KR20190023127A - Source injection apparatus and thin film deposition equipment having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a source injection apparatus, including: a distribution tube having a distribution chamber divided into a first space and a second space, which have a different volume, and a communication flow path communicating the first space and the second space, which are divided, with each other; and nozzles connected so as to communicate with the second space having a larger volume between the first space and the second space in the distribution tube, thereby more stably and uniformly injecting a source by a difference of pressure between the first space and the second space. The present invention also provides thin film deposition equipment having the source injection apparatus.

Description

소스 분사장치 및 이를 포함하는 박막증착장비 {SOURCE INJECTION APPARATUS AND THIN FILM DEPOSITION EQUIPMENT HAVING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a source injection apparatus and a thin film deposition apparatus including the source injection apparatus,

본 발명의 실시예는, 기판에 박막을 증착하기 위하여 소스(박막재료)를 분사하는 장치 및 이를 포함하는 박막증착장비에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a device for spraying a source (thin film material) for depositing a thin film on a substrate and a thin film deposition apparatus including the same.

일반적으로, 유기발광다이오드(organic light emitting diodes, OLED) 등 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)를 제조하는 과정에는 기판에 박막을 증착하는 증착공정이 포함된다. 그리고, 증착공정에는, 진공분위기 조성이 가능한 증착실을 가진 증착챔버(deposition chamber), 소스를 증발시키는 도가니장치(crucible assembly) 및 증착챔버의 증착실에 반입된 기판에 도가니장치로부터의 소스를 분사하는 소스 분사장치가 이용된다.Generally, a process of manufacturing a flat panel display (FPD) such as an organic light emitting diode (OLED) includes a deposition process for depositing a thin film on a substrate. The deposition process includes a deposition chamber having a deposition chamber capable of forming a vacuum atmosphere, a crucible assembly for evaporating the source, and a source from the crucible to a substrate carried into the deposition chamber of the deposition chamber. Is used.

여기에서, 소스 분사장치는 분배튜브(distribution tube) 및 노즐(nozzle)을 포함한다. 분배튜브는 내부에 도가니장치로부터 증발된 소스를 공급 받는 분배실이 마련되고, 노즐은 복수 개가 분배튜브에 연결되어, 분배실로 도입된 소스는 노즐들을 통하여 기판에 분사된다.Here, the source injection device includes a distribution tube and a nozzle. The distribution tube is provided with a distribution chamber in which a vaporized source is supplied from the crucible, a plurality of nozzles are connected to the distribution tube, and a source introduced into the distribution chamber is injected into the substrate through the nozzles.

그러나, 이전까지의 소스 분사장치는, 도가니장치로부터의 소스를 단순히 분배실에 채우고, 분배실에 채워진 소스를 각 노즐로 자연히 유입시켜서 분사하기 때문에, 분배실로 도입된 소스의 일부가 노즐들을 통하여 미처 분사되지 못하고 분배실에서 장시간 체류함에 따라 응고되면서 특성이 균일한 상태에서 불균일한 상태로 변할 수가 있고, 분배실로 도입된 소스를 노즐들을 통하여 일정하게 분사하여 박막 증착의 균일도를 향상시키는 데 한계가 따를 수밖에 없는 문제가 있다. 따라서, 이에 대한 대응책 마련이 시급히 요구되는 실정이다.However, since the prior art source spraying apparatus simply fills the dispensing chamber with the source from the crucible and injects the source filled in the dispensing chamber into the respective nozzles naturally, the part of the source introduced into the distributing chamber does not reach through the nozzles The characteristics can be changed from a uniform state to a non-uniform state due to solidification due to a long stay in the distribution chamber without being sprayed, and there is a limit to improve the uniformity of the thin film deposition by uniformly injecting the source introduced into the distribution chamber through the nozzles There is an inevitable problem. Therefore, it is urgently required to prepare countermeasures against this.

대한민국 등록특허공보 제10-1578655호(2015.12.28.)Korean Registered Patent No. 10-1578655 (Dec. 28, 2015) 대한민국 공개특허공보 제10-2016-0074858호(2016.06.29.)Korean Patent Publication No. 10-2016-0074858 (Jun. 29, 2016)

본 발명의 실시예는, 기판에 소스를 보다 안정적으로 균일하게 분사할 수 있는 소스 분사장치 및 이를 포함하는 박막증착장비를 제공하는 데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a source spray apparatus capable of spraying a source more stably and uniformly on a substrate and a thin film deposition apparatus including the same.

해결하고자 하는 과제는 이에 제한되지 않고, 언급되지 않은 기타 과제는 통상의 기술자라면 이하의 기재로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.The problems to be solved are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따르면, 증발된 소스가 도입되고 제1공간과 제2공간으로 구획된 분배실 및 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통시키는 연통유로를 가진 분배튜브와; 노즐 입구가 상기 분배튜브에 상기 제2공간과 연통하도록 연결되어 상기 제2공간으로부터의 소스를 분사하는 노즐들을 포함하는, 소스 분사장치가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a distribution tube having a distribution chamber into which a vaporized source is introduced and partitioned into a first space and a second space, and a communication channel communicating the first space and the second space; And a nozzle inlet connected to the distribution tube to communicate with the second space to inject a source from the second space.

상기 분배튜브는 상기 제2공간의 용적이 상기 제1공간의 용적에 비하여 크도록 구성될 수 있다. 또는, 상기 연통유로의 총 단면적은 상기 노즐들의 총 단면적에 비하여 작도록 구성될 수 있다. 또는, 상기 분배튜브는 상기 제2공간의 용적이 상기 제1공간의 용적에 비하여 크도록 구성되고, 아울러 상기 연통유로의 총 단면적은 상기 노즐들의 총 단면적에 비하여 작도록 구성될 수 있다. 이러한 구성에 따르면, 상대적으로 압력이 높은 상기 제1공간과 상대적으로 압력이 낮은 제2공간을 보다 큰 압력 차이로 유지할 수 있다.The distribution tube may be configured such that the volume of the second space is larger than the volume of the first space. Alternatively, the total cross-sectional area of the communication passage may be smaller than the total cross-sectional area of the nozzles. Alternatively, the distribution tube may be configured such that the volume of the second space is larger than the volume of the first space, and the total cross-sectional area of the communication passage is smaller than the total cross-sectional area of the nozzles. According to this configuration, the first space having a relatively high pressure and the second space having a relatively low pressure can be maintained at a larger pressure difference.

본 발명의 실시예에 따른 소스 분사장치는, 상기 제2공간에서 소스를 상기 노즐 입구로 유도하는 가이드를 더 포함할 수 있다.The source spray apparatus according to the embodiment of the present invention may further include a guide for guiding the source to the nozzle inlet in the second space.

상기 가이드는 상기 연통유로를 통과하여 상기 제2공간으로 유출되는 소스의 흐름을 상기 노즐 입구 쪽으로 유도하도록 상기 연통유로와 연결된 유출안내유로를 형성하는 제1가이드를 포함할 수 있다. 또는, 상기 가이드는 상기 노즐 입구로 상기 제2공간 내 소스의 유입을 유도하도록 상기 노즐 입구와 연결된 유입안내유로를 형성하는 제2가이드를 포함할 수 있다. 또는, 상기 가이드는 상기 제1가이드 및 상기 제2가이드를 모두 포함할 수 있다.The guide may include a first guide that forms an outflow guide passage connected to the communication passage so as to guide a flow of a source that flows through the communication passage to the second space toward the nozzle inlet. Alternatively, the guide may include a second guide forming an inflow conduit connected to the nozzle inlet to direct inflow of the source in the second space to the nozzle inlet. Alternatively, the guide may include both the first guide and the second guide.

상기 분배실은 파티션에 의하여 상기 제1공간과 상기 제2공간으로 구획되고, 상기 파티션에는 상기 연통유로를 구성하는 관통구멍들이 형성될 수 있다.The distribution chamber may be partitioned into the first space and the second space by a partition, and the partition may be formed with through holes constituting the communication passage.

상기 제1공간과 상기 제2공간은 수평방향으로 배치되고, 상기 분배튜브의 하부에는 수평방향으로 배치된 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 연통하는 소스 입구가 형성되며, 상기 노즐들은 상기 분배튜브의 둘레 중 상기 제2공간을 둘러싸는 부분에 상기 노즐 입구가 연결될 수 있다.Wherein the first space and the second space are arranged in a horizontal direction and a source inlet communicating with the first space and the second space arranged horizontally is formed at a lower portion of the distribution tube, The nozzle inlet may be connected to a portion of the tube surrounding the second space.

본 발명의 실시예에 따르면, 증발된 소스가 도입되고 제1공간과 제2공간으로 구획된 분배실 및 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통시키는 연통유로를 가진 분배튜브와; 노즐 입구가 상기 분배튜브에 상기 제2공간과 연통하도록 연결되어 상기 제2공간으로부터의 소스를 분사하는 노즐들을 포함하고, 상기 제1공간이 상기 제2공간보다 높은 압력으로 유지되는, 소스 분사장치가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a distribution tube having a distribution chamber into which a vaporized source is introduced and partitioned into a first space and a second space, and a communication channel communicating the first space and the second space; Wherein the nozzle inlet is connected to the distribution tube in communication with the second space to inject a source from the second space, the first space being maintained at a pressure higher than the second space, May be provided.

본 발명의 실시예에 따르면, 증착실을 제공하는 증착챔버와; 상기 증착실의 상부에서 기판을 지지하는 기판 지지장치와; 상기 증착실의 하부에서 소스를 증발시키는 도가니장치와; 상기 도가니장치로부터 증발된 소스를 상기 기판 지지장치에 의하여 지지된 기판에 분사하는 것으로서 상기한 바와 같은 소스 분사장치를 포함하는, 박막증착장비가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a deposition chamber for providing an evaporation chamber; A substrate supporting apparatus for supporting the substrate at an upper portion of the deposition chamber; A crucible for evaporating a source at a lower portion of the evaporation chamber; A thin film deposition apparatus including the source injection apparatus as described above may be provided by spraying a source evaporated from the crucible apparatus onto a substrate supported by the substrate support apparatus.

여기에서, 상기 박막증착장비는 상기 소스 분사장치가 복수로 구비됨과 아울러 상기 증착실에 서로 나란하도록 배치될 수 있다.Here, the thin film deposition apparatus may include a plurality of the source injection apparatuses and may be arranged to be parallel to each other in the deposition chamber.

과제의 해결 수단은 이하에서 설명하는 실시예, 도면 등을 통하여 보다 구체적이고 명확하게 될 것이다. 또한, 이하에서는 언급한 해결 수단 이외의 다양한 해결 수단이 추가로 제시될 수 있다.Means for solving the problems will be more specifically and clarified through the embodiments, drawings, and the like described below. In addition, various solution means other than the above-mentioned solution means may be further proposed.

본 발명의 실시예에 의하면, 분배튜브 내의 분배실이 제1공간과 제2공간으로 구획되고, 제1공간과 제2공간이 연통유로(관통구멍들)에 의하여 서로 연통되며, 제2공간에 노즐들이 연결되기 때문에, 제1공간을 노즐들이 연결된 제2공간에 비하여 더 높은 압력으로 자연히 유지할 수가 있고, 이러한 제1공간과 제2공간의 압력 차이로 인하여 소스를 전체적으로 제2공간 쪽으로 유도함으로써, 분배실에 도입된 소스 전체를 보다 원활하게 분사할 수 있다. 이에, 소스의 일부가 분배실에서 미처 배출되지 못하고 장시간 체류함에 따라 변성되는 문제 등을 방지할 수 있고, 노즐들을 통하여 소스를 균일하게 분사할 수 있으며, 결과적으로 박막 증착의 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the distribution chamber in the distribution tube is partitioned into the first space and the second space, and the first space and the second space are communicated with each other by the communication passage (through holes) Since the nozzles are connected, the first space can naturally be maintained at a higher pressure than the second space to which the nozzles are connected, and the source is entirely directed toward the second space due to the pressure difference between the first space and the second space, The entire source introduced into the distribution chamber can be sprayed more smoothly. Accordingly, it is possible to prevent a problem that a part of the source is not discharged from the distribution chamber and that the source is denatured due to staying for a long time, the source can be uniformly injected through the nozzles, and the uniformity of the thin film deposition can be greatly improved have.

또, 노즐들이 연결된 제2공간의 용적이 제1공간에 비하여 크도록 형성되거나 연통유로의 단면적이 노즐들의 단면적에 비하여 작도록 형성되기 때문에, 제1공간과 제2공간의 압력 차이를 보다 크게 유지할 수 있고, 이로써 소스 전체를 제2공간 쪽으로 보다 확실하게 유도할 수 있다.Further, since the volume of the second space connected to the nozzles is formed to be larger than that of the first space, or the sectional area of the communication passage is formed to be smaller than the sectional area of the nozzles, the pressure difference between the first space and the second space can be kept larger Whereby the entire source can be reliably guided toward the second space.

또한, 연통유로(관통구멍들)를 통과하여 제2공간 쪽으로 유출되는 소스가 제1가이드에 의하여 노즐들의 노즐 입구 쪽으로 흐르고, 제2공간의 소스가 제2가이드에 의하여 노즐들의 노즐 입구로 유입되기 때문에, 노즐들을 통하여 소스를 정확하고 확실하게 분사할 수 있다.In addition, since the source that flows through the communication passage (through holes) and flows to the second space flows toward the nozzle inlet of the nozzles by the first guide and the source of the second space flows into the nozzle inlet of the nozzles by the second guide Therefore, the source can be accurately and reliably injected through the nozzles.

그리고, 제2가이드에 의하면, 노즐들의 길이가 길어지는 효과를 제공하기 때문에, 소스를 원하는 방향으로 보다 안정적으로 분사할 수 있다.According to the second guide, since the length of the nozzles is increased, the source can be stably jetted in a desired direction.

또한, 노즐들이 제2공간 쪽 둘레 영역에 배치되기 때문에, 하부의 소스 입구로부터 상부의 분배실로 상승하는 소스가 분배실의 전반에 균일하게 분배되지 못하고 그대로 분사됨에 따라 노즐들을 통하여 서로 다른 압력으로 분사되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the nozzles are arranged in the second space-side peripheral region, the sources rising from the lower source inlet to the upper distribution chamber can not be uniformly distributed to the first half of the distribution chamber, Can be prevented.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 소스 분사장치가 도시된 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 소스 분사장치가 도시된 측면도이다.
도 3은 도 1의 A-A선 단면도이다.
도 4는 도 3의 B-B선 단면도이다.
도 5는 도 4의 C-C선 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 박막증착장비가 도시된 구성도이다.1 is a perspective view illustrating a source injection apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view illustrating a source injection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a sectional view taken along the line AA in Fig.
4 is a sectional view taken along line BB of Fig.
5 is a cross-sectional view taken along line CC of Fig.
FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 참고로, 본 발명의 실시예를 설명하기 위하여 참조하는 도면에서 구성요소의 크기나 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명하는 데 사용되는 용어는 주로 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이므로 사용자, 운용자의 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 용어에 대해서는 본 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 해석하는 것이 마땅하겠다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. For a better understanding of the invention, it is to be understood that the size of elements and the thickness of lines may be exaggerated for clarity of understanding. Further, the terms used to describe the embodiments of the present invention are mainly defined in consideration of the functions of the present invention, and thus may be changed depending on the intentions and customs of the user and the operator. Therefore, the terminology should be interpreted based on the contents of the present specification throughout.

본 발명의 실시예에 따른 소스 분사장치가 도 1 내지 도 5에 도시되어 있고, 본 발명의 실시예에 따른 박막증착장비가 도 6에 도시되어 있다.A source spray apparatus according to an embodiment of the present invention is shown in Figs. 1 to 5, and a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is shown in Fig.

먼저, 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 박막증착장비는, 진공분위기 조성이 가능한 증착실(11)을 제공하는 증착챔버(10), 증착실(11)의 상부에 설치된 기판 지지장치(12), 증착실(11)의 하부에 설치된 도가니장치(14), 그리고 도가니장치(14)로부터의 소스를 분사하는 소스 분사장치(16)를 포함한다.6, a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a deposition chamber 10 for providing a deposition chamber 11 capable of forming a vacuum atmosphere, a substrate support (not shown) provided at an upper portion of the deposition chamber 11, A crucible device 14 provided at the lower part of the evaporation chamber 11 and a source injection device 16 for injecting a source from the crucible device 14. [

도시된 바는 없으나, 증착챔버(10)는 측벽에 기판(S)의 반입 및 반출을 위한 기판 출입구가 형성되고, 기판 출입구는 개폐수단에 의하여 개폐된다. 기판 지지장치(12)는 기판 출입구를 통하여 증착실(11)에 반입된 기판(S)(이하, 도면부호의 병기는 생략한다.)을 지지할 수 있게 구성된다. 도가니장치(14)는, 내부에 소스가 담긴 도가니 본체 및 도가니 본체에 고온의 열을 가하는 도가니 가열수단으로 구성되는바, 소스를 가열하여서 증발시키고, 증발된 소스를 도가니 본체의 개방된 상부를 통하여 방출한다. 소스 분사장치(16)는 증발된 소스를 기판 지지장치(12)에 의하여 지지된 기판에 분사한다.Although not shown, the deposition chamber 10 is provided with a substrate entry / exit port for loading / unloading the substrate S on the side wall, and the substrate entry / exit port is opened / closed by the opening / closing means. The substrate supporting apparatus 12 is configured to be able to support a substrate S (hereinafter referred to as a "reference numeral") carried into the evaporation chamber 11 through a substrate entrance. The crucible device 14 includes a crucible body containing a source therein and crucible heating means for applying high temperature heat to the crucible body. The crucible is heated by evaporating the source, and the evaporated source is passed through the open top of the crucible body Release. The source injector 16 injects the vaporized source onto the substrate supported by the substrate support apparatus 12. [

다음으로, 소스 분사장치(16)를 살펴본다. 도 1 내지 도 5를 참조하면, 소스 분사장치(16)는, 도가니장치(14)로부터의 소스가 도입되는 분배튜브(20) 및 분배튜브(20)에 연결된 노즐(30)들을 포함한다.Next, the source spraying device 16 will be described. 1 to 5, the source spray apparatus 16 includes a distribution tube 20 into which a source from the crucible apparatus 14 is introduced, and nozzles 30 connected to the distribution tube 20.

분배튜브(20)는, 도 6과 같이 도가니 본체의 개방된 상부(소스 출구)에 연결된 네크(neck, 21), 그리고 네크(21)의 상부에 연결된 바디(body, 25)를 포함한다. 네크(21)는 도가니장치(14)로부터 증발된 소스가 유입되는 소스 입구(22)를 제공하고, 바디(25)는 내부에 분배실(26A, 26B)이 형성된다. 네크(21)의 소스 입구(22)와 바디(25)의 분배실(26A, 26B)은 서로 연통하도록 형성된다.The distribution tube 20 includes a neck 21 connected to the open top (source outlet) of the crucible body and a body 25 connected to the top of the neck 21 as shown in Fig. The neck 21 provides a source inlet 22 through which the evaporated source flows from the crucible device 14 and a body 25 has distribution chambers 26A and 26B formed therein. The source inlet 22 of the neck 21 and the distribution chambers 26A and 26B of the body 25 are formed to communicate with each other.

네크(21)는, 소스 입구(22)의 수평방향 단면적이 분배실(26A, 26B)의 수평방향 단면적에 비하여 작도록 형성되고, 원형 구조를 가지도록 형성될 수 있다.The neck 21 may be formed so that the horizontal cross-sectional area of the source inlet 22 is smaller than the horizontal cross-sectional area of the distribution chambers 26A, 26B, and may be formed to have a circular structure.

분배튜브(20)는, 분배실(26A, 26B)의 수평방향 단면적이 분배실(26A, 26B)의 수직방향 단면적에 비하여 크도록 형성되어, 전체적으로 볼 때 납작한 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 분배실(26A, 26B)은 길이(L)와 너비(W)가 높이(H)의 2배 이상일 수 있다. 이렇게 납작하게 형성된 분배실(26A, 26B)에 의하면, 분배실(26A, 26B)에 유입된 소스를 단시간 안에 분배실(26A, 26B)의 길이방향과 너비방향으로 균일하게 확산시킬 수 있다.The distribution tube 20 is formed such that the horizontal cross sectional area of the distribution chambers 26A and 26B is larger than the vertical cross sectional area of the distribution chambers 26A and 26B and can be formed to have a flat structure as a whole. 3 and 5, the distribution chambers 26A and 26B may have a length L and a width W of at least two times the height H, as shown in FIG. 3 and FIG. According to the flat distribution chambers 26A and 26B, the sources introduced into the distribution chambers 26A and 26B can be uniformly diffused in the longitudinal direction and the width direction of the distribution chambers 26A and 26B in a short time.

분배실(26A, 26B)은 파티션(40)에 의하여 용적(V1, V2)이 서로 다른 제1공간(26A)과 제2공간(26B)으로 구획되고, 파티션(40)에는 구획된 제1공간(26A)과 제2공간(26B)을 서로 연통시키는 연통유로를 구성하는 관통구멍(42)들이 형성된다. 그리고, 노즐(30)들은 노즐 입구가 분배튜브(20)에 제1공간(26A)과 제2공간(26B) 중 용적이 상대적으로 더 큰(V1 < V2) 제2공간(26B)과 직접적으로 연통하도록 연결된다.The distribution chambers 26A and 26B are partitioned into a first space 26A and a second space 26B in which the volumes V1 and V2 are different from each other by the partition 40, Through holes (42) constituting a communication passage for communicating the first space (26A) and the second space (26B) are formed. The nozzles 30 are arranged such that the nozzle inlet is directly connected to the second space 26B in which the volume of the first space 26A and the second space 26B is relatively larger (V1 < V2) And is connected to communicate.

이와 같이, 분배실(26A, 26B)이 제1공간(26A)과 제2공간(26B)으로 구획된 구성에 의하면, 소스 입구(22)를 통하여 분배실(26A, 26B)로 도입된 소스가 노즐(30)들을 통해서만 배출되기 때문에, 제1공간(26A)의 압력(P1)이 노즐(30)들과 연통된 제2공간(26B)의 압력(P2)에 비하여 더 높게(P1 > P2) 유지되고, 이로써 소스를 전체적으로 제2공간(26B) 쪽으로 유도하여 분배실(26A, 26B)에서 장시간 체류함에 따라 변성됨이 없이 노즐(30)들을 통하여 원활하게 분사할 수 있다.According to the configuration in which the distribution chambers 26A and 26B are partitioned into the first space 26A and the second space 26B as described above, the source introduced into the distribution chambers 26A and 26B through the source inlet 22 The pressure P1 of the first space 26A is higher (P1 > P2) than the pressure P2 of the second space 26B communicated with the nozzles 30 because the gas is discharged only through the nozzles 30, So that the source can be guided to the second space 26B as a whole and sprayed smoothly through the nozzles 30 without being denatured as they stay in the distribution chambers 26A and 26B for a long time.

또한, 노즐(30)들과 연통된 제2공간(26B)의 용적(V2)을 제1공간(26A)의 용적(V1)에 비하여 크게 구성하면, 제1공간(26A)과 제2공간(26B)의 압력 차이를 보다 크게 하여 제1공간(26A)의 압력(P1)을 제2공간(26B)의 압력(P2)에 비하여 더욱 높게 유지함으로써, 소스를 전체적으로 제2공간(26B) 쪽으로 보다 확실하게 유도할 수 있다.When the volume V2 of the second space 26B communicating with the nozzles 30 is made larger than the volume V1 of the first space 26A, the first space 26A and the second space 26B, The pressure P1 of the first space 26A is made higher than the pressure P2 of the second space 26B by increasing the pressure difference between the first space 26B and the second space 26B, And can certainly induce it.

도 4 등에 도시된 바와 같이, 파티션(40)은 수직방향으로 배치되므로, 제1공간(26A)과 제2공간(26B)은 수평방향으로 배치된다. 소스 입구(22)는 이렇게 수평방향으로 배치된 제1공간(26A) 및 제2공간(26B) 모두와 연통되어, 소스의 일부는 제1공간(26A)으로 도입되고, 소스의 나머지는 제2공간(26B)으로 도입된다. 그리고, 제1공간(26A)으로 도입된 소스는 제1공간(26A)과 제2공간(26B)의 압력 차이(P1 > P2)로 인하여 관통구멍(42)들을 통과하여 제2공간(26B)으로 유입된다. 제2공간(26B)의 소스를 분사하는 노즐(30)들은, 모두 분배튜브(20)의 둘레 중 제2공간(26B)을 둘러싸는 부분에 노즐 입구가 연결되고, 노즐 출구가 기판 지지장치(12)에 의하여 지지된 기판 쪽을 향하도록 형성된다.4 and the like, the partition 40 is arranged in the vertical direction, so that the first space 26A and the second space 26B are arranged in the horizontal direction. The source inlet 22 is in communication with both the first space 26A and the second space 26B thus arranged in the horizontal direction so that a part of the source is introduced into the first space 26A, And is introduced into the space 26B. The source introduced into the first space 26A passes through the through holes 42 due to the pressure difference (P1 > P2) between the first space 26A and the second space 26B, Respectively. The nozzles 30 for spraying the source of the second space 26B are all connected to the portion of the circumference of the distribution tube 20 surrounding the second space 26B and the nozzle outlet is connected to the substrate support apparatus 12 toward the substrate.

이와 같이, 노즐(30)들이 제2공간(26B) 쪽 둘레 영역에 배치된 구성에 의하면, 소스 입구(22)로부터 분배실(26A, 26B)로 상승하는 소스가 분배실(26A, 26B)의 전반에 균일하게 분배되지 못하고 그대로 분사됨에 따라 노즐(30)들을 통하여 서로 다른 압력으로 분사되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the configuration in which the nozzles 30 are disposed in the peripheral region of the second space 26B, the source ascending from the source inlet 22 to the distribution chambers 26A and 26B is disposed in the distribution chambers 26A and 26B It is possible to prevent the nozzles 30 from being sprayed with different pressures through the nozzles 30 as they are sprayed as they are.

제2공간(26B)에는 소스를 노즐 입구로 유도하는 가이드(51, 55)가 배치된다. 가이드(51, 55)는 관통구멍(42)들을 통과하여 제1공간(26A)에서 제2공간(26B) 쪽으로 유출되는 소스의 흐름을 노즐(30)들의 노즐 입구 쪽으로 유도하도록 각각 관통구멍(42)들과 연결된 유출안내유로를 형성하는 제1가이드(51)를 포함한다. 제1가이드(51)로는 한쪽 단부가 관통구멍(42)에 연결되고 다른 쪽 단부가 노즐 입구를 향하며 일정한 길이를 가진 관이 적용될 수 있다.In the second space 26B, guides 51 and 55 for guiding the source to the nozzle inlet are disposed. The guides 51 and 55 are formed in the through holes 42 so as to guide the flow of the source that flows from the first space 26A to the second space 26B through the through holes 42 toward the nozzle inlet of the nozzles 30. [ And a first guide 51 for forming an outflow guide passage connected with the outlet guide passage. The first guide 51 may be a tube having one end connected to the through hole 42 and the other end directed toward the nozzle inlet and having a predetermined length.

이와 같은 제1가이드(51)에 의하면, 상대적으로 단면적이 작은 관통구멍(42)들을 통과한 소스가 상대적으로 단면적이 큰 제2공간(26B)으로 유입됨에 따라 유속이 급속하게 저하되면서 노즐(30)들의 노즐 입구 쪽을 향하지 못하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 관통구멍(42)들을 통과한 소스를 노즐 입구 쪽으로 보다 정확하고 확실하게 유도할 수 있는 것이다.According to the first guide 51, as the flow of the source gas passing through the through holes 42 having a relatively small cross-sectional area into the second space 26B having a relatively large cross-sectional area rapidly decreases the flow rate of the nozzle 30 Can not be directed toward the nozzle inlet side. In other words, it is possible to more accurately and reliably guide the source that has passed through the through holes 42 toward the nozzle inlet side.

가이드(51, 55)는 노즐(30)들의 노즐 입구로 제2공간(26B) 내 소스의 유입을 유도하도록 노즐(30)들의 노즐 입구와 각각 연결된 유입안내유로를 형성하는 제2가이드(55)를 더 포함한다. 제2가이드(55)는 노즐(30)들의 노즐 입구의 양쪽에서 각각 돌출된 한 쌍의 가이드 플레이트로 구성되어 선단 부분 및 하부가 개방된 구조를 가질 수 있다. 또한, 한 쌍의 가이드 플레이트는, 노즐 입구로의 소스 유입량 증대를 위하여, 사이의 간격이 노즐 입구에서 선단 쪽으로 갈수록 확장되는 형상으로 형성될 수 있다.The guides 51 and 55 include a second guide 55 forming an inflow conduit connected to the nozzle inlets of the nozzles 30 to induce inflow of the source in the second space 26B to the nozzle inlets of the nozzles 30, . The second guide 55 may include a pair of guide plates protruding from both sides of the nozzle inlet of the nozzles 30, and may have a structure in which the tip portion and the lower portion are opened. In addition, the pair of guide plates may be formed in such a manner that the distance between the guide plates expands from the nozzle inlet to the tip toward the tip, in order to increase the inflow amount of the source to the nozzle inlet.

제2가이드(55)에 의하면, 관통구멍(42)들을 통과하여 제1공간(26A)에서 제2공간(26B) 쪽으로 유출되는 소스 및 소스 입구(22)로부터 제2공간(26B)으로 상승하는 소스에 대하여 노즐 입구로의 유입을 보다 정확하고 확실하게 유도할 수 있고, 노즐 입구로부터 돌출된 길이만큼 노즐(30)들의 길이가 길어지는 효과를 제공하여 소스를 원하는 방향으로 보다 안정적으로 분사할 수 있다.The second guide 55 ascends from the source and source inlets 22 flowing from the first space 26A to the second space 26B through the through holes 42 to the second space 26B It is possible to more accurately and reliably introduce the inflow of the source into the nozzle inlet with respect to the source and to provide a longer length of the nozzles 30 by the length protruding from the nozzle inlet, have.

도 3, 도 5의 도면부호 27은 바디(21)의 강성을 보강하는 리브(rib)이다. 리브(27)는 분배실(26A, 26B)의 천장에 격자 구조를 가지도록 형성될 수 있다.Reference numeral 27 in FIG. 3 and FIG. 5 is a rib that reinforces the rigidity of the body 21. The ribs 27 may be formed to have a lattice structure on the ceiling of the distribution chambers 26A and 26B.

이와 같은 리브(27)에 의하면, 납작한 구조를 가진 바디(21)가 고온의 열이나 외력 등으로 인하여 뒤틀리는 등 변형되는 것을 방지할 수 있다.According to such a rib 27, it is possible to prevent the body 21 having a flat structure from being deformed such as being twisted due to high temperature heat or an external force.

도 1의 도면부호 60은 튜브 가열수단이다. 튜브 가열수단(60)은 분배튜브(20)에 열을 가하여 분배실(26A, 26B)에 도입된 소스가 응고되는 것을 방지한다.Reference numeral 60 in Fig. 1 is a tube heating means. The tube heating means 60 applies heat to the distribution tube 20 to prevent the source introduced into the distribution chambers 26A, 26B from solidifying.

한편, 위 설명에서는 상대적으로 압력이 높은 제1공간(26A)과 상대적으로 압력이 낮은 제2공간(26B)의 압력 차이를 보다 크게 하기 위한 방안의 예로서 제2공간(26B)의 용적(V2)을 제1공간(26A)의 용적(V1)에 비하여 크도록 형성한 구성을 제시하였으나, 이러한 구성 대신, 관통구멍(42)들의 총 단면적(연통유로의 단면적)을 노즐(30)들의 총 단면적에 비하여 작도록 형성한 구성을 적용할 수도 있다. 물론, 제2공간(26B)의 용적(V2)을 제1공간(26A)의 용적(V1)에 비하여 크도록 형성한 구성 및 관통구멍(42)들의 총 단면적을 노즐(30)들의 총 단면적에 비하여 작도록 형성한 구성을 모두 적용할 수도 있다.As an example of a method for increasing the pressure difference between the first space 26A having a relatively high pressure and the second space 26B having a relatively low pressure, the volume V2 of the second space 26B The total cross-sectional area (cross-sectional area of the communication passage) of the through-holes 42 is set to be larger than the total cross-sectional area of the nozzles 30 As shown in Fig. Of course, the configuration in which the volume V2 of the second space 26B is formed to be larger than the volume V1 of the first space 26A and the configuration in which the total cross-sectional area of the through- It is possible to apply all of the configurations formed so as to be smaller.

이상에서는 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되지 않으며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 이내에서 통상의 기술자에 의하여 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 설명한 기술적 사상은, 각각 독립적으로 실시될 수도 있고, 둘 이상이 서로 조합되어 실시될 수도 있다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Further, the technical ideas described in the embodiments of the present invention may be performed independently of each other, or two or more may be implemented in combination with each other.

10 : 증착챔버
12 : 기판 지지장치
14 : 도가니장치
16 : 소스 분사장치
20 : 분배튜브
21 : 분배튜브의 네크
22 : 소스 입구
25 : 분배튜브의 바디
26A : 분배실의 제1공간
26B : 분배실의 제2공간
30 : 노즐
40 : 파티션
42 : 관통구멍
51 : 제1가이드
55 : 제2가이드10: Deposition chamber
12: substrate holding device
14: Crucible device
16: Source injection device
20: distribution tube
21: Neck of distribution tube
22: Source entrance
25: Body of dispensing tube
26A: First space of distribution room
26B: the second space of the distribution room
30: Nozzle
40: Partition
42: Through hole
51: First guide
55: Second Guide

Claims (10)

증발된 소스가 도입되고 제1공간과 제2공간으로 구획된 분배실 및 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통시키는 연통유로를 가진 분배튜브와;
노즐 입구가 상기 분배튜브에 상기 제2공간과 연통하도록 연결되어 상기 제2공간으로부터의 소스를 분사하는 노즐들을 포함하는,
소스 분사장치.A distribution chamber into which a vaporized source is introduced and which is divided into a first space and a second space, and a communication channel communicating the first space and the second space;
And a nozzle inlet connected to said distribution tube in communication with said second space to dispense a source from said second space.
Source injection device. 청구항 1에 있어서,
상기 제2공간의 용적이 상기 제1공간의 용적에 비하여 큰,
소스 분사장치.The method according to claim 1,
Wherein the volume of the second space is larger than the volume of the first space,
Source injection device. 청구항 1에 있어서,
상기 연통유로의 총 단면적은 상기 노즐의 총 단면적에 비하여 작은,
소스 분사장치.The method according to claim 1,
Sectional area of the communication passage is smaller than a total cross-sectional area of the nozzle,
Source injection device. 청구항 1에 있어서,
상기 제1공간은 상기 제2공간보다 높은 압력으로 유지되는,
소스 분사장치.The method according to claim 1,
Wherein the first space is maintained at a pressure higher than the second space,
Source injection device. 청구항 1에 있어서,
상기 제2공간에서 소스를 상기 노즐 입구로 유도하는 가이드를 더 포함하는,
소스 분사장치.The method according to claim 1,
Further comprising a guide for directing a source to the nozzle inlet in the second space,
Source injection device. 청구항 5에 있어서,
상기 가이드는 상기 연통유로를 통과하여 상기 제2공간으로 유출되는 소스의 흐름을 상기 노즐 입구 쪽으로 유도하도록 상기 연통유로와 연결된 유출안내유로를 형성하는 제1가이드를 포함하는,
소스 분사장치.The method of claim 5,
Wherein the guide includes a first guide which forms an outflow guide passage connected to the communication passage so as to guide a flow of a source that flows out of the communication passage to the second space toward the nozzle inlet,
Source injection device. 청구항 5에 있어서,
상기 가이드는 상기 노즐 입구로 상기 제2공간 내 소스의 유입을 유도하도록 상기 노즐 입구와 연결된 유입안내유로를 형성하는 제2가이드를 포함하는,
소스 분사장치.The method of claim 5,
Wherein the guide comprises a second guide defining an inlet guide passage connected to the nozzle inlet to direct the inlet of the source in the second space to the nozzle inlet,
Source injection device. 청구항 1에 있어서,
상기 분배실은 파티션에 의하여 상기 제1공간과 상기 제2공간으로 구획되고,
상기 파티션에는 상기 연통유로를 구성하는 관통구멍들이 형성된,
소스 분사장치.The method according to claim 1,
Wherein the distribution room is partitioned into the first space and the second space by a partition,
Wherein the partition is provided with through holes constituting the communication passage,
Source injection device. 청구항 1에 있어서,
상기 제1공간과 상기 제2공간은 수평방향으로 배치되고,
상기 분배튜브의 하부에는 수평방향으로 배치된 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 연통하는 소스 입구가 형성되며,
상기 노즐들은 상기 분배튜브의 둘레 중 상기 제2공간을 둘러싸는 부분에 상기 노즐 입구가 연결된,
소스 분사장치.The method according to claim 1,
Wherein the first space and the second space are arranged in a horizontal direction,
A first space communicating with the first space and a source inlet communicating with the second space are formed in a lower portion of the distribution tube,
Wherein the nozzles are connected to a portion of the circumference of the distribution tube surrounding the second space,
Source injection device. 증착실을 제공하는 증착챔버와; 상기 증착실의 상부에서 기판을 지지하는 기판 지지장치와; 상기 증착실의 하부에서 소스를 증발시키는 도가니장치와; 상기 도가니장치로부터 증발된 소스를 상기 기판 지지장치에 의하여 지지된 기판에 분사하는 것으로서 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 하나에 기재된 소스 분사장치를 포함하고,
상기 소스 분사장치는 복수 개가 상기 증착실에 서로 나란하도록 배치된,
박막증착장비.A deposition chamber for providing an evaporation chamber; A substrate supporting apparatus for supporting the substrate at an upper portion of the deposition chamber; A crucible for evaporating a source at a lower portion of the evaporation chamber; And a source spraying apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein a source vaporized from the crucible is sprayed onto a substrate supported by the substrate holding apparatus,
Wherein the plurality of source injection devices are arranged so as to be parallel to each other in the evaporation chamber,
Thin Film Deposition Equipment.
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