KR20190030488A - 소재 물성 검사 장치 - Google Patents

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Abstract

소재 물성 검사 장치가 제공된다. 소재 물성 검사 장치는, 광원, 상기 광원으로부터 제1 광을 제공받아 제1 측정 대상물에 제2 광을 조사하는 제1 측정부, 상기 광원으로부터 상기 제1 광을 제공받아 상기 제1 측정 대상물과 다른 제2 측정 대상물에 제3 광을 조사하는 제2 측정부, 상기 제1 측정부로부터 제공된 제1 광신호를 수신하여 상기 제1 측정 대상물의 물성을 검사하고, 상기 제2 측정부로부터 제공된 제2 광신호를 수신하여 상기 제2 측정 대상물의 물성을 검사하는 검사부, 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 반사시켜 상기 검사부에 제공하는 측정 위치 선택부를 포함한다.

Description

소재 물성 검사 장치{Apparatus for inspecting material property}
본 발명은 소재 물성 검사 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피(photolithography) 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
반도체 기판 상에 잔류하는 이물질들과 같은 반도체 기판의 결함들은 반도체 장치의 고집적화에 따라 반도체 장치의 동작 성능 및 생산성을 저하시키는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 결함들을 검출하기 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 반사 미러의 각도를 조절하여 하나의 검사부를 이용하여 복수의 측정 대상물의 물성을 검사하는 소재 물성 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 소재 물성 검사 장치의 몇몇 실시예는, 광원, 상기 광원으로부터 제1 광을 제공받아 제1 측정 대상물에 제2 광을 조사하는 제1 측정부, 상기 광원으로부터 상기 제1 광을 제공받아 상기 제1 측정 대상물과 다른 제2 측정 대상물에 제3 광을 조사하는 제2 측정부, 상기 제1 측정부로부터 제공된 제1 광신호를 수신하여 상기 제1 측정 대상물의 물성을 검사하고, 상기 제2 측정부로부터 제공된 제2 광신호를 수신하여 상기 제2 측정 대상물의 물성을 검사하는 검사부, 및 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 반사시켜 상기 검사부에 제공하는 측정 위치 선택부를 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 소재 물성 검사 장치의 다른 몇몇 실시예는, 제1 측정 대상물이 위치하고, 상기 제1 측정 대상물에 제1 광을 제공하는 제1 조명부 및 상기 제1 측정 대상물을 통과한 상기 제1 광을 수광하는 제1 수광부를 포함하는 제1 측정부, 상기 제1 측정 대상물과 다른 제2 측정 대상물이 위치하고, 상기 제2 측정 대상물에 제2 광을 제공하는 제2 조명부 및 상기 제2 측정 대상물을 통과한 상기 제2 광을 수광하는 제2 수광부를 포함하는 제2 측정부, 상기 제1 측정부로부터 제공된 제1 광신호를 수신하여 상기 제1 측정 대상물의 물성을 검사하고, 상기 제2 측정부로부터 제공된 제2 광신호를 수신하여 상기 제2 측정 대상물의 물성을 검사하는 검사부, 상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 상기 검사부에 제공하는 반사 미러, 및 구동부를 제어하여 상기 반사 미러의 각도를 조절하는 제어부를 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 소재 물성 검사 장치의 또 다른 몇몇 실시예는, 제1 측정 대상물에 광을 조사하는 제1 측정부, 상기 제1 측정 대상물과 다른 제2 측정 대상물에 상기 광을 조사하는 제2 측정부, 상기 제1 측정 대상물의 제1 물성 및 상기 제1 물성과 다른 제2 물성 중 적어도 하나를 검사하고, 상기 제2 측정 대상물의 상기 제1 물성 및 상기 제2 물성 중 적어도 하나를 검사하는 검사부, 및 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제1 측정부로부터 제공된 제1 광신호 및 상기 제2 측정부로부터 제공된 제2 광신호 중 어느 하나를 상기 검사부에 제공하는 측정 위치 선택부를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 이용하여 소재의 물성을 검사하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하에서, 도 1을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 반도체 장치의 제조 공정에서 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피(photolithography) 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 패턴을 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 불순물을 제거하기 위한 세정 공정 등의 각각의 공정에서 반도체 기판에 포함된 소재의 물성을 검사하기 위해 사용될 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 광원(110), 제1 측정부(120), 제2 측정부(130), 제3 측정부(140), 측정 위치 선택부(150), 검사부(160) 및 제어부(170)를 포함한다.
광원(110)은 제1 측정부(120), 제2 측정부(130) 및 제3 측정부(140)에 제1 광(L1)을 제공할 수 있다.
구체적으로, 광원(110)은 반사 미러(155)의 각도에 따라 제1 측정부(120)와 연결된 제1 헤드(151), 제2 측정부(130)와 연결된 제2 헤드(152) 및 제3 측정부(140)와 연결된 제3 헤드(153) 중 어느 하나에 제1 광(L1)을 제공할 수 있다.
제1 헤드(151)에 제공된 제1 광(L1)은 광섬유를 통해 제1 측정부(120)의 제1 조명부(121)에 제공될 수 있고, 제2 헤드(152)에 제공된 제1 광(L1)은 광섬유를 통해 제2 측정부(130)의 제2 조명부(131)에 제공될 수 있고, 제3 헤드(153)에 제공된 제1 광(L1)은 광섬유를 통해 제3 측정부(140)의 제3 조명부(141)에 제공될 수 있다.
광원(110)은 제1 측정 대상물(10)이 제1 측정부(120)에 위치하는 경우 제1 조명부(121)에 제1 광(L1)을 제공할 수 있고, 제2 측정 대상물(20)이 제2 측정부(130)에 위치하는 경우 제2 조명부(131)에 제1 광(L1)을 제공할 수 있고, 제3 측정 대상물(30)이 제3 측정부(140)에 위치하는 경우 제3 조명부(141)에 제1 광(L1)을 제공할 수 있다.
도 1에는 광원(110)이 검사부(160)의 내부에 배치되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 광원(110)은 검사부(160)의 외부에 배치될 수 있다.
제1 측정부(120)는 제1 조명부(121) 및 제1 수광부(122)를 포함할 수 있다.
제1 조명부(121)는 광원(110)으로부터 제1 광(L1)을 제공받아 제1 측정 대상물(10)에 제2 광(L2)을 조사할 수 있다. 제1 수광부(122)는 제1 측정 대상물(10)을 통과한 제2 광(L2)을 수광하여 제1 광신호(S1)를 광섬유를 통해 제1 헤드(151)에 제공할 수 있다.
제2 측정부(130)는 제2 조명부(131) 및 제2 수광부(132)를 포함할 수 있다.
제2 조명부(131)는 광원(110)으로부터 제1 광(L1)을 제공받아 제2 측정 대상물(20)에 제3 광(L3)을 조사할 수 있다. 제2 수광부(132)는 제2 측정 대상물(20)을 통과한 제3 광(L3)을 수광하여 제2 광신호(S2)를 광섬유를 통해 제2 헤드(152)에 제공할 수 있다.
제3 측정부(140)는 제3 조명부(141) 및 제3 수광부(142)를 포함할 수 있다.
제3 조명부(141)는 광원(110)으로부터 제1 광(L1)을 제공받아 제3 측정 대상물(30)에 제4 광(L4)을 조사할 수 있다. 제3 수광부(142)는 제3 측정 대상물(30)을 통과한 제4 광(L4)을 수광하여 제3 광신호(S3)를 광섬유를 통해 제3 헤드(153)에 제공할 수 있다.
도 1에는 3개의 측정부(120, 130, 140)가 배치되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 4개 이상의 측정부가 배치될 수 있다.
측정 위치 선택부(150)는 제1 헤드(151), 제2 헤드(152), 제3 헤드(153), 렌즈(154), 반사 미러(155) 및 구동부(156)를 포함할 수 있다.
측정 위치 선택부(150)는 제1 헤드(151), 제2 헤드(152) 및 제3 헤드(153)와 각각 연결되는 광섬유를 통해 제1 측정부(120), 제2 측정부(130) 및 제3 측정부(140)와 각각 연결될 수 있다. 또한, 측정 위치 선택부(150)는 광섬유를 통해 검사부(160)와 연결될 수 있다.
측정 위치 선택부(150)는 광원(110)으로부터 제공된 제1 광(L1)을 제1 측정부(120), 제2 측정부(130) 및 제3 측정부(140) 중 어느 하나에 제공할 수 있다.
또한, 측정 위치 선택부(150)는 제1 측정부(120)로부터 제공된 제1 광신호(S1), 제2 측정부(130)로부터 제공된 제2 광신호(S2) 및 제3 측정부(140)로부터 제공된 제3 광신호(S3) 중 어느 하나를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
렌즈(154)는 광원(110)으로부터 제공되어 반사 미러(155)에 의해 반사된 제1 광(L1)을 제1 헤드(151), 제2 헤드(152) 및 제3 헤드(153) 중 어느 하나에 집광시킬 수 있다.
또한, 렌즈(154)는 제1 수광부(122)로부터 제공된 제1 광신호(S1), 제2 수광부(132)로부터 제공된 제2 광신호(S2) 및 제3 수광부(142)로부터 제공된 제3 광신호(S3) 중 어느 하나를 반사 미러(155)에 집광시킬 수 있다.
반사 미러(155)는 구동부(156)에 의해 각도가 조절되어, 광원(110)으로부터 제공된 제1 광(L1)을 제1 헤드(151), 제2 헤드(152) 및 제3 헤드(153) 중 어느 하나로 반사시킬 수 있다.
또한, 반사 미러(155)는 구동부(156)에 의해 각도가 조절되어, 제1 헤드(151)로부터 제공된 제1 광신호(S1), 제2 헤드(152)로부터 제공된 제2 광신호(S2) 및 제3 헤드(153)로부터 제공된 제3 광신호(S3) 중 어느 하나를 검사부(160)에 반사시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
제어부(170)는 구동부(156)를 제어하여 반사 미러(155)의 각도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어부(170)는 미리 설정된 시간에 따라 구동부(156)를 구동시켜 반사 미러(155)의 각도를 조절함으로써 제1 광신호(S1), 제2 광신호(S2), 제3 광신호(S3) 중 어느 하나를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 제어부(170)는 제1 측정부(120), 제2 측정부(130) 및 제3 측정부(140) 중 어느 하나에 측정 대상물이 위치하는 경우, 구동부(156)를 구동시켜 반사 미러(155)의 각도를 조절함으로써 제1 광신호(S1), 제2 광신호(S2) 및 제3 광신호(S3) 중 어느 하나를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
검사부(160)는 광원(110) 및 농도 측정부(161)를 포함할 수 있다. 다만, 상술한 바와 같이, 광원(110)은 검사부(160)의 외부에 배치될 수 있다.
검사부(160)는 제1 측정 대상물(10), 제2 측정 대상물(20) 및 제3 측정 대상물(30) 각각의 물성을 검사할 수 있다.
구체적으로, 검사부(160)는 제1 측정부(120)로부터 제1 광신호(S1)를 수신하여 제1 측정 대상물(10)의 물성을 검사할 수 있고, 제2 측정부(130)로부터 제2 광신호(S2)를 수신하여 제2 측정 대상물(20)의 물성을 검사할 수 있고, 제3 측정부(140)로부터 제3 광신호(S3)를 수신하여 제3 측정 대상물(30)의 물성을 검사할 수 있다.
검사부(160)는 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각의 제1 물성 및 제1 물성과 다른 제2 물성 중 적어도 하나를 검사할 수 있다. 예를 들어, 제1 물성은 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각에 포함된 물질의 농도이고, 제2 물성은 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각에 포함된 파티클(particle)의 크기 일 수 있다.
다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 검사부(160)는 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각의 3개 이상의 서로 다른 물성을 검사할 수 있다.
도 1에는 검사부(160)가 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각에 포함된 물질의 농도를 검사하는 농도 측정부(161)를 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것으로, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 검사부(160)는 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각에 포함된 파티클의 크기를 검사하는 파티클 측정부를 포함할 수 있다.
이하에서, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 이용하여 소재의 물성을 검사하는 방법을 설명한다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 이용하여 소재의 물성을 검사하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다. 도 3 내지 도 5는 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 측정부(120)에 위치한 제1 측정 대상물(10)의 물성을 측정하는 경우, 제어부(170)는 구동부(156)를 구동시켜 반사 미러(155)의 각도를 도 3에 도시된 바와 같이 조절할 수 있다(S110).
반사 미러(155)의 각도가 조절된 후에, 광원(110)은 제1 광(L1)을 제1 측정부(120)에 제공할 수 있다(S120).
구체적으로, 광원(110)으로부터 제공된 제1 광(L1)은 반사 미러(155)에 반사되어 제1 헤드(151)에 제공될 수 있다. 제1 헤드(151)에 제공된 제1 광(L1)은 광섬유를 통해 제1 측정부(120)의 제1 조명부(121)에 제공될 수 있다.
제1 조명부(121)는 제1 측정 대상물(10)에 제2 광(L2)을 조사할 수 있다(S130). 광원(110)으로부터 제공된 광을 제1 광(L1)으로 정의하고, 제1 조명부(121)가 제1 측정 대상물(10)에 조사하는 광을 제2 광(L2)으로 정의하였지만, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 제1 광(L1)과 제2 광(L2)은 동일한 광 일 수 있다.
제1 조명부(121)로부터 조사되어 제1 측정 대상물(10)을 통과한 제2 광(L2)은 제1 수광부(122)에 수광될 수 있다. 제1 수광부(122)는 제1 광신호(S1)를 검사부(160)에 제공할 수 있다(S140).
구체적으로, 제1 수광부(122)로부터 제공된 제1 광신호(S1)는 광섬유를 통해 제1 헤드(151)에 제공될 수 있다. 제1 헤드(151)에 제공된 제1 광신호(S1)는 반사 미러(155)에 반사되어 검사부(160)에 제공될 수 있다.
검사부(160)는 제1 광신호(S1)를 이용하여 제1 측정 대상물(10)의 물성을 검사할 수 있다(S150). 예를 들어, 검사부(160)에 배치된 농도 측정부(161)는 제1 광신호(S1)를 이용하여 제1 측정 대상물(10)에 포함된 물질의 농도를 검사할 수 있다. 상술한 과정에 따라 제1 측정 대상물(10)의 물성을 검사할 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 제2 측정부(130)에 위치한 제2 측정 대상물(20)의 물성을 검사하기 위해, 제어부(170)는 구동부(156)를 구동시켜 반사 미러(155)의 각도를 도 4에 도시된 바와 같이 조절할 수 있다(S110).
반사 미러(155)의 각도가 조절된 후에, 제1 측정 대상물(10)의 물성을 측정할 때와 유사한 과정을 통해 제2 측정 대상물(20)의 물성을 검사할 수 있다.
구체적으로, 반사 미러(155)의 각도가 조절된 후에, 광원(110)은 제1 광(L1)을 제2 측정부(130)에 제공할 수 있다(S120). 제2 조명부(131)는 제2 측정 대상물(20)에 제3 광(L3)을 조사할 수 있다(S130). 제2 수광부(132)는 제2 광신호(S2)를 검사부(160)에 제공할 수 있다(S140). 검사부(160)는 제2 광신호(S2)를 이용하여 제2 측정 대상물(20)의 물성을 검사할 수 있다(S150). 상술한 과정에 따라 제2 측정 대상물(20)의 물성을 검사할 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 제3 측정부(140)에 위치한 제3 측정 대상물(30)의 물성을 검사하기 위해, 제어부(170)는 구동부(156)를 구동시켜 반사 미러(155)의 각도를 도 5에 도시된 바와 같이 조절할 수 있다(S110).
반사 미러(155)의 각도가 조절된 후에, 제1 및 제2 측정 대상물(10, 20)의 물성을 측정할 때와 유사한 과정을 통해 제3 측정 대상물(30)의 물성을 검사할 수 있다.
구체적으로, 반사 미러(155)의 각도가 조절된 후에, 광원(110)은 제1 광(L1)을 제3 측정부(140)에 제공할 수 있다(S120). 제3 조명부(141)는 제3 측정 대상물(30)에 제4 광(L4)을 조사할 수 있다(S130). 제3 수광부(142)는 제3 광신호(S3)를 검사부(160)에 제공할 수 있다(S140). 검사부(160)는 제3 광신호(S3)를 이용하여 제3 측정 대상물(30)의 물성을 검사할 수 있다(S150). 상술한 과정에 따라 제3 측정 대상물(30)의 물성을 검사할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 측정 위치 선택부(150)에 배치된 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 광 및 광신호를 반사시킴으로써, 하나의 검사부(160)를 이용하여 복수의 측정 대상물의 물성을 검사할 수 있다. 이로 인해, 복수의 측정 대상물의 물성을 검사하는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 하나의 검사부(160)를 이용하여 복수의 측정 대상물의 물성을 검사함으로써 설비 비용을 감소시킬 수 있다.
이하에서, 도 6을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 설명한다. 도 1에 도시된 소재 물성 검사 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 검사부(160)가 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각에 포함된 물질의 농도를 검사하는 농도 측정부(161) 이외에, 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각에 포함된 파티클(particle)의 크기를 검사하는 파티클 측정부(162)를 더 포함한다.
이로 인해, 도 6에 도시된 소재 물성 검사 장치는 제1 내지 제3 측정 대상물(10, 20, 30) 각각의 서로 다른 물성 즉, 물질의 농도 및 파티클의 크기를 동시에 검사할 수 있다.
이하에서, 도 7을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 설명한다. 도 1에 도시된 소재 물성 검사 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 제1 조명부(121)로부터 조사되어 제1 측정 대상물(10)을 통과한 제2 광(L2), 제2 조명부(131)로부터 조사되어 제2 측정 대상물(20)을 통과한 제3 광(L3) 및 제3 조명부(141)로부터 조사되어 제3 측정 대상물(30)을 통과한 제4 광(L4)이 모두 하나의 수광부인 제4 수광부(180)에 수광될 수 있다.
제4 수광부(180)는 제1 측정 대상물(10)을 통과한 제2 광(L2)을 수광하여 측정 위치 선택부(150)에 제1 광신호(S1)를 제공하고, 제2 측정 대상물(20)을 통과한 제3 광(L3)을 수광하여 측정 위치 선택부(150)에 제2 광신호(S2)를 제공하고, 제3 측정 대상물(30)을 통과한 제4 광(L4)을 수광하여 측정 위치 선택부(150)에 제3 광신호(S3)를 제공할 수 있다.
이하에서, 도 8을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 설명한다. 도 1에 도시된 소재 물성 검사 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 광원(210)이 검사부(160)의 외부에 배치될 수 있다.
구체적으로, 광원(210)은 반사 미러(155)를 통하지 않고 제1 조명부(121), 제2 조명부(131) 및 제3 조명부(141) 각각에 제1 광(L1)을 제공할 수 있다. 이 경우, 제1 조명부(121), 제2 조명부(131) 및 제3 조명부(141) 각각은 측정 위치 선택부(150)와 연결되지 않는다.
광원(210)이 제1 조명부(121), 제2 조명부(131) 및 제3 조명부(141) 중 어느 하나에 제1 광(L1)을 제공한 후에, 제어부(170)는 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 제1 광신호(S1), 제2 광신호(S2) 및 제3 광신호(S3) 중 어느 하나를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
예를 들어, 제1 조명부(121)가 광원(210)으로부터 제1 광(L1)을 제공받아 제1 측정 대상물(10)에 제2 광(L2)을 조사하는 경우, 제어부(170)는 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 제1 광신호(S1)를 검사부(160)에 제공할 수 있다. 제2 조명부(131)가 광원(210)으로부터 제1 광(L1)을 제공받아 제2 측정 대상물(20)에 제3 광(L3)을 조사하는 경우, 제어부(170)는 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 제2 광신호(S2)를 검사부(160)에 제공할 수 있다. 제3 조명부(141)가 광원(210)으로부터 제1 광(L1)을 제공받아 제3 측정 대상물(30)에 제4 광(L4)을 조사하는 경우, 제어부(170)는 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 제3 광신호(S3)를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
이하에서, 도 9를 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 설명한다. 도 1에 도시된 소재 물성 검사 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 몇몇 실시예에 따른 소재 물성 검사 장치는, 제1 위치 센서(191), 제2 위치 센서(192) 및 제3 위치 센서(193)를 더 포함할 수 있다.
제1 위치 센서(191)는 제1 측정 대상물(10)이 제1 측정부(120)에 위치하는 것을 센싱할 수 있다. 제1 위치 센서(191)는 제1 측정 대상물(10)이 제1 측정부(120)에 위치하는 경우, 제1 위치 신호를 제어부(170)에 제공할 수 있다.
제어부(170)는 제1 위치 센서(191)로부터 제1 위치 신호를 수신하는 경우, 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 광원(110)으로부터 제공된 제1 광(L1)을 제1 조명부(121)에 제공하고, 제1 수광부(122)로부터 제공된 제1 광신호(S1)를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
제2 위치 센서(192)는 제2 측정 대상물(20)이 제2 측정부(130)에 위치하는 것을 센싱할 수 있다. 제2 위치 센서(192)는 제2 측정 대상물(20)이 제2 측정부(130)에 위치하는 경우, 제2 위치 신호를 제어부(170)에 제공할 수 있다.
제어부(170)는 제2 위치 센서(192)로부터 제2 위치 신호를 수신하는 경우, 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 광원(110)으로부터 제공된 제1 광(L1)을 제2 조명부(131)에 제공하고, 제2 수광부(132)로부터 제공된 제2 광신호(S2)를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
제3 위치 센서(193)는 제3 측정 대상물(30)이 제3 측정부(140)에 위치하는 것을 센싱할 수 있다. 제3 위치 센서(193)는 제3 측정 대상물(30)이 제3 측정부(140)에 위치하는 경우, 제3 위치 신호를 제어부(170)에 제공할 수 있다.
제어부(170)는 제3 위치 센서(193)로부터 제3 위치 신호를 수신하는 경우, 반사 미러(155)의 각도를 조절하여 광원(110)으로부터 제공된 제1 광(L1)을 제3 조명부(141)에 제공하고, 제3 수광부(142)로부터 제공된 제3 광신호(S3)를 검사부(160)에 제공할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110: 광원 120: 제1 측정부
130: 제2 측정부 140: 제3 측정부
150: 측정 위치 선택부 154: 렌즈
155: 반사 미러 156: 구동부
160: 검사부 161: 농도 측정부
162: 파티클 측정부 170: 제어부

Claims (10)

  1. 광원;
    상기 광원으로부터 제1 광을 제공받아 제1 측정 대상물에 제2 광을 조사하는 제1 측정부;
    상기 광원으로부터 상기 제1 광을 제공받아 상기 제1 측정 대상물과 다른 제2 측정 대상물에 제3 광을 조사하는 제2 측정부;
    상기 제1 측정부로부터 제공된 제1 광신호를 수신하여 상기 제1 측정 대상물의 물성을 검사하고, 상기 제2 측정부로부터 제공된 제2 광신호를 수신하여 상기 제2 측정 대상물의 물성을 검사하는 검사부; 및
    반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 반사시켜 상기 검사부에 제공하는 측정 위치 선택부를 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반사 미러의 각도를 변화시키는 구동부와,
    상기 구동부를 제어하여 상기 반사 미러의 각도를 조절하는 제어부를 더 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제어부는 미리 설정된 시간에 따라 상기 구동부를 구동시켜 상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 상기 검사부에 제공하는 소재 물성 검사 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 측정부가 상기 제1 측정 대상물에 상기 제2 광을 조사하는 경우, 상기 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제1 광신호를 상기 검사부에 제공하고,
    상기 제2 측정부가 상기 제2 측정 대상물에 상기 제3 광을 조사하는 경우, 상기 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제2 광신호를 상기 검사부에 제공하는 제어부를 더 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 상기 반사 미러에 집광시키는 렌즈를 더 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 측정 대상물을 통과한 상기 제2 광을 수광하여 상기 측정 위치 선택부에 상기 제1 광신호를 제공하고,
    상기 제2 측정 대상물을 통과한 상기 제3 광을 수광하여 상기 측정 위치 선택부에 상기 제2 광신호를 제공하는 제3 수광부를 더 포함하는 소재 물성 측정 장치.
  7. 제1 측정 대상물이 위치하고, 상기 제1 측정 대상물에 제1 광을 제공하는 제1 조명부 및 상기 제1 측정 대상물을 통과한 상기 제1 광을 수광하는 제1 수광부를 포함하는 제1 측정부;
    상기 제1 측정 대상물과 다른 제2 측정 대상물이 위치하고, 상기 제2 측정 대상물에 제2 광을 제공하는 제2 조명부 및 상기 제2 측정 대상물을 통과한 상기 제2 광을 수광하는 제2 수광부를 포함하는 제2 측정부;
    상기 제1 측정부로부터 제공된 제1 광신호를 수신하여 상기 제1 측정 대상물의 물성을 검사하고, 상기 제2 측정부로부터 제공된 제2 광신호를 수신하여 상기 제2 측정 대상물의 물성을 검사하는 검사부;
    상기 제1 광신호 및 상기 제2 광신호 중 어느 하나를 상기 검사부에 제공하는 반사 미러; 및
    구동부를 제어하여 상기 반사 미러의 각도를 조절하는 제어부를 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 검사부는,
    상기 제1 측정 대상물 및 상기 제2 측정 대상물 각각에 포함된 물질의 농도를 측정하는 농도 측정부와,
    상기 제1 측정 대상물 및 상기 제2 측정 대상물 각각에 포함된 파티클(particle)의 크기를 측정하는 파티클 측정부를 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 측정 대상물이 상기 제1 측정부에 위치하는 경우, 제1 위치 신호를 상기 제어부에 제공하는 제1 위치 센서와,
    상기 제2 측정 대상물이 상기 제2 측정부에 위치하는 경우, 제2 위치 신호를 상기 제어부에 제공하는 제2 위치 센서를 더 포함하는 소재 물성 검사 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 위치 신호를 수신하는 경우, 상기 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제1 광신호를 상기 검사부에 제공하고,
    상기 제2 위치 신호를 수신하는 경우, 상기 반사 미러의 각도를 조절하여 상기 제2 광신호를 상기 검사부에 제공하는 소재 물성 검사 장치.
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