KR102564113B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102564113B1
KR102564113B1 KR1020180105799A KR20180105799A KR102564113B1 KR 102564113 B1 KR102564113 B1 KR 102564113B1 KR 1020180105799 A KR1020180105799 A KR 1020180105799A KR 20180105799 A KR20180105799 A KR 20180105799A KR 102564113 B1 KR102564113 B1 KR 102564113B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
delete delete
polishing
transfer belt
retainer
Prior art date
Application number
KR1020180105799A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200027687A (en
Inventor
이근우
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020180105799A priority Critical patent/KR102564113B1/en
Publication of KR20200027687A publication Critical patent/KR20200027687A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102564113B1 publication Critical patent/KR102564113B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06Dust extraction equipment on grinding or polishing machines

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판이 안착되는 이송 벨트와, 기판이 수용되는 기판수용부가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 배치되는 리테이너와, 기판수용부의 내측에 마련되며 기판수용부의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, which is provided to be movable along a predetermined path and includes a transfer belt on which a substrate is seated on an outer surface, a retainer having a substrate accommodating portion formed therein and disposed to surround the circumference of the substrate, and , It is provided on the inside of the substrate accommodating unit and includes a level difference alleviating unit for alleviating the level difference on the inner wall surface of the substrate accommodating unit.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of increasing substrate processing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, interest in information display has increased and the demand for using portable information media has increased. Research and commercialization are being focused on.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of such a flat panel display, until now, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes less power, has been the most popular display device, but a liquid crystal display is not a light emitting device but a light receiving device, Since there are disadvantages such as ratio and viewing angle, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among them, as one of the next-generation displays that have recently been spotlighted, there is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display device, but since recent display devices are oriented towards slimness and high-pixel, a glass substrate corresponding to this needs to be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the ELA (Eximer Laser Annealing) process in which a laser is injected into amorphous silicon (a-Si) to crystallize it into poly-Si, protrusions may occur on the surface while poly-silicon is crystallized. Since these protrusions can cause mura-effects, the glass substrate must be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, recently, various studies have been made to efficiently polish the surface of the substrate, but it is still insufficient, and development thereof is required.

본 발명은 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing substrate processing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity.

특히, 본 발명은 이송 벨트의 세정 효율을 높이고, 이물질의 잔류를 최소화할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, an object of the present invention is to increase the cleaning efficiency of the conveying belt and to minimize the residual of foreign substances.

또한, 본 발명은 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve productivity and yield.

또한, 본 발명은 기판을 연속적으로 공급하여 처리할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to continuously supply and process a substrate.

또한, 본 발명은 설비를 간소화할 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to simplify equipment and reduce manufacturing costs.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판이 안착되는 이송 벨트와, 기판이 수용되는 기판수용부가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 배치되는 리테이너와, 기판수용부의 내측에 마련되며 기판수용부의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above-described objects of the present invention, a transfer belt provided to be movable along a predetermined path and having a substrate seated on an outer surface, and a substrate receiving portion in which the substrate is accommodated are formed, Provided is a substrate processing apparatus including a retainer arranged to surround a circumference, and a step relief portion provided inside the substrate accommodating portion and mitigating a step difference on an inner wall surface of the substrate accommodating portion.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, advantageous effects of increasing substrate processing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity can be obtained.

특히, 본 발명에 따르면 이송 벨트의 세정 효율을 높이고, 이물질의 잔류를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, it is possible to obtain advantageous effects of increasing the cleaning efficiency of the transfer belt and minimizing the residual of foreign substances.

또한, 본 발명에 따르면, 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, advantageous effects of shortening the time required to process the substrate and improving productivity and yield can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면, 기판을 연속적으로 공급하여 처리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of continuously supplying and processing a substrate can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면, 설비를 간소화하고, 제조 비용을 절감할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to simplify equipment, reduce manufacturing costs, and obtain advantageous effects of improving space utilization.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부를 설명하기 위한 도면,
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 유닛을 설명하기 위한 도면,
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a perspective view for explaining a polishing part;
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a step relief unit;
4 and 5 are a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of the step relief unit;
6 to 8 are substrate processing apparatus according to the present invention, views for explaining the loading process of the substrate;
9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit;
10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer;
11 and 12 are a substrate processing apparatus according to the present invention, a diagram for explaining a substrate unloading process;
13 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a cleaning unit;
14 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and descriptions may be made by citing contents described in other drawings under these rules, and contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated contents may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부를 설명하기 위한 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이며, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 13은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 유닛을 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a perspective view for explaining a polishing part. In addition, FIG. 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining a level difference mitigating unit, and FIGS. . 6 to 8 are substrate processing apparatus according to the present invention, which are views for explaining a substrate loading process, and FIG. 9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit. 10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer. Further, FIGS. 11 and 12 are views for explaining a substrate unloading process as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 13 is a view for explaining a cleaning unit as a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1 내지 도 19를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 기판(W)이 수용되는 기판수용부(214a)가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 이송 벨트(210)에 적층 배치된 리테이너(214)와, 기판수용부(214a)의 내측에 마련되며 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부(240)를 포함한다.1 to 19, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a transfer belt 210 provided to be movable along a predetermined path and on which a substrate W is seated on an outer surface, and a substrate W ) A substrate accommodating portion 214a is formed, and a retainer 214 stacked on the transfer belt 210 so as to wrap around the circumference of the substrate, and a retainer 214 provided inside the substrate accommodating portion 214a, and the substrate accommodating portion ( 214a) includes a step relief unit 240 for alleviating the step difference on the inner wall surface.

이는, 이송 벨트에 잔류하는 이물질(예를 들어, 슬러리)에 의한 연마 균일도 저하를 최소화하고,기판의 배치 상태를 안정적으로 유지하기 위함이다.This is to minimize a decrease in polishing uniformity due to foreign substances (eg, slurry) remaining on the transfer belt and to stably maintain the arrangement of the substrate.

즉, 기판에 대한 화학 기계적 연마 공정 중에는 슬러리가 사용되고, 기판으로부터 흘러내린 슬러리 등의 이물질이 이송 벨트의 외표면에 잔류될 수 있다. 이와 같이, 이송 벨트의 외표면에 이물질이 잔류된 상태에서 기판에 대한 연마 공정이 행해지면, 기판과 이송 벨트의 사이에 잔류하는 이물질의 두께만큼 이물질이 위치한 기판 부위가 국부적으로 돌출되므로 기판의 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 더욱이, 기판의 연마 공정 중에 기판의 배치 상태를 안정적으로 유지하기 위해서는, 이송 벨트에 대한 기판의 이동이 억제될 수 있어야 하나, 이송 벨트의 외표면에 이물질이 잔류하게 되면, 기판과 이송 벨트의 사이에 잔류하는 이물질에 의하여, 이송 벨트에 대한 기판의 이동(슬립)이 억제되기 어려운 문제점이 있다.That is, slurry is used during the chemical mechanical polishing process for the substrate, and foreign substances such as the slurry flowing down from the substrate may remain on the outer surface of the transfer belt. As such, if the polishing process for the substrate is performed in a state where foreign matter remains on the outer surface of the transfer belt, the substrate portion where the foreign matter is located protrudes locally by the thickness of the foreign matter remaining between the substrate and the transfer belt, so that the polishing of the substrate There is a problem that the uniformity is lowered. Furthermore, in order to stably maintain the arrangement of the substrate during the substrate polishing process, the movement of the substrate relative to the transfer belt must be suppressed, but if foreign substances remain on the outer surface of the transfer belt, the gap between the substrate and the transfer belt is reduced. There is a problem in that the movement (slip) of the substrate with respect to the transfer belt is difficult to be suppressed by foreign substances remaining on the substrate.

특히, 이송 벨트의 외표면에는 연마 유닛이 기판의 가장자리를 통과하는 중에 리바운드 현상을 억제하기 위한 리테이너가 기판 주변을 감싸도록 돌출되게 마련되는데, 리테이너에 형성된 기판수용부의 내벽면 최하부에 잔류된 이물질에는 세정브러쉬가 접근되기 어려우므로, 이송 벨트의 세정이 행해졌음에도 불구하고 리테이너의 내부에 이물질이 잔류하게 되는 문제점이 있다.In particular, on the outer surface of the transfer belt, a retainer for suppressing the rebound phenomenon while the polishing unit passes the edge of the substrate protrudes to wrap around the substrate. Since the cleaning brush is difficult to access, there is a problem that foreign substances remain inside the retainer even though cleaning of the conveying belt is performed.

하지만, 본 발명은, 연마 처리될 기판(W)이 이송 벨트(210)이 안착되기 전에 이송 벨트(210)가 미리 세정되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)에 잔류된 이물질에 의한 연마 효율 및 연마 균일도 저하를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the transfer belt 210 is pre-cleaned before the substrate W to be polished is seated on the transfer belt 210, thereby improving the polishing efficiency and An advantageous effect of preventing deterioration in polishing uniformity can be obtained.

무엇보다도 본 발명은, 리테이너(214)에 형성된 기판수용부(214a)의 내측에 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부(240)를 마련하는 것에 의하여, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질이 회전하는 세정 브러쉬(410)에 접촉 가능하도록 기판수용부(214a)의 내벽면으로부터 이격되게 배치될 수 있으므로, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질을 보다 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, the present invention provides the retainer 214 by providing a step relief portion 240 for alleviating the step on the inner wall surface of the substrate accommodating portion 214a inside the substrate accommodating portion 214a formed in the retainer 214. ) Since the foreign matter remaining inside the retainer 214 can be spaced apart from the inner wall surface of the substrate receiving portion 214a so as to be able to contact the rotating cleaning brush 410, the foreign matter remaining inside the retainer 214 can be more effectively removed. beneficial effects can be obtained.

이송 벨트(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트(100)에 공급된 기판(W)은 이송 벨트(210)로 이송되어 이송 벨트(210)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The conveying belt 210 is disposed between the loading part 100 and the unloading part 300, and the substrate W supplied to the loading part 100 is transferred by the conveying belt 210 to the conveying belt 210. After polishing in a state seated on, it is unloaded through the unloading part 300.

로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 이송 벨트(210)에 로딩하기 위해 마련된다.The loading part 100 is provided to load the substrate W to be polished onto the transport belt 210 .

로딩 파트(100)는 이송 벨트(210)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed in various structures capable of loading the substrate W on the transfer belt 210, and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100.

일 예로, 로딩 파트(100)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하도록 마련되되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러(110)에 의해 상호 협조적으로 이송된다.For example, the loading part 100 is provided to transfer the substrate W at the same height as the transfer belt 210, and includes a plurality of loading transfer rollers 110 spaced apart from each other at a predetermined interval. The substrate W supplied to the top of the loading and conveying roller 110 is cooperatively transported by the plurality of loading and conveying rollers 110 as the loading and conveying roller 110 rotates.

여기서, 로딩 파트(100)가 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 로딩 파트(100)가 기판(W)의 휨 변형을 허용하는 높이에 배치되어 기판(W)을 이송하는 것으로 정의된다. 가령, 로딩 파트에서 기판이 돌출된 상태(최외각에 배치된 로딩 이송 롤러를 벗어나도록 기판이 이송된 상태)에서 기판 휨 변형을 고려하여 로딩 파트는 이송 벨트(210)보다 약간 높은 높이(예를 들어, 10㎜ 이내)에 배치될 수 있다. 다만, 기판의 휨 변형이 억제될 수 있다면, 로딩 파트(100)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일할 수 있다.Here, the loading part 100 transfers the substrate W at the same height as the transfer belt 210, the loading part 100 is disposed at a height allowing bending deformation of the substrate W, and the substrate W ) is defined as transporting For example, in a state in which the substrate protrudes from the loading part (a state in which the substrate is transferred to escape the outermost loading transfer roller), the loading part is slightly higher than the transfer belt 210 in consideration of bending deformation of the substrate (for example, For example, within 10 mm). However, if the bending deformation of the substrate can be suppressed, the height at which the substrate W is transferred in the loading part 100 and the height at which the substrate W is seated and transferred in the transfer belt 210 may be the same. .

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the loading part 100 may be aligned in a posture and position determined by an align unit (not shown) before being supplied to the loading part 100 .

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 다르게는 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate (W) used in the present invention, a rectangular substrate (W) having a length of one side greater than 1 m may be used. For example, as the processing target substrate W on which the chemical mechanical polishing process is performed, a 6th generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use 7th and 8th generation glass substrates as substrates to be processed. Alternatively, it is also possible that a substrate (for example, a second-generation glass substrate) having a side length of less than 1 m is used.

이송 벨트(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트(200)를 구성하도록 마련된다.The transfer belt 210 is provided to configure the polishing part 200 between the loading part 100 and the unloading part 300 .

연마 파트(200)는 이송 벨트(210)를 포함하여 기판(W)을 연마할 수 있는 다양한 구조로 구성될 수 있으며, 연마 파트(200)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 연마 파트(200)는, 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 이송 벨트(210)를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(220)와, 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(230)을 포함한다.The polishing part 200 may have various structures capable of polishing the substrate W including the transfer belt 210, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing part 200. More specifically, the polishing part 200 includes a transfer belt 210 on which the substrate W is seated, and a substrate support 220 supporting the bottom surface of the substrate W with the transfer belt 210 interposed therebetween; A polishing unit 230 polishing the top surface of the substrate W is included.

참고로, 본 발명에서 연마 유닛(230)이 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트(200)에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다.For reference, in the present invention, polishing the substrate W by the polishing unit 230 is defined as polishing the substrate W by a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process. do. For example, in the polishing part 200, a slurry for chemical polishing is supplied together while mechanical polishing of the substrate W is performed, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed.

이송 벨트(210)는 로딩 파트(100)에 인접하게 배치되며, 정해진 경로를 따라 무한 루프 방식으로 순환 회전하도록 구성된다. 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송된다.The conveying belt 210 is disposed adjacent to the loading part 100 and is configured to circulate and rotate in an infinite loop manner along a predetermined path. The substrate W transferred from the loading part 100 to the transfer belt 210 is transferred as the transfer belt 210 circulates and rotates while being seated on the outer surface of the transfer belt 210 .

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태로 연마 위치(기판지지부의 상부 위치)로 이송될 수 있다. 또한, 연마가 완료된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 연마 위치에서 언로딩 파트(300) 측으로 이송될 수 있다.More specifically, the substrate W transferred from the loading part 100 to the transfer belt 210 is placed in a polishing position (substrate upper position of the support). In addition, the polished substrate W may be transferred from the polishing position toward the unloading part 300 as the transfer belt 210 circulates.

이송 벨트(210)의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(210)는 롤러 유닛(212)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(210)에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circulation rotation of the transfer belt 210 may be performed in various ways according to required conditions and design specifications. For example, the conveying belt 210 circularly rotates along a path determined by the roller unit 212, and the substrate W seated on the conveying belt 210 linearly moves by the circular rotation of the conveying belt 210. transported along the route.

이송 벨트(210)의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(212)은 제1롤러(212a)와, 제1롤러(212a)로부터 수평하게 이격되게 배치되는 제2롤러(212b)를 포함하며, 이송 벨트(210)는 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.A moving path (eg, a circulation path) of the transport belt 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the roller unit 212 includes a first roller 212a and a second roller 212b disposed horizontally spaced apart from the first roller 212a, and the conveying belt 210 includes the first roller ( 212a) and the second roller 212b circularly rotate in an infinite loop manner.

참고로, 이송 벨트(210)의 외표면이라 함은, 이송 벨트(210)의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(210)의 내표면이라 함은, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)가 접촉되는 이송 벨트(210)의 내측 표면을 의미한다.For reference, the outer surface of the transfer belt 210 means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 210, and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 210. And, the inner surface of the conveying belt 210 means the inner surface of the conveying belt 210 to which the first roller 212a and the second roller 212b come into contact.

또한, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(212a)는 고정되는 제2롤러(212b)는 제1롤러(212a)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(212a)에 대해 제2롤러(212b)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller 212a and the second roller 212b may be selectively configured to linearly move in directions approaching and spaced apart from each other. For example, the second roller 212b to which the first roller 212a is fixed may linearly move in a direction approaching and away from the first roller 212a. In this way, the tension of the transfer belt 210 can be adjusted by allowing the second roller 212b to approach and be separated from the first roller 212a according to manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(210)의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(210)를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the transport belt 210 is defined as adjusting the tension by pulling the transport belt 210 tight or loosening it. In some cases, it is also possible to provide a separate tension control roller and adjust the tension of the transport belt by moving the tension control roller. However, it is preferable to move at least one of the first roller and the second roller to improve structure and space utilization.

또한, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(도 10의 210a 참조)도 구비될 수 있다. 즉, 표면패드(210a)는 기판(W)이 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서, 이송 벨트(210)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지시킬 수 있게 한다.In addition, a surface pad (see 210a in FIG. 10 ) may be provided on the outer surface of the transfer belt 210 to suppress slip by increasing the coefficient of friction with respect to the substrate W. That is, the surface pad 210a can restrict the movement of the substrate W relative to the transfer belt 210 (restrict slippage) in a state where the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 210. , it is possible to stably maintain the arrangement position of the substrate W.

표면패드(210a)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(210a)는 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄 또는 실리콘으로 형성된다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질, 예를 들어, 논슬립 기능을 갖는 엔지니어링 플라스틱으로 형성하는 것도 가능하다.The surface pad 210a may be formed of various materials having adhesion to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the surface pad. For example, the surface pad 210a is made of polyurethane or silicone having excellent elasticity and adhesiveness (frictional force). In some cases, it is also possible to form the surface pad with another material having a non-slip function, for example, engineering plastics having a non-slip function.

더욱이, 신축성을 갖는 표면패드(210a)를 이송 벨트(210)의 외표면에 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 이송 벨트(210)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 이물질이 위치한 부분에서 표면패드가 눌려질 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 해소할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, by forming the surface pad 210a having elasticity on the outer surface of the transfer belt 210, even if foreign matter is introduced between the substrate W and the transfer belt 210, the portion where the foreign material is located by the thickness of the foreign material Since the surface pad can be pressed in, it is possible to solve the height deviation of the substrate W caused by foreign matter (local protrusion of a specific portion of the substrate due to the foreign material), and as a specific portion of the substrate W locally protrudes, It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the deterioration of polishing uniformity according to the

기판지지부(220)는 이송 벨트(210)를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support part 220 is provided to support the lower surface of the substrate W with the transfer belt 210 interposed therebetween.

보다 구체적으로, 기판지지부(220)는 기판(W)의 저면을 마주하도록 이송 벨트(210)의 하부에 배치되며, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.More specifically, the substrate support 220 is disposed under the transfer belt 210 so as to face the bottom surface of the substrate W, and supports the inner surface of the transfer belt 210 .

기판지지부(220)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 기판지지부(220)로서는 석정반이 사용될 수 있으며, 기판지지부(220)는 이송 벨트(210)의 내표면에 밀착되게 배치되어, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.The substrate support 220 may be configured to support the inner surface of the transfer belt 210 in various ways according to required conditions and design specifications. For example, a stone tablet can be used as the substrate support 220 , and the substrate support 220 is placed in close contact with the inner surface of the transfer belt 210 to support the inner surface of the transfer belt 210 .

이와 같이, 기판지지부(220)가 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 자중 및 연마 유닛(230)이 기판(W)을 가압함에 따른 이송 벨트(210)의 처짐을 방지할 수 있다.In this way, by allowing the substrate support 220 to support the inner surface of the transfer belt 210, the transfer belt 210 due to the weight of the substrate W and the polishing unit 230 pressing the substrate W sagging can be prevented.

이하에서는 기판지지부(220)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부에 의해 기판캐리어의 내면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support 220 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support part may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the inner surface of the substrate carrier by two or more substrate support parts.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(220)가 접촉 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 기판캐리어의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다. 일 예로, 기판지지부는 기판캐리어의 내표면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판캐리어의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다.(미도시)Meanwhile, in the embodiments of the present invention described above and illustrated, an example in which the substrate support unit 220 is configured to support the inner surface of the transfer belt 210 in a contact manner has been described, but in some cases, the substrate support unit supports the substrate carrier. It is also possible to configure the inner surface to be supported in a non-contact manner. For example, the substrate support unit may be configured to inject fluid onto the inner surface of the substrate carrier and support the inner surface of the substrate carrier by the spraying force of the fluid (not shown).

이때, 기판지지부는 기판캐리어의 내표면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In this case, the substrate support unit may inject at least one of gas (eg, air) and liquid (eg, pure water) onto the inner surface of the substrate carrier, and the type of fluid may be determined according to required conditions and design specifications. It can be changed in various ways.

이와 같이, 기판캐리어의 내표면을 비접촉 상태로 지지하는 것에 의하여, 마찰 저항(기판캐리어의 이동(회전)을 방해하는 인자)에 의한 처리 효율 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판캐리어의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In this way, by supporting the inner surface of the substrate carrier in a non-contact state, an advantageous effect of minimizing the decrease in processing efficiency due to frictional resistance (a factor that hinders the movement (rotation) of the substrate carrier) can be obtained. According to another embodiment of the present invention, it is also possible to configure the substrate support unit to support the inner surface of the substrate carrier in a non-contact manner using magnetic force (eg, repulsive force) or levitation force by ultrasonic vibration.

연마 유닛(230)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 230 is provided to polish the surface of the substrate (W) while in contact with the surface of the substrate (W).

일 예로, 연마 유닛(230)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(232)를 포함한다.For example, the polishing unit 230 is formed to have a size smaller than that of the substrate W, and includes a polishing pad 232 that rotates and moves while being in contact with the substrate W.

보다 구체적으로, 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, it is mounted on a polishing pad carrier (not shown) and linearly polishes (flattens) the surface of the substrate (W) while rotating in a state of being in contact with the surface of the substrate (W).

연마패드 캐리어는 연마패드(232)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(232)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier may be formed in various structures capable of rotating the polishing pad 232, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad carrier. For example, the polishing pad carrier may be composed of one body, or may be composed of a plurality of bodies combined, and is configured to be connected to a drive shaft (not shown) to rotate. In addition, the polishing pad carrier is provided with a pressing unit for pressing the polishing pad 232 to the surface of the substrate W (eg, a pneumatic press unit pressurizing the polishing pad with pneumatic pressure).

연마패드(232)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(232)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(232)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 232 is made of a material suitable for mechanical polishing of the substrate W. For example, the polishing pad 232 may be made of polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer, It can be formed using silicone, latex, nitrated rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and various copolymers of styrene, butadiene, and acrylonitrile, and the material and characteristics of the polishing pad 232 are determined according to the required conditions and design specifications. It can be varied in various ways.

바람직하게 연마패드(232)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하게 되면, 연마패드(232)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다.Preferably, a circular polishing pad 232 having a size smaller than that of the substrate (W) is used as the polishing pad 232 . That is, it is possible to polish the substrate W using the polishing pad 232 having a larger size than the substrate W, but when using the polishing pad 232 having a larger size than the substrate W, polishing Since very large rotational equipment and space are required to rotate the pad 232, there are problems in that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered.

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(232)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, since the length of at least one side of the substrate W has a size greater than 1 m, rotating a polishing pad having a size greater than that of the substrate W (eg, a polishing pad having a diameter greater than 1 m) There is a problem in itself that is very difficult. In addition, when a non-circular polishing pad (eg, a rectangular polishing pad) is used, the entire surface of the substrate W polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness. However, the present invention, by rotating the circular polishing pad 232 having a smaller size than the substrate (W) to polish the surface of the substrate (W), without significantly reducing the space efficiency and design freedom, the polishing pad ( 232 can be rotated to polish the substrate W, and an advantageous effect of maintaining a uniform polishing amount by the polishing pad 232 as a whole can be obtained.

이때, 연마 유닛(230)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the polishing path of the polishing unit 230 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 9를 참조하면, 연마패드(232)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.For example, referring to FIG. 9 , the polishing pad 232 includes a first oblique path L1 inclined with respect to one side of the substrate W and a second oblique path inclined in the opposite direction of the first oblique path L1. It is configured to polish the surface of the substrate W while repeatedly moving zigzag along the path L2.

여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 좌변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first oblique path L1 means a path inclined at a predetermined angle θ with respect to the left side of the substrate W, for example. In addition, the second oblique path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first oblique path L1 so as to intersect the first oblique path L1.

또한, 본 발명에서 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(232)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.Further, in the present invention, the repetitive zigzag movement of the polishing pad 232 along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 means that the polishing pad 232 contacts the surface of the substrate W. It is defined that the moving path of the polishing pad 232 with respect to the substrate W is not interrupted and is switched to the other direction (converted from the first oblique path to the second oblique path) while moving in the moved state. In other words, the polishing pad 232 continuously moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 and forms a continuous wave-shaped movement trajectory.

보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are axisymmetric with respect to one side of the substrate W, and the polishing pad 232 has the first oblique path L1 and the second oblique path L1. The surface of the substrate (W) is polished while repeatedly moving zigzag along (L2). At this time, when the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are said to be line symmetric with respect to one side of the substrate W, the first oblique path L1 with one side 11 of the substrate W as the center ) and the second oblique path L2 are symmetrical, this means that the first oblique path L1 and the second oblique path L2 completely overlap, and one side of the substrate W and the first oblique path L1 ) is defined as the same as the angle formed by one side of the substrate W and the second oblique path L2.

바람직하게, 연마패드(232)는, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.Preferably, the polishing pad 232 has a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 232 as a reciprocating pitch to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. round trip about Hereinafter, the polishing pad 232 has a length equal to the diameter of the polishing pad 232 as the reciprocating pitch P, and along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W An example of regular round-trip movement will be described.

이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the surface of the substrate W is polished while the polishing pad 232 repeatedly zigzag moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W, and the polishing pad ( 232 is moved forward with respect to the substrate W at a length equal to or smaller than the diameter of the polishing pad 232 as a reciprocating pitch P, thereby polishing the polishing pad 232 over the entire surface area of the substrate W. ) can obtain an advantageous effect of regularly and uniformly polishing the entire surface of the substrate W without an area where polishing is omitted.

여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 9를 기준으로 기판의 좌변에서 우변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 좌변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.Here, the forward movement of the polishing pad 232 with respect to the substrate W means that the polishing pad 232 moves with respect to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. while moving in a straight line toward the front of the substrate W (eg, from the left side of the substrate to the right side with reference to FIG. 9 ). In other words, taking a right triangle composed of the base, the hypotenuse, and the opposite side, for example, the base of the right triangle is defined as the left side of the substrate W, and the hypotenuse of the right triangle is the first oblique path L1 or the second oblique path ( L2), and the opposite side of the right triangle may be defined as the forward movement distance of the polishing pad 232 with respect to the substrate (W).

다시 말해서, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, the polishing pad 232 is repeatedly zigzag-moved (moved along the first oblique path and the second oblique path) with respect to the substrate W at a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 232 as a reciprocating pitch. ) while polishing the substrate W, it is possible to prevent the occurrence of an area in which the polishing by the polishing pad 232 is omitted in the entire surface area of the substrate W, and thus the thickness deviation of the substrate W It is possible to obtain an advantageous effect of improving polishing quality by uniformly controlling the thickness distribution of the substrate W and adjusting the thickness distribution of the substrate W uniformly with respect to the two-dimensional plate surface.

다른 일 예로, 연마패드는 기판의 일변 방향을 따른 제1직선경로(미도시)와, 제1직선경로의 반대 방향인 제2직선경로(미도시)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판의 표면을 연마하는 것도 가능하다. 여기서, 제1직선경로라 함은, 예를 들어 기판의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로라 함은, 제1직선경로와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.As another example, the polishing pad polishes the surface of the substrate while repeatedly zigzagging along a first straight path (not shown) along one side of the substrate and a second straight path (not shown) opposite to the first straight path. Grinding is also possible. Here, the first straight path means, for example, a path along a direction from one end of the lower side of the substrate to the other end. In addition, the second straight path means a path heading in the opposite direction to the first straight path.

또한, 도 3 및 도 10을 참조하면, 연마 파트(200)는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 이송 벨트(210)의 외표면에 돌출되게 구비되는 리테이너(214)를 포함한다.Also, referring to FIGS. 3 and 10 , the polishing part 200 includes a retainer 214 protruding from the outer surface of the transfer belt 210 so as to surround the circumference of the substrate W.

리테이너(214)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(232)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(232)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.The retainer 214 is polished at the edge of the substrate W when the polishing pad 232 of the polishing unit 230 enters the inner area of the substrate W from the outer area of the substrate W during the polishing process. The phenomenon in which the pad 232 rebounds (bouncing) is minimized, and the dead zone at the edge of the substrate W due to the rebound phenomenon of the polishing pad 232 (polishing by the polishing pad) is minimized. area) is provided to minimize.

즉, 기판이 이송 벨트의 외표면에 돌출되게 안착된 상태에서, 기판의 내측 영역(기판의 상면)과 기판의 외측 영역의 경계(기판의 가장자리)에서는 단차가 발생하게 된다. 그런데, 연마 유닛에 의한 기판의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛의 기판의 가장자리를 통과하게 되면 기판의 가장자리에서의 단차에 의해 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하는 문제점이 있다. 특히, 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 상면보다 낮은 높이에 배치되어 있다가 기판의 내측 영역으로 진입하게 되면, 기판의 가장자리에서의 단차(연마 유닛의 저면과 기판의 상면 간의 높이차)에 의해 연마 유닛이 기판에 부딪히며 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하게 된다. 이와 같이, 기판의 가장자리 영역에서 연마 유닛의 리바운드 현상이 발생하게 되면, 기판의 가장자리 영역에서의 연마 균일도가 보장되지 못하고, 심한 경우에는 기판의 가장자리 영역에서 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)이 발생하게 되는 문제점이 있다. 일 예로, 기판의 가장자리로부터 기판의 내측으로 10㎜ 정도 영역에 해당되는 기판의 가장자리 영역이 연마 유닛에 의해 연마되지 못하는 문제점이 있다.That is, in a state where the substrate protrudes from the outer surface of the transfer belt, a step is generated at the boundary between the inner region of the substrate (upper surface of the substrate) and the outer region of the substrate (edge of the substrate). However, when the polishing unit passes through the edge of the substrate while the polishing unit is polishing the substrate, there is a problem in that the polishing unit rebounds from the substrate due to a step at the edge of the substrate. In particular, when the polishing unit is disposed at a height lower than the upper surface of the substrate in the outer region of the substrate and then enters the inner region of the substrate, the step at the edge of the substrate (the height difference between the lower surface of the polishing unit and the upper surface of the substrate) As a result, the polishing unit collides with the substrate and rebounds from the substrate. In this way, when the rebound phenomenon of the polishing unit occurs at the edge region of the substrate, polishing uniformity at the edge region of the substrate is not guaranteed, and in severe cases, a dead zone (dead zone) at the edge region of the substrate There is a problem in that an area where polishing is not performed) occurs. For example, there is a problem in that the edge region of the substrate corresponding to an area about 10 mm from the edge of the substrate to the inside of the substrate is not polished by the polishing unit.

하지만, 기판(W)의 가장자리 주변에 기판(W)과 비슷한 높이를 갖는 리테이너(214)를 마련하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)이 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마 유닛(230)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, by providing a retainer 214 having a height similar to that of the substrate W around the edge of the substrate W, the polishing unit 230 moves the substrate W in the outer region of the substrate W during the polishing process. The rebound phenomenon of the polishing unit 230 according to the height difference between the inner and outer regions of the substrate W while moving to the inner region of the substrate W or moving from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W. can be minimized, and an advantageous effect of minimizing the occurrence of non-polished areas due to the rebound phenomenon can be obtained.

리테이너(214)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(214a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(214a)의 내부에서 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된다.A substrate accommodating portion 214a corresponding to the shape of the substrate W is formed through the retainer 214, and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 210 inside the substrate accommodating portion 214a. .

기판(W)이 기판수용부(214a)에 수용된 상태에서 리테이너(214)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너(214) 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(232)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In a state where the substrate W is accommodated in the substrate accommodating portion 214a, the height of the surface of the retainer 214 is similar to that of the edge of the substrate W. In this way, by making the edge of the substrate W and the outer region (region of the retainer 214) of the substrate W adjacent to the edge of the substrate W have a similar height to each other, the polishing pad during the polishing process 232 moves from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W or moves from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, while moving from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W. It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 232 due to the difference in height between the outer region and the outer region, and an advantageous effect of minimizing the occurrence of non-polishing regions due to the rebound phenomenon can be obtained.

바람직하게, 리테이너(214)는 기판(W)와 같은 두께 범위를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(214)를 기판(W)와 같은 두께 범위를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(232)와 리테이너(214)의 충돌에 의한 리바운드 현상의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the retainer 214 is formed to have the same thickness range as the substrate (W). In this way, by forming the retainer 214 to have the same thickness range as the substrate W, while the polishing pad 232 moves from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W, polishing is performed. An advantageous effect of preventing a rebound phenomenon due to collision between the pad 232 and the retainer 214 can be obtained.

단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 내측에 구비되어 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키도록 마련된다.The step alleviating part 240 is provided inside the substrate accommodating part 214a to alleviate the level difference of the inner wall surface of the substrate accommodating part 214a.

여기서, 단차완화부(240)가 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시킨다 함은, 단차완화부(240)가 기판수용부(214a)의 내벽면에서 리테이너(214)의 상면과 이송벨트(210)의 외표면 간의 높이차에 의한 단차를 완화시키는 것으로 정의된다.Here, the step alleviation unit 240 alleviates the level difference on the inner wall surface of the substrate accommodating unit 214a. It is defined as mitigating the level difference due to the height difference between the outer surfaces of the transfer belt 210.

보다 구체적으로, 단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 외측에서 기판수용부(214a)의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소하도록 형성된다.More specifically, the step reducing portion 240 is formed to gradually decrease in height along a direction from the outside of the substrate accommodating portion 214a to the inside of the substrate accommodating portion 214a.

이와 같이, 기판수용부(214a)의 내측에 단차완화부(240)를 마련하여 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키는 것에 의하여, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질을 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by providing the level difference mitigating part 240 inside the substrate accommodating part 214a to alleviate the level difference of the inner wall surface of the substrate accommodating part 214a, foreign substances remaining inside the retainer 214 are effectively removed. The beneficial effect of elimination can be obtained.

즉, 단차완화부가 배제된 구조에서는 기판수용부의 내벽면이 이송 벨트의 외표면에 수직하게 배치되므로, 기판수용부의 내벽면 최하부에 잔류된 이물질에는 세정 브러쉬가 접근되기 어려워 이송 벨트의 세정이 행해졌음에도 불구하고 리테이너의 내부에 이물질이 잔류하게 되는 문제점이 있다.That is, in the structure in which the step relief unit is excluded, since the inner wall surface of the substrate accommodating unit is disposed perpendicular to the outer surface of the transfer belt, it is difficult for the cleaning brush to approach foreign substances remaining on the lowermost inner wall surface of the substrate accommodating unit, even though the transfer belt is cleaned. However, there is a problem in that foreign substances remain inside the retainer.

하지만, 본 발명은 기판수용부(214a)의 내측에 단차완화부(240)를 마련하는 것에 의하여, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질이 세정 브러쉬(410)가 접촉 가능하도록 기판수용부(214a)의 내벽면으로부터 이격되게 배치될 수 있으므로, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질을 보다 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, by providing the step relief portion 240 inside the substrate accommodating portion 214a, foreign substances remaining inside the retainer 214 can contact the cleaning brush 410 with the substrate accommodating portion ( 214a), an advantageous effect of more effectively removing foreign matter remaining in the retainer 214 can be obtained.

단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 외측에서 기판수용부(214a)의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소되는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The step reducing portion 240 may be formed in various structures in which a height gradually decreases along a direction from the outside of the substrate accommodating portion 214a to the inside of the substrate accommodating portion 214a.

일 예로, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 단차완화부(240,240')는 경사진 단면 형태로 형성된다.For example, referring to FIGS. 2 to 4 , the step relief units 240 and 240 ′ are formed in an inclined cross-sectional shape.

여기서, 단차완화부(240,240')가 경사진 단면 형태로 형성된다 함은, 도 2와 같이, 단차완화부(240)의 경사면이 평면 형태로 형성되거나, 도 4와 같이, 단차완화부(240')의 경사면이 곡면 형태로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 정의된다.Here, the step alleviation units 240 and 240' are formed in an inclined cross-section, as shown in FIG. 2, the inclined surface of the step alleviation unit 240 is formed in a flat shape, or ') is defined as including all that the inclined plane is formed in the form of a curved surface.

보다 구체적으로, 도 2를 참조하면, 단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 내벽면에 밀착되는 제1밀착면(242)과, 이송벨트(210)의 외표면에 밀착되는 제2밀착면(244)과, 제1밀착면(242)과 제2밀착면(244)을 연결하며 기판수용부(214a)의 외측에서 기판수용부(214a)의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소하는 단차완화면(246)을 포함하며, 삼각형 단면 형태를 갖도록 형성된다.More specifically, referring to FIG. 2 , the step reducing unit 240 has a first bonding surface 242 in close contact with the inner wall surface of the substrate receiving unit 214a and a first bonding surface 242 in close contact with the outer surface of the transfer belt 210. The second contact surface 244, the first contact surface 242, and the second contact surface 244 are connected and gradually along the direction from the outside of the substrate accommodating portion 214a to the inside of the substrate accommodating portion 214a. It includes a step relief surface 246 whose height decreases, and is formed to have a triangular cross-sectional shape.

이때, 단차완화면(246)은 평면 또는 곡면 형태로 경사지게 형성되거나, 계단식으로 형성될 수 있다.At this time, the step relief surface 246 may be formed in a flat or curved shape, inclined or stepped.

아울러, 단차완화부(240,240')는 리테이너(214)에 분리 가능하게 결합(예를 들어, 부착 또는 접착)(도 2 참조)되거나, 리테이너(214)에 일체로 형성(도 4 참조)되는 것이 가능하다.In addition, the step relief portions 240 and 240' are detachably coupled (eg, attached or bonded) to the retainer 214 (see FIG. 2) or formed integrally with the retainer 214 (see FIG. 4). possible.

바람직하게, 단차완화부(240,240')는 리테이너의 내벽면을 따라 링 형태를 이루도록 연속적으로 형성된다. 경우에 따라서는 단차완화부를 리테이너의 내벽면에 부분적으로 이격도게 형성하는 것도 가능하다.Preferably, the step relief portions 240 and 240' are continuously formed along the inner wall surface of the retainer to form a ring shape. In some cases, it is also possible to form the step relief part partially spaced apart from the inner wall surface of the retainer.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도 5와 같이, 단차완화부(240")를 계단식 단면 형태로 형성하는 것도 가능하다. 이때, 단차완화부(240")의 계단식 단차 개수 및 단차 크기는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, it is also possible to form the step relief unit 240" in a stepwise cross-section. At this time, the number of stepwise steps and the size of the step of the step relief unit 240" are required. It can be changed in various ways according to the conditions and design specifications.

아울러, 리테이너(214)는 기판(W)이 거치되는 기판거치부(201)의 거치면(예를 들어, 이송벨트의 상면)으로부터 돌출되게 구비되고, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)는 리테이너(214)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.In addition, the retainer 214 is provided to protrude from the surface (for example, the upper surface of the transfer belt) of the substrate holder 201 on which the substrate W is mounted, and the polishing pad 232 of the polishing unit 230 The upper surface of the retainer 214 and the upper surface of the substrate (W) are in contact with each other while passing through the edge of the substrate (W) and polishing the upper surface of the substrate (W).

바람직하게, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(232)의 일부는 리테이너(214)의 상면에 접촉되고, 연마패드(232)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.Preferably, at the polishing start position where the polishing process of the substrate W by the polishing pad 232 of the polishing unit 230 starts, a part of the polishing pad 232 is in contact with the upper surface of the retainer 214, polishing Another part of the pad 232 is disposed in a state of being in contact with the upper surface of the substrate (W).

이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 상면과 리테이너(214)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(232)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, at the polishing start position, polishing is started while the polishing pad 232 of the polishing unit 230 is in contact with the upper surface of the substrate W and the upper surface of the retainer 214 at the same time, so that the polishing unit 230 When the polishing pad 232 of ) passes through the edge of the substrate W, an advantageous effect of suppressing a phenomenon in which the polishing pad 232 rebounds from the substrate W can be obtained.

도 13을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 이송 벨트의 외표면을 세정하는 세정 유닛을 포함한다.Referring to FIG. 13 , the substrate processing apparatus 10 includes a cleaning unit that cleans the outer surface of the transfer belt.

세정 유닛(400)은 이송 벨트(210)를 선택적으로 세정할 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The cleaning unit 400 may be formed in various structures capable of selectively cleaning the transport belt 210 .

바람직하게, 세정 유닛(400)은 기판(W)에 대한 처리 공정을 중단하지 않고, 기판(W)의 처리 공정 중에 이송 벨트(210)의 세정이 함께 이루어지도록 한다. 보다 구체적으로, 세정 유닛(400)은, 연마가 완료된 기판(W)이 이송 벨트(210)로부터 언로딩 파트로 이송된 후, 다른 기판이 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송되기 전에 이송 벨트(210)를 세정하도록 구성된다. 더욱 바람직하게, 세정 유닛(400)은 연마 처리될 기판(W)이 기판수용부(214a)에 수용되기 전에 단차완화부(240)를 세정한다.Preferably, the cleaning unit 400 allows the transfer belt 210 to be cleaned during the processing of the substrate W without stopping the processing of the substrate W. More specifically, the cleaning unit 400 is used to transfer another substrate from the loading part 100 to the transfer belt 210 after the polished substrate W is transferred from the transfer belt 210 to the unloading part. It is configured to clean the transport belt 210 before. More preferably, the cleaning unit 400 cleans the level difference reducing portion 240 before the substrate W to be polished is accommodated in the substrate accommodating portion 214a.

일 예로, 세정 유닛(400)은 단차완화부(240)에 접촉 가능한 세정 브러쉬(410)를 포함한다.For example, the cleaning unit 400 includes a cleaning brush 410 contactable to the level difference reducing unit 240 .

세정 브러쉬(410)로서는 이송 벨트(210)의 외표면에 마찰 접촉 가능한 통상의 소재(예를 들어, 다공성 소재의 폴리 비닐 알코올)로 이루어진 브러쉬가 사용될 수 있다.As the cleaning brush 410, a brush made of a common material capable of frictionally contacting the outer surface of the transfer belt 210 (for example, polyvinyl alcohol of a porous material) may be used.

또한, 세정 브러쉬(410)에 의한 세정이 수행되는 동안에는 세정 브러쉬(410)와 이송 벨트(210)의 마찰 접촉에 의한 세정 효과를 높일 수 있도록, 세정 브러쉬(410)가 이송 벨트(210)에 접촉하는 동안 세정 브러쉬(410)와 이송 벨트(210)의 접촉 부위에 세정액을 공급하는 것도 가능하다.In addition, while cleaning is performed by the cleaning brush 410, the cleaning brush 410 is in contact with the transport belt 210 so as to enhance the cleaning effect by frictional contact between the cleaning brush 410 and the transport belt 210. It is also possible to supply the cleaning liquid to the contact area between the cleaning brush 410 and the conveying belt 210 during cleaning.

또한, 세정 유닛은 이송 벨트(210)의 외표면에 세정 유체를 분사하는 분사노즐(420)을 포함할 수 있다.In addition, the cleaning unit may include a spray nozzle 420 spraying cleaning fluid to the outer surface of the transfer belt 210 .

분사노즐(420)은 단 한가지 종류의 세정 유체(기체 또는 액체)를 분사하거나, 서로 다른 이종 유체를 분사하도록 구성될 수 있으며, 분사노즐(420)에서 분사되는 세정 유체의 종류에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The injection nozzle 420 may be configured to inject only one kind of cleaning fluid (gas or liquid) or inject different types of fluids, and the present invention may be achieved by the type of cleaning fluid injected from the injection nozzle 420 It is not limited or restricted.

경우에 따라서는 분사노즐이 세정 유체를 분사하여 선형 유체 커튼(linear fluid curtain)을 형성하는 것도 가능하다. 여기서, 선형 유체 커튼이라 함은, 선형적으로 형성되는 유체에 의한 막 형태의 커튼을 의미한다.In some cases, it is also possible to form a linear fluid curtain by spraying the cleaning fluid through the spray nozzle. Here, the linear fluid curtain refers to a curtain in the form of a film made of fluid formed linearly.

그리고, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(120)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus 10 has a loading transfer speed at which the loading part 100 transfers the substrate W during the loading transfer process of transferring the substrate W from the loading part 100 to the polishing part 200. and a loading controller 120 that synchronizes the transfer speed of the transfer belt 210 for transferring the substrate W by the transfer belt 210 .

보다 구체적으로, 로딩 제어부(120)는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(210)에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 이송 벨트(210) 이송 속도를 동기화시킨다. 다시 말해서, 감지부(미도시)에서 기판의 일단이 감지되면, 로딩 제어부(120)는 기판(W)의 로딩 이송 속도와 이송 벨트(210) 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit 120 synchronizes the loading transfer speed and the transfer speed of the transfer belt 210 when one end of the substrate W is disposed at a predefined seating start position SP on the transfer belt 210. let it In other words, when one end of the substrate is detected by the sensing unit (not shown), the loading control unit 120 synchronizes the loading transfer speed of the substrate W with the transfer speed of the transfer belt 210 .

여기서, 이송 벨트(210)에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(210)와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(214a)의 일변에 설정될 수 있다.Here, the pre-seating start position SP on the transport belt 210 is defined as a position where the substrate W can start to be transported by the circular rotation of the transport belt 210, and the seating start position SP In , bonding between the transfer belt 210 and the substrate W is provided. For example, the seating start position SP may be set at one side of the substrate receiving portion 214a facing the front end of the substrate W transferred from the loading part 100 .

참고로, 기판수용부(214a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(214a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(210)의 이송이 정지된다.(도 6 참조)For reference, when it is detected that one side of the substrate accommodating portion 214a is located at the seating start position SP, the transfer belt ( 210) is stopped. (See Fig. 6)

그 후, 이송 벨트(210)의 이송이 정지된 상태에서, 감지부(400)에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부(120)는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도를 서로 동시화시켜 기판(W)이 연마 위치로 이송되게 한다.Thereafter, when the transfer belt 210 stops moving and the sensor 400 detects that the front end of the substrate W is disposed at the seating start position SP, the loading control unit 120 loads the substrate W. The substrate W is transferred to the polishing position by synchronizing the loading transfer speed at which the part 100 transfers the substrate W and the transfer speed of the transfer belt 210 at which the transfer belt 210 transfers the substrate W. let it be

언로딩 파트(300)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩하기 위해 마련된다.The unloading part 300 is provided to unload the polishing-processed substrate W from the polishing part 200 .

언로딩 파트(300)는 연마 파트(200)에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part 300 may be formed in various structures capable of unloading the substrate W from the polishing part 200, and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part 300.

일 예로, 도 11 및 도 12를 참조하면, 언로딩 파트(300)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, referring to FIGS. 11 and 12 , the unloading part 300 transfers the substrate W at the same height as the transfer belt 210, but a plurality of unloading transfer rollers disposed spaced apart at predetermined intervals. 310, and the substrate W supplied to the top of the plurality of unloading conveying rollers 310 is mutually cooperative by the plurality of unloading conveying rollers 310 as the unloading conveying rollers 310 rotate. are transferred to In some cases, it is also possible that the unloading part includes a circulating belt circulating and rotating by an unloading conveying roller.

여기서, 언로딩 파트(300)가 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 언로딩 파트(300)가 기판(W)의 휨 변형을 허용하는 높이에 배치되어 기판(W)을 이송하는 것으로 정의된다. 가령, 이송 벨트(210)로부터 기판이 돌출된 상태(기판의 일부가 이송 벨트(210) 외측으로 이송된 상태)에서 기판의 휨 변형을 고려하여 로딩 파트는 이송 벨트(210)보다 약간 낮은 높이(예를 들어, 10㎜ 이내)에 배치될 수 있다. 다만, 기판의 휨 변형이 억제될 수 있다면, 언로딩 파트(300)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일할 수 있다.Here, the fact that the unloading part 300 transfers the substrate W at the same height as the conveying belt 210 means that the unloading part 300 is disposed at a height allowing the bending deformation of the substrate W to It is defined as transporting (W). For example, considering the bending deformation of the substrate in a state in which the substrate protrudes from the transfer belt 210 (a state in which a portion of the substrate is transferred to the outside of the transfer belt 210), the loading part has a height slightly lower than the transfer belt 210 ( For example, within 10 mm). However, if the bending deformation of the substrate can be suppressed, the height at which the substrate W is transferred in the unloading part 300 and the height at which the substrate W is seated and transferred in the transfer belt 210 can be the same. there is.

또한, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩 파트(300)로 이송하는 언로딩 이송 공정 중에, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도와 언로딩 파트(300)가 기판(W)을 이송하는 언로딩 이송 속도를 동기화하는 언로딩 제어부(320)를 포함한다.In addition, in the substrate processing apparatus 10, during an unloading transfer process of transferring the substrate W from the polishing part 200 to the unloading part 300, the transfer belt 210 transfers the substrate W. An unloading controller 320 that synchronizes the conveying speed of the belt 210 and the unloading conveying speed at which the unloading part 300 transfers the substrate W is included.

일 예로, 언로딩 제어부(320)는 기판(W)의 일단이 감지되면, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도와 동일한 속도로 언로딩 이송 속도를 동기화시킨다. 경우에 따라서는, 기판의 일단의 감지 여부와 관계없이, 기판캐리어 이송 속도와 언로딩 이송 속도가 동일하도록 언로딩 이송 롤러를 회전시키고 있는 상태에서 기판캐리어를 이송시켜 기판을 언로딩 파트로 언로딩하는 것도 가능하다.For example, when one end of the substrate (W) is detected, the unloading control unit 320 synchronizes the unloading transfer speed to the same speed as the transfer speed of the transfer belt 210 at which the transfer belt 210 transfers the substrate (W). let it In some cases, regardless of whether one end of the substrate is detected, the substrate is unloaded to the unloading part by transferring the substrate carrier while rotating the unloading transfer roller so that the substrate carrier transfer speed and the unloading transfer speed are the same. It is also possible to do

한편, 이송 벨트(210)는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.Meanwhile, the transport belt 210 moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W in a state in which the polished substrate W is transported over a certain period.

보다 구체적으로, 도 11을 참조하면, 이송 벨트(210)는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(210)가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(기판캐리어가 구동부재의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(210)로부터 분리된다.More specifically, referring to FIG. 11 , the transport belt 210 is configured to circulate and rotate along a predetermined path to transfer the substrate W, and the substrate W moves along the rotational path of the transport belt 210 . As the transfer belt 210 moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W, at the position where the transfer belt 210 starts to move along the curved path along the outer surface of the driving member (a position where the substrate carrier starts to move along the curved path along the outer surface of the driving member), the transfer belt ( 210) is separated.

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210)가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(210)로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, in a state in which the transfer belt 210 for transferring the substrate W has transferred the substrate W over a certain period, the transfer belt 210 is moved in a direction away from the bottom surface of the substrate W. Thus, an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the transfer belt 210 may be obtained without a separate pick-up process (for example, a pick-up process using a substrate adsorption device).

경우에 따라서는, 이동부재가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판캐리어를 이송하는 것도 가능하다.(미도시) 여기서, 이동부재가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이동부재가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.In some cases, the moving member is wound from one direction to the other, and it is also possible to transfer the substrate carrier (not shown). Here, the moving member is wound from one direction to the other direction. In the reel-to-reel winding method of a normal cassette tape (winding on the first reel and then winding on the second reel in the opposite direction), moving (winding) along the open-loop movement trajectory is defined

이송 벨트(210)가 릴 투 릴 권취 방식으로 이동하는 경우에도, 기판은 이송 벨트(210)의 이동 경로가 꺽여지는 위치(예를 들어, 이송 벨트(210)가 구동부재의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(210)가 기판의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(210)로부터 분리된다.Even when the conveying belt 210 moves in a reel-to-reel winding method, the substrate is placed at a position where the moving path of the conveying belt 210 is bent (for example, the conveying belt 210 is along the outer surface of the driving member). At the position at which it begins to move along the curved path), the conveyor belt 210 is separated from the conveyor belt 210 as it moves in a direction away from the bottom surface of the substrate.

이와 같이, 본 발명은 로딩 파트(100)에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(210)로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(210) 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, in the present invention, the polishing process for the substrate W is performed in a state in which the substrate W supplied to the loading part 100 is directly transferred to the conveying belt 210 that circulates and rotates, and the substrate W is By directly transferring the substrate W to the unloading part 300 on the transfer belt 210, an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time can be obtained.

즉, 기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.That is, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part in the past, after picking up the substrate from the loading part using a separate pick-up device (for example, a substrate adsorption device), the substrate is lowered onto the polishing part again. Since it had to be placed, there is a problem in that the processing time increases to the extent that the time required to load the substrate takes several seconds to several tens of seconds. Moreover, conventionally, in order to unload the polished substrate to the unloading part, a separate pick-up device (eg, substrate adsorption device) is used to pick up the substrate from the polishing part, and then the substrate is returned to the unloading part. Since it had to be put down, there is a problem in that the processing time increases to the extent that the time required to unload the substrate takes several seconds to several tens of seconds.

하지만, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(210)를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention excludes a separate pick-up process when loading and unloading the substrate (W), and processes the substrate (W) in an in-line manner using the conveying belt 210 that rotates and circulates, so that the substrate ( Advantageous effects of simplifying the loading time and unloading process of W) and shortening the time required for loading and unloading the substrate W can be obtained.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, in the present invention, since there is no need to provide a pick-up device for picking up the substrate (W) during loading and unloading of the substrate (W), equipment and facilities can be simplified, and advantageous effects of improving space utilization are achieved. can be obtained.

한편, 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIG. 14 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are given to the same or equivalent parts as the above-described configuration, and a detailed description thereof will be omitted.

전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 단일층으로 이루어진 리테이너에 단차완화부가 마련된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 서로 다른 사이즈의 기판수용부가 형성된 복수개의 리테이너를 적층하여 단차완화부를 형성하는 것도 가능하다.In the above and illustrated embodiments of the present invention, an example in which a step relief unit is provided in a retainer made of a single layer is described, but in some cases, a plurality of retainers having substrate receiving units of different sizes are stacked to form a step relief unit It is also possible.

도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 기판이 수용되는 제1기판수용부(215a)가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 배치되는 제1리테이너층(215)과, 제1기판수용부(215a)보다 확장된 제2기판수용부(216a)가 형성되며 제1리테이너층(215)의 외부에 적층되는 제2리테이너층(216)을 구비하는 리테이너(214')를 포함하고, 제1기판수용부(215a)의 제1내벽면과 제2기판수용부(216a)의 제2내벽면은 상호 협조적으로 점진적으로 높이가 감소는 단차완화부(240)를 형성한다.Referring to FIG. 14 , a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a transfer belt 210 provided to be movable along a predetermined path and on which a substrate W is seated on an outer surface, and a substrate in which the substrate is accommodated. A first substrate accommodating portion 215a is formed, a first retainer layer 215 disposed to surround the circumference of the substrate, and a second substrate accommodating portion 216a extending beyond the first substrate accommodating portion 215a are formed. A retainer 214' including a second retainer layer 216 laminated on the outside of the first retainer layer 215, the first inner wall surface of the first substrate accommodating portion 215a and the second substrate accommodating portion The second inner wall surface of (216a) forms a stepped relief portion 240 whose height gradually decreases in a mutually cooperative manner.

참고로, 본 발명의 실시예에서는 리테이너(214')이 2개의 리테이너층을 적층하여 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 3개 이상의 리테이너층을 적층하여 리테이너를 형성하는 것도 가능하다.For reference, in the embodiment of the present invention, an example in which the retainer 214 ′ is formed by stacking two retainer layers has been described, but in some cases, it is possible to form a retainer by stacking three or more retainer layers.

제1기판수용부(215a)의 제1내벽면과 제2기판수용부(216a)의 제2내벽면은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 단차완화부(240)를 형성 가능한 다양한 형태로 형성될 수 있다.The first inner wall surface of the first substrate accommodating portion 215a and the second inner wall surface of the second substrate accommodating portion 216a may be formed in various shapes capable of forming the step relief portion 240 according to required conditions and design specifications. can

일 예로, 제1기판수용부(215a)의 제1내벽면과 제2기판수용부(216a)의 제2내벽면은 이송 벨트(210)의 외표면에 수직하게 형성되고, 제1내벽면과 제2내벽면으로 형성된 단차완화부(240)는 계단식 단면 형태를 이루게 된다.For example, the first inner wall surface of the first substrate accommodating portion 215a and the second inner wall surface of the second substrate accommodating portion 216a are perpendicular to the outer surface of the transfer belt 210, and the first inner wall surface and The step relief portion 240 formed of the second inner wall surface has a stepped cross-sectional shape.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1내벽면과 상기 제2내벽면을 기판수용부의 외측에서 기판수용부의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소하는 경사진 형태로 형성하는 것도 가능하다.(미도시)According to another embodiment of the present invention, it is also possible to form the first inner wall surface and the second inner wall surface in an inclined shape in which the height gradually decreases along a direction from the outside of the substrate accommodating portion toward the inside of the substrate accommodating portion. (not shown)

아울러, 제1리테이너층(215)과 제2리테이너층(216)의 두께 및 제1기판수용부(215a)와 제2기판수용부(216a)의 사이즈는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이들 조건을 변경하여 단차완화부(240)의 단차 정도를 조절할 수 있다.In addition, the thicknesses of the first retainer layer 215 and the second retainer layer 216 and the sizes of the first substrate accommodating portion 215a and the second substrate accommodating portion 216a may vary according to required conditions and design specifications. It may be changed, and the level difference of the step difference alleviating unit 240 may be adjusted by changing these conditions.

또한, 제1리테이너층(215)과 제2리테이너층(216)은 선택적으로 분리 가능하게 결합될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면 제1리테이너층과 제2리테이너층이 일체로 형성되는 것도 가능하다.In addition, the first retainer layer 215 and the second retainer layer 216 may be selectively and separably coupled. According to another embodiment of the present invention, it is also possible that the first retainer layer and the second retainer layer are integrally formed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although it has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be changed.

10 : 기판 처리 장치 100 : 로딩 파트
110 : 로딩 이송 롤러 120 : 로딩 제어부
200 : 연마 파트 201 : 기판거치부
210 : 이송 벨트 212 : 롤러 유닛
212a : 제1롤러 212b : 제2롤러
214 : 리테이너 214a : 기판수용부
220 : 기판지지부 221 : 지지플레이트
230 : 연마 유닛 231 : 캐리어 헤드
232 : 연마패드 240,240',240" : 단차완화부
300 : 언로딩 파트 310 : 언로딩 이송 롤러
320 : 언로딩 제어부 400 : 세정 유닛
410 : 세정 브러쉬 420 : 분사노즐
10: substrate processing device 100: loading part
110: loading conveying roller 120: loading control unit
200: polishing part 201: substrate holder
210: conveying belt 212: roller unit
212a: first roller 212b: second roller
214: retainer 214a: substrate receiving unit
220: substrate support 221: support plate
230: polishing unit 231: carrier head
232: polishing pad 240, 240', 240": step relief unit
300: unloading part 310: unloading transfer roller
320: unloading control unit 400: cleaning unit
410: cleaning brush 420: injection nozzle

Claims (28)

기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
무한 루프 형태으로 정해진 경로를 따라 순환 회전하고, 외표면에 기판이 안착되는 이송 벨트와;
상기 이송 벨트의 외표면에 안착된 상기 기판의 둘레를 감싸는 형태로 상기 외표면에 적층 배치되어, 상기 기판이 수용되는 기판수용부를 형성하는 리테이너와;
상기 리테이너의 내벽면을 따라 내측을 향하여 점진적으로 높이가 감소하는 경사진 경사면이 상기 기판의 둘레를 감싸는 형태로 연속적으로 형성된 단차 완화부와;
상기 이송 벨트의 순환 회전에 의해 상기 기판 수용부가 상방을 향하는 위치에서 상기 기판 수용부에 수용된 상기 기판에 대한 연마 공정을 행하는 연마 유닛과;
상기 이송 벨트의 순환 회전에 의해 상기 기판 수용부가 하방을 향하는 위치에서, 상기 이송 벨트의 외표면에 세정 유체를 분사하는 분사 노즐과;
상기 이송 벨트의 순환 회전에 의해 상기 기판 수용부가 하방을 향하는 위치에 위치하면, 회전하면서 상기 단차 완화부에 접촉하면서 상기 이송 벨트를 접촉 세정하는 세정 브러쉬를;
포함하여 구성되어, 연마 공정이 행해질 상기 기판이 상기 기판수용부에 수용되기 이전에 상기 단차완화부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a polishing process of a substrate is performed,
a conveying belt that circulates along a predetermined path in an infinite loop, and a substrate is seated on an outer surface;
a retainer stacked on the outer surface of the transfer belt in a manner surrounding the substrate seated on the outer surface of the transfer belt and forming a substrate accommodating portion in which the substrate is accommodated;
a step alleviation part continuously formed in a form in which an inclined surface gradually decreasing in height along an inner wall surface of the retainer surrounds a circumference of the substrate;
a polishing unit which performs a polishing process on the substrate accommodated in the substrate accommodating portion at a position in which the substrate accommodating portion faces upward by circulating rotation of the transfer belt;
a spray nozzle for spraying a cleaning fluid to an outer surface of the transfer belt at a position where the substrate accommodating part faces downward due to the circular rotation of the transfer belt;
a cleaning brush contacting and cleaning the conveying belt while contacting the step alleviating part while rotating when the substrate accommodating part is located in a downward position due to the circular rotation of the conveying belt;
The substrate processing apparatus comprising: cleaning the step relief portion before the substrate to be subjected to a polishing process is accommodated in the substrate accommodating portion.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020180105799A 2018-09-05 2018-09-05 Substrate processing apparatus KR102564113B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180105799A KR102564113B1 (en) 2018-09-05 2018-09-05 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180105799A KR102564113B1 (en) 2018-09-05 2018-09-05 Substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200027687A KR20200027687A (en) 2020-03-13
KR102564113B1 true KR102564113B1 (en) 2023-08-07

Family

ID=69938425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180105799A KR102564113B1 (en) 2018-09-05 2018-09-05 Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102564113B1 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6018404B2 (en) * 2012-04-25 2016-11-02 株式会社荏原製作所 Substrate processing equipment
KR101557525B1 (en) * 2012-05-11 2015-10-06 주식회사 엘지화학 Apparatus for forming flatness of glass substrate using the same
KR20180011693A (en) * 2016-07-25 2018-02-02 주식회사 케이씨텍 Substrate transfering apparatus and substrate processing system having the same
KR20180075248A (en) * 2016-12-26 2018-07-04 주식회사 케이씨텍 Substrate procesing apparatus
KR20180083099A (en) * 2017-01-12 2018-07-20 주식회사 케이씨텍 Substrate procesing apparatus and control method thereof
KR20180096083A (en) * 2017-02-20 2018-08-29 주식회사 케이씨텍 Substrate procesing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200027687A (en) 2020-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102474519B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102525738B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102506047B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR102503611B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR102461592B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR102564113B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102461594B1 (en) Substrate procesing apparatus and transfer belt using the same
KR102532246B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR102572118B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20190054650A (en) Substrate procesing apparatus
KR102583017B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102589149B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102528070B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102503624B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR102144846B1 (en) Substrate processing apparatus and retainer using the same
KR102507755B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102517489B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20190092758A (en) Substrate processing apparatus
KR102564114B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102500575B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102597763B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102493013B1 (en) Substrate procesing apparatus and transfer belt using the same
KR20200025487A (en) Substrate processing apparatus
KR102493011B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR102506050B1 (en) Substrate procesing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant