KR20190086086A - 반도체 발광소자 및 이의 와이어를 제조하는 방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 이의 와이어를 제조하는 방법 Download PDF

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백준승
송태호
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우리이앤엘 주식회사
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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 복수의 반도체층을 포함하며, 적어도 하나의 반도체층과 연결된 제1 전극을 포함하는 반도체 발광소자 칩; 외부전원이 연결된 제1 연결부를 포함하는 리드프레임; 그리고, 제1 연결부와 제1 전극 사이를 연결하며 높이를 가지는 제1 꼭지부, 제1 꼭지부와 다른 높이를 가지는 제2 꼭지부 및 제1 꼭지부와 제2 꼭지부 사이에 구비되어 가장 낮은 높이를 가지는 제1 사이부를 포함하는 와이어;로써, 제1 꼭지부는 제1 전극의 상부에 구비되어 꺾임구조를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 및 이의 와이어를 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHI EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING WIRE OF THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 신뢰성이 향상된 반도체 발광소자 및 이의 와이어를 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 한국 공개특허공보 제10-2009-0104022호에 제시된 볼 본딩용 금합금선의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어를 변경하였다.
IC칩의 전극과 외부배선을 접속하는 경우, 와이어를 통해 배선하는 와이어 본딩 방법이 알려져 있다. 이 중에서도 IC칩의 알루미늄 전극과 와이어를 접합하는 방식에 의해 초음파 병용 열 압착 접합 및 초음파 접합이 주류를 이루고 있다.
여기서 초음파 병용 열압착 접합은 통상 볼(ball) 본딩 방법에 의해 이루어지고 있다.
도 1(a)에 나타낸 바와 같이 와이어(2)를 모세관(1)에 넣고, 그 선단에 전기토치(3)를 대향시켜 와이어(2)와의 사이에서 방전시키는 것에 의해 와이어(2)의 선단을 가열, 용융하여 볼(4)을 형성한다. 이어서, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이 모세관(1)을 하강시켜 볼(4)을 IC칩(6) 상의 알루미늄 전극(5) 상에 압입 접합한다. 이때, 도시하지는 않았지만 초음파 진동이 모세관(1)을 통하여 부가됨과 동시에 IC칩(6)은 히터 블럭으로 가열되므로 상기 볼(4)은 열압착되어 압착 볼(4′)이 된다. 이어서, 도 1 (c)에 나타낸 바와 같이 모세관(1)은 소정의 궤적을 나타내고 리드프레임(8) 상으로 이동하여 하강한다. 이때 도시하지는 않았지만 초음파 진동이 모세관(1)을 통하여 부가되고 리드프레임(8)은 히터 블럭으로 가열되므로 와이어(2)측면이 열압착(스티치 접합이라 함)된다. 이어서, 도 1(d)에 나타낸 바와 같이 클램퍼(7)는 와이어(2)를 클램프한 채 상승하는 것에 의해 와이어(2)가 절단되고 배선이 완료된다. 일반적으로 볼 본딩용 금합금선은 와이어 강도, 용융 볼 형성성, 압착 볼 형상의 진원성, 스티치 접합성이 실용성을 구비할 필요가 있다. 또한, 일반적인 볼 와이어의 신장률은 2~6%로 설정되어 있지만, 루프 형성성을 고려하면 신장률은 3%이상이 바람직하고, 특히 4%가 바람직하다고 알려져 있다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다.
도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라 한다. 여기서, 기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다.
도 3은 한국 공개특허공보 제10-2013-0056119호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어를 변경하였다.
본 발명의 다른 실시 예에 의한 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광소자 칩(110), 상기 반도체 발광소자 칩(110)에 전원을 인가하기 위해 외부전원과 연결되는 리드프레임(140) 상기 반도체 발광소자 칩(110)과 상기 리드프레임(140)을 연결시키는 와이어(150)를 포함하며, 상기 와이어(150)는 상기 반도체 발광소자 칩(110)에 전원을 공급하기 위한 와이어(150)인 것을 특징으로 한다.
와이어(150)는 IC칩 또는 LED 칩과 리드프레임(140)을 전기적으로 연결하는 금속선으로 현재 대부분의 와이어(150)에는 금이 사용되고 있다.
최근에 전 세계적인 금값의 폭등으로 인하여 와이어 제조시 원가절감을 위하여 구리 와이어와 팔라듐이 코팅된 구리 와이어로 전환이 시도되고 있으며 일부에서는 양산까지 하고 있으나 그 특성이 금 와이어에는 미치지 못하여 금 와이어를 기본으로 한 합금 와이어에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있는 상황이다.
금을 기본으로 한 합금 와이어로 금-은 합금 와이어가 연구되고 있으며 금-은 합금 와이어는 합금 원소인 은(Ag)의 우수한 전기 전도도와 금(Au)과의 전율 고용체(complete solid solution)를 형성함에 의해 원가절감 효과를 기할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 금-은 합금 와이어의 경우에는 은이 함유됨으로써 인장강도가 높아져 금 와이어보다 현저히 성능이 떨어지는 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 복수의 반도체층을 포함하며, 적어도 하나의 반도체층과 연결된 제1 전극을 포함하는 반도체 발광소자 칩; 외부전원이 연결된 제1 연결부를 포함하는 리드프레임; 그리고, 제1 연결부와 제1 전극 사이를 연결하며 높이를 가지는 제1 꼭지부, 제1 꼭지부와 다른 높이를 가지는 제2 꼭지부 및 제1 꼭지부와 제2 꼭지부 사이에 구비되어 가장 낮은 높이를 가지는 제1 사이부를 포함하는 와이어;로써, 제1 꼭지부는 제1 전극의 상부에 구비되어 꺾임구조를 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 있어서, 제1 꼭지부의 높이를 형성하는 단계; 봉지부의 열변형량을 계산하는 단계; 봉지부의 열변형량만큼 제1 꼭지부의 높이를 기준으로 제1 사이부의 높이를 연변형량만큼 낮게 형성하는 단계;그리고, 제2 꼭지부의 높이를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 한국 공개특허공보 제10-2009-0104022호에 제시된 볼 본딩용 금합금선의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 한국 공개특허공보 제10-2013-0056119호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 온도에 따른 예들을 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 봉지부의 특성을 나타낸 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(200)에 있어서, 반도체 발광소자(200)는 반도체 발광소자 칩(210), 리드프레임(290) 및 와이어(230)를 포함한다. 반도체 발광소자 칩(210)은 복수의 반도체층을 포함하고, 적어도 하나의 반도체층과 연결된 제1 전극(220)을 포함한다. 제1 전극(220)이 연결된 반도체층과 다른 반도체층과 연결된 제2 전극(220)을 더 포함 할 수 있다. 리드프레임(290)은 제1 연결부(240)를 포함하고, 리드프레임(290)에는 외부전원이 연결되어 있다. 리드프레임(290)은 극이 다른 외부전원이 연결된 제2 연결부(240)를 더 포함 할 수 있다. 와이어(230)는 반도체 발광소자 칩(210)의 제1 전극(220)과 리드프레임(290)의 제1 연결부(240) 사이에 구비되고, 와이어(230)를 통해 반도체 발광소자 칩(210)에 외부전원을 공급한다. 와이어(230)는 제1 꼭지부(231), 제2 꼭지부(235) 및 제1 꼭지부(231)와 제2 꼭지부(235) 사이에 구비되는 제1 사이부(233)를 포함한다. 제1 꼭지부(231)와 제2 꼭지부(235)는 각각 다른 높이를 가진다. 예를 들면, 제1 꼭지부(231)가 제2 꼭지부(235)보다 높은 높이를 가진다. 제1 꼭지부(231)는 와이어(230) 중 가장 높은 높이를 가지고, 제2 꼭지부(235)는 제1 꼭지부(231)보다 낮은 높이를 가진다. 제1 사이부(233)는 제1 꼭지부(231)와 제2 꼭지부(235)보다 낮은 높이를 가진다. 바람직하게 제1 사이부(233)는 제1 꼭지부(231)보다 50um 낮게 형성될 수 있다. 전체적으로 제1 꼭지부(231), 제2 꼭지부(235) 및 제1 사이부(233)는 M자 형상으로 형성될 수 있다.
일 예로 제1 꼭지부(231), 제2 꼭지부(235) 및 제1 사이부(233)의 높이는 제1 전극(220)의 기준으로 높이를 정하고, 제1 꼭지부(231)의 높이는 100um~160um 사이의 높이를 가지고, 제2 꼭지부(235)는 70um~130um사이의 높이를 가지며, 제1 사이부(233)의 높이는 50um~110um사이의 높이를 가진다.
와이어(230)는 금과 은 합금으로 형성된다. 예를 들면, 금과 은의 비율은 5:95~100:0사이 일 수 있다. 금-은 합금 와이어(230)를 사용하는 이유는 비용 절감 때문이며, 금-은 합금으로 인해 와이어(230)의 강성이 커진다. 강성이 커짐에 따라서 재료는 외부로부터 힘을 받아도 변형되지 않고 와이어의 모양을 유지하려는 성질이 커진다. 따라서, 제1 꼭지부(231), 제1 사이부(233) 및 제2 꼭지부(235)를 가지는 와이어(230)를 통해 와이어(230)의 제1 전극(220)/제2 전극(220)및 제1 연결부(240)/제2 연결부(240)에 받는 스트레스가 적어지므로, 반도체 발광소자(200)의 내구성이 높아진다.
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(200)는 몰딩부(250)와 봉지부(270)를 더 포함한다. 몰딩부(250)는 반도체 발광소자 칩(210)을 둘러싸고, 몰딩부(250)와 반도체 발광소자 칩(210) 사이에 봉지부(270)가 구비된다. 봉지부(270)는 형광체를 포함할 수 있다. 몰딩부(250)의 높이는 반도체 발광소자 칩(210)보다 높게 형성될 수 있다. 몰딩부(250)는 반도체 발광소자 칩(210)의 상부로는 열려있고, 반도체 발광소자 칩(210)의 측면을 둘러싸고 있다. 반도체 발광소자 칩(210)과 연결되는 부분인 일 예로 리드프레임(290)의 제1 연결부(240)와 외부전원이 접촉된다. 봉지부(270)는 반도체 발광소자 칩(210)과 와이어(230)를 모두 감싸도록 형성된다. 반도체 발광소자 칩(210)이 빛을 발광하면서 열이 발생하게 되는데, 이에 온도에 따라 봉지부(270)는 팽창을 하게 된다. 봉지부(270)는 사방이 몰딩부(250)에 의해 막혀있기 때문에 반도체 발광소자 칩(210) 상부의 몰딩부(250)가 열려있는 부분으로 팽창된다. 이에 따라 봉지부(270)에 둘러싸여있는 와이어(230)는 얇기 때문에 봉지부(270)가 팽창하면서 와이어(230)도 팽창하게 되고, 이에 따라 와이어(230)가 끊어지는 문제점이 있었다. 특히, 금-은 합금 와이어에서 문제가 된다. 이를 해결하기 위해, 봉지부(270)가 팽창되면서 와이어(230)가 팽창되어도 끊어지지 않도록 하는 구조를 만들었다. 예를 들면, 봉지부(270)는 실리콘일 수 있다.
도 5는 이상적인 온도 일 때의 반도체 발광소자(200)를 나타낸 도면이고, 봉지부(270)는 팽창이나 수축하지 않은 상태이다. 따라서, 몰딩부(250)의 높이는 몰딩부(250) 사이에 구비된 봉지부(270)의 높이와 같다. 와이어(230)는 제1 꼭지부(231)의 높이가 높고, 제2 꼭지부(235)의 높이는 제1 꼭지부(231)의 높이보다 낮고 제1 꼭지부(231)와 제2 꼭지부(235) 사이의 제1 사이부(233)가 가장 낮은 높이를 가지고 있다. 예를 들면, 온도는 약 34.93℃(유리전이온도 Tg)이다.
제1 꼭지부(231)는 꺾임구조를 가진다. 꺾임구조에서 제1 전극(220)에 받는 힘을 꺾임구조가 받아서 제1 전극(220)과 와이어(230)의 본딩이 떨어지는 문제점을 개선할 수 있다. 꺾임구조는 예각을 가지는 것이 바람직하다. 왜냐하면 꺾임구조가 예각 이상으로 형성되면, 예를 들면 직각에서 둔각이 되면 제1 사이부(233)의 높이가 낮아지기 위해 와이어가 더 길어져야 하고, 이로 인해 반도체 발광소자(200)의 크기가 더 크게 형성될 수 밖에 없다. 크기가 점점 더 소형화되고 있는 소형기기에 부품으로 삽입되는 반도체 발광소자(200)의 크기 경쟁력이 떨어질 수 있다. 제1 전극(220)과 제1 꼭지부(231)까지의 와이어(230)는 반도체 발광소자로부터 수직으로 형성된다.
도 5에는 제1 전극(220)/제2 전극(220)에 연결된 와이어(230) 모두 본 개시에 따른 와이어(230)의 형태를 가지지만, 제1 전극(220) 및 제2 전극(220) 중 적어도 하나 이상이 제1 꼭지부(231), 제1 사이부(233) 및 제2 꼭지부(235)의 형태를 가지는 것이면 본 개시의 다른 예로 포함될 수 있다.
도 5에서 설명된 반도체 발광소자는 도 5에서 설명한 것을 제외하고, 도 4에서 설명된 반도체 발광소자와 실질적으로 동일하다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 온도에 따른 예들을 나타내는 도면이다.
도 6(a)는 이상적인 온도보다 낮은 온도를 가질 때의 반도체 발광소자(200)를 나타낸 도면이고, 도 6(b)는 이상적인 온도보다 높은 온도를 가질 때의 반도체 발광소자(200)를 나타낸 도면이다.
도 6(a)와 같이 봉지부(270)는 수축한 예이며, 봉지부(270)가 수축되어 봉지부(270)가 몰딩부(250)의 높이보다 낮게 형성되어 있고, 와이어(230)도 봉지부(270)에 의해 수축되어 제1 사이부(233)의 높이가 도 5의 제1 사이부(233)의 높이보다 낮게 형성되어 있다. 봉지부(270)의 수축으로 인해 반도체 발광소자의 제1 꼭지부(231)의 꺾임구조의 각도는 봉지부(270)의 수축으로 인해 도 5에서의 각도보다 얇아질 수 있다. 봉지부(270)가 수축하면서 제1 사이부(233)가 반도체 발광소자 칩(210) 쪽으로 이동하기 때문이다.
도 6(b)와 같이 봉지부(270)는 팽창한 예이며, 봉지부(270)가 팽창되어 봉지부(270)가 몰딩부(250)의 높이보다 높게 돌출되어 있고, 와이어(230)도 봉지부(270)에 의해 팽창되어 제1 사이부(233)의 높이가 위로 올라가 높이가 높아진다. 이로 인해, 제1 사이부(233)만 움직이기 때문에 제1 전극(220)에 부착된 와이어(230)에 힘이 작용하지 않아서 와이어(230)와 제1 전극(220)의 접착력이 저하되지 않는다. 제1 꼭지부(231)의 꺾임구조의 각도는 봉지부(270)의 팽창으로 제1 사이부(233)가 움직여 도 5에서의 꺾임구조보다 직각에서 둔각으로 변할 수 있다.
도 6(a)와 도 6(b)에 봉지부(270)의 수축 및 팽창시의 힘은 화살표 방향으로 나타나 있다. 도 6(a)와 도 6(b)에서 봉지부(270)는 화살표 방향으로 힘이 가해져 수축 및 팽창 되는데, 몰딩부(250) 근처의 봉지부(270)보다 몰딩부(250)에 의해 수축 및 팽창되는 힘이 반도체 발광소자 칩(210)의 상부에 몰딩부(250)가 형성되지 않은 부분에 적용이 많이 된다.
도 6에서 설명된 반도체 발광소자는 도 5에서 설명한 것을 제외하고, 도 4에서 설명된 반도체 발광소자와 실질적으로 동일하다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 봉지부의 특성을 나타낸 도면이다.
도 7(a)는 온도에 따른 봉지부(270; 도 5 및 6 참조)의 열팽창계수를 그래프로 나타낸 도면이며, 도 7(b)는 도 7(a) 및 열팽창계수를 표로 나타낸 도면이다.
봉지부(270)의 온도가 -45℃일 때, 봉지부(270)의 열팽창계수는 1225ppm/℃입니다. 또한, 봉지부(270)의 온도가 34.93℃에서 125℃사이일 때, 봉지부(270)의 열팽창계수는 34.93℃ 이전보다 급격하게 증가하는 성질이 있다. 이를 통해 봉지부(270)의 수축과 팽창시의 높이 차이를 계산할 수 있다. 식을 이용하여 수축과 팽창시의 실리콘 변형량을 알아낼 수 있다.
Figure pat00001
실리콘 변형량은 온도가 낮을 때(-45℃)에서 봉지부(270)가 3.99um 수축되고, 온도가 높을 때 봉지부(270)가 9.19um 팽창되어 변형된다. 이를 통해 -45℃~150℃까지 봉지부(270)의 수축과 팽창시 최대 13.18um가 변형되는 것을 알 수 있다. 봉지부(270)가 수축과 팽창함에 따라서 와이어(230; 도 5 및 6 참조)도 함께 움직이는데, 와이어(230)가 팽창할 때 움직일 수 있는 여유를 주고, 와이어(230)가 움직일 때 힘이 제1 전극(220; 도 5 및 6 참조)에 가해지지 않도록 제1 꼭지부(231; 도 5 및 6 참조)를 예각으로 형성함으로써 와이어(230)의 신뢰성을 높일 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
먼저, 제1 꼭지부(231)의 높이(b)를 형성한다. 이때, 반도체 발광소자 칩(210)의 높이(a)와 완성될 반도체 발광소자(200)의 높이(e)를 고려하여 완성될 반도체 발광소자(200)의 높이(e)에서 반도체 발광소자 칩(210)의 높이(a)를 뺀 만큼보다 제1 꼭지부(231)의 높이(b)는 작게 형성된다. 왜냐하면, 반도체 발광소자(200)의 높이(e)보다 와이어(230)가 높게 형성되면 몰딩부(250) 또는 봉지부(270)로부터 와이어(230)가 돌출되어 와이어(230)가 끊어지거나 와이어(230)가 변형될 수 있어 신뢰성이 떨어질 수 있고, 또는 필요이상으로 길게 형성되었으므로 제조비용측면에서 낭비이기 때문이다. 몰딩부(250) 내부에는 제너 다이오드(미도시)가 구비될 수 있으며, 이는 제너 다이오드가 빛을 흡수하는 것을 차단하기 위한 것이다.
이후, 봉지부(270)의 열변형량을 계산한다. 봉지부(270)의 재료 및 재료의 온도를 알면, 도 7의 식을 이용하여 열변형량을 계산할 수 있다.
이후, 봉지부(270)의 열변형량만큼 제1 꼭지부(231)의 높이(b)를 기준으로 제1 사이부(233)의 높이(c)를 연변형량만큼 낮게 형성한다. 제1 꼭지부(231)의 높이(b)를 기준으로 열변형량만큼 낮게 형성하는 것은 봉지부(270)가 팽창하면서 와이어(230)가 움직이기 때문이며, 이때, 와이어(230)는 제1 꼭지부(231)를 기준으로 움직이기 때문이다.
이후, 제2 꼭지부(235)의 높이(d)를 형성한다. 이때, 제2 꼭지부(235)의 높이(d)는 제1 꼭지부(231)의 높이(b)와 제1 사이부(233)의 높이(c) 사이에 위치한다. 와이어(230)의 제1 사이부(233)가 봉지부(270)에 의해 움직이면서 와이어(230)가 부착된 제1 전극(220)과 제1 연결부(240)에 스트레스를 주지 않게 하기 위해 제2 꼭지부(235)가 형성되며, 제2 꼭지부(235)가 제1 사이부(233)보다 높게 형성됨으로써 제1 연결부(240)가 움직이지 않아 스트레스가 발생하지 않는다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 복수의 반도체층을 포함하며, 적어도 하나의 반도체층과 연결된 제1 전극을 포함하는 반도체 발광소자 칩; 외부전원이 연결된 제1 연결부를 포함하는 리드프레임; 그리고, 제1 연결부와 제1 전극 사이를 연결하며 높이를 가지는 제1 꼭지부, 제1 꼭지부와 다른 높이를 가지는 제2 꼭지부 및 제1 꼭지부와 제2 꼭지부 사이에 구비되어 가장 낮은 높이를 가지는 제1 사이부를 포함하는 와이어;로써, 제1 꼭지부는 제1 전극의 상부에 구비되어 꺾임구조를 포함하는 반도체 발광소자.
(2) 제1 꼭지부의 높이는 제2 꼭지부의 높이보다 높은 반도체 발광소자.
(3) 제1 꼭지부의 높이는 제2 꼭지부의 높이보다 낮은 반도체 발광소자.
(4) 제1 꼭지부의 높이와 제2 꼭지부의 높이는 같은 반도체 발광소자.
(5) 제1 전극과 제1 꼭지부까지의 와이어는 반도체 발광소자와 수직으로 형성되는 반도체 발광소자.
(6) 제1 꼭지부가 꼭지점인 꺾임구조에서 와이어 사이의 각도가 예각인 반도체 발광소자.
(7) 반도체 발광소자 칩과 반도체 발광소자 칩 주위를 덮는 봉지부;를 포함하는 반도체 발광소자.
(8) 봉지부 팽창시 제1 사이부의 높이가 제2 꼭지부의 높이보다 높은 반도체 발광소자.
(9) 봉지부의 열변형량에 따라서 제1 사이부의 높이가 형성되는 반도체 발광소자.
(10) 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 있어서, 제1 꼭지부의 높이를 형성하는 단계; 봉지부의 열변형량을 계산하는 단계; 봉지부의 열변형량만큼 제1 꼭지부의 높이를 기준으로 제1 사이부의 높이를 연변형량만큼 낮게 형성하는 단계;그리고, 제2 꼭지부의 높이를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법.
(11) 와이어는 금-은 합금으로 형성되는 반도체 발광소자.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 의하면, 봉지부의 수축과 팽창에도 와이어의 제1 전극 및 제1 연결부에 가해지는 스트레스가 줄어들어 신뢰성이 높다.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 의하면, 반도체 발광소자 칩의 상면 방향으로 팽창하는 봉지재에 의해 끊어지지 않는 와이어를 가진다.
본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 의하면, 인장강도가 낮은 합금 와이어를 사용하지만 와이어에 스트레스를 줄이는 형상을 가져, 와이어의 신뢰성 및 내구성이 높게 유지될 수 있다.
본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 의하면, 봉지재는 팽창할 때 와이어의 제1 사이부의 높이가 변하여 끊어지지 않도록 한다.
본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 의하면, 제1 꼭지부와 제2 꼭지부는 제1 전극과 제1 연결부에 스트레스를 주지 않게 하기 위해 높이를 유지하며, 봉지부가 팽창하면서 제1 사이부의 높이만 변할 수 있게 한다.
200: 반도체 발광소자 210: 반도체 발광소자 칩 220: 제1 전극 230: 와이어 240: 제1 연결부 250: 몰딩부 270: 봉지부 290:리드프레임 231:제1 꼭지부 233:제1 사이부 235:제2 사이부

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자에 있어서,
    복수의 반도체층을 포함하며, 적어도 하나의 반도체층과 연결된 제1 전극을 포함하는 반도체 발광소자 칩;
    외부전원이 연결된 제1 연결부를 포함하는 리드프레임; 그리고,
    제1 연결부와 제1 전극 사이를 연결하며 높이를 가지는 제1 꼭지부, 제1 꼭지부와 다른 높이를 가지는 제2 꼭지부 및 제1 꼭지부와 제2 꼭지부 사이에 구비되어 가장 낮은 높이를 가지는 제1 사이부를 포함하는 와이어;로써, 제1 꼭지부는 제1 전극의 상부에 구비되어 꺾임구조를 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제1 꼭지부의 높이는 제2 꼭지부의 높이보다 높은 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    제1 꼭지부의 높이는 제2 꼭지부의 높이보다 낮은 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    제1 꼭지부의 높이와 제2 꼭지부의 높이는 같은 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    제1 전극과 제1 꼭지부까지의 와이어는 반도체 발광소자와 수직으로 형성되는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    제1 꼭지부가 꼭지점인 꺾임구조에서 와이어 사이의 각도가 예각인 반도체 발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    반도체 발광소자 칩과 반도체 발광소자 칩 주위를 덮는 봉지부;를 포함하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    봉지부 팽창시 제1 사이부의 높이가 제2 꼭지부의 높이보다 높은 반도체 발광소자.
  9. 청구항 7에 있어서,
    봉지부의 열변형량에 따라서 제1 사이부의 높이가 형성되는 반도체 발광소자.
  10. 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 꼭지부의 높이를 형성하는 단계;
    봉지부의 열변형량을 계산하는 단계;
    봉지부의 열변형량만큼 제1 꼭지부의 높이를 기준으로 제1 사이부의 높이를 연변형량만큼 낮게 형성하는 단계; 그리고,
    제2 꼭지부의 높이를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 와이어를 제조하는 방법.
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