KR20190078803A

KR20190078803A - Substrate procesing apparatus

Info

Publication number: KR20190078803A
Application number: KR1020170180489A
Authority: KR
Inventors: 이호준
Original assignee: 주식회사 케이씨텍
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2017-12-27
Publication date: 2019-07-05
Also published as: CN208697131U

Abstract

The present invention relates to a substrate processing device. The substrate processing device, in which a polishing process of the substrate is performed, comprises a substrate holding part on which the substrate is held, a polishing unit moving relative to the substrate and polishing an upper surface of the substrate, and a fluid injection unit provided at a rear of the polishing unit along a direction of movement of the polishing unit relative to the substrate and injecting fluid to the substrate. Therefore, an advantageous effect of minimizing solidification of foreign substances such as abrasive particles or the like onto the substrate and increasing cleaning efficiency can be obtained.

Description

[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 연마 입자 등의 이물질이 기판에 고화되는 것을 최소화하고, 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of minimizing solidification of foreign matter such as abrasive grains on a substrate and improving cleaning efficiency.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.In recent years, there has been a growing interest in information display and a demand for a portable information medium has increased, and a lightweight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of flat panel displays, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes little power, has attracted the greatest attention, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, ratio, and viewing angle. Therefore, a new display device capable of overcoming such drawbacks is actively developed. One of the next-generation displays, which has recently come to the fore, is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.Generally, a glass substrate having excellent strength and transparency is used in a display device. In recent years, since the display device is slim and high-pixel, a corresponding glass substrate must be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, an Eximer Laser Annealing (ELA) process in which a laser is injected into an amorphous silicon (a-Si) to crystallize it into polysilicon (poly-Si) And these protrusions can generate mura-effects, so that the glass substrate must be able to be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, in recent years, various studies have been made to efficiently polish the surface of the substrate, but there is still insufficient and development thereof is required.

본 발명은 연마 입자 등의 이물질이 기판에 고화되는 것을 최소화하고, 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing the solidification of foreign substances such as abrasive grains on a substrate and improving the cleaning efficiency.

특히, 본 발명은 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 중에, 기판의 습식 상태를 보장함과 동시에 기판의 세정을 행할 수 있으며, 이물질의 잔류 및 기판의 건조에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.More particularly, the present invention relates to a method for cleaning a substrate while ensuring a wet state of the substrate while performing a polishing process on the substrate, and also capable of preventing the substrate from being damaged due to foreign matter remaining and drying of the substrate .

또한, 본 발명은 기판에 잔류된 이물질을 고화되기 전에 빠른 시간 내에 효과적으로 세정할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to effectively clean foreign matter remaining on a substrate in a short time before solidification.

또한, 본 발명은 연마 효율 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to improve polishing efficiency and polishing uniformity.

또한, 본 발명은 기판의 처리 효율을 높이고, 처리 공정을 간소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of enhancing processing efficiency of a substrate and simplifying a processing process.

또한, 본 발명은 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to improve the cleaning efficiency of a substrate and to improve the yield.

또한, 본 발명은 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Further, the present invention aims at improving the degree of freedom of design and contributing to downsizing of facilities.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to shorten the time required for processing a substrate and to improve productivity.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 중에, 기판의 습식 상태를 보장함과 동시에 기판의 세정이 이루어지도록 하는 것에 의하여, 기판 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고화되는 것을 최소화할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention to accomplish the above-mentioned objects of the present invention, while the polishing process for the substrate is performed, the substrate is cleaned while ensuring the wet state of the substrate, It is possible to minimize the solidification of the abrasive grains on the polishing surface while the surface is dried.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 연마 입자 등의 이물질이 기판에 고화되는 것을 최소화하고, 세정 효율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, it is possible to minimize the solidification of foreign substances such as abrasive grains on the substrate and to obtain an advantageous effect of improving the cleaning efficiency.

특히, 본 발명에 따르면 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 중에, 기판의 습식 상태를 보장함과 동시에 기판의 세정을 행할 수 있으며, 이물질의 잔류 및 기판의 건조에 의한 기판의 손상을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Particularly, according to the present invention, it is possible to ensure the wet state of the substrate while cleaning the substrate while performing the polishing process on the substrate, and also to advantageously prevent the substrate from being damaged due to the residual of foreign matter and drying of the substrate Can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판에 잔류된 이물질을 고화되기 전에 빠른 시간 내에 효과적으로 세정하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of effectively cleaning the foreign matter remaining on the substrate in a short time before solidification.

또한, 본 발명에 따르면 연마 효율 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, an advantageous effect of improving polishing efficiency and polishing uniformity can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 처리 효율을 높이고, 처리 공정을 간소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of increasing the processing efficiency of the substrate and simplifying the processing steps.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, the cleaning efficiency of the substrate can be improved and an advantageous effect of improving the yield can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to improve the degree of freedom of design and contribute to the miniaturization of facilities.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도,
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 유체분사유닛을 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 습식처리유닛을 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 파트를 설명하기 위한 도면,
도 11 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention,
2 is a perspective view for explaining a polishing part, which is a substrate processing apparatus according to the present invention,
FIGS. 3 and 4 are views for explaining a fluid ejecting unit, which is a substrate processing apparatus according to the present invention,
5 is a view for explaining a retainer, which is a substrate processing apparatus according to the present invention,
6 is a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit,
FIG. 7 is a view for explaining another embodiment of the polishing unit as the substrate processing apparatus according to the present invention,
8 and 9 are views for explaining a wet processing unit as a substrate processing apparatus according to the present invention,
10 is a view for explaining a cleaning part as a substrate processing apparatus according to the present invention,
11 to 13 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements and can be described with reference to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents which are judged to be obvious to the person skilled in the art or repeated can be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도이며, 도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 유체분사유닛을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이다. 한편, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 습식처리유닛을 설명하기 위한 도면이고, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정 파트를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a perspective view for explaining a polishing part as a substrate processing apparatus according to the present invention, Fig. 3 is a view for explaining a fluid ejecting unit as a processing apparatus. Fig. Fig. 5 is a view for explaining a retainer as a substrate processing apparatus according to the present invention, and Fig. 6 is a plan view for explaining a polishing path of a polishing unit as a substrate processing apparatus according to the present invention. On the other hand, Fig. 7 is a view for explaining another embodiment of the polishing unit as the substrate processing apparatus according to the present invention. 8 and 9 are views for explaining a wet processing unit as a substrate processing apparatus according to the present invention, and Fig. 10 is a view for explaining a cleaning part as a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1 내지 도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(220)과, 기판(W)에 대한 연마 유닛(220)의 이동 방향을 따라 연마 유닛(220)의 후방에 마련되며 기판(W)에 유체를 분사하는 유체분사유닛(230)을 포함한다.1 to 10, a substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a substrate mounting unit 210 on which a substrate W is mounted, A fluid ejection unit 230 provided at the rear of the polishing unit 220 along the moving direction of the polishing unit 220 with respect to the substrate W for ejecting a fluid to the substrate W, ).

이는, 기판(W)에 이물질에 고화되는 것을 최소화하고, 기판(W)의 세정 효율을 향상시키기 위함이다.This is to minimize the solidification of foreign matter on the substrate W and improve the cleaning efficiency of the substrate W. [

즉, 연마 공정이 행해지는 중에, 기판의 연마면에 묻어있던 연마 입자 등이 건조되면서 연마면에 고화되면, 연마면에 고화된 입자를 제거하는 데 훨씬 긴 시간의 세정 공정이 필요하고 세정 효과도 낮아지는 문제점이 있다.That is, when the abrasive particles or the like on the abrasive surface of the substrate are solidified on the abrasive surface while the abrasive process is performed, a cleaning process for a much longer time is required to remove the solidified particles on the abrasive surface, There is a problem of lowering.

이와 같은 문제를 해소하기 위하여, 종래에는 기판의 연마 시간을 최대한 단축하고 연마 공정이 행해진 기판을 가능한 빠른 시간 내에 신속하게 세정 파트로 이송하여 세정 공정을 시작하고자 하는 노력이 시도되어 왔다. 그러나, 기판의 연마가 행해지는 중에, 또는 기판을 연마 파트에서 세정 파트로 이송되는 시간 동안에, 기판의 연마면이 건조되면서 기판(W)에 묻어있는 이물질이 기판 표면에 고화(또는 고착)되는 것을 피할 수 없어서, 상기 노력에도 불구하고 세정 공정이 오래 소요되고 세정 효과가 낮았던 문제를 해결하는 데 한계가 따르면 문제점이 있다. 특히, 기판의 사이즈가 커질수록 기판을 전체적으로 연마하는데 소요되는 시간이 길어지므로, 예를 들어, 6세대 유리 기판의 경우 기판 전체를 연마하는데 5분 이상 소요되므로, 연마 공정이 행해지는 중에 이물질이 기판에 고화될 우려가 높은 문제점이 있다.In order to solve this problem, efforts have been made in the past to shorten the polishing time of the substrate as much as possible and to start the cleaning process by transferring the substrate subjected to the polishing process to the cleaning part as quickly as possible. However, during polishing of the substrate, or during the time the substrate is transferred from the polishing part to the cleaning part, the foreign substance on the substrate W is solidified (or fixed) on the substrate surface while the polishing surface of the substrate is dried It is difficult to solve the problem that the washing process takes a long time and the cleaning effect is low despite the above efforts. Particularly, as the size of the substrate increases, the time required for polishing the entire substrate becomes longer. For example, in the case of the sixth-generation glass substrate, it takes 5 minutes or more to polish the entire substrate. There is a problem in that it is likely to be solidified.

하지만, 본 발명은 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지는 중에, 기판(W)의 습식 상태를 보장함과 동시에 기판(W)의 세정이 이루어지도록 하는 것에 의하여, 기판(W) 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고화되는 것을 최소화할 수 있으며, 후속 세정 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하고, 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명은 연마 공정이 행해지는 중에 기판(W)에 묻어있는 이물질이 기판(W) 표면에 고화되기 전에 곧바로 기판(W)에 유체를 분사하는 것에 의하여, 기판(W)에 이물질에 고화되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention ensures the wet state of the substrate W while simultaneously cleaning the substrate W while the polishing process is performed on the substrate W, so that the polishing surface of the substrate W It is possible to minimize the solidification of abrasive grains and the like on the polishing surface while drying, minimize the process time required for the subsequent cleaning process, and obtain an advantageous effect of increasing the cleaning efficiency. Particularly, in the present invention, by spraying a fluid onto the substrate W immediately before the foreign matter on the substrate W is solidified on the surface of the substrate W while the polishing process is being performed, It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of the problem.

더욱이, 본 발명은 기판(W)의 연마 공정이 행해지는 중에 기판(W)의 세정이 행해지도록 하는 것에 의하여, 다시 말해서, 기판(W)의 연마 공정과 기판(W)의 세정 공정이 동시에 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 시간을 단축할 수 있으며, 공정 효율성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The polishing process of the substrate W and the cleaning process of the substrate W are performed at the same time by performing the cleaning of the substrate W while the polishing process of the substrate W is being performed The processing time of the substrate W can be shortened, and an advantageous effect of improving the process efficiency and yield can be obtained.

기판거치부(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트에 공급된 기판(W)은 기판거치부(210)로 이송되어 기판거치부(210)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The substrate mounting part 210 is disposed between the loading part 100 and the unloading part 300. The substrate W supplied to the loading part is transferred to the substrate mounting part 210, And is then unloaded through the unloading part 300. As shown in FIG.

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트(200)에 로딩하기 위해 마련된다.More specifically, the loading part 100 is provided for loading the substrate W to be polished into the polishing part 200.

로딩 파트(100)는 연마 파트(200)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed in various structures that can load the substrate W on the polishing part 200 and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100. [

일 예로, 로딩 파트(100)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part 100 includes a plurality of loading conveying rollers 110 spaced apart at predetermined intervals, and the substrate W supplied to the upper part of the plurality of loading conveying rollers 110 is conveyed to the loading conveying rollers 110, And are cooperatively transported by a plurality of loading transport rollers as the transport rollers 110 rotate. In some cases, the loading part may be configured to include a circulating belt that circulates and rotates by the loading conveying roller.

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the loading part 100 can be aligned with the posture and position determined by the aligning unit (not shown) before being supplied to the loading part 100.

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate W used in the present invention, a rectangular substrate W having a side longer than 1 m may be used. As an example, a sixth-generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used as the substrate W to be subjected to the chemical mechanical polishing process. In some cases, the 7th generation and the 8th generation glass substrates may be used as the substrates to be processed. Alternatively, it is possible to use a substrate (for example, a second-generation glass substrate) having a length of one side of less than 1 m.

기판거치부(210)와, 연마 유닛(220)은 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트를 구성하도록 마련된다.The substrate mounting part 210 and the polishing unit 220 are provided to constitute a polishing part between the loading part 100 and the unloading part 300.

기판거치부(210)는 기판(W)을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(210)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The substrate mounting part 210 may be provided in various structures for mounting the substrate W. The structure and shape of the substrate mounting part 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 기판거치부(210)는, 기판지지부(212)와, 기판지지부(212)의 상면에 구비되며 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)를 포함하고, 기판(W)은 표면패드(214)의 상면에 안착된다.For example, the substrate mounting portion 210 includes a substrate supporting portion 212 and a surface pad 214 provided on the upper surface of the substrate supporting portion 212 to increase the coefficient of friction with respect to the substrate W to suppress slip , The substrate W is seated on the upper surface of the surface pad 214.

참고로, 본 발명에서 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 이때, 슬러리는 연마패드(222)의 내측 영역에서 공급되거나 연마패드(222)의 외측 영역에서 공급될 수 있다.For reference, polishing the substrate W in the present invention is defined as polishing the substrate W by a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process for the substrate W. In one example, in the polishing part, a slurry for chemical polishing is supplied together while a mechanical polishing is performed on the substrate W, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. At this time, the slurry may be supplied in the inner region of the polishing pad 222 or in the outer region of the polishing pad 222.

기판지지부(212)는 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support 212 is provided to support the bottom surface of the substrate W. [

기판지지부(212)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)의 저면을 지지하도록 구성될 수 있다.The substrate support 212 may be configured to support the bottom surface of the substrate W in various manners depending on the required conditions and design specifications.

이하에서는 기판지지부(212)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부를 이용하여 기판을 저면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate supporting portion 212 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support portion may be formed in any other shape and structure, and the substrate may be supported on the bottom surface by using two or more substrate support portions.

아울러, 기판지지부(212)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판지지부가 금속 재질 또는 다공성 재질로 형성될 수 있으며, 기판지지부의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.In addition, as the substrate supporting portion 212, a stone crystal can be used. In some cases, the substrate supporting portion may be formed of a metal material or a porous material, and the present invention is not limited or limited by the material of the substrate supporting portion.

기판지지부(212)의 상면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)가 구비된다.The upper surface of the substrate support 212 is provided with a surface pad 214 for increasing the coefficient of friction with respect to the substrate W to suppress slip.

이와 같이, 기판지지부(212)의 상면에 표면패드(214)를 마련하고, 기판(W)이 표면패드(214)의 외표면에 안착되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)이 기판지지부(212)에 거치된 상태에서, 기판지지부(212)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The substrate W is supported by the substrate support 212 by the surface pads 214 provided on the upper surface of the substrate support 212 and the substrate W being seated on the outer surface of the surface pads 214. [ The movement of the substrate W relative to the substrate supporting portion 212 can be restrained (slippage can be restrained), and an advantageous effect of stably maintaining the position of the substrate W can be obtained.

표면패드(214)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드(214)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(214)는 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄, 엔지니어링 플라스틱, 실리콘 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.The surface pads 214 may be formed of various materials having bondability to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the surface pads 214. For example, the surface pads 214 may be formed using any one or more of polyurethane, engineering plastic, and silicone having excellent stretchability and tackiness (frictional force). In some cases, the surface pad may be formed of another material having a non-slip function.

또한, 표면패드(214)는 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다. 여기서, 표면패드(214)가 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다 함은, 표면패드(214)가 비교적 높은 연신율을 갖는 것으로도 표현될 수 있으며, 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있는 푹신푹신한 재질로 형성된 것으로 정의된다.Further, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compressibility. Here, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compressibility. The surface pad 214 can also be expressed as having a relatively high elongation, and the surface pad 214 can be easily compressed, &Lt; / RTI >

바람직하게, 표면패드(214)는 20~50%의 압축율을 갖도록 형성된다. 이와 같이, 표면패드(214)가 20~50%의 압축율을 갖도록 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 표면패드(214)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 최소화할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the surface pad 214 is formed to have a compressibility of 20 to 50%. By forming the surface pad 214 so that the surface pad 214 has a compressibility of 20 to 50%, even if a foreign matter enters between the substrate W and the surface pad 214, the surface pad 214 can be easily It is possible to minimize the deviation in the height of the substrate W due to the foreign substance (locally protruding a specific portion of the substrate W due to the foreign substance), and the localized protrusion of the specific portion of the substrate W An advantageous effect of minimizing a decrease in polishing uniformity can be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(212)가 접촉 방식으로 기판(W)을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 기판의 저면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In the above-described embodiment of the present invention, the substrate supporting unit 212 is configured to support the substrate W in a contact manner. However, in some cases, the substrate supporting unit may contact the bottom surface of the substrate in a non- It is also possible to constitute such a structure.

일 예로, 기판지지부는 기판의 저면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판의 저면(또는 표면패드의 저면)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이때, 기판지지부는 기판의 저면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In one example, the substrate support can be configured to spray fluid on the bottom surface of the substrate and support the bottom surface of the substrate (or the bottom surface of the surface pad) by the force of the fluid. At this time, the substrate supporting part may spray at least one of a gas (for example, air) and a liquid (for example, pure water) on the bottom surface of the substrate, and the kind of fluid may be variously can be changed.

경우에 따라서는, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, the substrate support may be configured to support the inner surface of the substrate in a noncontact manner using a magnetic force (e.g., repulsive force) or a levitation force by ultrasonic vibration.

연마 유닛(220)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 220 is provided so as to abrade the surface of the substrate W while being in contact with the surface of the substrate W. [

일 예로, 연마 유닛(220)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(222)를 포함한다.In one example, the polishing unit 220 is formed in a size smaller than the substrate W and includes a polishing pad 222 that moves while rotating in contact with the substrate W. [

보다 구체적으로, 연마패드(222)는 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, the polishing pad 222 is mounted on a polishing pad carrier (not shown) and linearly polished (planarized) the surface of the substrate W while rotating while being in contact with the surface of the substrate W.

연마패드 캐리어는 연마패드(222)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(222)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad carrier can be formed with various structures that can rotate the polishing pad 222, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad carrier. For example, the polishing pad carrier may be configured as a single body, or a plurality of bodies may be combined and configured to rotate in connection with a drive shaft (not shown). Further, the polishing pad carrier is provided with a pressing portion (for example, a pneumatic pressing portion for pneumatically pressing the polishing pad) for pressing the polishing pad 222 against the surface of the substrate W.

연마패드(222)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(222)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(222)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 222 is formed of a material suitable for mechanical polishing of the substrate W. For example, the polishing pad 222 may be formed of a material such as a polyurethane, a polyurea, a polyester, a polyether, an epoxy, a polyamide, a polycarbonate, a polyethylene, a polypropylene, a fluoropolymer, a vinyl polymer, an acrylic and a methacrylic polymer, But may be formed using various copolymers of silicone, latex, nitrile rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and styrene, butadiene, and acrylonitrile, and the material and properties of the polishing pad 222 may vary depending on the required conditions and design specifications And can be variously changed.

바람직하게 연마패드(222)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(222)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(222)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(222)를 사용하게 되면, 연마패드(222)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게, 연마패드는 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응하는 직경을 갖도록 형성되거나, 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이의 1/2 보다 작은 직경을 갖도록 형성될 수 있다.Preferably, a circular polishing pad 222 having a smaller size than the substrate W is used as the polishing pad 222. That is, although it is possible to polish the substrate W using the polishing pad 222 having a larger size than the substrate W, if the polishing pad 222 having a larger size than the substrate W is used, Since a very large rotating equipment and space are required to rotate the pad 222, there is a problem that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered. More preferably, the polishing pad may be formed to have a diameter corresponding to the width or length of the substrate W, or may be formed to have a diameter smaller than 1/2 of the width or length of the substrate W. [

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(222)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(222)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(222)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, since the substrate W has at least one side longer than 1 m in length, it is possible to rotate the polishing pad (e.g., a polishing pad having a diameter larger than 1 m) having a size larger than that of the substrate W There is a very difficult problem in itself. Further, when a non-circular polishing pad (for example, a square polishing pad) is used, the surface of the substrate W to be polished by the rotating polishing pad can not be polished to a uniform thickness as a whole. However, according to the present invention, by polishing the surface of the substrate W by rotating the circular polishing pad 222 having a size smaller than that of the substrate W, the polishing efficiency can be improved without sacrificing space efficiency and design freedom. 222 can be rotated to polish the substrate W, and an advantageous effect of keeping the polishing amount by the polishing pad 222 uniform as a whole can be obtained.

연마 유닛(220)은 갠트리(gantry) 유닛(20)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하도록 구성된다.The polishing unit 220 is configured to move along the X-axis direction and the Y-axis direction by a gantry unit 20.

보다 구체적으로, 갠트리 유닛(20)은, 제1방향(예를 들어, X축 방향)을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리(22)와, X축 갠트리(22)에 장착되어 제1방향에 직교하는 제2방향(예를 들어, Y축 방향)을 따라 직선 이동하는 Y축 갠트리(24)를 포함하며, 연마 유닛(220)은 Y축 갠트리(24)에 장착되어 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하면서 기판(W)을 연마 한다.More specifically, the gantry unit 20 includes an X-axis gantry 22 that linearly moves along a first direction (e.g., an X-axis direction) And a Y-axis gantry 24 that linearly moves along a second direction (e.g., the Y-axis direction) of the Y-axis gantry 24. The polishing unit 220 is mounted on the Y- The substrate W is polished.

X축 갠트리(22)는 "U"자 형상으로 형성될 수 있으며, 제1방향을 따라 배치된 가이드 레일(22a)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일(22a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, X축 갠트리(22)는 X축 갠트리(22)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.The X-axis gantry 22 may be formed in a "U " shape and is configured to move along a guide rail 22a disposed along a first direction. The X-axis gantry 22 is a linear motor capable of precisely controlling the position by current control applied to the coil of the X-axis gantry 22 Can be driven by the principle.

이때, 연마 유닛(220)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the polishing path of the polishing unit 220 can be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 6을 참조하면, 연마패드(222)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.6, the polishing pad 222 includes a first oblique path L1 that is inclined with respect to a side of the substrate W and a second oblique path L1 that is inclined in a direction opposite to the first oblique path L1. And to polish the surface of the substrate W while repetitively zigzagging along the path L2.

여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first oblique path L1 means, for example, a path inclined at a predetermined angle? With respect to the base of the substrate W. [ The second oblique path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first oblique path L1 so as to cross the first oblique path L1.

또한, 본 발명에서 연마패드(222)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(222)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(222)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(222)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.In the present invention, the polishing pad 222 repeatedly zigzag moves along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 as the polishing pad 222 contacts the surface of the substrate W (The second diagonal path in the first diagonal path) without stopping the movement path of the polishing pad 222 with respect to the substrate W during the movement of the substrate W in the first diagonal path. In other words, the polishing pad 222 continuously moves along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2, and forms a movement trajectory in the form of a continuous wave.

보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(222)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 are line-symmetric with respect to one side of the substrate W, and the polishing pad 222 has a first diagonal path L1 and a second diagonal path L2, And repeatedly zigzag along the second axis L2 to polish the surface of the substrate W. [ Herein, the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 refer to a line symmetry with respect to one side of the substrate W in the case where the first diagonal path L1 Means that the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 are completely overlapped when the first oblique path L1 and the second diagonal path L2 are symmetrical, And the angle formed by the one side of the substrate W and the second oblique path L2 are defined to be equal to each other.

바람직하게, 연마패드(222)는, 연마패드(222)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(222)가 연마패드(222)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.The polishing pad 222 preferably has a length equal to or smaller than the diameter of the polishing pad 222 at a reciprocating movement pitch along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2, Respectively. The polishing pad 222 is moved with respect to the substrate W along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 with the length of the diameter of the polishing pad 222 as the reciprocating movement pitch P An example of regularly reciprocating movement will be described.

이때, 연마 유닛(220)은 겐트리(Gantry)와 같은 구조물(미도시)에 의해 선형 이동하도록 구성될 수 있으며, 연마 유닛(220)을 이동시키는 구조물의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 겐트리는 기판(W)을 사이에 두고 기판(W)의 양측에 배치되며 기판(W)의 이송 방향을 따라 직선 이동 가능하게 마련되는 제1지지축과 제2지지축, 및 제1지지축과 제2지지축을 연결하는 연결축을 포함할 수 있으며, 연마 유닛(220)은 연결축 상에 장착될 수 있다.At this time, the polishing unit 220 may be configured to move linearly by a structure (not shown) such as a gantry, and the present invention may be limited by the type and structure of the structure for moving the polishing unit 220 But is not limited thereto. For example, the gantry may include a first support shaft and a second support shaft disposed on both sides of the substrate W with the substrate W interposed therebetween and linearly movable along the conveying direction of the substrate W, And a connection shaft connecting the support shaft and the second support shaft, and the polishing unit 220 may be mounted on the connection shaft.

이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(222)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(222)가 연마패드(222)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(222)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Thus, the surface of the substrate W is polished with the polishing pad 222 repeatedly staggered along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W, 222 are moved forward with respect to the substrate W at a reciprocating pitch P of a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 222 so that the polishing pad 222 It is possible to obtain an advantageous effect of regularly and uniformly polishing the entire surface of the substrate W without a region where the polishing by the polishing pad is omitted.

여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(222)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(222)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 6을 기준으로 기판(W)의 밑변에서 윗변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 밑변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(222)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.The movement of the polishing pad 222 forward relative to the substrate W means that the polishing pad 222 moves along the first oblique path L1 and the second oblique path L2 with respect to the substrate W (For example, toward the upper side from the base side of the substrate W with reference to Fig. 6). In other words, for example, the base of the right triangle is defined as the base of the substrate W, and the hypotenuse of the right triangle is defined as the first diagonal path L1 or the second diagonal path L2, and the right side of the right triangle may be defined as the forward travel distance of the polishing pad 222 with respect to the substrate W. [

다시 말해서, 연마패드(222)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(222)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(222)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, when the polishing pad 222 repeatedly moves in zigzag (along the first oblique path and the second oblique path) with respect to the substrate W with a length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 222 at a reciprocating pitch, It is possible to prevent occurrence of a region in which polishing by the polishing pad 222 is omitted in the entire surface area of the substrate W. Therefore, And the thickness distribution of the substrate W can be uniformly adjusted with respect to the two-dimensional plate surface, thereby obtaining an advantageous effect of improving the polishing quality.

다른 일 예로, 연마패드는 기판(W)의 일변 방향을 따른 제1직선경로(미도시)와, 제1직선경로의 반대 방향인 제2직선경로를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하는 것도 가능하다. 여기서, 제1직선경로라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로라 함은, 제1직선경로와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.In another example, the polishing pad has a first linear path (not shown) along one direction of the substrate W and a second linear path along the second linear path opposite to the first linear path while repeatedly zigzagging the substrate W It is also possible to polish the surface. Here, the first linear path means, for example, a path along the direction from one end of the base of the substrate W to the other end. The second linear path means a path directed in the opposite direction to the first linear path.

참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 파트가 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드에 의해 기판(W)을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 무한 루프 방식으로 순환 회전하는 연마 벨트를 이용하여 기판을 연마하는 것도 가능하다.For reference, in the above-described embodiment of the present invention, the example is described in which the substrate W is polished by the polishing pad moving while rotating while the polishing part is in contact with the substrate W. However, Therefore, it is also possible to polish the substrate by using an abrasive belt in which the polishing part rotates in an endless loop manner.

또한, 본 발명의 실시예에서는 연마 파트가 단 하나의 연마 유닛으로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 도 7을 참조하면 연마 파트가 2개 이상의 연마 유닛(220,220')을 포함하는 것을 가능하다. 이때, 복수개의 연마 유닛(220,220')은 각각 연마패드(222,222')를 구비하며, 서로 동일한 경로 또는 서로 반대 방향 경로를 향해 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성될 수 있다.In addition, although the embodiment of the present invention describes an example in which the polishing part is composed of only one polishing unit, it is possible that the polishing part includes two or more polishing units 220 and 220 ', referring to FIG. At this time, the plurality of polishing units 220 and 220 'have polishing pads 222 and 222', respectively, and can be configured to polish the surface of the substrate W while moving toward the same path or mutually opposite paths with respect to each other.

기판 처리 장치는 연마패드의 외표면(기판(W)에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may include a conditioner (not shown) for modifying an outer surface of the polishing pad (a surface contacting the substrate W).

일 예로, 컨디셔너는 기판(W)의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판(W)에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.In one example, the conditioner may be disposed in the outer region of the substrate W, and the surface (bottom surface) of the polishing pad is pressed with a predetermined pressing force and finely cut to modify the micropores formed on the surface of the polishing pad to come out on the surface . In other words, the conditioner can finely cut the outer surface of the polishing pad so that a large number of foam micropores serving as a slurry in which the slurry in which the abrasive and the chemical are mixed are not clogged on the outer surface of the polishing pad, So that the slurry is smoothly supplied to the substrate W. Preferably, the conditioner is rotatably provided and is in rotational contact with the outer surface (bottom surface) of the polishing pad.

다시, 도 3 및 도 5를 참조하면, 연마 파트는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 표면패드(214)의 외표면에 돌출된 형태로 구비되는 리테이너(130)를 포함한다.3 and 5, the polishing part includes a retainer 130 protruding from the outer surface of the surface pad 214 so as to surround the periphery of the substrate W. As shown in FIG.

리테이너(130)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(220)의 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(210)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(210)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.When the polishing pad 210 of the polishing unit 220 enters the inner region of the substrate W from the outer region of the substrate W during the polishing process, It is possible to minimize the rebound phenomenon (rebound phenomenon) of the pad 210 and reduce the dead zone of the edge of the substrate W due to the rebound phenomenon of the polishing pad 210 Untreated areas) are minimized.

보다 구체적으로, 리테이너(130)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(130a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(130a)의 내부에서 표면패드(214)의 외표면에 안착된다.More specifically, the retainer 130 is formed with a substrate receiving portion 130a corresponding to the shape of the substrate W, and the substrate W is supported by the outer surface of the surface pad 214 Lt; / RTI >

기판(W)이 기판수용부(130a)에 수용된 상태에서 리테이너(130)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(210)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The height of the surface of the retainer 130 is about the same as the height of the surface of the edge of the substrate W in a state where the substrate W is accommodated in the substrate accommodating portion 130a. In this manner, by making the edge region of the substrate W and the outer region (retainer region) of the substrate W adjacent to the edge portion of the substrate W have a similar height, Of the substrate W is moved from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W or from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 210 due to the height deviation between the polishing pad 210 and the polishing pad 210 and to minimize the occurrence of the non-polishing area due to the rebound phenomenon.

아울러, 리테이너(130)는 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)의 거치면으로부터 돌출되게 구비되고, 연마 유닛(220)의 연마패드(210)는 리테이너(130)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.The retainer 130 is provided so as to protrude from the stationary surface of the substrate mount 210 on which the substrate W is mounted and the polishing pad 210 of the polishing unit 220 is fixed to the upper surface of the retainer 130 and the upper surface of the substrate W And passes through the edge of the substrate W and polishes the upper surface of the substrate W. In this case,

바람직하게, 연마 유닛(220)의 연마패드(210)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(210)의 일부는 리테이너(130)의 상면에 접촉되고, 연마패드(210)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.A portion of the polishing pad 210 is brought into contact with the upper surface of the retainer 130 at the polishing start position where the polishing process of the substrate W by the polishing pad 210 of the polishing unit 220 is started, Another portion of the pad 210 is disposed in contact with the upper surface of the substrate W.

이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(220)의 연마패드(210)가 기판(W)의 상면과 리테이너(130)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(220)의 연마패드(210)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(210)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By thus grinding the polishing pad 210 of the polishing unit 220 at the polishing start position with the upper surface of the substrate W and the upper surface of the retainer 130 simultaneously in contact with each other, It is possible to obtain a favorable effect of further suppressing the phenomenon that the polishing pad 210 rebounds from the substrate W when the polishing pad 210 of the polishing pad 210 passes the edge of the substrate W. [

바람직하게, 리테이너(130)는 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(130)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(210)와 리테이너(130)의 충돌에 의한 연마 유닛(220)의 리바운드 현상의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the retainer 130 is formed to have a thickness (T1? T2) that is thinner than or equal to the thickness of the substrate W. The polishing pad 210 is moved from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W by forming the retainer 130 to have a thickness T2 that is thinner than or equal to the substrate W. [ An advantageous effect of minimizing the rebound phenomenon of the polishing unit 220 due to the collision between the polishing pad 210 and the retainer 130 can be obtained.

리테이너(130)는 요구되는 조건에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 리테이너(130)에는 연마 패드(232)가 접촉되므로, 연마 공정시 비교적 갈림이 적은 폴리에틸렌(PE), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester ; UPE) 등과 같은 재질로 리테이너(130)를 형성하는 것이 바림직하다.The retainer 130 may be formed of various materials according to the required conditions. However, since the polishing pad 232 is brought into contact with the retainer 130, it is difficult to form the retainer 130 with a material such as polyethylene (PE), unsaturated polyester (UPE) It is right.

도 3 및 도 4를 참조하면, 유체분사유닛(230)은 기판(W)에 대한 연마 유닛(220)의 이동 방향을 따라 연마 유닛(220)의 후방에 마련되며, 기판(W)에 유체를 분사한다.3 and 4, the fluid ejection unit 230 is provided on the rear side of the polishing unit 220 along the moving direction of the polishing unit 220 with respect to the substrate W, Spray.

바람직하게, 유체분사유닛(230)은, 연마 유닛(220)에 의한 기판(W)의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛(220)이 지나간 기판(W)의 연마 완료 영역(FZ)에 곧바로 유체를 분사한다.The fluid ejection unit 230 preferably includes a fluid ejection unit 230 for ejecting fluid directly to the polished region FZ of the substrate W past the polishing unit 220 while the substrate W is being polished by the polishing unit 220 Spray.

이는, 기판(W)의 연마면에 묻어있던 연마 입자 등이 건조되면서 연마면에 고화 및 고착되는 것을 최소화하기 위함이다.This is to minimize the solidification and fixation of the abrasive particles or the like on the polishing surface of the substrate W to the polishing surface.

즉, 기판(W)의 연마면에 묻어있던 이물질(예를 들어, 연마 입자 등)이 고착된 상태에서 연마 공정이 행해지면, 고착된 이물질에 의해 스크레치가 발생하는 문제점이 있고, 연마면에 고화된 입자를 제거하는 데 훨씬 긴 시간의 세정 공정이 필요하고 세정 효과도 낮아지는 문제점이 있다. 특히, 기판(W)의 사이즈가 커질수록 기판(W)을 전체적으로 연마하는데 소요되는 시간이 길어지므로, 예를 들어, 6세대 유리 기판(W)의 경우 기판(W) 전체를 연마하는데 5분 이상 소요되므로, 연마 공정이 행해지는 중에 이물질이 기판(W)에 고화될 우려가 높은 문제점이 있다. 더욱이, 기판(W)이 소수성 특성을 가지는 경우, 기판(W)의 연마면에 잔류된 슬러리가 더욱 빨리 고화되므로, 연마 후 가능한 빠른 시간 내에 슬러리가 연마면에서 제거될 수 있어야 한다.That is, if a polishing process is performed in a state where a foreign substance (for example, abrasive particles or the like) on the polishing surface of the substrate W is fixed, there is a problem that scratches are generated by the foreign substances adhering to the substrate W. Further, There is a problem in that a cleaning process of much longer time is required to remove the particles and the cleaning effect is also lowered. Particularly, as the size of the substrate W increases, the time required for the entire polishing of the substrate W becomes longer. For example, in the case of the sixth generation glass substrate W, There is a problem that foreign matter is likely to be solidified on the substrate W while the polishing process is performed. Moreover, when the substrate W has a hydrophobic property, the slurry remaining on the polishing surface of the substrate W solidifies more quickly, so that the slurry must be removed from the polishing surface as soon as possible after polishing.

이에 본 발명은, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지는 중에, 기판(W)의 습식 상태를 보장함과 동시에 기판(W)의 세정이 이루어지도록 하는 것에 의하여, 기판(W) 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고화되는 것을 최소화할 수 있으며, 후속 세정 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하고, 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명은 연마 공정이 행해지는 중에 기판(W)에 묻어있는 이물질이 기판(W) 표면에 고화되기 전에 곧바로 기판(W)에 유체를 분사하는 것에 의하여, 기판(W)에 이물질에 고화되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The present invention provides a method of cleaning a substrate W by ensuring the wet state of the substrate W while cleaning the substrate W while the substrate W is polished, It is possible to minimize the solidification of abrasive grains and the like on the polishing surface while drying, minimize the process time required for the subsequent cleaning process, and obtain an advantageous effect of increasing the cleaning efficiency. Particularly, in the present invention, by spraying a fluid onto the substrate W immediately before the foreign matter on the substrate W is solidified on the surface of the substrate W while the polishing process is being performed, It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of the problem.

유체분사유닛(230)은 기판(W)의 표면에 적어도 한 종류 이상의 세정 유체를 분사하는 분사노즐(232)를 포함하며, 유체분사유닛(230)에서 분사 가능한 유체의 종류 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The fluid ejection unit 230 includes an ejection nozzle 232 for ejecting at least one type of cleaning fluid onto the surface of the substrate W. The type and characteristics of the ejection fluid in the fluid ejection unit 230 are determined according to a required condition And design specifications.

일 예로, 분사노즐(232)에서 분사되는 유체로서는 액상 유체(예를 들어, 순수)가 사용될 수 있다. 바람직하게, 유체분사부(512)는 기판(W)의 표면에 존재하는 이물질을 충분한 타격력으로 타격할 수 있도록 고압으로 분사된다.As an example, a liquid fluid (for example, pure water) may be used as the fluid ejected from the injection nozzle 232. Preferably, the fluid jetting section 512 is injected at a high pressure so as to strike the foreign matter present on the surface of the substrate W with a sufficient hitting force.

경우에 따라서는 유체분사유닛이 기상 유체(예를 들어, 질소) 또는 스팀을 분사하거나, 드라이아이스 입자와 함께 기상 유체(또는 액상 유체)를 분사하도록 구성되는 것도 가능하다. 다르게는, 유체분사유닛이 기판의 표면에 유체를 분사함과 동시에, 기판의 표면으로부터 이물질을 효과적으로 분리하기 위한 진동 에너지(예를 들어, 고주파 진동 에너지 또는 저주파 진동 에너지)를 함께 공급하는 것도 가능하다.In some cases, it is also possible that the fluid ejecting unit is configured to eject a gaseous fluid (for example, nitrogen) or steam, or to spray a gaseous fluid (or a liquid fluid) together with the dry ice particles. Alternatively, it is also possible to supply the vibration energy (for example, high-frequency vibration energy or low-frequency vibration energy) for effectively separating foreign matter from the surface of the substrate while the fluid ejection unit ejects the fluid to the surface of the substrate .

바람직하게, 유체분사유닛(230)은 연마 유닛(220)의 후방을 향하도록 기판(W)에 대해 소정 각도(θ1)로 경사지게 배치된다. 더욱 바람직하게, 유체분사유닛(230)은 기판(W)의 상면에 경사지게 접촉되는 선형 유체 커튼(linear fluid curtain)을 형성한다.Preferably, the fluid ejection unit 230 is disposed at an angle? 1 with respect to the substrate W so as to face rearward of the polishing unit 220. More preferably, the fluid ejection unit 230 forms a linear fluid curtain that slopes into contact with the upper surface of the substrate W.

여기서, 선형 유체 커튼이라 함은, 선형적으로 형성되는 유체에 의한 막 형태의 커튼을 의미한다. 바람직하게, 선형 유체 커튼은 기판(W)의 폭 방향(기판(W)의 이송 방향에 직교하는 방향)을 따라 연속적으로 기판(W)에 접촉된다.Herein, the linear fluid curtain means a film curtain formed by a fluid formed linearly. Preferably, the linear fluid curtain is continuously contacted with the substrate W along the width direction of the substrate W (direction perpendicular to the conveying direction of the substrate W).

이는, 기판(W)의 세정 효율을 높이고 기판(W)으로부터 분리된 이물질이 기판(W)에 고화되거나 재부착되는 것을 최소화하기 위함이다.This is to increase the cleaning efficiency of the substrate W and to minimize the solidification or reattachment of the foreign matter separated from the substrate W to the substrate W. [

즉, 일측변의 길이가 1m 보다 큰 대면적 사각형 기판(W)에서는, 기판(W)의 큰 사이즈로 인해 기판(W)의 전체 면적을 연마하는데 많은 시간(예를 들어, 5분 이상)이 소요되므로, 기판(W)의 표면에서 분리된 이물질이 다시 기판(W)의 표면에 재부착(고착)될 우려가 있다.That is, in a large-area rectangular substrate W having a length of one side larger than 1 m, it takes a long time (for example, 5 minutes or more) to polish the entire area of the substrate W due to the large size of the substrate W Foreign substances separated from the surface of the substrate W may be reattached (adhered) to the surface of the substrate W again.

이에 본 발명은, 기판(W)에 대해 경사지게 접촉되는 선형 유체 커튼에 의해 기판(W)이 세정되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 표면으로부터 이물질을 분리시킴과 동시에 분리된 이물질을 기판(W)의 외측으로 쓸어내 기판(W)의 외측으로 신속하게 배출시킬 수 있으므로, 기판(W)으로부터 분리된 이물질이 기판(W)에 재부착되거나 고착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 더욱이, 경사진 선형 유체 커튼에 의하여 기판(W)을 세정하는 것에 의하여 기판(W)의 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 유체의 사용량을 저감하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The present invention is characterized in that a substrate W is cleaned by a linear fluid curtain slantingly in contact with the substrate W so as to separate foreign matter from the surface of the substrate W and to separate the separated foreign substances from the substrate W It is possible to obtain a favorable effect of minimizing reattachment or sticking of the foreign matter separated from the substrate W to the substrate W. [ Further, by cleaning the substrate W with the inclined linear fluid curtain, it is possible to improve the cleaning efficiency of the substrate W and to obtain an advantageous effect of reducing the amount of fluid used.

바람직하게, 유체분사유닛(230)은 연마 유닛(220)에 의한 기판(W)의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛(220)이 지나간 기판(W)의 연마 완료 영역(FZ)에 곧바로 유체를 분사하도록 마련된다. 일 예로, 유체분사유닛(230)은 연마 유닛(220)과 함께 이동하도록 마련된다.The fluid ejection unit 230 preferably ejects the fluid directly to the polished region FZ of the substrate W past the polishing unit 220 while polishing the substrate W by the polishing unit 220 . In one example, the fluid ejection unit 230 is provided to move with the polishing unit 220.

이와 같이, 연마 유닛(220)이 지나간 기판(W)의 연마 완료 영역(FZ)에 곧바로 유체를 분사하는 것에 의하여, 기판(W)에 이물질에 고화되는 것을 최소화할 수 있으며, 후속 세정 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하고, 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, since the polishing unit 220 directly injects the fluid into the polished region FZ of the substrate W that has passed by, the solidification of the substrate W into foreign matter can be minimized and the subsequent cleaning process It is possible to obtain a favorable effect of increasing the cleaning efficiency.

바람직하게, 유체분사유닛(230)은 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 이동시키는 갠트리 유닛(20)에 장착된다. 보다 구체적으로, 유체분사유닛(230)은 연마 유닛(220)의 후방에 배치되도록 X축 갠트리(22)에 장착된다.Preferably, the fluid ejection unit 230 is mounted to the gantry unit 20 which moves the polishing unit 220 relative to the substrate W. More specifically, the fluid ejection unit 230 is mounted on the X-axis gantry 22 so as to be disposed behind the polishing unit 220.

이와 같이, 연마 유닛(220)을 이동시키기 위해 이미 마련되어 있는 갠트리 유닛(20)에 유체분사유닛(230)을 장착하는 것에 의하여, 유체분사유닛(230)을 이동시키기 위한 이동 수단을 추가적으로 마련할 필요가 없으므로, 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, by mounting the fluid ejection unit 230 on the gantry unit 20 already provided for moving the polishing unit 220, it is necessary to additionally provide a moving means for moving the fluid ejection unit 230 It is possible to improve the degree of freedom of design and to obtain an advantageous effect contributing to the miniaturization of the facility.

경우에 따라서는 기판의 영역별로 복수개의 유체분사유닛을 고정 장착하고, 기판에 대한 연마 유닛의 이동에 대응하여 기판의 영역별로 서로 다른 유체분사유닛에서 순차적으로 유체를 분사하는 것도 가능하다. 다르게는 유체분사유닛의 별도의 이동 수단에 의해 이동하면서 기판에 유체를 분사하는 것도 가능하다.In some cases, a plurality of fluid ejection units may be fixedly mounted for each region of the substrate, and the fluid may be sequentially ejected from different fluid ejection units for each region of the substrate corresponding to the movement of the polishing unit relative to the substrate. Alternatively, it is also possible to inject the fluid to the substrate while moving by the separate moving means of the fluid ejection unit.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W)에 대한 연마 유닛(220)의 이동 방향을 따라 연마 유닛(220)의 전방에 마련되며, 기판(W)이 연마 유닛(220)에 의해 연마되기 전에 미리 기판(W)을 습식(wetting) 상태로 처리하는 습식처리유닛(240)을 포함한다.8 and 9, a substrate processing apparatus according to the present invention is provided in front of a polishing unit 220 along a moving direction of a polishing unit 220 with respect to a substrate W, And a wet processing unit 240 for previously processing the substrate W in a wetting state before being polished by the polishing unit 220.

여기서, 기판(W)의 습식 상태라 함은, 기판(W)의 표면이 건조되지 않고 축축하게 젖은 상태를 의미하고, 기판(W)의 습식 처리라 함은, 기판(W)의 표면이 건조되지 않고 축축하게 젖은 상태를 유지시키는 공정을 의미한다.Here, the wet state of the substrate W means a state in which the surface of the substrate W is damp without being dried, and the wet processing of the substrate W means that the surface of the substrate W is dried And a damp wet condition is maintained.

이와 같이, 기판(W)이 연마되기 전에 습식 상태를 유지하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)에 공급된 슬러리가 기판(W)과 연마패드의 사이에서 보다 효과적으로 퍼트려지게 할 수 있으므로, 연마 효율 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Since the substrate W is maintained in the wet state before the polishing of the substrate W, the slurry supplied to the substrate W can be more effectively spread between the substrate W and the polishing pad, An advantageous effect of improving the polishing uniformity can be obtained.

습식처리유닛(240)은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)을 습식 처리하도록 구성될 수 있다.The wet processing unit 240 can be configured to wet process the substrate W in various ways depending on the required conditions and design specifications.

일 예로, 습식처리유닛(240)은 기판(W)을 향해 유체를 분사하는 유체분사노즐(242)을 포함한다. 유체분사노즐(242)은 기판(W)의 표면에 적어도 한 종류 이상의 액상 유체를 분사하도록 구성될 수 있으며, 유체분사노즐(242)에서 분사 가능한 액상 유체(예를 들어, 순수)의 종류 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In one example, the wet processing unit 240 includes a fluid injection nozzle 242 that ejects fluid toward the substrate W. The fluid injection nozzle 242 may be configured to inject at least one liquid fluid onto the surface of the substrate W and may be configured to control the type and nature of the liquid fluid (e.g., pure water) ejectable from the fluid injection nozzle 242 Can be variously changed according to the required conditions and design specifications.

바람직하게, 유체분사노즐(242)은 연마 유닛(220)이 기판(W)의 연마 대상 영역(NFZ)을 지나가기 전에 미리 연마 대상 영역(NFZ)에 유체를 분사한다. 이와 같이, 연마 유닛(220)이 기판(W)의 연마 대상 영역(NFZ)을 지나가기 직전에 연마 대상 영역(NFZ)에 유체를 분사하는 것에 의하여, 연마 대상 영역(NFZ)이 연마되기 전에 습식 상태를 보다 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The fluid jet nozzle 242 ejects the fluid to the region to be polished NFZ in advance before the polishing unit 220 passes the region to be polished NFZ of the substrate W. [ As described above, since the polishing unit 220 injects the fluid to the region to be polished NFZ just before passing the region to be polished NFZ of the substrate W, An advantageous effect of more stably maintaining the state can be obtained.

아울러, 습식처리유닛(240)은 기판(W)에 대해 연마 유닛(220)을 이동시키는 갠트리 유닛에 장착된다. 보다 구체적으로, 유체분사유닛(230)은 연마 유닛(220)의 전방에 배치되도록 X축 갠트리에 장착된다.In addition, the wet processing unit 240 is mounted in a gantry unit that moves the polishing unit 220 relative to the substrate W. More specifically, the fluid ejection unit 230 is mounted on the X-axis gantry so as to be disposed in front of the polishing unit 220.

이와 같이, 연마 유닛(220)을 이동시키기 위해 이미 마련되어 있는 갠트리 유닛에 습식처리유닛(240)을 장착하는 것에 의하여, 습식처리유닛(240)을 이동시키기 위한 이동 수단을 추가적으로 마련할 필요가 없으므로, 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, by installing the wet processing unit 240 in the gantry unit already provided for moving the polishing unit 220, it is not necessary to additionally provide a moving means for moving the wet processing unit 240, The degree of freedom in designing can be improved, and an advantageous effect contributing to downsizing of the facility can be obtained.

더욱 바람직하게 습식처리유닛(240)은 연마 유닛(220)의 전방을 향하도록 기판(W)에 대해 소정 각도(θ2)로 경사지게 접촉되는 선형 유체 커튼을 형성한다.More preferably, the wet processing unit 240 forms a linear fluid curtain which is tilted at a predetermined angle [theta] 2 to the substrate W so as to face the front of the polishing unit 220. [

이와 같이, 습식처리유닛(240)이 연마 유닛(220)의 전방을 향하도록 기판(W)의 상면에 경사지게 접촉되는 선형 유체 커튼을 형성하는 것에 의하여, 기판(W)을 습식 상태로 처리함과 동시에, 연마 대상 영역(NFZ)에서 연마가 행해지기 전에 미리 연마 대상 영역(NFZ)에 존재할 수 있는 이물질을 연마 대상 영역(NFZ)의 외측으로 쓸어낼 수 있으므로, 이물질에 의한 스크레치의 발생 및 연마 오류를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By thus forming the linear fluid curtain which slopes in contact with the upper surface of the substrate W so that the wet processing unit 240 faces the front of the polishing unit 220, At the same time, since the foreign matter that may exist in the polishing target area NFZ before polishing is performed in the polishing target area NFZ can be swept to the outside of the polishing target area NFZ, the occurrence of the scratch and the polishing error It is possible to obtain an advantageous effect.

아울러, 기판거치부(210)의 하부에는 기판(W)에서부터 기판(W)의 외부로 배출되는 유체가 수집되는 유체수집베스(250)가 마련된다.In addition, a fluid collection bath 250 for collecting fluid discharged from the substrate W to the outside of the substrate W is provided below the substrate mounting part 210.

여기서, 기판(W)의 외부로 배출되는 유체라 함은, 유체처리유닛에서 기판(W)으로 분사된 후 기판(W)의 외부로 배출되는 유체와 습식처리유닛(240)에서 기판(W)으로 분사된 후 기판(W)의 외부로 배출되는유체를 모두 포함하는 것으로 정의된다.The fluid discharged to the outside of the substrate W refers to a fluid discharged from the fluid processing unit to the substrate W and then discharged to the outside of the substrate W and the fluid discharged from the wet processing unit 240 to the substrate W, And the fluid that is discharged to the outside of the substrate W.

일 예로, 유체수집베스(250)는 기판거치부(210)보다 큰 사이즈를 갖는 사각 베스 형상으로 형성될 수 있다. 이와 같이, 기판거치부(210)의 하부에 유체수집베스(250)를 마련하고, 기판(W)의 외부로 배출되는 유체가 유체수집베스(250)에 수집되도록 하는 것에 의하여, 기판거치부(210)의 하부에 배치된 전자 장비에 기판(W)으로부터 배출된 유체가 유입되는 것을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In one example, the fluid collection bath 250 may be formed in a square boss shape having a larger size than the substrate mounting portion 210. The fluid collecting bath 250 is provided below the substrate mounting part 210 and the fluid discharged to the outside of the substrate W is collected in the fluid collecting bath 250, It is possible to obtain an advantageous effect of preventing the fluid discharged from the substrate W from flowing into the electronic equipment disposed at the lower portion of the substrate W.

한편, 언로딩 파트(300)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩하기 위해 마련된다.On the other hand, the unloading part 300 is provided for unloading the polished substrate W from the polishing part 200.

즉, 언로딩 파트(300)에는 기판거치부(210)로부터 분리된 기판(W)이 언로딩된다.That is, the substrate W separated from the substrate mounting part 210 is unloaded to the unloading part 300.

언로딩 파트(300)는 연마 파트(200)에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part 300 may be formed in various structures capable of unloading the substrate W from the polishing part 200 and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part 300.

일 예로, 언로딩 파트(300)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the unloading part 300 includes a plurality of unloading conveying rollers 310 spaced apart from each other by a predetermined distance, and the substrate W supplied to the upper part of the plurality of unloading conveying rollers 310 As the unloading feed roller 310 rotates, it is cooperatively transported by the plurality of unloading feed rollers 310. In some cases, it is also possible that the unloading part is configured to include a circulating belt that circulates and rotates by the unloading feed roller.

또한, 도 1 및 도 10을 참조하면, 세정 파트(400)는 유체분사유닛(230)에 의해 예비 세정된 기판(W)을 다시 후속 세정하도록 마련된다.1 and 10, the cleaning part 400 is provided to further clean the substrate W preliminarily cleaned by the fluid ejection unit 230.

여기서, 기판(W)의 후속 세정이라 함은, 유체분사유닛(230)에 의한 예비 세정이 완료된 후 기판(W)의 표면(특히, 기판의 연마면, 기판의 비연마면도 세정 가능)에 잔류하는 이물질을 세정하기 위한 공정으로 정의된다.Herein, the subsequent cleaning of the substrate W means that the surface of the substrate W (particularly, the polished surface of the substrate and the non-polished surface of the substrate can be cleaned) after the preliminary cleaning by the fluid ejection unit 230 is completed, Is a process for cleaning foreign matters.

세정 파트(400)는 여러 단계의 세정 및 건조 공정을 수행 가능한 구조로 제공될 수 있으며, 세정 파트(400)를 구성하는 세정 스테이션의 구조 및 레이아웃에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The cleaning part 400 may be provided in a structure capable of performing various stages of cleaning and drying processes and the present invention is not limited or limited by the structure and layout of the cleaning station constituting the cleaning part 400.

바람직하게, 세정 파트(400)는 기판(W)의 표면에 잔류하는 유기물 및 여타 다른 이물질을 제거하기 위한 세정을 효과적으로 수행할 수 있도록, 기판(W)의 표면에 물리적으로 접촉되며 세정을 수행하는 접촉식 세정 유닛(410), 및 기판(W)의 표면에 물리적으로 비접촉되며 세정을 수행하는 비접촉식 세정 유닛(420)을 포함하여 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 세정 파트가 접촉식 세정 유닛 및 비접촉식 세정 유닛 중 어느 하나만을 포함하여 구성되는 것도 가능하다.Preferably, the cleaning part 400 physically contacts the surface of the substrate W and performs cleaning so as to effectively perform cleaning for removing organic matter and other foreign matter remaining on the surface of the substrate W. [ Contact type cleaning unit 410 and a non-contact type cleaning unit 420 that is physically in contact with the surface of the substrate W and performs cleaning. In some cases, the cleaning part may include only one of the contact type cleaning unit and the non-contact type cleaning unit.

일 예로, 접촉식 세정 유닛(410)은 기판(W)의 표면에 회전하며 접촉되는 세정 브러쉬(422)를 포함한다.In one example, the contact cleaning unit 410 includes a cleaning brush 422 that rotates and contacts the surface of the substrate W. [

또한, 비접촉 세정 유닛(420)은 기판(W)의 표면에 서로 다른 이종(heterogeneity) 유체를 분사하는 이종 유체 분사부(422,424)를 포함할 수 있다. 아울러, 이종 유체 분사부(422,424)는 이종 유체를 분사 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 이종 유체 분사부(422,424)는 제1유체(액상 유체 또는 기상 유체)를 분사하는 제1유체 분사노즐(422)과, 제1유체와 다른 제2유체(액상 유체 또는 기상 유체)를 분사하는 제2유체 분사노즐(424)를 포함할 수 있으며, 제1유체 및 제2유체는 혼합 또는 분리된 상태로 기판(W)의 표면에 분사될 수 있다.The noncontact cleaning unit 420 may include heterogeneous fluid ejection units 422 and 424 for ejecting heterogeneous fluids on the surface of the substrate W. [ In addition, the heterogeneous fluid injecting sections 422 and 424 may be provided in various structures capable of injecting heterogeneous fluids. For example, the heterogeneous fluid injecting sections 422 and 424 may include a first fluid injection nozzle 422 that injects a first fluid (a liquid fluid or a vapor fluid) and a second fluid injection nozzle 422 that injects a second fluid (liquid fluid or vapor fluid) And the first fluid and the second fluid may be injected onto the surface of the substrate W in a mixed or separated state.

경우에 따라서는 비접촉 세정 유닛이 단일 유체를 분사하는 것도 가능하다. 다르게는, 비접촉 세정 유닛이 기판의 표면에 유체를 분사함과 동시에, 기판의 표면으로부터 이물질을 효과적으로 분리하기 위한 진동 에너지(예를 들어, 고주파 진동 에너지 또는 저주파 진동 에너지)를 함께 공급하는 것도 가능하다.In some cases, the noncontact cleaning unit may spray a single fluid. Alternatively, it is also possible to supply vibration energy (for example, high-frequency vibration energy or low-frequency vibration energy) for effectively separating foreign matter from the surface of the substrate while the noncontact cleaning unit injects the fluid to the surface of the substrate .

한편, 도 11 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.11 to 13 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent portions as those in the above-described configuration are denoted by the same or equivalent reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 거치부(210')는, 정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(214')와, 이송 벨트(214')의 내부에 배치되며 이송 벨트(214')를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(212)를 포함한다.11 to 13, according to another embodiment of the present invention, the substrate holder 210 'includes a conveyor belt 214' that moves along a predetermined path and on which an outer surface of the substrate W is placed, And a substrate support 212 disposed inside the conveyance belt 214 'and supporting the bottom surface of the substrate W with the conveyance belt 214' interposed therebetween.

참고로, 전술한 실시예와 마찬가지로, 유체분사유닛(230)은 기판(W)에 대한 연마 유닛(220)의 이동 방향을 따라 연마 유닛(220)의 후방에 마련되어 기판(W)에 유체를 분사한다. 아울러, 이송 벨트(214')의 외표면에는 리테이너(216)가 구비될 수 있다.The fluid ejection unit 230 is provided on the rear side of the polishing unit 220 along the moving direction of the polishing unit 220 with respect to the substrate W so as to eject the fluid to the substrate W. [ do. In addition, a retainer 216 may be provided on the outer surface of the conveyance belt 214 '.

이송 벨트(214')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다.The conveyor belt 214 'may be configured to move along a determined path in various manners depending on the required conditions and design specifications. In one example, the conveyor belt 214 'may be configured to rotate in a circular manner along a predetermined path.

이송 벨트(214')의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 롤러 유닛(150)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(214')에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circular rotation of the conveyance belt 214 'can be done in various ways depending on the required conditions and design specifications. The conveying belt 214 'circulates through the path determined by the roller unit 150 and rotates around the substrate W placed on the conveying belt 214' by the circulating rotation of the conveying belt 214 ' Is conveyed along the linear movement path.

이송 벨트(214')의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(150)은 제1롤러(152)와, 제1롤러(152)로부터 평행하게 이격되게 배치되는 제2롤러(154)를 포함하며, 이송 벨트(214')는 제1롤러(152)와 제2롤러(154)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.The movement path (for example, the circulation path) of the conveyance belt 214 'may be variously changed according to the required conditions and design specifications. In one example, the roller unit 150 includes a first roller 152 and a second roller 154 disposed parallel and spaced from the first roller 152, the conveyance belt 214 ' And rotates in an endless loop manner by the first roller 152 and the second roller 154. [

참고로, 이송 벨트(214')의 외표면이라 함은, 이송 벨트(214')의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(214')의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(214')의 내표면이라 함은, 제1롤러(152)와 제2롤러(154)가 접촉되는 이송 벨트(214')의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the conveyance belt 214 'means an outer surface exposed to the outside of the conveyance belt 214', and the substrate W is seated on the outer surface of the conveyance belt 214 ' . The inner surface of the conveyance belt 214 'refers to the inner surface of the conveyance belt 214' in contact with the first roller 152 and the second roller 154.

또한, 제1롤러(152)와 제2롤러(154) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(152)는 고정되는 제2롤러(154)는 제1롤러(152)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(152)에 대해 제2롤러(154)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(214')의 장력을 조절할 수 있다.Also, at least one of the first roller 152 and the second roller 154 may be configured to selectively move linearly in a direction approaching and separating each other. In one example, the first roller 152 may be configured to move linearly in a direction in which the fixed second roller 154 approaches and separates the first roller 152. In this manner, the tension of the conveyance belt 214 'can be adjusted by making the second roller 154 approach and separate from the first roller 152 in accordance with manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(214')의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(214')를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the conveyance belt 214 'is defined as tensioning the conveyance belt 214' by tensioning or loosening the conveyance belt 214 '. In some cases, it is also possible to provide a separate tension adjusting roller and adjust the tension of the conveying belt by moving the tension adjusting roller. However, it is preferable to move at least one of the first roller and the second roller so as to improve the structure and space usability.

또한, 기판 처리 장치는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(미도시)를 포함한다.The substrate processing apparatus further includes a loading transferring step of transferring the substrate W from the loading part 100 to the polishing part 200 during a loading and conveying process, And a loading control (not shown) for synchronizing the belt conveying speed at which the belt 214 'conveys the substrate W. [

보다 구체적으로, 로딩 제어부는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(214')에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 벨트 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit synchronizes the loading conveying speed and the belt conveying speed when one end of the substrate W is disposed at the pre-defined seating start position SP on the conveying belt 214 '.

여기서, 이송 벨트(214')에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(214')와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(216a)의 일변(또는 기판수용부의 일변에 인접한 위치)에 설정될 수 있다.Here, the seating start position SP in advance on the conveying belt 214 'is defined as a position where the substrate W can start to be conveyed by the circular rotation of the conveying belt 214' SP), bonding property between the conveyance belt 214 'and the substrate W is given. The seating start position SP may be set at one side (or a position adjacent to one side of the substrate accommodating portion) of the substrate accommodating portion 216a facing the front end of the substrate W to be transported from the loading part 100 .

참고로, 센서 또는 비젼 카메라와 같은 통상의 감지수단에 의하여 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(214')의 회전이 정지된다.When one side of the board receiving portion 216a is detected as being positioned at the seating start position SP by a normal sensing means such as a sensor or a vision camera, one side of the board receiving portion 216a is positioned at the seating start position The rotation of the conveyance belt 214 'is stopped so that the state of the conveyance belt 214' is maintained.

그 후, 이송 벨트(214')의 회전이 정지된 상태에서, 감지수단에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도가 서로 동일한 속도가 되도록 이송 벨트(214')를 회전(동기화 회전)시켜 기판(W)이 연마 위치로 이송되게 한다.Thereafter, when the rotation of the conveyance belt 214 'is stopped and it is detected by the sensing means that the leading end of the substrate W is placed at the seating start position SP, the loading controller 100 controls the loading part 100 The conveyance belt 214 'is rotated (synchronously rotated) so that the loading conveyance speed for conveying the substrate W and the conveyance speed of the conveyance belt 214' W) to be transported to the polishing position.

또한, 이송 벨트(214')는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.Further, the conveyance belt 214 'moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W in a state in which the polished substrate W is being conveyed over a predetermined interval.

보다 구체적으로, 도 13을 참조하면, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(214')가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(이송 벨트가 제2롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트()로부터 분리된다.13, the conveyance belt 214 'is configured to circulate and rotate the substrate W along a predetermined path, and the substrate W is conveyed by the conveyance belt 214' (The position at which the conveyance belt starts to move along the curved path along the outer surface of the second roller), the conveyance belt 214 'moves in the direction away from the bottom surface of the substrate W And then separated from the conveyance belt.

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(214')가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(214')로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The conveyance belt 214 'is moved in a direction away from the bottom surface of the substrate W in a state where the conveyance belt 214' for conveying the substrate W is conveyed over a predetermined interval of the substrate W It is possible to obtain an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the conveyance belt 214 'without a separate pick-up process (for example, a pick-up process using a substrate adsorption device).

기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판(W)을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판(W)을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.Conventionally, in order to load a substrate supplied as a loading part into a polishing part, after picking up a substrate from a loading part by using a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device), the substrate has to be put back on the polishing part Therefore, there is a problem that the time required for loading the substrate increases from several seconds to several tens of seconds. Furthermore, in order to unload the polished substrate with the unloading part, a pickup device (for example, a substrate adsorption device) is used to pick up the substrate W from the polishing part, There is a problem that the time required for unloading the substrate W increases from several seconds to several tens of seconds.

하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(214')로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(214') 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, a polishing process is performed on the substrate W in a state where the substrate W supplied to the loading part is directly transferred to the circulating rotating conveyance belt 214 ' 214 'to the unloading part 300, an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time can be obtained.

또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(214')를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention eliminates a separate pick-up process when loading and unloading the substrate W and allows the substrate W to be processed in an in-line manner using a circulating rotating conveyor belt 214 ' An advantageous effect of simplifying the loading time and the unloading process of the wafer W and shortening the time required for loading and unloading the substrate W can be obtained.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, since it is not necessary to provide a pickup device for picking up the substrate W when loading and unloading the substrate W, it is possible to simplify the equipment and facilities and to obtain a favorable effect of improving space utilization Can be obtained.

이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)In another example of the conveyance belt, the conveyance belt may be configured to be wound in another direction from one direction and convey the substrate W (not shown) (not shown)

여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.Here, the conveying belt is wound in one direction from the other direction, which means that the conveying belt is wound around a reel to reel winding system of a conventional cassette tape (I.e., wound around a moving path of an open loop).

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. It will be understood that the present invention can be changed.

10 : 기판 처리 장치 20 : 갠트리 유닛
22 : X축 갠트리 24 : Y축 갠트리
100 : 로딩 파트 110 : 로딩 이송 롤러
200 : 연마 파트 210 : 기판거치부
212 : 기판지지부 214 : 표면패드
214' : 이송 벨트 216 : 리테이너
216a : 기판수용부 217 : 롤러 유닛
217a : 제1롤러 217b : 제2롤러
220 : 연마 유닛 222 : 연마패드
230 : 유체분사유닛 232 : 분사노즐
240 : 습식처리유닛 242 : 유체분사노즐
250 : 유체수집베스 300 : 언로딩 파트
310 : 언로딩 이송 롤러 400 : 세정 파트
410 : 비접촉식 세정부 420 : 접촉식 세정부10: substrate processing apparatus 20: gantry unit
22: X-axis gantry 24: Y-axis gantry
100: Loading part 110: Loading conveying roller
200: polishing part 210: substrate mounting part
212: substrate support 214: surface pad
214 ': conveying belt 216: retainer
216a: substrate receiving portion 217: roller unit
217a: first roller 217b: second roller
220: polishing unit 222: polishing pad
230: fluid ejection unit 232: ejection nozzle
240: wet processing unit 242: fluid jet nozzle
250: Fluid collecting bath 300: Unloading part
310: unloading feed roller 400: cleaning part
410: non-contact type cleaning part 420: contact type cleaning part

Claims

A substrate processing apparatus for polishing a substrate, comprising:
A substrate mounting part on which the substrate is mounted;
A polishing unit moving relative to the substrate and polishing the upper surface of the substrate;
A fluid ejecting unit provided at a rear of the polishing unit along a moving direction of the polishing unit with respect to the substrate, the fluid ejecting unit ejecting fluid to the substrate;
The substrate processing apparatus comprising:

The method according to claim 1,
Wherein the fluid ejection unit ejects the fluid directly to the polished region of the substrate that has passed through the polishing unit while the polishing of the substrate by the polishing unit is being performed.

The method according to claim 1,
Wherein the fluid ejection unit is arranged to move together with the polishing unit.

The method of claim 3,
And a gantry unit for moving the polishing unit relative to the substrate,
Wherein the fluid ejection unit is mounted to the gantry unit.

5. The method of claim 4,
Wherein the gantry unit comprises:
An X-axis gantry mounted on the fluid ejection unit and linearly moving along a first direction of the substrate;
A Y-axis gantry mounted on the polishing unit and linearly moved along a second direction mounted on the X-axis gantry and perpendicular to the first direction;
The substrate processing apparatus comprising:

The method according to claim 1,
Wherein the fluid ejection unit is disposed obliquely with respect to the substrate so as to face rearward of the polishing unit.

The method according to claim 6,
Wherein the fluid ejection unit forms a linear fluid curtain which slopes in contact with the upper surface of the substrate.

The method according to claim 1,
And a wet processing unit which is provided in front of the polishing unit along the moving direction of the polishing unit with respect to the substrate and processes the substrate in a wetting state in advance before the substrate is polished by the polishing unit And the substrate processing apparatus.

9. The method of claim 8,
Wherein the wet processing unit includes a fluid injection nozzle that ejects a fluid toward the substrate.

10. The method of claim 9,
Wherein the fluid injection nozzle ejects the fluid to the area to be polished before the polishing unit passes the area to be polished of the substrate.

9. The method of claim 8,
Wherein the wet processing unit is arranged to move together with the polishing unit.

9. The method of claim 8,
Wherein the wet processing unit forms a linear fluid curtain which slopes in contact with the upper surface of the substrate so as to face the front of the polishing unit.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
And a cleaning part for transferring the polished substrate and carrying out a subsequent cleaning step.

14. The method of claim 13,
The cleaning part comprises:
And a contact-type cleaning unit that physically contacts the surface of the substrate and performs the subsequent cleaning, wherein the substrate cleaning unit comprises: a non-contact cleaning unit physically in contact with the surface of the substrate and performing the subsequent cleaning; Device.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
The substrate mounting portion includes:
A conveyance belt movably provided along a predetermined path and on which the substrate is placed;
A substrate support disposed inside the conveyance belt and supporting the bottom surface of the substrate with the conveyance belt therebetween;
The substrate processing apparatus comprising:

16. The method of claim 15,
Wherein the substrate is detached from the conveyance belt and unloaded to the unloading part as the conveyance belt moves in a direction away from the bottom surface of the substrate.

16. The method of claim 15,
Wherein the conveyance belt rotates in a circulating manner along a predetermined path.

16. The method of claim 15,
The polishing unit includes:
And a polishing pad which is formed in a size smaller than the substrate and moves while rotating in contact with the substrate.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
And a retainer protruded to surround the periphery of the substrate.

20. The method of claim 19,
Wherein the retainer is formed to have a thickness that is thinner than or equal to the thickness of the substrate.

20. The method of claim 19,
And the polishing unit polishes the upper surface of the substrate while being in contact with the upper surface of the retainer.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
The substrate mounting portion includes:
A substrate support;
A surface pad provided on an upper surface of the substrate supporting part to increase a coefficient of friction with respect to the substrate to suppress slip; Including,
Wherein the substrate is seated on an upper surface of the surface pad.

23. The method of claim 22,
Wherein the surface pad is formed of at least one of engineering plastic, polyurethane, and silicone.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein a slurry for chemical polishing is supplied together while a mechanical polishing is performed on the substrate, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
And a fluid collection bath disposed at a lower portion of the substrate holder for collecting the fluid discharged from the substrate to the outside.