KR20190070874A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR20190070874A
KR20190070874A KR1020180159282A KR20180159282A KR20190070874A KR 20190070874 A KR20190070874 A KR 20190070874A KR 1020180159282 A KR1020180159282 A KR 1020180159282A KR 20180159282 A KR20180159282 A KR 20180159282A KR 20190070874 A KR20190070874 A KR 20190070874A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
wafer
cleaning body
substrate
holding
Prior art date
Application number
KR1020180159282A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102629319B1 (en
Inventor
노부히코 모우리
다카노리 오바루
야스시 다키구치
데루히코 고다마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018197918A external-priority patent/JP7232615B2/en
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190070874A publication Critical patent/KR20190070874A/en
Priority to KR1020240004294A priority Critical patent/KR20240011849A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102629319B1 publication Critical patent/KR102629319B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/14—Wipes; Absorbent members, e.g. swabs or sponges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B08B1/36—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members rotating about an axis orthogonal to the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/40—Cleaning tools with integrated means for dispensing fluids, e.g. water, steam or detergents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[과제] 기판을 강력하게 세정하는 것.
[해결수단] 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와 제1 세정체와 제1 이동 기구와 제2 세정체와 제2 이동 기구와 제어부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 제1 세정체는, 유지부에 유지된 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면에 유체를 토출함으로써, 또는 상기 한쪽의 면에 접촉하여 한쪽의 면을 세정한다. 제1 이동 기구는 제1 세정체를 수평 이동시킨다. 제2 세정체는, 유지부에 유지된 기판의 상면 및 하면 중 다른 쪽의 면에 접촉하여 다른 쪽의 면을 세정한다. 제2 이동 기구는 제2 세정체를 수평 이동시킨다. 제어부는, 제1 이동 기구 및 제2 이동 기구를 제어하여, 한쪽의 면에 대하여 유체를 토출하거나, 또는 한쪽의 면에 접촉시킨 제1 세정체와 다른 쪽의 면에 접촉시킨 제2 세정체를 동기하여 수평 이동시키는 양면 세정 처리를 실행한다. [PROBLEMS] To strongly clean a substrate.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a holding portion, a first cleaning body, a first moving mechanism, a second cleaning body, a second moving mechanism, and a control portion. The holding part holds the substrate. The first three-dimensional structure is cleaned by discharging fluid to one of the upper and lower surfaces of the substrate held by the holding portion, or by contacting one surface of the substrate with the other surface. The first moving mechanism horizontally moves the first cleaning body. The second three-dimensional structure contacts the other surface of the upper surface and the lower surface of the substrate held by the holding portion and cleans the other surface. The second moving mechanism horizontally moves the second cleaning body. The control unit controls the first moving mechanism and the second moving mechanism so as to discharge the fluid to one surface or to apply the fluid to the first cleaning body in contact with one surface and the second cleaning body in contact with the other surface And performs a two-sided cleaning process for horizontally moving them in synchronization.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

개시하는 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

종래, 브러시나 스펀지 등을 이용하여 기판을 물리적으로 세정하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 예컨대, 특허문헌 1에는 기판의 상면을 세정하는 브러시를 갖춘 기판 처리 장치가 개시되어 있다. Conventionally, a substrate processing apparatus for physically cleaning a substrate by using a brush, a sponge, or the like is known. For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus having a brush for cleaning an upper surface of a substrate.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2010-109225호 공보Patent Document 1: JP-A-2010-109225

그러나 종래 기술에서는, 기판에 브러시를 밀어붙임으로써 기판이 브러시로부터 빠져나가는 방향으로 휘어 버리기 때문에, 기판에 강한 힘을 가하기가 어렵다. 이 때문에, 종래 기술에서는 기판을 강력하게 세정하기가 어렵다. However, in the related art, it is difficult to apply a strong force to the substrate because the substrate is bent in a direction to escape from the brush by pushing the brush onto the substrate. Therefore, it is difficult to clean the substrate strongly in the prior art.

실시형태의 일 양태는, 기판을 강력하게 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. One aspect of an embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of strongly cleaning a substrate.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와 제1 세정체와 제1 이동 기구와 제2 세정체와 제2 이동 기구와 제어부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 제1 세정체는, 유지부에 유지된 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면에 유체를 토출함으로써, 또는 한쪽의 면에 접촉하여 한쪽의 면을 세정한다. 제1 이동 기구는 제1 세정체를 수평 이동시킨다. 제2 세정체는, 유지부에 유지된 기판의 상면 및 하면 중 다른 쪽의 면에 접촉하여 다른 쪽의 면을 세정한다. 제2 이동 기구는 제2 세정체를 수평 이동시킨다. 제어부는, 제1 이동 기구 및 제2 이동 기구를 제어하여, 한쪽의 면에 대하여 유체를 토출하거나, 또는 한쪽의 면에 접촉시킨 제1 세정체와 다른 쪽의 면에 접촉시킨 제2 세정체를 동기하여 수평 이동시키는 양면 세정 처리를 실행한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a holding portion, a first cleaning body, a first moving mechanism, a second cleaning body, a second moving mechanism, and a control portion. The holding part holds the substrate. The first three-dimensional structure is cleaned by discharging the fluid to one of the upper and lower surfaces of the substrate held by the holding portion, or by contacting one surface and cleaning one surface. The first moving mechanism horizontally moves the first cleaning body. The second three-dimensional structure contacts the other surface of the upper surface and the lower surface of the substrate held by the holding portion and cleans the other surface. The second moving mechanism horizontally moves the second cleaning body. The control unit controls the first moving mechanism and the second moving mechanism so as to discharge the fluid to one surface or to apply the fluid to the first cleaning body in contact with one surface and the second cleaning body in contact with the other surface And performs a two-sided cleaning process for horizontally moving them in synchronization.

실시형태의 일 양태에 의하면 기판을 강력하게 세정할 수 있다. According to an aspect of the embodiment, the substrate can be cleaned strongly.

도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 종단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치에 의한 일련의 세정 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다.
도 4는 반입 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 5는 반입 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 6은 하면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 7은 하면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 8은 하면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 9는 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 10은 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 11은 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 12는 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 13은 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 14는 웨이퍼의 하면만을 세정하는 경우의 예를 도시하는 도면이다.
도 15는 웨이퍼의 양면을 동시에 세정하는 경우의 예를 도시하는 도면이다.
도 16은 제1 세정체와 제2 세정체의 동기를 시작하게 하는 타이밍의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 17은 제1 세정체와 제2 세정체의 동기를 시작하게 하는 타이밍의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 18은 제2 세정체가 제1 세정체와 중복되는 위치의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 19는 양면 세정 처리의 다른 동작예를 도시하는 도면이다.
도 20은 양면 세정 처리의 다른 동작예를 도시하는 도면이다.
도 21은 양면 세정 처리의 다른 동작예를 도시하는 도면이다.
도 22는 하면 세정 처리에 있어서의 상부 컵의 높이 위치를 도시하는 도면이다.
도 23은 양면 세정 처리에 있어서의 상부 컵의 높이 위치를 도시하는 도면이다.
도 24는 다른 세정 툴의 예를 도시하는 도면이다.
도 25는 제4 실시형태에 따른 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 26은 툴 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 27은 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 28은 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 종단면도이다.
도 29는 제6 실시형태에 따른 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 30은 제6 실시형태에 따른 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 31은 제7 실시형태에 따른 제2 세정체의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 32는 제7 실시형태에 따른 제2 세정체의 구성을 도시하는 종단면도이다.
도 33은 제7 실시형태에 따른 제2 세정체를 웨이퍼에 밀어붙인 상태를 도시하는 도면이다.
도 34는 제8 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 측면도이다.
도 35는 웨이퍼와 세정체 및 연마체와 회전판을 도시하는 평면도이다.
도 36은 웨이퍼와 세정체 및 연마체와 회전판을 도시하는 평면도이다.
도 37은 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 38은 제9 실시형태에 있어서의 하면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다.
도 39는 제9 실시형태에 있어서의 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. 1 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
2 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
3 is a flowchart showing the sequence of a series of cleaning processes by the substrate processing apparatus.
4 is a diagram showing an example of the operation of the importing process.
5 is a diagram showing an example of the operation of the importing process.
6 is a diagram showing an example of the operation of the bottom cleaning process.
7 is a diagram showing an example of the operation of the undersurface cleaning process.
8 is a diagram showing an example of the operation of the bottom cleaning process.
9 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process.
10 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process.
11 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process.
12 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process.
13 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process.
14 is a diagram showing an example of cleaning only the lower surface of the wafer.
Fig. 15 is a diagram showing an example of a case where both surfaces of a wafer are cleaned simultaneously.
16 is a diagram showing another example of the timing for starting the synchronization between the first three-dimensional stagnation and the second three-dimensional stagnation.
17 is a diagram showing another example of a timing for starting the synchronization between the first three-dimensional structure and the second three-dimensional structure.
Fig. 18 is a diagram showing another example of the position where the second truncated cone overlaps with the first truncated cone. Fig.
19 is a diagram showing another example of the operation of the double-sided cleaning process.
20 is a diagram showing another example of the operation of the double-sided cleaning process.
21 is a view showing another example of the operation of the double-sided cleaning process.
22 is a view showing the height position of the upper cup in the bottom cleaning process.
23 is a view showing the height position of the upper cup in the double-sided cleaning process.
24 is a diagram showing an example of another cleaning tool.
25 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process according to the fourth embodiment.
26 is a diagram showing an example of the operation of the tool cleaning process.
27 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment.
28 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment.
29 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process according to the sixth embodiment.
30 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process according to the sixth embodiment.
31 is a perspective view showing a configuration of a second cleaning body according to the seventh embodiment.
32 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a second cleaning body according to the seventh embodiment;
33 is a diagram showing a state in which the second cleaning body according to the seventh embodiment is pressed against a wafer.
34 is a side view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the eighth embodiment.
35 is a plan view showing the wafer, the cleaning body, the polishing body, and the rotary plate.
36 is a plan view showing the wafer, the cleaning body, the polishing body and the rotary plate.
37 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the ninth embodiment.
38 is a diagram showing an example of the operation of the bottom cleaning process in the ninth embodiment.
39 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process in the ninth embodiment.

이하에, 본원에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 실시하기 위한 형태(이하 「실시형태」라고 기재한다)에 관해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 여기서, 이 실시형태에 의해 본원에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시형태는 처리 내용을 모순되게 하지 않는 범위에서 적절하게 조합할 수 있다. 또한, 이하의 각 실시형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략된다. Hereinafter, a mode for carrying out the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention (hereinafter referred to as " embodiment ") will be described in detail with reference to the drawings. Here, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention are not limited by this embodiment. In addition, each embodiment can be appropriately combined within a range that does not make contradictory processing contents. In the following embodiments, the same portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

(제1 실시형태)(First Embodiment)

우선, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 관해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 평면도이다. 또한, 도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 종단면도이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 상호 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다. First, the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. 1 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment. 2 is a longitudinal sectional view showing a configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. Hereinafter, mutually orthogonal X-axis, Y-axis, and Z-axis are defined to clarify the positional relationship, and the Z-axis normal direction is set to the vertical upward direction.

기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판(이하, 웨이퍼(W)라고 기재한다)의 하면을 수평으로 흡착 유지하는 2개의 흡착 패드(10)와, 이 흡착 패드(10)로부터 수취한 웨이퍼(W)의 하면을 수평으로 흡착 유지하는 스핀 척(11)과, 상면이 개구된 케이스(13)와, 웨이퍼(W) 상면의 세정 처리를 행하는 제1 세정부(17)와, 웨이퍼(W) 하면의 세정 처리를 행하는 제2 세정부(18)를 구비한다. The substrate processing apparatus 1 includes two adsorption pads 10 for horizontally adsorbing and holding the lower surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate (hereinafter referred to as a wafer W) A spin chuck 11 for horizontally holding the lower surface of the wafer W received from the spin chuck 11, a case 13 having an opened upper surface, a first cleaning part 17 for cleaning the upper surface of the wafer W, And a second cleaner 18 for performing a cleaning process on the bottom surface of the wafer W. [

또한, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면의 적어도 한쪽에는 회로가 형성되어 있다. 여기서는 웨이퍼(W)의 상면에 회로가 형성되어 있는 것으로 한다. In addition, a circuit is formed on at least one of the upper surface and the lower surface of the wafer W. Here, it is assumed that a circuit is formed on the upper surface of the wafer W.

도 1에 도시한 것과 같이, 2개의 흡착 패드(10)는, 세로로 긴 대략 직사각형으로 형성되어 있고, 웨이퍼(W) 하면의 주연부를 유지할 수 있도록, 평면에서 봤을 때 스핀 척(11)을 사이에 두고서 대략 평행하게 마련되어 있다. 각 흡착 패드(10)는, 이 흡착 패드(10)보다 긴 대략 직사각형의 지지판(14)에 의해 각각 지지되어 있다. 지지판(14)은, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향(도 1의 X축 방향) 및 상하 방향(도 1의 Z축 방향)으로 이동이 자유로운 프레임(15)에 의해 그 양 단부가 지지되어 있다. As shown in Fig. 1, the two adsorption pads 10 are formed in a vertically elongated substantially rectangular shape and are arranged so as to sandwich the spin chuck 11 between them when seen in a plan view so as to hold the periphery of the lower surface of the wafer W. As shown in FIG. Each of the adsorption pads 10 is supported by a support plate 14 having a substantially rectangular shape longer than the adsorption pads 10. The support plate 14 is supported by a frame 15 which is movable in a horizontal direction (X-axis direction in FIG. 1) and a vertical direction (Z-axis direction in FIG. 1) by a drive mechanism .

프레임(15)의 상면에는 상부 컵(16)이 마련되어 있다. 상부 컵(16)의 상면에는 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경의 개구부가 형성되어 있고, 이 개구부를 통해 기판 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 기구와 흡착 패드(10)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다. On the upper surface of the frame 15, an upper cup 16 is provided. An opening portion having a diameter larger than the diameter of the wafer W is formed on the upper surface of the upper cup 16 and is disposed between the transfer mechanism provided outside the substrate processing apparatus 1 and the adsorption pad 10 via the opening portion. (W) is transmitted.

도 2에 도시한 것과 같이, 스핀 척(11)은 샤프트(20)를 통해 구동 기구(21)에 접속된다. 스핀 척(11)은 구동 기구(21)에 의해 회전 및 상하 이동이 자유롭게 되어 있다. As shown in Fig. 2, the spin chuck 11 is connected to the drive mechanism 21 through the shaft 20. As shown in Fig. The spin chuck 11 is freely rotatable and vertically movable by the driving mechanism 21. [

스핀 척(11)의 주위에는 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강이 자유로운, 예컨대 3개의 승강 핀(22)이 마련되어 있다. 이에 따라, 승강 핀(22)과 기판 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 기구(도시하지 않음)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. Around the spin chuck 11, there are provided, for example, three lift pins 22 which can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown). Thus, the wafer W can be transferred between the lift pins 22 and a transport mechanism (not shown) provided outside the substrate processing apparatus 1. [

케이스(13)의 바닥부에는, 세정액을 배출하는 드레인관(40)과, 기판 처리 장치(1) 내에 아래 방향의 기류를 형성하며 또한 상기 기류를 배기하는 배기관(41)이 마련되어 있다. The bottom of the case 13 is provided with a drain pipe 40 for discharging the cleaning liquid and an exhaust pipe 41 for forming a downward flow in the substrate processing apparatus 1 and exhausting the flow of air.

이어서, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18)의 구성에 관해서 설명한다. 도 2에 도시한 것과 같이, 제1 세정부(17)는 제1 세정체(171)와 제1 지주 부재(172)와 제1 구동부(173)를 구비한다. Next, the configurations of the first and second cleaning units 17 and 18 will be described. As shown in Fig. 2, the first cleaning part 17 includes a first cleaning body 171, a first strut member 172, and a first driving part 173.

제1 세정체(171)는 웨이퍼(W)의 상면에 밀어붙여지는 부재이다. 제1 세정체(171)는 예컨대 다수의 털다발로 구성된 브러시이다. 제1 세정체(171)의 하면, 즉 웨이퍼(W)와의 접촉면은 예컨대 웨이퍼(W)의 상면보다도 작은 원 형상을 갖는다. 또한, 제1 세정체(171)는 스펀지라도 좋다. The first three-dimensional structure 171 is a member which is pushed against the upper surface of the wafer W. The first three-dimensional body 171 is, for example, a brush composed of a plurality of hairy feet. The lower surface of the first cylindrical member 171, that is, the contact surface with the wafer W has a circular shape smaller than, for example, the upper surface of the wafer W. [ Further, the first elongated body 171 may be a sponge.

제1 세정체(171)의 상면에는 제1 지주 부재(172)가 마련된다. 제1 지주 부재(172)는 연직 방향(Z축 방향)을 따라서 연장되어 있고, 일단부에 있어서 제1 세정체(171)를 지지한다. A first strut member 172 is provided on the upper surface of the first cylindrical member 171. The first strut member 172 extends along the vertical direction (Z-axis direction), and supports the first cleansing member 171 at one end.

제1 지주 부재(172)의 타단부에는 제1 구동부(173)가 마련된다. 제1 구동부(173)는 제1 지주 부재(172)를 연직 축 둘레로 회전시킨다. 이에 따라, 제1 지주 부재(172)에 지지된 제1 세정체(171)를 연직 축 둘레로 회전시킬 수 있다. A first driving part 173 is provided at the other end of the first strut member 172. The first driving unit 173 rotates the first strut member 172 about the vertical axis. Accordingly, the first cleaning body 171 supported by the first strut member 172 can be rotated around the vertical axis.

제1 세정부(17)는 아암(70)에 의해서 수평으로 지지된다. 아암(70)에는, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 세정용 유체를 공급하는 세정 노즐(70a)이 제1 세정부(17)에 인접하여 마련된다. 세정용 유체로서는 예컨대 순수가 이용된다. The first cleaning portion 17 is horizontally supported by the arm 70. The arm 70 is provided with a cleaning nozzle 70a for supplying a cleaning fluid to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 11 adjacent to the first cleaning part 17. [ As the cleaning fluid, for example, pure water is used.

아암(70)에는, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘을 검지하는 하중 검지부(75)가 마련된다. 하중 검지부(75)는 예컨대 로드셀이다. The arm 70 is provided with a load detecting portion 75 for detecting the pressing force of the first cleaning body 171 against the wafer W. [ The load detection unit 75 is, for example, a load cell.

아암(70)은 이동부(71)에 접속된다. 이동부(71)는 수평 방향(여기서는 X축 방향)을 따라서 연장되는 레일(72)을 따라서 아암(70)을 수평 이동시킨다. 또한, 이동부(71)는 아암(70)을 연직 방향(Z축 방향)을 따라서 승강시킨다. The arm 70 is connected to the moving part 71. The moving part 71 horizontally moves the arm 70 along the rail 72 extending in the horizontal direction (X-axis direction in this case). Further, the moving unit 71 moves the arm 70 up and down along the vertical direction (Z-axis direction).

제2 세정부(18)는 제2 세정체(181)와 제2 지주 부재(182)와 제2 구동부(183)를 구비한다. The second washing unit 18 includes a second washing unit 181, a second column 182, and a second driving unit 183.

제2 세정체(181)는 웨이퍼(W)의 하면에 밀어붙여지는 부재이다. 제2 세정체(181)는 예컨대 다수의 털다발로 구성된 브러시이다. 제2 세정체(181)의 상면, 즉 웨이퍼(W)와의 접촉면은 예컨대 웨이퍼(W)의 상면보다도 작은 원 형상을 갖는다. 또한, 제2 세정체(181)는 스펀지라도 좋다. The second cylindrical member 181 is a member pressed against the lower surface of the wafer W. [ The second three-dimensional structure 181 is, for example, a brush composed of a plurality of hairy feet. The upper face of the second three-dimensional body 181, that is, the contact face with the wafer W has a circular shape smaller than, for example, the upper face of the wafer W. The second elongated member 181 may be a sponge.

제2 세정체(181)의 하면에는 제2 지주 부재(182)가 마련된다. 제2 지주 부재(182)는, 연직 방향(Z축 방향)을 따라서 연장되어 있고, 일단부에 있어서 제2 세정체(181)를 지지한다. A second strut member 182 is provided on the lower surface of the second cylindrical member 181. The second strut member 182 extends along the vertical direction (Z-axis direction) and supports the second cleaning body 181 at one end.

제2 지주 부재(182)의 타단부에는 제2 구동부(183)가 마련된다. 제2 구동부(183)는 제2 지주 부재(182)를 연직 축 둘레로 회전시킨다. 이에 따라, 제2 지주 부재(182)에 지지된 제2 세정체(181)를 연직 축 둘레로 회전시킬 수 있다. The second driving member 183 is provided at the other end of the second column member 182. The second driving portion 183 rotates the second strut member 182 about the vertical axis. Accordingly, the second cleaning body 181 supported by the second support member 182 can be rotated around the vertical axis.

제2 세정부(18)는 아암(80)에 의해서 수평으로 지지된다. 아암(80)에는, 흡착 패드(10) 또는 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 세정용 유체를 공급하는 세정 노즐(80a)이 제2 세정체(181)에 인접하여 마련되어 있다. 세정용 유체로서는 예컨대 순수가 이용된다. The second wiping portion 18 is horizontally supported by the arm 80. The arm 80 is provided with a cleaning nozzle 80a for supplying cleaning fluid to the lower surface of the wafer W held by the suction pad 10 or the spin chuck 11 adjacent to the second cleaning body 181 Lt; / RTI > As the cleaning fluid, for example, pure water is used.

아암(80)은 이동부(81)에 접속된다. 이동부(81)는 수평 방향(여기서는 Y축 방향)을 따라서 연장되어 있는 레일(82)을 따라서 아암(80)을 수평 이동시킨다. 또한, 이동부(81)는 아암(80)을 연직 방향(Z축 방향)을 따라서 승강시킨다. The arm 80 is connected to the moving part 81. The moving unit 81 horizontally moves the arm 80 along the rail 82 extending in the horizontal direction (Y-axis direction in this case). Further, the moving part 81 moves the arm 80 up and down along the vertical direction (Z-axis direction).

아암(80)은 예컨대 도시하지 않는 구동부에 의해서 수평 방향(X축 방향)을 따라서 신축된다. 이에 따라, 아암(80)은, 제2 세정부(18) 및 세정 노즐(80a)을 X축 방향, 즉 제1 세정부(17)의 이동 방향과 동일한 방향을 따라서 이동시킬 수 있다. The arm 80 is expanded and contracted in the horizontal direction (X-axis direction) by, for example, a driving unit (not shown). The arm 80 can move the second cleaner 18 and the cleaning nozzle 80a along the X axis direction, that is, the same direction as the movement direction of the first cleaner 17. [

아암(80)에는, 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘을 검지하는 하중 검지부(85)가 마련된다. 하중 검지부(85)는 예컨대 로드셀이다. The arm 80 is provided with a load detecting portion 85 for detecting a pressing force of the second cleaning body 181 against the wafer W. [ The load detecting unit 85 is, for example, a load cell.

이상의 기판 처리 장치(1)에는, 도 1에 도시한 것과 같이 제어부(200)가 마련되어 있다. 제어부(200)는 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 구동 장치나 이동 장치 등의 구동계의 동작이나 각종 노즐을 제어하여 기판 처리 장치(1)에 있어서의 세정 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터로 읽어 들일 수 있는 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그네토-옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 읽어 들일 수 있는 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이라도 좋다. The above-described substrate processing apparatus 1 is provided with a control unit 200 as shown in Fig. The control unit 200 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing apparatus 1 is stored. The program storage section also stores programs for realizing the cleaning process in the substrate processing apparatus 1 by controlling the operation of the driving systems such as the above-described various driving devices and moving devices and various nozzles. The program may be stored in a computer readable memory such as a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magneto-optical disk (MO) Or may have been recorded in the medium H and installed in the control unit 200 from the storage medium H.

이어서, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 세정 처리에 관해서 설명한다. 도 3은 기판 처리 장치(1)에 의한 일련의 세정 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다. 또한, 도 4 및 도 5는 반입 처리의 동작예를 도시하는 도면이고, 도 6∼도 8은 하면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이고, 도 9∼도 13은 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. Next, the cleaning processing of the wafer W in the substrate processing apparatus 1 will be described. Fig. 3 is a flowchart showing the sequence of a series of cleaning processes by the substrate processing apparatus 1. Fig. Figs. 6 and 8 are diagrams showing examples of the bottom cleaning process. Fig. 9 to Fig. 13 show an example of the operation of the double side cleaning process Fig.

도 3에 도시한 것과 같이, 기판 처리 장치(1)에서는 우선 반입 처리가 행해진다(단계 S101). 반입 처리에서는, 도 4에 도시한 것과 같이, 기판 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 기구(90)에 의해 웨이퍼(W)가 상부 컵(16)의 상측으로 반송된다. 이어서, 승강 핀(22)이 상승하여, 웨이퍼(W)가 승강 핀(22)에 전달된다. 이 때, 흡착 패드(10)는 그 상면이 제2 세정체(181)의 상면보다도 높은 위치에서 대기하고, 스핀 척(11)은 그 상면이 제2 세정체(181)의 상면보다 낮은 위치까지 후퇴하고 있다. 그 후, 승강 핀(22)이 하강하여, 도 5에 도시한 것과 같이, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(10)에 전달되어 흡착 유지된다. As shown in Fig. 3, in the substrate processing apparatus 1, the carrying-in process is performed first (step S101). In the carrying-in process, as shown in Fig. 4, the wafer W is carried by the carrying mechanism 90 provided outside the substrate processing apparatus 1 to the upper side of the upper cup 16. Then, the lift pins 22 are lifted and the wafer W is transferred to the lift pins 22. At this time, the upper surface of the adsorption pad 10 waits at a position higher than the upper surface of the second cleaning body 181, and the upper surface of the spin chuck 11 reaches a position lower than the upper surface of the second cleaning body 181 It is retreating. Thereafter, the lifting pin 22 is lowered, and the wafer W is transferred to the adsorption pad 10 and adsorbed and held as shown in Fig.

이어서, 하면 세정 처리가 행해진다(단계 S102). 하면 세정 처리에서는, 우선 도 6에 도시한 것과 같이, 웨이퍼(W)를 유지한 흡착 패드(10)를 지지판(14) 및 상부 컵(16)과 함께 수평 방향(여기서는 X축 방향)으로 이동시킨다. 이에 따라, 스핀 척(11)이 웨이퍼(W)의 외주부에 가까운 장소에 배치되고, 제2 세정부(18)가 웨이퍼(W)의 중앙부에 가까운 장소에 배치된 상태가 된다. Subsequently, a bottom cleaning process is performed (step S102). 6, the adsorption pad 10 holding the wafer W is moved in the horizontal direction (X-axis direction here) together with the support plate 14 and the upper cup 16 . The spin chuck 11 is disposed at a position near the outer peripheral portion of the wafer W and the second cleaner 18 is disposed at a position near the central portion of the wafer W. [

이어서, 도 7에 도시한 것과 같이, 예컨대 이동부(81)(도 2 참조)를 이용하여 제2 세정부(18)를 상승시킴으로써, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 하면에 밀어붙인다. 이 때, 이동부(81)는, 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘이 원하는 값이 되도록 제2 세정부(18)를 상승시킨다. 제2 세정부(18)를 상승시키는 거리는 예컨대 하중 검지부(85)의 검지 결과에 기초하여 결정할 수 있다. 여기서는, 제2 세정부(18)를 상승시키는 것으로 했지만, 흡착 패드(10)를 하강시킴으로써 웨이퍼(W)의 하면을 제2 세정체(181)에 밀어붙이더라도 좋다. 또한, 제2 세정부(18)를 상승시키면서 흡착 패드(10)를 하강시키더라도 좋다. Next, as shown in Fig. 7, the second cleansing member 18 is lifted by using the moving part 81 (see Fig. 2) to raise the second cleansing member 181 to the lower surface of the wafer W Push it. At this time, the moving part 81 raises the second cleaning part 18 so that the pushing force of the second cleaning body 181 against the wafer W becomes a desired value. The distance for raising the second washing section 18 can be determined based on the detection result of the load detecting section 85, for example. The lower surface of the wafer W may be pushed against the second cleansing member 181 by lowering the adsorption pad 10. In this case, Further, the adsorption pad 10 may be lowered while the second cleaner 18 is raised.

그 후, 세정 노즐(80a)(도 1 참조)로부터 웨이퍼(W)의 하면에의 순수의 공급을 시작한다. 또한, 제2 세정체(181)의 회전을 시작한다. Thereafter, the supply of pure water to the lower surface of the wafer W is started from the cleaning nozzle 80a (see Fig. 1). Further, the rotation of the second elongated body 181 starts.

제2 세정부(18)에 의한 웨이퍼(W) 하면의 세정은, 흡착 패드(10)에 의한 웨이퍼(W)의 이동과 이동부(81)에 의한 제2 세정부(18)의 이동의 조합에 의해서 진행한다. 예컨대, 도 8에 도시한 것과 같이, 제2 세정체(181)에 대하여 2개의 흡착 패드(10) 사이를 Y축 방향을 따라서 왕복 이동시키고, 제2 세정체(181)의 이동 방향이 전환될 때에 제2 세정체(181)의 직경 이하의 거리만큼 흡착 패드(10)를 X축 부방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 스핀 척(11)에 의해서 흡착 유지되는 영역을 포함하는 웨이퍼(W)의 중앙 영역(A)이 제2 세정체(181)에 의해서 세정된다. 그 후, 제2 세정체(181)의 회전을 정지하여, 세정 노즐(80a)로부터의 순수의 공급을 정지한다. The cleaning of the bottom surface of the wafer W by the second cleaning part 18 is performed by a combination of the movement of the wafer W by the suction pad 10 and the movement of the second cleaning part 18 by the moving part 81 . For example, as shown in Fig. 8, two adsorption pads 10 are reciprocated along the Y-axis direction with respect to the second cleansing body 181, and the moving direction of the second cleansing body 181 is switched The adsorption pad 10 is moved in the direction of the X axis by a distance equal to or smaller than the diameter of the second elongated body 181. The central region A of the wafer W including the region to be attracted and held by the spin chuck 11 is cleaned by the second cleaning body 181. [ Thereafter, the rotation of the second cleaning liquid 181 is stopped, and the supply of pure water from the cleaning nozzle 80a is stopped.

이어서, 양면 세정 처리가 행해진다(단계 S103). 양면 세정 처리에서는, 우선 도 9에 도시한 것과 같이, 흡착 패드(10)를 이동시켜 웨이퍼(W)의 중앙부를 스핀 척(11)의 상측에 위치시킨 후, 흡착 패드(10)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착을 해제하고, 스핀 척(11)을 상승시킴으로써, 흡착 패드(10)로부터 스핀 척(11)에 웨이퍼(W)를 전달한다. Then, the both-side cleaning process is performed (step S103). 9, the adsorption pad 10 is moved so that the central portion of the wafer W is positioned above the spin chuck 11, and then the wafer W is cleaned by the adsorption pad 10 The wafer W is transferred from the adsorption pad 10 to the spin chuck 11 by raising the spin chuck 11. [

또한, 도 10에 도시한 것과 같이, 이동부(71)(도 2 참조)를 이용하여 제1 세정부(17)를 웨이퍼(W)의 중앙 상측에 위치시킨 후, 제1 세정부(17)를 하강시켜 제1 세정체(171)를 웨이퍼(W)의 상면에 밀어붙인다. 이 때, 이동부(71)는, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘이 원하는 값이 되도록, 구체적으로는 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘과 동일한 값이 되도록 제1 세정부(17)를 하강시킨다. 제1 세정부(17)를 하강시키는 거리는, 예컨대 하중 검지부(75)의 검지 결과에 기초하여 결정할 수 있다. 10, after positioning the first cleansing portion 17 on the upper center of the wafer W by using the moving portion 71 (see Fig. 2), the first cleansing portion 17, So that the first elongated body 171 is pressed against the upper surface of the wafer W. [ At this time, the moving unit 71 moves the first cleaning body 171 with respect to the wafer W of the second cleaning body 181 so that the pressing force of the first cleaning body 171 against the wafer W becomes a desired value, The first washing section 17 is lowered so as to have the same value as the pushing force. The distance for lowering the first wiping section 17 can be determined based on the detection result of the load detection section 75, for example.

여기서는, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18) 양쪽에 관해서, 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘이 원하는 값이 되도록 하중 검지부(75, 85)의 검지 결과에 기초한 압력 제어를 행하는 것으로 했지만, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18) 중 한쪽에 대해서는 압력 제어를 하지 않고, 미리 정해진 높이 위치에 배치된 상태를 유지하는 위치 제어를 행하도록 하여도 좋다. 예컨대, 제1 세정부(17)에 대해서는 미리 정해진 높이 위치에 제1 세정체(171)가 배치된 상태를 유지하면서 제2 세정부(18)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘이 원하는 값이 되도록 하중 검지부(85)의 검지 결과에 기초하여 제2 세정부(18)의 높이 위치를 조정하여도 좋다. 이에 따라, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18) 중 한쪽의 압력 제어만으로 웨이퍼(W)의 상면 및 하면을 동일한 밀어붙이는 힘으로 세정하는 것이 가능하게 되기 때문에, 밀어붙이는 힘의 조정을 용이하게 할 수 있다. Here, pressure control based on the detection results of the load detecting units 75 and 85 is performed for both the first cleaner unit 17 and the second cleaner unit 18 so that the pushing force against the wafer W becomes a desired value It is also possible to perform the position control for maintaining the state in which the pressure is controlled to one of the first and second cleaners 17 and 18 without being subjected to pressure control at a predetermined height position. For example, with respect to the first cleansing part 17, while the state in which the first cleansing body 171 is disposed at the predetermined height position is maintained, the pushing force of the second cleansing part 18 against the wafer W reaches a desired value The height position of the second cleaner 18 may be adjusted on the basis of the detection result of the load detection unit 85 so that the height This makes it possible to clean the upper and lower surfaces of the wafer W with the same pressing force only by controlling the pressure of one of the first cleaning part 17 and the second cleaning part 18, Adjustment can be facilitated.

이어서, 도 11에 도시한 것과 같이, 구동 기구(21)를 이용하여 스핀 척(11)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 또한, 세정 노즐(70a)에서 웨이퍼(W) 상면으로의 순수의 공급을 시작함과 더불어 제1 세정체(171)의 회전을 시작한다. 그리고, 이동부(71)를 이용하여 제1 세정체(171)를 수평 방향(X축 정방향)으로 이동시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상면의 중앙 영역이 제1 세정체(171)에 의해서 세정된다. 또한, 웨이퍼(W) 및 제1 세정체(171)를 회전시킨 후에, 제1 세정체(171)를 웨이퍼(W)에 밀어붙이도록 하여도 좋다. Then, as shown in Fig. 11, the spin chuck 11 is rotated using the driving mechanism 21 to rotate the wafer W. Then, as shown in Fig. Further, the supply of pure water from the cleaning nozzle 70a to the upper surface of the wafer W is started, and the rotation of the first cleaning body 171 is started. Then, the first cleaning body 171 is moved in the horizontal direction (X-axis positive direction) by using the moving unit 71. [ As a result, the central area of the upper surface of the wafer W is cleaned by the first cleaning body 171. The first cleaning body 171 may be pressed against the wafer W after the wafer W and the first cleaning body 171 are rotated.

제2 세정체(181)는, 웨이퍼(W)의 중심에서부터 레일(72)(도 1 참조)을 따른 방향으로 틀어진 위치에서 정지하고 있는 것으로 한다. 즉, 제2 세정체(181)는, 평면에서 봤을 때 제1 세정체(171)의 진로와 겹치는 위치에 배치된다. It is assumed that the second three-dimensional structure 181 is stopped at a position that is displaced from the center of the wafer W in the direction along the rail 72 (see FIG. 1). That is, the second elongated member 181 is disposed at a position overlapping the course of the first elongated member 171 when viewed in a plan view.

이어서, 도 12에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)가 평면에서 봤을 때 겹치는 위치에 제1 세정체(171)가 도달하면, 세정 노즐(80a)(도 1 참조)에서 웨이퍼(W) 하면으로의 순수의 공급을 시작함과 더불어 제2 세정체(181)의 회전을 시작한다. 그리고 도 13에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)가 평면에서 봤을 때 서로 겹쳐진 상태가 유지되도록 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 외주부로 향해서 동일한 속도로 동일한 방향(X축 정방향)으로 수평 이동시킨다. 즉, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동기하여 수평 이동시킨다. 12, when the first clean body 171 reaches the position where the first clean body 171 and the second clean body 181 overlap when viewed in a plan view, the cleaning nozzle 80a ( 1), the supply of pure water to the bottom surface of the wafer W is started and the rotation of the second cleaning body 181 starts. 13, the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are arranged such that the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 overlap each other when viewed from above, Horizontally in the same direction (X-axis positive direction) at the same speed toward the outer peripheral portion of the wafer W. That is, the first cleaner 171 and the second cleaner 181 are horizontally moved in synchronization with each other.

제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동기하여 수평 이동시키는 사이, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘은, 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)에 대한 밀어붙이는 힘과 동일하게 되도록 조정된다. 이 때문에, 제1 세정체(171)에 눌리어 웨이퍼(W)가 아래쪽으로 휘거나, 제2 세정체(181)에 눌리어 웨이퍼(W)가 위쪽으로 휘거나 하는 것을 방지할 수 있다. The pressing force of the first cleansing body 171 against the wafer W during the horizontal movement of the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 in synchronism with the pressing force of the second cleansing body 181 Is adjusted to be the same as the pushing force against the wafer (W). Therefore, it is possible to prevent the wafer W from being pressed downward by the first cleansing body 171, pressed by the second cleansing member 181, and bending the wafer W upward.

제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)의 회전을 정지하여, 세정 노즐(70a, 80a)로부터의 순수의 공급을 정지한다. 또한, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)로부터 후퇴시킨다. The rotation of the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 is stopped and the cleaning nozzles 171 and 181 stop rotating when the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 reach the outer peripheral portion of the wafer W. [ 70a, and 80a. Further, the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are retracted from the wafer W.

또한, 세정 노즐(70a)로부터의 순수의 공급을 정지하는 타이밍은, 세정 노즐(80a)로부터의 순수의 공급을 정지한 후인 것이 바람직하다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 하면에서 회로 형성면인 웨이퍼(W) 상면으로 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다. 단, 이것에 한하지 않고, 세정 노즐(70a, 80a)로부터의 순수의 공급을 동시에 정지하는 것으로 하여도 좋다. It is preferable that the timing for stopping the supply of the pure water from the cleaning nozzle 70a is after the supply of the pure water from the cleaning nozzle 80a is stopped. Thus, it is possible to prevent the bottom surface of the wafer W from turning to the upper surface of the wafer W, which is the circuit formation surface. However, the supply of pure water from the cleaning nozzles 70a and 80a may be stopped at the same time without being limited thereto.

이어서, 건조 처리가 행해진다(단계 S104). 건조 처리에서는, 스핀 척(11)을 고속으로 회전시켜 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 순수를 뿌리침으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다. Then, a drying process is performed (step S104). In the drying process, the spin chuck 11 is rotated at a high speed to dry the wafer W by spraying the pure water attached to the wafer W.

그 후, 반출 처리가 행해진다(단계 S105). 반출 처리에서는, 반입 처리(단계 S101)와는 역의 순으로 웨이퍼(W)가 반송 기구(90)에 전달된다. 이에 따라, 1장의 웨이퍼(W)에 관한 일련의 세정 처리가 종료된다. Thereafter, the carry-out process is performed (step S105). In the carrying-out process, the wafer W is transferred to the carrying mechanism 90 in the reverse order of the carrying-in process (step S101). As a result, a series of cleaning processes for one wafer W is terminated.

이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18)를 동기하여 수평 이동시킴으로써 웨이퍼(W)의 상면 및 하면 양쪽을 동시에 세정하는 양면 세정 처리를 행하는 것으로 했다. Thus, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment is capable of simultaneously cleaning both the upper surface and the lower surface of the wafer W by horizontally moving the first cleaning section 17 and the second cleaning section 18 in synchronism with each other Side cleaning process is performed.

이에 따라, 웨이퍼(W)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면을 별개로 세정하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)를 보다 강한 밀어붙이는 힘으로 세정할 수 있다. 이 점에 관해서 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다. 도 14는 웨이퍼(W)의 하면만을 세정하는 경우의 예를 도시하는 도면이고, 도 15는 웨이퍼(W)의 양면을 동시에 세정하는 경우의 예를 도시하는 도면이다. This makes it possible to clean the wafer W with a stronger pressing force as compared with the case where the upper surface of the wafer W and the lower surface of the wafer W are separately cleaned. This point will be described with reference to Figs. 14 and 15. Fig. Fig. 14 is a view showing an example of cleaning only the lower surface of the wafer W, and Fig. 15 is a view showing an example of cleaning both surfaces of the wafer W at the same time.

도 14에 도시한 것과 같이, 예컨대 제2 세정부(18)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면만을 세정하는 경우, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)에 밀어붙임으로써 웨이퍼(W)가 제2 세정체(181)로부터 빠져나가는 방향으로 휘어 버리기 때문에, 웨이퍼(W)에 강한 힘을 가하기가 어렵다. 이것은, 제1 세정체(171)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상면만을 세정하는 경우도 마찬가지이다. 14, when cleaning only the lower surface of the wafer W by using the second cleaning part 18, the second cleaning body 181 is pressed against the wafer W, It is difficult to apply a strong force to the wafer W because the wafer W is bent in the direction of escaping from the second three- This also applies to the case where only the upper surface of the wafer W is cleaned using the first cleaning liquid 171.

또한, 제2 세정부(18)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면만을 세정하는 경우, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)에 밀어붙임으로써 웨이퍼(W)에 상향의 힘이 가해지기 때문에, 웨이퍼(W)가 스핀 척(11)으로부터 벗어나 버릴 우려가 있다. 따라서, 제2 세정체(181)의 밀어붙이는 힘은 스핀 척(11)의 흡착력에 의한 제약을 받게 된다. 즉, 스핀 척(11)으로부터 웨이퍼(W)가 벗어나지 않을 정도의 밀어붙이는 힘으로 제한된다. 이러한 이유에서, 웨이퍼(W)의 하면을 강력히 세정하는 것은 특히 곤란하다. When the second cleaner 18 is used to clean only the lower surface of the wafer W, an upward force is applied to the wafer W by pushing the second cleaner 181 against the wafer W Therefore, there is a possibility that the wafer W may deviate from the spin chuck 11. Therefore, the pushing force of the second elongated body 181 is restricted by the attraction force of the spin chuck 11. That is, the pressing force is limited to such an extent that the wafer W is not released from the spin chuck 11. For this reason, it is particularly difficult to strongly clean the lower surface of the wafer W.

이에 대하여, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 세정부(17)와 제2 세정부(18)로 웨이퍼(W)를 사이에 끼워 넣음으로써, 웨이퍼(W)를 상측 및 하측 양방향에서 압박하는 것으로 했다. 이에 따라, 제1 세정부(17)가 웨이퍼(W)를 밀어내리는 힘과 제2 세정부(18)가 웨이퍼(W)를 밀어올리는 힘을 상호 상쇄시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 휘게 하는 일없이 또한 스핀 척(11)의 흡착력에 의한 제약을 받는 일없이, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18)의 밀어붙이는 힘을 높게 설정하는 것이 가능하게 된다. 예컨대, 웨이퍼(W) 상면에 부여하는 것이 허용되는 힘(예컨대 막을 지나치게 깎지 않는 압력) 또는 웨이퍼(W) 상면의 세정을 효과적으로 행할 수 있는 힘에 따라서 결정되는 제1 세정체(171)의 밀어붙이는 힘에 웨이퍼(W) 하면의 밀어붙이는 힘을 맞춤으로써, 스핀 척(11)의 흡착력에 의한 제약을 고려하여 결정되는 밀어붙이는 힘보다도 강한 밀어붙이는 힘으로 웨이퍼(W)의 하면을 강력히 세정할 수 있다. On the other hand, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, the wafer W is sandwiched between the first cleaner 17 and the second cleaner 18, And the lower side in both directions. This makes it possible to offset the force by which the first cleansing portion 17 pushes down the wafer W and the force by which the second cleansing portion 18 pushes the wafer W against each other. Therefore, the pressing force of the first cleaning part 17 and the second cleaning part 18 is set to be high without bending the wafer W and without being restricted by the attraction force of the spin chuck 11 . For example, the first cleaning body 171, which is determined in accordance with a force that is allowed to be applied to the upper surface of the wafer W (for example, a pressure that does not excessively cut the film) or a force capable of effectively cleaning the upper surface of the wafer W It is possible to strongly clean the lower surface of the wafer W by a pressing force stronger than the pressing force determined by considering the restriction by the attraction force of the spin chuck 11 by adjusting the pressing force of the lower surface of the wafer W against the force have.

이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 의하면, 단일의 세정체를 이용하여 웨이퍼(W)의 한쪽 면만을 세정하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)를 강력하게 세정할 수 있다. As described above, according to the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, as compared with the case where only one side of the wafer W is cleaned using a single cleaning body, the wafer W can be cleaned strongly have.

또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 의하면, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면을 동시에 세정함으로써, 예컨대 웨이퍼(W)의 한쪽의 면을 세정한 후, 반전 기구를 이용하여 웨이퍼(W)의 표리를 반전한 후에 다른 쪽의 면을 세정하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)의 양면을 세정하는 데 드는 시간을 단축할 수 있다. According to the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, the upper surface and the lower surface of the wafer W are simultaneously cleaned, for example, one surface of the wafer W is cleaned, It is possible to shorten the time required to clean both surfaces of the wafer W as compared with the case where the other surface is cleaned after the front and back surfaces of the wafer W are reversed.

제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예컨대 평면에서 봤을 때 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)가 완전히 겹쳐진 경우, 구체적으로는 제1 세정체(171)의 회전 중심과 제2 세정체(181)의 회전 중심이 평면에서 봤을 때 일치한 경우에, 제2 세정체(181)를 제1 세정체(171)와 동기하여 수평 이동시킨다. 이에 따라, 제1 세정체(171)의 회전 중심과 제2 세정체(181)의 회전 중심이 틀어진 상태에서 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 수평 이동시키는 경우와 비교하여 웨이퍼(W)의 휘어짐을 보다 확실하게 억제할 수 있다. In the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, for example, when the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are completely overlapped as viewed from a plane, specifically, when the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are completely overlapped, The second cleaning body 181 is horizontally moved in synchronization with the first cleaning body 171 when the center of rotation and the center of rotation of the second cleaning body 181 coincide with each other as viewed in a plane. Thereby, compared with the case where the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 are horizontally moved in a state where the rotation center of the first cleaning body 171 and the rotation center of the second cleaning body 181 are different from each other So that warpage of the wafer W can be more reliably suppressed.

제1 세정체(171)가 받는 힘은, 제1 세정체(171)가 웨이퍼(W)의 중심 측으로 틀어져 있으면, 제1 세정체(171)의 위치가 틀어져 있지 않을 때보다도 낮아지고, 외주 측으로 틀어져 있는 경우에는, 제1 세정체(171)의 위치가 틀어져 있지 않을 때보다도 높아진다. 그래서 제어부(200)는, 하중 검지부(75)(도 2 참조)의 검지 결과에 기초하여, 제1 세정체(171)의 위치 어긋남을 검출하더라도 좋다. 제2 세정체(181)에 관해서도 마찬가지이며, 제어부(200)는 하중 검지부(85)의 검지 결과에 기초하여 제2 세정체(181)의 위치 어긋남을 검출하는 것이 가능하다. When the first cleansing body 171 is tilted toward the center of the wafer W, the force received by the first cleansing body 171 is lower than when the first cleansing body 171 is not in the rest position, In the case where it is incorrect, the position of the first three-dimensional body 171 becomes higher than when the position of the first three-dimensional body 171 is not changed. Therefore, the control section 200 may detect the positional deviation of the first cleaning body 171 based on the detection result of the load detection section 75 (see FIG. 2). The control section 200 can detect the positional deviation of the second cleaning body 181 based on the detection result of the load detecting section 85.

제1 세정체(171)의 웨이퍼(W)와의 접촉면의 사이즈와 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)와의 접촉면의 사이즈는 동일하더라도 좋고, 다르더라도 좋다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 회로 형성면은, 회로가 형성되어 있지 않은 면과 비교하여 부드럽게 세정될 것이 요구되는 경우가 있다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 회로 형성면인 상면을 세정하는 제1 세정체(171)의 접촉면의 사이즈를, 제2 세정체(181)의 접촉면의 사이즈보다도 크게 하더라도 좋다. 접촉면의 사이즈를 크게 함으로써, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동일한 힘으로 웨이퍼(W)에 밀어붙인 경우라도, 웨이퍼(W)의 상면에 걸리는 단위면적 당의 힘을 하면에 걸리는 단위면적 당의 힘보다도 작게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상면을 하면보다도 부드럽게 세정할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 하면을 세정하는 제2 세정체(181)의 접촉면의 사이즈를, 제1 세정체(171)의 접촉면의 사이즈보다도 크게 하더라도 좋다. 접촉면의 사이즈를 크게 함으로써, 보다 짧은 시간에 대상면을 세정할 수 있다. 또한, 접촉면의 사이즈를 크게 함으로써, 보다 적은 이동량으로 웨이퍼(W)의 세정 대상부를 세정할 수 있으므로, 구동부(예컨대 레일(72, 82) 등)를 소형화할 수 있다. 따라서 기판 처리 장치(1)를 소형화할 수 있다. The size of the contact surface of the first elongated body 171 with the wafer W may be equal to or different from the size of the contact surface between the second elongated body 181 and the wafer W. [ For example, the circuit formation surface of the wafer W may be required to be gently cleaned as compared with a surface on which no circuit is formed. In this case, the size of the contact surface of the first cleaning body 171 for cleaning the upper surface, which is the circuit formation surface of the wafer W, may be larger than the size of the contact surface of the second cleaning body 181. Even when the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are pressed against the wafer W with the same force by increasing the size of the contact surface, the force per unit area applied to the upper surface of the wafer W Can be made smaller than the force per unit area. Therefore, the upper surface of the wafer W can be cleaned more smoothly than the lower surface. The size of the contact surface of the second cleaning body 181 for cleaning the lower surface of the wafer W may be larger than the size of the contact surface of the first cleaning body 171. [ By increasing the size of the contact surface, the object surface can be cleaned in a shorter time. Further, by increasing the size of the contact surface, the portion to be cleaned of the wafer W can be cleaned with a smaller amount of movement, so that the driving portion (for example, the rails 72 and 82) can be downsized. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can be downsized.

또한, 웨이퍼(W)의 회로 형성면을 부드럽게 세정하고 싶은 경우, 웨이퍼(W)의 회로 형성면인 상면을 세정하는 제1 세정체(171)를, 제2 세정체(181)보다도 부드러운 소재로 형성하는 것으로 하여도 좋다. 제1 세정체(171)를 부드러운 소재로 형성함으로써 회로 형성면에 상처를 내기 어렵게 할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 상면을 하면보다도 부드럽게 세정할 수 있다. When the circuit forming surface of the wafer W is desired to be smoothly cleaned, the first cleaning body 171 for cleaning the upper surface, which is the circuit forming surface of the wafer W, is made of a material softer than the second cleaning body 181 May be formed. The upper surface of the wafer W can be cleaned more smoothly than the lower surface since it is difficult to form a scratch on the circuit formation surface by forming the first three-dimensional structure 171 with a soft material.

또한, 여기서는, 평면에서 봤을 때 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)가 완전히 겹친 경우, 바꿔 말하면, 제1 세정체(171)의 회전 중심과 제2 세정체(181)의 회전 중심이 평면에서 봤을 때 일치한 경우에, 제2 세정체(181)를 제1 세정체(171)와 동기하여 이동시키는 것으로 했다. 그러나, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)의 동기를 시작하게 하는 타이밍은 상기한 예에 한정되지 않는다. 이 점에 관해서 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 16 및 도 17은 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)의 동기를 시작하게 하는 타이밍의 다른 예를 도시하는 도면이다. Here, when the first cleansing jig 171 and the second cleansing jig 181 are completely overlapped as viewed from the plane, in other words, when the rotational center of the first cleansing member 171 and the center of rotation of the second cleansing member 181 The second cleaning body 181 is moved in synchronism with the first cleaning body 171 when the rotation center coincides with a view in a plane. However, the timing for starting the synchronization between the first three-dimensional stagnant body 171 and the second clean body 181 is not limited to the above example. This point will be described with reference to Figs. 16 and 17. Fig. Figs. 16 and 17 are diagrams showing other examples of timings for starting synchronization between the first cleansing jig 171 and the second cleansing jig 181. Fig.

상술한 예에서는, 제1 세정체(171)가 X축 정방향을 따라서 이동해 나가, 평면에서 봤을 때 제1 세정체(171)의 회전 중심(R1)이 제2 세정체(181)의 회전 중심(R2)과 일치한 시점에서, 제2 세정체(181)를 제1 세정체(171)와 동기하여 이동시키는 것으로 했다. 그러나, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)의 동기는, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W)와의 접촉면과 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)와의 접촉면이 평면에서 봤을 때 중복되어 있는 기간 내에 시작되면 된다. In the above example, the first cleansing body 171 moves along the X-axis positive direction and the rotation center Rl of the first cleansing body 171 when viewed from the plane is the center of rotation of the second cleansing body 181 R2, the second cleaning body 181 is moved in synchronism with the first cleaning body 171. In this case, The synchronization between the first cleaner 171 and the second cleaner 181 is synchronized with the contact between the contact surface of the first cleaner body 171 with the wafer W and the contact surface of the second cleaner body 181 with the wafer W It is necessary to start within the overlapping period in the plane.

따라서 예컨대 도 16에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)의 X축 방향으로의 이동에 의해서 제1 세정체(171)의 접촉면의 일부와 제2 세정체(181)의 접촉면의 일부가 서로 겹쳐진 후, 제1 세정체(171)의 회전 중심(R1)과 제2 세정체(181)의 회전 중심(R2)이 평면에서 봤을 때 일치하기 전에, 제2 세정체(181)를 제1 세정체(171)와 동기하여 이동시키더라도 좋다. 또한, 도 17에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)의 접촉면과 제2 세정체(181)의 접촉면이 서로 겹쳐 있는 동안이라면, 제1 세정체(171)의 회전 중심(R1)과 제2 세정체(181)의 회전 중심(R2)이 평면에서 봤을 때 일치한 후에, 제2 세정체(181)를 제1 세정체(171)와 동기하여 이동시키더라도 좋다. 16, a part of the contact surface of the first cleaning body 171 and a part of the contact surface of the second cleaning body 181 due to the movement of the first cleaning body 171 in the X- The second cleaning body 181 is divided into the first cleaning body 181 and the second cleaning body 181 before the rotational center Rl of the first cleaning body 171 coincides with the rotation center R2 of the second cleaning body 181 when viewed in a plane It may be moved in synchronization with the cleaning body 171. [ 17, if the contact face of the first cleansing body 171 and the contact face of the second cleansing body 181 are overlapped with each other, the rotation center R1 of the first cleansing body 171 The second cleaning body 181 may be moved in synchronization with the first cleaning body 171 after the rotation center R2 of the second cleaning body 181 coincides with the rotation center R2 as viewed in a plan view.

또한, 제2 세정체(181)의 접촉면은 평면에서 봤을 때 반드시 제1 세정체(171)의 접촉면과 중복되어 있을 필요는 없다. 이 점에 관해서 도 18을 참조하여 설명한다. 도 18은 제2 세정체(181)가 제1 세정체(171)와 중복되는 위치의 다른 예를 도시하는 도면이다. In addition, the contact surface of the second elongated body 181 does not necessarily have to be overlapped with the contact surface of the first elongated body 171 when viewed in plan. This point will be described with reference to Fig. 18 is a diagram showing another example of the position where the second cleansing jig 181 overlaps with the first cleansing jig 171. Fig.

도 18에 도시한 것과 같이, 웨이퍼(W)가 중심축(C) 둘레로 1 회전하는 동안에 제1 세정체(171)와 웨이퍼(W)의 상면이 접촉하는 영역(이하, 접촉 영역(B)이라고 기재한다)과, 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)와의 접촉면이 평면에서 봤을 때 중복된 상태가 유지되도록, 제2 세정체(181)를 제1 세정체(171)와 동기하여 수평 이동시키더라도 좋다. 이 경우라도, 제2 세정부(18)가 웨이퍼(W)를 밀어올리는 힘을, 제1 세정부(17)가 웨이퍼(W)를 밀어내리는 힘에 의해서 약하게 할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 휘게 하는 일없이 또한 스핀 척(11)의 흡착력에 의한 제약을 받는 일없이, 제2 세정부(18)의 밀어붙이는 힘을 높게 설정하는 것이 가능하게 된다. 18 (hereinafter referred to as contact area B) in which the first clean body 171 and the upper surface of the wafer W are in contact with each other while the wafer W makes one revolution around the central axis C, And the second cleaning body 181 is moved in synchronism with the first cleaning body 171 so that the contact surface of the second cleaning body 181 with the wafer W is overlapped when viewed from the plane It may be horizontally moved. Even in this case, the force by which the second cleaning part 18 pushes up the wafer W can be weakened by the force of the first cleaning part 17 pushing the wafer W down. Therefore, it is possible to set the pushing force of the second cleaning part 18 to be high without bending the wafer W and without being restricted by the attraction force of the spin chuck 11.

이 경우의 양면 세정 처리의 예에 관해서 도 19∼도 21을 참조하여 설명한다. 도 19∼도 21은 양면 세정 처리의 다른 동작예를 도시하는 도면이다. An example of the double-sided cleaning process in this case will be described with reference to Figs. 19 to 21. Fig. 19 to 21 are diagrams showing another example of the operation of the double-sided cleaning process.

예컨대, 도 19에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)를 웨이퍼(W)의 X축 정방향 측의 단부의 상면에 접촉시키고, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 X축 정방향 측의 단부의 하면에 접촉시킨다. 이어서, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 회전시켜, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 X축 부방향 측의 단부로 향해서 X축 부방향을 따라서 동일한 속도로 이동시킨다. 이에 따라, 제2 세정체(181)는, 평면에서 봤을 때 접촉 영역(B)과 중복된 상태를 유지하면서 이동한다. 19, the first cleansing body 171 is brought into contact with the upper surface of the end portion on the positive X-axis side of the wafer W and the second cleansing body 181 is brought into contact with the X-axis of the wafer W And is brought into contact with the lower surface of the end on the normal side. The first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are then rotated so that the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are moved to the end on the X axis direction side of the wafer W Axis direction at the same speed. As a result, the second cleaner 181 moves while maintaining a state of overlapping with the contact area B when viewed from the plane.

이어서, 도 20에 도시한 것과 같이, 스핀 척(11)과 간섭하기 바로 직전의 위치에서 제2 세정체(181)의 이동 및 회전을 정지시킨다. 한편, 제1 세정체(171)에 관해서는 계속해서 이동하게 한다. 이에 따라, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)의 동기는 해제된다. Then, as shown in Fig. 20, the movement and rotation of the second cleaning body 181 are stopped at a position just before the interference with the spin chuck 11. On the other hand, the first three-dimensional structure 171 is moved continuously. As a result, the synchronization between the first cleaner 171 and the second cleaner 181 is canceled.

이어서, 도 21에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)가 X축 부방향 측으로 더욱 이동하여, 제2 세정체(181)와 접촉 영역(B)이 평면에서 봤을 때 다시 중복되면, 제2 세정체(181)를 회전시켜, 제1 세정체(171)와 동일한 속도로 또한 제1 세정체(171)와는 반대 방향으로 제2 세정체(181)를 이동시킨다. 이에 따라, 제2 세정체(181)는, 다시 평면에서 봤을 때 접촉 영역(B)과 중복된 상태를 유지하면서 이동한다. 그 후, 제1 세정체(171)가 웨이퍼(W)의 X축 부방향 측의 단부에 도달함과 더불어, 제2 세정체(181)가 웨이퍼(W)의 X축 정방향 측의 단부에 도달한 경우에, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)의 회전을 정지하고, 양면 세정 처리를 끝낸다. Then, as shown in Fig. 21, when the first cleansing body 171 further moves toward the X-axis direction side and the second cleansing body 181 and the contact area B are overlapped again when viewed from the plane, The second cleaner 181 is moved in the opposite direction to the first cleaner 171 at the same speed as the first cleaner 171 by rotating the second cleaner 181. As a result, the second cleaner 181 moves while maintaining a state of overlapping with the contact area B when viewed from above. The first cleaning liquid 171 reaches the end of the wafer W on the X axis direction side and the second cleaning liquid 181 reaches the end on the X axis positive side of the wafer W The rotation of the first cleaner 171 and the second cleaner 181 is stopped and the both-side cleaning process is finished.

상술해 온 것과 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 스핀 척(11)(유지부의 일례)과, 제1 세정체(171)와, 아암(70), 이동부(71) 및 레일(72)(제1 이동 기구의 일례)과, 제2 세정체(181)와, 아암(80), 이동부(81) 및 레일(82)(제2 이동 기구의 일례)과, 제어부(200)를 구비한다. 스핀 척(11)은 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 유지한다. 제1 세정체(171)는 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면에 접촉하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정한다. 아암(70), 이동부(71) 및 레일(72)은 제1 세정체(171)를 수평 이동시킨다. 제2 세정체(181)는 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 하면에 접촉하여 웨이퍼(W)의 하면을 세정한다. 아암(80), 이동부(81) 및 레일(82)은 제2 세정체(181)를 수평 이동시킨다. 제어부(200)는, 이동부(71) 및 아암(80)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 상면에 접촉시킨 제1 세정체(171)와 웨이퍼(W)의 하면에 접촉시킨 제2 세정체(181)를 동기하여 수평 이동시키는 양면 세정 처리를 실행한다. The substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes the spin chuck 11 (an example of the holding unit), the first cleaning body 171, the arm 70, the moving unit 71 A rail 72 (an example of a first moving mechanism), a second cleaning body 181, an arm 80, a moving portion 81 and a rail 82 (an example of a second moving mechanism) And a control unit 200. The spin chuck 11 holds a wafer W (an example of a substrate). The first three-dimensional structure 171 contacts the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 11 to clean the upper surface of the wafer W. [ The arm 70, the moving part 71, and the rail 72 horizontally move the first cleaning body 171. The second cylindrical body 181 contacts the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 11 to clean the lower surface of the wafer W. [ The arm 80, the moving part 81, and the rail 82 horizontally move the second cleaning body 181. The control section 200 controls the moving section 71 and the arm 80 so that the first cleaning body 171 brought into contact with the upper surface of the wafer W and the second cleaning body 171 brought into contact with the lower surface of the wafer W, Side cleaning process for horizontally moving the cleaning cloth 181 in synchronism with each other.

예컨대, 제어부(200)는, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 두께 방향에서 본 평면에서 봤을 때, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W) 상면과의 접촉면과 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W) 하면과의 접촉면이 중복된 상태를 유지하면서 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 수평 이동시키는 처리를 양면 세정 처리로서 실행한다. For example, when the wafer W held on the spin chuck 11 is viewed from the plane viewed in the thickness direction, the control unit 200 controls the contact surface of the first cleaning body 171 with the upper surface of the wafer W, A process of horizontally moving the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 while maintaining a state in which the contact surface of the stagnating body 181 with the lower surface of the wafer W is overlapped is executed as the both side cleaning processing.

이에 따라, 예컨대 제1 세정부(17)가 웨이퍼(W)를 밀어내리는 힘과 제2 세정부(18)가 웨이퍼(W)를 밀어올리는 힘을 상호 상쇄할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 휘게 하는 일없이 또한 스핀 척(11)의 흡착력에 의한 제약을 받는 일없이, 제1 세정체(171) 및 제2 세정부(18)의 밀어붙이는 힘을 높게 설정하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 의하면, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 이용하여 웨이퍼(W)를 강력하게 세정할 수 있다. This makes it possible to compensate for the force by which the first wiping section 17 pushes down the wafer W and the force by which the second wiping section 18 pushes the wafer W against each other, It is possible to set the pushing force of the first cleansing member 171 and the second cleansing member 18 to be high without bending and without being restricted by the attraction force of the spin chuck 11. Therefore, according to the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, the wafer W can be strongly cleaned by using the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181. [

또한, 기판 처리 장치(1)는, 제1 세정체(171)를 연직 축 둘레로 회전시키는 제1 구동부(173)와, 제2 세정체(181)를 연직 축 둘레로 회전시키는 제2 구동부(183)를 추가로 구비하고, 제어부(200)는, 제1 구동부(173)에 의한 제1 세정체(171)의 회전 중심과 제2 구동부(183)에 의한 제2 세정체(181)의 회전 중심을 일치시킨 상태에서, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 수평 이동시키는 처리를 양면 세정 처리로서 실행한다. 이에 따라, 제1 세정체(171)의 회전 중심과 제2 세정체(181)의 회전 중심이 틀어져 있는 경우와 비교하여 웨이퍼(W)의 휘어짐을 보다 확실하게 억제할 수 있다. The substrate processing apparatus 1 further includes a first driving portion 173 for rotating the first cleaning body 171 around the vertical axis and a second driving portion 173 for rotating the second cleaning body 181 about the vertical axis The control unit 200 further includes a control unit 200 for controlling the rotation center of the first cleaning body 171 by the first driving unit 173 and the rotation of the second cleaning body 181 by the second driving unit 183 The process of horizontally moving the first cleaned body 171 and the second cleaned body 181 is performed as the double-sided cleaning processing. This makes it possible to more reliably suppress warpage of the wafer W as compared with the case where the rotational center of the first cleansing body 171 and the rotational center of the second cleansing body 181 are turned.

또한, 제어부(200)는, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W) 상면에 대한 밀어붙이는 힘과 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W) 하면에 대한 밀어붙이는 힘이 동일한 크기가 되도록, 이동부(71) 또는 이동부(81)의 적어도 한쪽을 제어하여, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)의 적어도 한쪽의 높이 위치를 조정한다. 이와 같이, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W) 상면에 대한 밀어붙이는 힘과 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W) 하면에 대한 밀어붙이는 힘을 동일한 크기로 함으로써, 예컨대, 제1 세정체(171)의 밀어붙이는 힘이 제2 세정체(181)의 밀어붙이는 힘을 상회함으로써 웨이퍼(W)가 아래쪽으로 휘거나, 제2 세정체(181)의 밀어붙이는 힘이 제1 세정체(171)의 밀어붙이는 힘을 상회함으로써 웨이퍼(W)가 위쪽으로 휘거나 하는 것을 억제할 수 있다. The controller 200 controls the pressing force of the first cleaning body 171 against the upper surface of the wafer W and the pressing force of the second cleaning body 181 against the lower surface of the wafer W The height position of at least one of the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 is adjusted by controlling at least one of the moving unit 71 and the moving unit 81 so that the forces are the same. By thus making the force of the first cleansing body 171 against the upper surface of the wafer W and the urging force of the second cleansing body 181 against the lower surface of the wafer W be the same, The pressing force of the cleaning body 171 exceeds the pressing force of the second cleaning body 181 so that the wafer W is bent downward or the pushing force of the second cleaning body 181 is lower than the pressing force of the second cleaning body 181, It is possible to inhibit the wafer W from bending upward by exceeding the pushing force of the wafer 17.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W) 상면에 대한 밀어붙이는 힘 또는 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W) 하면에 대한 밀어붙이는 힘을 검지하는 하중 검지부(75, 85)를 추가로 구비한다. 그리고, 제어부(200)는, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181) 중 한쪽을 미리 정해진 높이 위치에 배치하고, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181) 중 다른 쪽의 높이 위치를 하중 검지부(75, 85)의 검지 결과에 기초하여 조정한다. 이에 따라, 밀어붙이는 힘의 조정을 용이하게 할 수 있다. The substrate processing apparatus 1 also detects the pressing force of the first cleaning body 171 against the upper surface of the wafer W or the pressing force of the second cleaning body 181 against the lower surface of the wafer W And load detection units 75 and 85 are additionally provided. One of the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 is disposed at a predetermined height position and the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 And adjusts the height position of the other side based on the detection results of the load detection units 75 and 85. Thus, adjustment of the pushing force can be facilitated.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

상술한 제1 실시형태에서는, 상부 컵(16)의 높이를 일정하게 유지한 상태에서 하면 세정 처리(단계 S102)와 양면 세정 처리(단계 S103)를 행하는 것으로 했지만, 하면 세정 처리와 양면 세정 처리에서 상부 컵(16)의 높이를 바꾸더라도 좋다. 이러한 경우에 관해서 도 22 및 도 23을 참조하여 설명한다. 도 22는 하면 세정 처리에 있어서의 상부 컵(16)의 높이 위치를 도시한 도면이고, 도 23은 양면 세정 처리에 있어서의 상부 컵(16)의 높이 위치를 도시한 도면이다. In the above-described first embodiment, the lower surface cleaning process (step S102) and the double-sided cleaning process (step S103) are performed while maintaining the height of the upper cup 16 constant. However, in the lower surface cleaning process and the double- The height of the upper cup 16 may be changed. Such a case will be described with reference to Figs. 22 and 23. Fig. Fig. 22 is a view showing the height position of the upper cup 16 in the bottom cleaning process, and Fig. 23 is a diagram showing the height position of the top cup 16 in the both-side cleaning process.

예컨대, 도 22에 도시한 것과 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1A)는, 상부 컵(16)과 독립적으로 지지판(14)을 승강시키는 승강 기구(45)를 구비한다. 승강 기구(45)는, 예컨대, 지지판(14)을 지지하는 지주 부재(46)와, 지주 부재(46)를 승강시키는 구동부(47)를 구비한다. 22, the substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment includes a lifting mechanism 45 for lifting the support plate 14 independently of the upper cup 16. The lifting mechanism 45 includes a strut member 46 for supporting the support plate 14 and a driving unit 47 for lifting the strut member 46 up and down.

기판 처리 장치(1A)에서는, 하면 세정 처리에 있어서, 승강 기구(45)를 이용하여 지지판(14)을 상승시킴으로써, 상부 컵(16)의 높이 위치를 H1에 설정한다. 상부 컵(16)의 높이 위치란, 흡착 패드(10) 또는 스핀 척(11)에 흡착 유지된 웨이퍼(W)의 상면을 기준으로 한 경우의 상부 컵(16)의 높이 위치를 말한다. 높이 위치 (H1)는, 웨이퍼(W)의 하면에서 상면으로 순수 등이 돌아들어가는 억제할 수 있는 위치이다. The substrate processing apparatus 1A sets the height position of the upper cup 16 at H1 by raising the support plate 14 by using the lifting mechanism 45 in the bottom surface cleaning processing. The height position of the upper cup 16 refers to the height position of the upper cup 16 when the upper surface of the wafer W sucked and held by the adsorption pad 10 or the spin chuck 11 is taken as a reference. The height position H1 is a restraining position where pure water or the like flows from the lower surface of the wafer W to the upper surface.

이어서, 기판 처리 장치(1A)에서는, 상부 컵(16)의 높이 위치를 H1보다도 높은 H2로 설정한 후에, 양면 세정 처리가 행해진다. 즉, 상부 컵(16)의 높이 위치를 H2로 변경한 후에, 세정 노즐(70a)에서 웨이퍼(W) 상면으로의 순수의 공급이 시작된다. 높이 위치(H2)는, 회전하는 제1 세정체(171)로부터 비산되는 순수 등이 상부 컵(16)의 외부로 비산되는 것을 억제할 수 있는 높이 위치이다. 상부 컵(16)의 높이 위치의 변경은, 예컨대 스핀 척(11)의 높이 위치를 조정함으로써 행할 수 있다. Subsequently, in the substrate processing apparatus 1A, the height position of the upper cup 16 is set to H2 which is higher than H1, and then the both-side cleaning process is performed. That is, after the height position of the upper cup 16 is changed to H2, the supply of pure water from the cleaning nozzle 70a to the upper surface of the wafer W is started. The height position H2 is a height position at which the pure water or the like scattered from the rotating first cleaning body 171 can be prevented from scattering to the outside of the upper cup 16. The height position of the upper cup 16 can be changed by adjusting the height position of the spin chuck 11, for example.

이와 같이, 기판 처리 장치(1A)는, 하면 세정 처리 시와 양면 세정 처리 시에 있어서 웨이퍼(W)를 기준으로 하는 상부 컵(16)의 높이 위치를 변경하더라도 좋다. 이에 따라, 예컨대 하면 세정 처리 시에 있어서의 웨이퍼(W) 상면에 순수 등이 돌아들어가는 것이나 양면 세정 처리 시에 있어서의 상부 컵(16) 밖으로의 순수 등이 비산되는 것을 억제할 수 있다. As described above, the substrate processing apparatus 1A may change the height position of the upper cup 16 with respect to the wafer W in the lower surface cleaning process and the both-side cleaning process. As a result, for example, pure water or the like flows on the upper surface of the wafer W during the lower surface cleaning process, and scattering of pure water or the like outside the upper surface 16 during the surface cleaning process can be suppressed.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

상술한 각 실시형태에서는, 기판 처리 장치(1, 1A)가 세정 툴로서 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18)를 구비하는 경우의 예에 관해서 설명했지만, 다른 세정 툴을 구비하고 있어도 좋다. 이러한 점에 관해서 도 24를 참조하여 설명한다. 도 24는 다른 세정 툴의 예를 도시하는 도면이다. In each of the above-described embodiments, the substrate processing apparatuses 1 and 1A have been described as an example in which the first cleaner unit 17 and the second cleaner unit 18 are provided as cleaning tools. However, It may be. This point will be described with reference to FIG. 24 is a diagram showing an example of another cleaning tool.

도 24에 도시한 것과 같이, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1B)는, 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18) 이외에, 예컨대, 브러시나 스펀지 등의 세정체를 이용하여 웨이퍼(W)의 단부를 세정하는 제3 세정부(30), 웨이퍼(W)의 하면으로 향해서 세정용 유체를 공급하는 제4 세정부(31), 웨이퍼(W)의 상면으로 향해서 세정용 유체를 공급하는 제5 세정부(32) 등을 구비하고 있어도 좋다. 기판 처리 장치(1B)는, 이들 복수의 세정 툴 중에서, 대상으로 하는 웨이퍼(W)의 종류에 따라서 최적의 툴을 선택하여 이용할 수 있다. 24, the substrate processing apparatus 1B according to the third embodiment uses a cleaning body such as a brush or a sponge in addition to the first cleaning unit 17 and the second cleaning unit 18 A third cleaner 30 for cleaning the end portion of the wafer W, a fourth cleaner 31 for supplying the cleaning fluid toward the lower surface of the wafer W, A fifth cleaning part 32 for supplying the fluid, and the like. The substrate processing apparatus 1B can select and use the most appropriate tool among the plurality of cleaning tools according to the type of the wafer W to be processed.

예컨대, 하면 세정 처리에 있어서, 제2 세정부(18)에 더하여, 제4 세정부(31)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 세정하여도 좋다. 또한, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 세정부(17)에 더하여, 제5 세정부(32)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정하더라도 좋다. 이와 같이, 복수 종류의 세정 툴로 동시에 세정함으로써 세정 시간을 단축할 수 있다. 또한, 예컨대, 제1 세정체(171) 또는 제2 세정체(181)에 의해서 부상된 먼지 등을 제4 세정부(31) 또는 제5 세정부(32)를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 양면 세정 처리를 끝낸 후에 제4 세정부(31) 및 제5 세정부(32)를 이용하여 린스 처리를 행하고, 그 후, 건조 처리를 행하도록 하여도 좋다. For example, the lower surface of the wafer W may be cleaned by the fourth cleaning unit 31 in addition to the second cleaning unit 18 in the bottom cleaning process. The upper surface of the wafer W may be cleaned by the fifth cleaning part 32 in addition to the first cleaning part 17 in the both-side cleaning process. As described above, the cleaning time can be shortened by simultaneously cleaning with a plurality of kinds of cleaning tools. The dust or the like floated by the first cleansing body 171 or the second cleansing body 181 can be efficiently removed by using the fourth cleansing portion 31 or the fifth cleansing portion 32 . Further, after the both-side cleaning process is completed, the rinse process may be performed using the fourth cleaning unit 31 and the fifth cleaning unit 32, and then the drying process may be performed.

제4 세정부(31) 및 제5 세정부(32)는 예컨대 2 유체 노즐이다. 2 유체 노즐로서의 제4 세정부(31) 및 제5 세정부(32)는 세정액을 미스트화하여 웨이퍼(W)에 분무한다. 또한, 제4 세정부(31) 및 제5 세정부(32)는, 2 유체 노즐에 한하지 않고, 세정액을 토출하는 통상의 노즐이라도 좋다. The fourth and third parts 31 and 32 are, for example, two-fluid nozzles. The fourth cleaner section 31 and the fifth cleaner section 32 as two-fluid nozzles atomize the cleaning liquid to the wafer W by mist. In addition, the fourth and the fifth cleaning units 31 and 32 are not limited to the two fluid nozzles, and may be ordinary nozzles for discharging the cleaning liquid.

또한, 기판 처리 장치(1B)는, 제거 성능이 각각 다른 복수의 제1 세정부(17)를 구비하고 있어도 좋다. 예컨대 높은 제거 성능이 요구되는 경우에는, 제거 능력이 높은 제1 세정체(171)를 갖는 제1 세정부(17)를 사용하거나, 상면을 최대한 상처를 입히지 않고서 세정하고 싶은 경우에는, 부드러운 제1 세정체(171)를 갖는 제1 세정부(17)를 사용하거나 할 수 있다. 마찬가지로, 기판 처리 장치(1B)는 제거 성능이 각각 다른 복수의 제2 세정부(18)를 구비하고 있어도 좋다. In addition, the substrate processing apparatus 1B may include a plurality of first cleaning units 17 having different removal performances. For example, when a high removal performance is required, when the first cleaning part 17 having the first cleaning body 171 having a high removal ability is used, or when it is desired to clean the upper surface without damaging the top surface, The first cleaner 17 having the cleaning body 171 can be used. Similarly, the substrate processing apparatus 1B may include a plurality of second cleaning units 18 having different removal performances.

이와 같이, 기판 처리 장치(1B)는 제1 세정부(17) 및 제2 세정부(18) 이외의 세정 툴을 구비하고 있어도 좋다. As described above, the substrate processing apparatus 1B may be provided with a cleaning tool other than the first cleaning section 17 and the second cleaning section 18. [

(제4 실시형태)(Fourth Embodiment)

상술한 실시형태에서는, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동기시켜 웨이퍼(W)의 양면을 동시에 세정하는 것으로 했지만, 제2 세정체(181)와 동기시키는 세정 툴은 제1 세정체(171)에 한정되지 않는다. 이러한 점에 관해서 도 25를 참조하여 설명한다. 도 25는 제4 실시형태에 따른 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. The both sides of the wafer W are simultaneously cleaned by synchronizing the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 in the above-described embodiment, but the second cleaning body 181, The cleaning tool is not limited to the first cleaner 171. This point will be described with reference to Fig. 25 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process according to the fourth embodiment.

도 25에 도시한 것과 같이, 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1C)는, 예컨대 세정 툴로서 제2 세정부(18)와 제5 세정부(32)를 구비한다. 제5 세정부(32)는 2 유체 노즐이다. As shown in Fig. 25, the substrate processing apparatus 1C according to the fourth embodiment includes, for example, a second cleaning part 18 and a fifth cleaning part 32 as a cleaning tool. The fifth cleaning section 32 is a two-fluid nozzle.

제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1C)는, 양면 세정 처리를 제2 세정부(18)와 제5 세정부(32)를 동기시켜 행한다. 구체적으로는, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동기시키는 경우와 마찬가지이며, 도 25에 도시한 것과 같이, 제5 세정부(32)의 토출 위치와 제2 세정체(181)의 접촉면이 평면에서 봤을 때 중복되는 위치에 제5 세정부(32)가 도달한 경우에, 제2 세정체(181)를 회전시킴과 더불어 제5 세정부(32)와 동일한 속도로 동일한 방향(X축 정방향)으로 수평 이동시킨다. The substrate processing apparatus 1C according to the fourth embodiment performs the both-side cleaning processing in synchronization with the second cleaning section 18 and the fifth cleaning section 32. [ Concretely, as in the case of synchronizing the first cleaner 171 and the second cleaner 181, as shown in Fig. 25, the discharge position of the fifth cleaner 32 and the discharge position of the second cleaner 181, When the fifth cleaning part 32 reaches the position where the contact surface of the second cleaning part 181 overlaps when viewed in plan view, the second cleaning part 181 is rotated, and at the same speed as the fifth cleaning part 32 And horizontally moves in the same direction (X-axis normal direction).

제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1C)에 의하면, 제2 세정부(18)가 웨이퍼(W)를 밀어올리는 힘을, 제5 세정부(32)로부터 공급되는 미스트형의 세정액이 웨이퍼(W)를 밀어내리는 힘에 의해서 약하게 할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 휘게 하는 일없이 또한 스핀 척(11)의 흡착력에 의한 제약을 받는 일없이, 제2 세정부(18)의 밀어붙이는 힘을 높게 설정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 제2 세정부(18) 및 제5 세정부(32)를 이용한 양면 세정 처리에 있어서도, 상부 컵(16)의 높이 위치를 하면 세정 처리 시에 있어서의 높이 위치(H1)보다도 높은 위치로 설정하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제5 세정부(32)로부터 공급된 미스트화된 세정액이 상부 컵(16) 밖으로 비산되는 것을 억제할 수 있다. The force of the second cleaning part 18 pushing up the wafer W can be detected by measuring the force of the mist cleaning liquid supplied from the fifth cleaning part 32 to the wafer W W can be weakened by the pushing-down force. Therefore, it is possible to set the pushing force of the second cleaning part 18 to be high without bending the wafer W and without being restricted by the attraction force of the spin chuck 11. Even in the both-side cleaning process using the second cleaner 18 and the fifth cleaner 32, the height position of the upper cup 16 is set to a position higher than the height position H1 in the cleaning process . As a result, it is possible to prevent the mist cleaning liquid supplied from the fifth cleaning section 32 from scattering out of the upper cup 16.

(제5 실시형태)(Fifth Embodiment)

제5 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 상면을 세정하는 세정 툴과, 웨이퍼(W)의 하면을 세정하는 세정 툴을 이용하여 양 세정 툴을 세정하는 처리에 관해서 도 26을 참조하여 설명한다. 도 26은 툴 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. In the fifth embodiment, a cleaning tool for cleaning the upper surface of the wafer W and a cleaning tool for cleaning both cleaning tools using a cleaning tool for cleaning the lower surface of the wafer W will be described with reference to Fig. 26 is a diagram showing an example of the operation of the tool cleaning process.

예컨대, 도 26에 도시한 것과 같이, 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1D)는 제1 세정부(17)와 제2 세정부(18)를 구비한다. 이러한 기판 처리 장치(1D)는, 흡착 패드(10) 및 스핀 척(11)에 웨이퍼(W)가 흡착 유지되어 있지 않은 경우, 예컨대, 반출 처리(단계 S105) 후, 다음 웨이퍼(W)의 반입 처리(단계 S101)가 행해지기 전에 툴 세정 처리를 행한다. For example, as shown in Fig. 26, the substrate processing apparatus 1D according to the fifth embodiment includes a first cleaning unit 17 and a second cleaning unit 18. As shown in Fig. Such a substrate processing apparatus 1D is configured such that when the wafer W is not adsorbed and held on the adsorption pad 10 and the spin chuck 11 and after the carry-out process (step S105) A tool cleaning process is performed before the process (step S101) is performed.

구체적으로는, 기판 처리 장치(1D)는, 제1 세정체(171)의 웨이퍼(W)와의 접촉면과, 제2 세정체(181)의 웨이퍼(W)와의 접촉면을 접촉시킨 상태에서, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 회전시킨다. 또한, 기판 처리 장치(1D)는 세정 노즐(70a)에서 제2 세정체(181)로 향해서 순수를 공급한다. 이에 따라, 제1 세정체(171)의 접촉면과 제2 세정체(181)의 접촉면을 동시에 세정할 수 있다. 이 때, 제1 세정체(171)는, 제2 세정체(181)의 회전 방향과 역방향으로 회전시킴으로써, 제1 세정체(171)의 접촉면 및 제2 세정체(181)의 접촉면을 보다 강력하게 세정할 수 있다. Specifically, in the substrate processing apparatus 1D, the contact surface of the first cleaning body 171 with the wafer W is in contact with the contact surface of the second cleaning body 181 with the wafer W, The cleaning body 171 and the second cleaning body 181 are rotated. Further, the substrate processing apparatus 1D supplies pure water from the cleaning nozzle 70a toward the second cleaning body 181. Further, Thus, the contact surface of the first cleansing member 171 and the contact surface of the second cleansing member 181 can be cleaned at the same time. The contact surface of the first cleaning body 171 and the contact surface of the second cleaning body 181 are made stronger by rotating the first cleaning body 171 in the direction opposite to the rotation direction of the second cleaning body 181 .

툴 세정 처리는 상기한 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1B)는, 제5 세정부(32)에서 제2 세정체(181)의 접촉면으로 향해서 세정용 유체를 공급함으로써 제2 세정체(181)의 접촉면을 세정하는 툴 세정 처리를 행하여도 좋다. 또한, 기판 처리 장치(1B)는, 제4 세정부(31)에서 제1 세정체(171)의 접촉면으로 향해서 세정용 유체를 공급함으로써 제1 세정체(171)의 접촉면을 세정하는 툴 세정 처리를 행하여도 좋다. The tool cleaning process is not limited to the above example. For example, in the substrate processing apparatus 1B according to the third embodiment, the cleaning fluid is supplied from the fifth cleaning unit 32 toward the contact surface of the second cleaning body 181, A tool cleaning process may be performed. The substrate processing apparatus 1B further includes a tool cleaning process for cleaning the contact surface of the first cleaning body 171 by supplying the cleaning fluid toward the contact surface of the first cleaning body 171 in the fourth cleaning section 311 .

(제6 실시형태)(Sixth Embodiment)

상술한 각 실시형태에서는, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 세정부(17)와 제2 세정부(18)를 일부 동기시키는 경우의 예에 관해서 설명했지만, 제1 세정부(17)와 제2 세정부(18)를 완전히 동기시키는 것도 가능하다. 이러한 점에 관해서 도 27∼도 30을 참조하여 설명한다. 도 27은 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 28은 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 종단면도이다. 또한, 도 29 및 도 30은 제6 실시형태에 따른 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. Although the first embodiment has been described with respect to the case where the first cleaner 17 and the second cleaner 18 are partially synchronized in the both-side cleaning process, the first cleaner 17 and the second cleaner 18, It is also possible to completely synchronize the washing section 18. This point will be described with reference to Figs. 27 to 30. Fig. 27 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment. 28 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment. 29 and 30 are diagrams showing an example of the operation of the double-sided cleaning process according to the sixth embodiment.

도 27 및 도 28에 도시한 것과 같이, 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1E)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 복수의 파지부(23)를 갖춘 환상의 유지부(24)와, 유지부(24)의 외주 측에 있어서 유지부(24)와 동심원형으로 배치된 환상의 고정부(25)와, 유지부(24)와 고정부(25) 사이에 배치된 환상의 베어링(26)을 구비한다. 27 and 28, the substrate processing apparatus 1E according to the sixth embodiment includes an annular holding portion 24 having a plurality of gripping portions 23 for gripping the peripheral edge portion of the wafer W, An annular fixed portion 25 disposed concentrically with the holding portion 24 on the outer peripheral side of the holding portion 24 and an annular bearing 25 disposed between the holding portion 24 and the fixed portion 25, (26).

고정부(25)는 예컨대 상부 컵(16E)의 내벽에 고정된다. 유지부(24)는, 베어링(26)을 통해 고정부(25)에 회전 가능하게 지지된다. 베어링(26)은 예컨대 볼 베어링이다. The fixing portion 25 is fixed to the inner wall of the upper cup 16E, for example. The holding portion 24 is rotatably supported by the fixing portion 25 via the bearing 26. [ The bearing 26 is, for example, a ball bearing.

또한, 기판 처리 장치(1E)는, 유지부(24)의 주위면에 가교된 벨트(27)와 벨트(27)를 통해 유지부(24)를 회전시키는 구동부(28)를 구비한다. 벨트(27)는, 예컨대 상부 컵(16E)의 측면에 형성된 개구부(161)를 통해 상부 컵(16E)의 외부로 인출되어 구동부(28)에 접속된다. The substrate processing apparatus 1E further includes a belt 27 bridged on the peripheral surface of the holding portion 24 and a driving portion 28 for rotating the holding portion 24 through a belt 27. [ The belt 27 is drawn to the outside of the upper cup 16E through the opening 161 formed in the side surface of the upper cup 16E and connected to the driving unit 28, for example.

또한, 도 27에 도시한 것과 같이, 제6 실시형태에 따른 제2 세정부(18)는 아암(80E)에 의해서 수평으로 지지된다. 아암(80E)은 이동부(81E)에 접속된다. 이동부(81E)는, 수평 방향(여기서는 X축 방향)을 따라서 연장되어 있는 레일(82E)을 따라서 아암(80E)을 수평 이동시킨다. 또한, 이동부(81E)는 아암(80E)을 연직 방향(Z축 방향)을 따라서 승강시킨다. 27, the second cleaning part 18 according to the sixth embodiment is horizontally supported by the arm 80E. The arm 80E is connected to the moving part 81E. The moving part 81E horizontally moves the arm 80E along the rail 82E extending in the horizontal direction (X-axis direction in this case). Further, the moving section 81E lifts the arm 80E along the vertical direction (Z-axis direction).

제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1E)는, 반입 처리(단계 S101) 후, 하면 세정 처리(단계 S102)를 행하지 않고서 양면 세정 처리(단계 S103)를 시작한다. 도 29에 도시한 것과 같이, 제6 실시형태에 따른 양면 세정 처리에서는, 제1 세정체(171)를 웨이퍼(W) 상면의 중앙부에 밀어붙임과 더불어, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W) 하면의 중앙부에 밀어붙인다. 그 후, 구동부(28)를 이용하여 유지부(24)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 또한, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 회전시킨다. 또한, 웨이퍼(W), 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 회전시킨 후에, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)에 밀어붙이도록 하여도 좋다. The substrate processing apparatus 1E according to the sixth embodiment starts the double-sided cleaning process (step S103) without performing the bottom cleaning process (step S102) after the carrying-in process (step S101). 29, in the double-sided cleaning process according to the sixth embodiment, the first cleaning body 171 is pushed to the central portion of the upper surface of the wafer W, and the second cleaning body 181 is fixed to the wafer W) to the center of the lower surface. Thereafter, the wafer W is rotated by rotating the holding portion 24 using the driving portion 28. [ Further, the first cleaner 171 and the second cleaner 181 are rotated. After the wafer W, the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 are rotated, the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 are pressed against the wafer W .

이어서, 도 30에 도시한 것과 같이, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 외주부로 향해서 동일한 속도로 동일한 방향(X축 정방향)으로 수평 이동시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상면의 전면이 제1 세정체(171)에 의해서 세정됨 과 더불어, 웨이퍼(W) 하면의 전면이 제2 세정체(181)에 의해서 세정된다. 30, the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 are horizontally moved in the same direction (X-axis normal direction) at the same speed toward the outer peripheral portion of the wafer W. Then, The entire surface of the upper surface of the wafer W is cleaned by the first cleaning body 171 and the entire surface of the lower surface of the wafer W is cleaned by the second cleaning body 181. [

이와 같이, 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1E)는, 웨이퍼(W) 하면의 중앙부에 스핀 척(11)이 존재하지 않기 때문에, 제2 세정체(181)의 이동을 웨이퍼(W) 하면의 중앙부에서부터 시작하게 할 수 있다. 따라서, 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1E)에 의하면, 양면 세정 처리에 있어서 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 완전히 동기시킬 수 있다. As described above, in the substrate processing apparatus 1E according to the sixth embodiment, since the spin chuck 11 does not exist in the central portion of the lower surface of the wafer W, the movement of the second cleaning body 181 can be performed on the wafer W, It can be started from the center of the lower surface. Therefore, according to the substrate processing apparatus 1E according to the sixth embodiment, the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 can be completely synchronized in the both-side cleaning processing.

또한, 여기서는 양면 세정 처리를 웨이퍼(W)의 중앙부에서부터 시작하는 것으로 했지만, 양면 세정 처리는 웨이퍼(W)의 한쪽(예컨대, X축 부방향 측)의 단부에서부터 시작하더라도 좋다. 즉, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W) 한쪽의 단부에서 다른 쪽의 단부로 향해 동일한 속도로 이동시키더라도 좋다. Although the two-sided cleaning process is started from the central portion of the wafer W, the two-sided cleaning process may start from one end (for example, the X-axis direction side) of the wafer W. That is, the first cleaning liquid 171 and the second cleaning liquid 181 may be moved at the same speed from one end of the wafer W to the other end thereof.

또한, 여기서는 벨트(27)를 이용하여 유지부(24)를 회전시키는 경우의 예에 관해서 나타냈지만, 유지부(24)를 회전시키는 방법은 상기한 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 기어 박스를 이용하여 유지부(24)를 회전시키더라도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)의 외주를 유지하는 유지 플레이트와, 유지 플레이트의 하부에 접속되는 샤프트와, 샤프트를 회전시키는 구동부를 구비하고, 유지 플레이트 및 샤프트를 상하로 관통하는 관통 구멍을 형성하고, 이러한 관통 구멍에 제2 세정체(181)를 지지하는 아암을 삽입 관통시켜, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)와 유지 플레이트 사이에 배치시킨 구성으로 하여도 좋다. 이 구성에 의하면, 샤프트에 간섭하는 일없이 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 중앙부에서부터 외주부까지 이동시킬 수 있다. Although the example in which the holding portion 24 is rotated using the belt 27 is shown here, the method of rotating the holding portion 24 is not limited to the above example. For example, the holding portion 24 may be rotated using a gear box. A holding plate for holding the outer periphery of the wafer W, a shaft connected to the lower portion of the holding plate, and a driving unit for rotating the shaft are formed, and through-holes penetrating the holding plate and the shaft are formed. The second cleaning body 181 may be disposed between the wafer W and the holding plate by inserting an arm that supports the second cleaning body 181 into the through hole. According to this configuration, the second cleaning body 181 can be moved from the central portion to the outer peripheral portion of the wafer W without interfering with the shaft.

(제7 실시형태)(Seventh Embodiment)

제7 실시형태에서는, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)의 다른 구성예에 관해서 설명한다. 일례로서 제2 세정체(181)의 다른 구성예를 도 31∼도 33에 도시한다. 도 31은 제7 실시형태에 따른 제2 세정체의 구성을 도시한 사시도이다. 또한 도 32는 제7 실시형태에 따른 제2 세정체의 구성을 도시한 종단면도이다. 또한 도 33은 제7 실시형태에 따른 제2 세정체를 웨이퍼(W)에 밀어붙인 상태를 도시한 도면이다. In the seventh embodiment, other structural examples of the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 will be described. 31 to 33 show another configuration example of the second three-dimensional structure 181 as an example. 31 is a perspective view showing a configuration of a second cleaning body according to the seventh embodiment. 32 is a longitudinal sectional view showing a configuration of the second cleaning body according to the seventh embodiment. 33 is a diagram showing a state in which the second cleaning body according to the seventh embodiment is pressed against the wafer W. In Fig.

도 31에 도시하는 제7 실시형태에 따른 제2 세정체(181F)는, 세정체로서의 기능에 더하여, 웨이퍼(W)의 하면을 연마하는 연마체로서의 기능도 갖는다. The second cleaning body 181F according to the seventh embodiment shown in Fig. 31 has a function as a polishing body for polishing the lower surface of the wafer W in addition to the function as a cleaning body.

구체적으로는, 도 31에 도시한 것과 같이 제2 세정체(181F)는, 예컨대 발포 우레탄이나 부직포 등으로 이루어지는 연마면(50a)을 갖는 연마 부재(50)와, 예컨대 폴리비닐알코올이나 폴리프로필렌, 나일론과 같은 신축이 자유로운 재료로 이루어지는 세정 부재(51)와, 연마 부재(50) 및 세정 부재(51)를 지지하는 지지 부재(52)를 갖고 있다. 연마 부재(50)의 연마면(50a)은, 예컨대 웨이퍼(W)의 직경보다도 작아지도록 형성된, 예컨대 웨이퍼(W)의 4분의 1 정도 직경의 대략 원환형의 환상 부재(50b)의 상면에, 발포 우레탄이나 부직포로 형성된 시트를 붙임으로써 구성되어 있다. 또한 도 31에서는, 연마 부재(50)의 형상의 일례로서, 소정의 폭을 갖는 원호형의 연마면(50a)이 소정의 간격을 두고서 동심원형으로 8개 마련된 상태를 도시하고 있다. Specifically, as shown in Fig. 31, the second cleansing member 181F is made of a polishing member 50 having a polishing surface 50a made of, for example, foamed urethane or nonwoven fabric, and a polishing member 50 having a polishing surface 50a made of polyvinyl alcohol, And a supporting member 52 for supporting the polishing member 50 and the cleaning member 51. The cleaning member 51 is made of a flexible material such as nylon. The polishing surface 50a of the abrasive member 50 is formed on the upper surface of a substantially annular annular member 50b having a diameter smaller than a diameter of the wafer W by a quarter of the diameter of the wafer W , And a sheet formed of foamed urethane or nonwoven fabric. 31 shows a state in which eight circular polishing surfaces 50a having a predetermined width are provided concentrically with a predetermined gap therebetween as an example of the shape of the polishing member 50. As shown in Fig.

세정 부재(51)는 예컨대 부채형으로 형성되며, 원환형의 연마 부재(50)의 내측에 상기 연마 부재(50)와 동심원을 이루도록 복수 배치되어 있다. 또한 도 31에서는, 부채형으로 형성된 4개의 세정 부재(51)가 연마 부재(50)의 내측에 배치된 경우의 일례를 도시하고 있다. The cleaning member 51 is formed in a fan shape, for example, and a plurality of concentric circles are arranged on the inside of the annular polishing member 50. 31 shows an example in which four cleaning members 51 formed in a fan shape are disposed inside the abrasive member 50. As shown in Fig.

연마 부재(50) 및 세정 부재(51)에 있어서의 지지 부재(52)와 반대쪽의 면은, 각각 웨이퍼(W)와 대향하여 형성된 연마면(50a)과 세정면이며, 예컨대 도 32에 도시한 것과 같이, 세정 부재(51)의 세정면(51a)은, 연마 부재(50)의 연마면(50a)보다도 위쪽으로 돌출하도록 형성되어 있다. 따라서, 제2 세정체(181F)를 웨이퍼(W)의 하면에 근접시키면, 우선 세정 부재(51)가 웨이퍼(W)의 하면과 접촉한다. 그리고, 세정 부재(51)는 신축이 자유로운 재료에 의해 구성되어 있기 때문에, 세정 부재(51)가 웨이퍼(W)에 접촉한 후에도 제2 세정체(181F)를 웨이퍼(W) 측으로 누름으로써, 예컨대 도 33에 도시한 것과 같이, 세정 부재(51)가 압축되어 연마 부재(50)도 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하여, 웨이퍼(W)의 연마 처리를 할 수 있게 된다. The surfaces of the polishing member 50 and the cleaning member 51 opposite to the support member 52 are respectively a polishing surface 50a and a cleaning surface formed opposite to the wafer W. For example, The cleansing surface 51a of the cleansing member 51 is formed so as to protrude above the polishing surface 50a of the polishing member 50. [ Therefore, when the second cleaning liquid 181F is brought close to the lower surface of the wafer W, first, the cleaning member 51 is brought into contact with the lower surface of the wafer W. Since the cleaning member 51 is made of a material that is freely stretchable and contractible, the second cleaning body 181F is pressed toward the wafer W even after the cleaning member 51 contacts the wafer W, The cleaning member 51 is compressed and the polishing member 50 is also brought into contact with the lower surface of the wafer W to perform the polishing process of the wafer W as shown in Fig.

이와 같이, 제2 세정체(181F)는 연마체로서의 기능을 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 예컨대 도 33에 도시한 것과 같이, 연마 부재(50)를 웨이퍼(W)의 하면에 접촉시킨 상태에서 제2 세정체(181F)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 하면을 연마할 수 있다. 또한, 그 후, 제2 세정체(181F)를 약간 하강시거나 하여 웨이퍼(W)의 하면에 세정 부재(51)만이 접촉한 상태로 한 다음에, 제2 세정체(181F)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 하면을 세정할 수 있다. As described above, the second cleaning body 181F may have a function as a polishing body. In this case, the lower surface of the wafer W can be polished by rotating the second cleaning body 181F in a state in which the polishing member 50 is in contact with the lower surface of the wafer W, for example, as shown in Fig. 33 . Thereafter, the second cleaning body 181F is slightly lowered so that only the cleaning member 51 is in contact with the lower surface of the wafer W, and then the second cleaning body 181F is rotated to rotate the wafer W can be cleaned.

(제8 실시형태)(Eighth embodiment)

제8 실시형태에서는, 세정체와 연마부를 개별로 구비한 기판 처리 장치의 구성에 관해서 도 34∼도 36을 참조하여 설명한다. 도 34는 제8 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 측면도이다. 또한, 도 35 및 도 36은 웨이퍼(W)와 세정체 및 연마체와 회전판을 도시하는 평면도이다. In the eighth embodiment, the structure of a substrate processing apparatus having a cleaning body and a polishing section separately will be described with reference to Figs. 34 to 36. Fig. 34 is a side view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the eighth embodiment. 35 and 36 are plan views showing the wafer W, the cleaning body, the polishing body, and the rotary plate.

도 34에 도시한 것과 같이, 제8 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1G)는 예컨대 원판으로 이루어지며, 흡착 패드(10) 또는 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)와 대향하도록 마련된 면형체를 이루는 회전판(101)과, 이 회전판(101) 위에 마련된 세정체(6A) 및 연마체(6B)를 구비한다. 회전판(101)은, 그 하면 측에 설치된 선회축(102)을 통해 구동 기구(103)에 의해 연직 축 둘레로 회전이 자유롭게 구성된다. 선회축(102)은 회전판(101)의 중심에 마련된다. 따라서, 평면에서 봤을 때 회전판(101)의 중심과 선회축(102)의 중심이 가지런히 모이고, 이 중심이 선회 중심(O1)이 된다. 이 예에서는, 회전판(101)과 선회축(102)과 구동 기구(103)에 의해 선회 기구가 형성되어 있다. 34, the substrate processing apparatus 1G according to the eighth embodiment includes a substrate W which is made of, for example, an original plate and faces the wafer W held by the adsorption pad 10 or the spin chuck 11 And a cleaning body 6A and a polishing body 6B provided on the rotary plate 101. The cleaning body 6A and the polishing body 6B are provided on the rotating plate 101, The rotary plate 101 is configured to be rotatable about a vertical axis by a drive mechanism 103 through a pivot shaft 102 provided on a lower surface side thereof. The pivot shaft 102 is provided at the center of the rotary plate 101. Therefore, the center of the rotary plate 101 and the center of the pivot shaft 102 are aligned in a plan view, and the center thereof becomes the turning center O1. In this example, a swing mechanism is formed by the rotary plate 101, the pivot shaft 102, and the drive mechanism 103. [

도 35에 도시한 것과 같이, 회전판(101)은 그 반경(r1)이 웨이퍼(W)의 반경(r2)보다도 작아지도록 설정되어 있다. 또한, 웨이퍼(W) 하면의 중앙부를 포함하는 영역을 세정할 때에는, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(10)에 유지되어 수평 이동하는데, 선회축(102)은 이 웨이퍼(W)의 이동 영역 내에 마련되어 있다. 즉 웨이퍼(W) 하면의 중앙부를 포함하는 영역을 세정할 때에는, 선회축(102)은 웨이퍼(W)에 겹쳐 위치하도록 배치되어 있다. 또한, 평면에서 봤을 때, 회전판(101)의 선회축(102)과 스핀 척(11)의 샤프트(20)가 수평 방향(X축 방향)을 따라서 나란히 늘어서도록 형성되어 있다. 35, the rotation plate 101 is set such that its radius r1 is smaller than the radius r2 of the wafer W. [ When the area including the center of the lower surface of the wafer W is cleaned, the wafer W is held by the suction pad 10 and horizontally moved. The pivot shaft 102 is moved in the moving region of the wafer W Lt; / RTI > That is, when cleaning the area including the central portion of the lower surface of the wafer W, the pivot shaft 102 is disposed so as to overlap with the wafer W. The pivot shaft 102 of the rotary plate 101 and the shaft 20 of the spin chuck 11 are formed so as to lie side by side in the horizontal direction (X-axis direction) when viewed from the plane.

세정체(6A) 및 연마체(6B)는 예컨대 원주형의 브러시로 이루어지며, 구동축(111A, 111B)을 통해 구동 기구(112A, 112B)에 접속된다. 구동 기구(112A, 112B)는 회전판(101) 상에 마련되어, 세정체(6A) 및 연마체(6B)를 승강 및 연직 축 둘레로 회전시킨다. The cleaning body 6A and the polishing body 6B are made of, for example, a columnar brush and connected to the driving mechanisms 112A and 112B through driving shafts 111A and 111B. The driving mechanisms 112A and 112B are provided on the rotary plate 101 to rotate the cleaning body 6A and the polishing body 6B around the vertical axis and the vertical axis.

세정체(6A) 및 연마체(6B)는 회전판(101) 상에 서로 가로 방향으로 이격되어 배치되어 있다. 또한, 세정체(6A) 및 연마체(6B)는, 웨이퍼(W)가 스핀 척(11)에 의해 유지되어 회전되고 있을 때에 한 방향으로 선회함으로써, 이들 세정체(6A) 및 연마체(6B) 양쪽으로 웨이퍼(W) 하면의 중앙부 이외의 모든 영역을 세정 및 연마할 수 있도록 배치되어 있다. 한 방향으로 선회한다는 것은, 회전판(101)의 선회축(102)에서 스핀 척(11)의 샤프트(20)를 봤을 때 좌측 및 우측 중 한쪽, 이 예에서는 좌측에 위치하는 세정체(6A)가 다른 쪽, 이 예에서는 우측으로 향하여 선회하여 이동하는 것을 말한다. The cleaning body 6A and the polishing body 6B are arranged on the rotary plate 101 in a spaced relation to each other in the transverse direction. The cleaning body 6A and the polishing body 6B rotate in one direction when the wafer W is held and rotated by the spin chuck 11 so that the cleaning body 6A and the polishing body 6B ) Of the lower surface of the wafer W so as to be cleaned and polished. The turning in one direction means that the cleaning body 6A located on the left and right sides of the shaft 20 of the spin chuck 11 on the pivot shaft 102 of the rotary plate 101, The other side, in this example, is referred to as turning toward the right and moving.

이 예에서는, 평면에서 봤을 때, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, 세정체(6A)가 중앙에 있을 때에 연마체(6B)가 주연부에 위치하고, 연마체(6B)가 중앙에 있을 때에 세정체(6A)가 주연부에 위치하도록 마련되어 있다. 주연부에 위치한다는 것은, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 바깥 가장자리를 세정(연마)할 수 있도록 세정체(6A) 및 연마체(6B)가 위치하고, 중앙에 위치한다는 것은, 스핀 척(11)의 회전 중심(O2)과 선회 중심(O1)을 연결한 직선(L) 위를 세정(연마)할 수 있도록 세정체(6A) 및 연마체(6B)가 위치하는 것을 말한다. 도 35는 세정체(6A)가 주연부에 있고, 연마체(6B)가 중앙에 있는 상태를 도시하고, 도 36은 세정체(6A)가 중앙에 있고, 연마체(6B)가 주연부에 있는 상태를 도시하고 있다. In this example, the polishing body 6B is located at the periphery of the wafer W held by the spin chuck 11 when the cleaning body 6A is at the center, and the polishing body 6B And the cleaning body 6A is provided at the periphery at the center. The fact that it is located at the peripheral portion means that the cleaning body 6A and the polishing body 6B are positioned so that the outer edge of the wafer W held by the spin chuck 11 can be cleaned (polished) Refers to a position where the cleaning body 6A and the polishing body 6B are positioned so as to be able to clean (polish) the straight line L connecting the rotation center O2 of the chuck 11 and the turning center O1. 36 shows a state in which the cleaning body 6A is at the center and the polishing body 6B is in the periphery. Fig. 35 shows a state in which the cleaning body 6A is in the periphery and the polishing body 6B is in the center, Respectively.

이렇게 해서 좌측에 위치하는 세정체(6A)가 우측으로 향하는 선회의 시작 시에는, 연마체(6B)가 회전판(101)의 선회축(102)과 스핀 척(11)의 샤프트(20)를 연결하는 직선(L) 상에 위치하고, 선회의 종료 시에는, 세정체(6A)가 직선(L) 상에 위치하게 된다. 또한 회전판(101)의 반경(r1)은 웨이퍼(W)의 반경(r2)보다도 짧으므로, 세정체(6A) 및 연마체(6B)의 선회 반경은 웨이퍼(W)의 반경(r2)보다도 짧아진다. 선회 반경이란, 세정체(6A) 및 연마체(6B)의 중심과 회전판(101)의 선회 중심(O1)을 연결하는 선의 길이를 말한다. When the polishing body 6B contacts the pivot shaft 102 of the rotating plate 101 and the shaft 20 of the spin chuck 11 at the start of the turn with the cleaning body 6A located on the left side facing right, And the cleaning body 6A is positioned on the straight line L at the end of the turning. Since the radius r1 of the rotary plate 101 is shorter than the radius r2 of the wafer W, the turning radius of the cleaning body 6A and the polishing body 6B is shorter than the radius r2 of the wafer W Loses. The turning radius refers to the length of a line connecting the center of the cleaning body 6A and the polishing body 6B and the turning center O1 of the rotating plate 101. [

이와 같이, 세정체(6A)와 연마체(6B)는, 제7 실시형태에 따른 제2 세정체(181F)와 같이 일체적으로 설치되는 경우에 한정되지 않고, 개별로 설치되더라도 좋다. As described above, the cleaning body 6A and the polishing body 6B are not limited to the case where they are integrally provided as the second cleaning body 181F according to the seventh embodiment, but they may be provided separately.

(제9 실시형태)(Ninth embodiment)

이어서, 제9 실시형태에 관해서 도 37∼도 39를 참조하여 설명한다. 우선, 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예에 관해서 도 37을 참조하여 설명한다. 도 37은 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 평면도이다. Next, the ninth embodiment will be described with reference to Figs. 37 to 39. Fig. First, a configuration example of a substrate processing apparatus according to the ninth embodiment will be described with reference to FIG. 37 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the ninth embodiment.

도 37에 도시한 것과 같이, 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1H)는 제1 세정부(17H)를 구비한다. As shown in Fig. 37, the substrate processing apparatus 1H according to the ninth embodiment includes a first cleaning section 17H.

제1 세정부(17H)는 제1 세정체(171H)를 구비한다. 제1 세정체(171H)는 예컨대 2 유체 노즐이다. 이러한 제1 세정체(171H)는, 도시하지 않는 기체 공급원으로부터 공급되는 기체와, 도시하지 않는 액체 공급원으로부터 공급되는 액체를 혼합함으로써, 기체와 액체가 혼합된 혼합 유체를 웨이퍼(W)의 상면에 토출한다. 또한, 기체 공급원으로부터 공급되는 기체는 예컨대 질소 등의 불활성 가스이다. 또한, 액체 공급원으로부터 공급되는 액체는 예컨대 순수이다. The first clevis 17H has a first clevis 171H. The first three-dimensional jig 171H is, for example, a two-fluid nozzle. The first cleaning liquid 171H is prepared by mixing a gas supplied from a gas supply source (not shown) and a liquid supplied from a liquid supply source (not shown) to a mixed fluid in which a gas and a liquid are mixed, . Further, the gas supplied from the gas supply source is an inert gas such as nitrogen. Further, the liquid supplied from the liquid source is, for example, pure water.

제1 세정부(17H)는 아암(70H)에 의해서 수평으로 지지되고, 아암(70H)은 이동부(71H)에 접속된다. 이동부(71H)는, 수평 방향(여기서는 Y축 방향)을 따라서 연장되어 있는 레일(72H)을 따라서 아암(70H)을 수평 이동시킨다. The first cervical portion 17H is supported horizontally by the arm 70H and the arm 70H is connected to the moving portion 71H. The moving part 71H horizontally moves the arm 70H along the rail 72H extending in the horizontal direction (Y-axis direction in this case).

또한, 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1H)에 있어서, 제2 세정부(18)를 지지하는 아암(80)은, 선회부(81H)에 접속되고, 선회부(81H)는 아암(80)을 연직 축둘레로 선회시킨다. 또한 기판 처리 장치(1H)는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)와 마찬가지로, 아암(80)을 수평 이동시키는 이동부(81)를 구비하는 구성이라도 좋다. In the substrate processing apparatus 1H according to the ninth embodiment, the arm 80 supporting the second cleaner 18 is connected to the swivel portion 81H, and the swivel portion 81H is connected to the arm 80) around the vertical axis. The substrate processing apparatus 1H may be configured to include a moving unit 81 for horizontally moving the arm 80 in the same manner as the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

이어서, 제9 실시형태에 있어서의 하면 세정 처리에 관해서 도 38을 참조하여 설명한다. 도 38은 제9 실시형태에 있어서의 하면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. Next, a bottom cleaning process in the ninth embodiment will be described with reference to FIG. 38 is a diagram showing an example of the operation of the bottom cleaning process in the ninth embodiment.

도 38에 도시한 것과 같이, 제9 실시형태에 있어서, 제2 세정부(18)에 의한 웨이퍼(W) 하면의 세정은, 흡착 패드(10)(도 37 참조)에 의한 웨이퍼(W)의 이동과 선회부(81H)에 의한 제2 세정부(18)의 선회 이동의 조합에 의해 진행된다. 구체적으로는 제어부(200H)는, 제2 세정체(181)를 회전시킴과 더불어, 한쪽(예컨대 Y축 정방향)으로의 선회 이동과 다른 쪽(예컨대 Y축 부방향)으로의 선회 이동을 소정 횟수 반복한다. 또한, 제어부(200H)는 흡착 패드(10)에 의해 웨이퍼(W)를 X축 부방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 중앙 영역(A)이 제2 세정체(181)에 의해서 세정된다. 38, cleaning of the bottom surface of the wafer W by the second cleaner section 18 is performed in the same manner as the cleaning of the wafer W by the adsorption pad 10 (see FIG. 37) And the turning movement of the second cleaner 18 by the moving and turning unit 81H. More specifically, the control section 200H rotates the second cleaning body 181 and rotates the rotary movement to one side (for example, the Y-axis positive direction) and the other side (for example, the Y-axis direction) Repeat. In addition, the controller 200H moves the wafer W in the direction of the X axis by the adsorption pad 10. [ As a result, the central area A is cleaned by the second cleaning body 181.

이어서, 제9 실시형태에 따른 양면 세정 처리에 관해서 도 39를 참조하여 설명한다. 도 39는 제9 실시형태에 있어서의 양면 세정 처리의 동작예를 도시하는 도면이다. Next, the double-sided cleaning process according to the ninth embodiment will be described with reference to FIG. 39 is a diagram showing an example of the operation of the double-sided cleaning process in the ninth embodiment.

도 39에 도시한 것과 같이, 제어부(200H)는, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)가 멀어지는 방향으로 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)를 수평 이동시킨다. 39, the control section 200H controls the first cleaning body 171H and the second cleaning body 181 in the direction in which the first cleaning body 171H and the second cleaning body 181 move away from each other, The stationary body 181 is horizontally moved.

제1 세정체(171H)의 토출 위치와 제2 세정체(181)의 회전 중심이 평면에서 봤을 때 중복되지 않는 경우, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)의 거리가 가까우면, 제2 세정체(181)에 의한 웨이퍼(W) 하면의 세정이 적절히 행해지지 않을 우려가 있다. 이것은, 제1 세정체(171H)로부터 토출되는 혼합 유체의 압력에 의해서 웨이퍼(W)가 휘어짐으로써, 웨이퍼(W)가 제2 세정체(181)로부터 부분적으로 들떠 버리기 때문이다. 따라서, 제1 세정체(171H)의 토출 위치와 제2 세정체(181)의 회전 중심이 평면에서 봤을 때 중복되지 않는 경우, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)는 가능한 한 이격시키는 쪽이 좋다. When the discharge position of the first cylindrical member 171H and the rotation center of the second cleaning member 181 are not overlapped when viewed from the plane, the distance between the first cleaning member 171H and the second cleaning member 181 is close to There is a possibility that the lower surface of the wafer W by the second three-dimensional structure 181 is not adequately cleaned. This is because the wafer W is warped due to the pressure of the mixed fluid discharged from the first cleaner 171H so that the wafer W is partially excited from the second cleaning body 181. [ Therefore, when the discharge position of the first clean body 171H and the rotation center of the second clean body 181 do not overlap when viewed from the plane, the first clean body 171H and the second clean body 181 can It is better to keep one away.

그래서 제9 실시형태에서는, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)가 멀어지는 방향으로 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)를 수평 이동시키는 것으로 했다. 이에 따라, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)가 근접하는 일이 없기 때문에, 혼합 유체의 압력에 의한 웨이퍼(W)의 휘어짐에 의해서 웨이퍼(W)가 제2 세정체(181)로부터 부분적으로 들뜨는 것이 억제된다. 따라서, 제2 세정체(181)에 의한 웨이퍼(W) 하면의 세정을 적절하게 행할 수 있으므로, 제2 세정체(181)를 이용하여 웨이퍼(W)를 강력하게 세정할 수 있다. Thus, in the ninth embodiment, the first cleaning body 171H and the second cleaning body 181 are moved horizontally in the direction in which the first cleaning body 171H and the second cleaning body 181 are separated from each other in the both- . As a result, the first wedging body 171H and the second wiping body 181 do not come close to each other. Therefore, the wafers W are bent by the pressure of the mixed fluid, Lt; RTI ID = 0.0 > 181 < / RTI > Therefore, the bottom surface of the wafer W can be properly cleaned by the second cleaning liquid 181, and therefore, the wafer W can be cleaned strongly using the second cleaning body 181.

구체적으로는 제어부(200H)는 우선 스핀 척(11)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 또한 제어부(200H)는, 웨이퍼(W)의 외주부보다도 직경 방향 내측이며 또한 웨이퍼(W)의 중심보다도 후술하는 제1 세정체(171H)의 이동 방향(여기서는 Y축 부방향) 측으로 시프트한 위치에 제2 세정체(181)를 배치한다. 또한, 이 위치는 상술한 하면 세정 처리의 종료 시에 있어서의 제2 세정체(181)의 위치라도 좋다. 그 후, 제어부(200H)는, 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)의 하면에 접촉시킨 상태에서, 세정 노즐(80a)에서 웨이퍼(W) 하면으로의 순수의 공급을 시작함과 더불어 제2 세정체(181)를 회전시킨다. More specifically, the control unit 200H first rotates the wafer W by rotating the spin chuck 11. The control section 200H is disposed at a position shifted to the moving direction of the first cleaning body 171H (in this case, the Y-axis direction) later than the outer periphery of the wafer W and at a position shifted from the center of the wafer W The second three-dimensional structure 181 is disposed. This position may be the position of the second cleaning body 181 at the end of the above-described bottom cleaning processing. The controller 200H starts to supply the pure water from the cleaning nozzle 80a to the bottom surface of the wafer W while the second cleaning body 181 is in contact with the lower surface of the wafer W, Thereby rotating the second three-dimensional jig 181.

이어서, 제어부(200H)는, 선회부(81H)를 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 중심보다도 제1 세정체(171H)의 이동 방향의 반대쪽(여기서는 Y축 정방향 측)으로 시프트한 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 외주부까지 제2 세정체(181)를 선회 이동시킨다. 그리고 제어부(200H)는, 제2 세정체(181)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 선회부(81H)에 의한 제2 세정체(181)의 선회 이동을 정지시키고, 제2 세정체(181)를 그 자리에서 일정 시간 회전시킨다. The control section 200H then controls the turning section 81H so that the position of the wafer W in the position shifted to the opposite side of the moving direction of the first cleaning body 171H (in this case, the Y-axis positive direction side) The second cleaning body 181 is pivotally moved to the outer peripheral portion of the wafer W. When the second cleaning body 181 reaches the outer peripheral portion of the wafer W, the control unit 200H stops the turning movement of the second cleaning body 181 by the turning unit 81H, (181) for a predetermined period of time.

또한 제어부(200H)는, 이동부(71H)를 제어함으로써, 제1 세정체(171H)를 웨이퍼(W)의 중앙 상측에 배치시키고, 제1 세정체(171H)에서 웨이퍼(W) 상면의 중심으로 혼합 유체를 토출시킨다. 그리고 제어부(200H)는, 제2 세정체(181)가 적어도 웨이퍼(W)의 중심보다도 제1 세정체(171H)의 이동 방향의 반대쪽(여기서는 Y축 정방향 측)으로 이동한 후의 타이밍에 이동부(71H)를 제어함으로써, 제1 세정체(171H)를 웨이퍼(W)의 중심보다도 Y축 부방향의 외주부까지 이동시킨다. 이에 따라, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)가 근접하는 일 없이 양면 세정 처리를 실행할 수 있다. The control section 200H controls the moving section 71H so that the first cleaning body 171H is arranged at the center of the wafer W and the center of the upper surface of the wafer W in the first cleaning body 171H Thereby discharging the mixed fluid. The control section 200H controls the movement of the second cleaning body 181 at a timing after the second cleaning body 181 moves at least to the opposite side of the center of the wafer W from the center of the wafer W in the moving direction of the first cleaning body 171H The first clean body 171H is moved to the outer peripheral portion of the wafer W in the direction of the Y-axis direction by controlling the first cleaning body 71H. As a result, the first cleaner 171H and the second cleaner 181 can perform the both-side cleaning process without being close to each other.

상술한 것과 같이, 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1H)는, 유지부(일례로서 스핀 척(11))와, 제1 세정체(171H)와, 제1 이동 기구(일례로서 아암(70H), 이동부(71H), 레일(72H))와, 제2 세정체(181)와, 제2 이동 기구(일례로서 아암(80) 및 선회부(81H))와, 제어부(200H)를 구비한다. 유지부는 기판(일례로서 웨이퍼(W))를 유지한다. 제1 세정체(171H)는, 유지부에 유지된 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면(일례로서 상면)에 유체(일례로서 혼합 유체)를 토출함으로써 한쪽의 면을 세정한다. 제1 이동 기구는 제1 세정체(171H)를 수평 이동시킨다. 제2 세정체(181)는, 유지부에 유지된 기판의 상면 및 하면 중 다른 쪽의 면(일례로서 하면)에 접촉하여 다른 쪽의 면을 세정한다. 제2 이동 기구는 제2 세정체(181)를 수평 이동시킨다. 제어부(200H)는, 제1 이동 기구 및 제2 이동 기구를 제어하여, 한쪽의 면에 대하여 유체를 토출하고 있는 제1 세정체(171H)와 하면에 접촉시킨 상기 제2 세정체를 동기하여 수평 이동시키는 양면 세정 처리를 실행한다. As described above, the substrate processing apparatus 1H according to the ninth embodiment has the holding section (the spin chuck 11 as an example), the first cleaning body 171H, the first moving mechanism The second cleaning mechanism 181, the second moving mechanism (for example, the arm 80 and the swinging unit 81H), the control unit 200H, Respectively. The holding portion holds a substrate (e.g., a wafer W). The first three-dimensional structure 171H cleans one surface by discharging a fluid (for example, a mixed fluid) on one surface (for example, an upper surface) of the upper surface and the lower surface of the substrate held by the holding portion. The first moving mechanism horizontally moves the first cleaning body 171H. The second elongated body 181 is brought into contact with the other surface (for example, the lower surface) of the upper surface and the lower surface of the substrate held by the holding portion to clean the other surface. The second moving mechanism horizontally moves the second cleaning body 181. The control unit 200H controls the first moving mechanism and the second moving mechanism to control the first cleaning body 171H discharging fluid to one surface and the second cleaning body contacting the bottom in synchronism with the horizontal Thereby performing a two-sided cleaning process.

구체적으로는, 제어부(200H)는, 양면 세정 처리에 있어서, 제1 이동 기구 및 제2 이동 기구를 제어하여, 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)가 멀어지는 방향으로 제1 세정체(171H)와 제2 세정체(181)를 수평 이동시킨다. More specifically, the control section 200H controls the first moving mechanism and the second moving mechanism in the both-side cleaning process so as to move the first cleaning body 171H and the second cleaning body 181 in the first moving direction The cleaning body 171H and the second cleaning body 181 are horizontally moved.

따라서, 제9 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1H)에 의하면, 혼합 유체의 압력에 의한 웨이퍼(W)의 휘어짐의 영향을 받기 어렵게 할 수 있으므로, 제2 세정체(181)를 이용하여 웨이퍼(W)를 강력하게 세정할 수 있다. Therefore, according to the substrate processing apparatus 1H according to the ninth embodiment, it is possible to make it less likely to be affected by the warping of the wafer W due to the pressure of the mixed fluid, W) can be strongly cleaned.

또한 여기서는, 제1 세정체(171H)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정하고, 제2 세정체(181)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 세정하는 경우의 예를 나타냈지만, 제1 세정부(17H)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 세정하고, 제2 세정체(181)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정하여도 좋다. Although the upper surface of the wafer W is cleaned using the first cleaned body 171H and the lower surface of the wafer W is cleaned using the second cleaned body 181, The lower surface of the wafer W may be cleaned by using the first cleaning portion 17H and the upper surface of the wafer W may be cleaned by using the second cleaning body 181. [

또한 여기서는, 제1 세정체(171H)를 Y축 부방향 측으로 이동시키는 경우의 예를 나타냈지만, 제1 세정체(171H)의 이동 방향은 이것에 한정되지 않으며, 예컨대 Y축 정방향 측으로 이동시키더라도 좋다. 이 경우, 제어부(200H)는, 제2 세정체(181)를, 웨이퍼(W)의 중심보다도 Y축 방향 정방향 측으로 시프트한 위치에서부터 웨이퍼(W)의 중심보다도 Y축 부방향 측으로 시프트한 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 외주부까지 이동시키면 된다. Although the first cleansing member 171H is moved to the Y-axis direction side in this example, the moving direction of the first cleansing member 171H is not limited to this. For example, even if the first cleansing member 171H is moved to the Y- good. In this case, the control section 200H shifts the second cleaning body 181 from a position shifted from the center of the wafer W to the positive direction of the Y-axis direction to a position shifted from the center of the wafer W to the Y- To the outer peripheral portion of the wafer W in FIG.

또한 여기서는, 제1 세정체(171H)가 기체와 액체의 혼합 유체를 토출하는 2 유체 노즐인 경우의 예를 나타냈지만, 제1 세정체(171H)는, 웨이퍼(W)에 대하여 유체를 공급하는 것이면 되고, 반드시 2 유체 노즐일 필요는 없다.In this example, the first cleaner 171H is a two-fluid nozzle for discharging a mixed fluid of a gas and a liquid. However, the first cleaner 171H may be configured to supply a fluid to the wafer W And it is not necessarily a two-fluid nozzle.

(변형예)(Modified example)

상술한 실시형태에서는, 양면 세정 처리 시작 후, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동기시킬 때까지 동안, 즉, 제1 세정체(171)가 웨이퍼(W)의 중앙부를 세정하고 있는 동안, 제2 세정체(181)를 정지시켜 놓는 것으로 했다. 그러나 이것에 한하지 않고, 제1 세정체(171)가 웨이퍼(W)의 중앙부를 세정하고 있는 동안, 제2 세정체(181)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 세정하더라도 좋다. In the above-described embodiment, after the start of the both-side cleaning process, until the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 are synchronized with each other, that is, The second cleaning body 181 is stopped. The lower surface of the wafer W may be cleaned using the second cleaning body 181 while the first cleaning liquid 171 is cleaning the central portion of the wafer W. [

또한, 상술한 실시형태에서는 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)와 동일한 방향으로 회전시키는 것으로 했지만, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 웨이퍼(W)와 역방향으로 회전시키더라도 좋다. 또한, 상술한 실시형태에서는 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 동일한 방향으로 회전시키는 것으로 했지만, 제1 세정체(171)와 제2 세정체(181)를 역방향으로 회전시키더라도 좋다. 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)의 회전 속도는 웨이퍼(W)의 회전 속도와 같더라도 좋고, 웨이퍼(W)의 회전 속도보다 느리더라도 좋고, 웨이퍼(W)의 회전 속도보다 빠르더라도 좋다. 또한, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)는 반드시 회전시키지 않더라도 좋다. Although the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are rotated in the same direction as the wafer W in the above-described embodiment, the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 May be rotated in a direction opposite to the direction of the wafer W. Although the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are rotated in the same direction in the above-described embodiment, the first cleansing body 171 and the second cleansing body 181 are rotated in the reverse direction . The rotation speed of the first cleaner 171 and the second cleaner 181 may be the same as the rotation speed of the wafer W or slower than the rotation speed of the wafer W, It may be faster. In addition, the first cleaner 171 and the second cleaner 181 may not necessarily be rotated.

또한, 상술한 실시형태에서는 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 레일(72, 82)을 따라서 직선적으로 이동시키는 것으로 했지만, 예컨대, 연직 축 둘레로 선회하는 제1 선회 아암에 제1 세정체(171)를 지지하게 함과 더불어, 연직 축 둘레로 선회하는 제2 선회 아암에 제2 세정체(181)를 지지하게 함으로써, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)를 원호형으로 이동시키더라도 좋다. 이 경우, 제1 선회 아암 및 제2 선회 아암의 선회 중심의 위치를 일치시킴으로써, 제1 세정체(171) 및 제2 세정체(181)의 이동을 동기시킬 수 있다. Although the first cleaner 171 and the second cleaner 181 are linearly moved along the rails 72 and 82 in the above-described embodiment, the first cleaner 171 and the second cleaner 181 may be moved linearly along the rails 72 and 82, And the second cleaning body 181 is supported by the second swinging arm pivoting about the vertical axis so as to support the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181. [ (181) may be moved in an arcuate shape. In this case, the movement of the first cleaning body 171 and the second cleaning body 181 can be synchronized by matching the positions of the turning centers of the first swinging arm and the second swinging arm.

또한, 상술한 실시형태에서는 양면 세정 처리를 행하는 경우의 예에 관해서 설명했지만, 예컨대 웨이퍼(W)의 종류에 따라서는 하면 세정 처리만 행하여도 좋다. 양면 세정 처리를 하지 않고 하면 세정 처리만을 행하는 경우, 웨이퍼(W)의 상면 측으로 순수 등이 돌아들어가는 것을 억제하기 때문에, 양면 세정 처리를 하는 경우와 비교하여 웨이퍼(W)의 회전수를 낮게 하여도 좋다. 또한, 양면 세정 처리를 하지 않고서 웨이퍼(W)의 상면의 세정만을 행하여도 좋다. In the above-described embodiment, the case of performing the double-sided cleaning process has been described. However, depending on the type of the wafer W, for example, the bottom cleaning process may be performed. Since pure water or the like is prevented from flowing to the upper surface side of the wafer W when only the cleaning process is performed without performing the double-side cleaning process, even if the rotation number of the wafer W is lowered good. Further, the upper surface of the wafer W may be cleaned without performing the double-side cleaning process.

여기서, 웨이퍼(W)의 양면 세정 처리는, 회로 형성면과 회로가 형성되어 있지 않은 면의 세정에 한정되지 않는다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 적어도 한쪽이 회로 형성면에 접합된 부재라도 좋다. 그 경우는, 회로를 보호하는 보호 부재 또는 웨이퍼끼리 접합한 접합 웨이퍼 등이 있다. 또한, 회로가 형성되기 전의 웨이퍼(W)라도 좋다. Here, the both-side cleaning process of the wafer W is not limited to the cleaning of the circuit formation surface and the surface on which no circuit is formed. For example, a member in which at least one of the wafers W is bonded to the circuit formation surface may be used. In this case, there is a protective member for protecting the circuit or a bonded wafer in which the wafers are bonded to each other. Further, the wafer W may be a wafer before a circuit is formed.

한층 더한 효과나 변형예는 당업자에 의해서 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 표기하고 또한 기술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해서 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고서 여러 가지 변경이 가능하다. Further effects and modifications can be easily obtained by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments described and shown above. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

W: 웨이퍼 1: 기판 처리 장치
10: 흡착 패드 11: 스핀 척
13: 케이스 14: 지지판
15: 프레임 16: 상부 컵
17: 제1 세정부 18: 제2 세정부
171: 제1 세정체 181: 제2 세정체
200: 제어부 W: wafer 1: substrate processing apparatus
10: adsorption pad 11: spin chuck
13: Case 14:
15: frame 16: upper cup
17: 1st generation government 18: 2nd generation government
171: 1 st congestion 181: 2 st congestion
200:

Claims (12)

기판을 유지하는 유지부와,
상기 유지부에 유지된 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면에 유체를 토출함으로써, 또는 상기 한쪽의 면에 접촉하여 상기 한쪽의 면을 세정하는 제1 세정체와,
상기 제1 세정체를 수평 이동시키는 제1 이동 기구와,
상기 유지부에 유지된 상기 기판의 상면 및 하면 중 다른 쪽의 면에 접촉하여 상기 다른 쪽의 면을 세정하는 제2 세정체와,
상기 제2 세정체를 수평 이동시키는 제2 이동 기구와,
상기 제1 이동 기구 및 상기 제2 이동 기구를 제어하여, 상기 한쪽의 면에 대하여 상기 유체를 토출하거나, 또는 상기 한쪽의 면에 접촉시킨 상기 제1 세정체와 상기 다른 쪽의 면에 접촉시킨 상기 제2 세정체를 동기하여 수평 이동시키는 양면 세정 처리를 실행하는 제어부
를 구비하는 기판 처리 장치. A holding portion for holding the substrate,
A first cleaning body for discharging a fluid to one of upper and lower surfaces of the substrate held by the holding portion or for cleaning the one surface in contact with the one surface;
A first moving mechanism for horizontally moving the first cleaning body,
A second cleaning body for contacting the other surface of the upper surface and the lower surface of the substrate held by the holding portion to clean the other surface,
A second moving mechanism for horizontally moving the second cleaning body,
The first moving mechanism and the second moving mechanism are controlled so that the fluid is discharged to the one surface or the first cleaning body brought into contact with the one surface and the second cleaning body brought into contact with the other surface A control unit for executing a double-sided cleaning process for horizontally moving the second three-
And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정체는,
상기 한쪽의 면에 상기 유체를 토출함으로써 상기 한쪽의 면을 세정하는 것이고,
상기 제어부는,
상기 양면 세정 처리에 있어서, 상기 제1 이동 기구 및 상기 제2 이동 기구를 제어하여, 상기 제1 세정체와 상기 제2 세정체가 멀어지는 방향으로 상기 제1 세정체와 상기 제2 세정체를 수평 이동시키는 것인 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
The one surface is cleaned by discharging the fluid to the one surface,
Wherein,
The first cleaning mechanism and the second cleaning mechanism are controlled so that the first cleaning body and the second cleaning body are horizontally moved in a direction in which the first cleaning body and the second cleaning body move away from each other To the substrate processing apparatus. 제2항에 있어서, 상기 유지부는,
상기 기판의 상기 다른 쪽의 면에 있어서의 중앙부를 포함하는 제1 영역을 흡착 유지하는 회전 가능한 제1 유지부와,
상기 기판의 상기 다른 쪽의 면에 있어서의 상기 제1 영역 이외의 영역인 제2 영역을 흡착 유지하는 제2 유지부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제2 유지부에 의해서 상기 기판을 흡착 유지한 상태에서, 상기 제2 이동 기구를 제어하여, 상기 제2 세정체를 상기 제1 영역에 접촉시켜 상기 제1 영역을 수평 이동시키는 다른 쪽 면의 세정 처리를 실행한 후, 상기 제1 유지부에 의해서 상기 기판을 흡착 유지하여 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 제2 세정체를 상기 제2 영역에 접촉시켜 상기 양면 세정 처리를 실행하는 것인 기판 처리 장치.The apparatus according to claim 2,
A rotatable first holding portion for holding and holding a first region including a central portion on the other surface of the substrate;
And a second holding portion for holding and holding a second region which is an area other than the first region on the other surface of the substrate,
Wherein,
Wherein the second cleaning mechanism controls the second moving mechanism in a state in which the substrate is attracted and held by the second holding portion so that the second cleaning body contacts the first region to horizontally move the first region, Wherein the second cleaning body is brought into contact with the second region in a state in which the substrate is rotated by suction holding the substrate by the first holding unit after the cleaning process is performed, / RTI > 제1항에 있어서, 상기 제1 세정체는,
상기 기판의 상면에 접촉하여 상기 상면을 세정하고,
상기 제2 세정체는,
상기 기판의 하면에 접촉하여 상기 하면을 세정하는 것인 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
The upper surface contacting the upper surface of the substrate,
The second trimming body comprises:
And the lower surface is in contact with the lower surface of the substrate to clean the lower surface. 제4항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 유지부에 유지된 상기 기판을 두께 방향에서 본 평면에서 봤을 때, 상기 제1 세정체의 상기 상면과의 접촉면과 상기 제2 세정체의 상기 하면과의 접촉면이 중복된 상태를 유지하면서 상기 제1 세정체와 상기 제2 세정체를 수평 이동시키는 처리를 상기 양면 세정 처리로서 실행하는 것인 기판 처리 장치. 5. The apparatus of claim 4,
Wherein when the substrate held in the holding portion is viewed from the plane viewed in the thickness direction, the contact surface of the first cleaning body with the upper surface and the lower surface of the second cleaning body overlap with each other, Wherein the processing of horizontally moving the first and second chambers is performed as the double-side cleaning processing. 제4항에 있어서, 상기 제1 세정체를 연직 축둘레로 회전시키는 제1 구동부와,
상기 제2 세정체를 연직 축둘레로 회전시키는 제2 구동부를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제1 구동부에 의한 상기 제1 세정체의 회전 중심과 상기 제2 구동부에 의한 상기 제2 세정체의 회전 중심을 일치시킨 상태에서, 상기 제1 세정체와 상기 제2 세정체를 수평 이동시키는 처리를 상기 양면 세정 처리로서 실행하는 것인 기판 처리 장치. The apparatus according to claim 4, further comprising: a first driving unit for rotating the first cleaning body around a vertical axis;
Further comprising a second driving unit for rotating the second cleaning body around a vertical axis,
Wherein,
The first cleaning body and the second cleaning body are horizontally moved in a state in which the rotation center of the first cleaning body by the first driving unit and the rotation center of the second cleaning body by the second driving unit are aligned with each other And the processing is executed as the both-side cleaning processing. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 이동 기구는,
상기 제1 세정체를 승강 가능하고,
상기 제2 이동 기구는,
상기 제2 세정체를 승강 가능하고,
상기 제어부는,
상기 양면 세정 처리에 있어서, 상기 제1 세정체의 상기 상면에 대한 밀어붙이는 힘과 상기 제2 세정체의 상기 하면에 대한 밀어붙이는 힘이 동일한 크기가 되도록, 상기 제1 이동 기구 및 상기 제2 이동 기구 중 적어도 한쪽을 제어하는 것인 기판 처리 장치. The image forming apparatus according to any one of claims 4 to 6,
Wherein the first clean body is movable up and down,
The second moving mechanism includes:
Wherein the second cleaning body is movable up and down,
Wherein,
Wherein the first cleaning mechanism and the second cleaning mechanism are arranged such that the pressing force of the first cleaning body against the upper surface and the pressing force against the lower surface of the second cleaning body are the same in the double- And at least one of the mechanisms is controlled. 제7항에 있어서, 상기 제1 세정체의 상기 상면에 대한 밀어붙이는 힘 또는 상기 제2 세정체의 상기 하면에 대한 밀어붙이는 힘을 검지하는 하중 검지부를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제1 세정체 및 상기 제2 세정체 중 한쪽을 미리 정해진 높이 위치에 배치하고, 상기 제1 세정체 및 상기 제2 세정체 중 다른 쪽의 높이 위치를 상기 하중 검지부의 검지 결과에 기초하여 조정하는 것인 기판 처리 장치. The apparatus according to claim 7, further comprising: a load detecting unit for detecting a pushing force on the upper surface of the first cleaning body or a pressing force against the lower surface of the second cleaning body,
Wherein,
One of the first clean body and the second clean body is disposed at a predetermined height position and the height position of the other of the first clean body and the second clean body is adjusted based on the detection result of the load detection unit To the substrate processing apparatus. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상면 및 상기 하면 중 한쪽은 회로 형성면이고,
상기 제1 세정체 및 상기 제2 세정체 중 상기 회로 형성면에 접촉하는 한쪽의 세정체에 있어서의 상기 기판과의 접촉면은, 다른 쪽의 세정체에 있어서의 상기 기판과의 접촉면보다 큰 것인 기판 처리 장치. 7. The semiconductor device according to any one of claims 4 to 6, wherein one of the upper surface and the lower surface is a circuit formation surface,
Wherein a contact surface of the first clean body and the second clean body with the substrate in one of the cleaning bodies contacting the circuit formation surface is larger than a contact surface of the other cleaning body with the substrate / RTI > 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상면 및 상기 하면 중 한쪽은 회로 형성면이고,
상기 제1 세정체 및 상기 제2 세정체 중 상기 회로 형성면에 접촉하는 한쪽의 세정체는 다른 쪽의 세정체보다 부드러운 것인 기판 처리 장치. 7. The semiconductor device according to any one of claims 4 to 6, wherein one of the upper surface and the lower surface is a circuit formation surface,
Wherein one of the first cleaner and the second cleaner which is in contact with the circuit formation surface is smoother than the other cleaner. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지부는,
상기 기판의 상기 하면에 있어서의 중앙부를 포함하는 제1 영역을 흡착 유지하는 회전 가능한 제1 유지부와,
상기 기판의 상기 하면에 있어서의 상기 제1 영역 이외의 영역인 제2 영역을 흡착 유지하는 제2 유지부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제2 유지부에 의해서 상기 기판을 흡착 유지한 상태에서, 상기 제2 이동 기구를 제어하여, 상기 제2 세정체를 상기 제1 영역에 접촉시켜 상기 제1 영역을 수평 이동시키는 하면 세정 처리를 실행한 후, 상기 제1 유지부에 의해서 상기 기판을 흡착 유지하여 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 제2 세정체를 상기 제2 영역에 접촉시켜 상기 양면 세정 처리를 실행하는 것인 기판 처리 장치.The image forming apparatus according to any one of claims 4 to 6,
A rotatable first holding portion for holding and holding a first region including a central portion of the lower surface of the substrate,
And a second holding portion for holding and holding a second region, which is a region other than the first region, on the lower surface of the substrate,
Wherein,
The second cleaning mechanism controls the second cleaning mechanism to bring the first cleaning area into contact with the first area to horizontally move the first cleaning area in a state where the substrate is attracted and held by the second holding part, Wherein the second cleaning body is brought into contact with the second region in a state in which the substrate is rotated by suction holding the substrate by the first holding unit to perform the double side cleaning process, . 기판을 유지하는 유지 공정과,
상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면에 유체를 토출함으로써, 또는 상기 한쪽의 면에 접촉하여 상기 한쪽의 면을 세정하는 제1 세정체로부터 상기 한쪽의 면에 상기 유체를 토출시키거나, 또는 상기 제1 세정체를 상기 한쪽의 면에 접촉시키고, 상기 기판의 상면 및 하면 중 다른 쪽의 면에 접촉하여 상기 다른 쪽의 면을 세정하는 제2 세정체를 상기 다른 쪽의 면에 접촉시킨 상태에서, 상기 제1 세정체와 상기 제2 세정체를 동기하여 수평 이동시킴으로써 상기 상면 및 상기 하면을 세정하는 양면 세정 공정
을 포함하는 기판 처리 방법. A holding step of holding the substrate,
The fluid is discharged from the first cleaning body for cleaning the one surface by discharging the fluid to one of the upper and lower surfaces of the substrate or by contacting the one surface to the one surface, A second cleaning body contacting the other surface of the substrate and cleaning the other surface is brought into contact with the other surface of the substrate, , A second cleaning process for horizontally moving the first cleaner and the second cleaner in a synchronous manner to clean the upper and lower surfaces
≪ / RTI >
KR1020180159282A 2017-12-13 2018-12-11 Substrate processing apparatus and substrate processing method KR102629319B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020240004294A KR20240011849A (en) 2017-12-13 2024-01-10 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-239072 2017-12-13
JP2017239072 2017-12-13
JP2018197918A JP7232615B2 (en) 2017-12-13 2018-10-19 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JPJP-P-2018-197918 2018-10-19

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240004294A Division KR20240011849A (en) 2017-12-13 2024-01-10 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190070874A true KR20190070874A (en) 2019-06-21
KR102629319B1 KR102629319B1 (en) 2024-01-24

Family

ID=66697287

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180159282A KR102629319B1 (en) 2017-12-13 2018-12-11 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR1020240004294A KR20240011849A (en) 2017-12-13 2024-01-10 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240004294A KR20240011849A (en) 2017-12-13 2024-01-10 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11139182B2 (en)
JP (2) JP7422844B2 (en)
KR (2) KR102629319B1 (en)
CN (1) CN109962027A (en)
TW (1) TWI834489B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220170763A (en) * 2021-06-23 2022-12-30 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate cleaning device and substrate cleaning method

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7108450B2 (en) * 2018-04-13 2022-07-28 株式会社ディスコ Polishing equipment
US11467508B2 (en) * 2018-07-25 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Pellicle adhesive residue removal system and methods
JP2020048124A (en) * 2018-09-20 2020-03-26 キヤノン株式会社 Cleaning device
US20220266312A1 (en) * 2019-07-10 2022-08-25 Tokyo Electron Limited Separating apparatus and separating method
TWI765192B (en) * 2019-11-19 2022-05-21 大量科技股份有限公司 A method and an apparatus for testing a polishing pad of a chemical mechanical polishing device
CN110823309B (en) * 2019-11-26 2021-06-15 徐州润物科技发展有限公司 Intelligent water meter cover
US11417512B2 (en) 2020-02-10 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for cleaning semiconductor wafer backside surface by hybrid brush assembly
TWI814077B (en) * 2020-09-18 2023-09-01 日商斯庫林集團股份有限公司 Substrate cleaning device
JP2022103731A (en) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board cleaning device and board cleaning method
CN113594063B (en) * 2021-06-01 2023-12-29 陕西东芯恒科电子有限公司 Wafer cleaning device and cleaning method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170806A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus and method for treating substrate
US20060096048A1 (en) * 2002-06-28 2006-05-11 Lam Research Corp. System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
US20080163899A1 (en) * 2006-12-20 2008-07-10 Yasushi Takiguchi Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
JP2010109225A (en) 2008-10-31 2010-05-13 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning brush, substrate processing apparatus, and substrate cleaning method
JP2013089797A (en) * 2011-10-19 2013-05-13 Ebara Corp Substrate cleaning method and substrate cleaning device

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW316995B (en) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5675856A (en) * 1996-06-14 1997-10-14 Solid State Equipment Corp. Wafer scrubbing device
JPH11625A (en) * 1997-06-13 1999-01-06 Mitsubishi Materials Corp Apparatus for washing wafer
JP3654779B2 (en) * 1998-01-06 2005-06-02 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning tool and substrate cleaning method
JP3333733B2 (en) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 Cleaning equipment
JP4086398B2 (en) 1999-01-28 2008-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate cleaning device
JP2001070896A (en) * 1999-07-06 2001-03-21 Ebara Corp Substrate cleaning device
JP2004247582A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Tokyo Electron Ltd Cleaning brush and substrate cleaning device
JP2005072429A (en) * 2003-08-27 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for cleaning both surfaces
JP2006332386A (en) * 2005-05-27 2006-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device and method for washing substrate
JP4734063B2 (en) * 2005-08-30 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method.
JP2007273611A (en) 2006-03-30 2007-10-18 Sony Corp Apparatus and method for processing substrate
KR100892809B1 (en) * 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP4983565B2 (en) * 2006-12-20 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and storage medium
JP2008288517A (en) 2007-05-21 2008-11-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Brush for cleaning substrate, and substrate cleaning apparatus
TWI372661B (en) * 2007-11-21 2012-09-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning apparatus and cleaning method
JP5136103B2 (en) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 Cleaning device and method, coating and developing device and method, and storage medium
US8356376B2 (en) * 2008-06-18 2013-01-22 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and storage medium
JP4976341B2 (en) * 2008-06-18 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and storage medium
JP5743853B2 (en) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2012182507A (en) * 2012-06-28 2012-09-20 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning apparatus
JP5878441B2 (en) 2012-08-20 2016-03-08 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP6048043B2 (en) * 2012-09-28 2016-12-21 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and vacuum processing system
US9704730B2 (en) * 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP6210935B2 (en) * 2013-11-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 Polishing and cleaning mechanism, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP6320127B2 (en) * 2014-04-01 2018-05-09 株式会社ディスコ Cleaning device
JP6559602B2 (en) * 2015-09-18 2019-08-14 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and processing chamber cleaning method
JP6508721B2 (en) * 2015-09-28 2019-05-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6753762B2 (en) * 2015-12-28 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment and substrate processing method
JP3203956U (en) 2016-02-16 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning device
JP7232615B2 (en) * 2017-12-13 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170806A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus and method for treating substrate
US20060096048A1 (en) * 2002-06-28 2006-05-11 Lam Research Corp. System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
US20080163899A1 (en) * 2006-12-20 2008-07-10 Yasushi Takiguchi Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
JP2010109225A (en) 2008-10-31 2010-05-13 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning brush, substrate processing apparatus, and substrate cleaning method
JP2013089797A (en) * 2011-10-19 2013-05-13 Ebara Corp Substrate cleaning method and substrate cleaning device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220170763A (en) * 2021-06-23 2022-12-30 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate cleaning device and substrate cleaning method
US12017257B2 (en) 2021-06-23 2024-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning device and substrate cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI834489B (en) 2024-03-01
JP2023009162A (en) 2023-01-19
JP2023055999A (en) 2023-04-18
TW202417129A (en) 2024-05-01
JP7422844B2 (en) 2024-01-26
US11139182B2 (en) 2021-10-05
TW202322917A (en) 2023-06-16
US20210398827A1 (en) 2021-12-23
CN109962027A (en) 2019-07-02
KR102629319B1 (en) 2024-01-24
US20190181022A1 (en) 2019-06-13
US20240213046A1 (en) 2024-06-27
US11887869B2 (en) 2024-01-30
JP7442706B2 (en) 2024-03-04
KR20240011849A (en) 2024-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190070874A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7232615B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
TWI600078B (en) Polishing cleaning mechanism, substrate processing apparatus, and substrate processing method
TW417194B (en) A cleaner
JP5174791B2 (en) Substrate support unit and substrate polishing apparatus and method using the same
US9352441B2 (en) Chemical mechanical polisher with hub arms mounted
KR101796651B1 (en) Disk-brush cleaner module with fluid jet
CN109773628A (en) Handle the device and method on the surface of substrate
JPH0699348A (en) Wafer polishing device
CN109702641A (en) Grinding device
TWI765125B (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program
JP2001212531A (en) Cleaning device
JP6941920B2 (en) Substrate cleaning equipment, substrate cleaning method, substrate processing equipment and substrate drying equipment
KR20070095702A (en) Substrate transfer device and chemical mechanical polishing device having same
JP6415662B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI865303B (en) Substrate processing device
JP2006319249A (en) Polisher, semiconductor device manufacturing method using the same and semiconductor device manufactured by the same manufacturing method
US12230515B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4308778B2 (en) Wafer cleaning equipment
JP2005131772A (en) Polishing device
JP2012253130A (en) Substrate transfer method and substrate transfer apparatus
KR20190054965A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI706813B (en) Apparatus for processing a substrate
KR20100129246A (en) Substrate supporting unit

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20181211

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210913

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20181211

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230619

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20231025

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20240122

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20240122

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration