KR102564113B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판이 안착되는 이송 벨트와, 기판이 수용되는 기판수용부가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 배치되는 리테이너와, 기판수용부의 내측에 마련되며 기판수용부의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, which is provided to be movable along a predetermined path and includes a transfer belt on which a substrate is seated on an outer surface, a retainer having a substrate accommodating portion formed therein and disposed to surround the circumference of the substrate, and , It is provided on the inside of the substrate accommodating unit and includes a level difference alleviating unit for alleviating the level difference on the inner wall surface of the substrate accommodating unit.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of increasing substrate processing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, interest in information display has increased and the demand for using portable information media has increased. Research and commercialization are being focused on.
이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of such a flat panel display, until now, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes less power, has been the most popular display device, but a liquid crystal display is not a light emitting device but a light receiving device, Since there are disadvantages such as ratio and viewing angle, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among them, as one of the next-generation displays that have recently been spotlighted, there is an organic light emitting display (OLED).
일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display device, but since recent display devices are oriented towards slimness and high-pixel, a glass substrate corresponding to this needs to be prepared.
일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the ELA (Eximer Laser Annealing) process in which a laser is injected into amorphous silicon (a-Si) to crystallize it into poly-Si, protrusions may occur on the surface while poly-silicon is crystallized. Since these protrusions can cause mura-effects, the glass substrate must be polished to remove the protrusions.
이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, recently, various studies have been made to efficiently polish the surface of the substrate, but it is still insufficient, and development thereof is required.
본 발명은 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing substrate processing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity.
특히, 본 발명은 이송 벨트의 세정 효율을 높이고, 이물질의 잔류를 최소화할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, an object of the present invention is to increase the cleaning efficiency of the conveying belt and to minimize the residual of foreign substances.
또한, 본 발명은 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve productivity and yield.
또한, 본 발명은 기판을 연속적으로 공급하여 처리할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to continuously supply and process a substrate.
또한, 본 발명은 설비를 간소화할 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to simplify equipment and reduce manufacturing costs.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판이 안착되는 이송 벨트와, 기판이 수용되는 기판수용부가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 배치되는 리테이너와, 기판수용부의 내측에 마련되며 기판수용부의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above-described objects of the present invention, a transfer belt provided to be movable along a predetermined path and having a substrate seated on an outer surface, and a substrate receiving portion in which the substrate is accommodated are formed, Provided is a substrate processing apparatus including a retainer arranged to surround a circumference, and a step relief portion provided inside the substrate accommodating portion and mitigating a step difference on an inner wall surface of the substrate accommodating portion.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, advantageous effects of increasing substrate processing efficiency and improving polishing stability and polishing uniformity can be obtained.
특히, 본 발명에 따르면 이송 벨트의 세정 효율을 높이고, 이물질의 잔류를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, it is possible to obtain advantageous effects of increasing the cleaning efficiency of the transfer belt and minimizing the residual of foreign substances.
또한, 본 발명에 따르면, 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, advantageous effects of shortening the time required to process the substrate and improving productivity and yield can be obtained.
또한, 본 발명에 따르면, 기판을 연속적으로 공급하여 처리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of continuously supplying and processing a substrate can be obtained.
또한, 본 발명에 따르면, 설비를 간소화하고, 제조 비용을 절감할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to simplify equipment, reduce manufacturing costs, and obtain advantageous effects of improving space utilization.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부를 설명하기 위한 도면,
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 유닛을 설명하기 위한 도면,
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a perspective view for explaining a polishing part;
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a step relief unit;
4 and 5 are a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining another embodiment of the step relief unit;
6 to 8 are substrate processing apparatus according to the present invention, views for explaining the loading process of the substrate;
9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit;
10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer;
11 and 12 are a substrate processing apparatus according to the present invention, a diagram for explaining a substrate unloading process;
13 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a cleaning unit;
14 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and descriptions may be made by citing contents described in other drawings under these rules, and contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated contents may be omitted.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부를 설명하기 위한 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 단차완화부의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이며, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 13은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 유닛을 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a perspective view for explaining a polishing part. In addition, FIG. 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a view for explaining a level difference mitigating unit, and FIGS. . 6 to 8 are substrate processing apparatus according to the present invention, which are views for explaining a substrate loading process, and FIG. 9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit. 10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a retainer. Further, FIGS. 11 and 12 are views for explaining a substrate unloading process as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 13 is a view for explaining a cleaning unit as a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 1 내지 도 19를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 기판(W)이 수용되는 기판수용부(214a)가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 이송 벨트(210)에 적층 배치된 리테이너(214)와, 기판수용부(214a)의 내측에 마련되며 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부(240)를 포함한다.1 to 19, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a
이는, 이송 벨트에 잔류하는 이물질(예를 들어, 슬러리)에 의한 연마 균일도 저하를 최소화하고,기판의 배치 상태를 안정적으로 유지하기 위함이다.This is to minimize a decrease in polishing uniformity due to foreign substances (eg, slurry) remaining on the transfer belt and to stably maintain the arrangement of the substrate.
즉, 기판에 대한 화학 기계적 연마 공정 중에는 슬러리가 사용되고, 기판으로부터 흘러내린 슬러리 등의 이물질이 이송 벨트의 외표면에 잔류될 수 있다. 이와 같이, 이송 벨트의 외표면에 이물질이 잔류된 상태에서 기판에 대한 연마 공정이 행해지면, 기판과 이송 벨트의 사이에 잔류하는 이물질의 두께만큼 이물질이 위치한 기판 부위가 국부적으로 돌출되므로 기판의 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 더욱이, 기판의 연마 공정 중에 기판의 배치 상태를 안정적으로 유지하기 위해서는, 이송 벨트에 대한 기판의 이동이 억제될 수 있어야 하나, 이송 벨트의 외표면에 이물질이 잔류하게 되면, 기판과 이송 벨트의 사이에 잔류하는 이물질에 의하여, 이송 벨트에 대한 기판의 이동(슬립)이 억제되기 어려운 문제점이 있다.That is, slurry is used during the chemical mechanical polishing process for the substrate, and foreign substances such as the slurry flowing down from the substrate may remain on the outer surface of the transfer belt. As such, if the polishing process for the substrate is performed in a state where foreign matter remains on the outer surface of the transfer belt, the substrate portion where the foreign matter is located protrudes locally by the thickness of the foreign matter remaining between the substrate and the transfer belt, so that the polishing of the substrate There is a problem that the uniformity is lowered. Furthermore, in order to stably maintain the arrangement of the substrate during the substrate polishing process, the movement of the substrate relative to the transfer belt must be suppressed, but if foreign substances remain on the outer surface of the transfer belt, the gap between the substrate and the transfer belt is reduced. There is a problem in that the movement (slip) of the substrate with respect to the transfer belt is difficult to be suppressed by foreign substances remaining on the substrate.
특히, 이송 벨트의 외표면에는 연마 유닛이 기판의 가장자리를 통과하는 중에 리바운드 현상을 억제하기 위한 리테이너가 기판 주변을 감싸도록 돌출되게 마련되는데, 리테이너에 형성된 기판수용부의 내벽면 최하부에 잔류된 이물질에는 세정브러쉬가 접근되기 어려우므로, 이송 벨트의 세정이 행해졌음에도 불구하고 리테이너의 내부에 이물질이 잔류하게 되는 문제점이 있다.In particular, on the outer surface of the transfer belt, a retainer for suppressing the rebound phenomenon while the polishing unit passes the edge of the substrate protrudes to wrap around the substrate. Since the cleaning brush is difficult to access, there is a problem that foreign substances remain inside the retainer even though cleaning of the conveying belt is performed.
하지만, 본 발명은, 연마 처리될 기판(W)이 이송 벨트(210)이 안착되기 전에 이송 벨트(210)가 미리 세정되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)에 잔류된 이물질에 의한 연마 효율 및 연마 균일도 저하를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the
무엇보다도 본 발명은, 리테이너(214)에 형성된 기판수용부(214a)의 내측에 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키는 단차완화부(240)를 마련하는 것에 의하여, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질이 회전하는 세정 브러쉬(410)에 접촉 가능하도록 기판수용부(214a)의 내벽면으로부터 이격되게 배치될 수 있으므로, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질을 보다 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, the present invention provides the
이송 벨트(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트(100)에 공급된 기판(W)은 이송 벨트(210)로 이송되어 이송 벨트(210)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The
로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 이송 벨트(210)에 로딩하기 위해 마련된다.The
로딩 파트(100)는 이송 벨트(210)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The
일 예로, 로딩 파트(100)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하도록 마련되되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러(110)에 의해 상호 협조적으로 이송된다.For example, the
여기서, 로딩 파트(100)가 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 로딩 파트(100)가 기판(W)의 휨 변형을 허용하는 높이에 배치되어 기판(W)을 이송하는 것으로 정의된다. 가령, 로딩 파트에서 기판이 돌출된 상태(최외각에 배치된 로딩 이송 롤러를 벗어나도록 기판이 이송된 상태)에서 기판 휨 변형을 고려하여 로딩 파트는 이송 벨트(210)보다 약간 높은 높이(예를 들어, 10㎜ 이내)에 배치될 수 있다. 다만, 기판의 휨 변형이 억제될 수 있다면, 로딩 파트(100)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일할 수 있다.Here, the
아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the
참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 다르게는 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate (W) used in the present invention, a rectangular substrate (W) having a length of one side greater than 1 m may be used. For example, as the processing target substrate W on which the chemical mechanical polishing process is performed, a 6th generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use 7th and 8th generation glass substrates as substrates to be processed. Alternatively, it is also possible that a substrate (for example, a second-generation glass substrate) having a side length of less than 1 m is used.
이송 벨트(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트(200)를 구성하도록 마련된다.The
연마 파트(200)는 이송 벨트(210)를 포함하여 기판(W)을 연마할 수 있는 다양한 구조로 구성될 수 있으며, 연마 파트(200)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 연마 파트(200)는, 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 이송 벨트(210)를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(220)와, 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(230)을 포함한다.The
참고로, 본 발명에서 연마 유닛(230)이 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트(200)에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다.For reference, in the present invention, polishing the substrate W by the polishing
이송 벨트(210)는 로딩 파트(100)에 인접하게 배치되며, 정해진 경로를 따라 무한 루프 방식으로 순환 회전하도록 구성된다. 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송된다.The conveying
보다 구체적으로, 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태로 연마 위치(기판지지부의 상부 위치)로 이송될 수 있다. 또한, 연마가 완료된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 연마 위치에서 언로딩 파트(300) 측으로 이송될 수 있다.More specifically, the substrate W transferred from the
이송 벨트(210)의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(210)는 롤러 유닛(212)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(210)에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circulation rotation of the
이송 벨트(210)의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(212)은 제1롤러(212a)와, 제1롤러(212a)로부터 수평하게 이격되게 배치되는 제2롤러(212b)를 포함하며, 이송 벨트(210)는 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.A moving path (eg, a circulation path) of the
참고로, 이송 벨트(210)의 외표면이라 함은, 이송 벨트(210)의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(210)의 내표면이라 함은, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)가 접촉되는 이송 벨트(210)의 내측 표면을 의미한다.For reference, the outer surface of the
또한, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(212a)는 고정되는 제2롤러(212b)는 제1롤러(212a)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(212a)에 대해 제2롤러(212b)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the
여기서, 이송 벨트(210)의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(210)를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the
또한, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(도 10의 210a 참조)도 구비될 수 있다. 즉, 표면패드(210a)는 기판(W)이 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서, 이송 벨트(210)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지시킬 수 있게 한다.In addition, a surface pad (see 210a in FIG. 10 ) may be provided on the outer surface of the
표면패드(210a)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(210a)는 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄 또는 실리콘으로 형성된다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질, 예를 들어, 논슬립 기능을 갖는 엔지니어링 플라스틱으로 형성하는 것도 가능하다.The
더욱이, 신축성을 갖는 표면패드(210a)를 이송 벨트(210)의 외표면에 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 이송 벨트(210)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 이물질이 위치한 부분에서 표면패드가 눌려질 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 해소할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, by forming the
기판지지부(220)는 이송 벨트(210)를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The
보다 구체적으로, 기판지지부(220)는 기판(W)의 저면을 마주하도록 이송 벨트(210)의 하부에 배치되며, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.More specifically, the
기판지지부(220)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 기판지지부(220)로서는 석정반이 사용될 수 있으며, 기판지지부(220)는 이송 벨트(210)의 내표면에 밀착되게 배치되어, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.The
이와 같이, 기판지지부(220)가 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 자중 및 연마 유닛(230)이 기판(W)을 가압함에 따른 이송 벨트(210)의 처짐을 방지할 수 있다.In this way, by allowing the
이하에서는 기판지지부(220)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부에 의해 기판캐리어의 내면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the
한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(220)가 접촉 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 기판캐리어의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다. 일 예로, 기판지지부는 기판캐리어의 내표면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판캐리어의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다.(미도시)Meanwhile, in the embodiments of the present invention described above and illustrated, an example in which the
이때, 기판지지부는 기판캐리어의 내표면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In this case, the substrate support unit may inject at least one of gas (eg, air) and liquid (eg, pure water) onto the inner surface of the substrate carrier, and the type of fluid may be determined according to required conditions and design specifications. It can be changed in various ways.
이와 같이, 기판캐리어의 내표면을 비접촉 상태로 지지하는 것에 의하여, 마찰 저항(기판캐리어의 이동(회전)을 방해하는 인자)에 의한 처리 효율 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판캐리어의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In this way, by supporting the inner surface of the substrate carrier in a non-contact state, an advantageous effect of minimizing the decrease in processing efficiency due to frictional resistance (a factor that hinders the movement (rotation) of the substrate carrier) can be obtained. According to another embodiment of the present invention, it is also possible to configure the substrate support unit to support the inner surface of the substrate carrier in a non-contact manner using magnetic force (eg, repulsive force) or levitation force by ultrasonic vibration.
연마 유닛(230)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing
일 예로, 연마 유닛(230)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(232)를 포함한다.For example, the polishing
보다 구체적으로, 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, it is mounted on a polishing pad carrier (not shown) and linearly polishes (flattens) the surface of the substrate (W) while rotating in a state of being in contact with the surface of the substrate (W).
연마패드 캐리어는 연마패드(232)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(232)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier may be formed in various structures capable of rotating the
연마패드(232)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(232)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(232)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The
바람직하게 연마패드(232)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하게 되면, 연마패드(232)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다.Preferably, a
실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(232)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, since the length of at least one side of the substrate W has a size greater than 1 m, rotating a polishing pad having a size greater than that of the substrate W (eg, a polishing pad having a diameter greater than 1 m) There is a problem in itself that is very difficult. In addition, when a non-circular polishing pad (eg, a rectangular polishing pad) is used, the entire surface of the substrate W polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness. However, the present invention, by rotating the
이때, 연마 유닛(230)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the polishing path of the
일 예로, 도 9를 참조하면, 연마패드(232)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.For example, referring to FIG. 9 , the
여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 좌변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first oblique path L1 means a path inclined at a predetermined angle θ with respect to the left side of the substrate W, for example. In addition, the second oblique path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first oblique path L1 so as to intersect the first oblique path L1.
또한, 본 발명에서 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(232)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.Further, in the present invention, the repetitive zigzag movement of the
보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are axisymmetric with respect to one side of the substrate W, and the
바람직하게, 연마패드(232)는, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.Preferably, the
이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the surface of the substrate W is polished while the
여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 9를 기준으로 기판의 좌변에서 우변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 좌변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.Here, the forward movement of the
다시 말해서, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, the
다른 일 예로, 연마패드는 기판의 일변 방향을 따른 제1직선경로(미도시)와, 제1직선경로의 반대 방향인 제2직선경로(미도시)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판의 표면을 연마하는 것도 가능하다. 여기서, 제1직선경로라 함은, 예를 들어 기판의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로라 함은, 제1직선경로와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.As another example, the polishing pad polishes the surface of the substrate while repeatedly zigzagging along a first straight path (not shown) along one side of the substrate and a second straight path (not shown) opposite to the first straight path. Grinding is also possible. Here, the first straight path means, for example, a path along a direction from one end of the lower side of the substrate to the other end. In addition, the second straight path means a path heading in the opposite direction to the first straight path.
또한, 도 3 및 도 10을 참조하면, 연마 파트(200)는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 이송 벨트(210)의 외표면에 돌출되게 구비되는 리테이너(214)를 포함한다.Also, referring to FIGS. 3 and 10 , the polishing
리테이너(214)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(232)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(232)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.The
즉, 기판이 이송 벨트의 외표면에 돌출되게 안착된 상태에서, 기판의 내측 영역(기판의 상면)과 기판의 외측 영역의 경계(기판의 가장자리)에서는 단차가 발생하게 된다. 그런데, 연마 유닛에 의한 기판의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛의 기판의 가장자리를 통과하게 되면 기판의 가장자리에서의 단차에 의해 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하는 문제점이 있다. 특히, 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 상면보다 낮은 높이에 배치되어 있다가 기판의 내측 영역으로 진입하게 되면, 기판의 가장자리에서의 단차(연마 유닛의 저면과 기판의 상면 간의 높이차)에 의해 연마 유닛이 기판에 부딪히며 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하게 된다. 이와 같이, 기판의 가장자리 영역에서 연마 유닛의 리바운드 현상이 발생하게 되면, 기판의 가장자리 영역에서의 연마 균일도가 보장되지 못하고, 심한 경우에는 기판의 가장자리 영역에서 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)이 발생하게 되는 문제점이 있다. 일 예로, 기판의 가장자리로부터 기판의 내측으로 10㎜ 정도 영역에 해당되는 기판의 가장자리 영역이 연마 유닛에 의해 연마되지 못하는 문제점이 있다.That is, in a state where the substrate protrudes from the outer surface of the transfer belt, a step is generated at the boundary between the inner region of the substrate (upper surface of the substrate) and the outer region of the substrate (edge of the substrate). However, when the polishing unit passes through the edge of the substrate while the polishing unit is polishing the substrate, there is a problem in that the polishing unit rebounds from the substrate due to a step at the edge of the substrate. In particular, when the polishing unit is disposed at a height lower than the upper surface of the substrate in the outer region of the substrate and then enters the inner region of the substrate, the step at the edge of the substrate (the height difference between the lower surface of the polishing unit and the upper surface of the substrate) As a result, the polishing unit collides with the substrate and rebounds from the substrate. In this way, when the rebound phenomenon of the polishing unit occurs at the edge region of the substrate, polishing uniformity at the edge region of the substrate is not guaranteed, and in severe cases, a dead zone (dead zone) at the edge region of the substrate There is a problem in that an area where polishing is not performed) occurs. For example, there is a problem in that the edge region of the substrate corresponding to an area about 10 mm from the edge of the substrate to the inside of the substrate is not polished by the polishing unit.
하지만, 기판(W)의 가장자리 주변에 기판(W)과 비슷한 높이를 갖는 리테이너(214)를 마련하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)이 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마 유닛(230)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, by providing a
리테이너(214)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(214a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(214a)의 내부에서 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된다.A
기판(W)이 기판수용부(214a)에 수용된 상태에서 리테이너(214)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너(214) 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(232)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In a state where the substrate W is accommodated in the
바람직하게, 리테이너(214)는 기판(W)와 같은 두께 범위를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(214)를 기판(W)와 같은 두께 범위를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(232)와 리테이너(214)의 충돌에 의한 리바운드 현상의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the
단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 내측에 구비되어 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키도록 마련된다.The
여기서, 단차완화부(240)가 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시킨다 함은, 단차완화부(240)가 기판수용부(214a)의 내벽면에서 리테이너(214)의 상면과 이송벨트(210)의 외표면 간의 높이차에 의한 단차를 완화시키는 것으로 정의된다.Here, the
보다 구체적으로, 단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 외측에서 기판수용부(214a)의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소하도록 형성된다.More specifically, the
이와 같이, 기판수용부(214a)의 내측에 단차완화부(240)를 마련하여 기판수용부(214a)의 내벽면의 단차를 완화시키는 것에 의하여, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질을 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by providing the level
즉, 단차완화부가 배제된 구조에서는 기판수용부의 내벽면이 이송 벨트의 외표면에 수직하게 배치되므로, 기판수용부의 내벽면 최하부에 잔류된 이물질에는 세정 브러쉬가 접근되기 어려워 이송 벨트의 세정이 행해졌음에도 불구하고 리테이너의 내부에 이물질이 잔류하게 되는 문제점이 있다.That is, in the structure in which the step relief unit is excluded, since the inner wall surface of the substrate accommodating unit is disposed perpendicular to the outer surface of the transfer belt, it is difficult for the cleaning brush to approach foreign substances remaining on the lowermost inner wall surface of the substrate accommodating unit, even though the transfer belt is cleaned. However, there is a problem in that foreign substances remain inside the retainer.
하지만, 본 발명은 기판수용부(214a)의 내측에 단차완화부(240)를 마련하는 것에 의하여, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질이 세정 브러쉬(410)가 접촉 가능하도록 기판수용부(214a)의 내벽면으로부터 이격되게 배치될 수 있으므로, 리테이너(214)의 내부에 잔류하는 이물질을 보다 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, by providing the
단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 외측에서 기판수용부(214a)의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소되는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The
일 예로, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 단차완화부(240,240')는 경사진 단면 형태로 형성된다.For example, referring to FIGS. 2 to 4 , the
여기서, 단차완화부(240,240')가 경사진 단면 형태로 형성된다 함은, 도 2와 같이, 단차완화부(240)의 경사면이 평면 형태로 형성되거나, 도 4와 같이, 단차완화부(240')의 경사면이 곡면 형태로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 정의된다.Here, the
보다 구체적으로, 도 2를 참조하면, 단차완화부(240)는 기판수용부(214a)의 내벽면에 밀착되는 제1밀착면(242)과, 이송벨트(210)의 외표면에 밀착되는 제2밀착면(244)과, 제1밀착면(242)과 제2밀착면(244)을 연결하며 기판수용부(214a)의 외측에서 기판수용부(214a)의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소하는 단차완화면(246)을 포함하며, 삼각형 단면 형태를 갖도록 형성된다.More specifically, referring to FIG. 2 , the
이때, 단차완화면(246)은 평면 또는 곡면 형태로 경사지게 형성되거나, 계단식으로 형성될 수 있다.At this time, the
아울러, 단차완화부(240,240')는 리테이너(214)에 분리 가능하게 결합(예를 들어, 부착 또는 접착)(도 2 참조)되거나, 리테이너(214)에 일체로 형성(도 4 참조)되는 것이 가능하다.In addition, the
바람직하게, 단차완화부(240,240')는 리테이너의 내벽면을 따라 링 형태를 이루도록 연속적으로 형성된다. 경우에 따라서는 단차완화부를 리테이너의 내벽면에 부분적으로 이격도게 형성하는 것도 가능하다.Preferably, the
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도 5와 같이, 단차완화부(240")를 계단식 단면 형태로 형성하는 것도 가능하다. 이때, 단차완화부(240")의 계단식 단차 개수 및 단차 크기는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, it is also possible to form the
아울러, 리테이너(214)는 기판(W)이 거치되는 기판거치부(201)의 거치면(예를 들어, 이송벨트의 상면)으로부터 돌출되게 구비되고, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)는 리테이너(214)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.In addition, the
바람직하게, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(232)의 일부는 리테이너(214)의 상면에 접촉되고, 연마패드(232)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.Preferably, at the polishing start position where the polishing process of the substrate W by the
이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 상면과 리테이너(214)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(232)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, at the polishing start position, polishing is started while the
도 13을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 이송 벨트의 외표면을 세정하는 세정 유닛을 포함한다.Referring to FIG. 13 , the substrate processing apparatus 10 includes a cleaning unit that cleans the outer surface of the transfer belt.
세정 유닛(400)은 이송 벨트(210)를 선택적으로 세정할 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The
바람직하게, 세정 유닛(400)은 기판(W)에 대한 처리 공정을 중단하지 않고, 기판(W)의 처리 공정 중에 이송 벨트(210)의 세정이 함께 이루어지도록 한다. 보다 구체적으로, 세정 유닛(400)은, 연마가 완료된 기판(W)이 이송 벨트(210)로부터 언로딩 파트로 이송된 후, 다른 기판이 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송되기 전에 이송 벨트(210)를 세정하도록 구성된다. 더욱 바람직하게, 세정 유닛(400)은 연마 처리될 기판(W)이 기판수용부(214a)에 수용되기 전에 단차완화부(240)를 세정한다.Preferably, the
일 예로, 세정 유닛(400)은 단차완화부(240)에 접촉 가능한 세정 브러쉬(410)를 포함한다.For example, the
세정 브러쉬(410)로서는 이송 벨트(210)의 외표면에 마찰 접촉 가능한 통상의 소재(예를 들어, 다공성 소재의 폴리 비닐 알코올)로 이루어진 브러쉬가 사용될 수 있다.As the cleaning
또한, 세정 브러쉬(410)에 의한 세정이 수행되는 동안에는 세정 브러쉬(410)와 이송 벨트(210)의 마찰 접촉에 의한 세정 효과를 높일 수 있도록, 세정 브러쉬(410)가 이송 벨트(210)에 접촉하는 동안 세정 브러쉬(410)와 이송 벨트(210)의 접촉 부위에 세정액을 공급하는 것도 가능하다.In addition, while cleaning is performed by the cleaning
또한, 세정 유닛은 이송 벨트(210)의 외표면에 세정 유체를 분사하는 분사노즐(420)을 포함할 수 있다.In addition, the cleaning unit may include a
분사노즐(420)은 단 한가지 종류의 세정 유체(기체 또는 액체)를 분사하거나, 서로 다른 이종 유체를 분사하도록 구성될 수 있으며, 분사노즐(420)에서 분사되는 세정 유체의 종류에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The
경우에 따라서는 분사노즐이 세정 유체를 분사하여 선형 유체 커튼(linear fluid curtain)을 형성하는 것도 가능하다. 여기서, 선형 유체 커튼이라 함은, 선형적으로 형성되는 유체에 의한 막 형태의 커튼을 의미한다.In some cases, it is also possible to form a linear fluid curtain by spraying the cleaning fluid through the spray nozzle. Here, the linear fluid curtain refers to a curtain in the form of a film made of fluid formed linearly.
그리고, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(120)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus 10 has a loading transfer speed at which the
보다 구체적으로, 로딩 제어부(120)는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(210)에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 이송 벨트(210) 이송 속도를 동기화시킨다. 다시 말해서, 감지부(미도시)에서 기판의 일단이 감지되면, 로딩 제어부(120)는 기판(W)의 로딩 이송 속도와 이송 벨트(210) 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the
여기서, 이송 벨트(210)에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(210)와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(214a)의 일변에 설정될 수 있다.Here, the pre-seating start position SP on the
참고로, 기판수용부(214a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(214a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(210)의 이송이 정지된다.(도 6 참조)For reference, when it is detected that one side of the
그 후, 이송 벨트(210)의 이송이 정지된 상태에서, 감지부(400)에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부(120)는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도를 서로 동시화시켜 기판(W)이 연마 위치로 이송되게 한다.Thereafter, when the
언로딩 파트(300)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩하기 위해 마련된다.The unloading
언로딩 파트(300)는 연마 파트(200)에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading
일 예로, 도 11 및 도 12를 참조하면, 언로딩 파트(300)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, referring to FIGS. 11 and 12 , the unloading
여기서, 언로딩 파트(300)가 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 언로딩 파트(300)가 기판(W)의 휨 변형을 허용하는 높이에 배치되어 기판(W)을 이송하는 것으로 정의된다. 가령, 이송 벨트(210)로부터 기판이 돌출된 상태(기판의 일부가 이송 벨트(210) 외측으로 이송된 상태)에서 기판의 휨 변형을 고려하여 로딩 파트는 이송 벨트(210)보다 약간 낮은 높이(예를 들어, 10㎜ 이내)에 배치될 수 있다. 다만, 기판의 휨 변형이 억제될 수 있다면, 언로딩 파트(300)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일할 수 있다.Here, the fact that the unloading
또한, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩 파트(300)로 이송하는 언로딩 이송 공정 중에, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도와 언로딩 파트(300)가 기판(W)을 이송하는 언로딩 이송 속도를 동기화하는 언로딩 제어부(320)를 포함한다.In addition, in the substrate processing apparatus 10, during an unloading transfer process of transferring the substrate W from the polishing
일 예로, 언로딩 제어부(320)는 기판(W)의 일단이 감지되면, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210) 이송 속도와 동일한 속도로 언로딩 이송 속도를 동기화시킨다. 경우에 따라서는, 기판의 일단의 감지 여부와 관계없이, 기판캐리어 이송 속도와 언로딩 이송 속도가 동일하도록 언로딩 이송 롤러를 회전시키고 있는 상태에서 기판캐리어를 이송시켜 기판을 언로딩 파트로 언로딩하는 것도 가능하다.For example, when one end of the substrate (W) is detected, the unloading
한편, 이송 벨트(210)는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.Meanwhile, the
보다 구체적으로, 도 11을 참조하면, 이송 벨트(210)는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(210)가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(기판캐리어가 구동부재의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(210)로부터 분리된다.More specifically, referring to FIG. 11 , the
이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210)가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(210)로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, in a state in which the
경우에 따라서는, 이동부재가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판캐리어를 이송하는 것도 가능하다.(미도시) 여기서, 이동부재가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이동부재가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.In some cases, the moving member is wound from one direction to the other, and it is also possible to transfer the substrate carrier (not shown). Here, the moving member is wound from one direction to the other direction. In the reel-to-reel winding method of a normal cassette tape (winding on the first reel and then winding on the second reel in the opposite direction), moving (winding) along the open-loop movement trajectory is defined
이송 벨트(210)가 릴 투 릴 권취 방식으로 이동하는 경우에도, 기판은 이송 벨트(210)의 이동 경로가 꺽여지는 위치(예를 들어, 이송 벨트(210)가 구동부재의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(210)가 기판의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(210)로부터 분리된다.Even when the conveying
이와 같이, 본 발명은 로딩 파트(100)에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(210)로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(210) 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, in the present invention, the polishing process for the substrate W is performed in a state in which the substrate W supplied to the
즉, 기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.That is, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part in the past, after picking up the substrate from the loading part using a separate pick-up device (for example, a substrate adsorption device), the substrate is lowered onto the polishing part again. Since it had to be placed, there is a problem in that the processing time increases to the extent that the time required to load the substrate takes several seconds to several tens of seconds. Moreover, conventionally, in order to unload the polished substrate to the unloading part, a separate pick-up device (eg, substrate adsorption device) is used to pick up the substrate from the polishing part, and then the substrate is returned to the unloading part. Since it had to be put down, there is a problem in that the processing time increases to the extent that the time required to unload the substrate takes several seconds to several tens of seconds.
하지만, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(210)를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention excludes a separate pick-up process when loading and unloading the substrate (W), and processes the substrate (W) in an in-line manner using the conveying
더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, in the present invention, since there is no need to provide a pick-up device for picking up the substrate (W) during loading and unloading of the substrate (W), equipment and facilities can be simplified, and advantageous effects of improving space utilization are achieved. can be obtained.
한편, 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIG. 14 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are given to the same or equivalent parts as the above-described configuration, and a detailed description thereof will be omitted.
전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 단일층으로 이루어진 리테이너에 단차완화부가 마련된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 서로 다른 사이즈의 기판수용부가 형성된 복수개의 리테이너를 적층하여 단차완화부를 형성하는 것도 가능하다.In the above and illustrated embodiments of the present invention, an example in which a step relief unit is provided in a retainer made of a single layer is described, but in some cases, a plurality of retainers having substrate receiving units of different sizes are stacked to form a step relief unit It is also possible.
도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 기판이 수용되는 제1기판수용부(215a)가 형성되며 기판의 둘레 주변을 감싸도록 배치되는 제1리테이너층(215)과, 제1기판수용부(215a)보다 확장된 제2기판수용부(216a)가 형성되며 제1리테이너층(215)의 외부에 적층되는 제2리테이너층(216)을 구비하는 리테이너(214')를 포함하고, 제1기판수용부(215a)의 제1내벽면과 제2기판수용부(216a)의 제2내벽면은 상호 협조적으로 점진적으로 높이가 감소는 단차완화부(240)를 형성한다.Referring to FIG. 14 , a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a
참고로, 본 발명의 실시예에서는 리테이너(214')이 2개의 리테이너층을 적층하여 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 3개 이상의 리테이너층을 적층하여 리테이너를 형성하는 것도 가능하다.For reference, in the embodiment of the present invention, an example in which the
제1기판수용부(215a)의 제1내벽면과 제2기판수용부(216a)의 제2내벽면은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 단차완화부(240)를 형성 가능한 다양한 형태로 형성될 수 있다.The first inner wall surface of the first
일 예로, 제1기판수용부(215a)의 제1내벽면과 제2기판수용부(216a)의 제2내벽면은 이송 벨트(210)의 외표면에 수직하게 형성되고, 제1내벽면과 제2내벽면으로 형성된 단차완화부(240)는 계단식 단면 형태를 이루게 된다.For example, the first inner wall surface of the first
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1내벽면과 상기 제2내벽면을 기판수용부의 외측에서 기판수용부의 내측을 향하는 방향을 따라 점진적으로 높이가 감소하는 경사진 형태로 형성하는 것도 가능하다.(미도시)According to another embodiment of the present invention, it is also possible to form the first inner wall surface and the second inner wall surface in an inclined shape in which the height gradually decreases along a direction from the outside of the substrate accommodating portion toward the inside of the substrate accommodating portion. (not shown)
아울러, 제1리테이너층(215)과 제2리테이너층(216)의 두께 및 제1기판수용부(215a)와 제2기판수용부(216a)의 사이즈는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이들 조건을 변경하여 단차완화부(240)의 단차 정도를 조절할 수 있다.In addition, the thicknesses of the
또한, 제1리테이너층(215)과 제2리테이너층(216)은 선택적으로 분리 가능하게 결합될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면 제1리테이너층과 제2리테이너층이 일체로 형성되는 것도 가능하다.In addition, the
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although it has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be changed.
10 : 기판 처리 장치 100 : 로딩 파트
110 : 로딩 이송 롤러 120 : 로딩 제어부
200 : 연마 파트 201 : 기판거치부
210 : 이송 벨트 212 : 롤러 유닛
212a : 제1롤러 212b : 제2롤러
214 : 리테이너 214a : 기판수용부
220 : 기판지지부 221 : 지지플레이트
230 : 연마 유닛 231 : 캐리어 헤드
232 : 연마패드 240,240',240" : 단차완화부
300 : 언로딩 파트 310 : 언로딩 이송 롤러
320 : 언로딩 제어부 400 : 세정 유닛
410 : 세정 브러쉬 420 : 분사노즐10: substrate processing device 100: loading part
110: loading conveying roller 120: loading control unit
200: polishing part 201: substrate holder
210: conveying belt 212: roller unit
212a:
214:
220: substrate support 221: support plate
230: polishing unit 231: carrier head
232: polishing
300: unloading part 310: unloading transfer roller
320: unloading control unit 400: cleaning unit
410: cleaning brush 420: injection nozzle
Claims (28)
무한 루프 형태으로 정해진 경로를 따라 순환 회전하고, 외표면에 기판이 안착되는 이송 벨트와;
상기 이송 벨트의 외표면에 안착된 상기 기판의 둘레를 감싸는 형태로 상기 외표면에 적층 배치되어, 상기 기판이 수용되는 기판수용부를 형성하는 리테이너와;
상기 리테이너의 내벽면을 따라 내측을 향하여 점진적으로 높이가 감소하는 경사진 경사면이 상기 기판의 둘레를 감싸는 형태로 연속적으로 형성된 단차 완화부와;
상기 이송 벨트의 순환 회전에 의해 상기 기판 수용부가 상방을 향하는 위치에서 상기 기판 수용부에 수용된 상기 기판에 대한 연마 공정을 행하는 연마 유닛과;
상기 이송 벨트의 순환 회전에 의해 상기 기판 수용부가 하방을 향하는 위치에서, 상기 이송 벨트의 외표면에 세정 유체를 분사하는 분사 노즐과;
상기 이송 벨트의 순환 회전에 의해 상기 기판 수용부가 하방을 향하는 위치에 위치하면, 회전하면서 상기 단차 완화부에 접촉하면서 상기 이송 벨트를 접촉 세정하는 세정 브러쉬를;
포함하여 구성되어, 연마 공정이 행해질 상기 기판이 상기 기판수용부에 수용되기 이전에 상기 단차완화부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a polishing process of a substrate is performed,
a conveying belt that circulates along a predetermined path in an infinite loop, and a substrate is seated on an outer surface;
a retainer stacked on the outer surface of the transfer belt in a manner surrounding the substrate seated on the outer surface of the transfer belt and forming a substrate accommodating portion in which the substrate is accommodated;
a step alleviation part continuously formed in a form in which an inclined surface gradually decreasing in height along an inner wall surface of the retainer surrounds a circumference of the substrate;
a polishing unit which performs a polishing process on the substrate accommodated in the substrate accommodating portion at a position in which the substrate accommodating portion faces upward by circulating rotation of the transfer belt;
a spray nozzle for spraying a cleaning fluid to an outer surface of the transfer belt at a position where the substrate accommodating part faces downward due to the circular rotation of the transfer belt;
a cleaning brush contacting and cleaning the conveying belt while contacting the step alleviating part while rotating when the substrate accommodating part is located in a downward position due to the circular rotation of the conveying belt;
The substrate processing apparatus comprising: cleaning the step relief portion before the substrate to be subjected to a polishing process is accommodated in the substrate accommodating portion.
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