KR102499328B1 - Vaporizer - Google Patents

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Abstract

본 실시예들은 소스 물질을 이하의 기화 공간으로 분사시키는 분무 노즐과 상기 분무 노즐과 연통되어 상기 분사된 소스 물질을 기화시키는 기화 공간을 가지는 몸체와 상기 분무 노즐과 상기 기화 공간간의 소정의 온도차(ΔT)를 발생시키는 열 차단 수단 또는 상기 분무 노즐의 내부 온도를 저온으로 유지시키고, 상기 기화 공간의 내부 온도를 고온으로 유지시키는 온도 유지 수단을 포함한다.
이에, 본 실시예들은 분무 노즐와 기화기의 기화 공간에서 발생된 온도차가 커키거나 저온 또는 고온으로 유지되 기화 효율을 높이는 일조할 수 있다.
The present embodiments are a body having a spray nozzle for injecting a source material into a vaporization space below and a vaporization space for vaporizing the injected source material in communication with the spray nozzle, and a predetermined temperature difference (ΔT) between the spray nozzle and the vaporization space. ) and a heat blocking means for generating or a temperature maintaining means for maintaining the internal temperature of the spray nozzle at a low temperature and maintaining the internal temperature of the vaporization space at a high temperature.
Thus, the present embodiments can contribute to increasing the vaporization efficiency by maintaining a temperature difference between the spray nozzle and the vaporization space of the vaporizer or maintaining a low or high temperature.

Description

기화기{Vaporizer}Vaporizer {Vaporizer}

본 실시예들은 기판 상에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에 구비되는 기화기에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기화 효율을 높일 수 있는 기화기에 관한 것이다.The present embodiments relate to a vaporizer provided in a substrate processing apparatus for depositing a thin film on a substrate, and more specifically, to a vaporizer capable of increasing vaporization efficiency.

일반적으로, 반도체 메모리 소자, 액정표시장치 및 유기발광장치 등은 기판상에 복수회의 반도체 공정을 실시하여 원하는 형상의 구조물을 적층하여 제조한다.In general, a semiconductor memory device, a liquid crystal display device, an organic light emitting device, and the like are manufactured by laminating a structure having a desired shape by performing a plurality of semiconductor processes on a substrate.

반도체 제조공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다. 이러한 반도체를 제조하는 기판 처리공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 공정 챔버를 포함하는 기판 처리장치에서 진행된다.A semiconductor manufacturing process includes a process of depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process of exposing a selected region of the thin film, and an etching process of removing the thin film of the selected region. A substrate processing process for manufacturing such a semiconductor is performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in which an optimal environment for the process is created.

공정 챔버에는 가공의 대상인 기판과 상기 기판이 안착되는 기판 안착부가 구비되고, 상기 기판에 소스 물질을 함유하는 공정 가스가 분사된다. 이러한 공정 가스에 함유된 소스 물질에 의해 기판에 증착 및 식각 공정 등이 진행된다.A substrate to be processed and a substrate seating portion on which the substrate is seated are provided in the process chamber, and a process gas containing a source material is sprayed onto the substrate. Deposition and etching processes are performed on the substrate by the source material contained in the process gas.

한편, 박막 증착, 식각공정을 수행하기 위해 증착 및 식각 등에 사용되는 소스 물질이 전술한 공정 챔버로 공급된다. 이러한 소스 물질은 상온에서 액체 상태로 유지될 수 있는데, 액체 상태인 경우에는 소스 물질을 기체 상태로 변화시켜야 반도체 가공 공정에 사용할 수 있게 된다.Meanwhile, in order to perform thin film deposition and etching processes, source materials used for deposition and etching are supplied to the aforementioned process chamber. Such a source material can be maintained in a liquid state at room temperature. In the case of a liquid state, the source material must be changed to a gaseous state before it can be used in a semiconductor processing process.

기체 상태로 변화되는 소스 물질은 기판 처리 장치에 구비되는 기화기에서 기화되어 공정 챔버로 비로소 공급될 수 있다. 이때, 기화기에서 소스 물질의 기화효율이 낮은 경우에는 기화되지 않은 소스 물질이 기화기의 내벽에 점착하여 기화기의 성능 및 수명 등을 저하시키는 원인을 제공하고, 기화되지 않은 소스 물질이 기화된 소스 물질과 함께 공정 챔버로 유출되면 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 불량 원인을 제공할 수 있다.The source material that is changed into a gaseous state may be vaporized in a vaporizer provided in the substrate processing apparatus and supplied to the process chamber. At this time, when the vaporization efficiency of the source material in the vaporizer is low, the non-vaporized source material adheres to the inner wall of the vaporizer to provide a cause of deteriorating the performance and lifespan of the vaporizer, and the non-vaporized source material and the vaporized source material If they flow together into the process chamber, they may provide a cause of wafer defects in the semiconductor manufacturing process.

더욱이, 기화기의 기화 효율이 낮으면, 기화기의 교체 주기가 짧아져 반도체 제조 공정의 전체 속도가 저하됨으로써, 제품의 생산 단가가 떨어지는 문제점을 줄 수 있다.Moreover, if the vaporization efficiency of the vaporizer is low, the replacement cycle of the vaporizer is shortened and the overall speed of the semiconductor manufacturing process is lowered, thereby reducing the production cost of the product.

본 실시예들은 온도차 또는 고온과 저온의 온도 유지를 통해 기화 효율을 향상시키기 위한 기화기를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present embodiments is to provide a vaporizer for improving vaporization efficiency through a temperature difference or maintaining a temperature between a high temperature and a low temperature.

하나의 실시예에 따르면, 소스 물질을 이하의 기화 공간으로 분사시키는 분무 노즐; 상기 분무 노즐과 연통되어, 상기 분사된 소스 물질을 기화시키는 기화 공간을 가지는 몸체; 및 상기 분무 노즐과 상기 기화 공간간의 소정의 온도차(ΔT)를 발생시키는 열 차단 수단을 포함하는 기화기를 제공한다.According to one embodiment, the spray nozzle for injecting the source material into the vaporization space below; a body communicating with the spray nozzle and having a vaporization space for vaporizing the injected source material; and a heat blocking means generating a predetermined temperature difference (ΔT) between the spray nozzle and the vaporizing space.

하나의 실시예에 따르면, 소스 물질을 이하의 기화 공간으로 분사시키는 분무 노즐; 상기 분무 노즐과 연통되어, 상기 소스 물질을 기화시키는 기화 공간을 가지는 몸체; 및 상기 분무 노즐의 내부 온도를 저온으로 유지시키고, 상기 기화 공간의 내부 온도를 고온으로 유지시키는 온도 유지 수단을 포함하는 기화기를 제공한다.According to one embodiment, the spray nozzle for injecting the source material into the vaporization space below; a body communicating with the spray nozzle and having a vaporization space for vaporizing the source material; and a temperature maintaining means for maintaining the internal temperature of the spray nozzle at a low temperature and maintaining the internal temperature of the vaporizing space at a high temperature.

선택적으로, 상기 몸체는 상기 기화 공간을 둘러쌓고 있는 내벽에 배치되어, 상기 기화 공간에 유입된 상기 분사된 소스 물질을 가열하여 기화시키는 제1 히터; 및 상기 분사된 소스 물질이 상기 기화 공간에서 상기 제1 히터에 의해 기화될 때, 상기 기화된 소스 물질을 배출시키는 배출부를 더 포함할 수 있다.Optionally, the body includes a first heater disposed on an inner wall surrounding the vaporization space to heat and vaporize the injected source material introduced into the vaporization space; and a discharge unit configured to discharge the vaporized source material when the injected source material is vaporized by the first heater in the vaporization space.

선택적으로, 상기 소정의 온도차(ΔT)는 100℃ 내지 200℃의 범위를 가질 수 있다.Optionally, the predetermined temperature difference (ΔT) may have a range of 100 °C to 200 °C.

선택적으로, 상기 분무 노즐의 온도는 상기 ΔT의 범위 안에서 20℃ 내지 50℃의 저온(상온)으로 유지되고, 상기 기화 공간의 온도는 상기 ΔT의 범위 안에서 150℃ 내지 250℃의 고온으로 유지될 수 있다.Optionally, the temperature of the spray nozzle is maintained at a low temperature (room temperature) of 20 ° C to 50 ° C within the range of ΔT, and the temperature of the vaporization space is maintained at a high temperature of 150 ° C to 250 ° C within the range of ΔT there is.

선택적으로, 상기 기화기는 상기 소스 물질과 함께 상기 소스 물질의 확산을 촉진시키는 캐리어 가스를 상기 분무 노즐로 공급하는, 제1 유입부를 더 포함할 수 있다.Optionally, the vaporizer may further include a first inlet for supplying a carrier gas promoting diffusion of the source material together with the source material to the spray nozzle.

선택적으로, 상기 열 차단 수단은 상기 소스 물질의 분사 통로인 적어도 하나의 분사홀을 포함할 수 있다.Optionally, the heat shielding unit may include at least one spraying hole that is a spraying passage of the source material.

선택적으로, 상기 열 차단 수단은 플라스틱 계열의 물질로 제작될 수 있다.Optionally, the heat blocking means may be made of a plastic-based material.

선택적으로, 상기 열 차단 수단은 5 내지 50mm의 두께를 가질 수 있다.Optionally, the heat blocking means may have a thickness of 5 to 50 mm.

선택적으로, 상기 온도 유지 수단은 20℃ 내지 50℃의 범위에서 상기 저온(상온)으로 유지시키고, 150℃ 내지 250℃의 범위에서 상기 고온으로 유지시킬 수 있다.Optionally, the temperature maintaining means may maintain the low temperature (room temperature) in the range of 20 °C to 50 °C and maintain the high temperature in the range of 150 °C to 250 °C.

선택적으로, 상기 온도 유지 수단은 상기 소스 물질의 분사 통로인 적어도 하나의 분사홀을 포함하고, 플라스틱 계열의 물질로 제작되며, 5 내지 50mm의 두께를 가질 수 있다.Optionally, the temperature maintaining unit may include at least one spraying hole that is a spraying passage of the source material, is made of a plastic-based material, and has a thickness of 5 to 50mm.

선택적으로, 상기 기화기는 상기 기화 공간의 하부에 배치되어, 기화 보조 가스를 유입하는 제2 유입부; 및 상기 제2 유입부를 통해 유입된 기화 보조 가스를 상기 기화 공간으로 확산시키는 다공성 구조의 제1 디퓨저(diffuser)를 더 포함할 수 있다.Optionally, the vaporizer is disposed in the lower portion of the vaporization space, the second inlet for introducing the vaporization auxiliary gas; and a first diffuser having a porous structure to diffuse the vaporization assist gas introduced through the second inlet into the vaporization space.

선택적으로, 상기 기화기는 상기 기화 공간의 하부에 배치되어, 기화 보조 가스를 유입하는 제2 유입부; 및 상기 기화 공간의 하부에 배치되어, 상기 제2 유입부를 통해 유입된 기화 보조 가스를 상기 기화 공간으로 확산시키는 제1 디퓨저; 및 일단이 상기 제1 디퓨저와 연통됨과 동시에 상기 기화 공간의 측부에 배치되어, 상기 측부에서 상기 기화 보조 가스를 상기 기화 공간으로 더 확산시키는 제2 디퓨저를 더 포함할 수 있다.Optionally, the vaporizer is disposed in the lower portion of the vaporization space, the second inlet for introducing the vaporization auxiliary gas; and a first diffuser disposed below the vaporization space to diffuse the vaporization assist gas introduced through the second inlet into the vaporization space. and a second diffuser having one end communicating with the first diffuser and disposed on a side of the vaporization space to further diffuse the vaporization assist gas into the vaporization space at the side.

이상과 같이, 본 실시예들은 분사시 또는 기화시 분무 노즐와 기화기의 기화 공간 사이에 배치된 열 차단 수단 또는 온도 유지 수단의 최적 설계로 인해, 분무 노즐과 몸체의 기화 공간에서 발생된 온도차(압력차)가 커지거나 저온과 고온의 온도 유지로 기화 효율을 높이는 효과가 있다.As described above, in the present embodiments, the temperature difference (pressure difference) generated in the vaporization space of the spray nozzle and the body due to the optimal design of the heat blocking means or the temperature maintaining means disposed between the spray nozzle and the vaporization space of the vaporizer during injection or vaporization ) increases, or it has the effect of increasing the vaporization efficiency by maintaining low and high temperatures.

또한, 본 실시예들은 기화 공간에 유입된 기화 보조 가스로 인해 몸체의 기화 공간에서 충분히 기화되지 않은 소스 물질이 희석(dilution)되거나 가열된 기화 보조 가스에 의해서 소스 물질이 다시 기화됨으로써, 기화 효율을 더 촉진시킬 수 있다.In addition, the present embodiments increase the vaporization efficiency by diluting the source material that is not sufficiently vaporized in the vaporization space of the body due to the vaporization auxiliary gas introduced into the vaporization space or re-vaporizing the source material by the heated auxiliary gas. can be further stimulated.

또한, 본 실시예들은 기화기의 하부 또는 측부의 표면에 누적될 수 있는 충분히 기화되지 않은 소스 물질에 물리적인 충격을 가하여 몸체의 기화 공간으로 유동시켜 주워 소스 물질이 다시 기화되도록 함으로써, 기화 효율을 촉진시킬 수 있다.In addition, the present embodiments apply a physical impact to the source material that is not sufficiently vaporized, which can accumulate on the surface of the lower or side portion of the vaporizer, and flow it into the vaporization space of the body to pick up the source material to vaporize again, thereby promoting vaporization efficiency. can make it

또한, 본 실시예들은 기화 보조 가스에 의해서 기화기 기화 공간에서 충분히 기화되지 않은 소스 물질의 기화가 일어나므로, 기화기 전체의 기화 효율이 촉진되는 효과가 있다.In addition, since the present embodiments vaporize the source material that is not sufficiently vaporized in the vaporization space of the vaporizer by the vaporization assist gas, the vaporization efficiency of the vaporizer as a whole is promoted.

또한, 본 실시예들은 몸체의 배출부에서 소스 물질이 하측에서 상측으로 유동하도록 하여, 완전히 기화되지 않은 소스 물질이 배출부를 통해 공정 챔버로 유출되는 것을 억제할 수 있다.In addition, the present embodiments allow the source material to flow from the lower side to the upper side in the discharge unit of the body, so that the non-vaporized source material can be suppressed from flowing into the process chamber through the discharge unit.

이상의 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 실시예들이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있다.It is not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 일 실시예에 따른 기화기의 일례를 예시적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 기화기에 구비된 열 차단 수단을 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 기화기의 다른 일례를 개략적으로 도식화하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 기화기의 또 다른 일례를 개략적으로 도식화하여 나타낸 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an example of a vaporizer according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a heat shield provided in the vaporizer of FIG. 1 in more detail.
3 is a schematic cross-sectional view of another example of a vaporizer according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view schematically illustrating another example of a vaporizer according to an embodiment.

이하의 실시예에서 개시되는 기화기에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에서 개시되는 용어들은 단지 특정한 일례를 설명하기 위하여 사용된 것이지 이들로부터 제한되는 것은 아니다.The vaporizer disclosed in the following embodiments will be described in more detail with reference to the drawings. Terms disclosed in the following embodiments are only used to describe a specific example, but are not limited thereto.

예를 들면, 이하의 실시예에서 개시되는 '포함하다', '가지다' 또는 '이루어지다' 등의 용어 들은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것으로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함하는 것으로 이해되어야 한다.For example, terms such as 'include', 'have' or 'consist of' disclosed in the following embodiments mean that the corresponding component may be inherent unless otherwise stated, It should be understood as further including other components rather than excluding other components.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 "제1" 및 "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.Also, terms such as “first” and “second” disclosed in the following embodiments may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the configuration and operation of the embodiment are only for describing the embodiment, and do not limit the scope of the embodiment.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 실시예의 설명 및 특허청구범위에 사용되는 단수 표현인 '상기'는 아래위 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현도 포함하는 것으로 이해될 수 있으며, '또는/및' 또는 '및/또는'는 열거되는 관련 항목들 중 하나 이상의 항목에 대한 임의의 및 모든 가능한 조합들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, 'above', which is a singular expression used in the description and claims of the embodiments disclosed in the following embodiments, may be understood to include plural expressions as well, unless the context clearly indicates otherwise, and 'or/' and' or 'and/or' should be understood to include any and all possible combinations of one or more of the related items listed.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in the case where it is described as being formed on the "upper (above)" or "on or under" of each element disclosed in the following embodiments, the upper (upper) or lower (lower) ( on or under) includes both elements formed by directly contacting each other or by indirectly placing one or more other elements between the two elements. In addition, when expressed as “up (up)” or “down (on or under)”, it should be understood to include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용되는 것으로 이해될 수도 있다.In addition, relational terms such as "upper/upper/upper" and "lower/lower/lower" disclosed in the following embodiments do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. However, it may be understood that it is used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

이하에서는, 전술한 관점들을 토대로 개시되는 기화 처리 장치(공정 챔버)에 연결되는 기화기에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a vaporizer connected to the vaporization processing device (process chamber) will be described in more detail based on the above-mentioned viewpoints.

<기화기의 제1 실시예><First embodiment of vaporizer>

도 1은 일 실시예에 따른 기화기의 일례를 예시적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 기화기에 구비된 열 차단 수단을 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1를 설명할 때 보조적으로 인용하기로 한다.1 is a cross-sectional view showing an example of a vaporizer according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a heat blocking means provided in the vaporizer of FIG. 1 in more detail. FIG. 2 will be cited as an aid when describing FIG. 1 .

도 1를 참조하면, 일 실시예에 따른 기화기(100)는 제1 유입부(110), 분무 노즐(120), 열 차단 수단(130) 및 몸체(100A)를 포함하고, 상기 몸체(100A)는 기화 공간(S), 제1 히터(140) 및 배출부(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a vaporizer 100 according to an embodiment includes a first inlet 110, a spray nozzle 120, a heat blocking means 130, and a body 100A, and the body 100A may include a vaporization space (S), a first heater 140 and a discharge unit (150).

일 실시예에서, 제1 유입부(110)는 기화기(100)의 상부에 구비되고, 액체 상태 또는 액상의 미립자가 마치 안개와 같은 형태를 이루는 미스트(mist) 상태의 소스 물질을 유입시키는 통로이다.In one embodiment, the first inlet 110 is provided at the top of the vaporizer 100, and is a passage through which a source material in a liquid state or a mist state in which liquid particles form a fog-like state is introduced. .

이러한 제1 유입부(110)는 소스 물질의 유입뿐만 아니라, 캐리어 가스, 예컨대 공정 가스를 더 유입할 수 있다. 상기 캐리어 가스는 비활성 가스, 예컨대 아르곤 가스, 질소 가스 등을 의미하며, 이후에 설명하겠지만 소스 물질의 확산을 촉진시키데 사용할 수 있다.The first inlet 110 may further introduce a carrier gas, for example, a process gas, as well as the source material. The carrier gas refers to an inert gas such as argon gas or nitrogen gas, and as will be described later, it can be used to promote diffusion of a source material.

제1 유입부(110)로 유입된 소스 물질 또는 소스 물질과 캐리어 가스는 이하의 분무 노즐(120)로 공급될 수 있다.The source material or the source material and the carrier gas introduced into the first inlet 110 may be supplied to the spray nozzle 120 below.

일 실시예에서, 분무 노즐(120)은 전술한 제1 유입부(110)의 하부에 배치됨과 동시에 상기 제1 유입부(110)에 연통되는 분사 노즐(121)을 구비할 수 있다.In one embodiment, the spray nozzle 120 may be provided with a spray nozzle 121 communicating with the first inlet portion 110 while being disposed below the aforementioned first inlet portion 110 .

분사 노즐(121)은 제1 유입부(110)를 통해 유입된 소스 물질 또는 소스 물질과 캐리어 가스를 팽창시켜 몸체(100)의 기화 공간(S)으로 분사시킬 수 있다.The injection nozzle 121 may expand the source material or the source material and the carrier gas introduced through the first inlet 110 and inject them into the vaporization space S of the body 100 .

예를 들면, 분무 노즐(120)의 분사 노즐(121)를 통과하는 소스 물질은 캐리어 가스와 반응하면, 소스 물질의 입자 개수가 미세하게 더 쪼개져 소스 물질의 입자 개수가 증가됨으로써, 더 활발하게 팽창이 일어나도록 하여 분사될 수 있다.For example, when the source material passing through the spray nozzle 121 of the spray nozzle 120 reacts with the carrier gas, the number of particles of the source material is further divided into finer particles and the number of particles of the source material increases, thereby expanding more actively. It can be sprayed by allowing this to happen.

일 실시예에서, 열 차단 수단(130)은 분무 노즐(120)에서 저온(상온)으로 유지되도록 하고, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 고온으로 유지되도록, 상기 분무 노즐(120) 및 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 사이에 배치될 수 있다.In one embodiment, the heat blocking means 130 is to be maintained at a low temperature (room temperature) in the spray nozzle 120, and to be maintained at a high temperature in the vaporization space (S) of the body (100A), the spray nozzle 120 and It may be disposed between the vaporization space (S) of the body (100A).

바람직하게, 열 차단 수단(130)은 분사시 또는 기화시 분무 노즐(120)에서 저온(상온)으로 유지되도록 하고, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 고온으로 유지되도록, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 발생된 온도와 분무 노즐(120)에서 발생된 온도간 차이가 소정의 ΔT 만큼의 온도차를 가질 수 있도록 분무 노즐(120) 및 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 사이에서 적절히 배치될 수 있다. 상기 온도차는 압력차 메카니즘과 비례할 수 있다.Preferably, the heat blocking means 130 is maintained at a low temperature (room temperature) in the spray nozzle 120 during spraying or evaporation, and is maintained at a high temperature in the vaporization space S of the body 100A, the body 100A of the vaporization space (S) of the spray nozzle 120 and the body 100A so that the difference between the temperature generated in the vaporization space (S) and the temperature generated in the spray nozzle 120 can have a temperature difference by a predetermined ΔT can be appropriately placed between them. The temperature difference may be proportional to the pressure difference mechanism.

상기 ΔT 만큼의 온도차를 두는 이유는 분무 노즐(120)에서 저온(상온)으로 유지되고, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 고온으로 유지되면, 전술한 소스 물질의 분사 또는/및 확산을 촉진시키고, 궁극적으로 기화 효율을 높일 수 있기 때문이다.The reason for the temperature difference by ΔT is to maintain a low temperature (room temperature) in the spray nozzle 120 and to maintain a high temperature in the vaporization space S of the body 100A to spray or / and spread the above-described source material. This is because it can accelerate and ultimately increase the vaporization efficiency.

예를 들면, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 발생된 온도와 분무 노즐(120)에서 발생된 온도의 차이(ΔT)가 100℃ 내지 200℃의 범위를 가질 수 있도록 분무 노즐(120) 및 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 사이에서 열 차단 수단(130)의 배치 위치가 적절히 설계될 수 있다.For example, the spray nozzle 120 so that the difference (ΔT) between the temperature generated in the vaporization space (S) of the body (100A) and the temperature generated in the spray nozzle 120 may have a range of 100 ° C to 200 ° C And between the vaporization space (S) of the body (100A), the arrangement position of the heat shielding means (130) can be properly designed.

바람직하게는, 분무 노즐(120)의 온도는 전술한 ΔT의 범위 안에서 20℃ 내지 50℃의 저온(상온)으로 유지될 수 있고, 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 온도는 전술한 ΔT의 범위 안에서 150℃ 내지 250℃의 고온으로 유지되도록 구현될 수 있다.Preferably, the temperature of the spray nozzle 120 may be maintained at a low temperature (room temperature) of 20 ° C to 50 ° C within the range of the above-mentioned ΔT, and the temperature of the vaporization space (S) of the body (100A) is the above-mentioned ΔT It may be implemented to be maintained at a high temperature of 150 ° C to 250 ° C within the range of.

기존에는 열 차단 수단(130)이 없는 관계로, 분무 노즐(120)에서 저온(상온)을 유지하기란 쉽지 않았으며, 또 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 고온으로 유지하기란 쉽지 않았기 때문에, 궁극적으로 소스 물질의 기화 효율을 떨어뜨리는 단점을 가졌었다.In the past, since there is no heat blocking means 130, it was not easy to maintain a low temperature (room temperature) in the spray nozzle 120, and it was not easy to maintain a high temperature in the vaporization space S of the body 100A. Therefore, it ultimately had the disadvantage of lowering the vaporization efficiency of the source material.

예를 들면, 소스 물질의 분사 및/또는 확산이 원활히 이루어지지 않아 기화 효율이 떨여졌다.For example, since the source material is not smoothly sprayed and/or diffused, vaporization efficiency is lowered.

그러나, 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 온도가 150℃ 내지 250℃의 고온으로 유지되고, 분무 노즐(120)의 온도가 20℃ 내지 50℃의 저온(상온)으로 유지되도록 열 차단 수단(130)이 분무 노즐(120)와 몸체(100A)의 기화 공간(S) 사이에 적절히 배치됨으로써, 100℃ 내지 200℃의 범위의 온도차(ΔT)를 유발시켜 궁극적으로 기화 효율을 높일 수 있었다.However, heat blocking means so that the temperature of the vaporization space (S) of the body (100A) is maintained at a high temperature of 150 ° C to 250 ° C, and the temperature of the spray nozzle 120 is maintained at a low temperature (room temperature) of 20 ° C to 50 ° C. 130 is properly disposed between the spray nozzle 120 and the vaporization space S of the body 100A, thereby causing a temperature difference ΔT in the range of 100 ° C to 200 ° C, ultimately increasing the vaporization efficiency.

이를 위해, 열 차단 수단(130)은 전술한 온도차(ΔT)를 유지하면서도 분무 노즐(120)에 의해 분사된 소스 물질의 확산을 지속시키기 위하여 소스 물질의 분사 통로인 적어도 하나의 분사홀(131)을 포함할 수 있다.To this end, the heat blocking means 130 maintains the above-mentioned temperature difference (ΔT) while maintaining the diffusion of the source material sprayed by the spray nozzle 120 at least one spray hole 131, which is a spray passage of the source material. can include

예를 들면, 소스 물질의 확산을 지속시키기 위하여 분무 노즐(120)의 중심 부근에 적어도 하나의 분사홀(131)을 구비할 수 있다. 바람직하게는 하나의 분사홀(131)로 구비될 수 있다.For example, at least one spray hole 131 may be provided near the center of the spray nozzle 120 in order to sustain the diffusion of the source material. Preferably, it may be provided with one injection hole 131.

적어도 하나의 분사홀(131)을 통과한 소스 물질은 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 분사됨과 동시에 확산을 지속시켜 실질적으로 상기 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 공급할 수 있다.The source material passing through the at least one injection hole 131 may be injected into the vaporization space S of the body 100A and continuously diffused to be substantially supplied to the vaporization space S of the body 100A.

몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 유입된 소스 물질의 대부분은 비록 확산이 일어났지만, 기화되지 않은 상태, 즉 액상의 미립자가 마치 안개와 같은 형태를 이루는 미스트로 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 확산될 수 있다.Although most of the source material introduced into the vaporization space (S) of the body (100A) has been diffused, it is not vaporized, that is, the vaporization space of the body (100A) as a mist in which the liquid particles form a mist-like form. (S) can be diffused.

이러한 미스트는 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 가해지는 적절한 온도, 압력 조건과 기화 보조 가스의 물리적 충격에 의해 기화될 수 있다. 소스 물질의 기화를 위한 온도, 압력 조건과 기화 보조 가스에 대해서는 차후의 구성에 의해 보다 상세히 설명될 예정이다.This mist may be vaporized by appropriate temperature and pressure conditions applied to the vaporization space (S) of the body (100A) and physical impact of the vaporization auxiliary gas. The temperature and pressure conditions for vaporization of the source material and the vaporization auxiliary gas will be described in detail by later configurations.

아울러, 일 실시예에 따른 열 차단 수단(130)은 도 2에서와 같이 전술한 온도차(ΔT)를 유지시키기 위하여 플라스틱 계열의 물질로 제작될 수 있다.In addition, the heat blocking means 130 according to an embodiment may be made of a plastic-based material to maintain the above-described temperature difference ΔT as shown in FIG. 2 .

예를 들면, 열 차단 수단(130)은 폴리에틸렌 테레프타레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS) 및 폴리염화비닐(PVC) 중 어느 하나 또는 이들의 조합한 플라스틱 물질로 제작될 수 있다.For example, the heat blocking unit 130 may be any one of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), and polyvinyl chloride (PVC), or a combination thereof. It can be made of material.

더욱이, 도 2에 도시된 열 차단 수단(130)은 두께면에서 5mm 내지 50mm의 두께(T)를 가지고 분무 노즐(120) 및 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 사이에 배치될 수 있다.Moreover, the heat blocking means 130 shown in FIG. 2 has a thickness T of 5 mm to 50 mm in thickness and may be disposed between the spray nozzle 120 and the vaporization space S of the body 100A. .

가령, 5mm 내지 50mm의 열 차단 수단(130)의 두께(T)를 갖지 않으면, 100℃ 내지 200℃의 범위의 온도차(ΔT)를 발생시킬 수 없었다. 그러나 이 두께로 반드시 한정되는 것은 아니다.For example, unless the thickness (T) of the heat blocking means 130 is 5 mm to 50 mm, a temperature difference (ΔT) in the range of 100 ° C to 200 ° C could not be generated. However, it is not necessarily limited to this thickness.

일 실시예에서, 제1 히터(140)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)을 둘러싸도록 구비될 수 있다. 예를 들면, 기화기(100)에는 소스 물질이 기화되는 기화 공간(S)이 형성되고, 상기 제1 히터(140)는 상기 기화 공간(S)을 둘러싸도록 구비될 수 있다.In one embodiment, the first heater 140 may be provided to surround the vaporization space (S) of the body (100A). For example, a vaporization space (S) in which the source material is vaporized is formed in the vaporizer 100, and the first heater 140 may be provided to surround the vaporization space (S).

이러한 제1 히터(140)는 유도 가열 방식 또는/및 전열 방식 등으로 구현되며, 이를 통해 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 확산되고 있는 소스 물질을 가열하여 기화시킬 수 있다.The first heater 140 is implemented in an induction heating method or/and an electric heating method, and through this, it is possible to heat and vaporize the source material diffusing in the vaporization space S of the body 100A.

예를 들면, 제1 히터(140)는 구현된 유도 가열 방식 또는/및 전열 방식을 통해 기화기(100)의 내벽(B)을 가열하고, 가열된 내벽(B)에 의해 전달된 열이 다시 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 있는 소스 물질을 가열함으로써, 상기 소스 물질을 기화시킬 수 있다.For example, the first heater 140 heats the inner wall (B) of the vaporizer 100 through the implemented induction heating method or / and the electric heating method, and the heat transferred by the heated inner wall (B) is returned to the body. By heating the source material in the vaporization space (S) of (100A), it is possible to vaporize the source material.

여기서, 제1 히터(140)는 기화기(100)의 내벽(B)을 가열하고 있기 때문에, 기화기(100)의 내벽(B)에 소스 물질이 점착되는 것을 억제할 수 있고, 기화기(100) 의 기화 공간(S)의 온도를 고온으로 유지하여 소스 물질의 기화를 촉진시킬 수 있다.Here, since the first heater 140 heats the inner wall B of the vaporizer 100, it is possible to suppress the adhesion of the source material to the inner wall B of the vaporizer 100, and the vaporizer 100 The vaporization of the source material may be promoted by maintaining the temperature of the vaporization space S at a high temperature.

이처럼, 제1 히터(140)가 내벽(B)에 위치하는 것으로 한정하였으나, 이에 제한되지 않고 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 표출되도록 내벽(B)의 표면에 제1 히터(140)가 배치될 수도 있으며, 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 양 옆인 측부(B, 내벽)에만 배치될 수도 있다.As such, although the first heater 140 is limited to being located on the inner wall (B), it is not limited thereto and the first heater 140 is placed on the surface of the inner wall (B) so as to be expressed in the vaporization space (S) of the body (100A). May be disposed, may be disposed only on the side (B, inner wall), which are both sides of the vaporization space (S) of the body (100A).

일 실시예에서, 배출부(150)는 기화기(100)의 내벽(B)에 구비되어, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 기화된 소스 물질을 외부, 예컨대 공정 챔버(미도시)측으로 배출시키는 통로일 수 있다.In one embodiment, the discharge unit 150 is provided on the inner wall (B) of the vaporizer 100, and the source material vaporized in the vaporization space (S) of the body (100A) to the outside, for example, to the process chamber (not shown). It may be a passageway for evacuation.

예를 들면, 배출부(150)는 전술한 열 차단 수단(130)을 통과한 소스 물질이 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 제1 히터(140)에 의해 기화될 때, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 기화된 소스 물질을 공정 챔버측으로 배출시킬 수 있다.For example, the discharge unit 150 is the body 100A when the source material passing through the above-described heat blocking means 130 is vaporized by the first heater 140 in the vaporization space S of the body 100A. ) The source material vaporized in the vaporization space S may be discharged toward the process chamber.

이때, 배출부(150)를 통해 배출되는 기화된 소스 물질은 기존에 비하여 전술한 100℃ 내지 200℃의 범위의 온도차(ΔT)에 기인하여 발생된 결과이므로 기존에 비하여 높은 기화 효율을 가짐은 물론일 것이다.At this time, the vaporized source material discharged through the discharge unit 150 is a result generated due to the temperature difference (ΔT) in the range of 100 ° C to 200 ° C. would.

한편, 전술한 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 하부는 아무런 구조가 형성되지 않거나 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 있는 소스 물질의 기화를 더 촉진시킬 수 있는 물질들이 유입될 수 있는 구조가 형성될 수 있는 등 다양한 변형 실시가 가능하다. 이에 대해서는 하기에서 설명하기로 한다.On the other hand, the lower part of the above-described vaporization space (S) of the body (100A) has no structure formed, or materials that can further promote the vaporization of the source material in the vaporization space (S) of the body (100A) can be introduced. Various modifications are possible, such as a structure having a structure can be formed. This will be explained below.

<기화기의 제2 실시예><Second Embodiment of Vaporizer>

도 3은 일 실시예에 따른 기화기의 다른 일례를 개략적으로 도식화하여 나타낸 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of another example of a vaporizer according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 기화기(100)는 제1 유입부(110), 분무 노즐(120), 열 차단 수단(130), 제1 히터(140), 배출부(150), 제2 유입부(160) 및 제1 디퓨저(170)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the vaporizer 100 according to an embodiment includes a first inlet 110, a spray nozzle 120, a heat blocking means 130, a first heater 140, an outlet 150, It includes a second inlet 160 and a first diffuser 170 .

여기서, 도 3에 도시된 제1 유입부(110), 분무 노즐(120), 열 차단 수단(130), 제1 히터(140) 및 배출부(150)는 도 1에서 설명하였기 때문에 본 실시예에서는 생략하지만, 본 실시예에서도 유사 또는 동일하게 적용됨은 물론이다. 이때, 제1 히터(140) 및 배출부(150)는 몸체(100A)에 구비될 수 있다.Here, the first inlet 110, the spray nozzle 120, the heat blocking means 130, the first heater 140, and the outlet 150 shown in FIG. 3 have been described in FIG. Although omitted, it is of course similarly or identically applied in this embodiment. At this time, the first heater 140 and the discharge unit 150 may be provided in the body 100A.

이하에서는, 도 1에 개시되지 않고 있는 제2 유입부(160) 및 제1 디퓨저(170, diffuser)에 대해 중점적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the description will focus on the second inlet 160 and the first diffuser 170, which are not disclosed in FIG. 1 .

일 실시예에서, 제2 유입부(160)는 기화기(100)의 하부 또는 몸체(100A)의 하부에 구비되어, 기화 보조 가스를 유입시킬 수 있다. 그러나 이 배치에 반드시 한정되지 않지는 않는다.In one embodiment, the second inlet 160 is provided at the lower part of the vaporizer 100 or the lower part of the body 100A, and may introduce the vaporization assist gas. However, it is not necessarily limited to this arrangement.

예를 들면, 제2 유입부(160)는 기화기(100)의 하부가 아니더라도, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 충분히 기화되지 않은 소스 물질이 많이 잔류하는 부분에 배치될 수도 있다.For example, the second inlet 160 may be disposed in a portion where a large amount of unvaporized source material remains in the vaporization space S of the body 100A, even if not at the bottom of the vaporizer 100.

이때, 제2 유입부(160)로 유입되는 기화 보조 가스의 온도와 유량 조절은 기화기(100)의 외부에 구비된 제2 히터(미도시) 및 유량 제어기(미도시)에 의해 실현될 수 있다.At this time, the temperature and flow rate of the vaporization auxiliary gas flowing into the second inlet 160 may be controlled by a second heater (not shown) and a flow controller (not shown) provided outside the vaporizer 100. .

제2 히터는 몸체(100A)의 외부에 구비되어 제2 유입부(160)에 연결되며, 제2 유입부(160)로 공급되는 기화 보조 가스를 가열하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 실시예에서 기화 보조 가스는 제1 히터(140) 및 제2 히터에 의해 온도가 조절되어 제2 유입부(160) 또는/및 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 유입될 수 있고, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 다시 제1 히터(140)에 의해 온도가 조절될 수 있다.The second heater is provided outside the body 100A and is connected to the second inlet 160, and may serve to heat the vaporization assist gas supplied to the second inlet 160. Therefore, in the embodiment, the temperature of the vaporization assist gas is controlled by the first heater 140 and the second heater, and may be introduced into the second inlet 160 or / and the vaporization space S of the body 100A, , The temperature may be adjusted again by the first heater 140 in the vaporization space S of the body 100A.

반면, 유량 제어기는 기화기(100)의 외부에 구비되어, 제2 히터 또는/및 제2 유입부(160)에 연결됨으로써, 제2 유입부(160) 및/또는 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 유입되는 기화 보조 가스의 유량을 조절하는 역할을 할 수 있다.On the other hand, the flow controller is provided outside the vaporizer 100 and is connected to the second heater or / and the second inlet 160, so that the second inlet 160 and / or the vaporization space of the body 100A ( S) may play a role of adjusting the flow rate of the vaporization auxiliary gas introduced into.

이외에도, 제2 유입부(160), 제2히터 및 유량 제어기를 연결하는 배관에는 기화 보조 가스의 유동을 차단하기 위한 밸브들이 구비될 수 있다.In addition, valves for blocking the flow of the vaporized auxiliary gas may be provided in a pipe connecting the second inlet 160, the second heater, and the flow controller.

일 실시예에서, 제1 디퓨저(170)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 하부에 배치되되, 바람직하게는 몸체(100A)의 기화 공간(S)과 제2 유입부(160)의 사이에 배치될 수 있으며, 다공성 구조를 가질 수 있다.In one embodiment, the first diffuser 170 is disposed below the vaporization space (S) of the body (100A), preferably between the vaporization space (S) of the body (100A) and the second inlet (160). may be disposed between them and may have a porous structure.

이러한 제1 디퓨저(170)는 전술한 제2 유입부(160)를 통해 유입된 기화 보조 가스를 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 확산시키는 역할을 할 수 있다. 열 차단 수단(130)을 통과한 소스 물질과 제1 디퓨저(170)를 통과한 기화 보조 가스는 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 서로 대향되는 방향으로 분사되도록 하는 것이 바람직하다.The first diffuser 170 may serve to diffuse the vaporization assist gas introduced through the aforementioned second inlet 160 into the vaporization space S of the body 100A. It is preferable that the source material passing through the heat blocking unit 130 and the vaporization assist gas passing through the first diffuser 170 are sprayed in opposite directions in the vaporization space S of the body 100A.

이러한 기화 보조 가스를 확산시키는 이유는 제1 디퓨저(170)를 통해 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 유입된 기화 보조 가스가 공정 챔버(미도시)의 증착 및 식각 공정 등에 영향을 주지 않도록 하기 위하여 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 기화되고 있는 소스 물질의 기화를 더욱 촉진시킬 수 있기 때문이다.The reason for diffusing the vaporization assist gas is to prevent the vaporization assist gas introduced into the vaporization space S of the body 100A through the first diffuser 170 from affecting the deposition and etching processes of the process chamber (not shown). This is because the vaporization of the source material being vaporized in the vaporization space (S) of the body (100A) can be further promoted.

더불어, 기화 보조 가스를 확산시키는 이유는 제2 유입부(160)과 몸체(100A)의 기화 공간(S) 사이에 압력차를 형성하여 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 기화 보조 가스가 유입되더라도, 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 압력 상승을 억제함으로써, 미스트의 소스 물질에 물리적 충격을 가하여 미스트의 소스 물질의 기화를 더욱 촉진시킬 수 있기 때문이다.In addition, the reason for diffusing the vaporized auxiliary gas is to form a pressure difference between the second inlet 160 and the vaporized space (S) of the body (100A) so that the vaporized auxiliary gas in the vaporized space (S) of the body (100A) Even if introduced, it is because by suppressing the pressure rise in the vaporization space (S) of the body (100A), it is possible to further promote vaporization of the source material of the mist by applying a physical impact to the source material of the mist.

기화기(100)의 내부로 확산되는 기화 보조 가스는 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 균일한 압력 분포를 고려하여 제1 디퓨저(170)를 통해 몸체(100A)의 기화 공간(S)으로 균일하게 확산시키는 것이 좋다.The vaporization assist gas diffused into the vaporizer 100 is transferred to the vaporization space S of the body 100A through the first diffuser 170 in consideration of the uniform pressure distribution in the vaporization space S of the body 100A. It is better to spread it evenly.

이런 경우, 전술한 배출부(150)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 기화된 소스 물질과 함께 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 존재하는 기화 보조 가스를 외부, 예컨대 공정 챔버(미도시)측으로 더 배출시킬 수 있다.In this case, the aforementioned discharge unit 150 transfers the vaporized auxiliary gas present in the vaporization space S of the body 100A together with the source material vaporized in the vaporization space S of the body 100A to the outside, for example, the process chamber. (not shown) may be further discharged to the side.

<기화기의 제3 실시예><Third Embodiment of Vaporizer>

도 4는 일 실시예에 따른 기화기의 또 다른 일례를 개략적으로 도식화하여 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically illustrating another example of a vaporizer according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 기화기(100)는 제1 유입부(110), 분무 노즐(120), 열 차단 수단(130), 제1 히터(140), 배출부(150), 제2 유입부(160), 제2 히터(미도시), 유량 제어기(미도시), 제1 디퓨저(170) 및 제2 디퓨저(180)를 포함할 수 있다.4, the vaporizer 100 according to an embodiment includes a first inlet 110, a spray nozzle 120, a heat blocking means 130, a first heater 140, an outlet 150, It may include a second inlet 160, a second heater (not shown), a flow controller (not shown), a first diffuser 170, and a second diffuser 180.

여기서, 도 4에 도시된 제1 유입부(110), 분무 노즐(120), 열 차단 수단(130), 제1 히터(140), 배출부(150), 제2 유입부(160), 제2 히터(미도시), 유량 제어기(미도시) 및 제1 디퓨저(170)는 도 1 내지 도 3에 도시된 해당 구성과 동일하므로 그에 대한 설명은 생략하지만 본 실시예에서도 동일 또는 유사하게 적용됨음 물론이다.Here, the first inlet 110, the spray nozzle 120, the heat blocking means 130, the first heater 140, the outlet 150, the second inlet 160, the first inlet 110 shown in FIG. 2 The heater (not shown), the flow controller (not shown) and the first diffuser 170 are the same as those shown in FIGS. 1 to 3, so a description thereof is omitted, but the same or similar application is applied in this embodiment. Of course.

다만, 도 1 내지 도 3의 제1 히터(140)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)을 둘러쌓고 있는 내벽에 배치되었지만, 본 실시예의 제1 히터(140)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 측부에 해당하는 위치에 이후에 설명할 제2 디퓨저(180)가 배치될 때, 상기 제2 디퓨저(180)를 둘러싸도록 상기 측부에 배치되는 것이 도 1 내지 도 3의 제1 히터(140)와 차이가 있다고 할 수 있다.However, although the first heater 140 of FIGS. 1 to 3 is disposed on the inner wall surrounding the vaporization space S of the body 100A, the first heater 140 of this embodiment vaporizes the body 100A. When the second diffuser 180 to be described later is disposed at a position corresponding to the side of the space S, the first diffuser 180 of FIGS. 1 to 3 is disposed on the side so as to surround the second diffuser 180. It can be said that there is a difference from the heater 140.

그러나, 제1 히터(140)는 제2 디퓨저(180)를 둘러싸도록 배치되는 것에 한정되지 않으며, 제2 디퓨저(180)의 내측에 배치될 수도 있는 등 다양한 위치에서 배치가 가능할 수 있다.However, the first heater 140 is not limited to being disposed to surround the second diffuser 180, and may be disposed in various positions such as being disposed inside the second diffuser 180.

일 실시예에서, 제2 디퓨저(180)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)이 배치된 측부, 예컨대 몸체(100A)의 기화 공간(S)을 둘러싸도록 배치되되, 제1 디퓨저(170) 및/또는 제2 유입부(160)와 연통될 수 있다.In one embodiment, the second diffuser 180 is disposed on the side where the vaporization space S of the body 100A is disposed, for example, it is disposed to surround the vaporization space S of the body 100A, and the first diffuser 170 And / or may be in communication with the second inlet (160).

이러한 제2 디퓨저(180)는 전술한 제1 디퓨저(170) 처럼 다공성 구조를 가지며, 제1 디퓨저(170) 및/또는 제2 유입부(160)를 통해 유입된 기화 보조 가스를 기화기(100) 기화 공간(S)으로 균일하게 더 확산시키는 역할을 할 수 있다.The second diffuser 180 has a porous structure like the first diffuser 170 described above, and converts the vaporization assist gas introduced through the first diffuser 170 and/or the second inlet 160 into the vaporizer 100. It may play a role of more uniformly diffusing into the vaporization space (S).

이와 같이, 기화기(100)의 하부에 배치된 제1 디퓨저(170) 및 기화기(100)의 측부에 배치된 제2 디퓨저(180)로 인해, 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 머물고 있는 소스 물질의 기화를 더욱 촉진시킬 수 있다.In this way, due to the first diffuser 170 disposed below the vaporizer 100 and the second diffuser 180 disposed on the side of the vaporizer 100, the body 100A staying in the vaporization space S Vaporization of the source material may be further promoted.

이런 경우, 일 실시예에 따른 배출부(150)는 몸체(100A)의 기화 공간(S)에서 기화된 소스 물질과 함께 제1 디퓨저(170) 및 제2 디퓨저(180)에 의해 몸체(100A)의 기화 공간(S)에 존재하는 기화 보조 가스를 외부, 예컨대 공정 챔버(미도시)측으로 더 배출시킬 수 있다.In this case, the discharge unit 150 according to an embodiment is the body 100A by the first diffuser 170 and the second diffuser 180 together with the source material vaporized in the vaporization space S of the body 100A. Vaporization assist gas present in the vaporization space S of may be further discharged to the outside, for example, to a process chamber (not shown).

한편, 전술한 도 1 내지 도 4의 기화기에 개시된 열 차단 수단(130)은 온도 유지 수단(190)으로 대체될 수 있다.On the other hand, the heat blocking means 130 disclosed in the vaporizer of FIGS. 1 to 4 described above may be replaced with a temperature maintaining means 190.

즉, 온도 유지 수단(190)은 분무 노즐(120)과 몸체(100A)간의 소정의 온도차(ΔT)를 발생시키는 도 1 내지 도 4의 열 차단 수단(130)과는 달리, 분무 노즐(120)의 내부 온도를 저온으로 유지시키고, 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 내부 온도를 고온으로 유지시킬 수 있다.That is, the temperature maintaining means 190, unlike the heat blocking means 130 of FIGS. 1 to 4 generating a predetermined temperature difference (ΔT) between the spray nozzle 120 and the body 100A, the spray nozzle 120 It is possible to maintain the internal temperature of the low temperature and maintain the internal temperature of the vaporization space (S) of the body (100A) at a high temperature.

예를 들면, 온도 유지 수단(190)은 소스 물질의 분사 또는 기화시 20℃ 내지 50℃의 범위에서 분무 노즐(120)의 내부 온도를 저온(상온)으로 유지시키고, 150℃ 내지 250℃의 범위에서 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 내부 온도를 고온으로 유지시킬 수 있다.For example, the temperature maintaining means 190 maintains the internal temperature of the spray nozzle 120 at a low temperature (room temperature) in the range of 20 ° C to 50 ° C during spraying or vaporization of the source material, and in the range of 150 ° C to 250 ° C It is possible to maintain the internal temperature of the vaporization space (S) of the body (100A) at a high temperature.

다시 말해, 일 실시예에 따른 온도 유지 수단(190)은 분무 노즐(120)과 몸체(100A)의 기화 공간(S) 사이를 소정의 온도차를 발생시키는 것이 아닌, 분무 노즐(120)과 몸체(100A)의 기화 공간(S)의 내부 온도를 전술한 바와 같이 정해진 온도로 각기 다르게 유지시켜주는데 그 목적이 있다고 할 수 있다.In other words, the temperature maintaining means 190 according to an embodiment does not generate a predetermined temperature difference between the vaporization space (S) of the spray nozzle 120 and the body 100A, the spray nozzle 120 and the body ( It can be said that the purpose is to maintain the internal temperature of the vaporization space (S) of 100A) differently at a predetermined temperature as described above.

이런 온도 유지를 통해, 본 실시예에서는 기화 효율을 기존에 비해 더욱 높일 수 있었다.Through this temperature maintenance, in this embodiment, the vaporization efficiency could be further increased compared to the prior art.

이상에서 개시된 실시예들은 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.Although only a few of the embodiments disclosed above have been described as described above, various other forms of implementation are possible. The technical contents of the above-described embodiments may be combined in various forms unless they are incompatible with each other, and through this, may be implemented in a new embodiment.

아울러, 이상에서 개시된 실시예들은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.In addition, it is obvious to those skilled in the art that the embodiments disclosed above may be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential characteristics of the present invention.

따라서, 전술한 실시예들은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 실시예의 범위에 포함된다.Accordingly, the foregoing embodiments should not be construed as restrictive in all respects and should be considered as illustrative. The scope of this embodiment should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of this embodiment are included in the scope of this embodiment.

100 : 기화기
110 : 제1 유입부
120 : 분무 노즐
121 : 분사 노즐
130 : 열 차단 수단
131 : 분사홀
140 : 제1 히터
150 : 배출부
160 : 제2 유입부
170 : 제1 디퓨저
180 : 제2 디퓨저
190 : 온도 유지 수단
100: vaporizer
110: first inlet
120: atomizing nozzle
121: injection nozzle
130: heat blocking means
131: injection hole
140: first heater
150: discharge unit
160: second inlet
170: first diffuser
180: second diffuser
190: temperature maintenance means

Claims (12)

소스 물질을 이하의 기화 공간으로 분사시키는 분무 노즐;
상기 분무 노즐과 연통되어, 상기 분사된 소스 물질을 기화시키는 기화 공간을 가지는 몸체;
일부분이 상기 기화 공간에 노출되도록 상기 분무 노즐과 상기 몸체의 상기 기화 공간 사이에 배치되어 상기 소스 물질의 분사 통로인 적어도 하나의 분사홀을 포함하여 상기 분무 노즐과 상기 기화 공간간의 소정의 온도차(ΔT)를 발생시키는 열 차단 수단;
상기 기화 공간의 하부에 배치되어, 기화 보조 가스를 유입하는 제2 유입부; 및
상기 제2 유입부를 통해 유입된 기화 보조 가스를 상기 기화 공간으로 확산시키는 제1 디퓨저(diffuser)를 포함하는 기화기.
A spray nozzle for injecting the source material into the vaporization space below;
a body communicating with the spray nozzle and having a vaporization space for vaporizing the injected source material;
A predetermined temperature difference (ΔT) between the spray nozzle and the vaporization space, including at least one spray hole disposed between the spray nozzle and the vaporization space of the body so that a portion thereof is exposed to the vaporization space and is a spray passage of the source material. ) heat blocking means for generating;
a second inlet disposed below the vaporization space and introducing a vaporization auxiliary gas; and
A vaporizer comprising a first diffuser for diffusing the vaporization assist gas introduced through the second inlet into the vaporization space.
제1항에 있어서,
상기 열 차단 수단은, 플라스틱 계열의 물질로 제작되는, 기화기.
According to claim 1,
The heat blocking means is made of a plastic-based material, the vaporizer.
제1항에 있어서,
상기 열 차단 수단은, 5 내지 50mm의 두께를 갖는, 기화기.
According to claim 1,
The heat blocking means has a thickness of 5 to 50 mm, the vaporizer.
제1항에 있어서,
상기 소정의 온도차(ΔT)는, 100℃ 내지 200℃의 범위를 갖는, 기화기.
According to claim 1,
The predetermined temperature difference (ΔT) has a range of 100 ° C to 200 ° C, the vaporizer.
제4항에 있어서,
상기 분무 노즐의 온도는,
상기 ΔT의 범위 안에서 20℃ 내지 50℃의 저온(상온)으로 유지되고,
상기 기화 공간의 온도는,
상기 ΔT의 범위 안에서 150℃ 내지 250℃의 고온으로 유지되는, 기화기.
According to claim 4,
The temperature of the spray nozzle is
Maintained at a low temperature (room temperature) of 20 ° C to 50 ° C within the range of ΔT,
The temperature of the vaporization space,
A vaporizer maintained at a high temperature of 150 ° C to 250 ° C within the range of ΔT.
소스 물질을 이하의 기화 공간으로 분사시키는 분무 노즐;
상기 분무 노즐과 연통되어, 상기 소스 물질을 기화시키는 기화 공간을 가지는 몸체;
일부분이 상기 기화 공간에 노출되도록 상기 분무 노즐과 상기 몸체의 상기 기화 공간 사이에 배치되어 상기 소스 물질의 분사 통로인 적어도 하나의 분사홀을 포함하여 상기 분무 노즐의 내부 온도를 저온으로 유지시키고, 상기 기화 공간의 내부 온도를 고온으로 유지시키는 온도 유지 수단;
상기 기화 공간의 하부에 배치되어, 기화 보조 가스를 유입하는 제2 유입부; 및
상기 제2 유입부를 통해 유입된 기화 보조 가스를 상기 기화 공간으로 확산시키는 제1 디퓨저(diffuser)를 포함하는 기화기.
A spray nozzle for injecting the source material into the vaporization space below;
a body communicating with the spray nozzle and having a vaporization space for vaporizing the source material;
Maintaining the internal temperature of the spray nozzle at a low temperature, including at least one spray hole disposed between the spray nozzle and the vaporization space of the body so that a portion is exposed to the vaporization space and is a spray passage of the source material; temperature maintaining means for maintaining the internal temperature of the vaporization space at a high temperature;
a second inlet disposed below the vaporization space and introducing a vaporization auxiliary gas; and
A vaporizer comprising a first diffuser for diffusing the vaporization assist gas introduced through the second inlet into the vaporization space.
제6항에 있어서,
상기 온도 유지 수단은,
20℃ 내지 50℃의 범위에서 상기 저온으로 유지시키고, 150℃ 내지 250℃의 범위에서 상기 고온으로 유지시키는 기화기.
According to claim 6,
The temperature maintaining means,
A vaporizer that maintains the low temperature in the range of 20 ° C to 50 ° C and maintains the high temperature in the range of 150 ° C to 250 ° C.
제6항에 있어서,
상기 온도 유지 수단은,
플라스틱 계열의 물질로 제작되며, 5 내지 50mm의 두께를 갖는, 기화기.
According to claim 6,
The temperature maintaining means,
A vaporizer made of a plastic-based material and having a thickness of 5 to 50 mm.
제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 몸체는,
상기 기화 공간을 둘러쌓고 있는 내벽에 배치되어, 상기 기화 공간에 유입된 상기 분사된 소스 물질을 가열하여 기화시키는 제1 히터; 및
상기 분사된 소스 물질이 상기 기화 공간에서 상기 제1 히터에 의해 기화될 때, 상기 기화된 소스 물질을 배출시키는 배출부를 더 포함하는, 기화기.
According to claim 1 or 6,
the body,
a first heater disposed on an inner wall surrounding the vaporization space to heat and vaporize the injected source material introduced into the vaporization space; and
When the injected source material is vaporized by the first heater in the vaporization space, the vaporizer further comprises a discharge unit for discharging the vaporized source material.
제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 소스 물질과 함께 상기 소스 물질의 확산을 촉진시키는 캐리어 가스를 상기 분무 노즐로 공급하는, 제1 유입부를 더 포함하는, 기화기.
According to claim 1 or 6,
The vaporizer further comprises a first inlet for supplying a carrier gas that promotes diffusion of the source material together with the source material to the spray nozzle.
제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 디퓨저는 다공성 구조인 기화기.
According to claim 1 or 6,
The first diffuser is a vaporizer having a porous structure.
제1항 또는 제6항에 있어서,
일단이 상기 제1 디퓨저와 연통됨과 동시에 상기 기화 공간의 측부에 배치되어, 상기 측부에서 상기 기화 보조 가스를 상기 기화 공간으로 더 확산시키는 제2 디퓨저를 포함하는 기화기.
According to claim 1 or 6,
A vaporizer comprising a second diffuser having one end communicating with the first diffuser and disposed at a side of the vaporization space to further diffuse the vaporization assist gas into the vaporization space at the side.
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