KR20190090254A - Semiconductor device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a semiconductor device and a method for fabricating the same. According to an embodiment of the present invention, the method for fabricating a light-emitting device may comprise: a step of forming a sacrificial layer on a substrate including a plurality of protruding units; and a step of forming a light-emitting structure on the sacrificial layer. In addition, according to an embodiment of the present invention, the step of forming the sacrificial layer on the substrate including the light-emitting structure of the method for fabricating the light-emitting device may include: a step of forming a mask on the substrate including a plurality of protruding units; a step of etching a part of the mask to expose a part of the plurality of protruding units; and a step of forming the sacrificial layer on the mask and the plurality of protruding units. In addition, the step of forming the light-emitting structure on the sacrificial layer may include: a step of injecting an etching solution into an air tunnel between the plurality of protruding units and between the substrate and the sacrificial layer to etch the sacrificial layer. Accordingly, the present invention is able to inject the etching solution into the air tunnel, allow the etching solution to flow into the air tunnel without colliding with the plurality of protruding units on the substrate, and rapidly etch the sacrificial layer. The present invention is able to selectively etch only the sacrificial layer, prevent the light-emitting structure from being damaged, and improve its light-emitting efficiency.

Description

반도체 소자 및 그 제조방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor device,

실시예는 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 소자 및 그에 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a light emitting device and a method of manufacturing the same.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors can be applied to various devices such as a red, Blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize a white light beam with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, , Safety, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a semiconductor material of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. It also has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of device materials, so it can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diodes (LEDs), automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm) and UV-C (200nm ~ 280nm) in the long wavelength order. UV-A (315nm ~ 400nm) is applied in various fields such as UV curing for industrial use, curing of printing ink, exposure machine, discrimination of counterfeit, photocatalytic disinfection and special illumination (aquarium / ) Area is used for medical use, and UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products and the like.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. On the other hand, a semiconductor device capable of providing a high output has been requested, and a semiconductor device capable of increasing a power by applying a high power source has been studied.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package. In addition, studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies have been made on a method for reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield by improving the process efficiency and changing the structure in the semiconductor device package.

이 중에서, 발광 다이오드(LED)는 GaN, InN, AlN 등의 질화물계 물질을 이용한 발광 다이오드가 부각되고 있다. 이와 같은 질화물계 반도체 발광소자는 일반적으로 수평 구조 및 수직 구조로 제조될 수 있다.Among them, light emitting diodes (LEDs) using nitride-based materials such as GaN, InN, and AlN are highlighted. Such a nitride-based semiconductor light-emitting device can be generally manufactured in a horizontal structure and a vertical structure.

수직 구조의 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층으로 구성된 발광 구조물과, 발광 구조물의 일면과 타면에 형성된 제1전극 및 제2전극을 포함한다. 이 경우, 발광 구조물은 성장용 기판에 의해 형성되는 것으로, 발광 구조물이 성장되면 전극 형성을 위해 성장용 기판을 제거하는 공정을 거치게 된다.The light emitting diode having a vertical structure includes a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer, and a first electrode and a second electrode formed on one surface and the other surface of the light emitting structure. In this case, the light emitting structure is formed by the substrate for growth. When the light emitting structure is grown, the substrate for growth is removed in order to form an electrode.

구체적으로, 사파이어 기판을 제거하는 종래 기술로는 레이저 리프트 오프(laser lift off: LLO) 방식을 주로 사용하였다. 레이저 리프트 오프(laser lift off: LLO) 방식은 기판 전체에 걸쳐 고른 분포의 레이저를 인가하는 것이 어려워 기판과 발광 구조물에 손상을 주는 문제점이 있다. 따라서, 성장용 기판을 제거하기 위해 레이저 리프트 오프(LLO) 방식이 아닌 화학적 리프트 오프(Chemical Lift-Off: CLO) 방식을 사용하여 레이저 리프트 오프(LLO) 방식에서 발생할 수 있는 문제점을 해결할 수 있다.Specifically, the laser lift off (LLO) method is mainly used as a conventional technique for removing the sapphire substrate. The laser lift off (LLO) method has a problem that it is difficult to apply a uniformly distributed laser across the entire substrate, thereby damaging the substrate and the light emitting structure. Therefore, a problem that may occur in a laser lift-off (LLO) method can be solved by using a chemical lift-off (CLO) method instead of a laser lift-off (LLO) method in order to remove a substrate for growth.

그러나, 화학적 리프트 오프(CLO) 방식을 사용할 경우에, 성장 기판과 발광 구조물을 분리하기 위하여 소정의 시간이 소요됨으로써 공정 시간이 늘어나 반도체 칩의 생산력이 저하되고 식각에 의한 발광 구조물의 손상이 발생할 수 있다.However, when a chemical lift-off (CLO) method is used, a predetermined time is required to separate the growth substrate and the light emitting structure, thereby increasing the process time, resulting in a decrease in the productivity of the semiconductor chip and damage to the light- have.

실시예는 화학적 박리법에 의해 발생할 수 있는 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.The embodiments are directed to a semiconductor device capable of preventing damage to a light emitting structure that can be generated by a chemical stripping method and a method of manufacturing the same.

실시예는 발광 구조물과 성장용 기판을 제거하는 공정 시간을 단축하여 발광 소자의 생산성을 향상 시킬 수 있는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of improving productivity of a light emitting device by shortening a process time for removing a light emitting structure and a growth substrate.

실시예는 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부가 일부 노출되는 단계; 상기 마스크와 상기 복수의 돌출부 상에 상기 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 마스크를 식각하여 상기 복수의 돌출부 사이와 상기 희생층 및 상기 기판 사이에 에어 터널을 형성하는 단계; 및 상기 에어 터널에 식각용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법을 포함할 수 있다.An embodiment includes forming a mask on a substrate including a plurality of protrusions; Etching a part of the mask to partially expose the plurality of protrusions; Forming the sacrificial layer on the mask and the plurality of protrusions; Forming a light emitting structure on the sacrificial layer; Etching the mask to form an air tunnel between the plurality of protrusions and the sacrificial layer and the substrate; And injecting an etching solution into the air tunnel to remove the sacrificial layer.

실시예는 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부 상에 배치된 상기 희생층이 일부 노출되는 단계; 상기 노출된 희생층 및 상기 마스크 상에 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계; 및 상기 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.An embodiment includes forming a sacrificial layer on a substrate including a plurality of protrusions; Forming a mask on the sacrificial layer; Etching a part of the mask to partially expose the sacrificial layer disposed on the plurality of protrusions; Forming a light emitting structure on the exposed sacrificial layer and the mask; Removing the mask between the sacrificial layer and the light emitting structure to form an air tunnel; And injecting etching solution into the air tunnel to remove the sacrificial layer.

실시예는 상기 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계에 있어서, 상기 복수의 돌출부 상에 배치된 상기 희생층의 일부는 제거되지 않는 발광소자의 제조방법을 포함할 수 있다.The embodiment may include a method of manufacturing a light emitting device in which a portion of the sacrificial layer disposed on the plurality of protrusions is not removed in the step of removing the sacrificial layer by injecting an etching solution into the air tunnel.

실시예는 상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계에 있어서, 상기 발광구조물의 측면과 상기 기판의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널은 노출되는 발광소자의 제조방법을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the step of removing the mask between the sacrificial layer and the light emitting structure to form an air tunnel may include forming the air tunnel between the side surface of the light emitting structure and the side surface of the substrate, ≪ / RTI >

실시예는 상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계에 있어서, 상기 희생층의 측면과 상기 발광구조물의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널은 노출되는 발광소자의 제조방법을 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of removing the mask between the sacrificial layer and the light emitting structure to form an air tunnel, wherein the air tunnel disposed between the side surface of the sacrificial layer and the side surface of the light emitting structure, And a manufacturing method.

실시예에 있어서, 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제1도전형 반도체층은 상기 제1도전형 반도체층에서 상기 활성층 방향으로 오목한 리세스를 포함하며, 상기 리세스의 일부 영역에는 희생층이 배치되는 발광소자를 제공할 수 있다.In an embodiment, the first conductivity type semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; And a second conductive semiconductor layer on the active layer, wherein the first conductive semiconductor layer includes a recess recessed in the direction of the active layer from the first conductive semiconductor layer, and a sacrificial layer Can be provided.

실시예에 있어서, 상기 희생층은 상기 제1도전형 반도체층의 하면 일부와 접촉하는 발광소자를 제공할 수 있다.In an exemplary embodiment, the sacrificial layer may contact a portion of a lower surface of the first conductive semiconductor layer.

실시예에 따른 발광 소자는 화학적 박리법에 의해 발생할 수 있는 발광구조물의 손상을 방지할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment can prevent the damage of the light emitting structure that may be caused by the chemical peeling method.

예를 들어, 실시예는 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 빠르게 희생층을 식각할 수 있다For example, embodiments can rapidly etch the sacrificial layer by injecting an etching solution into the air tunnel

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 2a 내지 도 8b는 제1실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 9 내지 도 15b는 제2실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 16은 제3실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2A to 8B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment.
9 to 15B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment.
16 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the third embodiment.

이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.

도 1에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 발광 소자는 제1도전형 반도체층(210), 제2도전형 반도체층(230), 활성층(220)을 구비하는 발광구조물(200)을 포함할 수 있다. 1, the light emitting device according to the first embodiment includes a light emitting structure 200 including a first conductive semiconductor layer 210, a second conductive semiconductor layer 230, and an active layer 220, .

도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층(210)이 복수의 리세스를 포함하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting device according to the first embodiment may include a plurality of recesses in the first conductive semiconductor layer 210 to improve light extraction efficiency.

이하 도 2a 내지 도 8b를 참조하여 제1실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 설명하면서 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법의 기술적 특징을 설명하기로 한다.Hereinafter, the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2A to 8B, and technical features of the light emitting device and the manufacturing method thereof will be described.

먼저, 도 2a와 같이 복수의 돌출부(110)를 포함하는 기판(100)이 준비될 수 있다. 상기 기판(100)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 GaAs, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, 및 Ga3 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.First, as shown in FIG. 2A, a substrate 100 including a plurality of protrusions 110 may be prepared. The substrate 100 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of GaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 3 may be used for the substrate 100.

이때, 도 2b는 복수의 돌출부(110)가 형성된 기판(100)의 평면 사진이며, 도 2a는 도 2b의 (a) 라인에 대응되는 단면도 일 수 있다. 도 2b의 (b)라인에 대해서는 추후에 설명하기로 한다.2B is a plan view of the substrate 100 having the plurality of protrusions 110 formed thereon, and FIG. 2A is a cross-sectional view corresponding to the line (a) of FIG. 2B. The line (b) in FIG. 2B will be described later.

다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(100)과 돌출부(110) 상에 마스크(130)를 형성할 수 있다. 상기 마스크(130)는 PR일수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 3, a mask 130 may be formed on the substrate 100 and the protrusion 110. The mask 130 may be PR, but is not limited thereto.

그 후, 도 4와 같이, 마스크(130)를 부분적으로 제거할 수 있다. 예를 들어, 마스크(130)는 N, O, H, F 등을 포함하는 기체 분위기에서 부분적으로 식각될 수 있다. 상기 마스크(130)를 부분적으로 식각하여 복수의 돌출부(110)보다 낮게 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크(130)의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부(110)가 일부 노출될 수 있다. 상기 마스크(130)를 부분적으로 식각하는 것은 상기 복수의 돌출부(110)와 상기 마스크(130) 상에 발광 구조물(200)을 형성하기 위함이다.Thereafter, as shown in Fig. 4, the mask 130 can be partially removed. For example, the mask 130 may be partially etched in a gas atmosphere including N, O, H, F, and the like. The mask 130 may be partially etched to be formed lower than the plurality of protrusions 110. For example, the plurality of protrusions 110 may be partially exposed by etching a part of the mask 130. Partial etching of the mask 130 is to form the light emitting structure 200 on the plurality of protrusions 110 and the mask 130.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 돌출부(110)보다 낮게 식각된 마스크(130) 상에 희생층(140)을 형성할 수 있다. 상기 희생층(140)은 상기 마스크(130), 상기 돌출부(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 희생층(140)은 AlN을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 희생층(140)은 약 100, 약 1m torr, 유량은 Ar 약 10sccm, N2 약 10sccm, Al 타겟의 스퍼터링에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 5, the sacrificial layer 140 may be formed on the mask 130 etched lower than the plurality of protrusions 110. The sacrificial layer 140 may be formed on the mask 130 and the protrusion 110. The sacrificial layer 140 may include AlN, but is not limited thereto. The sacrificial layer 140 may be formed by sputtering about 100, about 1 mtorr, about 10 sccm of Ar, about 10 sccm of N2, and an Al target, but is not limited thereto.

다음으로, 도 6과 같이 상기 희생층(140) 상에 제1도전형 반도체층(210), 활성층(220), 제2도전형 반도체층(230)을 포함하는 발광 구조물(200)을 형성할 수 있다.6, a light emitting structure 200 including a first conductive semiconductor layer 210, an active layer 220, and a second conductive semiconductor layer 230 is formed on the sacrificial layer 140 .

상기 제1도전형 반도체층(210)은 InxAlyGa1-x-yP(0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1도전형 반도체층(210)은 AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. The first conductive semiconductor layer 210 may include a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yP (0? X? 1, 0? Y?? 1, 0? X + y? But is not limited thereto. For example, the first conductive semiconductor layer 210 may be formed of any one or more of AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, .

상기 활성층(220)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층(220)은 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 상기 활성층(220)이 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 양자우물과 양자벽이 교대로 배치될 수 있다. 상기 양자우물과 양자벽은 각각 InxAlyGa1-x-yP(0≤≤x≤≤1, 0≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있거나, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The active layer 220 may be formed of at least one of Group III-V-VI or Group V-VI compound semiconductors. The active layer 220 may include a quantum well and a quantum wall. When the active layer 220 is implemented as a multiple quantum well structure, quantum wells and quantum wells can be alternately arranged. The quantum well and the quantum well may be arranged in a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yP (0? X?? 1, 0? Y?? 1, 0? X + y? GaN / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaN / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaInP / AlGaInP, GaP / AlGaP, InGaP / AlGaP, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, Do not.

상기 제2도전형 반도체층(230)은 반도체 화합물, 예를 들면, 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(230)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(230)은 InxAlyGa1-x-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제2도전형 반도체층(230)은 AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 230 may be formed of at least one of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor of Group 3-V, Group V, or Group V-VI. The second conductive semiconductor layer 230 may be a single layer or a multilayer. The second conductive semiconductor layer 230 may include a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yP (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? It is not. For example, the second conductive semiconductor layer 230 may be formed of any one or more of AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, .

그리고, 도 7a와 같이, 상기 희생층(140) 상에 발광 구조물(200)을 형성한 후, 마스크(130)가 제거될 수 있다. 예를 들어, 탄화반응 또는 습식식각 또는 SOG, ZnO 등의 환원성 분위기의 열처리에 의하여 마스크(130)를 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 돌출부(110) 사이와 상기 희생층(140) 및 상기 기판(100) 사이에 에어 터널(120)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 희생층(140)의 측면과 상기 발광구조물(200)의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널(120)은 노출될 수 있다.7A, after the light emitting structure 200 is formed on the sacrificial layer 140, the mask 130 may be removed. For example, the mask 130 can be removed by a carbonization reaction, a wet etching, or a heat treatment in a reducing atmosphere such as SOG or ZnO. Accordingly, an air tunnel 120 may be formed between the plurality of protrusions 110, the sacrificial layer 140, and the substrate 100. For example, the air tunnel 120 disposed between the side surface of the sacrificial layer 140 and the side surface of the light emitting structure 200 may be exposed.

상기 마스크(130)가 제거된 뒤에는 상기 희생층(140)을 식각하여 제거될 수 있다. 상기 희생층(140)을 식각하기 위해 상기 에어 터널(120)에 식각 용액을 주입할 수 있다. 예를 들어, 상기 희생층(140)의 두께는 약 50nm이상 200nm 이하 일 수 있다. 상기 희생층(140)의 두께가 50nm 이하 일 경우, 상기 복수의 돌출부(110) 상에 배치된 상기 희생층(140)으로부터 연장되어 상기 복수의 돌출부(110) 상에 배치된 상기 희생층(140)들을 연결해주는 영역이 무너질 수 있다. 상기 희생층(140)의 두께가 200nm 이상일 경우, 상기 복수의 돌출부(110) 상에 형성된 상기 희생층(140)이 식각되지 않을 수 있다. After the mask 130 is removed, the sacrificial layer 140 may be removed by etching. An etching solution may be injected into the air tunnel 120 to etch the sacrificial layer 140. For example, the thickness of the sacrificial layer 140 may be about 50 nm or more and 200 nm or less. The sacrificial layer 140 may be formed on the plurality of protrusions 110 and extend from the sacrificial layer 140 disposed on the plurality of protrusions 110 when the thickness of the sacrificial layer 140 is 50 nm or less. ) Can be collapsed. When the thickness of the sacrificial layer 140 is 200 nm or more, the sacrificial layer 140 formed on the plurality of protrusions 110 may not be etched.

상기 에어 터널(120)을 설명하기 위해 도 7b를 설명하기로 한다.To explain the air tunnel 120, Fig. 7B will be described.

도 7b는 도 2b의 기판(100)의 단면도에 도 2a 내지 도 7a의 제1실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정에 의해 기판(100) 상에 희생층(140) 및 발광 구조물(200)이 형성된 (b)라인을 따른 단면도 일 수 있다.7B is a cross-sectional view of the substrate 100 of FIG. 2B. Referring to FIG. 2B, a sacrificial layer 140 and a light emitting structure 200 are formed on a substrate 100 by a manufacturing process of a light emitting device according to the first embodiment of FIGS. Sectional view taken along the line (b).

도 7b에 도시된 바와 같이, (b)의 단면에는 돌출부 없이 에어 터널(120)이 형성될 수 있다. 상기 에어 터널(120)은 희생층(140)과 상기 기판(100) 사이에 배치되어 있다. 이에 따라, 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 식각 용액이 복수의 돌출부(110)와 충돌하지 않아 상기 희생층(140)이 빠르게 식각될 수 있다. 또한, 상기 희생층(140)만을 선택적으로 식각함으로써 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리시킬 수 있다.As shown in FIG. 7B, the air tunnel 120 may be formed on the end surface of (b) without protrusions. The air tunnel 120 is disposed between the sacrificial layer 140 and the substrate 100. Accordingly, the etching solution is injected into the air tunnel 120, so that the etching solution does not collide with the plurality of protrusions 110, so that the sacrifice layer 140 can be quickly etched. The substrate 100 and the light emitting structure 200 can be separated from each other without damaging the light emitting structure 200 by selectively etching only the sacrificial layer 140.

다시, 제1실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정에 대해 설명하기 위해 도 8a를 설명하기로 한다.8A will be described to describe the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment.

도 8a에 도시된 바와 같이, 도 7a와 도 7b에서 설명한 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 희생층(140)이 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 돌출부(110) 상에 배치된 상기 희생층(140)의 일부는 제거되지 않을 수 있다. 상기 희생층(140)이 제거됨에 따라, 상기 기판(100)과 상기 발광 구조물(200)이 박리될 수 있다. As shown in FIG. 8A, an etching solution may be injected into the air tunnel 120 described in FIGS. 7A and 7B to remove the sacrificial layer 140. For example, a portion of the sacrificial layer 140 disposed on the plurality of protrusions 110 may not be removed. As the sacrificial layer 140 is removed, the substrate 100 and the light emitting structure 200 may be peeled off.

제1실시예에 따른 발광 소자의 제조공정에서는 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 희생층(140)이 복수의 돌출부(110)와 충돌하지 않고 빠르게 식각되며, 상기 희생층(140)만을 선택적으로 식각함으로써 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리시킬 수 있다. 따라서, 도 8b와 같이, 빠른 시간 안에 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리 시킬 수 있으며 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 고품질의 발광 구조물(200)을 얻을 수 있다.In the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, the etching solution is injected into the air tunnel 120 to rapidly etch the sacrificial layer 140 without colliding with the plurality of protrusions 110, The substrate 100 and the light emitting structure 200 can be separated from each other without damaging the light emitting structure 200. [ Therefore, the substrate 100 and the light emitting structure 200 can be peeled off in a short period of time as shown in FIG. 8B, and a high-quality light emitting structure 200 can be obtained without damaging the light emitting structure 200.

종래의 화학적 박리법에서는 희생층을 식각하기 위해 많은 시간이 소요되었다. 또한, 종래의 화학적 박리법에 의해 희생층을 식각할 때, 상기 발광구조물까지 식각되어 발광구조물이 손상을 입을 수 있다. 이에 따라, 발광소자의 발광 효율이 저하되었다.In the conventional chemical stripping method, it takes a long time to etch the sacrificial layer. Further, when the sacrificial layer is etched by the conventional chemical stripping method, the light emitting structure may be etched to damage the light emitting structure. As a result, the luminous efficiency of the light emitting element is lowered.

그러나, 제1실시예에 따른 발광소자의 제조공정에서는 식각용액이 에어 터널(120)에 주입될 수 있다. 이에 따라, 식각 용액이 기판(100)의 복수의 돌출부(110)와 충돌하지 않고 에어 터널(120)로 흐를 수 있어 희생층(140)을 빠르게 식각할 수 있다. 또한, 상기 희생층(140)만은 선택적으로 식각할 수 있다. 상기 희생층(140)만을 선택적으로 식각함에 따라 발광 구조물(200)의 손상을 방지할 수 있어 발광 효율을 향상 시킬 수 있다. However, in the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, the etching solution can be injected into the air tunnel 120. Accordingly, the etching solution can flow into the air tunnel 120 without colliding with the plurality of protrusions 110 of the substrate 100, so that the sacrifice layer 140 can be rapidly etched. In addition, only the sacrificial layer 140 may be selectively etched. By selectively etching only the sacrificial layer 140, the damage of the light emitting structure 200 can be prevented, and the luminous efficiency can be improved.

상기 기술한 바와 같이, 제1실시예에 따른 발광 소자의 제조공정에 의해서는 종래의 화학적 박리법을 사용하는 것보다 빠른 시간 안에 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리 시킬 수 있으며, 또한, 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 고품질의 발광 구조물(200)을 얻을 수 있다.As described above, according to the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, the substrate 100 and the light emitting structure 200 can be peeled off in a shorter time than the conventional chemical peeling method, , A high-quality light emitting structure 200 can be obtained without damaging the light emitting structure 200.

다음으로 도 9 내지 도 15b를 참조하여 제2실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 설명하기로 한다.Next, the manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 15B.

도 9 내지 도 15b의 제2실시예에 따른 발광 소자는 제1실시예에 따른 발광 소자의 기술적 특징을 채용할 수 있고, 제2실시예에 주된 특징을 중심으로 기술하기로 한다.The light emitting device according to the second embodiment of FIGS. 9 to 15B can adopt the technical features of the light emitting device according to the first embodiment, and will focus on the main features of the second embodiment.

먼저, 도 9과 같이 복수의 돌출부(110)를 포함하는 기판(100)이 준비될 수 있다. 상기 기판(100)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 GaAs, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, 및 Ga3 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.First, as shown in FIG. 9, a substrate 100 including a plurality of protrusions 110 may be prepared. The substrate 100 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of GaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 3 may be used for the substrate 100.

그리고, 도 10과 같이, 기판(100) 및 복수의 돌출부(110) 상에 희생층(140)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 희생층(140)은 AlN을 포함할 수 있다. 10, a sacrifice layer 140 may be formed on the substrate 100 and the plurality of protrusions 110. [ For example, the sacrificial layer 140 may include AlN.

그 후, 도 11와 같이, 상기 희생층(140) 상에 마스크(130)를 형성할 수 있다.Then, as shown in FIG. 11, a mask 130 may be formed on the sacrificial layer 140.

그 후, 도 12와 같이 마스크(130)를 부분적으로 식각할 수 있다. 이 때, 마스크(130)는 N, O, H, F 등을 포함하는 기체 분위기에서 부분적으로 식각될 수 있다. 이 때, 상기 마스크(130)를 부분적으로 식각하여 복수의 돌출부(110)보다 낮게 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크(130)의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부(110) 상에 배치된 상기 희생층(140)이 일부 노출될 수 있다.Thereafter, the mask 130 may be partly etched as shown in FIG. At this time, the mask 130 may be partially etched in a gas atmosphere including N, O, H, F, and the like. At this time, the mask 130 may be partially etched to be formed lower than the plurality of protrusions 110. For example, a part of the mask 130 may be etched to partially expose the sacrificial layer 140 disposed on the plurality of protrusions 110.

그리고, 도 13과 같이 상기 희생층(140) 및 상기 마스크(130) 상에 제1도전형 반도체층(210), 활성층(220), 제2도전형 반도체층(230)을 포함하는 발광 구조물(200)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 노출된 희생층(140) 및 상기 마스크(130) 상에 발광구조물(200)을 형성할 수 있다.13, a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer 210, an active layer 220, and a second conductive semiconductor layer 230 on the sacrificial layer 140 and the mask 130 200 can be formed. For example, the light emitting structure 200 may be formed on the exposed sacrificial layer 140 and the mask 130.

그리고, 도 14a와 같이, 상기 발광 구조물(200)과 상기 희생층(140) 사이에 배치된 상기 마스크(130)를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크(130)를 식각하여 상기 복수의 돌출부(110) 사이와 상기 희생층(140) 및 상기 기판(100) 사이에 에어 터널(120)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크(130)를 제거하는 공정과 상기 발광 구조물(200)을 형성하는 공정은 동시에 일어날 수 있다. 예를 들어, 상기 희생층(140)의 두께는 50nm 이상 200nm이하 일 수 있다. 상기 희생층(140)의 두께가 50nm 이하일 경우, 상기 희생층(140)이 상기 기판(100)을 보호하지 못할 수 있다. 14A, the mask 130 disposed between the light emitting structure 200 and the sacrificial layer 140 may be removed. For example, the mask 130 may be etched to form an air tunnel 120 between the plurality of protrusions 110, the sacrificial layer 140, and the substrate 100. For example, the process of removing the mask 130 and the process of forming the light emitting structure 200 may occur at the same time. For example, the thickness of the sacrificial layer 140 may be 50 nm or more and 200 nm or less. When the thickness of the sacrificial layer 140 is 50 nm or less, the sacrificial layer 140 may not protect the substrate 100.

도 14a와 같이, 상기 희생층(140) 상에 발광 구조물(200)을 형성하고 상기 발광 구조물(200)과 희생층(140) 사이에 형성된 마스크(130)를 제거하여 에어 터널(120)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 희생층(140)이 빠르게 식각될 수 있다.14A, a light emitting structure 200 is formed on the sacrificial layer 140 and a mask 130 formed between the light emitting structure 200 and the sacrificial layer 140 is removed to form an air tunnel 120 . Accordingly, the etching solution is injected into the air tunnel 120, so that the sacrificial layer 140 can be rapidly etched.

상기 에어 터널(120)을 설명하기 위해 도 14b를 설명하기로 한다.To explain the air tunnel 120, Fig. 14B will be described.

도 14b는 도 2b의 기판(100)의 단면도에는 도 9 내지 도 14a의 제2실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정에 의해 기판(100) 상에 희생층(140) 및 발광 구조물(200)이 형성된 (b)의 단면도 일 수 있다.14B is a sectional view of the substrate 100 of FIG. 2B. Referring to FIG. 14B, a sacrificial layer 140 and a light emitting structure 200 are formed on a substrate 100 by a manufacturing process of a light emitting device according to a second embodiment of FIGS. Sectional view of the formed (b).

도 14b에 도시된 바와 같이 (b)의 단면에는 복수의 돌출부(110)가 형성되어 있지 않고, 에어 터널(120)이 형성될 수 있다. 상기 에어 터널(120)은 희생층(140)과 상기 발광 구조물(200) 사이에 배치되어 있다. 이에 따라, 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 식각 용액이 복수의 돌출부(110)와 충돌하지 않고 빠르게 식각될 수 있다. 또한, 상기 희생층(140)만을 선택적으로 식각함으로써 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리시킬 수 있다.As shown in FIG. 14B, the air tunnel 120 can be formed without forming a plurality of protrusions 110 on the end surface of (b). The air tunnel 120 is disposed between the sacrificial layer 140 and the light emitting structure 200. Accordingly, the etching solution is injected into the air tunnel 120, so that the etching solution can be quickly etched without colliding with the plurality of protrusions 110. The substrate 100 and the light emitting structure 200 can be separated from each other without damaging the light emitting structure 200 by selectively etching only the sacrificial layer 140.

다시, 제2실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정에 대해 설명하기 위해 도 15a를 설명하기로 한다.15A to explain the manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment.

도 15a에 도시된 바와 같이, 도 14a 및 도 14b에서 설명한 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 희생층(140)이 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 희생층(140)의 측면과 상기 발광구조물(200)의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널(120)은 노출될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(100)과 상기 발광 구조물(200)이 박리될 수 있다. 상기 에어 터널(120)에 식각 용액이 주입되어 상기 희생층(140)이 복수의 돌출부(110)와 충돌하지 않고 빠르게 식각되며, 상기 희생층(140)만을 선택적으로 식각함으로써 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리시킬 수 있다. 따라서, 도 15b와 같이, 빠른 시간 안에 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리 시킬 수 있으며 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 고품질의 발광 구조물(200)을 얻을 수 있다.As shown in FIG. 15A, the etching solution injected into the air tunnel 120 described in FIGS. 14A and 14B may be removed to remove the sacrificial layer 140. For example, the air tunnel 120 disposed between the side surface of the sacrificial layer 140 and the side surface of the light emitting structure 200 may be exposed. Accordingly, the substrate 100 and the light emitting structure 200 can be peeled off. The etching solution is injected into the air tunnel 120 to rapidly etch the sacrificial layer 140 without colliding with the plurality of protrusions 110 and selectively etching only the sacrificial layer 140, The substrate 100 and the light emitting structure 200 can be peeled off without damaging the substrate 100. 15B, the substrate 100 and the light emitting structure 200 can be separated in a short time, and the light emitting structure 200 of high quality can be obtained without damaging the light emitting structure 200.

종래의 화학적 박리법에서는 희생층을 식각하기 위해 많은 시간이 소요되었다. 또한, 종래의 화학적 박리법에 의해 희생층을 식각할 때, 상기 발광구조물까지 식각되어 발광구조물이 손상을 입을 수 있다. 이에 따라, 발광소자의 발광 효율이 저하되었다.In the conventional chemical stripping method, it takes a long time to etch the sacrificial layer. Further, when the sacrificial layer is etched by the conventional chemical stripping method, the light emitting structure may be etched to damage the light emitting structure. As a result, the luminous efficiency of the light emitting element is lowered.

그러나, 제2실시예에 따른 발광소자에서는 식각용액이 상기 희생층(140)과 상기 발광 구조물(200) 사이에 배치된 에어 터널(120)에 주입될 수 있다. 이에 따라, 상기 식각 용액이 복수의 돌출부(110)와 충돌하지 않고 에어 터널(120)로 흐를 수 있어 희생층(140)을 빠르게 식각할 수 있다. 또한, 상기 희생층(140)만은 선택적으로 식각할 수 있다. 상기 희생층(140)만을 선택적으로 식각함에 따라 발광 구조물(200)의 손상을 방지할 수 있어 발광 효율을 향상 시킬 수 있다. However, in the light emitting device according to the second embodiment, the etching solution may be injected into the air tunnel 120 disposed between the sacrificial layer 140 and the light emitting structure 200. Accordingly, the etching solution can flow to the air tunnel 120 without colliding with the plurality of protrusions 110, so that the sacrifice layer 140 can be rapidly etched. In addition, only the sacrificial layer 140 may be selectively etched. By selectively etching only the sacrificial layer 140, the damage of the light emitting structure 200 can be prevented, and the luminous efficiency can be improved.

상기 기술한 바와 같이, 제2실시예에 따른 발광 소자의 제조공정에 의해서는 종래의 화학적 박리법을 사용하는 것보다 빠른 시간 안에 기판(100)과 발광 구조물(200)을 박리 시킬 수 있으며, 또한, 상기 발광 구조물(200)에 손상을 입히지 않고 고품질의 발광 구조물(200)을 얻을 수 있다.As described above, according to the manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment, the substrate 100 and the light emitting structure 200 can be peeled off in a shorter time than the conventional chemical peeling method, , A high-quality light emitting structure 200 can be obtained without damaging the light emitting structure 200.

도 16은 제3실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.16 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the third embodiment.

도 16에 도시된 바와 같이, 제3실시예에 따른 발광소자는 상기 제1도전형 반도체층(210)이 복수의 리세스를 포함할 수 있다. 상기 복수의 리세스에는 희생층(140)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 리세스는 경사면을 포함할 수 있다. 상기 복수의 리세스의 경사면에 상기 희생층(140)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 희생층(140)은 AlN 계열층을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 16, in the light emitting device according to the third embodiment, the first conductive semiconductor layer 210 may include a plurality of recesses. A sacrificial layer 140 may be disposed in the plurality of recesses. The plurality of recesses may include an inclined surface. The sacrificial layer 140 may be disposed on an inclined surface of the plurality of recesses. For example, the sacrificial layer 140 may include an AlN-based layer.

도 16에서는 제1실시예와 제2실시예에서 설명한 발광 소자의 제조공정에서 상기 복수의 돌출부(110)와 상기 발광 구조물(200) 사이의 희생층(140)을 제외한 다른 희생층들을 모두 식각할 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 돌출부(110)와 상기 발광 구조물(200) 사이에 배치된 희생층(140)만 식각되지 않고 상기 제1도전형 반도체층(210)의 하면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(220)에서 출사되는 빛이 반사 또는 산란되어 발광소자의 광 추출 효율을 더욱 향상 시킬 수 있는 기술적 효과가 있다. 16, all the sacrificial layers except the sacrificial layer 140 between the plurality of protrusions 110 and the light emitting structure 200 are etched in the manufacturing process of the light emitting device described in the first and second embodiments . Thus, only the sacrificial layer 140 disposed between the protrusions 110 and the light emitting structure 200 may be disposed on the lower surface of the first conductive semiconductor layer 210 without being etched. Accordingly, there is a technical effect that light emitted from the active layer 220 is reflected or scattered to further improve light extraction efficiency of the light emitting device.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment can be applied to the light source device.

또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector, An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. The display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention.

기판: 100 돌출부: 110 에어 터널: 120 마스크: 130 희생층: 140
발광구조물: 200 제1도전형 반도체층: 210 활성층: 220 제2도전형 반도체층: 230Substrate: 100 protrusions: 110 air tunnel: 120 mask: 130 sacrificial layer: 140
Emitting structure: 200 first conductive type semiconductor layer: 210 active layer: 220 second conductive type semiconductor layer: 230

Claims (7)

복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 희생층 상에 마스크를 형성하는 단계;
상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부 상에 배치된 상기 희생층이 일부 노출되는 단계;
상기 노출된 희생층 및 상기 마스크 상에 발광구조물을 형성하는 단계;
상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계; 및
상기 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.Forming a sacrificial layer on a substrate including a plurality of protrusions;
Forming a mask on the sacrificial layer;
Etching a part of the mask to partially expose the sacrificial layer disposed on the plurality of protrusions;
Forming a light emitting structure on the exposed sacrificial layer and the mask;
Removing the mask between the sacrificial layer and the light emitting structure to form an air tunnel; And
And injecting etching solution into the air tunnel to remove the sacrificial layer. 제1항에 있어서,
상기 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계에 있어서,
상기 복수의 돌출부 상에 배치된 상기 희생층의 일부는 제거되지 않는 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
In the step of removing the sacrificial layer by injecting an etching solution into the air tunnel,
Wherein a part of the sacrificial layer disposed on the plurality of projections is not removed. 제1항에 있어서,
상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계에 있어서,
상기 발광구조물의 측면과 상기 기판의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널은 노출되는 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Removing the mask between the sacrificial layer and the light emitting structure to form an air tunnel,
Wherein the air tunnel disposed between a side surface of the light emitting structure and a side surface of the substrate is exposed. 제3항에 있어서,
상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계에 있어서,
상기 희생층의 측면과 상기 발광구조물의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널은 노출되는 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
Removing the mask between the sacrificial layer and the light emitting structure to form an air tunnel,
Wherein the air tunnel disposed between the side surface of the sacrificial layer and the side surface of the light emitting structure is exposed. 제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층;
상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제1도전형 반도체층은 상기 제1도전형 반도체층에서 상기 활성층 방향으로 오목한 리세스를 포함하며,
상기 리세스의 일부 영역에는 AlN 계열층이 배치되는 발광소자.A first conductive semiconductor layer;
An active layer on the first conductive semiconductor layer;
And a second conductive semiconductor layer on the active layer,
Wherein the first conductivity type semiconductor layer includes a recess recessed in the direction of the active layer from the first conductivity type semiconductor layer,
And an AlN series layer is disposed in a part of the recess. 제6항에 있어서,
상기 AlN 계열층은 상기 제1도전형 반도체층의 하면 일부와 접촉하는 발광소자.The method according to claim 6,
And the AlN-based layer is in contact with a bottom surface of the first conductive semiconductor layer. 제7항에 있어서,
상기 리세스는 경사면을 포함하고 상기 AlN 계열층은 상기 리세스의 경사면에 배치되는 발광소자.
8. The method of claim 7,
Wherein the recess comprises an inclined surface and the AlN series layer is disposed on an inclined surface of the recess.
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