수 있다.The X-axis gantry 22 is disposed on both sides of the substrate W with the substrate W interposed therebetween, and the first support shaft (not shown) and the second supporting shaft which are linearly movable along the transport direction of the substrate W. It may include a support shaft (not shown), and a connecting shaft (not shown) for connecting the first support shaft and the second support shaft, the polishing unit 220 is mounted on the connecting shaft via the swing rotation unit 30 Can be.

가이드 레일(22a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, X축 갠트리(22)는 X축 갠트리(22)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.The permanent magnets of the N pole and the S pole are alternately arranged on the guide rail 22a, and the X-axis gantry 22 is a linear motor capable of precise position control by current control applied to the coil of the X-axis gantry 22. Can be driven on principle.

스윙회전부(30)는 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)이 직선 이동하는 중에 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 스윙 회전시키도록 마련된다.The swing rotation part 30 is provided to swing the polishing unit 220 with respect to the substrate W while the polishing unit 220 linearly moves with respect to the substrate W. FIG.

여기서, 연마 유닛(220)이 스윙 회전한다 함은, 연마 유닛(220)이 일 지점을 중심으로 곡선 궤적을 따라 회전하는 것으로 정의된다.Here, the swing rotation of the polishing unit 220 is defined as the polishing unit 220 rotates along a curve trajectory about a point.

보다 구체적으로, 연마 유닛(220)이 장착되는 스윙회전부(30)는 X축 갠트리(22)에 장착되며, X축 갠트리(22)가 직선 이동하는 중에 스윙회전부(30)는 연마 유닛(220)을 스윙 회전시킨다.More specifically, the swing rotating unit 30 on which the polishing unit 220 is mounted is mounted to the X-axis gantry 22, and the swing rotating unit 30 is the polishing unit 220 while the X-axis gantry 22 is linearly moved. Swing the swing.

이와 같이, 연마 유닛(220)이 직선이동부(20)에 의해 직선 이동하는 중에 스윙회전부(30)에 의해 스윙 회전하도록 하며 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(220)은 기판(W)에 대해 연속적인 곡선 형태의 경로를 따라 이동하면서 기판(W)을 연마할 수 있으므로, 연마 공정 중에 기판(W)에 스크레치가 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the polishing unit 220 is swing-rotated by the swing rotation unit 30 while the polishing unit 220 is linearly moved by the linear movement unit 20, thereby polishing the surface of the substrate W. Since the substrate W may be polished while moving along a continuous curved path with respect to the substrate W, an advantageous effect of minimizing scratches on the substrate W during the polishing process may be obtained.

즉, 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)이 제1방향으로만 직선 이동하게 되면, 연마 유닛(220)과 기판(W)의 사이에서 슬러리에 포함된 서로 다른 크기의 입자(10㎚~60㎚)가 제1방향으로만 이동하기 때문에, 기판(W)의 이동 방향(제1방향)을 따라 기판(W)의 표면에 결(texture)이 형성되고, 이와 같은 선형 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성되면 마이크로 스크래치가 발생하는 문제점이 있다. 특히, 기판(W)에 대해 연마 파트가 제1방향으로만 직선 이동하는 방식에서는, 기판(W)의 표면에서 선형 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성될 확률이 높아 마이크로 스크래치가 빈번하게 발생하는 문제점이 있다.That is, when the polishing unit 220 is linearly moved only in the first direction with respect to the substrate W, particles of different sizes (10 nm to 10 nm) contained in the slurry between the polishing unit 220 and the substrate W are moved. 60 nm) moves only in the first direction, so that a texture is formed on the surface of the substrate W along the moving direction (first direction) of the substrate W, and such linear grain is formed at the same site. If formed repeatedly, there is a problem that a micro scratch occurs. In particular, in a method in which the polishing part linearly moves only in the first direction with respect to the substrate W, there is a high possibility that the micro scratches are frequently generated since the probability that the linear grains are repeatedly formed at the same site on the surface of the substrate W is high. There is this.

하지만, 본 발명은 연마 유닛(220)이 직선 이동함과 동시에 스윙 회전하도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(220)이 기판(W)에 대해 연속적인 비선형 형태(예를 들어, 곡선 형태)의 경로를 따라 이동하면서 기판(W)을 연마할 수 있으므로, 연마 공정 중에 기판(W)의 표면에 슬러리 입자 등에 의한 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성될 확률을 현저하게 낮출 수 있으며, 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성됨에 따른 마이크로 스크래치의 발생을 최소화하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention allows the polishing unit 220 to swing while simultaneously moving in a straight line, thereby allowing the polishing unit 220 to travel in a continuous nonlinear form (eg, curved form) with respect to the substrate W. Since the substrate W can be polished while moving along, it is possible to significantly lower the probability that grains due to slurry particles or the like are repeatedly formed at the same site on the surface of the substrate W during the polishing process, and repeatedly at the same site. By minimizing the occurrence of micro-scratch according to the formation can be obtained an advantageous effect of improving the polishing quality.

스윙회전부(30)는 연마 유닛(220)을 스윙 회전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 스윙회전부(30)의 구조 및 스윙 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The swing rotation part 30 may be formed in various structures capable of swinging the polishing unit 220, and the present invention is not limited or limited by the structure and swing method of the swing rotation part 30.

일 예로, 도 3을 참조하면, 스윙회전부(30)는, 일단이 갠트리 유닛(20)에 회전 가능하게 장착되고, 타단에는 연마 유닛(220)이 장착되는 스윙암(32)을 포함한다. 보다 구체적으로, 스윙암(32)의 일단은 통상의 회전핀 또는 회전축을 매개로 X축 갠트리(22)에 스윙 회전 가능하게 결합된다.For example, referring to FIG. 3, the swing rotation part 30 includes a swing arm 32 having one end rotatably mounted to the gantry unit 20 and the other end mounted with the polishing unit 220. More specifically, one end of the swing arm 32 is swingably coupled to the X-axis gantry 22 via a conventional rotation pin or a rotation axis.

스윙암(32)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 스윙암(32)은 소정 길이를 갖는 직선 바 형태로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는, 스윙암이 곡선 형태 또는 절곡된 형태로 형성되는 것도 가능하다.The structure and shape of the swing arm 32 can be variously changed according to the required conditions and design specifications. For example, the swing arm 32 may be formed in a straight bar shape having a predetermined length. In some cases, it is also possible that the swing arm is formed in a curved or bent shape.

이때, 스윙암(32)의 스윙 회전 조건은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 도 3을 참조하면, 스윙암(32)은 일단을 기준으로 미리 정해진 각도 범위(θ)에서 스윙 회전하도록 구성될 수 있다. 다른 일 예로, 도 6을 참조하면, 스윙암(32)은 일단을 기준으로 360° 스윙 회전하도록 구성될 수 있다.In this case, swing rotation conditions of the swing arm 32 may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, referring to FIG. 3, the swing arm 32 may be configured to swing in a predetermined angle range θ with respect to one end. As another example, referring to FIG. 6, the swing arm 32 may be configured to swing 360 ° with respect to one end.

다른 일 예로, 도 4를 참조하면, 스윙회전부(30)는 갠트리 유닛(20)(예를 들어, X축 갠트리)에 장착되며 스윙 이동 경로를 형성하는 가이드레일(32')을 포함하고, 연마 유닛(220)은 가이드레일(32')을 따라 이동하며 기판(W)에 대해 스윙 회전한다.As another example, referring to FIG. 4, the swing rotation part 30 includes a guide rail 32 ′ mounted to the gantry unit 20 (eg, an X-axis gantry) and forming a swing movement path, and polished. The unit 220 moves along the guide rail 32 ′ and swings relative to the substrate W. FIG.

일 예로, 가이드레일(32')은 소정 길이를 갖는 호 형태로 형성될 수 있으며, 연마 유닛(220)은 호 형태의 가이드레일(32')을 따라 이동하며 미리 정해진 각도 범위(θ)에서 스윙 회전하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 가이드레일이 링 형태로 형성될 수 있으며, 연마 유닛이 링 형태의 가이드레일을 따라 이동하며 360° 스윙 회전하도록 구성하는 것도 가능하다.For example, the guide rail 32 ′ may be formed in an arc shape having a predetermined length, and the polishing unit 220 moves along the arc guide rail 32 ′ and swings in a predetermined angle range θ. It can be configured to rotate. In some cases, the guide rail may be formed in a ring shape, and the polishing unit may be configured to swing 360 ° while rotating along the ring guide rail.

또한, 본 발명의 실시예에서는 연마 유닛(220)이 단 하나의 연마패드(222)로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 유닛이 2개 이상의 연마패드를 포함하는 것도 가능하다.In addition, in the embodiment of the present invention, the polishing unit 220 is described by way of example consisting of only one polishing pad 222, in some cases, it is also possible that the polishing unit includes two or more polishing pads.

일 예로, 도 7을 참조하면, 연마 유닛(220)은 2개 이상의 연마패드(222,222b)를 포함하는 것도 가능하다. 보다 구체적으로, 연마 유닛(220)은, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하는 제1연마패드(222a)와, 제1연마패드(222a)와 이격되게 배치되며 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하는 제2연마패드(222b)를 포함한다. 경우에 따라서는 연마 유닛이 3개 이상의 연마패드를 포함하는 것도 가능하다.For example, referring to FIG. 7, the polishing unit 220 may include two or more polishing pads 222 and 222b. More specifically, the polishing unit 220 is disposed to be spaced apart from the first polishing pad 222a and the first polishing pad 222a in contact with the substrate W and is in contact with the substrate W. The second polishing pad 222b that rotates in a state is included. In some cases, it is also possible that the polishing unit includes three or more polishing pads.

이와 같이, 연마 유닛(220)이 복수개의 연마패드(222a,222b)를 포함하도록 하는 것에 의하여, 연마 시간을 단축하고 처리 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by having the polishing unit 220 include a plurality of polishing pads 222a and 222b, an advantageous effect of shortening the polishing time and increasing processing efficiency can be obtained.

바람직하게, 제1연마패드(222a)와 제2연마패드(222b)는 동일 선상에 배치되며, 상호 대칭적으로 스윙 회전한다.Preferably, the first polishing pad 222a and the second polishing pad 222b are arranged on the same line and swing rotationally symmetrically.

여기서, 제1연마패드(222a)와 제2연마패드(222b)가 상호 대칭적으로 스윙 회전함은 함은, 예를 들어, 제1연마패드(222a)가 12시 방향으로 회전함과 동시에 제2연마패드(222b)는 6시 방향으로 회전하는 것으로 정의된다. 같은 방식으로, 제1연마패드(222a)가 3시 방향으로 회전함과 동시에 제2연마패드(222b)는 9시 방향으로 회전할 수 있다.Here, the first polishing pad 222a and the second polishing pad 222b are swing rotationally symmetrically, for example, the first polishing pad 222a is rotated in the 12 o'clock direction and the first The polishing pad 222b is defined to rotate in the 6 o'clock direction. In the same manner, the first polishing pad 222a may rotate in the 3 o'clock direction and the second polishing pad 222b may rotate in the 9 o'clock direction.

일 예로, 제1연마패드(222a)와 제2연마패드(222b)는 단 하나의 스윙암(32)에 의해 동시에 스윙 회전하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 제1연마패드와 제2연마패드가 각각 서로 다른 스윙암에 의해 스윙 회전하도록 구성하는 것도 가능하다.For example, the first polishing pad 222a and the second polishing pad 222b may be configured to swing simultaneously by only one swing arm 32. In some cases, the first polishing pad and the second polishing pad may be configured to swing by different swing arms.

이와 같이, 제1연마패드(222a) 및 제2연마패드(222b)가 동일 선상에 배치되도록 X축 갠트리에 장착하고, 제1연마패드(222a) 및 제2연마패드(222b)가 상호 대칭적으로 스윙 회전하도록 구성하는 것에 의하여, X축 갠트리에 대한 제1연마패드(222a) 및 제2연마패드(222b)의 무게 균형을 균일하게 유지할 수 있으므로, 제1연마패드(222a) 및 제2연마패드(222b)의 스윙 회전에 의한 갠트리 유닛(20)의 진동 및 떨림을 최소화하고, 진동 및 떨림에 의한 연마 품질 및 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As such, the first polishing pad 222a and the second polishing pad 222b are mounted on the X-axis gantry so that they are disposed on the same line, and the first polishing pad 222a and the second polishing pad 222b are symmetrical with each other. Since the weight of the first polishing pad 222a and the second polishing pad 222b with respect to the X-axis gantry can be maintained uniformly, the first polishing pad 222a and the second polishing can be maintained. Advantageous effects of minimizing vibration and vibration of the gantry unit 20 due to swing rotation of the pad 222b and minimizing a reduction in polishing quality and polishing uniformity due to vibration and vibration may be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 갠트리 유닛(20)에 의해 연마 유닛(220)이 제1방향(X축 방향)으로만 직선 이동하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 유닛이 서로 교차하는 방향으로 직선 이동하도록 구성하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the above-described and illustrated embodiments of the present invention, an example in which the polishing unit 220 is linearly moved only in the first direction (X-axis direction) by the gantry unit 20 is described. It is also possible to configure the unit to move linearly in the direction crossing each other.

일 예로, 도 9 및 도 10을 참조하면, 연마 유닛(220)은 갠트리(gantry) 유닛(도 2의 20 참조)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 직선 이동하도록 구성된다.For example, referring to FIGS. 9 and 10, the polishing unit 220 is configured to move linearly along the X-axis direction and the Y-axis direction by a gantry unit (see 20 in FIG. 2).

보다 구체적으로, 갠트리 유닛(20)은, 제1방향(예를 들어, X축 방향)을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리(22)와, 스윙회전부(30)가 장착되며 X축 갠트리(22)에 장착되어 제1방향에 직교하는 제2방향(예를 들어, Y축 방향)을 따라 직선 이동하는 Y축 갠트리(24)를 포함하며, 연마 유닛(220)은 스윙회전부(30)에 장착되어 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 직선 이동함과 동시에 스윙 회전하면서 기판(W)을 연마한다.More specifically, the gantry unit 20 includes an X-axis gantry 22 that linearly moves along a first direction (for example, the X-axis direction), and a swing rotation unit 30, and includes an X-axis gantry 22. And a Y-axis gantry 24 linearly moving in a second direction (eg, Y-axis direction) perpendicular to the first direction, wherein the polishing unit 220 is mounted to the swing rotation part 30. The substrate W is polished while linearly moving along the X and Y axis directions while swinging.

X축 갠트리(22)는 "U"자 형상으로 형성될 수 있으며, 제1방향을 따라 배치된 가이드 레일(22a)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일(22a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, X축 갠트리(22)는 X축 갠트리(22)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.The X-axis gantry 22 may be formed in a “U” shape and configured to move along the guide rail 22a disposed along the first direction. The permanent magnets of the N pole and the S pole are alternately arranged on the guide rail 22a, and the X-axis gantry 22 is a linear motor capable of precise position control by current control applied to the coil of the X-axis gantry 22. Can be driven on principle.

같은 방식으로, Y축 갠트리(24)는 제2방향을 따라 배치된 가이드 레일(24a)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일(24a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, Y축 갠트리(24)는 Y축 갠트리(24)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.In the same way, the Y-axis gantry 24 is configured to move along the guide rail 24a disposed along the second direction. Permanent magnets of the N pole and the S pole are alternately arranged on the guide rail 24a, and the Y-axis gantry 24 is a linear motor capable of precise position control by current control applied to the coil of the Y-axis gantry 24. Can be driven on principle.

이와 같이, 연마 유닛(220)이 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 직선 이동함과 동시에 스윙 회전하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 기판(W)의 표면에 슬러리 입자 등에 의한 결이 동일한 부위에 반복적으로 형성될 확률을 보다 낮출 수 있으며, 마이크로 스크래치의 발생을 보다 최소화하여 연마 품질을 더욱 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the polishing unit 220 polishes the substrate W while linearly moving along the X axis direction and the Y axis direction while swinging and rotating, thereby allowing slurry particles or the like to appear on the surface of the substrate W during the polishing process. It is possible to lower the probability that the grains are repeatedly formed in the same site, and to minimize the occurrence of micro scratches, it is possible to obtain an advantageous effect of further improving the polishing quality.

참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 파트가 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드에 의해 기판(W)을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 무한 루프 방식으로 순환 회전하는 연마 벨트를 이용하여 기판을 연마하는 것도 가능하다.For reference, in the above-described and illustrated embodiments of the present invention, an example in which the polishing part is polished by a polishing pad that moves while rotating while being in contact with the substrate W is described. Therefore, it is also possible to polish a board | substrate using the polishing belt in which a grinding part circulates rotationally in an infinite loop system.

또한, 기판 처리 장치는 연마패드의 외표면(기판(W)에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may also include a conditioner (not shown) for modifying the outer surface of the polishing pad (the surface in contact with the substrate W).

일 예로, 컨디셔너는 기판(W)의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판(W)에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.For example, the conditioner may be disposed in an outer region of the substrate W, pressurizes the surface (bottom surface) of the polishing pad to a predetermined pressing force, and finely cuts the micropore formed on the surface of the polishing pad so as to come out on the surface. . In other words, the conditioner finely cuts the outer surface of the polishing pad and fills the foam pores of the polishing pad so that the foamed pores of the polishing pad are not blocked by numerous foamed pores, which serve to contain a slurry of abrasive and chemical mixed on the outer surface of the polishing pad. The slurry is smoothly supplied to the substrate (W). Preferably the conditioner is rotatably provided and in rotational contact with the outer surface (bottom surface) of the polishing pad.

다시, 도 3 및 도 8을 참조하면, 연마 파트는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 표면패드(214)의 외표면에 돌출된 형태로 구비되는 리테이너(130)를 포함한다.Referring again to FIGS. 3 and 8, the polishing part includes a retainer 130 provided to protrude on an outer surface of the surface pad 214 to surround the circumference of the substrate W. As shown in FIG.

리테이너(130)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(220)의 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(210)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(210)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.The retainer 130 is polished at the edge of the substrate W when the polishing pad 210 of the polishing unit 220 enters the inner region of the substrate W from the outer region of the substrate W during the polishing process. Minimization of rebounding (bounce) of the pad 210 and a dead zone (polishing by the polishing pad) at the edge of the substrate W due to the rebounding of the polishing pad 210 Area that is not done).

보다 구체적으로, 리테이너(130)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(130a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(130a)의 내부에서 표면패드(214)의 외표면에 안착된다.More specifically, the retainer 130 has a substrate receiving portion 130a corresponding to the shape of the substrate W therethrough, and the substrate W is formed outside the surface pad 214 in the substrate receiving portion 130a. It rests on the surface.

기판(W)이 기판수용부(130a)에 수용된 상태에서 리테이너(130)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(210)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In the state where the substrate W is accommodated in the substrate accommodating portion 130a, the surface height of the retainer 130 has a height similar to the surface height of the edge of the substrate W. Thus, the polishing pad 210 during the polishing process by having the edge portion of the substrate W and the outer region (retainer region) of the substrate W adjacent to the edge portion of the substrate W have a similar height. The inner region and the outer region of the substrate W are moved from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W or from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W. It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 210 according to the height deviation of the liver, it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the generation of the non-polishing region by the rebound phenomenon.

아울러, 리테이너(130)는 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)의 거치면으로부터 돌출되게 구비되고, 연마 유닛(220)의 연마패드(210)는 리테이너(130)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.In addition, the retainer 130 is provided to protrude from the mounting surface of the substrate mounting portion 210 on which the substrate W is mounted, and the polishing pad 210 of the polishing unit 220 has an upper surface and a substrate W of the retainer 130. It is configured to polish the upper surface of the substrate (W) passing through the edge of the substrate (W) in contact with the upper surface of the ().

바람직하게, 연마 유닛(220)의 연마패드(210)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(210)의 일부는 리테이너(130)의 상면에 접촉되고, 연마패드(210)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.Preferably, at the polishing start position at which the polishing process of the substrate W by the polishing pad 210 of the polishing unit 220 starts, a part of the polishing pad 210 is in contact with the upper surface of the retainer 130 and is polished. The other part of the pad 210 is disposed in contact with the upper surface of the substrate W.

이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(220)의 연마패드(210)가 기판(W)의 상면과 리테이너(130)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(220)의 연마패드(210)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(210)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As such, the polishing unit 220 is caused to start polishing while the polishing pad 210 of the polishing unit 220 is in contact with the upper surface of the substrate W and the upper surface of the retainer 130 at the polishing start position. When the polishing pad 210 of) passes through the edge of the substrate W, an advantageous effect of suppressing the rebound of the polishing pad 210 from the substrate W can be obtained.

바람직하게, 리테이너(130)는 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(130)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(210)와 리테이너(130)의 충돌에 의한 연마 유닛(220)의 리바운드 현상의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the retainer 130 is formed to have a thickness T1? T2 that is thinner or equal to the substrate W. FIG. As such, by forming the retainer 130 to have a thickness T2 thinner or the same as that of the substrate W, the polishing pad 210 is moved from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W. FIG. In the meantime, an advantageous effect of minimizing the occurrence of the rebound phenomenon of the polishing unit 220 due to the collision of the polishing pad 210 and the retainer 130 may be obtained.

리테이너(130)는 요구되는 조건에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 리테이너(130)에는 연마 패드(232)가 접촉되므로, 연마 공정시 비교적 갈림이 적은 폴리에틸렌(PE), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester ; UPE) 등과 같은 재질로 리테이너(130)를 형성하는 것이 바림직하다.The retainer 130 may be formed of various materials according to the required conditions. However, since the polishing pad 232 is in contact with the retainer 130, it is desirable to form the retainer 130 with a material such as polyethylene (PE), unsaturated polyester (UPE), etc., which is relatively low in the grinding process. It is right.

한편, 언로딩 파트(300)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩하기 위해 마련된다.Meanwhile, the unloading part 300 is provided to unload the substrate W on which the polishing process is completed, from the polishing part 200.

즉, 언로딩 파트(300)에는 기판거치부(210)로부터 분리된 기판(W)이 언로딩된다.That is, the substrate W separated from the substrate mounting unit 210 is unloaded in the unloading part 300.

언로딩 파트(300)는 연마 파트(200)에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part 300 may be formed in various structures capable of unloading the substrate W in the polishing part 200, and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part 300.

일 예로, 언로딩 파트(300)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the unloading part 300 includes a plurality of unloading feed rollers 310 spaced apart from each other at predetermined intervals, and the substrate W supplied on the plurality of unloading feed rollers 310 is As the unloading conveying roller 310 rotates, the unloading conveying roller 310 is cooperatively conveyed by the plurality of unloading conveying rollers 310. In some cases, the unloading part may be configured to include a circulation belt which is circulated and rotated by the unloading feed roller.

또한, 도 1 및 도 11을 참조하면, 세정 파트(400)는 연마 완료된 기판(W)을 세정하도록 마련된다.In addition, referring to FIGS. 1 and 11, the cleaning part 400 is provided to clean the polished substrate W. FIG.

세정 파트(400)는 여러 단계의 세정 및 건조 공정을 수행 가능한 구조로 제공될 수 있으며, 세정 파트(400)를 구성하는 세정 스테이션의 구조 및 레이아웃에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The cleaning part 400 may be provided in a structure capable of performing various steps of cleaning and drying processes, and the present invention is not limited or limited by the structure and layout of the cleaning station constituting the cleaning part 400.

바람직하게, 세정 파트(400)는 기판(W)의 표면에 잔류하는 유기물 및 여타 다른 이물질을 제거하기 위한 세정을 효과적으로 수행할 수 있도록, 기판(W)의 표면에 물리적으로 접촉되며 세정을 수행하는 접촉식 세정 유닛(410), 및 기판(W)의 표면에 물리적으로 비접촉되며 세정을 수행하는 비접촉식 세정 유닛(420)을 포함하여 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 세정 파트가 접촉식 세정 유닛 및 비접촉식 세정 유닛 중 어느 하나만을 포함하여 구성되는 것도 가능하다.Preferably, the cleaning part 400 may be in physical contact with the surface of the substrate W to perform cleaning to effectively remove organic matter and other foreign matter remaining on the surface of the substrate W. The contact cleaning unit 410 and a non-contact cleaning unit 420 which is physically non-contacted with the surface of the substrate W and performs the cleaning may be configured. In some cases, the cleaning part may include only one of the contact cleaning unit and the non-contact cleaning unit.

일 예로, 접촉식 세정 유닛(410)은 기판(W)의 표면에 회전하며 접촉되는 세정 브러쉬(422)를 포함한다.For example, the contact cleaning unit 410 includes a cleaning brush 422 rotating and contacting the surface of the substrate (W).

또한, 비접촉 세정 유닛(420)은 기판(W)의 표면에 서로 다른 이종(heterogeneity) 유체를 분사하는 이종 유체 분사부(422,424)를 포함할 수 있다. 아울러, 이종 유체 분사부(422,424)는 이종 유체를 분사 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 이종 유체 분사부(422,424)는 제1유체(액상 유체 또는 기상 유체)를 분사하는 제1유체 분사노즐(422)과, 제1유체와 다른 제2유체(액상 유체 또는 기상 유체)를 분사하는 제2유체 분사노즐(424)를 포함할 수 있으며, 제1유체 및 제2유체는 혼합 또는 분리된 상태로 기판(W)의 표면에 분사될 수 있다.In addition, the non-contact cleaning unit 420 may include heterogeneous fluid injection units 422 and 424 for injecting different heterogeneity fluids onto the surface of the substrate W. FIG. In addition, the heterogeneous fluid injectors 422 and 424 may be provided in various structures capable of injecting heterogeneous fluid. For example, the heterogeneous fluid injection units 422 and 424 may include a first fluid injection nozzle 422 for injecting a first fluid (liquid or gaseous fluid), and a second fluid (liquid or gaseous fluid) different from the first fluid. The second fluid jet nozzle 424 may be injected, and the first fluid and the second fluid may be jetted onto the surface of the substrate W in a mixed or separated state.

경우에 따라서는 비접촉 세정 유닛이 단일 유체를 분사하는 것도 가능하다. 다르게는, 비접촉 세정 유닛이 기판의 표면에 유체를 분사함과 동시에, 기판의 표면으로부터 이물질을 효과적으로 분리하기 위한 진동 에너지(예를 들어, 고주파 진동 에너지 또는 저주파 진동 에너지)를 함께 공급하는 것도 가능하다.In some cases, it is also possible for the non-contact cleaning unit to inject a single fluid. Alternatively, it is also possible for the non-contact cleaning unit to inject a fluid onto the surface of the substrate and at the same time supply vibration energy (eg, high frequency vibration energy or low frequency vibration energy) for effectively separating foreign matter from the surface of the substrate. .

한편, 도 12 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.12 to 14 are diagrams for describing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are given to the same or equivalent components as those described above, and detailed description thereof will be omitted.

도 12 내지 도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 거치부(210')는, 정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(214')와, 이송 벨트(214')의 내부에 배치되며 이송 벨트(214')를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(212)를 포함한다.12 to 14, according to another embodiment of the present invention, the substrate holder 210 ′ may include a transfer belt 214 ′ that moves along a predetermined path and seats the substrate W on an outer surface thereof. And a substrate support 212 disposed inside the transfer belt 214 'and supporting the bottom surface of the substrate W with the transfer belt 214' interposed therebetween.

참고로, 전술한 실시예와 마찬가지로, 연마 유닛(220)은 직선이동부(도 2의 20 참조)와 스윙회전부(30)에 의해 기판(W)에 대해 직선 이동함과 동시에, 스윙 회전하도록 하도록 구성된다. 아울러, 이송 벨트(214')의 외표면에는 리테이너(216)가 구비될 수 있다.For reference, as in the above-described embodiment, the polishing unit 220 is linearly moved with respect to the substrate W by the linear moving part (see 20 in FIG. 2) and the swing rotating part 30, so as to swing swing. It is composed. In addition, a retainer 216 may be provided on an outer surface of the transfer belt 214 '.

이송 벨트(214')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다.The transfer belt 214 'may be configured to move along a defined path in various ways depending on the desired conditions and design specifications. As an example, the transfer belt 214 'may be configured to rotate in a defined path.

이송 벨트(214')의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 롤러 유닛(150)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(214')에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circular rotation of the transfer belt 214 'may be done in a variety of ways depending on the conditions and design specifications required. For example, the transfer belt 214 'is circulated and rotated along a path defined by the roller unit 150, and the substrate W seated on the transfer belt 214' is circulated by the rotation of the transfer belt 214 '. It is conveyed along this linear movement path.

이송 벨트(214')의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(150)은 제1롤러(152)와, 제1롤러(152)로부터 평행하게 이격되게 배치되는 제2롤러(154)를 포함하며, 이송 벨트(214')는 제1롤러(152)와 제2롤러(154)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.The movement path (eg, circulation path) of the transfer belt 214 'may be variously changed according to the required conditions and design specifications. For example, the roller unit 150 may include a first roller 152 and a second roller 154 spaced apart from the first roller 152 in parallel, and the transfer belt 214 'may include a first roller. 152 and the second roller 154 rotates in an endless loop manner.

참고로, 이송 벨트(214')의 외표면이라 함은, 이송 벨트(214')의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(214')의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(214')의 내표면이라 함은, 제1롤러(152)와 제2롤러(154)가 접촉되는 이송 벨트(214')의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the transfer belt 214 'means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 214', and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 214 '. . In addition, the inner surface of the conveyance belt 214 'means an inner surface of the conveyance belt 214' to which the first roller 152 and the second roller 154 are in contact.

또한, 제1롤러(152)와 제2롤러(154) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(152)는 고정되는 제2롤러(154)는 제1롤러(152)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(152)에 대해 제2롤러(154)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(214')의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller 152 and the second roller 154 may be configured to move linearly in a direction that is selectively approached and spaced apart from each other. For example, the first roller 152 is fixed to the second roller 154 may be configured to linearly move in a direction approaching and spaced apart from the first roller 152. As such, the tension of the transfer belt 214 'can be adjusted by allowing the second roller 154 to approach and be spaced apart from the first roller 152 according to manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(214')의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(214')를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the conveying belt 214 'is defined as adjusting the tension by pulling the loosening or loosening of the conveying belt 214'. In some cases, it is also possible to provide a separate tension adjusting roller and to adjust the tension of the transfer belt by moving the tension adjusting roller. However, it is preferable to move any one or more of the first roller and the second roller to improve the structure and space utilization.

또한, 기판 처리 장치는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(미도시)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus includes a loading transfer speed at which the loading part 100 transfers the substrate W during a loading transfer step of transferring the substrate W from the loading part 100 to the polishing part 200, The belt 214 'includes a loading control unit (not shown) for synchronizing the belt conveying speed at which the substrate W is conveyed.

보다 구체적으로, 로딩 제어부는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(214')에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 벨트 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit synchronizes the loading conveyance speed and the belt conveying speed when one end of the substrate W is disposed at a predefined seating start position SP in the conveying belt 214 '.

여기서, 이송 벨트(214')에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(214')와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(216a)의 일변(또는 기판수용부의 일변에 인접한 위치)에 설정될 수 있다.Here, the starting start position SP in the transfer belt 214 'is defined as a position at which the substrate W can start being transferred by the rotational rotation of the transfer belt 214'. In SP, the bonding property between the conveyance belt 214 'and the board | substrate W is provided. For example, the seating start position SP may be set at one side (or a position adjacent to one side of the substrate receiving portion) facing the front end of the substrate W transferred from the loading part 100. .

참고로, 센서 또는 비젼 카메라와 같은 통상의 감지수단에 의하여 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(214')의 회전이 정지된다.For reference, when one side of the board receiving portion 216a is detected as being positioned at the seating start position SP by a general sensing means such as a sensor or a vision camera, one side of the board receiving portion 216a may be placed at the seating starting position ( The rotation of the transfer belt 214 'is stopped so that the state positioned at SP is maintained.

그 후, 이송 벨트(214')의 회전이 정지된 상태에서, 감지수단에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도가 서로 동일한 속도가 되도록 이송 벨트(214')를 회전(동기화 회전)시켜 기판(W)이 연마 위치로 이송되게 한다.After that, in the state where the rotation of the transfer belt 214 'is stopped, when the front end of the substrate W is detected by the sensing means at the seating start position SP, the loading control unit 100 The feed belt 214 'is rotated (synchronized rotation) so that the loading feed speed for feeding the substrate W and the belt feed speed for feeding the substrate W are the same speed. W) is transferred to the polishing position.

또한, 이송 벨트(214')는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.In addition, the transfer belt 214 ′ moves in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W in a state in which the substrate W on which polishing is completed is transferred for a predetermined period or more.

보다 구체적으로, 도 14를 참조하면, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(214')가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(이송 벨트가 제2롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트()로부터 분리된다.More specifically, referring to FIG. 14, the transfer belt 214 ′ is configured to circulate and rotate along a predetermined path, and the substrate W may be configured to transfer the substrate W. As shown in FIG. At the position where it starts to move along (the position at which the conveying belt starts to move along a curved path along the outer surface of the second roller), the conveying belt 214 'moves in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W. Accordingly separated from the conveying belt ().

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(214')가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(214')로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the state in which the conveyance belt 214 'for conveying the substrate W conveys the substrate W for a predetermined period or more, the conveyance belt 214' is moved in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W. By doing so, an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the transfer belt 214 'can be obtained without a separate pick-up step (for example, a pick-up step using a substrate adsorption device).

기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판(W)을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판(W)을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.Previously, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part, a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device) had to be used to pick up the substrate from the loading part, and then put the substrate back on the polishing part. Therefore, there is a problem that the processing time increases so that the time required to load the substrate takes several seconds to several tens of seconds. Furthermore, in order to unload the substrate which has been polished previously into the unloading part, the substrate W is picked up from the polishing part using a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device), and then the substrate is unloaded again. Since it had to be placed on the loading part, there is a problem that the processing time increases to take several seconds to several tens of seconds for unloading the substrate W.

하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(214')로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(214') 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, in the state in which the substrate W supplied to the loading part is directly transferred to the transfer belt 214 'which is circulated and rotated, the polishing process is performed on the substrate W, and the substrate W is transferred to the transfer belt ( By being directly transferred to the unloading part 300 on 214 ', an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time can be obtained.

또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(214')를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention is to exclude the separate pick-up process during loading and unloading of the substrate (W), and to allow the substrate (W) to be processed in an in-line manner by using the transfer belt 214 'rotates, Advantageous effects of simplifying the loading time and unloading process of (W) and reducing the time required for loading and unloading the substrate (W) can be obtained.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, in the present invention, since it is not necessary to provide a pickup device for picking up the substrate W during loading and unloading of the substrate W, it is possible to simplify the equipment and equipment and to improve the space utilization. Can be obtained.

이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)As another example of the conveying belt, the conveying belt may be wound in one direction to another and may be configured to convey the substrate W (not shown).

여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.Here, the transfer belt is wound from one direction to the other, reel to reel winding method of the conventional cassette tape (wound on the first reel and then again opposite to the second reel) It is defined as moving along a moving trajectory in the form of an open loop (winding) in the manner of winding.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and modified within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.

10 : 기판 처리 장치 20 : 직선이동부
20 : 갠트리 유닛 22 : X축 갠트리
24 : Y축 갠트리 30 : 스윙회전부
32 : 스윙암 100 : 로딩 파트
110 : 로딩 이송 롤러 200 : 연마 파트
210 : 기판거치부 212 : 기판지지부
214 : 표면패드 214' : 이송 벨트
216 : 리테이너 216a : 기판수용부
217 : 롤러 유닛 217a : 제1롤러
217b : 제2롤러 220 : 연마 유닛
222 : 연마패드 300 : 언로딩 파트
310 : 언로딩 이송 롤러 400 : 세정 파트
410 : 비접촉식 세정부 420 : 접촉식 세정부10: substrate processing apparatus 20: linear moving part
20: gantry unit 22: X-axis gantry
24: Y axis gantry 30: swing rotation part
32: swing arm 100: loading part
110: loading feed roller 200: polishing parts
210: substrate mounting portion 212: substrate support portion
214: Surface Pad 214 ': Transfer Belt
216: retainer 216a: substrate holding part
217: roller unit 217a: first roller
217b: second roller 220: polishing unit
222: polishing pad 300: unloading parts
310: unloading feed roller 400: cleaning part
410: non-contact cleaning unit 420: contact cleaning unit

Claims (20)

기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
기판이 거치되는 기판거치부와;
상기 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과;
상기 기판에 대해 상기 연마 유닛을 직선 이동시키는 직선이동부와;
상기 기판에 대해 상기 연마 유닛이 직선 이동하는 중에, 상기 기판에 대해 상기 연마 유닛을 스윙 회전시키는 스윙회전부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a polishing step of a substrate is performed,
A substrate mounting portion on which the substrate is mounted;
A polishing unit for polishing the upper surface of the substrate;
A linear moving unit for linearly moving the polishing unit with respect to the substrate;
A swing rotation part which swings the polishing unit with respect to the substrate while the polishing unit is linearly moved with respect to the substrate;
Substrate processing apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 직선이동부는 상기 기판에 대해 상기 연마 유닛을 직선 이동시키는 갠트리 유닛을 포함하고,
상기 스윙회전부는 상기 갠트리 유닛에 장착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The linear movement unit includes a gantry unit for linearly moving the polishing unit with respect to the substrate,
And the swing rotation part is mounted to the gantry unit.
제2항에 있어서,
상기 갠트리 유닛은, 상기 스윙회전부가 장착되며 상기 기판의 제1방향을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리를 포함하고,
상기 연마 유닛은 상기 스윙회전부에 장착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The gantry unit may include an X-axis gantry mounted with the swing rotation part and linearly moving along the first direction of the substrate.
And the polishing unit is mounted to the swing rotation part.
제2항에 있어서,
상기 갠트리 유닛은,
상기 기판의 제1방향을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리와;
상기 스윙회전부가 장착되며, 상기 X축 갠트리에 장착되어 상기 제1방향에 직교하는 제2방향을 따라 직선 이동하는 Y축 갠트리를; 포함하고,
상기 연마 유닛은 상기 스윙회전부에 장착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The gantry unit,
An X-axis gantry linearly moving along the first direction of the substrate;
A Y-axis gantry mounted with the swing rotation part and mounted on the X-axis gantry and linearly moving in a second direction perpendicular to the first direction; Including,
And the polishing unit is mounted to the swing rotation part.
제2항에 있어서,
상기 스윙회전부는,
일단을 기준으로 스윙 회전 가능하게 상기 갠트리 유닛에 장착되고, 타단에는 상기 연마 유닛이 장착되는 스윙암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The swing rotation part,
And a swing arm mounted on the gantry unit so as to swing swing based on one end, and a swing arm mounted on the other end thereof.
제5항에 있어서,
상기 스윙암은 상기 일단을 기준으로 미리 정해진 각도 범위에서 스윙 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The swing arm is a substrate processing apparatus, characterized in that for swing swing in a predetermined angle range relative to the one end.
제5항에 있어서,
상기 스윙암은 상기 일단을 기준으로 360° 스윙 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
And the swing arm swings 360 degrees with respect to the one end.
제2항에 있어서,
상기 스윙회전부는,
상기 갠트리 유닛에 장착되며 스윙 이동 경로를 형성하는 가이드레일을 포함하고,
상기 연마 유닛은 상기 가이드레일을 따라 이동하며 상기 기판에 대해 스윙 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The swing rotation part,
A guide rail mounted to the gantry unit to form a swing movement path;
And the polishing unit moves along the guide rail and swings relative to the substrate.
제1항에 있어서,
상기 연마 유닛은, 상기 기판보다 작은 사이즈로 형성되며, 상기 기판에 접촉된 상태로 자전하는 연마패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the polishing unit is formed in a smaller size than the substrate and includes a polishing pad rotating in contact with the substrate.
제9항에 있어서,
상기 연마패드는 상기 기판에 대한 상기 연마 유닛의 직선 이동 방향에 직교하는 방향을 따른 상기 기판의 폭의 1/2보다 작은 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 9,
And the polishing pad has a diameter smaller than half the width of the substrate along a direction orthogonal to the linear movement direction of the polishing unit with respect to the substrate.
제9항에 있어서,
상기 연마패드는 상기 기판에 대한 상기 연마 유닛의 직선 이동 방향에 직교하는 방향을 따른 상기 기판의 폭의 1/2 이상의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 9,
And the polishing pad has a diameter of 1/2 or more of the width of the substrate along a direction orthogonal to the linear movement direction of the polishing unit with respect to the substrate.
제9항에 있어서,
상기 연마 유닛은,
상기 기판에 접촉된 상태로 자전하는 제1연마패드와;
상기 제1연마패드와 이격되게 배치되며, 상기 기판에 접촉된 상태로 자전하는 제2연마패드를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 9,
The polishing unit,
A first polishing pad rotating in contact with the substrate;
A second polishing pad disposed to be spaced apart from the first polishing pad and rotating in contact with the substrate;
Substrate processing apparatus comprising a.
제12항에 있어서,
상기 제1연마패드와 상기 제2연마패드는 동일 선상에 배치되며, 상호 대칭적으로 스윙 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
And the first polishing pad and the second polishing pad are arranged on the same line and swing rotationally symmetrically.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판거치부는,
정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 상기 기판이 안착되는 이송 벨트와;
상기 이송 벨트의 내부에 배치되며 상기 이송 벨트를 사이에 두고 상기 기판의 저면을 지지하는 기판지지부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 13,
The substrate mounting portion,
A transfer belt provided to be movable along a predetermined path and having the substrate seated on an outer surface thereof;
A substrate support part disposed inside the transfer belt and supporting a bottom surface of the substrate with the transfer belt interposed therebetween;
Substrate processing apparatus comprising a.
제14항에 있어서,
상기 기판은 상기 이송 벨트가 상기 기판의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 상기 이송 벨트로부터 분리되어 언로딩 파트에 언로딩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 14,
And the substrate is separated from the transfer belt and unloaded to the unloading part as the transfer belt moves in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate.
제14항에 있어서,
상기 이송 벨트는 정해진 경로를 따라 순환 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 14,
And the transfer belt rotates along a predetermined path.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 둘레 주변을 감싸도록 돌출되게 구비되는 리테이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 13,
And a retainer protruded to surround the periphery of the substrate.
제17항에 있어서,
상기 리테이너는 상기 기판보다 얇거나 같은 두께를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 17,
The retainer is substrate processing apparatus, characterized in that formed to have a thickness thinner or the same as the substrate.
제17항에 있어서,
상기 연마 유닛은 상기 리테이너의 상면에 접촉된 상태로 상기 기판의 상면을 연마하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 17,
And the polishing unit polishes the upper surface of the substrate while being in contact with the upper surface of the retainer.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 13,
And a slurry for chemical polishing is supplied together during the mechanical polishing of the substrate, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed.
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