KR20190017051A - 진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법 - Google Patents

진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190017051A
KR20190017051A KR1020197001421A KR20197001421A KR20190017051A KR 20190017051 A KR20190017051 A KR 20190017051A KR 1020197001421 A KR1020197001421 A KR 1020197001421A KR 20197001421 A KR20197001421 A KR 20197001421A KR 20190017051 A KR20190017051 A KR 20190017051A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
screen
substrate
processing chamber
vacuum processing
vacuum
Prior art date
Application number
KR1020197001421A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102385717B1 (ko
Inventor
프란티세크 발론 프란티세크
위르겐 바이카르트
Original Assignee
에바텍 아크티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에바텍 아크티엔게젤샤프트 filed Critical 에바텍 아크티엔게젤샤프트
Publication of KR20190017051A publication Critical patent/KR20190017051A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102385717B1 publication Critical patent/KR102385717B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

진공 처리 챔버(1)는 진공 수용체(3) 및 그 내부의 스크린(13)을 포함한다. 스크린(13) 내에 고정 기판 지지체(11)가 제공된다. 진공 수용체(3)의 측벽(5) 내에 기판 핸들링 개구(25)가 제공되고, 스크린(13)에는 기판 핸들링 컷-아웃이 제공된다. 구동가능하게 이동가능한 스크린 셔터(19)는 스크린(13) 내의 기판 처리 컷-아웃을 해제하거나 커버링한다. 이에 의해, 일단 기판이 진공 처리 챔버(1)에서 처리되면, 전체적으로 닫힌 스크린을 설정하지만, 고정 기판 지지체(11)에 대한 기판의 수평 로딩 및 언로딩(L/UL)이 가능하다.

Description

진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법
본 발명은 진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법에 관한 것이다.
진공 처리 공정은 처리가 수행되는 진공 수용체 벽의 내부 표면의 재료 오염을 빈번하게 일으킨다. 에칭의 경우, 에칭된 재료가 언급된 벽에 증착될 수 있다. 또한, 진공 공정에서 증착 재료는 진공 수용체 벽의 내부 표면에 증착될 수 있다. 따라서, 진공 수용체의 벽의 오염은 CVD, PECVD, PVD 처리 공정에서 발생할 수 있다. 그러한 경우, 한편으로는 처리되는 기재를 둘러싸는 스크린을 제공하고, 다른 한편으로는, 진공 처리 공정에 의해 진공 수용체 벽의 내부 표면의 적어도 주요 부분이 오염되는 것을 방지하는 것이 알려져 있다. 그러한 스크린은 통상적으로 기판 홀더가 중앙 집중화되는 진공 수용체의 중심축을 중심으로 루핑되기(loops) 때문에, 플레이트형 기판의 로딩 및 언로딩은 스크린 외부의 기판 지지체상에서 그리고 이로부터 수행된다. 기판 지지체는 스크린을 향하여 및 스크린으로부터 중심축의 방향으로 상하로 이동된다. 이로써 스크린의 본질적으로 제공된 하부 개구가 기판 인-피드(in-feed) 및 기판 제거 포트로서 이용된다.
다른 한편으로는, 추가 처리 스테이션으로 또는 이로부터의 기판 취급은 종종 플레이트형 기판의 2차원으로 연장된 표면에 평행한 방향으로 수행된다. 따라서, 실제로 전체 수송은 XYZ와 같은 3개의 직교 좌표축을 따라 수행된다.
본 발명의 목적은 개선된 진공 처리 챔버를 제공하는 것이다.
본 명세서 전반에 걸쳐 "플레이트형 기판"을 언급할 때 우리는 두 개의 2차원으로 확장된 표면 및 언급된 2차원에서의 범위보다 훨씬 작은 두께 범위를 갖는 기판인 것으로 이해한다. 따라서, 이러한 플레이트형 기판은 평면이거나 구부러질 수 있다.
또한 "플레이트형 기판"은 플레이트형 기판 배치(batch)로 이해되는데, 이 배치는 2차원으로 확장되며, 언급될 바와 같이 본 발명에 따른 진공 처리 챔버에서 동시에 처리되는 2개 이상의 기판을 포함한다.
특히 플레이트형 기판용 진공 플라즈마 처리 챔버인 본 발명에 따른 진공 처리 챔버는 다음을 포함한다:
· 중심축 둘레로 루핑되는 측벽을 구비한 진공 수용체로서, 진공 수용체는 펌핑 포트를 포함한다.
· 중심축 둘레로 루핑되고 측벽의 적어도 일부분을 따라 연장하는 진공 수용체 내의 스크린.
· 고정 기판 지지체는 스크린의 내부에 노출된다. 고정 지지체는 중심축에 수직으로 연장되는 지지 평면을 따라 2차원으로 연장된 표면 중 하나에서 플레이트형 기판을 지지하도록 채택된다.
· 진공 수용체의 측벽에 있는 적어도 하나의 기판 핸들링 개구부로서, 상기 개구부는 상기 중심축에 수직이고 상기 중심축과 교차하는 개구 중심축을 가지며, 따라서, 중심축에 대해 반경 방향으로 향한다.
· 스크린에서 컷-아웃(cut-out)되는 적어도 하나의 기판.
우리가 "적어도 하나의" 기판을 측벽에서 처리하는 개구 및 스크린 내에 컷-아웃된 "적어도" 하나의 기판을 말할 때, 우리는 본 발명에 따른 진공 처리 챔버가 후술되는 바와 같이 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 하나의 단일 액세스를 가질 수 있다는 사실을 언급하지만, 예를 들어, 처리 챔버 내로 기판을 로딩하고, 처리 챔버로부터 이러한 기판을 언로딩하는 것은, 각각 다른 개구 및 컷-아웃을 통해 수행되면, 측벽에 적어도 2개의 개구부와 적어도 2개의 기판 핸들링 컷-아웃들을 구비할 수도 있다.
우리가 "컷-아웃(cut-out)"을 말할 때, 이 용어는 이것이 제공되는 부재에 의해 모든 측면이 경계된 개구 및 예를 들어, U 자 모양의 개방된 공간과 같은, 일측이 개방된 개방 공간을 포함한다.
측벽의 기판 핸들링 개구 및 스크린의 기판 핸들링 컷-아웃은 상호 정렬되며, 모두 거기를 통과하는 기판 지지체를 향하여 그리고 지지체로부터 플레이트형 기판의 취급을 허용하도록 맞춰진다(tailored).
기판의 취급은 진공 수용체의 중심축에 수직으로, 따라서 언급된 지지 평면에 평행한 2차원으로 연장된 평면 표면을 사용하여 수행된다.
· 구동 방식으로 이동가능한 스크린-셔터(screen-shutter), 즉 드라이브에 의해 이동가능하고 제어된 방식으로 기판 핸들링 컷-아웃을 구동가능하게 해제하거나 또는 덮는 스크린 셔터.
따라서, 본 발명에 따른 진공 처리 챔버에 의하면, 플레이트형 기판들을 스크린 내에, 즉 실질적으로 반응 공간 내로, 플레이트형 기판의 연장된 표면에 평행하고 수용체의 중심축에 수직하게 로딩 및 언로딩하는 것이 가능해진다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 스크린은 금속으로 제조된다.
통상적으로, 언급된 바와 같이, 스크린은 실제로는 한편으로는 금속으로 제조되는데, 이는 진공 처리 챔버의 유지 보수 동안 교환되어야할 부분인 것이기 때문으로, 예를 들면. 세정 목적으로 비교적 저렴한 가격이어야 한다.
그럼에도 불구하고, 일부 진공 처리는 층 증착 공정에 의해 플레이트형 기판 상에 증착되는 재료로 적용되는 재료에 의해 둘러싸이는 처리 공간의 적어도 우세한 부분이 필요할 수 있다.
그러한 경우에, 예를 들어, 플레이트형 기판 상에 반응성 플라즈마 처리에 의해 증착되는 재료가, 유전체 재료인 경우, 또한 유전체 재료의 스크린을 제공하는 것이 유리할 수 있다.
이미 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 스크린은 유지 보수 교환 부분으로, 즉, 진공 처리 챔버를 더 이상 분해하지 않고도 스크린을 쉽게 제거하고 교체할 수 있다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 또 다른 실시예에서, 스크린은 적어도 전도성 표면을 가지며, 바람직하게는 금속으로 이루어지며, 스크린-셔터는 또한 전기 전도성 표면을 가지며, 또한 바람직하게는 금속으로 이루어진다. 스크린-셔터는 적어도 스크린-셔터에 의해 컷-아웃이 덮인 위치에서 스크린과 전기적으로 접촉한다.
스크린 셔터는 임의의 원하는 방향으로 컷-아웃에 대해 이동가능하여 언급된 컷-아웃을 각각 개방하고 닫을 수 있지만, 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 스크린 셔터는 중심축에 평행한 방향으로 구동가능하게 움직일 수 있다. 통상적으로 중심축은 수직으로 향하게 되므로 스크린 셔터는 일반적으로 상하로 구동가능하게 이동할 수 있다.
진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 종종 페데스탈(pedestal)로 불리는 고정 기판 지지체는 플레이트형 기판에 대한 전기 전도성 지지 평면을 포함하며, 이 표면은 진공 처리 챔버의 RF 바이어싱 소스 커넥터에 전기적으로 연결된다. 따라서, 작동중에, 기판 홀더 및 그 위에 있는 플레이트형 기판은 RF 바이어스된다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 방금 언급된 바와 같은 기판 지지체는 지지 평면 위에 돌출하고 구동가능하게, 즉 각각의 구동 수단에 의해지지 평면에 대해 그 축선을 따라 수축가능하고 상승가능하게 된 적어도 세 개의 핀들을 포함한다.
상기 핀들은 그 돌출 위치에서 상기 하나의 지지 평면과 평행한 다른 지지 평면을 한정하며, 상기 지지 평면은 스크린 내에서 상기 중심축과 교차한다.
따라서, 플레이트형 기판의 로딩 및 언로딩은 반드시 처리 중에 플레이트형 기판이 상주하는 동일 평면을 따라 반드시 발생하는 것은 아니다. 플레이트형 기판을 로딩 및 언로딩하는 실시예에서, 언급된 추가의 지지 평면에 대해 수행되는 반면, 기판 처리는 핀이 수축됨에 따라 하나의 지지 평면을 따라 위치된 기판으로 수행된다.
스크린 컷-아웃 및 측벽의 개구는 처리 동안 위치 또는 지지 평면이 증착되는 사실과 무관하게 플레이트형 기판의 로딩 및 언로딩을 허용하도록 추가 평면과 정렬된다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 하나의 지지 평면은 스크린 내부의 중심축과 교차하여, 처리 동안 기판은 스크린 내에 존재한다.
핀은 미리결정된 전위로 작동될 수 있으며, 이 경우 금속으로 구성된다. 대안으로, 핀은 플로팅 전위(floating electric potential)에서 작동될 수 있고, 그 후 예를 들어, 유전체 재료와 같은, 금속 또는 전기적으로 비전도성인 재료일 수 있다.
일단 플레이트형 기판이 상승된 핀 상에 증착되면, 핀은 수축되고 기판은 전기 전도성 지지체 상부 및 작동시 플레이트형 기판이 RF 바이어스되는, 하나의 지지 평면을 따라 처리를 위해 증착된다.
주로 기판의 플레이트 형상에 좌우되며, 중심축의 방향으로 고려되는 스크린의 단면 형상은 원형 또는 다각형이며, 특히 원형, 직사각형 또는 정사각형이다.
원형의 처리 대상 기판에 대하여 보면, 스크린 내의 컷-아웃 및 기판 핸들링 개구가 로딩/언로딩 방향에 수직하고 하나 이상의 지지 평면과 평행하게, 기판 직경보다 약간 큰 치수로 치수화 되어야함이 분명해진다. 사각형 또는 사각형 모양의 기판의 배향에 따라, 측벽 내의 언급된 기판 핸들링 개구 및 스크린의 컷-아웃은 로딩/언로딩을 위한 기판의 각각의 치수 및 핸들링 방향에 적응되어야 한다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 또 다른 실시예에서, 스크린은 전도성 표면을 가지며, 이에 의해 스크린은 예를 들어, 금속으로 이루어지고, 이 표면은 진공 수용체의 금속 측벽을 통해 챔버의 시스템 접지 커넥터에 전기적으로 연결된다.
특히, 작동시에, 처리되는 기판이 바이어싱 소스에 의해 전기적으로 바이어스되면, 특히 RF 바이어싱 소스에 의해 RF 바이어스되면, 처리는 스크린 내의 플라즈마의 도움으로 수행되며, 그에 따라 금속 측벽을 통해 스크린으로부터 견고한 시스템 접지 전위가 인가되는 시스템 접지 커넥터에 RF 전류 복귀 경로가 설정된다.
본 발명에 따른 처리 챔버의 방금 언급된 실시예의 일 실시예에서, 스크린은 예를 들어, 세정 목적으로, 쉽게 교환될 수 있음을 의미하는 유지 보수 가능 부분이고, 스크린은 스크린의 둘레를 따라 분포된 탄성 접촉 요소들을 통해 직접 또는 간접적으로 언급된 측벽과 전기적으로 접촉하며, 이러한 주변은 중심축의 방향으로 보여지는 것으로 간주된다. 각각의 탄성 접촉 요소들은 측벽과 전기적으로 접촉하거나 측벽에 직접 전기적으로 접촉하는 스크린 또는 금속 부분에 기계적으로 장착된다.
따라서, 탄성 접촉 요소들은 스크린으로부터 수용체의 금속 측벽으로 그리고 이에 의해 시스템 접지 커넥터에 견고한 저 저항 전류 경로를 설정하도록 맞춰진다. 그럼에도 불구하고 스크린을 진공 수용체의 금속 측벽으로부터 열적으로 분리한다. 기판 처리 중에 스크린이 금속 측벽의 온도와 크게 다른 온도에서 작동하면 이 방법을 사용하는 것이 좋다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 스크린은 기판 지지체에 대향하는 커버 플레이트를 포함한다. 커버 플레이트는 스크린의 내부 공간으로 배출되는 적어도 하나의 가스 관통 라인을 포함한다. 기판의 처리가 스크린 내의 반응 공간에서 예를 들어, 플라즈마 생성을 위한 작동 가스 및/또는 반응성 플라즈마 또는 열처리를 위한 반응성 가스와 같은 가스를 사용하는 경우, 언급된 플레이트를 통해 각각의 가스 또는 가스들에 대한 하나 이상의 가스 피드스루(gas feedthroughs)가 제공된다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 중심축 둘레로 루핑되고 측벽 보호에 대해 스크린을 보완하는 하부 실드(bottom shield)를 더 포함한다. 하부 실드는 금속으로 이루어지며, 스크린은 전기 전도성 표면을 가지므로, 바람직하게는 금속으로 이루어진다. 특히 스크린의 하부 림을 따라, 즉 기판 지지체에 더 가까운 림에서, 스크린의 전기 전도성 표면은 직접적으로 또는 간접적으로, 하부 실드 및 금속 측벽과 전기적으로 접촉한다. 그렇지 않으면, 하부 실드는 처리 챔버의 다른 부분과 전기적으로 격리되며, 추가로 예외적으로, 즉 시스템 접지 커넥터에 전기적으로 견고하게 연결된다.
일 실시예에서, 중심축 둘레로 루핑되고, 상기 측벽 보호부에 대해 스크린을 보완하는 하부 실드가 중심축의 방향 및 스크린의 외부에서 스크린과 중첩된다. 일 실시예에서, 하부 실드는 스크린의 컷-아웃의 적어도 일부를 포함하는 중심축 둘레의 영역을 따라 스크린과 중첩된다. 이 경우, 하부 실드는 스크린 내의 컷-아웃 및 상기 측벽의 기판 핸들링 개구와 정렬되는 기판 핸들링 컷-아웃을 포함한다.
특히, 처리가 플라즈마를 사용하여 수행되고 기판 지지체가 RF로 작동하는 동안 편향된다면, 이 실시예는 즉 플라즈마를 통해 시스템 접지 커넥터에 두 개의 평행한(parallel) RF 귀환 경로를 제공하고, 전도성 표면을 갖는 스크린 및 한편으로는 하부 실드, 다른 한편으로는 금속 측벽을 시스템 접지 커넥터 아래로 제공한다. 이에 의해, RF 전류 귀환 경로 임피던스가 현저히 낮아진다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 또 다른 실시예에서, 스크린은 금속으로 이루어지며 측벽 및/또는 하부 실드로부터 최종적으로 분리되는데 -이러한 실드가 제공되면- 스크린이 수용체 내에 매달려 있고 스크린의 하부 림의 주변부를 따라 분포된 탄성인, 별개의 탄성 전기 접촉 요소들을 통해서만 측벽 및/또는 하부 실드 -만일 제공되면- 와 접촉한다.
수용체 내의 스크린을 상단 영역에 매달면(suspending) 하단 부분의 스크린 지지체를 피할 수 있다. 전기 접촉을 제공하여 수용체의 측벽과 스크린 사이에 무시할만한 열 결합을 제공하고, 제공된 경우 위에서 언급한 바와 같이 하부 실드에 제공되는 것은 구별된 개별 전기 접촉 요소들 뿐이다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 스크린은 냉각 또는 가열 매질에 대한 채널 장치를 포함하는 냉각 또는 가열 플레이트에 -매달린 일 실시예에서- 상부-장착(top-mounted)된다. 일 실시예에서 이러한 플레이트는 열 디커플링(thermal decoupling)과 관련하여 방금 언급된 바와 같이 스크린을 매달기 위해 사용되고, 스크린의 내부로의 가스 공급 라인은 이러한 냉각 또는 가열 플레이트를 통해 안내된다.
탄성의, 접촉 요소들에 대해서 다시 생각해 보면, 스크린을 냉각시키는 방금 언급된 경우에, 스크린으로부터 측벽 및/또는 하부 실드로의 열 전도를 피하는 것이 진공 수용체 내부 표면을 따른 응축을 피하는데 유리할 수 있다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예에서, 진공 처리 챔버는 에칭 챔버이고, 진공 수용체 내에서 유도 결합 플라즈마를 발생시키도록 중심축 둘레로 루핑하는 유도 코일을 포함한다. 유도 코일은 중심축에 대해 금속 스크린 외부에 방사상으로 위치된다. 따라서, 진공 수용체의 측벽은 중심축 둘레로 루핑되고 스크린과 코일 사이에 반경 방향으로 위치되는 유전체 재료의 일부를 포함한다. 유전체 재료의 이 부분은 실질적으로 유도 코일의 축 방향 연장부를 따라 연장되고 주위 분위기에 대하여 진공 분리를 형성할 수 있다. 이에 따라 금속 스크린은 금속 스크린을 따라 분포된 관통 슬릿들의 패턴을 포함한다. 이러한 관통 슬릿들은 중심축에 평행한 방향의 주된 요소를 갖는다. 이러한 금속 스크린의 관통 슬릿 패턴은 유도 코일에 의한 유도로 인한 금속 스크린에서의 과도한 와류 손실을 피하기 위해 제공된다. 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 임의의 수의 실시예가 언급된 바와 같이 서로 모순되지 않으면 결합될 수 있다.
본 발명은 또한 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법에 관한 것이다. 방법은 진공 처리 챔버의 내부 표면의 일부로부터 이를 따라 분리된 스크린을 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 평면을 따라 위에서 언급되고 스크린의 내부 공간에 노출된 플레이트형 기판을 지지하도록 적용된 고정 기판 홀더를 제공하는 단계를 포함한다. 스크린 내의 기판 인-피드 컷-아웃(in-feed cut-out)이 개방되고, 플레이트형 기판이 개방된 기판 인-피드 컷-아웃을 통해 스크린으로 도입된다. 플레이트형 기판은 기판 지지체 상에 증착되고, 스크린에서 기판 인-피드 컷-아웃은 닫히며, 여전히 개방된 경우 스크린에서 기판 제거 컷-아웃이 닫힌다. 그 후, 기판 지지체상의 기판을 진공 처리한다. 이어서, 스크린 내의 기판 제거 컷-아웃이 개방되고, 처리된 플레이트형 기판이 기판 지지체 및 스크린으로부터 그리고 또한 기판 제거 컷-아웃을 통해 진공 처리 챔버로부터 제거된다.
본 발명에 따른 방법의 변형예에서, 기판 인-피드 컷-아웃은 기판 제거 컷-아웃이다. 따라서 스크린에서 하나의 컷-아웃은 인 피드 및 제거 컷-아웃으로 이용된다.
본 발명에 따른 방법의 또 다른 변형예에서, 이는 본 발명에 따른 진공 처리 챔버 또는 하나 이상의 실시예들에 따라 수행된다.
본 발명은 이제 실시예 및 도면의 도움으로 더 설명될 것이다. 도면들은 다음을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 일 실시예의 일부를 개략적으로 및 간략하게 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 실시예의 진공 처리 챔버를 관통하는 개략적으로 및 간략하게 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 또 다른 실시예인 도 1과 유사한 도면이다.
도 4는 도 2와 유사하게 표현된 도 3에 따른 실시예의 횡단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 특정 실시예를 여전히 개략적으로 및 간략하게 도시한 단면도로서, 도 5에 구체적으로 도시된 것 이외에 본 발명의 진공 처리 챔버의 다른 유형에도 적용될 수 있는 특징을 나타낸다.
도 6은 도 5에 따른 진공 처리 챔버의 실시예, 보다 일반적으로 본 발명에 따른 다른 유형의 진공 처리 챔버에 적용될 수 있는 탄성 접촉 요소들을 단순화된 사시도로 도시한 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 진공 처리 챔버의 실시예의 일부를 가장 개략적으로 및 간략하게 도시한다.
도 1은 언급된 챔버(1)를 부분적으로 분해한 사시도이고, 도 2는 A/A에 의해 도 1에 도시된 평면을 따라 도 1의 진공 처리 챔버(1)를 통과하는 단면을 도시한다.
진공 처리 챔버(1)는 진공 수용체(3)를 포함하고, 측벽(5)은 중심축(B) 둘레에 고리형으로 형성된다. 각각의 덮개 및 바닥(도 1에 미도시)을 갖는 측벽(5)은 대기 분위기와 진공 분위기를 분리한다. 진공 분위기는 진공 펌프 장치(9)가 작동을 위해 장착될 수 있는 펌핑 포트(7)에서 진공 수용체(3) 내에 설정된다.
중심축(B)을 중심으로 집중되는 진공 수용체(3) 내에, 중심축(B)에 수직인 평면(E)을 따라 또는 평행하게 위치된 플레이트형 기판들의 수와 동일하거나 더 큰 수를 지지하도록 구성된 고정 기판 지지체(11)가 제공된다. "플레이트-형의 기판"을 다루는 경우, 이는 2차원으로 확장된 한 쌍의 표면을 가지며, 3차원에서 두 개의 언급된 치수 내의 범위보다 훨씬 작은 두께 범위를 갖는 기판을 의미한다. 그럼에도 불구하고, 플레이트형 기판은 편평하거나 구부러질 수 있다.
우리가 "하나 이상의 숫자"를 다루는 경우, 이것은 하나의 플레이트형 기판 또는 하나 이상의 기판의 배치(batch)를 다루는데, 배치는 상기에서 언급된 바와 같이 단일 플레이트형 기판처럼 2차원으로 연장된다. 따라서, 본 명세서 및 청구 범위 전반에 걸쳐 언급된 바와 같은 "기판"은 또한 이러한 기판들의 배치를 제시한다.
또한, 진공 처리 챔버(1)에는 중심축(B) 둘레로 루핑되고 중심축(B)으로부터 방사상으로 떨어져 기판 지지체(11)를 둘러싸는 스크린(13)이 제공된다. 일반적인 접근법에서, 스크린(13)은 진공 수용체(3)의 측벽(5)의 내부 표면과 접촉하거나 이를 따라 제공되거나, 그로부터 멀리 떨어져서, 기판 지지체(11)와 측벽(5)의 내부 표면 사이에 제공된다. 또한, 일반적인 고려 사항에서, 스크린(13)은 전기 전도성 또는 전기 비전도성 물질일 수 있다.
중심축(B)의 방향으로 고려하면, 기판 지지체(11)는 적어도 하나의 플레이트형 기판이 스크린(13) 내에서 지지체로 로딩 및 이로부터 언로딩되도록 위치된다. 플레이트형 기판의 처리는 또한 스크린 내에서 수행될 수 있지만, 또한 스크린 외부에서 수행될 수 있으며, 예를 들어, 스크린(13)의 하부 림에 인접한 중심축(B)의 방향으로 고려될 수 있다.
일반적으로 기판 지지체(11) 상에 그리고 기판 지지체(11)로부터 적어도 하나의 플레이트형 기판을 로딩 및 언로딩하는 것은 양방향 화살표 L/UL에 의해 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이 중심축 B에 대해 반경 방향으로 및 수직으로 수행된다. 따라서 로딩/언로딩 궤도 경로는 평면(E)에 평행하고 스크린(13)에 의해 한정된 기하학적 본체를 가로질러 유도된다.
스크린(13)을 통해 이러한 취급을 수행하기 위해, 스크린(13)에 기판 핸들링 컷-아웃 또는 개구(17)가 제공된다. 이 기판 핸들링 컷-아웃(17)은 평면 E와 평행한 것으로 고려되며, 각각의 연장된 플레이트형 기판 또는 중심축 B에 수직하게 2차원으로 확장된 표면을 갖는 각각의 배치의 로딩 및 언로딩을 허용하는 측면 범위를 갖는다.
스크린(13)은 금속 스크린(13) 내부의 진공 처리로 인한 재료 영향으로부터 측벽(5)의 내면의 주된 부분을 커버하여 보호한다.
스크린(13) 내의 기판 핸들링 컷-아웃(17)을 덮거나 또는 해제하기 위해, 제어된 구동 유닛(21)에 의해 구동 및 제어가능하게 이동가능한 스크린 셔터(19)가 제공된다.
도 1로부터 명백한 바와 같이, 컷-아웃(17)과 정렬된 진공 수용체(3)의 측벽(5)에 각각의 기판 핸들링 개구(미도시)가 제공되어 기판 또는 기판들의 각각의 배치의 로딩 및 언로딩을 허용한다.
도 1의 실시예에서, 스크린 셔터(screen-shutter)(19)는 중심축(B)에 평행한 방향 -D- 로 구동가능하게 이동되고, 다른 구현예에서 이러한 스크린 셔터(19a)(도 2 참조)는 중심축(B)에 대해 방위각 방향으로 일점 쇄선 이중-화살표(D ')로 도시된 바와 같이 구동가능하게 움직일 수 있다.
도 2의 표현에서, 도 1에 따른 도면에 부가적으로, 그리고 파선으로, 플레이트형 기판(23) 및 진공 수용체(3)의 측벽(5)에 기판 핸들링 개구(25)가 도시된다.
도 1 및 도 2는 원형 플레이트형 기판을 처리하거나 플레이트형인, 기판들의 원형 배치를 처리하기 위한 본 발명에 따른 진공 처리 챔버(1)의 실시예를 도시하고, 도 3 및 도 4는 다각형, 보다 구체적으로는 직사각형 또는 정사각형 기판 또는 각각의 형상화된 기판들의 배치를 진공 처리하기 위한 실시예를 도시한다.
도 3 및 도 4에 따른 도면들에서, 도 1 및 도 2와 동일한 부분에는 동일한 참조 번호가 사용되어 당업자에게 도 3 및 도 4에 대한 추가적인 코멘트가 필요하지 않다.
진공 처리 챔버(1)는 특히 PECVD 또는 PVD 층 증착 또는 에칭을 위한 진공 플라즈마 처리 챔버이다. 스크린(13)은 진공 수용체(3)의 내부 표면 및 그곳에 제공된 장비가, 처리 공정으로부터 야기되는 재료 영향으로부터 보호되어야 하는 모든 경우에 적용된다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 진공 처리 챔버(1)의 특정 실시예는 진공 처리 챔버의 다른 유형들에 보다 일반적으로 적용가능하며, 이후에 곧 다루어질 몇 가지 특징들로 설명될 것이다. 도 5는 유도 결합 플라즈마를 사용하는 플라즈마 에칭 챔버인 본 발명에 따른 진공 처리 챔버를 개략적으로 및 간략하게 도시한다.
진공 에칭 챔버(101)는 중심축(B100)을 루핑하는 측벽(105)을 구비한 진공 수용체(103)를 포함한다.
이 실시예에서 원통형인 금속으로 구성된 스크린(113)은 가스 피드스루(106)에 의해 진공 수용체(103)의 상단 커버 플레이트(108)에 장착된 냉각 플레이트(102)에 매달려 있다. 작동 및/또는 반응성 가스를 위한 적어도 하나의 가스 공급 라인(110)이 가스 스크린(106)을 통해 공급되어 금속 스크린(113)의 내부로 송출된다.
냉각 매체 피드스루(112) 및 채널 배열에 의해, 냉각 판(102)에는 냉각 매체가 공급된다.
금속 스크린(113)과 냉각 판(102) 사이에 양호한 열 접촉을 이루기 위해, 금속 스크린(113)은 상부 커버(114)에 의해 상부-닫힌다. 금속 스크린(113)은 나사(116)에 의해 냉각 판(102)에 단단히 바이어스된다.
금속 스크린(113)은 중심축(B100)에 평행한 방향의 주된 성분을 갖는 관통 슬릿(118) 패턴을 포함한다.
금속 스크린(113)이 냉각 판(102)에 매달려(suspended) 있지만, 진공 수용체(103)의 측벽(105)의 일부분에 전기적으로 전도성 방식으로 금속 스크린(113)의 주변을 따라 분포된 도전성 탄성 요소(120)를 통해 바이어스된다.
도 6에 개략적으로 도시된 바와 같이, 탄성 요소(120)는, 예로서, 빗살 모양의 스프링 텅(spring tongues)(122)의 그룹으로 구성될 수 있고 도 6의 참조 번호 124로 나타낸 바와 같이 진공 스크린(113) 또는 진공 수용체(103)의 측벽(105)의 일부에 기계적으로 장착될 수 있다. 탄성 요소들(120)은 금속 스크린(113)의 주변을 따라 예를 들어, 일정 간격으로 분포된다. 이러한 탄성 요소들(120)은 금속 스크린(113)과 측벽(105) 사이의 양호한 전기 접촉을 제공하지만 냉각된 금속 스크린(113)과 측벽(105) 사이에 작은 열 전도성만을 제공한다.
도전성 탄성 요소들(120)은 예를 들어, 원형, 삼각형, 타원형, 다각형 단면 형태의 관 형상, 중공 형상 또는 전체 재료 탄성 요소에 의한 것과 같은 매우 다양한 서로 다른 요소에 의해 실현될 수 있다. 중요하게 이러한 접점 요소들은 낮은 전기 저항과 낮은 열 전도성을 제공해야 한다.
중심축(B100)과 동축인 하부 실드(126)는 스크린(113)의 보호 작용을 보완한다.
탄성 요소(120)에 근접하여, 금속 스크린(113)의 둘레 주위에 전체적으로 분포된 추가 세트의 탄성 요소들(128)이 측벽(105)과 하부 실드(126) 사이에 전기 접촉을 형성한다. 예를 들어, 탄성 요소(128)는, 예를 들어, 요소(120)와 유사하게, 즉, 도 6의 실시예 또는 탄성 요소(120)와 관련하여 인용된 실시예들에 따라 실현 될 수 있다. 따라서, 이러한 탄성 요소들(128)은 다양한 요소들에 의해 실현될 수 있다. 탄성 요소들(120)과는 반대로, 탄성 요소들(128)의 낮은 열 전도성은 본 실시예에서 요소들(120)과의 시리즈에서 열적으로 중요하지 않다.
대신에 또는 부가적으로 하부 실드(126)와 측벽(125) 사이의 탄성 요소(128)들은, 금속 스크린(113)과 실드(126) 사이에 직접 제공될 수 있고/있거나, 일부 경우에는 -특히 기판 지지체의 RF 바이어스 없이- 측벽(105)에만 제공될 수 있다.
금속 하부 실드(126)는 금속 스크린(113)과 유사한 유지 보수 교체 부분이다. 진공 수용체(103)의 측벽(105)뿐만 아니라 하부 실드(126)는 시스템 접지 커넥터(130)를 통해 시스템 접지(GND)에 견고하게 연결될 수 있다.
하부 실드(126)는 시스템 접지 커넥터(130)에 대한 전기적 접속을 제외하고는 진공 수용체(103)의 금속 측벽(105)으로부터 전기적으로 절연되어 있다. 이는 도면부호 127의 두꺼운 선에 의해 도 5에 개략적으로 도시된다. 하부 실드(126)는 기판 핸들링 컷-아웃 또는 개구부(127)가 하부 실드(126)의 중첩 부분에 또한 제공되는 정도로 스크린(113)의 하부 영역과 외부적으로 중첩된다.
가장 개략적으로 도시된 바와 같이, 입력 탭으로부터 중심축(B100)에 동축으로 고정 장착된 금속 기판 지지체(132)로의 RF 공급 라인(RFIN)이 제공된다.
절연체(134)에 의해 도시된 추가의 개략도 및 간략도에 도시된 바와 같이, 금속 기판 지지체 또는 페데스탈(132)은 진공 처리 챔버의 임의의 나머지 부분으로부터 전기적으로 절연된다. 작동시, RF 바이어스 소스(136)가 RF 공급 라인(RFIN)과 시스템 접지 커넥터(130) 사이에 인가된다. 금속 기판 지지체(132) 로의 RF 바이어스 공급과 관련하여, 하부 실드(126)는 코어와 같이 라인(RFIN)에 대한 실드로서 작용한다.
RF 전류 복귀 경로는 금속 기판 지지체(132)로부터 플라즈마를 통해 금속 스크린(113)에 설정되고, 그리고 그곳으로부터, 한편, 탄성 요소들(120 및 128)을 통해 하부 실드(126)로 및 그 다음 시스템 접지, 전류 경로(RF1)로 설정된다.
이와 동시에, 다른 한편, 진공 수용체(103)의 측벽(105)을 경유하여 탄성 요소(120)를 통해 시스템 접지(GND)로 RF 전류 복귀 경로(RF2)가 형성된다. 이 두 개의 병렬 RF 귀환 경로 RF1, RF2는 언급된 전류에 대한 전체 RF 임피던스를 시스템 접지로 상당히 감소시켜 에칭 공정의 효율성과 안정성을 향상시킨다.
금속 스크린(113)의 내부에 플라즈마를 발생시키기 위해, 에칭 반응 공간에, 진공 축(141)에 의해 개략적으로 도시된 바와 같이, 대기 분위기(A)로부터 진공 분위기(V)를 분리하는 유전체 벽(140)에 의해 중심축(B100)에 동축으로 및 금속 스크린(113)으로부터 분리된 유도 코일(138)이 제공된다.
펌핑 포트(142)는 진공 펌프에 연결되어 펌핑 가스 흐름(P)이 진공 처리 챔버(1)의 내부로부터 설정된다.
측면에서, 진공 수용체(103)의 측벽(105)과 하부 실드(126), 기판 핸들링 개구(125) 및 컷-아웃(cut-out)(127)이 예를 들어, 도 2의 표시에 따라 제공된다. 측면 기판 핸들링 개구(125)와 반경 방향으로 정렬되어, 금속 스크린(113)에는 기판 핸들링 컷-아웃(117)이 제공되어, 양방향 화살표(L/UL)로 도시된 바와 같이, 중심축(B100)에 수직으로 배향된 플레이트형 기판은 컷-아웃(127, 117)을 통한 기판 핸들링 개구(125)를 통해 핀(144) 상으로 로딩 및 언로딩될 수 있다. 핀들(144)은 축(B144)을 따라 제어 가능하게 이동가능하며, 따라서, 금속판 기판 지지체(132) 상에 다운되어 처리될 기판을 하강시키거나 처리된 기판을 기판 지지체(132)로부터 처리될 기판을, 로봇 아암(미도시)에 의해 고정할 수 있고 기판 핸들링 개구(125) 및 개방된 컷-아웃(cut-out)(117) 및 컷-아웃(127)을 통해 금속 스크린(113)으로부터 제거될 수 있는 위치로 상승시키도록 낮아질 수 있다.
핀들(144)은 제어가능한 구동 유닛(146)에 의해 상하로 이동가능하다.
금속 스크린(113) 내의 기판 핸들링 개구(125) 및 컷-아웃(127) 및 특히 기판 컷-아웃(117)이 금속 기판 지지체(132)를 향하여 또는 금속 기판 지지체(132)로부터 로딩되거나 언로딩되는 기판으로부터 해제되면, 금속 스크린(113)의 컷-아웃(117)은 구동 유닛(150)에 의해, 상하로 제어 가능하게 구동가능하게 움직일 수 있는 스크린 셔터(119)에 의해 닫힐 수 있다. 에칭 작업 중에, 특히 기판 컷-아웃(117)을 닫음으로써, 금속 스크린(113)에서 큰 컷-아웃(117)을 통한 진공 처리 챔버의 오염이 방지된다.
금속 이동가능한 스크린-셔터(119)는 특히 작동하는, 닫힌 위치에서 금속 스크린(113)과 동일한 전위에서 작동된다. 금속 스크린-셔터(119)와 금속 스크린(113) 사이의 양호한 전기적 접촉은 도전성 탄성 요소(152)에 의해 금속 스크린-셔터(119)의 닫힌 위치에서 설정되는데, 도전성 탄성 요소(152)는, 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 탄성 접촉 요소(120 및/또는 128)와 유사하게 맞춰질 수 있다. 또한, 이러한 탄성 접촉 요소(152)는 스크린(113) 측 또는 스크린 셔터(119) 상에 스크린 셔터(119)의 상부 림을 따라 분산된 방식으로 장착된다. 예로서, 금속 스크린-셔터(119)는 전기적으로 절연된 방식으로 그 구동부(150)에 장착된다.
진공 처리 챔버(1)의 특정 실시예, 즉 유도 결합 플라즈마를 구비한 에칭 챔버로서 고려되는 이러한 챔버의 설명 이후에, 이 챔버의 일부 양상들은 보다 일반적인 관점에서 다루어져야 한다.
도 5에 따른 진공 플라즈마 에칭 챔버와 관련하여, 스크린(113)이 금속인 것이 언급되었다. 다른 처리 응용들의 경우에, 처리는 유전체 재료일 수 있으므로 도 5의 도면부호 119 에 따라 스크린 셔터가 된다.
스크린(113)은 내부에서 수행되는 기판 처리가 가장 잘 작동하는 경우에, 처리 공간을 둘러싸는 표면의 적어도 주요 부분이 각각의 플라즈마 증착 처리에 의해 기판 상에 증착될 물질과 동일한 물질이면, 예를 들어, 유전체 재료일 수 있다. 그럼에도 불구하고, 스크린(113)은 유지 보수-교체 부분이 될 것이고, 따라서 대부분의 처리 적용에서 상대적으로 저가이며, 스크린(113)은 금속으로 제조된다.
도 5에 따른 실시예의 경우에서와 같이, 기판이 RF 바이어스에서의 처리 중에 작동되면, 금속 스크린(113)은 RF 전류 복귀 경로를 가장 현저히 향상시킨다. 이러한 맥락에서 그리고 도 5와 관련하여, 우리는 병렬 RF 전류 리턴 경로(RF1 및 RF2)의 실현을 다뤘다. 이는 주로 금속 스크린(113)과 진공 수용체의 금속 측벽 사이에, 및 그와 평행하게 하부 실드에 그리고 일반적으로 도 5의 도면부호 130과 같은 접지 커넥터 아래에 탄성 전기 커넥터들을 설치하는 것에 의해 실현된다. 이러한 접근은 특히 플라즈마 처리가 수행되고 처리될 기판이 RF 바이어스 상에서 작동될 때 적용된다.
이와 관련하여, 도 5의 실시예는 금속 스크린-셔터(119)가 금속 스크린(113)과 동일한 전위에서 닫힌 위치에서 작동된다는 것을 교시한다. 이는 셔터(148)가 닫힌 위치에 도달할 때 탄성인 전기 전도 요소(152)에 의해 실현된다. 다른 실시예에서, 금속 스크린-셔터(119)는, 예를 들어, 그 순간 위치에 상관없이 금속 스크린-셔터(119)에 전기 접촉을 유지하는 탄성 접촉들을 슬라이딩(sliding)시킴으로써, 진공 수용체(103)의 측벽(105)의 전위에서 또는 하부 실드(126)의 전위에서 항상 작동될 수 있다.
또한, 스크린(113) 내의 플라즈마 생성은 예를 들어, 마이크로파 플라즈마, 아크 증발원의 플라즈마, 또는 마그네트론 소스 등의 스퍼터링 소스와 같은 임의의 공지된 방식으로 실현될 수 있다. 플라즈마 생성없이 순수한 CVD 처리 기술에서 언급된 바와 같이, 기판 처리 컷-아웃(117)을 스크린(113)에 제공하는 것이 유리할 수 있다.
언급된 스크린 내의 컷-아웃에 의해, 기판이 처리 챔버의 외부에서 취급될 때 동일하거나 적어도 평행한 평면에서 처리 챔버로 및 이로부터의 기판의 처리를 수행하는 것이 가능해진다.
스크린 셔터(119)는 스크린(113)과 유사한 유지 보수 교환 부분으로서, 이의 드라이브(150)로부터 용이하게 제거가능하다.
본 발명의 요약된 양상들은 다음과 같다:
A) 다음을 포함하는 진공 처리 챔버(1)로서, 특히 적어도 하나의 플레이트형 기판에 대한 진공 플라즈마 처리 챔버:
· 중심축(B; B100) 둘레로 루핑(looping)되는 측벽(5; 105)을 구비하고 펌핑 포트(7; 142)를 포함하는 진공 수용체(3; 103);
· 상기 중심축(B; B100) 둘레로 루핑되고 상기 측벽(5; 105)의 일부를 따르는 상기 진공 수용체(3; 103) 내의 스크린(13; 113);
· 상기 스크린(13; 113)의 내부에 노출되고 2차원으로 연장된 표면 중 하나에서 그리고 상기 중심축(B; B100)에 수직인 지지 평면(E)을 따라 플레이트형 기판을 지지하도록 구성된 고정 기판 지지체(11; 132);
· 상기 중심축(B, B100)에 수직하고 교차하는 개구 중심축을 구비한 상기 측벽(5; 105) 내의 적어도 하나의 기판 취급 개구(25; 125);
· 상기 스크린(13; 113) 내의 적어도 하나의 기판 핸들링 컷-아웃(substrate handling cut-out)(17; 117)으로서, 상기 기판 핸들링 개구(25; 125) 및 상기 기판 핸들링 컷-아웃(17; 117)은 상기 기판 지지체(11; 132)를 향하여 및 이로부터 거기를 통과하는 플레이트형 기판의 취급을 허용하도록 상호 정렬되고 맞춤화되는, 적어도 하나의 기판 핸들링 컷-아웃;
· 상기 기판 핸들링 컷-아웃(17, 117)을 구동가능하게 해제하고 커버링(covering)하는 구동가능하게 이동가능한 스크린 셔터(19; 119).
B) 바람직하게는 양상 A의 진공 처리 챔버는 상기 스크린이 금속으로 구성된다.
C) 바람직하게는 양상 A 또는 B 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버는 상기 스크린이 유지 보수-교환 부분이다.
D) 바람직하게는 양상 A 내지 C 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버는 스크린이 전기 전도성 표면을 가지며 바람직하게는 금속으로 이루어지며, 상기 스크린 셔터는 전기 전도성 셔터 표면을 가지며, 바람직하게는 금속으로 이루어지고, 적어도 상기 컷-아웃이 상기 스크린 셔터에 의해 덮일 때 상기 스크린과 전기적으로 접촉한다.
E) 바람직하게는 양상 A 내지 D 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서 상기 스크린 셔터가 상기 중심축에 평행한 방향으로 구동가능하게 이동가능하다.
F) 바람직하게는 양상 A 내지 E 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서 상기 고정 기판 지지체는 상기 챔버의 RF 바이어싱 소스 커넥터에 전기적으로 연결된 플레이트형 기판에 대한 전기 전도성 지지 평면을 포함한다.
G) 바람직하게는 적어도 양상 F의 진공 처리 챔버에서 기판 지지체는 상기 지지 평면 위로 돌출하고 이들의 축을 따라서 및 상기 지지 평면에 대해 구동가능하게 수축가능하고 상승가능한 적어도 세 개의 핀들을 포함한다.
H) 바람직하게는 적어도 양상 G의 진공 처리 챔버에서, 상기 돌출 위치에 있는 상기 핀은 상기 하나의 지지 평면에 평행한 추가의 지지 평면을 한정하며, 상기 지지 평면은 스크린 내에서 상기 중심축과 교차한다.
I) 바람직하게는 양상 A 내지 H 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 지지 평면은 상기 스크린 내부에서 상기 중심축과 교차한다.
K) 바람직하게는 양상 A 내지 I 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 중심축의 방향으로 고려되는 상기 스크린의 단면 형상은 원형 및 다각형 중 하나이며, 특히 원형, 직사각형 또는 정사각형 중 하나이다.
L) 바람직하게는 양상 A 내지 K 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 스크린은 전도성 표면을 가지며 바람직하게는 금속으로 이루어지고 상기 측벽을 통해 상기 챔버의 시스템 접지 커넥터에 전기적으로 연결된다.
M) 바람직하게는 적어도 양상 L의 진공 처리 챔버에서, 상기 스크린은 유지 보수 교환 가능한 부분이며, 스크린의 외주를 따라 분포된 탄성 접촉 요소를 통해 상기 측벽에 직접 또는 간접적으로 전기적으로 접촉하며, 상기 탄성 접촉 요소 각각은 상기 스크린 또는 상기 측벽과 직접 또는 간접적으로 전기적으로 접촉하는 금속 부분에 기계적으로 장착된다.
N) 바람직하게는 양상 A 내지 M 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 스크린은 상기 기판 지지체에 대향하는 커버 플레이트를 포함하고, 상기 커버 플레이트는 상기 스크린의 내부 공간으로 방출되는 적어도 하나의 가스 피드스루 라인(gas feedthrough line)을 포함한다.
O) 바람직하게는 양상 A 내지 N 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버는 상기 중심축 둘레로 루핑되고 상기 측벽에 대해 상기 스크린을 보완하는(complementing) 하부 실드를 추가로 포함하며, 상기 하부 실드는 금속으로 구성되며, 상기 스크린은 전도성 표면을 가지며 이의 하부 림에서, 상기 바닥 실드 및 상기 측벽과 전기적으로 접촉하고, 상기 바닥 실드는, 달리, 상기 시스템 접지 커넥터에 견고하게 전기적으로 연결되는 것을 제외하고는 상기 처리 챔버의 다른 부분들로부터 전기적으로 절연된다.
P) 바람직하게는 양상 A 내지 O 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버는 상기 중심축 둘레로 루핑되고 상기 측벽에 대해 상기 스크린을 보완하는 하부 실드를 추가로 포함하며, 상기 하부 실드는 상기 스크린과, 상기 중심축 방향으로 그리고 상기 스크린의 외부적으로 중첩된다.
Q) 바람직하게는 적어도 양상 P의 진공 처리 챔버에서, 상기 하부 실드는 상기 컷-아웃 된 부분의 적어도 일부를 포함하는 상기 중심축 둘레의 영역을 따라 상기 스크린과 중첩되며, 상기 하부 실드는 상기 스크린 내의 상기 컷-아웃 및 상기 측벽 내의 상기 기판 핸들링 개구와 정렬된 기판 핸들링 컷-아웃을 포함한다.
R) 바람직하게는 양상 A 내지 Q 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 스크린은 금속으로 이루어지고 상기 측벽 및/또는 하부 실드로부터 열적으로 분리되며, 만일 제공되면, 상기 스크린의 하부 림의 주변부를 따라 분포된 탄성인, 별개의 전기 접촉 요소들을 통해서만, 만일 제공되면, 상기 스크린은 상기 수용체에 매달려 상기 측벽 및/또는 상기 하부 실드와 접촉한다.
S) 바람직하게는 양상 A 내지 R 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 스크린은 냉각 매체 또는 가열 매체에 대한 채널 장치를 포함하는 냉각 또는 가열 플레이트에 상부 장착된다.
T) 바람직하게는 양상 A 내지 S 중 적어도 하나의 진공 처리 챔버에서, 상기 진공 처리 챔버는 에칭 챔버이고, 상기 중심축 둘레로 루핑되고 및 금속으로 구성된 스크린 외부에 유도 코일을 포함하며, 상기 측벽은 상기 스크린과 상기 코일 사이에 반경 방향으로 상기 중심축 둘레로 루핑되는 유전체 재료의 일부를 포함하며, 상기 금속 스크린은 상기 금속 스크린을 따라 분포된 관통 슬릿 패턴을 포함하고 상기 중심축에 평행한 범위 방향의 주된 성분을 갖는다.
U) 바람직하게 적어도 양상 U를 따르는, 다음 단계들을 포함하는 진공 처리된 플레이트형상의 기판을 제조하는 방법:
· 진공 처리 챔버의 내부 표면의 일부로부터 이를 따라서 분리된 스크린을 제공하는 단계;
· 평면을 따라 상기 스크린의 내부 공간에 노출된 플레이트형 기판을 지지하도록 적용된 고정 기판 홀더를 제공하는 단계;
· 스크린 내에서 기판 인-피드 컷-아웃(in-feed cut-out)을 개방하는 단계;
· 상기 스크린 내로, 개방된 기판 인-피드 컷-아웃을 통해 상기 평면에 평행한 2차원으로 확장된 표면들 중 하나를 구비한 플레이트형 기판을 도입하는 단계;
· 상기 플레이트형 기판을 기판 지지체 상에 증착시키는 단계;
· 상기 스크린 내에서 기판 인-피드 컷-아웃이 닫히며, 만일 아직 닫히지 않은 경우, 상기 스크린 내에서 기판 제거 컷-아웃이 닫히는 단계;
· 상기 기판 지지체 상의, 그리고 상기 스크린 내의 상기 기판을 진공 처리하는 단계;
· 상기 기판 제거 컷-아웃을 개방하는 단계;
· 처리된 플레이트형 기판이 상기 기판 지지체 및 상기 스크린으로부터, 및 상기 기판 제거 컷-아웃을 통해 진공 처리 챔버로부터 제거되는 단계.
V) 바람직하게는 적어도 양상 U에 따른 진공 처리된 플레이트형 기판을 제조하는 방법은 상기 기판을 상기 지지체 및 상기 스크린 상에 진공 처리함으로써 상기 기판을 Rf 바이어싱하는 단계를 포함한다.
W) 바람직하게는 적어도 하나의 양상 U 또는 V에 따른 진공 처리된 플레이트형 기판을 제조하는 방법에서, 상기 진공 처리는 바람직하게는 유도 결합 플라즈마를 사용하여 에칭하는 단계를 포함한다.
X) 바람직하게는 적어도 하나의 양상 U 또는 V에 따른 진공 처리된 플레이트형 기판을 제조하는 방법은, 적어도 상기 처리 동안, 상기 진공 처리 챔버의 벽을 통해 상기 스크린으로부터 시스템 접지 커넥터로의 제1 전류 경로 및 상기 진공 처리 챔버에서의 실드를 통해 상기 스크린으로부터 상기 시스템 접지 커넥터로의 제2 전류 경로인, 적어도 2개의 별개의 서로 평행한 전류 경로들을 설정하는 단계를 포함한다.
Y) 바람직하게는, 양상 U 내지 X 중 적어도 하나의 방법에 있어서, 상기 기판 인-피드 컷-아웃은 상기 기판 제거 컷-아웃이다.
Z) 바람직하게는 양상 U 내지 Y 중 적어도 하나의 방법은 양상 A 내지 T 중 적어도 하나에 따른 진공 처리 챔버에 의해 수행된다.

Claims (20)

  1. · 중심축(B; B100) 둘레로 루핑(looping)되는 측벽(5; 105)을 구비하고 펌핑 포트(7; 142)를 포함하는 진공 수용체(3; 103);
    · 상기 중심축(B; B100) 둘레로 루핑되고 상기 측벽(5; 105)의 일부를 따르는 상기 진공 수용체(3; 103) 내의 스크린(13; 113);
    · 상기 스크린(13; 113)의 내부에 노출되고 2차원으로 연장된 표면들 중 하나에서 그리고 상기 중심축(B; B100)에 수직인 지지 평면(E)을 따라 플레이트형 기판을 지지하도록 구성된 고정 기판 지지체(11; 132);
    · 상기 중심축(B, B100)에 수직하고 교차하는 개구 중심축을 구비한 상기 측벽(5; 105) 내의 적어도 하나의 기판 취급 개구(25; 125);
    · 상기 스크린(13; 113) 내의 적어도 하나의 기판 핸들링 컷-아웃(substrate handling cut-out)(17; 117)으로서, 상기 기판 핸들링 개구(25; 125) 및 상기 기판 핸들링 컷-아웃(17; 117)은 상기 기판 지지체(11; 132)를 향하여 및 이로부터 거기를 통과하는 플레이트형 기판의 취급을 허용하도록 상호 정렬되고 맞춤화되는, 적어도 하나의 기판 핸들링 컷-아웃; 및
    · 상기 기판 핸들링 컷-아웃(17, 117)을 구동가능하게 해제하고 커버링(covering)하는 구동가능하게 이동가능한 스크린 셔터(19; 119)를 포함하되,
    상기 스크린은 전기 전도성 표면을 가지며, 상기 스크린 셔터는 적어도 상기 컷-아웃이 상기 스크린 셔터에 의해 덮일 때 상기 스크린의 상기 전기 전도성 표면과 전기적으로 접촉하는 전기 전도성 셔터 표면을 가지며;
    상기 고정 기판 지지체는 상기 챔버의 RF 바이어싱 소스 커넥터에 전기적으로 접속된, 플레이트형 기판에 대한 전기 전도성 지지 평면을 포함하며;
    상기 스크린은 상기 측벽을 통해 상기 챔버의 시스템 접지 커넥터에 전기적으로 연결되며;
    및 추가로, 상기 중심축 둘레로 루핑되고 상기 스크린을 보완(complementing)하는 하부 실드(bottom shield)를 포함하며, 상기 하부 실드는 금속으로 구성되며, 상기 스크린은 이의 하부 림에서, 상기 바닥 실드 및 상기 측벽과 전기적으로 접촉하고, 상기 바닥 실드는, 달리, 상기 시스템 접지 커넥터에 견고하게 전기적으로 추가로 연결되는 것을 제외하고는 상기 처리 챔버의 다른 부분들로부터 전기적으로 절연되는, 특히 적어도 하나의 플레이트형 기판에 대한 진공 플라즈마 처리 챔버인, 진공 처리 챔버(1).
  2. 제1항에 있어서, 상기 스크린이 금속으로 구성되는, 진공 처리 챔버.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 스크린은 유지 보수-교환 부분인, 진공 처리 챔버.
  4. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크린 셔터는 금속으로 구성되는, 진공 처리 챔버.
  5. 제1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크린 셔터는 상기 중심축에 평행한 방향으로 구동가능하게 이동가능한, 진공 처리 챔버.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판 지지체는 상기 지지 평면 위로 돌출하고 이들의 축을 따라서 및 상기 지지 평면에 대해 구동가능하게 수축가능하고 상승가능한 적어도 세 개의 핀들을 포함하는, 진공 처리 챔버.
  7. 제6항에 있어서, 상기 돌출 위치에 있는 상기 핀은 상기 하나의 지지 평면에 평행한 추가의 지지 평면을 한정하며, 상기 추가의 지지 평면은 상기 스크린 내에서 상기 중심축과 교차하는, 진공 처리 챔버.
  8. 제1항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 평면은 상기 스크린 내부에서 상기 중심축과 교차하는, 진공 처리 챔버.
  9. 제1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중심축의 방향으로 고려되는 상기 스크린의 단면 형상은 원형 및 다각형 중 하나이며, 특히 원형, 직사각형 또는 정사각형 중 하나인, 진공 처리 챔버.
  10. 제1항 내지 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크린은 유지 보수 교환 가능(maintenance-exchangeable)한 부분이며, 스크린의 외주를 따라 분포된 탄성 접촉 요소들을 통해 상기 측벽에 직접 또는 간접적으로 전기적으로 접촉하며, 상기 탄성 접촉 요소들 각각은 상기 스크린 또는 상기 측벽과 직접 또는 간접적으로 전기적으로 접촉하는 금속 부분에 기계적으로 장착되는, 진공 처리 챔버.
  11. 제1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크린은 상기 기판 지지체에 대향하는 커버 플레이트를 포함하고, 상기 커버 플레이트는 상기 스크린의 내부 공간으로 방출되는 적어도 하나의 가스 피드스루 라인(gas feedthrough line)을 포함하는, 진공 처리 챔버.
  12. 제1항 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 실드는 상기 스크린과, 상기 중심축 방향으로 그리고 상기 스크린의 외부적으로 중첩되는, 진공 처리 챔버.
  13. 제1항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 실드는 상기 컷-아웃 된 부분의 적어도 일부를 포함하는 상기 중심축 둘레의 영역을 따라 상기 스크린과 중첩되며, 상기 하부 실드는 상기 스크린 내의 상기 컷-아웃 및 상기 측벽 내의 상기 기판 핸들링 개구와 정렬된 기판 핸들링 컷-아웃을 포함하는, 진공 처리 챔버.
  14. 제1항 내지 13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크린은 금속으로 이루어지고 상기 측벽 및/또는 하부 실드로부터 열적으로 분리되며, 상기 스크린은 상기 수용체에 매달려(suspended), 상기 스크린의 하부 림의 주변부를 따라 분포된 탄성인, 별개의 전기 접촉 요소들을 통해서만, 상기 측벽 및/또는 상기 하부 실드와 접촉하는, 진공 처리 챔버.
  15. 제1항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크린은 냉각 매체 또는 가열 매체에 대한 채널 장치를 포함하는 냉각 또는 가열 플레이트에 상부 장착(top mounted)되는, 진공 처리 챔버.
  16. 제1항 내지 15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 처리 챔버는 에칭 챔버이고, 상기 중심축 둘레로 루핑되고 및 금속으로 구성된 스크린 외부에 유도 코일을 포함하며, 상기 측벽은 상기 스크린과 상기 코일 사이에 반경 방향으로 상기 중심축 둘레로 루핑되는 유전체 재료의 일부를 포함하며, 상기 금속 스크린은 상기 금속 스크린을 따라 분포된 관통 슬릿 패턴(pattern of through-slits)을 포함하고 상기 중심축에 평행한 범위 방향의 주된 성분을 갖는, 진공 처리 챔버.
  17. · 진공 처리 챔버의 내부 표면의 일부로부터 이를 따라서 분리된 스크린을 제공하는 단계;
    · 평면을 따라 상기 스크린의 내부 공간에 노출된 플레이트형 기판을 지지하도록 적용된 고정 기판 홀더를 제공하는 단계;
    · 스크린 내에서 기판 인-피드 컷-아웃(in-feed cut-out)을 개방하는 단계;
    · 상기 스크린 내로, 개방된 기판 인-피드 컷-아웃을 통해 상기 평면에 평행하게 2차원으로 확장된 표면들 중 하나를 구비한 플레이트형 기판을 도입하는 단계;
    · 상기 플레이트형 기판을 기판 지지체 상에 증착시키는 단계;
    · 상기 스크린 내에서 기판 인-피드 컷-아웃이 닫히며, 아직 닫히지 않은 경우, 상기 스크린 내에서 기판 제거 컷-아웃이 닫히는 단계;
    · 상기 기판을 상기 지지체 및 상기 스크린에서 진공 처리하여 상기 기판을 Rf 바이어싱(Rf biasing)하는 단계;
    · 적어도 상기 처리 동안, 상기 진공 처리 챔버의 벽을 통해 상기 스크린으로부터 시스템 접지 커넥터로의 제1 전류 경로(first current path) 및 별개의 실드를 통해 상기 스크린으로부터 상기 시스템 접지 커넥터로의 제2 전류 경로인, 적어도 제1 및 제2의 별개의 서로 평행한 전류 경로들을 설정하는 단계;
    · 상기 기판 제거 컷-아웃을 개방하는 단계;
    · 처리된 플레이트형 기판이 상기 기판 지지체 및 상기 스크린으로부터, 및 상기 기판 제거 컷-아웃을 통해 진공 처리 챔버로부터 제거되는 단계를 포함하는, 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 진공 처리는 바람직하게는 유도 결합 플라즈마를 사용하여 에칭하는 단계를 포함하는, 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법.
  19. 제17항 또는 18항에 있어서, 상기 기판 인-피드 컷-아웃은 상기 기판 제거 컷-아웃인, 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법.
  20. 제1항 내지 16항 중 어느 한 항에 따른 진공 처리 챔버에 의해 수행되는, 제17항 내지 19항 중 한 항에 의한 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법.
KR1020197001421A 2016-06-15 2017-04-06 진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법 KR102385717B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00767/16 2016-06-15
CH7672016 2016-06-15
PCT/EP2017/058198 WO2017215806A1 (en) 2016-06-15 2017-04-06 Vacuum treatment chamber and method of manufacturing a vacuum treated plate-shaped substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190017051A true KR20190017051A (ko) 2019-02-19
KR102385717B1 KR102385717B1 (ko) 2022-04-12

Family

ID=58536953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197001421A KR102385717B1 (ko) 2016-06-15 2017-04-06 진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11145495B2 (ko)
EP (1) EP3472852B1 (ko)
JP (1) JP6991164B2 (ko)
KR (1) KR102385717B1 (ko)
CN (1) CN109314034B (ko)
TW (1) TWI744335B (ko)
WO (1) WO2017215806A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11387079B2 (en) * 2016-06-03 2022-07-12 Evatec Ag Plasma etch chamber and method of plasma etching
KR20210044271A (ko) 2018-08-15 2021-04-22 에바텍 아크티엔게젤샤프트 저-입자 플라즈마 에칭을 위한 방법 및 장치
KR20210078555A (ko) 2018-10-26 2021-06-28 에바텍 아크티엔게젤샤프트 압전 코팅을 위한 증착 공정
JP2020167288A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
JP7439253B2 (ja) * 2019-10-28 2024-02-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド アイドルシールド、堆積装置、堆積システム、ならびに組み立てる方法および動作させる方法
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
TW202314949A (zh) 2021-07-27 2023-04-01 瑞士商艾維太克股份有限公司 處理擋板裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020000368A1 (en) * 1998-09-30 2002-01-03 Juergen Weichart Vacuum treatment chamber and method for treating surfaces
KR101361757B1 (ko) * 2011-10-05 2014-02-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365067B2 (ja) * 1994-02-10 2003-01-08 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
US6192827B1 (en) * 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
US6779481B2 (en) * 2000-04-27 2004-08-24 Tokyo Electron Limited Electrical coupling between chamber parts in electronic device processing equipment
JP4719337B2 (ja) 2000-07-05 2011-07-06 キヤノンアネルバ株式会社 可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー
US6716302B2 (en) * 2000-11-01 2004-04-06 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
EP1436443A1 (en) 2001-04-05 2004-07-14 Angstron Systems, Inc. Atomic layer deposition system and method
US20040040664A1 (en) * 2002-06-03 2004-03-04 Yang Jang Gyoo Cathode pedestal for a plasma etch reactor
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
WO2006114976A1 (ja) 2005-03-30 2006-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置
US7469715B2 (en) * 2005-07-01 2008-12-30 Applied Materials, Inc. Chamber isolation valve RF grounding
TWI312012B (en) * 2005-07-13 2009-07-11 Applied Materials Inc Improved magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
JP4836512B2 (ja) * 2005-07-29 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板昇降装置および基板処理装置
CN100452945C (zh) * 2007-06-20 2009-01-14 中微半导体设备(上海)有限公司 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室
US7883579B2 (en) 2005-12-14 2011-02-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and lid supporting apparatus for the substrate processing apparatus
US20070215278A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Muneo Furuse Plasma etching apparatus and method for forming inner wall of plasma processing chamber
US9184072B2 (en) 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
US8597462B2 (en) 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US10023954B2 (en) * 2011-09-15 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus, systems, and methods
CN104137248B (zh) * 2012-02-29 2017-03-22 应用材料公司 配置中的除污及剥除处理腔室
KR102293092B1 (ko) 2013-11-12 2021-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP6324717B2 (ja) 2013-12-27 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020000368A1 (en) * 1998-09-30 2002-01-03 Juergen Weichart Vacuum treatment chamber and method for treating surfaces
KR101361757B1 (ko) * 2011-10-05 2014-02-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017215806A1 (en) 2017-12-21
US20190252160A1 (en) 2019-08-15
EP3472852B1 (en) 2021-08-11
CN109314034A (zh) 2019-02-05
CN109314034B (zh) 2021-11-16
JP2019519931A (ja) 2019-07-11
TW201810353A (zh) 2018-03-16
KR102385717B1 (ko) 2022-04-12
EP3472852A1 (en) 2019-04-24
TWI744335B (zh) 2021-11-01
US11145495B2 (en) 2021-10-12
JP6991164B2 (ja) 2022-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190017051A (ko) 진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법
KR101924488B1 (ko) 프로세스 공간이 한정된 ｐｅｃｖｄ 챔버
US9443753B2 (en) Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber
KR100807861B1 (ko) 플라즈마 반응기 내의 플라즈마 제한 및 유동 저항 감소방법 및 그 장치
US6652711B2 (en) Inductively-coupled plasma processing system
US6417626B1 (en) Immersed inductively—coupled plasma source
EP1108263B1 (en) Elevated stationary uniformity ring
CN108352352B (zh) 可偏压可旋转静电夹盘
US20040129218A1 (en) Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
KR980011810A (ko) 플라즈마 반응기에 유용한 탄화규소 화합물
JP2019519931A5 (ko)
US11387135B2 (en) Conductive wafer lift pin o-ring gripper with resistor
KR100489917B1 (ko) 플라즈마생성용코일을지지하는스탠드오프및코일지지방법
KR20230005094A (ko) 플라즈마 식각 장치를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN115038808A (zh) 用于物理气相沉积腔室的加热屏蔽
KR20170080517A (ko) 쿼드 챔버 및 다수의 쿼드 챔버들을 갖는 플랫폼
CN114303226A (zh) 用于处理腔室的高传导性下部屏蔽件
JP6298293B2 (ja) 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置
US20220157576A1 (en) Plasma processing apparatus
CN107004628B (zh) 用于高温rf应用的静电吸盘
CN116670811A (zh) 用于经由边缘夹持进行薄型基板操纵的沉积环
CN116711060A (zh) 经由边缘夹持的薄型基板操纵
CN115053013A (zh) 隔绝环夹具及并入隔绝环夹具的物理气相沉积腔室

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant