KR102461592B1 - Substrate procesing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판 처리 장치는, 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 연마 파트와, 연마 파트에서 연마가 완료된 기판이 언로딩되는 언로딩 파트와, 언로딩 파트의 언로딩 영역으로 기판이 언로딩되는 중에 언로딩 영역에서 기판을 예비 세정하는 예비 세정 유닛과, 언로딩 영역에서 예비 세정이 행해진 기판을 이송받아 후속 세정 공정이 행해지는 세정 파트를 포함하는 것에 의하여, 연마 입자 등의 이물질이 기판에 고착되는 것을 최소화하고, 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a polishing part on which a polishing process is performed on a substrate; a pre-cleaning unit for pre-cleaning the substrate in the unloading area while the substrate is being unloaded into the It is possible to obtain advantageous effects of minimizing the adhesion of foreign substances to the substrate and increasing cleaning efficiency.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 처리 효율을 높이고, 처리 공정을 간소화할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of increasing the processing efficiency of a substrate and simplifying a processing process.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, as interest in information display is rising and the demand to use portable information media increases, it is used in a lightweight, thin flat panel display (FPD) that replaces the cathode ray tube (CRT), which is an existing display device. Research and commercialization are focused on.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of flat panel displays, a liquid crystal display device (LCD), which is light and low in power consumption, has been the most attractive display device until now, but the liquid crystal display device is a light receiving device, not a light emitting device. ratio) and viewing angle, and the like, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among them, as one of the next-generation displays that have recently been spotlighted, there is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display device. Recently, since the display device tends to be slim and high-pixel, a corresponding glass substrate should be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the Eximer Laser Annealing (ELA) process, in which amorphous silicon (a-Si) is crystallized into poly-Si by scanning a laser, protrusions may occur on the surface while polysilicon is crystallized. and, since these protrusions can cause mura-effects, the glass substrate must be able to be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, in recent years, various studies have been made to efficiently polish the surface of the substrate, but the development thereof is still insufficient.

본 발명은 기판의 처리 효율을 높이고, 처리 공정을 간소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving substrate processing efficiency and simplifying a processing process.

특히, 본 발명은 기판에 잔류된 이물질을 고착되기 전에 빠른 시간 내에 효과적으로 세정할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, it is an object of the present invention to effectively clean foreign substances remaining on a substrate within a short period of time before they are fixed.

또한, 본 발명은 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve the cleaning efficiency of the substrate and to improve the yield.

또한, 본 발명은 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve the degree of freedom in design and to contribute to the miniaturization of equipment.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to shorten the time required for processing a substrate and improve productivity.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 연마 공정이 행해진 기판이 언로딩되는 언로딩 공정 중에 기판에 대한 예비 세정이 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 처리 공정을 간소화하고, 기판의 세정 효율을 높일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above-described objects of the present invention, the substrate processing process is simplified by allowing the substrate to be pre-cleaned during the unloading process in which the substrate subjected to the polishing process is unloaded. and the cleaning efficiency of the substrate can be increased.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 처리 효율을 높이고, 처리 공정을 간소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, advantageous effects of increasing the processing efficiency of the substrate and simplifying the processing process can be obtained.

특히, 본 발명에 따르면 기판에 잔류된 이물질을 고착되기 전에 빠른 시간 내에 효과적으로 세정하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of effectively cleaning foreign substances remaining on the substrate in a short time before being fixed.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to improve the cleaning efficiency of the substrate, and it is possible to obtain an advantageous effect of improving the yield.

또한, 본 발명에 따르면 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여할 수 있다.In addition, according to the present invention, the degree of freedom in design can be improved, and it can contribute to the miniaturization of equipment.

또한, 본 발명에 따르면 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 공정 효율성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain advantageous effects of reducing the time required for processing the substrate and improving process efficiency and yield.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 측면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 10 내지 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 예비 세정 유닛을 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 파트를 설명하기 위한 도면,
도 14 내지 도 16은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 예비 세정 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a perspective view for explaining a polishing part as a substrate processing apparatus according to the present invention;
3 is a side view for explaining a polishing part as a substrate processing apparatus according to the present invention;
4 to 6 are views for explaining a loading process of a substrate as a substrate processing apparatus according to the present invention;
7 is a view for explaining a retainer as a substrate processing apparatus according to the present invention;
8 is a plan view illustrating a polishing path of a polishing unit in a substrate processing apparatus according to the present invention;
9 is a view for explaining an unloading process of a substrate as a substrate processing apparatus according to the present invention;
10 to 12 are views for explaining a preliminary cleaning unit as a substrate processing apparatus according to the present invention;
13 is a view for explaining a cleaning part as a substrate processing apparatus according to the present invention;
14 to 16 are views for explaining another embodiment of a preliminary cleaning unit as a substrate processing apparatus according to the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements, and may be described by citing the contents described in other drawings under these rules, and the contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도이며, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 측면도이다. 또한, 도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 10 내지 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 예비 세정 유닛을 설명하기 위한 도면이고, 도 13은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 파트를 설명하기 위한 도면이고, 도 14 내지 도 16은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 예비 세정 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a perspective view for explaining a polishing part, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention , a side view for explaining the abrasive part. 4 to 6 are views for explaining a loading process of a substrate as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 7 is a diagram for explaining a retainer as a substrate processing apparatus according to the present invention. And, FIG. 8 is a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, for explaining a substrate unloading process. 10 to 12 are views for explaining a preliminary cleaning unit as a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 13 is a diagram for explaining a cleaning part as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 14 to 16 are views for explaining another embodiment of a preliminary cleaning unit as a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1 내지 도 16을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지는 연마 파트(200)와, 연마 파트(200)에서 연마가 완료된 기판(W)이 언로딩되는 언로딩 파트(300)와, 언로딩 파트(300)의 언로딩 영역으로 기판(W)이 언로딩되는 중에 언로딩 영역에서 기판(W)을 예비 세정하는 예비 세정 유닛(500)과, 언로딩 영역에서 예비 세정이 행해진 기판(W)을 이송받아 후속 세정 공정이 행해지는 세정 파트(400)를 포함한다.1 to 16 , in the substrate processing apparatus 10 according to the present invention, a polishing part 200 on which a polishing process for a substrate W is performed, and a substrate on which polishing is completed in the polishing part 200 ( An unloading part 300 from which W) is unloaded, and a pre-cleaning unit ( 500 , and a cleaning part 400 that receives the substrate W that has been pre-cleaned in the unloading area and performs a subsequent cleaning process.

이는, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 기판의 세정 효율을 향상시키기 위함이다.This is to simplify the processing process of the substrate W and to improve the cleaning efficiency of the substrate.

즉, 연마 공정이 행해진 기판을 세정 파트로 이송하는 과정에서, 연마 공정 중에 기판의 연마면에 묻어있던 연마 입자 등이 건조되면서 연마면에 고착되면, 연마면에 고착된 입자를 제거하는 데 훨씬 긴 시간의 세정 공정이 필요하고 세정 효과도 낮아지는 문제점이 있다.That is, in the process of transferring the substrate on which the polishing process has been performed to the cleaning part, if the abrasive particles deposited on the polishing surface of the substrate are dried and adhered to the polishing surface during the polishing process, it takes much longer to remove the particles adhering to the polishing surface. There is a problem in that a cleaning process of time is required and the cleaning effect is also lowered.

이와 같은 문제를 해소하기 위하여, 종래에는 연마 공정이 행해진 기판을 가능한 빠른 시간 내에 신속하게 세정 파트로 이송하여 세정 공정을 시작하고자 하는 노력이 시도되어 왔다. 그러나, 연마 파트에서 세정 파트로 이송되는 시간 동안에, 또는 세정 파트로 이송된 기판에 대한 세정 공정을 시작하는 데까지 대기해야 하는 경우에, 기판의 연마면이 건조되면서 기판에 묻어있는 이물질이 기판 표면에 고착(固着)되는 것을 피할 수 없어서, 상기 노력에도 불구하고 세정 공정이 오래 소요되고 세정 효과가 낮았던 문제를 해결하는 데 한계가 따르면 문제점이 있다. 특히, 기판의 사이즈가 커질수록 기판을 연마 및 이송하는데 소요되는 시간이 길어지므로, 이물질이 기판에 고착될 우려가 높은 문제점이 있다.In order to solve this problem, conventionally, efforts have been made to start the cleaning process by quickly transferring the substrate on which the polishing process has been performed to the cleaning part as quickly as possible. However, during the transfer from the abrasive part to the cleaning part, or when it is necessary to wait until the cleaning process for the substrate transferred to the cleaning part is to be started, as the polishing surface of the substrate dries, foreign substances adhering to the substrate adhere to the surface of the substrate. It is impossible to avoid sticking, and there is a problem if there is a limit in solving the problem that the cleaning process takes a long time and the cleaning effect is low despite the above efforts. In particular, as the size of the substrate increases, the time it takes to polish and transport the substrate increases, so there is a problem in that there is a high possibility that foreign substances are adhered to the substrate.

하지만, 본 발명은 연마 파트에서 기판의 연마 공정이 행해진 다음에, 언로딩 파트로 기판이 언로딩되는 언로딩 공정 중에 기판에 묻어있는 이물질이 기판 표면에 고착되기 전에 곧바로 기판에 대한 예비 세정 공정이 지체없이 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고착되는 것을 최소화할 수 있으며, 후속 세정 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하고, 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, after the polishing process of the substrate is performed in the polishing part, the pre-cleaning process for the substrate is performed immediately before the foreign substances attached to the substrate are fixed to the substrate surface during the unloading process in which the substrate is unloaded to the unloading part. By doing so without delay, it is possible to minimize adhering of abrasive particles to the polishing surface as the polishing surface of the substrate is dried, minimize the processing time required for the subsequent cleaning process, and obtain advantageous effects of increasing cleaning efficiency. have.

더욱이, 본 발명은 기판이 언로딩되는 공정 중에 기판에 대한 예비 세정이 행해지도록 하는 것에 의하여, 다시 말해서, 기판의 언로딩 공정과 기판에 대한 예비 세정 공정이 동시에 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 처리 시간을 단축할 수 있으며, 공정 효율성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, the present invention relates to the treatment of a substrate by allowing a pre-cleaning of the substrate to be performed during the process in which the substrate is unloaded, that is, by allowing the unloading of the substrate and the pre-cleaning of the substrate to be performed simultaneously. Time can be shortened, and advantageous effects of improving process efficiency and yield can be obtained.

참고로, 본원 명세서에 기재된 '예비 세정'이라는 용어는, 연마 파트에서 연마 공정이 완료된 기판이 언로딩되는 위치에서 기판에 묻어있는 이물질이 기판 표면에 고착되기 전에 행해지는 세정 공정을 지칭한다. 그리고, 본원 명세서에 기재된 "후속 세정"이라는 용어는, 언로딩 위치에 언로딩된 기판을 이송받아 세정 파트에서 행해지는 본 세정 공정(종래의 세정 파트에서 행해지는 세정)을 지칭한다.For reference, the term 'pre-cleaning' as used herein refers to a cleaning process performed before foreign substances adhered to the substrate are adhered to the substrate surface at a position where the substrate after the polishing process is unloaded in the polishing part. And, the term "subsequent cleaning" described in this specification refers to the main cleaning process (cleaning performed in the conventional cleaning part) performed in the cleaning part by receiving the unloaded substrate to the unloading position.

연마 파트(200)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트(100)에 공급된 기판(W)은 로딩 파트(100)에 로딩된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트를 통해 언로딩된다.The polishing part 200 is disposed between the loading part 100 and the unloading part 300 , and the substrate W supplied to the loading part 100 is polished in a loaded state in the loading part 100 . , is unloaded through the unloading part.

로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트(200)에 로딩하기 위해 마련된다.The loading part 100 is provided to load the substrate W to be polished onto the polishing part 200 .

로딩 파트(100)는 연마 파트(200)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed in various structures capable of loading the substrate W on the polishing part 200 , and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100 .

일 예로, 로딩 파트(100)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하도록 마련되되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러(110)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part 100 includes a plurality of loading transport rollers 110 that are provided to transport the substrate W at the same height as the transport belt 210 , are spaced apart from each other at a predetermined interval, and include a plurality of loading transport rollers 110 . The substrate W supplied to the upper portion of the loading transport roller 110 is cooperatively transported by the plurality of loading transport rollers 110 as the loading transport roller 110 rotates. In some cases, it is also possible for the loading part to be configured to include an endless belt circulated by the loading conveying roller.

여기서, 로딩 파트(100)가 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 로딩 파트(100)가 기판(W)의 휨 변형을 허용하는 높이에 배치되어 기판(W)을 이송하는 것으로 정의된다. 가령, 로딩 파트에서 기판이 돌출된 상태(최외각에 배치된 로딩 이송 롤러를 벗어나도록 기판이 이송된 상태)에서 기판의 돌출된 부분의 자중에 의한 휨 변형을 고려하여 로딩 파트는 이송 벨트보다 약간 높은 높이(예를 들어, 10㎜ 이내)에 배치될 수 있다. 다만, 기판의 휨 변형이 억제될 수 있다면, 로딩 파트(100)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일할 수 있다.Here, the loading part 100 transfers the substrate W at the same height as the transfer belt 210 means that the loading part 100 is disposed at a height that allows bending deformation of the substrate W and the substrate W ) is defined as transporting For example, in a state in which the substrate protrudes from the loading part (the substrate is transported so as to escape the loading transport roller disposed at the outermost surface), the loading part is slightly larger than the transport belt in consideration of the bending deformation caused by the weight of the protruding part of the substrate. It can be placed at a high height (eg, within 10 mm). However, if the bending deformation of the substrate can be suppressed, the height at which the substrate W is transferred in the loading part 100 and the height at which the substrate W is seated and transferred in the transfer belt 210 may be the same .

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, before being supplied to the loading part 100 , the substrate W supplied to the loading part 100 may be aligned with the attitude and position determined by the alignment unit (not shown).

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판(W)으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 다르게는 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate W used in the present invention, a rectangular substrate W having a side length greater than 1 m may be used. As an example, as the target substrate W on which the chemical mechanical polishing process is performed, a 6th generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use the 7th and 8th generation glass substrates as the target substrate (W). Alternatively, it is also possible to use a substrate (eg, a second-generation glass substrate) having a side length of less than 1 m.

연마 파트(200)는 기판(W)의 표면을 연마 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다.The polishing part 200 may be formed in various structures capable of polishing the surface of the substrate W.

일 예로, 연마 파트(200)는 정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 이송 벨트(210)의 내부에 배치되며 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(220)와, 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(230)을 포함한다.For example, the abrasive part 200 is provided movably along a predetermined path and includes a transfer belt 210 on which the substrate W is seated on the outer surface, and the transfer belt 210 disposed inside the substrate W. It includes a substrate support 220 for supporting the bottom surface, and a polishing unit 230 for polishing the upper surface of the substrate (W).

이때, 이송 벨트(210)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(210)는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다In this case, the transport belt 210 may be configured to move along a path determined in various ways according to required conditions and design specifications. As an example, the transport belt 210 may be configured to cyclically rotate along a predetermined path.

참고로, 본 발명에서 연마 파트(200)가 기판(W)을 연마한다 함은, 연마 파트(200)가 기판(W)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트(200)에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다.For reference, in the present invention, that the polishing part 200 polishes the substrate W means that the polishing part 200 is subjected to a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process for the substrate W. ) is defined as grinding For example, in the polishing part 200 , a slurry for chemical polishing is supplied while mechanical polishing of the substrate W is performed, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed.

이송 벨트(210)는, 로딩 파트(100)에 인접하게 배치되며, 정해진 경로를 따라 무한 루프 방식으로 순환 회전하도록 구성된다. 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송된다.The conveying belt 210 is disposed adjacent to the loading part 100 and is configured to cyclically rotate in an endless loop manner along a predetermined path. The substrate W transferred from the loading part 100 to the transfer belt 210 is transferred as the transfer belt 210 circulates while being seated on the outer surface of the transfer belt 210 .

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태로 연마 위치(PZ)(기판지지부의 상부 위치)로 이송될 수 있다. 또한, 연마가 완료된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 연마 위치(PZ)에서 언로딩 파트(300) 측으로 이송될 수 있다.More specifically, the substrate W transferred from the loading part 100 to the transfer belt 210 is seated on the outer surface of the transfer belt 210 as the transfer belt 210 circulates in the polishing position PZ. ) (the upper position of the substrate support). In addition, the polished substrate W may be transferred from the polishing position PZ to the unloading part 300 side as the transfer belt 210 cyclically rotates.

이송 벨트(210)의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(210)는 롤러 유닛(212)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(210)에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Cyclic rotation of the conveying belt 210 may be performed in various ways depending on required conditions and design specifications. For example, the conveyance belt 210 circulates along a path determined by the roller unit 212 , and the substrate W seated on the conveyance belt 210 linearly moves by the circulation rotation of the conveyance belt 210 . transported along the path.

이송 벨트(210)의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(212)은 제1롤러(212a)와, 제1롤러(212a)로부터 수평하게 이격되게 배치되는 제2롤러(212b)를 포함하며, 이송 벨트(210)는 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.A movement path (eg, a circulation path) of the conveyance belt 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the roller unit 212 includes a first roller 212a and a second roller 212b that is horizontally spaced apart from the first roller 212a, and the conveying belt 210 includes a first roller ( 212a) and the second roller 212b cyclically rotates in an endless loop manner.

참고로, 이송 벨트(210)의 외표면이라 함은, 이송 벨트(210)의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(210)의 내표면이라 함은, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)가 접촉되는 이송 벨트(210)의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the transfer belt 210 means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 210 , and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 210 . And, the inner surface of the transfer belt 210 means the inner surface of the transfer belt 210 to which the first roller 212a and the second roller 212b are in contact.

또한, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(212a)는 고정되는 제2롤러(212b)는 제1롤러(212a)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(212a)에 대해 제2롤러(212b)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller (212a) and the second roller (212b) may be configured to selectively move linearly in a direction approaching and spaced apart from each other. For example, the first roller 212a is fixed to the second roller 212b may be configured to move linearly in a direction approaching and spaced apart from the first roller 212a. As described above, by allowing the second roller 212b to approach and separate from the first roller 212a according to manufacturing tolerances and assembly tolerances, the tension of the conveying belt 210 can be adjusted.

여기서, 이송 벨트(210)의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(210)를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the transport belt 210 is defined as adjusting the tension by pulling or loosening the transport belt 210 . In some cases, it is also possible to adjust the tension of the conveying belt by providing a separate tension adjusting roller and moving the tension adjusting roller. However, it is preferable to move at least one of the first roller and the second roller to improve the structure and space utilization.

바람직하게, 이송 벨트(210)는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.Preferably, the transfer belt 210 moves in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W in a state in which the polished substrate W is transferred over a certain section.

보다 구체적으로, 도 9를 참조하면, 이송 벨트(210)는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(210)가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(이송 벨트가 제2롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(210)로부터 분리된다.More specifically, referring to FIG. 9 , the conveyance belt 210 rotates cyclically along a predetermined path and is configured to convey the substrate W, the substrate W is the conveyance belt 210 moves along the rotation path. At the position where the transfer belt starts to move (the position at which the transfer belt begins to move along a curved path along the outer surface of the second roller), the transfer belt 210 moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W as the transfer belt separated from 210 .

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210)가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(210)로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, in a state in which the transfer belt 210 for transferring the substrate W transfers the substrate W over a certain section, the transfer belt 210 is moved in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W. Accordingly, it is possible to obtain an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the transfer belt 210 without a separate pickup process (eg, a pickup process using a substrate adsorption device).

참고로, 본 발명에서 이송 벨트(120)라 함은, 기판(W)을 이송시키는 캐리어의 의미를 갖는다. 이와 같이, 이송 벨트는 캐리어의 의미를 갖지만 이하에서는 편의상 이송 벨트라고 지칭하기로 한다.For reference, in the present invention, the transfer belt 120 has the meaning of a carrier for transferring the substrate (W). As such, the conveying belt has the meaning of a carrier, but hereinafter, it will be referred to as a conveying belt for convenience.

경우에 따라서는, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판을 이송하는 것도 가능하다.(미도시) 여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.In some cases, the conveying belt is wound from one direction to another and it is also possible to convey the substrate. (not shown) Here, the conveying belt is usually wound from one direction to the other. It is defined as moving (winding) along the movement trajectory of an open loop in the reel-to-reel winding method of cassette tapes (a method that is wound on the first reel and then wound on the second reel in the opposite direction). do.

이송 벨트가 릴 투 릴 권취 방식으로 이동하는 경우에도, 기판은 이송 벨트의 이동 경로가 꺽여지는 위치(예를 들어, 이송 벨트가 롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트가 기판의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트로부터 분리된다.Even when the transport belt moves in a reel-to-reel take-up manner, the substrate remains at the position where the transport belt's travel path bends (eg, the position where the transport belt begins to move along a curved path along the outer surface of the roller). In the , the transfer belt is separated from the transfer belt as it moves in a direction away from the bottom surface of the substrate.

또한, 도 7을 참조하면, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 제1표면층(210b)이 형성된다.In addition, referring to FIG. 7 , a first surface layer 210b for suppressing slip by increasing a friction coefficient with respect to the substrate W is formed on the outer surface of the transfer belt 210 .

이와 같이, 이송 벨트(210)의 외표면에 제1표면층(210b)을 형성하는 것에 의하여, 기판(W)이 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서, 이송 벨트(210)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by forming the first surface layer 210b on the outer surface of the transfer belt 210, the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 210, It is possible to restrict the movement of the substrate W (slip restraint), and an advantageous effect of stably maintaining the arrangement position of the substrate W can be obtained.

제1표면층(210b)은 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 제1표면층(210b)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 제1표면층(210b)은 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 엔지니어링 플라스틱으로 형성된다. 경우에 따라서는 제1표면층을 논슬립 기능을 갖는 다른 재질, 예를 들어, 논슬립 기능을 갖는 폴리우레탄으로 형성하는 것도 가능하다.The first surface layer 210b may be formed of various materials having adhesion to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the first surface layer 210b. For example, the first surface layer 210b is formed of an engineering plastic having excellent elasticity and adhesion (friction force). In some cases, it is also possible to form the first surface layer of another material having a non-slip function, for example, polyurethane having a non-slip function.

더욱이, 신축성을 갖는 제1표면층(210b)을 이송 벨트(210)의 외표면에 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 이송 벨트(210)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 이물질이 위치한 부분에서 제1표면층(210b)이 눌려질 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 해소할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, by forming the first surface layer 210b having elasticity on the outer surface of the transfer belt 210, even if a foreign material is introduced between the substrate W and the transfer belt 210, the foreign material is located as much as the thickness of the foreign material. Since the first surface layer 210b can be pressed in the portion, the height deviation of the substrate W caused by foreign substances (a specific portion of the substrate is locally protruded due to the foreign material) can be resolved, and a specific portion of the substrate W It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the deterioration of the polishing uniformity due to the local protrusion.

이때, 제1표면층(210b)은 이송 벨트(210)의 외표면에 전체적으로 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the first surface layer 210b is preferably formed entirely on the outer surface of the conveyance belt 210 .

또한, 이송 벨트(210)의 내표면에는 기판지지부(220)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 제2표면층(210c)이 형성될 수 있다.In addition, a second surface layer 210c for suppressing slip by increasing a coefficient of friction with respect to the substrate support unit 220 may be formed on the inner surface of the transfer belt 210 .

이와 같이, 이송 벨트(210)의 내표면에 제2표면층(210c)을 형성하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)의 내표면이 기판지지부(220)에 접촉된 상태에서, 기판지지부(220)에 대한 이송 벨트(210)의 이동을 구속(슬립을 구속)할 수 있으며, 이송 벨트(210)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by forming the second surface layer 210c on the inner surface of the transfer belt 210 , the inner surface of the transfer belt 210 is in contact with the substrate support unit 220 , and is applied to the substrate support unit 220 . It is possible to constrain the movement of the transfer belt 210 to (slip), and it is possible to obtain an advantageous effect of stably maintaining the arrangement position of the transfer belt 210 .

제2표면층(210c)은 기판지지부(220)에 대한 마찰력이 우수한 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 제2표면층(210c)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 제2표면층(210c)은 기판지지부(220)에 대한 마찰력이 우수하며, 기판지지부(220)로부터 쉽게 분리될 수 있는 엔지니어링 플라스틱으로 형성된다. 경우에 따라서는 제2표면층을 논슬립 기능을 갖는 다른 재질, 예를 들어, 논슬립 기능을 갖는 폴리우레탄으로 형성하는 것도 가능하다.The second surface layer 210c may be formed of various materials having excellent frictional force with respect to the substrate support 220 , and the present invention is not limited or limited by the material of the second surface layer 210c. For example, the second surface layer 210c has excellent friction with respect to the substrate support 220 and is formed of engineering plastic that can be easily separated from the substrate support 220 . In some cases, it is also possible to form the second surface layer of another material having a non-slip function, for example, polyurethane having a non-slip function.

바람직하게, 이송 벨트(210)는 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c)의 사이에 배치되는 보강층(210a)을 포함한다.Preferably, the conveying belt 210 includes a reinforcing layer 210a disposed between the first surface layer 210b and the second surface layer 210c.

즉, 이송 벨트(210)를 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c) 만으로 구성하는 것도 가능하다. 하지만, 이송 벨트(210)가 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c) 만으로 구성되면, 연마 공정이 행해지는 중에 이송 벨트(210)의 늘어짐이 과도하게 발생할 수 있으며, 이에 따라 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 이에, 본 발명은 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c)의 사이에, 높은 내구성 및 강도를 갖는 보강층(210a)을 형성하는 것에 의하여, 연마 공정 중의 이송 벨트(210)의 이동 및 변형을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, it is also possible to configure the transport belt 210 only with the first surface layer 210b and the second surface layer 210c. However, if the conveying belt 210 is composed of only the first surface layer 210b and the second surface layer 210c, excessive sagging of the conveying belt 210 may occur during the polishing process, and thus the polishing uniformity is reduced. There is a problem of degradation. Accordingly, in the present invention, by forming a reinforcing layer 210a having high durability and strength between the first surface layer 210b and the second surface layer 210c, movement and deformation of the conveying belt 210 during the polishing process. It is possible to obtain the advantageous effect of minimizing

보강층은 높은 내구성 및 강도를 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있다. 바람직하게, 보강층은 엔지니어링 플라스틱으로 형성된다. 이때, 보강층은 이송 벨트(210)와 함께 순환 회전하여야 함으로 순환 회전을 보장할 수 있는 두께로 형성될 수 있어야 한다. 일 예로, 엔지니어링 플라스틱 재질의 보강층은 0.1~2㎜의 두께로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는, 보강층을 스틸(SUS) 또는 부직포 재질로 형성하는 것도 가능하다.The reinforcing layer may be formed of various materials having high durability and strength. Preferably, the reinforcing layer is formed of an engineering plastic. At this time, the reinforcing layer should be cyclically rotated together with the conveying belt 210, so it should be able to be formed to a thickness that can ensure cyclic rotation. For example, the reinforcing layer made of an engineering plastic material may be formed to a thickness of 0.1 to 2 mm. In some cases, it is also possible to form the reinforcing layer of steel (SUS) or a non-woven material.

기판지지부(220)는 이송 벨트(210)의 내부에 배치되며 이송 벨트(210)를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support unit 220 is disposed inside the transfer belt 210 and is provided to support the bottom surface of the substrate W with the transfer belt 210 interposed therebetween.

보다 구체적으로, 기판지지부(220)는 기판(W)의 저면을 마주하도록 이송 벨트(210)의 내부에 배치되며, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.More specifically, the substrate support 220 is disposed inside the transfer belt 210 to face the bottom surface of the substrate W, and supports the inner surface of the transfer belt 210 .

기판지지부(220)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 기판지지부(220)로서는 석정반이 사용될 수 있으며, 기판지지부(220)는 이송 벨트(210)의 내표면에 밀착되게 배치되어, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.The substrate support unit 220 may be configured to support the inner surface of the transfer belt 210 in various ways according to required conditions and design specifications. For example, a granite plate may be used as the substrate support unit 220 , and the substrate support unit 220 is disposed in close contact with the inner surface of the transfer belt 210 to support the inner surface of the transfer belt 210 .

이와 같이, 기판지지부(220)가 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 자중 및 연마 유닛(230)이 기판(W)을 가압함에 따른 이송 벨트(210)의 처짐을 방지할 수 있다.In this way, by allowing the substrate support 220 to support the inner surface of the transfer belt 210 , the weight of the substrate W and the transfer belt 210 as the polishing unit 230 presses the substrate W can prevent sagging.

이하에서는 기판지지부(220)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부에 의해 이송 벨트의 내면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support unit 220 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support part may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the inner surface of the transport belt by two or more substrate support parts.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부가 접촉 방식으로 이송 벨트의 내표면을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 이송 벨트의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다. 일 예로, 기판지지부는 이송 벨트의 내표면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 이송 벨트의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 다르게는 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 이송 벨트의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.On the other hand, in the above and illustrated embodiments of the present invention, the substrate support portion is described as an example configured to support the inner surface of the transfer belt in a contact manner, but in some cases, the substrate support portion is the inner surface of the transfer belt in a non-contact manner. It is also possible to configure it to support. As an example, the substrate support unit may be configured to spray a fluid on the inner surface of the transfer belt and support the inner surface of the transfer belt by a jet force of the fluid. Alternatively, the substrate support may be configured to support the inner surface of the conveying belt in a non-contact manner using magnetic force (eg, repulsive force) or levitation force due to ultrasonic vibration.

연마 유닛(230)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 230 is provided to polish the surface of the substrate W while in contact with the surface of the substrate W.

일 예로, 연마 유닛(230)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(232)를 포함한다.For example, the polishing unit 230 is formed to have a size smaller than that of the substrate W, and includes a polishing pad 232 that rotates while in contact with the substrate W and moves.

보다 구체적으로, 연마패드(232)는 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, the polishing pad 232 is mounted on a polishing pad carrier (not shown) and linearly polishes (planarizes) the surface of the substrate W while rotating while in contact with the surface of the substrate W.

연마패드 캐리어는 연마패드(232)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(232)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier may be formed in various structures capable of rotating the polishing pad 232 , and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad carrier. For example, the polishing pad carrier may be configured as a single body or a plurality of bodies coupled thereto, and is configured to rotate in connection with a drive shaft (not shown). In addition, the polishing pad carrier is provided with a pressing unit for pressing the polishing pad 232 to the surface of the substrate W (eg, a pneumatic pressing unit for pressing the polishing pad with pneumatic pressure).

연마패드(232)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(232)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(232)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 232 is formed of a material suitable for mechanical polishing of the substrate (W). For example, the polishing pad 232 may include polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer; It can be formed using silicone, latex, nitride rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and various copolymers of styrene, butadiene and acrylonitrile, and the material and properties of the polishing pad 232 depend on required conditions and design specifications. It can be variously changed according to.

바람직하게 연마패드(232)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하게 되면, 연마패드(232)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게, 연마패드는 기판의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응하는 직경을 갖도록 형성되거나, 기판의 가로 길이 또는 세로 길이의 1/2 보다 작은 직경을 갖도록 형성될 수 있다.Preferably, a circular polishing pad 232 having a size smaller than that of the substrate W is used as the polishing pad 232 . That is, it is possible to polish the substrate W using the polishing pad 232 having a size larger than that of the substrate W, but if the polishing pad 232 having a size larger than the substrate W is used, the polishing Since a very large rotating equipment and space are required to rotate the pad 232 , there is a problem in that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered. More preferably, the polishing pad may be formed to have a diameter corresponding to the horizontal or vertical length of the substrate, or may be formed to have a diameter smaller than 1/2 of the horizontal or vertical length of the substrate.

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(232)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, since the substrate W has a size greater than 1 m in length of at least one side, rotating a polishing pad having a size larger than that of the substrate W (eg, a polishing pad having a diameter greater than 1 m) It has its own very difficult problem. In addition, when a non-circular polishing pad (eg, a rectangular polishing pad) is used, the surface of the substrate W polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness as a whole. However, in the present invention, by rotating the circular polishing pad 232 having a size smaller than that of the substrate W to polish the surface of the substrate W, the polishing pad ( It is possible to polish the substrate W by rotating the 232 , and it is possible to obtain an advantageous effect of maintaining a uniform polishing amount by the polishing pad 232 as a whole.

이때, 연마 유닛(230)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In this case, the polishing path of the polishing unit 230 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 8을 참조하면, 연마패드(232)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.For example, referring to FIG. 8 , the polishing pad 232 includes a first oblique path L1 inclined with respect to one side of the substrate W, and a second oblique line inclined in the opposite direction of the first oblique path L1 . It is configured to polish the surface of the substrate W while repeatedly moving zigzag along the path L2.

여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first oblique path L1 means a path inclined at a predetermined angle θ with respect to the base of the substrate W, for example. In addition, the second oblique path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first oblique path L1 to intersect the first oblique path L1.

또한, 본 발명에서 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(232)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.In addition, in the present invention, the polishing pad 232 repeatedly zigzag along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 means that the polishing pad 232 is in contact with the surface of the substrate W. It is defined as that the movement path of the polishing pad 232 with respect to the substrate W is not interrupted and is switched to a different direction (switched from the first oblique path to the second oblique path) while moving in the current state. In other words, the polishing pad 232 continuously moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 to form a continuously connected wave-shaped movement trajectory.

보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are line symmetric with respect to one side of the substrate W, and the polishing pad 232 includes the first oblique path L1 and the second oblique path. The surface of the substrate W is polished by repeatedly moving zigzag along (L2). At this time, when the first oblique path L1 and the second oblique path L2 are line symmetric with respect to one side of the substrate W, the first oblique path L1 with the one side 11 of the substrate W as the center. ) and the second oblique path L2, it means that the first oblique path L1 and the second oblique path L2 completely overlap, and one side of the substrate W and the first oblique path L1 ) and an angle formed by one side of the substrate W and the second oblique path L2 are defined to be the same.

바람직하게, 연마패드(232)는, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.Preferably, the polishing pad 232 has a length less than or equal to the diameter of the polishing pad 232 as a reciprocating movement pitch to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. round-trip about Hereinafter, with respect to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2, the polishing pad 232 sets a length corresponding to the diameter of the polishing pad 232 as the reciprocating movement pitch P. An example of regular reciprocation will be described.

이때, 연마 유닛(230)은 겐트리(Gantry)와 같은 구조물(미도시)에 의해 선형 이동하도록 구성될 수 있으며, 연마 유닛을 이동시키는 구조물의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 겐트리는 기판을 사이에 두고 기판의 양측에 배치되며 기판의 이송 방향을 따라 직선 이동 가능하게 마련되는 제1지지축과 제2지지축, 및 제1지지축과 제2지지축을 연결하는 연결축을 포함할 수 있으며, 연마 유닛은 연결축 상에 장착될 수 있다.At this time, the polishing unit 230 may be configured to move linearly by a structure (not shown) such as a gantry, and the present invention is limited or limited by the type and structure of the structure for moving the polishing unit. not. For example, the gantry is disposed on both sides of the substrate with the substrate interposed therebetween and connects a first support shaft and a second support shaft provided to be linearly movable along the transport direction of the substrate, and a first support shaft and a second support shaft. It may include a connecting shaft, and the polishing unit may be mounted on the connecting shaft.

이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, while the polishing pad 232 moves repeatedly along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 with respect to the substrate W in a zigzag motion to polish the surface of the substrate W, the polishing pad ( By causing the polishing pad 232 to move forward with respect to the substrate W with a reciprocating movement pitch P having a length less than or equal to the diameter of the polishing pad 232, the polishing pad 232 in the entire surface area of the substrate W ), it is possible to obtain an advantageous effect of regularly and uniformly polishing the entire surface of the substrate W without a region in which polishing is omitted.

여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 8을 기준으로 기판의 밑변에서 윗변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 밑변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.Here, the forward movement of the polishing pad 232 with respect to the substrate W means that the polishing pad 232 moves with respect to the substrate W along the first oblique path L1 and the second oblique path L2. It is defined as moving in a straight line toward the front of the substrate W (eg, from the bottom side to the top side of the substrate with reference to FIG. 8 ). In other words, for example, a right-angled triangle consisting of a base, a hypotenuse, and an opposite side, the base of the right-angled triangle is defined as the base of the substrate W, and the hypotenuse of the right triangle is the first oblique path L1 or the second oblique path ( L2), and the opposite side of the right triangle may be defined as the forward movement distance of the polishing pad 232 with respect to the substrate W.

다시 말해서, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, the polishing pad 232 repeatedly moves in a zigzag with respect to the substrate W (moving along the first oblique path and the second oblique path) with a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 232 as the reciprocating movement pitch. ) while polishing the substrate W, it is possible to prevent a region where polishing by the polishing pad 232 is omitted from the entire surface area of the substrate W, so that the thickness deviation of the substrate W is prevented. The advantageous effect of improving the polishing quality can be obtained by uniformly controlling the

다른 일 예로, 연마패드는 기판의 일변 방향을 따른 제1직선경로(미도시)와, 제1직선경로의 반대 방향인 제2직선경로를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판의 표면을 연마하는 것도 가능하다. 여기서, 제1직선경로라 함은, 예를 들어 기판의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로라 함은, 제1직선경로와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.As another example, the polishing pad may polish the surface of the substrate while repeatedly moving zigzag along a first straight path (not shown) along one side of the substrate and a second straight path opposite to the first straight path. do. Here, the first straight path means, for example, a path along a direction from one end of the base of the substrate to the other end. In addition, the second straight path means a path facing in a direction opposite to the first straight path.

전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 파트가 기판에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드에 의해 기판을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 무한 루프 방식으로 순환 회전하는 연마 벨트를 이용하여 기판을 연마하는 것도 가능하다.In the above and illustrated embodiments of the present invention, the polishing part is described as an example of polishing the substrate by a polishing pad moving while rotating while in contact with the substrate, but in some cases, the polishing part is in an endless loop method. It is also possible to polish the substrate using a cyclically rotating abrasive belt.

참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 연마 파트가 단 하나의 연마 유닛으로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 2개 이상의 연마 유닛을 포함하는 것을 가능하다. 이때, 복수개의 연마 유닛은 각각 연마패드를 구비하며, 서로 동일한 경로 또는 서로 반대 방향 경로를 향해 이동하면서 기판의 표면을 연마하도록 구성될 수 있다.For reference, although the above and illustrated embodiments of the present invention have been described as an example in which the abrasive part is composed of only one grinding unit, it is possible that the abrasive part includes two or more grinding units in some cases. In this case, the plurality of polishing units may each include a polishing pad, and may be configured to polish the surface of the substrate while moving in the same path or in opposite directions.

또한, 기판 처리 장치는 연마패드의 외표면(기판에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may include a conditioner (not shown) for modifying the outer surface (surface in contact with the substrate) of the polishing pad.

일 예로, 컨디셔너는 기판의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.For example, the conditioner may be disposed on the outer region of the substrate, and the surface (bottom surface) of the polishing pad is pressed with a predetermined pressing force and finely cut so that micropores formed on the surface of the polishing pad appear on the surface. In other words, the conditioner finely cuts the outer surface of the abrasive pad so that the numerous micropores in the foam, which are responsible for storing the slurry mixed with abrasives and chemicals on the outer surface of the polishing pad, are not blocked. Ensure that the slurry is smoothly supplied to the substrate. Preferably, the conditioner is rotatably provided, and is in rotational contact with the outer surface (bottom surface) of the polishing pad.

또한, 연마 파트(200)는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 이송 벨트(210)의 외표면에 구비되는 리테이너(214)를 포함한다.In addition, the polishing part 200 includes a retainer 214 provided on the outer surface of the transfer belt 210 so as to surround the circumference of the substrate (W).

리테이너(214)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(232)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(232)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.The retainer 214 is polished at the edge of the substrate W when the polishing pad 232 of the polishing unit 230 enters the inner region of the substrate W from the outer region of the substrate W during the polishing process. The pad 232 minimizes the rebound phenomenon (bouncing phenomenon), and the non-polishing area (dead zone) at the edge of the substrate W due to the rebound phenomenon of the polishing pad 232 (polishing by the polishing pad is performed). area) to be minimized.

보다 구체적으로, 리테이너(214)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(214a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(214a)의 내부에서 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된다.More specifically, the retainer 214 has a substrate accommodating portion 214a corresponding to the shape of the substrate W is formed through, and the substrate W is formed inside the substrate accommodating portion 214a outside the transfer belt 210. is seated on the surface.

기판(W)이 기판수용부(214a)에 수용된 상태에서 리테이너(214)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너(214) 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(232)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In a state in which the substrate W is accommodated in the substrate accommodating part 214a, the surface height of the retainer 214 has a height similar to the surface height of the edge of the substrate W. In this way, by making the edge portion of the substrate W and the outer region (retainer 214 region) of the substrate W adjacent to the edge portion of the substrate W have a similar height to each other, the polishing pad during the polishing process While the 232 moves from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W, or moves from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, the inner region of the substrate W It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 232 caused by the height deviation between the outer region and the outer region, and it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of the non-polishing region due to the rebound phenomenon.

바람직하게, 리테이너(214)는 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(214)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(232)와 리테이너(214)의 충돌에 의한 리바운드 현상의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the retainer 214 is formed to have a thickness equal to or thinner than the substrate W (T1≧T2). As described above, by forming the retainer 214 to have a thickness T2 that is thinner than or equal to that of the substrate W, the polishing pad 232 moves from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W. During the process, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing the occurrence of a rebound phenomenon due to the collision between the polishing pad 232 and the retainer 214 .

아울러, 리테이너(214)는 이송 벨트(210)의 순환 방향을 따라 이송 벨트(210)의 외표면에 복수개가 구비된다. 이와 같이, 이송 벨트(210)의 외표면에 복수개의 리테이너(214)를 형성하는 것에 의하여, 인라인 방식으로 서로 다른 기판(W)을 연속적으로 처리할 수 있는 이점이 있다.In addition, a plurality of retainers 214 are provided on the outer surface of the transfer belt 210 along the circulation direction of the transfer belt 210 . As such, by forming the plurality of retainers 214 on the outer surface of the transfer belt 210 , there is an advantage in that different substrates W can be continuously processed in an inline manner.

또한, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(120)를 포함한다.Also, in the substrate processing apparatus 10 , during a loading transfer process of transferring the substrate W from the loading part 100 to the polishing part 200 , the loading transfer speed at which the loading part 100 transfers the substrate W And, the transfer belt 210 includes a loading control unit 120 for synchronizing the belt transfer speed for transferring the substrate (W).

보다 구체적으로, 로딩 제어부(120)는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(210)에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 벨트 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit 120, when one end of the substrate (W) is disposed at a predefined seating start position SP on the transfer belt 210, synchronizes the loading transfer rate and the belt transfer rate.

여기서, 이송 벨트(210)에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(210)와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(214a)의 일변(또는 기판수용부의 일변에 인접한 위치)에 설정될 수 있다.Here, the pre-seating start position (SP) on the transfer belt 210 is defined as a position at which the substrate W can start to be transferred by the circular rotation of the transfer belt 210, and the seating start position (SP) In this case, adhesion between the transfer belt 210 and the substrate W is provided. As an example, the seating start position SP may be set at one side (or a position adjacent to one side of the substrate receiving unit) of the substrate receiving part 214a facing the front end of the substrate W transferred from the loading part 100 . .

참고로, 센서 또는 비젼 카메라와 같은 통상의 감지수단에 의하여 기판수용부(214a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(214a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(210)의 회전이 정지된다.For reference, when it is detected that one side of the substrate receiving part 214a is positioned at the seating start position SP by a conventional sensing means such as a sensor or a vision camera, one side of the substrate receiving part 214a is positioned at the seating start position ( The rotation of the conveying belt 210 is stopped so that the state positioned at the SP) is maintained.

그 후, 이송 벨트(210)의 회전이 정지된 상태에서, 감지수단에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부(120)는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도가 서로 동일한 속도가 되도록 이송 벨트(210)를 회전(동기화 회전)시켜 기판(W)이 연마 위치(PZ)로 이송되게 한다.After that, in a state in which the rotation of the transfer belt 210 is stopped, when it is detected that the tip of the substrate W is disposed at the seating start position SP by the sensing means, the loading control unit 120 controls the loading part 100 ) rotates (synchronized rotation) the transport belt 210 so that the loading transport speed at which the substrate W is transported and the belt transport speed at which the transport belt 210 transports the substrate W become the same speed as the substrate ( W) is transferred to the grinding position PZ.

언로딩 파트(300)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩하기 위해 마련된다.The unloading part 300 is provided to unload the substrate W on which the polishing process is completed from the polishing part 200 .

즉, 언로딩 파트(300)에는 이송 벨트(120)로부터 분리된 기판(W)이 언로딩된다.That is, the substrate W separated from the transfer belt 120 is unloaded to the unloading part 300 .

언로딩 파트(300)는 연마 파트(200)에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part 300 may be formed in various structures capable of unloading the substrate W from the polishing part 200 , and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part 300 .

일 예로, 언로딩 파트(300)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the unloading part 300 includes a plurality of unloading transport rollers 310 that transport the substrate W at the same height as the transport belt 210 and are spaced apart from each other at a predetermined interval, and include a plurality of The substrate W supplied to the upper portion of the unloading transfer roller 310 is cooperatively transferred by the plurality of unloading transfer rollers 310 as the unloading transfer roller 310 rotates. In some cases, it is also possible that the unloading part comprises a circular belt circulated by the unloading conveying roller.

여기서, 언로딩 파트(300)가 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 언로딩 파트(300)가 기판(W)의 휨 변형을 허용하는 높이에 배치되어 기판(W)을 이송하는 것으로 정의된다. 가령, 이송 벨트로부터 기판이 돌출된 상태(기판의 일부가 이송 벨트 외측으로 이송된 상태)에서 기판의 돌출 부분의 자중에 의한 휨 변형을 고려하여 로딩 파트는 이송 벨트보다 약간 낮은 높이(예를 들어, 10㎜ 이내)에 배치될 수 있다. 다만, 기판의 휨 변형이 억제될 수 있다면, 언로딩 파트(300)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일할 수 있다.Here, that the unloading part 300 transfers the substrate W at the same height as the transfer belt 210 means that the unloading part 300 is disposed at a height allowing bending deformation of the substrate W (W) is defined as transporting. For example, in a state in which the substrate protrudes from the transfer belt (a state in which a part of the substrate is transferred to the outside of the transfer belt), in consideration of the bending deformation due to the weight of the protruding part of the substrate, the loading part has a slightly lower height than the transfer belt (for example, , within 10 mm). However, if the bending deformation of the substrate can be suppressed, the height at which the substrate W is transferred in the unloading part 300 and the height at which the substrate W is seated and transferred in the transfer belt 210 may be the same. have.

또한, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩 파트(300)로 이송하는 언로딩 이송 공정 중에, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도와 언로딩 파트(300)가 기판(W)을 이송하는 언로딩 이송 속도를 동기화하는 언로딩 제어부(320)를 포함한다.In addition, in the substrate processing apparatus 10 , the transfer belt 210 transfers the substrate W during an unloading transfer process of transferring the substrate W from the polishing part 200 to the unloading part 300 . An unloading control unit 320 for synchronizing the transport speed and the unloading transport speed at which the unloading part 300 transports the substrate W is included.

일 예로, 언로딩 제어부(320)는 기판(W)의 일단이 감지되면, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도와 동일한 속도로 언로딩 이송 속도를 동기화시킨다. 경우에 따라서는, 기판의 일단의 감지 여부와 관계없이, 벨트 이송 속도와 언로딩 이송 속도가 동일하도록 언로딩 이송 롤러를 회전시키고 있는 상태에서 이송 벨트를 회전시켜 기판을 언로딩 파트로 언로딩하는 것도 가능하다.For example, when one end of the substrate W is sensed, the unloading control unit 320 synchronizes the unloading transport speed at the same speed as the belt transport speed at which the transport belt 210 transports the substrate W. In some cases, regardless of whether one end of the substrate is detected or not, the conveyor belt is rotated while the unloading transport roller is rotating so that the belt transport speed and the unloading transport speed are the same to unload the substrate as an unloading part. It is also possible

예비 세정 유닛(500)은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)을 예비 세정을 수행하도록 구성될 수 있다.The preliminary cleaning unit 500 may be configured to perform preliminary cleaning of the substrate W in various ways according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 11을 참조하면, 예비 세정 유닛(500)은 기판(W)의 표면에 물리적으로 비접촉되며 예비 세정을 수행하는 비접촉식 세정부(510)를 포함한다.For example, referring to FIG. 11 , the preliminary cleaning unit 500 includes a non-contact cleaning unit 510 that does not physically contact the surface of the substrate W and performs preliminary cleaning.

비접촉식 세정부(510)는 기판(W)의 표면에 물리적으로 비접촉(non-contact)되며 세정을 수행 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 비접촉식 세정부(510)는 기판(W)의 표면에 적어도 한 종류 이상의 세정 유체를 분사하는 유체분사부(512)를 포함한다.The non-contact cleaning unit 510 is physically non-contact with the surface of the substrate W and may be provided in various structures capable of performing cleaning. For example, the non-contact cleaning unit 510 includes a fluid injection unit 512 that sprays at least one type of cleaning fluid onto the surface of the substrate W.

유체분사부(512)에서 분사 가능한 세정 유체의 종류 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 세정 유체는 기상 유체(예를 들어, 질소)와 액상 유체(예를 들어, 순수) 중 어느 하나일 수 있다. 바람직하게, 유체분사부(512)는 기판(W)의 표면에 존재하는 이물질을 충분한 타격력으로 타격할 수 있도록 고압으로 분사된다.The type and characteristics of the cleaning fluid that can be injected by the fluid ejection unit 512 may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the cleaning fluid may be any one of a gaseous fluid (eg, nitrogen) and a liquid fluid (eg, pure water). Preferably, the fluid injection unit 512 is injected at a high pressure so as to hit the foreign material present on the surface of the substrate W with sufficient striking force.

경우에 따라서는 유체분사부가 스팀을 분사하거나, 드라이아이스 입자와 함께 기상 유체(또는 액상 유체)를 분사하도록 구성되는 것도 가능하다. 다르게는, 유체분사부가 기판의 표면에 유체를 분사함과 동시에, 기판의 표면으로부터 이물질을 효과적으로 분리하기 위한 진동 에너지(예를 들어, 고주파 진동 에너지 또는 저주파 진동 에너지)를 함께 공급하는 것도 가능하다.In some cases, the fluid spraying unit may be configured to spray steam or a gaseous fluid (or liquid fluid) together with dry ice particles. Alternatively, it is also possible to supply vibration energy (eg, high-frequency vibration energy or low-frequency vibration energy) for effectively separating foreign substances from the surface of the substrate while the fluid ejection unit injects the fluid to the surface of the substrate.

예비 세정 유닛의 다른 실시예로서, 도 14를 참조하면, 유체분사부(512')는 기판(W)에 대해 소정 각도(θ)로 경사지게 배치되며, 기판(W)이 이송되는 방향을 마주하며 기판(W)의 전체 폭에 대하여 표면에 경사지게 접촉되는 선형 유체 커튼(linear fluid curtain)을 형성한다.As another embodiment of the pre-cleaning unit, referring to FIG. 14 , the fluid ejection unit 512 ′ is inclined at a predetermined angle θ with respect to the substrate W, and faces the direction in which the substrate W is transported. A linear fluid curtain is formed that is obliquely in contact with the surface over the entire width of the substrate (W).

여기서, 선형 유체 커튼이라 함은, 선형적으로 형성되는 유체에 의한 막 형태의 커튼을 의미한다. 바람직하게, 선형 유체 커튼은 기판(W)의 폭 방향(기판의 이송 방향에 직교하는 방향)을 따라 연속적으로 기판(W)에 접촉된다.Here, the linear fluid curtain means a curtain in the form of a film formed by a fluid that is linearly formed. Preferably, the linear fluid curtain contacts the substrate W continuously along the width direction of the substrate W (direction orthogonal to the transport direction of the substrate).

이는, 기판(W)의 세정 효율을 높이고 기판으로부터 분리된 이물질이 기판(W)에 재부착되는 것을 최소화하기 위함이다.This is to increase the cleaning efficiency of the substrate W and to minimize the re-attachment of foreign substances separated from the substrate to the substrate W.

즉, 일측변의 길이가 1m 보다 큰 대면적 사각형 기판(W)에서는, 기판(W)의 큰 사이즈로 인해 기판(W)의 전체 면적을 세정하는데 많은 시간이 소요되므로, 기판(W)의 표면으로 분사된 유체에 의해 분리된 이물질이 다시 기판(W)의 표면에 재부착(고착)될 우려가 있다.That is, in a large-area rectangular substrate W having a side length greater than 1 m, it takes a lot of time to clean the entire area of the substrate W due to the large size of the substrate W, so the surface of the substrate W There is a risk that foreign substances separated by the injected fluid may be re-adhered (adhered) to the surface of the substrate W again.

이에 본 발명은, 기판(W)에 대해 경사지게 접촉되는 선형 유체 커튼에 의해 기판(W)이 세정되도록 하는 것에 의하여, 기판의 표면으로부터 이물질을 분리시킴과 동시에 분리된 이물질을 기판의 일단에서 타단 방향으로 쓸어내 기판의 외측으로 신속하게 배출시킬 수 있으므로, 기판으로부터 분리된 이물질이 기판에 재부착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 더욱이, 경사진 선형 유체 커튼에 의하여 기판을 세정하는 것에 의하여 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 유체의 사용량을 저감하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, the present invention separates foreign substances from the surface of the substrate by cleaning the substrate W by a linear fluid curtain that is in inclined contact with the substrate W, and at the same time separates the separated foreign substances from one end of the substrate in the direction of the other end. Since it can be quickly discharged to the outside of the substrate by sweeping it to the outside, it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the re-adhesion of foreign substances separated from the substrate to the substrate. Moreover, cleaning efficiency of the substrate can be improved by cleaning the substrate by the inclined linear fluid curtain, and advantageous effects of reducing the amount of fluid used can be obtained.

또한, 도 15를 참조하면, 예비 세정 유닛은, 기판(W)의 이송 방향을 기준으로 유체분사부(512')로부터 분사되는 선형 유체 커튼의 후방에 배치되며, 유체분사부로부터 기판(W)의 표면으로 분사된 유체를 흡입하는 유체흡입부(530)를 포함할 수 있다.In addition, referring to FIG. 15 , the preliminary cleaning unit is disposed at the rear of the linear fluid curtain sprayed from the fluid ejection unit 512 ′ based on the transfer direction of the substrate W, and the substrate W from the fluid ejection unit It may include a fluid suction unit 530 for sucking the fluid injected to the surface of the.

유체흡입부(530)는 기판(W)의 표면에 위치하는 유체(이물질을 포함하는 유체)를 흡입할 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 유체흡입부(530)의 흡입 방식 및 흡입 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The fluid suction part 530 may be formed in various structures capable of sucking a fluid (fluid containing a foreign substance) located on the surface of the substrate W, and the fluid suction part 530 depends on the suction method and the suction structure. The present invention is not limited or limited by the

일 예로, 유체흡입부(530)는 기판의 상면에 근접하게 배치되는 흡입부재(미도시)를 포함할 수 있으며, 흡입부재에는 유체를 흡입하는 흡입슬롯(미도시)이 기판의 폭방향을 따라 연속적으로 형성될 수 있다.For example, the fluid suction unit 530 may include a suction member (not shown) disposed close to the upper surface of the substrate, and the suction member has a suction slot (not shown) for sucking the fluid along the width direction of the substrate. It can be formed continuously.

이와 같이, 유체분사부(512')로부터 기판(W)의 표면으로 분사된 유체가 곧바로 유체흡입부(530)에 의해 흡입되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)으로부터 분리된 이물질을 보다 신속하게 기판으로부터 제거할 수 있으며, 기판(W)으로부터 분리된 이물질이 기판(W)에 재부착되는 것을 효과적으로 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by allowing the fluid injected from the fluid ejection unit 512 ′ to the surface of the substrate W to be directly sucked by the fluid suction unit 530 , foreign substances separated from the substrate W are more quickly removed from the substrate. It can be removed from the substrate (W), it is possible to obtain an advantageous effect of effectively preventing the foreign substances separated from the substrate (W) from being re-attached to the substrate (W).

또한, 도 16을 참조하면, 예비 세정 유닛은, 기판(W)의 이송 방향을 따라 유체분사부(512')에서 분사된 유체가 기판(W)에 접촉하는 접촉 위치(CS)의 전방에 배치되며, 기판(W)의 표면에서 비산되는 유체를 차단하는 차단부재(540)를 포함할 수 있다.Also, referring to FIG. 16 , the preliminary cleaning unit is disposed in front of the contact position CS where the fluid sprayed from the fluid ejection unit 512 ′ contacts the substrate W along the transport direction of the substrate W. and may include a blocking member 540 to block the fluid scattering from the surface of the substrate (W).

이와 같이, 유체가 기판(W)에 접촉하는 접촉 위치(CS)의 전방에 차단부재(540)를 배치하고, 기판(W)의 표면에서 되튀어 비산되는 유체가 차단부재(540)에 의해 차단되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)으로부터 분리된 이물질이 접촉 위치(CS)를 통과한 기판(W) 영역에 재부착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the blocking member 540 is disposed in front of the contact position CS where the fluid is in contact with the substrate W, and the fluid that bounces back from the surface of the substrate W is blocked by the blocking member 540 . By doing so, it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing re-attachment of foreign substances separated from the substrate W to the region of the substrate W that has passed through the contact position CS.

한편, 도 12를 참조하면, 예비 세정 유닛(500)은 기판(W)의 표면에 물리적으로 접촉되며 예비 세정을 수행하는 접촉식 세정부(520)를 포함한다.Meanwhile, referring to FIG. 12 , the preliminary cleaning unit 500 includes a contact cleaning unit 520 that physically contacts the surface of the substrate W and performs preliminary cleaning.

접촉식 세정부(520)는 기판(W)의 표면에 물리적으로 접촉(contact)되며 세정을 수행 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 접촉식 세정부(520)는 기판(W)의 표면에 회전하며 접촉되는 세정 브러쉬(522)를 포함한다.The contact cleaning unit 520 is in physical contact with the surface of the substrate W and may be provided in various structures capable of performing cleaning. For example, the contact cleaning unit 520 includes a cleaning brush 522 that rotates and contacts the surface of the substrate W.

세정 브러쉬(522)로서는 기판(W)의 표면에 마찰 접촉 가능한 통상의 소재(예를 들어, 다공성 소재의 폴리 비닐 알코올)로 이루어진 브러쉬가 사용될 수 있다. 아울러, 세정 브러쉬(522)의 표면에는 브러쉬의 접촉 특성을 향상시키기 위한 복수개의 세정 돌기가 형성되는 것이 가능하다. 물론, 경우에 따라서는 세정 돌기가 없는 브러쉬를 사용하는 것도 가능하다.As the cleaning brush 522, a brush made of a common material (eg, polyvinyl alcohol of a porous material) capable of frictionally contacting the surface of the substrate W may be used. In addition, it is possible to form a plurality of cleaning protrusions on the surface of the cleaning brush 522 to improve the contact characteristics of the brush. Of course, in some cases, it is also possible to use a brush without cleaning projections.

또한, 세정 브러쉬(522)에 의한 세정이 수행되는 동안에는 세정 브러쉬(522)와 기판(W)의 마찰 접촉에 의한 세정 효과를 높일 수 있도록, 세정 브러쉬(522)와 기판(W)의 접촉 부위에 케미컬 또는 세정액을 공급하는 것도 가능하다.In addition, while cleaning by the cleaning brush 522 is performed, in order to increase the cleaning effect due to frictional contact between the cleaning brush 522 and the substrate W, the cleaning brush 522 and the substrate W are in contact with each other. It is also possible to supply a chemical or cleaning solution.

이와 같이, 연마 파트(200)에서 기판(W)의 연마 공정이 행해진 다음에, 언로딩 파트(300)로 기판(W)이 언로딩되는 언로딩 공정 중에 곧바로 기판(W)에 대한 예비 세정 공정이 지체없이 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(W) 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고착되는 것을 최소화할 수 있으며, 후속 세정 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하고, 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, after the polishing process of the substrate W is performed in the polishing part 200 , a preliminary cleaning process for the substrate W is immediately performed during the unloading process in which the substrate W is unloaded to the unloading part 300 . By doing this without delay, it is possible to minimize adhering of abrasive particles to the polishing surface while the polishing surface of the substrate W is dried, minimize the process time required for a subsequent cleaning process, and increase cleaning efficiency. effect can be obtained.

더욱이, 기판(W)이 언로딩되는 공정 중에 기판에 대한 예비 세정이 행해지도록 하는 것에 의하여, 다시 말해서, 기판의 언로딩 공정과 기판에 대한 예비 세정 공정이 동시에 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 처리 시간을 단축할 수 있으며, 공정 효율성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, by causing the substrate to be pre-cleaned during the process in which the substrate W is unloaded, that is, by allowing the unloading process of the substrate and the pre-cleaning process to be performed at the same time, the processing of the substrate Time can be shortened, and advantageous effects of improving process efficiency and yield can be obtained.

바람직하게, 기판 처리 장치는, 언로딩 파트(300)의 언로딩 영역에 구비되며, 예비 세정 공정이 행해지는 공간을 그 이외의 공간과 차단하는 차단 유닛(501)을 포함한다.Preferably, the substrate processing apparatus includes a blocking unit 501 that is provided in the unloading area of the unloading part 300 and blocks a space in which the preliminary cleaning process is performed from other spaces.

여기서, 예비 세정 공정이 행해지는 공간이라 함은, 예비 세정이 이루어지는 공간으로 이해될 수 있으며, 이 공간은 차단 유닛(501)에 의해 독립적으로 밀폐된 챔버 구조로 제공된다.Here, the space in which the preliminary cleaning process is performed may be understood as a space in which the preliminary cleaning is performed, and this space is provided in an independently closed chamber structure by the blocking unit 501 .

차단 유닛(501)은 외부와 차단된 독립적인 밀폐 공간을 제공 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 차단 유닛(501)은 언로딩 영역의 공간 일부를 감싸도록 제공되며 독립적인 예비 세정 처리 공간을 제공하는 케이싱(502)과, 케이싱(502)의 출입구(502a)를 개폐하는 개폐부재(504)를 포함할 수 있다.The blocking unit 501 may be provided in various structures capable of providing an independent closed space blocked from the outside. For example, the blocking unit 501 is provided to surround a portion of the space of the unloading area and includes a casing 502 that provides an independent preliminary cleaning treatment space, and an opening/closing member ( 504) may be included.

케이싱(502)은 측면에 출입구(502a)가 형성된 대략 사각 박스 형태로 제공될 수 있으며, 개폐부재(504)는 통상의 구동부(예를 들어, 모터 및 동력 전달부재의 조합)에 의해 상하 방향을 따라 직선 이동하며 케이싱(502)의 출입구(502a)를 개폐하도록 구성될 수 있다.The casing 502 may be provided in the form of a substantially rectangular box having an entrance 502a formed on the side thereof, and the opening and closing member 504 is vertically directed by a conventional driving unit (eg, a combination of a motor and a power transmission member). It may be configured to open and close the entrance 502a of the casing 502 while moving along the straight line.

이와 같이, 예비 세정 공정이 행해지는 언로딩 영역에 형성된 차단 유닛(501)이 예비 세정 공정이 행해지는 공간을 그 이외의 공간과 차단하는 독립적인 챔버를 형성하여, 챔버 내에서 예비세정공정이 행해지는 동안에 세정액 및 이물질이 챔버의 바깥으로 유출되는 것이 차단되도록 하는 것에 의하여, 예비 세정 공정에서 발생된 이물질 등이 인접한 연마 파트(200) 또는 세정 파트(400)로 유입되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the blocking unit 501 formed in the unloading area where the preliminary cleaning process is performed forms an independent chamber that blocks the space where the preliminary cleaning process is performed from other spaces, so that the preliminary cleaning process is not performed in the chamber. By blocking the outflow of the cleaning liquid and foreign substances to the outside of the chamber during the cleaning process, an advantageous effect of minimizing the inflow of foreign substances generated in the preliminary cleaning process into the adjacent abrasive part 200 or the cleaning part 400 is obtained. can

더욱 바람직하게, 기판 처리 장치는, 차단 유닛(501)의 내부 공간과 연통되며, 차단 유닛(501)의 내부 공간의 이물질을 흡입하여 배기하는 배기부(600)를 포함한다.More preferably, the substrate processing apparatus includes an exhaust unit 600 communicating with the internal space of the blocking unit 501 and sucking in and exhausting foreign substances in the internal space of the blocking unit 501 .

일 예로, 배기부(600)는 차단 유닛(501)의 상면 또는 측면에 연결되며, 진공압이 인가되는 배기관(미도시)을 포함한다.For example, the exhaust unit 600 is connected to the upper surface or the side surface of the blocking unit 501, and includes an exhaust pipe (not shown) to which vacuum pressure is applied.

이와 같이, 차단 유닛(501)에 배기부(600)를 연결하고, 차단 유닛(501)의 내부 공간 상에서 부유된 이물질(예를 들어, 파티클)이 배기부(600)를 통해 배기되도록 하는 것에 의하여, 예비 세정시 발생된 이물질이 세정 파트(400)로 유입되는 것을 최소화하고, 이물질에 의한 세정 오류 및 세정 효과 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by connecting the exhaust unit 600 to the blocking unit 501 and allowing foreign substances (eg, particles) suspended in the internal space of the blocking unit 501 to be exhausted through the exhaust unit 600 , , it is possible to obtain advantageous effects of minimizing the inflow of foreign substances generated during preliminary cleaning into the cleaning part 400, and minimizing cleaning errors and deterioration in cleaning effect due to foreign substances.

도 1 및 도 13을 참조하면, 세정 파트(400)는 예비 세정 유닛(500)에 의해 예비 세정된 기판(W)을 다시 후속 세정하도록 마련된다.1 and 13 , the cleaning part 400 is provided to subsequently clean the substrate W pre-cleaned by the preliminary cleaning unit 500 again.

여기서, 기판(W)의 후속 세정이라 함은, 예비 세정이 완료된 후 기판(W)의 표면(특히, 기판의 연마면, 기판의 비연마면도 세정 가능)에 잔류하는 이물질을 세정하기 위한 공정으로 정의된다.Here, the subsequent cleaning of the substrate W is a process for cleaning foreign substances remaining on the surface of the substrate W (especially, the polished surface of the substrate and the non-polished surface of the substrate can also be cleaned) after the preliminary cleaning is completed. Defined.

세정 파트(400)는 여러 단계의 세정 및 건조 공정을 수행 가능한 구조로 제공될 수 있으며, 세정 파트(400)를 구성하는 세정 스테이션의 구조 및 레이아웃에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The cleaning part 400 may be provided in a structure capable of performing several stages of cleaning and drying processes, and the present invention is not limited or limited by the structure and layout of the cleaning station constituting the cleaning part 400 .

바람직하게, 세정 파트(400)는 기판(W)의 표면에 잔류하는 유기물 및 여타 다른 이물질을 제거하기 위한 세정을 효과적으로 수행할 수 있도록, 기판(W)의 표면에 물리적으로 접촉되며 세정을 수행하는 접촉식 세정 유닛(410), 및 기판(W)의 표면에 물리적으로 비접촉되며 세정을 수행하는 비접촉식 세정 유닛(420)을 포함하여 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 세정 파트가 접촉식 세정 유닛 및 비접촉식 세정 유닛 중 어느 하나만을 포함하여 구성되는 것도 가능하다.Preferably, the cleaning part 400 is in physical contact with the surface of the substrate W to perform cleaning to effectively perform cleaning to remove organic matter and other foreign substances remaining on the surface of the substrate W. It may be configured to include a contact cleaning unit 410 and a non-contact cleaning unit 420 that is physically non-contact with the surface of the substrate W and performs cleaning. In some cases, it is also possible that the cleaning part is configured to include only one of a contact cleaning unit and a non-contact cleaning unit.

일 예로, 접촉식 세정 유닛(410)은 기판(W)의 표면에 회전하며 접촉되는 세정 브러쉬(422)를 포함한다.For example, the contact cleaning unit 410 includes a cleaning brush 422 that rotates and contacts the surface of the substrate W.

또한, 비접촉 세정 유닛(420)은 기판(W)의 표면에 서로 다른 이종(heterogeneity) 유체를 분사하는 이종 유체 분사부(422,424)를 포함할 수 있다. 아울러, 이종 유체 분사부(422,424)는 이종 유체를 분사 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 이종 유체 분사부(422,424)는 제1유체(액상 유체 또는 기상 유체)를 분사하는 제1유체 분사노즐(422)과, 제1유체와 다른 제2유체(액상 유체 또는 기상 유체)를 분사하는 제2유체 분사노즐(424)를 포함할 수 있으며, 제1유체 및 제2유체는 혼합 또는 분리된 상태로 기판(W)의 표면에 분사될 수 있다.In addition, the non-contact cleaning unit 420 may include heterogeneous fluid ejection units 422 and 424 that eject different heterogeneity fluids to the surface of the substrate W. In addition, the heterogeneous fluid ejection units 422 and 424 may be provided in various structures capable of ejecting the heterogeneous fluid. For example, the heterogeneous fluid ejection units 422 and 424 include a first fluid ejection nozzle 422 for ejecting a first fluid (liquid fluid or gaseous fluid), and a second fluid (liquid fluid or gaseous fluid) different from the first fluid. It may include a second fluid jet nozzle 424 for jetting, and the first fluid and the second fluid may be jetted to the surface of the substrate W in a mixed or separated state.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that it can be changed.

10 : 기판 처리 장치 100 : 로딩 파트
110 : 로딩 이송 롤러 120 : 로딩 제어부
200 : 연마 파트 210 : 이송 벨트
212 : 롤러 유닛 212a : 제1롤러
212b : 제2롤러 214 : 리테이너
214a : 기판수용부 220 : 기판지지부
230 : 연마 유닛 232 : 연마패드
300 : 언로딩 파트 310 : 언로딩 이송 롤러
320 : 언로딩 제어부 400 : 세정 파트
500 : 예비 세정 유닛 501 : 차단 유닛
510 : 비접촉식 세정부 512 : 유체분사부
520 : 접촉식 세정부 522 : 세정 브러쉬
600 : 배기부
10: substrate processing apparatus 100: loading part
110: loading transport roller 120: loading control unit
200: abrasive part 210: conveying belt
212: roller unit 212a: first roller
212b: second roller 214: retainer
214a: substrate receiving unit 220: substrate supporting unit
230: polishing unit 232: polishing pad
300: unloading part 310: unloading transfer roller
320: unloading control unit 400: cleaning part
500: preliminary cleaning unit 501: blocking unit
510: non-contact cleaning unit 512: fluid injection unit
520: contact cleaning unit 522: cleaning brush
600: exhaust

Claims (21)

디스플레이 장치에 사용되는 사각 형태의 기판을 처리하는 장치로서,
상기 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 연마 파트와;
언로딩 영역에서 예비 세정이 행해진 상기 기판을 이송받아 후속 세정 공정이 행해지는 세정 파트와;
상기 연마 파트에서 연마가 완료된 상기 기판이 상기 세정 파트로 일방향 이동하는 경로에 구비되어, 예비 세정 공정이 행해지는 공간을 그 이외의 공간과 차단하는 차단 유닛과;
상기 차단 유닛의 내부에 설치되어 상기 기판이 이송되는 방향을 마주하고 상기 기판의 전체 폭에 대하여 상기 기판의 표면에 경사지게 접촉하는 선형 유체 커튼(linear fluid curtain)을 형성하도록 유체를 분사하는 유체분사부와;
상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상기 선형 유체 커튼의 후방에 배치되며, 상기 유체분사부로부터 상기 기판의 표면으로 분사된 상기 유체를 흡입하는 유체흡입부를;
포함하여, 상기 연마 파트와 상기 세정 파트의 사이에서 상기 기판이 이송되는 중에 상기 기판이 예비 세정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a square-shaped substrate used in a display device, comprising:
a polishing part on which a polishing process is performed on the substrate;
a cleaning part to which a subsequent cleaning process is performed by receiving the substrate that has been pre-cleaned in an unloading area;
a blocking unit provided in a path in which the substrate on which the polishing has been completed in the polishing part moves in one direction to the cleaning part to block a space in which a preliminary cleaning process is performed from other spaces;
A fluid injection unit installed inside the blocking unit to face a direction in which the substrate is transported and to spray a fluid to form a linear fluid curtain that is in contact with the surface of the substrate in an inclined manner with respect to the entire width of the substrate. Wow;
a fluid suction unit disposed at the rear of the linear fluid curtain based on the transfer direction of the substrate and sucking the fluid injected from the fluid injection unit to the surface of the substrate;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the substrate is pre-cleaned while the substrate is being transferred between the polishing part and the cleaning part.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판의 이송 방향을 따라 상기 유체분사부에서 분사된 상기 유체가 상기 기판에 접촉하는 접촉 위치의 전방에 배치되며, 상기 기판의 표면에서 비산되는 상기 유체를 차단하는 차단부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
and a blocking member disposed in front of a contact position where the fluid sprayed from the fluid spraying unit contacts the substrate along the transfer direction of the substrate and blocking the fluid scattering from the surface of the substrate. substrate processing equipment.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 차단 유닛은,
상기 기판이 출입되는 출입구가 형성되며, 상기 예비 세정 공정이 행해지는 공간을 감싸도록 제공되는 케이싱과;
상기 출입구를 선택적으로 개폐하는 개폐부재를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The blocking unit is
a casing having an entrance through which the substrate enters and exits and is provided to surround a space in which the preliminary cleaning process is performed;
an opening and closing member for selectively opening and closing the entrance;
A substrate processing apparatus comprising:
제1항에 있어서,
상기 차단 유닛의 내부 공간과 연통되며, 상기 내부 공간의 이물질을 흡입하여 배기하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.


The method of claim 1,
and an exhaust unit communicating with the internal space of the blocking unit and configured to suck and exhaust foreign substances in the internal space.


삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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