KR20190032180A - Apparatus for manufacturing semiconductor, method of manufacturing semiconductor device and collet - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 예를 들어 콜릿을 구비하는 다이 본더에 적용 가능하다.The present disclosure relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and is applicable to a die bonder having, for example, a collet.
일반적으로, 다이라고 불리는 반도체 칩을, 예를 들어 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 총칭하여 기판이라고 함)의 표면에 탑재하는 다이 본더에 있어서는, 일반적으로 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 다이를 기판 상으로 반송하고, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다고 하는 동작(작업)이 반복하여 행해진다.Generally, in a die bonder that mounts a semiconductor chip, for example, on a surface of a wiring board, a lead frame, or the like (hereinafter collectively referred to as a substrate), a die is generally used, (Operation) that bonding is carried out by heating the bonding material while conveying the substrate onto the substrate, applying a pressing force, and repeating the operation (operation).
다이 본더 등의 반도체 제조 장치에 의한 다이 본딩 공정 중에는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)로부터 분할된 다이를 박리하는 박리 공정이 있다. 박리 공정에서는, 다이싱 테이프 이면으로부터 밀어올림 유닛에 의해 다이를 밀어올려, 다이 공급부에 보유 지지된 다이싱 테이프로부터, 1개씩 박리하고, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 기판 상으로 반송한다.During a die bonding process by a semiconductor manufacturing apparatus such as a die bonder, there is a peeling process for peeling a die divided from a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). In the peeling process, the die is pushed up from the back side of the dicing tape by the pushing unit, peeled one by one from the dicing tape held by the die supply unit, and is transported onto the substrate using a suction nozzle such as a collet.
밀어올림 유닛으로 다이를 밀어올릴 때, 다이가 변형되어 휘는 경우가 있다.When the die is pushed up by the push-up unit, the die may be deformed and warped.
본 개시의 과제는, 다이의 휨이 적은 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.A problem of the present disclosure is to provide a semiconductor manufacturing apparatus with little die bending.
그 밖의 과제와 신규의 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.Other objects and novel features will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.An outline of representative examples of the present disclosure will be briefly described below.
즉, 반도체 제조 장치는, 다이가 부착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링 홀더를 갖는 다이 공급부와, 복수의 밀어올림 블록을 갖는 밀어올림 유닛과, 상기 다이싱 테이프로부터 다이를 흡착하는 콜릿부를 구비한다. 상기 콜릿부는, 콜릿과, 상기 콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더를 구비한다. 상기 콜릿은 탄성체로 형성되고, 상기 밀어올림 블록의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖는다.That is, the semiconductor manufacturing apparatus includes a die supply portion having a wafer ring holder for holding a dicing tape with a die, a push-up unit having a plurality of push-up blocks, and a collet portion for sucking the die from the dicing tape Respectively. The collet portion includes a collet and a collet holder for holding the collet. The collet is formed of an elastic body and has a suction hole at a position corresponding to a portion in contact with the dicing tape of the push-up block.
상기 반도체 제조 장치에 따르면, 다이의 휨을 적게 할 수 있다.According to the above semiconductor manufacturing apparatus, warping of the die can be reduced.
도 1은 실시예에 관한 다이 본더를 위에서 본 개념도.
도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면.
도 4는 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 5는 도 4의 밀어올림 유닛을 설명하는 도면.
도 6은 비교예에 관한 콜릿부와 밀어올림 유닛의 주요부의 단면도.
도 7은 실시예에 관한 콜릿을 설명하는 도면.
도 8은 실시예에 관한 콜릿부와 밀어올림 유닛의 주요부의 단면도.
도 9는 실시예에 관한 다이 본더의 픽업 동작을 설명하기 위한 흐름도.
도 10은 실시예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도.
도 11은 변형예 1에 관한 콜릿을 설명하는 도면.
도 12는 변형예 2에 관한 밀어올림 유닛을 설명하는 도면.
도 13은 변형예 2에 관한 콜릿을 설명하는 도면.
도 14는 변형예 1-4에 관한 콜릿을 설명하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a conceptual view of a die bonder according to an embodiment viewed from above.
Fig. 2 is a view for explaining the operation of the pick-up head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in Fig.
Fig. 3 is a view showing an external perspective view of the die supply portion of Fig. 1; Fig.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing a main part of the die supply portion of Fig. 1; Fig.
Fig. 5 is a view for explaining the lifting unit of Fig. 4; Fig.
6 is a cross-sectional view of a main part of a collet part and a push-up unit according to a comparative example;
7 is a view for explaining a collet according to the embodiment;
8 is a cross-sectional view of a main portion of a collet portion and a push-up unit according to the embodiment;
Fig. 9 is a flowchart for explaining a pick-up operation of the die bonder according to the embodiment; Fig.
10 is a flow chart showing a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment.
11 is a view for explaining a collet according to
12 is a view for explaining the push-up unit according to the second modification;
13 is a view for explaining a collet according to
14 is a view for explaining a collet according to Modification 1-4;
근년, 반도체 장치의 고밀도 실장을 추진할 목적으로, 패키지의 박형화가 진행되고 있다. 예를 들어, 배선 기판 상에 복수 매의 다이를 3차원적으로 실장하는 적층 패키지가 실용화되고 있다. 이러한 적층 패키지를 조립할 때에는, 패키지 두께의 증가를 방지하기 위해, 다이의 두께를 20㎛ 이하까지 얇게 할(예를 들어, 10 내지 15㎛로 할) 것이 요구되므로, 다이의 강성이 작아져 휘기 쉽다.2. Description of the Related Art In recent years, thinning of packages has been progressed for the purpose of promoting high density mounting of semiconductor devices. For example, a multilayer package for three-dimensionally mounting a plurality of dies on a wiring board has been put to practical use. When assembling such a laminated package, it is required to reduce the thickness of the die to 20 占 퐉 or less (for example, 10 to 15 占 퐉) in order to prevent an increase in package thickness, so that the stiffness of the die is liable to bend .
또한, 3차원 NAND형 플래시 메모리(3D-NAND)에서는, 실리콘 기판 상에, 산화실리콘막/폴리실리콘막의 박막의 층을 연속적으로 복수 적층하여 형성되지만, 다이가 휘면 내부 소자에 크랙이 생기기 쉽다.In a three-dimensional NAND type flash memory (3D-NAND), a plurality of thin silicon oxide film / polysilicon thin film layers are continuously stacked on a silicon substrate, but cracks are likely to occur in the internal elements when the die is deflected.
그래서 실시 형태에서는, 밀어올림 유닛의 복수의 밀어올림 블록의 볼록부(다이에 접촉하는 위치)에 맞추어, 고무 등의 탄성체로 구성된 콜릿에 진공 흡인 구멍(흡인 구멍)을 배치한다. 복수의 밀어올림 블록의 간격(밀도)은 다이의 두께와 다이싱 테이프의 흡착력에 의해 결정한다.Thus, in the embodiment, a vacuum suction hole (suction hole) is arranged in a collet formed of an elastic body such as rubber, in conformity with the convex portion (position of contact with the die) of the plurality of push-up blocks of the push-up unit. The interval (density) of the plurality of push-up blocks is determined by the thickness of the die and the attraction force of the dicing tape.
밀어올림 블록과 다이가 다이싱 테이프를 통해 접촉되는 부분은, 다이싱 테이프의 흡착력에 의해, 밀어올림 블록이 하강 시에 다이를 인입하여, 다이 변형을 발생시킨다.The portion where the push-up block and the die are in contact with each other through the dicing tape pulls the die at the time of the lowering of the push-up block due to the attraction force of the dicing tape, thereby causing die deformation.
(1) 다이 전체를 보유 지지하는 콜릿의 밀어올림 블록의 볼록 부분에 닿는 부분에 진공 흡인 구멍을 배치한다. 이에 의해, 선택적으로 강하게 흡인되어, 다이 변형(휨)이 방지된다. 다이 변형은, 다이의 두께와 밀어올림 블록의 볼록 부분의 흡착력에 의한 것이므로, 그것에 의해 콜릿측의 흡착 면적과 밀어올림 블록의 면적 조정을 행한다. 또는,(1) A vacuum suction hole is disposed at a portion of the collet holding the entire die that touches the convex portion of the push-up block. Thereby, it is selectively strongly attracted, and die deformation (warping) is prevented. The die deformation is caused by the thickness of the die and the attraction force of the convex portion of the push-up block, whereby the adsorption area on the collet side and the area of the push-up block are adjusted. or,
(2) 밀어올림 유닛의 복수의 밀어올림 블록의 위치에 맞추어 콜릿에 진공 흡인 홈(흡인 홈)을 배치한다. 또한, 흡인 홈을 갖는 콜릿은, 각 밀어올림 블록의 볼록부(다이에 접촉하는 위치)에 맞추어, 홈 폭보다 더 큰 흡인 구멍을 갖는다. 각 밀어올림 블록의 위치에 맞춘 흡인 부위 전체가 홈으로 구성되므로, 다이의 흡착 면적이 증가하고, 또한 각 에어리어도 연결되므로, 유효하게 흡착할 수 있다.(2) A vacuum suction groove (suction groove) is arranged in the collet in accordance with the positions of the plurality of push-up blocks of the push-up unit. Further, the collet having the suction groove has a suction hole larger than the groove width in conformity with the convex portion (the position of contact with the die) of each push-up block. Since the entire sucking portion corresponding to the position of each push-up block is constituted by the grooves, the adsorption area of the die is increased, and the respective areas are also connected, so that they can be adsorbed effectively.
실시 형태에 따르면, 다이 픽업, 다이싱 테이프 박리 시의 다이 변형(휨)을 적게 할 수 있어, 불량을 저감시킬 수 있다. 다이 변형량은 볼록부에 흡인 구멍이 없는 경우에 비해 1/5 이하로 저감된다. 다이 픽업 시의 다이 변형이 적어져, 불량을 저감시킬 수 있음과 함께, 더 얇은 다이를 픽업할 수 있다. 또한, 3D-NAND의 소자 내부의 크랙 등을 방지할 수 있다.According to the embodiment, the die deformation (warpage) at the time of peeling the dicing tape and the dicing tape can be reduced, and the defect can be reduced. The die deformation amount is reduced to 1/5 or less as compared with the case where there is no suction hole in the convex portion. The die deformation at the time of the die pick-up is reduced, the defect can be reduced, and a thinner die can be picked up. In addition, it is possible to prevent a crack or the like inside the device of the 3D-NAND.
이하, 실시예 및 변형예에 대해, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments and modifications will be described with reference to the drawings. In the following description, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof may be omitted. In order to make the description more clear, the drawings are schematically expressed in terms of the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with the actual embodiment, but they are merely examples and do not limit the interpretation of the present invention .
[실시예][Example]
도 1은 실시예에 관한 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a top view showing the outline of a die bonder according to an embodiment. Fig. Fig. 2 is a view for explaining the operation of the pick-up head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in Fig.
다이 본더(10)는, 크게 구별하여, 하나 또는 복수의 최종 1 패키지가 되는 제품 에어리어(이하, 패키지 에어리어(P)라고 함)를 프린트한 기판(S)에 실장하는 다이(D)를 공급하는 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이고, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 앞쪽에 배치되고, 본딩부(4)가 안쪽에 배치된다.The
먼저, 다이 공급부(1)는 기판(S)의 패키지 에어리어(P)에 실장하는 다이(D)를 공급한다. 다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는, 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하고, 픽업하는 다이(D)를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.First, the die
픽업부(2)는, 다이(D)를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿부(22)(도 2도 참조)를 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는, 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.The
중간 스테이지부(3)는, 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.The
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 반송되어 오는 기판(S)의 패키지 에어리어(P) 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판(S)의 패키지 에어리어(P) 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 2도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판(S)의 패키지 에어리어(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하고, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.The
이러한 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판에 다이(D)를 본딩한다.With this configuration, the
반송부(5)는, 기판(S)을 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판(S)이 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판(S)은, 반송 레인(52)에 설치된 기판 반송 갈고리(51)의 도시하지 않은 너트를 반송 레인(52)을 따라 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다.The
이러한 구성에 의해, 기판(S)은, 기판 공급부(6)로부터 반송 레인(52)을 따라 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판(S)을 전달한다.With this configuration, the substrate S moves from the
제어부(8)는, 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.The
다음으로, 다이 공급부(1)의 구성에 대해 도 3 및 도 4를 사용하여 설명한다. 도 3은 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면이다. 도 4는 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.Next, the configuration of the
다이 공급부(1)는, 수평 방향(XY 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되고 복수의 다이(D)가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.The
다이 공급부(1)는, 다이(D)의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아 늘여져 다이(D)의 간격이 넓어지고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이(D) 하방으로부터 다이(D)를 밀어올려, 다이(D)의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액상으로부터 필름상으로 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라고 불리는 필름상의 접착 재료를 부착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대해 행해진다. 따라서 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 또한, 이후에서는, 다이 어태치 필름(18)의 존재를 무시하고, 박리 공정을 설명한다.The
다음으로, 밀어올림 유닛에 대해 도 5를 사용하여 설명한다. 도 5의 (A)는 도 4의 밀어올림 유닛의 상면도이다. 도 5의 (B)는 도 5의 (A)의 A1-A2에 있어서의 주요부의 단면도이다.Next, the push-up unit will be described with reference to Fig. Fig. 5 (A) is a top view of the lifting unit of Fig. 4. Fig. Fig. 5B is a cross-sectional view of a main part taken along line A1-A2 in Fig. 5A.
밀어올림 유닛(13)은, 크게 구별하여, 밀어올림 블록부(131)와, 밀어올림 블록부(131)를 둘러싸는 주변부(132)와, 원통형의 돔 본체(134)를 갖는다. 밀어올림 블록부(131)는 평면에서 보아 직사각형의 제3 블록(중앙 블록)(131c)과, 제3 블록(131c)의 외측을 둘러싸는 제2 블록(중간 블록)(131b)과, 제2 블록(131b)의 외측을 둘러싸는 제1 블록(최외주 블록)(131a)을 갖고 있다. 밀어올림 블록부(131)는 평면에서 보아 직사각형이며, 다이(D)의 평면 형상과 상사형으로 구성된다. 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)의 각각의 상면에는 요철이 있고, 도 5의 (A)에서는 진한 색의 사각형으로 나타내어진 볼록부(돌기부)가 간헐적으로 배치되는 간헐 블록이다. 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)과 주변부(132) 사이에 간극을 구비한다.The push-up
밀어올림 유닛(13)의 상면의 주변부(132)에 형성되는 복수의 흡인 구멍(도시하지 않음)의 각각의 내부는, 밀어올림 유닛(13)을 상승시켜 그 상면을 다이싱 테이프(16)의 이면에 접촉시킬 때, 도시하지 않은 흡인 기구에 의해 감압된다. 이때, 다이싱 테이프(16)의 이면이 하방으로 흡인되어, 밀어올림 유닛(13)의 상면(주변부(132)의 상면 및 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)의 상면의 볼록부)과 밀착된다. 주변부(132)는 픽업 대상 다이(D)의 외측의 다이싱 테이프(16)를 밀착한다. 또한, 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)과 주변부(132) 사이에 간극(흡인 구멍)을 갖고, 그 흡인 구멍의 흡인 기구와 주변부(132)의 복수의 흡인 구멍의 흡인 기구는 공통이며, 동시에 흡착의 ON/OFF가 행해진다.Each of the plurality of suction holes (not shown) formed in the
다음으로, 본원 발명자들이 검토한 기술(이하, 비교예라고 함)에 대해 도 6을 사용하여 설명한다. 도 6은 비교예에 관한 콜릿부와 밀어올림 유닛의 주요부를 도시하는 종단면도이며, 도 6의 (A)는 콜릿부가 하강하여 다이(D)와 접촉한 상태를 도시하는 도면이고, 도 6의 (B)는 밀어올림 유닛이 블록부를 밀어올린 상태를 도시하는 도면이고, 도 6의 (C)는 콜릿부가 상승한 상태를 도시하는 도면이다.Next, the technique studied by the present inventors (hereinafter referred to as a comparative example) will be described with reference to FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a main part of a collet part and a push-up unit according to a comparative example, Fig. 6 (A) is a view showing a state in which the collet part is lowered and brought into contact with the die D, (B) shows a state in which the push-up unit pushes up the block portion, and (C) in Fig. 6 shows a state in which the collet portion is raised.
도 6에 도시한 바와 같이 콜릿부(22R)는, 콜릿(25R)과, 콜릿(25R)을 보유 지지하는 콜릿 홀더(24)를 갖는다. 콜릿(25R)에는 복수의 진공 흡인 구멍(251R)이 등간격으로 어레이 형상으로 형성된다. 콜릿 홀더(24)의 중앙에 진공 흡인 구멍(26)이 있고, 콜릿 홀더(24)의 콜릿(25R)의 상면측에 진공 흡인 홈(27)이 있다. 진공 흡인 구멍(251R)은 진공 흡인 홈(27)에 접속되어 있다. 콜릿(25R)은 평면에서 보아 다이(D)와 마찬가지인 직사각형이며, 다이(D)와 동일 정도의 크기를 하고 있다. 콜릿(25R)은 탄성체이며, 그 두께는 5㎜ 정도이다. 또한, 밀어올림 유닛(13)은, 도 5의 실시예의 밀어올림 유닛(13)과 동일한 것이다.As shown in Fig. 6, the
비교예에 관한 픽업 동작은, 다이싱 테이프(16) 상의 목적으로 하는 다이(D)(박리 대상 다이)가 밀어올림 유닛(13)과 콜릿부(22R)에 위치 결정되는 부분으로부터 개시된다. 위치 결정이 완료되면, 밀어올림 유닛(13)의 흡인 구멍을 통해 진공화함으로써, 다이싱 테이프(16)가 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착된다. 도 6의 (A)에 도시한 바와 같이, 그 상태에서 콜릿부(22R)가 다이(D)의 디바이스면을 향해 진공화하면서 강하하여, 착지한다.The pick-up operation according to the comparative example starts from the position where the target die D (the subject to be peeled) on the dicing
여기서, 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)(제1 블록(131a), 제2 블록(131b), 제3 블록(131c))가 상승하면, 다이(D)는 콜릿부(22R)와 밀어올림 블록부(131) 사이에 끼인 채 상승한다. 이때, 다이싱 테이프(16)의 주변부는 주변부(132)에 진공 흡착된 상태이다. 다이(D) 주변에서 다이싱 테이프(16)의 박리를 진행시키기 위해, 예를 들어 제1 블록(131a)을 하강시킨다. 제1 블록(131a)과 다이(D)가 접촉하는 부분은, 다이싱 테이프(16)의 점착력(흡착력)에 의해, 제1 블록(131a)이 하강 시에 다이싱 테이프(16)가 만곡되어 다이(D) 주변에서 다이싱 테이프(16)의 박리가 진행된다.Here, when the push-up block unit 131 (the
그러나 다이(D)가 얇아지거나 하여 강성이 작아지면, 도 6의 (B)의 파선으로 둘러싼 개소에 나타낸 바와 같이, 다이(D)가 다이싱 테이프(16)의 만곡을 따라서 변형(다이(D)가 인입 변형)되어 다이(D)에 휨이 발생한다. 그렇게 하면, 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생겨, 공기가 콜릿부(22R)의 진공 흡인계로 유입되게(누설이 발생하게) 된다. 한 번 누설되어 다이(D)가 이격되면 흡착면보다 아래까지 휜 다이(D)를 다시 보유 지지할 수 없게 되어, 도 6의 (C)에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22R)를 상승시켜도, 다이(D)를 픽업할 수 없다.6 (B), the die D is deformed along the curvature of the dicing
다음으로, 실시예에 관한 콜릿에 대해 도 7을 사용하여 설명한다. 도 7은 실시예에 관한 콜릿을 설명하는 도면이며, 도 7의 (A)는 밀어올림 유닛의 상면도이고, 도 7의 (B)는 콜릿의 하면도이다.Next, a collet according to the embodiment will be described with reference to Fig. Fig. 7 is a view for explaining a collet according to the embodiment. Fig. 7 (A) is a top view of the lifting unit, and Fig. 7 (B) is a bottom view of the collet.
상술한 바와 같이, 제1 블록(최외주 블록)(131a)과 제2 블록(중간 블록)(131b)과 제3 블록(중앙 블록)(131c)의 상면 각각에는 요철이 있고, 볼록부(돌기부)가 간헐적으로 배치되는 간헐 블록이다. 예를 들어, 제1 블록(131a)은 18개의 볼록부, 제2 블록(131b)은 12개의 볼록부, 제3 블록(131c)은 10개의 볼록부를 갖고 있다. 실시예에 관한 콜릿(25)의 진공 흡인 구멍(251)(도 8 참조)은, 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)의 볼록부에 대응하는 위치에 배치된다. 예를 들어, 제1 블록(131a)의 볼록부(P1a 내지 P1r)에 대응하는 위치에, 콜릿(25)은 진공 흡인 구멍(251)의 일부인 흡인 구멍(H1a 내지 H1r)을 갖는다. 콜릿(25)의 각 흡인 구멍의 직경은 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 각 볼록부의 상면보다 작고, 예를 들어 동일한 크기이다.As described above, the upper surfaces of the first block (outermost block) 131a, the second block (intermediate block) 131b, and the third block (central block) 131c are concave and convex, Are intermittently arranged. For example, the
콜릿(25)은, 다이(D)가 다이싱 테이프(16)를 통해 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)의 각 볼록부와 접촉하는 부분에, 진공 흡인 구멍(251)을 갖고, 다이(D)를 흡인하기 때문에, 다이(D)의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 콜릿(25)은, 다이(D)가 다이싱 테이프(16)를 통해 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)의 각 볼록부와 접촉하는 부분에는, 반드시 흡인 구멍을 가질 필요는 없지만, 다이(D)가 다이싱 테이프(16)를 통해 제3 블록(131c)의 각 볼록부와 접촉하는 부분에 흡인 구멍을 갖는 것이 바람직하다.The
다음으로, 실시예에 관한 콜릿부의 구성 및 픽업 동작에 대해 도 8, 도 9를 사용하여 설명한다. 도 8은, 실시예에 관한 콜릿부와 밀어올림 유닛의 주요부의 단면도이며, 도 8의 (A)는 콜릿부가 하강하여 다이(D)와 접촉한 상태를 도시하는 도면이고, 도 8의 (B)는 밀어올림 유닛이 블록부를 밀어올린 상태를 도시하는 도면이고, 도 8의 (C)는 콜릿부가 상승한 상태를 도시하는 도면이다. 도 9는 픽업 동작의 처리 플로우를 나타내는 흐름도이다.Next, the configuration and pickup operation of the collet portion according to the embodiment will be described with reference to Figs. 8 and 9. Fig. 8 (A) is a view showing a state in which the collet portion is lowered and brought into contact with the die D, and FIG. 8 (B) is a cross- 8B is a view showing a state in which the push-up unit pushes up the block portion, and FIG. 8C is a view showing a state in which the collet portion is raised. 9 is a flowchart showing the processing flow of the pickup operation.
도 8에 도시한 바와 같이 콜릿부(22)는, 콜릿(25)과, 콜릿(25)을 보유 지지하는 콜릿 홀더(24)를 갖는다. 콜릿(25)에는 진공 흡인 구멍(251)이 형성된다. 콜릿 홀더(24)의 중앙에 진공 흡인 구멍(26)이 있고, 콜릿 홀더(24)의 콜릿(25)의 상면측에 진공 흡인 홈(27)이 있다. 진공 흡인 구멍(251)은 진공 흡인 홈(27)에 접속되어 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 콜릿(25)은 평면에서 보아 다이(D)와 마찬가지인 직사각형이며, 다이(D)와 동일 정도의 크기를 하고 있다. 콜릿(25)은, 탄성체(예를 들어, 실리콘 고무)로 형성되고, 그 두께는 5㎜ 정도이다.As shown in Fig. 8, the
스텝 S1: 제어부(8)는, 픽업하는 다이(D)가 밀어올림 유닛(13)의 바로 위에 위치하도록 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동시켜, 박리 대상 다이를 밀어올림 유닛(13)과 콜릿부(22)에 위치 결정한다.Step S1: The
스텝 S2: 다이싱 테이프(16)의 이면에 밀어올림 유닛(13)의 상면이 접촉하도록 밀어올림 유닛(13)을 이동시킨다. 이때, 도 8의 (A)에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는, 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a), 제2 블록(131b), 제3 블록(131c)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍과 블록 사이의 간극을 통해 진공화함으로써 다이싱 테이프(16)를 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착한다.Step S2: The push-up
스텝 S3: 도 8의 (A)에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는, 콜릿부(22)를 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상 다이(D) 상에 착지시키고, 다이(D)에 압박하여 진공 흡인 구멍(251)을 갖는 콜릿(25)에 의해 다이(D)를 흡착한다.Step S3: As shown in Fig. 8 (A), the
스텝 S4: 제어부(8)는, 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)을 상승시킨다. 이에 의해, 다이(D)는 콜릿부(22)와 밀어올림 블록부(131) 사이에 끼인 채로 상승하지만, 다이싱 테이프(16)의 주변부는 밀어올림 블록부(131)의 주변부(132)에 진공 흡착된 상태이다.Step S4: The
스텝 S5: 제어부(8)는, 다이(D) 주변에서 다이싱 테이프(16)의 박리를 진행시키기 위해, 제1 블록(131a)을 하강시킨다. 제1 블록(131a)의 볼록부와 다이(D)가 접촉하는 부분은, 다이싱 테이프(16)의 점착력(흡착력)에 의해, 제1 블록(131a)이 하강 시에 다이싱 테이프(16)가 만곡된다. 한편, 제1 블록(131a)의 볼록부에 대응하는 개소에 흡인 구멍을 갖는 콜릿(25)에 의해 다이(D)의 주변이 흡착되어 다이의 휨 발생을 작게 할 수 있으므로, 다이(D) 주변에서 다이싱 테이프(16)의 박리가 진행된다.Step S5: The
스텝 S6: 제어부(8)는 제2 블록(131b)을 하강시킨다.Step S6: The
스텝 S7: 제어부(8)는 콜릿부(22)를 상승시킨다. 이에 의해, 도 8의 (C)에 도시한 바와 같이, 다이(D)는 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다. 도 6의 비교예와 같이 다이(D)가 다이싱 테이프(16)의 만곡에 따라서 변형(다이(D)가 인입 변형)되지 않으므로, 다이(D)의 휨의 발생을 작게 할 수 있다. 그렇게 하면, 콜릿 하면과의 사이의 간극의 발생을 억제할 수 있어, 공기가 콜릿부(22)의 진공 흡인계로 유입되는(누설이 발생하는) 것을 억제할 수 있다.Step S7: The
스텝 S8: 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍과 블록 사이의 간극에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 정지한다. 제어부(8)는, 다이싱 테이프(16)의 이면으로부터 밀어올림 블록부(131)의 상면이 이격되도록 밀어올림 유닛(13)을 이동시킨다.Step S8: The
스텝 S9: 제어부(8)는 웨이퍼(11)로부터의 픽업이 종료인지 여부를 판단한다. "예"인 경우는 종료하고, "아니오"인 경우는 스텝 S1로 되돌아간다.Step S9: The
제어부(8)는 스텝 S1 내지 S9를 반복하여, 웨이퍼(11)의 양품의 다이를 픽업한다.The
또한, 실시예에 관한 콜릿부는 픽업 헤드(21)에 장착되고, 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하여 중간 스테이지(31)에 적재하지만, 기판(S) 등에 본딩하는 본딩 헤드의 콜릿으로서도 사용할 수 있다.The collet part according to the embodiment is mounted on the pick-up
다음으로, 실시예에 관한 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해 도 10을 사용하여 설명한다. 도 10은, 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.Next, a method for manufacturing a semiconductor device using a die bonder according to an embodiment will be described with reference to Fig. 10 is a flowchart showing a manufacturing method of a semiconductor device.
스텝 S11: 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이(D)가 부착된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 격납하여, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는, 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판(S)을 준비하여, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 기판 공급부(6)에서 기판(S)을 반송 레인(52)에 적재한다.Step S11: The
스텝 S12: 제어부(8)는 웨이퍼 링(14)에 보유 지지된 다이싱 테이프(16)로부터 다이(D)를 픽업한다.Step S12: The
스텝 S13: 제어부(8)는 픽업한 다이(D)를 기판(S)의 패키지 에어리어(P) 상에 탑재 또는 이미 본딩한 다이 상에 적층한다. 보다 구체적으로는, 제어부(8)는 다이싱 테이프(16)로부터 픽업한 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)로 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이(D)를 픽업하여, 반송되어 온 기판(S)의 패키지 에어리어(P)에 본딩한다.Step S13: The
스텝 S14: 제어부(8)는 기판 반송 갈고리(51)로 기판(S)을 기판 반출부(7)까지 이동시켜 기판 반출부(7)에 기판(S)을 전달하고 다이 본더(10)로부터 기판(S)을 반출한다.Step S14: The
<변형예><Modifications>
이하, 대표적인 변형예에 대해, 몇 가지 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 실시예에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 실시예와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서, 상술한 실시예에 있어서의 설명이 적절하게 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시예의 일부 및 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서, 적절하게 복합적으로 적용될 수 있다.Hereinafter, some representative examples will be exemplified. In the following description of the modified example, the same reference numerals as in the above-described embodiments can be used for the parts having the same configuration and function as those described in the above-mentioned embodiments. As for the description of these parts, it is assumed that the description in the above-mentioned embodiments can be suitably used within the scope not technically contradictory. In addition, some or all of the above-described embodiments and all or a part of the plurality of modifications may be appropriately and complexly applied within a range not technically contradictory.
[변형예 1][Modified Example 1]
변형예 1은 밀어올림 블록부(131)의 구성은 마찬가지이지만, 콜릿의 흡인 구멍의 위치 등이 상이한 예이다.In the modified example 1, the configuration of the push-up
도 11은 변형예 1에 관한 콜릿을 설명하는 도면이며, 도 11의 (A)는 변형예 1-1에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 11의 (B)는 변형예 1-2에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 11의 (C)는 변형예 1-3에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 11의 (D)는 실시예에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 11의 (E)는 밀어올림 블록부를 도시하는 상면도이다.11 (A) is a bottom view of a collet according to Modification Example 1-1, and Fig. 11 (B) is a side view of a collet according to Modification Example 1-2. Fig. Fig. 11 (C) is a bottom view of the collet according to Modification 1-3, Fig. 11 (D) is a bottom view of the collet according to the embodiment, Fig. 7 is a top view showing the lifting block. Fig.
(변형예 1-1)(Modified Example 1-1)
실시예에서는, 도 11의 (D)에 도시한 바와 같이, 콜릿(25)은, 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 모든 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖고 있지만, 도 11의 (A)에 도시한 바와 같이, 변형예 1-1의 콜릿(25A)은, 제1 블록(131a)의 모든 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖고 있지만, 제2 블록(131b)의 볼록부에 대응하는 위치에는 흡인 구멍은 갖지 않고, 제3 블록(131c)의 일부의 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖는다. 제3 블록(131c)의 중앙의 2개소의 볼록부에 대응하는 위치에는 흡인 구멍을 갖지 않는다. 콜릿(25A)의 흡인 구멍의 수가 실시예의 콜릿(25)보다 적으므로, 실시예보다 제작이 용이하다. 콜릿(25A)은, 제1 블록(131a)의 모든 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖고 있으므로, 실시예와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.11 (D), the
(변형예 1-2)(Modified Example 1-2)
도 11의 (B)에 도시한 바와 같이, 변형예 1-2의 콜릿(25B)은, 제1 블록(131a)의 모든 볼록부에 대응하는 위치, 제2 블록(131b)의 모든 볼록부에 대응하는 위치 및 제3 블록(131c)의 중앙의 2개소를 제외한 모든 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖는다. 또한, 콜릿(25B)은, 제1 블록(131a)에 대응하는 흡인 구멍(H1a 내지 H1r)을 접속하는 흡인 홈(T1), 제2 블록(131b)에 대응하는 흡인 구멍을 접속하는 흡인 홈(T2) 및 제3 블록(131c)에 대응하는 흡인 구멍을 접속하는 흡인 홈(T3)을 갖는다. 콜릿(25B)의 각 흡인 구멍의 직경은 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 각 볼록부의 상면보다 작고 흡인 홈(T1 내지 T3)의 폭보다 크다. 콜릿(25B)의 각 흡인 구멍의 직경은, 예를 들어 동일한 크기이고, 흡인 홈(T1 내지 T3)의 각각의 폭은 동일한 크기이다.As shown in Fig. 11B, the
(변형예 1-3)(Modification 1-3)
도 11의 (C)에 도시한 바와 같이, 변형예 1-3의 콜릿(25C)은, 제1 블록(131a)의 네 코너의 볼록부(P1a, P1f, P1j, P1o)에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H1a, H1f, H1j, H1o)을 갖고, 제2 블록(131b)의 모든 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H2a, H2b, H2c, H2d, H2e, H2f, H2g, H2h, H2i, H2j, H2k, H2l)을 갖고, 제3 블록(131c)의 중앙의 2개소를 제외한 모든 볼록부에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖는다. 또한, 콜릿(25C)은, 제1 블록(131a)에 대응하는 흡인 구멍(H1a, H1f, H1j, H1o)을 접속하는 흡인 홈(T1)을 갖는다. 흡인 구멍(H1a, H1f, H1j, H1o)의 직경은 흡인 홈(T1)의 폭보다 크다. 콜릿(25C)의 각 흡인 구멍의 직경은 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 각 볼록부의 상면보다 작고, 예를 들어 동일한 크기이다.As shown in Fig. 11C, the
(변형예 1-4)(Modifications 1-4)
도 14는, 변형예 1-4에 관한 콜릿을 설명하는 도면이며, 도 14의 (A)는 변형예 1-4에 관한 콜릿부와 밀어올림 유닛의 주요부의 단면도이고, 도 14의 (B)는 도 14의 (B)의 주요부의 확대 모식도이다.14 (A) is a cross-sectional view of a main portion of a collet portion and a push-up unit according to Modification 1-4, and Fig. 14 (B) 14B is an enlarged schematic view of the main part of Fig. 14B.
실시예 및 변형예 1-1 내지 1-3에서는 콜릿의 각 흡인 구멍의 직경은 동일한 크기이지만, 도 14에 도시한 바와 같이 변형예 1-4에서는 제1 블록(최외주 블록)에 대응하는 위치의 콜릿의 흡인 구멍의 직경을 다른 블록(제2 블록 및 제3 블록)에 대응하는 위치의 흡인 구멍의 직경보다 크게 한다. 이에 의해, 콜릿(25G)은 다이(D)의 단부에 근접한 개소의 흡착력을 크게 할 수 있다.In the embodiment and Modifications 1-1 to 1-3, the diameter of each suction hole of the collet is the same, but as shown in Fig. 14, in Modification 1-4, the position corresponding to the first block (outermost peripheral block) The diameter of the suction hole of the collet of the second block is made larger than the diameter of the suction hole at the position corresponding to the other block (the second block and the third block). Thereby, the
또한, 도 14의 (C)에 도시한 바와 같이, 밀어올림 블록부(131)(제1 블록(131a))의 블록 사이즈는 다이(D)의 사이즈(다이 사이즈)보다 2×d1(예를 들어, 0.5㎜ 정도) 작게 구성하고, 콜릿(25G)의 사이즈는 다이 사이즈보다 2×d2(예를 들어, 0.5㎜ 정도) 크게 구성하여, 콜릿(25G)의 흡인 구멍(251G) 중 최외주의 흡인 구멍(H1a 내지 H1r)의 일부를 제1 블록(131a)(밀어올림 블록부(131))의 외측으로 d3(예를 들어, 0.25㎜ 정도) 어긋나게 배치한다.14 (C), the block size of the push-up block 131 (
이에 의해, 콜릿(25G)은 다이(D)의 보다 단부에 근접한 개소의 흡착력을 크게 할 수 있으므로, 보다 다이(D)의 변형을 저감시킬 수 있다.Thereby, the
본 변형예에서는 최외주 블록에 대응하는 위치의 콜릿의 흡인 구멍의 직경을 다른 블록에 대응하는 위치의 흡인 구멍의 직경보다 크게 하는 것과, 콜릿의 최외주의 흡인 구멍의 일부를 밀어올림 블록의 외측으로 어긋나게 하는 것의 양쪽을 행하고 있지만, 어느 한쪽이어도 된다.In this modified example, the diameter of the suction hole of the collet at the position corresponding to the outermost peripheral block is made larger than the diameter of the suction hole at the position corresponding to the other block, and a part of the suction hole at the outermost periphery of the collet is pushed outward , But either one of them may be used.
또한, 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)에 대응하는 위치의 콜릿(25G)의 흡인 구멍의 일부를 각각 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 외측으로 어긋나게 배치해도 된다.Even if some of the suction holes of the
콜릿(25G)의 흡인 구멍의 배치는 실시예의 콜릿(25)의 흡인 구멍의 배치와 마찬가지인 예에 대해 설명하였지만, 변형예 1-1 내지 1-3에 대해서도 적용할 수 있다. 또한, 후술하는 변형예 2의 콜릿 및 밀어올림 유닛에도 적용할 수 있다.Although the arrangement of the suction holes of the
[변형예 2][Modified example 2]
실시예의 밀어올림 블록부의 상면에는 요철이 있고, 볼록부가 간헐적으로 배치되는(볼록부가 복수 있는) 간헐 블록이지만, 변형예 2의 밀어올림 블록부의 상면은 볼록부가 연속적으로 배치되는(볼록부가 하나인) 연속 블록이다.The upper surface of the push-up block portion of Modification Example 2 is an intermittent block in which the convex portion is intermittently arranged (the convex portion is plural), but the upper surface of the push- It is a continuous block.
도 12는 변형예 2에 관한 밀어올림 유닛을 도시하는 도면이며, 도 12의 (A)는 밀어올림 유닛의 상면도이다. 도 12의 (B)는 도 12의 (A)의 A1-A2에 있어서의 주요부의 단면도이다. 도 13은 변형예 2에 관한 콜릿을 설명하는 도면이며, 도 13의 (A)는 변형예 2-1에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 13의 (B)는 변형예 2-2에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 13의 (C)는 변형예 2-3에 관한 콜릿의 하면도이고, 도 13의 (D)는 밀어올림 블록부를 도시하는 상면도이다.12 is a view showing the push-up unit according to the second modification, and Fig. 12 (A) is a top view of the push-up unit. Fig. 12B is a cross-sectional view of the main part taken along the line A1-A2 in Fig. 12A. 13A is a bottom view of a collet of Modification Example 2-1, and FIG. 13B is a side view of a collet according to Modification Example 2-2; Fig. 13C is a bottom view of the collet of Modification 2-3, and Fig. 13D is a top view of the push-up block. Fig.
변형예 2에 관한 밀어올림 유닛의 구조 및 동작은, 밀어올림 블록부(131D)의 상면의 형상을 제외하고 실시예와 마찬가지이다. 제1 블록(131a)과 제2 블록(131b)과 제3 블록(131c)의 각각의 상면에는 실시예와 같은 요철은 없고, 볼록부가 연속적으로 배치되는 연속 블록이다.The structure and operation of the push-up unit according to
밀어올림 유닛(13D)에 의해 다이싱 테이프(16)의 이면이 하방으로 흡인될 때, 제1 블록(131Da)과 제2 블록(131Db)과 제3 블록(131Dc)의 상면 전체가 밀착된다.When the back surface of the dicing
(변형예 2-1)(Modified Example 2-1)
도 13의 (A)에 도시한 바와 같이, 변형예 2-1의 콜릿(25D)은, 제1 블록(131Da)의 네 코너에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H11 내지 H14), 제2 블록(131Db)의 네 코너에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H21 내지 H24) 및 제3 블록(131Dc)의 네 코너에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H31 내지 H34)을 갖는다. 또한, 콜릿(25D)은, 제1 블록(131Da)에 대응하는 흡인 구멍(H11 내지 H14)을 접속하는 흡인 홈(T1), 제2 블록(131Db)에 대응하는 흡인 구멍(H21 내지 H24)을 접속하는 흡인 홈(T2) 및 제3 블록(131Dc)에 대응하는 흡인 구멍(H31 내지 H34)을 접속하는 흡인 홈(T3)을 갖는다. 콜릿(25D)의 각 흡인 구멍의 직경은 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 상면의 폭보다 작고 흡인 홈(T1 내지 T3)의 폭보다 크다. 콜릿(25D)의 각 흡인 구멍의 직경은 예를 들어 동일한 크기이며, 흡인 홈(T1 내지 T3)의 각각의 폭은 동일한 크기이다.As shown in Fig. 13A, the collet 25D of Modification Example 2-1 includes suction holes H11 to H14 at the positions corresponding to the four corners of the first block 131Da, suction holes H11 to H14, And suction holes H31 to H34 at positions corresponding to the four corners of the suction holes H21 to H24 and the third block 131Dc at positions corresponding to the four corners of the first block 131Db. The collet 25D has a suction groove T1 for connecting the suction holes H11 to H14 corresponding to the first block 131Da and suction holes H21 to H24 corresponding to the second block 131Db And a suction groove T3 for connecting the suction holes H31 to H34 corresponding to the suction groove T2 to be connected and the third block 131Dc. The diameter of each suction hole of the collet 25D is smaller than the width of the upper surface of the
(변형예 2-2)(Variation Example 2-2)
도 13의 (B)에 도시한 바와 같이, 변형예 2-2의 콜릿(25E)은, 변형예 2-1의 콜릿(25D)에 대해, 흡인 구멍(H11, H21, H31)을 접속하는 흡인 홈(T4)과, 흡인 구멍(H12, H22, H32)을 접속하는 흡인 홈(T5)과, 흡인 구멍(H13, H23, H33)을 접속하는 흡인 홈(T6)과, 흡인 구멍(H14, H24, H34)을 접속하는 흡인 홈(T7)을 더 갖는다. 흡인 홈(T4 내지 T7)의 폭은 흡인 홈(T1 내지 T3)의 폭과 동일하다.As shown in Fig. 13B, the collet 25E of Modification 2-2 has a suction (H11, H21, H31) connecting the suction holes H11, H21, H31 to the collet 25D of Modification Example 2-1 A suction groove T5 for connecting the suction hole H12 to the suction hole H12 and a suction groove H24 for connecting the suction hole H13 to the suction hole H23, , And H34, respectively. The widths of the suction grooves T4 to T7 are the same as the widths of the suction grooves T1 to T3.
(변형예 2-3)(Modification 2-3)
도 13의 (C)에 도시한 바와 같이, 변형예 2-3의 콜릿(25F)은, 제1 블록(131Da)의 네 코너에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H11 내지 H14), 제2 블록(131Db)의 네 코너에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H21 내지 H24) 및 제3 블록(131Dc)의 네 코너에 대응하는 위치에 흡인 구멍(H31 내지 H34)을 갖는다. 또한, 콜릿(25D)은, 흡인 구멍(H14, H11, H12, H13, H21, H22, H23, H34, H32, H33)을 평면에서 보아 나선 형상으로 접속하는 흡인 홈(T11)을 갖는다. 콜릿(25D)의 각 흡인 구멍의 직경은 제1 블록(131a), 제2 블록(131b) 및 제3 블록(131c)의 상면의 폭보다 작고 흡인 홈(T11)의 폭보다 크다. 콜릿(25D)의 각 흡인 구멍의 직경은, 예를 들어 동일한 크기이다.As shown in Fig. 13C, the collet 25F of the modified example 2-3 has the suction holes H11 to H14 at the positions corresponding to the four corners of the first block 131Da, the suction holes H11 to H14, And suction holes H31 to H34 at positions corresponding to the four corners of the suction holes H21 to H24 and the third block 131Dc at positions corresponding to the four corners of the first block 131Db. The collet 25D has a suction groove T11 for connecting the suction holes H14, H11, H12, H13, H21, H22, H23, H34, H32 and H33 in a spiral shape in a plan view. The diameter of each suction hole of the collet 25D is smaller than the width of the upper surface of the
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.Although the invention made by the present inventors has been specifically described based on the embodiments and the modified examples, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments and the modified examples.
예를 들어, 실시예에서는, 밀어올림 블록부는 제1 블록 내지 제3 블록의 3개의 블록으로 구성되어 있는 예를 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 복수의 블록이면 된다.For example, in the embodiment, the example in which the push-up block unit is composed of three blocks of the first block to the third block has been described, but the present invention is not limited to this, and a plurality of blocks may be used.
실시예에서는 콜릿의 각 흡인 구멍은 콜릿 홀더의 진공 흡인 홈에 접속되어 있지만, 진공 흡인 홈을 분할하거나 하여 콜릿의 흡인 구멍 또는 흡인 홈마다 독립적으로 진공 흡인 가능하게 해도 된다.In the embodiment, each suction hole of the collet is connected to the vacuum suction groove of the collet holder, but the vacuum suction groove may be divided so that the vacuum suction can be independently performed for each suction hole or suction groove of the collet.
실시예에서는 제1 블록, 제2 블록, 제3 블록의 간헐 볼록부(돌기부)에는 돔 본체에 접속되는 흡인 구멍을 갖고 있지 않지만, 제1 블록, 제2 블록, 제3 블록의 간헐 볼록부(돌기부)에 흡인 구멍을 형성하여 흡인하도록 해도 된다.In the embodiment, the intermittent convex portions (protruding portions) of the first block, the second block and the third block do not have the suction holes connected to the dome main body, but the intermittent convex portions The projecting portion may be formed with a suction hole so as to be sucked.
변형예 1-4에서는 제1 블록(최외주 블록)에 대응하는 위치의 콜릿 흡인 구멍의 직경을 다른 블록(제2 블록 및 제3 블록)에 대응하는 위치의 흡인 구멍의 직경보다 크게 하고 있지만, 제1 블록의 블록 사이즈(블록 폭)보다 더 크게 해도 된다. 또한, 변형예에서는 콜릿의 각 흡인 홈은 동일한 폭이지만, 흡인 홈의 폭을 제1 블록의 블록 사이즈와 근사하게 해도 되고, 블록 사이즈보다 더 넓게 해도 된다.In Modification 1-4, the diameter of the collet suction hole at the position corresponding to the first block (outermost peripheral block) is made larger than the diameter of the suction hole at the position corresponding to the other block (the second block and the third block) May be larger than the block size (block width) of the first block. In the modified example, each suction groove of the collet has the same width, but the width of the suction groove may be approximated to the block size of the first block or wider than the block size.
실시예에서는, 다이 어태치 필름을 사용하는 예를 설명하였지만, 기판에 접착제를 도포하는 프리폼부를 마련하여 다이 어태치 필름을 사용하지 않아도 된다.Although an example using a die attach film is described in the embodiment, a die attach film may not be used by providing a preform section for applying an adhesive to a substrate.
또한, 실시예에서는, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에 대해 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 반도체 제조 장치에 적용 가능하다.Further, in the embodiment, the die bonder has been described in which the die is picked up from the die supply portion by the pick-up head, is mounted on the intermediate stage, and the die mounted on the intermediate stage is bonded to the substrate by the bonding head. However, The present invention is applicable to a semiconductor manufacturing apparatus that picks up a die from a die supply section.
예를 들어, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없고, 다이 공급부의 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에도 적용 가능하다.For example, it is applicable to a die bonder in which there is no intermediate stage and pick-up head, and a die of a die supply portion is bonded to a substrate by a bonding head.
또한, 중간 스테이지와 본딩 헤드가 없고, 다이 공급부로부터 픽업 헤드로 픽업한 다이를 트레이 등에 적재하는 다이 소터에 적용 가능하다.Further, the present invention is applicable to a die sorter that does not have an intermediate stage and a bonding head, and mounts a die picked up by a pick-up head from a die feeder onto a tray or the like.
1 : 다이 공급부
11 : 웨이퍼
13 : 밀어올림 유닛
16 : 다이싱 테이프
2 : 픽업부
21 : 픽업 헤드
22 : 콜릿부
25 : 콜릿
251 : 진공 흡인 구멍
3 : 중간 스테이지부
31 : 중간 스테이지
4 : 본딩부
41 : 본딩 헤드
8 : 제어부
10 : 다이 본더
D : 다이
S : 기판1:
11: wafer
13: Push-up unit
16: Dicing tape
2: Pickup section
21: Pickup head
22: Collet portion
25: Collet
251: vacuum suction hole
3: intermediate stage part
31: Intermediate stage
4:
41: bonding head
8:
10: die bonder
D: Die
S: substrate
Claims (22)
다이가 부착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링 홀더를 갖는 다이 공급부와,
복수의 밀어올림 블록을 갖는 밀어올림 유닛과,
상기 다이싱 테이프로부터 다이를 흡착하는 콜릿부를 구비하고,
상기 콜릿부는,
콜릿과,
상기 콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더를 구비하고,
상기 콜릿은 탄성체로 형성되고, 상기 밀어올림 블록의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖는 반도체 제조 장치.1. A semiconductor manufacturing apparatus comprising:
A die supply portion having a wafer ring holder for holding a dicing tape with a die attached thereto,
A push-up unit having a plurality of push-up blocks,
And a collet portion for sucking the die from the dicing tape,
The collet unit includes:
The collet,
And a collet holder for holding the collet,
Wherein the collet is formed of an elastic body and has a suction hole at a position corresponding to a portion in contact with the dicing tape of the push-up block.
상기 복수의 밀어올림 블록은, 가장 외측에 위치하는 외주 블록과, 중앙에 위치하는 중앙 블록과, 상기 외주 블록과 상기 중앙 블록 사이에 위치하는 중간 블록을 갖고,
상기 콜릿은, 상기 외주 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 반도체 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of push-up blocks comprise an outermost block located at the outermost position, a center block located at the center, and an intermediate block positioned between the outer block and the center block,
Wherein the collet has the suction hole at a position corresponding to the outer peripheral block.
상기 흡인 구멍은 또한, 상기 중앙 블록 및 상기 중간 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 반도체 제조 장치.3. The method of claim 2,
And the suction hole further has the suction hole at a position corresponding to the center block and the intermediate block.
상기 흡인 구멍에 접속되어 있는 흡인 홈을 더 갖고,
상기 흡인 구멍은 상기 외주 블록의 네 코너의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소의 각각에 대응하는 위치에 배치되는 반도체 제조 장치.3. The method of claim 2,
Further comprising a suction groove connected to the suction hole,
And the suction holes are disposed at positions corresponding to the respective four corners of the outer peripheral block in contact with the dicing tape.
상기 흡인 구멍의 직경은 상기 흡인 홈의 폭보다 큰 반도체 제조 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the diameter of the suction hole is larger than the width of the suction groove.
상기 흡인 구멍은 또한, 상기 중앙 블록 및 상기 중간 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 반도체 제조 장치.5. The method of claim 4,
And the suction hole further has the suction hole at a position corresponding to the center block and the intermediate block.
상기 외주 블록은 상면에 복수의 볼록부를 간헐적으로 갖고,
상기 흡인 구멍은 상기 복수의 볼록부의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소에 대응하는 각각의 위치에 배치되는 반도체 제조 장치.3. The method of claim 2,
The outer peripheral block has a plurality of convex portions intermittently on its upper surface,
And the suction holes are disposed at respective positions corresponding to the portions of the plurality of convex portions contacting the dicing tape.
상기 흡인 구멍은 또한, 상기 중앙 블록 및 상기 중간 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 반도체 제조 장치.8. The method of claim 7,
And the suction hole further has the suction hole at a position corresponding to the center block and the intermediate block.
상기 흡인 구멍에 접속되어 있는 흡인 홈을 더 갖는 반도체 제조 장치.8. The method of claim 7,
And a suction groove connected to the suction hole.
상기 흡인 구멍의 직경은 상기 흡인 홈의 폭보다 큰 반도체 제조 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the diameter of the suction hole is larger than the width of the suction groove.
상기 흡인 구멍은 또한, 상기 중앙 블록 및 상기 중간 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 반도체 제조 장치.10. The method of claim 9,
And the suction hole further has the suction hole at a position corresponding to the center block and the intermediate block.
상기 콜릿이 장착되는 픽업 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
Further comprising a pick-up head on which the collet is mounted.
상기 픽업 헤드로 픽업되는 다이를 적재하는 중간 스테이지와,
상기 중간 스테이지에 적재되는 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 본딩 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.13. The method of claim 12,
An intermediate stage for loading a die picked up by the pickup head,
Further comprising a bonding head for bonding the die mounted on the intermediate stage onto a substrate or a die already bonded.
상기 다이는 또한, 상기 다이와 상기 다이싱 테이프 사이에 다이 어태치 필름을 구비하는 반도체 제조 장치.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the die further comprises a die attach film between the die and the dicing tape.
(a) 복수의 밀어올림 블록을 갖는 밀어올림 유닛과, 다이싱 테이프로부터 다이를 흡착하는 콜릿부를 구비하고, 상기 콜릿부는, 콜릿과, 상기 콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더를 구비하고, 상기 콜릿은 탄성체로 형성되고, 상기 밀어올림 블록의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소에 대응하는 위치에 흡인 구멍 또는 흡인 구멍에 접속된 흡인 홈을 갖는 반도체 제조 장치를 준비하는 공정과,
(b) 다이를 갖는 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
(c) 상기 콜릿부로 상기 다이를 픽업하는 공정
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device,
(a) a push-up unit having a plurality of push-up blocks, and a collet portion for sucking a die from the dicing tape, wherein the collet portion includes a collet and a collet holder for holding the collet, Preparing a semiconductor manufacturing apparatus which is formed of an elastic body and has a suction groove connected to a suction hole or a suction hole at a position corresponding to a portion in contact with the dicing tape of the push-up block;
(b) preparing a wafer ring holding a dicing tape having a die,
(c) a step of picking up the die with the collet part
And a step of forming the semiconductor device.
(d) 기판을 준비하는 공정과,
(e) 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
(d) preparing a substrate,
(e) bonding the die to the substrate or a die to which the die is already bonded.
상기 (c) 공정은 또한 상기 픽업한 다이를 중간 스테이지에 적재하는 공정을 갖고,
상기 (e) 공정은 또한 상기 중간 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.17. The method of claim 16,
The step (c) further includes the step of loading the picked-up die onto the intermediate stage,
And the step (e) further comprises a step of picking up the die from the intermediate stage.
상기 콜릿은 탄성체로 형성되고, 상기 밀어올림 블록의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소에 대응하는 위치에 흡인 구멍을 갖는 콜릿.A collet for sucking the die from a dicing tape having a die in cooperation with a push-up unit having a plurality of push-up blocks,
Wherein the collet is formed of an elastic body and has a suction hole at a position corresponding to a portion in contact with the dicing tape of the push-up block.
상기 복수의 밀어올림 블록 중 최외주 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 콜릿.19. The method of claim 18,
And the suction holes at positions corresponding to the outermost peripheral blocks of the plurality of push-up blocks.
상기 흡인 구멍에 접속되어 있는 흡인 홈을 더 갖고,
상기 흡인 구멍은 상기 최외주 블록의 네 코너의 상기 다이싱 테이프에 접하는 개소의 각각에 대응하는 위치에 배치되는 콜릿.20. The method of claim 19,
Further comprising a suction groove connected to the suction hole,
And the suction holes are arranged at positions corresponding to the respective four corners of the outermost peripheral block in contact with the dicing tape.
상기 흡인 구멍의 직경은 상기 흡인 홈의 폭보다 큰 콜릿.21. The method of claim 20,
And the diameter of the suction hole is larger than the width of the suction groove.
상기 흡인 구멍은 또한, 상기 복수의 밀어올림 블록 중 중앙에 위치하는 중앙 블록 및 상기 최외주 블록과 상기 중앙 블록 사이에 위치하는 중간 블록에 대응하는 위치에 상기 흡인 구멍을 갖는 콜릿.20. The method of claim 19,
Wherein the suction hole further comprises a central block located at the center of the plurality of push-up blocks, and a suction hole at a position corresponding to the intermediate block located between the outermost peripheral block and the center block.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2017-178987 | 2017-09-19 | ||
JP2017178987A JP6967411B2 (en) | 2017-09-19 | 2017-09-19 | Semiconductor manufacturing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and collets |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190032180A true KR20190032180A (en) | 2019-03-27 |
KR102101760B1 KR102101760B1 (en) | 2020-04-20 |
Family
ID=65771255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180100186A KR102101760B1 (en) | 2017-09-19 | 2018-08-27 | Apparatus for manufacturing semiconductor, method of manufacturing semiconductor device and collet |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6967411B2 (en) |
KR (1) | KR102101760B1 (en) |
CN (1) | CN109524313B (en) |
TW (1) | TWI705524B (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2017-09-19 JP JP2017178987A patent/JP6967411B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-27 KR KR1020180100186A patent/KR102101760B1/en active IP Right Grant
- 2018-08-28 TW TW107129898A patent/TWI705524B/en active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109524313A (en) | 2019-03-26 |
KR102101760B1 (en) | 2020-04-20 |
CN109524313B (en) | 2022-12-30 |
TWI705524B (en) | 2020-09-21 |
JP2019054209A (en) | 2019-04-04 |
JP6967411B2 (en) | 2021-11-17 |
TW201923963A (en) | 2019-06-16 |
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