KR20190034334A - 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일종의 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널을 공개한다. 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고, 제1 패시베이션층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극 상에 설치되며, 유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하고, 어레이 기판 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치한다. 상기 방식을 통하여, 본 발명은 기둥모양 스페이서가 유기투명층 홀에 빠지는 것을 방지할 수 있어, 기둥모양 스페이서의 안정성을 증가한다.

Description

어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널
본 발명은 액정 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히 일종의 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널에 관한 것이다.
액정 디스플레이 패널의 시장수요에 따라, 고개구율과 고해상도(Pixel Per Inch, PPI)는 패널(panel)설계의 중요한 목표가 되였다. PPI가 더 높아짐에 따라, 화소 사이즈(Pixel size)는 점점 더 작아진다. 기둥모양 스페이서(Post Spacer, PS)는 높이로 인하여 광 배향이나 전통적인 마찰(rubbing) 배향이나 할 것 없이, 그 높이는 배향으로 하여금 일정한 맹점 구간이 존재하도록 하므로, PS아래에 블랙 매트릭스(BM)를 이용하여 배향 불량으로 인하여 생긴 액정 Mura(무질서한 Dark line)를 가릴 필요가 있다. 이렇게, 만약 개구율에 영향을 주지 않으려면, Pixel 중 PS의 위치가 아주 관건이다. 일반적으로 우리는 PS를 두 개의 박막 트랜지스터(Thin-film transistor, TFT)의 중간에 서 있도록 한다. 도 1을 참조하면, 기둥모양 스페이서 11은 두 개의 유기투명절연층(PLN) 12 홀 사이에 설치한다. 기둥모양 스페이서 11 아래에 블랙 매트릭스 13을 이용하여 가리고, 소스 라인 14 아래도 블랙 매트릭스 13을 이용하여 가린다. 통상적으로 이런 설계는, TFT와 CF(Color Filter)를 얼라인먼트(Alignment)한 후, pixel size가 아주 작기 때문에, 얼라인먼트 정밀도의 허용범위는 축소하고, PS는 좌우 양측의 PLN 홀에 쉽게 빠져, PS ratio가 많이 낮아지고, 지탱력이 부족하게 되는 관련 불량을 초래한다. 하지만 도 2에서, 기둥모양 스페이서 11을 위로 움직여 PLN 12의 홀을 피할 수 있으나 점선 15 중 기둥모양 스페이서 11의 아래도 블랙 매트릭스 13으로 가리게 되어, 개구율이 떨어진다.
본 발명의 실시 예는 일종의 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널을 제공하여, 기둥모양 스페이서가 유기투명층(Organic transparent layer) 홀에 빠지는 것을 방지할 수 있고, 기둥모양 스페이서의 안정성을 증가할 수 있다.
본 발명은 일종의 어레이 기판을 제공하고, 해당 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있으며, 제1 패시베이션(Passivation)층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인(Source/Drain)전극 상에 설치되고, 유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하며, 어레이 기판의 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치한다.
어레이 기판은 유기투명층 상에 설치한 제1 ITO층을 더 포함하고, 제1 ITO층, 제1 패시베이션층 및 제2 금속층은 스토리지 커페시터(Storage capacitor)를 형성하며, 그 중 제2 금속층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 동일 층에 설치하고, 제1 금속층은 어레이 기판의 스캐닝 라인(Scanning line)을 형성한다.
어레이 기판은 제1 ITO층 상에 설치한 제2 패시베이션층을 더 포함한다.
기둥모양 스페이서는 제2 패시베이션층 상에 설치된다.
어레이 기판은 제2 패시베이션층 상에 설치되는 제2 ITO층을 더 포함하고, 제2 ITO층은 화소전극(Pixel electrode)을 형성한다.
화소전극은 하나의 스루홀(Through-hole)을 통하여 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 연결된다.
기둥모양 스페이서는 박막 트랜지스터의 소스/드레인 상에 위치한 두 개의 서로 인접한 스루홀 사이에 설치된다.
유기투명층과 제1 ITO층 사이에 터치 금속층과 터치 절연층이 차례로 설치된다.
어레이 기판은 비 터치방식일 수 있고, in-cell 터치방식의 어레이 기판일 수도 있다.
본 발명은 컬러 필터 기판, 어레이 기판, 컬러 필터 기판과 어레이 기판 사이에 있는 액정과 기둥모양 스페이서를 포함한 일종의 액정 디스플레이 패널을 제공한다; 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고, 제1 패시베이션층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극 상에 설치되며, 유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하며, 어레이 기판의 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치한다.
어레이 기판은 유기투명층 상에 설치한 제1 ITO층을 더 포함하고, 제1 ITO층, 제1 패시베이션층 및 제2 금속층은 스토리지 커페시터를 형성하며, 그 중 제2 금속층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 동일 층에 설치하고, 제1 금속층은 어레이 기판의 스캐닝 라인을 형성한다.
어레이 기판은 제1 ITO층 상에 설치한 제2 패시베이션층을 더 포함한다.
기둥모양 스페이서는 제2 패시베이션층 상에 설치된다.
어레이 기판은 제2 패시베이션층 상에 설치되는 제2 ITO층을 더 포함하고, 제2 ITO층은 화소전극(Pixel electrode)을 형성한다.
화소전극은 하나의 스루홀(Through-hole)을 통하여 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 연결된다.
기둥모양 스페이서는 박막 트랜지스터의 소스/드레인 상에 위치한 두 개의 서로 인접한 스루홀 사이에 설치된다.
유기투명층과 제1 ITO층 사이에 터치 금속층과 터치 절연층이 차례로 설치된다.
어레이 기판은 비 터치방식일 수 있고, in-cell 터치방식의 어레이 기판일 수도 있다.
상기 방안을 통하여, 본 발명의 유익한 효과는, 본 발명은 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고, 제1 패시베이션층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극 상에 설치되며, 유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하며, 어레이 기판의 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치하여, 기둥모양 스페이서가 유기투명층의 홀에 빠지는 것을 방지할 수 있고, 기둥모양 스페이서의 안정성을 증가한다.
본 발명 실시 예 중의 기술적 방안을 더 명확하게 설명하기 위하여, 아래에서 실시 예 서술 중 사용이 필요한 도면에 대하여 간단하게 소개하고, 분명한 것은, 아래 서술 중 첨부된 도면은 단지 본 발명의 일부 실시 예일뿐, 본 기술분야의 일반 기술자에 대하여, 창조적 노동이 없는 전제하에, 이러한 도면에 근거하여 기타 도면을 획득할 수도 있다. 그 중:
도 1은 현존 기술의 액정 디스플레이 패널의 구조 설명도이다;
도 2는 현존 기술의 또 하나의 액정 디스플레이 패널의 구조 설명도이다;
도 3은 본 발명 실시 예의 액정 디스플레이 패널의 구조 설명도이다;
도 4는 본 발명 실시 예의 액정 디스플레이 패널의 단면 설명도이다.
아래 본 발명 실시 예 중의 도면을 결합하여, 본 발명 실시 예 중의 기술적 방안에 대하여 명확하고, 완전하게 서술하고, 분명한 것은, 서술한 실시 예는 단지 본 발명 일부분 실시 예 일뿐, 모든 실시 예는 아니다. 본 발명 중의 실시 예를 기반으로, 본 기술분야의 일반 기술자가 창조적 노동을 하지 않은 전제하에 획득한 모든 기타 실시 예는 모두 본 발명의 보호범위에 속한다.
도 3과 도 4를 참조하면, 도 3은 본 발명 실시 예의 액정 디스플레이 패널의 구조 설명도이다. 도 4는 대응하는 단면 설명도이다. 본 발명 실시 예의 액정 디스플레이는 컬러 필터 기판 21, 어레이 기판 22, 컬러 필터 기판 21과 어레이 기판 22 사이에 있는 액정(미 도시)과 기둥모양 스페이서 23을 포함한다.
도 3과 도 4를 참조하면, 본 발명 실시 예의 어레이 기판 22에 박막 트랜지스터 221가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고, 제1 패시베이션층 222는 박막 트랜지스터 221의 소스/드레인전극 223 상에 설치되며, 유기투명층(미 도시)은 제1 패시베이션층 222 상에 설치되어, 박막 트랜지스터 221을 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 221 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하며, 어레이 기판 22의 표면에 기둥모양 스페이서 23이 설치되어 있고, 기둥모양 스페이서 23은 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 221 사이에 위치한다. 본 발명 실시 예 중, 유기투명층은 박막 트랜지스터 221의 게이트(Gate)전극 방향에 따라 전체적으로 홀을 파서 홀 24를 형성하여 기둥모양 스페이서 23이 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 221 사이에 위치할 시, PS가 컬러 필터 기판 21과 어레이 기판 22의 얼라인먼트 혹은 오버레이(Overlay) 불량으로 인한 기둥모양 스페이서 23이 유기투명층의 홀에 빠지는 것을 개선하여, 컬러 필터 기판 21과 어레이 기판 22의 얼라인먼트 안정성이 더 높아지도록 한다.
본 발명 실시 예 중, 어레이 기판 22는 유기투명층 상에 설치한 제1 ITO층 224를 더 포함한다. 박막 트랜지스터 221의 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 221 사이의 구역에서, 유기투명층은 박막 트랜지스터 221의 게이트전극에 따라 전체적으로 홀을 파고, 해당 구역 내에 제1 ITO층 224는 직접 제2 금속층 225 상에 설치한다. 제1 ITO층 224, 제1 패시베이션층 222 및 제2 금속층 225는 스토리지 커페시터를 형성한다. 그 중, 제2 금속층 225는 박막 트랜지스터 221의 소스/드레인전극 223과 동일 층에 설치하여, 소스 라인 25를 형성하고, 제1 금속층은 어레이 기판 22의 스캐닝 라인 26을 형성한다.
어레이 기판 22는 또 제1 ITO층 224상에 설치한 제2 패시베이션층 226을 포함한다. 기둥모양 스페이서 23은 제2 패시베이션층 226 상에 설치한다. 어레이 기판 22는 또 제2 패시베이션층 226상에 설치한 제2 ITO층 227을 포함하고, 제2 ITO층 227은 화소전극 27을 형성한다. 화소전극 27은 하나의 스루홀 28을 통하여 박막 트랜지스터 221의 소스/드레인 223 전극과 연결한다.
본 발명 실시 예 중, 박막 트랜지스터 221의 게이트전극은 폴리실리콘층(Polysilicon layer) 228로 형성하고, 폴리실리콘층 228과 소스/드레인전극 223 사이에 게이트절연층 229 및 유전체층(Dielectric layer) 2210을 설치한다.
본 발명 실시 예 중, 어레이 기판 22는 비 터치방식의 어레이 기판일 수 있고, 도 3과 도 4를 참조; in-cell 터치방식의 어레이 기판일 수도 있다. In-cell 터치방식의 어레이 기판 중, 유기투명층과 제1 ITO층 사이에 터치 금속층과 터치 절연층이 차례로 설치되고, 기타 구조는 비 터치방식의 어레이 기판의 구조와 동일하므로 여기서 더 이상 일일이 서술하지 않는다. 설명하려는 점은, 비 터치방식의 어레이 기판은 비 터치방식의 액정 디스플레이 패널에 응용할 수 있고, 별도로 터치 패널을 설치한 액정 디스플레이 패널에도 응용할 수 있다.
본 발명 실시 예의 액정 디스플레이 패널 중, 컬러 필터 기판 21 중 기둥모양 스페이서 23이 대응하는 위치에 블랙 매트릭스 210을 설치하여 배향 불량으로 인하여 생긴 액정 Mura를 가린다. 그 외, 스캐닝 라인 26과 소스 라인 25와 대응하는 위치에도 블랙 매트릭스 210을 설치한다.
본 발명 실시 예 중, 기둥모양 스페이서 23은 상하 밑면이 6각형을 나타내고, 측면은 사다리꼴을 나타내는 구조다. 기둥모양 스페이서 23은 박막 트랜지스터 221의 소스/드레인 223 상에 위치한 두 개의 서로 인접한 스루홀 28 사이에 설치한다. 즉 기둥모양 스페이서 23의 어레이 기판 22와 접촉한 표면 231은 박막 트랜지스터 221의 소스/드레인 223 상의 두 개의 서로 인접한 스루홀 28 사이에 위치한다. 도 3에서 볼 수 있듯이, 기둥모양 스페이서 23과 컬러 필터 기판 21이 접촉한 표면 232는 블랙 매트릭스 210의 커버범위를 초과하지 않아, 이렇게 설계된 기둥모양 스페이서 23은 개구율에 영향을 주지 않는다는 것을 설명한다.
상기 내용을 종합하면, 본 발명의 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고, 제1 패시베이션층은 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극 상에 설치되며, 유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하고, 어레이 기판의 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치하여, 기둥모양 스페이서가 유기투명층 홀에 빠지는 것을 방지할 수 있어, 기둥모양 스페이서의 안정성을 증가한다.
상기는 본 발명의 실시 예에 불과할 뿐, 이로 인하여 본 발명의 특허범위를 제한하는 것은 아니며, 본 발명의 설명서 및 첨부된 도면의 내용을 이용한 모든 등가구조 혹은 등가 프로세스 변환, 혹은 직접적 혹은 간접적으로 기타 관련 기술분야에서의 운용은, 모두 같은 이치로 본 발명의 특허보호범위 내에 포함한다.

Claims (18)

  1. 어레이 기판에 있어서,
    상기 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고,
    제1 패시베이션층은 박막 트랜지스터 소스/드레인전극 상에 설치되며,
    유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 상기 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하고,
    상기 어레이 기판의 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 상기 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치하는, 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 어레이 기판은 상기 유기투명층 상에 설치한 제1 ITO층을 더 포함하고,
    상기 제1 ITO층, 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 금속층은 스토리지 커페시터를 형성하며,
    상기 제2 금속층은 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 동일 층에 설치되고,
    제1 금속층은 상기 어레이 기판의 스캐닝 라인을 형성하는, 어레이 기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 ITO층 상에 설치한 제2 패시베이션층을 더 포함하는 어레이 기판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기둥모양 스페이서는 상기 제2 패시베이션층 상에 설치된, 어레이 기판.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 패시베이션층 상에 설치되는 제2 ITO층을 더 포함하고, 상기 제2 ITO층은 화소전극을 형성하는, 어레이 기판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 화소전극은 하나의 스루홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 연결된, 어레이 기판.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기둥모양 스페이서는 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 상에 위치한 두 개의 서로 인접한 스루홀 사이에 설치된, 어레이 기판.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 유기투명층과 상기 제1 ITO층 사이에 터치 금속층과 터치 절연층이 차례로 설치된, 어레이 기판.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 어레이 기판은 비 터치방식 또는 in-cell 터치방식인, 어레이 기판.
  10. 액정 디스플레이 패널에 있어서,
    컬러 필터 기판, 어레이 기판, 상기 컬러 필터 기판과 상기 어레이 기판 사이에 있는 액정과 기둥모양 스페이서를 포함하고,
    상기 어레이 기판에 박막 트랜지스터가 매트릭스 방식으로 배열되어 있고,
    제1 패시베이션층은 박막 트랜지스터 소스/드레인전극 상에 설치되며,
    유기투명층은 제1 패시베이션층 상에 설치되어, 상기 박막 트랜지스터를 제외한 구역 및 두 개의 서로 인접한 박막 트랜지스터 사이의 구역을 제외한 구역에 위치하고,
    상기 어레이 기판의 표면에 기둥모양 스페이서가 설치되어 있고, 상기 기둥모양 스페이서는 임의의 두 개의 박막 트랜지스터 사이에 위치하는, 액정 디스플레이 패널.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 어레이 기판은 상기 유기투명층 상에 설치한 제1 ITO층을 더 포함하고,
    상기 제1 ITO층, 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 금속층은 스토리지 커페시터를 형성하며,
    상기 제2 금속층은 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 동일 층에 설치되고,
    제1 금속층은 상기 어레이 기판의 스캐닝 라인을 형성하는, 액정 디스플레이 패널.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 ITO층 상에 설치한 제2 패시베이션층을 더 포함하는 액정 디스플레이 패널.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기둥모양 스페이서는 상기 제2 패시베이션층 상에 설치된, 액정 디스플레이 패널.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 패시베이션층 상에 설치되는 제2 ITO층을 더 포함하고, 상기 제2 ITO층은 화소전극을 형성하는, 액정 디스플레이 패널.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 화소전극은 하나의 스루홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인전극과 연결된, 액정 디스플레이 패널.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기둥모양 스페이서는 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 상에 위치한 두 개의 서로 인접한 스루홀 사이에 설치된, 액정 디스플레이 패널.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기투명층과 상기 제1 ITO층 사이에 터치 금속층과 터치 절연층이 차례로 설치된, 액정 디스플레이 패널.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 어레이 기판은 비 터치방식 또는 in-cell 터치방식인, 액정 디스플레이 패널.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102661122B1 (ko) * 2016-11-21 2024-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210105034A (ko) 2020-02-18 2021-08-26 주식회사 엘지화학 패턴 필름, 이를 포함하는 투과도 가변 디바이스 및 투과도 가변 디바이스의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012118489A (ja) * 2010-11-09 2012-06-21 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置
JP2012255906A (ja) * 2011-06-09 2012-12-27 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
JP2015118193A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003066488A (ja) 2001-08-30 2003-03-05 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100895306B1 (ko) * 2002-11-14 2009-05-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판
KR101012494B1 (ko) * 2003-04-04 2011-02-08 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치
US9052550B2 (en) * 2006-11-29 2015-06-09 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd Thin film transistor liquid crystal display
CN202141876U (zh) * 2011-07-05 2012-02-08 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器
JP6002478B2 (ja) * 2012-07-04 2016-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN204269996U (zh) * 2014-12-04 2015-04-15 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板
KR101712246B1 (ko) * 2014-12-05 2017-03-06 엘지디스플레이 주식회사 자기 정전용량식 터치 센서 일체형 표시장치
CN105487718B (zh) 2016-01-29 2019-03-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
US10811981B2 (en) 2018-01-25 2020-10-20 Nxp B.V. Apparatus and method for a dual output resonant converter to ensure full power range for both outputs

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012118489A (ja) * 2010-11-09 2012-06-21 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置
JP2012255906A (ja) * 2011-06-09 2012-12-27 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
JP2015118193A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

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