KR20190018530A - Wet processing system and method of operation - Google Patents

Wet processing system and method of operation Download PDF

Info

Publication number
KR20190018530A
KR20190018530A KR1020197002549A KR20197002549A KR20190018530A KR 20190018530 A KR20190018530 A KR 20190018530A KR 1020197002549 A KR1020197002549 A KR 1020197002549A KR 20197002549 A KR20197002549 A KR 20197002549A KR 20190018530 A KR20190018530 A KR 20190018530A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
electrochemical deposition
flexible
module
deposition system
Prior art date
Application number
KR1020197002549A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
아서 케이글러
조나단 핸더
프리먼 피셔
조나단 헤인즈
그레이 블리트
데비드 지. 가르나시아
Original Assignee
에이에스엠 넥스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 넥스 인코포레이티드 filed Critical 에이에스엠 넥스 인코포레이티드
Publication of KR20190018530A publication Critical patent/KR20190018530A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/16Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk
    • C25D17/28Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk with means for moving the objects individually through the apparatus during treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/002Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02Tanks; Installations therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02Tanks; Installations therefor
    • C25D17/04External supporting frames or structures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • C25D21/14Controlled addition of electrolyte components
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

공통 플랫폼 상에 배열되고 기판 상에 하나 이상의 금속을 증착하기 위해 구성된 2개 이상의 전기 화학적 증착 모듈을 가지는 전기 화학적 증착 시스템이 설명된다. 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 일정 체적의 애노드액 유체를 수용하도록 구성된 애노드 구획, 일정 체적의 캐소드액 유체를 수용하도록 구성된 캐소드 구획, 및 캐소드 구획으로부터 애노드 구획을 분리하는 멤브레인을 포함한다. 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 클램핑 메커니즘을 통해 제1 및 제2 다리 부재들 사이에 가요성 워크피스의 반대편 가장자리들을 홀딩하도록 구성된 워크피스 홀더, 및 워크피스 홀더에 가요성 워크피스를 위치시키는 한편, 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면 상에서 공기 쿠션을 사용하여 가요성 워크피스를 홀딩하도록 구성된 로더 모율을 추가로 포함한다.An electrochemical deposition system having two or more electrochemical deposition modules arranged on a common platform and configured for depositing one or more metals on a substrate is described. Each electrochemical deposition module includes an anode compartment configured to receive a volume of an anolyte fluid, a cathode compartment configured to receive a volume of the catholyte fluid, and a membrane separating the anode compartment from the cathode compartment. Each electrochemical deposition module includes a workpiece holder configured to hold opposite edges of the flexible workpiece between the first and second leg members through a clamping mechanism, and a workpiece holder configured to position the flexible workpiece in the workpiece holder, Further comprising a loader congestion configured to hold the flexible workpiece using an air cushion on each opposite planar surface of the flexible workpiece.

Description

습식 처리 시스템 및 작동 방법Wet processing system and method of operation

관련 출원에 대한 상호 참조Cross-reference to related application

본 출원은 그 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 통합되는 2016년 6월 27일자 출원된 미국 특허 출원 제15/194,086호에 대해 우선권을 주장한다. This application claims priority to U.S. Patent Application No. 15 / 194,086, filed June 27, 2016, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은 반도체 기판과 같은 다양한 워크피스의 전기 도금을 포함하는 전기 화학적 증착을 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a method and system for electrochemical deposition comprising electroplating of various workpieces such as semiconductor substrates.

전기 화학적 증착 시스템 또는 워크피스 표면 습식 처리 조절 시스템은, 비교적 강성인 실리콘 원형 디스크를 특징으로 하는 웨이퍼형 기하학적 구조(예를 들어, 반도체 웨이퍼)와, 훨씬 크고 더욱 가요성의 직사각형 형상 기판을 특징으로 하는 패널형 기하학적 구조에 대해 널리 공지되어 있다. 다양한 웨이퍼 장비로 초래되는 결과에 필적하는 증착된 금속의 결과적인 정밀도로 패널 워크피스를 처리할 수 있고, 기존의 패널 처리 장비와 필적하거나 또는 더욱 양호한 경제적인 생산성을 가지는 장비가 업계에서 필요하다.An electrochemical deposition system or a workpiece surface wet processing conditioning system may include a wafer geometry (e.g., a semiconductor wafer) that features a relatively rigid silicon circular disk and a panel that features a much larger, more flexible, Type geometry is widely known. There is a need in the industry for equipment that can handle panel workpieces with the resulting precision of deposited metal comparable to the results resulting from various wafer devices, and which have comparable or better economical productivity to existing panel processing equipment.

다른 공정들 중 전기 화학적 증착(electrochemical deposition, ECD)은 반도체 웨이퍼 및 실리콘 워크피스 또는 기판과 같은 다양한 구조 및 표면에 막의 도포를 위한 제조 기술로서 사용된다. 이러한 막은 주석, 은, 니켈, 구리 또는 다른 금속층들 또는 그 합금과 같은 금속 및 금속 합금을 포함할 수 있다. 전기 화학적 증착은 금속 이온을 포함하는 용액 내에 기판을 위치시키고, 그런 다음 전류를 인가하여 용액으로부터의 금속 이온이 기판 상에 증착되도록 하는 것을 포함한다. 전형적으로, 전류는 2개의 전극 사이, 즉 캐소드와 애노드 사이를 흐른다. 기판이 캐소드로서 사용될 때, 금속은 캐소드 상에 증착될 수 있다. 도금 용액은 하나 이상의 금속 이온 형태, 산, 금속 이온 봉쇄제(chelating agents), 착화제 및 특정 금속을 도금하는 것을 지원하는 몇몇 다른 형태의 첨가제 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 이러한 첨가제는 접착 및 균일한 도금을 가능하게 하고, 막 응력을 감소시키는 것을 도울 수 있다. 도금이 일어남에 따라서, 도금 용액으로부터의 금속이 소비되고, 그러므로 전기 화학적 증착 작업을 계속하기 위해 교체될 필요가 있다.Among other processes, electrochemical deposition (ECD) is used as a fabrication technique for application of films to various structures and surfaces such as semiconductor wafers and silicon workpieces or substrates. Such membranes may include metals and metal alloys such as tin, silver, nickel, copper or other metal layers or alloys thereof. Electrochemical deposition involves placing a substrate in a solution containing metal ions and then applying an electric current to cause metal ions from the solution to deposit on the substrate. Typically, a current flows between two electrodes, that is, between the cathode and the anode. When the substrate is used as a cathode, the metal can be deposited on the cathode. The plating solution may include one or more of metal ionic forms, acids, chelating agents, complexing agents, and any other type of additive that supports plating of a particular metal. These additives enable adhesion and uniform plating, and can help reduce film stress. As the plating occurs, the metal from the plating solution is consumed and therefore needs to be replaced to continue the electrochemical deposition operation.

패널 처리시에, 종래의 시스템은 패널 배향이 수평 또는 수직인 연속 또는 일련의 공정 컨베이어 형태의 핸들링 시스템을 사용한다. 전술한 바와 같이, 패널 처리 시스템은 부분적으로 그 컨베이어 시스템의 결과로서 불량한 공정 균일성 및 입자 발생을 겪는다. 보다 일반적으로, 이러한 시스템은 열악한 환경 제어를 겪는다. 그러므로, 본 발명자들은 개선된 패널 핸들링 및 증착 균일성에 대한 필요성이 있다는 것을 인식하였다.In panel processing, conventional systems use a handling system in the form of a continuous or series of process conveyors whose panel orientation is horizontal or vertical. As discussed above, the panel processing system undergoes poor process uniformity and particle generation as a result of the conveyor system in part. More generally, such systems suffer from poor environmental control. Therefore, the present inventors have recognized that there is a need for improved panel handling and deposition uniformity.

실시예는 반도체 기판들 및 패널들과 같은 다양한 워크피스의 전기 도금을 포함하는 전기 화학적 증착을 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to methods and systems for electrochemical deposition comprising electroplating of various workpieces such as semiconductor substrates and panels.

전기 화학적 증착에 사용되는 시스템의 중요한 특징은 막 두께, 조성 및 밑에 있는 워크피스 프로파일에 대한 프로파일과 같은 균일하고 반복 가능한 특징을 가진 막을 생산하는 능력이다. 전기 화학적 증착 시스템은 고갈시에 보충을 요구하는 1차 전해액(공정 전해액)을 사용할 수 있다. 예로서, 금속 적용에서, 금속 양이온 용액의 보충은 고갈시에 요구될 수 있다. 그리고, 이러한 보충이 적소에 수행될 수 없을 때, 보충 절차는 적용의 함수로서 비쌀 수 있으며, 서비스 및 공정 재인정을 위한 전기 화학적 증착 도구 또는 서브 모듈의 상당한 정지 시간을 요구할 수 있으며, 이러한 것은 증착 도구의 소유 비용에 악영향을 미친다.An important feature of systems used for electrochemical deposition is the ability to produce films with uniform and repeatable characteristics, such as film thickness, composition, and profiles for underlying workpiece profiles. The electrochemical deposition system may use a primary electrolyte (process electrolyte) that requires supplementation when depleted. As an example, in metal applications, replenishment of the metal cation solution may be required upon depletion. And, when such replenishment can not be performed in place, the replenishment procedure can be expensive as a function of application and may require a significant downtime of the electrochemical deposition tool or submodule for service and process reclassification, This has an adverse effect on the cost of ownership of the tool.

본 명세서에 기술된 기술은 그 중에서도 신뢰성있고 균일한 도금뿐만 아니라 보다 큰 도구 이용성을 위한 짧은 유지 보수 시간을 위한 개선된 화학제 관리를 포함하는 견고한 워크피스 핸들링, 개선된 환경 제어, 단순화된 전해액 순환 시스템을 제공하는 전기 화학적 증착 장치를 포함한다.The techniques described herein include, among other things, robust workpiece handling, including improved chemical control for short maintenance times for greater tool availability as well as reliable and uniform plating, improved environmental control, simplified electrolyte circulation The system comprising: an electrochemical deposition apparatus;

한 실시예에 따라서, 공통 플랫폼 상에 배열되고 기판 상에 하나 이상의 금속을 증착하도록 구성된 2개 이상의 전기 화학적 증착 모듈을 가지는 전기 화학적 증착 시스템이 설명된다. 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 일정 체적의 애노드액 유체(anolyte fluid)를 수용하도록 구성된 애노드 구획, 일정 체적의 캐소드액 유체(catholyte fluid)를 수용하도록 구성된 캐소드 구획, 및 캐소드 구획으로부터 애노드 구획을 분리하는 멤브레인을 포함한다. 각각의 전기 화학적 증착 모듈은, 금속이 채워지는 관통 구멍들을 각각 한정하는 한 세트의 가요성 워크피스를 수용하도록 구성된 로딩 포트, 및 로딩 포트로부터 가요성 워크피스를 수용하고 워크피스 홀더에 가요성 워크피스를 위치시키는 한편, 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면 상에서 공기 쿠션을 사용하여 가요성 워크피스를 홀딩하도록 구성된 로더 모듈을 추가로 포함한다. 워크피스 홀더는 제1 및 제2 다리 부재들을 분리하는 헤더 부재를 가지며, 워크피스 홀더는 탄성중합체 밀봉부에 의해 둘러싸인 전기 접촉부들을 이용하여 가요성 워크피스의 반대편 평면 표면들에 전기 접촉부들을 적용하는 클램핑 메커니즘을 통해 제1 및 제2 다리 부재들 사이에서 가요성 워크피스의 반대편 가장자리들을 홀딩하도록 구성되며, 헤더 부재는 워크피스 홀더에 의해 홀딩될 때 가요성 워크피스에 인장을 제공한다. 또한, 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 워크피스 홀더를 통해 로더 모듈로부터 주어진 전기 화학적 증착 모듈로 가요성 워크피스를 운반하고 주어진 워크피스를 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내로 하강시키도록 구성된 운반 메커니즘을 포함한다. 전기 시스템은, 각각의 반대편 평면 표면이 금속으로 도금되고 관통 구멍들이 금속으로 채워지도록 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내에 홀딩될 때 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면에 전류를 인가하도록 구성된다. 언로더 모듈은 워크피스 홀더로부터 가요성 워크피스를 제거하고 가요성 워크피스의 세트를 수용하도록 구성된 언로딩 포트로 가요성 워크피스를 이송하도록 구성된다.According to one embodiment, an electrochemical deposition system having two or more electrochemical deposition modules arranged on a common platform and configured to deposit one or more metals on a substrate is described. Each electrochemical deposition module includes an anode compartment configured to receive a volume of anolyte fluid, a cathode compartment configured to receive a volume of catholyte fluid, and a cathode compartment configured to receive the anode compartment from the cathode compartment. Membrane. Each electrochemical deposition module includes a loading port configured to receive a set of flexible workpieces defining respective through holes through which the metal is filled and a loading port configured to receive a flexible workpiece from the loading port and to receive a flexible workpiece Further comprising a loader module configured to position the piece, while holding the flexible workpiece using an air cushion on each of the opposite planar surfaces of the flexible workpiece. The workpiece holder has a header member separating the first and second leg members and the workpiece holder is configured to apply electrical contacts to the opposite planar surfaces of the flexible workpiece using electrical contacts surrounded by the elastomeric seal The clamping mechanism being configured to hold opposite edges of the flexible workpiece between the first and second leg members via a clamping mechanism, wherein the header member provides tension to the flexible workpiece when held by the workpiece holder. Each electrochemical deposition module also includes a transport mechanism configured to carry a flexible workpiece from a loader module to a given electrochemical deposition module via a workpiece holder and to lower a given workpiece into a given electrochemical deposition module. The electrical system is configured to apply current to each opposite planar surface of the flexible workpiece when each opposing flat surface is plated with metal and held in a given electrochemical deposition module such that the through holes are filled with metal. The unloader module is configured to transfer the flexible workpiece to an unloading port configured to remove the flexible workpiece from the workpiece holder and receive a set of flexible workpieces.

본 명세서에 개시된 시스템 및 기술은 몇몇 이점을 제공한다. 견고한 워크피스 핸들링 및 환경 제어뿐만 아니라 효율적인 워크피스 흐름은 공정 균일성 및 수율을 포함하여 개선된 공정 성능 및 감소된 입자 오염을 가능하게 한다. 단순화된 화학제 흐름 관리는 비용과 복잡성을 제거한다. 또한 처리 시스템에 근접한 탑재되거나(on-board) 또는 장외(off board)의 화학제 발생 시스템을 가지는 것은 화학제 농도의 보다 용이한 관리를 제공한다.The systems and techniques disclosed herein provide several advantages. As well as robust workpiece handling and environmental control, efficient workpiece flow enables improved process performance and reduced particle contamination, including process uniformity and yield. Simplified chemical flow management eliminates cost and complexity. In addition, having an on-board or off-board chemical generation system close to the processing system provides easier management of the chemical concentration.

물론, 여기에서 설명된 바와 같이 상이한 단계들의 논의 순서는 명료성을 위해 제시되었다. 일반적으로 이러한 단계들은 적절한 순서로 수행될 수 있다. 또한, 본 명세서의 상이한 특징들, 기술들, 구성들 등의 각각이 본 명세서의 상이한 곳에서 논의될 수 있을지라도, 각각의 개념들이 서로 독립적으로 또는 서로 조합되어 실행될 수 있는 것으로 의도된다. 따라서, 본 발명은 많은 다른 방식으로 구현되고 보여질 수 있다.Of course, the discussion order of the different steps as set forth herein has been presented for clarity. Generally, these steps can be performed in the proper order. Furthermore, although each of the different features, techniques, configurations, etc. of the present disclosure may be discussed elsewhere herein, it is contemplated that the respective concepts may be implemented independently of one another or in combination with one another. Thus, the present invention may be embodied and viewed in many different ways.

이러한 요약 섹션은 본 발명 또는 청구된 발명의 모든 실시예 및/또는 점진적으로 신규한 양태를 특정하지 않는다는 점에 유의해야 한다. 대신, 이러한 요약은 종래 기술에 비해 새로운 다른 실시예 및 대응점에 대한 예비 논의만을 제공한다. 본 발명 및 실시예의 추가 상세 및/또는 가능한 관점에 대해, 독자는 상세한 설명 부분 및 이하에 더욱 논의되는 바와 같이 본 개시 내용의 대응하는 도면을 참조한다.It should be noted that these summary sections do not specify all embodiments of the invention or claimed invention and / or progressively new aspects. Instead, this summary provides only a preliminary discussion of the different embodiments and corresponding points as compared to the prior art. For further details and / or possible aspects of the present invention and the embodiments, the reader will refer to the detailed description and corresponding drawings in this disclosure as discussed further below.

본 발명의 다양한 실시예 및 그에 따른 다수의 이점에 대한 보다 완전한 이해는 첨부된 도면과 관련하여 고려되는 이하의 상세한 설명을 참조하면 쉽게 명백해질 것이다. 도면은 반드시 축척으로 도시되지 않으며, 대신에 특징, 원리 및 개념을 설명하는 것으로 강조된다.
도 1은 실시예에 따른 전기 화학적 증착 시스템의 개략도.
도 2a 및 도 2b는 다른 실시예에 따른 전기 화학적 증착 모듈의 도면.
도 3은 다른 실시예에 따른 전기 화학적 증착 모듈의 단면도.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 전기 화학적 증착 시스템의 사시도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS A more complete understanding of the various embodiments of the present invention and many of its advantages will be readily apparent by reference to the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. The drawings are not necessarily to scale, emphasis instead being placed upon illustrating features, principles and concepts.
1 is a schematic diagram of an electrochemical deposition system according to an embodiment.
Figures 2A and 2B are diagrams of an electrochemical deposition module according to another embodiment.
3 is a cross-sectional view of an electrochemical deposition module according to another embodiment;
4 is a perspective view of an electrochemical deposition system according to yet another embodiment.

본원에 기술된 기술은 견고한 워크피스 핸들링 시스템, 단순화된 순환 시스템, 보다 신뢰성 있고 균일한 도금을 위한 개선된 화학 관리 시스템뿐만 아니라 보다 큰 도구 이용성을 위한 짧은 유지 보수 시간을 제공하는 전기 화학적 증착 장치를 포함한다.The techniques described herein provide an electrochemical deposition apparatus that provides a robust workpiece handling system, a simplified circulation system, an improved chemical management system for more reliable and uniform plating, as well as a shorter maintenance time for greater tool availability .

본 명세서에서 개시된 시스템 및 기술은 시스템의 전기 화학적 증착 시스템 또는 모듈, 또는 워크피스 표면의 습식 처리 조절 시스템으로서 구현될 수 있다. 예시적인 시스템은 비교적 강성인 실리콘 원형 디스크를 특징으로 하는 웨이퍼형 기하학적 구조(예를 들어, 반도체 웨이퍼)와, 훨씬 크고 더욱 가요성의 직사각형 형상 기판을 특징으로 하는 패널형 기하학적 구조 모두를 포함하는, 다양한 형태 및 크기의 워크피스들을 처리 또는 조절할 수 있는 습식 처리 시스템을 포함한다. 한 실시예는 금속을 기판 상에 증착하기 위한 전기 화학적 증착 장치를 포함한다. 도 1은 실시예에 따른 전기 화학적 증착 시스템(100)의 개략도를 도시한다. 전기 화학적 증착 시스템(100)은, 공통 플랫폼 상에 배열되고 워크피스 상에 하나 이상의 금속을 증착하기 위해 구성된 전기 화학적 증착 모듈과 같은 후술될 2개 이상의 처리 모듈을 포함한다. 각각의 처리 모듈, 예를 들어 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 일정 체적의 애노드액 유체를 수용하도록 구성된 애노드 구획, 일정 체적의 캐소드액 유체를 수용하도록 구성된 캐소드 구획, 및 애노드 구획과 캐소드 구획을 분리하는 멤브레인을 포함한다.The systems and techniques disclosed herein may be implemented as an electrochemical deposition system or module of a system, or as a wet processing conditioning system on a workpiece surface. Exemplary systems include, but are not limited to, a variety of configurations, including both wafer-like geometric features (e.g., semiconductor wafers) that feature relatively rigid silicon circular discs and paneled geometric features that are much larger and more flexible, And a wet processing system capable of processing or adjusting workpieces of a size. One embodiment includes an electrochemical deposition apparatus for depositing metal on a substrate. Figure 1 shows a schematic diagram of an electrochemical deposition system 100 according to an embodiment. The electrochemical deposition system 100 includes two or more processing modules, such as electrochemical deposition modules, arranged on a common platform and configured for depositing one or more metals on a workpiece, such as those described below. Each processing module, e. G., Each electrochemical deposition module, includes an anode compartment configured to receive a volume of anolyte fluid, a cathode compartment configured to receive a volume of a catholyte fluid, and a cathode compartment configured to receive the anode compartment and the cathode compartment Membrane.

전기 화학적 증착 시스템(100)은 한 세트의 워크피스를 수용하는 로딩 포트를 포함하며, 로딩 포트는 로드/입력 스테이지(112)를 통해 전기 화학적 증착 시스템(100)에 진입하는 워크피스를 수용하고 각각의 수용된 워크피스를 가요성 패널 홀더(PH)와 같은 워크피스 홀더(125)에 로딩하기 위한 로더 모듈(110)을 포함한다. 각각의 워크피스는 가요성 패널, 예를 들어 다양한 치수의 가요성 직사각형 패널을 포함할 수 있다. 워크피스는 금속과 같은 재료가 채워지는 하나 이상의 막힌 구멍 또는 하나 이상의 관통 구멍을 포함할 수 있다. 하나 이상의 구멍의 채움은 단면 증착, 즉 워크피스의 단면으로부터의 증착, 또는 양면 증착, 즉 워크피스의 양면으로부터의 증착(예를 들어, 구멍이 관통 구멍인 경우에)을 포함할 수 있다.The electrochemical deposition system 100 includes a loading port for receiving a set of workpieces that receives a workpiece entering the electrochemical deposition system 100 via a load / And a loader module 110 for loading the received workpiece in a workpiece holder 125 such as a flexible panel holder PH. Each workpiece may comprise a flexible panel, for example a flexible rectangular panel of various dimensions. The workpiece may include at least one blind hole or at least one through hole filled with a material such as a metal. Filling of one or more holes may include one-sided deposition, i.e., deposition from a cross section of the workpiece, or two-sided deposition, i.e. deposition from both sides of the workpiece (e.g., if the hole is a through hole).

워크피스 홀더 내로의 로딩 동안 각각의 워크피스를 둘러싸는 환경을 제어하기 위해, 로더는 워크피스 이동 및 로딩 동안 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면에 대해 공기 쿠션을 적용하는 것에 의해 워크피스의 실질적으로 무접촉 핸들링을 실행하도록 장치를 사용할 수 있다. 일부 실시예에 따라서, 워크피스 홀더(125)는 제1 및 제2 다리 부재들을 분리하는 파지 가능한 헤더 부재를 포함할 수 있으며, 워크피스 홀더는 탄성중합체 밀봉부에 의해 둘러싸인 전기 접촉부들을 이용하여 가요성 워크피스의 반대편 평면 표면들에 전기 접촉부들을 선택적으로 적용하는 클램핑 메커니즘을 통해 제1 및 제2 다리 부재들 사이에서 가요성 워크피스의 반대편 가장자리들을 홀딩하도록 구성된다. 헤더 부재는 또한 워크피스 홀더(125)에 의해 홀딩될 때 가요성 워크피스에 인장을 제공할 수 있다.To control the environment surrounding each of the workpieces during loading into the workpiece holder, the loader is configured to move the workpiece by applying an air cushion to each of the opposite planar surfaces of the flexible workpiece during workpiece movement and loading, The device can be used to perform substantially contactless handling. According to some embodiments, the workpiece holder 125 may include a gripperable header member that separates the first and second leg members, and the workpiece holder may include an electrical contact enclosed by the elastomeric seal And is configured to hold opposite edges of the flexible workpiece between the first and second leg members through a clamping mechanism that selectively applies electrical contacts to opposite planar surfaces of the casting workpiece. The header member may also provide tension to the flexible workpiece when held by the workpiece holder 125. [

또한, 전기 화학적 증착 시스템(100)은, 워크피스 홀더(125)를 통해 로더 모듈(110)로부터 주어진 처리 모듈, 예를 들어 전기 화학적 증착 모듈로 가요성 워크피스를 운반하고 주어진 처리 모듈 내로 주어진 워크피스를 하강시키도록 구성된 운반 메커니즘을 포함한다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 처리를 위해 지정된 워크피스 홀더(125)가 로딩되면, 이러한 것은 필요에 따라 하나 이상의 전처리 모듈(120)들에서 전처리되도록 공정 경로(115)를 따라서 진행되고(도 1의 PH 공정 경로 참조); 하나 이상의 처리 모듈(130, 132, 134, 136, 138)에서 처리되고; 필요에 따라 하나 이상의 후처리 모듈(140)에서 후처리될 수 있다. 전처리는 처리될 워크피스를 세정 및/또는 습윤시키는 것을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 처리는 워크피스 상에 금속과 같은 재료를 증착하는 것을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 그리고 후처리는 워크피스를 헹굼 및/또는 건조시키는 것을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.The electrochemical deposition system 100 also includes a means for transferring the flexible workpiece from the loader module 110 to a given processing module, for example an electrochemical deposition module, via a workpiece holder 125, And a delivery mechanism configured to lower the piece. For example, referring to FIG. 1, when a workpiece holder 125 designated for processing is loaded, it is advanced along process path 115 to be preprocessed in one or more preprocessing modules 120 as needed See the PH process route in Figure 1); Processed in one or more processing modules (130, 132, 134, 136, 138); Processed in one or more post-processing modules 140 as needed. Pretreatment includes, but is not limited to, cleaning and / or wetting the workpiece to be treated. The treatment may include, but is not limited to, depositing a material such as a metal on the workpiece. And the post-treatment includes but is not limited to rinsing and / or drying the workpiece.

전기 화학적 증착 시스템(100)은 워크피스 홀더로부터 가요성 워크피스를 제거하고 가요성 워크피스의 세트를 수용하도록 구성된 언로딩 포트로 가요성 워크피스를 이송하도록 구성된 언로더 모듈을 추가로 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 일부 실시예에서, 처리 후에, 처리된 워크피스를 운반하는 워크피스 홀더(125)는 언로더 모듈(150)로 진행할 수 있으며, 각각의 워크피스는 언로딩되고, 전기 화학적 증착 시스템(100)을 빠져나가기 위하여 언로드/출력 스테이지(152)로 운반된다. 언로딩되면, 워크피스 홀더(125)는 다른 워크피스를 수용하도록 복귀 경로(155)(도 1의 PH 복귀 경로 참조)를 따라서 로더 모듈(110)로 복귀할 수 있다. 다수의 워크피스 홀더가 사용될 수 있으며, 일부 워크피스 홀더가 저장 버퍼에서 홀딩된다는 것을 유념하여야 한다. 예시적인 워크피스 홀더에 대한 보다 상세한 설명은 그 전체에 있어서 참조에 의해 본 명세서에 통합되는 2016년 6월 27일자 출원된 미국 특허 출원 제15/193595호에서 보여진다. 예시적인 워크피스 로더 모듈에 대한 보다 상세한 설명은 그 전체에 있어서 참조에 의해 본 명세서에 통합되는 2016년 6월 27일자 출원된 미국 특허 출원 제15/193890호에서 보여진다.The electrochemical deposition system 100 further includes an unloader module configured to remove the flexible workpiece from the workpiece holder and to transfer the flexible workpiece to an unloading port configured to receive the set of flexible workpieces. For example, in some embodiments shown in FIG. 1, after processing, the workpiece holder 125 carrying the processed workpiece can proceed to the unloader module 150, and each workpiece is unloaded Output stage 152 to exit the electrochemical deposition system 100. The unload / Once unloaded, the workpiece holder 125 may return to the loader module 110 along a return path 155 (see the PH return path in FIG. 1) to receive another workpiece. It should be noted that multiple workpiece holders can be used and some workpiece holders are held in the storage buffer. A more detailed description of an exemplary workpiece holder is shown in U.S. Patent Application No. 15/193595, filed June 27, 2016, incorporated herein by reference in its entirety. A more detailed description of an exemplary workpiece loader module is shown in U.S. Patent Application No. 15/193890, filed June 27, 2016, incorporated herein by reference in its entirety.

전기 화학적 증착 시스템(100)은 하나 이상의 처리 셀, 즉 모듈(120, 130, 132, 134, 136, 138, 140)들에서 처리 유체를 관리하기 위한 화학적 관리 시스템(160)을 추가로 포함한다. 화학적 관리는 공급, 보충, 투여, 가열, 냉각, 순환, 재순환, 저장, 모니터링, 배수, 저감 등이 포함될 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 또한, 전기 화학적 증착 시스템(100)은 전기 화학적 증착 시스템(100)의 조작성을 제어하기 위한 전기적 관리 시스템(170)을 포함한다. 전기적 관리는 스케줄링(scheduling), 조절, 모니터링, 조정, 통신 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전기적 관리 시스템(170)은 전기 화학적 증착 시스템(100)을 통한 워크피스 이동을 제어하도록, 또는 복수의 모듈(120, 130, 132, 134, 136, 138, 140)의 화학 조성, 온도, 유량(들) 등과 같은 화학 특성을 제어하도록 컴퓨터 인코딩된 명령에 따라서 신호를 송신 및 수신할 수 있다. 추가적으로, 전기적 관리 시스템(170)은 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내에서 홀딩될 때 가요성 워크피스의 한쪽 또는 양쪽 반대편 평면 표면들에 전류를 인가하도록 구성될 수 있다. 이렇게 함에 있어서, 한쪽 또는 양쪽의 반대편 표면들은 금속으로 도금될 수 있고, 막힌 구멍 및/또는 관통 구멍들은 금속으로 채워진다.The electrochemical deposition system 100 further includes a chemical management system 160 for managing the process fluid in one or more process cells, i.e., modules 120, 130, 132, 134, 136, 138, Chemical management may include, but is not limited to, feeding, replenishing, administering, heating, cooling, circulating, recirculating, storing, monitoring, draining, abating, The electrochemical deposition system 100 also includes an electrical management system 170 for controlling the operability of the electrochemical deposition system 100. Electrical management includes, but is not limited to, scheduling, conditioning, monitoring, tuning, communication, and the like. For example, the electrical management system 170 may be used to control workpiece movement through the electrochemical deposition system 100 or to control the chemical composition of the plurality of modules 120, 130, 132, 134, 136, 138, 140, And may transmit and receive signals in accordance with computer-encoded instructions to control chemical characteristics such as temperature, flow rate (s), and the like. Additionally, the electrical management system 170 can be configured to apply current to one or both opposite planar surfaces of the flexible workpiece when held within a given electrochemical deposition module. In this way, one or both opposing surfaces may be plated with metal, and the clogged holes and / or through holes are filled with metal.

이제 도 2a를 참조하면, 복수의 ECD 셀을 가지는 전기 화학적 증착 모듈의 도면이 다른 실시예에 따라서 제공된다. 도시된 바와 같이, 도 2a는 일정 체적의 애노드액 유체(232)를 수용하도록 구성된 양극액 저장소(230), 일정 체적의 캐소드액 유체를 구성된 복수의 캐소드 구획, 및 복수의 캐소드 구획(200)으로부터 애노드액 유체(232)를 분리하는 멤브레인의 평면도를 제공한다. 양극액 저장소(230)는 애노드액 유체(232)를 수용하는 양극액 저장소를 포함하며, 그 안에 복수의 캐소드 구획(200)이 위치된다. 양극액 저장소(230)는 양극액 공급 및 보관 저장소(262)를 포함할 수 있으며, 양극액은 양극액 펌핑 시스템(264)을 사용하여 순환되고, 보충되고, 및/또는 재조절되고, 그런 다음 양극액 저장소(230)와 교환될 수 있다. 또한, 양극액 저장소(230)는 음극액 공급 및 보관 저장소(266)를 포함할 수 있으며, 음극액은 음극액 펌핑 시스템(268)을 사용하여 순환되고, 보충되고, 및/또는 재조절되고, 그런 다음 복수의 캐소드 구획(200)과 교환될 수 있다. 화학적 관리 시스템(260)은 양극액 및 음극액 공급 및 보관 저장소(262, 266)들과 접속될 수 있으며, 그 중에서도 유체 레벨, 화학적 조성, 화학적 품질, 화학적 온도, 화학적 투여 등을 관리할 수 있다. 예를 들어, 화학적 관리 시스템(260)은 물, 산, 음이온 용액, 양이온 용액, 킬레이트제, 착화제, 레벨링제, 감속제 등의 첨가 또는 교체를 포함하는, 양극액 및/또는 음극액 용액을 회복시킬 수 있다. Referring now to FIG. 2A, a diagram of an electrochemical deposition module having a plurality of ECD cells is provided in accordance with another embodiment. As shown, FIG. 2A shows an anolyte reservoir 230 configured to receive a constant volume of anolyte fluid 232, a plurality of cathode compartments configured with a volume of a catholyte fluid, and a plurality of cathode compartments 200 And provides a top view of the membrane separating the anolyte fluid 232. The anolyte reservoir 230 includes an anolyte reservoir for receiving the anolyte fluid 232 in which a plurality of cathode compartments 200 are located. The anolyte reservoir 230 may include an anolyte reservoir 262 and the anolyte may be circulated, replenished, and / or readjusted using an anolyte pumping system 264, And may be exchanged with the anolyte reservoir 230. The anolyte reservoir 230 may also include a catholyte supply and storage reservoir 266 that is circulated, replenished, and / or readjusted using a catholyte pumping system 268, And then exchanged for a plurality of cathode compartments 200. The chemical management system 260 can be connected to the anolyte and catholyte supply and storage reservoirs 262 and 266 and is capable of managing fluid level, chemical composition, chemical quality, chemical temperature, chemical dosing, etc. . For example, the chemical management system 260 may include an anolyte and / or catholyte solution, including the addition or replacement of water, acid, anion solution, cation solution, chelating agent, complexing agent, leveling agent, It can be restored.

일부 실시예에 따라서, 워크피스(W)는 약 50 cm x 50 cm 내지 100 cm x 10 0cm 크기 범위의 치수를 가지는 가요성 직사각형 기판을 포함할 수 있다. 결과적으로, 양극액 저장소(230)에서의 유체 깊이는 90 cm 내지 150 cm 깊이의 범위일 수 있고, 양극액 저장소(230)의 폭은 90 cm 내지 150 cm의 범위일 수 있다. 각각의 ECD 모듈은 비교적 좁게 설계될 수 있으며, 예를 들어, 폭은 20 cm 미만의 애노드 대 애노드, 또는 애노드 대 캐소드이도록 설계될 수 있다. 결과적으로, 복수의 캐소드 구획(200)(ECD 모듈)은 길이가 120cm까지인 양극액 저장소 내에 배열될 수 있다. 양극액 저장소(230) 내에서 복수의 캐소드 구획(200)의 침지 또는 부분적인 침지는 공간의 효율적인 이용을 제공한다. 그러므로, 그 중에서도, 이 실시예의 다른 하나의 이점은 경제적인 배열로 복수의 ECD 모듈을 제공하는 단순화된 화학적 및 유체 관리 시스템을 가지는 애노드액 유체(232)의 단일 컨테이너이며, 장비, 화학 및 공장 풋프린트에 대한 지출을 절감한다.According to some embodiments, the workpiece W may comprise a flexible rectangular substrate having dimensions ranging from about 50 cm x 50 cm to about 100 cm x 10 0 cm. As a result, the fluid depth in the anolyte reservoir 230 can range from 90 cm to 150 cm, and the width of the anolyte reservoir 230 can range from 90 cm to 150 cm. Each ECD module can be designed to be relatively narrow and, for example, can be designed to be an anode-to-anode or an anode-to-cathode width less than 20 cm in width. As a result, a plurality of cathode compartments 200 (ECD modules) can be arranged in the anolyte reservoir up to 120 cm in length. Dipping or partial immersion of the plurality of cathode compartments 200 within the anolyte reservoir 230 provides efficient use of space. Thus, among other advantages, another advantage of this embodiment is that it is a single container of anode liquid fluid 232 with a simplified chemical and fluid management system that provides a plurality of ECD modules in an economical arrangement, Save money on printing.

도 2b는 대립하는 애노드 양극 조립체(240, 241)들 사이에 위치된 캐소드 구획(200)의 평면도를 제공한다. 워크피스(W)를 수용하는 워크피스 홀더(215)는 워크피스(W)의 표면에서 전기장 및 유체 유동장의 균일성에 영향을 미치는 ECD 모듈의 다른 중요한 요소들에 대해, ± 0.1 내지 1.0 mm 범위 내에서, 바람직하게 ± 0.5 mm 내에서 워크피스 홀더(215)를 유익하고 반복적으로 위치시키는 프레임(210) 내에 위치된다. 캐소드 구획(200)은 워크피스(W)의 표면들의 약 3 내지 10 mm에, 바람직하게 워크피스(W)의 표면들로부터 4 mm에 위치된 전기장 형상화 요소(201, 204)들을 포함할 수 있다. 캐소드 구획(200)은 워크피스(W)의 표면들에 근접하여, 바람직하게 워크피스(W)의 표면들로부터 10 ㎜ 내에 위치된 유체 교반 요소(202, 205)들을 추가로 포함할 수 있다.FIG. 2B provides a top view of the cathode compartment 200 located between opposing anode cathode assemblies 240, 241. The workpiece holder 215 for receiving the workpiece W has a diameter of about 0.1 mm to about 1.0 mm for other important elements of the ECD module that affect the uniformity of the electric field and fluid flow field at the surface of the workpiece W In the frame 210, which advantageously and repeatedly positions the workpiece holder 215 within ± 0.5 mm, preferably within ± 0.5 mm. The cathode compartment 200 may comprise electric field shaping elements 201 and 204 located at about 3 to 10 mm of the surfaces of the workpiece W and preferably at 4 mm from the surfaces of the workpiece W . The cathode compartment 200 may further include fluid stirring elements 202 and 205 positioned proximate to the surfaces of the workpiece W and preferably within 10 mm from the surfaces of the workpiece W.

이온 교환 멤브레인(203, 206)은 대립하는 애노드 조립체(240, 241)를 수용하는 캐소드 구획(200)과 애노드 구획 사이의 경계를 한정하고, 애노드 구획 내의 애노드액 유체(232)와 캐소드 구획 내의 음극액(220) 사이의 분리를 제공한다. 그 중에서도, 하나의 이점은 애노드액 유체(232)와 음극액(220) 사이의 경계를 한정하는 것에 의해 제공되는 콤팩트한 기하학적 구조이며, 작동 동안 애노드액 유체(232) 및 음극액(220)의 유체 압력이 가요성 이온 교환 멤브레인 전체에 걸쳐서 안정되어서, 각각의 워크피스(W)에 대해 음극액의 유체 정압(hydrostatic pressure)을 수용하도록 광범위한 벽 구조를 통합하는 것이 필요하지 않다. The ion exchange membranes 203 and 206 define a boundary between the cathode compartment 200 and the anode compartment that accommodates conflicting anode assemblies 240 and 241 and define the boundary between the anode compartment fluid 232 in the anode compartment and the cathode compartment in the cathode compartment & Thereby providing a separation between the liquids 220. One advantage is the compact geometry provided by defining the boundary between the anode fluid 232 and the catholyte 220 and is advantageous for the operation of the anolyte fluid 232 and catholyte 220 during operation. It is not necessary to integrate a wide range of wall structures to accommodate hydrostatic pressure of the catholyte for each workpiece W so that the fluid pressure is stable throughout the flexible ion exchange membrane.

각각의 대립하는 애노드 조립체(240, 241)는 다구역 애노드(242), 예를 들어 반경 방향으로 링으로서 배열된 애노드들, 또는 예를 들어 직교 방향으로 그리드 상에 배열된 애노드들을 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 2개의 대립하는 애노드 조립체(240, 241)는 캐소드 구획 반대편에 도시되어 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 단일 애노드 조립체는 캐소드 구획과 마주할 수 있다.Each opposing anode assembly 240, 241 may include a multi-zone anode 242, e.g., anodes arranged as a ring in the radial direction, or anodes arranged on the grid in, for example, an orthogonal direction . In this embodiment, two opposing anode assemblies 240, 241 are shown opposite the cathode compartment. However, in other embodiments, a single anode assembly may face the cathode compartment.

도 3은 실시예에 따른 ECD 모듈의 상세 단면도를 제공한다. 워크피스 홀더(315)는 전기장 형상화 요소(330)들, 유체 교반 요소(310)들, 지지 구조체(320)에 의해 홀딩된 이온 교환 멤브레인(325)들, 및 애노드(342)들을 홀딩하는 애노드 조립체(340)들 사이에 워크피스(W)를 위치시킨다. 도시된 바와 같이, 전기장 형상화 요소(330)들은 워크피스(W)의 노출된 표면들 가까이 연장되며, 증착 공정의 균일성을 향상시키도록 배열된다. 추가적으로, 도시된 바와 같이, 유체 교반 요소(310)들은 워크피스(W)의 노출된 표면 가까이 연장되고, 유체 전단을 증가시키고 워크피스(W)의 노출된 표면 부근에서 질량, 운동량, 및 열 운반을 향상시키도록 배열된다.Figure 3 provides a detailed cross-sectional view of an ECD module according to an embodiment. The workpiece holder 315 includes an electric field shaping element 330, fluid stirring elements 310, ion exchange membranes 325 held by the support structure 320, and an anode assembly (W) between the workpieces (340). As shown, the electric field shaping elements 330 extend near the exposed surfaces of the workpiece W and are arranged to improve the uniformity of the deposition process. Additionally, as shown, the fluid agitating elements 310 extend near the exposed surface of the workpiece W, increase the fluid shear and increase mass, momentum, and heat transfer near the exposed surface of the workpiece W .

도 4는 또 다른 실시예에 따른 전기 화학적 증착 시스템의 사시도를 제공한다. 전기 화학적 증착 시스템(500)은 그 사이에 배치된 복수의 처리 모듈(520, 530, 540)을 가지는 로더 모듈(510) 및 언로더 모듈(550)을 포함한다. 처리 모듈(520)들은 사전 헹굼 모듈들과 같은 전처리 모듈들을 포함할 수 있다. 처리 모듈(530)들은 전기 화학적 증착 모듈들을 포함할 수 있다. 그리고, 처리 모듈(540)들은 헹굼 또는 건조 모듈들과 같은 후처리 모듈들을 포함할 수 있다. 로더 모듈(510) 및 언로더 모듈(550)이 전기 화학적 증착 시스템(500)의 원위 단부에 있는 것으로 도시되어 있지만, 이러한 로딩 및 언로딩 모듈들은 전체 시스템의 동일한 단부 가까이에 배열될 수 있다. 워크피스(W)는 워크피스 홀더(525) 내로 로딩되고, 워크피스 전달 시스템(560)을 통해 병진되며, 복수의 처리 모듈(520, 530, 540) 내에 위치되기 위해 배향될 수 있다.Figure 4 provides a perspective view of an electrochemical deposition system according to yet another embodiment. The electrochemical deposition system 500 includes a loader module 510 and an unloader module 550 having a plurality of processing modules 520, 530, 540 disposed therebetween. Processing modules 520 may include pre-processing modules such as pre-rinse modules. The processing modules 530 may include electrochemical deposition modules. The processing modules 540 may then include post-processing modules such as rinse or dry modules. Although the loader module 510 and the unloader module 550 are shown as being at the distal end of the electrochemical deposition system 500, such loading and unloading modules may be arranged near the same end of the overall system. The workpiece W may be loaded into the workpiece holder 525 and translated through the workpiece delivery system 560 and oriented to be located within the plurality of processing modules 520, 530, 540.

본 명세서에서의 시스템을 사용하여, 도금 용액을 효율적으로 사용하고 종래의 증착 시스템에 비해 상대적으로 작은 풋프린트를 가지는 전기 화학적 증착 시스템이 생성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 약 30 리터 미만의 도금 용액을 홀딩하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 공통 플랫폼은 약 16개 미만의 전기 화학적 증착 모듈을 포함할 수 있으며, 시간당 100개의 가요성 워크피스를 도금하도록 구성될 수 있다. 공용 플랫폼은 약 250 평방 피트 미만의 플로어 공간을 커버할 수 있다. 그러므로, 본 명세서에서의 시스템은 비교적 작은 시스템 및 워크피스당 사용되는 비교적 적은 도금 용액으로 상대적으로 높은 처리량을 제공할 수 있다.Using the system herein, an electrochemical deposition system can be created that efficiently uses the plating solution and has a relatively small footprint compared to conventional deposition systems. For example, each electrochemical deposition module may be configured to hold less than about 30 liters of plating solution. In some embodiments, the common platform may include less than about 16 electrochemical deposition modules and may be configured to plate 100 flexible workpieces per hour. The common platform can cover less than about 250 square feet of floor space. Thus, the system herein can provide relatively high throughput with relatively small systems and relatively few plating solutions used per workpiece.

전술한 설명에서, 처리 시스템의 특정 기하학적 구조 및 본 발명에서 사용되는 다양한 구성 요소 및 공정의 설명과 같은 특정 상세가 설명되었다. 그러나, 본 명세서에서의 기술은 이러한 특정 상세로부터 벗어나는 다른 실시예들에서 실시될 수 있고, 이러한 상세는 설명의 목적을 위한 것이며 제한적인 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 본 명세서에 개시된 실시예들은 첨부 도면을 참조하여 설명되었다. 마찬가지로, 설명의 목적을 위해, 특정 도면 부호, 재료 및 구성이 철저한 이해를 돕기 위해 제시되었다. 그럼에도 불구하고, 실시예들은 이러한 특정 상세없이 실시될 수 있다. 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 구성 요소들은 동일한 도면 부호로 인용되고, 그러므로, 어떠한 중복 설명도 생략될 수 있다.In the foregoing description, specific details have been set forth, such as the specific geometry of the processing system and the description of the various components and processes used in the present invention. It should be understood, however, that the teachings herein may be practiced in other embodiments that depart from this specific detail, and that such details are for the purpose of description and not of limitation. The embodiments disclosed herein have been described with reference to the accompanying drawings. Likewise, for purposes of explanation, specific reference numerals, materials, and configurations have been set forth in order to provide a thorough understanding. Nevertheless, embodiments may be practiced without these specific details. Components having substantially the same function configuration are referred to by the same reference numerals, and therefore, any redundant description can be omitted.

다양한 기술이 다양한 실시예들을 이해하는 것을 돕도록 다수의 별개의 작동으로서 설명되었다. 설명의 순서는 이러한 작업이 반드시 순서 의존성인 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안된다. 실제로, 이러한 작업들은 표현의 순서대로 수행 할 필요가 없다. 기술된 작동은 설명된 실시예와 다른 순서로 수행될 수 있다. 다양한 추가 작동이 수행될 수 있고 및/또는 설명된 작동은 추가 실시예들에서 생략될 수 있다.Various techniques have been described as a number of discrete operations to aid in understanding various embodiments. The order of description should not be construed to imply that this operation is order-dependent. In practice, these tasks need not be performed in the order of presentation. The described operations may be performed in a different order than the described embodiments. Various additional operations may be performed and / or the described operations may be omitted in further embodiments.

본 명세서에서 사용되는 "기판" 또는 "목표 기판"은 대체로 본 발명에 따라서 처리되는 물체를 지칭한다. 기판은 디바이스, 특히 반도체 또는 다른 전자 디바이스의 임의의 재료 부분 또는 구조를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 레티클과 같은 베이스 기판 구조 또는 박막과 같은 베이스 기판 구조 상의 또는 중첩하는 층일 수 있다. 그러므로, 기판은 패턴화되거나 패턴화되지 않은 임의의 특정 베이스 구조, 밑에 있는 층 또는 위에 있는 층으로 제한되지 않고, 오히려 임의의 이러한 층 또는 베이스 구조, 및 층 및/또는 베이스 구조의 임의의 조합을 포함하도록 고려된다. 상세한 설명은 특정 형태의 기판을 참조할 수 있지만, 이는 단지 예시적인 목적을 위한 것이다.As used herein, " substrate " or " target substrate " generally refers to an object to be processed in accordance with the present invention. The substrate may comprise any material portion or structure of a device, particularly a semiconductor or other electronic device, and may be, for example, a semiconductor wafer, a base substrate structure such as a reticle, or a layer on or over a base substrate structure such as a thin film . Thus, the substrate is not limited to any particular base structure, underlying layer or overlying layer, that is not patterned or patterned, but rather may include any such layer or base structure, and any combination of layers and / . Although the detailed description may refer to a particular type of substrate, this is for illustrative purposes only.

당업자는 또한 전술한 기술의 작동에 대해 만들어지는 한편 본 발명의 동일한 목적을 여전히 달성하는 변형이 있을 수 있다는 것을 이해할 것이다. 이러한 변형은 본 발명의 범위에 의해 커버되도록 의도된다. 이와 같이, 본 발명의 실시예에 대한 전술한 설명은 제한이도록 의도되지 않는다. 오히려, 본 발명의 실시예에 대한 임의의 제한은 다음의 청구항들에서 제시된다.Those skilled in the art will also appreciate that there may be variations that are made with respect to the operation of the above-described techniques while still achieving the same purpose of the present invention. Such variations are intended to be covered by the scope of the present invention. As such, the foregoing description of the embodiments of the invention is not intended to be limiting. Rather, any limitation on embodiments of the invention is set forth in the following claims.

Claims (16)

전기 화학적 증착 시스템으로서,
공통 플랫폼 상에 배열되고 기판 상에 하나 이상의 금속을 증착하기 위하여 구성되는 2개 이상의 전기 화학적 증착 모듈을 포함하며, 각각의 전기 화학적 증착 모듈은,
일정 체적의 애노드액 유체를 수용하도록 구성된 애노드 구획;
일정 체적의 캐소드액 유체를 수용하도록 구성된 캐소드 구획;
한 세트의 가요성 워크피스를 수용하도록 구성된 로딩 포트;
상기 로딩 포트로부터 가요성 워크피스를 수용하고 워크피스 홀더에 상기 가요성 워크피스를 위치시키는 한편, 상기 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면 상에서 공기 쿠션을 사용하여 상기 가요성 워크피스를 홀딩하도록 구성된 로더 모듈로서,
상기 워크피스 홀더는 제1 및 제2 다리 부재들을 분리하는 헤더 부재를 가지며, 상기 워크피스 홀더는, 상기 워크피스 홀더에 의해 홀딩될 때 상기 가요성 워크피스의 반대편 평면 표면들에 전기 접촉부들을 적용하며, 상기 전기 접촉부들은 상기 가요성 워크피스에 대한 탄성중합체 밀봉부에 의해 둘러싸이는 클램핑 메커니즘을 통해, 상기 제1 및 제2 다리 부재들 사이에서 상기 가요성 워크피스의 반대편 가장자리들을 홀딩하도록 구성되며, 상기 홀더는 상기 워크피스의 양면을 도금 용액에 노출시키도록 구성되는, 상기 로더 모듈;
상기 워크피스 홀더를 통해 상기 로더 모듈로부터 주어진 전기 화학적 증착 모듈로 상기 가요성 워크피스를 운반하고 주어진 워크피스를 상기 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내로 하강시키도록 구성된 운반 메커니즘;
각각의 반대편 평면 표면이 금속으로 도금되도록 상기 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내에 홀딩될 때 상기 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면에 전류를 인가하도록 구성된 전기 시스템;
상기 워크피스 홀더로부터 상기 가요성 워크피스를 제거하고 상기 가요성 워크피스의 세트를 수용하도록 구성된 언로딩 포트로 상기 가요성 워크피스를 이송하도록 구성된 언로더 모듈을 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.
An electrochemical deposition system comprising:
At least two electrochemical deposition modules arranged on a common platform and configured to deposit one or more metals on a substrate, each electrochemical deposition module comprising:
An anode compartment configured to receive a volume of an anolyte fluid;
A cathode compartment configured to receive a volume of a catholyte fluid;
A loading port configured to receive a set of flexible workpieces;
To hold the flexible workpiece from the loading port and to position the flexible workpiece in the workpiece holder while using an air cushion on each opposing flat surface of the flexible workpiece to hold the flexible workpiece As a configured loader module,
The workpiece holder having a header member separating the first and second leg members, the workpiece holder having electrical contacts on opposite planar surfaces of the flexible workpiece when held by the workpiece holder Wherein the electrical contacts are configured to hold opposite edges of the flexible workpiece between the first and second leg members via a clamping mechanism encircled by an elastomeric seal for the flexible workpiece Wherein the holder is configured to expose both sides of the workpiece to the plating solution;
A conveying mechanism configured to convey the flexible workpiece from the loader module to a given electrochemical deposition module via the workpiece holder and to lower a given workpiece into the given electrochemical deposition module;
An electrical system configured to apply an electrical current to each opposite planar surface of the flexible workpiece when held in the given electrochemical deposition module such that each opposing planar surface is plated with metal;
An unloader module configured to remove the flexible workpiece from the workpiece holder and to transfer the flexible workpiece to an unloading port configured to receive the set of flexible workpieces.
제1항에 있어서, 상기 로딩 포트 및 상기 언로딩 포트는 상기 전기 화학적 증착 시스템의 다른 위치들에 위치되는, 전기 화학적 증착 시스템.2. The electrochemical deposition system of claim 1, wherein the loading port and the unloading port are located at different locations in the electrochemical deposition system. 제2항에 있어서, 상기 운반 메커니즘은 상기 언로더 모듈로부터 상기 로더 모듈로 워크피스 홀더들을 복귀시키도록 구성된, 전기 화학적 증착 시스템.3. The electrochemical deposition system of claim 2, wherein the transport mechanism is configured to return workpiece holders from the unloader module to the loader module. 제2항에 있어서, 상기 로딩 포트 및 상기 언로딩 포트는 상기 전기 화학적 증착 시스템의 반대편 단부들에 위치되는, 전기 화학적 증착 시스템.3. The electrochemical deposition system of claim 2, wherein the loading port and the unloading port are located at opposite ends of the electrochemical deposition system. 제1항에 있어서, 상기 전기 화학적 증착 시스템은, 상기 하나 이상의 전기 화학적 증착 모듈에 결합되고 상기 하나 이상의 금속을 증착하기 위하여 상기 하나 이상의 전기 화학적 증착 모듈 중 적어도 하나에 하나 이상의 금속 구성 성분을 공급하도록 구성된 화학적 관리 시스템을 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.The electrochemical deposition system of claim 1, wherein the electrochemical deposition system is adapted to supply one or more metal components to at least one of the one or more electrochemical deposition modules for depositing the one or more metals, ≪ / RTI > wherein the electrochemical deposition system comprises a chemical management system configured. 제5항에 있어서, 상기 화학적 관리 시스템은 금속 분배 시스템에 금속 분말을 이송하기 위한 헬리컬 컨베이어를 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.6. The electrochemical deposition system of claim 5, wherein the chemical management system comprises a helical conveyor for transferring metal powder to a metal distribution system. 제1항에 있어서, 상기 캐소드 구획으로부터 상기 애노드 구획을 분리하는 멤브레인을 추가로 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.The electrochemical deposition system of claim 1, further comprising a membrane separating the anode compartment from the cathode compartment. 제1항에 있어서, 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 상기 가요성 워크피스의 반대편 표면들에서 도금 용액을 교반시키도록 구성된 교반 부재를 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.The electrochemical deposition system of claim 1, wherein each electrochemical deposition module comprises a stirring member configured to agitate the plating solution on opposite surfaces of the flexible workpiece. 제1항에 있어서, 상기 가요성 워크피스가 상기 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내에 위치될 때, 상기 가요성 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면은 애노드를 마주하고, 각각의 가요성 워크피스는 금속이 채워지는 관통 구멍들을 한정하는, 전기 화학적 증착 시스템.The method of claim 1, wherein when the flexible workpiece is positioned within the given electrochemical deposition module, each opposing flat surface of the flexible workpiece faces the anode, and each flexible workpiece is filled with metal Lt; RTI ID = 0.0 > through-holes. ≪ / RTI > 제1항에 있어서, 각각의 전기 화학적 증착 모듈은 30 리터 미만의 도금 용액을 홀딩하도록 구성되는, 전기 화학적 증착 시스템.2. The electrochemical deposition system of claim 1, wherein each electrochemical deposition module is configured to hold less than 30 liters of plating solution. 제1항에 있어서, 상기 클램핑 메커니즘은 상기 가요성 워크피스의 반대편 평면 표면들 상에 클램핑력을 부여하는 탄성 부재들을 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.2. The electrochemical deposition system of claim 1, wherein the clamping mechanism comprises elastic members that impart a clamping force on opposite planar surfaces of the flexible workpiece. 제11항에 있어서, 상기 전기 화학적 증착 시스템은 팽창될 때 상기 클램핑 메커니즘을 개방하도록 구성된 공압 블래더를 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.12. The electrochemical deposition system of claim 11, wherein the electrochemical deposition system comprises a pneumatic bladder configured to open the clamping mechanism when inflated. 제1항에 있어서, 상기 공통 플랫폼은 16개 미만의 전기 화학적 증착 모듈을 포함하고 시간당 100개의 가요성 워크피스를 도금하도록 구성되는, 전기 화학적 증착 시스템.2. The electrochemical deposition system of claim 1, wherein the common platform comprises less than 16 electrochemical deposition modules and is configured to deposit 100 flexible workpieces per hour. 제13항에 있어서, 상기 공통 플랫폼은 250 평방 피트 미만의 플로어 공간을 커버하는, 전기 화학적 증착 시스템.14. The electrochemical deposition system of claim 13, wherein the common platform covers less than 250 square feet of floor space. 전기 화학적 증착 시스템으로서,
공통 플랫폼 상에 배열되고 기판 상에 하나 이상의 금속을 증착하기 위하여 구성되는 2개 이상의 전기 화학적 증착 모듈을 포함하며, 각각의 전기 화학적 증착 모듈은,
일정 체적의 도금 용액을 수용하도록 구성된 도금 용액 구획;
한 세트의 워크피스를 수용하도록 구성된 로딩 포트;
상기 로딩 포트로부터 워크피스를 수용하고 워크피스 홀더에 상기 워크피스를 위치시키는 한편, 상기 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면 상에서 공기 쿠션을 사용하여 상기 워크피스를 홀딩하도록 구성된 로더 모듈로서,
상기 워크피스 홀더는 제1 및 제2 다리 부재들을 분리하는 헤더 부재를 가지며, 상기 워크피스 홀더는, 상기 워크피스 홀더에 의해 홀딩될 때 상기 워크피스의 반대편 평면 표면들에 전기 접촉부들을 적용하며, 상기 전기 접촉부들은 상기 워크피스에 대한 탄성중합체 밀봉부에 의해 둘러싸이는 클램핑 메커니즘을 통해, 상기 제1 및 제2 다리 부재들 사이에서 상기 워크피스의 반대편 가장자리들을 홀딩하도록 구성되며, 상기 홀더는 상기 워크피스의 양면을 도금 용액에 노출시키도록 구성되는, 상기 로더 모듈;
상기 워크피스 홀더들을 통해 상기 로더 모듈로부터 주어진 전기 화학적 증착 모듈로 상기 워크피스들을 운반하고 주어진 워크피스를 상기 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내로 하강시키도록 구성된 운반 메커니즘;
각각의 반대편 평면 표면이 금속으로 도금되거나 또는 하나의 반대편 평면 표면이 금속으로 도금되도록 상기 주어진 전기 화학적 증착 모듈 내에 홀딩될 때 상기 워크피스의 각각의 반대편 평면 표면에 전류를 인가하도록 구성된 전기 시스템;
상기 워크피스 홀더로부터 상기 워크피스를 제거하고 상기 세트의 워크피스를 수용하도록 구성된 언로딩 포트로 상기 워크피스를 이송하도록 구성된 언로더 모듈을 포함하는, 전기 화학적 증착 시스템.
An electrochemical deposition system comprising:
At least two electrochemical deposition modules arranged on a common platform and configured to deposit one or more metals on a substrate, each electrochemical deposition module comprising:
A plating solution compartment configured to receive a volume of plating solution;
A loading port configured to receive a set of workpieces;
A loader module configured to receive a workpiece from the loading port and position the workpiece in a workpiece holder while holding the workpiece using an air cushion on an opposite planar surface of each of the workpieces,
The workpiece holder having a header member separating the first and second leg members, the workpiece holder applying electrical contacts to opposite planar surfaces of the workpiece when held by the workpiece holder, Wherein the electrical contacts are configured to hold opposite edges of the workpiece between the first and second leg members via a clamping mechanism surrounded by an elastomeric seal to the workpiece, The loader module being configured to expose both sides of the piece to the plating solution;
A transport mechanism configured to transport the workpieces from the loader module to the given electrochemical deposition module through the workpiece holders and to lower a given workpiece into the given electrochemical deposition module;
An electrical system configured to apply current to each opposite planar surface of the workpiece as it is held in the given electrochemical deposition module such that each opposite planar surface is plated with metal or one opposite planar surface is plated with metal;
An unloader module configured to remove the workpiece from the workpiece holder and to transfer the workpiece to an unloading port configured to receive a workpiece of the set.
제15항에 있어서, 애노드와 상기 워크피스는 동일한 도금 용액과 접촉하는, 전기 화학적 증착 시스템.16. The electrochemical deposition system of claim 15, wherein the anode and the workpiece contact the same plating solution.
KR1020197002549A 2016-06-27 2017-06-19 Wet processing system and method of operation KR20190018530A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/194,086 US20170370017A1 (en) 2016-06-27 2016-06-27 Wet processing system and method of operating
US15/194,086 2016-06-27
PCT/US2017/038192 WO2018005155A1 (en) 2016-06-27 2017-06-19 Wet processing system and method of operating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190018530A true KR20190018530A (en) 2019-02-22

Family

ID=60675354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197002549A KR20190018530A (en) 2016-06-27 2017-06-19 Wet processing system and method of operation

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20170370017A1 (en)
JP (1) JP2019520484A (en)
KR (1) KR20190018530A (en)
CN (1) CN109715866A (en)
DE (1) DE112017003189B4 (en)
TW (1) TWI649460B (en)
WO (1) WO2018005155A1 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10074554B2 (en) 2016-06-27 2018-09-11 Tel Nexx, Inc. Workpiece loader for a wet processing system
US10283396B2 (en) 2016-06-27 2019-05-07 Asm Nexx, Inc. Workpiece holder for a wet processing system
US11608563B2 (en) * 2019-07-19 2023-03-21 Asmpt Nexx, Inc. Electrochemical deposition systems
CN110499528B (en) * 2019-09-26 2021-04-23 浙江君悦标准件有限公司 Fastener electroplating production line
EP3825445A1 (en) * 2019-11-22 2021-05-26 Semsysco GmbH Distribution body for a process fluid for chemical and/or electrolytic surface treatment of a substrate
US11542626B2 (en) * 2020-10-08 2023-01-03 Honeywell International Inc. Systems and methods for enclosed electroplating chambers
KR102565864B1 (en) 2021-06-18 2023-08-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating device and plating method
CN113882004B (en) * 2021-10-28 2023-04-21 京东方科技集团股份有限公司 Substrate carrier and electrochemical deposition apparatus
US11942341B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Asmpt Nexx, Inc. Adaptive focusing and transport system for electroplating

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3847761A (en) * 1972-04-06 1974-11-12 Aluminum Co Of America Bath control
TW405158B (en) * 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
EP0989402A1 (en) * 1998-09-28 2000-03-29 Texaco Development Corporation Field test apparatus and method for analysis of coolants and heat-exchange fluids
US6557237B1 (en) * 1999-04-08 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Removable modular cell for electro-chemical plating and method
US6478874B1 (en) * 1999-08-06 2002-11-12 Engelhard Corporation System for catalytic coating of a substrate
US20040007508A1 (en) * 1999-12-04 2004-01-15 Schulte David L. Screen assembly for vibratory separator
EP1229154A4 (en) * 2000-03-17 2006-12-13 Ebara Corp Method and apparatus for electroplating
WO2003034152A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-24 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming antireflection film for lithography
JP2007321242A (en) * 2006-06-05 2007-12-13 Marunaka Kogyo Kk Clip type workpiece hanger in electroplating device
JP4333752B2 (en) * 2007-02-19 2009-09-16 トヨタ自動車株式会社 Electrode active material and method for producing the same
JP5237924B2 (en) * 2008-12-10 2013-07-17 ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド Base plate and electroplating apparatus
US20130001122A1 (en) * 2010-11-29 2013-01-03 Nader Nowzari Combination consumer package with secondary item compartment
US9017528B2 (en) * 2011-04-14 2015-04-28 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9117856B2 (en) * 2011-07-06 2015-08-25 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having an air bearing support
EP2746433B1 (en) * 2012-12-20 2016-07-20 ATOTECH Deutschland GmbH Device for vertical galvanic metal, preferably copper, deposition on a substrate and a container suitable for receiving such a device
US20150008134A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus and methods for controlling the chemistry therein
US9303329B2 (en) * 2013-11-11 2016-04-05 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management

Also Published As

Publication number Publication date
DE112017003189T5 (en) 2019-04-25
JP2019520484A (en) 2019-07-18
TW201812116A (en) 2018-04-01
CN109715866A (en) 2019-05-03
US20170370017A1 (en) 2017-12-28
TWI649460B (en) 2019-02-01
DE112017003189B4 (en) 2020-12-03
WO2018005155A1 (en) 2018-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190018530A (en) Wet processing system and method of operation
TWI657168B (en) Apparatuses and methods for maintaining ph in nickel electroplating baths
US9303329B2 (en) Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management
KR101959095B1 (en) Electro chemical deposition and replenishment apparatus
JP2014510842A5 (en)
US20050121317A1 (en) Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US20050121326A1 (en) Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
WO2001048274A1 (en) Apparatus for plating substrate, method for plating substrate, electrolytic processing method, and apparatus thereof
KR102215486B1 (en) Inert anode electroplating processor and filler
US20130154061A1 (en) Anodizing apparatus, an anodizing system having the same, and a semiconductor wafer
CN114514340A (en) Differential contrast plating for advanced packaging applications
WO2023119347A1 (en) Maintenance method for plating device
US8221608B2 (en) Proximity processing using controlled batch volume with an integrated proximity head
CN111211068B (en) Method for holding substrate by substrate holder
TWI837780B (en) Plating device and plating method
CN116897226B (en) Plating apparatus and plating method
US20230083395A1 (en) Electroplating apparatus and electroplating method
JP7162785B1 (en) Liquid control method in anode chamber and plating apparatus
KR20180087194A (en) An apparatus for electrochemically processing semiconductor substrates
US20070043474A1 (en) Systems and methods for predicting process characteristics of an electrochemical treatment process
TW202409358A (en) Plating device and plating method including a plating tank, a substrate holder, a rotating mechanism, a raising-lowering mechanism and a control device
JP2017155275A (en) Electroless plating apparatus and electroless plating method

Legal Events

Date Code Title Description
WITB Written withdrawal of application