KR20190022391A - Resin composition - Google Patents

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Abstract

Provided is a resin composition which has a low dielectric constant, inhibits degradation of adhesiveness to a conductor layer due to a HAST test, and is capable of obtaining an insulating layer having a high glass transition temperature. The resin composition comprises: (A) an epoxy resin; (B) a carbodiimide compound; and (C) filler, wherein a component (C) comprises (C-1) fluorine-based filler and the amount of the component (C) is 30-80 mass%, relative to 100 mass% of a non-volatile component in the resin composition.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물, 시트상 적층 재료, 회로 기판 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a sheet-like laminated material, a circuit board and a semiconductor device.

회로 기판의 제조 기술로서는, 내층 기판에 절연층과 도체층을 교대로 포개어 쌓는 빌드업 방식에 의한 제조방법이 알려져 있다. 절연층은 일반적으로, 수지 조성물을 포함하는 수지 바니시의 도막으로서 수지 조성물층을 수득하여, 이 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성된다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 경화제와, 불소 수지 필러를 포함하는 수지 조성물로서, 이러한 불소 수지 필러의 함유량이 상기 수지 조성물의 고형분에 대하여, 50질량% 내지 85질량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물이 기재되어 있다.BACKGROUND ART [0002] As a manufacturing technique of a circuit board, a manufacturing method by a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately stacked on an inner layer substrate is known. The insulating layer is generally formed by obtaining a resin composition layer as a coating film of a resin varnish containing a resin composition and curing the resin composition layer. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent and a fluorine resin filler, wherein the content of the fluorine resin filler is 50 mass% to 85 mass% with respect to the solid content of the resin composition And the resin composition is characterized.

일본 공개특허공보 특개2016-166347호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-166347

절연층을 형성하기 위한 수지 조성물은 높은 절연 성능을 달성하는 관점에서, 일반적으로, 열경화성 수지를 많이 포함한다. 이러한 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지 및 이의 경화제를 사용하는 것이 일반적이었다. 또한, 충전재로서 무기 충전재를 사용하여 수지 조성물의 경화물의 열팽창율을 낮게 하는 것도 알려져 있다. 이에 대하여, 본 발명자는 유전율이 낮은 절연층을 개발하기 위해, 충전재로서 불소계 충전재를 사용하는 것을 검토하였다.The resin composition for forming the insulating layer generally contains a large amount of thermosetting resin from the viewpoint of achieving high insulation performance. As such a thermosetting resin, an epoxy resin and its curing agent were generally used. It is also known to use an inorganic filler as a filler to lower the thermal expansion rate of the cured product of the resin composition. On the other hand, the present inventors have studied using a fluorine-based filler as a filler in order to develop an insulating layer having a low dielectric constant.

그런데, 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물에 의해 형성되는 절연층은, 이의 절연층 위에 형성된 도전층에 대한 밀착성이 초가속 고온고습 수명 시험(HAST 시험)에 의해 저하되기 쉬웠다. 장기간에 걸친 절연 신뢰성을 높이기 위해서는, 이러한 HAST 시험에 의한 밀착성의 저하는 억제하는 것이 요망된다.However, the insulating layer formed by the cured product of the resin composition containing the fluorine-based filler tends to be deteriorated by the super-accelerated high-temperature high-humidity life test (HAST test) to the conductive layer formed on the insulating layer. In order to increase the insulation reliability over a long period of time, it is desired to suppress the deterioration of the adhesiveness by the HAST test.

또한, 절연층의 내열성을 향상시키는 관점에서는, 절연층을 형성하는 재료에는 높은 유리 전이 온도가 요구된다. 그러나, 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물은 유리 전이 온도를 높이는 것이 어려웠다.From the viewpoint of improving the heat resistance of the insulating layer, a material for forming the insulating layer is required to have a high glass transition temperature. However, it has been difficult to increase the glass transition temperature of the cured product of the resin composition containing the fluorine-based filler.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 유전율이 낮고, 도체층에 대한 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 억제할 수 있고, 또한 유리 전이 온도가 높은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료; 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a resin composition capable of suppressing deterioration of adhesiveness to a conductor layer due to HAST test and having a low dielectric constant, A sheet-like laminate material comprising the resin composition; And a circuit board and a semiconductor device including an insulating layer made of a cured product of the resin composition.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 카르보디이미드 화합물, 및 (C-1) 불소계 충전재를 포함하는 소정량의 (C) 충전재를 조합함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.The inventors of the present invention have made intensive studies to solve the above problems and found that by combining a predetermined amount of (C) filler containing an epoxy resin, (B) a carbodiimide compound, and (C-1) And found that the above problems can be solved, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 것을 포함한다.That is, the present invention includes the following.

[1] (A) 에폭시 수지, (B) 카르보디이미드 화합물, 및 (C) 충전재를 포함하는 수지 조성물로서,[1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a carbodiimide compound, and (C) a filler,

(C) 성분이 (C-1) 불소계 충전재를 포함하고,(C) comprises (C-1) a fluorine-based filler,

(C) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 30질량% 내지 80질량%인, 수지 조성물.Wherein the amount of the component (C) is 30% by mass to 80% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.

[2] (C-1) 성분이 불소계 중합체 입자인, [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the component (C-1) is a fluorine-based polymer particle.

[3] (C-1) 성분이 폴리테트라플루오로에틸렌 입자인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the component (C-1) is a polytetrafluoroethylene particle.

[4] (B) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 0.5질량% 내지 15질량%인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the amount of the component (B) is 0.5% by mass to 15% by mass based on 100% by mass of the resin component in the resin composition.

[5] (C) 성분이 (C-2) 무기 충전재를 포함하고,[5] The composition according to [1], wherein the component (C) comprises an inorganic filler (C-2)

(C-2) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 5질량% 이상 70질량% 이하인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the amount of the component (C-2) is 5 mass% or more and 70 mass% or less based on 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition.

[6] (C-1) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 5질량% 이상 80질량% 이하인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the amount of the component (C-1) is 5 mass% or more and 80 mass% or less based on 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition.

[7] (A) 성분이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 에폭시 수지인, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the component (A) is selected from the group consisting of a bisphenol A epoxy resin, a biquileneol epoxy resin, a biphenylaralkyl epoxy resin, a naphthylene ether epoxy resin, a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and a naphthol epoxy resin The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the epoxy resin is at least one selected from epoxy resins.

[8] (C-1) 성분의 평균 입자 직경이 0.05㎛ 이상 10㎛ 이하인, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the component (C-1) has an average particle diameter of 0.05 μm or more and 10 μm or less.

[9] 활성 에스테르계 경화제를 포함하는, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], which contains an active ester-based curing agent.

[10] 회로 기판의 절연층 형성용인, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[10] The resin composition according to any one of [1] to [9], which is used for forming an insulating layer of a circuit board.

[11] [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 시트상 적층 재료.[11] A sheet-like laminated material comprising the resin composition according to any one of [1] to [10].

[12] [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는, 회로 기판.[12] A circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [10].

[13] [12]에 기재된 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.[13] A semiconductor device comprising a circuit board according to [12].

본 발명에 의하면, 유전율이 낮고, 도체층에 대한 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 억제할 수 있고, 또한 유리 전이 온도가 높은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료; 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a resin composition which is low in dielectric constant, capable of suppressing a decrease in adhesiveness to a conductor layer due to the HAST test, and capable of obtaining an insulating layer having a high glass transition temperature; A sheet-like laminate material comprising the resin composition; A circuit board and a semiconductor device including the insulating layer made of the cured product of the resin composition can be provided.

이하, 실시형태 및 예시물을 개시하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 이하에 개시하는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구의 범위 및 이의 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples described below, and can be arbitrarily changed without departing from the scope of the claims of the present invention and its equivalent scope.

이하의 설명에서, 수지 조성물 중의 각 성분의 양은 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 값이다.In the following description, the amount of each component in the resin composition is a value relative to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition, unless otherwise specified.

이하의 설명에서, 수지 조성물의 「수지 성분」이란, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중, (C) 충전재를 제외한 성분을 말한다.In the following description, the "resin component" of the resin composition refers to a component other than the filler (C) among the nonvolatile components contained in the resin composition.

이하의 설명에서, 용어 「유전율」이란, 별도 명시가 없는 한, 비유전율인 것을 나타낸다.In the following description, the term " permittivity " means a dielectric constant unless otherwise specified.

[1. 수지 조성물의 개요][One. Outline of resin composition]

본 발명의 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 카르보디이미드 화합물, 및 (C) 충전재를 포함한다. (C) 충전재는 (C-1) 불소계 충전재를 포함한다. 그리고, 이 수지 조성물에 있어서, (C) 충전재의 양은 소정의 범위에 있다.The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) a carbodiimide compound, and (C) a filler. (C) The filler includes (C-1) a fluorine-based filler. In this resin composition, the amount of the filler (C) is in a predetermined range.

이러한 수지 조성물의 경화물은 유전율을 낮게 할 수 있고, 또한 유리 전이 온도를 높게 할 수 있다. 또한, 이 수지 조성물의 경화물의 층은 도체층에 대한 밀착성의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물을 사용함으로써, 유전율이 낮고, 도체층에 대한 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 억제할 수 있고, 또한 유리 전이 온도가 높은 절연층을 실현할 수 있다는, 본 발명이 원하는 효과를 얻을 수 있다.The cured product of such a resin composition can lower the dielectric constant and can increase the glass transition temperature. Further, the layer of the cured product of the resin composition can suppress the deterioration of the adhesion to the conductor layer. Therefore, by using the resin composition of the present invention, it is possible to realize an insulating layer having a low dielectric constant, suppressing a decrease in adhesiveness to a conductor layer due to the HAST test, and having a high glass transition temperature. Can be obtained.

[2. (A) 에폭시 수지][2. (A) epoxy resin]

(A) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the epoxy resin as the component (A) include epoxy resins such as a bicyclanol type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin , Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type Epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, A resin, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a naphthylene ether Epoxy resins, there may be mentioned trimethyl olhyeong epoxy resin, tetraphenyl ethane epoxy resin. The epoxy resin may be used singly or in combination of two or more kinds.

(A) 에폭시 수지로서는, 절연층의 평균 선 열팽창율을 저하시키는 관점에서, 방향족계 에폭시 수지가 바람직하다. 여기서, 방향족계 에폭시 수지란, 이의 분자가 방향족 골격을 함유하는 에폭시 수지를 말한다. 또한, 방향족 골격이란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이고, 벤젠환 등의 단환 구조뿐만 아니라, 나프탈렌환 등의 다환 방향족 구조 및 방향족 복소환 구조도 포함한다. 그 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.As the epoxy resin (A), an aromatic epoxy resin is preferable from the viewpoint of lowering the average linear thermal expansion coefficient of the insulating layer. Here, the aromatic epoxy resin means an epoxy resin whose molecule contains an aromatic skeleton. The aromatic skeleton is a chemical structure generally defined as an aromatic group, and includes not only a monocyclic structure such as a benzene ring, but also a polycyclic aromatic structure such as a naphthalene ring and an aromatic heterocyclic structure. Among them, the epoxy resin (A) is preferably a bisphenol A type epoxy resin, a beacilene type epoxy resin, a biphenyl aralkyl type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin A tetrafunctional epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin and a naphthol-type epoxy resin, and a bisphenol A-type epoxy resin, a biquilene-type epoxy resin and a naphthol-type epoxy resin are particularly preferable.

수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.The resin composition preferably contains, as the epoxy resin (A), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. The ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to the nonvolatile component (A) of the nonvolatile component (A) of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, More preferably not less than 60% by mass, particularly preferably not less than 70% by mass.

에폭시 수지로는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋지만, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용함으로써 수지 조성물층의 가요성을 향상시키거나, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 향상시킬 수 있다.As the epoxy resin, an epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as " liquid epoxy resin ") at a temperature of 20 캜 and an epoxy resin (sometimes referred to as a " solid epoxy resin " have. The resin composition (A) may contain only liquid epoxy resin as the epoxy resin, and may contain only solid epoxy resin, but it is preferable to include a combination of liquid epoxy resin and solid epoxy resin. (A) By using a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as the epoxy resin, it is possible to improve the flexibility of the resin composition layer or to improve the fracture strength of the cured product of the resin composition.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane-type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol-type epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a glycidylamine type epoxy resin , A bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin and a naphthalene type epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Specific examples of the liquid epoxy resin include " HP4032 ", " HP4032D ", " HP4032SS " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "jER828US", "jER828EL", "825", "Epikote 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "JER807" and "1750" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER152 " (phenol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; 630 ", " 630LSD " (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; ZX1059 " (a mixture of a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; EX-721 " (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation; &Quot; Celloxide 2021P " (an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by Daicel Company; &Quot; PB-3600 " (epoxy resin having a butadiene structure) manufactured by Daicel Company; ZX1658 " and " ZX1658GS " (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the solid epoxy resin include epoxy resins such as bicalcylenol type epoxy resins, biphenylaralkyl type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, A bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin and a tetraphenyl ethane type epoxy resin are preferable, and a biscylenol type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, an anthracene type epoxy resin, Epoxy resin, biphenylaralkyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and naphthol type epoxy resin are more preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐아르알킬형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카가스케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Specific examples of the solid epoxy resin include " HP4032H " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-4700 ", " HP-4710 " (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-7200 " (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S ", and" HP6000 "(manufactured by DIC Corporation," HP-7200HH "," HP-7200H "," EXA-7311 " Naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; NC7000L " (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Quot; NC3000H ", " NC3000 ", " NC3000L ", and " NC3100 " (biphenylaralkyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; &Quot; ESN475V " (naphthol type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; ESN485 " (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; YX4000H ", " YX4000 ", and " YL6121 " (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YX4000HK " (biquileneol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX8800" (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; PG-100 ", " CG-500 " (Bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; &Quot; YL7760 " (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YL7800 " (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER1010 " (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; Quot; jER1031S " (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. These may be used singly or in combination of two or more.

(A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용할 경우, 이들의 질량비(액상 에폭시 수지 : 고체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:15, 보다 바람직하게는 1:0.5 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:1 내지 1:8이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 질량비가 상기 범위에 있음으로써, 접착 필름의 형태로 사용할 경우에 바람직한 점착성을 얻을 수 있다. 또한, 접착 필름의 형태로 사용할 경우에, 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 효과적으로 높일 수 있다.(A) When the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the mass ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1: 0.1 to 1:15, more preferably 1 : 0.5 to 1:10, particularly preferably 1: 1 to 1: 8. When the mass ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is in the above range, the desirable tackiness can be obtained when used in the form of an adhesive film. Further, when used in the form of an adhesive film, sufficient flexibility can be obtained and handling properties can be improved. Further, the breaking strength of the cured product of the resin composition can be effectively increased.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 특히 바람직하게는 110 내지 1000이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시 당량이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이고, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. When the epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is in the above range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. The epoxy equivalent is a mass of a resin containing one equivalent of an epoxy group and can be measured according to JIS K7236.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000이고, 보다 바람직하게는 250 내지 3000이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 에폭시 수지 등의 수지의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight-average molecular weight of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention. The weight average molecular weight of a resin such as an epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물에서의 (A) 에폭시 수지의 양은 양호한 기계 강도 및 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 8질량% 이상, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 미만, 보다 바람직하게는 69질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다.The amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more, based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability Is not less than 8 mass%, particularly preferably not less than 10 mass%, preferably not more than 70 mass%, more preferably not more than 69 mass%, further preferably not more than 60 mass%, particularly preferably not more than 50 mass% to be.

[3. (B) 카르보디이미드 화합물][3. (B) carbodiimide compound]

(B) 성분으로서의 카르보디이미드 화합물은 1분자 중에 카르보디이미드기(-N=C=N-)를 1개 이상 갖는 화합물이다. 이러한 (B) 카르보디이미드 화합물을 (A) 에폭시 수지 및 (C) 충전재와 조합하여 사용함으로써, 유전율이 낮고, 도체층에 대한 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 억제할 수 있고, 또한 유리 전이 온도가 높은 절연층을 수득할 수 있다. (B) 카르보디이미드 화합물로서는 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 1분자 중에 카르보디이미드기를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 또한, 카르보디이미드 화합물은 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The carbodiimide compound as the component (B) is a compound having at least one carbodiimide group (-N═C═N-) in one molecule. By using such a carbodiimide compound (A) in combination with the epoxy resin (A) and the filler (C), it is possible to suppress the lowering of the dielectric constant and the adhesiveness to the conductor layer due to the HAST test, A high insulating layer can be obtained. As the (B) carbodiimide compound, a compound having two or more carbodiimide groups in one molecule is preferable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. The carbodiimide compound may be used singly or in combination of two or more.

그 중에서도, (B) 카르보디이미드 화합물로서는 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 함유하는 것이 바람직하다.Among them, the (B) carbodiimide compound preferably contains a structural unit represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(상기 화학식 1에 있어서, X는 알킬렌기, 사이클로알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타내고, 이들은 치환기를 갖고 있어도 좋다. p는 1 내지 5의 정수를 나타낸다. X가 복수 존재할 경우, 이들은 동일하여도 상이하여도 좋다. 또한, *은 결합손을 나타낸다.)(Wherein X represents an alkylene group, a cycloalkylene group or an arylene group, which may have a substituent, and p represents an integer of 1 to 5. When a plurality of Xs exist, they may be the same or different Also, * indicates a binding hand.)

X로 표시되는 알킬렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 그 중에서도 바람직하게는 1 내지 4, 특히 바람직하게는 1 내지 3이다. 상기 탄소 원자수에 치환기의 탄소 원자수는 포함되지 않는다. 상기 알킬렌기의 적합한 예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkylene group represented by X is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 6, still more preferably 1 to 4, 3. The number of carbon atoms of the substituent group is not included in the number of carbon atoms. Suitable examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group and a butylene group.

X로 표시되는 사이클로알킬렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 3 내지 20, 보다 바람직하게는 3 내지 12, 더욱 바람직하게는 3 내지 6이다. 상기 탄소 원자수에 치환기의 탄소 원자수는 포함되지 않는다. 상기 사이클로알킬렌기의 적합한 예로서는, 사이클로프로필렌기, 사이클로부틸렌기, 사이클로펜틸렌기, 사이클로헥실렌기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the cycloalkylene group represented by X is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12, still more preferably 3 to 6. The number of carbon atoms of the substituent group is not included in the number of carbon atoms. Suitable examples of the cycloalkylene group include a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group and a cyclohexylene group.

X로 표시되는 아릴렌기는, 방향족 탄화수소에서 방향환 위의 수소 원자를 2개 제외한 구조를 갖는 기이다. 상기 아릴렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 특히 바람직하게는 6 내지 10이다. 상기 탄소 원자수에 치환기의 탄소 원자수는 포함되지 않는다. 상기 아릴렌기의 적합한 예로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기를 들 수 있다.The arylene group represented by X is a group having a structure in which two hydrogen atoms on aromatic rings in the aromatic hydrocarbon are excluded. The number of carbon atoms of the arylene group is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, particularly preferably 6 to 10. The number of carbon atoms of the substituent group is not included in the number of carbon atoms. Suitable examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group and an anthracenylene group.

알킬렌기, 사이클로알킬렌기 및 아릴렌기 중에서도, X로서는 알킬렌기 및 사이클로알킬렌기가 바람직하다. 알킬렌기 또는 사이클로알킬렌기를 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한, 통상, 절연층의 파단점 신도, 표면 조도 및 필 강도를 양호하게 할 수 있다.Of the alkylene group, cycloalkylene group and arylene group, X is preferably an alkylene group or a cycloalkylene group. By using an alkylene group or a cycloalkylene group, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Generally, the breaking point elongation, surface roughness and fill strength of the insulating layer can be improved.

X로 표시되는 알킬렌기, 사이클로알킬렌기 및 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 사이클로알킬기, 사이클로알킬옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아실기 및 아실옥시기를 들 수 있다.The alkylene group, cycloalkylene group and aryl group represented by X may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an acyl group and an acyloxy group.

치환기로서의 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

치환기로서의 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 및 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 또한, 치환기로서의 알킬기 및 알콕시기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 그 중에서도 바람직하게는 1 내지 4, 특히 바람직하게는 1 내지 3이다.The alkyl group and the alkoxy group as a substituent may be either linear or branched. The number of carbon atoms of the alkyl group and the alkoxy group as a substituent is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 6, still more preferably 1 to 4, 1 to 3.

치환기로서의 사이클로알킬기 및 사이클로알킬옥시기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 3 내지 20, 보다 바람직하게는 3 내지 12, 더욱 바람직하게는 3 내지 6이다.The number of carbon atoms of the cycloalkyl group and cycloalkyloxy group as a substituent is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12, still more preferably 3 to 6.

치환기로서의 아릴기는, 방향족 탄화수소에서 방향환 위의 수소 원자를 1개 제외한 구조를 갖는 기이다. 이러한 아릴기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 특히 바람직하게는 6 내지 10이다.The aryl group as a substituent is a group having a structure in which one hydrogen atom on an aromatic ring is excluded from an aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms of the aryl group is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, particularly preferably 6 to 10.

치환기로서의 아릴옥시기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 특히 바람직하게는 6 내지 10이다.The number of carbon atoms of the aryloxy group as a substituent is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, particularly preferably 6 to 10.

치환기로서의 아실기는 화학식 2: -C(=O)-R1로 표시되는 기를 말한다. 이 화학식 2에 있어서, R1은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. R1로 표시되는 알킬기는 직쇄상, 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 또한, R1의 탄소 원자수는, 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 그 중에서도 바람직하게는 1 내지 4, 특히 바람직하게는 1 내지 3이다. R1로 표시되는 아릴기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 특히 바람직하게는 6 내지 10이다.The acyl group as a substituent means a group represented by the formula (2) -C (= O) -R 1 . In the general formula (2), R 1 represents an alkyl group or an aryl group. The alkyl group represented by R 1 may be either linear or branched. The number of carbon atoms of R 1 is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 10, still more preferably from 1 to 6, still more preferably from 1 to 4, still more preferably from 1 to 3 . The number of carbon atoms of the aryl group represented by R 1 is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, particularly preferably 6 to 10.

치환기로서의 아실옥시기는 화학식 3: -O-C(=O)-R1로 표시되는 기를 말한다. 여기서, R1의 의미는 화학식 2에서의 R1의 의미와 같다.The acyloxy group as a substituent means a group represented by the formula: -OC (= O) -R < 1 >. Here, the meaning of R 1 is the same as the meaning of R 1 in formula (2).

그 중에서도, X로 표시되는 알킬렌기, 사이클로알킬렌기 및 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 알킬기, 알콕시기, 및 아실옥시기가 바람직하고, 알킬기가 보다 바람직하다.Among them, as the substituent which the alkylene group, cycloalkylene group and aryl group represented by X may have, an alkyl group, an alkoxy group and an acyloxy group are preferable, and an alkyl group is more preferable.

화학식 1에 있어서, p는 1 내지 5의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, p는, 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 4 이하, 보다 바람직하게는 3 이하이다. p가 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한, 통상, 절연층의 파단점 신도, 표면 조도 및 필 강도를 양호하게 할 수 있다.In the general formula (1), p represents an integer of 1 to 5. Among them, p is preferably 2 or more, preferably 4 or less, and more preferably 3 or less. When p is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably. Generally, the breaking point elongation, surface roughness and fill strength of the insulating layer can be improved.

화학식 1 중, X가 복수 존재할 경우, 이들은 동일하여도 상이하여도 좋다. 적합한 일 실시형태에 있어서, 적어도 1개의 X는 알킬렌기 또는 사이클로알킬렌기이고, 이들은 치환기를 갖고 있어도 좋다.When a plurality of X's in formula (1) are present, they may be the same or different. In a suitable embodiment, at least one X is an alkylene group or a cycloalkylene group, which may have a substituent.

(B) 카르보디이미드 화합물의 분자 전체의 질량 100질량%에 대하여, 화학식 1로 표시되는 구조 단위의 양은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 그 중에서도 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이다. 또한, (B) 카르보디이미드 화합물은 말단 구조를 제외하고, 실질적으로 화학식 1로 표시되는 구조 단위로 되어 있어도 좋다. (B) 카르보디이미드 화합물의 말단 구조로서는, 예를 들면, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기를 들 수 있고, 이들은 치환기를 갖고 있어도 좋다. 말단 구조로서 사용되는 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기는, 화학식 1에 있어서 X로 표시되는 기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서의 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기와 같아도 좋다. 또한, 말단 구조로서 사용되는 기가 갖고 있어도 좋은 치환기는, 화학식 1에 있어서 X로 표시되는 기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 같아도 좋다.The amount of the structural unit represented by the formula (1) is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, and even more preferably 70% by mass or more, relative to 100% by mass of the whole molecule of the carbodiimide compound (B) , More preferably not less than 80 mass%, particularly preferably not less than 90 mass%. The carbodiimide compound (B) may be a structural unit substantially represented by the general formula (1) except for the terminal structure. Examples of the terminal structure of the carbodiimide compound (B) include an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, and these may have a substituent. The alkyl group, cycloalkyl group or aryl group used as the terminal structure may be the same as the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group as the substituent which the group represented by X in the formula (1) may have. The substituent which may be contained in the group used as the terminal structure may be the same as the substituent which the group represented by X in the formula (1) may have.

수지 조성물을 경화할 때의 아웃 가스의 발생을 억제하는 관점에서, (B) 카르보디이미드 화합물의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 600 이상, 더욱 바람직하게는 700 이상, 더욱더 바람직하게는 800 이상, 그 중에서도 바람직하게는 900 이상, 특히 바람직하게는 1000 이상이다. 또한, 양호한 상용성을 얻는 관점에서, (B) 카르보디이미드 화합물의 중량 평균 분자량의 상한은, 바람직하게는 5000 이하, 보다 바람직하게는 4500 이하, 더욱 바람직하게는 4000 이하, 그 중에서도 바람직하게는 3500 이하, 특히 바람직하게는 3000 이하이다. (B) 카르보디이미드 화합물의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.From the viewpoint of suppressing generation of outgassing when the resin composition is cured, the weight average molecular weight of the carbodiimide compound (B) is preferably 500 or more, more preferably 600 or more, still more preferably 700 or more, Even more preferably 800 or more, particularly preferably 900 or more, particularly preferably 1000 or more. From the viewpoint of obtaining good compatibility, the upper limit of the weight average molecular weight of the carbodiimide compound (B) is preferably 5000 or less, more preferably 4500 or less, further preferably 4000 or less, 3500 or less, particularly preferably 3,000 or less. The weight average molecular weight of the carbodiimide compound (B) can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(B) 카르보디이미드 화합물은 이의 제법에 유래하여, 분자 중에 이소시아네이트기(-N=C=O)를 함유하는 경우가 있다. 양호한 보존 안정성을 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점, 및 소기의 특성을 나타내는 절연층을 실현하는 관점에서, (B) 카르보디이미드 화합물 중의 이소시아네이트기의 양(「NCO 함유량」이라고도 함)은, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하, 더욱더 바람직하게는 2질량% 이하, 그 중에서도 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.The carbodiimide compound (B) may originate from its production method and may contain an isocyanate group (-N = C = O) in the molecule. (B) the amount of isocyanate group (also referred to as " NCO content ") in the carbodiimide compound, from the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good storage stability and realizing an insulating layer exhibiting desired properties, Is preferably 5 mass% or less, more preferably 4 mass% or less, still more preferably 3 mass% or less, still more preferably 2 mass% or less, still more preferably 1 mass% Or less.

(B) 카르보디이미드 화합물은 시판품을 사용하여도 좋다. 시판의 카르보디이미드 화합물로서는, 예를 들면, 닛신보케미컬사 제조의 카르보디라이트(등록상표) V-02B, V-03, V-04K, V-07 및 V-09; 라인케미사 제조의 스타박솔(등록상표) P, P400, 및 하이카질 510을 들 수 있다.A commercially available product of the (B) carbodiimide compound may be used. Examples of commercially available carbodiimide compounds include Carbodite (registered trademark) V-02B, V-03, V-04K, V-07 and V-09 manufactured by Nissinbo Chemical; Starpoxol (registered trademark) P, P400, and Hikaragi 510 manufactured by Rheinkmisser.

수지 조성물에서의 (B) 카르보디이미드 화합물의 양은 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.7질량% 이상이다. (B) 카르보디이미드 화합물의 양이 상기 범위의 하한값 이상임으로써, HAST 시험에 의한 절연층의 밀착성의 저하를 효과적으로 억제할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도를 효과적으로 높일 수 있다. (B) 카르보디이미드 화합물의 양의 상한은, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서는, 바람직하게는 20질량% 이하이다. 그 중에서도, 수지 조성물의 경화물의 신장(伸張)에 대한 내성을 높여 파단점 신도를 크게 하는 관점에서는, (B) 카르보디이미드 화합물의 양의 상한은, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다.The amount of the carbodiimide compound (B) in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and particularly preferably 0.7% by mass or more based on 100% by mass of the resin component in the resin composition . The amount of the carbodiimide compound (B) is not less than the lower limit of the above range, the lowering of the adhesion of the insulating layer by the HAST test can be effectively suppressed, and the glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be effectively increased. The upper limit of the amount of the (B) carbodiimide compound is preferably 20% by mass or less from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention. Among them, the upper limit of the amount of the carbodiimide compound (B) is more preferably 15% by mass or less, particularly preferably 15% by mass or less, from the viewpoint of increasing the resistance to elongation of the cured product of the resin composition to increase the breaking point elongation Is not more than 10% by mass.

[4. (C) 충전재][4. (C) Filler]

수지 조성물은 (C) 성분으로서 충전재를 포함한다. 다만, 이 (C) 충전재에는, 적어도 (C-1) 불소계 충전재가 포함된다. 따라서, (C) 충전재에는, (C-1) 불소계 충전재가 포함되고, 또한 필요에 따라 (C-1) 불소계 충전재 이외의 임의의 충전재가 포함되어 있어도 좋다. 따라서, 수지 조성물은 (C) 충전재로서, (C-1) 불소계 충전재만을 포함하고 있어도 좋고, (C-1) 불소계 충전재와 임의의 충전재를 조합하여 포함하고 있어도 좋다.The resin composition contains a filler as the component (C). However, the (C) filler includes at least (C-1) fluorine-based filler. Therefore, the filler (C) may contain (C-1) a fluorine-based filler, and may optionally contain any filler other than the fluorine-based filler (C-1). Therefore, the resin composition may contain only the (C-1) fluorine-based filler as the filler (C), or may include the fluorine-based filler (C-1) and any filler in combination.

(C) 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 통상 30질량% 이상, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상이고, 통상 80질량% 이하, 바람직하게는 75질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하이다. (C-1) 불소계 충전재를 포함하는 (C) 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 낮게 할 수 있다. 또한, 통상은, 이러한 범위의 양의 (C) 충전재를 포함함으로써, 수지 조성물의 경화물의 절연 성능을 높일 수 있다. 그리고, (C-1) 불소계 충전재를 포함하는 (C) 충전재를 이와 같이 대량으로 포함하면서도, 이 수지 조성물의 경화물은 HAST 시험에 의한 절연층의 밀착성의 저하를 억제하는 것이 가능하다.The amount of the filler (C) is usually 30% by mass or more, preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more and usually 80% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, Is 75 mass% or less, and more preferably 70 mass% or less. When the amount of the filler (C) containing the fluorine-based filler (C-1) is in the above range, the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be lowered. Normally, the insulating property of the cured product of the resin composition can be enhanced by including the filler (C) in such a range. The cured product of the resin composition can suppress the deterioration of the adhesiveness of the insulating layer by the HAST test while containing the filler (C) containing the fluorine-based filler (C-1) in such a large amount.

(C-1) 불소계 충전재에 대하여 상세하게 설명한다. 용어 「불소계」란, 불소 원자를 포함하는 것을 말한다. 또한, 용어 「불소계 충전재」란, 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 충전재를 말한다. 충전재는 일반적으로 입자로 되어 있다. 따라서, (C-1) 불소계 충전재로서, 통상은 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 입자를 사용한다.(C-1) fluorine-based filler will be described in detail. The term " fluorine-based " means fluorine-containing. The term " fluorine-based filler " refers to a filler containing a fluorine-containing compound as a material. The filler is usually in the form of particles. Therefore, as the fluorine-based filler (C-1), particles containing a fluorine atom-containing compound are usually used.

(C-1) 불소계 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 불소계 중합체, 불소계 고무 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 절연층의 유전율을 저감하는 관점에서, 불소계 중합체가 바람직하다. 따라서, (C-1) 불소계 충전재로서는 불소계 중합체 입자가 바람직하다.Examples of the material of the fluorine-based filler (C-1) include a fluorine-based polymer and a fluorine-based rubber. Of these, a fluorine-based polymer is preferable from the viewpoint of reducing the dielectric constant of the insulating layer. Therefore, fluorine-based polymer particles are preferable as the fluorine-based filler (C-1).

불소계 중합체로서는, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 퍼플루오로에틸렌프로펜 공중합체(FEP), 에틸렌·테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE/PDD), 폴리불화비닐리덴(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE), 폴리불화비닐(PVF)을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the fluorine-based polymer include polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxyalkane (PFA), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene / tetrafluoroethylene copolymer (ETFE) (TFE / PDD), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polyfluorinated Vinyl (PVF). These may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서도, 절연층의 유전율을 특히 저감하는 관점에서, 불소계 중합체로서는 폴리테트라플루오로에틸렌이 바람직하다. 따라서, (C-1) 불소계 충전재로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 입자로서의 폴리테트라플루오로에틸렌 입자가 바람직하다.Of these, polytetrafluoroethylene is preferable as the fluorine-based polymer from the viewpoint of particularly reducing the dielectric constant of the insulating layer. Therefore, as the fluorine-based filler (C-1), polytetrafluoroethylene particles as particles containing polytetrafluoroethylene are preferable.

불소계 중합체의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 5000000 이하, 보다 바람직하게는 4000000 이하, 특히 바람직하게는 3000000 이하이다.The weight average molecular weight of the fluorine-based polymer is preferably 5,000,000 or less, more preferably 4,000,000 or less, and particularly preferably 3,000,000 or less, from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.

(C-1) 불소계 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.08㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.10㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 4㎛ 이하이다. (C-1) 불소계 충전재의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 또한 통상은 수지 조성물 중에서의 (C-1) 불소계 충전재의 분산성을 양호하게 할 수 있다.The average particle diameter of the fluorine-based filler (C-1) is preferably 0.05 μm or more, more preferably 0.08 μm or more, particularly preferably 0.10 μm or more, preferably 10 μm or less, Or less, particularly preferably 4 m or less. When the average particle diameter of the fluorine-based filler (C-1) is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the dispersibility of the fluorine-containing filler (C-1) can do.

(C-1) 불소계 충전재 등의 입자의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 장치에 의해, 입자의 입경 분포를 체적 기준으로 측정하고, 이의 입경 분포로부터 메디안 직경으로서 평균 입자 직경을 얻을 수 있다. 측정 샘플은 입자를 초음파에 의해 물 등의 용제 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 장치로서는 호리바세이사쿠쇼사 제조의 「LA-500」 등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of particles such as (C-1) fluorine-based filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the particles can be measured on the basis of volume by a laser diffraction scattering particle size distribution measuring apparatus, and the average particle diameter as the median diameter can be obtained from the particle size distribution thereof. The sample to be measured can be preferably those obtained by dispersing particles in a solvent such as water by ultrasonic waves. As the laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.

(C-1) 불소계 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 다이킨코교사 제조의 「르브론 L-2」, 「르브론 L-5」, 「르브론 L-5F」; 아사히가라스사 제조의 「FluonPTFE L-170JE」, 「FluonPTFEL-172JE」, 「FluonPTFE L-173JE」; 기타무라사 제조의 「KTL-500F」, 「KTL-2N」, 「KTL-1N」; 미쯔이-듀폰 플루오로케미컬사 제조의 「TLP10F-1」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the fluorine-based filler (C-1) include "Lebron L-2", "Lebron L-5", "Lebron L-5F" "FluonPTFE L-170JE", "FluonPTFEL-172JE" and "FluonPTFE L-173JE" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.; "KTL-500F", "KTL-2N" and "KTL-1N" manufactured by Kitamura Co., Ltd.; And " TLP10F-1 " manufactured by Mitsui-DuPont Fluorochemicals.

(C-1) 불소계 충전재는 표면 처리되어 있어도 좋다. 예를 들면, (C-1) 불소계 충전재는 임의의 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 비이온성 계면활성제, 양성 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제 등의 계면활성제; 무기 미립자 등을 들 수 있다. 친화성의 관점에서, 표면 처리제로서는 불소계 계면활성제가 바람직하다. 또한, 상기 불소계 계면활성제로서, 비입자상의 적절한 불소계 중합체를 사용하여도 좋다. 불소계 계면활성제의 구체예로서는, AGC 세이미케미컬사 제조의 「서프론 S-243」(퍼플루오로알킬 에틸렌옥사이드 부가물); DIC사 제조의 「메가팍 F-251」, 「메가팍 F-477」, 「메가팍 F-553」, 「메가팍 R-40」, 「메가팍 R-43」, 「메가팍 R-94」; 네오스사 제조의 「FTX-218」, 「후타젠토 610FM」, 「후타젠토 730LM」을 들 수 있다.The fluorine-based filler (C-1) may be surface-treated. For example, the fluorine-based filler (C-1) may be surface-treated with any surface-treating agent. Examples of the surface treatment agent include surfactants such as nonionic surfactants, amphoteric surfactants, cationic surfactants and anionic surfactants; Inorganic fine particles, and the like. From the viewpoint of affinity, a fluorine-based surfactant is preferable as the surface treatment agent. As the fluorine-based surfactant, a suitable non-particulate fluorine-based polymer may be used. Specific examples of the fluorine-based surfactant include "Surflon S-243" (perfluoroalkylethylene oxide adduct) manufactured by AGC Seiyam Chemical Co., Ltd.; Megapak F-251 "," Megapack F-477 "," Megapack F-553 "," Megapark R-40 "," Megapark R-43 " "; Quot; FTX-218 ", " Futazento 610FM ", and " Futazento 730LM " manufactured by Neos.

수지 조성물에서의 (C-1) 불소계 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. (C-1) 불소계 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 저감할 수 있다.The amount of the fluorine-based filler (C-1) in the resin composition is preferably not less than 5% by mass, more preferably not less than 10% by mass, particularly preferably not less than 20% by mass, based on 100% by mass of the non- , Preferably not more than 80 mass%, more preferably not more than 50 mass%, particularly preferably not more than 40 mass%. When the amount of the fluorine-based filler (C-1) is within the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

또한, 수지 조성물에서의 (C-1) 불소계 충전재의 양은 (C) 충전재의 양 100질량%에 대하여, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 특히 바람직하게는 35질량% 이상이고, 바람직하게는 100질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (C-1) 불소계 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 저감할 수 있다.The amount of the fluorine-based filler (C-1) in the resin composition is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, particularly preferably 35% by mass or more based on 100% %, Preferably not more than 100 mass%, more preferably not more than 70 mass%, particularly preferably not more than 50 mass%. When the amount of the fluorine-based filler (C-1) is within the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

수지 조성물이 (C-1) 불소계 충전재에 조합하여 임의의 충전재를 포함하는 경우, 임의의 충전재로서는 (C-2) 무기 충전재가 바람직하다. (C-2) 무기 충전재를 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 열팽창율을 낮게 할 수 있으므로, 절연층의 휘어짐을 효과적으로 억제할 수 있다.When the resin composition contains an optional filler in combination with the (C-1) fluorine-based filler, the optional filler is preferably (C-2) an inorganic filler. By using the inorganic filler (C-2), the coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin composition can be lowered, so that warping of the insulating layer can be effectively suppressed.

(C-2) 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산-지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산-텅스텐산지르코늄을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 구형 실리카가 바람직하다. (C-2) 무기 충전재는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the material of the inorganic filler (C-2) include inorganic fillers such as silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, , Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, Barium titanate, barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica and the like. Among them, spherical silica is preferable. (C-2) The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.

통상, (C-2) 무기 충전재는 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. (C-2) 무기 충전재의 평균 입자 직경은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 5.0㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.0㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0㎛ 이하이다. 또한, (C-2) 무기 충전재의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 통상은 수지 조성물층의 회로 매립성을 향상시키거나, 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다. (C-2) 무기 충전재의 평균 입자 직경은 (C-1) 불소계 충전재의 평균 입자 직경과 마찬가지로, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다.Usually, the inorganic filler (C-2) is contained in the resin composition in the form of particles. The average particle diameter of the inorganic filler (C-2) is preferably not less than 0.01 탆, more preferably not less than 0.05 탆, particularly preferably not less than 0.1 탆, from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably Is not more than 5.0 mu m, more preferably not more than 2.0 mu m, further preferably not more than 1.0 mu m. In addition, when the average particle diameter of the inorganic filler (C-2) is in the above range, it is possible to improve the circuit embedding property of the resin composition layer or reduce the surface roughness of the insulating layer. The average particle diameter of the inorganic filler (C-2) can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory, similarly to the average particle diameter of the (C-1) fluorine-based filler.

(C-2) 무기 충전재의 비표면적은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1m2/g 이상, 보다 바람직하게는 2m2/g 이상, 특히 바람직하게는 3m2/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60m2/g 이하, 50m2/g 이하 또는 40m2/g 이하이다. 비표면적은 BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.(C-2) a specific surface area of the inorganic filler in terms remarkably obtain the effect of the present invention is desired, preferably 1m 2 / g or more, more preferably 2m 2 / g or more, and particularly preferably from 3m 2 / g Or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 / g or less, 50 m 2 / g or less, or 40 m 2 / g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring apparatus (Macsorb HM-1210, manufactured by Mountain Tex) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(C-2) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛데츠스미킨 머티리얼즈사 제조 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조 「UFP-30」; 도쿠야마사 제조 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the inorganic filler (C-2) include " SP60-05 " and " SP507-05 " manufactured by Sinetettsu Semiconductor Materials Company; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE" and "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "UFP-30" manufactured by Denka Corporation; "Silphil NSS-3N", "Silphil NSS-4N" and "Silpil NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", and "SO-C1" manufactured by Adomex Corporation.

(C-2) 무기 충전재는 임의의 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 등의 커플링제; 알콕시실란 화합물; 오가노실라잔 화합물 등을 들 수 있다. 이들 표면 처리제로 표면 처리됨으로써, (C-2) 무기 충전재의 내습성 및 분산성을 높일 수 있다.(C-2) The inorganic filler may be surface-treated with any surface-treating agent. Examples of the surface treatment agent include coupling agents such as amino silane coupling agents, epoxy silane coupling agents, mercaptosilane coupling agents and titanate coupling agents; Alkoxysilane compounds; And organosilazane compounds. The surface treatment with these surface treatment agents can improve the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler (C-2).

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제) 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of commercial products of surface treatment agents include KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercaptopropyltrimethoxy Silane), KBE903 (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin- KBM-4803 " manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (long-chain epoxy type Silane coupling agents). The surface treatment agent may be used singly or in combination of two or more kinds.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 (C-2) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. (C-2) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 (C-2) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.02mg/m2 이상, 보다 바람직하게는 0.1mg/m2 이상, 특히 바람직하게는 0.2mg/m2 이상이다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 상기 카본량은, 바람직하게는 1mg/m2 이하, 보다 바람직하게는 0.8mg/m2 이하, 특히 바람직하게는 0.5mg/m2 이하이다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of inorganic filler (C-2). The carbon content per unit surface area of the inorganic filler (C-2) is preferably not less than 0.02 mg / m 2 , more preferably not less than 0.1 mg / m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler (C-2) Particularly preferably not less than 0.2 mg / m 2 . On the other hand, in the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity of the sheet form, the carbon amount is preferably 1mg / m 2 or less, and more preferably less, particularly preferably 0.8mg / m 2 Is not more than 0.5 mg / m 2 .

(C-2) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 표면 처리 후의 (C-2) 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(이하, 「MEK」라고 약칭하는 경우가 있음)에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 충분한 양의 MEK와, 표면 처리제로 표면 처리된 (C-2) 무기 충전재를 혼합하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 이어서, 상청액을 제거하고, 불휘발 성분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여, (C-2) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」를 사용할 수 있다.(C-2) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is determined by cleaning the surface-treated inorganic filler (C-2) with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (hereinafter may be abbreviated as "MEK" Specifically, a sufficient amount of MEK and inorganic filler (C-2) surface-treated with a surface treatment agent are mixed and ultrasonically cleaned at 25 DEG C for 5 minutes. Subsequently, the supernatant is removed , And the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler (C-2) can be measured using a carbon analyzer after drying the nonvolatile component. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. can be used .

수지 조성물에서의 (C-2) 무기 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다. (C-2) 무기 충전재의 양이 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 수지 조성물의 경화물의 열팽창율을 낮게 할 수 있으므로, 절연층의 휘어짐을 억제할 수 있다. 또한, (C-2) 무기 충전재의 양이 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 수지 조성물의 경화물의 기계적 강도를 향상시킬 수 있고, 특히 신장에 대한 내성을 높여 파단점 신도를 크게 할 수 있다.The amount of the inorganic filler (C-2) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, further preferably 15% by mass or more, relative to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition , Preferably 70 mass% or less, more preferably 50 mass% or less, further preferably 40 mass% or less. (C-2) Since the amount of the inorganic filler is the lower limit value or more of the above range, the thermal expansion rate of the cured product of the resin composition can be lowered, and warping of the insulating layer can be suppressed. Further, when the amount of the inorganic filler (C-2) is not more than the upper limit of the above range, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be improved, and in particular, the elongation resistance can be increased and the breaking point elongation can be increased.

[5. (D) 경화제][5. (D) Curing agent]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (D) 경화제를 포함하고 있어도 좋다. (D) 성분으로서의 경화제는 통상, (A) 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 기능을 갖는다. 이러한 (D) 경화제로서는, 예를 들면, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제 등을 들 수 있다. 또한, 경화제는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2종류 이상을 병용하여도 좋다.The resin composition may contain (D) a curing agent as an optional component in addition to the above components. The curing agent as the component (D) usually has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition. Examples of the (D) curing agent include an active ester type curing agent, a phenol type curing agent, a naphthol type curing agent, a benzoxazine type curing agent, a cyanate ester type curing agent and the like. The curing agent may be used singly or in combination of two or more kinds.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는 페놀 에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.As the active ester type curing agent, a compound having at least one active ester group in one molecule can be used. Among them, examples of the active ester curing agent include compounds having two or more ester groups having high reactivity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, . The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. Particularly, from the viewpoint of improving the heat resistance, active ester type curing agents obtained from carboxylic acid compounds and hydroxy compounds are preferable, and active ester type curing agents obtained from carboxylic acid compounds and phenol compounds and / or naphthol compounds are more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물 」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalein, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, phenol novolak, and the like. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one dicyclopentadiene molecule.

활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specific preferred examples of the active ester-based curing agent include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolac, And an active ester compound including a benzoylate. Of these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들면, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미쓰비시케미컬사 제조), 「YLH1030」(미쓰비시케미컬사 제조), 「YLH1048」(미쓰비시케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000-65T ", and" HPC-8000-65T "as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure as commercial products of the active ester- -8000H-65TM, EXB-8000L-65TM and EXB-8150-65T (manufactured by DIC); EXB9416-70BK " (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; &Quot; DC808 " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing acetylated phenol novolak; &Quot; YLH1026 " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylate of phenol novolak; &Quot; DC808 " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester-based curing agent which is acetylated phenol novolak; YLH1026 " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), " YLH1030 " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corp.), and YLH1048 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as the benzoylates of phenol novolak.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 절연층과 도체층의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of adhesion between the insulating layer and the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a phenazine-based curing agent containing a triazine skeleton is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」; 니혼카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」 「SN375」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810" and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei; NHN ", " CBN ", " GPH ", manufactured by Nippon Kayaku Co., "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V" and "SN375" manufactured by Shinnitetsu Sumi- TD-2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "and" EXB-9500 "manufactured by DIC Corporation.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine type curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd., "P-d" manufactured by Shikoku Kasei Corporation, and "F-a".

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬사 제조의 「PT30」및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1- Cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis Naphthyl phenyl) thioether, and bis (4-cyanate phenyl) ether; Polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak and cresol novolak; And prepolymerized prepolymers of these cyanate resins. Specific examples of the cyanate ester curing agent include "PT30" and "PT60" (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (multifunctional cyanate ester resin), "BA230 BA230S75 " (a prepolymer obtained by trimerizing a part or all of bisphenol A dicyanate to form a trimer), and the like.

상기한 것 중에서도, (D) 경화제로서는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제를 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 특히 (B) 카르보디이미드 화합물이, 에스테르 결합의 가수분해를 억제하는 작용을 가지므로, (B) 카르보디이미드 화합물과 활성 에스테르계 경화제를 조합하여 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 HAST 시험에서의 열화를 억제하여, 도체층에 대한 절연층의 밀착성의 저하를 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, 수지 조성물에 사용되는 (D) 경화제는 활성 에스테르계 경화제를 포함하는 것이 바람직하다.Among the above, as the (D) curing agent, an active ester-based curing agent is preferable. By using the active ester type curing agent, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably. In particular, since the carbodiimide compound (B) has an effect of inhibiting the hydrolysis of the ester bond, (B) the carbodiimide compound and the active ester-based curing agent are used in combination, Deterioration can be suppressed and deterioration of the adhesion of the insulating layer to the conductor layer can be effectively suppressed. Therefore, the (D) curing agent used in the resin composition preferably contains an active ester-based curing agent.

활성 에스테르계 경화제를 사용할 경우, (D) 경화제 100질량%에 대한 활성 에스테르계 경화제의 양은, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 더욱 바람직하게는 35질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하이다. 활성 에스테르계 경화제의 양이 상기 범위에 있음으로써, 도체층에 대한 절연층의 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 효과적으로 억제할 수 있다.When the active ester type curing agent is used, the amount of the active ester type curing agent relative to 100 mass% of the (D) curing agent is preferably 20 mass% or more, more preferably 30 mass% or more, still more preferably 35 mass% , Preferably 80 mass% or less, more preferably 70 mass% or less, further preferably 60 mass% or less. When the amount of the active ester curing agent is in the above range, deterioration of the adhesion of the insulating layer to the conductor layer by the HAST test can be effectively suppressed.

활성 에스테르계 경화제를 사용할 경우, (B) 카르보디이미드 화합물 100질량%에 대한 활성 에스테르계 경화제의 양은, 도체층에 대한 절연층의 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 효과적으로 억제하는 관점에서, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이다. 그 중에서도, 수지 조성물의 경화물의 신장에 대한 내성을 높여 파단점 신도를 크게 하는 관점에서는, 활성 에스테르계 경화제의 양은, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 특히 바람직하게는 50질량% 이상이다. 상한에 제한은 없고, 예를 들면, 2000질량%일 수 있다.When the active ester-based curing agent is used, the amount of the active ester-based curing agent relative to 100 mass% of the (B) carbodiimide compound is preferably from the viewpoint of effectively suppressing the adhesiveness of the insulating layer to the conductor layer by the HAST test Is at least 5% by mass, more preferably at least 10% by mass, and even more preferably at least 15% by mass. Among them, the amount of the active ester-based curing agent is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, particularly preferably 30% by mass or more, from the viewpoint of increasing the resistance to elongation of the cured product of the resin composition and increasing the breaking point elongation Is at least 50% by mass. There is no upper limit, for example, 2000 mass%.

(D) 경화제를 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (D) 경화제의 양은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.When the (D) curing agent is used, the amount of the (D) curing agent in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, More preferably not less than 0.5% by mass, further preferably not less than 1% by mass, preferably not more than 30% by mass, more preferably not more than 20% by mass, further preferably not more than 10% by mass.

(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 했을 경우, (D) 경화제의 활성기 수는, 바람직하게는 0.05 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상, 더욱 바람직하게는 0.15 이상이고, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1이하, 특히 바람직하게는 0.8 이하이다. 여기서, 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. 또한, 「(D) 경화제의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (D) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 했을 경우의 (D) 경화제의 활성기 수가 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 또한 통상은 수지 조성물의 경화물의 내열성이 보다 향상된다.When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of active groups in the (D) curing agent is preferably 0.05 or more, more preferably 0.1 or more, still more preferably 0.15 or more, More preferably 1.5 or less, further preferably 1 or less, particularly preferably 0.8 or less. Here, the "epoxy group number of the epoxy resin (A)" is a value obtained by adding up the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component (A) of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. The term "(D) the number of active groups of the curing agent" is a value obtained by adding up the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the curing agent (D) present in the resin composition by the active group equivalent. When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1 and the number of active groups of the (D) curing agent is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the heat resistance of the cured product .

[6. (E) 열가소성 수지][6. (E) Thermoplastic resin]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (E) 열가소성 수지를 포함하고 있어도 좋다. (E) 성분으로서의 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition may contain (E) a thermoplastic resin as an optional component in addition to the above components. Examples of the thermoplastic resin as the component (E) include thermoplastic resins such as phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, Resins, polyphenylene ether resins, polycarbonate resins, polyether ether ketone resins, and polyester resins. Among them, a phenoxy resin is preferable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. The thermoplastic resin may be used singly or in combination of two or more kinds.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중 어느 관능기라도 좋다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, A phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of a skeleton, an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethyl cyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.

페녹시 수지의 구체예로서는, 미쓰비시케미컬사 제조의 「1256」및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「FX280」및 「FX293」; 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」, 「YL7891BH30」및 「YL7482」를 들 수 있다.Specific examples of the phenoxy resin include " 1256 " and " 4250 " (phenoxy resin containing bisphenol A skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YX8100 " (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX6954" (a phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; FX280 " and " FX293 " manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku; YL6954BH30, YL7769BH30, YL6794, YL7213, YL7290, YL7891BH30, and YL7482 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

(E) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 8000 이상, 보다 바람직하게는 10000 이상, 특히 바람직하게는 20000 이상이고, 바람직하게는 70000 이하, 보다 바람직하게는 60000 이하, 특히 바람직하게는 50000 이하이다. (E) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법으로 측정할 수 있다.The weight average molecular weight of the thermoplastic resin (E) in terms of polystyrene is preferably 8000 or more, more preferably 10000 or more, particularly preferably 20000 or more, and preferably 70000 or more, in view of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. More preferably not more than 60000, particularly preferably not more than 50000. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin (E) in terms of polystyrene can be measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(E) 열가소성 수지를 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (E) 열가소성 수지의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.6질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.7질량% 이상이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 12질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.When the thermoplastic resin (E) is used, the amount of the thermoplastic resin (E) in the resin composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.6% by mass or more, Preferably 0.7 mass% or more, preferably 15 mass% or less, more preferably 12 mass% or less, further preferably 10 mass% or less.

[7. (F) 경화 촉진제][7. (F) Curing accelerator]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (F) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. (F) 경화 촉진제를 사용함으로써 수지 조성물을 경화시킬 때에 경화를 촉진할 수 있다.In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain (C) a curing accelerator as an optional component. By using the (F) curing accelerator, curing can be promoted when the resin composition is cured.

(F) 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 과산화물계 경화 촉진제를 들 수 있다. 그 중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하고, 아민계 경화 촉진제가 특히 바람직하다. (F) 경화 촉진제는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the curing accelerator (F) include phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, guanidine hardening accelerators, metal hardening accelerators and peroxide hardening accelerators. Among them, phosphorus hardening accelerator, amine hardening accelerator, imidazole hardening accelerator and metal hardening accelerator are preferable, and amine hardening accelerator, imidazole hardening accelerator and metal hardening accelerator are more preferable, and amine hardening accelerator is particularly preferable desirable. The curing accelerator (F) may be used singly or in combination of two or more kinds.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트를 들 수 있다. 그 중에서도, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate. Among them, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노 메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센을 들 수 있다. 그 중에서도, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) - diazabicyclo (5,4,0) undecene. Among them, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물; 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있다. 그 중에서도, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl- , 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline Imidazole compounds; And adducts of an imidazole compound and an epoxy resin. Among them, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용하여도 좋고, 예를 들면, 미쓰비시케미컬사 제조의 「P200-H50」을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and for example, " P200-H50 " manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation may be mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드를 들 수 있다. 그 중에서도, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, and 1- (o-tolyl) biguanide. Among them, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene is preferable.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체를 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, zinc An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

과산화물계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 사이클로헥산온퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.Examples of the peroxide-based curing accelerator include cyclohexanone peroxide, tert-butylperoxy benzoate, methyl ethyl ketone peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di- Propylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide, and tert-butyl hydroperoxide.

과산화물계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용할 수 있고, 예를 들면, 니찌유사 제조의 「퍼쿠밀 D」를 들 수 있다.As the peroxide-based curing accelerator, a commercially available product can be used, and for example, " PERCUMIL D "

(F) 경화 촉진제를 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (F) 경화 촉진제의 양은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.03질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.05질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다.When the (F) curing accelerator is used, the amount of the (C) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01 mass% or more, more preferably 0.01 mass% or less, , More preferably not less than 0.03 mass%, particularly preferably not less than 0.05 mass%, preferably not more than 3 mass%, more preferably not more than 2 mass%, particularly preferably not more than 1 mass%.

[8. (G) 불소계 중합체 또는 불소계 올리고머][8. (G) fluoropolymer or fluoric oligomer]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 비입자상의 (G) 불소계 중합체 또는 불소계 올리고머를 포함하고 있어도 좋다. (G) 성분으로서의 불소계 중합체 및 불소계 올리고머는 불소계 중합체만을 사용하여도 좋고, 불소계 올리고머만을 사용하여도 좋고, 불소계 중합체 및 불소계 올리고머를 조합하여 사용하여도 좋다. 이 (G) 성분은 수지 조성물 중에서 비입자상이 될 수 있는 성분이고, 통상, (A) 에폭시 수지 등의 수지 성분과의 상용성이 우수하다. 또한, (G) 성분은 이의 분자 중에 불소 원자를 포함하므로, (C-1) 불소계 충전재에 대한 높은 친화성을 갖는다. 따라서, (G) 성분은 (C-1) 불소계 충전재와 수지 성분 사이의 계면에서 계면활성제로서 기능하여, (C-1) 불소계 충전재의 분산성을 높일 수 있다. 그리고, 이렇게 (C-1) 불소계 충전재의 분산성이 높아짐으로써, 조화 처리 후의 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다. 또한, (G) 성분을 사용함으로써, 통상은 수지 조성물의 경화물의 유전율을 낮게 할 수 있다.The resin composition may contain a non-particulate (G) fluoropolymer or fluoric oligomer as an optional component in addition to the above components. As the fluorine-based polymer and the fluorine-based oligomer as the component (G), only the fluorine-based polymer may be used, only the fluorine-based oligomer may be used, and the fluorine-based polymer and the fluorine-based oligomer may be used in combination. The component (G) is a component that can be a non-particulate phase in the resin composition and is usually excellent in compatibility with a resin component such as (A) an epoxy resin. Further, the component (G) contains a fluorine atom in its molecule, and thus has a high affinity for the (C-1) fluorine-based filler. Therefore, the component (G) functions as a surfactant at the interface between the fluorine-containing filler (C-1) and the resin component, and can improve the dispersibility of the fluorine-containing filler (C-1). Further, the surface roughness of the insulating layer after the roughening treatment can be reduced by increasing the dispersibility of the fluorine-based filler (C-1). By using the component (G), the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be generally lowered.

불소계 중합체로서는, 예를 들면, 교에이샤카가쿠사 제조 「LE-605」 등을 들 수 있다. 불소계 올리고머로서는, 예를 들면, DIC사 제조 메가팍 「F-556」, 「F-558」, 「F-561」, 「F-563」, 「F-569」, 「DS-21」, 「R-40」, 「R-41」 등을 들 수 있다. 또한, (G) 성분은 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.As the fluorine-based polymer, for example, "LE-605" manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd. and the like can be mentioned. Examples of the fluorinated oligomers include Megapak® F-556, F-558, F-561, F-563, F-569, DS- R-40 ", " R-41 ", and the like. The component (G) may be used singly or in combination of two or more.

(G) 성분을 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (G) 성분의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1.0질량% 이상이고, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 특히 바람직하게는 3질량% 이하이다. (G) 성분의 양이 상기 범위에 있음으로써, 조화 처리 후의 절연층의 표면 거칠기를 작게 하거나, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 낮게 할 수 있다.When the component (G) is used, the amount of the component (G) in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, particularly preferably 100% Is not less than 1.0% by mass, preferably not more than 10% by mass, more preferably not more than 5% by mass, particularly preferably not more than 3% by mass. When the amount of the component (G) is in the above range, the surface roughness of the insulating layer after the roughening treatment can be reduced or the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively lowered.

[9. (H) 커플링제][9. (H) coupling agent]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (H) 커플링제를 포함하고 있어도 좋다. (H) 커플링제를 사용함으로써 (C-2) 무기 충전재의 분산성을 높일 수 있으므로, 조화 처리 후의 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다.The resin composition may contain (H) a coupling agent as an optional component in addition to the above components. (H) coupling agent can be used to increase the dispersibility of the inorganic filler (C-2), so that the surface roughness of the insulating layer after the roughening treatment can be reduced.

(H) 커플링제로서는, 예를 들면, (C-2) 무기 충전재의 표면 처리제로서 든 예와 같은 것을 들 수 있다. 또한, (H) 커플링제는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.As the (H) coupling agent, there may be mentioned, for example, (C-2) the examples of the surface treatment agent of the inorganic filler. The coupling agent (H) may be used singly or in combination of two or more kinds.

(H) 커플링제를 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (H) 커플링제의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이상이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다. (H) 커플링제의 양이 상기 범위에 있음으로써, 조화 처리 후의 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다.(H) coupling agent is used, the amount of the (H) coupling agent in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.2% by mass or more, Preferably 0.5% by mass or more, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and particularly preferably 1% by mass or less. When the amount of the (H) coupling agent is in the above range, the surface roughness of the insulating layer after the roughening treatment can be reduced.

[10. (I) 첨가제][10. (I) Additive]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 추가로 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 착색제; 난연제 등을 들 수 있다. 또한, 첨가제는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의 조합하여 사용하여도 좋다.In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain additives as optional components. Examples of such additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds; Thickener; Defoamer; Leveling agents; An adhesion imparting agent; coloring agent; Flame retardants and the like. The additives may be used singly or in combination of two or more.

[11. 수지 조성물의 제조방법][11. Method of producing resin composition]

수지 조성물은, 예를 들면, 배합 성분을 필요에 의해 용제와 혼합하고, 회전 믹서 등의 교반 장치를 사용하여 교반하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 특히 (G) 성분을 사용할 경우에는, (C-1) 불소계 충전재와 (G) 성분을 혼합한 후에, 이의 혼합한 (C-1) 불소계 충전재 및 (G) 성분과 그 이외의 성분을 혼합하는 것이 바람직하다. 이로써, (C-1) 불소계 충전재의 분산성을 높일 수 있으므로, 조화 처리 후의 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다.The resin composition can be produced, for example, by mixing a compounding component with a solvent as required and stirring by using a stirring device such as a rotary mixer. Particularly, when the component (G) is used, the fluorine-containing filler (C) is mixed with the fluorine-containing filler and the component (G) Mixing is preferred. Thereby, the dispersibility of the fluorine-based filler (C-1) can be increased, and the surface roughness of the insulating layer after the roughening treatment can be reduced.

[12. 수지 조성물의 특성][12. Characteristics of Resin Composition]

상기한 수지 조성물의 경화물은 이의 유전율을 낮게 할 수 있다. 따라서, 이 수지 조성물의 경화물에 의해, 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로 수지 조성물을 경화시켜 경화물을 수득한 경우, 상기 경화물의 유전율을, 바람직하게는 3.00 이하, 보다 바람직하게는 2.90 이하, 특히 바람직하게는 2.80 이하로 할 수 있다. 여기서, 경화물의 유전율은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The cured product of the above resin composition can lower its dielectric constant. Therefore, an insulating layer having a low dielectric constant can be obtained by the cured product of the resin composition. For example, when a cured product is obtained by curing the resin composition by the method described in the examples, the dielectric constant of the cured product is preferably 3.00 or less, more preferably 2.90 or less, particularly preferably 2.80 or less have. Here, the dielectric constant of the cured product can be measured by the method described in the embodiment.

상기한 수지 조성물의 경화물은 이의 유리 전이 온도를 높게 할 수 있다. 따라서, 수지 조성물의 경화물에 의해, 내열성이 우수한 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로 수지 조성물을 경화시켜 경화물을 수득한 경우, 상기 경화물의 유리 전이 온도를, 바람직하게는 145℃ 이상, 보다 바람직하게는 150℃ 이상, 특히 바람직하게는 160℃ 이상으로 할 수 있다. 여기서, 경화물의 유리 전이 온도는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The cured product of the above resin composition can increase its glass transition temperature. Therefore, an insulating layer having excellent heat resistance can be obtained by the cured product of the resin composition. For example, when a cured product is obtained by curing the resin composition by the method described in the examples, the glass transition temperature of the cured product is preferably 145 ° C or more, more preferably 150 ° C or more, particularly preferably 160 Lt; 0 > C or more. Here, the glass transition temperature of the cured product can be measured by the method described in the Examples.

상기한 수지 조성물의 경화물의 층 위에 도전층을 형성한 경우, 경화물의 층과 도전층과의 밀착성의 저하를 억제할 수 있다. 보다 상세하게는, 고온 고습도 환경에서의 상기 밀착성의 저하를 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 상기한 수지 조성물의 경화물에 의하면, 도체층에 대한 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 억제할 수 있는 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로, 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층을 형성하고, 이의 절연층 위에 도금에 의해 도체층을 형성한 경우, 실시예에 기재된 조건에서의 HAST 시험에 의한 필 강도의 저하율을 소정의 범위에 들어가게 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 필 강도의 저하율을, 바람직하게는 50% 이하, 보다 바람직하게는 40% 이하, 특히 바람직하게는 30% 이하로 할 수 있다. 상기 필 강도의 저하율은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.When the conductive layer is formed on the layer of the cured product of the resin composition described above, it is possible to suppress deterioration of the adhesion between the layer of the cured product and the conductive layer. More specifically, it is possible to suppress deterioration of the adhesion in a high temperature and high humidity environment. Therefore, with the cured product of the resin composition described above, it is possible to obtain an insulating layer capable of suppressing the deterioration of the adhesion to the conductor layer by the HAST test. For example, in the case where the insulating layer is formed by the cured product of the resin composition and the conductor layer is formed by plating on the insulating layer by the method described in the embodiment, the fill of the HAST test under the conditions described in the embodiment The rate of decrease in the strength can be set within a predetermined range. Concretely, the rate of decrease in the peel strength is preferably 50% or less, more preferably 40% or less, particularly preferably 30% or less. The rate of decrease of the peel strength can be measured by the method described in Examples.

수지 조성물의 경화물의 층 위에 도전층을 형성한 경우, 경화물의 층과 도전층과의 밀착성을 통상 높게 할 수 있다. 따라서, 상기한 수지 조성물의 경화물에 의하면, 통상 도체층에 대한 밀착성이 높은 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로, 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층을 형성하고, 이의 절연층 위에 도금에 의해 도체층을 형성한 경우, 필 강도를 크게 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 필 강도를, 바람직하게는 0.2kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.3kgf/cm 이상, 특히 바람직하게는 0.4kgf/cm 이상으로 할 수 있다. 상기 필 강도는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.When the conductive layer is formed on the layer of the cured product of the resin composition, the adhesion between the layer of the cured product and the conductive layer can be generally increased. Therefore, according to the cured product of the resin composition described above, an insulating layer having high adhesion to a conductor layer can be obtained. For example, when the insulating layer is formed by the cured product of the resin composition and the conductor layer is formed on the insulating layer by plating in the method described in the embodiment, the peel strength can be increased. Specifically, the fill strength may preferably be 0.2 kgf / cm or more, more preferably 0.3 kgf / cm or more, and particularly preferably 0.4 kgf / cm or more. The peel strength can be measured by the method described in the Examples.

수지 조성물의 경화물은, 통상 신장에 대한 내성이 우수하므로, 늘려도 파단이 생기기 어렵다. 따라서, 상기한 수지 조성물의 경화물에 의하면, 통상 기계적 강도가 우수한 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로 수지 조성물을 경화시켜 경화물 필름을 수득한 경우, 상기 경화물 필름의 파단점 신도를, 바람직하게는 0.5% 이상, 보다 바람직하게는 0.7% 이상, 특히 바람직하게는 0.9% 이상으로 할 수 있다. 상기 파단점 신도는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The cured product of the resin composition usually has excellent resistance to elongation, so that even if it is stretched, it is hard to cause breakage. Therefore, according to the cured product of the resin composition described above, an insulating layer having an excellent mechanical strength can be obtained. For example, when the cured resin film is obtained by curing the resin composition by the method described in the embodiment, the elongation at break of the cured film is preferably 0.5% or more, more preferably 0.7% or more, particularly preferably 0.7% Can be 0.9% or more. The breaking point elongation can be measured by the method described in the examples.

수지 조성물의 경화물은 조화 처리가 실시된 경우에, 통상 조화 처리 후의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다. 따라서, 상기한 수지 조성물의 경화물에 의하면, 통상 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로, 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층을 형성하고, 이의 절연층에 조화 처리를 실시한 경우, 조화 처리 후의 절연층의 표면 거칠기를 소정의 범위에 들어가게 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 표면 거칠기는 산술 평균 거칠기(Ra)로, 바람직하게는 300nm 이하, 보다 바람직하게는 280nm 이하, 특히 바람직하게는 250nm 이하이다. 또한, 상기 표면 거칠기는 10점 평균 거칠기(Rz)로, 바람직하게는 5.0㎛ 이하, 보다 바람직하게는 4.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 4.0㎛ 이하이다.The surface roughness of the cured product of the resin composition after the roughening treatment can be reduced in general when the roughening treatment is carried out. Therefore, according to the above-mentioned cured product of the resin composition, an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. For example, when the insulating layer is formed by the cured product of the resin composition and the insulating layer is roughened by the method described in the embodiment, the surface roughness of the insulating layer after the roughening treatment can be made to fall within a predetermined range have. Specifically, the surface roughness is an arithmetic mean roughness (Ra), preferably 300 nm or less, more preferably 280 nm or less, particularly preferably 250 nm or less. The surface roughness is a 10-point average roughness (Rz), preferably 5.0 탆 or less, more preferably 4.5 탆 or less, and particularly preferably 4.0 탆 or less.

[13. 수지 조성물의 용도][13. Use of Resin Composition]

본 발명의 수지 조성물은 프린트 회로 기판 등의 회로 기판의 절연층 형성용 수지 조성물로서 사용할 수 있다. 상기 절연층에는 이의 절연층 위에 도체층(재배선층을 포함함)을 형성하기 위한 절연층이 포함된다. 따라서, 수지 조성물은 도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용 수지 조성물로서 사용하여도 좋다. 그 중에서도, 수지 조성물은, 빌드업 방식에 의한 회로 기판의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위한 빌드업 절연층 형성용 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention can be used as a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed circuit board. The insulating layer includes an insulating layer for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on the insulating layer. Therefore, the resin composition may be used as a resin composition for forming an insulating layer for forming a conductor layer. Among them, the resin composition is preferably used as a resin composition for forming a build-up insulating layer for forming an insulating layer in the production of a circuit board by a build-up method.

특히, 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있다는 이점을 활용하여, 이 수지 조성물은, 고주파 회로 기판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(고주파 회로 기판의 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 이 수지 조성물은, 고주파 회로 기판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(고주파 회로 기판의 층간 절연층 형성용 수지 조성물)로서 보다 적합하게 사용할 수 있다. 여기서, 「고주파 회로 기판」이란, 고주파 대역의 전기 신호라도 동작시킬 수 있는 회로 기판을 의미한다. 또한, 「고주파 대역」이란, 통상 1GHz 이상의 대역을 의미하고, 상기 수지 조성물은 특히 28GHz 내지 80GHz의 대역에서 유효하다.In particular, taking advantage of the fact that an insulating layer with a low dielectric constant can be obtained, the resin composition is preferably used as a resin composition (resin composition for forming an insulating layer of a high-frequency circuit substrate) for forming an insulating layer of a high- . Among them, the resin composition can be more suitably used as a resin composition (a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a high-frequency circuit substrate) for forming an interlayer insulating layer of a high-frequency circuit board. Here, the " high frequency circuit board " means a circuit board capable of operating even an electric signal of a high frequency band. The term " high-frequency band " means a band of 1 GHz or higher, and the resin composition is particularly effective in a band of 28 GHz to 80 GHz.

또한, 유전율이 낮은 절연층은 회로 기판의 저배화(低背化)에 공헌할 수 있으므로, 얇은 회로 기판이 요구되는 용도에 적합하다. 또한, 유전율이 낮은 절연층은 회로 기판의 임피던스 컨트롤을 용이하게 하기 때문에, 회로 기판의 설계 자유도를 높이기 위해서 적합하다. 이러한 관점에서, 수지 조성물의 적합한 용도를 들면, 예를 들어, 휴대 기기에 사용되는 마더보드, IC 패키지 기판, 카메라 모듈 기판, 지문 인증 센서용 기판 등의 회로 기판을 들 수 있다. 구체적인 예를 들면, 지문 인증 센서는 회로 기판에 포함되는 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 복수의 전극과, 절연 피막을 이러한 순차로 구비하는 경우가 있다. 이 지문 인증 센서에서는, 절연 피막 위에 놓인 손가락과 전극과 절연 피막에 의해 형성되는 콘덴서 용량값이, 지문의 오목부와 볼록부에서 다른 것을 이용하여 지문의 인증이 행하여진다. 이러한 지문 인증 센서에서, 절연층을 얇게 할 수 있으면, 센서 자체의 소형화가 가능하다.In addition, the insulating layer having a low dielectric constant contributes to lowering the height of the circuit board, which is suitable for applications requiring a thin circuit board. Further, the insulating layer having a low dielectric constant facilitates impedance control of the circuit board, which is suitable for increasing the degree of design freedom of the circuit board. From such a viewpoint, a suitable use of the resin composition is, for example, a circuit board such as a mother board, an IC package substrate, a camera module substrate, or a substrate for a fingerprint authentication sensor used in a portable device. Specifically, for example, the fingerprint authentication sensor may include an insulating layer included in a circuit board, a plurality of electrodes formed on the insulating layer, and an insulating coating in this order. In this fingerprint authentication sensor, the authentication of the fingerprint is carried out by using a capacitance value formed by the finger, the electrode, and the insulating film on the insulating film different from the concave portion and the convex portion of the fingerprint. In such a fingerprint authentication sensor, if the insulating layer can be made thinner, the size of the sensor itself can be reduced.

또한, 본 발명의 수지 조성물은 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등 수지 조성물이 사용되는 광범한 용도에 사용할 수 있다.In addition, the resin composition of the present invention can be used for a wide range of applications in which a resin composition such as a sheet-like laminate material such as an adhesive film or a prepreg, a solder resist, an underfill material, a die bonding material, a semiconductor sealing material, Can be used.

[14. 시트상 적층 재료][14. Sheet laminated material]

상기한 수지 조성물은 바니시 상태로 도포하여 절연층의 형성에 사용할 수 있다. 그러나, 공업적으로는, 이 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 시트상 적층 재료의 바람직한 예로서는, 접착 필름, 프리프레그를 들 수 있다.The resin composition described above can be applied in a varnish state to form an insulating layer. However, it is industrially preferable to use it in the form of a sheet-like laminate material containing the resin composition. Preferable examples of the sheet-like laminated material include an adhesive film and a prepreg.

일 실시형태에 있어서, 접착 필름은 지지체와, 상기 지지체 위에 설치된 수지 조성물층을 포함한다. 수지 조성물층은 상기한 수지 조성물로 형성된 층이고, 「접착층」이라고 불리는 경우가 있다.In one embodiment, the adhesive film comprises a support and a resin composition layer provided on the support. The resin composition layer is a layer formed of the resin composition described above and may be referred to as an " adhesive layer ".

수지 조성물층의 두께는 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎛ 이하, 그 중에서도 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 80 占 퐉 or less, still more preferably 60 占 퐉 or less, and most preferably 50 占 퐉 or less, from the viewpoint of thinning. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited and may be, for example, 1 占 퐉 or more, 5 占 퐉 or more, 10 占 퐉 or more and the like.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 지지체로서는 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper can be given. As the support, a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용할 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 하는 경우가 있음); 폴리메틸메타크릴레이트(이하, 「PMMA」라고 하는 경우가 있음) 등의 아크릴 중합체; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하, 「TAC」라고 하는 경우가 있음); 폴리에테르설파이드 (이하, 「PES」라고 하는 경우가 있음); 폴리에테르케톤; 폴리이미드를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴하고 입수성이 우수하므로 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter may be referred to as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes referred to as "PEN" Polyester; Polycarbonate (hereinafter sometimes referred to as " PC "); Acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes referred to as " PMMA "); Cyclic polyolefin; Triacetylcellulose (hereinafter sometimes referred to as " TAC "); Polyether sulfide (hereinafter sometimes referred to as " PES "); Polyether ketones; Polyimide. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and polyethylene terephthalate is particularly preferable since it is inexpensive and excellent in availability.

지지체로서 금속박을 사용할 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용하여도 좋고, 동과 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용하여도 좋다.When a metal foil is used as a support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. Among them, a copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a copper metal may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, It is also good.

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다. The support may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, and an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용하여도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용할 수 있는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들면, 도레이사 제조의 「루미러 T60」; 데이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent that can be used for the release layer of the release layer-adhered support include one or more types of release agents selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin. Examples of commercially available products of the release agent include "SK-1", "AL-5", and "AL-7" manufactured by Lin Tec Corporation, which is an alkyd resin type release agent. As the release layer-adhered support, for example, " Lumirror T60 " "Purex" manufactured by Dejin Corporation; And " Unipyl " manufactured by Uni-Chika Corporation.

지지체의 두께는 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When the release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.

접착 필름은, 예를 들면, 유기 용제 및 수지 조성물을 포함하는 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체에 도포하고, 또한 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The adhesive film can be formed, for example, by preparing a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, applying the resin varnish to a support using a coating device such as a die coater, and drying the resin varnish to form a resin composition layer Can be manufactured.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤 용제; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제를 들 수 있다. 유기 용제는 1종류 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; Acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; Carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; And amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

건조는 가열, 열풍 분무 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다. 건조 조건은 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 설정한다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 통상, 수지 조성물층은 수지 바니시의 도막을 반경화한 막으로서 수득된다.The drying can be carried out by a known method such as heating or hot air spraying. The drying conditions are set so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. For example, 30 to 60% by mass, is used, the resin varnish is dried at 50 to 150 캜 for 3 minutes to 10 minutes, whereby the resin composition Layer can be formed. Usually, the resin composition layer is obtained as a film obtained by half-curing the coating film of the resin varnish.

접착 필름은 필요에 따라 지지체 및 수지 조성물층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들면, 접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와는 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 설치되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 통상, 접착 필름은 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다. 또한, 접착 필름은 롤 형상으로 말아서 보존하는 것이 가능하다.The adhesive film may optionally include a layer other than the support and the resin composition layer. For example, a protective film according to a support may be provided on the surface of the adhesive film which is not bonded to the support of the resin composition layer (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 占 퐉 to 40 占 퐉. By the protective film, adhesion and scratches of dust or the like to the surface of the resin composition layer can be suppressed. When the adhesive film has a protective film, the adhesive film is usually usable by peeling the protective film. Further, the adhesive film can be rolled and stored.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는 시트상 섬유 기재에 수지 조성물을 함침시켜 형성할 수 있다.In one embodiment, the prepreg can be formed by impregnating a sheet-like fibrous substrate with a resin composition.

프리프레그에 사용되는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않는다. 시트상 섬유 기재로서는, 예를 들면, 글래스 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의, 프리프레그용 기재로서 사용되는 임의의 섬유 기재를 사용할 수 있다. 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하, 특히 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 도체층의 형성시에 걸리는 도금의 잠김 깊이를 작게 억제하는 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하고, 10㎛ 이하가 특히 바람직하다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 통상 1㎛ 이상이고, 1.5㎛ 이상 또는 2㎛ 이상으로 하여도 좋다.The sheet-like fibrous substrate used in the prepreg is not particularly limited. As the sheet-like fiber base material, any fiber base material used as a base material for a prepreg such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, liquid crystal polymer nonwoven fabric and the like can be used. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 占 퐉 or less, more preferably 800 占 퐉 or less, further preferably 700 占 퐉 or less, particularly preferably 600 占 퐉 or less. The thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 30 占 퐉 or less, more preferably 20 占 퐉 or less, and particularly preferably 10 占 퐉 or less, from the viewpoint of suppressing the locking depth of the plating in forming the conductor layer. The lower limit of the thickness of the sheet-like fiber base material is usually 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, or 2 占 퐉 or more.

프리프레그는 핫멜트법, 솔벤트법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 프리프레그의 두께는 상기 접착 필름에서의 수지 조성물층과 같은 범위일 수 있다.The prepreg can be produced by a method such as a hot melt method or a solvent method. The thickness of the prepreg may be the same as that of the resin composition layer in the adhesive film.

[15. 회로 기판][15. Circuit board]

본 발명의 회로 기판은 상기한 수지 조성물의 경화물로 형성된 절연층을 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 회로 기판은 내층 기판과, 이 내층 기판에 설치된 절연층을 구비한다.The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the above resin composition. In one embodiment, the circuit board includes an inner layer substrate and an insulating layer provided on the inner layer substrate.

「내층 기판」이란, 회로 기판의 기재가 되는 부재이다. 내층 기판으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 코어 기판을 포함하는 것을 들 수 있다. 또한, 통상, 내층 기판은 코어 기재의 한면 또는 양면에, 직접적 또는 간접적으로 형성된 도체층을 구비한다. 이 도체층은, 예를 들면 전기적인 회로로서 기능시키기 위해서, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 코어 기판의 한면 또는 양면에 회로로서 도체층이 형성된 내층 기판은 「내층 회로 기판」이라고 불리는 경우가 있다. 또한, 회로 기판을 제조하기 위해서 추가로 절연층 및 도체층 중 적어도 어느 하나가 형성되어야 할 중간 제조물도, 용어 「내층 기판」에 포함된다. 회로 기판이 부품을 내장할 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용하여도 좋다.The " inner layer substrate " is a member serving as a substrate of a circuit substrate. Examples of the inner-layer substrate include a core substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. Further, usually, the inner layer substrate has a conductor layer formed directly or indirectly on one or both surfaces of the core substrate. The conductor layer may be patterned to function as, for example, an electric circuit. An inner layer substrate on which a conductor layer is formed as a circuit on one side or both sides of the core substrate is sometimes referred to as an " inner layer circuit substrate ". Further, an intermediate product to which at least one of the insulating layer and the conductor layer is to be additionally formed for manufacturing the circuit board is also included in the term " inner layer substrate ". In the case where the circuit board incorporates a component, an inner-layer board containing components may be used.

내층 기판 두께는 통상 50㎛ 내지 4000㎛이고, 회로 기판의 기계적 강도의 향상 및 저배화(두께의 저감)의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 내지 3200㎛이다.The thickness of the inner layer substrate is usually from 50 mu m to 4000 mu m and preferably from 200 mu m to 3200 mu m from the standpoint of improvement of the mechanical strength of the circuit board and reduction in thickness (reduction in thickness).

내층 기판에는, 이의 양측의 도체층을 서로 전기적으로 접속하기 위해서, 한쪽의 면으로부터 다른 쪽의 면에 이르는 1개 이상의 스루 홀이 설치되어 있어도 좋다. 또한, 내층 기판은 수동 소자 등의 추가 구성 요소를 구비하고 있어도 좋다.The inner layer substrate may be provided with one or more through holes extending from one surface to the other surface in order to electrically connect the conductor layers on both sides thereof. Further, the inner-layer substrate may have additional components such as passive elements.

절연층은 수지 조성물의 경화물의 층이다. 이 경화물로 형성된 절연층은 특히 빌드업 방식에 의한 회로 기판용, 고주파 회로 기판용, 및 휴대 기기에 사용되는 마더보드, IC 패키지 기판, 카메라 모듈 기판, 및 지문 인증 센서용 기판 등의 회로 기판용 절연층에 적합하게 적용할 수 있다.The insulating layer is a layer of a cured product of the resin composition. The insulating layer formed of the cured product is particularly suitable for circuit boards such as motherboards, IC package substrates, camera module substrates, and fingerprint authentication sensor substrates used for circuit boards, high frequency circuit boards, and portable devices by build- The present invention can be suitably applied to an insulating layer.

회로 기판은 절연층을 1층만 갖고 있어도 좋고, 2층 이상 갖고 있어도 좋다. 회로 기판이 2층 이상인 절연층을 갖는 경우에는, 도체층과 절연층이 교대로 적층된 빌드업층으로서 설치할 수 있다.The circuit board may have only one insulating layer or two or more insulating layers. When the circuit board has an insulating layer having two or more layers, it can be provided as a build-up layer in which a conductor layer and an insulating layer are alternately stacked.

절연층의 두께는 통상 20㎛ 내지 200㎛이고, 전기적 특성의 향상과 회로 기판의 저배화의 관점에서, 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다.The thickness of the insulating layer is usually 20 占 퐉 to 200 占 퐉, preferably 50 占 퐉 to 150 占 퐉, from the viewpoints of improvement of electrical characteristics and lowering of the circuit board.

절연층에는, 회로 기판이 갖는 도체층끼리 전기적으로 접속하기 위한 1개 이상의 비아 홀이 설치되어 있어도 좋다.The insulating layer may be provided with one or more via holes for electrically connecting the conductor layers of the circuit board to each other.

상기 절연층은 상기한 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 층이므로, 상기한 수지 조성물의 경화물이 우수한 특성을 발휘할 수 있다. 따라서, 회로 기판의 절연층은, 바람직하게는 절연층의 유전율, 유리 전이 온도, 절연층과 도전층과의 필 강도의 HAST 시험에 의한 저하율, 절연층과 도전층과의 필 강도, 파단점 신도, 조화 처리 후의 표면 거칠기와 같은 특성을, 상기 수지 조성물의 특성의 항에서 설명한 것과 같은 범위로 조정할 수 있다. 또한, 이러한 특성은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.Since the insulating layer is a layer formed by the cured product of the resin composition described above, the cured product of the resin composition can exert excellent properties. Therefore, the insulating layer of the circuit board preferably has a dielectric constant of the insulating layer, a glass transition temperature, a reduction ratio by the HAST test of the fill strength between the insulating layer and the conductive layer, a peel strength between the insulating layer and the conductive layer, , The surface roughness after the roughening treatment can be adjusted to the range as described in the section of the properties of the resin composition. These properties can also be measured by the methods described in the examples.

회로 기판은, 예를 들면, 접착 필름을 사용하여, 하기 공정 (I) 및 공정 (II)를 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다.The circuit board can be manufactured by a manufacturing method including the following steps (I) and (II) using, for example, an adhesive film.

(I) 내층 기판에, 접착 필름을, 상기 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정.(I) A step of laminating an adhesive film on the inner layer substrate and a resin composition layer of the adhesive film bonded to the inner layer substrate.

(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정.(II) A step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 지지체 측으로부터 접착 필름을 내층 기판에 가압하면서 가열하는 가열 압착 공정에 의해 행할 수 있다. 가열 압착 공정을 위한 부재(「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤)을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 접착 필름의 지지체에 직접적으로 가압하여 프레스하는 것이 아니고, 내층 기판의 표면의 요철에 접착 필름이 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 통하여 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed, for example, by a heat pressing process in which the adhesive film is heated while being pressed against the inner layer substrate from the support side. Examples of members (also referred to as " hot pressing members ") for a hot pressing process include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). Further, it is preferable to press the hot pressing member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the adhesive film sufficiently follows the unevenness of the surface of the inner layer substrate, rather than directly pressing the hot pressing member against the support of the adhesive film.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 진공 라미네이트법에 의해 실시할 수 있다. 진공 라미네이트법에 있어서 가열 압착의 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃이다. 가열 압착의 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa이다. 가열 압착의 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다.The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be carried out, for example, by a vacuum laminating method. The temperature of the hot pressing in the vacuum laminating method is preferably 60 ° C to 160 ° C, more preferably 80 ° C to 140 ° C. The pressure of the hot pressing is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The time for hot pressing is preferably 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코·머티리얼즈사 제조의 배큠 어플리케이터, 배취식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.The lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meikisai Sakusho Co., Ltd., a vacuum applicator manufactured by Nikko Material Co., Ltd., a vacuum type vacuum laminator, and the like can be given.

적층 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재로 지지체 측으로부터 프레스함으로써 적층된 수지 조성물층의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착의 조건과 같은 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층 및 평활화 처리는 상기한 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin composition layer may be subjected to a smoothing treatment under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, by pressing from the support side with a hot pressing member. The pressing condition of the smoothing process can be the same as the condition of the hot pressing of the lamination. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The lamination and smoothing process may be performed continuously using the above-described commercially available vacuum laminator.

지지체는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거하여도 좋고, 공정 (II) 후에 제거하여도 좋다.The support may be removed between step (I) and step (II), or may be removed after step (II).

공정 (II)에서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화의 조건은 특별히 한정되지 않고, 회로 기판의 절연층을 형성함에 있어서 채용되는 조건을 임의로 채용할 수 있다.In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The conditions of the thermosetting of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions employed in forming the insulating layer of the circuit board can be arbitrarily adopted.

수지 조성물층의 열경화 조건은, 예를 들면 수지 조성물의 종류에 따라서도 다르다. 수지 조성물층의 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위)이다. 또한, 경화 시간은 통상 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)이다.The thermosetting condition of the resin composition layer varies depending on, for example, the type of the resin composition. The curing temperature of the resin composition layer is usually in the range of 120 캜 to 240 캜 (preferably in the range of 150 캜 to 220 캜, more preferably in the range of 170 캜 to 200 캜). The curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열하여도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃이하)의 온도로, 수지 조성물층을 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열하여도 좋다.The resin composition layer may be preheated to a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer is heated to a temperature of generally 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 110 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 100 ° C or less) May be preliminarily heated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

회로 기판의 제조방법은 또한 (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층에 조화 처리를 실시하는 공정, 및 (V) 도체층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 공정 (V)는 회로 기판의 제조에 사용되는 적절한 방법에 따라 실시할 수 있다. 또한, 지지체를 공정 (II) 후에 제거할 경우, 상기 지지체의 제거는 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이 중 어느 시점에서 실시하여도 좋다.The manufacturing method of the circuit board may further include (III) a step of piercing the insulating layer, (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer. These steps (III) to (V) may be carried out according to a suitable method used in the production of a circuit board. When the support is removed after the step (II), the removal of the support is carried out between the steps (II) and (III), between the steps (III) and (IV) The present invention is not limited thereto.

공정 (III)은 절연층에 천공하는 공정이다. 천공에 의해, 절연층에 비아 홀, 스루 홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 방법으로 실시할 수 있다. 홀의 치수 및 형상은 회로 기판의 디자인에 따라 적절에 결정할 수 있다.Step (III) is a step of perforating the insulating layer. Through holes, holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) can be carried out by, for example, a method such as drilling, laser or plasma, depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes can be determined appropriately according to the design of the circuit board.

공정 (IV)는 절연층에 조화 처리를 실시하는 공정이다. 조화 처리의 순서 및 조건은 특별히 한정되지 않고, 회로 기판의 절연층을 형성함에 있어서 사용되는 임의의 순서 및 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순차로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다.Step (IV) is a step of applying a roughening treatment to the insulating layer. The order and conditions of the harmonic treatment are not particularly limited, and any order and conditions used in forming the insulating layer of the circuit board can be employed. For example, swelling treatment with a swelling liquid, coarsening treatment with an oxidizing agent, and neutralization treatment with a neutralizing liquid can be carried out in this order to roughen the insulating layer.

팽윤액으로서는, 예를 들면, 알칼리 용액, 계면활성제 용액을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액을 들 수 있다. 알칼리 용액으로서는 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「스웰링·딥·시큐리간스 P」, 「스웰링·딥·시큐리간스 SBU」를 들 수 있다. 또한, 팽윤액은 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않는다. 팽윤 처리는, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.The swelling liquid includes, for example, an alkali solution and a surfactant solution, and preferably an alkali solution. As the alkali solution, a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution is more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Siculgans P and Swelling Dip Siculgans SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling liquid may be used alone or in combination of two or more. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited. The swelling treatment can be performed, for example, by immersing the insulating layer in a swelling solution at 30 캜 to 90 캜 for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin in the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in the swelling liquid at 40 占 폚 to 80 占 폚 for 5 minutes to 15 minutes.

산화제로서는, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 산화제는 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「콘센트레이트·컴팩트 CP」, 「도징솔루션·시큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.As the oxidizing agent, there can be mentioned, for example, an alkaline permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide. The oxidizing agent may be used singly or in combination of two or more kinds. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated at 60 캜 to 80 캜 for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. and "Dozing Solution · Securigans P".

중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하다. 중화액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「리덕션 솔루션·시큐리간스 P」를 들 수 있다. 또한, 중화액은 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 절연층의 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 절연층을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable. As a commercial product of the neutralization liquid, for example, "Reduction Solution · Securigans P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. can be mentioned. The neutralizing liquid may be used singly or in combination of two or more kinds. The treatment with the neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface of the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. It is preferable to immerse the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 캜 to 70 캜 for 5 minutes to 20 minutes in terms of workability and the like.

공정 (V)는 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층에 사용되는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 좋고, 합금층이라도 좋다. 합금층으로서는, 예를 들면, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층의 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하다. 또한, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는, 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 더욱 바람직하다.Step (V) is a step of forming a conductor layer. The material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more metals selected from the above-mentioned group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or a copper single metal layer is preferable from the viewpoints of general versatility of the conductor layer, cost and ease of patterning. Or an alloy layer of a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, or a copper-titanium alloy. In addition, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layers; Alternatively, a nickel-chromium alloy alloy layer is more preferable, and a copper alloy layer is more preferable.

도체층은 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or may have a multi-layer structure including two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys. When the conductor layer is a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는 통상 3㎛ 내지 200㎛이고, 바람직하게는 10㎛ 내지 100㎛이다.The thickness of the conductor layer is usually from 3 to 200 mu m, preferably from 10 to 100 mu m.

도체층은, 예를 들면, 접착 필름의 지지체로서 사용된 금속박을 이용하여, 이를 직접적으로 패터닝하여 형성할 수 있다. 또한, 도체층은, 예를 들면, 도금에 의해 형성할 수 있다. 도금에 의한 형성 방법으로서는, 예를 들면, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 등의 방법에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 애디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The conductor layer can be formed, for example, by directly patterning it using a metal foil used as a support for an adhesive film. The conductor layer can be formed by, for example, plating. As a forming method by plating, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a method such as a semiadditive method or a pull additive method. Above all, from the viewpoint of simplicity of production, it is preferable to form it by the semi-additive method.

이하, 도체층을 세미 애디티브법에 의해 형성하는 예를 설명한다. 우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하도록 도금 시드층의 일부분을 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.Hereinafter, an example of forming the conductor layer by the semi-additive method will be described. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer so as to correspond to the desired wiring pattern. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.

도체층은, 예를 들면, 금속박을 사용하여 형성하여도 좋다. 금속박을 사용하여 도체층을 형성할 경우, 공정 (V)는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 공정 (I) 후, 지지체를 제거하고, 노출된 수지 조성물층의 표면에 금속박을 적층한다. 수지 조성물층과 금속박의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시할 수 있다. 적층의 조건은 공정 (I)에서의 내층 기판과 접착 필름의 적층 조건과 같게 하여도 좋다. 이어서, 공정 (II)를 실시하여 절연층을 형성한다. 그 후, 절연층 위의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법, 모디파이드 세미 애디티브법 등의 방법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 금속박은, 예를 들면, 전해법, 압연법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 금속박의 시판품으로서는, 예를 들면, JX닛코닛세키긴조크사 제조의 HLP박, JXUT-III박, 미쯔이긴조크코우잔사 제조의 3EC-III박, TP-III박 등을 들 수 있다.The conductor layer may be formed using, for example, a metal foil. When the conductive layer is formed using a metal foil, it is preferable that the step (V) is carried out between the step (I) and the step (II). For example, after the step (I), the support is removed and a metal foil is laminated on the surface of the exposed resin composition layer. The lamination of the resin composition layer and the metal foil can be carried out by a vacuum laminating method. The lamination conditions may be the same as the lamination conditions of the inner layer substrate and the adhesive film in the step (I). Subsequently, an insulating layer is formed by carrying out the step (II). Thereafter, the metal layer on the insulating layer can be used to form a conductor layer having a desired wiring pattern by a subtractive method, a modified semi-additive method or the like. The metal foil can be produced by, for example, an electrolytic method, a rolling method, or the like. Examples of commercial products of metal foil include HLP foil, JXUT-III foil, 3EC-III foil, and TP-III foil manufactured by JX Nikkosuke Kikuchi Kogyo Co., Ltd., and the like.

회로 기판이 2층 이상의 절연층 및 도체층(빌드업층)을 구비할 경우에는 상기한 절연층의 형성 공정 및 도체층의 형성 공정을 추가로 1회 이상 반복하여 실시함으로써, 회로로서 기능할 수 있는 다층 배선 구조를 구비한 회로 기판을 제조할 수 있다.When the circuit board has two or more insulating layers and a conductor layer (build-up layer), the above-described step of forming the insulating layer and the step of forming the conductor layer are repeated one or more times, A circuit board having a multilayer wiring structure can be manufactured.

다른 실시형태에 있어서, 회로 기판은 접착 필름 대신에 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 프리프레그를 사용하는 제조방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 같다.In another embodiment, the circuit board can be made using a prepreg instead of an adhesive film. The manufacturing method using the prepreg is basically the same as the case of using the adhesive film.

[16. 반도체 장치][16. Semiconductor device]

반도체 장치는 상기 회로 기판을 구비한다. 이 반도체 장치는 회로 기판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device includes the circuit board. This semiconductor device can be manufactured by using a circuit board.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in an electric product (such as a computer, a mobile phone, a digital camera and a television) and a vehicle (such as a motorcycle, a car, a train, have.

반도체 장치는, 예를 들면, 회로 기판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「회로 기판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」이고, 이의 개소는 회로 기판의 표면이라도, 회로 기판 내에 매립된 개소라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자를 임의로 사용할 수 있다.The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) in a conductive portion of a circuit board. The " conduction point " is a " position at which an electric signal is transmitted from the circuit board ", and the position of the conduction point may be the surface of the circuit board or the portion embedded in the circuit board. Further, the semiconductor chip can be arbitrarily used as an electric circuit element made of a semiconductor.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은 반도체 칩이 유효하게 기능하는 임의의 방법을 채용할 수 있다. 반도체 칩의 실장 방법으로서는, 예를 들면, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 회로 기판에 직접적으로 매립하여, 반도체 칩과 회로 기판의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 의미한다.The semiconductor chip mounting method in manufacturing the semiconductor device can employ any method in which the semiconductor chip effectively functions. Examples of the semiconductor chip mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF) As shown in Fig. Here, the " mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL) " means a mounting method in which " the semiconductor chip is directly buried in the circuit board to connect the semiconductor chip and the circuit board wiring.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에서, 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the following description, " part " and "% " mean " part by mass " and "% by mass ", respectively, unless otherwise specified.

[실시예 1][Example 1]

액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 187, 미쓰비시케미컬사 제조 「jER828US」) 20부, 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 미쓰비시케미컬사 제조 「YX4000HK」) 10부, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼카야쿠사 제조 「NC3000」) 30부, 나프톨형 에폭시 수지(에폭시 당량 332, 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조 「ESN475V」) 10부, 및 페녹시 수지(불휘발 성분 30질량%의 메틸에틸케톤/사이클로헥산온=1/1용액, 미쓰비시케미컬사 제조 「YL7553BH30」) 20부를, 메틸에틸케톤 60부 및 사이클로헥산온 20부에 교반하면서 가열 용해시켜, 수지 용액을 수득하였다., 20 parts of a liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 187, "jER828US" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 10 parts of a biscylsilol type epoxy resin (epoxy equivalent 190, "YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) , 10 parts of a naphthol type epoxy resin (epoxy equivalent 332, " ESN475V " manufactured by Shinnitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.), and 30 parts of a phenoxy resin (nonvolatile component 30% 20 parts of methyl ethyl ketone / cyclohexanone = 1/1 solution, "YL7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was dissolved by heating in 60 parts of methyl ethyl ketone and 20 parts of cyclohexanone with stirring to obtain a resin solution.

이 수지 용액에, 카르보디이미드 화합물(불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액, 닛신보케미컬사 제조 「V-03」) 11부, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠카가쿠사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리한 구상 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 비표면적 5.9m2/g) 100부, 폴리테트라플루오로에틸렌 입자(다이킨코교사 제조 「르브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛) 80부, 활성 에스테르계 경화제(활성기 당량 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액, DIC사 제조 「HPC8000-65T」) 10부, 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락형 경화제(페놀 당량 151, 불휘발 성분 50질량%의 2-메톡시프로판올 용액, DIC사 제조 「LA3018-50P」) 20부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 불휘발 성분 5질량%의 메틸에틸케톤 용액) 4부, 및 비입자상의 불소계 중합체(교에이샤카가쿠사 제조 「LE-605」) 4부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시를 수득하였다.To this resin solution were added 11 parts of a carbodiimide compound (toluene solution of a non-volatile component 50% by mass, "V-03" manufactured by Nissinbo Chemical Co., Ltd.) 100 parts of spherical silica ("SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm, specific surface area 5.9 m 2 / g) surface-treated with polytetrafluoroethylene particles , 10 parts of an active ester curing agent (active equivalent weight 223, toluene solution of a nonvolatile component of 65 mass%, " HPC8000-65T ", manufactured by DIC Corp.), 80 parts of triazine 20 parts of skeleton-containing cresol novolak type curing agent (phenol equivalent 151, 2-methoxypropanol solution of nonvolatile component 50 mass%, " LA3018-50P ", manufactured by DIC Corporation), 20 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine 4 parts by mass of a non-volatile component (5% by mass of methyl ethyl ketone solution), and 4 parts by volume of a non-particulate fluoropolymer Chemical Co., Ltd., "LE-605") were mixed with 4 parts, and obtain a resin varnish was uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer.

지지체로서, 표면에 알키드 수지계의 이형층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛, 린텍사 제조 「AL5」)을 준비하였다. 이 지지체 위에, 상기 수지 바니시를, 다이코터를 사용하여 균일하게 도포하였다. 도포된 수지 바니시를, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜 수지 조성물층을 형성하고, 지지체 및 수지 조성물층을 갖는 접착 필름을 수득하였다. 수지 조성물층의 두께는 50㎛, 수지 조성물 중의 잔류 용제량은 약 2질량%이었다.As a support, a polyethylene terephthalate film (thickness: 38 mu m, "AL5" manufactured by LINTEX Co., Ltd.) having an aliquot resin-based release layer was prepared. On the support, the resin varnish was uniformly coated using a die coater. The applied resin varnish was dried at 80 to 120 캜 (average 100 캜) for 6 minutes to form a resin composition layer, and an adhesive film having a support and a resin composition layer was obtained. The thickness of the resin composition layer was 50 mu m, and the amount of the residual solvent in the resin composition was about 2 mass%.

이어서, 수지 조성물층의 표면에, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서, 접착 필름을 롤 형상으로 권취했다. 권취된 접착 필름을 폭 507mm으로 슬릿하여, 507mm×336mm 사이즈의 시트상 접착 필름을 수득하였다.Subsequently, while the polypropylene film having a thickness of 15 占 퐉 was bonded to the surface of the resin composition layer, the adhesive film was rolled up. The wound adhesive film was slit at a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film having a size of 507 mm x 336 mm.

[실시예 2][Example 2]

폴리테트라플루오로에틸렌 입자(다이킨코교사 제조 「르브론 L-2」) 80부를, 폴리테트라플루오로에틸렌 입자(기타무라사 제조 「KTL-500F」, 평균 입자 직경 0.3㎛) 80부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.80 parts of polytetrafluoroethylene particles ("LEBRON L-2" manufactured by Daikin Industries, Ltd.) were changed to 80 parts of polytetrafluoroethylene particles ("KTL-500F" manufactured by Kitamura, average particle diameter 0.3 μm). A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 3][Example 3]

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠카가쿠사 제조 「KBM573」)으로 표면 처리한 구상 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 100부 및 폴리테트라플루오로에틸렌 입자(다이킨코교사 제조 「르브론 L-2」) 80부를, 폴리테트라플루오로에틸렌 입자(기타무라사 제조 「KTL-500F」, 평균 입자 직경 0.3㎛) 170부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.100 parts of spherical silica (" SO-C2 " manufactured by Adomex Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shinetsu Kagaku Co., Ltd.) and 100 parts of polytetrafluoroethylene particles ) Was changed to 170 parts of polytetrafluoroethylene particles (" KTL-500F " manufactured by Kitamura Co., Ltd., average particle diameter 0.3 mu m). A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 4][Example 4]

활성 에스테르계 경화제(불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액, DIC사 제조 「HPC8000-65T」)의 양을 10부에서 15부로 변경하였다. 또한, 카르보디이미드 화합물(닛신보케미컬사 제조 「V-03」, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액)의 양을, 11부에서 2부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.The amount of the active ester type curing agent (toluene solution of a nonvolatile component of 65 mass%, " HPC8000-65T ", manufactured by DIC Corporation) was changed from 10 parts to 15 parts. Further, the amount of the carbodiimide compound ("V-03" manufactured by Nissinbo Chemical Co., Ltd., toluene solution of a non-volatile component of 50 mass%) was changed from 11 parts to 2 parts. A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 5][Example 5]

폴리테트라플루오로에틸렌 입자(다이킨코교사 제조 「르브론 L-2」) 80부와 불소계 중합체(교에이샤카가쿠사 제조 「LE-605」) 4부를 미리 혼합하고 나서, 수지 용액에 혼합하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.80 parts of polytetrafluoroethylene particles ("LEBRON L-2" manufactured by Daikin Industries, Ltd.) and 4 parts of fluoropolymer ("LE-605" manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) were mixed in advance and mixed in a resin solution. A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 6][Example 6]

비페닐아르알킬형 에폭시 수지(니혼카야쿠사 제조 「NC3000」) 30부를, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(에폭시 당량 260, DIC사 제조 「HP6000」) 27부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.30 parts of biphenylaralkyl type epoxy resin ("NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was changed to 27 parts of naphthylene ether type epoxy resin (epoxy equivalent 260, "HP6000" manufactured by DIC Corporation). A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 7][Example 7]

비페닐아르알킬형 에폭시 수지(니혼카야쿠사 제조 「NC3000」) 30부를, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(에폭시 당량 260, DIC사 제조 「HP6000」) 20부 및 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(에폭시 당량 163, DIC사 제조 「HP4700」) 5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.20 parts of a naphthylene ether type epoxy resin (epoxy equivalent 260, "HP6000" manufactured by DIC Corporation) and 30 parts of a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163 , &Quot; HP4700 ", manufactured by DIC Corporation). A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 8][Example 8]

트리아진 골격 함유 크레졸노볼락형 경화제(DIC사 제조 「LA3018-50P」, 불휘발 성분 50질량%의 2-메톡시프로판올 용액) 20부를, 나프톨형 경화제(수산기 당량 215, 신닛데츠카가쿠사 제조 「SN485」) 5부 및 트리아진 함유 페놀노볼락 수지(수산기 당량 125, DIC사 제조 「LA7054」, 불휘발 성분 60%의 MEK 용액) 10부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.20 parts of a triazine skeleton-containing cresol novolak type curing agent ("LA3018-50P" manufactured by DIC Corporation, 2-methoxypropanol solution of a nonvolatile component of 50 mass%) was added to 20 parts of a naphthol type curing agent (hydroxyl group equivalent 215, manufactured by Shinnitodezakagaku Co., SN485 ") and 10 parts of triazine-containing phenol novolak resin (hydroxyl equivalent of 125," LA7054 "manufactured by DIC Corporation, MEK solution of 60% nonvolatile component). A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 9][Example 9]

수지 바니시에, 추가로 N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠카가쿠사 제조 「KBM573」) 2부를 첨가하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.To the resin varnish, 2 parts of N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573, Shin-Etsu Chemical Co.) was added. A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 10][Example 10]

활성 에스테르계 경화제(불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액, DIC사 제조 「HPC8000-65T」)의 양을, 10부에서 5부로 변경하였다. 또한, 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락형 경화제(DIC사 제조 「LA3018-50P」, 불휘발 성분 50질량%의 2-메톡시프로판올 용액)의 양을, 20부에서 5부로 변경하였다. 또한, 카르보디이미드 화합물(닛신보케미컬사 제조 「V-03」, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액)의 양을, 11부에서 35부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.The amount of the active ester type curing agent (toluene solution of a nonvolatile component of 65 mass%, " HPC8000-65T ", manufactured by DIC Corporation) was changed from 10 parts to 5 parts. Further, the amount of the cresol novolak type curing agent containing triazine skeleton ("LA3018-50P" manufactured by DIC Corporation, 2-methoxypropanol solution of 50 mass% non-volatile component) was changed from 20 parts to 5 parts. Further, the amount of the carbodiimide compound ("V-03" manufactured by Nissinbo Chemical Co., Ltd., toluene solution of a non-volatile component of 50 mass%) was changed from 11 parts to 35 parts. A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[비교예 1][Comparative Example 1]

활성 에스테르계 경화제(불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액, DIC사 제조 「HPC8000-65T」)의 양을, 10부에서 20부로 변경하였다. 또한, 카르보디이미드 화합물(닛신보케미컬사 제조 「V-03」, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액)의 양을, 11부에서 0부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 완전히 같게 하여, 수지 바니시 및 접착 필름을 제조하였다.The amount of the active ester type curing agent (toluene solution of a nonvolatile component of 65 mass%, "HPC8000-65T" manufactured by DIC Corporation) was changed from 10 parts to 20 parts. Further, the amount of the carbodiimide compound ("V-03" manufactured by Nissinbo Chemical Co., Ltd., toluene solution of the non-volatile component of 50 mass%) was changed from 11 parts to 0 part. A resin varnish and an adhesive film were prepared in exactly the same manner as in Example 1 except for the above.

[유전율의 측정][Measurement of dielectric constant]

표면에 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 「PET501010」)을 준비하였다. 이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에, 실시예 및 비교예에서 수득된 수지 바니시를, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 50㎛가 되도록, 다이코터를 사용하여 균일하게 도포하였다. 도포된 수지 바니시를, 80℃ 내지 110℃(평균 95℃)에서 6분간 건조하여, 수지 조성물층을 수득하였다. 그 후, 수지 조성물층을 200℃에서 90분간 열처리하여 경화시키고, 지지체를 박리함으로써, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물 필름을 수득하였다. 경화물 필름을 길이 80mm, 폭 2mm으로 잘라, 평가 샘플을 수득하였다.A polyethylene terephthalate film ("PET501010" manufactured by Lintec Corp.) having a surface subjected to release treatment was prepared. On this polyethylene terephthalate film, resin varnishes obtained in Examples and Comparative Examples were uniformly coated using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 50 占 퐉. The coated resin varnish was dried at 80 캜 to 110 캜 (average 95 캜) for 6 minutes to obtain a resin composition layer. Thereafter, the resin composition layer was heat-treated at 200 캜 for 90 minutes to cure, and the support was peeled off to obtain a cured film formed of the cured product of the resin composition. The cured film was cut into a length of 80 mm and a width of 2 mm, and an evaluation sample was obtained.

이 평가 샘플에 대하여, 분석 장치(애질런트 테크놀로지스(Agilent Technologies)사 제조 「HP8362B」)를 사용한 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃로, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 측정하였다. 측정은 2개의 시험편에 대하여 행하여, 이의 평균값을 산출하였다.The dielectric sample of the cured product of the resin composition was measured for the evaluation sample at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 占 폚 by a cavity resonance perturbation method using an analyzer ("HP8362B" manufactured by Agilent Technologies) . The measurement was carried out on two test pieces, and an average value thereof was calculated.

[유리 전이 온도의 측정][Measurement of glass transition temperature]

상기 경화물 필름을 폭 약 5mm, 길이 약 15mm로 잘라, 시험편을 수득하였다. 이 시험편에 대하여, 열기계 분석 장치(리가크사 제조 「Thermo Plus TMA8310」)을 사용하여, 인장 가중법으로 열기계 분석을 행하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 열기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 연속하여 2회 분석을 행하였다. 그리고, 2회째의 측정에서, 유리 전이 온도(Tg; ℃)를 산출하였다.The cured film was cut to a width of about 5 mm and a length of about 15 mm to obtain a test piece. The test piece was subjected to thermomechanical analysis by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer ("Thermo Plus TMA8310" manufactured by Rigaku Corporation). Specifically, after inserting the test piece into the thermomechanical analyzer, analysis was carried out twice successively under the conditions of a load of 1 g and a temperature raising rate of 5 캜 / min. Then, in the second measurement, the glass transition temperature (Tg; 占 폚) was calculated.

[필 강도의 측정][Measurement of Peel Strength]

(1) 내층 기판의 하지(下地) 처리:(1) Underlayer Treatment of Inner Layer Substrate:

내층 회로가 형성된 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판 두께 0.8mm, 마츠시타덴코사 제조 「R5715ES」)을, 내층 기판으로서 준비하였다. 이 내층 기판의 양면을, 에칭제(맥크사 제조 「CZ8100」)로 1㎛ 에칭하여, 내층 기판 양쪽의 동 표면의 조화 처리를 행하였다.A glass cloth substrate epoxy resin double-side copper-clad laminate (thickness of copper foil of 18 mu m, substrate thickness of 0.8 mm, "R5715ES" manufactured by Matsushita Electric KK) on which an inner layer circuit was formed was prepared as an inner layer substrate. Both surfaces of this inner layer substrate were etched with a thickness of 1 mu m with an etching agent (" CZ8100 " manufactured by McCarthy Co., Ltd.) to perform coarsening of copper surfaces on both inner layer substrates.

(2) 접착 필름 라미네이트:(2) Adhesive film Laminate:

실시예 및 비교예에서 제조한 접착 필름을, 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코·머티리얼즈사 제조의 2 스테이지 빌트업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 기판과 접하도록 내층 기판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 이어서, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열 프레스를 행하였다.The adhesive films prepared in Examples and Comparative Examples were laminated on both surfaces of the inner layer substrate so that the resin composition layer was in contact with the inner layer substrate using a vacuum type vacuum laminator (CVP700, two stage built-up laminator manufactured by Nikko Material ≪ / RTI > The laminate was decompressed for 30 seconds to adjust the air pressure to 13 hPa or less, followed by compression at 100 DEG C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Then, hot pressing was performed at 100 占 폚 and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds.

(3) 수지 조성물의 경화:(3) Curing of resin composition:

내층 기판에 라미네이트된 접착 필름을, 100℃에서 30분, 추가로 180℃에서 30분의 경화 조건으로 가열하여, 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성하였다. 그 후, 지지체로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하였다. 이로써, 절연층, 내층 기판 및 절연층을 이러한 순서로 갖는 시료 기판을 수득하였다.The adhesive film laminated on the inner layer substrate was heated at 100 캜 for 30 minutes and further at 180 캜 for 30 minutes to thermally cure the resin composition layer to form an insulating layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film as a support was peeled off. Thus, a sample substrate having an insulating layer, an inner layer substrate and an insulating layer in this order was obtained.

(4) 조화 처리:(4) Harmonizing treatment:

상기 시료 기판을, 팽윤액(아토텍재팬사 제조 「스웰링 딥·시큐리간트 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 포함함)에 60℃에서 10분간 침지하였다. 다음에, 시료 기판을, 조화액(아토텍재팬사 제조 「콘센트레이트·컴팩트 P」KMnO4: 60g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 20분간 침지하였다. 다음에, 시료 기판을, 중화액(아토텍재팬사 제조 「리덕션 솔루션·시큐리간트 P」)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 그 후, 시료 기판을 80℃에서 30분 건조하여, 조화 기판을 수득하였다. 이 조화 기판의 절연층의 표면의 산술 평균 거칠기(Ra값) 및 10점 평균 거칠기(Rz값)를, 후술하는 방법으로 측정하였다.The sample substrate was immersed in a swelling solution ("Swelling Deep Sucuregent P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., containing diethylene glycol monobutyl ether) at 60 ° C for 10 minutes. Subsequently, the sample substrate was immersed in a coagulating solution ("Concentrate Compact P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) at 80 ° C for 20 minutes. Next, the sample substrate was immersed in a neutralizing solution ("Reduction Solution · Securigant P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 40 ° C for 5 minutes. Thereafter, the sample substrate was dried at 80 DEG C for 30 minutes to obtain a coherent substrate. The arithmetic average roughness (Ra value) and the 10-point average roughness (Rz value) of the surface of the insulating layer of the coarse substrate were measured by a method described later.

(5) 세미 애디티브 공법에 의한 도금:(5) Plating by semi-additive method:

조화 기판을, PdCl2를 포함하는 무전해 도금용 용액에, 40℃에서 5분간 침지하고, 다음에, 무전해 동 도금액에 25℃에서 20분간 침지하였다. 그 후, 조화 기판에, 150℃로 30분간 가열하는 아닐 처리를 행하였다. 아닐 처리 후의 조화 기판에 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의한 패턴 형성을 행하였다. 그 후, 황산 동 전해 도금을 행하고, 절연층의 표면에 25㎛의 두께로 도체층을 형성하였다. 다음에, 180℃로 30분간 가열하는 아닐 처리를 행하여, 절연층 위에 도체층을 갖는 회로 기판을 수득하였다.The coarsened substrate was immersed in a solution for electroless plating containing PdCl 2 at 40 ° C for 5 minutes and then immersed in an electroless copper plating solution at 25 ° C for 20 minutes. Thereafter, the coarsened substrate was annealed at 150 캜 for 30 minutes. An etching resist was formed on the roughened substrate after the annealing, and a pattern was formed by etching. Thereafter, copper sulfate electroplating was performed to form a conductor layer with a thickness of 25 mu m on the surface of the insulating layer. Subsequently, annealing was performed at 180 캜 for 30 minutes to obtain a circuit board having a conductor layer on the insulating layer.

(6) 도금 도체층의 박리 강도(필 강도)의 측정:(6) Measurement of Peel Strength (Peel Strength) of Plated Conductor Layer:

회로 기판의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm의 직사각형 부분을 둘러싸도록 절개를 넣었다. 이 직사각형 부분의 길이 방향의 일단을 벗겨서 잡기 도구(TSE사 제조의 오토컴형 시험기 「AC-50CSL」)로 집었다. 그리고, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로, 회로 기판의 표면에 대한 수직 방향으로 도체층을 박리하는 박리 시험을 행하고, 길이 35mm을 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 필 강도로서 측정하였다.The conductor layer of the circuit board was cut so as to surround a rectangular portion having a width of 10 mm and a length of 100 mm. One end in the longitudinal direction of this rectangular portion was peeled off and picked up by a gripping tool (AC-50CSL manufactured by TSE). Then, a peel test was conducted to peel the conductor layer in a direction perpendicular to the surface of the circuit board at a rate of 50 mm / min at room temperature, and the load (kgf / cm) when the length was peeled off was measured as the peel strength .

[HAST 시험 후의 필 강도의 측정][Measurement of Peel Strength after HAST Test]

상기 회로 기판을, 고도 가속 수명 시험 장치(구스모토카세이사 제조 「PM422」)를 사용하여, 온도 130℃, 습도 85% RH의 환경에 100시간 노출시키는 HAST 시험으로서의 가속 환경 시험을 행하였다. 그 후, 상기 [필 강도의 측정]의 공정 (6)「도금 도체층의 박리 강도(필 강도)의 측정」과 같은 조작에 의해, 회로 기판의 도체층을 박리했을 때의 필 강도를 측정하였다.The above-mentioned circuit board was subjected to an accelerated environmental test as a HAST test in which it was exposed to an environment at a temperature of 130 DEG C and a humidity of 85% RH for 100 hours by using an advanced accelerated life testing apparatus ("PM422" manufactured by Gusumoto Chemical Industry Co., Ltd.). Thereafter, the peel strength at the time when the conductor layer of the circuit board was peeled off was measured by the same operation as the above-mentioned [Measurement of Peel Strength] (Step 6) " Measurement of Peel Strength (Peel Strength) of Plated Conductor Layer & .

가속 환경 시험 전의 필 강도(F0)와, 가속 환경 시험 후의 필 강도(F1)로부터, 가속 환경 시험에 의한 필 강도의 저하율 「{(F0-F1)/F0}×100(%)」을 계산하였다. 저하율이 30% 이하인 것을 「양호」라고 판정하고, 30%보다 큰 것을 「불량」이라고 판정하였다.(F 0 -F 1 ) / F 0 } × 100 (%) of the peel strength by the acceleration environmental test from the peel strength (F 0 ) before the accelerated environmental test and the peel strength (F 1 ) ) Was calculated. Good "was judged as the rate of decrease of 30% or less, and" Good "was judged as being larger than 30%.

[파단점 신도의 평가][Evaluation of breaking point shindo]

상기 경화물 필름에 대하여, 일본 공업 규격(JIS K7161)에 준거하고, 온도 25℃, 습도 40% RH, 인장 속도 50mm/분으로, 텐실론 만능 시험기(A&D사 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하여, 샘플의 파단점 신도를 측정하였다.The cured film was subjected to a tensile test in accordance with Japanese Industrial Standards (JIS K7161) using a tensile tensile tester (manufactured by A & D Co.) at a temperature of 25 ° C, a humidity of 40% RH and a tensile speed of 50 mm / , And the elongation at break of the sample was measured.

[절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 10점 평균 거칠기(Rz)의 측정][Measurement of arithmetic mean roughness (Ra) and ten-point average roughness (Rz) of insulating layer surface]

조화 기판의 절연층의 표면의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 10점 평균 거칠기(Rz)를, 비접촉형 표면 거칠기계(비코인스트루먼트사 제조 「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해, 측정 범위를 121㎛×92㎛으로 하여 얻어지는 수치에 의해 구하였다. 무작위로 선택한 10점의 평균값을 구하여 측정값으로 하였다.The arithmetic mean roughness (Ra) and the 10-point average roughness (Rz) of the surface of the insulating layer of the coarse substrate were measured using a VSI contact mode, a 50x lens By a numerical value obtained by setting the measurement range to 121 mu m x 92 mu m. The average value of 10 randomly selected points was obtained and used as a measurement value.

[결과][result]

상기한 실시예 및 비교예의 결과를 하기의 표에 나타낸다. 하기의 표에서, 각 성분의 양은 불휘발 성분의 질량부를 나타낸다.The results of the above-described examples and comparative examples are shown in the following table. In the following table, the amount of each component represents the mass part of the non-volatile component.

[표 1. 실시예 및 비교예의 결과][Table 1. Results of Examples and Comparative Examples]

Figure pat00002
Figure pat00002

[검토][Review]

표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 어느 실시예에서도 낮은 유전율이 얻어지고 있다. 또한, 실시예에 있어서는, (B) 카르보디이미드 화합물을 사용하지 않은 비교예 1에 비해, 유리 전이 온도(Tg)를 높게 할 수 있고, 또한, HAST 시험 후의 필 강도의 저하율을 작게 할 수 있다. 이 결과로부터, 본 발명에 의해, 유전율이 낮고, 도체층에 대한 밀착성의 HAST 시험에 의한 저하를 억제할 수 있고, 또한 유리 전이 온도가 높은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있다는 것이 확인되었다.As can be seen from Table 1, low permittivity is obtained in any of the embodiments. Further, in Examples, the glass transition temperature (Tg) can be increased and the rate of decrease of the peel strength after the HAST test can be made smaller than that of Comparative Example 1 in which the carbodiimide compound (B) is not used . From these results, it was confirmed that the present invention can realize a resin composition capable of suppressing the lowering of the adhesiveness to the conductor layer due to the HAST test with a low dielectric constant and obtaining an insulating layer having a high glass transition temperature .

또한, 실시예 1 내지 실시예 10에서는, 비교예 1과 같은 정도의 파단점 신도 및 표면 거칠기를 수득하고 있다. 따라서, 본 발명에 의해 수득되는 절연층은 이들의 파단점 신도 및 표면 거칠기에서 종래품과 같은 정도 이상으로 우수한 특성을 갖는 것을 알 수 있다.In Examples 1 to 10, breaking point elongation and surface roughness were obtained to the same extent as in Comparative Example 1. [ Therefore, it can be seen that the insulating layer obtained by the present invention has excellent characteristics in terms of elongation at break and surface roughness of the same level as that of the conventional product.

(B) 카르보디이미드 화합물을 대량으로 사용한 실시예 10에 비해, 그 이외의 실시예 1 내지 실시예 9에서는 파단점 신도를 크게 할 수 있다. 이 결과로부터, 기계적 강도가 우수한 절연층을 수득하는 관점에서는, (B) 카르보디이미드 화합물의 양에 적절한 범위가 있는 것이 확인되었다.Compared with Example 10 in which a large amount of the carbodiimide compound (B) is used, the elongation at break can be increased in the other Examples 1 to 9. From these results, it was confirmed that there is an appropriate range for the amount of the (B) carbodiimide compound from the viewpoint of obtaining an insulating layer excellent in mechanical strength.

실시예 5에서는, 실시예 1에 비해 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다. 이 결과로부터, (C-1) 불소계 충전재의 분산성을 높여, 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득하는 관점에서는, 비입자상의 (G) 성분을 (C-1) 불소계 충전재와 혼합하고 나서, 그 이외의 성분과 혼합하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다.In the fifth embodiment, the surface roughness of the insulating layer can be made smaller than that of the first embodiment. From this result, it is found that the non-particulate (G) component is mixed with the fluorine-containing filler (C-1), and the fluorine-containing filler is mixed with the fluorine-containing filler in order to obtain an insulating layer having a low surface roughness by increasing the dispersibility of the fluorine- It is preferable to mix the components with other components.

실시예 9에서는, 실시예 1에 비해 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다. 이 결과로부터, (C-2) 무기 충전재의 분산성을 높여, 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득하는 관점에서는, (H) 커플링제를 사용하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다.In the ninth embodiment, the surface roughness of the insulating layer can be made smaller than that in the first embodiment. From this result, it can be seen that it is preferable to use the coupling agent (H) from the viewpoint of increasing the dispersibility of the inorganic filler (C-2) and obtaining an insulating layer having a small surface roughness.

또한, 상기 실시예에 있어서, (D) 성분 내지 (H) 성분을 사용하지 않은 경우라도, 정도에 차이는 있지만, 상기 실시예와 같은 결과에 귀착하는 것을 확인하였다.In the above examples, it was confirmed that even when the components (D) and (H) were not used, the results were the same as those of the above-mentioned examples although there were differences in the degree.

Claims (13)

(A) 에폭시 수지, (B) 카르보디이미드 화합물, 및 (C) 충전재를 포함하는 수지 조성물로서,
(C) 성분이 (C-1) 불소계 충전재를 포함하고,
(C) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 30질량% 내지 80질량%인, 수지 조성물.
A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a carbodiimide compound, and (C) a filler,
(C) comprises (C-1) a fluorine-based filler,
Wherein the amount of the component (C) is 30% by mass to 80% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.
제1항에 있어서, (C-1) 성분이 불소계 중합체 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C-1) is a fluorine-based polymer particle. 제1항에 있어서, (C-1) 성분이 폴리테트라플루오로에틸렌 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C-1) is a polytetrafluoroethylene particle. 제1항에 있어서, (B) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 0.5질량% 내지 15질량%인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the amount of the component (B) is 0.5% by mass to 15% by mass based on 100% by mass of the resin component in the resin composition. 제1항에 있어서, (C) 성분이 (C-2) 무기 충전재를 포함하고,
(C-2) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 5질량% 이상 70질량% 이하인, 수지 조성물.
The positive resist composition according to claim 1, wherein component (C) comprises (C-2) an inorganic filler,
Wherein the amount of the component (C-2) is 5% by mass or more and 70% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.
제1항에 있어서, (C-1) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 5질량% 이상 80질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the amount of the component (C-1) is 5% by mass or more and 80% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. 제1항에 있어서, (A) 성분이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 에폭시 수지인, 수지 조성물.The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the component (A) is at least one selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resin, biquileneol epoxy resin, biphenylaralkyl epoxy resin, naphthylene ether epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and naphthol epoxy resin And at least one epoxy resin selected from the group consisting of epoxy resins. 제1항에 있어서, (C-1) 성분의 평균 입자 직경이 0.05㎛ 이상 10㎛ 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C-1) has an average particle diameter of 0.05 탆 or more and 10 탆 or less. 제1항에 있어서, 활성 에스테르계 경화제를 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, comprising an active ester-based curing agent. 제1항에 있어서, 회로 기판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is used for forming an insulating layer of a circuit board. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 시트상 적층 재료.A sheet-stacked material comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 10. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는, 회로 기판.A circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 10. 제12항에 기재된 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 12.
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