KR20190025330A - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes: first and second frames spaced apart from each other; a body disposed between the first and second frames and including a recess; a first adhesive arranged on the recess; a light emitting device disposed on the first adhesive; and a resin portion disposed between the first and second frames and the light emitting device. According to the embodiment, the body includes a sidewall disposed over the first and second frames to provide a cavity, and the light emitting device includes a first bonding portion disposed in the cavity and electrically connected to the first frame and a second bonding portion electrically connected to the second frame. According to the embodiment, the first frame includes a first upper recess provided on the upper surface, the second frame includes a second upper recess provided on the upper surface, the body includes first and second sidewall recesses provided to be recessed from an upper surface toward a lower surface of the sidewall to expose upper surfaces of the first and second frames, respectively, and the resin portion is provided to the first and second upper recesses and the first and second side wall recesses.

Description

발광소자 패키지 {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiments relate to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group II-VI compound semiconductor material can be used for a variety of applications such as red, Blue and ultraviolet rays can be realized. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconductor material can realize a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconducting material, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. Further, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of element materials, and can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm) and UV-C (200nm ~ 280nm) in the long wavelength order. UV-A (315nm ~ 400nm) is applied in various fields such as UV curing for industrial use, curing of printing ink, exposure machine, discrimination of counterfeit, photocatalytic disinfection and special illumination (aquarium / ) Area is used for medical use, and UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products and the like.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. On the other hand, a semiconductor device capable of providing a high output has been requested, and a semiconductor device capable of increasing a power by applying a high power source has been studied.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package. In addition, studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies have been made on a method for reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield by improving the process efficiency and changing the structure in the semiconductor device package.

실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.

실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device, which can improve the process efficiency and provide a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.

실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like have.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되며 리세스를 포함하는 몸체; 상기 리세스 상에 배치되는 제1 접착제; 상기 제1 접착제 상에 배치되는 발광소자; 상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 수지부; 를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2 프레임 위에 배치되어 캐비티를 제공하는 측벽을 포함하고, 상기 발광소자는 상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 프레임과 전기적으로 연결된 제1 본딩부와 상기 제2 프레임에 전기적으로 연결된 제2 본딩부를 포함하고, 상기 제1 프레임은 상면에 제공된 제1 상부 리세스를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상면에 제공된 제2 상부 리세스를 포함하고, 상기 몸체는 상기 측벽의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공되어 상기 제1 및 제2 프레임의 상면을 각각 노출시키는 제1 및 제2 측벽 리세스를 포함하고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 상부 리세스와 상기 제1 및 제2 측벽 리세스에 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second frames spaced apart from each other; A body disposed between the first and second frames and including a recess; A first adhesive disposed on the recess; A light emitting element disposed on the first adhesive; A resin part disposed between the first and second frames and the light emitting element; Wherein the body includes a sidewall disposed over the first and second frames to provide a cavity, the light emitting device being disposed within the cavity, the first bonding portion being electrically connected to the first frame, And a second bonding portion electrically connected to the second frame, wherein the first frame includes a first upper recess provided on an upper surface, the second frame includes a second upper recess provided on an upper surface, And first and second sidewall recesses provided on the upper surface of the sidewall so as to be concave in a downward direction to expose the upper surfaces of the first and second frames respectively, And the first and second sidewall recesses.

실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 측벽의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공된 제3 측벽 리세스를 포함하고, 상기 제1 접착제는 상기 제3 측벽 리세스와 상기 리세스에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the body includes a third sidewall recess recessed in a downward direction on an upper surface of the sidewall, and the first adhesive may be provided in the third sidewall recess and the recess.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제2 접착제를 더 포함하고, 상기 제2 접착제는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may further include a second adhesive disposed between the first bonding portion and the first frame, and the second adhesive may be provided as a conductive adhesive.

실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 절연성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive may be provided as an insulating adhesive.

실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임은 상기 제2 접착제 및 상기 제1 본딩부가 배치된 제1 영역을 포함하고, 상기 제1 상부 리세스는 상기 제1 영역의 일부를 감싸며 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first frame includes a first region in which the second adhesive and the first bonding portion are disposed, and the first upper recess may be disposed to surround a portion of the first region.

실시 예에 의하면, 상기 제2 프레임은 상기 제2 접착제 및 상기 제2 본딩부가 배치된 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 상부 리세스는 상기 제2 영역의 일부를 감싸며 배치될 수 있다.According to an embodiment, the second frame may include a second region in which the second adhesive and the second bonding portion are disposed, and the second upper recess may be disposed to surround a portion of the second region.

실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고, 상기 제2 접착제는 상기 제1 프레임의 상면에 직접 접촉되며 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first adhesive directly contacts the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device, the second adhesive contacts the upper surface of the first frame, Can be directly contacted.

실시 예예 의하면, 상기 제1 접착제는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first adhesive may be disposed between the first bonding portion and the second bonding portion.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for fabricating a semiconductor device package according to the embodiments, the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device package according to the embodiments, the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments, it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding area of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to the substrate .

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 G-G 선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자, 제1 프레임, 제2 접착제의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 도 12에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 14는 도 12에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자를 설명하는 평면도이다.
도 17은 도 16에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 다른 예를 설명하는 평면도이다.
도 19는 도 18에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line DD of the light emitting device package shown in FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the line GG of the light emitting device package shown in FIG.
5 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining the arrangement relationship of the light emitting device, the first frame, and the second adhesive applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
7 to 10 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
11 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
12 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
14 is a bottom view of the light emitting device package shown in Fig.
15 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
16 is a plan view illustrating a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view taken along the line AA of the light emitting device shown in Fig.
18 is a plan view illustrating another example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
19 is a cross-sectional view along the FF line of the light emitting device shown in Fig.

이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating a semiconductor device package and a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.

먼저, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, referring to FIGS. 1 to 6, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 G-G 선에 따른 단면도이고, 도 5는 실시 예예 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자, 제1 프레임, 제2 접착제의 배치 관계를 설명하는 도면이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line GG of FIG. 1, and FIG. 5 is a view illustrating a first frame, a second frame, and a body arrangement relationship applied to the light emitting device package according to the embodiment. And FIG. 6 is a view for explaining the arrangement relationship of the light emitting device, the first frame, and the second adhesive applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS. 1 to 6.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound, And may be formed of at least one selected from the group including silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the body 113 may include a high refractive index filler such as TiO 2 and SiO 2 .

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and can be electrically connected to the light emitting device 120.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 발광소자(120)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124, as shown in FIG. The first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. For example, the first bonding portion 121 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer. In addition, the second bonding portion 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the body 113.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may be formed of any one selected from the group consisting of Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, At least one material or alloy selected from the group consisting of Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Or may be formed as a single layer or multiple layers.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다. The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first adhesive 130.

상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. The first adhesive 130 may be disposed between the body 113 and the light emitting device 120. The first adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 하면에서 상면을 향하는 방향을 기준으로 상기 발광소자(120)와 중첩되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may be disposed to overlap the light emitting device 120 in the vertical direction. The first adhesive 130 may be disposed to overlap the light emitting device 120 with reference to a direction from the lower surface of the body 113 toward the upper surface.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R as shown in FIGS. 1 to 6.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113. The recess R may be disposed below the light emitting device 120. The recess R may be provided to overlap with the light emitting device 120 in the first direction.

상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되지 않게 제공될 수 있다.The recess R may be disposed between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. The recess R may be provided so as not to overlap with the first bonding portion 121 in the first direction. The recess R may be provided so as not to overlap with the second bonding portion 122 in the first direction.

예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the first adhesive 130 may be disposed in the recess R. The first adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122. For example, the first adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113, for example. In addition, the first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.The first adhesive 130 may be provided as an insulating adhesive. For example, the first adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . Also, as an example, if the first adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone.

상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 접착제(130)는 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 and may prevent the light emitting device 120 from being damaged when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120. [ And a light diffusing function may be provided between the body 113 and the body 113. When the light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the first adhesive 130 provides a light diffusion function to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 have. In addition, the first adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. When the first adhesive 130 includes a reflection function, the first adhesive 130 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2) 또는 상기 제2 프레임(112)의 두께(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be smaller than the thickness T2 of the first frame 111 or the thickness T2 of the second frame 112. [

상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the first adhesive 130. The depth T1 of the recess R may be determined by taking into consideration the stable strength of the body 113 and / or by applying heat to the light emitting device package 100 by heat emitted from the light emitting device 120. [ Can be determined not to occur.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 제1 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 제1 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 제1 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the light emitting device 120. The underfilling process may be a process of mounting the light emitting device 120 on the package body 110 and disposing the first adhesive 130 under the light emitting device 120, The first adhesive 130 may be disposed on the recess R to be mounted through the first adhesive 130 in the process of mounting the device 120 on the package body 110, As shown in FIG.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the first adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 제1 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 제1 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth (T1) and the width (W4) of the recess (R) may affect the forming position and fixing force of the first adhesive (130). The depth T1 and the width W4 of the recess R are determined so that a sufficient fixing force can be provided by the first adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120 .

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth (T1) of the recess (R) may be provided by several tens of micrometers. The depth (T1) of the recess (R) may be provided from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 고정력을 확보하기 위하여 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. The width W4 of the recess R may be provided in the major axis direction of the light emitting device 120 to secure a fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110.

상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 장축 길이에 대해 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 5% 이상 내지 80% 이하로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)이 상기 발광소자(120)의 장축 길이의 5% 이상으로 제공될 때 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 확보할 수 있고, 80% 이하로 제공될 때 상기 접착제(130)가 상기 리세스(R)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이의 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 리세스(R)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이의 제1 및 제2 프레임(111, 112)과 상기 발광소자(120) 간의 고정력을 확보할 수 있다.The width W4 of the recess R may be narrower than the gap between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The width W4 of the recess R with respect to the major axis length of the light emitting device 120 may be provided in a range of 5% or more to 80% or less. When the width W4 of the recess R is not less than 5% of the long axis length of the light emitting device 120, a stable fixing force can be secured between the light emitting device 120 and the package body 110 , 80% or less, the adhesive 130 is disposed on each of the first and second frames 111 and 112 between the recess R and the first and second openings TH1 and TH2 . The fixation force between the first and second frames 111 and 112 between the recess R and the first and second openings TH1 and TH2 and the light emitting device 120 can be secured.

상기 제1 프레임(111)의 두께(T2) 및 상기 제2 프레임(112)의 두께(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2) 및 상기 제2 프레임(112)의 두께(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The thickness T2 of the first frame 111 and the thickness T2 of the second frame 112 may be provided corresponding to the thickness of the body 113. [ The thickness T2 of the first frame 111 and the thickness T2 of the second frame 112 may be provided to a thickness sufficient to maintain a stable strength of the body 113. [

예로서, 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2)는 180 마이크로 미터 내지 500 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2)는 500 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the thickness T2 of the first frame 111 may be several hundred micrometers. The thickness T2 of the first frame 111 may be 180 to 500 micrometers. For example, the thickness T2 of the first frame 111 may be 500 micrometers.

예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. By way of example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the body 113.

실시 예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)가 2 이상이 되어야 상기 몸체(113)에 크랙(Crack)이 발생하지 않거나 단절되지 않도록 기계적 강도 확보할 수 있다. 또한, 상기 T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)가 10 이하가 되어야 상기 리세스(R) 내에 배치되는 접착제(130)의 양을 충분히 배치할 수 있고, 따라서 상기 발광소자(120)와 상기 발광소자 패키지(110)간의 고정력을 개선할 수 있다.According to the embodiment, the ratio of the T1 thickness to the T2 thickness (T2 / T1) may be 2 to 10. As an example, if the thickness of T2 is provided at 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided from 20 micrometers to 100 micrometers. If the ratio of the T1 thickness to the T2 thickness (T2 / T1) is equal to or greater than 2, mechanical strength can be secured so that cracks do not occur in the body 113 or that the body 113 is not broken. Further, the amount of the adhesive 130 disposed in the recess R can be sufficiently arranged until the ratio of the T1 thickness to the T2 thickness (T2 / T1) is 10 or less, The fixing force between the light emitting device packages 110 can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제2 접착제(133)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a second adhesive 133.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The second adhesive 133 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the upper surface of the package body 110. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. In addition, the second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.

상기 제2 접착제(133)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)과 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The second adhesive 133 may be provided as an example of a conductive adhesive. The first frame 111 and the first bonding part 121 may be electrically connected through the second adhesive 133. The second frame 112 and the second bonding part 122 may be electrically connected through the second adhesive 133.

예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the second adhesive 133 may include one material or an alloy thereof selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like. However, the second adhesive 133 may be made of a material capable of securing a conductive function.

예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the second adhesive 133 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the second adhesive 133 may comprise a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있고, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive 130 and the second adhesive 133 may include different materials. For example, the first adhesive 130 may be provided as an insulating adhesive, and the second adhesive 133 may be provided as a conductive adhesive.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R10)와 제2 상부 리세스(R20)를 포함할 수 있다.1 to 6, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R10 and a second upper recess R20.

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first upper recess R10 may be provided on the upper surface of the first frame 111. [ The first upper recess R10 may be recessed from the upper surface of the first frame 111 in a downward direction. The first upper recess R10 may be spaced apart from the recess R. [

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 본딩부(121)의 일부 영역과 상기 제1 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 발광 구조물(123)의 일부 영역과 중첩되어 배치될 수 있다.The first upper recess R10 may be overlapped with a portion of the first bonding portion 121 in the first direction with reference to a first direction from the lower surface of the first frame 111 toward the upper surface . The first upper recess R10 may be overlapped with a portion of the light emitting structure 123 with respect to the first direction.

상기 제1 상부 리세스(R10)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제1 본딩부(121)의 세 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되어 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제1 본딩부(121) 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. As shown in FIG. 5, the first upper recess R10 may be formed on the outer surface of the package body 110, the inner surface of the package body, And an extended side connecting the outer side and the inner side and arranged in parallel with a direction in which the recess R extends. The inner surface may be provided extending inwardly from three sides of the first bonding portion 121. In addition, the outer surface of the first upper recess R10 may be provided in two short sides facing each other in the minor axis direction of the package body 110 and an outer peripheral region in the major axis direction. For example, the first upper recess R10 may have three outer side surfaces, three inner side surfaces, two extended side surfaces, and may be provided around the first bonding portion 121 in a " have.

또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 내측면은 상기 제2 접착제(133)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 접착제(133)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다.5, when viewed from above the light emitting device 120, the inner surface of the package body 110 is covered with the second adhesive 133 (see FIG. 5) ) Adjacent to the three sides of the frame. In addition, the outer surface of the first upper recess R10 may be provided in two short sides facing each other in the minor axis direction of the package body 110 and an outer peripheral region in the major axis direction. As an example, the first upper recess R10 may have three outer side surfaces and three inner side surfaces, two extended side surfaces, and may be provided in the shape of " [" have.

상기 제1 프레임(111)은 상기 몸체(113)가 배치된 영역으로부터 상기 발광소자(120)의 장축 방향을 따라 상기 제1 상부 리세스(R10)가 제공된 방향으로 연장되어 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)의 상기 제1 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 배치될 수 있다.The first frame 111 may include a first region extending in a direction in which the first upper recess R10 is provided along the major axis direction of the light emitting device 120 from a region where the body 113 is disposed . As an example, the second adhesive 133 may be disposed in the first area of the first frame 111. The second adhesive 133 may be disposed so as to overlap the first bonding portion 121 with respect to the first direction.

실시 예에 의하면 상기 제1 영역은 평탄면으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 영역은 상기 3 개의 내측면에 의하여 정의된 영역에 대응될 수 있다.According to an embodiment, the first region may be provided as a flat surface. Also, the first region may correspond to an area defined by the three inner sides.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R10)의 3 개의 내측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 수직 방향에서 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 배치될 수 있다.5, when a portion of the first upper recess R10 is viewed from the upper direction of the light emitting device 120, the light emitting structure 123 and the light emitting structure 123 And may be provided to overlap in the vertical direction. For example, three inner side regions of the first upper recess R10 adjacent to the first bonding portion 121 may be provided extending below the light emitting structure 123. The first upper recess R10 may be disposed to overlap with the first bonding portion 121 in the vertical direction.

실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제1 상부 리세스(R10)와 이격되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second upper recess R20 may be provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be recessed in a downward direction from the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be spaced apart from the recess R. [ The second upper recess R20 may be spaced apart from the first upper recess R10.

상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 본딩부(122)의 일부 영역과 상기 제1 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 발광 구조물(123)의 일부 영역과 중첩되어 배치될 수 있다.The second upper recess R20 may be overlapped with a portion of the second bonding portion 122 in the first direction with reference to a first direction from the lower surface of the second frame 112 toward the upper surface . The second upper recess R20 may be overlapped with a portion of the light emitting structure 123 with respect to the first direction.

상기 제2 상부 리세스(R20)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제2 본딩부(122)의 세 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되어 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 본딩부(122) 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다. As shown in FIG. 5, the second upper recess R20 may be formed on the outer surface of the package body 110, the inner surface of the package body, And an extended side connecting the outer side and the inner side and arranged in parallel with a direction in which the recess R extends. The inner side surface may be provided extending inwardly from three sides of the second bonding portion 122. By way of example, the second upper recess R20 may have three outer sides, three inner sides, two extended sides, and may be provided "] " around the second bonding portion 122 have.

또한, 상기 제2 상부 리세스(R20)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 내측면은 상기 제2 접착제(133)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R20)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 접착제(133)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다.5, the inner surface of the package body 110, when viewed from the upper direction of the light emitting device 120, is connected to the second adhesive 133 (133) ) Adjacent to the three sides of the frame. The outer surface of the second upper recess R20 may be provided on two sides facing each other in the minor axis direction of the package body 110 and an outer peripheral region in the major axis direction. By way of example, the second upper recess R20 may have three outer sides, three inner sides, two extended sides, and may be provided in the shape of "] " around the second adhesive 133 have.

상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)가 배치된 영역으로부터 상기 발광소자(120)의 장축 방향을 따라 상기 제2 상부 리세스(R20)가 제공된 방향으로 연장되어 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)의 상기 제1 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 배치될 수 있다. The second frame 112 may include a first region extending in a direction in which the second upper recess R20 is provided along the major axis direction of the light emitting device 120 from a region where the body 113 is disposed . As an example, the second adhesive 133 may be disposed in the first area of the second frame 112. The second adhesive 133 may be disposed to overlap the second bonding portion 122 with respect to the first direction.

실시 예에 의하면 상기 제1 영역은 평탄면으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 영역은 상기 3 개의 내측면에 의하여 정의된 영역에 대응될 수 있다.According to an embodiment, the first region may be provided as a flat surface. Also, the first region may correspond to an area defined by the three inner sides.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R20)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩부(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R20)의 3 개의 내측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 수직 방향에서 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 배치될 수 있다.5, when a portion of the second upper recess R20 is viewed from the upper direction of the light emitting device 120, the light emitting structure 123 In the vertical direction. For example, three inner side regions of the second upper recess R20 adjacent to the second bonding portion 122 may be provided extending below the light emitting structure 123. [ The second upper recess R20 may be disposed to overlap the second bonding portion 122 in the vertical direction.

예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R10 and the second upper recess R20 may be provided in a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)가 구형 형상으로 구성되고, 그 측면이 원형 형상으로 구성될 수 있다. Also, according to the embodiment, the side surfaces of the first and second upper recesses R10 and R20 may have an inclined surface and may have a curvature. In addition, the first and second upper recesses R10 and R20 may have a spherical shape, and a side surface thereof may have a circular shape.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 배치될 수 있다.1 to 6, the second adhesive 133 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112, as shown in FIGS. 1 to 6, .

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)의 제1 영역 상에 제공되어 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be provided on the first area of the first frame 111 and be disposed between the first bonding part 121 and the first frame 111. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)에 제공되어 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be provided on the second frame 112 and disposed under the second bonding part 122. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.

실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임(111)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. According to the embodiment, the second adhesive 133 is provided on the first frame 111, and the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 is mounted on the second adhesive 133 .

이때, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서, 상기 제2 접착제(133)의 일부는 상기 제1 상부 리세스(R10) 영역으로 확산될 수도 있으며, 상기 발광 구조물(123)의 측면으로 확산되어 활성층과 전기적으로 연결됨으로써 상기 발광소자(120)의 단락 문제를 야기할 수도 있다.A part of the second adhesive 133 may be partially embedded in the first upper recess R10 while the first bonding part 121 of the light emitting device 120 is mounted on the second adhesive 133. [ And may be diffused to the side of the light emitting structure 123 to be electrically connected to the active layer, thereby causing a short circuit problem of the light emitting device 120.

그런데, 실시 예에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)가 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면까지의 제1 거리(D1)에 비해 더 작게 제공될 수 있다.6, a second distance D2 from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the first bonding portion 121 is larger than the second distance D2 between the side surface of the light emitting device 120 and the side surface of the first bonding portion 121. Therefore, (D1) to the side of the first upper recess R10 disposed below the lower surface of the light emitting device 120 from the side.

또한, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)는 상기 발광 구조물(123)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 거리에 대응될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면까지의 제1 거리(D1)는 상기 발광 구조물(123)의 측면으로부터 상기 발광 구조물(123)의 하면 아래에 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 내측면까지의 거리에 대응될 수 있다.A second distance D2 from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the first bonding portion 121 is a distance from the side surface of the light emitting structure 123 to the side surface of the first bonding portion 121 As shown in FIG. A first distance D1 from a side surface of the light emitting device 120 to a side surface of the first upper recess R10 disposed below the lower surface of the light emitting device 120 is greater than a distance D1 from a side surface of the light emitting structure 123 May correspond to the distance to the inner surface of the first upper recess R10 disposed below the lower surface of the light emitting structure 123. [

예로서, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)는 40 마이크로 미터 내지 50 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the second distance D2 from the side of the light emitting device 120 to the side of the first bonding portion 121 may be several tens of micrometers. The second distance D2 from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the first bonding portion 121 may be 40 to 50 micrometers.

또한, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩되어 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면까지의 제1 거리(D1)는 상기 제2 거리(D2)에 비하여 수 마이크로 미터 또는 수십 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.The light emitting device 120 may further include a light emitting device 120 disposed on a side surface of the first upper recess R10, The distance D1 may be several micrometers or several tens of micrometers larger than the second distance D2.

따라서 본 실시 예에 의하면 상기 제1 상부 리세스(R10)의 일부 영역이 상기 제1 본딩부(121)의 일부 영역과 제1 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133)가 과하게 제공되어 주변으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면을 타고 상부 방향으로 이동되기 보다는 상기 제1 상부 리세스(R10) 영역으로 확산될 수 있게 된다.Therefore, according to the present embodiment, a part of the first upper recess R10 may overlap with a part of the first bonding part 121 in the first direction. Accordingly, even when the second adhesive 133 is excessively supplied and diffused to the periphery, the second adhesive 133 is not moved upward in the side direction of the first bonding part 121, And can be diffused into the upper recess R10 region.

따라서 본 실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제1 본딩부(121)의 측면을 타고 상기 발광 구조물(123) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있으므로, 도전성 물질인 상기 제2 접착제(133)의 확산에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, according to the present embodiment, since the second adhesive 133 can be prevented from spreading toward the light emitting structure 123 on the side surface of the first bonding portion 121, the second adhesive 133, which is a conductive material, It is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited by the diffusion of the light emitting device 133.

또한, 이상에서 설명된 바와 유사하게, 상기 제2 프레임(112)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. The second adhesive 112 is provided with the second adhesive 133 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 is bonded to the second adhesive 112 133).

이때, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서, 상기 제2 접착제(133)의 일부는 상기 제2 상부 리세스(R20) 영역으로 확산될 수도 있으며, 상기 제2 본딩부(122)의 측면을 타고 확산될 수도 있다.A part of the second adhesive 133 may be bonded to the second upper recess R20 while the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 is mounted on the second adhesive 133. [ Or may be diffused on the side surface of the second bonding part 122. [

또한, 본 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제2 본딩부(122)의 측면까지의 거리가 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 배치된 상기 제2 상부 리세스(R20)의 측면까지의 거리에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The distance from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the second bonding portion 122 is larger than the distance between the side surface of the light emitting device 120 and the side surface of the second bonding portion 122, The distance from the side of the first upper recess R20 to the side of the second upper recess R20 disposed below the lower surface of the light emitting device 120 can be reduced.

상기 제2 상부 리세스(R20)의 일부 영역이 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 수직 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133)가 과하게 제공되어 주변으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면을 타고 상부 방향으로 이동되기 보다는 상기 제2 상부 리세스(R20) 영역으로 확산될 수 있게 된다.A portion of the second upper recess R20 may be disposed in a direction perpendicular to the lower surface of the second bonding portion 122. [ Accordingly, even when the second adhesive 133 is excessively provided and diffused to the periphery, the second adhesive 133 is not moved upward in the side direction of the second bonding portion 122, To the upper recess R20 region.

실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제2 본딩부(122)의 측면을 타고 상기 발광 구조물(123) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있으므로, 도전성 물질인 상기 제2 접착제(133)의 확산에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment, since the second adhesive 133 can be prevented from spreading toward the light emitting structure 123 on the side surface of the second bonding portion 122, the second adhesive 133 It is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited.

이와 같이, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)를 이루는 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있게 된다. 또한, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)를 이루는 활성층의 측면에 배치되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.Since the second adhesive 133 can be prevented from rising on the side surface of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, which form the light emitting device 120, It is possible to prevent electrical short-circuiting. Also, since the second adhesive 133 can be prevented from being disposed on the side of the active layer of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include the first resin part 135 as shown in FIGS. 1 to 6.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. The first resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The first resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 배치될 수 있다. The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121. The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123. The first resin part 135 may be disposed on the side of the second adhesive 133.

또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be in contact with the lower surface of the light emitting device 120 directly. The first resin part 135 may be disposed in direct contact with the side surface of the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제1 상부 리세스(R10)로 흘러 넘치는 경우가 발생될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에서 상기 제2 접착제(133) 위에 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second adhesive 133 may flow over the first upper recess R10. Accordingly, the first resin part 135 may be disposed on the second adhesive 133 in the first upper recess R10.

실시 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)에 의하여, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제1 상부 리세스(R10) 영역으로 확산되거나 상기 제1 본딩부(121)의 측면으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광 구조물(123)의 측면 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.The second adhesive 133 is diffused into the first upper recess R10 region or diffused to the side of the first bonding portion 121 by the first resin portion 135, The second adhesive 133 can be prevented from moving in the lateral direction of the light emitting structure 123. [

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and contacted with the second adhesive 133. [ The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and may be provided around the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and provided around the first bonding part 121. [

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제1 수지부(135)에 의해 둘러 싸이도록 배치될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)와 패키지 몸체(110) 사이에 서로 다른 물질로 구성되는 제1 및 제2 접착제 및 수지부가 배치되기 때문에 상기 발광소자 패키지(100)의 열에 대한 신뢰성을 개성할 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed so as to be surrounded by the first adhesive 130 and the first resin part 135. Accordingly, since the first and second adhesive and resin portions, which are made of different materials, are disposed between the light emitting device 120 and the package body 110, the reliability of the light emitting device package 100 can be improved .

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제2 상부 리세스(R20)로 흘러 넘치는 경우가 발생될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에서 상기 제2 접착제(133) 위에 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second adhesive 133 may flow over the second upper recess R20. Accordingly, the first resin part 135 may be disposed on the second adhesive 133 in the second upper recess R20.

실시 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)에 의하여, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제2 상부 리세스(R20) 영역으로 확산되거나 상기 제2 본딩부(122)의 측면으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광 구조물(123)의 측면 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.The second adhesive 133 is diffused into the second upper recess R20 region or diffused to the side of the second bonding portion 122 by the first resin portion 135, The second adhesive 133 can be prevented from moving in the lateral direction of the light emitting structure 123. [

상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be in contact with the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be provided around the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be provided around the second bonding part 122. [

이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)에 채워진 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다.The first resin part 135 filled in the first upper recess R10 and the second upper recess R20 is connected to the first bonding part 121 and the second bonding part 122, The periphery can be effectively sealed.

예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material can do. The first resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120 and may be a resin including a reflective material such as TiO 2 or a white silicone ).

상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The first resin part 135 may be disposed below the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the first resin part 135 can improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111. The first resin part 135 can improve the adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The first resin part 135 may seal the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The first resin part 135 may prevent the second adhesive 133 from diffusing and moving in the lateral direction of the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the second adhesive 133 diffuses and moves in the lateral direction of the light emitting device 120, the second adhesive 133 may contact the active layer of the light emitting device 120, resulting in a failure due to a short circuit . Therefore, when the first resin part 135 is disposed, the second adhesive 133 and the active layer can be prevented from being short-circuited, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the first resin part 135 includes a material having a reflective property such as white silicon, the first resin part 135 may transmit light from the light emitting element 120 to the package body 110 The light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(113)의 측벽에 제공된 측벽 리세스를 포함할 수 있다. 상기 측벽 리세스는 캐비티를 제공하는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a side wall recess provided on a side wall of the body 113, as shown in FIGS. 1 to 6. The side wall recess may be provided on an inclined surface of the body 113 that provides a cavity.

실시 예에 의하면, 상기 측벽 리세스는 상기 몸체(113)의 경사면에 형성될 수 있으며, 해당 경사면으로부터 하부 방향으로 형성될 수 있다. 상기 측벽 리세스는 해당 경사면으로부터 하부에 배치된 제1 및 제2 프레임(111, 112)이 노출되도록 형성될 수 있다.According to an embodiment, the side wall recess may be formed on an inclined surface of the body 113, and may be formed in a downward direction from the inclined surface. The side wall recess may be formed such that the first and second frames 111 and 112 disposed below the inclined surface are exposed.

예로서, 실시 예에 발광소자 패키지(100)는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공된 제1 측벽 리세스(R31), 제2 측벽 리세스(R32), 제3 측벽 리세스(R33), 제4 측벽 리세스(R34), 제5 측벽 리세스(R35)를 포함할 수 있다.For example, in the embodiment, the light emitting device package 100 may include a first side wall recess R31, a second side wall recess R32, a third side wall recess R33, and a second side wall recess R32 provided on an inclined surface of the body 113. [ A fourth side wall recess R34, and a fifth side wall recess R35.

상기 제1 측벽 리세스(R31), 상기 제2 측벽 리세스(R32), 상기 제3 측벽 리세스(R33), 상기 제4 측벽 리세스(R34)에는 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있다. The first resin part 135 is provided on the first side wall recess R31, the second side wall recess R32, the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 .

예로서, 상기 제1 측벽 리세스(R31)와 상기 제2 측벽 리세스(R32)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 상부 리세스(R10) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다. For example, the first resin part 135 may be provided on the first side wall recess R31 and the second side wall recess R32, So that it can be easily diffused and supplied to the inside of the container R10.

또한, 상기 제3 측벽 리세스(R33)와 상기 제4 측벽 리세스(R34)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제2 상부 리세스(R20) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first resin part 135 is provided in the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 so that the first resin part 135 is separated from the second upper recess R20 and the like.

한편, 상기 제5 측벽 리세스(R35)에 상기 제1 접착제(130)가 제공됨으로써, 상기 제1 접착제(130)가 상기 리세스(R) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.Meanwhile, since the first adhesive 130 is provided on the fifth side wall recess R35, the first adhesive 130 can be easily diffused into the recess R to be provided.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)의 캐비티를 제공하는 경사면에 복수의 측벽 리세스가 형성됨으로써, 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제1 수지부(135)가 공급되고 도포될 수 있는 충분한 공간이 제공될 수 있게 된다.A plurality of sidewall recesses are formed on the inclined surface providing the cavity of the body 113 so that the first adhesive 130 and the first resin part 135 can be supplied and applied sufficiently Space can be provided.

예로서, 상기 복수의 측벽 리세스는 상기 몸체(113)의 측벽 상면으로부터 상기 캐비티(C)의 바닥면까지 연장되어 제공될 수 있다. 도 1 에서, 상기 측벽의 경사면과 상기 캐비티의 바닥면의 경계(Cb)는 상기 제1 및 상기 제2 상부 리세스(R10, R20) 둘레에 배치될 수 있다.For example, the plurality of side wall recesses may be provided extending from an upper surface of a side wall of the body 113 to a bottom surface of the cavity C. In FIG. 1, the boundary Cb between the inclined surface of the side wall and the bottom surface of the cavity may be disposed around the first and second upper recesses R10 and R20.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 복수의 측벽 리세스는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면을 노출시킬 수 있다. In addition, according to the embodiment, the plurality of side wall recesses can expose the upper surfaces of the first and second frames 111 and 112.

예로서, 상기 복수의 측벽 리세스의 바닥면이 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)가 형성된 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면과 동일 수평면에 배치되도록 형성될 수 있다. For example, the bottom surfaces of the plurality of side wall recesses are formed so as to be disposed on the same horizontal plane as the upper surfaces of the first and second frames 111 and 112 having the first and second upper recesses R10 and R20 formed therein .

또한, 상기 복수의 측벽 리세스의 바닥면이 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)의 바닥면과 동일 수평면에 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)가 형성된 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수도 있다.The bottom surfaces of the plurality of side wall recesses may be provided on the same horizontal plane as the bottom surfaces of the first and second upper recesses R10 and R20, and the first and second upper recesses R10, R20 may be formed lower than the upper surfaces of the first and second frames 111 and 112 formed.

도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 실시 예에서는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 2 개의 측벽 리세스(R31, R32)가 연결된 경우를 기준으로 설명되었으나, 상기 제1 상부 리세스(R10)에 연결되어 상기 제1 수지부(135)를 제공하는 측벽 리세스는 1 개가 제공될 수도 있으며, 3 개 이상으로 제공될 수도 있다.In the embodiment described with reference to Figs. 1 to 6, two sidewall recesses R31 and R32 are connected to the first upper recess R10, but the first upper recess R10 May be provided with one or more than three sidewall recesses connected to the first resin part 135 to provide the first resin part 135. [

또한, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 실시 예에서는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 2 개의 측벽 리세스(R33, R34)가 연결된 경우를 기준으로 설명되었으나, 상기 제2 상부 리세스(R20)에 연결되어 상기 제1 수지부(135)를 제공하는 측벽 리세스는 1 개가 제공될 수도 있으며, 3 개 이상으로 제공될 수도 있다.In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 6, two sidewall recesses R33 and R34 are connected to the second upper recess R20. However, One or more sidewall recesses may be provided, which are connected to the first resin part R20 and provide the first resin part 135, or may be provided in three or more.

또한, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 실시 예에서는 상기 리세스(R)에 1 개의 측벽 리세스(R35)가 연결된 경우를 기준으로 설명되었으나, 상기 리세스(R)에 연결되어 상기 제1 접착제(130)를 제공하는 측벽 리세스는 2 개 이상으로 제공될 수도 있다.In the embodiment described with reference to Figs. 1 to 6, one sidewall recess R35 is connected to the recess R. However, the recess S may be connected to the recess R, The side wall recess providing the adhesive 130 may be provided in two or more.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a second resin part 140, as shown in FIG.

참고로, 도 1을 도시함에 있어, 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)의 배치관계가 잘 나타날 수 있도록, 상기 제2 수지부(140)는 도시하지 아니하였다.1, the second resin part 140 may be formed in the shape of a rectangle such that the arrangement of the first frame 111, the second frame 112, I did not.

상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120. The second resin part 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The second resin part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110. The second resin part 140 may be disposed on the first resin part 135.

상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second resin part 140 may include an insulating material. The second resin part 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the second resin part 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 제2 수지부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)가 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)에 배치될 수도 있다. According to another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the first resin part 135 is not provided separately, and the second resin part 140 is provided between the first frame 111 and the second frame part Or may be arranged to be in direct contact with the second frame 112. [ For example, the second resin part 140 may be disposed in the first upper recess R10 and the second upper recess R20.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Further, according to the embodiment, the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor. The light emitting structure 123 may be formed of, for example, a Group 2-VI-VI or Group III-V compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 may include at least two elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As) .

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors. The first and second conductivity type semiconductor layers are formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . For example, the first and second conductive semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr or Ba.

상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be formed of a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, in at least one of Group 3-Group-5 or Group-6-Group compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may be In x Al y Ga 1 -x- y N , 0? Y? 1, 0? X + y? 1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And may include at least one.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 프레임(111) 위에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 프레임(112) 위에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting device package 100 according to the embodiment is connected to the first bonding portion 121 through the second adhesive 133 provided on the first frame 111, And power may be connected to the second bonding portion 122 through the second adhesive 133 provided on the second bonding portion 122.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 according to the embodiment are formed in the second And the driving power can be supplied through the adhesive 133. The melting point of the second adhesive 133 may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, re-melting phenomenon does not occur, so that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package 100 and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, since the light emitting device 120 is mounted on the package body 110 using the conductive paste, The package body 110 does not need to be exposed to high temperatures. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discolored.

이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

그러면, 도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.7 to 10, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.

도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 7 to 10, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG.

먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 7, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include providing a package body 110.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

상기 패키지 몸체(110)는 상기 몸체(113)에 제공된 리세스(R)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The package body 110 may include a recess R provided in the body 113. The recesses R may be provided in the body 113. The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113).

또한, 상기 제1 프레임(111)은 제1 상부 리세스(R10)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 제2 상부 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the first frame 111 may include a first upper recess R10. The second frame 112 may include a second upper recess R20.

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first upper recess R10 may be provided on the upper surface of the first frame 111. [ The first upper recess R10 may be recessed from the upper surface of the first frame 111 in a downward direction. The first upper recess R10 may be spaced apart from the recess R. [

상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second upper recess R20 may be provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be recessed in a downward direction from the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be spaced apart from the recess R. [

또한, 실시 예에 따른 상기 패키지 몸체(110)는 복수의 측벽 리세스를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측벽 리세스는 캐비티를 제공하는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공될 수 있다. In addition, the package body 110 according to the embodiment may include a plurality of side wall recesses. The plurality of sidewall recesses may be provided on an inclined surface of the body 113 that provides a cavity.

실시 예에 의하면, 상기 측벽 리세스는 상기 몸체(113)의 경사면에 형성될 수 있으며, 해당 경사면으로부터 하부 방향으로 형성될 수 있다. 상기 측벽 리세스는 해당 경사면으로부터 하부에 배치된 제1 및 제2 프레임(111, 112)이 노출되도록 형성될 수 있다.According to an embodiment, the side wall recess may be formed on an inclined surface of the body 113, and may be formed in a downward direction from the inclined surface. The side wall recess may be formed such that the first and second frames 111 and 112 disposed below the inclined surface are exposed.

예로서, 실시 예에 발광소자 패키지(100)는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공된 제1 측벽 리세스(R31), 제2 측벽 리세스(R32), 제3 측벽 리세스(R33), 제4 측벽 리세스(R34), 제5 측벽 리세스(R35)를 포함할 수 있다.For example, in the embodiment, the light emitting device package 100 may include a first side wall recess R31, a second side wall recess R32, a third side wall recess R33, and a second side wall recess R32 provided on an inclined surface of the body 113. [ A fourth side wall recess R34, and a fifth side wall recess R35.

상기 제1 측벽 리세스(R31)와 상기 제2 측벽 리세스(R32)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 인접하게 제공될 수 있다. 상기 제1 측벽 리세스(R31)와 상기 제2 측벽 리세스(R32)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 연결되어 형성될 수 있다.The first side wall recess R31 and the second side wall recess R32 may be provided adjacent to the first upper recess R10. The first side wall recess R31 and the second side wall recess R32 may be connected to the first upper recess R10.

상기 제3 측벽 리세스(R33)와 상기 제4 측벽 리세스(R34)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 인접하게 제공될 수 있다. 상기 제3 측벽 리세스(R33)와 상기 제4 측벽 리세스(R34)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 연결되어 형성될 수 있다.The third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 may be provided adjacent to the second upper recess R20. The third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 may be connected to the second upper recess R20.

상기 제5 측벽 리세스(R35)는 상기 리세스(R)에 인접하게 제공될 수 있다. 상기 제5 측벽 리세스(R35)는 상기 리세스(R)에 연결되어 형성될 수 있다.The fifth sidewall recess R35 may be provided adjacent to the recess R. [ The fifth sidewall recess R35 may be formed to be connected to the recess R. [

다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다.7, a second adhesive 133 may be provided on the first frame 111 and the second frame 112, as shown in FIG. 7. In the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, .

예로서, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 인접한 일부 영역과 상기 제2 상부 리세스(R20)에 인접한 일부 영역에 도팅(doting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다. For example, the second adhesive 133 may be provided on a part of the area adjacent to the first upper recess R10 and a part of the area adjacent to the second upper recess R20 through a doting method or the like have.

상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The second adhesive 133 may be provided as a conductive adhesive. For example, the second adhesive 133 may include one material or an alloy thereof selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like. However, the second adhesive 133 may be made of a material capable of securing a conductive function.

예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the second adhesive 133 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the second adhesive 133 may comprise a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다. 8, the light emitting device package 120 may be provided on the package body 110. Referring to FIG.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치되는 과정에서 상기 리세스(R)는 일종의 정렬키(align key) 역할을 하도록 활용될 수도 있다.The recess R may be used as an align key in the process of disposing the light emitting device 120 on the package body 110. [

상기 발광소자(120)는 상기 제2 접착제(133)에 의하여 상기 패키지 몸체(110)에 고정될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)에 제공된 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 접착될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)에 제공된 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)와 접착될 수 있다. The light emitting device 120 may be fixed to the package body 110 by the second adhesive 133. The second adhesive 133 provided on the first frame 111 may be adhered to the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. The second adhesive 133 provided on the second frame 112 may be adhered to the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)에 대한 경화 공정을 통하여, 상기 발광소자(120)가 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 위에 고정될 수 있게 된다.The light emitting device 120 can be fixed on the first and second frames 111 and 112 through the curing process for the second adhesive 133.

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 접착제(130)와 제1 수지부(135)가 제공될 수 있다.Next, as shown in Fig. 9, a first adhesive 130 and a first resin part 135 may be provided.

실시 예에 의하면, 상기 제5 측벽 리세스(R35)에 상기 제1 접착제(130)가 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제5 측벽 리세스(R35) 영역에 주입될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive 130 may be provided on the fifth sidewall recess R35. The first adhesive 130 may be injected into the fifth sidewall recess R35.

상기 제5 측벽 리세스(R35)에 주입된 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R) 영역에 주입될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)가 형성된 영역에 일정량 제공될 수 있으며, 상기 리세스(R)를 넘치도록 제공될 수 있다.The first adhesive 130 injected into the fifth sidewall recess R35 may be diffused into the recess R to be provided. The first adhesive 130 may be injected into the recess R. For example, the first adhesive 130 may be provided in a region where the recess R is formed, and may be provided to overflow the recess R. Referring to FIG.

또한, 실시 예에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 길이(L2)는 상기 발광소자(120)의 단축 방향 길이(L1)에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 이에 따라, 실시 예예 의하면 상기 리세스(R)를 통하여 상기 발광소자(120)의 하부 영역에 상기 제1 접착제(130)를 주입할 수 있게 된다.8, the length L2 of the recess R may be larger than the length L1 of the light emitting device 120 in the minor axis direction. Accordingly, the first adhesive 130 can be injected into the lower region of the light emitting device 120 through the recess R according to the embodiment.

또한, 상기 제5 측벽 리세스(R35)에 상기 제1 접착제(130)가 제공됨으로써, 상기 제1 접착제(130)가 상기 리세스(R) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first adhesive 130 may be provided on the fifth sidewall recess R35 so that the first adhesive 130 may be easily diffused into the recess R. Referring to FIG.

그리고, 상기 제5 측벽 리세스(R35)와 상기 리세스(R)를 통하여 공급되는 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부에 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 supplied through the fifth sidewall recess R35 and the recess R may be diffused to the lower portion of the light emitting device 120. [ The first adhesive 130 may be disposed in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.

실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조공정에서, 상기 발광소자(120) 하부에 제공되는 상기 제1 접착제(130)의 양이 많을 경우, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 제1 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 하부에 접착되면서 넘치는 부분은 상기 리세스(R)의 길이(L2) 방향으로 이동될 수 있게 된다. When the amount of the first adhesive 130 provided under the light emitting device 120 is large in the manufacturing process of the light emitting device package according to the embodiment, the first adhesive 130 provided in the recess R The portion overflowing while being bonded to the lower portion of the light emitting device 120 can be moved in the direction of the length L2 of the recess R.

또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에 제공된 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 방향으로 이동되어 배치될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 접착제(130)의 양이 설계에 비해 많게 도포되는 경우에도, 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(113) 로부터 들뜨지 않고 안정적으로 고정될 수 있게 된다. The first adhesive 130 may be moved in the direction of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 provided in the light emitting device 120. Thus, even when the amount of the first adhesive 130 is greater than that of the design, the light emitting device 120 can be stably fixed without lifting from the body 113.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이의 넓은 영역에 상기 제1 접착제(130)가 제공될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 고정력이 향상될 수 있게 된다.The first adhesive 130 may be provided on a wide area between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. The light emitting device 120 and the body 113 Can be improved.

상기 발광소자(120)는 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)에 의하여 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 고정될 수 있게 된다. 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있으며, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.The light emitting device 120 can be fixed to the upper surface of the package body 110 by the first adhesive 130 and the second adhesive 133. The first adhesive 130 may be provided as an insulating adhesive, and the second adhesive 133 may be provided as a conductive adhesive.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 수지부(135)가 형성될 수 있다.In addition, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the first resin part 135 can be formed as shown in FIG.

상기 제1 수지부(135)는, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120, as described with reference to FIGS. The first resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120.

실시 예에 의하면, 상기 제1 내지 제4 측벽 리세스(R31, R32, R33, R34)에 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 내지 제4 측벽 리세스(R31, R32, R33, R34) 영역에 주입될 수 있다.According to the embodiment, the first resin part 135 may be provided in the first to fourth side wall recesses R31, R32, R33, R34. The first resin part 135 may be injected into the first through fourth side wall recesses R31, R32, R33 and R34.

상기 제1 및 제2 측벽 리세스(R31, R32)에 주입된 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)로 확산되어 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3 및 제4 측벽 리세스(R33, R34)에 주입된 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20)로 확산되어 제공될 수 있다.The first resin part 135 injected into the first and second side wall recesses R31 and R32 may be diffused into the first upper recess R10. The first resin part 135 injected into the third and fourth side wall recesses R33 and R34 may be diffused into the second upper recess R20.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121. The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123.

또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉될 수 있다.The first resin part 135 may be in contact with the lower surface of the light emitting device 120 directly. The first resin part 135 may be in direct contact with the side surface of the second adhesive 133.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10. The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and contacted with the second adhesive 133. [ The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and may be provided around the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and provided around the first bonding part 121. [

상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be in contact with the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be provided around the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be provided around the second bonding part 122. [

예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material can do. The first resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120 and may be a resin including a reflective material such as TiO 2 or a white silicone ).

상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The first resin part 135 may be disposed below the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the first resin part 135 can improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111. The first resin part 135 can improve the adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The first resin part 135 may seal the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The first resin part 135 may prevent the second adhesive 133 from diffusing and moving in the lateral direction of the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the second adhesive 133 diffuses and moves in the lateral direction of the light emitting device 120, the second adhesive 133 may contact the active layer of the light emitting device 120, resulting in a failure due to a short circuit . Therefore, when the first resin part 135 is disposed, the second adhesive 133 and the active layer can be prevented from being short-circuited, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the first resin part 135 includes a material having a reflective property such as white silicon, the first resin part 135 may transmit light from the light emitting element 120 to the package body 110 The light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 위에 제2 수지부(140)가 제공될 수 있다.10, a second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120. The second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120 as shown in FIG.

상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120. The second resin part 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The second resin part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110. The second resin part 140 may be disposed on the first resin part 135.

상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second resin part 140 may include an insulating material. The second resin part 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the second resin part 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

한편, 이상의 설명에서는, 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 실장된 후에, 상기 발광소자(120) 하부에 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제1 수지부(135)가 형성되는 경우를 기준으로 설명되었다.6 to 8, after the light emitting device 120 is mounted on the package body 110, the first adhesive (not shown) is formed under the light emitting device 120 130 and the first resin part 135 are formed.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 다른 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 리세스(R)에 상기 제1 접착제(130)가 형성된 후에, 상기 발광소자(120)가 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제2 접착제(133) 위에 제공되고 고정되도록 할 수도 있다.However, according to another embodiment of the method for manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the second adhesive 133 is provided on the first and second frames 111 and 112, After the one adhesive 130 is formed, the light emitting device 120 may be provided and fixed on the first adhesive 130 and the second adhesive 133.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 또 다른 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)가 형성되지 않고, 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티 내에 상기 제2 수지부(140)만 형성될 수도 있다.According to another embodiment of the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the first resin part 135 is not formed and only the second resin part 140 is formed in the cavity of the package body 110 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 프레임(111)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 프레임(112)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting device package 100 according to the embodiment is connected to the first bonding portion 121 through the second adhesive 133 provided on the first frame 111, The second bonding agent 122 may be connected to the second bonding agent 122 through the second adhesive 133 provided on the second bonding part 122. [

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened, And the optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 according to the embodiment are formed in the second And the driving power can be supplied through the adhesive 133. The melting point of the second adhesive 133 may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, re-melting phenomenon does not occur, so that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되지 않게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package 100 and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, since the light emitting device 120 is mounted on the package body 110 using the conductive paste, The package body 110 is not exposed to high temperatures. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discolored.

이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

그러면, 도 11을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 11에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. The light emitting device package 300 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 11 is an example in which the light emitting device package 100 described with reference to FIGS. 1 to 10 is mounted on the circuit board 310 and supplied .

도 11을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 11, a light emitting device package 300 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 10. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 300 according to the embodiment may include a circuit board 310, a package body 110, and a light emitting device 120, as shown in FIG.

상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The circuit board 310 may include a first pad 311, a second pad 312, and a support substrate 313. A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the support substrate 313. [

상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The package body 110 may be disposed on the circuit board 310. The first pad 311 and the first bonding portion 121 may be electrically connected to each other. The second pad 312 and the second bonding portion 122 may be electrically connected to each other.

상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The first pad 311 and the second pad 312 may include a conductive material. For example, the first pad 311 and the second pad 312 may be formed of a material selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, At least one selected material or alloy thereof. The first pad 311 and the second pad 312 may be provided as a single layer or a multilayer.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and can be electrically connected to the light emitting device 120.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the body 113.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 300 according to the embodiment may include a first adhesive 130, as shown in FIG.

상기 제1 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120. The first adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 하면에서 상면을 향하는 방향을 기준으로 상기 발광소자(120)와 중첩되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may be disposed to overlap the light emitting device 120 in the vertical direction. The first adhesive 130 may be disposed to overlap the light emitting device 120 with reference to a direction from the lower surface of the body 113 toward the upper surface.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a recess R as shown in FIG.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113. The recess R may be disposed below the light emitting device 120. The recess R may be provided to overlap with the light emitting device 120 in the first direction.

상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되지 않게 제공될 수 있다.The recess R may be disposed between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. The recess R may be provided so as not to overlap with the first bonding portion 121 in the first direction. The recess R may be provided so as not to overlap with the second bonding portion 122 in the first direction.

예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the first adhesive 130 may be disposed in the recess R. The first adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122. For example, the first adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113, for example. In addition, the first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.The first adhesive 130 may be provided as an insulating adhesive. For example, the first adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . Also, as an example, if the first adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone.

상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(300)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 접착제(130)는 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 and may prevent the light emitting device 120 from being damaged when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120. [ And a light diffusing function may be provided between the body 113 and the body 113. When the light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the first adhesive 130 provides a light diffusion function to improve light extraction efficiency of the light emitting device package 300 have. In addition, the first adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. When the first adhesive 130 includes a reflection function, the first adhesive 130 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 접착제(133)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a second adhesive 133 as shown in FIG.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The second adhesive 133 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the upper surface of the package body 110. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. In addition, the second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.

상기 제2 접착제(133)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)과 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The second adhesive 133 may be provided as an example of a conductive adhesive. The first frame 111 and the first bonding part 121 may be electrically connected through the second adhesive 133. The second frame 112 and the second bonding part 122 may be electrically connected through the second adhesive 133.

예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the second adhesive 133 may include one material or an alloy thereof selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like. However, the second adhesive 133 may be made of a material capable of securing a conductive function.

예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the second adhesive 133 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the second adhesive 133 may comprise a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있고, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive 130 and the second adhesive 133 may include different materials. For example, the first adhesive 130 may be provided as an insulating adhesive, and the second adhesive 133 may be provided as a conductive adhesive.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R10)와 제2 상부 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a first upper recess R10 and a second upper recess R20, as shown in FIG.

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first upper recess R10 may be provided on the upper surface of the first frame 111. [ The first upper recess R10 may be recessed from the upper surface of the first frame 111 in a downward direction. The first upper recess R10 may be spaced apart from the recess R. [

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 본딩부(121)의 일부 영역과 상기 제1 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 발광 구조물(123)의 일부 영역과 중첩되어 배치될 수 있다.The first upper recess R10 may be overlapped with a portion of the first bonding portion 121 in the first direction with reference to a first direction from the lower surface of the first frame 111 toward the upper surface . The first upper recess R10 may be overlapped with a portion of the light emitting structure 123 with respect to the first direction.

상기 제1 상부 리세스(R10)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제1 본딩부(121)의 세 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되어 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제1 본딩부(121) 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. 5, the first upper recess R10 is formed on the outer surface of the package body 110 and the inner surface of the package body 110, as viewed from the upper direction of the light emitting device 120, And an extended side connecting the outer side and the inner side and arranged in parallel with a direction in which the recess R extends. The inner surface may be provided extending inwardly from three sides of the first bonding portion 121. In addition, the outer surface of the first upper recess R10 may be provided in two short sides facing each other in the minor axis direction of the package body 110 and an outer peripheral region in the major axis direction. For example, the first upper recess R10 may have three outer side surfaces, three inner side surfaces, two extended side surfaces, and may be provided around the first bonding portion 121 in a " have.

또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 내측면은 상기 제2 접착제(133)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 접착제(133)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다.5, when viewed from above the light emitting device 120, the inner surface of the package body 110 is connected to the second adhesive (not shown) May be provided adjacent to the three sides of the base 133. In addition, the outer surface of the first upper recess R10 may be provided in two short sides facing each other in the minor axis direction of the package body 110 and an outer peripheral region in the major axis direction. As an example, the first upper recess R10 may have three outer side surfaces and three inner side surfaces, two extended side surfaces, and may be provided in the shape of " [" have.

상기 제1 프레임(111)은 상기 몸체(113)가 배치된 영역으로부터 상기 발광소자(120)의 장축 방향을 따라 상기 제1 상부 리세스(R10)가 제공된 방향으로 연장되어 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)의 상기 제1 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 배치될 수 있다.The first frame 111 may include a first region extending in a direction in which the first upper recess R10 is provided along the major axis direction of the light emitting device 120 from a region where the body 113 is disposed . As an example, the second adhesive 133 may be disposed in the first area of the first frame 111. The second adhesive 133 may be disposed so as to overlap the first bonding portion 121 with respect to the first direction.

실시 예에 의하면 상기 제1 영역은 평탄면으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 영역은 상기 3 개의 내측면에 의하여 정의된 영역에 대응될 수 있다.According to an embodiment, the first region may be provided as a flat surface. Also, the first region may correspond to an area defined by the three inner sides.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R10)의 3 개의 내측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 수직 방향에서 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 배치될 수 있다.5, when a portion of the first upper recess R10 is viewed from the upper direction of the light emitting device 120, the light emitting structure 123 In the vertical direction. For example, three inner side regions of the first upper recess R10 adjacent to the first bonding portion 121 may be provided extending below the light emitting structure 123. The first upper recess R10 may be disposed to overlap with the first bonding portion 121 in the vertical direction.

실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제1 상부 리세스(R10)와 이격되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second upper recess R20 may be provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be recessed in a downward direction from the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be spaced apart from the recess R. [ The second upper recess R20 may be spaced apart from the first upper recess R10.

상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 본딩부(122)의 일부 영역과 상기 제1 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 발광 구조물(123)의 일부 영역과 중첩되어 배치될 수 있다.The second upper recess R20 may be overlapped with a portion of the second bonding portion 122 in the first direction with reference to a first direction from the lower surface of the second frame 112 toward the upper surface . The second upper recess R20 may be overlapped with a portion of the light emitting structure 123 with respect to the first direction.

상기 제2 상부 리세스(R20)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제2 본딩부(122)의 세 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되어 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 본딩부(122) 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다. 5, when viewed from above the light emitting device 120, the outer surface of the package body 110 and the inner surface of the package body 110, as viewed in the upper direction of the light emitting device 120, And an extended side connecting the outer side and the inner side and arranged in parallel with a direction in which the recess R extends. The inner side surface may be provided extending inwardly from three sides of the second bonding portion 122. By way of example, the second upper recess R20 may have three outer sides, three inner sides, two extended sides, and may be provided "] " around the second bonding portion 122 have.

또한, 상기 제2 상부 리세스(R20)는, 도 5를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 내측면은 상기 제2 접착제(133)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R20)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 접착제(133)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다.5, the inner surface of the package body 110, when viewed from the upper direction of the light emitting device 120, May be provided adjacent to the three sides of the base 133. The outer surface of the second upper recess R20 may be provided on two sides facing each other in the minor axis direction of the package body 110 and an outer peripheral region in the major axis direction. By way of example, the second upper recess R20 may have three outer sides, three inner sides, two extended sides, and may be provided in the shape of "] " around the second adhesive 133 have.

상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)가 배치된 영역으로부터 상기 발광소자(120)의 장축 방향을 따라 상기 제2 상부 리세스(R20)가 제공된 방향으로 연장되어 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)의 상기 제1 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 배치될 수 있다. The second frame 112 may include a first region extending in a direction in which the second upper recess R20 is provided along the major axis direction of the light emitting device 120 from a region where the body 113 is disposed . As an example, the second adhesive 133 may be disposed in the first area of the second frame 112. The second adhesive 133 may be disposed to overlap the second bonding portion 122 with respect to the first direction.

실시 예에 의하면 상기 제1 영역은 평탄면으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 영역은 상기 3 개의 내측면에 의하여 정의된 영역에 대응될 수 있다.According to an embodiment, the first region may be provided as a flat surface. Also, the first region may correspond to an area defined by the three inner sides.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 5를 참조하여 설명된 바에 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R20)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩부(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R20)의 3 개의 내측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 수직 방향에서 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 배치될 수 있다.5, when a portion of the second upper recess R20 is viewed from the upper direction of the light emitting device 120, a portion of the second upper recess R20, In the vertical direction with respect to the base plate 123. For example, three inner side regions of the second upper recess R20 adjacent to the second bonding portion 122 may be provided extending below the light emitting structure 123. [ The second upper recess R20 may be disposed to overlap the second bonding portion 122 in the vertical direction.

예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R10 and the second upper recess R20 may be provided in a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R10, R20)가 구형 형상으로 구성되고, 그 측면이 원형 형상으로 구성될 수 있다. Also, according to the embodiment, the side surfaces of the first and second upper recesses R10 and R20 may have an inclined surface and may have a curvature. In addition, the first and second upper recesses R10 and R20 may have a spherical shape, and a side surface thereof may have a circular shape.

실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 배치될 수 있다.11, the second adhesive 133 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. Referring to FIG.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)의 제1 영역 상에 제공되어 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be provided on the first area of the first frame 111 and be disposed between the first bonding part 121 and the first frame 111. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121.

상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)에 제공되어 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The second adhesive 133 may be provided on the second frame 112 and disposed under the second bonding part 122. The second adhesive 133 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.

실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임(111)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. According to the embodiment, the second adhesive 133 is provided on the first frame 111, and the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 is mounted on the second adhesive 133 .

이때, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서, 상기 제2 접착제(133)의 일부는 상기 제1 상부 리세스(R10) 영역으로 확산될 수도 있으며, 상기 제1 본딩부(121)의 측면을 타고 확산될 수도 있다.A part of the second adhesive 133 may be partially embedded in the first upper recess R10 while the first bonding part 121 of the light emitting device 120 is mounted on the second adhesive 133. [ Or may be diffused on the side surface of the first bonding portion 121. [

그런데, 실시 예에 의하면, 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)가 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면까지의 제1 거리(D1)에 비해 더 작게 제공될 수 있다.6, from the side of the light emitting device 120 to the side of the first bonding portion 121, as viewed from the upper direction of the light emitting device 120. However, (D1) from the side of the light emitting device 120 to the side of the first upper recess R10 disposed below the lower surface of the light emitting device 120, Can be provided smaller.

또한, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)는 상기 발광 구조물(123)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 거리에 대응될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면까지의 제1 거리(D1)는 상기 발광 구조물(123)의 측면으로부터 상기 발광 구조물(123)의 하면 아래에 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 내측면까지의 거리에 대응될 수 있다.A second distance D2 from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the first bonding portion 121 is a distance from the side surface of the light emitting structure 123 to the side surface of the first bonding portion 121 As shown in FIG. A first distance D1 from a side surface of the light emitting device 120 to a side surface of the first upper recess R10 disposed below the lower surface of the light emitting device 120 is greater than a distance D1 from a side surface of the light emitting structure 123 May correspond to the distance to the inner surface of the first upper recess R10 disposed below the lower surface of the light emitting structure 123. [

예로서, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제1 본딩부(121)의 측면까지의 제2 거리(D2)는 40 마이크로 미터 내지 50 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the second distance D2 from the side of the light emitting device 120 to the side of the first bonding portion 121 may be several tens of micrometers. The second distance D2 from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the first bonding portion 121 may be 40 to 50 micrometers.

또한, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩되어 배치된 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면까지의 제1 거리(D1)는 상기 제2 거리(D2)에 비하여 수 마이크로 미터 또는 수십 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.The light emitting device 120 may further include a light emitting device 120 disposed on a side surface of the first upper recess R10, The distance D1 may be several micrometers or several tens of micrometers larger than the second distance D2.

따라서 본 실시 예에 의하면 상기 제1 상부 리세스(R10)의 일부 영역이 상기 제1 본딩부(121)의 일부 영역과 제1 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133)가 과하게 제공되어 주변으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면을 타고 상부 방향으로 이동되기 보다는 상기 제1 상부 리세스(R10) 영역으로 확산될 수 있게 된다.Therefore, according to the present embodiment, a part of the first upper recess R10 may overlap with a part of the first bonding part 121 in the first direction. Accordingly, even when the second adhesive 133 is excessively supplied and diffused to the periphery, the second adhesive 133 is not moved upward in the side direction of the first bonding part 121, And can be diffused into the upper recess R10 region.

따라서 본 실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제1 본딩부(121)의 측면을 타고 상기 발광 구조물(123) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있으므로, 도전성 물질인 상기 제2 접착제(133)의 확산에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, according to the present embodiment, since the second adhesive 133 can be prevented from spreading toward the light emitting structure 123 on the side surface of the first bonding portion 121, the second adhesive 133, which is a conductive material, It is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited by the diffusion of the light emitting device 133.

또한, 이상에서 설명된 바와 유사하게, 상기 제2 프레임(112)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. The second adhesive 112 is provided with the second adhesive 133 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 is bonded to the second adhesive 112 133).

이때, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)가 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서, 상기 제2 접착제(133)의 일부는 상기 제2 상부 리세스(R20) 영역으로 확산될 수도 있으며, 상기 제2 본딩부(122)의 측면을 타고 확산될 수도 있다.A part of the second adhesive 133 may be bonded to the second upper recess R20 while the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 is mounted on the second adhesive 133. [ Or may be diffused on the side surface of the second bonding part 122. [

그런데, 실시 예에 의하면, 도 3, 도 5, 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 측면으로부터 상기 제2 본딩부(122)의 측면까지의 거리가 상기 발광 소자(120)의 측면으로부터 상기 발광소자(120)의 하면 아래에 배치된 상기 제2 상부 리세스(R20)의 측면까지의 거리에 비해 더 작게 제공될 수 있다.3, 5, and 6, when viewed from the upper direction of the light emitting device 120, the light emitting device 120 may be formed such that, from the side of the light emitting device 120, The distance to the side surface of the light emitting device 120 is smaller than the distance from the side surface of the light emitting device 120 to the side surface of the second upper recess R20 disposed below the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제2 상부 리세스(R20)의 일부 영역이 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 수직 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133)가 과하게 제공되어 주변으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면을 타고 상부 방향으로 이동되기 보다는 상기 제2 상부 리세스(R20) 영역으로 확산될 수 있게 된다.A portion of the second upper recess R20 may be disposed in a direction perpendicular to the lower surface of the second bonding portion 122. [ Accordingly, even when the second adhesive 133 is excessively provided and diffused to the periphery, the second adhesive 133 is not moved upward in the side direction of the second bonding portion 122, To the upper recess R20 region.

실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제2 본딩부(122)의 측면을 타고 상기 발광 구조물(123) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있으므로, 도전성 물질인 상기 제2 접착제(133)의 확산에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment, since the second adhesive 133 can be prevented from spreading toward the light emitting structure 123 on the side surface of the second bonding portion 122, the second adhesive 133 It is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited.

이와 같이, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)를 이루는 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있게 된다. 또한, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)를 이루는 활성층의 측면에 배치되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.Since the second adhesive 133 can be prevented from rising on the side surface of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, which form the light emitting device 120, It is possible to prevent electrical short-circuiting. Also, since the second adhesive 133 can be prevented from being disposed on the side of the active layer of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include the first resin part 135 as shown in FIG.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. The first resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The first resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 배치될 수 있다. The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121. The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123. The first resin part 135 may be disposed on the side of the second adhesive 133.

또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be in contact with the lower surface of the light emitting device 120 directly. The first resin part 135 may be in direct contact with the side surface of the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제1 상부 리세스(R10)로 흘러 넘치는 경우가 발생될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에서 상기 제2 접착제(133) 위에 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second adhesive 133 may flow over the first upper recess R10. Accordingly, the first resin part 135 may be disposed on the second adhesive 133 in the first upper recess R10.

실시 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)에 의하여, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제1 상부 리세스(R10) 영역으로 확산되거나 상기 제1 본딩부(121)의 측면으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광 구조물(123)의 측면 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.The second adhesive 133 is diffused into the first upper recess R10 region or diffused to the side of the first bonding portion 121 by the first resin portion 135, The second adhesive 133 can be prevented from moving in the lateral direction of the light emitting structure 123. [

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and contacted with the second adhesive 133. [ The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and may be provided around the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the first upper recess R10 and provided around the first bonding part 121. [

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제2 상부 리세스(R20)로 흘러 넘치는 경우가 발생될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에서 상기 제2 접착제(133) 위에 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second adhesive 133 may flow over the second upper recess R20. Accordingly, the first resin part 135 may be disposed on the second adhesive 133 in the second upper recess R20.

실시 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)에 의하여, 상기 제2 접착제(133)가 상기 제2 상부 리세스(R20) 영역으로 확산되거나 상기 제2 본딩부(122)의 측면으로 확산되는 경우에도, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광 구조물(123)의 측면 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.The second adhesive 133 is diffused into the second upper recess R20 region or diffused to the side of the second bonding portion 122 by the first resin portion 135, The second adhesive 133 can be prevented from moving in the lateral direction of the light emitting structure 123. [

상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be in contact with the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be provided around the second adhesive 133. The first resin part 135 may be disposed in the second upper recess R20 and may be provided around the second bonding part 122. [

이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)에 채워진 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다.The first resin part 135 filled in the first upper recess R10 and the second upper recess R20 is connected to the first bonding part 121 and the second bonding part 122, The periphery can be effectively sealed.

예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material can do. The first resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120 and may be a resin including a reflective material such as TiO 2 or a white silicone ).

상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The first resin part 135 may be disposed below the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the first resin part 135 can improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111. The first resin part 135 can improve the adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The first resin part 135 may seal the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The first resin part 135 may prevent the second adhesive 133 from diffusing and moving in the lateral direction of the light emitting device 120.

상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the second adhesive 133 diffuses and moves in the lateral direction of the light emitting device 120, the second adhesive 133 may contact the active layer of the light emitting device 120, resulting in a failure due to a short circuit . Therefore, when the first resin part 135 is disposed, the second adhesive 133 and the active layer can be prevented from being short-circuited, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the first resin part 135 includes a material having a reflective property such as white silicon, the first resin part 135 may transmit light from the light emitting element 120 to the package body 110 The light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 몸체(113)의 측벽에 제공된 측벽 리세스를 포함할 수 있다. 상기 측벽 리세스는 캐비티를 제공하는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a side wall recess provided on the side wall of the body 113, as described with reference to FIGS. 1 to 6. The side wall recess may be provided on an inclined surface of the body 113 that provides a cavity.

실시 예에 의하면, 상기 측벽 리세스는 상기 몸체(113)의 경사면에 형성될 수 있으며, 해당 경사면으로부터 하부 방향으로 형성될 수 있다. 상기 측벽 리세스는 해당 경사면으로부터 하부에 배치된 제1 및 제2 프레임(111, 112)이 노출되도록 형성될 수 있다.According to an embodiment, the side wall recess may be formed on an inclined surface of the body 113, and may be formed in a downward direction from the inclined surface. The side wall recess may be formed such that the first and second frames 111 and 112 disposed below the inclined surface are exposed.

예로서, 실시 예에 발광소자 패키지(100)는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공된 제1 측벽 리세스(R31), 제2 측벽 리세스(R32), 제3 측벽 리세스(R33), 제4 측벽 리세스(R34), 제5 측벽 리세스(R35)를 포함할 수 있다.For example, in the embodiment, the light emitting device package 100 may include a first side wall recess R31, a second side wall recess R32, a third side wall recess R33, and a second side wall recess R32 provided on an inclined surface of the body 113. [ A fourth side wall recess R34, and a fifth side wall recess R35.

제1 측벽 리세스(R31), 제2 측벽 리세스(R32), 제3 측벽 리세스(R33), 제4 측벽 리세스(R34)에는 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있다. The first resin part 135 may be provided on the first side wall recess R31, the second side wall recess R32, the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34.

예로서, 상기 제1 측벽 리세스(R31)와 상기 제2 측벽 리세스(R32)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 상부 리세스(R10) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다. For example, the first resin part 135 may be provided on the first side wall recess R31 and the second side wall recess R32, So that it can be easily diffused and supplied to the inside of the container R10.

또한, 상기 제3 측벽 리세스(R33)와 상기 제4 측벽 리세스(R34)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제2 상부 리세스(R20) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first resin part 135 is provided in the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 so that the first resin part 135 is separated from the second upper recess R20 and the like.

한편, 상기 제5 측벽 리세스(R35)에 상기 제1 접착제(130)가 제공됨으로써, 상기 제1 접착제(130)가 상기 리세스(R) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.Meanwhile, since the first adhesive 130 is provided on the fifth side wall recess R35, the first adhesive 130 can be easily diffused into the recess R to be provided.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)의 캐비티를 제공하는 경사면에 복수의 측벽 리세스가 형성됨으로써, 제1 접착제(130) 및 제1 수지부(135)가 공급되고 도포될 수 있는 충분한 공간이 제공될 수 있게 된다.A plurality of sidewall recesses are formed on the inclined surface for providing the cavity of the body 113 so that the first adhesive 130 and the first resin 135 can be supplied and applied in a sufficient space .

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a second resin part 140, as shown in FIG.

상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120. The second resin part 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The second resin part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110. The second resin part 140 may be disposed on the first resin part 135.

상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second resin part 140 may include an insulating material. The second resin part 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the second resin part 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 프레임(111)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 프레임(112)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the first pad 311 of the circuit board 310 and the first frame 111 may be electrically connected. Also, the second pad 312 of the circuit board 310 and the second frame 112 may be electrically connected.

상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 제3 접착제로 지칭될 수도 있다. 예로서, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 접착제로 형성될 수 있다.The first pad 311 and the second pad 312 may be referred to as a third adhesive. For example, the first pad 311 and the second pad 312 may be formed of a conductive adhesive.

실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공되고, 상기 제2 접착제(133)와 상기 제3 접착제는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)와 상기 제3 접착제는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. According to the embodiment, the first adhesive 130 may be provided as an insulating adhesive, and the second adhesive 133 and the third adhesive may be provided as a conductive adhesive. In addition, the second adhesive 133 and the third adhesive may include different materials.

예로서, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 상기 제3 접착제의 용융점에 비해 더 높게 선택될 수 있다. 이에 따라, 상기 패키지 몸체(110)가 상기 제3 접착제에 의하여 상기 회로기판(310)에 실장되는 공정에서 상기 제2 접착제(133)의 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.For example, the melting point of the second adhesive 133 may be selected to be higher than the melting point of the third adhesive. Accordingly, it is possible to prevent the re-melting phenomenon of the second adhesive 133 from occurring in the process of mounting the package body 110 on the circuit board 310 by the third adhesive .

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(300)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 300 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, re-melting phenomenon does not occur and electrical connection and physical bonding force are not deteriorated There is no advantage.

한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, a separate bonding layer may be additionally provided between the first pad 311 and the first frame 111. Further, a separate bonding layer may be additionally provided between the second pad 312 and the second frame 112.

이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.As described above, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 according to the embodiment, May be supplied with driving power through the second adhesive 133. The melting point of the second adhesive 133 may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package 300 and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, since the light emitting device 120 is mounted on the package body 110 using conductive paste, The package body 110 does not need to be exposed to high temperatures. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discolored.

이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. Accordingly, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

다음으로, 도 12 내지 도 14를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 12 to 14. FIG.

도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 13은 도 12에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이고, 도 14는 도 12에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.12 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. FIG. 13 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame and the body applied to the light emitting device package shown in FIG. And Fig. 14 is a bottom view of the light emitting device package shown in Fig.

도 12 내지 도 14를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.12 to 14, another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment will be described, and duplicate description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 11 may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS. 12 to 14.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided as a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and can be electrically connected to the light emitting device 120.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, and a light emitting structure 123. [

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may be formed of any one selected from the group consisting of Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, At least one material or alloy selected from the group consisting of Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Or may be formed as a single layer or multiple layers.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 12 to 14, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first frame 111 in a first direction.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first frame 111. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the second frame 112. [

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the first bonding portion 121. [ In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be less than or equal to the width of the second bonding portion 122.

따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.Accordingly, the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 and the first frame 111 can be more firmly attached. In addition, the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 and the second frame 112 can be more firmly attached.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수도 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수도 있다. The first opening portion TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.

다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature .

상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 may be several hundred micrometers. The width W3 between the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame portion 112 is set to be, for example, 100 micrometers to 150 micrometers Lt; / RTI >

상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width W3 between the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 is set to be larger than the width W3 of the light emitting device package 100 may be selected to be provided over a certain distance in order to prevent electric short between the pads when they are mounted on a circuit board, a submount, or the like.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first adhesive 130.

상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may be disposed between the body 113 and the light emitting device 120. The first adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIGS. 12 and 13.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. The recess R may be provided to overlap with the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the first adhesive 130 may be disposed in the recess R. The first adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122. For example, the first adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113, for example. In addition, the first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 제1 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . Also, as an example, if the first adhesive 130 includes a reflective function, the first adhesive 130 may include white silicone.

상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 접착제(130)는 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 and may prevent the light emitting device 120 from being damaged when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120. [ And a light diffusing function may be provided between the body 113 and the body 113. When the light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the first adhesive 130 may improve the light extraction efficiency of the light emitting device package by providing a light diffusion function. When the first adhesive 130 includes a reflection function, the first adhesive 130 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be smaller than the depth T2 of the first opening TH1 or the depth T2 of the second opening TH2.

상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the first adhesive 130. A depth T1 of the recess R may be determined by taking into consideration the stable strength of the body 113 and / or cracking of the light emitting device package due to heat emitted from the light emitting device 120 Can be determined.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the light emitting device 120. The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the first adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 제1 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 제1 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth (T1) and the width (W4) of the recess (R) may affect the forming position and fixing force of the first adhesive (130). The depth T1 and the width W4 of the recess R are determined so that a sufficient fixing force can be provided by the first adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120 .

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth (T1) of the recess (R) may be provided by several tens of micrometers. The depth (T1) of the recess (R) may be provided from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the major axis direction of the light emitting device 120.

상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The width W4 of the recess R may be narrower than the gap between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The width W4 of the recess R may be provided in the range of 140 micrometers to 160 micrometers. By way of example, the width W4 of the recess R may be provided at 150 micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIGS. 12 to 14. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be surrounded by the first frame 111.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.

상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may comprise a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R41)와 제2 하부 리세스(R42)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)와 상기 제2 하부 리세스(R42)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.12 to 14, the light emitting device package according to the embodiment may include a first lower recess R41 and a second lower recess R42. The first lower recess R41 and the second lower recess R42 may be spaced apart from each other.

상기 제1 하부 리세스(R41)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess R41 may be provided on the lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R41 may be concave on the lower surface of the first frame 111 in the top surface direction. The first lower recess R41 may be spaced apart from the first opening TH1.

상기 제1 하부 리세스(R41)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다.The first lower recess R41 may be provided in a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R41. The resin part filled in the first lower recess R41 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the first lower recess R41 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부는, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the first lower recess R41 may be disposed around the lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1. The lower surface of the first frame 111 providing the first opening TH1 may be disposed in a form of an island in a shape separated from a lower surface of the first frame 111 surrounding the first frame 111. [

예로서, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.14, the lower surface of the first frame 111, which provides the first opening TH1, has a resin part filled in the first lower recess R41 and a lower part of the body 113 The second frame 111 may be isolated from the surrounding first frame 111. [

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is displaced from the first opening TH1 and the resin portion filled in the first lower recess R11 or the body 113, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the first conductive layer 321 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the first conductive layer 321 may be selected to have a good adhesion property with the first frame 111. The material of the first conductive layer 321 may be selected to have poor adhesion properties with the resin and the body 113.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. The first conductive layer 321 may flow over the first opening TH1 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the first conductive layer 321 can be stably disposed in the region provided with the first opening TH1.

따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R11)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. 따라서, 상기 발광소자패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.When the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 is electrically connected to the outer region of the first lower recess R11 provided with the resin or the body 113, The conductive layer 321 can be prevented from expanding. Also, the first conductive layer 321 can be stably connected to the lower surface of the first bonding portion 121 in the first opening TH1. Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

또한, 상기 제2 하부 리세스(R42)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R42 may be provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R42 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R42 may be spaced apart from the second opening TH2.

상기 제2 하부 리세스(R42)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R42 may be provided in a width of several micrometers to tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R42. The resin part filled in the second lower recess R42 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the second lower recess R42 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부는, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the second lower recess R42 may be disposed around the lower surface area of the second frame 112 that provides the second opening TH2, as shown in Fig. The lower surface of the second frame 112 providing the second opening TH2 may be disposed in a form of an island in a shape separated from the lower surface of the second frame 112 surrounding the second frame 112. [

예로서, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.14, the lower surface of the second frame 112, which provides the second opening TH2, has a resin part filled in the second lower recess R42 and a lower surface of the body 113 May be isolated from the second frame 112 in the vicinity.

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 may be displaced from the second opening TH2 so that the resin portion or the body 113 filled in the second lower recess R12 may be removed, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the second conductive layer 322 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the second conductive layer 322 may be selected to have good adhesion properties with the second frame 112. The material constituting the second conductive layer 322 may be selected to have poor adhesion properties with the resin part and the body 113.

이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R12)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the second conductive layer 322 can be stably disposed in the region where the second opening portion TH2 is provided. When the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 is electrically connected to an outer region of the second lower recess R12 provided with the resin portion or the body 113, The conductive layer 322 can be prevented from expanding. In addition, the second conductive layer 322 can be stably connected to the lower surface of the second bonding portion 122 in the second opening portion TH2.

따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R10)와 제2 상부 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R10 and a second upper recess R20, as shown in FIGS. 12 and 13.

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first upper recess R10 may be provided on the upper surface of the first frame 111. [ The first upper recess R10 may be recessed from the upper surface of the first frame 111 in a downward direction. The first upper recess R10 may be spaced apart from the first opening TH1.

상기 제1 상부 리세스(R10)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(121)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 본딩부(121)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. The first upper recess R10 may be provided adjacent to three sides of the first bonding portion 121 when viewed from the top, as shown in FIG. For example, the first upper recess R10 may be provided in the shape of " ["

실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 하부 리세스(R41)와 수직 방향에서 서로 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제1 하부 리세스(R41)가 수직 방향에서 서로 중첩되면, 그 사이에 배치된 상기 제1 프레임(111)의 두께가 너무 얇게 제공되는 경우에 상기 제1 프레임(111)의 강도가 약화될 수 있는 점을 고려한 것이다.According to the embodiment, the first upper recess R10 may be provided so as not to overlap with the first lower recess R41 in a direction perpendicular to the first lower recess R41. When the first upper recess R10 and the first lower recess R41 are overlapped with each other in the vertical direction and the thickness of the first frame 111 disposed therebetween is too thin, The strength of one frame 111 can be weakened.

다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임(111)의 두께가 충분하게 제공되는 경우, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제1 하부 리세스(R41)가 수직 방향에서 서로 중첩되게 제공될 수도 있다.According to another embodiment, when the thickness of the first frame 111 is sufficiently provided, the first upper recess R10 and the first lower recess R41 are provided so as to be overlapped with each other in the vertical direction It is possible.

상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R20 may be provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be recessed in a downward direction from the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be spaced apart from the second opening TH2.

실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 하부 리세스(R42)와 수직 방향에서 서로 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)와 상기 제2 하부 리세스(R42)가 수직 방향에서 서로 중첩되면, 그 사이에 배치된 상기 제2 프레임(112)의 두께가 너무 얇게 제공되는 경우에 상기 제2 프레임(112)의 강도가 약화될 수 있는 점을 고려한 것이다.According to the embodiment, the second upper recess R20 may be provided so as not to overlap with the second lower recess R42 in the vertical direction. When the second upper recess R20 and the second lower recess R42 are overlapped with each other in the vertical direction and the thickness of the second frame 112 disposed therebetween is too thin, The strength of the two frames 112 can be weakened.

다른 실시 예에 의하면, 상기 제2 프레임(112)의 두께가 충분하게 제공되는 경우, 상기 제2 상부 리세스(R20)와 상기 제2 하부 리세스(R42)가 수직 방향에서 서로 중첩되게 제공될 수도 있다.According to another embodiment, when the thickness of the second frame 112 is sufficiently provided, the second upper recess R20 and the second lower recess R42 are provided so as to be overlapped with each other in the vertical direction It is possible.

상기 제2 상부 리세스(R20)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 본딩부(122)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 본딩부(122)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다.The second upper recess R20 may be provided adjacent to three sides of the second bonding portion 122 as viewed from the upper side, as shown in Fig. For example, the second upper recess R20 may be provided in the shape of "] " around the second bonding portion 122. [

예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R10 and the second upper recess R20 may be provided in a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first resin part 135 as shown in FIG. 12 and FIG.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be provided to the first upper recess R10 and the second upper recess R20.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121. The first resin part 135 may be provided to the first upper recess R10 and extended to a region where the first bonding part 121 is disposed. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123.

또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122. The first resin part 135 may be provided to the second upper recess R20 and extended to a region where the second bonding part 122 is disposed. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123.

또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 측면에도 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)가 상기 발광 구조물(123)의 측면에 배치됨으로써 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광 구조물(123)의 측면으로 이동하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)가 상기 발광 구조물(123)의 측면에 배치될 때, 상기 발광 구조물(123)의 활성층 아래에 배치되도록 할 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. The first resin part 135 may be provided on a side surface of the light emitting structure 123. Since the first resin part 135 is disposed on the side surface of the light emitting structure 123, it is possible to effectively prevent the first and second conductive layers 321 and 322 from moving to the side surface of the light emitting structure 123 have. When the first resin part 135 is disposed on the side surface of the light emitting structure 123, the first resin part 135 may be disposed under the active layer of the light emitting structure 123, The extraction efficiency can be improved.

상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R10 and the second upper recess R20 may provide sufficient space for the first resin part 135 to be provided.

예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material can do. In addition, the first resin part 135 may include a reflective material, for example, and may include a white silicone including TiO2 and / or Silicone.

상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The first resin part 135 may be disposed below the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the first resin part 135 can improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111. The first resin part 135 can improve the adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The first resin part 135 may seal the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The first resin part 135 may be formed such that the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are separated from the first opening part TH1 and the second opening part TH2, 120) direction and can be prevented from being moved.

또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the first resin part 135 includes a material having a reflective property such as white silicon, the first resin part 135 may transmit light from the light emitting element 120 to the package body 110 The light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명되고 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(113)의 측벽에 제공된 측벽 리세스를 포함할 수 있다. 상기 측벽 리세스는 캐비티를 제공하는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a side wall recess provided on the side wall of the body 113, as described with reference to FIGS. 1 to 6 and as shown in FIG. The side wall recess may be provided on an inclined surface of the body 113 that provides a cavity.

실시 예에 의하면, 상기 측벽 리세스는 상기 몸체(113)의 경사면에 형성될 수 있으며, 해당 경사면으로부터 하부 방향으로 형성될 수 있다. 상기 측벽 리세스는 해당 경사면으로부터 하부에 배치된 제1 및 제2 프레임(111, 112)이 노출되도록 형성될 수 있다.According to an embodiment, the side wall recess may be formed on an inclined surface of the body 113, and may be formed in a downward direction from the inclined surface. The side wall recess may be formed such that the first and second frames 111 and 112 disposed below the inclined surface are exposed.

예로서, 실시 예에 발광소자 패키지는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공된 제1 측벽 리세스(R31), 제2 측벽 리세스(R32), 제3 측벽 리세스(R33), 제4 측벽 리세스(R34), 제5 측벽 리세스(R35)를 포함할 수 있다.For example, in the embodiment, the light emitting device package includes a first sidewall recess R31, a second sidewall recess R32, a third sidewall recess R33, and a fourth sidewall recess R32 provided on an inclined surface of the body 113. [ A sidewall R34, and a fifth sidewall recess R35.

상기 제1 측벽 리세스(R31), 상기 제2 측벽 리세스(R32), 상기 제3 측벽 리세스(R33), 상기 제4 측벽 리세스(R34)에는 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있다.The first resin part 135 is provided on the first side wall recess R31, the second side wall recess R32, the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 .

예로서, 상기 제1 측벽 리세스(R31)와 상기 제2 측벽 리세스(R32)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 상부 리세스(R10) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다. For example, the first resin part 135 may be provided on the first side wall recess R31 and the second side wall recess R32, So that it can be easily diffused and supplied to the inside of the container R10.

또한, 상기 제3 측벽 리세스(R33)와 상기 제4 측벽 리세스(R34)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제2 상부 리세스(R20) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first resin part 135 is provided in the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 so that the first resin part 135 is separated from the second upper recess R20 and the like.

한편, 상기 제5 측벽 리세스(R35)에 상기 제1 접착제(130)가 제공됨으로써, 상기 제1 접착제(130)가 상기 리세스(R) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.Meanwhile, since the first adhesive 130 is provided on the fifth side wall recess R35, the first adhesive 130 can be easily diffused into the recess R to be provided.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)의 캐비티를 제공하는 경사면에 복수의 측벽 리세스가 형성됨으로써, 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제1 수지부(135)가 공급되고 도포될 수 있는 충분한 공간이 제공될 수 있게 된다.A plurality of sidewall recesses are formed on the inclined surface providing the cavity of the body 113 so that the first adhesive 130 and the first resin part 135 can be supplied and applied sufficiently Space can be provided.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the second resin part 140.

상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120. The second resin part 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The second resin part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110. The second resin part 140 may be disposed on the first resin part 135.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package 100 according to the embodiment, power is connected to the first bonding portion 121 through the first opening portion TH1, and power is supplied to the second bonding portion 121 through the second opening portion TH2. (Not shown).

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the bonding portion of the light emitting device according to the embodiment can receive the driving power through the conductive layer disposed in the opening portion. And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

다음으로, 도 15를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 15를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.15 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 15, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be omitted from the description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 14. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound, And may be formed of at least one selected from the group including silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the body 113 may include a high refractive index filler such as TiO 2 and SiO 2 .

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and can be electrically connected to the light emitting device 120.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 발광소자(120)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124, as shown in FIG. The first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIG. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first frame 111 in a first direction.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first frame 111. [ The first bonding portion 121 may be disposed on the first opening TH1.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the second frame 112. [ The second bonding portion 122 may be disposed on the second opening portion TH2.

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 인접하여 배치된 상부 영역 및 상기 제1 프레임(111)의 하면에 인접하여 배치된 하부 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 둘레는 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역 둘레보다 작게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include an upper region disposed adjacent to an upper surface of the first frame 111 and a lower region disposed adjacent to a lower surface of the first frame 111. [ For example, the periphery of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than the periphery of the lower region of the first opening TH1.

상기 제1 개구부(TH1)는 제1 방향의 둘레가 제일 작은 제1 지점을 포함하고, 상기 제1 지점은 상기 제1 방향과 수직한 방향을 기준으로 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역 보다 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에 더 가깝게 배치될 수 있다.The first opening (TH1) includes a first point having a smallest circumference in a first direction, and the first point is located at a position closer to the lower region of the first opening (TH1) with respect to a direction perpendicular to the first direction And may be disposed closer to the upper region of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 인접하여 배치된 상부 영역 및 상기 제2 프레임(112)의 하면에 인접하여 배치된 하부 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 둘레는 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역 둘레보다 작게 제공될 수 있다.The second opening portion TH2 may include an upper region disposed adjacent to an upper surface of the second frame 112 and a lower region disposed adjacent to a lower surface of the second frame 112. [ For example, the upper area of the second opening TH2 may be smaller than the lower area of the second opening TH2.

상기 제2 개구부(TH2)는 제1 방향의 둘레가 제일 작은 제1 지점을 포함하고, 상기 제1 지점은 상기 제1 방향과 수직한 방향을 기준으로 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역 보다 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에 더 가깝게 배치될 수 있다.The second opening (TH2) includes a first point having a smallest circumference in a first direction, and the first point is positioned at a position lower than the lower area of the second opening (TH2) with respect to a direction perpendicular to the first direction And may be disposed closer to the upper region of the second opening TH2.

도 15에 도시된 발광소자 패키지는, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 공정에서, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 식각이 각각 수행된 경우를 나타낸 것이다.In the light emitting device package shown in FIG. 15, in the process of forming the first and second openings TH1 and TH2, the first and second lead frames 111 and 112 are etched in the upper and lower direction Respectively.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 각각 식각이 진행됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 형상이 일종의 눈사람 형상으로 제공될 수 있다.The first and second openings TH1 and TH2 may be provided in the form of a snowman as the etching proceeds in the top and bottom directions of the first and second lead frames 111 and 112 .

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 하부 영역에서 중간 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다. 또한, 폭이 감소된 중간 영역에서 다시 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다.The widths of the first and second openings TH1 and TH2 may gradually increase from the lower region to the middle region and then decrease again. In addition, the width may gradually increase from the reduced width intermediate region to the upper region, and then decrease again.

앞에서 설명된 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 제1 지점은 눈사람 형상에서 개구부의 크기가 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 작아졌다가 다시 커지는 경계 영역을 지칭할 수 있다.The first point of the first and second openings TH1 and TH2 described above may refer to a boundary region in which the size of the opening in the snowman shape decreases from the lower region to the upper region and then increases again.

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 상면에 배치된 제1 영역, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 하면에 배치된 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역의 상면의 폭은 상기 제2 영역의 하면의 폭 보다 작게 제공될 수 있다.The first and second openings TH1 and TH2 are formed in a first region disposed on the upper surface of each of the first and second frames 111 and 112 and a second region disposed on the lower surface of the first and second frames 111 and 112, And a second region disposed in the second region. The width of the upper surface of the first region may be smaller than the width of the lower surface of the second region.

또한, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)은 지지부재와 상기 지지부재를 감싸는 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)을 포함할 수 있다. The first and second frames 111 and 112 may include a supporting member and first and second metal layers 111a and 112a surrounding the supporting member.

실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 식각 공정이 완료된 후, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 구성하는 상기 지지부재에 대한 도금 공정 등을 통하여 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 구성하는 지지부재의 표면에 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 형성될 수 있다. According to the embodiment, after the etching process for forming the first and second openings TH1 and TH2 is completed, a plating process or the like for the supporting members constituting the first and second frames 111 and 112 The first and second metal layers 111a and 112a may be formed. Accordingly, the first and second metal layers 111a and 112a may be formed on the surfaces of the support members constituting the first and second frames 111 and 112. [

상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면 및 하면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 접하는 경계 영역에 제공될 수도 있다.The first and second metal layers 111a and 112a may be provided on the upper and lower surfaces of the first and second frames 111 and 112, respectively. Also, the first and second metal layers 111a and 112a may be provided in a boundary region in contact with the first and second openings TH1 and TH2.

한편, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 접하는 경계 영역에 제공된 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공되는 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 결합되어 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)의 형성에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.The first and second metal layers 111a and 112a provided in the boundary region in contact with the first and second openings TH1 and TH2 are formed in the first and second openings TH1 and TH2, And the first and second alloy layers 111b and 112b may be combined with the first and second conductive layers 321 and 322, respectively. The formation of the first and second alloy layers 111b and 112b will be described later.

예로서, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)은 기본 지지부재로서 Cu층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 Ni층, Ag층 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.By way of example, the first and second frames 111 and 112 may be provided as a Cu layer as a basic supporting member. In addition, the first and second metal layers 111a and 112a may include at least one of a Ni layer, an Ag layer, and the like.

상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 Ni층을 포함하는 경우, Ni층은 열 팽창에 대한 변화가 작으므로, 패키지 몸체가 열 팽창에 의하여 그 크기 또는 배치 위치가 변화되는 경우에도, 상기 Ni층에 의하여 상부에 배치된 발광소자의 위치가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 Ag층을 포함하는 경우, Ag층은 상부에 배치된 발광소자에서 발광되는 빛을 효율적으로 반사시키고 광도를 향상시킬 수 있다.When the first and second metal layers 111a and 112a include a Ni layer, the Ni layer has a small change in thermal expansion, so that even when the size or placement of the package body is changed due to thermal expansion, The position of the light emitting element disposed on the upper portion can be stably fixed by the Ni layer. When the first and second metal layers 111a and 112a include an Ag layer, the Ag layer can efficiently reflect light emitted from the light emitting device disposed on the upper side and improve the brightness.

실시 예에 의하면, 상기 광 추출 효율을 개선하기 위해 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기를 작게 배치하는 경우, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크거나 같게 제공될 수 있다.When the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 are arranged to have a small size in order to improve the light extraction efficiency, The width of the first bonding portion 121 may be greater than or equal to the width of the first bonding portion 121. In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be greater than or equal to the width of the second bonding portion 122.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width of the upper region of the first opening TH1 may be from several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. The width of the lower region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers larger than the width of the upper region of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. The width of the lower region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers larger than the width of the upper region of the second opening TH2.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작을 경우, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치될 수 있다. 15, when the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 are small, the first and second bonding parts 121 and 122 may be formed to have the same shape as the first and second bonding parts 121 and 122, And may be disposed in the first and second openings TH1 and TH2.

이 때, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작기 때문에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 접착력이 확보되기 어려울 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 접촉 면적을 더 확보하기 위해서 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. Since the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is small at this time, the adhesion between the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second bonding portions 121 and 122 Can be difficult to secure. The light emitting device package according to the embodiment may include the first conductor 221 and the second conductor 221 to further secure the contact area between the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second bonding parts 121 and 122, And a second conductor 222. In this case,

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The first conductor 221 may be disposed under the first bonding portion 121. The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductor 221 may be overlapped with the first bonding portion 121 in the first direction.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductor 221 may be provided in the first opening TH1. The first conductor 221 may be disposed between the first bonding portion 121 and the first conductive layer 321. The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the first conductive layer 321.

상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 도전층(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. The lower surface of the first conductor 221 may be disposed lower than the upper surface of the first opening TH1. The lower surface of the first conductor 221 may be disposed lower than the upper surface of the first conductive layer 321.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The first conductor 221 may be disposed on the first opening TH1. In addition, the first conductor 221 may extend from the first bonding portion 121 to the inside of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. In addition, the second conductor 222 may be disposed under the second bonding portion 122. The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductor 222 may be disposed to overlap with the second bonding portion 122 in the first direction.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second conductor 222 may be provided in the second opening TH2. The second conductive material 222 may be disposed between the second bonding portion 122 and the second conductive layer 322. The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding portion 122 and the second conductive layer 322.

상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 도전층(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.The lower surface of the second conductor 222 may be disposed lower than the upper surface of the second opening TH2. The lower surface of the second conductor 222 may be disposed lower than the upper surface of the second conductive layer 322.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The second conductor 222 may be disposed on the second opening TH2. The second conductor 222 may extend from the second bonding portion 122 to the inside of the second opening TH2.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first conductive layer 321 may be disposed on the lower surface and the side surface of the first conductor 221. The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the first conductor 221.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be greater than the width of the first bonding portion 121.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. According to the light emitting device package of this embodiment, the electrical connection between the first conductive layer 321 and the first bonding portion 121 can be more stably provided by the first conductor 221 .

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second conductive layer 322 may be disposed on a lower surface and a side surface of the second conductor 222. The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the second conductive body 222.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be greater than the width of the second bonding portion 122.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.According to the light emitting device package 200 of this embodiment, the electrical connection between the second conductive layer 322 and the second bonding portion 122 can be stably provided by the second conductor 222 .

예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. For example, the first and second conductors 221 and 222 may be stably bonded to the first and second bonding portions 121 and 122 through separate bonding materials, respectively. The side surfaces and the bottom surfaces of the first and second conductors 221 and 222 may be in contact with the first and second conductive layers 321 and 322, respectively.

따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. Compared to the case where the first and second conductive layers 321 and 322 directly contact the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122, the first and second conductive layers 321 and 322 And 322 may be greater in contact with the first and second conductors 221 and 222, respectively.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.Accordingly, power is supplied from the first and second conductive layers 321 and 322 to the first and second bonding portions 121 and 122 through the first and second conductors 221 and 222, As shown in FIG.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the second adhesive 133 may comprise a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Ag, Au, Pt, Al 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first and second conductors 221 and 222 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Al, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first and second conductors 221 and 222 may be formed of a material capable of securing a conductive function.

실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제 2 도전층(321, 322)이 형성되는 과정 또는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다.According to the embodiment, in the process of forming the first and second conductive layers 321 and 322 or the post-heat treatment process in which the first and second conductive layers 321 and 322 are provided, An intermetallic compound (IMC) layer may be formed between the first and second layers 111 and 112 and the layers 321 and 322.

예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 이루는 물질과 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 제1 및 제2 금속층(111a, 112a) 간의 결합에 의해 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)이 형성될 수 있다.For example, the material of the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second metal layers 111a and 112a of the first and second frames 111 and 112, And second alloy layers 111b and 112b may be formed.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 프레임(111)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제1 도전층(321), 상기 제1 합금층(111b), 상기 제1 프레임(111)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.Accordingly, the first conductive layer 321 and the first frame 111 can be physically and electrically coupled with each other in a stable manner. The first conductive layer 321, the first alloy layer 111b, and the first frame 111 can be physically and electrically coupled to each other in a stable manner.

또한, 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 프레임(112)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제2 도전층(322), 상기 제2 합금층(112b), 상기 제2 프레임(112)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.Also, the second conductive layer 322 and the second frame 112 can be physically and electrically coupled to each other in a stable manner. The second conductive layer 322, the second alloy layer 112b, and the second frame 112 can be physically and electrically coupled to each other in a stable manner.

예로서, 상기 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)은 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a) 또는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 지지부재로부터 제공될 수 있다.For example, the first and second alloy layers 111b and 112b may include at least one intermetallic compound layer selected from the group including AgSn, CuSn, AuSn, and the like. The intermetallic compound layer may be formed by a combination of a first material and a second material, and a first material may be provided from the first and second conductive layers 321 and 322, And the second metal layers 111a and 112a or the supporting members of the first and second frames 111 and 112. [

한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 사이에도 금속간 화합물층이 형성될 수도 있다.On the other hand, according to the embodiment, the first and second An intermetallic compound layer may also be formed between the bonding portions 121 and 122 and the first and second conductive layers 321 and 322.

이상에서 설명된 바와 유사하게, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제 2 도전층(321, 322)이 형성되는 과정 또는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다.As described above, according to the embodiment, in the process of forming the first and second conductive layers 321 and 322, or the post-heat treatment process in which the first and second conductive layers 321 and 322 are provided, An intermetallic compound (IMC) layer may be formed between the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second bonding portions 121 and 122.

예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 이루는 물질과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다.For example, an alloy layer may be formed by bonding between the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second bonding portions 121 and 122.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121)가 물리적으로 또한 전기적으로 더 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제1 도전층(321), 합금층, 상기 제1 본딩부(121)가 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.Accordingly, the first conductive layer 321 and the first bonding portion 121 can be physically and electrically coupled more stably. The first conductive layer 321, the alloy layer, and the first bonding portion 121 can be physically and electrically coupled stably.

또한, 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122)가 물리적으로 또한 전기적으로 더 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제2 도전층(322), 합금층, 상기 제2 본딩부(122)가 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.In addition, the second conductive layer 322 and the second bonding portion 122 can be physically and electrically coupled more stably. The second conductive layer 322, the alloy layer, and the second bonding portion 122 can be physically and electrically coupled stably.

예로서, 상기 합금층은 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)로부터 제공될 수 있다.For example, the alloy layer may include at least one intermetallic compound layer selected from the group including AgSn, CuSn, AuSn, and the like. The intermetallic compound layer may be formed by a combination of a first material and a second material, and a first material may be provided from the first and second conductive layers 321 and 322, And the second bonding portions 121 and 122, respectively.

이상에서 설명된 금속간 화합물층은 일반적인 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다.The intermetallic compound layer described above can have a higher melting point than a general bonding material. In addition, the heat treatment process in which the metal compound layer is formed can be performed at a lower temperature than the melting point of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, re-melting phenomenon does not occur, so that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated There are advantages.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the first adhesive 130.

상기 제1 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120. The first adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120. The first adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIG.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. The recess R may be provided to overlap with the light emitting device 120 in the first direction.

상기 리세스(R)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)가 구형 형상으로 제공되고, 그 측면이 원형 형성으로 제공될 수도 있다.The side surface of the recess (R) may have an inclined surface and may have a curvature. Also, the recess (R) may be provided in a spherical shape, and its side may be provided in a circular formation.

예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)로부터 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 방향으로 확산되어 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다.For example, the first adhesive 130 may be disposed in the recess R. The first adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The first adhesive 130 may be diffused from the recess R in a direction in which the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 are disposed. For example, the first adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.Also, the first adhesive 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110. The first adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111. The first adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112.

상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113, for example. In addition, the first adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . Also, as an example, if the first adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone.

상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. The first adhesive 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 and may prevent the light emitting device 120 from being damaged when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120. [ And a light diffusing function may be provided between the body 113 and the body 113. When the light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the first adhesive 130 may improve the light extraction efficiency of the light emitting device package by providing a light diffusion function.

또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.In addition, the first adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. When the first adhesive 130 includes a reflection function, the adhesive 130 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 제1 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있다. The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the light emitting device 120. The underfilling process may be a process of mounting the light emitting device 120 on the package body 110 and disposing the first adhesive 130 under the light emitting device 120.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 10% or less based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be greater than the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122. In order to increase the light extraction efficiency of the light emitting device, May be set to 10% or less based on the top surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is set to be larger than the area of the top surface of the substrate 124 To 0.7% or more.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is set so that the first conductor 221 and the second conductor 222 can be stably arranged. May be set to 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124.

실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the first adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is larger than the area of the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second openings TH1 and TH2, The bonding portions 121 and 122 can be provided larger than the area of the region where they are joined together.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 제1 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 제1 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is reduced, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 can be increased. Further, under the light emitting device 120, the first adhesive 130 having a good reflection characteristic may be provided. Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the first adhesive 130, and is effectively emitted upward in the light emitting device package, and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a second resin part 140, as shown in FIG.

상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The second resin part 140 may be provided on the light emitting device 120. The second resin part 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The second resin part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110.

상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second resin part 140 may include an insulating material. The second resin part 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the second resin part 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R10)와 제2 상부 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R10 and a second upper recess R20, as shown in FIG.

상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 끝단은 둥근 형상으로 제공될 수 있다.The first upper recess R10 may be provided on the upper surface of the first frame 111. [ The first upper recess R10 may be recessed from the upper surface of the first frame 111 in a downward direction. The first upper recess R10 may be spaced apart from the first opening TH1. For example, the end of the first upper recess R10 may be provided in a round shape.

상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R20)의 끝단은 둥근 형상으로 제공될 수 있다.The second upper recess R20 may be provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be recessed in a downward direction from the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R20 may be spaced apart from the second opening TH2. For example, the end of the second upper recess R20 may be provided in a round shape.

예로서, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R10 and the second upper recess R20 may be provided in a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the first resin part 135 as shown in FIG.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The first resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120. The first resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)에 제공될 수 있다.The first resin part 135 may be provided to the first upper recess R10 and the second upper recess R20.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R10)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)가 배치된 영역까지 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 연장되어 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be provided to the first upper recess R10 and diffused to the area where the first bonding part 121 is disposed. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123. The first resin part 135 may extend from a side surface of the first bonding part 121.

또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R20)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 영역까지 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 연장되어 배치될 수 있다.The first resin part 135 may be provided to the second upper recess R20 and diffused to the area where the second bonding part 122 is disposed. The first resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123. The first resin part 135 may extend on the side surface of the second bonding part 122.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R10)의 일부 영역이 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R10)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.Also, in the light emitting device package according to the embodiment, a part of the first upper recess R10 may be provided so as to overlap with the light emitting structure 123 in the vertical direction when viewed from the upper direction. For example, a side region of the first upper recess R10 adjacent to the first bonding portion 121 may be provided extending below the light emitting structure 123. [

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R20)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩부(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R20)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be provided such that a part of the second upper recess R20 overlaps with the light emitting structure 123 in the vertical direction when viewed from the upper direction. As an example, a side region of the second upper recess R20 adjacent to the second bonding portion 122 may be provided extending below the light emitting structure 123. [

또한, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.The first upper recess R10 and the second upper recess R20 may provide sufficient space under which the first resin portion 135 may be provided under the light emitting element 120 . The first upper recess R10 and the second upper recess R20 may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the light emitting device 120. [

이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R10)와 상기 제2 상부 리세스(R20)에 채워진 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다.The first resin part 135 filled in the first upper recess R10 and the second upper recess R20 is connected to the first bonding part 121 and the second bonding part 122, The periphery can be effectively sealed.

예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material can do. The first resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120 and may be a resin including a reflective material such as TiO 2 or a white silicone ).

상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The first resin part 135 may be disposed below the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the first resin part 135 can improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111. The first resin part 135 can improve the adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112.

상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The first resin part 135 may seal the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The first resin part 135 may be formed such that the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are separated from the first opening part TH1 and the second opening part TH2, 120 in the outer side direction.

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are diffused and moved in the outer surface direction of the light emitting device 120, the first and second conductive layers 321 and 322 are electrically connected to the active layer of the light emitting device 120 Which can lead to failure due to a short circuit. Therefore, when the first resin part 135 is disposed, the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer can be prevented from being short-circuited, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the first resin part 135 includes a material having a reflective property such as white silicon, the first resin part 135 may transmit light from the light emitting element 120 to the package body 110 The light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 몸체(113)의 측벽에 제공된 측벽 리세스를 포함할 수 있다. 상기 측벽 리세스는 캐비티를 제공하는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a side wall recess provided on the side wall of the body 113, as described with reference to FIGS. 1 to 6. The side wall recess may be provided on an inclined surface of the body 113 that provides a cavity.

실시 예에 의하면, 상기 측벽 리세스는 상기 몸체(113)의 경사면에 형성될 수 있으며, 해당 경사면으로부터 하부 방향으로 형성될 수 있다. 상기 측벽 리세스는 해당 경사면으로부터 하부에 배치된 제1 및 제2 프레임(111, 112)이 노출되도록 형성될 수 있다.According to an embodiment, the side wall recess may be formed on an inclined surface of the body 113, and may be formed in a downward direction from the inclined surface. The side wall recess may be formed such that the first and second frames 111 and 112 disposed below the inclined surface are exposed.

예로서, 실시 예에 발광소자 패키지는 상기 몸체(113)의 경사면에 제공된 제1 측벽 리세스(R31), 제2 측벽 리세스(R32), 제3 측벽 리세스(R33), 제4 측벽 리세스(R34), 제5 측벽 리세스(R35)를 포함할 수 있다.For example, in the embodiment, the light emitting device package includes a first sidewall recess R31, a second sidewall recess R32, a third sidewall recess R33, and a fourth sidewall recess R32 provided on an inclined surface of the body 113. [ A sidewall R34, and a fifth sidewall recess R35.

상기 제1 측벽 리세스(R31), 상기 제2 측벽 리세스(R32), 상기 제3 측벽 리세스(R33), 상기 제4 측벽 리세스(R34)에는 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있다. The first resin part 135 is provided on the first side wall recess R31, the second side wall recess R32, the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 .

예로서, 상기 제1 측벽 리세스(R31)와 상기 제2 측벽 리세스(R32)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 상부 리세스(R10) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다. For example, the first resin part 135 may be provided on the first side wall recess R31 and the second side wall recess R32, So that it can be easily diffused and supplied to the inside of the container R10.

또한, 상기 제3 측벽 리세스(R33)와 상기 제4 측벽 리세스(R34)에 상기 제1 수지부(135)가 제공됨으로써, 상기 제1 수지부(135)가 상기 제2 상부 리세스(R20) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first resin part 135 is provided in the third side wall recess R33 and the fourth side wall recess R34 so that the first resin part 135 is separated from the second upper recess R20 and the like.

한편, 상기 제5 측벽 리세스(R35)에 상기 제1 접착제(130)가 제공됨으로써, 상기 제1 접착제(130)가 상기 리세스(R) 내부로 용이하게 확산되어 제공될 수 있게 된다.Meanwhile, since the first adhesive 130 is provided on the fifth side wall recess R35, the first adhesive 130 can be easily diffused into the recess R to be provided.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)의 캐비티를 제공하는 경사면에 복수의 측벽 리세스가 형성됨으로써, 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제1 수지부(135)가 공급되고 도포될 수 있는 충분한 공간이 제공될 수 있게 된다.A plurality of sidewall recesses are formed on the inclined surface providing the cavity of the body 113 so that the first adhesive 130 and the first resin part 135 can be supplied and applied sufficiently Space can be provided.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting device package according to the exemplary embodiment of the present invention is connected to the first bonding portion 121 through the first opening portion TH1 and the second bonding portion 122 through the second opening portion TH2, The power can be connected to the power supply.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 200 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the bonding portion of the light emitting device according to the embodiment can receive the driving power through the conductive layer disposed in the opening portion. And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R41)와 제2 하부 리세스(R42)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)와 상기 제2 하부 리세스(R42)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first lower recess R41 and a second lower recess R42, as shown in FIG. The first lower recess R41 and the second lower recess R42 may be spaced apart from each other.

상기 제1 하부 리세스(R41)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess R41 may be provided on the lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R41 may be concave on the lower surface of the first frame 111 in the top surface direction. The first lower recess R41 may be spaced apart from the first opening TH1.

상기 제1 하부 리세스(R41)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다.The first lower recess R41 may be provided in a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R41. The resin part filled in the first lower recess R41 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the first lower recess R41 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부는, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the first lower recess R41 may be disposed around the lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1. The lower surface of the first frame 111 providing the first opening TH1 may be disposed in a form of an island in a shape separated from a lower surface of the first frame 111 surrounding the first frame 111. [

예로서, 도 14를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R41)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.14, the lower surface of the first frame 111, which provides the first opening TH1, has a resin portion filled in the first lower recess R41, May be isolated from the first frame (111) in the vicinity by the first frame (113).

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is displaced from the first opening TH1 and the resin portion filled in the first lower recess R11 or the body 113, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the first conductive layer 321 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the first conductive layer 321 may be selected to have a good adhesion property with the first frame 111. The material of the first conductive layer 321 may be selected to have poor adhesion properties with the resin and the body 113.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. The first conductive layer 321 may flow over the first opening TH1 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the first conductive layer 321 can be stably disposed in the region provided with the first opening TH1.

따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R11)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. 따라서, 상기 발광소자패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.When the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 is electrically connected to the outer region of the first lower recess R11 provided with the resin or the body 113, The conductive layer 321 can be prevented from expanding. Also, the first conductive layer 321 can be stably connected to the lower surface of the first bonding portion 121 in the first opening TH1. Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

또한, 상기 제2 하부 리세스(R42)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R42 may be provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R42 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R42 may be spaced apart from the second opening TH2.

상기 제2 하부 리세스(R42)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R42 may be provided in a width of several micrometers to tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R42. The resin part filled in the second lower recess R42 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the second lower recess R42 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부는, 도 14를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the second lower recess R42 may be disposed around the lower surface area of the second frame 112 providing the second opening TH2 as described with reference to Fig. have. The lower surface of the second frame 112 providing the second opening TH2 may be disposed in a form of an island in a shape separated from the lower surface of the second frame 112 surrounding the second frame 112. [

예로서, 도 14를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R42)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.14, the lower surface area of the second frame 112 providing the second opening portion TH2 is formed by a resin portion filled in the second lower recess R42, May be isolated from the second frame (112) around the first frame (113).

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 may be displaced from the second opening TH2 so that the resin portion or the body 113 filled in the second lower recess R12 may be removed, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the second conductive layer 322 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the second conductive layer 322 may be selected to have good adhesion properties with the second frame 112. The material constituting the second conductive layer 322 may be selected to have poor adhesion properties with the resin part and the body 113.

이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R12)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the second conductive layer 322 can be stably disposed in the region where the second opening portion TH2 is provided. When the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 is electrically connected to an outer region of the second lower recess R12 provided with the resin portion or the body 113, The conductive layer 322 can be prevented from expanding. In addition, the second conductive layer 322 can be stably connected to the lower surface of the second bonding portion 122 in the second opening portion TH2.

따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

또한, 실시 예에 의하면, 도 11을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)가 상기 기판(310)에 실장될 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 패드(311, 312)를 구성하는 물질 또는 상기 제1 및 제2 패드(311, 312) 위에 제공된 본딩 물질이 상기 제1 및 제2 하부 리세스(R41, R42)에 제공된 수지부에 의하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 방향으로 확산되어 이동되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the embodiment, as described with reference to FIG. 11, the package body 110 may be mounted on the substrate 310. At this time, the material constituting the first and second pads 311 and 312 or the bonding material provided on the first and second pads 311 and 312 may contact the first and second lower recesses R41 and R42, The first and second openings TH1 and TH2 can be prevented from being diffused and moved by the resin portion provided in the first and second openings TH1 and TH2.

한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package described above may be provided with a flip chip light emitting device as an example.

예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in six plane directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in five plane directions.

상기 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 상기 패키지 패키지 몸체(110)에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 본딩부와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflection type flip chip light emitting device in which light is emitted in the five-sided direction may have a structure in which a reflection layer is disposed in a direction close to the package package body 110. For example, the reflective flip chip light emitting device may include an insulating reflective layer (e.g., a Distributed Bragg Reflector, an Omni Directional Reflector, etc.) and / or a conductive reflective layer (e.g., Ag, Al, Ni, Au, etc.).

또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부를 가지며, 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. The flip chip light emitting device may include a first bonding portion electrically connected to the first conductive type semiconductor layer and a second bonding portion electrically connected to the second conductive type semiconductor layer, And may be provided as a general horizontal light emitting device in which light is emitted between the first bonding portion and the second bonding portion.

또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 상기 제1 및 제2 본딩부 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.The flip-chip light emitting device in which light is emitted in the six-sided direction may include a reflection type flip chip light emitting device including a reflection region in which a reflection layer is disposed between the first and second bonding units, and a transmission region in which light is emitted. Can be provided.

여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면, 하부면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip chip light emitting device refers to a device that emits light to the top surface, four side surfaces, and six surfaces of the bottom surface. In addition, the reflection type flip chip light emitting device means an element that emits light to the upper surface and the four side surfaces.

그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.Hereinafter, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 17은 도 16에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.FIG. 16 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a sectional view taken along line A-A of the light emitting device shown in FIG.

한편, 이해를 돕기 위해, 도 16을 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.16, the first sub-electrode 1171 and the second sub-electrode 1172 are disposed under the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 and are electrically connected to the first bonding portion 1171. However, And the second sub-electrode 1142 electrically connected to the second bonding portion 1172 can be seen.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include the light emitting structure 1110 disposed on the substrate 1105, as shown in FIGS. 16 and 17. FIG.

상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 1105 may be selected from the group consisting of a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. For example, the substrate 1105 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on its upper surface.

상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 1110 may include a first conductive semiconductor layer 1111, an active layer 1112, and a second conductive semiconductor layer 1113. The active layer 1112 may be disposed between the first conductive semiconductor layer 1111 and the second conductive semiconductor layer 1113. For example, the active layer 1112 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 1111, and the second conductive semiconductor layer 1113 may be disposed on the active layer 1112.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1111 may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1111 may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 may be provided as an n-type semiconductor layer.

이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the first conductive semiconductor layer 1111 is provided as an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 1113 is provided as a p-type semiconductor layer for convenience of description .

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 17에 도시된 바와 같이, 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a light transmitting electrode layer 1130 as shown in FIG. The transmissive electrode layer 1130 can improve current diffusion and increase light output.

예로서, 상기 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the light transmitting electrode layer 1130 may include at least one selected from the group consisting of a metal, a metal oxide, and a metal nitride. The transmissive electrode layer 1130 may include a light-transmitting material.

상기 투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The transparent electrode layer 1130 may be formed of a material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZON (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO gallium zinc oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / IrOx / Au / ITO, Pt, Ni, Au, Rh, and Pd.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a reflective layer 1160, as shown in FIGS. The reflective layer 1160 may include a first reflective layer 1161, a second reflective layer 1162, and a third reflective layer 1163. The reflective layer 1160 may be disposed on the transmissive electrode layer 1130.

상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second reflective layer 1162 may include a first opening h1 for exposing the transmissive electrode layer 1130. The second reflective layer 1162 may include a plurality of first openings h1 disposed on the transmissive electrode layer 1130. [

상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first reflective layer 1161 may include a plurality of second openings h2 exposing the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1111. [

상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third reflective layer 1163 may be disposed between the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162. For example, the third reflective layer 1163 may be connected to the first reflective layer 1161. The third reflective layer 1163 may be connected to the second reflective layer 1162. The third reflective layer 1163 may be physically in direct contact with the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162.

실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The reflective layer 1160 may be in contact with the second conductive type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the transparent electrode layer 1130. [ The reflective layer 1160 may be physically contacted to the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the transmissive electrode layer 1130.

상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The reflective layer 1160 may be provided as an insulating reflective layer. For example, the reflective layer 1160 may be provided as a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer. In addition, the reflective layer 1160 may be provided as an ODR (Omni Directional Reflector) layer. Also, the reflective layer 1160 may be provided by stacking a DBR layer and an ODR layer.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first sub electrode 1141 and a second sub electrode 1142, as shown in FIGS.

상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 1111 in the second opening h2. The first sub-electrode 1141 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 1111. For example, in the light emitting device 1100 according to the embodiment, the first sub-electrode 1141 penetrates the second conductive type semiconductor layer 1113 and the active layer 1112 to form the first conductive type semiconductor layer 1111. The first conductivity type semiconductor layer 1111 may be disposed on the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1111 in the recess.

상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The first sub electrode 1141 may be electrically connected to the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1111 through a second opening h2 provided in the first reflective layer 1161. [ 24 and 25, the first sub-electrode 1141 may overlap with the second opening h2 in the plurality of recessed regions. For example, the first sub- 1-conductivity type semiconductor layer 1111. [0216]

상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 1113. The second sub-electrode 1142 may be disposed on the second conductive type semiconductor layer 1113. According to the embodiment, the transparent electrode layer 1130 may be disposed between the second sub-electrode 1142 and the second conductive type semiconductor layer 1113.

상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 투광성 전극층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 1113 through a first opening h1 provided in the second reflective layer 1162. [ 16 and 17, the second sub-electrode 1142 is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 1113 through the transparent electrode layer 1130 in a plurality of P regions Can be connected.

상기 제2 서브전극(1142)은, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.16 and 17, the second sub-electrode 1142 is electrically connected to the transmissive electrode layer 1130 through a plurality of first openings h1 provided in the second reflective layer 1162 in a plurality of P regions ). ≪ / RTI >

실시 예에 의하면, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to the embodiment, as shown in FIGS. 16 and 17, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities and may be spaced apart from each other.

상기 제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes as an example. In addition, the second sub-electrode 1142 may be provided in a plurality of line shapes as an example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of second sub-electrodes 1142 adjacent to each other. The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of neighboring first sub-electrodes 1141.

상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 상기 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 상기 제1 서브전극(1141)보다 상기 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)에 의해 상기 발광 구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 상기 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, they may be arranged in different numbers of electrodes. For example, when the first sub-electrode 1141 is an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is a p-electrode, the number of the second sub-electrodes 1142 Can be more. When the electrical conductivity and / or resistance of the second conductivity type semiconductor layer 1113 and the first conductivity type semiconductor layer 1111 are different from each other, the first sub electrode 1141 and the second sub electrode 1142, The electrons injected into the light emitting structure 1110 can be balanced with the holes and thus the optical characteristics of the light emitting device can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자가 적용될 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)의 극성이 서로 반대로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)의 폭/길이/형상 및 개수 등은 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라 다양하게 변형되어 적용될 수 있다.Meanwhile, the polarities of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be opposite to each other depending on characteristics required in the light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied. The width, length, shape, and number of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 can be variously modified according to characteristics required in the light emitting device package.

상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be formed of a metal such as ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / , At least one of Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a protective layer 1150, as shown in FIGS.

상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The passivation layer 1150 may include a plurality of third openings h3 exposing the second sub-electrode 1142. [ The plurality of third openings h3 may be disposed corresponding to a plurality of PB regions provided in the second sub-

또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.In addition, the protective layer 1150 may include a plurality of fourth openings h4 for exposing the first sub-electrode 1141. [ The plurality of fourth openings h4 may be disposed corresponding to a plurality of NB regions provided in the first sub-

상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.The protective layer 1150 may be disposed on the reflective layer 1160. The protective layer 1150 may be disposed on the first reflective layer 1161, the second reflective layer 1162, and the third reflective layer 1163.

예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer 1150 may be provided as an insulating material. For example, the passivation layer 1150 may include at least one of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first bonding portion 1171 and a second bonding portion 1172 disposed on the protective layer 1150 as shown in FIGS. have.

상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 1171 may be disposed on the first reflective layer 1161. The second bonding portion 1172 may be disposed on the second reflective layer 1162. The second bonding portion 1172 may be spaced apart from the first bonding portion 1171.

상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The first bonding portion 1171 may contact the upper surface of the first sub-electrode 1141 through a plurality of the fourth openings h4 provided in the protective layer 1150 in a plurality of NB regions. The plurality of NB regions may be arranged to be perpendicular to the second opening h2. When the plurality of NB regions and the second openings h2 are vertically offset from each other, a current injected into the first bonding portion 1171 can be uniformly distributed in the horizontal direction of the first sub-electrode 1141, Therefore, current can be uniformly injected in the plurality of NB regions.

또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The second bonding portion 1172 may be in contact with the upper surface of the second sub-electrode 1142 through a plurality of the third openings h3 provided in the protective layer 1150 in a plurality of PB regions have. When the plurality of PB regions and the plurality of first openings h1 are not vertically overlapped, the current injected into the second bonding portion 1172 is uniformly distributed in the horizontal direction of the second sub-electrode 1142 So that current can be evenly injected in the plurality of PB regions.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)와 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device 1100, the first bonding portion 1171 and the first sub-electrode 1141 can be in contact with each other in the fourth openings h4. Also, the second bonding portion 1172 and the second sub-electrode 1142 may be in contact with each other in a plurality of regions. Thus, according to the embodiment, power can be supplied through a plurality of regions, so that current dispersion effect is generated according to increase of the contact area and dispersion of the contact region, and operation voltage can be reduced.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.17, the first reflective layer 1161 is disposed under the first sub-electrode 1141, the second reflective layer 1162 is disposed under the first sub-electrode 1141, Is disposed under the second sub-electrode 1142. The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 reflect light emitted from the active layer 1112 of the light emitting structure 1110 to form a first sub-electrode 1141 and a second sub- It is possible to minimize the occurrence of light absorption and improve the light intensity Po.

예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 상기 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 are made of an insulating material. In order to reflect light emitted from the active layer 1112, a material having a high reflectivity, for example, a DBR structure Can be achieved.

상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may have a DBR structure in which materials having different refractive indexes are repeatedly arranged. For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be formed of TiO 2 , SiO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 Or a laminated structure including at least one of them.

또한, 다른 실시 예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may emit light from the active layer 1112 according to the wavelength of the light emitted from the active layer 1112. In other words, And can be freely selected to adjust the reflectivity to light.

또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.According to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided as an ODR layer. According to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided as a hybrid type in which a DBR layer and an ODR layer are stacked.

실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted by a flip chip bonding method and is implemented as a light emitting device package, the light provided from the light emitting structure 1110 may be emitted through the substrate 1105. Light emitted from the light emitting structure 1110 may be reflected by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 and may be emitted toward the substrate 1105.

또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Also, the light emitted from the light emitting structure 1110 may be emitted in the lateral direction of the light emitting structure 1110. The light emitted from the light emitting structure 1110 may be transmitted through the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 among the surfaces on which the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed, The portion 1172 can be released to the outside through the region not provided.

구체적으로, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. The light emitted from the light emitting structure 1110 may be transmitted through the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1172 among the surfaces on which the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed. The second reflective layer 1162, and the third reflective layer 1163 are not provided.

이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 1100 according to the embodiment can emit light in six directions surrounding the light emitting structure 1110, and the light intensity can be remarkably improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.The sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 in the upper direction of the light emitting element 1100 is smaller than the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172, May be equal to or smaller than 60% of the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 in which the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed.

예로서, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.The total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to an area defined by the lateral length and the longitudinal length of the lower surface of the first conductive semiconductor layer 1111 of the light emitting structure 1110 . The total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to the area of the upper surface or the lower surface of the substrate 1105.

이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.By thus providing the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 equal to or smaller than 60% of the total area of the light emitting device 1100, The amount of light emitted to the surface where the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed can be increased. Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted toward the six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased.

또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.The sum of the area of the first bonding portion 1171 and the area of the second bonding portion 1172 in the upper direction of the light emitting device 1100 is preferably 30 %, ≪ / RTI >

이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1100)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.By thus providing the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 equal to or greater than 30% of the total area of the light emitting device 1100, Stable mounting can be performed through the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 and the electrical characteristics of the light emitting device 1100 can be secured.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.The sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 may be greater than the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 in consideration of the light extraction efficiency and the stability of bonding, ) And not more than 60%.

즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is 30% or more to 100% or less of the total area of the light emitting device 1100, The electrical characteristics can be ensured and the bonding force to be mounted on the light emitting device package can be ensured, so that stable mounting can be performed.

또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1100)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.When the sum of the areas of the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 is more than 0% and not more than 60% of the total area of the light emitting device 1100, The light extraction efficiency of the light emitting device 1100 may be improved and the light intensity Po may be increased by increasing the amount of light emitted to the surface on which the second bonding portion 1172 and the second bonding portion 1172 are disposed.

실시 예에서는 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.In order to secure the electrical characteristics of the light emitting device 1100 and the bonding force to be mounted on the light emitting device package and increase the light intensity, the area of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 Is not less than 30% and not more than 60% of the total area of the light emitting element 1100.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 따른 길이는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the third reflective layer 1163 may be disposed between the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172. For example, the length of the third reflective layer 1163 along the major axis of the light emitting device 1100 may be arranged corresponding to the distance between the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 have. In addition, the area of the third reflective layer 1163 may be 10% or more and 25% or less of the entire upper surface of the light emitting device 1100, for example.

상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third reflective layer 1163 is 10% or more of the entire upper surface of the light emitting device 1100, the package body disposed under the light emitting device can be discolored or prevented from cracking, , It is advantageous to secure the light extraction efficiency to emit light to the six surfaces of the light emitting element.

또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In other embodiments, the area of the third reflective layer 1163 is set to be more than 0% and less than 10% of the entire upper surface of the light emitting device 1100 in order to secure a larger light extraction efficiency. And the area of the third reflective layer 1163 may be more than 25% to 100% of the entire upper surface of the light emitting device 1100 in order to further secure the effect of preventing discoloration or cracking in the package body. . ≪ / RTI >

또한, 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The light emitting structure 1110 may be formed as a second region provided between the first bonding portion 1171 or the second bonding portion 1172 which is adjacent to the long side of the light emitting device 1100, The light can be transmitted and emitted.

또한, 상기 발광소자(1100)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The light generated in the light emitting structure may be incident on the third region provided between the first bonding portion 1171 or the second bonding portion 1172 adjacent to the side surface of the light emitting device 1100 in the short axis direction And can be transmitted and discharged.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the size of the first reflective layer 1161 may be several micrometers larger than the size of the first bonding portion 1171. For example, the area of the first reflective layer 1161 may be sufficiently large to cover the area of the first bonding portion 1171. The length of one side of the first reflective layer 1161 may be about 4 micrometers to 10 micrometers larger than the length of one side of the first bonding portion 1171 in consideration of a process error.

또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the size of the second reflective layer 1162 may be several micrometers larger than the size of the second bonding portion 1172. For example, the area of the second reflective layer 1162 may be sufficiently large to cover the area of the second bonding portion 1172. The length of one side of the second reflective layer 1162 may be greater than the length of one side of the second bonding portion 1172, for example, about 4 micrometers to 10 micrometers.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.The light emitted from the light emitting structure 1110 may be transmitted through the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162, The light can be reflected without being incident on the light source. Accordingly, according to the embodiment, light generated and emitted from the light emitting structure 1110 can be minimized by being incident on the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 and being lost.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the third reflective layer 1163 is disposed between the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172, 1171 and the second bonding portion 1172 of the first bonding portion.

앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1100)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1100)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 1100 according to the embodiment may be mounted, for example, in a flip chip bonding manner to provide a light emitting device package. In this case, when the package body on which the light emitting device 1100 is mounted is provided by resin or the like, strong light of a short wavelength emitted from the light emitting device 1100 in the lower region of the light emitting device 1100 causes discoloration Or cracks may occur.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the amount of light emitted between the regions where the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed can be adjusted, Can be prevented from being discolored or cracked.

실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.The light emitting device 1100 having the first bonding portion 1171, the second bonding portion 1172 and the third reflective layer 1163 may be formed on the upper surface of the upper surface of the light emitting device 1100, Light generated in the structure 1110 can be transmitted and emitted.

이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted toward the six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased. In addition, it is possible to prevent the package body disposed close to the lower surface of the light emitting device 1100 from being discolored or cracked.

또한, 실시 예예 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the transparent electrode layer 1130 may be provided with a plurality of contact holes C1, C2, and C3. The second conductive type semiconductor layer 1113 and the reflective layer 1160 may be bonded to each other through a plurality of contact holes C1, C2, and C3 provided in the transparent electrode layer 1130. [ The reflective layer 1160 can be in direct contact with the second conductive type semiconductor layer 1113 so that the adhesive force can be improved as compared with the case where the reflective layer 1160 is in contact with the transparent electrode layer 1130.

상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the reflective layer 1160 is directly in contact with the transmissive electrode layer 1130, the bonding force or adhesion between the reflective layer 1160 and the transmissive electrode layer 1130 may be weakened. For example, when the insulating layer and the metal layer are combined, the bonding force or adhesion between the materials may be weakened.

예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1100)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1100)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, when the bonding force or adhesive force between the reflective layer 1160 and the transmissive electrode layer 1130 is weak, peeling may occur between the two layers. If peeling occurs between the reflective layer 1160 and the transparent electrode layer 1130, the characteristics of the light emitting device 1100 may deteriorate and the reliability of the light emitting device 1100 can not be secured.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 투광성 전극층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to the embodiment, since the reflective layer 1160 can directly contact the second conductive type semiconductor layer 1113, the reflective layer 1160, the transparent electrode layer 1130, (1113) can be stably provided.

따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the coupling force between the reflective layer 1160 and the second conductive type semiconductor layer 1113 can be stably provided, it is possible to prevent the reflective layer 1160 from being peeled off from the transparent electrode layer 1130 . In addition, since the bonding force between the reflective layer 1160 and the second conductive type semiconductor layer 1113 can be stably provided, the reliability of the light emitting device 1100 can be improved.

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, the transparent electrode layer 1130 may be provided with a plurality of contact holes C1, C2, and C3. Light emitted from the active layer 1112 may be incident on the reflective layer 1160 through the plurality of contact holes C1, C2, and C3 provided in the transmissive electrode layer 1130 and may be reflected. Accordingly, the light generated in the active layer 1112 is incident on the light-transmitting electrode layer 1130 to be lost, and the light extraction efficiency can be improved. Accordingly, the luminous intensity of the light emitting device 1100 according to the embodiment can be improved.

다음으로, 도 18 및 도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the flip chip light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 18 and FIG.

도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 19는 도 18에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.FIG. 18 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a cross-sectional view taken along line F-F of the light emitting device shown in FIG.

한편, 이해를 돕기 위해, 도 18을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.18, only the relative arrangement of the first electrode 127 and the second electrode 128 is conceptually shown. The first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branched electrode 125. The second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branched electrode 126.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure 123 disposed on the substrate 124, as shown in FIGS. 18 and 19.

상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 124 may be selected from the group consisting of a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. For example, the substrate 124 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on its upper surface.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(123b)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)과 상기 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 상기 활성층(123b)이 배치되고, 상기 활성층(123b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer 123aa, an active layer 123b, and a second conductive semiconductor layer 123c. The active layer 123b may be disposed between the first conductive semiconductor layer 123a and the second conductive semiconductor layer 123c. For example, the active layer 123b may be disposed on the first conductive semiconductor layer 123a, and the second conductive semiconductor layer 123c may be disposed on the active layer 123b.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. The first conductive semiconductor layer 123a may be provided as an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 123c may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductive semiconductor layer 123a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 123c may be provided as an n-type semiconductor layer.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a first electrode 127 and a second electrode 128, as shown in FIGS. 18 and 19.

상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branched electrode 125. The first electrode 127 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 123c. The first branched electrodes 125 may be branched from the first bonding portion 121. The first branched electrode 125 may include a plurality of branched electrodes branched from the first bonding portion 121.

상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branched electrode 126. The second electrode 128 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 123a. The second branched electrode 126 may be branched from the second bonding portion 122. The second branched electrode 126 may include a plurality of branched electrodes branched from the second bonding portion 122.

상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 may be arranged to be shifted from each other in a finger shape. The power supplied through the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 by the first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 is supplied to the entire light emitting structure 123 It can be spread and provided.

상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 127 and the second electrode 128 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be formed of one selected from the group consisting of ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / , At least one of Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.

한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.The light emitting structure 123 may further include a protective layer. The protective layer may be provided on the upper surface of the light emitting structure 123. Further, the protective layer may be provided on a side surface of the light emitting structure 123. The protective layer may be provided so that the first bonding part 121 and the second bonding part 122 are exposed. In addition, the protective layer may be selectively provided on the periphery and the bottom surface of the substrate 124.

예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.By way of example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer can be made of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:

실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions of the light emitting device. Light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the light emitting device.

참고로, 도 1 내지 도 15를 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 18 및 도 19에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the vertical direction of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 15 and the vertical direction of the light emitting device shown in FIGS. 18 and 19 are shown opposite to each other.

실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.According to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 10% or less based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be greater than the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122. In order to increase the light extraction efficiency of the light emitting device, May be set to 10% or less based on the top surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is set to be larger than the area of the top surface of the substrate 124 To 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the first bonding portion 121 along the major axis direction of the light emitting device may be several tens of micrometers. The width of the first bonding portion 121 may be, for example, 70 micrometers to 90 micrometers. Also, the area of the first bonding portion 121 may be several thousand square micrometers.

또한, 상기 제2 본딩부(122)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the second bonding portion 122 along the major axis direction of the light emitting device may be several tens of micrometers. The width of the second bonding portion 122 may be, for example, 70 micrometers to 90 micrometers. In addition, the area of the second bonding portion 122 may be several thousand square micrometers.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. As the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is reduced, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 can be increased.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment can be applied to the light source device.

또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector, An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. The display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention.

110 패키지 몸체 111 제1 프레임
112 제2 프레임 113 몸체
120 발광소자 121 제1 본딩부
122 제2 본딩부 123 반도체 구조물
124 기판 130 제1 접착제
133 제2 접착제 135 제1 수지부
140 제2 수지부 221 제1 도전체
222 제2 도전체 310 회로기판
311 제1 패드 312 제2 패드
313 기판 321 제1 도전층
322 제2 도전층 R 리세스
R10 제1 상부 리세스 R20 제2 상부 리세스
R31 제1 측벽 리세스 R32 제2 측벽 리세스
R33 제3 측벽 리세스 R34 제4 측벽 리세스
R35 제5 측벽 리세스 R41 제1 하부 리세스
R42 제2 하부 리세스110 package body 111 first frame
112 Second frame 113 Body
120 Light emitting device 121 First bonding part
122 second bonding portion 123 semiconductor structure
124 substrate 130 first adhesive
133 second adhesive 135 first resin part
140 second resin part 221 first conductor
222 second conductor 310 circuit board
311 first pad 312 second pad
313 Substrate 321 First conductive layer
322 Second conductive layer R recess
R10 first upper recess R20 second upper recess
R31 first side wall recess R32 second side wall recess
R33 Third side wall recess R34 Fourth side wall recess
R35 Fifth side wall recess R41 First bottom recess
R42 Second lower recess

Claims (8)

서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임;
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되며 리세스를 포함하는 몸체;
상기 리세스 상에 배치되는 제1 접착제;
상기 제1 접착제 상에 배치되는 발광소자;
상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 수지부; 를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 및 제2 프레임 위에 배치되어 캐비티를 제공하는 측벽을 포함하고,
상기 발광소자는 상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 프레임과 전기적으로 연결된 제1 본딩부와 상기 제2 프레임에 전기적으로 연결된 제2 본딩부를 포함하고,
상기 제1 프레임은 상면에 제공된 제1 상부 리세스를 포함하고,
상기 제2 프레임은 상면에 제공된 제2 상부 리세스를 포함하고,
상기 몸체는 상기 측벽의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공되어 상기 제1 및 제2 프레임의 상면을 각각 노출시키는 제1 및 제2 측벽 리세스를 포함하고,
상기 수지부는 상기 제1 및 제2 상부 리세스와 상기 제1 및 제2 측벽 리세스에 제공된 발광소자 패키지.First and second frames spaced apart from each other;
A body disposed between the first and second frames and including a recess;
A first adhesive disposed on the recess;
A light emitting element disposed on the first adhesive;
A resin part disposed between the first and second frames and the light emitting element; Lt; / RTI >
The body including sidewalls disposed over the first and second frames to provide a cavity,
Wherein the light emitting device is disposed in the cavity and includes a first bonding portion electrically connected to the first frame and a second bonding portion electrically connected to the second frame,
Wherein the first frame includes a first upper recess provided on an upper surface thereof,
The second frame including a second upper recess provided on an upper surface thereof,
Wherein the body includes first and second sidewall recesses that are recessed in a downward direction from an upper surface of the sidewall to expose an upper surface of the first and second frames respectively,
Wherein the resin portion is provided in the first and second upper recesses and the first and second sidewall recesses. 제1항에 있어서,
상기 몸체는 상기 측벽의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공된 제3 측벽 리세스를 포함하고,
상기 제1 접착제는 상기 제3 측벽 리세스와 상기 리세스에 제공된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the body includes a third side wall recess provided concavely in a downward direction on an upper surface of the side wall,
Wherein the first adhesive is provided to the third side wall recess and the recess. 제1항에 있어서,
상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제2 접착제를 더 포함하고,
상기 제2 접착제는 도전성 접착제인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Further comprising a second adhesive disposed between the first bonding portion and the first frame,
And the second adhesive is a conductive adhesive. 제1항에 있어서,
상기 제1 접착제는 절연성 접착제인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive is an insulating adhesive. 제3항에 있어서,
상기 제1 프레임은 상기 제2 접착제 및 상기 제1 본딩부가 배치된 제1 영역을 포함하고,
상기 제1 상부 리세스는 상기 제1 영역의 일부를 감싸며 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the first frame includes a first region in which the second adhesive and the first bonding portion are disposed,
And the first upper recess is disposed to surround a part of the first region. 제3항에 있어서,
상기 제2 프레임은 상기 제2 접착제 및 상기 제2 본딩부가 배치된 제2 영역을 포함하고,
상기 제2 상부 리세스는 상기 제2 영역의 일부를 감싸며 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the second frame includes a second region in which the second adhesive and the second bonding portion are disposed,
And the second upper recess is disposed to surround a part of the second region. 제3항에 있어서,
상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고,
상기 제2 접착제는 상기 제1 프레임의 상면에 직접 접촉되며 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉된 발광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the first adhesive directly contacts the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device,
And the second adhesive directly contacts the upper surface of the first frame and directly contacts the lower surface of the first bonding portion. 제1항에 있어서,
상기 제1 접착제는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive is disposed between the first bonding portion and the second bonding portion.
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