KR20190090298A - 반도체 웨이퍼용 보호필름 - Google Patents

반도체 웨이퍼용 보호필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은, (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 10 내지 30중량%를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지를 포함한 고분자 기재를 포함하고, 상기 고분자 기재의 유리 전이 온도가 45 ℃ 이상이고, 상기 고분자 기재의 점착력(tack force)이 10g 이하인, 반도체 웨이퍼용 보호필름에 관한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼용 보호필름{PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은 반도체 웨이퍼용 보호필름에 관한 것이다.
반도체 장치 제조 과정은, 백그라인딩 또는 다이싱 공정 등을 포함하고, 이 과정에서는, 표면보호시트 또는 다이싱시트와 같은 웨이퍼 가공용 시트가 사용된다.
최근 반도체 장치의 소형화 및 경량화의 요구가 증가함에 따라, 반도체 웨이퍼용 보호필름의 성능이 중요해지고 있다. 예를 들어, 웨이퍼의 일면에만 회로를 형성하던 기존 방식보다 높은 집적률을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 양면에 회로를 형성하고자 하는 시도가 이루어지고 있다. 이와 같이, 웨이퍼의 양면에 회로를 형성하기 위해서는, 반도체 웨이퍼용 보호필름가 부착된 상태에서 고온 공정이 진행되어야 한다. 따라서, 반도체 웨이퍼용 보호필름에는, 우수한 내열성 및 고온에서의 치수 안정성 등이 요구된다. 그러나, 내열성이나 치수 안정성을 확보하기 위해서, 단순히 높은 융점의 경질 기재를 사용할 경우, 웨이퍼를 보호하는 기능이 저하되고, 응력 완화성 등이 떨어져서 공정 과정에서 웨이퍼의 파손을 유발할 가능성이 크다.
반도체 공정용 보호 필름의 기재 필름으로 사용하는 UV 경화형 필름은 표면 점착(tack) 때문에 이형 필름과 블로킹(blocking)이 발생하여 외관 불량의 우려가 있다. 이에 따라 기재 필름의 표면에 안티-블로킹(anti- blocking) 성능을 갖는 하드 코팅층을 별도 구성하는 방법 등이 알려져 있다.
본 발명은, 별도의 추가 구성이나 공정 없이도 반도체 웨이퍼용 보호필름에서 나타날 수 있는 블로킹 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 보다 향상된 웨이퍼 보호 성능을 구현할 수 있는 반도체 웨이퍼용 보호필름을 제공하기 위한 것이다.
본 명세서에서는, (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 10 내지 30중량%를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지를 포함한 고분자 기재를 포함하고, 상기 고분자 기재의 유리 전이 온도가 45 ℃ 이상이고,상기 고분자 기재의 점착력(tack force)이 10 gf 이하인 반도체 웨이퍼용 보호필름이 제공될 수 있다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 반도체 웨이퍼용 보호필름에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트[acrylate] 및 (메타)크릴레이트[(meth)acrylate]를 모두 포함하는 의미이다.
발명의 일 구현예에 따르면, (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 10 내지 30중량%를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지를 포함한 고분자 기재를 포함하고, 상기 고분자 기재의 유리 전이 온도가 45 ℃ 이상이고, 상기 고분자 기재의 점착력(tack force)이 10 gf 이하인 반도체 웨이퍼용 보호필름이 제공될 수 있다.
본 발명자들은, (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 10 내지 30중량%를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지를 사용하여 상대적으로 높은 유리 전이 온도를 가지면서 낮은 수준의 점착력(tack force) 갖는 고분자 기재를 제조하였고, 이러한 고분자 기재를 반도체 웨이퍼용 보호필름으로 사용하면 별도의 추가 구성이나 공정 없이도 반도체 웨이퍼용 보호필름에서 나타날 수 있는 블로킹 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 보다 향상된 웨이퍼 보호 성능을 구현할 수 있다는 점을 실험을 통해서 확인하고 발명을 완성하였다.
보다 구체적으로, 상기 (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 10 내지 30중량%를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지를 포함한 고분자 기재는 45 ℃ 이상, 또는 45 ℃ 내지 150 ℃의 유리 전이 온도를 가질 수 있다.
상기 고분자 기재가 상대적으로 높은 유리 전이 온도를 갖음에 따라서 상온에서 점착력이 낮은 특성을 가질 수 있으며, 이에 따라 상기 고분자 기재는 낮은 수준의 점착력(tack force), 예를 들어 10 gf 이하, 또는 1 gf 내지 10 gf의 점착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 고분자 기재를 포함한 반도체 웨이퍼용 보호 필름은 상술한 바와 같이 별도의 추가 구성이나 공정 없이도 반도체 웨이퍼용 보호필름에서 나타날 수 있는 블로킹 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 보다 향상된 웨이퍼 보호 성능을 구현할 수 있다.
특히, 상기 (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지는 저장 탄성률(G' 25℃)이 100MPa 이상인 특성을 갖게 된다.
상기 (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머의 예로는 N,N- 디(탄소수 1 내지 10의 알킬) (메트)아크릴아미드 또는 N-(탄소수 1 내지 10의 알킬) (메트)아크릴아미드를 들 수 있고, 보다 구체적으로 N,N-디메틸아크릴아미드(N,N-Dimethylacrylamide), N,N-디에틸메타크릴아미드(N-Isopropylacrylamide), N-하이드록시에틸아크릴아미드(N-Hydroxyethyl acrylamide), N,N-디에틸아크릴아미드(N,N-Diethylmethacrylamide), 4-아크릴로일모르폴린(4-Acryloylmorpholine), 메타크릴아미드(Methacrylamide), 또는N-tert-부틸아크릴아미드(N-tert-Butylacrylamide) 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트 및 N,N-디메틸아크릴아미드의 공중합체를 포함할 수 있다.
상기 고분자 기재의 두께는 크게 한정되는 것은 아니나, 5㎛ 내지 200 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
한편, 상기 구현예의 반도체 웨이퍼용 보호필름은 상기 고분자 기재의 일 면에 형성되고 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 갖는 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 점착층의 구체적인 조성이 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 점착층은 점착 수지, 광개시제 및 가교제를 포함할 수 있다.
상기 가교제는 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 상기 점착층은 상기 점착 수지 100중량부 대비 가교제 0.1 내지 40중량부를 포함할 수 있다. 상기 가교제의 함량이 너무 작으면 상기 점착층의 응집력이 부족할 수 있으며, 상기 가교제의 함량이 너무 높으면 상기 점착층이 광경화 이전에 점착력이 충분히 확보하지 못하여 칩 비산 현상 등이 발생할 수 있다.
상기 광개시제의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니며, 통상적으로 알려진 광개시제를 사용할 수 있다. 또한, 상기 점착층은 상기 점착 수지 100중량부 대비 광개시제 0.1 내지 20중량부를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 점착 수지는 (메타)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트 및 (메타)크릴레이트를 모두 포함하는 의미이다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다.
상기 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다.
상기 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 또는 2-히드록시프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 카르복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시아세트산, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필산, 4-(메타)아크릴로일옥시부틸산, 아크릴산 이중체, 이타콘산, 말레산, 또는 말레산 무수물 등을 들 수 있다.
상기 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 등이 추가로 포함될 수 있다.
상기 점착층은 자외선 경화형 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. 상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 점착 수지 100 중량부에 대하여, 1 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 5 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 1 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 자외선 경화 점착제는 상기의 첨가형 자외선 경화형 화합물 뿐 아니라, 아크릴 공중합체에 탄소-탄소 이중결합을 측쇄 또는 주쇄 말단에 결합된 형태로도 사용가능하다. 즉, (메타)아크릴계 공중합체는 또는 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체를 포함하는 주사슬의 측쇄에 결합된 자외선 경화형 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 종류는, 광경화성 관능기(ex. 자외선 중합성 탄소-탄소 이중결합)를 한 분자당 1 내지 5개, 바람직하게는 1 또는 2개 포함하고, 또한 상기 주사슬에 포함되는 가교성 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 한 특별히 제한되지는 아니한다. 이때 주사슬의 가교성 관능기와 반응할 수 있는 관능기의 예로는 이소시아네이트기 또는 에폭시기 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 자외선 경화형 화합물의 구체적인 예로는 주사슬에 포함된 히드록시기와 반응할 수 있는 관능기를 포함하는 것으로서, (메타)아크릴로일옥시 이소시아네이트, (메타)아크릴로일옥시 메틸 이소시아네이트, 2-(메타)아크릴로일옥시 에틸 이소시아네이트, 3-(메타)아크릴로일옥시 프로필 이소시아네이트, 4-(메타)아크릴로일옥시 부틸 이소시아네이트, m-프로페닐-α, α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 또는 알릴 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물을 (메타)아크릴산 2-히드록시에틸과 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물, 폴리올화합물 및 (메타)아크릴산 2-히드록시에틸을 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 또는 주사슬에 포함되는 카복실기와 반응할 수 있는 관능기를 포함하는 것으로써 글리시딜(메타)아크릴레이트 또는 알릴 글리시딜 에테르 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 자외선 경화형 화합물은 주사슬에 포함된 가교성 관능기의 5몰% 내지 90몰%를 치환하여 베이스 수지의 측쇄에 포함될 수 있다. 상기 치환량이 5몰% 미만이면 자외선 조사에 의한 박리력 저하가 충분하지 않을 우려가 있고, 90몰%를 초과하면 자외선 조사 전의 점착제의 응집력이 저하될 우려가 있다.
상기 점착층은 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 적절히 포함될 수 있다.
상기 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
상기 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층은 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
한편, 상기 반도체 웨이퍼용 보호필름은 선택적으로 접착층을 추가로 구비할 수도 있다.
상기 접착층은 열가소성 수지, 에폭시 수지 및 경화제를 포함할 수 있다.
상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지에는 이 분야에서 공지된 일반적인 접착제용 에폭시 수지가 포함될 수 있으며, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하고, 중량평균분자량이 100 내지 2,000인 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 경화 공정을 통해 하드한 가교 구조를 형성하여, 탁월한 접착성, 내열성 및 기계적 강도를 나타낼 수 있다. 보다 구체적으로 상기 에폭시 수지는 평균 에폭시 당량이 100 내지 1,000인 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량이 100 미만이면, 가교 밀도가 지나치게 높아져서, 접착 필름이 전체적으로 딱딱한 성질을 나타낼 우려가 있고, 1,000을 초과하면, 내열성이 저하될 우려가 있다.
상기 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 이관능성 에폭시 수지; 또는 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 3개 이상의 관능기를 가지는 다관능성 에폭시 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 에폭시 수지로서 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 사용하는 용어 『다관능성 에폭시 수지』는 3개 이상의 관능기를 가지는 에폭시 수지를 의미한다. 즉, 일반적으로 이관능성 에폭시 수지는 유연성 및 고온에서의 흐름성 등은 우수하나, 내열성 및 경화 속도가 떨어지는 반면, 관능기가 3개 이상인 다관능성 에폭시 수지는 경화 속도가 빠르고, 높은 가교 밀도로 인해 탁월한 내열성을 보이나, 유연성 및 흐름성이 떨어진다.
상기 접착층에 포함되는 경화제는 상기 에폭시 수지 및/또는 열가소성 수지와 반응하여, 가교 구조를 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 상기 경화제는 페놀계 수지, 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
상기 접착층은 상기 에폭시 수지 100중량부 대비 상기 열가소성 수지 10 내지 1,000중량부 및 상기 경화제 10 내지 700중량부를 포함할 수 있다.
상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며, 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화 촉매로는 인계 화합물, 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 에폭시 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10중량부로 사용될 수 있다.
상기 접착층은 1 ㎛ 내지 300 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 별도의 추가 구성이나 공정 없이도 반도체 웨이퍼용 보호필름에서 나타날 수 있는 블로킹 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 보다 향상된 웨이퍼 보호 성능을 구현할 수 있는 반도체 웨이퍼용 보호필름이 제공될 수 있다.
도1은 실시예1, 비교예 1 및 비교예2 각각에서 얻어진 반도체 웨이퍼용 보호필름에 대한 내블록킹 특성을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예1 : 반도체 웨이퍼용 보호필름의 제조]
(1) 고분자 기재의 제조
폴리카보네이트 우레탄 아크릴레이트(중량평균분자량 약3만g/mol) 62g, 사이클로헥실 아크릴레이트 21g및 N,N-디메틸아크릴아미드 17g를 혼합하고, 상기 단량체 100중량부를 기준으로 광개시제(Irgacure 651) 1g을 투입하여 혼합하였다. 그리고, 상기 광개시제가 투입된 혼합물에 UV dose 1J/㎠를 조사하여 50㎛ 두께의 고분자 기재를 형성하였다.
TA instruments社 동적기계분석기 Q-800 장비를 이용하여 측정한 결과, 형성된 고분가 기재 필름의 유리 전이 온도는 50℃이라는 점을 확인하였다.
(2) 점착층의 형성
2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 68.5중량부, 메틸 아크릴레이트(MA) 8.5중량부와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 23중량부로 구성되는 단량체들의 혼합물로부터 공중합된 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지 100 g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 7 g, 및 광개시제(Irgacure 184) 3 g을 혼합하여 점착제 조성물을 제조하였다.
상기 점착제 조성물을 상기 고분자 기재에 도포하고, 110℃에서 3분 동안 건조하여 두께 20㎛인 점착층을 형성하였다.
[ 비교예1 : 반도체 웨이퍼용 보호필름의 제조]
(1) 고분자 기재의 제조
폴리카보네이트 우레탄 아크릴레이트(중량평균분자량 약3만g/mol) 46g, 사이클로헥실 아크릴레이트 25g및 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 29g를 혼합한 점을 제외하고, 제조예1과 동일한 방법으로 고분자 기재를 제조하였다.
TA instruments社 동적기계분석기 Q-800 장비를 이용하여 측정한 결과, 형성된 고분가 기재 필름의 유리 전이 온도는 40℃이라는 점을 확인하였다.
(2) 점착층의 형성
상기 실시예1와 동일한 방법으로 상기 제조된 상기 고분자 기재 상에 두께 20㎛인 점착층을 형성하였다.
[ 비교예2 : 반도체 웨이퍼용 보호필름의 제조]
(1) 고분자 기재의 제조
폴리카보네이트 우레탄 아크릴레이트(중량평균분자량 약3만g/mol) 46g, 사이클로헥실 아크릴레이트 17g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 37g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 사용한 점을 제외하고, 제조예1과 동일한 방법으로 고분자 기재를 제조하였다.
TA instruments社 동적기계분석기 Q-800 장비를 이용하여 측정한 결과, 형성된 고분가 기재 필름의 유리 전이 온도는 35℃이라는 점을 확인하였다.
(2) 점착층의 형성
상기 실시예와 동일한 방법으로 상기 제조된 상기 고분자 기재 상에 두께 20㎛인 점착층을 형성하였다.
[ 실험예 ]
실험예1 : 점착력 측정
상기 실시예 1 및 비교예1 각각에서 얻어진 고분자 기재 자체가 갖는 점착력을 아래와 같은 방법으로 측정하였다.
구체적으로, Stable micro systems사의 texture analyzer에 지름 5mm의 원기둥 형태의 probe를 장착하여 표면 점착력을 측정하였으며, 10cm*10cm plate에 상기 고분자 기재를 20mm*20mm 크기로 부착하여800g의 힘을 가하여 30초간 필름 표면을 접촉했다가 probe를 떼어내면서 걸리는 힘 측정하였다.
실시예1 비교예1 비교예2
유리전이온도 (℃) 50 40 35
Tack force (gf) 3 150 450
실험예2 : 블록킹 현상 발생 확인
실시예1, 비교예 1 및 비교예2 각각에서 얻어진 반도체 웨이퍼용 보호필름 및 이형 필름을 10cm*5cm 크기로 자른 후, 상기 반도체 웨이퍼용 보호필름의 고분자 기재 위에 이형 필름의 비이형 처리면을 맞닿게 올려놓는다. 그리고 이형 필름 위에 5kg 추를 올려놓고, 24시간 이후 고분자 기재와 비이형면 사이에 발생한 blocking을 확인하였다.
도 1 내지 3에서 확인되는 바와 같이, 실시예1의 반도체 웨이퍼용 보호필름의 고분자 기재에서는 블록킹이 나타나지 않았다는 점이 확인되는데 반해, 비교예 1 및 2의 반도체 웨이퍼용 보호필름의 고분자 기재에서 블록킹 현상이 나타난다는 점이 확인되었다.

Claims (6)

  1. (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 10 내지 30중량%를 포함하는 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지를 포함한 고분자 기재를 포함하고,
    상기 고분자 기재의 유리 전이 온도가 45 ℃ 이상이고,
    상기 고분자 기재의 점착력(tack force)이 10 gf 이하인, 반도체 웨이퍼용 보호필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (메트)아크릴아미드 단량체 또는 올리고머는 (메트)아크릴아미드, N,N- 디(탄소수 1 내지 10의 알킬) (메트)아크릴아미드 또는 N-(탄소수 1 내지 10의 알킬) (메트)아크릴아미드를 포함하는, 반도체 웨이퍼용 보호필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 기재의 유리 전이 온도가 45 ℃ 내지 150 ℃이며,
    상기 고분자 기재의 점착력(tack force)이 1gf 내지 10g인, 반도체 웨이퍼용 보호필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 우레탄 (메트)아크릴레이트 수지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트 및 N,N-디메틸아크릴아미드의 공중합체를 포함하는, 반도체 웨이퍼용 보호필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 기재의 두께는 5㎛ 내지 200 ㎛인, 반도체 웨이퍼용 보호필름.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 기재의 일 면에 형성되고 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 갖는 점착층을 더 포함하는, 반도체 웨이퍼용 보호필름.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007297591A (ja) * 2006-04-06 2007-11-15 Lintec Corp 粘着シート
KR20130074967A (ko) * 2011-12-27 2013-07-05 (주)엘지하우시스 다층 구조의 전자종이용 실링필름 및 이를 이용한 전자종이 장치의 제조방법
KR20160113313A (ko) * 2014-03-17 2016-09-28 케이제이 케미칼즈 가부시키가이샤 우레탄 올리고머 및 그것을 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물
KR20160118277A (ko) * 2014-01-31 2016-10-11 소마아루 가부시끼가이샤 접착 시트

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007297591A (ja) * 2006-04-06 2007-11-15 Lintec Corp 粘着シート
KR20130074967A (ko) * 2011-12-27 2013-07-05 (주)엘지하우시스 다층 구조의 전자종이용 실링필름 및 이를 이용한 전자종이 장치의 제조방법
KR20160118277A (ko) * 2014-01-31 2016-10-11 소마아루 가부시끼가이샤 접착 시트
KR20160113313A (ko) * 2014-03-17 2016-09-28 케이제이 케미칼즈 가부시키가이샤 우레탄 올리고머 및 그것을 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물

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