KR102506050B1 - Substrate procesing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치는, 기판이 거치되는 기판거치부와, 기판의 둘레 주변을 감싸도록 기판거치부의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너와, 기판에 대해 이동하며 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과, 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부를 포함하는 것에 의하여, 리테이너의 수명을 연장할 수 있으며, 연마 균일도와 연마 안정성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, in which a substrate polishing process is performed, comprising: a substrate holder on which a substrate is mounted; a retainer protruding from an upper surface of the substrate holder so as to surround a circumference of the substrate; By including a polishing unit that moves with respect to the substrate and polishes the upper surface of the substrate, and an adjustment unit that selectively adjusts the height of the retainer arrangement relative to the substrate, the life of the retainer can be extended and polishing uniformity and polishing stability can be improved. favorable effects can be obtained.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of increasing substrate polishing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, interest in information display has increased and the demand for using portable information media has increased. Research and commercialization are being focused on.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of such a flat panel display, until now, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes less power, has been the most popular display device, but a liquid crystal display is not a light emitting device but a light receiving device, Since there are disadvantages such as ratio and viewing angle, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among them, as one of the next-generation displays that have recently been spotlighted, there is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display device, but since recent display devices are oriented towards slimness and high-pixel, a glass substrate corresponding to this needs to be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the ELA (Eximer Laser Annealing) process in which a laser is injected into amorphous silicon (a-Si) to crystallize it into poly-Si, protrusions may occur on the surface while poly-silicon is crystallized. Since these protrusions can cause mura-effects, the glass substrate must be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, recently, various studies have been made to efficiently polish the surface of the substrate, but it is still insufficient, and development thereof is required.

본 발명은 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing substrate polishing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity.

또한, 본 발명은 리테이너의 수명을 연장하고, 교체 주기를 늦출 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to extend the life of the retainer and to delay the replacement cycle.

또한, 본 발명은 기판의 가장자리 부위를 효과적으로 연마할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to effectively polish the edge of a substrate.

또한, 본 발명은 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve productivity and yield.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판에 대한 리테이너의 배치 높이가 선택적으로 조절되도록 하는 것에 의하여, 리테이너의 수명을 연장하고, 연마 균일도와 연마 안정성을 높일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above-described objects of the present invention, the lifetime of the retainer can be extended and polishing uniformity and polishing stability can be improved by selectively adjusting the arrangement height of the retainer relative to the substrate. there is.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, advantageous effects of increasing the polishing efficiency of the substrate and improving the polishing stability and polishing uniformity can be obtained.

특히, 본 발명에 따르면 리테이너의 수명을 연장하고, 교체 주기를 늦추는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, it is possible to obtain advantageous effects of extending the life of the retainer and delaying the replacement cycle.

또한, 본 발명에 따르면 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 신속하고 정확하게 조절하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of quickly and accurately adjusting the arrangement height of the retainer relative to the substrate can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리 부위에서 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상을 최소화할 수 있으며, 기판의 가장자리 부위를 보다 효과적으로 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing unit from the substrate at the edge of the substrate, and obtain an advantageous effect of polishing the edge of the substrate more effectively.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리 부위에서의 연마가 행해지지 않는 비연마 영역(dead zone)이 발생되는 것을 최소화할 수 있으며, 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to minimize the occurrence of a dead zone in which polishing is not performed at the edge of the substrate, and advantageous effects of improving productivity and yield can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain advantageous effects of simplifying the processing process of the substrate and shortening the processing time.

또한, 본 발명에 따르면 제조 비용을 절감하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of reducing manufacturing cost can be obtained.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판거치부를 설명하기 위한 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 조절부를 설명하기 위한 평면도,
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너가 마모된 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 배치 높이 조절 공정을 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로의 다른 예를 설명하기 위한 평면도,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 감지부를 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a side view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention;
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a perspective view for explaining a substrate holder;
4 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining a control unit;
5 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining an example in which a retainer is worn;
6 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer arrangement height adjustment process;
7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer;
8 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit;
9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining another example of a polishing path of a polishing unit;
10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of a polishing unit;
11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of a retainer;
12 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a sensing unit;
13 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and descriptions may be made by citing contents described in other drawings under these rules, and contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated contents may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 측면도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판거치부를 설명하기 위한 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 조절부를 설명하기 위한 평면도이다. 그리고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너가 마모된 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 배치 높이 조절 공정을 설명하기 위한 도면이며, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로의 다른 예를 설명하기 위한 평면도이다. 그리고, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 감지부를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a side view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention. In addition, FIG. 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a perspective view illustrating a substrate holder, and FIG. 4 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view illustrating a control unit. And, FIG. 5 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining an example in which the retainer is worn, and FIG. 6 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining a retainer arrangement height adjustment process 7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining a retainer. 8 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit, and FIG. 9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view for explaining another example of a polishing path of the polishing unit. it is flat 10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining another embodiment of a polishing unit, and FIG. 11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining another embodiment of a retainer. 12 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining a sensing unit.

도 1 내지 도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(100)와, 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 기판거치부(100)의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너(130)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(200)과, 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부(400)를 포함한다.1 to 12, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a substrate holding portion 100 on which a substrate W is mounted, and a substrate holding portion so as to surround the circumference of the substrate W ( The retainer 130 protrudes from the upper surface of the substrate 100, the polishing unit 200 moves with respect to the substrate W and polishes the upper surface of the substrate W, and the retainer 130 relative to the substrate W It includes an adjusting unit 400 that selectively adjusts the placement height.

이는, 기판(W)의 연마 균일도를 높이고, 연마 안정성을 향상시키기 위함이다.This is to increase polishing uniformity of the substrate W and improve polishing stability.

즉, 기판거치부에 기판이 거치된 상태에서는 기판이 거치되는 기판거치부의 거치면으로부터 기판이 돌출되게 배치되며, 기판의 내측 영역(기판의 상면)과 기판의 외측 영역의 경계(기판의 가장자리)에서는 단차가 발생하게 된다. 그런데, 연마 유닛에 의한 기판의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛의 기판의 가장자리를 통과하게 되면 기판의 가장자리에서의 단차에 의해 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, in a state where the substrate is mounted on the substrate holder, the substrate is disposed so as to protrude from the surface of the substrate holder where the substrate is mounted, and at the boundary between the inner region of the substrate (upper surface of the substrate) and the outer region of the substrate (edge of the substrate). A gap will occur. However, when the polishing unit passes through the edge of the substrate while the polishing unit is polishing the substrate, there is a problem in that the polishing unit rebounds from the substrate due to a step at the edge of the substrate.

특히, 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 상면보다 낮은 높이에 배치되어 있다가 기판의 내측 영역으로 진입하게 되면, 기판의 가장자리에서의 단차(연마 유닛의 저면과 기판의 상면 간의 높이차)에 의해 연마 유닛이 기판에 부딪히며 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하게 된다. 이와 같이, 기판의 가장자리 영역에서 연마 유닛의 리바운드 현상이 발생하게 되면, 기판의 가장자리 영역에서의 연마 균일도가 보장되지 못하고, 심한 경우에는 기판의 가장자리 영역에서 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)이 발생하게 되는 문제점이 있다. 일 예로, 기판의 가장자리로부터 기판의 내측으로 10㎜ 정도 영역(패턴이 형성되어 있는 영역)에 해당되는 기판의 가장자리 영역이 연마 유닛에 의해 연마되지 못하는 문제점이 있다.In particular, when the polishing unit is disposed at a height lower than the upper surface of the substrate in the outer region of the substrate and then enters the inner region of the substrate, the step at the edge of the substrate (the height difference between the lower surface of the polishing unit and the upper surface of the substrate) As a result, the polishing unit collides with the substrate and rebounds from the substrate. In this way, when the rebound phenomenon of the polishing unit occurs at the edge region of the substrate, polishing uniformity at the edge region of the substrate is not guaranteed, and in severe cases, a dead zone (dead zone) at the edge region of the substrate There is a problem in that an area where polishing is not performed) occurs. For example, there is a problem in that the edge region of the substrate corresponding to an area (region where a pattern is formed) about 10 mm from the edge of the substrate to the inside of the substrate is not polished by the polishing unit.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 가장자리 주변에 기판과 비슷한 높이를 갖는 리테이너(130)를 마련하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 내측 영역으로 이동하거나, 기판의 내측 영역에서 기판의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마 유닛의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.In order to solve this problem, by providing a retainer 130 having a similar height to the substrate around the edge of the substrate, the polishing unit moves from the outer region of the substrate to the inner region of the substrate during the polishing process, or While moving from the inner region to the outer region of the substrate, a rebound phenomenon of the polishing unit due to a height difference between the inner region and the outer region of the substrate may be minimized, and the occurrence of a non-polishing region due to the rebound phenomenon may be minimized. .

그런데, 반복적인 연마에 의해 리테이너(130)의 마모가 일정 이상 커지면, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 증가하여 연마 공정 중에 다시 연마 유닛의 리바운딩 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다. 더욱이, 연마 유닛의 리바운딩 현상을 억제하기 위해서는, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 일정 이상 커지기 전에 리테이너(130)를 자주 교체해주어야 하므로, 처리 효율이 저하되고, 생산성 및 수율이 저하되는 문제점이 있다.However, if the wear of the retainer 130 increases beyond a certain level due to repetitive polishing, a height difference between the substrate and the retainer 130 increases, causing a rebound phenomenon of the polishing unit to occur again during the polishing process. Furthermore, in order to suppress the rebounding phenomenon of the polishing unit, the retainer 130 must be frequently replaced before the height difference between the substrate and the retainer 130 increases to a certain level or more, so there are problems in that processing efficiency is lowered and productivity and yield are lowered. .

하지만, 본 발명은 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이가 선택적으로 조절되도록 하는 것에 의하여, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판(W)과 리테이너(130)의 높이 편차를 정해진 범위로 조절할 수 있으므로, 연마 유닛(200)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있고, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, according to the present invention, by selectively adjusting the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate W, even if wear of the retainer 130 occurs, the height deviation between the substrate W and the retainer 130 is determined. Since it can be adjusted within the range, it is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing unit 200 and obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of non-polishing areas due to the rebound phenomenon.

더욱이, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 것에 의하여, 리테이너(130)의 교체 주기를 늦출 수 있을 뿐만 아니라, 처리 효율을 높이고 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, even if wear of the retainer 130 occurs, by adjusting the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate W, not only can the replacement cycle of the retainer 130 be delayed, but also the processing efficiency is improved and productivity and productivity are improved. An advantageous effect of improving yield can be obtained.

기판거치부(100)는 로딩 파트(미도시)와 언로딩 파트(미도시)의 사이에 배치되고, 로딩 파트에 공급된 기판(W)은 기판거치부(100)로 이송되어 기판거치부(100)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트를 통해 언로딩된다.The substrate holding part 100 is disposed between a loading part (not shown) and an unloading part (not shown), and the substrate W supplied to the loading part is transferred to the substrate holding part 100 and the substrate holding part ( 100), and then unloaded through an unloading part.

보다 구체적으로, 로딩 파트는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트에 로딩하기 위해 마련된다.More specifically, the loading part is provided for loading the substrate W to be polished into the polishing part.

로딩 파트는 연마 파트에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part may be formed in various structures capable of loading the substrate W into the polishing part, and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part.

일 예로, 로딩 파트는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(미도시)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part includes a plurality of loading and conveying rollers (not shown) disposed spaced apart at predetermined intervals, and the substrate W supplied to the top of the plurality of loading and conveying rollers rotates as the loading and conveying rollers rotate. They are transported cooperatively by two loading and conveying rollers. In some cases, it is also possible that the loading part includes a circulating belt that is circulated and rotated by a loading conveying roller.

아울러, 로딩 파트에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate (W) supplied to the loading part may be aligned in a posture and position determined by an align unit (not shown) before being supplied to the loading part.

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 다르게는 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate W used in the present invention, a rectangular substrate having a length of one side greater than 1 m may be used. For example, as a target substrate on which a chemical mechanical polishing process is performed, a 6th generation glass substrate having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use 7th and 8th generation glass substrates as substrates to be processed. Alternatively, it is also possible that a substrate (for example, a second-generation glass substrate) having a side length of less than 1 m is used.

기판거치부(100)와, 연마 유닛(200)은 로딩 파트와 언로딩 파트의 사이에서 연마 파트(미도시)를 구성하도록 마련된다.The substrate holder 100 and the polishing unit 200 are provided to form a polishing part (not shown) between the loading part and the unloading part.

기판거치부(100)는 기판(W)을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(100)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The substrate holding unit 100 may be provided with various structures capable of holding the substrate W, and the structure and shape of the substrate holding unit 100 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 1 내지 도 12를 참조하면, 기판거치부(100)는, 기판의 저면을 지지하는 기판 지지부(112)와, 기판 지지부(112)와 개별적으로 마련되며 리테이너(130)의 저면을 지지하는 리테이너 지지부(114)를 포함한다.For example, referring to FIGS. 1 to 12 , the substrate holding unit 100 is provided separately from the substrate support unit 112 for supporting the bottom surface of the substrate and the substrate support unit 112, and the bottom surface of the retainer 130 It includes a retainer support 114 for supporting.

참고로, 본 발명에서 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 이때, 슬러리는 연마 패드의 내측 영역에서 공급되거나 연마 패드의 외측 영역에서 공급될 수 있다.For reference, in the present invention, polishing the substrate (W) is defined as polishing the substrate (W) by a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process on the substrate (W). For example, in the polishing part, while mechanical polishing of the substrate W is performed, slurry for chemical polishing is supplied together and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. At this time, the slurry may be supplied from an inner region of the polishing pad or an outer region of the polishing pad.

기판 지지부(112)는 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support part 112 is provided to support the lower surface of the substrate (W).

기판 지지부(112)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)을 지지하도록 구성될 수 있다.The substrate support 112 may be configured to support the substrate W in various ways according to required conditions and design specifications.

이하에서는 기판 지지부(112)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판 지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판 지지부를 이용하여 기판을 저면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support 112 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support part may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the bottom surface of the substrate using two or more substrate support parts.

아울러, 기판 지지부(112)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판 지지부가 금속 재질 또는 다공성 재질로 형성될 수 있으며, 기판 지지부의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.In addition, a granite plate may be used as the substrate support 112 . In some cases, the substrate support portion may be formed of a metal material or a porous material, and the present invention is not limited or limited by the material of the substrate support portion.

또한, 기판 지지부(112)의 상면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(120)가 구비되고, 기판(W)은 표면패드(120)의 상면에 안착된다.In addition, a surface pad 120 is provided on the upper surface of the substrate support 112 to suppress slip by increasing the coefficient of friction with respect to the substrate W, and the substrate W is seated on the upper surface of the surface pad 120.

이와 같이, 기판 지지부(112)의 상면에 표면패드(120)를 마련하고, 기판(W)이 표면패드(120)의 외표면에 안착되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)이 기판 지지부(112)에 거치된 상태에서, 기판 지지부(112)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the surface pad 120 is provided on the upper surface of the substrate supporter 112, and the substrate W is seated on the outer surface of the surface pad 120, so that the substrate W is formed on the substrate supporter 112. In the state of being mounted on the substrate, it is possible to restrict the movement of the substrate W relative to the substrate support 112 (restrain the slip), and an advantageous effect of stably maintaining the position of the substrate W can be obtained.

표면패드(120)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드(120)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(120)은 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄, 엔지니어링 플라스틱, 실리콘 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.The surface pad 120 may be formed of various materials having adhesion to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the surface pad 120. For example, the surface pad 120 may be formed using at least one of polyurethane, engineering plastic, and silicone having excellent elasticity and adhesiveness (frictional force). In some cases, it is also possible to form the surface pad with another material having a non-slip function.

또한, 표면패드(120)는 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다. 여기서, 표면패드(120)가 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다 함은, 표면패드(120)가 비교적 높은 연신율을 갖는 것으로도 표현될 수 있으며, 표면패드(120)가 쉽게 압축될 수 있는 푹신푹신한 재질로 형성된 것으로 정의된다.In addition, the surface pad 120 is formed to have a relatively high compression rate. Here, the fact that the surface pad 120 is formed to have a relatively high compression rate can also be expressed as the surface pad 120 having a relatively high elongation rate, and the surface pad 120 is a soft and fluffy material that can be easily compressed. is defined as formed by

바람직하게, 표면패드(120)는 20~50%의 압축율을 갖도록 형성된다. 이와 같이, 표면패드(120)가 20~50%의 압축율을 갖도록 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 표면패드(120)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 표면패드(120)가 쉽게 압축될 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 최소화할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the surface pad 120 is formed to have a compression ratio of 20 to 50%. In this way, by forming the surface pad 120 to have a compression ratio of 20 to 50%, even if a foreign material is introduced between the substrate W and the surface pad 120, the surface pad 120 is easily moved by the thickness of the foreign material. Since it can be compressed, it is possible to minimize the height deviation of the substrate W caused by foreign matter (local protrusion of a specific portion of the substrate W due to the foreign material), and to minimize the local protrusion of a specific portion of the substrate W. An advantageous effect of minimizing deterioration in polishing uniformity can be obtained.

한편, 본 발명의 실시예에서는 기판 지지부가 접촉 방식으로 기판을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판 지지부가 기판의 저면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, an example in which the substrate supporter is configured to support the substrate in a contact manner has been described, but in some cases, it is also possible to configure the substrate supporter to support the lower surface of the substrate in a non-contact manner.

일 예로, 기판 지지부는 기판의 저면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판의 저면(또는 표면패드의 저면)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이때, 기판 지지부는 기판의 저면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.For example, the substrate support may be configured to inject fluid onto the bottom surface of the substrate and support the bottom surface of the substrate (or the bottom surface of the surface pad) by the spraying force of the fluid. At this time, the substrate support unit may inject at least one of gas (eg, air) and liquid (eg, pure water) onto the lower surface of the substrate, and the type of fluid may be varied depending on required conditions and design specifications. can be changed.

경우에 따라서는, 기판 지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, the substrate support may be configured to support the inner surface of the substrate in a non-contact manner using magnetic force (eg, repulsive force) or levitation force by ultrasonic vibration.

리테이너 지지부(114)는 기판 지지부(112)와 개별적으로 마련되어 리테이너(130)의 저면을 지지한다.The retainer support 114 is provided separately from the substrate support 112 to support the lower surface of the retainer 130 .

여기서, 리테이너 지지부(114)가 기판 지지부(112)와 개별적으로 마련된다 함은, 리테이너 지지부(114)와 기판 지지부(112)가 독립적으로 분리된 것으로 정의된다.Here, the fact that the retainer support 114 and the substrate support 112 are provided separately means that the retainer support 114 and the substrate support 112 are independently separated.

리테이너 지지부(114)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 리테이너(130)를 지지하도록 구성될 수 있다.The retainer support 114 may be configured to support the retainer 130 in various ways depending on required conditions and design specifications.

일 예로, 리테이너 지지부(114)는 독립적으로 분할된 복수개의 분할지지부(114a~114d)를 포함한다. 이하에서는 4개의 분할지지부114a~114d가 상호 협조적으로 리테이너 지지부(114)를 형성하도록 구성된 예를 들어 설명하기로 한다. For example, the retainer support portion 114 includes a plurality of divided support portions 114a to 114d that are independently divided. Hereinafter, an example configured so that the four divided support portions 114a to 114d cooperatively form the retainer support portion 114 will be described.

보다 구체적으로, 리테이너 지지부(114)는, 리테이너(130)의 제1영역의 저면을 지지하는 제1분할지지부(114a)와, 리테이너(130)의 제2영역의 저면을 지지하는 제2분할지지부(114b)와, 리테이너(130)의 제3영역의 저면을 지지하는 제3분할지지부(114c)와, 리테이너(130)의 제4영역의 저면을 지지하는 제4분할지지부(114d)를 포함하며, 제1분할지지부(114a) 내지 제4분할지지부(114d)가 상호 협조적으로 중공의 사각링 형태의 리테이너 지지부(114)를 형성하도록 구성된다. 경우에 따라서는 리테이너 지지부가 3개 이하의 분할지지부를 포함하여 구성되거나, 5개 이상의 분할지지부를 포함하는 것도 가능하다.More specifically, the retainer support part 114 includes a first divided support part 114a supporting the lower surface of the first region of the retainer 130 and a second divided support part supporting the lower surface of the second region of the retainer 130. (114b), a third divided support portion 114c supporting the lower surface of the third region of the retainer 130, and a fourth divided support portion 114d supporting the lower surface of the fourth region of the retainer 130, , The first divided support portion 114a to the fourth divided support portion 114d are configured to mutually cooperate to form a hollow rectangular ring shaped retainer support portion 114 . In some cases, the retainer support may include 3 or less divided support units, or may include 5 or more divided support units.

리테이너 지지부(114)를 구성하는 복수개의 분할지지부(114a~114d)의 분할 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 각 분할지지부의 분할 형태에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The division shape of the plurality of divided support portions 114a to 114d constituting the retainer support portion 114 may be variously changed according to the required conditions and design specifications, and the present invention is limited or limited by the division form of each divided support portion. it is not going to be

아울러, 리테이너 지지부(114)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 리테이너 지지부를 금속 재질, 다공성 재질 또는 여타 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.In addition, a granite plate can be used as the retainer support 114 . In some cases, it is also possible to form the retainer support part with a metal material, a porous material, or other material.

리테이너(130)는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 리테이너 지지부(114)의 상면에 돌출된 형태로 배치된다.The retainer 130 is disposed on the upper surface of the retainer support 114 in a protruding form so as to surround the circumference of the substrate W.

일 예로, 리테이너(130)는 리테이너 지지부(114)에 대응하는 중공의 사각링 형상의 단일체(single body)로 형성될 수 있다.For example, the retainer 130 may be formed as a hollow rectangular ring-shaped single body corresponding to the retainer support 114 .

리테이너(130)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(200)의 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(210)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(210)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.The retainer 130 is polished at the edge of the substrate W when the polishing pad 210 of the polishing unit 200 enters the inner area of the substrate W from the outer area of the substrate W during the polishing process. Minimizes the rebound phenomenon (bouncing phenomenon) of the pad 210, and removes the dead zone (polishing by the polishing pad) at the edge of the substrate W due to the rebound phenomenon of the polishing pad 210. area) is provided to minimize.

보다 구체적으로, 리테이너(130)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(130a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(130a)의 내부에서 표면패드(120)의 외표면에 안착된다.More specifically, a substrate accommodating portion 130a corresponding to the shape of the substrate W is formed through the retainer 130, and the substrate W extends from the inside of the substrate accommodating portion 130a to the outside of the surface pad 120. settles on the surface

기판(W)이 기판수용부(130a)에 수용된 상태에서 리테이너(130)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너(130) 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(210)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In a state where the substrate W is accommodated in the substrate accommodating portion 130a, the height of the surface of the retainer 130 is similar to that of the edge of the substrate W. As described above, by making the edge of the substrate W and the outer region of the substrate W (region of the retainer 130) adjacent to the edge of the substrate W have a similar height to each other, the polishing pad during the polishing process While the 210 is moving from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W or from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, the inner region of the substrate W It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 210 due to the height difference between the inner and outer regions, and to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of non-polishing regions due to the rebound phenomenon.

아울러, 리테이너(130)는 리테이너(130)가 지지되는 리테이너 지지부(114)의 상면으로부터 돌출되게 마련되고, 연마 유닛(200)의 연마패드(210)는 리테이너(130)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.In addition, the retainer 130 is provided to protrude from the upper surface of the retainer support 114 on which the retainer 130 is supported, and the polishing pad 210 of the polishing unit 200 is disposed between the upper surface of the retainer 130 and the substrate W It is configured to polish the upper surface of the substrate (W) while passing through the edge of the substrate (W) in a state of contact with the upper surface of the substrate (W).

바람직하게, 연마 유닛(200)의 연마패드(210)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(210)의 일부는 리테이너(130)의 상면에 접촉되고, 연마패드(210)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.Preferably, at the polishing start position where the polishing process of the substrate W by the polishing pad 210 of the polishing unit 200 starts, a part of the polishing pad 210 is in contact with the upper surface of the retainer 130, polishing Another part of the pad 210 is placed in contact with the upper surface of the substrate (W).

이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(200)의 연마패드(210)가 기판(W)의 상면과 리테이너(130)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(200)의 연마패드(210)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(210)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, polishing is started in a state in which the polishing pad 210 of the polishing unit 200 is in contact with the upper surface of the substrate W and the upper surface of the retainer 130 simultaneously at the polishing start position, so that the polishing unit 200 When the polishing pad 210 of ) passes through the edge of the substrate W, an advantageous effect of more suppressing a phenomenon in which the polishing pad 210 rebounds from the substrate W can be obtained.

바람직하게, 리테이너(130)는 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(130)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(210)와 리테이너(130)의 충돌에 의한 리바운드 현상의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the retainer 130 is formed to have a thickness (T1≥T2) that is thinner than or equal to that of the substrate (W). In this way, by forming the retainer 130 to have a thickness T2 that is thinner than or equal to the substrate W, the polishing pad 210 moves from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W. During operation, an advantageous effect of preventing a rebound phenomenon due to collision between the polishing pad 210 and the retainer 130 may be obtained.

리테이너(130)는 요구되는 조건에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 리테이너(130)에는 연마 패드(232)가 접촉되므로, 연마 공정시 비교적 갈림이 적은 폴리에틸렌(PE), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester ; UPE) 등과 같은 재질로 리테이너(130)를 형성하는 것이 바림직하다.The retainer 130 may be formed of various materials depending on required conditions. However, since the polishing pad 232 is in contact with the retainer 130, it is preferable to form the retainer 130 with a material such as polyethylene (PE) or unsaturated polyester (UPE), which is relatively less abrasive during the polishing process. direct

연마 유닛(200)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하며 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 200 is provided to polish the surface of the substrate W while moving in contact with the surface of the substrate W.

일 예로, 연마 유닛(200)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(210)를 포함한다.For example, the polishing unit 200 is formed to have a smaller size than the substrate W, and includes a polishing pad 210 that rotates and moves while being in contact with the substrate W.

보다 구체적으로, 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, it is mounted on a polishing pad carrier (not shown) and linearly polishes (flattens) the surface of the substrate (W) while rotating in a state of being in contact with the surface of the substrate (W).

연마패드 캐리어는 연마패드(210)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(210)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드(210)를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier may be formed in various structures capable of rotating the polishing pad 210, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad carrier. For example, the polishing pad carrier may be composed of one body, or may be composed of a plurality of bodies combined, and is configured to be connected to a drive shaft (not shown) to rotate. In addition, the polishing pad carrier is provided with a pressing unit for pressing the polishing pad 210 to the surface of the substrate W (eg, a pneumatic press unit pressurizing the polishing pad 210 with pneumatic pressure).

연마패드(210)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(210)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(210)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 210 is made of a material suitable for mechanical polishing of the substrate (W). For example, the polishing pad 210 may be made of polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer, It can be formed using silicone, latex, nitrated rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and various copolymers of styrene, butadiene, and acrylonitrile, and the material and characteristics of the polishing pad 210 are determined according to the required conditions and design specifications. It can be varied in various ways.

바람직하게 연마패드(210)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(210)가 사용된다. 즉, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용하여 기판을 연마하는 것도 가능하나, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용하게 되면, 연마패드를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게, 연마패드(210)는 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응하는 직경을 갖도록 형성되거나, 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이의 1/2 보다 작은 직경을 갖도록 형성될 수 있다.Preferably, a circular polishing pad 210 having a size smaller than that of the substrate (W) is used as the polishing pad 210 . That is, it is possible to polish the substrate using a polishing pad having a size larger than the substrate, but when using a polishing pad having a size larger than the substrate, very large rotational equipment and space are required to rotate the polishing pad. However, there are problems in that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered. More preferably, the polishing pad 210 is formed to have a diameter corresponding to the horizontal or vertical length of the substrate (W), or to have a diameter smaller than 1/2 of the horizontal or vertical length of the substrate (W). can

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(210)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(210)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(210)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, since the length of at least one side of the substrate W has a size greater than 1 m, rotating a polishing pad having a size greater than that of the substrate W (eg, a polishing pad having a diameter greater than 1 m) There is a problem in itself that is very difficult. In addition, when a non-circular polishing pad (eg, a rectangular polishing pad) is used, the entire surface of the substrate W polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness. However, the present invention, by rotating the circular polishing pad 210 having a smaller size than the substrate (W) to polish the surface of the substrate (W), without greatly reducing the space efficiency and design freedom, the polishing pad ( It is possible to polish the substrate W by rotating the 210, and an advantageous effect of maintaining a uniform polishing amount by the polishing pad 210 as a whole can be obtained.

연마 유닛(200)은 갠트리(gantry) 유닛(20)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하도록 구성된다.The polishing unit 200 is configured to move along the X-axis direction and the Y-axis direction by the gantry unit 20 .

보다 구체적으로, 갠트리 유닛(20)은, X축 방향을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리(22)와, X축 갠트리(22)에 장착되어 X축 방향에 직교하는 Y축 방향을 따라 직선 이동하는 Y축 갠트리(24)를 포함하며, 연마 유닛(200)은 Y축 갠트리(24)에 장착되어 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하면서 기판(W)을 연마 한다.More specifically, the gantry unit 20 includes an X-axis gantry 22 that moves linearly along the X-axis direction, and a Y-axis direction mounted on the X-axis gantry 22 that is orthogonal to the X-axis direction. A Y-axis gantry 24 is included, and the polishing unit 200 is mounted on the Y-axis gantry 24 and polishes the substrate W while moving along the X-axis direction and the Y-axis direction.

X축 갠트리(22)는 "U"자 형상으로 형성될 수 있으며, X축 방향을 따라 배치된 가이드 레일(22a)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일(22a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, X축 갠트리(22)는 X축 갠트리(22)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다. The X-axis gantry 22 may be formed in a “U” shape and is configured to move along a guide rail 22a disposed along the X-axis direction. N-pole and S-pole permanent magnets are alternately arranged on the guide rail 22a, and the X-axis gantry 22 is a linear motor capable of precise position control by controlling the current applied to the coil of the X-axis gantry 22. principle can be driven.

이때, 연마 유닛(200)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the polishing path of the polishing unit 200 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 8을 참조하면, 연마패드(210)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.For example, referring to FIG. 8 , the polishing pad 210 includes a first oblique path L1 inclined with respect to one side of the substrate W and a second oblique path inclined in the opposite direction of the first oblique path L1. It is configured to polish the surface of the substrate W while repeatedly moving zigzag along the path L2.

여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first oblique path L1 means a path inclined at a predetermined angle θ with respect to the lower side of the substrate W, for example. In addition, the second oblique path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first oblique path L1 so as to intersect the first oblique path L1.

또한, 본 발명에서 연마패드(210)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(210)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(210)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(210)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.In addition, in the present invention, the repetitive zigzag movement of the polishing pad 210 along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 means that the polishing pad 210 contacts the surface of the substrate W. It is defined that the moving path of the polishing pad 210 with respect to the substrate W is not interrupted and is switched to the other direction (converted from the first oblique path to the second oblique path) while moving in the up-to-date state. In other words, the polishing pad 210 continuously moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 and forms a continuous wave-shaped movement trajectory.

보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(210)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are axisymmetric with respect to one side of the substrate W, and the polishing pad 210 has the first oblique path L1 and the second oblique path L1. The surface of the substrate (W) is polished while repeatedly moving zigzag along (L2). At this time, when the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are said to be line symmetric with respect to one side of the substrate W, the first oblique path L1 with one side 11 of the substrate W as the center ) and the second oblique path L2 are symmetrical, this means that the first oblique path L1 and the second oblique path L2 completely overlap, and one side of the substrate W and the first oblique path L1 ) is defined as the same as the angle formed by one side of the substrate W and the second oblique path L2.

바람직하게, 연마패드(210)는, 연마패드(210)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(210)가 연마패드(210)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.Preferably, the polishing pad 210 has a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 210 as a reciprocating pitch to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. round trip about Hereinafter, the polishing pad 210 has a length equal to the diameter of the polishing pad 210 as the reciprocating pitch P, and along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W An example of regular round-trip movement will be described.

이때, 연마 유닛(200)은 겐트리(Gantry)와 같은 구조물(미도시)에 의해 선형 이동하도록 구성될 수 있으며, 연마 유닛(200)을 이동시키는 구조물의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 겐트리는 기판(W)을 사이에 두고 기판(W)의 양측에 배치되며 기판(W)의 이송 방향을 따라 직선 이동 가능하게 마련되는 제1지지축과 제2지지축, 및 제1지지축과 제2지지축을 연결하는 연결축을 포함할 수 있으며, 연마 유닛(200)은 연결축 상에 장착될 수 있다.At this time, the polishing unit 200 may be configured to move linearly by a structure (not shown) such as a gantry, and the present invention is limited by the type and structure of the structure that moves the polishing unit 200, or It is not limited. For example, the gantry is disposed on both sides of the substrate W with the substrate W interposed therebetween, and includes a first support shaft and a second support shaft provided to be linearly movable along the transfer direction of the substrate W, and the first A connection shaft connecting the support shaft and the second support shaft may be included, and the polishing unit 200 may be mounted on the connection shaft.

이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(210)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(210)가 연마패드(210)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(210)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the surface of the substrate W is polished while the polishing pad 210 repeatedly zigzag moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W, but the polishing pad ( 210) moves forward with respect to the substrate W at a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 210 as the reciprocating pitch P, thereby polishing the polishing pad 210 over the entire surface area of the substrate W. ) can obtain an advantageous effect of regularly and uniformly polishing the entire surface of the substrate W without an area where polishing is omitted.

여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(210)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(210)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 8을 기준으로 기판의 밑변에서 윗변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 밑변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(210)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.Here, the forward movement of the polishing pad 210 with respect to the substrate W means that the polishing pad 210 moves with respect to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. while moving in a straight line toward the front of the substrate W (eg, from the lower side of the substrate to the upper side with reference to FIG. 8 ). In other words, taking a right triangle composed of the base, the hypotenuse, and the opposite side, for example, the base of the right triangle is defined as the base of the substrate W, and the hypotenuse of the right triangle is the first oblique path L1 or the second oblique path ( L2), and the opposite side of the right triangle may be defined as the forward movement distance of the polishing pad 210 with respect to the substrate (W).

다시 말해서, 연마패드(210)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(210)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(210)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, the polishing pad 210 is repeatedly moved zigzag with respect to the substrate W (moving along the first oblique path and the second oblique path) with a length equal to or smaller than the diameter of the polishing pad 210 as the reciprocating pitch. ) while polishing the substrate W, it is possible to prevent an area where the polishing by the polishing pad 210 is omitted from occurring in the entire surface area of the substrate W, and thus the thickness deviation of the substrate W It is possible to obtain an advantageous effect of improving polishing quality by uniformly controlling the thickness distribution of the substrate W and adjusting the thickness distribution of the substrate W uniformly with respect to the two-dimensional plate surface.

다른 일 예로, 도 9를 참조하면, 연마패드(210)는 기판(W)의 일변 방향을 따른 제1직선경로(L1')와, 제1직선경로(L1')의 반대 방향인 제2직선경로(L2')를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하는 것도 가능하다.As another example, referring to FIG. 9 , the polishing pad 210 includes a first straight line L1' along one side of the substrate W and a second straight line opposite to the first straight line L1'. It is also possible to polish the surface of the substrate W while repeatedly moving zigzag along the path L2'.

여기서, 제1직선경로(L1')라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로(L2')라 함은, 제1직선경로(L1')와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.Here, the first straight path L1' means a path along a direction from one end of the lower side of the substrate W to the other end, for example. In addition, the second straight path L2' means a path heading in the opposite direction to the first straight path L1'.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 유닛(200)이 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(210)에 의해 기판(W)을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 유닛이 무한 루프 방식으로 순환 회전하는 연마 벨트를 이용하여 기판을 연마하는 것도 가능하다.On the other hand, in the embodiment of the present invention described above and illustrated, an example in which the polishing unit 200 polishes the substrate (W) by the polishing pad 210 moving while rotating while being in contact with the substrate (W) will be described. However, depending on the case, it is also possible to polish the substrate using a polishing belt in which the polishing unit circulates and rotates in an endless loop manner.

참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 연마 파트가 단 하나의 연마 유닛(200)으로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 2개 이상의 연마 유닛을 포함하는 것을 가능하다. 도 10을 참조하면, 연마 파트는 2개 이상의 연마 유닛(200,200')을 포함할 수 있다. 이때, 복수개의 연마 유닛(200,200')은 각각 연마패드(210,210')를 구비하며, 서로 동일한 경로 또는 서로 반대 방향 경로를 향해 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성될 수 있다.For reference, in the above and illustrated embodiments of the present invention, the polishing part is described as an example consisting of only one polishing unit 200, but in some cases, it is possible for the polishing part to include two or more polishing units. do. Referring to FIG. 10 , a polishing part may include two or more polishing units 200 and 200'. At this time, the plurality of polishing units 200 and 200' each have polishing pads 210 and 210', and may be configured to polish the surface of the substrate W while moving in the same path or opposite directions.

또한, 기판 처리 장치는 연마패드(210)의 외표면(기판(W)에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate treatment apparatus may include a conditioner (not shown) that modifies the outer surface (surface in contact with the substrate W) of the polishing pad 210 .

일 예로, 컨디셔너는 기판(W)의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드(210)의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드(210)의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드(210)의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드(210)의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드(210)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판(W)에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드(210)의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.For example, the conditioner may be disposed on the outer region of the substrate W, and fine pores formed on the surface of the polishing pad 210 may be finely cut while pressing the surface (bottom surface) of the polishing pad 210 with a predetermined pressing force. modified to come out on the surface. In other words, the conditioner finely cuts the outer surface of the polishing pad 210 so that the numerous micropores that serve to contain the slurry in which the abrasive and the chemical are mixed are not clogged on the outer surface of the polishing pad 210. The slurry filled in the foam pores of 210 is smoothly supplied to the substrate (W). Preferably, the conditioner is rotatably provided and rotates in contact with the outer surface (bottom surface) of the polishing pad 210 .

조절부(400)는 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하도록 마련된다.The adjusting unit 400 is provided to selectively adjust the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate.

이는, 리테이너(130)가 일정 이상 마모되어 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 증가함에 따라 연마 공정 중에 연마 유닛의 리바운딩 현상이 발생하는 것을 방지하기 위함이다.This is to prevent a rebound phenomenon of the polishing unit from occurring during the polishing process as the height difference between the substrate and the retainer 130 increases due to wear of the retainer 130 above a certain level.

즉, 반복적인 연마에 의해 리테이너(130)의 마모가 일정 이상 커지면, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 증가하여 연마 공정 중에 다시 연마 유닛의 리바운딩 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다. 더욱이, 연마 유닛의 리바운딩 현상을 억제하기 위해서는, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 일정 이상 커지기 전에 리테이너(130)를 자주 교체해주어야 하므로, 처리 효율이 저하되고, 생산성 및 수율이 저하되는 문제점이 있다.That is, if the wear of the retainer 130 increases beyond a certain level due to repetitive polishing, a height difference between the substrate and the retainer 130 increases, causing a rebound phenomenon of the polishing unit to occur again during the polishing process. Furthermore, in order to suppress the rebounding phenomenon of the polishing unit, the retainer 130 must be frequently replaced before the height difference between the substrate and the retainer 130 increases to a certain level or more, so there are problems in that processing efficiency is lowered and productivity and yield are lowered. .

하지만, 본 발명은 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이가 선택적으로 조절되도록 하는 것에 의하여, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판과 리테이너(130)의 높이 편차를 정해진 범위로 조절할 수 있으므로, 연마 유닛의 리바운드 현상을 최소화할 수 있고, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, since the present invention selectively adjusts the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate, even if wear occurs on the retainer 130, the height deviation between the substrate and the retainer 130 can be adjusted within a predetermined range, An advantageous effect of minimizing the rebound phenomenon of the polishing unit and minimizing the occurrence of non-polishing areas due to the rebound phenomenon can be obtained.

더욱이, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 것에 의하여, 리테이너(130)의 교체 주기를 늦출 수 있을 뿐만 아니라, 처리 효율을 높이고 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, even if wear of the retainer 130 occurs, by adjusting the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate, not only can the replacement cycle of the retainer 130 be delayed, but also the processing efficiency is increased and the productivity and yield are improved. beneficial effects can be obtained.

또한, 본 발명은 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)의 높이를 조절하여 기판의 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절할 수 있으므로, 리테이너(130)를 보다 두꺼운 두께로 형성하는 것이 가능하며, 리테이너(130)의 교체 주기를 보다 늦추는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, since the present invention can adjust the height of the retainer support 114 relative to the substrate support 112 to adjust the height of the retainer 130 relative to the substrate, it is possible to form the retainer 130 thicker And, an advantageous effect of delaying the replacement cycle of the retainer 130 can be obtained.

보다 구체적으로, 조절부(400)는 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)의 높이를 선택적으로 조절하도록 마련된다.More specifically, the adjuster 400 is provided to selectively adjust the height of the retainer support 114 relative to the substrate support 112 .

여기서, 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)의 높이를 조절한다 함은, 기판이 지지되는 기판 지지부(112)의 상면 높이에 대해 리테이너(130)가 지지되는 리테이너 지지부(114)의 상면 높이를 높거나 낮게 조절하는 것으로 정의된다.Here, adjusting the height of the retainer support 114 relative to the substrate support 112 means that the top surface of the retainer support 114 on which the retainer 130 is supported relative to the height of the top surface of the substrate support 112 on which the substrate is supported. It is defined as adjusting the height higher or lower.

이하에서는 조절부(400)가 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)를 승강시켜 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 조절부가 리테이너 지지부에 대해 기판 지지부를 승강시켜 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 조절하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the height of the retainer 130 relative to the substrate is adjusted by the adjusting unit 400 elevating the retainer support 114 relative to the substrate support 112 will be described. In some cases, it is also possible for the adjusting unit to move the substrate support unit up and down relative to the retainer support unit to adjust the height of the retainer relative to the substrate.

보다 구체적으로, 도 5 및 도 6을 참조하면, 리테이너(130)의 상면 높이가 기판의 상면 높이보다 미리 정해진 범위보다 낮아지면, 조절부(400)는 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)를 상부 방향으로 이동시켜, 기판 지지부(112)에 대한 리테이너 지지부(114)의 높이가 높아지도록 하는 것에 의하여, 리테이너(130)의 상면 높이를 기판(W)의 상면 높이와 비슷한 높이로 조절할 수 있다.More specifically, referring to FIGS. 5 and 6 , when the height of the upper surface of the retainer 130 is lower than the height of the upper surface of the substrate by a predetermined range, the adjusting unit 400 adjusts the retainer support 114 relative to the substrate support 112 . ) is moved upward to increase the height of the retainer support 114 relative to the substrate support 112, thereby adjusting the height of the upper surface of the retainer 130 to a height similar to that of the upper surface of the substrate W. there is.

조절부(400)는 기판 지지부(112)에 대한 리테이너 지지부(114)의 높이를 선택적으로 조절 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있다. 일 예로, 조절부(400)는 리테이너 지지부(114)의 하부에 배치되며 리테이너 지지부(114)를 선택적으로 승강시키는 승강 유닛(401)을 포함한다. 경우에 따라서는 조절부가 리테이너 지지부의 상부 또는 측부에서 리테이너 지지부를 선택적으로 승강시키도록 구성되는 것도 가능하다.The adjusting unit 400 may be provided in various structures capable of selectively adjusting the height of the retainer supporter 114 with respect to the substrate supporter 112 . For example, the adjusting unit 400 includes a lifting unit 401 disposed below the retainer support 114 and selectively lifting the retainer support 114 . In some cases, it is also possible for the adjuster to be configured to selectively elevate the retainer support at the top or side of the retainer support.

이하에서는 승강 유닛(401)이 리테이너 지지부(114)를 구성하는 복수개의 분할지지부(114a~114d)의 높이를 개별적으로 조절하는 예를 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, an example in which the elevating unit 401 individually adjusts the heights of the plurality of divided support parts 114a to 114d constituting the retainer support part 114 will be described.

보다 구체적으로, 승강 유닛(401)은, 리테이너 지지부(114)의 일변(제1분할지지부)의 높이를 조절하는 제1사이드승강부(410)와, 일변을 마주하는 리테이너 지지부(114)의 다른 일변(제2분할지지부)의 높이을 조절하는 제2사이드승강부(420)와, 제1사이드승강부(410)와 제2사이드승강부(420)의 사이에 배치되는 리테이너 지지부(114)의 일측변(제3분할지지부)의 높이를 조절하는 제3사이드승강부(430)와, 일측변을 마주하는 리테이너 지지부(114)의 다른 일측변(제4분할지지부)의 높이를 조절하는 제4사이드승강부(440)를 포함하고, 제1사이드승강부(410) 내지 제4사이드승강부(440)는 개별적으로 작동한다.More specifically, the lifting unit 401 includes a first side lifting part 410 for adjusting the height of one side (first divided support part) of the retainer support part 114 and the other side of the retainer support part 114 facing the one side. One of the second side lifting part 420 for adjusting the height of one side (second divided support part) and the retainer support part 114 disposed between the first side lifting part 410 and the second side lifting part 420 The third side lifting part 430 for adjusting the height of the side (third divided support) and the fourth side for adjusting the height of the other side (fourth divided support) of the retainer support 114 facing one side. It includes a lifting part 440, and the first side lifting part 410 to the fourth side lifting part 440 operate individually.

이때, 제1사이드승강부(410) 내지 제4사이드승강부(440)로서는 통상의 솔레노이드, 에어 실린더 등이 사용될 수 있으며, 제1사이드승강부(410) 내지 제4사이드승강부(440)의 구조 및 종류에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.At this time, ordinary solenoids, air cylinders, etc. may be used as the first side elevation part 410 to the fourth side elevation part 440, and the first side elevation part 410 to the fourth side elevation part 440 may be used. The present invention is not limited or limited by the structure and type.

이와 같은 구성에 의하여, 리테이너 지지부(114)의 일변(제1분할지지부)에 지지된 리테이너(130)의 상면 높이가 기판보다 일정 이상 낮으면, 제1사이드승강부(410)를 이용하여 리테이너 지지부(114)의 일변의 높이를 높게 조절할 수 있다. 같은 방식으로, 리테이너 지지부(114)의 일측변(제3분할지지부)에 지지된 리테이너(130)의 상면 높이가 기판보다 일정 이상 낮으면, 제3사이드승강부(430)를 이용하여 리테이너 지지부(114)의 일측변의 높이를 높게 조절할 수 있다.With this configuration, when the height of the upper surface of the retainer 130 supported on one side (the first divided support part) of the retainer support part 114 is lower than the substrate by a certain level or more, the retainer support part using the first side lifting part 410 The height of one side of (114) can be adjusted high. In the same way, when the height of the upper surface of the retainer 130 supported on one side (third divided support) of the retainer support 114 is lower than the substrate by a certain level, the retainer support ( The height of one side of 114) can be adjusted high.

바람직하게, 조절부(400)는 연마 유닛(200)이 기판(W)을 가압하며 연마 공정을 행하는 중에 실시간으로 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절한다. 이와 같이, 기판(W)의 연마 공정이 행해지는 중에 실시간으로 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 것에 의하여, 기판(W)의 연마 균일도 및 연마 안정성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the adjusting unit 400 adjusts the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate in real time while the polishing unit 200 presses the substrate W and performs the polishing process. In this way, by adjusting the arrangement height of the retainer 130 in real time while the polishing process of the substrate W is being performed, an advantageous effect of increasing polishing uniformity and polishing stability of the substrate W can be obtained.

한편, 언로딩 파트는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트에서 언로딩하기 위해 마련된다.Meanwhile, the unloading part is provided to unload the polished substrate W from the polishing part.

언로딩 파트는 연마 파트에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part may be formed in various structures capable of unloading the substrate W from the polishing part, and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part.

일 예로, 언로딩 파트는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(미도시)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the unloading part includes a plurality of unloading conveying rollers (not shown) disposed spaced apart at predetermined intervals, and the substrate W supplied on top of the plurality of unloading conveying rollers has an unloading conveying roller. As it rotates, it is transported cooperatively by a plurality of unloading conveying rollers. In some cases, it is also possible that the unloading part includes a circulating belt circulating and rotating by an unloading conveying roller.

한편, 전술한 본 발명의 실시예에서는 리테이너가 사각링 형상의 단일체로 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 리테이너가 독립적으로 분할된 복수개의 분할리테이너를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.On the other hand, in the above-described embodiment of the present invention, the retainer is described as an example in which the retainer is formed as a single body in the shape of a square ring, but in some cases, it is also possible that the retainer is configured to include a plurality of independently divided retainers.

일 예로, 도 11을 참조하면, 리테이너(130)는 분할지지부(114a~114d)에 대응되게 분할된 4개의 분할리테이너(132,134,136,138)를 포함하여 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 리테이너가 3개 이사의 분할리테이너 또는 5개 이상의 분할리테이너를 포함하는 것도 가능하다.For example, referring to FIG. 11 , the retainer 130 may include four divided retainers 132 , 134 , 136 , and 138 divided to correspond to the divided support portions 114a to 114d. In some cases, it is also possible that the retainer includes three or more split retainers or five or more split retainers.

또한, 도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(100)와, 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 기판거치부(100)의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너(130)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛(200)과, 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하는 감지부(300)와, 감지부(300)에서 감지된 신호에 기초하여 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부(400)를 포함한다.In addition, referring to FIG. 12 , the substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate holding portion 100 on which a substrate W is placed, and an upper surface of the substrate holding portion 100 so as to surround the circumference of the substrate W. A retainer 130 protruding from the substrate W, a polishing unit 200 moving with respect to the substrate W and polishing the upper surface of the substrate, and a detector detecting a height of the retainer 130 relative to the substrate W 300 and an adjusting unit 400 that selectively adjusts the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate W based on the signal detected by the sensing unit 300 .

감지부(300)는 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하도록 마련된다.The sensing unit 300 is provided to detect the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate.

여기서, 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지한다 함은, 기판의 상면 높이와 리테이너(130)의 상면 높이 간의 편차를 감지하는 것으로 정의된다.Here, sensing the arrangement height of the retainer 130 with respect to the substrate is defined as sensing a deviation between the height of the upper surface of the substrate and the height of the upper surface of the retainer 130 .

감지부(300)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하도록 구성될 수 있다. 가령, 감지부(300)는 접촉식 감지 방식 또는 비접촉식 감지 방식으로 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하도록 구성된다.The sensing unit 300 may be configured to detect the arrangement height of the retainer 130 relative to the board in various ways according to required conditions and design specifications. For example, the sensing unit 300 is configured to sense the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate in a contact sensing method or a non-contact sensing method.

일 예로, 감지부(300)는 기준위치에서 리테이너(130)에 결정된 측정위치 사이의 거리 변화를 감지하여 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지할 수 있다. 경우에 따라서는 감지부가 접촉 센서(예를 들어, 다이얼 게이지)를 이용하여 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 감지하는 것도 가능하다.For example, the sensing unit 300 may detect a disposition height of the retainer 130 relative to the substrate W by detecting a change in distance between the reference position and the measurement position determined on the retainer 130 . In some cases, it is also possible for the sensing unit to sense the arrangement height of the retainer relative to the substrate using a contact sensor (eg, a dial gauge).

바람직하게, 감지부(300)는 연마 공정을 행하는 중에 실시간으로 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하고, 조절부(400)는 감지부(300)에서 감지된 신호에 기초하여 기판(W)의 연마 공정이 행해지는 중에 실시간으로 리테이너(130)의 배치 높이를 조절한다.Preferably, the sensing unit 300 detects the arrangement height of the retainer 130 relative to the substrate W in real time during the polishing process, and the adjusting unit 400 adjusts the height based on the signal detected by the sensing unit 300. Thus, the arrangement height of the retainer 130 is adjusted in real time while the polishing process of the substrate W is being performed.

한편, 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIG. 13 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are given to the same or equivalent parts as the above-described configuration, and a detailed description thereof will be omitted.

도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 처리 장치는, 정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 기판(W)과 리테이너(130)가 안착되는 이송 벨트(120')와, 이송 벨트(120')의 내부에 배치되며 이송 벨트(120')를 사이에 두고 기판(W)과 리테이너(130)의 저면을 지지하는 기판거치부(100)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(200)과, 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 13 , according to another embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus includes a transfer belt 120 ′ moving along a predetermined path and having a substrate W and a retainer 130 seated on an outer surface; It is disposed inside the belt 120' and moves with respect to the substrate holding part 100 supporting the lower surface of the substrate W and the retainer 130 with the transfer belt 120' interposed therebetween, and the substrate W. It includes a polishing unit 200 that polishes the top surface of the substrate W and an adjusting unit 400 that selectively adjusts the height of the retainer 130 relative to the substrate W.

참고로, 전술한 실시예와 마찬가지로, 조절부(400)는 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하도록 구성될 수 있다.For reference, similar to the above-described embodiment, the adjusting unit 400 may be configured to selectively adjust the disposition height of the retainer 130 relative to the substrate (W).

이송 벨트(120')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(120')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다.The conveying belt 120' may be configured to move along a predetermined path in various ways according to required conditions and design specifications. For example, the transfer belt 120' may be configured to circulate and rotate along a predetermined path.

이송 벨트(120')의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(120')는 롤러 유닛(150)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(120')의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(120')에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circulating rotation of the transfer belt 120' may be performed in various ways depending on required conditions and design specifications. For example, the conveying belt 120' is circularly rotated along a path determined by the roller unit 150, and the substrate W seated on the conveying belt 120' is moved by the circular rotation of the conveying belt 120'. It is conveyed along this linear movement path.

이송 벨트(120')의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(150)은 제1롤러(152)와, 제1롤러(152)로부터 평행하게 이격되게 배치되는 제2롤러(154)를 포함하며, 이송 벨트(120')는 제1롤러(152)와 제2롤러(154)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.A moving path (eg, a circulation path) of the transfer belt 120' may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the roller unit 150 includes a first roller 152 and a second roller 154 disposed parallel to and spaced apart from the first roller 152, and the conveying belt 120' includes the first roller 152 and the second roller 154 circularly rotate in an infinite loop manner.

참고로, 이송 벨트(120')의 외표면이라 함은, 이송 벨트(120')의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(120')의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(120')의 내표면이라 함은, 제1롤러(152)와 제2롤러(154)가 접촉되는 이송 벨트(120')의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the transfer belt 120' means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 120', and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 120'. . And, the inner surface of the conveying belt 120' means the inner surface of the conveying belt 120' on which the first roller 152 and the second roller 154 come into contact.

또한, 제1롤러(152)와 제2롤러(154) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(152)는 고정되는 제2롤러(154)는 제1롤러(152)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(152)에 대해 제2롤러(154)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(120')의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller 152 and the second roller 154 may be selectively configured to linearly move in directions approaching and spaced apart from each other. For example, the second roller 154 to which the first roller 152 is fixed may linearly move in a direction approaching and away from the first roller 152 . In this way, the tension of the transfer belt 120' can be adjusted by allowing the second roller 154 to approach and separate from the first roller 152 according to manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(120')의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(120')를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the transfer belt 120' is defined as adjusting the tension by pulling or loosening the transfer belt 120'. In some cases, it is also possible to provide a separate tension control roller and adjust the tension of the transport belt by moving the tension control roller. However, it is preferable to move at least one of the first roller and the second roller to improve structure and space utilization.

기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.In the past, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part, a separate pick-up device (eg, substrate adsorption device) was used to pick up the substrate from the loading part, and then the substrate had to be put down on the polishing part again. Therefore, there is a problem in that the processing time increases to the extent that it takes several seconds to several tens of seconds to load the substrate. Moreover, conventionally, in order to unload the polished substrate to the unloading part, a separate pick-up device (eg, substrate adsorption device) is used to pick up the substrate from the polishing part, and then the substrate is returned to the unloading part. Since it had to be put down, there is a problem in that the processing time increases to the extent that the time required to unload the substrate takes several seconds to several tens of seconds.

하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(120')로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(120') 상에서 직접 언로딩 파트로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, in a state where the substrate W supplied to the loading part is directly transferred to the circulating and rotating transfer belt 120', the substrate W is subjected to a polishing process, and the substrate W is transferred to the transfer belt ( 120'), it is possible to obtain an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time by directly transferring the substrate W to the unloading part.

또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(120')를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention eliminates a separate pick-up process when loading and unloading the substrate (W) and processes the substrate (W) in an in-line manner using a circulating and rotating transfer belt (120'). Advantageous effects of simplifying the loading time and unloading process of the substrate (W) and shortening the time required for loading and unloading the substrate (W) can be obtained.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, in the present invention, since there is no need to provide a pick-up device for picking up the substrate (W) during loading and unloading of the substrate (W), equipment and facilities can be simplified, and advantageous effects of improving space utilization are achieved. can be obtained.

이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)As another example of the conveying belt, the conveying belt may be wound from one direction to the other and may be configured to convey the substrate W (not shown).

여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.Here, the fact that the transport belt is wound from one direction to the other means that the transport belt is wound in a reel-to-reel winding method (wound on the first reel and then on the second reel in the opposite direction) of a conventional cassette tape. It is defined as moving (winding) along the movement trajectory in the form of an open loop in a manner in which it is wound.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be changed.

10 : 기판 처리 장치 20 : 갠트리 유닛
22 : X축 갠트리 24 : Y축 갠트리
100 : 기판거치부 112 : 기판 지지부
114 : 리테이너 지지부 114a~114d : 분할지지부
120 : 표면패드 120' : 이송 벨트
130 : 리테이너 130a : 기판수용부
200 : 연마 유닛 210 : 연마패드
300 : 감지부 400 : 조절부
401 : 승강 유닛 410 : 제1사이드승강부
420 : 제2사이드승강부 430 : 제3사이드승강부
440 : 제4사이드승강부10: substrate processing device 20: gantry unit
22: X-axis gantry 24: Y-axis gantry
100: substrate holding unit 112: substrate support unit
114: retainer support 114a ~ 114d: divided support
120: surface pad 120': transfer belt
130: retainer 130a: substrate receiving unit
200: polishing unit 210: polishing pad
300: sensing unit 400: control unit
401: lifting unit 410: first side lifting unit
420: second side lifting part 430: third side lifting part
440: fourth side elevation

Claims (18)

기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
사각 형태의 기판이 외표면에 안착되고, 상기 기판의 각 변의 외측을 각각 감싸는 다수의 분할 리테이너로 이루어진 리테이너를 구비하고, 정해진 순환 경로를 따라 이동하는 이송하는 이송 벨트와;
상기 이송 벨트의 하부에 배치되어 상기 기판을 비회전 상태로 지지하는 기판지지부와, 상기 분할 리테이너의 저면을 각각 지지하는 복수개의 분할 지지부로 이루어진 리테이너 지지부를 구비한 기판 거치부와;
상기 기판보다 작은 사이즈로 형성되고, 상기 기판에 대해 이동하며, 상기 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과;
상기 분할 리테이너의 높이를 각각 조절하는 승강 유닛을 구비하여, 상기 분할 리테이너로 이루어진 리테이너의 상기 기판에 대한 배치 높이를 조절하는 조절부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a polishing process of a substrate is performed,
a conveying belt for conveying a substrate having a quadrangular shape on an outer surface, having a retainer composed of a plurality of divided retainers covering the outer side of each side of the substrate, and moving along a predetermined circulation path;
a substrate holding part having a retainer support part including a substrate support part disposed under the transfer belt to support the substrate in a non-rotating state, and a plurality of divided support parts respectively supporting bottom surfaces of the divided retainer;
a polishing unit formed to a size smaller than that of the substrate, moving with respect to the substrate, and polishing an upper surface of the substrate;
an adjusting unit including lifting units for adjusting heights of the divided retainers, respectively, to adjust a height of the retainers formed of the divided retainers relative to the substrate;
A substrate processing apparatus comprising a.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 승강 유닛은,
상기 리테이너 지지부의 일변의 높이를 조절하는 제1사이드승강부와;
상기 일변을 마주하는 상기 리테이너 지지부의 다른 일변의 높이를 조절하는 제2사이드승강부와;
상기 제1사이드승강부와 상기 제2사이드승강부의 사이에 배치되는 상기 리테이너 지지부의 일측변의 높이를 조절하는 제3사이드승강부와;
상기 일측변을 마주하는 상기 리테이너 지지부의 다른 일측변의 높이를 조절하는 제4사이드승강부를; 포함하고,
상기 제1사이드승강부 내지 상기 제4사이드승강부는 개별적으로 작동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The lifting unit,
a first side lifting part for adjusting the height of one side of the retainer support part;
a second side lifting part for adjusting the height of the other side of the retainer support unit facing the one side;
a third side elevation portion for adjusting a height of one side of the retainer support portion disposed between the first side elevation portion and the second side elevation portion;
a fourth side lifting unit for adjusting the height of the other side of the retainer support unit facing the one side; include,
The substrate processing apparatus, characterized in that the first side lifting parts to the fourth side lifting parts operate individually.
 제1항에 있어서,
상기 기판 지지부의 상면에 구비되며, 상기 기판에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드를 포함하고,
상기 기판은 상기 표면패드의 상면에 안착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
A surface pad provided on an upper surface of the substrate support unit and suppressing slip by increasing a coefficient of friction with respect to the substrate;
The substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is seated on the upper surface of the surface pad.
 제1항에 있어서,
상기 리테이너는 상기 기판보다 얇거나 같은 두께를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the retainer is formed to have a thickness equal to or thinner than that of the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 연마 유닛은 상기 리테이너의 상면에 접촉된 상태로 상기 기판의 상면을 연마하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the polishing unit polishes the upper surface of the substrate in a state of being in contact with the upper surface of the retainer.
 제1항에 있어서,
상기 조절부는 상기 연마 유닛이 상기 기판을 가압하며 연마하는 중에 실시간으로 상기 리테이너의 배치 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the adjusting unit adjusts the arrangement height of the retainer in real time while the polishing unit pressurizes and polishes the substrate.
 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판에 대한 상기 리테이너의 배치 높이를 감지하는 감지부를 포함하고,
상기 조절부는 상기 감지부에서 감지된 신호에 기초하여 상기 리테이너의 배치 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of any one of claims 1 or 6 to 10,
A sensing unit configured to detect a height of the retainer relative to the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the adjusting unit adjusts the height of the retainer based on the signal detected by the sensing unit.
 삭제delete 삭제delete 제13항에 있어서,
상기 감지부는 기준위치에서 상기 리테이너에 결정된 측정위치 사이의 거리 변화를 감지하여 상기 리테이너의 배치 높이를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 13,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the sensing unit detects a disposition height of the retainer by detecting a change in a distance between a reference position and a measurement position determined on the retainer.
 삭제delete 삭제delete
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