KR102528074B1 - Substrate procesing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치는, 기판이 거치되는 기판거치부와, 기판에 접촉된 상태로 이동하는 연마패드를 포함하며 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과, 연마패드가 기판에 접촉하기 전에 연마패드의 온도를 정해진 온도 범위로 조절하는 온도조절부를 포함하는 것에 의하여, 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, in which a substrate polishing process is performed, comprising a substrate holder on which a substrate is mounted, and a polishing pad moving in contact with the substrate to polish the top surface of the substrate. Advantageous effects of improving polishing uniformity and polishing stability can be obtained by including a polishing unit and a temperature controller for adjusting the temperature of the polishing pad to a predetermined temperature range before the polishing pad contacts the substrate.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of improving polishing uniformity and polishing stability.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, interest in information display has increased and the demand for using portable information media has increased. Research and commercialization are being focused on.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of such a flat panel display, until now, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes less power, has been the most popular display device, but a liquid crystal display is not a light emitting device but a light receiving device, Since there are disadvantages such as ratio and viewing angle, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among them, as one of the next-generation displays that have recently been spotlighted, there is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display device, but since recent display devices are oriented towards slimness and high-pixel, a glass substrate corresponding to this needs to be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the ELA (Eximer Laser Annealing) process in which a laser is injected into amorphous silicon (a-Si) to crystallize it into poly-Si, protrusions may occur on the surface while poly-silicon is crystallized. Since these protrusions can cause mura-effects, the glass substrate must be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, recently, various studies have been made to efficiently polish the surface of the substrate, but it is still insufficient, and development thereof is required.

본 발명은 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving polishing uniformity and polishing stability.

또한, 본 발명은 기판의 연마 효율을 높이고 기판의 연마량을 균일하게 제어할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to increase the polishing efficiency of the substrate and to uniformly control the polishing amount of the substrate.

또한, 본 발명은 기판의 연마 품질을 향상시킬 수 있으며, 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve the polishing quality of a substrate and improve productivity.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 연마패드가 미리 예열된 상태에서 기판을 연마하도록 하는 것에 의하여, 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시킬 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above-described objects of the present invention, polishing uniformity and polishing stability can be improved by polishing a substrate in a preheated state with a polishing pad.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, advantageous effects of improving polishing uniformity and polishing stability can be obtained.

특히, 본 발명에 따르면 연마패드가 정해진 온도로 미리 예열된 상태에서 기판을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판 연마면의 연마량 편차를 저감시키고, 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, by polishing the substrate in a state where the polishing pad is preheated to a predetermined temperature, advantageous effects of reducing the polishing amount variation of the polishing surface of the substrate and improving polishing uniformity can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판에 대한 연마패드의 평탄도를 향상시키고, 연마 안정성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain advantageous effects of improving flatness of the polishing pad with respect to the substrate and increasing polishing stability.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, advantageous effects of increasing the polishing efficiency of the substrate and shortening the polishing time can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 연마량을 균일하게 제어하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of uniformly controlling the polishing amount of the substrate can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 연마 품질을 향상시킬 수 있으며, 수율 및 생산성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to improve the polishing quality of the substrate and obtain advantageous effects of improving yield and productivity.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 온도조절부를 설명하기 위한 도면,
도 4는 연마패드 온도에 따른 단위 시간당 연마량을 설명하기 위한 도면,
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 구간별 연마량을 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 온도조절부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 온도조절부의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 12 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a side view showing a substrate processing apparatus according to the present invention;
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a temperature controller;
4 is a view for explaining the polishing amount per unit time according to the polishing pad temperature;
5 and 6 are a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining the polishing amount of each section of the substrate;
7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer;
8 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit;
9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of a polishing unit;
10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of a temperature control unit;
11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of a temperature control unit;
12 to 14 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and descriptions may be made by citing contents described in other drawings under these rules, and contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated contents may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 측면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 온도조절부를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 4는 연마패드 온도에 따른 단위 시간당 연마량을 설명하기 위한 도면이고, 도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 구간별 연마량을 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이다. 한편, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 온도조절부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이며, 도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 온도조절부의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a side view showing a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, to explain the temperature control unit It is a drawing for In addition, FIG. 4 is a diagram for explaining a polishing amount per unit time according to a polishing pad temperature, and FIGS. 5 and 6 are diagrams for explaining a polishing amount for each section of a substrate in a substrate processing apparatus according to the present invention. 7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining a retainer, and FIG. 8 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view illustrating a polishing path of a polishing unit. Meanwhile, FIG. 9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining another embodiment of a polishing unit, and FIG. 10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining another embodiment of a temperature controller. 11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of the temperature controller.

도 1 내지 도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)와, 기판(W)에 접촉된 상태로 이동하는 연마패드(222)를 포함하며 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(220)과, 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉하기 전에 연마패드(222)의 온도를 정해진 온도 범위로 조절하는 온도조절부(400)를 포함한다.1 to 11, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a substrate holder 210 on which a substrate W is mounted, and a polishing pad moving in contact with the substrate W ( 222) and a polishing unit 220 for polishing the upper surface of the substrate W, and a temperature for adjusting the temperature of the polishing pad 222 to a predetermined temperature range before the polishing pad 222 contacts the substrate W. The controller 400 is included.

이는, 기판(W)의 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시키기 위함이다.This is to improve polishing uniformity and polishing stability of the substrate W.

즉, 기판을 연마하는 연마패드의 온도가 변화하면 연마패드에 의한 단위 시간당 연마량이 변화하게 되므로, 기판을 균일하게 연마하기 위해서는 연마 공정 중에 연마패드의 온도가 정해진 온도 범위로 균일하게 유지될 수 있어야 한다. 다시 말해서, 연마패드의 온도가 정해진 온도 범위에 있으면 연마패드에 의한 단위 시간당 연마량이 정해진 연마량 범위로 나타나는 반해, 연마패드의 온도가 정해진 온도 범위보다 낮으면 연마패드에 의한 단위 시간당 연마량이 정해진 연마량 범위보다 낮아지게 되므로, 연마 공정 중에는 연마패드의 온도가 균일한 온도 범위로 유지될 수 있어야 한다.That is, when the temperature of the polishing pad polishing the substrate changes, the polishing amount per unit time by the polishing pad changes. Therefore, in order to uniformly polish the substrate, the temperature of the polishing pad must be maintained uniformly within a predetermined temperature range during the polishing process. do. In other words, if the temperature of the polishing pad is within the predetermined temperature range, the polishing amount per unit time by the polishing pad is within the predetermined polishing amount range, whereas if the temperature of the polishing pad is lower than the predetermined temperature range, the polishing amount per unit time by the polishing pad is determined. Since it is lower than the amount range, the temperature of the polishing pad must be maintained in a uniform temperature range during the polishing process.

연마패드가 기판의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에는 연마패드와 기판 간의 마찰에 의한 발열에 의해 연마패드의 온도가 정해진 온도 범위로 유지될 수 있다. 그러나, 연마패드가 기판에 최초 접촉되는 시점에서는 연마패드의 온도가 정해진 온도 범위보다 낮게 형성되므로, 연마패드가 기판에 최초 접촉되는 영역에서는 불가피하게 연마패드에 의한 단위 시간당 연마량이 낮아지는 문제점이 있으며, 이에 따라 기판 연마면의 연마량 편차가 커지고, 기판의 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다.While the polishing pad moves in contact with the surface of the substrate, the temperature of the polishing pad may be maintained within a predetermined temperature range due to heat generated by friction between the polishing pad and the substrate. However, since the temperature of the polishing pad is lower than the predetermined temperature range at the time when the polishing pad first contacts the substrate, the amount of polishing per unit time by the polishing pad inevitably decreases in the area where the polishing pad first contacts the substrate. Accordingly, there is a problem in that the deviation of the polishing amount of the substrate polishing surface increases and the polishing uniformity of the substrate decreases.

하지만, 본 발명은 연마패드가 기판에 접촉하기 전에 미리 예열된 상태에서 기판을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판 연마면의 연마량 편차를 작게 제어할 수 있으며, 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention can control the polishing amount deviation of the polishing surface of the substrate to a small extent by polishing the substrate in a preheated state before the polishing pad contacts the substrate, and has advantageous effects of improving polishing uniformity and polishing stability. can be obtained.

더욱이, 본 발명은 연마패드가 정해진 온도 범위로 미리 예열된 상태에서 기판이 연마되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 연마 효율을 높이고, 연마 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, according to the present invention, the polishing pad is preheated to a predetermined temperature range to polish the substrate, thereby increasing the polishing efficiency of the substrate W and shortening the polishing time.

기판거치부(210)는 로딩 파트(도 13의 100 참조)와 언로딩 파트(도 14의 300 참조)의 사이에 배치되고, 로딩 파트에 공급된 기판(W)은 기판거치부(210)로 이송되어 기판거치부(210)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The substrate holder 210 is disposed between the loading part (see 100 in FIG. 13 ) and the unloading part (see 300 in FIG. 14 ), and the substrate W supplied to the loading part is transferred to the substrate holder 210 . After being transported and polished while being seated on the substrate holder 210, it is unloaded through the unloading part 300.

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트(미도시)에 로딩하기 위해 마련된다.More specifically, the loading part 100 is provided to load the substrate W to be polished onto the polishing part (not shown).

로딩 파트(100)는 연마 파트에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed in various structures capable of loading the substrate W on the polishing part, and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100 .

일 예로, 로딩 파트(100)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part 100 includes a plurality of loading and conveying rollers 110 spaced apart at predetermined intervals, and the substrate W supplied to the top of the plurality of loading and conveying rollers 110 is the loading and conveying roller. As the 110 rotates, it is transported cooperatively by a plurality of loading and conveying rollers. In some cases, it is also possible that the loading part includes a circulating belt that is circulated and rotated by a loading conveying roller.

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the loading part 100 may be aligned in a posture and position determined by an align unit (not shown) before being supplied to the loading part 100 .

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate (W) used in the present invention, a rectangular substrate (W) having a length of one side greater than 1 m may be used. For example, as the processing target substrate W on which the chemical mechanical polishing process is performed, a 6th generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use 7th and 8th generation glass substrates as substrates to be processed. Alternatively, it is also possible to use a substrate (for example, a second-generation glass substrate) having a length of one side smaller than 1 m.

기판거치부(210)와, 연마 유닛(220)은 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트를 구성하도록 마련된다.The substrate holder 210 and the polishing unit 220 are provided to form a polishing part between the loading part 100 and the unloading part 300 .

기판거치부(210)는 기판(W)을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(210)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The substrate holder 210 may be provided in various structures capable of holding the substrate W, and the structure and shape of the substrate holder 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 기판거치부(210)는, 기판지지부(212)와, 기판지지부(212)의 상면에 구비되며 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)를 포함하고, 기판(W)은 표면패드(214)의 상면에 안착된다.For example, the substrate holding unit 210 includes a substrate support unit 212 and a surface pad 214 provided on an upper surface of the substrate support unit 212 and suppressing slip by increasing a coefficient of friction with respect to the substrate W, , the substrate W is seated on the upper surface of the surface pad 214 .

참고로, 본 발명에서 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 이때, 슬러리는 연마패드(222)의 내측 영역에서 공급되거나 연마패드(222)의 외측 영역에서 공급될 수 있다.For reference, in the present invention, polishing the substrate (W) is defined as polishing the substrate (W) by a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process on the substrate (W). For example, in the polishing part, while mechanical polishing of the substrate W is performed, slurry for chemical polishing is supplied together and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. At this time, the slurry may be supplied from an inner region of the polishing pad 222 or supplied from an outer region of the polishing pad 222 .

기판지지부(212)는 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support part 212 is provided to support the lower surface of the substrate (W).

기판지지부(212)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)의 저면을 지지하도록 구성될 수 있다.The substrate support unit 212 may be configured to support the lower surface of the substrate W in various ways according to required conditions and design specifications.

이하에서는 기판지지부(212)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부를 이용하여 기판을 저면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support 212 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support part may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the bottom surface of the substrate using two or more substrate support parts.

아울러, 기판지지부(212)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판지지부가 금속 재질 또는 다공성 재질로 형성될 수 있으며, 기판지지부의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.In addition, a granite plate may be used as the substrate support 212 . In some cases, the substrate support portion may be formed of a metal material or a porous material, and the present invention is not limited or limited by the material of the substrate support portion.

기판지지부(212)의 상면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)가 구비된다.A surface pad 214 is provided on the upper surface of the substrate support 212 to suppress slip by increasing the coefficient of friction with respect to the substrate W.

이와 같이, 기판지지부(212)의 상면에 표면패드(214)를 마련하고, 기판(W)이 표면패드(214)의 외표면에 안착되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)이 기판지지부(212)에 거치된 상태에서, 기판지지부(212)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the surface pad 214 is provided on the upper surface of the substrate supporter 212, and the substrate W is seated on the outer surface of the surface pad 214, so that the substrate W is formed on the substrate supporter 212. In the state of being mounted on the substrate, it is possible to restrict the movement of the substrate W relative to the substrate support 212 (restrain the slip), and an advantageous effect of stably maintaining the position of the substrate W can be obtained.

표면패드(214)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드(214)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(214)는 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄, 엔지니어링 플라스틱, 실리콘 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.The surface pad 214 may be formed of various materials having adhesion to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the surface pad 214 . For example, the surface pad 214 may be formed using at least one of polyurethane, engineering plastic, and silicone having excellent elasticity and adhesiveness (frictional force). In some cases, it is also possible to form the surface pad with another material having a non-slip function.

또한, 표면패드(214)는 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다. 여기서, 표면패드(214)가 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다 함은, 표면패드(214)가 비교적 높은 연신율을 갖는 것으로도 표현될 수 있으며, 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있는 푹신푹신한 재질로 형성된 것으로 정의된다.In addition, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compressibility. Here, the fact that the surface pad 214 is formed to have a relatively high compression rate can also be expressed as the surface pad 214 having a relatively high elongation rate, and the surface pad 214 is a soft and fluffy material that can be easily compressed. is defined as formed by

바람직하게, 표면패드(214)는 20~50%의 압축율을 갖도록 형성된다. 이와 같이, 표면패드(214)가 20~50%의 압축율을 갖도록 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 표면패드(214)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 최소화할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the surface pad 214 is formed to have a compression ratio of 20 to 50%. In this way, by forming the surface pad 214 to have a compression ratio of 20 to 50%, even if a foreign material is introduced between the substrate W and the surface pad 214, the surface pad 214 is easily moved by the thickness of the foreign material. Since it can be compressed, height deviation of the substrate W caused by foreign substances (local protrusion of a specific portion of the substrate due to foreign substances) can be minimized, and polishing uniformity is reduced due to local protrusion of a specific portion of the substrate W. The beneficial effect of minimizing can be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(212)가 접촉 방식으로 기판(W)을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 기판의 저면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the foregoing and illustrated embodiments of the present invention, an example in which the substrate support 212 is configured to support the substrate W in a contact manner has been described. It is also possible to configure to support.

일 예로, 기판지지부는 기판의 저면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판의 저면(또는 표면패드의 저면)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이때, 기판지지부는 기판의 저면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.For example, the substrate support unit may be configured to inject fluid onto the bottom surface of the substrate and support the bottom surface of the substrate (or the bottom surface of the surface pad) by the spraying force of the fluid. At this time, the substrate support unit may inject at least one of gas (eg, air) and liquid (eg, pure water) onto the lower surface of the substrate, and the type of fluid may be varied according to required conditions and design specifications. can be changed.

경우에 따라서는, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, the substrate support may be configured to support the inner surface of the substrate in a non-contact manner using magnetic force (eg, repulsive force) or levitation force by ultrasonic vibration.

연마 유닛(220)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 연마패드(222)를 포함하며 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 220 includes a polishing pad 222 that moves in contact with the surface of the substrate W and polishes the surface of the substrate W.

일 예로, 연마패드(222)는 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 연마 공정의 적어도 일부 공정 중에 전체 표면이 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동한다.For example, the polishing pad 222 is formed to have a size smaller than that of the substrate W, and rotates and moves while the entire surface of the polishing pad 222 is in contact with the substrate W during at least a portion of the polishing process.

보다 구체적으로, 연마패드(222)는 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, the polishing pad 222 is mounted on a polishing pad carrier (not shown), and linearly polishes (flattens) the surface of the substrate W while rotating while being in contact with the surface of the substrate W.

연마패드 캐리어는 연마패드(222)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(222)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier may be formed in various structures capable of rotating the polishing pad 222, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad carrier. For example, the polishing pad carrier may be composed of one body, or may be composed of a plurality of bodies combined, and is configured to be connected to a drive shaft (not shown) to rotate. In addition, the polishing pad carrier is provided with a pressing unit for pressing the polishing pad 222 to the surface of the substrate W (eg, a pneumatic press unit pressurizing the polishing pad with pneumatic pressure).

연마패드(222)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(222)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(222)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 222 is made of a material suitable for mechanical polishing of the substrate (W). For example, the polishing pad 222 may be made of polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer, It can be formed using silicone, latex, nitrated rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and various copolymers of styrene, butadiene, and acrylonitrile, and the material and characteristics of the polishing pad 222 are determined according to the required conditions and design specifications. It can be varied in various ways.

바람직하게 연마패드(222)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(222)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(222)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(222)를 사용하게 되면, 연마패드(222)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게, 연마패드는 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응하는 직경을 갖도록 형성되거나, 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이의 1/2 보다 작은 직경을 갖도록 형성될 수 있다.Preferably, a circular polishing pad 222 having a size smaller than that of the substrate (W) is used as the polishing pad 222 . That is, it is possible to polish the substrate (W) using the polishing pad 222 having a larger size than the substrate (W), but when using the polishing pad 222 having a larger size than the substrate (W), polishing Since very large rotational equipment and space are required to rotate the pad 222, there are problems in that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered. More preferably, the polishing pad may be formed to have a diameter corresponding to the horizontal or vertical length of the substrate (W), or may be formed to have a diameter smaller than 1/2 of the horizontal or vertical length of the substrate (W).

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(222)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(222)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(222)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, since the length of at least one side of the substrate W has a size greater than 1 m, rotating a polishing pad having a size greater than that of the substrate W (eg, a polishing pad having a diameter greater than 1 m) There is a problem in itself that is very difficult. In addition, when a non-circular polishing pad (eg, a rectangular polishing pad) is used, the entire surface of the substrate W polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness. However, in the present invention, by rotating the circular polishing pad 222 having a smaller size than the substrate W to polish the surface of the substrate W, the polishing pad ( It is possible to polish the substrate W by rotating the 222, and an advantageous effect of maintaining a uniform polishing amount by the polishing pad 222 as a whole can be obtained.

연마 유닛(220)은 갠트리(gantry) 유닛(20)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하도록 구성된다.The polishing unit 220 is configured to move along the X-axis direction and the Y-axis direction by the gantry unit 20 .

보다 구체적으로, 갠트리 유닛(20)은, 제1방향(예를 들어, X축 방향)을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리(22)와, X축 갠트리(22)에 장착되어 제1방향에 직교하는 제2방향(예를 들어, Y축 방향)을 따라 직선 이동하는 Y축 갠트리(24)를 포함하며, 연마 유닛(220)은 Y축 갠트리(24)에 장착되어 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하면서 기판(W)을 연마 한다.More specifically, the gantry unit 20 includes an X-axis gantry 22 that moves linearly along a first direction (eg, an X-axis direction), and is mounted on the X-axis gantry 22 and orthogonal to the first direction and a Y-axis gantry 24 that moves linearly along a second direction (eg, the Y-axis direction), and the polishing unit 220 is mounted on the Y-axis gantry 24 in the X-axis direction and the Y-axis direction. While moving along, the substrate (W) is polished.

X축 갠트리(22)는 "U"자 형상으로 형성될 수 있으며, 제1방향을 따라 배치된 가이드 레일(22a)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일(22a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, X축 갠트리(22)는 X축 갠트리(22)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.The X-axis gantry 22 may be formed in a “U” shape and is configured to move along a guide rail 22a disposed along the first direction. N-pole and S-pole permanent magnets are alternately arranged on the guide rail 22a, and the X-axis gantry 22 is a linear motor capable of precise position control by controlling the current applied to the coil of the X-axis gantry 22. principle can be driven.

이때, 연마 유닛(220)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the polishing path of the polishing unit 220 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 8을 참조하면, 연마패드(222)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.For example, referring to FIG. 8 , the polishing pad 222 includes a first oblique path L1 inclined with respect to one side of the substrate W and a second oblique path inclined in the opposite direction of the first oblique path L1. It is configured to polish the surface of the substrate W while repeatedly moving zigzag along the path L2.

여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first oblique path L1 means a path inclined at a predetermined angle θ with respect to the lower side of the substrate W, for example. In addition, the second oblique path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first oblique path L1 so as to intersect the first oblique path L1.

또한, 본 발명에서 연마패드(222)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(222)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(222)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(222)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.In addition, in the present invention, the polishing pad 222 repeatedly zigzag along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 means that the polishing pad 222 contacts the surface of the substrate W. It is defined that the moving path of the polishing pad 222 with respect to the substrate W is not interrupted and is switched to another direction (converted from the first oblique path to the second oblique path) while moving in the up-to-date state. In other words, the polishing pad 222 continuously moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 and forms a continuous wave-shaped movement trajectory.

보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(222)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are axisymmetric with respect to one side of the substrate W, and the polishing pad 222 has the first oblique path L1 and the second oblique path L1. The surface of the substrate (W) is polished while repeatedly moving zigzag along (L2). At this time, when the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are said to be line symmetric with respect to one side of the substrate W, the first oblique path L1 with one side 11 of the substrate W as the center ) and the second oblique path L2 are symmetrical, this means that the first oblique path L1 and the second oblique path L2 completely overlap, and one side of the substrate W and the first oblique path L1 ) is defined as the same as the angle formed by one side of the substrate W and the second oblique path L2.

바람직하게, 연마패드(222)는, 연마패드(222)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(222)가 연마패드(222)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.Preferably, the polishing pad 222 has a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 222 at a reciprocating pitch to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. round trip about Hereinafter, the polishing pad 222 has a length equal to the diameter of the polishing pad 222 as the reciprocating pitch P, and along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W An example of regular round-trip movement will be described.

이때, 연마 유닛(220)은 겐트리(Gantry)와 같은 구조물(미도시)에 의해 선형 이동하도록 구성될 수 있으며, 연마 유닛(220)을 이동시키는 구조물의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 겐트리는 기판(W)을 사이에 두고 기판(W)의 양측에 배치되며 기판(W)의 이송 방향을 따라 직선 이동 가능하게 마련되는 제1지지축과 제2지지축, 및 제1지지축과 제2지지축을 연결하는 연결축을 포함할 수 있으며, 연마 유닛(220)은 연결축 상에 장착될 수 있다.At this time, the polishing unit 220 may be configured to move linearly by a structure (not shown) such as a gantry, and the present invention is limited by the type and structure of the structure that moves the polishing unit 220, or It is not limited. For example, the gantry is disposed on both sides of the substrate W with the substrate W interposed therebetween, and includes a first support shaft and a second support shaft provided to be linearly movable along the transfer direction of the substrate W, and the first A connection shaft connecting the support shaft and the second support shaft may be included, and the polishing unit 220 may be mounted on the connection shaft.

이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(222)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(222)가 연마패드(222)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(222)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the surface of the substrate W is polished while the polishing pad 222 repeatedly zigzag moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W, and the polishing pad ( 222 is moved forward with respect to the substrate W at a length equal to or smaller than the diameter of the polishing pad 222 as a reciprocating pitch P, thereby polishing the polishing pad 222 over the entire surface area of the substrate W. ) can obtain an advantageous effect of regularly and uniformly polishing the entire surface of the substrate W without an area where polishing is omitted.

여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(222)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(222)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 8을 기준으로 기판의 밑변에서 윗변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 밑변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(222)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.Here, the forward movement of the polishing pad 222 with respect to the substrate W means that the polishing pad 222 moves with respect to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. while moving in a straight line toward the front of the substrate W (eg, from the lower side of the substrate to the upper side with reference to FIG. 8 ). In other words, taking a right triangle composed of the base, the hypotenuse, and the opposite side, for example, the base of the right triangle is defined as the base of the substrate W, and the hypotenuse of the right triangle is the first oblique path L1 or the second oblique path ( L2), and the opposite side of the right triangle may be defined as the forward movement distance of the polishing pad 222 with respect to the substrate (W).

다시 말해서, 연마패드(222)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(222)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(222)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, the polishing pad 222 is repeatedly zigzag-moved (moved along the first oblique path and the second oblique path) with respect to the substrate W at a length equal to or smaller than the diameter of the polishing pad 222 as a reciprocating pitch. ) while polishing the substrate W, it is possible to prevent the occurrence of an area where the polishing by the polishing pad 222 is omitted in the entire surface area of the substrate W, and thus the thickness deviation of the substrate W It is possible to obtain an advantageous effect of improving polishing quality by uniformly controlling the thickness distribution of the substrate W and adjusting the thickness distribution of the substrate W uniformly with respect to the two-dimensional plate surface.

다른 일 예로, 연마패드는 기판(W)의 일변 방향을 따른 제1직선경로(미도시)와, 제1직선경로의 반대 방향인 제2직선경로를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하는 것도 가능하다. 여기서, 제1직선경로라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로라 함은, 제1직선경로와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.As another example, the polishing pad repeatedly moves zigzag along a first straight path (not shown) along one side of the substrate W and along a second straight path opposite to the first straight path, thereby moving the substrate W. It is also possible to polish the surface. Here, the first straight path means a path along a direction from one end of the lower side of the substrate W to the other end, for example. In addition, the second straight path means a path heading in the opposite direction to the first straight path.

참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 파트가 단 하나의 연마 유닛으로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 도 9를 참조하면 연마 파트가 2개 이상의 연마 유닛(220,220')을 포함하는 것을 가능하다. 이때, 복수개의 연마 유닛(220,220')은 각각 연마패드(222,222')를 구비하며, 서로 동일한 경로 또는 서로 반대 방향 경로를 향해 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성될 수 있다.For reference, in the above and illustrated embodiments of the present invention, the polishing part is described as an example consisting of only one polishing unit, but referring to FIG. 9, the polishing part includes two or more polishing units 220 and 220'. it is possible to do At this time, the plurality of polishing units 220 and 220' each have polishing pads 222 and 222', and may be configured to polish the surface of the substrate W while moving in the same path or opposite directions.

또한, 기판 처리 장치는 연마패드의 외표면(기판에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may include a conditioner (not shown) for modifying the outer surface (surface in contact with the substrate) of the polishing pad.

일 예로, 컨디셔너는 기판(W)의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판(W)에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.For example, the conditioner may be disposed on the outer region of the substrate W, pressurize the surface (bottom surface) of the polishing pad with a predetermined pressing force, and finely cut the surface of the polishing pad so that micropores formed on the surface appear on the surface. . In other words, the conditioner finely cuts the outer surface of the polishing pad so that the numerous foam pores that serve to contain the slurry mixed with the abrasive and the chemical substance on the outer surface of the polishing pad are not blocked. The slurry is smoothly supplied to the substrate (W). Preferably, the conditioner is rotatably provided and rotates in contact with the outer surface (bottom surface) of the polishing pad.

다시, 도 7을 참조하면, 연마 파트는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 표면패드(214)의 외표면에 돌출된 형태로 구비되는 리테이너(130)를 포함한다.Referring again to FIG. 7 , the polishing part includes a retainer 130 protruding from the outer surface of the surface pad 214 so as to surround the circumference of the substrate W.

리테이너(130)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(220)의 연마패드(222)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(222)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(222)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.The retainer 130 is polished at the edge of the substrate W when the polishing pad 222 of the polishing unit 220 enters the inner area of the substrate W from the outer area of the substrate W during the polishing process. Minimizes the rebound phenomenon (bouncing phenomenon) of the pad 222 and removes the dead zone at the edge of the substrate W due to the rebound phenomenon of the polishing pad 222 (polishing by the polishing pad area) is provided to minimize.

보다 구체적으로, 리테이너(130)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(130a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(130a)의 내부에서 표면패드(214)의 외표면에 안착된다.More specifically, a substrate accommodating portion 130a corresponding to the shape of the substrate W is formed through the retainer 130, and the substrate W extends from the inside of the substrate accommodating portion 130a to the outside of the surface pad 214. settles on the surface

기판(W)이 기판수용부(130a)에 수용된 상태에서 리테이너(130)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(222)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(222)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In a state where the substrate W is accommodated in the substrate accommodating portion 130a, the height of the surface of the retainer 130 is similar to that of the edge of the substrate W. In this way, by making the edge of the substrate W and the outer region (retainer region) of the substrate W adjacent to the edge of the substrate W have a similar height to each other, during the polishing process, the polishing pad 222 While moving from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W or moving from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, the inner region and the outer region of the substrate W It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 222 due to the height deviation between the spaces, and to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of non-polishing areas due to the rebound phenomenon.

아울러, 리테이너(130)는 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)의 거치면으로부터 돌출되게 구비되고, 연마 유닛(220)의 연마패드(222)는 리테이너(130)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.In addition, the retainer 130 is provided to protrude from the surface of the substrate holder 210 on which the substrate W is mounted, and the polishing pad 222 of the polishing unit 220 is attached to the top surface of the retainer 130 and the substrate (W). ) passing through the edge of the substrate (W) in a state of contact with the upper surface of the substrate (W) and polishing the upper surface of the substrate (W).

바람직하게, 연마 유닛(220)의 연마패드(222)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(222)의 일부는 리테이너(130)의 상면에 접촉되고, 연마패드(222)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.Preferably, at the polishing start position where the polishing process of the substrate W by the polishing pad 222 of the polishing unit 220 starts, a part of the polishing pad 222 is in contact with the upper surface of the retainer 130, polishing Another part of the pad 222 is placed in contact with the upper surface of the substrate (W).

이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(220)의 연마패드(222)가 기판(W)의 상면과 리테이너(130)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(220)의 연마패드(222)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(222)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, at the polishing start position, polishing is started while the polishing pad 222 of the polishing unit 220 is in contact with the upper surface of the substrate W and the upper surface of the retainer 130 at the same time, so that the polishing unit 220 When the polishing pad 222 of ) passes through the edge of the substrate W, an advantageous effect of suppressing a phenomenon in which the polishing pad 222 rebounds from the substrate W can be obtained.

바람직하게, 리테이너(130)는 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(130)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(222)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(222)와 리테이너(130)의 충돌에 의한 연마 유닛(220)의 리바운드 현상의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the retainer 130 is formed to have a thickness (T1≥T2) that is thinner than or equal to that of the substrate (W). In this way, by forming the retainer 130 to have a thickness T2 that is thinner than or equal to the substrate W, the polishing pad 222 moves from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W. During operation, an advantageous effect of minimizing the occurrence of a rebound phenomenon of the polishing unit 220 due to collision between the polishing pad 222 and the retainer 130 may be obtained.

리테이너(130)는 요구되는 조건에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 리테이너(130)에는 연마 패드(232)가 접촉되므로, 연마 공정시 비교적 갈림이 적은 폴리에틸렌(PE), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester ; UPE) 등과 같은 재질로 리테이너(130)를 형성하는 것이 바림직하다.The retainer 130 may be formed of various materials depending on required conditions. However, since the polishing pad 232 is in contact with the retainer 130, it is preferable to form the retainer 130 with a material such as polyethylene (PE) or unsaturated polyester (UPE), which is relatively less abrasive during the polishing process. direct

온도조절부(400)는 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉하기 전에 미리 연마패드(222)의 온도를 정해진 온도 범위로 조절하도록 마련된다.The temperature controller 400 is provided to previously adjust the temperature of the polishing pad 222 to a predetermined temperature range before the polishing pad 222 contacts the substrate W.

여기서, 연마패드(222)의 온도를 정해진 온도 범위로 조절한다 함은, 연마패드(222)에 의한 단위 시간당 연마량이 정해진 연마량 범위로 나타날 수 있는 온도 범위로 연마패드(222)의 온도를 조절하는 것으로 정의된다.Here, adjusting the temperature of the polishing pad 222 to a predetermined temperature range means adjusting the temperature of the polishing pad 222 to a temperature range in which an amount of polishing per unit time by the polishing pad 222 can appear within a predetermined polishing amount range. is defined as

참고로, 도 4를 참조하면, 연마패드(222)의 온도가 저온 온도 범위(A1)에 있으면 연마패드(222)에 의한 단위 시간당 연마량이 점진적으로 증가하는 형태로 나타나고, 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위(A2)(예를 들어, 40℃~80℃)까지 증가하면 연마패드(222)에 의한 단위 시간당 연마량이 정해진 연마량 범위로 균일하게 유지되는 형태로 나타난다.For reference, referring to FIG. 4 , when the temperature of the polishing pad 222 is in the low-temperature temperature range A1, the amount of polishing per unit time by the polishing pad 222 gradually increases, and the When the temperature increases to a predetermined temperature range A2 (eg, 40° C. to 80° C.), the polishing amount per unit time by the polishing pad 222 is uniformly maintained within the predetermined polishing amount range.

이와 같이, 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위에 도달한 상태에서 기판(W)의 연마가 행해지면, 기판(W) 연마층에 입혀진 막이 고온 환경에서 보다 빨리 제거되어 기계적 연마가 촉진되고, 이와 동시에 슬러리의 화학 반응이 최적의 온도로 설정되어 화학적 연마 시간이 보다 단축된다.In this way, when the polishing of the substrate W is performed in a state where the temperature of the polishing pad 222 reaches a predetermined temperature range, the film coated on the polishing layer of the substrate W is removed more quickly in a high-temperature environment, thereby promoting mechanical polishing. , At the same time, the chemical reaction of the slurry is set to an optimum temperature, so that the chemical polishing time is further shortened.

이에 기초하여, 온도조절부(400)는 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉하기 전에, 연마패드(222)에 의한 단위 시간당 연마량이 정해진 연마량 범위로 균일하게 유지되는 형태로 나타나는 정해진 온도 범위(A2)가 되도록 연마패드(222)의 온도를 조절한다.Based on this, the temperature control unit 400 determines the amount of polishing per unit time by the polishing pad 222 uniformly maintained within a predetermined polishing amount range before the polishing pad 222 contacts the substrate W. The temperature of the polishing pad 222 is adjusted to be within the temperature range A2.

즉, 연마패드(222)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에는 연마패드(222)와 기판(W) 간의 마찰에 의한 발열에 의해 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위로 유지될 수 있다. 하지만, 연마패드(222)가 기판(W)에 최초 접촉되는 시점에서는 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위보다 낮게 형성되므로, 연마패드(222)가 기판(W)에 최초 접촉되는 영역(EZ)에서는 불가피하게 연마패드(222)에 의한 단위 시간당 연마량이 낮아지는 문제점이 있으며, 이에 따라 기판(W) 연마면의 연마량 편차(ㅿRR)가 커지고, 기판(W)의 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다.That is, while the polishing pad 222 is moving in contact with the surface of the substrate (W), the temperature of the polishing pad 222 is determined by heat generated by friction between the polishing pad 222 and the substrate (W) within a predetermined temperature range. can be maintained as However, since the temperature of the polishing pad 222 is lower than the predetermined temperature range at the time when the polishing pad 222 first contacts the substrate W, the area where the polishing pad 222 first contacts the substrate W ( EZ) inevitably has a problem in that the polishing amount per unit time by the polishing pad 222 is lowered, and accordingly, the polishing amount variation (RR) of the polishing surface of the substrate W increases and the polishing uniformity of the substrate W decreases. There is a problem being

이에, 본 발명은 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉하기 전에 미리 예열된 상태(정해진 온도 범위로 온도 조절된 상태)에서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W) 연마면의 연마량 편차를 작게 제어할 수 있으며, 연마 균일도 및 연마 안정성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Therefore, the present invention polishes the substrate (W) in a preheated state (temperature controlled to a predetermined temperature range) before the polishing pad 222 contacts the substrate (W), thereby polishing the substrate (W). It is possible to control the variation of the polishing amount of the surface to be small, and advantageous effects of improving polishing uniformity and polishing stability can be obtained.

바람직하게 온도조절부(400)는 상온보다 높은 온도로 연마패드(222)의 온도를 조절한다. 이와 같이, 상온보다 높은 온도로 연마패드(222)의 온도를 조절한 상태로 연마패드(222)에 의한 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 연마 균일도를 높이고, 기판(W) 연마면의 연마량 편차를 낮추는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the temperature controller 400 controls the temperature of the polishing pad 222 to a temperature higher than room temperature. In this way, polishing by the polishing pad 222 is started while the temperature of the polishing pad 222 is adjusted to a temperature higher than room temperature, thereby increasing the polishing uniformity of the substrate W and polishing the substrate W. An advantageous effect of lowering the variation of the polishing amount of the surface can be obtained.

온도조절부(400)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 연마패드(222)의 온도를 조절하도록 구성될 수 있다.The temperature control unit 400 may be configured to control the temperature of the polishing pad 222 in various ways according to required conditions and design specifications.

일 예로, 온도조절부(400)는 기판(W)의 외측 영역에 배치되며, 연마패드(222)를 정해진 온도 범위로 예열하는 예열부(410)를 포함한다. 이하에서는, 연마패드(222)가 예열부(410)에 접촉되며 마찰에 의한 발열에 의해 예열되는 예를 들어 설명하기로 한다.For example, the temperature control unit 400 is disposed outside the substrate W and includes a preheating unit 410 that preheats the polishing pad 222 to a predetermined temperature range. Hereinafter, an example in which the polishing pad 222 contacts the preheating unit 410 and is preheated by heat generated by friction will be described.

바람직하게, 연마패드(222)와 예열부(410)의 접촉에 따른 발열량과, 연마패드(222)와 기판(W)의 접촉에 따른 발열량은 서로 동일한 범위에 있도록 구성된다.Preferably, the amount of heat generated by contact between the polishing pad 222 and the preheating unit 410 and the amount of heat generated by contact between the polishing pad 222 and the substrate W are in the same range.

이와 같이, 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉할 때와 유사한 조건으로 연마패드(222)가 예열부(410)에 접촉되도록 하는 것에 의하여, 연마패드(222)의 예열 정확도를 높이고 안정성 및 신뢰성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by allowing the polishing pad 222 to contact the preheating unit 410 under similar conditions as when the polishing pad 222 contacts the substrate W, the preheating accuracy of the polishing pad 222 is improved and stability is increased. And an advantageous effect of improving reliability can be obtained.

참고로, 연마패드(222)와 예열부(410) 사이의 발열량은, 예열부(410)의 재질과 연마패드(222)를 예열부(410)에 가압하는 가압력 등에 의해 결정될 수 있다. 바람직하게, 예열부(410)를 기판(W)과 동일한 재질로 형성하고, 연마패드(222)를 기판(W)에 접촉시키는 조건과 동일한 조건으로 연마패드(222)를 예열부(410)에 접촉시키는 것에 의하여, 연마패드(222)와 예열부(410)의 접촉에 따른 발열량과, 연마패드(222)와 기판(W)의 접촉에 따른 발열량을 서로 동일한 범위로 형성할 수 있다.For reference, the amount of heat generated between the polishing pad 222 and the preheating unit 410 may be determined by the material of the preheating unit 410 and the pressing force for pressing the polishing pad 222 against the preheating unit 410 . Preferably, the preheating unit 410 is formed of the same material as the substrate W, and the polishing pad 222 is placed on the preheating unit 410 under the same conditions as the conditions in which the polishing pad 222 is in contact with the substrate W. Due to the contact, the amount of heat generated by contact between the polishing pad 222 and the preheating unit 410 and the amount of heat generated by contact between the polishing pad 222 and the substrate W can be formed within the same range.

또한, 예열부(410)와 기판(W)의 사이에 예열 슬러리를 공급하는 예열 슬러리 공급부(420)를 포함한다.In addition, a preheating slurry supply unit 420 for supplying the preheating slurry between the preheating unit 410 and the substrate W is included.

여기서, 예열 슬러리라 함은, 정해진 온도 범위로 미리 가열된 슬러리로 정의된다.Here, the preheated slurry is defined as a slurry previously heated to a predetermined temperature range.

이와 같이, 연마패드(222)가 예열부(410)에 접촉되며 예열되는 중에 연마패드(222)와 예열부(410)의 사이에 미리 예열된 예열 슬러리를 공급하는 것에 의하여, 연마패드(222)의 예열 효율을 높이고 예열에 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 연마패드(222)의 예열 정확도 및 안정성을 보다 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, while the polishing pad 222 contacts the preheating unit 410 and is preheated, preheated preheating slurry is supplied between the polishing pad 222 and the preheating unit 410, thereby increasing the polishing pad 222. It is possible to increase the preheating efficiency, shorten the time required for preheating, and obtain an advantageous effect of further improving the preheating accuracy and stability of the polishing pad 222 .

또한, 기판(W) 처리 장치는 연마패드(222)가 예열되는 중에 연마패드(222)의 온도를 측정하는 온도측정부(500)를 포함하고, 온도측정부(500)에서 측정된 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위에 있으면, 연마패드(222)를 기판(W)에 접촉시킨다.In addition, the apparatus for processing the substrate W includes a temperature measurement unit 500 for measuring the temperature of the polishing pad 222 while the polishing pad 222 is being preheated, and the temperature measurement unit 500 measures the polishing pad ( When the temperature of 222 is within a predetermined temperature range, the polishing pad 222 is brought into contact with the substrate W.

온도측정부(500)로서는 연마패드(222)의 온도를 측정 가능한 통상의 온도센서(510)가 사용될 수 있다. 일 예로, 통상의 온도센서(510)가 사용될 수 있다. 일 예로, 온도측정부(500)로서는 적외선(IR) 온도센서가 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 온도측정부로서 여타 다른 비접촉 온도 센서를 사용하는 것이 가능하다. 다르게는, 온도측정부를 접촉식 온도센서로 구성하는 것이 가능하다.As the temperature measuring unit 500, a conventional temperature sensor 510 capable of measuring the temperature of the polishing pad 222 may be used. For example, a conventional temperature sensor 510 may be used. For example, an infrared (IR) temperature sensor may be used as the temperature measuring unit 500 . In some cases, it is possible to use other non-contact temperature sensors as the temperature measuring unit. Alternatively, it is possible to configure the temperature measuring unit as a contact temperature sensor.

이와 같이, 온도측정부(500)에서 측정된 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위에 있으면, 연마패드(222)를 기판(W)에 접촉시키는 것에 의하여, 연마패드(222)가 기판(W)의 내측 영역으로 최초로 진입되는 영역(진입연마구간; EZ)에서의 단위 시간당 연마량을 정해진 연마량으로 정밀하게 제어하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, when the temperature of the polishing pad 222 measured by the temperature measuring unit 500 is within a predetermined temperature range, by bringing the polishing pad 222 into contact with the substrate W, the polishing pad 222 moves to the substrate ( W) can obtain an advantageous effect of precisely controlling the polishing amount per unit time to a predetermined polishing amount in the area (entry polishing zone; EZ) that first enters the inner area.

도 3을 참조하면, 온도조절부(400)는 연마패드(222)를 기판(W)의 주변에 배치된 리테이너(216)에 접촉시켜 연마패드(222)를 정해진 온도 범위로 예열하도록 구성된다.Referring to FIG. 3 , the temperature controller 400 is configured to bring the polishing pad 222 into contact with the retainer 216 disposed around the substrate W to preheat the polishing pad 222 within a predetermined temperature range.

이와 같이, 연마 유닛(220)의 리바운딩을 저감시키기 위해 이미 마련된 리테이너(216)를 이용하여 연마패드(222)가 예열되도록 하는 것에 의하여, 연마패드(222)를 예열시키기 위한 예열 장치를 별도로 마련할 필요가 없으므로, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by allowing the polishing pad 222 to be preheated using the already prepared retainer 216 in order to reduce the rebound of the polishing unit 220, a preheating device for preheating the polishing pad 222 can be provided separately. Since there is no need, equipment and facilities can be simplified, and advantageous effects of improving space utilization can be obtained.

더욱 바람직하게, 예열부(410)는 기판(W)의 외측에서 내측으로 진입되는 연마패드(222)의 진입 경로(PL)에 배치되는 리테이너(216)의 일변에 마련되고, 연마패드(222)는 기판(W)의 외측에서 내측으로 진입되기 전에 리테이너(216)의 일변에 접촉되며 예열된다. 이하에서는, 연마패드(222)가 리테이너(216)의 밑변(도 3 기준)을 통과하여 기판(W)의 내측 영역으로 진입하되, 연마패드(222)가 기판(W)의 내측 영역에 진입하기 전에 리테이너(216)의 밑변에서 예열되는 예를 들어 설명하기로 한다.More preferably, the preheating unit 410 is provided on one side of the retainer 216 disposed in the entry path PL of the polishing pad 222 entering from the outside to the inside of the substrate W, and the polishing pad 222 is in contact with one side of the retainer 216 before entering the inside from the outside of the substrate (W) and is preheated. Hereinafter, the polishing pad 222 passes through the lower edge of the retainer 216 (refer to FIG. 3) and enters the inner region of the substrate W, but the polishing pad 222 enters the inner region of the substrate W. An example of preheating at the bottom of the retainer 216 will be described beforehand.

이와 같이, 연마패드(222)의 진입 경로(PL)에 배치되는 리테이너(216)의 일변에서 연마패드(222)가 예열되도록 하는 것에 의하여, 연마패드(222)의 이동 경로를 변경하거나 추가하지 않고도 연마패드(222)를 기판(W)의 내측 영역으로 진입시키기 전에 예열할 수 있으므로, 연마패드(222)를 예열하는 예열 공정이 행해짐에 따른 공정 효율의 저하를 방지하고, 예열 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by allowing the polishing pad 222 to be preheated at one side of the retainer 216 disposed on the access path PL of the polishing pad 222, without changing or adding the moving path of the polishing pad 222 Since the polishing pad 222 can be preheated before entering the inner region of the substrate W, a decrease in process efficiency due to the preheating process of preheating the polishing pad 222 is prevented, and a process required for the preheating process is performed. The beneficial effect of minimizing time can be obtained.

참고로, 연마패드(222)는 리테이너(216)에 접촉된 상태로 좌우 방향을 따라 왕복 이동 및 회전하면서 마찰에 의해 예열되도록 구성된다. 경우에 따라서는 연마패드가 리테이너에 접촉된 상태로 회전만하면서 마찰에 의해 예열되는 것도 가능하다.For reference, the polishing pad 222 is configured to be preheated by friction while reciprocating and rotating along the left and right directions while being in contact with the retainer 216 . In some cases, it is also possible that the polishing pad is preheated by friction while only rotating while being in contact with the retainer.

이와 같이, 연마패드(222)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입하기 전에 미리 정해진 온도 범위로 예열하는 것에 의하여, 도 6과 같이, 연마패드(222)가 기판(W)의 내측 영역으로 최초로 진입되는 영역(진입연마구간; EZ)에서의 단위 시간당 연마량(RR1)과, 연마패드(222)가 기판(W)의 내측 영역에서 이동하는 영역(이동연마구간; MZ)에서의 단위 시간당 연마량(RR2)을 균일하게 제어하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As such, by preheating the polishing pad 222 to a predetermined temperature range before entering the inner region of the substrate W from the outer region of the substrate W, as shown in FIG. The polishing amount RR1 per unit time in the region first entering the inner region of the substrate W (entry polishing section; EZ) and the region in which the polishing pad 222 moves in the inner region of the substrate W (moving polishing section; An advantageous effect of uniformly controlling the polishing amount RR2 per unit time in MZ) can be obtained.

더욱이, 본 발명은 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉되기 전에 예열부에 반복적으로 마찰되도록 하는 것에 의하여, 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉되기 전에 미리 평탄화(기판에 접촉되는 연마패드의 접촉면이 평탄한 상태로 조절)될 수 있으므로, 기판(W)에 대한 연마패드(222)의 접촉 안정성을 높이고 연마 안정성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, in the present invention, the polishing pad 222 is planarized in advance before contacting the substrate W by repeatedly rubbing the polishing pad 222 on the preheating unit before contacting the substrate W. Since the contact surface of the polishing pad 222 may be adjusted to a flat state), an advantageous effect of increasing contact stability of the polishing pad 222 with respect to the substrate W and improving polishing stability may be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 예열부(410)가 리테이너에 마련된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 예열부를 기판거치부의 외측에 마련하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the foregoing and illustrated embodiments of the present invention, the example in which the preheating unit 410 is provided in the retainer has been described, but in some cases, it is also possible to provide the preheating unit outside the substrate holding unit.

일 예로, 도 10을 참조하면, 예열부(410')는 기판거치부와 이격되게 기판거치부의 외측에 배치될 수 있으며, 연마패드(222)는 예열부(410')를 거쳐 예열된 후, 기판(W)의 내측으로 진입될 수 있다.For example, referring to FIG. 10 , a preheating unit 410′ may be disposed outside the substrate holding unit and spaced apart from the substrate holding unit, and the polishing pad 222 is preheated through the preheating unit 410′, It may enter the inside of the substrate (W).

또한, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 연마패드(222)가 예열부(410)에 접촉되며 마찰에 의한 발열에 의해 연마패드(222)가 예열되는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 예열부가 비접촉 방식으로 연마패드를 예열하는 것도 가능하다.In addition, in the above and illustrated embodiments of the present invention, the polishing pad 222 contacts the preheating unit 410 and is described as an example in which the polishing pad 222 is preheated by heat generated by friction, but in some cases It is also possible for the preheating unit to preheat the polishing pad in a non-contact manner.

일 예로, 도 11을 참조하면, 예열부(410")는 복사열에 의해 연마패드(222)를 정해진 온도 범위로 예열하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 예열부가 전도열에 의해 연마패드를 정해진 온도 범위로 예열하는 것도 가능하다.For example, referring to FIG. 11 , the preheating unit 410″ may be configured to preheat the polishing pad 222 to a predetermined temperature range by radiant heat. In some cases, the preheating unit heats the polishing pad to a predetermined temperature by conducting heat. It is also possible to preheat to a range.

언로딩 파트(도 14의 300 참조)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트에서 언로딩하기 위해 마련된다.An unloading part (see 300 in FIG. 14 ) is provided to unload the polished substrate W from the polishing part.

즉, 언로딩 파트(300)에는 기판거치부(210)로부터 분리된 기판(W)이 언로딩된다.That is, the substrate W separated from the substrate holder 210 is unloaded on the unloading part 300 .

언로딩 파트(300)는 연마 파트에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part 300 may be formed in various structures capable of unloading the substrate W from the polishing part, and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part 300 .

일 예로, 언로딩 파트(300)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the unloading part 300 includes a plurality of unloading conveying rollers 310 spaced apart at predetermined intervals, and the substrate W supplied to the top of the plurality of unloading conveying rollers 310 is As the unloading conveying roller 310 rotates, it is mutually cooperatively conveyed by the plurality of unloading conveying rollers 310 . In some cases, it is also possible that the unloading part includes a circulating belt circulating and rotating by an unloading conveying roller.

한편, 도 12 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIGS. 12 to 14 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are given to the same or equivalent parts as the above-described configuration, and a detailed description thereof will be omitted.

도 12 내지 도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 거치부(210')는, 정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(214')와, 이송 벨트(214')의 내부에 배치되며 이송 벨트(214')를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(212)를 포함한다.12 to 14, according to another embodiment of the present invention, the substrate holder 210' moves along a predetermined path and includes a transfer belt 214' on which the substrate W is seated on the outer surface. , A substrate support part 212 disposed inside the transfer belt 214' and supporting the lower surface of the substrate W with the transfer belt 214' interposed therebetween.

참고로, 전술한 실시예와 마찬가지로, 온도조절부(400)는 연마패드(222)가 기판(W)에 접촉하기 전에 연마패드(222)의 온도를 정해진 온도 범위로 조절하고, 온도측정부(500)에서 측정된 연마패드(222)의 온도가 정해진 온도 범위에 있으면 연마패드(222)를 기판(W)에 접촉시켜 기판의 연마를 시작한다. 아울러, 이송 벨트(214')의 외표면에는 리테이너(216)가 구비될 수 있다.For reference, like the above-described embodiment, the temperature controller 400 adjusts the temperature of the polishing pad 222 to a predetermined temperature range before the polishing pad 222 contacts the substrate W, and the temperature measuring unit ( When the temperature of the polishing pad 222 measured in step 500 is within a predetermined temperature range, the polishing pad 222 is brought into contact with the substrate W to start polishing the substrate. In addition, a retainer 216 may be provided on an outer surface of the transfer belt 214'.

이송 벨트(214')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다.The transport belt 214' may be configured to move along a predetermined path in various ways depending on required conditions and design specifications. For example, the transport belt 214' may be configured to circulate and rotate along a predetermined path.

이송 벨트(214')의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 롤러 유닛(150)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(214')에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circulating rotation of the conveying belt 214' may be performed in various ways depending on required conditions and design specifications. For example, the conveying belt 214' is circularly rotated along a path determined by the roller unit 150, and the substrate W seated on the conveying belt 214' is moved by the circular rotation of the conveying belt 214'. It is conveyed along this linear movement path.

이송 벨트(214')의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(150)은 제1롤러(152)와, 제1롤러(152)로부터 평행하게 이격되게 배치되는 제2롤러(154)를 포함하며, 이송 벨트(214')는 제1롤러(152)와 제2롤러(154)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.A moving path (eg, a circulation path) of the transfer belt 214' may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the roller unit 150 includes a first roller 152 and a second roller 154 disposed parallel to and spaced apart from the first roller 152, and the conveying belt 214 'is the first roller 152 and the second roller 154 circularly rotate in an infinite loop manner.

참고로, 이송 벨트(214')의 외표면이라 함은, 이송 벨트(214')의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(214')의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(214')의 내표면이라 함은, 제1롤러(152)와 제2롤러(154)가 접촉되는 이송 벨트(214')의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the transfer belt 214' means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 214', and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 214'. . In addition, the inner surface of the conveying belt 214' means the inner surface of the conveying belt 214' on which the first roller 152 and the second roller 154 come into contact.

또한, 제1롤러(152)와 제2롤러(154) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(152)는 고정되는 제2롤러(154)는 제1롤러(152)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(152)에 대해 제2롤러(154)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(214')의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller 152 and the second roller 154 may be selectively configured to linearly move in directions approaching and spaced apart from each other. For example, the second roller 154 to which the first roller 152 is fixed may linearly move in a direction approaching and away from the first roller 152 . In this way, the tension of the transfer belt 214' can be adjusted by allowing the second roller 154 to approach and separate from the first roller 152 according to manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(214')의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(214')를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the transport belt 214' is defined as adjusting the tension by pulling or loosening the transport belt 214'. In some cases, it is also possible to provide a separate tension control roller and adjust the tension of the transport belt by moving the tension control roller. However, it is preferable to move at least one of the first roller and the second roller to improve structure and space utilization.

또한, 기판 처리 장치는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(미도시)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus, during the loading transfer process of transferring the substrate W from the loading part 100 to the polishing part, the loading transfer speed at which the loading part 100 transfers the substrate W, the transfer belt 214 ') includes a loading controller (not shown) that synchronizes the conveying speed of the belt for conveying the substrate (W).

보다 구체적으로, 로딩 제어부는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(214')에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 벨트 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit synchronizes the loading transfer speed and the belt transfer speed when one end of the substrate W is placed at a predefined seating start position SP on the transfer belt 214'.

여기서, 이송 벨트(214')에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(214')와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(216a)의 일변(또는 기판수용부의 일변에 인접한 위치)에 설정될 수 있다.Here, the starting position SP of the transfer belt 214' is defined as a position at which the substrate W can start to be transferred by the circular rotation of the transfer belt 214', and the starting position SP of the transfer belt 214' ( In SP), bonding between the transfer belt 214' and the substrate W is provided. For example, the seating start position SP may be set at one side of the substrate accommodating portion 216a facing the front end of the substrate W transferred from the loading part 100 (or a position adjacent to one side of the substrate accommodating portion). .

참고로, 센서 또는 비젼 카메라와 같은 통상의 감지수단에 의하여 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(214')의 회전이 정지된다.For reference, when it is detected that one side of the substrate receiving portion 216a is located at the seating start position SP by a normal sensing means such as a sensor or a vision camera, one side of the substrate receiving portion 216a is positioned at the seating start position ( The rotation of conveying belt 214' is stopped so that it remains positioned at SP).

그 후, 이송 벨트(214')의 회전이 정지된 상태에서, 감지수단에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도가 서로 동일한 속도가 되도록 이송 벨트(214')를 회전(동기화 회전)시켜 기판(W)이 연마 위치로 이송되게 한다.After that, in a state in which the rotation of the transfer belt 214' is stopped, when it is detected that the front end of the substrate W is disposed at the seating start position SP by the sensing means, the loading control unit moves the loading part 100 The transfer belt 214' is rotated (synchronized rotation) so that the loading transfer speed at which the substrate W is transferred and the belt transfer speed at which the transfer belt 214' transfers the substrate W are the same. W) is transported to the polishing position.

또한, 이송 벨트(214')는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.In addition, the conveying belt 214' moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W in a state in which the polished substrate W is conveyed over a predetermined section.

보다 구체적으로, 도 14를 참조하면, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(214')가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(이송 벨트가 제2롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(214')로부터 분리된다.More specifically, referring to FIG. 14, the conveying belt 214' is configured to circulate and rotate along a predetermined path to transfer the substrate W, and the substrate W follows the rotational path of the conveying belt 214'. At the position where it starts to move along (the position where the transfer belt starts to move along the curved path along the outer surface of the second roller), the transfer belt 214' moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W. It is separated from the conveying belt 214' along.

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(214')가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(214')로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, in a state in which the transfer belt 214' for transferring the substrate W has transferred the substrate W over a certain period, the transfer belt 214' is moved in a direction away from the bottom surface of the substrate W. By doing so, an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the transfer belt 214' can be obtained without a separate pick-up process (for example, a pick-up process using a substrate adsorption device).

기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판(W)을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판(W)을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.In the past, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part, a separate pick-up device (eg, substrate adsorption device) was used to pick up the substrate from the loading part, and then the substrate had to be put down on the polishing part again. Therefore, there is a problem in that the processing time increases to the extent that it takes several seconds to several tens of seconds to load the substrate. Moreover, in order to unload the conventionally polished substrate to the unloading part, after picking up the substrate W from the polishing part using a separate pick-up device (eg, substrate adsorption device), the substrate is unloaded again. Since it had to be placed on the loading part, there is a problem in that the processing time increases to the extent that the time required to unload the substrate W takes several seconds to several tens of seconds.

하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(214')로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(214') 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, in a state in which the substrate W supplied to the loading part is directly transferred to the conveying belt 214 ′ that circulates and rotates, the polishing process for the substrate W is performed, and the substrate W is transferred to the conveying belt ( 214'), it is possible to obtain an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time by directly transferring the substrate W to the unloading part 300.

또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(214')를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention eliminates a separate pick-up process when loading and unloading the substrate (W) and processes the substrate (W) in an in-line manner using a conveying belt (214') that circulates and rotates. Advantageous effects of simplifying the loading time and unloading process of the substrate (W) and shortening the time required for loading and unloading the substrate (W) can be obtained.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, in the present invention, since there is no need to provide a pick-up device for picking up the substrate (W) during loading and unloading of the substrate (W), equipment and facilities can be simplified, and advantageous effects of improving space utilization are achieved. can be obtained.

이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)As another example of the conveying belt, the conveying belt may be wound from one direction to the other and may be configured to convey the substrate W (not shown).

여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.Here, the fact that the transport belt is wound from one direction to the other means that the transport belt is wound in a reel-to-reel winding method (wound on the first reel and then on the second reel in the opposite direction) of a conventional cassette tape. It is defined as moving (winding) along the movement trajectory in the form of an open loop in a way that is wound by).

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be changed.

10 : 기판 처리 장치 20 : 갠트리 유닛
22 : X축 갠트리 24 : Y축 갠트리
100 : 로딩 파트 110 : 로딩 이송 롤러
200 : 연마 파트 210 : 기판거치부
212 : 기판지지부 214 : 표면패드
214' : 이송 벨트 216 : 리테이너
216a : 기판수용부 217 : 롤러 유닛
217a : 제1롤러 217b : 제2롤러
220 : 연마 유닛 222 : 연마패드
300 : 언로딩 파트 310 : 언로딩 이송 롤러
400 : 온도조절부 410 : 예열부
500 : 온도측정부 510 : 온도센서
600 : 속도제어부10: substrate processing device 20: gantry unit
22: X-axis gantry 24: Y-axis gantry
100: loading part 110: loading conveying roller
200: polishing part 210: substrate holder
212: substrate support 214: surface pad
214 ': conveying belt 216: retainer
216a: board accommodating part 217: roller unit
217a: first roller 217b: second roller
220: polishing unit 222: polishing pad
300: unloading part 310: unloading transfer roller
400: temperature control unit 410: preheating unit
500: temperature measuring unit 510: temperature sensor
600: speed control unit

Claims (19)

기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 상기 기판이 안착되는 이송 벨트와;
상기 이송 벨트의 내부에 배치되며 상기 이송 벨트를 사이에 두고 상기 기판의 저면을 지지하는 기판지지부와;
상기 기판에 비하여 작은 사이즈로 형성되어 연마 공정의 적어도 일부 공정 중에 전체 표면이 상기 기판에 접촉된 상태로 이동하는 연마패드를 포함하며, 상기 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과;
상기 기판의 외측 영역에 배치되어, 상기 연마패드가 상기 기판에 접촉하기 이전에, 상기 연마패드가 접촉한 상태로 마찰에 의한 발열로 미리 정해진 온도 범위로 예열하는 예열부와;
상기 예열부와 상기 연마패드의 사이에 가열된 온도의 예열 슬러리를 공급하는 예열 슬러리 공급부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a polishing process of a substrate is performed,
a conveying belt provided to be movable along a predetermined path and on which the substrate is seated on an outer surface;
a substrate support part disposed inside the transfer belt and supporting the lower surface of the substrate with the transfer belt interposed therebetween;
a polishing unit comprising a polishing pad formed to a size smaller than that of the substrate and moving while the entire surface thereof is in contact with the substrate during at least a portion of the polishing process, and polishing an upper surface of the substrate;
a preheating unit disposed on an outer region of the substrate and preheating the substrate to a predetermined temperature range by generating heat due to friction while the polishing pad is in contact with the substrate before the polishing pad contacts the substrate;
a preheating slurry supply unit for supplying preheated slurry at a heated temperature between the preheating unit and the polishing pad;
A substrate processing apparatus comprising a.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 예열부는 상기 기판과 동일한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The preheating unit is a substrate processing apparatus, characterized in that formed of the same material as the substrate.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 연마패드의 온도를 측정하는 온도측정부를 포함하고,
상기 온도측정부에서 측정된 상기 연마패드의 온도가 상기 정해진 온도 범위에 있으면, 상기 연마패드를 상기 기판에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.



According to claim 1,
A temperature measurement unit for measuring the temperature of the polishing pad;
and bringing the polishing pad into contact with the substrate when the temperature of the polishing pad measured by the temperature measuring unit is within the predetermined temperature range.



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