KR20190043799A - Display panel - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display panel in which a GIP of a gate driving circuit is arranged in a pixel array. The display panel comprises: a display region having data lines and scan lines intersecting and including sub-pixels arranged at each intersection portion; and at least one GIP distributed and arranged in unit pixel regions of each scan line in the display region and supplying a scan pulse to a corresponding gate line, wherein the unit pixel region includes at least three sub-pixel parts, a GIP part in which one element constituting the GIP is disposed, and a GIP internal connection wiring part in which connection wirings for connecting respective elements of the GIP are disposed and wherein each scan line includes a protrusion part protruding to a region having the GIP internal connection wiring part and the respective data lines intersecting and prevents a parasitic capacitance from being generated between the plurality of data lines and the GIP internal connection wirings.

Description

표시 패널{Display panel}Display panel {Display panel}

본 발명은 화소 어레이 내에 게이트 구동 회로의 GIP가 배치되고, 데이터 라인과 GIP의 Q 노드 간의 커플링을 차단할 수 있는 표시 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a display panel in which a GIP of a gate driving circuit is arranged in a pixel array and the coupling between the data line and the Q-node of the GIP can be blocked.

정보화 사회가 발전하고, 이동통신 단말기 및 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다.As an information-oriented society develops and various portable electronic devices such as a mobile communication terminal and a notebook computer develop, a demand for a flat panel display device that can be applied to the portable electronic device is gradually increasing.

이와 같은 평판 표시 장치로는, 액정을 이용한 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display)와 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치가 활용되고 있다.As such a flat panel display device, an OLED display device using a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED) is used.

이러한 평판 표시 장치들은 영상을 표시하기 위해 복수개의 게이트 라인들 및 복수개의 데이터 라인들을 구비한 표시 패널과, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 구동회로로 구성된다.Such flat panel display devices include a display panel having a plurality of gate lines and a plurality of data lines for displaying an image, and a driving circuit for driving the display panel.

상기와 같은 표시 장치들 중 액정 표시 장치의 표시 패널은, 유리 기판상에 박막트랜지스터 어레이가 형성되는 박막트랜지스터 어레이 기판과, 유리 기판상에 칼라 필터 어레이가 형성되는 칼라 필터 어레이 기판과, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 상기 칼라 필터 어레이 기판 사이에 충진된 액정층을 구비한다.A display panel of the liquid crystal display device among the display devices includes a thin film transistor array substrate on which a thin film transistor array is formed on a glass substrate, a color filter array substrate on which a color filter array is formed, And a liquid crystal layer filled between the array substrate and the color filter array substrate.

상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은, 제1방향으로 연장되는 복수개의 게이트 라인들(GL)과, 제1방향과 수직인 제2방향으로 연장되는 복수개의 데이터 라인들(DL)을 포함하며, 각 게이트 라인과 각 데이터 라인에 의하여 하나의 서브 화소 영역(Pixel; P)이 정의된다. 하나의 서브 화소 영역(P) 내에는 하나의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된다.The thin film transistor array substrate includes a plurality of gate lines GL extending in a first direction and a plurality of data lines DL extending in a second direction perpendicular to the first direction, And one sub pixel region (Pixel P) is defined by each data line. One thin film transistor and a pixel electrode are formed in one sub pixel region (P).

이러한 액정 표시 장치의 표시 패널은, 전기장 생성 전극 (화소 전극 및 공통 전극)에 전압을 인가하여 상기 액정층에 전기장을 생성하고, 상기 전기장에 의해 액정층의 액정 분자들의 배열 상태를 조절하여 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.In the display panel of such a liquid crystal display device, a voltage is applied to an electric field generating electrode (pixel electrode and common electrode) to generate an electric field in the liquid crystal layer, and the arrangement state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer is adjusted by the electric field, The image is displayed by controlling the polarization.

또한, 상기와 같은 표시 장치들 중 OLED 표시 장치의 표시 패널은, 상기 복수개의 게이트 라인들과 복수개의 데이터 라인들이 교차하여 서브 화소가 정의되고, 각 서브 화소들은, 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED와, 상기 OLED를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다.In the display panel of the OLED display device among the above-described display devices, a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect to define sub-pixels, and each sub-pixel includes an anode and a cathode, And a pixel circuit for independently driving the OLED.

상기 화소 회로는 다양하게 구성될 수 있으나, 적어도 하나의 스위칭 TFT, 커패시터 및 구동 TFT를 포함한다.The pixel circuit may be variously configured, but includes at least one switching TFT, a capacitor, and a driving TFT.

상기 적어도 하나의 스위칭 TFT는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터에 충전한다. 상기 구동 TFT는 상기 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다.The at least one switching TFT charges the capacitor with a data voltage in response to a scan pulse. The driving TFT controls the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the capacitor to control the amount of light emitted from the OLED.

이러한 표시 장치용 표시 패널은, 사용자에게 이미지를 제공하는 표시 영역(active area, AA)과 상기 표시영역(AA)의 주변 영역인 비표시 영역(non-active area, NA)으로 정의된다.The display panel for a display device is defined as a non-active area (NA) that is a peripheral area of the display area AA and a display area (AA) that provides an image to the user.

또한, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 상기 구동회로는 상기 표시 패널의 상기 복수개의 게이트 라인들에 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 순차적으로 공급하는 게이트 구동 회로와, 상기 표시 패널의 상기 복수개의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로와, 상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로에 영상 데이터 및 각종 제어신호를 공급하는 타이밍 콘트롤러 등으로 이루어진다.The driving circuit for driving the display panel may further include: a gate driving circuit for sequentially supplying gate pulses (or scan pulses) to the plurality of gate lines of the display panel; And a timing controller for supplying video data and various control signals to the gate driving circuit and the data driving circuit, and the like.

상기 게이트 구동 회로는, 적어도 하나의 게이트 드라이브 IC로 구성될 수도 있지만, 상기 표시 패널의 상기 복수개의 신호 라인 (게이트 라인들 및 데이터 라인들)과 서브 화소를 형성하는 과정에서 상기 표시 패널의 비표시 영역상에 동시에 형성될 수 있다.The gate driving circuit may be constituted by at least one gate drive IC, but it is preferable that in the process of forming the sub-pixel and the plurality of signal lines (gate lines and data lines) of the display panel, Region can be formed simultaneously.

즉, 상기 게이트 구동 회로를 상기 표시 패널에 직접화시키는 게이트-인-패널(Gate-In-Panel; 이하 "GIP"라고도 함) 방식이 적용되고 있다.In other words, a gate-in-panel (hereinafter referred to as " GIP ") method of directly driving the gate driving circuit to the display panel is applied.

상기와 같은 게이트 구동 회로는 각 게이트 라인들에 스캔 펄스를 순차적으로 공급하기 위하여, 게이트 라인의 개수 이상의 복수개의 스테이지(stage; 이하 "GIP"로 표현한다)를 포함하여 구성되고, 구동 특성을 향상시키기 위하여 산화물 반도체 박막트랜지스터들을 이용한다.The gate driving circuit includes a plurality of stages (hereinafter, referred to as " GIP ") equal to or greater than the number of gate lines in order to sequentially supply scan pulses to the respective gate lines, Oxide semiconductor thin film transistors.

즉, 상기 게이트 구동 회로는 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지(GIP)를 포함한다. 그리고, 각 스테이지(GIP)는 각 게이트 라인에 연결되어, 상기 타이밍 콘트롤러로부터 인가되는 클럭신호, 게이트 스타트 신호, 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압 등을 수신하여, 하나의 캐리 펄스와 하나의 스캔 펄스를 생성하는 출력부를 포함한다.That is, the gate driving circuit includes a plurality of stages (GIP) that are connected in a dependent manner. Each stage GIP is connected to each gate line and receives a clock signal, a gate start signal, a gate high voltage and a gate low voltage applied from the timing controller, and outputs one carry pulse and one scan pulse And an output unit for generating the output.

도1은 일반적인 (n)번째 GIP의 구성 블럭도이다.1 is a block diagram of a general (n) -th GIP.

상기 각 GIP는, 도 1에 도시한 바와 같이, 스타트 펄스(start pulse) 또는 전단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(SET)에 의해 셋팅되고, 후단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(RST)에 의해 리셋팅되어 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb)의 전압을 제어하는 노드 제어부(100)와, 다수의 스캔 펄스 출력용 클럭신호(SCCLKs) 중 하나의 스캔 펄스 출력용 클럭신호와 상기 다수의 캐리 펄스 출력용 클럭신호(CRCLKs) 중 하나의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호를 수신하여, 상기 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb)의 전압 레벨에 따라 하나의 스캔 펄스((So(n)) 및 하나의 캐리 펄스(Co(n))를 출력하는 출력부(200)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, each of the GIPs is set by a start pulse or a carry pulse SET output from the GIP of the preceding stage, and is set by a carry pulse RST output from the GIP of the following stage. A node controller 100 for controlling the voltages of the first and second nodes Q and Qb and a scan pulse output clock signal SCCLKs for a plurality of scan pulse output signals, And one carry pulse (So (n)) according to the voltage levels of the first and second nodes (Q, Qb), and a carry pulse output clock signal of one of the clock signals (CRCLKs) And an output unit 200 for outputting Co (n).

6상의 클럭 신호에 의해 구동되는 GIP의 경우, 상기 노드 제어부(100)는 3번째 전단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(Co(n-3))에 의해 셋팅되고, 3번째 후단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(Co(n+3))에 의해 리셋팅되어 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb)의 전압을 제어한다.In the case of the GIP driven by the 6-phase clock signal, the node control unit 100 is set by the carry pulse Co (n-3) outputted from the GIP of the third previous stage, and output by the GIP of the third And is reset by the carry pulse Co (n + 3) to control the voltages of the first and second nodes Q and Qb.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 GIP의 출력부(200)는, 캐리 펄스 출력부 및 스캔 펄스 출력부를 구비하여 구성된다.Although not shown in the figure, the output unit 200 of the GIP includes a carry pulse output unit and a scan pulse output unit.

상기 캐리 펄스 출력부는 복수개의 캐리용 클럭 신호 중 하나의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호가 인가되는 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 단과 제 1 게이트 로우 전압단(VGL1) 사이에 직렬 연결되는 제 1 풀업 트랜지스터 및 제 1 풀다운 트랜지스터를 구비하여 구성된다.The carry pulse output unit includes a first pull-up transistor and a second pull-down transistor connected in series between a carry signal output clock signal for applying a carry pulse output clock signal of a plurality of carry clock signals and a first gate low voltage signal line (VGL1) And a transistor.

상기 제 1 풀업 트랜지스터는 상기 제 1 노드(Q)의 전압 레벨에 따라 온/오프되고, 상기 제 1 풀다운 트랜지스터는 상기 제 2 노드(Qb)의 전압 레벨에 따라 온/오프되어 상기 입력된 캐리 펄스 출력용 클럭 신호를 캐리 펄스(Co(n))로 출력한다.The first pull-up transistor is turned on / off according to a voltage level of the first node (Q), and the first pull-down transistor is turned on / off according to a voltage level of the second node (Qb) And outputs the output clock signal as a carry pulse Co (n).

상기 스캔 펄스 출력부는 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호가 인가되는 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 단과 제 2 게이트 로우 전압단(VGL2) 사이에 직렬 연결되는 제 2 풀업 트랜지스터 및 제 2 풀다운 트랜지스터와, 상기 제 2 풀업 트랜지스터의 게이트 전극과 소오스 전극 사이에 연결되는 부트스트랩(bootstrap) 커패시터를 구비하여 구성된다.The scan pulse output unit includes a second pull-up transistor connected in series between a clock signal output clock pulse signal for applying one scan pulse output clock signal of the plurality of scan pulse output clock signals and a second gate low voltage terminal (VGL2) A pull-down transistor, and a bootstrap capacitor connected between a gate electrode of the second pull-up transistor and a source electrode.

상기 제 2 풀업 트랜지스터는 상기 제 1 노드(Q)의 전압 레벨에 따라 온/오프되고, 상기 제 2 풀다운 트랜지스터는 상기 제 2 노드(Qb)의 전압 레벨에 따라 온/오프되어 상기 입력된 스캔 펄스 출력용 클럭 신호를 스캔 펄스(So(n))로 출력한다.The second pull-up transistor is turned on / off according to the voltage level of the second node (Qb), and the second pull- And outputs the output clock signal as a scan pulse So (n).

도 2는 도 1에 도시된 (n) 번째 GIP의 동작을 보여 주는 파형도이다.FIG. 2 is a waveform diagram showing the operation of the (n) -th GIP shown in FIG.

도 2에서는 상술한 바와 같이, 상기 노드 제어부(100)는 3번째 전단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(Co(n-3))에 의해 셋팅되고, 3번째 후단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(Co(n+3))에 의해 리셋팅되어 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb)의 전압을 제어함을 도시한 것이다.2, the node controller 100 sets the carry pulse Co (n-3) output from the third preceding GIP and the carry pulse Co (n-3) (n + 3)) to control the voltages of the first and second nodes Q and Qb.

상기 (n)번째 GIP(GIP(n))는 3번째 전단의 GIP에서 출력되는 캐리 펄스(Co(n-3))에 의해 셋팅되어 상기 제 1 노드(Q)를 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전하고, 상기 제 2 노드(Qb)를 게이트 로우 전압(VGL) 상태로 방전한다. 따라서, 상기 캐리 펄스 출력부의 제 1 풀업 트랜지스터와 상기 스캔 펄스 출력부의 제 2 풀업 트랜지스터는 턴-온되고, 상기 캐리 펄스 출력부의 제 1 풀다운 트랜지스터와 상기 스캔 펄스 출력부의 제 2 풀다운 트랜지스터는 턴-오프된다.The (n) -th GIP (GIP (n)) is set by the carry pulse Co (n-3) output from the GIP of the third previous stage to turn the first node Q to the gate high voltage VGH , And discharges the second node (Qb) to a gate low voltage (VGL) state. Therefore, the first pull-up transistor of the carry pulse output unit and the second pull-up transistor of the scan pulse output unit are turned on, and the first pull-down transistor of the carry pulse output unit and the second pull- do.

그리고, 상기 캐리 펄스 출력부의 제 1 풀업 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 스캔 펄스 출력부의 제 2 풀업 트랜지스터의 드레인 전극에는 동일 위상을 갖는 클럭 신호(CRCLK, SCCLK)가 인가된다.Clock signals (CRCLK and SCCLK) having the same phase are applied to the drain electrode of the first pull-up transistor of the carry pulse output unit and the drain electrode of the second pull-up transistor of the scan pulse output unit.

상기 제 1 풀업 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 2 풀업 트랜지스터의 드레인 전극에 하이 레벨의 클럭 신호(CRCLK, SCCLK)가 인가되면, 상기 부트스트랩 커패시터에 의해 상기 플로팅된 제 1 노드(Q)의 전압이 부트스트래핑되어 2VGH 만큼 상승된다.When high level clock signals (CRCLK, SCCLK) are applied to the drain electrode of the first pull-up transistor and the drain electrode of the second pull-up transistor, the voltage of the floating first node (Q) And is bootstrapped and raised by 2VGH.

이와 같이 상기 제 1 노드(Q)가 브트스트랩핑된 상태에서, 상기 캐리 펄스 출력부 및 상기 스캔 펄스 출력부는 입력되는 클럭 펄스(CRCLK, SCCLK)를 각각 캐리 펄스(Co(n)) 및 스캔 펄스(So(n))로 출력한다.In the state where the first node Q is bootstrapped, the carry pulse output unit and the scan pulse output unit convert the input clock pulses CRCLK and SCCLK into carry pulses Co (n) (So (n)).

그리고, 상기 3번째 후단 GIP 에서 출력되는 캐리 펄스(Co(n+3))에 의해 리셋되어 상기 제 1 노드(Q)는 로우 상태가 되고, 상기 제 2 노드(Qb)를 하이 상태가 된다. 따라서, 상기 캐리 펄스 출력부의 제 1 풀업 트랜지스터와 상기 스캔 펄스 출력부의 제 2 풀업 트랜지스터는 턴-오ㄷ프되고, 상기 캐리 펄스 출력부의 제 1 풀다운 트랜지스터와 상기 스캔 펄스 출력부의 제 2 풀다운 트랜지스터는 턴-온되어, 캐리 펄스(Co(n)) 및 스캔 펄스(So(n))로 게이트 로우 전압(VGL)을 출력한다.The first node Q is reset by the carry pulse Co (n + 3) output from the third rear-end GIP, and the second node Qb becomes a high state. Accordingly, the first pull-up transistor of the carry pulse output unit and the second pull-up transistor of the scan pulse output unit are turned off, and the first pull-down transistor of the carry pulse output unit and the second pull- -, and outputs the gate low voltage VGL to the carry pulse Co (n) and the scan pulse So (n).

이와 같이 종래의 게이트 구동 회로는 상기 표시 패널의 비표시 영역에 직접화되므로, 평판 표시 장치의 네로우 베젤(Narrow bezel) 설계가 어렵다.Thus, since the conventional gate driving circuit is directly formed in the non-display region of the display panel, it is difficult to design a narrow bezel of the flat panel display device.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 베젤을 최소화하기 위하여 표시 패널의 표시 영역에 GIP를 배치하고, GIP 내부 연결 배선과 데이터 라인 간의 커플링 특성을 차단할 수 있는 표시 패널을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a display panel in which a GIP is disposed in a display region of a display panel to minimize a bezel, It has its purpose.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 패널은, 데이터 라인들과 스캔 라인들이 교차되고, 상기 각 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 및 상기 표시 영역 내의 각 스캔 라인의 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 GIP를 적어도 하나 구비하고, 상기 단위 화소 영역은, 적어도 3개의 서브 화소부와, GIP를 구성하는 하나의 소자가 배치되는 GIP부와, GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들이 배치되는 GIP 내부 연결 배선부를 구비하고, 각 스캔 라인은, 상기 GIP 내부 연결 배선부와 각 데이터 라인들이 교차되는 부분으로 돌출되어 상기 복수개의 데이터 라인들과 상기 GIP 내부 연결 배선들 간에 기생 커패시턴스가 발생됨을 차단하는 돌출부를 구비함에 그 특징이 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display panel including a display region including data lines and scan lines intersecting each other, And a GIP that is disposed in a unit pixel region of each scan line in the display region and supplies a scan pulse to the gate line, wherein the unit pixel region includes at least three sub-pixel portions, And a GIP internal connection wiring portion in which connection wirings for connecting the respective elements of the GIP are disposed. Each of the scan lines is connected to a portion where the GIP internal connection wiring portion intersects each data line And protrusions protruding from the plurality of data lines and interrupting generation of parasitic capacitance between the plurality of data lines and the GIP internal connection wirings.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 패널은, 기판 상에 형성되는 복수개의 데이터 라인들; 상기 복수개의 데이터 라인들을 포함한 기판 전면에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 상기 복수개의 데이터 라인들에 수직한 방향으로 형성되는 스캔 라인 및 상기 스캔 라인으로부터 돌출되는 돌출부; 상기 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부를 포함한 상기 버퍼층 전면에 형성되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 상기 스캔 라인과 평행한 방향으로 형성되는 GIP 내부 연결 배선들을 포함하고, 상기 스캔 라인 돌출부는 상기 복수개의 데이터 라인들과 GIP 내부 연결 배선들이 중첩되는 부분에 위치됨에 또 다른 특징이 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display panel including: a plurality of data lines formed on a substrate; A buffer layer formed on an entire surface of the substrate including the plurality of data lines; A scan line formed on the buffer layer in a direction perpendicular to the plurality of data lines, and a protrusion protruding from the scan line; An interlayer insulating layer formed on the entire surface of the buffer layer including protrusions of the scan lines and the scan lines; And GIP internal connection wirings formed on the interlayer insulating film in a direction parallel to the scan lines, wherein the scan line protrusions are located at a portion where the plurality of data lines and the GIP internal connection wirings overlap. have.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 패널은, 기판 상에 형성되는 GIP 내부 연결 배선들; 상기 GIP 내부 연결 배선들을 포함한 기판 전면에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 상기 GIP 내부 연결 배선들과 평행한 방향으로 형성되는 스캔 라인 및 상기 스캔 라인으로부터 돌출되는 돌출부; 상기 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부를 포함한 상기 버퍼층 전면에 형성되는 층간 절연막; 그리고 상기 층간 절연막 상에 상기 스캔 라인과 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 데이터 라인들을 포함하고, 상기 스캔 라인 돌출부는 상기 복수개의 데이터 라인들과 GIP 내부 연결 배선들이 중첩되는 부분에 위치됨에 또 다른 특징이 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display panel including GIP internal connection wirings formed on a substrate; A buffer layer formed on the entire surface of the substrate including the GIP internal connection wirings; A scan line formed on the buffer layer in a direction parallel to the GIP internal connection wirings, and a protrusion protruding from the scan line; An interlayer insulating layer formed on the entire surface of the buffer layer including protrusions of the scan lines and the scan lines; And a plurality of data lines formed on the interlayer insulating film in a direction perpendicular to the scan lines, wherein the scan line protrusions are located in a portion where the plurality of data lines and the GIP internal connection wirings overlap, .

여기서, 상기 GIP 내부 연결 배선들은 GIP의 Q 노드를 포함하고, 상기 각 스캔 라인의 돌출부와 상기 GIP의 Q 노드는 서로 중첩되어 GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩 커패시터로 활용됨을 특징으로 한다.Here, the GIP internal connection wirings include a Q node of the GIP, and the protrusion of each scan line and the Q node of the GIP are superimposed on each other and utilized as a bootstrap capacitor of the scan pulse output unit in the GIP.

상기 복수개의 데이터 라인들과 동일한 층에 형성되는 기준 전압 라인을 더 포함함을 특징으로 한다.And a reference voltage line formed in the same layer as the plurality of data lines.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 표시 패널에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The display panel according to the present invention having the above-described characteristics has the following effects.

첫째, 표시 영역 내에 GIP를 분산 배치하므로, 표시 영역 좌우측의 비표시 영역에 GIP를 구성하는 종래의 표시 패널에 비해 표시 패널의 좌우 베젤을 최소화 할 수 있다.First, since the GIP is distributed and arranged in the display area, the left and right bezels of the display panel can be minimized as compared with the conventional display panel constituting the GIP in the non-display areas on the left and right sides of the display area.

둘째, GIP를 표시 영역 내에 배치하면서, 복수개의 데이터 라인들과 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들 사이에 스캔 라인을 연장하여 배치하여, 상기 복수개의 데이터 라인들과 상기 GIP의 연결 배선들 간에 발생되는 기생 커패시턴스를 차단하므로, 리플(Ripple) 발생을 방지할 수 있다.Second, while arranging the GIP in the display area, a scan line is extended and arranged between the connection wirings connecting the plurality of data lines and the respective elements of the GIP, and between the plurality of data lines and the connection wirings of the GIP The generated parasitic capacitance is blocked, so that occurrence of ripple can be prevented.

셋째, 상기 스캔 라인의 돌출부와 상기 GIP의 연결 배선들 간을 중첩하여 충분한 커패시턴스를 얻을 수 있으므로, GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩(bootstrap) 커패시터로 활용할 수 있다.Third, since a sufficient capacitance can be obtained by overlapping the projecting portion of the scan line and the connection wirings of the GIP, it can be utilized as a bootstrap capacitor of the scan pulse output portion in the GIP.

도 1은 일반적인 (n)번째 GIP의 구성 블럭도
도 2는 도 1에 도시된 (n)번째 GIP의 동작 파형도
도 3은 본 발명에 따른 표시 패널의 표시 영역 구성도
도 4는 도 3의 표시 패널의 표시 영역에 배치된 인접한 2개의 단위 화소를 보다 구체적으로 도시한 구성도
도 5는 도 4의 단위 화소에서, 4개의 데이터 라인(DL1~DL4), 기준 전압 라인(Vref), 스캔 라인 및 Q 노드만을 나타낸 레이 아웃도
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 5의 I-I' 선상의 단면도
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 5의 I-I' 선상의 단면도
1 is a block diagram of a general (n) -th GIP;
Fig. 2 is an operation waveform diagram of the (n) -th GIP shown in Fig. 1
Fig. 3 is a diagram showing a display area configuration diagram of the display panel according to the present invention
Fig. 4 is a configuration diagram more specifically showing two adjacent unit pixels arranged in the display area of the display panel of Fig. 3
5 is a layout diagram showing only four data lines (DL1 to DL4), a reference voltage line (Vref), a scan line and a Q node in the unit pixel of FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the line II 'in Fig. 5 according to the first embodiment of the present invention
7 is a cross-sectional view taken along line II 'of Fig. 5 according to the second embodiment of the present invention

먼저, 본 출원인은 표시 패널의 베젤을 최소화하기 위하여 표시 패널의 표시 영역에 GIP를 배치하는 발명에 관하여 기 출원한 바 있다 (한국 특허출원번호: 10-2017-0125355호(출원일: 2017년 09월 27일) 참고).The applicant of the present invention has applied for the invention of placing a GIP in the display area of the display panel in order to minimize the bezel of the display panel (Korean Patent Application No. 10-2017-0125355 filed on Sep. 2017 27)).

상기 기 출원된 특허 출원(10-2017-0125355호)의 발명을 간단하게 설명하면 다음과 같다.The invention of the aforementioned patent application (10-2017-0125355) will be briefly described as follows.

도 3은 본 발명에 따른 표시 패널의 표시 영역 구성도이고, 도 4는 도 3의 표시 패널의 표시 영역에 배치된 인접한 2개의 단위 화소 영역을 보다 구체적으로 도시한 구성도이다.FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a display area of a display panel according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing more specifically two adjacent unit pixel areas arranged in a display area of the display panel of FIG.

즉, 도 3은 상기 기 출원된 상기 특허 출원(10-2017-000000호)의 도 6에 해당되고, 도 4는 상기 기 출원된 상기 특허 출원(10-2017-000000호)의 도 7에 해당된다.That is, Fig. 3 corresponds to Fig. 6 of the above-mentioned pending patent application (10-2017-000000), Fig. 4 corresponds to Fig. 7 of the above-mentioned pending patent application (10-2017-000000) do.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 표시 패널의 표시 영역에 GIP를 배치함에 있어, 표시 영역의 단위 화소 영역은 적어도 3개의 서브 화소부(R, G, B, W), GIP부(31), 및 GIP 내부 연결 배선부(32) 등으로 구분된다.As shown in FIGS. 3 and 4, when the GIP is arranged in the display region of the display panel, the unit pixel region of the display region includes at least three sub-pixel portions (R, G, B, and W) ), A GIP internal connection wiring portion 32, and the like.

상기 적어도 3개의 서브 화소부(R, G, B, W)들은 복수개의 데이터 라인(DL1~DL8), 복수개의 기준 전압 라인(Vref) 및 제 1 및 제 2 정전압 라인(EVDD, EVSS) 들이 수직 방향으로 배열되고, 복수개의 게이트 라인(스캔 라인)이 수평 방향으로 배열되어 구성된다.The plurality of data lines DL1 to DL8, the plurality of reference voltage lines Vref and the first and second constant voltage lines EVDD and EVSS are connected to the vertical And a plurality of gate lines (scan lines) are arranged in the horizontal direction.

상기 GIP부(31)는 GIP의 회로를 구성하는 하나의 단위 소자(트랜지스터 또는 커패시터)에 해당된다. 즉, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들로 구성되는 단위 화소 영역에, GIP의 회로를 구성하는 하나의 단위 소자(트랜지스터 또는 커패시터)가 분산 배치된다.The GIP unit 31 corresponds to one unit element (transistor or capacitor) constituting a GIP circuit. That is, one unit element (transistor or capacitor) constituting a GIP circuit is dispersed in a unit pixel region composed of red (R), green (G), blue (B) and white .

즉, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)을 구동하기 위한 적어도 하나의 GIP가 해당 게이트 라인(스캔 라인)에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역에 분산하여 배치된다.That is, at least one GIP for driving one gate line (scan line) is dispersedly disposed in a plurality of unit pixel regions driven by the corresponding gate line (scan line).

상기 GIP 내부 연결 배선부(32)는, GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등)이 배치되는 영역이다.The GIP internal connection wiring portion 32 is an area where connection wirings (a Q node, a QB node, and the like) for connecting the respective elements of the GIP are disposed.

이와 같이, GIP를 표시 영역에 배치함에 따라, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 서브 화소부(R, G, B, W)들을 구동하기 위한 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)은 수직 방향으로 배치되고, 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등)은 수평 방향으로 배치되므로, 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)과 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등)이 서로 중첩(overlap)되게 된다.4, the plurality of data lines DL1 to DL8 for driving the sub-pixel portions R, G, B, and W are arranged in the vertical direction And the connection wirings (Q node, QB node, etc.) connecting the respective elements of the GIP are arranged in the horizontal direction. Therefore, a connection for connecting the plurality of data lines (DL1 to DL8) The wirings (Q node, QB node, etc.) overlap each other.

이와 같이, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)과 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등)이 서로 중첩(overlap)되므로, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)과 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간에 기생 커패시턴스가 발생한다.Since the connection wirings (Q node, QB node, etc.) connecting the plurality of data lines DL1 to DL8 with the respective elements of the GIP overlap each other, the plurality of data lines DL1 And the connection wirings (Q node, QB node, etc.) connecting the respective elements of the GIP are generated.

즉, 하나의 서브 화소 내에서 데이터 라인과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간의 기생 커패시턴스가 약 0.42fF 정도이고, 하나의 GIP에서 발생되는 총 기생 커패시턴스는 약 37fF 정도이고, 표시 패널 전체에서 데이터 라인들과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간의 기생 커패시턴스는 2.58pF 정도이다.That is, the parasitic capacitance between the data line and the connection lines (Q node, QB node, etc.) of the GIP in one sub-pixel is about 0.42 fF, the total parasitic capacitance generated in one GIP is about 37 fF, The parasitic capacitance between the data lines and the connection lines (Q node, QB node, etc.) of the GIP in the entire display panel is about 2.58 pF.

이와 같이, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)과 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간에 기생 커패시턴스가 발생되므로, 상기 게이터 라인에 인가되는 데이터 전압이 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등)을 흔들게 되므로 리플(Ripple)이 발생할 수 있다.Since the parasitic capacitance is generated between the connection lines (the Q node, the QB node, and the like) connecting the plurality of data lines DL1 to DL8 with the respective elements of the GIP, the data voltage applied to the gate line (Q node, QB node, and the like) connecting the elements of the GIP are shaken, so that ripples may occur.

따라서, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)과 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 사이에 게이트 라인(스캔 라인)을 연장 배치하여, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL8)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간에 발생되는 기생 커패시턴스를 차단한다.Therefore, a gate line (scan line) is extended between connection lines (Q node, QB node, etc.) connecting the plurality of data lines DL1 to DL8 with the respective elements of the GIP, The parasitic capacitance generated between the lines DL1 to DL8 and the connection wirings (Q node, QB node, etc.) of the GIP is blocked.

또한, 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등)과 상기 연장된 게이트 라인(스캔 라인)이 중첩되도록 하여, GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩(bootstrap) 커패시터로 활용할 수 있다.In addition, the connection wirings (Q node, QB node, etc.) of the GIP and the extended gate line (scan line) are overlapped with each other so that they can be used as bootstrap capacitors of the scan pulse output unit in the GIP.

이를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 도 4의 단위 화소에서, 4개의 데이터 라인(DL1~DL4), 기준 전압 라인(Vref), 스캔 라인 및 Q 노드만을 나타낸 레이 아웃도이고, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 5의 I-I' 선상의 단면도이고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 5의 I-I' 선상의 단면도이다.5 is a layout view showing only four data lines DL1 to DL4, a reference voltage line Vref, a scan line and a Q node in the unit pixel of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross- 5 according to the second embodiment of the present invention, and Fig. 7 is a cross-sectional view taken along line II 'of Fig. 5 according to the second embodiment of the present invention.

영상을 표시하기 위해 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4) 및 기준 전압 라인(Vref)이 수직 방향으로 배열되고, 게이트 라인(스캔 라인; SCAN)이 수평 방향으로 배열된다.A plurality of data lines DL1 to DL4 and a reference voltage line Vref are arranged in a vertical direction and a gate line SCAN is arranged in a horizontal direction in order to display an image.

그리고, 상술한 바와 같이, 상기 GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q, 도 5 내지 도 7에서는 Q 노드만 도시함)이 상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)과 평행하게 수평 방향으로 배열된다.As described above, the connection wirings (Q, only the Q nodes in FIGS. 5 to 7) connecting the elements of the GIP are arranged in the horizontal direction in parallel with the gate lines (scan lines, SCAN) do.

여기서, 상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)은 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q)이 중첩되는 부분으로 돌출되는 돌출부(P)를 구비한다.Here, the gate line (scan line, SCAN) includes a protrusion P protruding to a portion where the plurality of data lines DL1 to DL4 and the connection wirings Q of the GIP overlap.

상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)의 돌출부(P)는 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 사이로 돌출되어, 상기 GIP의 연결 배선(Q)과 중첩되는 영역의 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4)을 커버한다. 따라서, 각 데이터 라인(DL1~DL4)의 커플링(Coupling) 특성을 차단한다.The protrusion P of the gate line (scan line, SCAN) protrudes between the plurality of data lines DL1 to DL4 and the connection wirings (Q node, QB node, etc.) of the GIP, And covers the plurality of data lines DL1 to DL4 of the region overlapping with the data lines Q. Thus, the coupling characteristics of the data lines DL1 to DL4 are cut off.

즉, 상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)의 돌출부(P)가 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간에 기생 커패시턴스가 발생됨을 차단한다.That is, the protrusion P of the gate line (scan line, SCAN) prevents the parasitic capacitance from occurring between the plurality of data lines DL1 to DL4 and the connection wirings (Q node, QB node, etc.) of the GIP do.

또한, 상기 스캔 라인(SCAN)의 돌출부(P)와 상기 GIP의 내부 연결 배선(Q 노드)이 중첩되어 GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩(bootstrap) 커패시터로 활용될 수 있다.In addition, the protrusion P of the scan line SCAN overlaps the internal connection wiring (Q node) of the GIP and can be utilized as a bootstrap capacitor of the scan pulse output unit in the GIP.

즉, 하나의 서브 화소 내에서 상기 스캔 라인(SCAN)의 돌출부(P)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q node) 간의 기생 커패시턴스가 약 132fF 정도이고, 하나의 GIP에서 상기 스캔 라인(SCAN)의 돌출부(P)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q node) 간에 발생되는 총 기생 커패시턴스는 약 12pF 정도이다. 따라서, 하나의 GIP에서 상기 스캔 라인(SCAN)의 돌출부(P)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q node) 간의 커패시턴스가 충분하므로, GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩(bootstrap) 커패시터로 충분히 활용할 수 있다.That is, the parasitic capacitance between the protrusion P of the scan line SCAN and the Q node of the GIP is about 132 fF in one sub-pixel, and the parasitic capacitance of the scan line SCAN The total parasitic capacitance generated between the protrusion P and the connection node (Q node) of the GIP is about 12 pF. Therefore, since the capacitance between the protrusion P of the scan line SCAN and the Q node of the GIP is sufficient in one GIP, it can be sufficiently utilized as a bootstrap capacitor of the scan pulse output portion in the GIP. have.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 4개의 데이터 라인(DL1~DL4), 기준 전압 라인(Vref), 스캔 라인 및 GIP 의 연결 배선(Q 노드)의 단면 구조를 설명하면 다음과 같다.Sectional structures of connection lines (Q nodes) of the four data lines DL1 to DL4, the reference voltage line Vref, the scan lines and the GIP according to the first embodiment of the present invention will be described.

도 6에 도시한 바와 같이, 기판(Substrate)상에 수직 방향으로 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4) 및 기준 전압 라인(Vref)가 형성되고, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4) 및 기준 전압 라인(Vref)을 포함한 기판(Substrare) 전면에 버퍼층(Buffer)이 형성된다.6, a plurality of data lines DL1 to DL4 and a reference voltage line Vref are formed on a substrate in a vertical direction, the plurality of data lines DL1 to DL4, A buffer layer is formed on the entire surface of the substrate including the reference voltage line Vref.

상기 버퍼층(Buufer) 상에 수평 방향으로 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부(SCAN(P)가 형성되고, 상기 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부(SCAN(P)를 포함한 상기 버퍼층(Buffer) 전면에 층간 절연막(ILD)이 형성되고, 상기 층간 절연막(ILD) 상에 수평 방향으로 상기 GIP의 연결 배선들(Q node)이 형성된다.A protrusion SCAN (P) of a scan line and a scan line is formed on the buffer layer in the horizontal direction and an interlayer insulating film (not shown) is formed on the entire surface of the buffer including the SCAN (P) (ILD) is formed, and connection wirings (Q nodes) of the GIP are formed in the horizontal direction on the interlayer insulating film (ILD).

본 발명의 제 2 실시예에 따른 4개의 데이터 라인(DL1~DL4), 기준 전압 라인(Vref), 스캔 라인 및 GIP 의 연결 배선의 단면 구조를 설명하면 다음과 같다.Sectional structures of connection lines of four data lines DL1 to DL4, a reference voltage line Vref, a scan line and a GIP according to the second embodiment of the present invention will be described.

도 7에 도시한 바와 같이, 기판(Substrate)상에 수평 방향으로 상기 GIP의 연결 배선들(Q node)이 형성되고, 상기 GIP의 연결 배선들(Q node)을 포함한 기판(Substrare) 전면에 버퍼층(Buffer)이 형성된다.As shown in FIG. 7, connection wirings (Q nodes) of the GIP are formed on a substrate in a horizontal direction, and a buffer layer (not shown) is formed on a front surface of a substrate (Buffer) is formed.

상기 버퍼층(Buufer) 상에 수평 방향으로 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부(SCAN(P)가 형성되고, 상기 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부(SCAN(P)를 포함한 상기 버퍼층(Buffer) 전면에 층간 절연막(ILD)이 형성되고, 상기 층간 절연막(ILD) 상에 수직 방향으로 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4) 및 기준 전압 라인(Vref)이 형성된다.A protrusion SCAN (P) of a scan line and a scan line is formed on the buffer layer in the horizontal direction and an interlayer insulating film (not shown) is formed on the entire surface of the buffer including the SCAN (P) A plurality of data lines DL1 to DL4 and a reference voltage line Vref are formed in the vertical direction on the interlayer insulating layer ILD.

도 5 내지 도 7에서는, 상기 기준 전압 라인(Vref)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q)이 중첩되는 부분으로 상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)의 돌출부(P)가 돌출되어 상기 기준 전압 라인(Vref)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드) 간에 기생 커패시턴스가 발생됨을 차단함을 도시하였다.5 to 7, a protrusion P of the gate line (scan line, SCAN) protrudes from a portion where the reference voltage line Vref overlaps with the connection wirings Q of the GIP, (Vref) and the connection wirings (Q node) of the GIP are prevented from being generated.

그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 기준 전압 라인(Vref)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q)이 중첩되는 부분에는 상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)의 돌출부(P)가 돌출되지 않을 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto. The protrusion P of the gate line (scan line, SCAN) may not protrude from a portion where the reference voltage line Vref overlaps with the connection wirings Q of the GIP.

이상에서 설명한 바와 같이, 상기 게이트 라인(스캔 라인, SCAN)의 돌출부(P)가 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DL4)과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간에 기생 커패시턴스가 발생됨을 차단하므로, 표시 패널 전체에서 데이터 라인들과 상기 GIP의 연결 배선들(Q 노드, QB 노드 등) 간의 기생 커패시턴스는 0.16pF 정도로 현저히 낮아졌다 (약 93.7% 감소).As described above, the protrusion P of the gate line (scan line, SCAN) is connected between the plurality of data lines DL1 to DL4 and the connection wirings (Q node, QB node, etc.) of the GIP by the parasitic capacitance The parasitic capacitance between the data lines and the connecting lines (Q node, QB node, etc.) of the GIP in the entire display panel is remarkably lowered to about 0.16 pF (about 93.7% reduction).

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

31: GIP 회로부 32: GIP 내부 연결 배선부
SCAN: 스캔 라인 DL1~DL8: 데이터 라인
Q: Q 노드
31: GIP circuit part 32: GIP internal connection wiring part
SCAN: scan line DL1 to DL8: data line
Q: Q node

Claims (8)

데이터 라인들과 스캔 라인들이 교차되고, 상기 각 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 및
상기 표시 영역 내의 각 스캔 라인의 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 GIP를 적어도 하나 구비하고,
상기 단위 화소 영역은, 적어도 3개의 서브 화소부와, GIP를 구성하는 하나의 소자가 배치되는 GIP부와, GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들이 배치되는 GIP 내부 연결 배선부를 구비하고,
각 스캔 라인은, 상기 GIP 내부 연결 배선부와 각 데이터 라인들이 교차되는 부분으로 돌출되어 상기 복수개의 데이터 라인들과 상기 GIP 내부 연결 배선들 간에 기생 커패시턴스가 발생됨을 차단하는 돌출부를 구비하는 표시패널.
A display region including data lines and scan lines intersecting each other and including sub-pixels arranged at the intersections; And
And at least one GIP that is disposed in a unit pixel area of each scan line in the display area and supplies a scan pulse to the corresponding gate line,
Wherein the unit pixel region includes at least three sub-pixel portions, a GIP portion in which one element constituting the GIP is disposed, and a GIP internal connection wiring portion in which connection wirings connecting the elements of the GIP are arranged,
Each of the scan lines includes a protrusion protruding from a portion where the GIP internal connection wiring portion intersects with the data lines to prevent parasitic capacitance from being generated between the plurality of data lines and the GIP internal connection wiring.
제 1 항에 있어서,
상기 GIP 내부 연결 배선들은 GIP의 Q 노드를 포함하고, 상기 각 스캔 라인의 돌출부와 상기 GIP의 Q 노드는 서로 중첩되어 GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩 커패시터로 활용되는 표시패널.
The method according to claim 1,
Wherein the GIP internal connection wirings include a Q node of the GIP and the protrusion of each scan line and the Q node of the GIP overlap each other and serve as a bootstrap capacitor of a scan pulse output portion in the GIP.
기판 상에 형성되는 복수개의 데이터 라인들;
상기 복수개의 데이터 라인들을 포함한 기판 전면에 형성되는 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 상기 복수개의 데이터 라인들에 수직한 방향으로 형성되는 스캔 라인 및 상기 스캔 라인으로부터 돌출되는 돌출부;
상기 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부를 포함한 상기 버퍼층 전면에 형성되는 층간 절연막; 그리고
상기 층간 절연막 상에 상기 스캔 라인과 평행한 방향으로 형성되는 GIP 내부 연결 배선들을 포함하고,
상기 스캔 라인 돌출부는 상기 복수개의 데이터 라인들과 GIP 내부 연결 배선들이 중첩되는 부분에 위치되는 표시패널.
A plurality of data lines formed on a substrate;
A buffer layer formed on an entire surface of the substrate including the plurality of data lines;
A scan line formed on the buffer layer in a direction perpendicular to the plurality of data lines, and a protrusion protruding from the scan line;
An interlayer insulating layer formed on the entire surface of the buffer layer including protrusions of the scan lines and the scan lines; And
And GIP internal connection wirings formed on the interlayer insulating film in a direction parallel to the scan lines,
Wherein the scan line protrusion is located at a portion where the plurality of data lines and the GIP internal connection wirings overlap.
제 3 항에 있어서,
상기 GIP 내부 연결 배선들은 GIP의 Q 노드를 포함하고, 상기 각 스캔 라인의 돌출부와 상기 GIP의 Q 노드는 서로 중첩되어 GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩 커패시터로 활용되는 표시패널.
The method of claim 3,
Wherein the GIP internal connection wirings include a Q node of the GIP and the protrusion of each scan line and the Q node of the GIP overlap each other and serve as a bootstrap capacitor of a scan pulse output portion in the GIP.
기판 상에 형성되는 GIP 내부 연결 배선들;
상기 GIP 내부 연결 배선들을 포함한 기판 전면에 형성되는 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 상기 GIP 내부 연결 배선들과 평행한 방향으로 형성되는 스캔 라인 및 상기 스캔 라인으로부터 돌출되는 돌출부;
상기 스캔 라인 및 스캔 라인의 돌출부를 포함한 상기 버퍼층 전면에 형성되는 층간 절연막; 그리고
상기 층간 절연막 상에 상기 스캔 라인과 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 데이터 라인들을 포함하고,
상기 스캔 라인 돌출부는 상기 복수개의 데이터 라인들과 GIP 내부 연결 배선들이 중첩되는 부분에 위치되는 표시패널.
GIP internal connection wirings formed on the substrate;
A buffer layer formed on the entire surface of the substrate including the GIP internal connection wirings;
A scan line formed on the buffer layer in a direction parallel to the GIP internal connection wirings, and a protrusion protruding from the scan line;
An interlayer insulating layer formed on the entire surface of the buffer layer including protrusions of the scan lines and the scan lines; And
And a plurality of data lines formed on the interlayer insulating film in a direction perpendicular to the scan lines,
Wherein the scan line protrusion is located at a portion where the plurality of data lines and the GIP internal connection wirings overlap.
제 5 항에 있어서,
상기 GIP 내부 연결 배선들은 GIP의 Q 노드를 포함하고, 상기 각 스캔 라인의 돌출부와 상기 GIP의 Q 노드는 서로 중첩되어 GIP내의 스캔 펄스 출력부의 부트스트랩 커패시터로 활용되는 표시패널.
6. The method of claim 5,
Wherein the GIP internal connection wirings include a Q node of the GIP and the protrusion of each scan line and the Q node of the GIP overlap each other and serve as a bootstrap capacitor of a scan pulse output portion in the GIP.
제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 복수개의 데이터 라인들과 동일한 층에 형성되는 기준 전압 라인을 더 포함하는 표시패널.
The method according to claim 3 or 5,
And a reference voltage line formed in the same layer as the plurality of data lines.
제 7 항에 있어서,
상기 스캔 라인 돌출부는 상기 기준 전압 라인과 GIP 내부 연결 배선들이 중첩되는 부분에 위치되는 표시패널.
8. The method of claim 7,
Wherein the scan line protrusion is located at a portion where the reference voltage line and the GIP internal connection wirings overlap.
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