KR20190055788A - 코팅 및 갭 충전 적용을 위한 그래핀-함유 물질 - Google Patents

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Abstract

그래핀이 금속계에 첨가되어, 그에 의해 제제의 EMI 차폐 부품 성능에 유의하게 영향을 미치지 않으면서 경화 수축을 감소시키고 가요성을 향상시킨 전도성 제제가 본원에 제공된다. 본 발명의 특정 측면에 따르면, 전자 패키지 내의 갭을 충전하여 그의 전자기 간섭 (EMI) 차폐를 달성하는 방법, 뿐만 아니라 그에 의해 차폐되는 생성된 물품이 또한 제공된다. 본 발명의 특정 측면에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 제조된 물품이 또한 제공된다.

Description

코팅 및 갭 충전 적용을 위한 그래핀-함유 물질
본 발명은 전기 전도성 금속 입자-충전 중합체 시스템, 및 예를 들어 전자 패키지에서 갭을 충전하고 그를 소결할 때 저 수축 물질로서의 그의 용도에 관한 것이고, 그에 의해 생성된 전자 패키지에 EMI (전자기 간섭) 차폐를 제공한다. 본 발명은 또한 제제의 소결 시 소결가능한 금속 입자를 포함하는 제제의 수축을 감소시키는 방법에 관한 것이고; 또 다른 측면에서, 본 발명은 또한 제제의 소결 시 소결가능한 금속 입자를 포함하는 제제의 취성을 감소시키는 방법에 관한 것이고; 또 다른 측면에서, 본 발명은 전자 패키지에서 갭을 충전하여 그의 전자기 간섭 (EMI) 차폐를 달성하는 방법에 관한 것이고; 또 다른 측면에서, 본 발명은 또한 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 제조된 물품에 관한 것이다.
EMI 차폐는 전도성 또는 자성 재료로 제조된 장벽에 의해 전자기장을 차단함으로써 공간에서 전자기장을 감소시키는 실시이다. 차폐는 전형적으로 인클로저에 적용되어 전기 장치를 '외부 세계'로부터 격리한다. 고주파 전자기 방사선을 차단하는 전자기 차폐는 또한 RF 차폐로도 공지되어 있다.
EMI 차폐는 라디오파, 전자기장 및 정전기장의 커플링을 감소시킬 수 있다. 정전기장을 차단하는데 사용된 전도성 인클로저는 또한 패러데이 케이지로도 공지되어 있다. 달성할 수 있는 감소량은 사용된 재료, 그의 두께, 코팅의 전도성, 관심 필드의 주파수 등과 같은 인자에 따라 달라진다.
소결 후에, 높은 수준의 금속 재료를 함유하는 제제는 특히, 취성 코팅, 응력 문제를 유도할 수 있는 높은 수축을 갖는 경향이 있다. 중합체 수지를 첨가하는 것은 생성된 소결 물질의 취성을 향상시키는 것을 보조할 수 있는 반면, 이러한 첨가는 차폐 유효성을 손상시킬 가능성이 있는데, 이는 중합체 자체가 차폐 기능을 갖지 않기 때문이다.
전도성 페이스트 접착제가 EMI 차폐 부품 보호에 사용되었지만, 페이스트 접착제가 높은 전기 전도성을 갖지 않은 경우에는 바람직한 차폐 성능을 달성하기 위해 매우 두꺼운 필름이 필요해진다.
최신 기술 방법의 이들 및 다른 한계는 본 발명에 의해 해결된다.
본 발명에 따라, 그래핀이 금속계에 첨가되고, 그에 의해 그의 EMI 차폐 성능에 유의하게 영향을 미치지 않으면서 경화 수축을 감소시키고 가요성을 향상시킨 전도성 제제가 제공된다.
본 발명의 특정 측면에 따르면, 전자 패키지 내의 갭을 충전하여 그의 전자기 간섭 (EMI) 차폐를 달성하는 방법, 뿐만 아니라 그에 의해 차폐되는 생성된 물품이 또한 제공된다.
본 발명의 특정 측면에 따라, 또한 고전도성 필름 및 그를 적용하는 방법이 제공된다.
본 발명의 특정 측면에 따라, 또한 가요성 저 수축의 전도성 코팅이 제공된다.
본 발명의 특정 측면에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 제조된 물품이 또한 제공된다.
본 발명에 따라,
약 75 내지 약 95 wt% 범위의 소결가능한 전도성 금속 입자,
약 0.2 내지 약 5 wt% 범위의 그래핀,
약 1 내지 약 20 wt% 범위의 희석제,
0 내지 약 20 wt% 범위의 중합체 수지
를 포함하는 가요성 저 수축의 전도성 제제가 제공되고;
여기서:
소결가능한 전도성 금속 입자는 임의로 표면 처리되고, 약 1 nm 내지 약 50 μm 범위의 입자 크기를 갖고,
그래핀 입자는 임의로 표면 처리되고, 약 1 nm 내지 약 50 μm 범위의 입자 크기를 갖고,
희석제는 저점도의 반응성 또는 비-반응성 물질이고;
중합체 수지는 열경화성 또는 열가소성이고,
여기서 제제는 약 250℃ 이하의 온도에서 소결가능하다.
추가로, 본 발명 제제는 약 10-6 내지 약 103 Ω-cm의 범위에서의 전기 부피 저항률 및/또는 1-200dB의 EMI 차폐 유효성을 갖는 것으로 규정될 수 있고; 일부 실시양태에서, EMI 차폐 유효성은 1-180일 수 있고; 일부 실시양태에서, EMI 차폐 유효성은 1-160일 수 있고; 일부 실시양태에서, EMI 차폐 유효성은 1-140일 수 있고; 일부 실시양태에서, EMI 차폐 유효성은 1-120일 수 있고; 일부 실시양태에서, EMI 차폐 유효성은 1-100dB일 수 있다.
본원에서 고려된 EMI 차폐는 광범위한 주파수, 예를 들어, 10 Hz - 10 GHz에 걸쳐 유효할 수 있고; 일부 실시양태에서, EMI 차폐는 약 103 Hz-200 MHz 범위의 주파수에 걸쳐 유효할 수 있다.
EMI 유효성은 다양한 방식으로, 예를 들어 2개의 도파관-대-동축 어댑터 및 벡터 네트워크 분석기를 포함하는 도파관 시스템 (1.7-2.8 GHz)을 사용하여 측정될 수 있다. 샘플은 PET 필름 상에 코팅된 표적 두께를 갖는 박막 층으로서 제조된다. 샘플 크기는 5x3"이다. 이 재료는 >14 KHz 주파수에 의한 적용에 적합하고, >1 GHz에서 보다 우수한 성능을 제공한다.
소결가능한 전도성 금속 입자
본원에 사용하기 위해 고려된 소결가능한 전도성 금속 입자는 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄, 인듐, 니켈의 합금 (예를 들어, 합금 42), 아연의 합금, 철의 합금, 인듐의 합금, 은-도금 구리, 은-도금 알루미늄, 비스무트, 주석, 비스무트-주석 합금, 은-도금 섬유, 은-도금 흑연, 은-도금 탄화규소, 은-도금 질화붕소, 은-도금 다이아몬드, 은-도금 알루미나, 은-도금 합금 42, 은-도금 그래핀, 은-코팅 중합체, 카드뮴 및 카드뮴의 합금, 납 및 납의 합금, 안티모니 및 안티모니의 합금 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물을 포함한다. 상기 미립자 전도성 충전제는 전형적으로 약 1 nm 내지 약 50 μm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 전도성 충전제는 약 10 nm 내지 약 20 μm 범위의 입자 크기를 갖는다.
본 발명에 따르면, 본원에 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자는 실질적으로 나노미립자일 수 있거나, 또는 본원에 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자는 실질적으로 보다 큰 비-나노미립자일 수 있거나, 또는 본원에 사용되는 소결가능한 전도성 금속 미립자는 나노미립자 및 비-나노미립자의 조합일 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 일부 실시양태에서, 본원에 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 100 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위 입자 크기 및 약 2 - 1000 nm 범위의 평균 입자 크기를 갖고, 나머지의 소결가능한 전도성 금속 입자는 50 μm 이하의 입자 크기를 갖는다.
본 발명의 일부 실시양태에서, 본원에 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 100 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖는다.
본 발명의 일부 실시양태에서, 본원에 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 10 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 20 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 30 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 40 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 50 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 60 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 70 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 80 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 90 중량%가 약 2 - 1000 nm 범위의 입자 크기를 갖는다.
일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 10 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 20 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 30 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 40 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 50 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 60 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 70 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 80 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 90 중량%가 약 2 - 500 nm 범위의 입자 크기를 갖는다.
일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 10 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 20 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 30 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 40 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 50 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 60 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 70 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 80 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 90 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기 및 약 1 - 25 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖는다.
일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 10 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 20 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 30 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 40 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 50 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 60 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 70 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 80 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 실시에서 사용되는 소결가능한 전도성 금속 입자의 최대 90 중량%가 50 μm 이하의 입자 크기, 및 약 10 nm - 10 μm 범위의 평균 입자 크기를 갖는다.
본원에 사용하기 위해 고려된 그래핀 물질은 벌집형 격자로 결합된 탄소 기재 물질의 단일 층이다. 일부 실시양태에서, 약 0.2 내지 약 5 wt% 범위의 그래핀이 본원에 사용하기 위해 고려되고; 일부 실시양태에서, 약 0.3 내지 약 4.5 wt% 범위의 그래핀이 본원에 사용하기 위해 고려되고; 일부 실시양태에서, 약 0.4 내지 약 4 wt% 범위의 그래핀이 본원에 사용하기 위해 고려되고; 일부 실시양태에서, 약 0.5 내지 약 2.5 wt% 범위의 그래핀이 본원에 사용하기 위해 고려된다.
희석제
비-반응성 희석제
본 발명의 특정 실시양태의 실시에 요구되지 않지만, 비-반응성 유기 희석제가 임의로 사용되어, 예를 들어 보다 낮은 점도, 개선된 분배성 등의 결과로서, 예를 들어, 본 발명 제제의 취급을 용이하게 하고; 사용되는 경우, 희석제의 비점은, 희석제가 증발할 때 입자가 서로 접촉하고 소결되도록 충전제 소결 온도에 근접해야 하는 것이 바람직하다.
예시적인 비-반응성 유기 희석제는, 존재할 경우, 방향족 탄화수소 (예를 들어, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등), 포화 탄화수소 (예를 들어, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 테트라데칸), 염소화된 탄화수소 (예를 들어, 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 사염화탄소, 디클로로에탄, 트리클로로에틸렌 등), 에테르 (예를 들어, 디에틸 에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산, 글리콜 에테르, 에틸렌 글리콜의 모노알킬 또는 디알킬 에테르 등), 폴리올 (예를 들어, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 등), 에스테르 (예를 들어, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 메톡시 프로필 아세테이트 등); 이염기 에스테르 (예를 들어, DBE-9), 알파-테르피네올, 베타-테르피네올, 케로센, 디부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 카르비톨 아세테이트, 에틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜, 고비점 알콜 및 그의 에스테르, 글리콜 에테르, 케톤 (예를 들어, 아세톤, 메틸 에틸 케톤 등), 아미드 (예를 들어, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등), 헤테로방향족 화합물 (예를 들어, N-메틸피롤리돈 등) 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 사용된 희석제는 부틸 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 (카르비톨 아세테이트), 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, MEK, 아세톤, 또는 DBE-9이다.
반응성 희석제
반응성 유기 희석제 (예를 들어, 그 위에 1개 이상의 반응성 기를 보유하는 저분자량 유기 모이어티)는 또한 임의로 사용되어, 결과, 예를 들어, 예를 들어 더 낮은 점도, 향상된 분배 기능 등 (및 생성된 제제의 향상된 안정성 및 성능 특성)의 결과로서 본 발명 제제의 취급을 용이하게 하고; 사용되는 경우, 반응성 유기 희석제의 비점은 충전제 소결 온도에 근접해야 하는 것이 바람직하여, 반응성 유기 희석제는 증발하고/거나 본 발명 제제의 다른 성분과 반응함으로써 입자가 서로 접촉하고 소결한다.
중합체 수지
매우 다양한 중합체 수지는 본원에 사용하기 위해 고려되고; 예시적인 중합체 수지는 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지를 포함한다.
일부 실시양태에서, 본 발명 제제에 사용하기 위해 고려된 중합체 수지는 열경화성이다.
본 발명 제제가 열경화성 수지를 포함하는 경우, 제제는 전형적으로
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 0.1 wt% 내지 약 20 wt% 범위의 열경화성 수지,
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 75 wt% 내지 약 95 wt% 범위의 소결가능한 전도성 금속 입자,
약 0.2 내지 약 5 wt% 범위의 그래핀, 및
제제의 총 중량을 기준으로 하여 1 내지 약 20 wt% 범위의 임의적인 희석제
를 포함한다.
일부 실시양태에서, 본 발명 제제에 사용하기 위해 고려된 수지는 열가소성이다.
본 발명 제제가 열가소성 수지를 포함하는 경우, 제제는 전형적으로
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 0.5 wt% 내지 약 90 wt% 범위의 열가소성 수지,
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 10 wt% 내지 약 95 wt% 범위의 소결가능한 전도성 금속 입자,
약 0.2 내지 약 5 wt% 범위의 그래핀, 및
제제의 총 중량을 기준으로 하여 0 내지 약 89.5 wt% 범위의 임의적인 희석제
를 포함한다.
일부 실시양태에서, 본 발명 제제에 사용하기 위해 고려된 수지는 열경화성 및 열가소성의 조합물이다.
본 발명 제제가 열경화성 및 열가소성의 조합물을 포함하는 경우, 제제는 전형적으로
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 0.1 wt% 내지 약 80 wt% 범위의 열경화성 수지,
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 0.1 wt% 내지 약 80 wt% 범위의 열가소성 수지,
제제의 총 중량을 기준으로 하여 약 10 wt% 내지 약 95 wt% 범위의 소결가능한 전도성 금속 입자,
약 0.2 내지 약 5 wt% 범위의 그래핀, 및
제제의 총 중량을 기준으로 하여 0 내지 약 89.5 wt% 범위의 임의적인 희석제
를 포함한다.
본원에 사용하기 위해 고려된 예시적인 열경화성 수지는 에폭시, 아크릴계, 아크릴레이트, 아크릴레이트 에스테르, 비닐 수지, 말레이미드, 나드이미드, 이타콘이미드, 시아네이트 에스테르, 알키드 수지, 시아네이트 에스테르, 페놀계, 벤족사진, 폴리이미드, 관능화 폴리이미드, 옥세탄, 비닐 에테르, 폴리우레탄, 멜라민, 우레아-포름알데히드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 실리콘, 멜라민 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물을 포함한다.
상기 열경화성 수지와 함께 본원에 사용하기 위해 고려된 예시적인 경화제는 우레아, 지방족 아민, 방향족 아민, 아민 경화제, 폴리아미드, 이미다졸, 디시안디아미드, 히드라지드, 우레아-아민 하이브리드 경화계, 자유 라디칼 개시제 (예를 들어, 퍼옥시 에스테르, 퍼옥시 카르보네이트, 히드로퍼옥시드, 알킬퍼옥시드, 아릴퍼옥시드, 아조 화합물 등), 유기 염기, 전이 금속 촉매, 페놀, 산 무수물, 루이스 산, 루이스 염기 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물을 포함한다.
에폭시
매우 다양한 에폭시-관능화된 수지, 예를 들어, 비스페놀 A를 기재로 하는 액체형 에폭시 수지, 비스페놀 A를 기재로 하는 고체형 에폭시 수지, 비스페놀 F를 기재로 하는 액체형 에폭시 수지 (예를 들어, 에피클론(Epiclon) EXA-835LV), 페놀-노볼락 수지를 기재로 하는 다관능성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (예를 들어, 에피클론 HP-7200L), 나프탈렌형 에폭시 수지 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물이 본원에 사용하기 위해 고려된다.
본원에서 사용이 고려된 예시적인 에폭시-관능화 수지는 시클로지방족 알콜인 수소화 비스페놀 A의 디에폭시드 (에팔로이(Epalloy) 5000으로서 상업적으로 입수가능함), 헥사히드로프탈산 무수물의 이관능성 시클로지방족 글리시딜 에스테르 (에팔로이 5200으로서 상업적으로 입수가능함), 에피클론 EXA-835LV, 에피클론 HP-7200L 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물을 포함한다.
특정 실시양태에서, 에폭시 성분은 2종 이상의 다양한 비스페놀 기재 에폭시의 조합을 포함할 수 있다. 이들 비스페놀 기재 에폭시는 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 비스페놀 S 에폭시, 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다. 또한, 수지의 동일한 유형 내에서 2종 이상의 다양한 비스페놀 에폭시 (예컨대 A, F 또는 S)가 사용될 수 있다.
본원에 사용하기 위해 고려된 비스페놀 에폭시의 상업적으로 입수가능한 예는 비스페놀-F-형 에폭시 (예컨대 일본의 니폰 가야쿠(Nippon Kayaku)의 RE-404-S, 및 다이 니폰 잉크 앤 케미칼스, 인크.(Dai Nippon Ink & Chemicals, Inc.)의 에피클론 830 (RE1801), 830S (RE1815), 830A (RE1826) 및 830W, 및 레졸루션(Resolution)의 RSL 1738 및 YL-983U) 및 비스페놀-A-형 에폭시 (예컨대 레졸루션의 YL-979 및 980)를 포함한다.
다이 니폰 및 상기 기재한 회사에서 상업적으로 입수가능한 비스페놀 에폭시는 비스페놀 A 에폭시 기재의 통상적인 에폭시보다 훨씬 더 낮은 점도를 갖는 액상의 희석되지 않은 에피클로로히드린-비스페놀 F 에폭시로서 권장되고 액상의 비스페놀 A 에폭시와 유사한 물리적 특성을 갖는다. 비스페놀 F 에폭시는 비스페놀 A 에폭시보다 더 낮은 점도를 갖고, 다른 모든 것들은 2가지 유형의 에폭시 간에 동일하여, 이에 의해 더 낮은 점도 및 그에 따른 빠른 유동성의 언더필 실란트 물질을 제공한다. 이들 4종의 비스페놀 F 에폭시의 EEW는 165 내지 180이다. 25℃에서의 점도는 3,000 내지 4,500 cps이다(점도 상한이 4,000 cps인 RE1801은 제외함). 가수분해성 클로라이드 함량은 RE1815 및 830W에 대해 200ppm으로 보고되고, RE1826에 대해 100ppm으로 보고되어 있다.
레졸루션 및 상기 기재한 회사에서 상업적으로 입수가능한 비스페놀 에폭시가 낮은 클로라이드 함유 액체 에폭시로서 권장된다. 비스페놀 A 에폭시는 180 내지 195의 EEW (g/eq) 및 25℃에서의 점도 100 내지 250 cps를 갖는다. YL-979의 총 클로라이드 함량은 500 내지 700ppm으로 보고되고, YL-980의 경우는 100 내지 300ppm으로 보고되어 있다. 비스페놀 F 에폭시는 165 내지 180의 EEW (g/eq) 및 25℃에서의 점도 30 내지 60을 갖는다. RSL-1738의 총 클로라이드 함량은 500 내지 700ppm으로 보고되고, YL-983U의 경우는 150 내지 350ppm으로 보고되어 있다.
비스페놀 에폭시 뿐만 아니라, 다른 에폭시 화합물이 본 발명 제제의 에폭시 성분으로 사용하기 위해 고려된다. 예를 들어, 시클로지방족 에폭시, 예컨대 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥실카르보네이트가 사용될 수 있다. 또한 일관능성, 이관능성 또는 다관능성 반응성 희석제를 사용하여 생성된 수지 재료의 점도를 조정하고/거나 Tg를 낮출 수 있다. 예시적인 반응성 희석제는 부틸 글리시딜 에테르, 크레실 글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 글리시딜 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 글리시딜 에테르 등을 포함한다.
본원에서 사용하기에 적합한 에폭시는 페놀 화합물의 폴리글리시딜 유도체, 예컨대 상표명 EPON으로 상업적으로 입수가능한 것, 예컨대 레졸루션의 EPON 828, EPON 1001, EPON 1009, 및 EPON 1031; 다우 케미칼 캄파니(Dow Chemical Co.)의 DER 331, DER 332, DER 334, 및 DER 542; 및 니폰 가야쿠의 BREN-S를 포함한다. 다른 적합한 에폭시는 폴리올 등으로부터 제조된 폴리에폭시드 및 페놀-포름알데히드 노볼락의 폴리글리시딜 유도체를 포함하고, 후자는 예컨대 다우 케미칼의 DEN 431, DEN 438, 및 DEN 439이다. 또한, 크레졸 유사체는 시바 스페셜티 케미칼스 코포레이션(Ciba Specialty Chemicals Corporation)의 상표명 아랄다이트(ARALDITE), 예컨대 아랄다이트 ECN 1235, 아랄다이트 ECN 1273 및 아랄다이트 ECN 1299로 상업적으로 입수가능하다. SU-8은 레졸루션에서 입수가능한 비스페놀-A-형 에폭시 노볼락이다. 아민, 아미노알콜 및 폴리카르복실산의 폴리글리시딜 첨가물이 또한 본 발명에 유용하고, 그의 상업적으로 입수가능한 수지는 F.I.C. 코포레이션의 글리아민(GLYAMINE) 135, 글리아민 125, 및 글리아민 115; 시바 스페셜티 케미칼스의 아랄다이트 MY-720, 아랄다이트 0500, 및 아랄다이트 0510 및 셔윈-윌리암스 캄파니(Sherwin-Williams Co.)의 PGA-X 및 PGA-C를 포함한다.
본원에서 임의로 사용하기에 적합한 일관능성 에폭시 공반응물 희석제는 보통 점도가 약 250 cps 미만인, 에폭시 성분의 것보다 더 낮은 점도를 갖는 것을 포함한다.
일관능성 에폭시 공반응물 희석제는 약 6 내지 약 28개의 탄소 원자의 알킬 기를 갖는 에폭시 기를 가져야 하며, 그의 예는 C6-28 알킬 글리시딜 에테르, C6-28 지방산 글리시딜 에스테르, C6-28 알킬페놀 글리시딜 에테르 등을 포함한다.
이러한 일관능성 에폭시 공반응물 희석제가 포함되는 경우에, 이러한 공반응물 희석제는 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 사용되어야 하고; 일부 실시양태에서 공반응물 희석제는 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.25 중량% 내지 약 5 중량%의 양으로 사용되어야 한다.
에폭시 성분은 약 1 중량% 내지 약 40 중량% 범위의 양으로 조성물 중에 존재해야 하고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 제제는 에폭시를 약 2 중량% 내지 약 18 중량% 포함하고; 일부 실시양태에서, 본 발명의 제제는 에폭시를 약 5 내지 약 15 중량% 포함한다.
일부 실시양태에서, 본원에 사용된 에폭시 성분은 실란 개질된 에폭시, 예를 들어 하기를 포함하는 물질의 조성물이다.
(A) 하기 구조에 포함되는 에폭시 성분:
Figure pct00001
여기서
Y는 존재하거나 또는 존재하지 않을 수 있고, Y가 존재하는 경우 직접 결합, CH2, CH(CH3)2, C=O, 또는 S이고,
R1은 여기서 알킬, 알케닐, 히드록시, 카르복시 및 할로겐이고,
x는 여기서 1-4임;
(B) 하기 구조에 포함되는 에폭시-관능화 알콕시 실란:
Figure pct00002
여기서
R1은 옥시란-함유 모이어티이고,
R2은 알킬 또는 알콕시-치환된 알킬, 아릴, 또는 아르알킬 기 (1 내지 10개의 탄소 원자를 가짐); 및
(C) 성분 (A) 및 (B)의 반응 생성물.
실란-개질된 에폭시 중 한 예는 비스페놀 A, E, F 또는 S 에폭시 또는 비페닐 에폭시와 같은 방향족 에폭시와 에폭시 실란의 반응 생성물로서 형성되며, 여기서 에폭시 실란은 하기 구조에 포함된다.
Figure pct00003
여기서
R1은 옥시란-함유 모이어티이고, 그의 예로는 2-(에톡시메틸)옥시란, 2-(프로폭시메틸)옥시란, 2-(메톡시메틸)옥시란, 및 2-(3-메톡시프로필)옥시란을 포함하고,
R2는 알킬 또는 알콕시-치환된 알킬, 아릴, 또는 아르알킬 기 (1 내지 10개의 탄소 원자를 가짐)이다.
한 실시양태에서, R1은 2-(에톡시메틸)옥시란이고 R2는 메틸이다.
실란 개질된 에폭시를 제조하는데 사용된 방향족 에폭시의 이상적인 구조는 하기를 포함한다.
Figure pct00004
여기서
Y는 존재하거나 또는 존재하지 않을 수 있고, Y가 존재하는 경우, 이는 직접 결합, CH2, CH(CH3)2, C=O, 또는 S이고,
R1은 알킬, 알케닐, 히드록시, 카르복시 또는 할로겐이고,
x는 1-4이다.
물론, x가 2-4일 때, 방향족 에폭시의 사슬 연장된 버전이 또한 이 구조에 포함되는 것으로 생각된다.
예를 들어, 방향족 에폭시의 사슬 연장된 버전은 하기 구조에 포함될 수 있다.
Figure pct00005
일부 실시양태에서, 실록산 개질된 에폭시 수지는 하기 구조를 갖는다.
-(O-Si(Me)2-O-Si(Me)(Z)-O-Si(Me)2-O-Si(Me)2)n-
여기서
Z는 -O-(CH2)3-O-Ph-CH2-Ph-O-(CH2-CH(OH)-CH2-O-Ph-CH2-Ph-O-)n-CH2-옥시란이고,
n은 약 1-4의 범위에 있다.
일부 실시양태에서, 실록산 개질된 에폭시 수지는 그의 반응을 촉진하기에 적합한 조건 하에 하기 성분의 조합을 접촉시킴으로써 제조된다.
Figure pct00006
여기서 "n"은 약 1-4의 범위에 있다.
실란 개질된 에폭시는 또한 방향족 에폭시, 에폭시 실란, 및 방향족 에폭시와 에폭시 실란의 반응 생성물의 조합일 수 있다. 반응 생성물은 1:100 내지 100:1의 중량비, 예를 들어 1:10 내지 10:1의 중량비로 방향족 에폭시 및 에폭시 실란로부터 제조될 수 있다.
본 발명의 조성물에 사용하기 위해 고려된 에폭시 단량체(들)의 수량은 생성된 제제가 약 1 - 20 중량% 범위로 상기 에폭시를 포함하도록 충분한 것이다. 특정 실시양태에서, 생성된 제제는 약 2-18 중량%의 범위로 상기 에폭시를 포함한다. 특정 실시양태에서, 생성된 제제는 약 5-15 중량%의 범위로 상기 에폭시를 포함한다.
에폭시 경화제는 임의로 에폭시 단량체(들)와 조합하여 사용된다. 예시적인 에폭시 경화제는 우레아, 지방족 및 방향족 아민, 아민 경화제, 폴리아미드, 이미다졸, 디시안디아미드, 히드라지드, 우레아-아민 하이브리드 경화계, 자유 라디칼 개시제 (예를 들어, 퍼옥시 에스테르, 퍼옥시 카르보네이트, 히드로퍼옥시드, 알킬퍼옥시드, 아릴퍼옥시드, 아조 화합물 등), 유기 염기, 전이 금속 촉매, 페놀, 산 무수물, 루이스 산, 루이스 염기 등을 포함한다.
에폭시 경화제가 존재하는 경우, 본 발명의 조성물은 약 0.1 - 2 중량% 범위로 이를 포함한다. 특정 실시양태에서, 본 발명의 조성물은 약 0.5 - 5 중량%의 범위로 에폭시 경화제를 포함한다.
아크릴레이트
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 아크릴레이트는 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 5,717,034를 참고하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로 포함된다.
본원에 사용하기 위해 고려된 예시적인 아크릴레이트는 일관능성 (메트)아크릴레이트, 이관능성 (메트)아크릴레이트, 삼관능성 (메트)아크릴레이트, 다관능성 (메트)아크릴레이트 등을 포함한다.
예시적인 일관능성 (메트)아크릴레이트는 페닐페놀 아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌 아크릴레이트, 아크릴로일옥시에틸 숙시네이트, 지방산 아크릴레이트, 메타크릴로일옥시에틸프탈산, 페녹시에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 지방산 메타크릴레이트, β-카르복시에틸 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트, 히드록시에틸 아크릴레이트, 히드록시프로필 아크릴레이트, 디히드로시클로펜타디에틸 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트, 디에틸아미노에틸 메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸 메타크릴레이트, 4-히드록시부틸 아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 에틸카르비톨 아크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 모노펜타에리트리톨 아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 아크릴레이트, 폴리펜타에리트리톨 아크릴레이트 등을 포함한다.
예시적인 이관능성 (메트)아크릴레이트는 헥산디올 디메타크릴레이트, 히드록시아크릴로일옥시프로필 메타크릴레이트, 헥산디올 디아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 비스페놀 A-형 에폭시아크릴레이트, 개질된 에폭시아크릴레이트, 지방산-개질된 에폭시아크릴레이트, 아민-개질된 비스페놀 A-형 에폭시아크릴레이트, 알릴 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 에톡실화 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디메타크릴레이트, 글리세린 디메타크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 프로폭실화 에톡실화 비스페놀 A 디아크릴레이트, 9,9-비스(4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐) 플루오렌, 트리시클로데칸 디아크릴레이트, 디프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, PO-개질된 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트, 1,12-도데칸디올 디메타크릴레이트 등을 포함한다.
예시적인 삼관능성 (메트)아크릴레이트는 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 에톡시 트리아크릴레이트, 폴리에테르 트리아크릴레이트, 글리세린 프로폭시 트리아크릴레이트 등을 포함한다.
예시적인 다관능성 (메트)아크릴레이트는 디펜타에리트리톨 폴리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨에톡시 테트라아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트 등을 포함한다.
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 추가의 예시적인 아크릴레이트는 미국 특허 번호 5,717,034에 기재된 것을 포함하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로 포함된다.
말레이미드, 나드이미드 또는 이타콘이미드
본원에 사용하기 위해 고려된 말레이미드, 나드이미드 또는 이타콘이미드는 각각 하기 구조를 갖는 화합물 및 이들 중 2종 이상의 조합이다.
Figure pct00007
여기서
m은 1-15이고,
p는 0-15이고,
각각의 R2는 독립적으로 수소 또는 저급 알킬 (예컨대 C1-5)로부터 선택되고,
J는 유기 또는 오르가노실록산 라디칼을 포함하는 1가 또는 다가 라디칼이다.
본 발명의 일부 실시양태에서, J는
- 전형적으로 약 6 내지 약 500개 범위의 탄소 원자를 갖는 히드로카르빌 또는 치환된 히드로카르빌 종 (여기서 히드로카르빌 종은 알킬, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 알킬아릴, 아릴알킬, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐 또는 알키닐아릴로부터 선택되나, 단 X가 2종 이상의 상이한 종의 조합을 포함하는 경우에만 X가 아릴일 수 있음)
- 전형적으로 약 6 내지 약 500개 범위의 탄소 원자를 갖는 히드로카르빌렌 또는 치환된 히드로카르빌렌 종 (여기서 히드로카르빌렌 종은 알킬렌, 알케닐렌, 알키닐렌, 시클로알킬렌, 시클로알케닐렌, 아릴렌, 알킬아릴렌, 아릴알킬렌, 아릴알케닐렌, 알케닐아릴렌, 아릴알키닐렌 또는 알키닐아릴렌으로부터 선택됨)
- 전형적으로 약 6 내지 약 500개 범위의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클릭 또는 치환된 헤테로시클릭 종,
- 폴리실록산, 또는
- 폴리실록산-폴리우레탄 블록 공중합체, 뿐만 아니라 상기 중 1종 이상과, 공유 결합, -O-, -S-, -NR-, -NR-C(O)-, -NR-C(O)-O-, -NR-C(O)-NR-, -S-C(O)-, -S-C(O)-O-, -S-C(O)-NR-, -O-S(O)2-, -O-S(O)2-O-, -O-S(O)2-NR-, -O-S(O)-, -O-S(O)-O-, -O-S(O)-NR-, -O-NR-C(O)-, -O-NR-C(O)-O-, -O-NR-C(O)-NR-, -NR-O-C(O)-, -NR-O-C(O)-O-, -NR-O-C(O)-NR-, -O-NR-C(S)-, -O-NR-C(S)-O-, -O-NR-C(S)-NR-, -NR-O-C(S)-, -NR-O-C(S)-O-, -NR-O-C(S)-NR-, -O-C(S)-, -O-C(S)-O-, -O-C(S)-NR-, -NR-C(S)-, -NR-C(S)-O-, -NR-C(S)-NR-, -S-S(O)2-, -S-S(O)2-O-, -S-S(O)2-NR-, -NR-O-S(O)-, -NR-O-S(O)-O-, -NR-O-S(O)-NR-, -NR-O-S(O)2-, -NR-O-S(O)2-O-, -NR-O-S(O)2-NR-, -O-NR-S(O)-, -O-NR-S(O)-O-, -O-NR-S(O)-NR-, -O-NR-S(O)2-O-, -O-NR-S(O)2-NR-, -O-NR-S(O)2-, -O-P(O)R2-, -S-P(O)R2-, 또는 -NR-P(O)R2- (여기서 각각의 R은 독립적으로 수소, 알킬 또는 치환된 알킬임)로부터 선택된 링커와의 조합
으로부터 선택되는 1가 또는 다가 라디칼이다.
예시적인 조성물은 J가 옥시알킬, 티오알킬, 아미노알킬, 카르복실알킬, 옥시알케닐, 티오알케닐, 아미노알케닐, 카르복시알케닐, 옥시알키닐, 티오알키닐, 아미노알키닐, 카르복시알키닐, 옥시시클로알킬, 티오시클로알킬, 아미노시클로알킬, 카르복시시클로알킬, 옥시시클로알케닐, 티오시클로알케닐, 아미노시클로알케닐, 카르복시시클로알케닐, 헤테로시클릭, 옥시헤테로시클릭, 티오헤테로시클릭, 아미노헤테로시클릭, 카르복시헤테로시클릭, 옥시아릴, 티오아릴, 아미노아릴, 카르복시아릴, 헤테로아릴, 옥시헤테로아릴, 티오헤테로아릴, 아미노헤테로아릴, 카르복시헤테로아릴, 옥시알킬아릴, 티오알킬아릴, 아미노알킬아릴, 카르복시알킬아릴, 옥시아릴알킬, 티오아릴알킬, 아미노아릴알킬, 카르복시아릴알킬, 옥시아릴알케닐, 티오아릴알케닐, 아미노아릴알케닐, 카르복시아릴알케닐, 옥시알케닐아릴, 티오알케닐아릴, 아미노알케닐아릴, 카르복시알케닐아릴, 옥시아릴알키닐, 티오아릴알키닐, 아미노아릴알키닐, 카르복시아릴알키닐, 옥시알키닐아릴, 티오알키닐아릴, 아미노알키닐아릴 또는 카르복시알키닐아릴, 옥시알킬렌, 티오알킬렌, 아미노알킬렌, 카르복시알킬렌, 옥시알케닐렌, 티오알케닐렌, 아미노알케닐렌, 카르복시알케닐렌, 옥시알키닐렌, 티오알키닐렌, 아미노알키닐렌, 카르복시알키닐렌, 옥시시클로알킬렌, 티오시클로알킬렌, 아미노시클로알킬렌, 카르복시시클로알킬렌, 옥시시클로알케닐렌, 티오시클로알케닐렌, 아미노시클로알케닐렌, 카르복시시클로알케닐렌, 옥시아릴렌, 티오아릴렌, 아미노아릴렌, 카르복시아릴렌, 옥시알킬아릴렌, 티오알킬아릴렌, 아미노알킬아릴렌, 카르복시알킬아릴렌, 옥시아릴알킬렌, 티오아릴알킬렌, 아미노아릴알킬렌, 카르복시아릴알킬렌, 옥시아릴알케닐렌, 티오아릴알케닐렌, 아미노아릴알케닐렌, 카르복시아릴알케닐렌, 옥시알케닐아릴렌, 티오알케닐아릴렌, 아미노알케닐아릴렌, 카르복시알케닐아릴렌, 옥시아릴알키닐렌, 티오아릴알키닐렌, 아미노아릴알키닐렌, 카르복시 아릴알키닐렌, 옥시알키닐아릴렌, 티오알키닐아릴렌, 아미노알키닐아릴렌, 카르복시알키닐아릴렌, 헤테로아릴렌, 옥시헤테로아릴렌, 티오헤테로아릴렌, 아미노헤테로아릴렌, 카르복시헤테로아릴렌, 헤테로원자-함유 2가 또는 다가 시클릭 모이어티, 옥시헤테로원자-함유 2가 또는 다가 시클릭 모이어티, 티오헤테로원자-함유 2가 또는 다가 시클릭 모이어티, 아미노에테로원자-함유 2가 또는 다가 시클릭 모이어티, 또는 카르복시헤테로원자-함유 2가 또는 다가 시클릭 모이어티인 것을 포함한다.
시아네이트 에스테르계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 시아네이트 에스테르 단량체는 가열 시 고리삼량체화 (cyclotrimerize)하여 치환된 트리아진 고리를 형성하는 2개 이상의 고리 형성 시아네이트 기(-O-C≡N)를 함유한다. 시아네이트 에스테르 단량체의 경화 동안 이탈기 또는 휘발성 부산물이 형성되지 않기 때문에, 경화 반응은 첨가 중합으로 지칭된다. 본 발명의 실시에서 사용될 수 있는 적합한 폴리시아네이트 에스테르 단량체는, 예를 들어 1,1-비스(4-시아네이토페닐)메탄, 1,1-비스(4-시아네이토페닐)에탄, 2,2-비스(4-시아네이토페닐)프로판, 비스(4-시아네이토페닐)-2,2-부탄, 1,3-비스[2-(4-시아네이토 페닐)프로필]벤젠, 비스(4-시아네이토페닐)에테르, 4,4'-디시아네이토디페닐, 비스(4-시아네이토-3,5-디메틸페닐)메탄, 트리스(4-시아네이토페닐)에탄, 시안화 노볼락, 1,3-비스[4-시아네이토페닐-1-(1-메틸에틸리덴)]벤젠, 시안화 페놀디시클로펜타디엔 부가물 등을 포함한다. 본 발명에 따라 이용되는 폴리시아네이트 에스테르 단량체는 산 수용체의 존재 하에 적절한 2가 또는 다가 페놀과 할로겐화 시아노겐을 반응시켜 용이하게 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 폴리시아네이트 에스테르 단량체(들)와 임의적으로 조합될 수 있는 단량체는 첨가 중합을 수행하는 그러한 단량체로부터 선택된다. 이러한 단량체는 비닐 에테르, 디비닐 에테르, 디알릴 에테르, 디메타크릴레이트, 디프로파길 에테르, 혼합 프로파길 알릴 에테르, 모노말레이미드, 비스말레이미드 등을 포함한다. 이러한 단량체의 예시는 시클로헥산디메탄올 모노비닐 에테르, 트리스알릴시아누레이트, 1,1-비스(4-알릴옥시페닐)에탄, 1,1-비스(4-프로파길옥시페닐)에탄, 1,1-비스(4-알릴옥시페닐-4'-프로파길옥시페닐)에탄, 3-(2,2-디메틸트리메틸렌 아세탈)-1-말레이미도벤젠, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌-1,6-비스말레이미드, 2,2-비스[4-(4-말레이미도페녹시)페닐]프로판 등을 포함한다.
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 추가의 시아네이트 에스테르는 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 번호 5,718,941를 참조하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로 포함된다.
실리콘
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 실리콘은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 번호 5,717,034를 참조하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로 포함된다.
옥세탄
옥세탄 (즉, 1,3-프로필렌 옥시드)은 분자식 C3H6O를 갖고, 3개의 탄소 원자 및 1개의 산소 원자를 갖는 4-원의 고리를 갖는 헤테로시클릭 유기 화합물이다. 용어 옥세탄은 또한 일반적으로 옥세탄 고리를 함유하는 임의의 유기 화합물을 지칭한다. 예를 들어, 문헌 [Burkhard et al., in Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 9052 - 9067]을 참고하며, 그 전체 내용은 참고로 본원에 포함된다.
폴리에스테르계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 폴리에스테르는 폴리올 (다가 알콜로도 알려짐)과 포화 또는 불포화 이염기 산의 반응에 의해 형성되는 축합 중합체를 지칭한다. 사용된 전형적인 폴리올은 글리콜 예컨대 에틸렌 글리콜이고, 흔히 사용되는 산은 프탈산 및 말레산이다. 에스테르화 반응의 부산물인 물은 계속해서 제거되어, 반응은 완결에 이르게 된다. 불포화 폴리에스테르 및 스티렌과 같은 첨가제의 사용은 수지의 점도를 낮춘다. 초기 액체 수지가 사슬의 가교에 의해 고체로 전환된다. 이는 불포화 결합에서 자유 라디칼을 생성하여 행해지고, 이는 사슬 반응 내 인접한 분자의 다른 불포화 결합으로 전파되어, 상기 과정에서 인접한 사슬을 결합시킨다.
폴리우레탄계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 폴리우레탄은 카르바메이트 (우레탄) 결합에 의해 연결된 유기 단위의 사슬로 구성되는 중합체를 지칭한다. 폴리우레탄 중합체는 이소시아네이트와 폴리올을 반응시켜 형성된다. 폴리우레탄을 제조하는데 사용된 이소시아네이트 및 폴리올 둘 다는 분자 당 평균 2개 이상의 관능기를 함유한다.
폴리이미드계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 폴리이미드는 이미드 연결 (즉, -C(O)-N(R)-C(O)-)에 의해 접합된 유기 단위의 사슬로 구성된 중합체를 지칭한다. 폴리이미드 중합체는 다양한 반응에 의해, 즉 이무수물과 디아민의 반응, 이무수물과 디이소시아네이트의 반응 등에 의해 형성될 수 있다.
멜라민계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 멜라민은 중합에 의해 멜라민(즉, 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리아민) 및 포름알데히드로부터 제조된 경질 열경화성 플라스틱 재료를 지칭한다. 이의 부틸화 형태에서, n-부탄올 및/또는 크실렌에 용해될 수 있다. 이는 다른 수지 예컨대 알키드, 에폭시, 아크릴 및 폴리에스테르 수지와 가교하는 데 사용될 수 있다.
우레아-포름알데히드계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 우레아-포름알데히드는 온화한 염기 예컨대 암모니아 또는 피리딘의 존재 하에 가열된 우레아 및 포름알데히드로부터 제조된 불투명한 열경화성 수지 또는 플라스틱을 지칭한다.
페놀-포름알데히드계 수지
본 발명의 실시에 사용하기 위해 고려된 페놀-포름알데히드는 페놀 또는 치환된 페놀과 포름알데히드의 반응에 의해 얻어진 합성 중합체를 지칭한다.
본원에 사용이 고려된 예시적인 열가소성 수지는 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트 (예를 들어, 폴리(메타크릴레이트), 폴리(부틸 메타크릴레이트), 폴리우레탄, 페녹시, 폴리에틸옥시아졸린, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리비닐 알콜, 폴리아크릴아미드, 폴리글리콜, 및 폴리아크릴산; 폴리(에틸렌 글리콜), 방향족 비닐 중합체, 가요성 에폭시, 에폭시 관능기를 갖는 중합체, 폴리카르보네이트, ABS, PC/ABS 알로이, 나일론, 고유 전도성 중합체, 실리콘 중합체, 실록산 중합체, 고무, 폴리올레핀, 비닐 중합체, 폴리아미드, 플루오로중합체, 폴리페닐렌 에테르, 코폴리에스테르카르보네이트, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 공중합체, 폴리아릴레이트 에테르 술폰 또는 케톤, 폴리아미드 이미드, 폴리에테르이미드, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(1,4-부틸렌 테레프탈레이트), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리프로필렌-EPDM 블렌드, 부타디엔, 스티렌-부타디엔, 니트릴, 클로로술포네이트, 네오프렌, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 공중합체, 폴리에테르에스테르, 스티렌/아크릴로니트릴 중합체, 폴리페닐렌 술피드, 니트릴 고무, 셀룰로스 수지 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물을 포함한다.
임의적인 첨가제
본 발명의 일부 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 조성물은 1종 이상의 유동 첨가제, 접착 촉진제, 레올로지 개질제, 강인화제, 플럭싱제, 필름 가요성화제, 페놀-노볼락 경화제, 에폭시-경화 촉매 (예를 들어, 이미다졸), 경화제 (예를 들어, 디쿠밀 퍼옥시드) 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물을 추가로 포함할 수 있다.
본원에 사용된 용어 "유동 첨가제"는 이들이 도입된 제제의 점도를 개질시키는 화합물을 지칭한다. 이러한 특성을 부여하는 예시적인 화합물은 규소 중합체, 에틸 아크릴레이트/2-에틸헥실 아크릴레이트 공중합체, 케톡심의 인산 에스테르의 알킬올 암모늄 염 등, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 조합을 포함한다.
본원에 사용된 용어 "접착 촉진제"는 이들이 도입된 제제의 접착제 특성을 증진시키는 화합물을 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "레올로지 개질제"는 이들이 도입된 제제의 1종 이상의 물리적 특성을 개질시키는 첨가제를 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "강인화제"는 이들이 도입된 제제의 내충격성을 증진시키는 첨가제를 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "플럭싱제"는 용융 금속의 표면 상에 산화물이 형성되는 것을 방지하는 환원제를 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "필름 가요성화제"는 이를 함유하는 제제로부터 제조된 필름에 가요성을 부여하는 작용제를 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "페놀-노볼락 경화제"는 반응성 기의 추가의 상호작용에 참여하여 그의 가교를 증가시킴으로써 그의 강성을 증진시키는 물질을 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "에폭시-경화 촉매"는 에폭시-함유 모이어티의 올리고머화 및/또는 중합을 촉진하는 반응성 작용제, 예를 들어 이미다졸을 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "경화제"는 모노머, 올리고머 또는 중합체 물질의 경화를 촉진하는 반응성 작용제 예컨대 디쿠밀 퍼옥시드를 지칭한다.
물품/어셈블리
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 그 안에 1개 이상의 갭을 갖는 적합한 기재를 포함하는 물품/어셈블리가 제공되며, 여기서 갭(들)은 본원에 기재된 본 발명 제제로 충전된다. 적합한 기재 물질은 EMC (에폭시 성형 배합물), 라미네이트 기재, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리올레핀 (예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등), 폴리카르보네이트, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 유리 등을 포함한다.
적합한 기재 구조는 다이 (예를 들어, 질화규소 패시베이션을 갖는 Si 다이, 폴리이미드 패시베이션을 갖는 Si 다이, BT 기재, 무가공 Si 등), 적층 다이, 웨이퍼, 플립 칩 패키지, 하이브리드 메모리 큐브, TSV 디바이스, SR4 기재, SR5 기재 등을 포함한다.
본 발명에 따라 적용된 본 발명 제제는 적용된 기재에 대해 우수한 접착을 나타낸다.
관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 용이하게 인식되는 바와 같이, 본 발명 제제와 그를 위한 기재 사이의 접착력은 다양한 방식, 예를 들어 시험 방법 D 3359-97에 따른 ASTM 표준 크로스-컷 테이프 시험에 의해 결정될 수 있다. 전형적으로, 시험 방법 D 3359-97에 따른 ASTM 표준 크로스-컷 테이프 시험에 의해 결정된 바와 같이, 제제와 기재 사이에 접착력은 적어도 수준 1B이다. 일부 실시양태에서, 적어도 ASTM 수준 1B와 대등한 접착력이 관찰된다 (즉, 테이프 시험에 적용된 후 본래 부착된 필름 표면의 적어도 35%가 기재에 부착되어 남아있음). 본 발명의 특정 실시양태에서, 적어도 ASTM 수준 2B에 대등한 접착력이 관찰된다 (즉, 테이프 시험에 적용된 후 본래 접착된 제제의 적어도 65%가 기재에 부착되어 남아있음). 본 발명의 특정 실시양태에서, 적어도 ASTM 수준 3B에 대등한 접착력이 관찰된다 (즉, 테이프 시험에 적용된 후 본래 접착된 제제의 적어도 85%가 기재에 부착되어 남아있음). 본 발명의 특정 실시양태에서, 적어도 ASTM 수준 4B에 대등한 접착력이 관찰된다 (즉, 테이프 시험에 적용된 후 본래 접착된 제제의 적어도 95%가 기재에 부착되어 남아있음). 본 발명의 특정 실시양태에서, 적어도 ASTM 수준 5B에 대등한 접착력이 관찰된다 (즉, 테이프 시험에 적용된 후 본래 접착된 제제의 100%가 기재에 부착되어 남아있음).
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기재의 모든 노출된 표면 상에 본 발명의 조성물의 실질적으로 균일한 코팅을 갖는 기재를 포함하는 물품이 제공된다.
일부 측면에서, 기재는 본 발명 물품의 상부 및 임의의 측벽에 본 발명의 조성물로 실질적으로 균일하게 코팅된다. 일부 측면에서, 조성물은 적합한 기재에 적용한 후에 건조, 경화 및/또는 소결된다.
본 발명의 추가의 실시양태에 따라,
본원에 기재된 임의의 실시양태에 따른 전도성 제제를 제제의 모세관 유동에 적합한 조건 하에 개방 엣지에 또는 갭을 따라 분배하는 단계, 및
패키지를 모세관 유동에 적합한 조건에 적용하는 단계,
제제를 그의 열경화성 성분을 경화시키는데 적합한 조건에 임의로 적용하는 단계, 및
그로부터 임의의 나머지 희석제를 임의로 제거하는 단계
를 포함하는, 전자 패키지에서 갭을 충전하여 그의 전자기 간섭 (EMI) 차폐를 달성하는 방법을 제공한다.
본원에서 고려되는 분배는 분사, 정전기 분무, 바늘 분배, 공기 분무 등과 같은 방법을 포함한다.
본원에서 고려되는 모세관 유동에 적합한 조건은, 갭을 감압에 적용하는 것, 갭을 승압에 적용하는 것, 물품을 진공 오븐에 노출시키는 것, 물품을 압력 오븐에 노출시키는 것 등을 포함한다.
본 발명 제제의 열경화성 성분을 경화시키기에 적합한 조건은 오븐 경화, 스냅 경화, 자외선 경화, 마이크로웨이브 경화, 전자선 경화 등을 포함한다.
임의로, 본 발명에 따라 전자 패키지 내의 갭을 충전하기 전에 (즉, 전도성 제제를 그에 분배하기 전에), 패키지는 갭의 표면 처리 (예를 들어, 플라즈마 세정, 용매 (예를 들어, 물) 세척, 코로나 처리, 프라이머 처리 등에 의함)에 임의로 적용될 수 있다.
본원에서 임의로 포함하는 것이 고려되는 추가의 추가적 단계는 캡슐화제를 전자 패키지에 적용하는 단계 및/또는 컨포멀 코팅을 패키지의 전체 또는 부분에 적용하는 단계를 포함한다.
본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 250 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 200 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 150 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 120 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 100 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 80 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 60 μm 미만이고; 일부 실시양태에서, 본 발명 제제 및 방법을 사용하여 충전하기 위해 고려되는 갭은 전형적으로 약 40 μm 미만이다.
본 발명의 또 다른 실시양태에 따르면,
본 발명에 따른 조성물을 전자 부품에 정전기 분무 가공에 의해 적용하는 단계, 및
조성물을 건조, 경화 및/또는 소결하는 단계
를 포함하는, 전자 부품에 전자기 간섭 차폐 (EMI) 보호를 부여하는 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시양태에 따르면,
본 발명에 따른 조성물을 적합한 기재에 미리 규정된 패턴으로 정전기 분무 가공에 의해 적용하는 단계, 및 그 후에
상기 조성물을 건조, 경화 및/또는 소결하는 단계
를 포함하는, 전도성 네트워크를 제조하는 방법이 제공된다.
본 발명의 추가 실시양태에 따라, 상기 기재된 방법에 의해 제조된 전도성 네트워크가 제공된다.
본원에서 고려되는 전도성 네트워크는 전형적으로 약 1x10-3 Ω.cm 이하의 부피 저항률을 갖는다.
본 발명의 다양한 측면은 하기 비-제한적인 실시예에 의해 예시된다. 실시예는 예시적 목적을 위한 것이며 본 발명의 임의의 실시에 대해 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 변형 및 수정이 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 관련 기술분야의 통상의 기술자는 본원에 기재된 반응물 및 성분을 합성하거나 상업적으로 입수하는 방법을 용이하게 안다.
실시예
비교예 제제 A 및 예시적인 제제 B (그래핀 함유) 및 C (추가적으로 중합체 수지 (예를 들어, 고분자량 페놀계 에폭시) 함유)는 표 1에 요약된 바와 같이 은 충전제, 희석제 (예를 들면, 프로필렌 카르보네이트 또는 카르비톨 아세테이트), 임의로 중합체 수지, 및 임의로, 그래핀의 지정된 양을 조합함으로써 제조하였다.
표 1
Figure pct00008
*는 고분자량 페놀계 에폭시이다.
**는 2-(2-에톡시에톡시)에틸 아세테이트이고; 또한 디에틸렌 글리콜로도 공지된다.
생성된 제제를 110℃에서 30분 승온에 적용한 후, 이어서 200℃에서 30분 승온에 적용함으로써 경화시키고, 이어서 200℃에서 60분 동안 유지하였다. 결과는 표 2에 요약된다.
표 2
Figure pct00009
표 2에 나타난 결과의 검토는 그래핀-함유 제제가 대조군 제제보다 실질적으로 보다 적은 수축을 겪는다는 것을 나타내고; 탁월한 전도성을 유지하면서 보다 가요성이었다.
본원에서 도시되고 설명된 것 이외에, 본 발명의 다양한 변형예는 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 이러한 변형은 또한 첨부된 청구범위의 범주 내에 속하는 것으로 의도된다.
본 명세서에서 언급되는 모든 특허 및 간행물은 본 발명이 속하는 관련 기술분야의 통상의 기술자의 수준에 대한 지표이다. 이들 특허 및 간행물은 각각의 개별 출원 또는 간행물이 구체적으로 및 개별적으로 본원에 참조로 포함되는 것과 동일한 정도로 본원에 참조로 포함된다.
상기 설명은 본 발명의 특정 실시형태를 나타내지만 그 실행에 대해 제한하는 것을 의미하지 않는다. 이들의 모든 등가물을 포함하는 이하의 청구항은 본 발명의 범위를 규정하고자 하는 것이다.

Claims (20)

  1. 약 75 내지 약 95 wt% 범위의 소결가능한 전도성 금속 입자,
    약 0.2 내지 약 5 wt% 범위의 그래핀,
    약 1 내지 약 20 wt% 범위의 희석제, 및
    0 내지 약 20 wt% 범위의 중합체 수지
    를 포함하는 가요성 저 수축의 전도성 제제이고;
    여기서
    상기 소결가능한 전도성 금속 입자는 임의로 표면 처리되고, 약 1 nm 내지 약 50 μm 범위의 입자 크기를 갖고,
    상기 그래핀 입자는 임의로 표면 처리되고, 약 1 nm 내지 약 50 μm 범위의 입자 크기를 갖고,
    상기 희석제는 저점도의 반응성 또는 비-반응성 물질이고;
    상기 중합체 수지는 열경화성 또는 열가소성이고,
    여기서 상기 제제는 약 250℃ 이하의 온도에서 소결가능한 것인
    가요성 저 수축의 전도성 제제.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소결가능한 금속 입자가 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄, 인듐, 니켈의 합금, 아연의 합금, 철의 합금, 인듐의 합금, 은-도금 구리, 은-도금 알루미늄, 비스무트, 주석, 비스무트-주석 합금, 은-도금 섬유, 은-도금 흑연, 은-도금 탄화규소, 은-도금 질화붕소, 은-도금 다이아몬드, 은-도금 알루미나, 은-도금 합금 42, 은-도금 그래핀, 은-코팅 중합체, 카드뮴 및 카드뮴의 합금, 납 및 납의 합금, 안티모니 및 안티모니의 합금, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물로부터 선택된 것인 제제.
  3. 제1항에 있어서, 상기 그래핀이 상기 제제의 약 0.5 내지 약 4 wt% 범위로 존재하는 것인 제제.
  4. 제1항에 있어서, 상기 희석제가 반응성인 제제.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반응성 희석제가 에폭시, 아크릴, 아크릴레이트, 아크릴레이트 에스테르, 말레이미드, 나드이미드, 이타콘이미드, 시아네이트 에스테르, 페놀계, 벤족사진, 폴리이미드, 관능화 폴리이미드, 옥세탄, 실리콘 또는 멜라민, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물로부터 선택된 것인 제제.
  6. 제1항에 있어서, 상기 희석제가 비-반응성인 제제.
  7. 제1항에 있어서, 상기 희석제가 방향족 탄화수소, 포화 탄화수소, 염소화 탄화수소, 에테르, 폴리올, 에스테르, 이염기성 에스테르, 알파-테르피네올, 베타-테르피네올, 케로센, 디부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 카르비톨 아세테이트, 에틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜, 고비점 알콜 및 그의 에스테르, 글리콜 에테르, 케톤, 아미드, 헤테로방향족 화합물, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물인 제제.
  8. 제1항에 있어서, 상기 수지가 열경화성인 제제.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열경화성 수지가 상기 제제의 약 0.1 wt% 내지 약 90 wt% 범위로 포함되고,
    상기 소결가능한 전도성 금속 입자가 상기 제제의 약 10 wt% 내지 약 95 wt% 범위로 포함되고,
    상기 경화제가 상기 제제의 약 0.01 wt% 내지 약 1 wt% 범위로 포함되고,
    상기 그래핀이 상기 제제의 약 0.2 내지 약 5 wt% 범위로 포함되고,
    상기 임의적인 희석제가 상기 제제의 0 내지 약 89.8 wt% 범위로 포함되는 것인 제제.
  10. 제8항에 있어서, 상기 열경화성 수지가 에폭시, 아크릴, 아크릴레이트, 아크릴레이트 에스테르, 비닐 수지, 말레이미드, 나드이미드, 이타콘이미드, 시아네이트 에스테르, 알키드 수지, 시아네이트 에스테르, 페놀계, 벤족사진, 폴리이미드, 관능화 폴리이미드, 옥세탄, 비닐 에테르, 폴리우레탄, 멜라민, 우레아-포름알데히드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 실리콘, 멜라민, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물인 제제.
  11. 제10항에 있어서, 상기 열경화성 수지를 위한 경화제가 우레아, 지방족 아민, 방향족 아민, 아민 경화제, 폴리아미드, 이미다졸, 디시안디아미드, 히드라지드, 우레아-아민 하이브리드 경화계, 자유 라디칼 개시제, 유기 염기, 전이 금속 촉매, 페놀, 산 무수물, 루이스 산, 루이스 염기, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물인 제제.
  12. 제1항에 있어서, 상기 수지가 열가소성인 제제.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 열가소성 수지가 상기 제제의 약 0.5 wt% 내지 약 90 wt% 범위로 포함되고,
    상기 소결가능한 전도성 금속 입자가 상기 제제의 약 10 wt% 내지 약 95 wt% 범위로 포함되고,
    상기 그래핀이 상기 제제의 약 0.2 내지 약 5 wt% 범위로 포함되고,
    상기 임의적인 희석제가 상기 제제의 0 내지 약 89.5 wt% 범위로 포함되는 것인 제제.
  14. 제12항에 있어서, 상기 열가소성 수지가 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트, 폴리우레탄, 페녹시, 폴리에틸옥시아졸린, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리비닐 알콜, 폴리아크릴아미드, 폴리글리콜, 폴리아크릴산; 폴리(에틸렌 글리콜), 방향족 비닐 중합체, 가요성 에폭시, 에폭시 관능기를 갖는 중합체, 폴리 카르보네이트, ABS, PC/ABS 알로이, 나일론, 고유 전도성 중합체, 실리콘 중합체, 실록산 중합체, 고무, 폴리올레핀, 비닐 중합체, 폴리아미드, 플루오로중합체, 폴리페닐렌 에테르, 코폴리에스테르카르보네이트, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 공중합체, 폴리아릴레이트 에테르 술폰 또는 케톤, 폴리아미드 이미드, 폴리에테르이미드, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(1,4-부틸렌 테레프탈레이트), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리프로필렌-EPDM 블렌드, 폴리부타디엔, 스티렌-부타디엔, 니트릴, 클로로술포네이트, 네오프렌, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 공중합체, 폴리에테르에스테르, 스티렌/아크릴로니트릴 중합체, 폴리페닐렌 술피드, 니트릴 고무, 셀룰로스 수지, 뿐만 아니라 이들 중 임의의 2종 이상의 혼합물인 제제.
  15. 적합한 기재에 적용된 제1항에 따른 전도성 제제의 소결된 분취물을 포함하는 물품.
  16. 제1항에 따른 전도성 제제를 전자 패키지에 적용하는 단계, 및
    상기 패키지를 상기 제제를 소결시키는데 적합한 조건에 적용하는 단계
    를 포함하는, 전자 패키지의 전자기 간섭 (EMI) 차폐를 달성하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제제를 약 0.1 내지 100 μm 범위의 두께에 적용하는 것인 방법.
  18. 전자 패키지 내의 1개 이상의 갭이 제1항에 따른 소결 제제로 충전된, 전자 패키지를 포함하는 차폐된 물품.
  19. 소결 시 소결가능한 금속 입자를 포함하는 제제의 수축을 감소시키는 방법이며, 제제의 소결 전에 상기 제제 내로 그래핀을 약 0.2 내지 약 5 wt% 범위로 도입하는 것을 포함하는 방법.
  20. 소결 시 소결가능한 금속 입자를 포함하는 제제의 취성을 감소시키는 방법이며, 제제의 소결 전에 상기 제제 내로 그래핀을 약 0.2 내지 약 5 wt% 범위로 도입하는 것을 포함하는 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110156000B (zh) * 2019-06-04 2022-07-12 四川恒力盛泰石墨烯科技有限公司 一种石墨烯的多级分散方法
CN112467418B (zh) * 2020-10-19 2021-06-22 南京盟瑞自动化有限公司 一种具有防雷功能的射频连接器
US20220262754A1 (en) * 2021-02-18 2022-08-18 International Business Machines Corporation Sintering a nanoparticle paste for semiconductor chip join
CN113441712B (zh) * 2021-06-15 2023-11-21 宁波职业技术学院 一种石墨烯改性的Ni-Cu-Pb复合金属材料及其制备方法
CN114716706A (zh) * 2022-05-06 2022-07-08 曹上飞 一种超薄热反应无基材膜的制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130019196A (ko) * 2011-08-16 2013-02-26 삼성전기주식회사 금속 분말, 이의 제조 방법, 및 상기 금속 분말로 된 내부 전극을 포함하는 적층 세라믹 캐패시터
JP2013149596A (ja) * 2011-12-21 2013-08-01 Shoei Chem Ind Co 熱硬化型導電性ペースト
JP2016000843A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 片野染革株式会社 球状複合金属微粒子およびその製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646241A (en) 1995-05-12 1997-07-08 Quantum Materials, Inc. Bleed resistant cyanate ester-containing compositions
US5717034A (en) 1996-07-29 1998-02-10 Quantum Materials, Inc. Perfluorinated hydrocarbon polymer-filled adhesive formulations and uses therefor
US5849809A (en) * 1996-08-29 1998-12-15 Xerox Corporation Hydroxyalkylated high performance curable polymers
US7633015B2 (en) 2008-03-31 2009-12-15 Apple Inc. Conforming, electro-magnetic interference reducing cover for circuit components
JP2011526309A (ja) * 2008-07-03 2011-10-06 ヘンケル コーポレイション 銀被覆フレーク状材料で充填された伝導性硬化性組成物およびダイ取付け用途
US20110135884A1 (en) * 2009-04-06 2011-06-09 Vorbeck Materials Corp. Bent Coated Articles
BRPI1010855A2 (pt) * 2009-06-12 2016-04-05 Lord Corp método para proteção de um substrato contra interferência eletromagnética
US8299159B2 (en) * 2009-08-17 2012-10-30 Laird Technologies, Inc. Highly thermally-conductive moldable thermoplastic composites and compositions
US8493749B2 (en) 2009-10-12 2013-07-23 Apple Inc. Conforming EMI shielding
KR101307378B1 (ko) * 2009-12-31 2013-09-11 제일모직주식회사 전자파 차폐 특성이 우수한 열가소성 수지 조성물
KR101337994B1 (ko) * 2010-04-14 2013-12-06 한국과학기술원 그래핀/금속 나노 복합 분말 및 이의 제조 방법
US9484279B2 (en) 2010-06-02 2016-11-01 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming EMI shielding layer with conductive material around semiconductor die
US20110315916A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Dow Global Technologies Inc. Curable composition
TWI509631B (zh) * 2011-02-25 2015-11-21 Henkel IP & Holding GmbH 用於電子裝置之可燒結銀薄片黏著劑
US9007739B2 (en) * 2011-08-25 2015-04-14 Lord Corporation Lightning strike protection system
WO2014070346A1 (en) * 2012-09-28 2014-05-08 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrically conductive coatings containing graphenic carbon particles
EP2780281A4 (en) * 2011-11-14 2015-05-27 Vorbeck Materials Corp GRAPHENE COMPOSITIONS
KR101329974B1 (ko) * 2012-01-12 2013-11-13 한화케미칼 주식회사 복합탄소소재를 포함하는 전자파 차폐용 수지 조성물
KR101982010B1 (ko) * 2012-03-15 2019-05-24 주식회사 동진쎄미켐 금속-판상의 그라핀 분말 및 이를 포함하는 전자파 차폐용 코팅 조성물
ITRM20120495A1 (it) * 2012-10-16 2014-04-17 Univ Roma "nanocompositi polimerici a base di gnp per la riduzione di interferenze elettromagnetiche"
CN104098795B (zh) * 2013-04-12 2016-09-21 中国石油化工股份有限公司 一种导电热塑性弹性体及其制备方法
KR20140129769A (ko) 2013-04-30 2014-11-07 동양피스톤 주식회사 알루미늄 피스톤의 국부강화용 알루미늄합금 조성물 및, 이 조성물을 이용한 국부강화층이 형성된 알루미늄 피스톤
WO2014210584A1 (en) * 2013-06-28 2014-12-31 Graphene 3D Lab Inc. Dispersions for nanoplatelets of graphene-like materials
JP6576345B2 (ja) 2013-08-16 2019-09-18 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング サブミクロン銀粒子インク組成物、プロセスおよび応用
JP6486369B2 (ja) * 2013-09-05 2019-03-20 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 金属焼結フィルム組成物
CN103839605B (zh) * 2014-02-26 2016-04-13 华中科技大学 一种导电浆料及其制备方法和应用
KR20150101544A (ko) * 2014-02-27 2015-09-04 주식회사 이젠 구리철 합금의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 구리철 합금
WO2015157987A1 (en) 2014-04-18 2015-10-22 Ablestik (Shanghai) Ltd. Emi shielding composition and process for applying it
GB2544981A (en) * 2015-12-01 2017-06-07 Tallinn Univ Of Tech A composite shielding material and a process of making the same
US9926427B2 (en) * 2015-12-10 2018-03-27 Nanotek Instruments, Inc. Chemical-free production of graphene-reinforced polymer matrix composites
CN105733243A (zh) * 2016-02-24 2016-07-06 江苏道勤新材料科技有限公司 一种导电塑料表带材料
US20200102453A1 (en) * 2018-10-02 2020-04-02 Lockheed Martin Corporation Conductive thermoplastic polycarbonate/acrylonitrile butadiene styrene (pc/abs) polymer with nanomaterials and articles and methods thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130019196A (ko) * 2011-08-16 2013-02-26 삼성전기주식회사 금속 분말, 이의 제조 방법, 및 상기 금속 분말로 된 내부 전극을 포함하는 적층 세라믹 캐패시터
JP2013149596A (ja) * 2011-12-21 2013-08-01 Shoei Chem Ind Co 熱硬化型導電性ペースト
JP2016000843A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 片野染革株式会社 球状複合金属微粒子およびその製造方法

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CN109475941B (zh) 2022-07-12

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